JP2014096726A - Antenna device - Google Patents

Antenna device Download PDF

Info

Publication number
JP2014096726A
JP2014096726A JP2012247564A JP2012247564A JP2014096726A JP 2014096726 A JP2014096726 A JP 2014096726A JP 2012247564 A JP2012247564 A JP 2012247564A JP 2012247564 A JP2012247564 A JP 2012247564A JP 2014096726 A JP2014096726 A JP 2014096726A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
plate
dielectric plate
antenna
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012247564A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6012416B2 (en
Inventor
Yasushi Tanaka
泰 田中
Yasuhiro Nishioka
泰弘 西岡
Katsuhiro Hayama
勝博 端山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2012247564A priority Critical patent/JP6012416B2/en
Publication of JP2014096726A publication Critical patent/JP2014096726A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6012416B2 publication Critical patent/JP6012416B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Waveguide Aerials (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Aerials With Secondary Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an antenna device that makes operation frequency variable without using an active component, that restricts occurrence of unnecessary scattered wave, and that eliminates the need for a design in which isolation is taken into account.SOLUTION: An antenna device comprises: a ground plate 3 formed from a conductor; a hollow dielectric plate 1 arranged on the ground plate 3 in laminated structure and having a hollow structure in which a gas can be sealed; a radiation conductor 2 arranged parallel to the ground plate 3 on an internal wall of a side of the hollow dielectric plate 1, which side is opposite the laminated side with the ground plate 3; an electric power supply pin 4 whose one end is exposed to the outside of the device and whose other end supplies electric power to a connected radiation conductor 2; and electric plates 5a and 5b arranged in a place where they do not conduct with the ground plate 3 of the hollow dielectric plate 1 and the radiation conductor 2. Plasma is generated by applying a specific voltage to the electrode plates 5a and 5b and exciting the gas sealed in the hollow dielectric plate 1. At least the voltage applied to the electrode plates 5a and 5b or the concentration of the gas sealed in the hollow dielectric plate 1 is adjusted, and the electric characteristic of plasma is changed.

Description

この発明は、マイクロ波帯において、通信やレーダに用いられるアンテナ装置に関するものである。   The present invention relates to an antenna device used for communication and radar in the microwave band.

マイクロ波帯の送受信に用いられる通信装置として、Micro Strip Antenna(以下、MSAと称する)やリフレクトアレーアンテナなど、Micro Strip共振器の原理を利用した様々なアンテナが用いられている。   As a communication device used for transmission / reception of a microwave band, various antennas using the principle of a Micro Strip resonator, such as a Micro Strip Antenna (hereinafter referred to as MSA) and a reflect array antenna, are used.

図7は、従来のMSAの構成を示す図である。図7に示したMSAは、誘電体基板91と、当該誘電体基板91上に貼り付けた放射素子となる放射導体92と、放射導体92に給電を行う給電ピン93と、誘電体基板91の底面側に当接した導体地板94で構成されている。なお、給電ピン93と導体地板94は導通していない。
図7に示すようなMSAの動作周波数帯域は、誘電体基板91を構成する誘電体の誘電率、層数および大きさと、放射導体92の大きさおよび形状と、放射導体92への給電位置などによって決まる。放射導体92に切欠き形状やスロットに設けることにより、複数の周波数帯での動作や円偏波の発生が可能である。また、MSAはプリント基板のエッチング加工により比較的安価で容易に製作可能であるという利点を持つ。
FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a conventional MSA. The MSA shown in FIG. 7 includes a dielectric substrate 91, a radiating conductor 92 that is a radiating element affixed on the dielectric substrate 91, a power supply pin 93 that supplies power to the radiating conductor 92, It is comprised with the conductor ground plane 94 contact | abutted to the bottom face side. The power feed pin 93 and the conductor ground plane 94 are not conductive.
The operating frequency band of the MSA as shown in FIG. 7 includes the dielectric constant, the number of layers and the size of the dielectric constituting the dielectric substrate 91, the size and shape of the radiation conductor 92, the feeding position to the radiation conductor 92, etc. It depends on. By providing the radiating conductor 92 with a notch shape or a slot, it is possible to operate in a plurality of frequency bands and generate circularly polarized waves. Further, MSA has an advantage that it can be easily manufactured at a relatively low cost by etching a printed circuit board.

図8は、従来のリフレクトアレーアンテナの構成を示す図である。図8に示したリフレクトアレーアンテナは、誘電体基板91と、当該誘電体基板91´上に貼り付けた複数の放射導体92´と、導体基板94´と、ホーンアンテナなどの一次放射器100で構成されている。リフレクトアレーアンテナを構成する複数の放射導体92´の反射位相を調整することにより、近傍に設置された一次放射器100から照射された位相分布を持つ電波101を平面波102に変換する。このように、リフレクトアレーアンテナの反射面はパラボラアンテナなどの反射鏡アンテナの主反射鏡と同様の働きをする。リフレクトアレーアンテナは鏡面の平面化が可能であるため、曲面を持つ反射鏡アンテナ程の幅を取らず、衛星搭載用アンテナなど搭載スペースに制限のある場所に配置しやすいという特徴を持つ。   FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a conventional reflectarray antenna. The reflectarray antenna shown in FIG. 8 includes a dielectric substrate 91, a plurality of radiation conductors 92 'pasted on the dielectric substrate 91', a conductor substrate 94 ', and a primary radiator 100 such as a horn antenna. It is configured. By adjusting the reflection phase of the plurality of radiation conductors 92 ′ constituting the reflectarray antenna, the radio wave 101 having the phase distribution irradiated from the primary radiator 100 installed in the vicinity is converted into the plane wave 102. Thus, the reflecting surface of the reflectarray antenna functions in the same manner as the main reflector of a reflector antenna such as a parabolic antenna. Since the reflector array antenna can be flattened, it has a feature that it is not as wide as a reflector antenna having a curved surface, and can be easily placed in places where space for mounting is limited, such as a satellite-mounted antenna.

このようなMSAやリフレクトアレーアンテナは電波の送信方向、使用周波数帯域が一定であるパッシブ型の研究開発に始まり、近年ではその応用範囲拡大、および、機能性向上を目的として、動作周波数や電磁波の反射方向を切り替えることが可能なアクティブ型の研究開発も盛んになりつつある。以下にアクティブ型のMSAおよびリフレクトアレーアンテナの構成を示す。   Such MSA and reflectarray antennas began with passive research and development in which the transmission direction of radio waves and the frequency band used are constant, and in recent years, with the aim of expanding their application range and improving functionality, Active research and development that can switch the reflection direction is also becoming popular. The configurations of active MSA and reflectarray antenna are shown below.

動作周波数を切り替えることが可能なMSAの1つとして、能動素子を利用したものが存在する。非特許文献1には、能動素子としてダイオードを用いたMSAが開示されている。非特許文献1に開示されたMSAでは、MSAの放射導体にスロットを設け、さらにスロットをまたぐようにPINダイオードを配置し、配置したPINダイオードに、電圧を与えることによりPINダイオードがON状態となり、スロットの一部に導通経路が形成される。これにより、放射導体の表面電流の経路を変わり、共振周波数が変化する。   As one of MSAs capable of switching the operating frequency, there is one using an active element. Non-Patent Document 1 discloses an MSA using a diode as an active element. In the MSA disclosed in Non-Patent Document 1, a slot is provided in the radiation conductor of the MSA, a PIN diode is arranged so as to cross the slot, and the PIN diode is turned on by applying a voltage to the arranged PIN diode. A conduction path is formed in a part of the slot. Thereby, the path of the surface current of the radiation conductor is changed, and the resonance frequency is changed.

MSAと同様に能動素子を用いたアンテナ素子を使って構成されたリフレクトアレーアンテナも存在する。上述のように、リフレクトアレーアンテナの電波放射方向は当該アンテナを構成するアンテナ素子の反射位相に依存する。したがって、反射位相を変えれば、放射方向は変わる。このような目的のために能動素子を用いたアンテナ素子が使われている。非特許文献2に記載されたリフレクトアレーアンテナのアンテナ素子は、PINダイオードを用いてアンテナ素子の放射導体の電気長を変えることで反射位相を変更するものである。また、目的を同じくして、能動素子にMEMS(Micro Electro Mechanical System)を用いたリフレクトアレーアンテナが非特許文献3には記載されている。   Similar to MSA, there is also a reflectarray antenna configured using an antenna element using an active element. As described above, the radio wave radiation direction of the reflectarray antenna depends on the reflection phase of the antenna elements constituting the antenna. Therefore, if the reflection phase is changed, the radiation direction is changed. For this purpose, an antenna element using an active element is used. The antenna element of the reflectarray antenna described in Non-Patent Document 2 changes the reflection phase by changing the electrical length of the radiation conductor of the antenna element using a PIN diode. For the same purpose, Non-Patent Document 3 describes a reflectarray antenna using MEMS (Micro Electro Mechanical System) as an active element.

