JP2014103286A - Wire bonding device - Google Patents
Wire bonding device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014103286A JP2014103286A JP2012254909A JP2012254909A JP2014103286A JP 2014103286 A JP2014103286 A JP 2014103286A JP 2012254909 A JP2012254909 A JP 2012254909A JP 2012254909 A JP2012254909 A JP 2012254909A JP 2014103286 A JP2014103286 A JP 2014103286A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat block
- load
- wire bonding
- bonding
- measuring unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
本発明はワイヤボンディング装置、特に半導体素子の電極とリードフレーム、パッケージ等の電極とを金属ワイヤにより電気的に接続する装置の構成に関する。 The present invention relates to a wire bonding apparatus, and more particularly to a structure of an apparatus for electrically connecting electrodes of a semiconductor element and electrodes of a lead frame, a package, and the like with a metal wire.
従来から、ワイヤボンディング装置(ワイヤボンダー)を用い、半導体素子とリードフレーム等の電極同士を接続することが行われており、このワイヤボンダーは、金属ワイヤを供給するキャピラリがアーム等で保持され、このアームの駆動によりキャピラリを上下動させることにより、半導体素子の電極とリードフレーム等の基板の電極とをワイヤにて接続する。 Conventionally, a wire bonding apparatus (wire bonder) is used to connect electrodes such as a semiconductor element and a lead frame, and this wire bonder has a capillary for supplying a metal wire held by an arm or the like, By moving the capillary up and down by driving the arm, the electrode of the semiconductor element and the electrode of the substrate such as the lead frame are connected by a wire.
このようなワイヤボンダーにおいては、ワイヤボンディング時にワイヤの(金属)ボールが半導体素子等に接触する際の速度が製品の品質と生産性を決定する大きな要因となるため、キャピラリの下降速度をアーム等の駆動部で調整し、ボールが電極に掛ける荷重が精密に管理される。 In such a wire bonder, the speed at which the (metal) ball of the wire contacts the semiconductor element or the like during wire bonding is a major factor that determines the quality and productivity of the product. The load applied to the electrode by the ball is precisely controlled.
しかし、このワイヤボンダーでは、アーム等の駆動部の駆動状態が構成部品の劣化等で変動することもあり、これによって、電極への金属ワイヤの接合状態にばらつきが生じたり、電極部にクラックが生じたりするという不都合がある。そのため、従来の下記特許文献1では、キャピラリが移動して当接できる位置にボンディングチェック用ステージを配置すると共に、このボンディングチェック用ステージの裏面に歪みセンサを配置し、このボンディングチェック用ステージにボンディングを行ったときの衝撃荷重を上記歪みセンサにて検知し、ワイヤボンダーの状態をチェックし、較正することが行われている。 However, in this wire bonder, the drive state of the drive unit such as the arm may fluctuate due to deterioration of the component parts, etc., which causes variations in the bonding state of the metal wire to the electrode or cracks in the electrode unit. There is a disadvantage that it occurs. Therefore, in the conventional Patent Document 1 below, a bonding check stage is disposed at a position where the capillary can move and contact, and a strain sensor is disposed on the back surface of the bonding check stage, and bonding is performed on the bonding check stage. The strain load is detected by the strain sensor, and the state of the wire bonder is checked and calibrated.
しかしながら、上記特許文献1のように、新たにボンディングチェック用ステージを配置し、このボンディングチェック用ステージの裏面に設けた歪みセンサで衝撃荷重を検知する構成では、その構造及び機構が複雑になるという問題がある。 However, as in the above-mentioned Patent Document 1, a structure in which a bonding check stage is newly arranged and an impact load is detected by a strain sensor provided on the back surface of the bonding check stage is complicated in structure and mechanism. There's a problem.
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、構造及び機構を複雑にすることなく、簡単に被ボンディング物に掛かる荷重を検出し、較正することができるワイヤボンディング装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a wire bonding apparatus that can easily detect and calibrate a load applied to an object to be bonded without complicating the structure and mechanism. It is to provide.