アンテナ以外では、電磁波の伝送状態を周波数可変とするために、プラズマを用いた装置が存在する。プラズマの複素比誘電率には周波数依存性があり、内部のガス密度や電界によって変化する。また、外部磁場が与えられている場合、当該比誘電率は異方性を持つ。従って、プラズマ中に入射した電磁波の方向はプラズマの状態を可変とすることで制御することができる。
特許文献1には、ある空間に密封したガスを多数の電極を使用することで任意のプラズマ状態にして屈折率を調整することで、当該空間に入射する電磁波の方向を制御する電磁波制御装置が開示されている。
Other than antennas, there are devices using plasma in order to make the frequency of electromagnetic wave transmission variable. The complex relative permittivity of plasma has frequency dependence and changes depending on the internal gas density and electric field. In addition, when an external magnetic field is applied, the relative dielectric constant has anisotropy. Therefore, the direction of the electromagnetic wave incident on the plasma can be controlled by changing the plasma state.
Patent Document 1 discloses an electromagnetic wave control device that controls the direction of an electromagnetic wave incident on a space by adjusting the refractive index of the gas sealed in a certain space by using a large number of electrodes to adjust the refractive index. It is disclosed.

国際公開2007/000989号International Publication No. 2007/000989

M. S. Nishamol, V. P. Sarin, D. Tony, C. K. Aananda, P. Mohanan, and K. Vasudevan, “An Electronically Reconfigurable Microstrip Antenna With Switchable Slots for Polarization Diversity”, IEEE Trans. Antennas Propag., Vol. 59, No. 9, 2011MS Nishamol, VP Sarin, D. Tony, CK Aananda, P. Mohanan, and K. Vasudevan, “An Electronically Reconfigurable Microstrip Antenna With Switchable Slots for Polarization Diversity”, IEEE Trans. Antennas Propag., Vol. 59, No. 9 , 2011 X. Delestre, T. Dousset, M. Labeyrie, and C. Renard, “New Challenges for Active Reflect Arrays”, Radar Conference - Surveillance for a Safer World, 2009. RADAR. International, 2009X. Delestre, T. Dousset, M. Labeyrie, and C. Renard, “New Challenges for Active Reflect Arrays”, Radar Conference-Surveillance for a Safer World, 2009. RADAR. International, 2009 J. Perruisseau-Carrier, and A. K. Skrivervik, “Monolithic MEMS-Based Reflectarray Cell Digitally Reconfigurable Over a 360゜Phase Range”S, IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters, Vol. 7, 2008J. Perruisseau-Carrier, and A. K. Skrivervik, “Monolithic MEMS-Based Reflectarray Cell Digitally Reconfigurable Over a 360 ° Phase Range” S, IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters, Vol. 7, 2008

しかしながら、上述したアクティブ型アンテナの技術では、MSAやリフレクトアレーアンテナのアンテナ素子に能動素子を多く用いた場合、アンテナの構造が非常に複雑になるという課題があった。所望の共振周波数を得るための電流分布を放射導体表面上に作成する必要があり、多くの周波数帯域への切り替えを行う場合には1つの放射導体に対して複数個のダイオードを搭載する必要がある。また、能動素子を複数搭載した場合には、各能動素子を制御するために接続される導線の数も増加する。膨大な数の配線が放射面上に存在した状態で電磁波が入射した場合、配線上に大きな電流が励起されて不要散乱波が発生するという課題もあった。また、能動による損失を考慮し、ダイオードのバイアス回路に電流が流れないようにするためには、アイソレーションを考慮して設計しなければならないという課題があった。   However, the above-described active antenna technology has a problem that the structure of the antenna becomes very complicated when many active elements are used as the antenna elements of the MSA or the reflect array antenna. It is necessary to create a current distribution for obtaining a desired resonance frequency on the surface of the radiation conductor, and when switching to many frequency bands, it is necessary to mount a plurality of diodes on one radiation conductor. is there. In addition, when a plurality of active elements are mounted, the number of conductive wires connected to control each active element also increases. When an electromagnetic wave is incident in a state where a huge number of wirings exist on the radiation surface, there is a problem that a large current is excited on the wirings to generate unnecessary scattered waves. Further, in order to prevent loss due to active and prevent a current from flowing through the diode bias circuit, there is a problem that the design must be performed in consideration of isolation.

また、特許文献1に開示された技術では、プラズマを生成する電力を供給するための電極を多数配置する必要があるため、アンテナ装置の構造が複雑化するという課題があった。   In addition, the technique disclosed in Patent Document 1 has a problem in that the structure of the antenna device is complicated because it is necessary to arrange a large number of electrodes for supplying power for generating plasma.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、能動素子を用いることなく動作周波数を可変とし、さらに不要散乱波の発生を抑制し、アイソレーションを考慮した設計を必要としないアンテナ装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and requires a design that considers isolation by making the operating frequency variable without using active elements, further suppressing the generation of unnecessary scattered waves. An object of the present invention is to provide an antenna device that does not.

この発明に係るアンテナ装置は、導体からなる接地板と、接地板上に積層され、内部に気体を封入可能な中空構造を有する誘電体板と、誘電体板の接地板との積層面と対抗する面の内壁に、接地板と平行に配置された放射導体と、一端が装置外部に露出し、他端が接続された放射導体に給電を行う給電ピンと、誘導体板の接地板および放射導体と導通しない位置に配置した電極板とを備え、電極板に所定の電圧を印加し、誘電体板内部に封入した気体を励起させてプラズマを生成すると共に、電極板への印加電圧および誘電体板内部に封入した気体の密度のうちの少なくともいずれか一方を調整し、プラズマの電気特性を変化させるものである。   The antenna device according to the present invention is opposed to a laminated surface of a ground plate made of a conductor, a dielectric plate laminated on the ground plate and having a hollow structure capable of enclosing gas therein, and the ground plate of the dielectric plate. A radiation conductor disposed on the inner wall of the surface to be parallel to the ground plate, a power supply pin for supplying power to the radiation conductor having one end exposed to the outside of the device and the other end connected thereto, a ground plate and a radiation conductor of the derivative plate, An electrode plate disposed at a non-conducting position, applying a predetermined voltage to the electrode plate to excite the gas enclosed in the dielectric plate to generate plasma, and applying the voltage to the electrode plate and the dielectric plate It adjusts at least one of the densities of the gas sealed inside to change the electrical characteristics of the plasma.

この発明によれば、能動素子を用いることなく動作周波数を可変とするMSAを実現することができる。また、放射素子の放射面上に不要散乱波が発生するのを抑制し、バイアス回路のアイソレーションを考慮した設計を必要としないアンテナ装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to realize an MSA in which the operating frequency is variable without using an active element. In addition, it is possible to provide an antenna device that suppresses the generation of unnecessary scattered waves on the radiation surface of the radiation element and does not require a design that considers the isolation of the bias circuit.

実施の形態1によるアンテナ装置の構成を示す図である。1 is a diagram showing a configuration of an antenna device according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態1によるアンテナ素子の構成を示す三面図である。3 is a three-sided view illustrating a configuration of an antenna element according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態2によるアンテナ装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the antenna apparatus by Embodiment 2. FIG. 実施の形態2によるアンテナ素子の構成を示す三面図である。FIG. 6 is a trihedral view illustrating a configuration of an antenna element according to a second embodiment. 実施の形態3によるアンテナ装置の構成を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration of an antenna device according to a third embodiment. 実施の形態4によるアレーアンテナを示す説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram showing an array antenna according to a fourth embodiment. 従来のMSAの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the conventional MSA. 従来のリフレクトアレーアンテナの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the conventional reflectarray antenna.

実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1によるアンテナ装置の構成を示す図である。図1において、アンテナ素子10は透過斜視図で示している。図2はこの発明の実施の形態1によるアンテナ素子の構成を示す三面図であり、図2(a)はアンテナ素子の透過上面図、図2(b)は図2(a)におけるA−A´線断面図、図2(c)は図2(a)におけるB−B´線断面図である。
アンテナ装置は、アンテナ素子10、電源装置20、導線21、ガス密度調整装置30、ガスボンベ40、制御装置50で構成されている。また、アンテナ素子10は、中空誘電体板1、放射導体2、接地板3、給電ピン4および一対の電極板5a,5bで構成されている。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an antenna apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1, the antenna element 10 is shown in a transparent perspective view. 2A and 2B are three views showing the configuration of the antenna element according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2A is a transparent top view of the antenna element, and FIG. 2B is AA in FIG. A sectional view taken along the line ′, and FIG. 2C is a sectional view taken along the line BB ′ in FIG.
The antenna device includes an antenna element 10, a power supply device 20, a conducting wire 21, a gas density adjusting device 30, a gas cylinder 40, and a control device 50. The antenna element 10 includes a hollow dielectric plate 1, a radiation conductor 2, a ground plate 3, a feed pin 4, and a pair of electrode plates 5a and 5b.

中空誘電体板1は、中空の薄型立方体で構成され、ガスボンベ40から充填される気体を封入可能な構造を有しており放電管として機能する。中空誘電体板1に用いられる誘電体材料はどのようなものでも構成可能であるが、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタラート、ポリカーボネートおよびポリテトラフルオロチレンなどのように、低誘電損失且つ低誘電率の材料が望ましい。また、中空誘電体板1は、底面に給電ピン4が挿入される孔部(給電孔部)1a、3つの側面にはそれぞれ電極板5aが挿入される孔部1b、電極板5bが挿入される孔部1c、およびガス密度調整装置30と接続するための管が挿入される孔部(気体導入孔部)1dが形成されている。   The hollow dielectric plate 1 is formed of a hollow thin cube, has a structure capable of enclosing a gas filled from the gas cylinder 40, and functions as a discharge tube. Any dielectric material can be used for the hollow dielectric plate 1, but a low dielectric loss and low dielectric constant material such as polyethylene, polyethylene terephthalate, polycarbonate, and polytetrafluoroethylene can be used. desirable. The hollow dielectric plate 1 has a hole portion (power supply hole portion) 1a into which the power supply pin 4 is inserted on the bottom surface, and a hole portion 1b and electrode plate 5b into which the electrode plate 5a is inserted on each of the three side surfaces. And a hole (gas introduction hole) 1d into which a tube for connecting to the gas density adjusting device 30 is inserted.

放射導体2は、中空誘電体板1の中空部内の天面の中央に配置されている。接地板3は、導体で形成され、放射導体2の法線方向と、当該接地板3の法線方向が略同一となるように中空誘電体板1の外側底面に当接させて配置している。また接地板3は、中空誘電体板1の底面に設けた孔部1aと一致する箇所に、同様の孔部3aが形成されている。給電ピン4は、一端部が放射導体2に接続され、当該放射導体2に給電する。一方、給電ピン4の他端部は中空誘電体板1の孔部1aおよび接地板3の孔部3aを貫通して、中空誘電体板1の外部に露出している。なお、給電ピン4は、接地板3に接触しないように配置される。   The radiation conductor 2 is arranged at the center of the top surface in the hollow portion of the hollow dielectric plate 1. The ground plate 3 is formed of a conductor and is disposed in contact with the outer bottom surface of the hollow dielectric plate 1 so that the normal direction of the radiation conductor 2 and the normal direction of the ground plate 3 are substantially the same. Yes. The ground plate 3 has a similar hole portion 3 a formed at a location that coincides with the hole portion 1 a provided on the bottom surface of the hollow dielectric plate 1. One end of the power supply pin 4 is connected to the radiation conductor 2 and supplies power to the radiation conductor 2. On the other hand, the other end of the power feed pin 4 passes through the hole 1 a of the hollow dielectric plate 1 and the hole 3 a of the ground plate 3 and is exposed to the outside of the hollow dielectric plate 1. The power feed pin 4 is disposed so as not to contact the ground plate 3.

一対の電極板5a,5bは、中空誘電体板1の対抗する側面にそれぞれ設けた孔部1bbおよび孔部1cに挿入され、中空誘電体板1の中空部内および外部に電極板5a,5bが露出するように配置される。さらに一対の電極板5a,5bは、それぞれ導線21a,21bを介して電源装置20に接続されている。なお、一対の電極板5a,5bはそれぞれ、放射導体2および接地板3には接触しないように配置される。   The pair of electrode plates 5a and 5b are inserted into the hole 1bb and the hole 1c respectively provided on the opposing side surfaces of the hollow dielectric plate 1, and the electrode plates 5a and 5b are provided inside and outside the hollow dielectric plate 1 respectively. Arranged to be exposed. Further, the pair of electrode plates 5a and 5b are connected to the power supply device 20 via the conducting wires 21a and 21b, respectively. The pair of electrode plates 5a and 5b are arranged so as not to contact the radiation conductor 2 and the ground plate 3, respectively.

電源装置20は、導線21a,21bを介して接続された導電板5a,5bに所定の電圧を印加する。ガス密度調整装置30は、ガスボンベ40と接続され、ガスボンベ40内の気体を中空誘電体板1の中空部内に充填する際のガス密度を調整する装置である。中空誘電体板1の1つの側面に形成された孔部1dに接続された管31の他端がガス密度調整装置30に接続されている。当該管18を介してガスボンベ40内の気体を中空誘電体板1の中空部内に充填する。   The power supply device 20 applies a predetermined voltage to the conductive plates 5a and 5b connected via the conducting wires 21a and 21b. The gas density adjusting device 30 is connected to the gas cylinder 40 and adjusts the gas density when the gas in the gas cylinder 40 is filled in the hollow portion of the hollow dielectric plate 1. The other end of the tube 31 connected to the hole 1 d formed on one side surface of the hollow dielectric plate 1 is connected to the gas density adjusting device 30. The gas in the gas cylinder 40 is filled into the hollow portion of the hollow dielectric plate 1 through the tube 18.

ガスボンベ40は、第18族元素(希ガス)や窒素、酸素、フッ素などが充填されている。また、希ガスと窒素の混合気体、もしくはこれらを含む比率の高い気体(空気など)を充填してもよい。
中空誘電体板1に設けた4つの孔部1a,1b,1c,1dは、それぞれ給電ピン4、1対の導線21a,21bおよび管31によって完全に塞がれているため、中空誘電体板1の中空部内に封入された気体が外部に漏れ出すことはない。
The gas cylinder 40 is filled with a Group 18 element (rare gas), nitrogen, oxygen, fluorine, or the like. Further, a mixed gas of a rare gas and nitrogen, or a gas (such as air) having a high ratio including these may be filled.
Since the four holes 1a, 1b, 1c, 1d provided in the hollow dielectric plate 1 are completely closed by the power feed pin 4, the pair of conducting wires 21a, 21b and the tube 31, respectively, the hollow dielectric plate The gas enclosed in the hollow portion of 1 does not leak to the outside.

中空誘電体板1の中空部内および外部に露出した一対の電極板5a,5bに対して電源装置20が電圧を印加することにより、中空誘電体板1の中空部内に封入された例えば希ガスが励起されてプラズマ状態となる。プラズマの複素比誘電率には周波数依存性があり、中空誘電体板1の中空部内のガス密度や電界によって変化する。そのため、電源装置20の印加電圧およびガス密度調整装置30のガス密度の設定を調整することにより、中空誘電体板1の中空部内に発生するプラズマの電気的な性質を変化させることができる。   When the power supply device 20 applies a voltage to the pair of electrode plates 5a and 5b exposed to the inside and outside of the hollow dielectric plate 1, for example, a rare gas sealed in the hollow portion of the hollow dielectric plate 1 is supplied. When excited, it enters a plasma state. The complex relative permittivity of plasma has frequency dependence and varies depending on the gas density and electric field in the hollow portion of the hollow dielectric plate 1. Therefore, the electrical properties of the plasma generated in the hollow portion of the hollow dielectric plate 1 can be changed by adjusting the applied voltage of the power supply device 20 and the gas density setting of the gas density adjusting device 30.

制御装置50は、入力部(不図示)を介して指定された周波数となるような印加電圧およびガス密度を算出し、電源装置20の印加電圧およびガス密度調整装置30のガス密度を調整する制御を行う。なお、制御装置50に対して直接印加電圧およびガス密度を指定する入力を行い、指定された印加電圧およびガス密度となるように電源装置20およびガス密度調整装置30を制御するように構成してもよい。   The control device 50 calculates an applied voltage and a gas density so as to have a frequency specified via an input unit (not shown), and adjusts the applied voltage of the power supply device 20 and the gas density of the gas density adjusting device 30. I do. The controller 50 is configured to directly input an application voltage and a gas density and to control the power supply device 20 and the gas density adjusting device 30 so that the specified application voltage and gas density are obtained. Also good.

次に、放電管として機能する中空誘電体板1を用いたアンテナ素子10において、発生したプラズマを用いた共振周波数の制御について以下に説明する。
まず、MSAの共振周波数の算出について説明する。なお、説明の簡略化のため、図7において従来のアンテナ装置として示した、誘電体基板91、正方形を有する放射導体92、給電ピン93および導体接地板94からなる単純な構造のMSAを例に説明を行う。
参考文献1に記載された矩形のMSAに関する以下の式(1)から式(3)を用いて、当該MSAの共振周波数が求められる。

Figure 2014096726


Figure 2014096726


Figure 2014096726

・参考文献1
C. A. Balanies, Antenna Theory: Analysis & Design, 2nd edition, John Wiley & Sons, Inc., 1997 Next, control of the resonance frequency using generated plasma in the antenna element 10 using the hollow dielectric plate 1 functioning as a discharge tube will be described below.
First, calculation of the resonance frequency of the MSA will be described. For simplicity of explanation, an MSA having a simple structure including a dielectric substrate 91, a radiating conductor 92 having a square shape, a feed pin 93, and a conductor grounding plate 94 shown as a conventional antenna device in FIG. 7 is taken as an example. Give an explanation.
Using the following formulas (1) to (3) related to the rectangular MSA described in Reference 1, the resonance frequency of the MSA is obtained.