上記目的を達成するために、請求項1に係る発明は、ヒートブロック上の被ボンディング物にワイヤボンディングを施すワイヤボンディング装置において、上記ヒートブロックを装置本体に対し着脱自在にすると共に、このヒートブロックの取外し位置に、歪みゲージを有する荷重測定部を着脱自在に配置可能とし、この荷重測定部からの出力に基づいて被ボンディング物に掛かる荷重を較正することを特徴とする。
請求項2に係る発明は、上記荷重測定部は、上記ヒートブロックと略同一の形状及び大きさの本体を有し、その本体の上面に、歪みゲージ部を設けたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, according to a first aspect of the present invention, there is provided a wire bonding apparatus for performing wire bonding on an object to be bonded on a heat block. The load measuring unit having a strain gauge can be detachably disposed at the detaching position, and the load applied to the object to be bonded is calibrated based on the output from the load measuring unit.
The invention according to claim 2 is characterized in that the load measuring portion has a main body having substantially the same shape and size as the heat block, and a strain gauge portion is provided on the upper surface of the main body.
上記の構成によれば、荷重測定部として、例えばヒートブロックと略同一の形状、大きさの本体の上面に、歪みゲージ部を有するものを設け、この荷重測定部を、ヒートブロックを取り外したその位置に取り付け、その後、キャピラリにより歪みゲージ部に対しボンディング動作をすることで、被ボンディング物(半導体素子及び基板)に掛かる荷重が測定される。この測定データは、制御部へ送られ、これによって荷重の較正(キャリブレーション)が実行される。 According to the above configuration, as the load measuring unit, for example, the upper surface of the main body having substantially the same shape and size as the heat block is provided with the strain gauge unit, and the load measuring unit is removed from the heat block. The load applied to the object to be bonded (semiconductor element and substrate) is measured by attaching to the position and then performing a bonding operation on the strain gauge portion with the capillary. This measurement data is sent to the control unit, whereby load calibration is performed.
本発明のワイヤボンディング装置によれば、構造及び機構を複雑にすることなく、簡単に被ボンディング物に掛かる荷重を検出し、キャリブレーションを良好に行うことができるという効果がある。即ち、キャピラリの接着時の荷重を定量的に管理することができ、品質と生産性のバランスがとれた適切な条件を設定でき、高品質で低価格な製品の製造が可能になる。 According to the wire bonding apparatus of the present invention, there is an effect that the load applied to the object to be bonded can be easily detected and the calibration can be satisfactorily performed without complicating the structure and mechanism. That is, it is possible to quantitatively manage the load at the time of bonding of the capillaries, to set appropriate conditions that balance quality and productivity, and to manufacture a high-quality and low-priced product.