Figure 2014096726


Figure 2014096726


Figure 2014096726

Reference 1
CA Balanies, Antenna Theory: Analysis & Design, 2 nd edition, John Wiley & Sons, Inc., 1997

例えば、放射導体92の一辺の長さaを15.172mm、誘電体基板91の厚さtを1mm、比誘電率εを0.8、誘電正接を0.01とした場合、MSAの共振周波数は約10GHzと求められる。 For example, if the length a of one side of the radiation conductor 92 is 15.172 mm, the thickness t of the dielectric substrate 91 is 1 mm, the relative dielectric constant ε r is 0.8, and the dielectric loss tangent is 0.01, the resonance of the MSA The frequency is required to be about 10 GHz.

次に、上述のように算出された誘電率を、図1で示した本発明のアンテナ装置がプラズマを用いて実現する構成について説明する。
中空誘電体板1内で発生したプラズマの外部に磁界が存在せず、且つ電子温度が低温であった場合に、プラズマの複素比誘電率εは、参考文献2に記載されたDrude分散式である以下の式(4)によって表される。

Figure 2014096726
Next, a configuration in which the antenna device of the present invention shown in FIG. 1 realizes the dielectric constant calculated as described above using plasma will be described.
When a magnetic field does not exist outside the plasma generated in the hollow dielectric plate 1 and the electron temperature is low, the complex relative permittivity ε r of the plasma is expressed by the Drude dispersion formula described in Reference 2. It is represented by the following formula (4).
Figure 2014096726

式(4)において、ωは電磁波の角周波数[rad/s]、νは電子が原子と単位時間あたりに衝突する頻度(衝突周波数[Hz])を表している。
・参考文献2
R. J. Vidmar、”On the use of Atmospheric Pressure Plasmas as Electromagnetic Reflections and Absorbers”、IEEE Trans. Plasma Sci.、Vol. 18、No. 4、1990
In Equation (4), ω represents the angular frequency [rad / s] of the electromagnetic wave, and ν represents the frequency of collision of electrons with the atom per unit time (collision frequency [Hz]).
Reference 2
RJ Vidmar, “On the use of Atmospheric Pressure Plasmas as Electromagnetic Reflections and Absorbers”, IEEE Trans. Plasma Sci., Vol. 18, No. 4, 1990

また、ωはプラズマが電気的に中性になろうとする際のゆらぎの周波数であり、プラズマ角周波数[rad/s]と呼ばれ、上述した参考文献2に記載された以下の式(5)で示される。

Figure 2014096726

式(5)において、eは電子の電荷[q]、meは電子質量、εは真空の比誘電率[F/m]、そして、nは電子の密度[m−3]を表している。 Further, ω p is a frequency of fluctuation when the plasma becomes electrically neutral, and is called a plasma angular frequency [rad / s], and is expressed by the following formula (5 ).
Figure 2014096726

In the formula (5), e is the electron charge [q], me is the electron mass, epsilon 0 is the vacuum dielectric constant [F / m], and, n e is representative of the electron density [m -3] Yes.

上述した式(4)および式(5)により、ある周波数の電磁波に対するプラズマの電気的性質は電子密度と衝突周波数によって決まることが分かる。式(4)をさらに展開すると、上述した参考文献2に記載された以下の式(6)が示される。

Figure 2014096726

式(6)において、実部がプラズマの比誘電率、実部と虚部の比が誘電正接となる。式(6)により、誘電率は最大でも1未満となり、1以上の値は取りえないことが分かる。 From the above equations (4) and (5), it can be seen that the electrical properties of plasma with respect to electromagnetic waves of a certain frequency are determined by the electron density and the collision frequency. When Formula (4) is further developed, the following Formula (6) described in Reference Document 2 described above is shown.
Figure 2014096726

In Equation (6), the real part is the relative dielectric constant of the plasma, and the ratio of the real part to the imaginary part is the dielectric loss tangent. From the equation (6), it can be seen that the dielectric constant is less than 1 at the maximum and cannot take a value of 1 or more.

上述した式(4)から式(6)により、角周波数ωが10×2π rad/s(電磁波の周波数:10GHz)の時に、比誘電率が0.8、誘電正接が0.01の誘電体として振る舞うようにプラズマを制御するためには、電子密度は2.5×1017m−3、衝突周波数は2.5GHzとすれば良い。これらの値は共に実現可能な値である。 A dielectric having a relative dielectric constant of 0.8 and a dielectric loss tangent of 0.01 when the angular frequency ω is 10 × 2π rad / s (electromagnetic wave frequency: 10 GHz) according to the equations (4) to (6) described above. In order to control the plasma to behave as follows, the electron density may be 2.5 × 10 17 m −3 and the collision frequency may be 2.5 GHz. Both of these values are realizable values.

制御装置50は、上述のように算出された電子密度および衝突周波数となるように、図1で示したアンテナ装置の電源装置20の印加電圧、およびガス密度調整装置30のガス密度を制御する。これにより、中空誘電体板1の中空部内における電子密度および衝突周波数を所望の値に制御し、所定のプラズマ状態とすることができる。
なお、上述した電子密度および衝突周波数の算出は、制御装置50が行うように構成してもよいし、図示しない計算処理装置が行い、算出結果を制御装置50に設定するように構成してもよい。
The control device 50 controls the applied voltage of the power supply device 20 of the antenna device shown in FIG. 1 and the gas density of the gas density adjusting device 30 so that the electron density and the collision frequency calculated as described above are obtained. Thereby, the electron density and the collision frequency in the hollow part of the hollow dielectric plate 1 can be controlled to desired values, and a predetermined plasma state can be obtained.
The calculation of the electron density and the collision frequency described above may be performed by the control device 50, or may be performed by a calculation processing device (not shown) and the calculation result may be set in the control device 50. Good.

以上のように、放電管として機能する中空誘電体板1を備え、当該中空誘電体板1の中空部内に封入した気体をプラズマ状態とし、当該プラズマの電気的な性質を変化させ、アンテナ素子10の共振周波数を可変可能に構成したので、従来のアクティブ型アンテナ装置に用いられているダイオードやMEMSなどの能動素子を使わずに共振周波数を可変可能なMSAを実現することができる。
また能動素子を用いる必要がないため、送受信波が損失する要素を低減させることができ、さらにバイアス回路のアイソレーションを考慮した設計を行う必要がない。また、複数の能動素子を配置する必要がないため、膨大な数の配線が放射素子2の放射面上に存在する状態を回避することができ、不要散乱波の発生を低減することができる。
As described above, the antenna element 10 includes the hollow dielectric plate 1 that functions as a discharge tube, changes the electrical properties of the plasma by changing the plasma state of the gas sealed in the hollow portion of the hollow dielectric plate 1. Therefore, it is possible to realize an MSA that can change the resonance frequency without using an active element such as a diode or MEMS used in a conventional active antenna device.
In addition, since it is not necessary to use an active element, it is possible to reduce the elements that transmit and receive waves are lost, and it is not necessary to perform design in consideration of isolation of the bias circuit. In addition, since it is not necessary to arrange a plurality of active elements, it is possible to avoid a state in which an enormous number of wirings exist on the radiation surface of the radiation element 2, and it is possible to reduce the generation of unnecessary scattered waves.

また、この実施の形態1によれば、中空誘電体板1内への印加電圧を調整する電源装置20、中空誘電体板1内のガス密度を調整するガス密度調整装置30と、プラズマを用いて所望の誘電率を実現するために算出された電子密度および衝突周波数に基づいて、電源装置20およびガス密度調整装置30を制御する制御装置50とを備えるように構成したので、誘電体基板に換えて、プラズマを用いて共振周波数を可変とするアンテナ装置を構成することができる。   Further, according to the first embodiment, the power source device 20 for adjusting the voltage applied to the hollow dielectric plate 1, the gas density adjusting device 30 for adjusting the gas density in the hollow dielectric plate 1, and plasma are used. Since the power supply device 20 and the control device 50 for controlling the gas density adjusting device 30 are provided on the basis of the electron density and the collision frequency calculated to achieve a desired dielectric constant, Alternatively, an antenna device that can change the resonance frequency using plasma can be configured.

実施の形態2.
この実施の形態2では、電極板の配置位置およびガス密度調整装置の接続位置を変更した構成を示す。
図3は、この発明の実施の形態1によるアンテナ装置の構成を示す図である。図3において、アンテナ素子10´は透過斜視図で示している。図4はこの発明の実施の形態1によるアンテナ素子の構成を示す三面図であり、図4(a)はアンテナ素子10´の透過上面図、図4(b)は図4(a)におけるA−A´線断面図、図4(c)は図4(a)におけるB−B´線断面図である。
Embodiment 2. FIG.
In this Embodiment 2, the structure which changed the arrangement position of an electrode plate and the connection position of a gas density adjusting device is shown.
FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the antenna device according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 3, the antenna element 10 ′ is shown in a transparent perspective view. 4A and 4B are three views showing the configuration of the antenna element according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 4A is a transparent top view of the antenna element 10 ', and FIG. 4B is A in FIG. -A 'sectional view, FIG.4 (c) is BB' sectional drawing in Fig.4 (a).

図4(b)および図4(c)に示すように、導線21a,21bの先端に設けられた一対の電極板5a´,5b´は、中空誘電体板1の中空部内の天面、底面および側面のいずれにも接触しないように配置される。さらに導線21a,21bは、中空誘電体板1の底面から中空部内に挿入される。また、中空誘電体板1とガス密度調整装置30とを接続する管31も同様に中空誘電体板1の底面から中空部内に挿入される。   As shown in FIGS. 4B and 4C, the pair of electrode plates 5a ′ and 5b ′ provided at the tips of the conducting wires 21a and 21b are the top and bottom surfaces in the hollow portion of the hollow dielectric plate 1, respectively. And it arrange | positions so that neither of side and a side surface may be contacted. Furthermore, the conducting wires 21 a and 21 b are inserted into the hollow portion from the bottom surface of the hollow dielectric plate 1. Similarly, a pipe 31 connecting the hollow dielectric plate 1 and the gas density adjusting device 30 is also inserted into the hollow portion from the bottom surface of the hollow dielectric plate 1.

導線21a,21bおよび管18の挿入位置の変更に伴って、実施の形態1の図1および図2で示した孔部1b,1c,1dの形成位置を変更している。図3および図4に示すように、中空誘電体板1は、底面に給電ピン4が挿入される孔部1a、電極板5a,5bに接続された導線21a,21bが挿入される孔部(配線孔部)1b´,孔部1c´およびガス密度調整装置30と接続するための管31が挿入される孔部1d´が形成されている。   With the change of the insertion position of conducting wire 21a, 21b and the pipe | tube 18, the formation position of hole 1b, 1c, 1d shown in FIG. 1 and FIG. 2 of Embodiment 1 is changed. As shown in FIGS. 3 and 4, the hollow dielectric plate 1 has a hole 1a into which the power feed pin 4 is inserted in the bottom surface, and a hole (in which the conductive wires 21a and 21b connected to the electrode plates 5a and 5b are inserted ( A hole 1d ′ into which a pipe 31 for connecting to the wiring hole) 1b ′, the hole 1c ′ and the gas density adjusting device 30 is inserted is formed.

また接地板3は、中空誘電体板1の底面に設けた孔部1a,1b´,1c´,1d´と一致する箇所に、同様の孔部3a,3b,3c,3dが形成されている。給電ピン4は、中空誘電体板1の孔部1aおよび接地板3の孔部3aを貫通して、中空誘電体板1の外部に露出している。なお、給電ピン4は、接地板3に接触しないように配置される。電極板5a´,5b´に接続された導線21a,21bは孔部1b´,1c´および孔部3b,3cを貫通して電源装置20に接続される。なお、導線21a,21bは、接地板3に接触しないように配置される。管31は、孔部1d´に接続され、孔部3dを経由してガス密度調整装置30に接続される。   The ground plate 3 has similar holes 3 a, 3 b, 3 c, 3 d formed at positions corresponding to the holes 1 a, 1 b ′, 1 c ′, 1 d ′ provided on the bottom surface of the hollow dielectric plate 1. . The feed pin 4 passes through the hole 1 a of the hollow dielectric plate 1 and the hole 3 a of the ground plate 3 and is exposed to the outside of the hollow dielectric plate 1. The power feed pin 4 is disposed so as not to contact the ground plate 3. The conducting wires 21a and 21b connected to the electrode plates 5a ′ and 5b ′ are connected to the power supply device 20 through the holes 1b ′ and 1c ′ and the holes 3b and 3c. The conducting wires 21 a and 21 b are arranged so as not to contact the ground plate 3. The pipe 31 is connected to the hole 1d ′ and is connected to the gas density adjusting device 30 via the hole 3d.

また、中空誘電体板1に設けた4つの孔部1a,1b´,1c´,1d´は、それぞれ給電ピン4、導線21a,21bおよび管31によって完全に塞がれているため、中空誘電体板1の中空部内に封入された気体が外部に漏れ出すことはない。   In addition, the four holes 1a, 1b ′, 1c ′, and 1d ′ provided in the hollow dielectric plate 1 are completely closed by the power feed pin 4, the conductive wires 21a and 21b, and the tube 31, respectively. The gas sealed in the hollow part of the body plate 1 does not leak out.

導線21a,21bが挿入される孔部1b´,1c´、および管31が接続される孔部1d´全てを、中空誘電体板1の底面側に形成することにより、電極板5a´,5b´に接続される導線21a,21bおよび管31を、接地板3の底面側、すなわちアンテナ素子10´の底部側から中空誘電体板1内に挿入することができる。通常、導線21a,21bの配線によって不要散乱波が発生するという問題があるが、導線21a,21bを接地板3の底面側から中空誘電体板1内に挿入することにより放射導体2の表面における不要散乱波の発生を低減することができる。また、導線21a,21bおよび管31を接地板3の底部側から中空誘電体板1内に挿入することにより、複数のアンテナ素子10を近接させて配置するのが容易となる。   By forming all of the holes 1b 'and 1c' into which the conducting wires 21a and 21b are inserted and the hole 1d 'to which the tube 31 is connected on the bottom surface side of the hollow dielectric plate 1, the electrode plates 5a' and 5b are formed. Conductive wires 21a, 21b and a pipe 31 connected to ′ can be inserted into the hollow dielectric plate 1 from the bottom surface side of the ground plate 3, that is, from the bottom side of the antenna element 10 ′. Normally, there is a problem that unnecessary scattered waves are generated by the wirings of the conducting wires 21a and 21b. Generation of unnecessary scattered waves can be reduced. Further, by inserting the conducting wires 21a and 21b and the tube 31 into the hollow dielectric plate 1 from the bottom side of the ground plate 3, it becomes easy to place the plurality of antenna elements 10 close to each other.

以上のように、この実施の形態2によれば、電極板5a´,5b´を中空誘電体板1の中空部に配置し、当該電極板5a´,5b´に接続された導線21a,21bを挿入する孔部1b´,1c´,3b,3cをアンテナ素子10´の底部側に形成するように構成したので、導線21a,21bを放射導体2の設置平面から見て接地板3の背面に配線することができ、放射導体2の表面に不要散乱波が発生するのを低減することができる。   As described above, according to the second embodiment, the electrode plates 5a ′ and 5b ′ are arranged in the hollow portion of the hollow dielectric plate 1, and the conductive wires 21a and 21b connected to the electrode plates 5a ′ and 5b ′. Since the holes 1b ', 1c', 3b, 3c for inserting the wires are formed on the bottom side of the antenna element 10 ', the conductive wires 21a, 21b are viewed from the rear surface of the ground plate 3 when viewed from the installation plane of the radiation conductor 2. It is possible to reduce the occurrence of unnecessary scattered waves on the surface of the radiation conductor 2.

また、この実施の形態2によれば、導線21a,21bに加えて、ガス密度調整装置30に繋がれた管31を接続する孔部1c´,3cをアンテナ素子10´の底部側に形成するように構成したので、複数のアンテナ素子10を近接させて配置することができる。   Further, according to the second embodiment, in addition to the conducting wires 21a and 21b, the holes 1c ′ and 3c for connecting the pipe 31 connected to the gas density adjusting device 30 are formed on the bottom side of the antenna element 10 ′. Since it comprised so, the some antenna element 10 can be arrange | positioned closely.

実施の形態3.
図5は、この発明の実施の形態3によるアンテナ装置の構成を示す図である。
図5の例では、実施の形態2で示したアンテナ素子10´を用いて構成したアンテナ装置を示しているが、実施の形態1で示したアンテナ素子10を適用することも可能である。
この実施の形態3のアンテナ装置は、アンテナ素子10´、電源装置20、分配器60、複数のガス密度調整装置30a,30b,30c,30d、複数のガスボンベ40a,40b,40c,40d、および制御装置50で構成されている。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of an antenna apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.
In the example of FIG. 5, an antenna device configured using the antenna element 10 ′ shown in the second embodiment is shown, but the antenna element 10 shown in the first embodiment can also be applied.
The antenna device according to the third embodiment includes an antenna element 10 ', a power supply device 20, a distributor 60, a plurality of gas density adjusting devices 30a, 30b, 30c, 30d, a plurality of gas cylinders 40a, 40b, 40c, 40d, and a control. The apparatus 50 is comprised.