図1乃至図3には、本発明の実施例に係るワイヤボンディング装置の構成が示されており、ワイヤボンディング時では、図2,図3に示されるように、装置本体(又は支持体)10の所定の凹部位置に、被ボンディング物を加熱するためのヒータ11を有するヒートブロック12が着脱自在に取り付けられている。このヒートブロック12は、コネクタ(プラグ及びレセプタクル等)13a,13bを介して電源(及び制御部)に接続される。
FIGS. 1 to 3 show the configuration of a wire bonding apparatus according to an embodiment of the present invention. At the time of wire bonding, as shown in FIGS. 2 and 3, an apparatus main body (or support) 10 is shown. A
また、このヒートブロック12の上側に、被ボンディング物である半導体素子15及び基板(リードフレーム等)16が保持部材17で保持・固定される。更に、金属ワイヤを供給するキャピラリ18がアーム19に支持され、このアーム19の駆動で動作するキャピラリ18によって半導体素子15と基板16のワイヤボンディングが行われる。
Further, on the upper side of the
一方、図1,図2に示されるように、実施例では、上記ヒートブロック12と略同一の形状及び大きさの荷重測定部20が装置本体10に対し着脱自在に設けられ、この荷重測定部20の本体上面に、歪みゲージ部(例えばロードセル)21が取り付けられる。即ち、この荷重測定部20は、ヒートブロック12が配置された凹部位置に嵌合配置される。即ち、ヒートブロック12と同一位置に位置決め配置される。そして、上記歪みゲージ部21の検出信号は、コネクタ13c(荷重測定部側),13aを介して制御部へ出力される。
On the other hand, as shown in FIGS. 1 and 2, in the embodiment, a
実施例は以上の構成からなり、較正時には、図2に示されるように、図(B)のヒートブロック12を図(C)の装置本体10から取り外し、その取外し位置(ヒートブロック配置と同一の位置)に、図(A)の荷重測定部20を、コネクタ13c,13aの接続を介して取り付ける。この後、図1のように、キャピラリ18をアーム19で下降させ、歪みゲージ部21へ当接させれば、ワイヤボンディング時の衝撃荷重が測定・検出されることになり、この検出値が制御部へ供給されることで、実際のワイヤボンディング時の荷重が適正な値に設定される。
The embodiment is configured as described above, and at the time of calibration, as shown in FIG. 2, the
図4には、検出荷重と適正荷重の一例が示されており、実施例では、図4のHbように検出される衝撃荷重を、品質が維持できるレベルまで下げるため、ボンディング速度を調整することになる。 FIG. 4 shows an example of the detected load and the appropriate load. In the embodiment, the bonding speed is adjusted in order to reduce the impact load detected as Hb in FIG. 4 to a level at which the quality can be maintained. become.
また、上記較正時に使用される上記キャピラリ18としては、金属ワイヤの通し穴がないものを使用することが好ましい。これは、キャピラリ18の破損を防止するためである。
In addition, as the
上記実施例では、ヒートブロック12及び荷重測定部20の着脱時にコネクタ13a〜13cを用いて電源部及び制御部への接続を同時に行なっているが、このコネクタ13a〜13cを設けず、ヒートブロック12及び荷重測定部20の着脱とは別に、他の構成の電源線及び制御線を用いて双方の接続を行うようにしてもよい。
In the said Example, although connection to a power supply part and a control part is simultaneously performed using
また、装置本体10の嵌合凹部にヒートブロック12及び荷重測定部20を載置することで、これらを着脱自在にしたが、支持体に吊り下げたり、引っ掛けたりするような取付け・配置でもよく、この取付け・配置では、各種の固定手段を用いて、ヒートブロック12及び荷重測定部20を装置本体10にしっかりと固定するようにしてもよい。
Further, although the
10…装置本体、 11…ヒータ、
12…ヒートブロック、
13a〜13c…コネクタ、
15…半導体素子、 16…基板、
18…キャピラリ、 19…アーム、
20…荷重測定部、 21…歪みゲージ部。
10 ... device main body, 11 ... heater,
12 ... Heat block,
13a-13c ... connector,
15 ... Semiconductor element, 16 ... Substrate,
18 ... capillary, 19 ... arm,
20 ... Load measurement part, 21 ... Strain gauge part.