ガスボンベ40a,40b,40c,40dのうち、1つのガスボンベ(例えば、ガスボンベ40d)は中空誘電体板1の中空部内に封入された気体を排気する際に用いる排気用ガスボンベであり、残る3つのガスボンベ40a,40b,40cはそれぞれ異なる種類の気体が充填された通常のガスボンベである。なお、いずれのガスボンベ40a,40b,40c,40dを排気用とするかは適宜設定可能である。ガス密度調整装置30a,30b,30c,30dは、各々接続されたガスボンベ40a,40b,40c,40dから出力する気体のガス密度の調整を行う。なお、例えば図5において、ガスボンベ40dを常に排気用のみと使用する場合には、ガス密度調整装置30dの配置を省略してもよい。   Of the gas cylinders 40a, 40b, 40c, and 40d, one gas cylinder (for example, the gas cylinder 40d) is an exhaust gas cylinder used when exhausting the gas sealed in the hollow portion of the hollow dielectric plate 1, and the remaining three gas cylinders. Reference numerals 40a, 40b, and 40c denote ordinary gas cylinders filled with different kinds of gases. Note that it is possible to appropriately set which gas cylinders 40a, 40b, 40c, and 40d are used for exhaust. The gas density adjusting devices 30a, 30b, 30c and 30d adjust the gas density of the gas output from the gas cylinders 40a, 40b, 40c and 40d connected thereto. For example, in FIG. 5, when the gas cylinder 40d is always used only for exhaust, the arrangement of the gas density adjusting device 30d may be omitted.

分配器60は、ガス密度調整装置30a,30b,30c,30dでガス密度が調整された各気体を所定の混合比率に基づいて、各ボンベ40a,40b,40cから出力された気体を分配して混合気体を生成する。生成された混合気体は、中空誘電体板1の中空部内に送り込まれる。制御装置50は、電源装置20の印加電圧、ガス密度調整装置30のガス密度、および分配器60の分配比率を調整する制御を行う。   The distributor 60 distributes the gas output from each cylinder 40a, 40b, 40c based on a predetermined mixing ratio of each gas whose gas density is adjusted by the gas density adjusting devices 30a, 30b, 30c, 30d. A mixed gas is produced. The generated mixed gas is fed into the hollow portion of the hollow dielectric plate 1. The control device 50 performs control to adjust the applied voltage of the power supply device 20, the gas density of the gas density adjusting device 30, and the distribution ratio of the distributor 60.

プラズマの密度と衝突周波数は印加電圧と気体の種類に依存する。電圧を印加することで発生した電界による加速度を受けて電子は運動する。この運動する電子が他の粒子と衝突して消滅する1秒当たりの平均回数が衝突周波数である。衝突周波数νは以下の式(7)で定義される。

Figure 2014096726
Plasma density and collision frequency depend on applied voltage and gas type. Electrons move by receiving acceleration due to an electric field generated by applying a voltage. The average number of times per second that the moving electrons collide with other particles and disappear is the collision frequency. The collision frequency ν is defined by the following equation (7).
Figure 2014096726

式(7)において、運動する電子が衝突する他の粒子の大きさが大きくなると、衝突断面積が大きくなることから、衝突周波数は高くなることが分かる。
制御装置50は、上述のように算出された衝突周波数および電子密度となるように、図5で示したアンテナ装置の電源装置20の印加電圧、ガス密度調整装置30のガス密度、および分配器60の各気体の混合比率を制御する。これにより、中空誘電体板1の中空部内における電子密度および衝突周波数を所望の値に制御し、所定のプラズマ状態とすることができる。
なお、上述した電子密度および衝突周波数の算出は、制御装置50が行うように構成してもよいし、図示しない計算処理装置が行い、算出結果を制御装置50に設定するように構成してもよい。
In equation (7), it can be seen that as the size of other particles that collide with the moving electrons increases, the collision cross-sectional area increases, and the collision frequency increases.
The control device 50 applies the voltage applied to the power supply device 20 of the antenna device shown in FIG. 5, the gas density of the gas density adjusting device 30, and the distributor 60 so that the collision frequency and electron density calculated as described above are obtained. The mixing ratio of each gas is controlled. Thereby, the electron density and the collision frequency in the hollow part of the hollow dielectric plate 1 can be controlled to desired values, and a predetermined plasma state can be obtained.
The calculation of the electron density and the collision frequency described above may be performed by the control device 50, or may be performed by a calculation processing device (not shown) and the calculation result may be set in the control device 50. Good.

また、排気用ガスボンベ40dを設けているため、中空誘電体板1の中空部内に充填した混合気体を完全に排気用ボンベ内に抜き出すことができる。そのため、プラズマ状態を容易に可変させることができる。   Further, since the exhaust gas cylinder 40d is provided, the mixed gas filled in the hollow portion of the hollow dielectric plate 1 can be completely extracted into the exhaust cylinder. Therefore, the plasma state can be easily changed.

以上のように、この実施の形態3によれば、それぞれ異なる気体を充填した複数のガスボンベ40と、各ガスボンベ40から中空誘電体板1の中空部内に充填する気体の圧力調整を行う複数のガス密度調整装置30と、複数のガス密度調整装置30でガス密度が調整された各気体を指定された混合比率に基づいて分配して混合気体を生成する分配器60と、電源装置20、ガス密度調整装置30および分配器60を制御する制御装置50とを備えるように構成したので、中空誘電体板1の中空部内のプラズマ状態において所定の衝突周波数となるように様々な気体の粒子を混合することが可能となり、衝突周波数の調整の自由度をより高めることができる。   As described above, according to the third embodiment, a plurality of gas cylinders 40 filled with different gases, and a plurality of gases for adjusting the pressure of the gas filled into the hollow portion of the hollow dielectric plate 1 from each gas cylinder 40. A density adjusting device 30; a distributor 60 that distributes each gas whose gas density has been adjusted by the plurality of gas density adjusting devices 30 based on a specified mixing ratio; and a power supply device 20, a gas density Since the adjustment device 30 and the control device 50 for controlling the distributor 60 are provided, various gas particles are mixed so as to have a predetermined collision frequency in the plasma state in the hollow portion of the hollow dielectric plate 1. Therefore, the degree of freedom for adjusting the collision frequency can be further increased.

また、この実施の形態3によれば、それぞれ異なる複数種類の気体を充填したガスボンベ40a,40b,40cに加えて、排気用ガスボンベ40dを設けるように構成したので、中空誘電体板1の中空部に封入された混合ガスを完全に抜き出し、新たな混合比率で混合された混合気体を中空誘電体板1の中空部に充填することができ、衝突周波数の調整を容易に行うことができる。   Further, according to the third embodiment, since the exhaust gas cylinder 40d is provided in addition to the gas cylinders 40a, 40b, 40c filled with a plurality of different types of gases, the hollow portion of the hollow dielectric plate 1 is provided. The mixed gas sealed in the gas can be completely extracted, and the mixed gas mixed at a new mixing ratio can be filled in the hollow portion of the hollow dielectric plate 1 so that the collision frequency can be easily adjusted.

実施の形態4.
この実施の形態4では、上述したアンテナ素子を用いて構成したリフレクトアレーアンテナの構成について説明する。
図6は、この発明の実施の形態4によるリフレクトアレーアンテナを示す説明図である。なお、上述した実施の形態1から実施の形態3で示したアンテナ素子10,10´を用いてリフレクトアレーアンテナを構成することができる。しかし、図6の例のように複数のアンテナ素子を整列して配置する場合には、導線21a,21bおよび管31を挿入する孔部をアンテナ素子の底部に形成する必要があることから、実施の形態2および実施の形態3のアンテナ素子10´を適用した場合を例に説明を行う。
Embodiment 4 FIG.
In the fourth embodiment, a configuration of a reflectarray antenna configured using the antenna elements described above will be described.
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a reflectarray antenna according to Embodiment 4 of the present invention. Note that a reflectarray antenna can be configured using the antenna elements 10 and 10 'shown in the first to third embodiments. However, when arranging a plurality of antenna elements in alignment as in the example of FIG. 6, it is necessary to form a hole for inserting the conducting wires 21 a and 21 b and the pipe 31 at the bottom of the antenna element. The case where the antenna element 10 ′ of the second embodiment and the third embodiment is applied will be described as an example.

また、リフレクトアレーアンテナを形成する各アンテナ素子10´は、図3および図4で示した給電ピン2を備えず、中空誘電体板1に孔部1aを、接地板3に孔部3aを備えていない。また、複数のアンテナ素子10´の接地板3は互いに導通している。   Each antenna element 10 ′ forming the reflectarray antenna does not include the feed pin 2 shown in FIGS. 3 and 4, but includes the hole 1a in the hollow dielectric plate 1 and the hole 3a in the ground plate 3. Not. Further, the ground plates 3 of the plurality of antenna elements 10 ′ are electrically connected to each other.

リフレクトアレーアンテナ70は、複数のアンテナ素子10´を、アンテナ素子10´の平面方向に並列させて配置して構成する。リフレクトアレーアンテナ70は、各アンテナ素子10´の放射導体2の反射位相を調整することにより、近傍に設置されたホーンアンテナなどの一次放射器100から照射された位相分布を持つ電波101を平面波102に変換する。一次放射器100は、各アンテナ素子10´の放射導体2が全て視認可能な位置に配置されている。   The reflect array antenna 70 is configured by arranging a plurality of antenna elements 10 ′ in parallel in the plane direction of the antenna element 10 ′. The reflect array antenna 70 adjusts the reflection phase of the radiating conductor 2 of each antenna element 10 ′, thereby causing a plane wave 102 to generate a radio wave 101 having a phase distribution emitted from a primary radiator 100 such as a horn antenna installed in the vicinity. Convert to The primary radiator 100 is disposed at a position where all the radiation conductors 2 of the antenna elements 10 ′ are visible.

一般的に、リフレクトアレーアンテナにおいて光線方向を制御するためには、各アンテナ素子に設けられた放射導体の反射位相をそれぞれ調整する必要がある。使用する一次放射器100や、一次放射器100から放射された電波101を反射して所望の平面波102を得るためには、毎回異なるアンテナ素子が複数必要となる。
一方、実施の形態2で示したプラズマを用いたアンテナ素子10´を用いることにより、製作するアンテナ素子10´は1種類でよく、各アンテナ素子10´の印加電圧およびガス密度の調整によってプラズマの比誘電率を変化させることにより放射導体2の反射位相をそれぞれ調整することができる。
In general, in order to control the light beam direction in a reflectarray antenna, it is necessary to adjust the reflection phase of the radiation conductor provided in each antenna element. In order to obtain the desired plane wave 102 by reflecting the primary radiator 100 to be used and the radio wave 101 radiated from the primary radiator 100, a plurality of different antenna elements are required each time.
On the other hand, by using the antenna element 10 ′ using plasma shown in the second embodiment, one type of antenna element 10 ′ may be manufactured. By adjusting the applied voltage and gas density of each antenna element 10 ′, the plasma element The reflection phase of the radiation conductor 2 can be adjusted by changing the relative dielectric constant.

以上のように、この実施の形態4によれば、アンテナ素子10´を複数配置して構成したリフレクトアレーアンテナ70において各アンテナ素子のプラズマの比誘電率を変化させて各アンテナ素子の反射位相を調整するように構成したので、アンテナ素子の構造を変化させることなく、プラズマの複素比誘電率を変化させるのみで、異なるリフレクトアレーアンテナとして動作させることができる。これにより、所望の光線方向や、使用する一次放射器100に応じた放射導体を有するアンテナ素子を数種類製作することなく、反射位相が異なるリフレクトアレーアンテナを形成することができる。   As described above, according to the fourth embodiment, in the reflect array antenna 70 configured by arranging a plurality of antenna elements 10 ', the plasma dielectric constant of each antenna element is changed to change the reflection phase of each antenna element. Since it is configured to adjust, it can be operated as a different reflectarray antenna only by changing the complex relative dielectric constant of the plasma without changing the structure of the antenna element. This makes it possible to form a reflectarray antenna having different reflection phases without producing several types of antenna elements having a desired radiation direction and radiation conductors corresponding to the primary radiator 100 to be used.

なお、上述した実施の形態1から実施の形態4では、電源装置20の印加電圧とガス密度調整装置30のガス密度とを共に調整する構成を示したが、印加電圧またはガス密度の一方を調整することにより所望のプラズマ状態が得られる場合には、印加電圧またはガス密度のいずれか一方を調整すればよい。   In the first to fourth embodiments described above, the configuration in which the applied voltage of the power supply device 20 and the gas density of the gas density adjusting device 30 are both adjusted has been described. However, either the applied voltage or the gas density is adjusted. If a desired plasma state can be obtained by doing this, either the applied voltage or the gas density may be adjusted.

なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。   In the present invention, within the scope of the invention, any combination of the embodiments, or any modification of any component in each embodiment, or omission of any component in each embodiment is possible. .

1 中空誘電体板、1a,1b,1c,1d,1b´,1c´,1d´,3a、3b,3c,3d 孔部、2 放射導体、3 接地板、4 給電ピン、5a,5b,5a´,5b´ 電極板、10,10´ アンテナ素子、20 電源装置、21a,21b 導線、30,30a,30b,30c,30d ガス密度調整装置、40,40a,40b,40c,40d ガスボンベ、50 制御装置、60 分配器、70 リフレクトアレーアンテナ、100 一次放射器、101 電波、102 平面波。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Hollow dielectric board, 1a, 1b, 1c, 1d, 1b ', 1c', 1d ', 3a, 3b, 3c, 3d Hole part, 2 Radiation conductor, 3 Grounding board, 4 Feeding pin, 5a, 5b, 5a ', 5b' electrode plate, 10, 10 'antenna element, 20 power supply device, 21a, 21b conducting wire, 30, 30a, 30b, 30c, 30d gas density adjusting device, 40, 40a, 40b, 40c, 40d gas cylinder, 50 control Device, 60 distributor, 70 reflectarray antenna, 100 primary radiator, 101 radio wave, 102 plane wave.

Claims (6)

導体からなる接地板と、
前記接地板上に積層され、内部に気体を封入可能な中空構造を有する誘電体板と、
前記誘電体板の前記接地板との積層面と対抗する面の内壁に、前記接地板と平行に配置された放射導体と、
一端が装置外部に露出し、他端が接続された前記放射導体に給電を行う給電ピンと、
前記誘導体板の前記接地板および前記放射導体と導通しない位置に配置した電極板とを備え、
前記電極板に所定の電圧を印加し、前記誘電体板内部に封入した前記気体を励起させてプラズマを生成すると共に、前記電極板への印加電圧および前記誘電体板内部に封入した前記気体の密度のうち少なくともいずれか一方を調整し、前記プラズマの電気特性を変化させるアンテナ装置。
A ground plate made of a conductor;
A dielectric plate laminated on the ground plate and having a hollow structure capable of enclosing gas inside;
A radiation conductor arranged in parallel with the ground plate on the inner wall of the surface facing the laminated surface of the dielectric plate with the ground plate;
A feed pin that feeds power to the radiation conductor, one end of which is exposed to the outside of the device and the other end of which is connected;
An electrode plate disposed at a position not conducting with the ground plate and the radiation conductor of the dielectric plate,
A predetermined voltage is applied to the electrode plate to excite the gas sealed inside the dielectric plate to generate plasma, and the voltage applied to the electrode plate and the gas sealed inside the dielectric plate are An antenna device that adjusts at least one of the densities to change the electrical characteristics of the plasma.
前記接地板および前記誘電体板の前記接地板との積層面に、前記給電ピンの一端が挿入される給電孔部、前記電極板に接続される導線が挿入される配線孔部、および前記誘電体板内部に前記気体を導入する気体導入孔部を備えることを特徴とする請求項1記載のアンテナ装置。   A power supply hole portion into which one end of the power supply pin is inserted, a wiring hole portion into which a conductive wire connected to the electrode plate is inserted, and the dielectric, on the laminated surface of the ground plate and the dielectric plate with the ground plate The antenna device according to claim 1, further comprising a gas introduction hole for introducing the gas into the body plate. 電波送信機から送信された電波を反射する複数のアンテナ素子を備えたアンテナ装置であって、
前記各アンテナ素子は、導体からなる接地板と、前記接地板上に積層され、内部に気体を封入可能な中空構造を有する誘電体板と、前記誘電体板の前記接地板との積層面と対抗する面の内壁に、前記接地板と平行に配置された放射導体と、前記誘導体板の前記接地板および前記放射導体と導通しない位置に配置した電極板と、前記接地板および前記誘電体板の前記接地板との積層面に、前記電極板に接続される導線が挿入される配線孔部、および前記誘電体板内部に前記気体を導入する気体導入孔部とを備え、
前記各アンテナ素子の前記接地板は互いに導通し、
前記電極板に所定の電圧を印加し、前記誘電体板内部に封入した前記気体を励起させてプラズマを生成すると共に、前記電極板への印加電圧および前記誘電体板内部に封入した前記気体の密度のうち少なくともいずれか一方を調整し、前記プラズマの電気特性を変化させて前記放射導体の反射位相を制御することを特徴とするアンテナ装置。
An antenna device comprising a plurality of antenna elements that reflect radio waves transmitted from a radio wave transmitter,
Each antenna element includes a ground plate made of a conductor, a dielectric plate laminated on the ground plate and having a hollow structure capable of enclosing gas therein, and a laminated surface of the ground plate of the dielectric plate. A radiation conductor disposed in parallel with the ground plate on the inner wall of the opposing surface, an electrode plate disposed at a position not conducting to the ground plate and the radiation conductor of the dielectric plate, the ground plate and the dielectric plate A wiring hole portion into which a conductive wire connected to the electrode plate is inserted, and a gas introduction hole portion for introducing the gas into the dielectric plate;
The ground plates of the antenna elements are electrically connected to each other,
A predetermined voltage is applied to the electrode plate to excite the gas sealed inside the dielectric plate to generate plasma, and the voltage applied to the electrode plate and the gas sealed inside the dielectric plate are An antenna device characterized in that at least one of the densities is adjusted to change the electric characteristics of the plasma to control the reflection phase of the radiation conductor.
前記誘電体板内部に封入される前記気体は、希ガス、窒素、酸素、フッ素のいずれか、または希ガス、窒素、酸素、フッ素のいずれかを含む混合気体であることを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれか1項記載のアンテナ装置。   The gas filled in the dielectric plate is any of rare gas, nitrogen, oxygen, and fluorine, or a mixed gas containing any of rare gas, nitrogen, oxygen, and fluorine. The antenna device according to any one of claims 1 to 3. 前記電極板に電圧を印加する電源装置と、
前記誘電体板内部に封入する前記気体の密度を調整する気体密度調整装置と、
前記誘電体板内部に生成させる前記プラズマの電気特性に応じて、前記電源装置の印加電圧および前記気体密度調整装置の気体密度の調整値のうちの少なくともいずれか一方を制御する制御装置とを備えたことを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載のアンテナ装置。
A power supply device for applying a voltage to the electrode plate;
A gas density adjusting device for adjusting the density of the gas sealed in the dielectric plate;
A control device that controls at least one of an applied voltage of the power supply device and an adjustment value of a gas density of the gas density adjusting device according to an electrical characteristic of the plasma generated inside the dielectric plate. The antenna device according to any one of claims 1 to 4, wherein the antenna device is provided.
前記電極板に電圧を印加する電源装置と、
前記誘電体板内部に封入する複数種類の前記気体の各密度を調整する複数の気体密度調整装置と、
前記複数の気体密度調整装置により密度が調整された前記各気体を分配して所定の混合比率を有する混合気体を生成し、前記誘電体内部に導入する分配器と、
前記誘電体板内部に生成させる前記プラズマの電気特性に応じて、前記電源装置の印加電圧および前記気体密度調整装置の気体密度の調整値のうちの少なくともいずれか一方および前記分配器の前記各気体の分配率を制御する制御装置とを備えたことを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載のアンテナ装置。
A power supply device for applying a voltage to the electrode plate;
A plurality of gas density adjusting devices that adjust the densities of a plurality of types of the gases enclosed in the dielectric plate;
A distributor for distributing each gas whose density is adjusted by the plurality of gas density adjusting devices to generate a mixed gas having a predetermined mixing ratio and introducing the mixed gas into the dielectric;
According to the electrical characteristics of the plasma generated inside the dielectric plate, at least one of an applied voltage of the power supply device and a gas density adjustment value of the gas density adjusting device and each gas of the distributor The antenna device according to any one of claims 1 to 4, further comprising a control device that controls a distribution ratio of the antenna.
JP2012247564A 2012-11-09 2012-11-09 Antenna device Active JP6012416B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012247564A JP6012416B2 (en) 2012-11-09 2012-11-09 Antenna device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012247564A JP6012416B2 (en) 2012-11-09 2012-11-09 Antenna device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014096726A true JP2014096726A (en) 2014-05-22
JP6012416B2 JP6012416B2 (en) 2016-10-25

Family

ID=50939463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012247564A Active JP6012416B2 (en) 2012-11-09 2012-11-09 Antenna device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6012416B2 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016048901A (en) * 2014-08-28 2016-04-07 三菱電機株式会社 Array antenna device
JP2016139913A (en) * 2015-01-27 2016-08-04 三菱電機株式会社 Microstrip device, reflect array, microstrip antenna, and microstrip array antenna
JP2017009530A (en) * 2015-06-25 2017-01-12 三菱電機株式会社 Antenna device
WO2017126055A1 (en) * 2016-01-20 2017-07-27 三菱電機株式会社 Antenna device
EP3399591A4 (en) * 2016-01-20 2019-01-09 Mitsubishi Electric Corporation Antenna device and array antenna device
CN113381194A (en) * 2020-12-25 2021-09-10 中国航空工业集团公司沈阳飞机设计研究所 Frequency selective wave absorber

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0374909A (en) * 1989-08-16 1991-03-29 Nissan Motor Co Ltd Electronic control antenna system
JPH0590827A (en) * 1991-09-27 1993-04-09 Pioneer Electron Corp Variable tuned microstrip antenna
JPH11154821A (en) * 1997-11-21 1999-06-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Antenna device
JP2000341027A (en) * 1999-05-27 2000-12-08 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> Patch antenna system
US20040125019A1 (en) * 2002-12-27 2004-07-01 Rawnick James J. Antenna with dynamically variable operating band

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0374909A (en) * 1989-08-16 1991-03-29 Nissan Motor Co Ltd Electronic control antenna system
JPH0590827A (en) * 1991-09-27 1993-04-09 Pioneer Electron Corp Variable tuned microstrip antenna
JPH11154821A (en) * 1997-11-21 1999-06-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Antenna device
JP2000341027A (en) * 1999-05-27 2000-12-08 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> Patch antenna system
US20040125019A1 (en) * 2002-12-27 2004-07-01 Rawnick James J. Antenna with dynamically variable operating band

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016048901A (en) * 2014-08-28 2016-04-07 三菱電機株式会社 Array antenna device
JP2016139913A (en) * 2015-01-27 2016-08-04 三菱電機株式会社 Microstrip device, reflect array, microstrip antenna, and microstrip array antenna
JP2017009530A (en) * 2015-06-25 2017-01-12 三菱電機株式会社 Antenna device
WO2017126055A1 (en) * 2016-01-20 2017-07-27 三菱電機株式会社 Antenna device
JPWO2017126055A1 (en) * 2016-01-20 2018-02-01 三菱電機株式会社 Antenna device
EP3399591A4 (en) * 2016-01-20 2019-01-09 Mitsubishi Electric Corporation Antenna device and array antenna device
CN113381194A (en) * 2020-12-25 2021-09-10 中国航空工业集团公司沈阳飞机设计研究所 Frequency selective wave absorber
CN113381194B (en) * 2020-12-25 2023-06-02 中国航空工业集团公司沈阳飞机设计研究所 Frequency selective wave absorber

Also Published As

Publication number Publication date
JP6012416B2 (en) 2016-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Nguyen et al. Unit-cell loaded with PIN diodes for 1-bit linearly polarized reconfigurable transmitarrays
JP6012416B2 (en) Antenna device
Liu et al. Circular polarization and mode reconfigurable wideband orbital angular momentum patch array antenna
Reese et al. A millimeter-wave beam-steering lens antenna with reconfigurable aperture using liquid crystal
RU2622483C1 (en) Mobile device with phased antenna array of the outground wave
JP4343982B2 (en) Waveguide notch antenna
Li et al. Investigation of circularly polarized loop antennas with a parasitic element for bandwidth enhancement
CN109643852B (en) End-fire circularly polarized substrate integrated waveguide horn antenna and manufacturing method thereof
Guan et al. An SIW-based large-scale corporate-feed array antenna
Wu et al. A 140 GHz high-efficiency slotted waveguide antenna using a low-loss feeding network
Yang et al. Generating multiple OAM based on a nested dual-arm spiral antenna
Lee et al. Dual-band and polarization-flexible CRLH substrate-integrated waveguide resonant antenna
Malhat et al. Dual-mode plasma reflectarray/transmitarray antennas
Vilenskiy et al. Reconfigurable transmitarray with near-field coupling to gap waveguide array antenna for efficient 2-D beam steering
Li et al. A gain enhancement and flexible control of beam numbers antenna based on frequency selective surfaces
Qi et al. Low-cost empty substrate integrated waveguide slot arrays for millimeter-wave applications
Karami et al. Efficient transition hybrid two-layer feed network: Polarization diversity in a satellite transceiver array antenna
Liu et al. Polarization reconfigurable and beam-switchable array antenna using switchable feed network
Mansutti et al. Design of a hybrid metal-plasma transmit-array with beam-scanning capabilities
Kakhki et al. Dual complementary source magneto-electric dipole antenna loaded with split ring resonators
Karami et al. An X-Band Substrate Integrated Waveguide Fed Patch Array Antenna: Overcoming low efficiency, narrow impedance bandwidth, and cross-polarization radiation challenges
Zhiming et al. Investigations and prospects of Fabry-Perot antennas: A review
Zhao et al. An LTCC-based antenna array for D-band terahertz communication
Sang et al. A wideband and high-gain circularly polarized antenna array for radio-frequency energy harvesting applications
Beltayib et al. $4\times4 $-Element Cavity Slot Antenna Differentially-Fed by Odd Mode Ridge Gap Waveguide

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151007

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160810