Claims (2)
上記ヒートブロックを装置本体に対し着脱自在にすると共に、
このヒートブロックの取外し位置に、歪みゲージを有する荷重測定部を着脱自在に配置可能とし、この荷重測定部からの出力に基づいて被ボンディング物に掛かる荷重を較正することを特徴とするワイヤボンディング装置。 In a wire bonding apparatus that performs wire bonding on an object to be bonded on a heat block,
While making the said heat block detachable with respect to the apparatus main body,
A wire bonding apparatus characterized in that a load measuring unit having a strain gauge can be detachably disposed at a position where the heat block is removed, and a load applied to an object to be bonded is calibrated based on an output from the load measuring unit. .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012254909A JP5972153B2 (en) | 2012-11-21 | 2012-11-21 | Wire bonding equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012254909A JP5972153B2 (en) | 2012-11-21 | 2012-11-21 | Wire bonding equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014103286A true JP2014103286A (en) | 2014-06-05 |
JP5972153B2 JP5972153B2 (en) | 2016-08-17 |
Family
ID=51025528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012254909A Active JP5972153B2 (en) | 2012-11-21 | 2012-11-21 | Wire bonding equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5972153B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018047896A1 (en) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 株式会社新川 | Wire bonding device |
WO2019155965A1 (en) * | 2018-02-06 | 2019-08-15 | 株式会社新川 | Wire bonding device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0563046U (en) * | 1991-12-23 | 1993-08-20 | 金星エレクトロン株式会社 | Multi-heater block for wire bonder |
JPH1041330A (en) * | 1996-07-22 | 1998-02-13 | Sony Corp | Wire bonding method |
JP2002151542A (en) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | Method and system for manufacturing semiconductor package |
-
2012
- 2012-11-21 JP JP2012254909A patent/JP5972153B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0563046U (en) * | 1991-12-23 | 1993-08-20 | 金星エレクトロン株式会社 | Multi-heater block for wire bonder |
JPH1041330A (en) * | 1996-07-22 | 1998-02-13 | Sony Corp | Wire bonding method |
JP2002151542A (en) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | Method and system for manufacturing semiconductor package |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018047896A1 (en) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 株式会社新川 | Wire bonding device |
JPWO2018047896A1 (en) * | 2016-09-07 | 2019-06-24 | 株式会社新川 | Wire bonding equipment |
WO2019155965A1 (en) * | 2018-02-06 | 2019-08-15 | 株式会社新川 | Wire bonding device |
JPWO2019155965A1 (en) * | 2018-02-06 | 2020-12-17 | 株式会社新川 | Wire bonding equipment |
JP7026406B2 (en) | 2018-02-06 | 2022-02-28 | 株式会社新川 | Wire bonding equipment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5972153B2 (en) | 2016-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI437236B (en) | The method of modifying the probe device and the contact position | |
EP3081912A3 (en) | Semiconductor strain gauge | |
CN105829851B (en) | Mechanical measurement device | |
JP5972153B2 (en) | Wire bonding equipment | |
KR102411561B1 (en) | Temperature measurement member, inspection apparatus, and temperature measurement method | |
JPWO2009130794A1 (en) | Test system and probe device | |
CN109084916B (en) | Device and method for fixing strain gauge in multidimensional force sensor and sensor | |
CN109923652B (en) | Wire bonding device | |
US10634572B2 (en) | Automatic bonding force calibration | |
JP2019168315A5 (en) | ||
TW201435324A (en) | Lens module measure device and measure method | |
KR100758028B1 (en) | A method for correcting hight of electrode welder for CCFL and device thereof | |
CN203949741U (en) | Temperature sensing system with quartz crystal temperature sensor and temperature sensing device thereof | |
JP2014077726A (en) | Inspection device | |
JP2005283231A (en) | Inspection device and inspection method for semiconductor component | |
JP2003023039A (en) | Method of measuring bonding damage | |
CN216645216U (en) | Sensor chip mounting table device for chip mounting of strain gauge | |
KR20070023917A (en) | Wire bonding apparatus having control unit and sensor for temperature of heater block | |
WO2022176341A1 (en) | Device, device manufacturing apparatus, and device manufacturing method | |
KR102534364B1 (en) | Probe apparatus and method of setting zero point of the probe apparatus | |
KR20130110618A (en) | Strength measuring device | |
JP2008002870A (en) | Load cell, and its manufacturing method | |
JP2002365329A (en) | Testing method for semiconductor device, and testing device for semiconductor device | |
CN201522345U (en) | Pressure measurement device of electronic aluminum wire bonder welding head | |
JP3753023B2 (en) | Bumped chip for measuring bonding damage |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150907 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160414 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160419 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160608 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160628 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160712 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5972153 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |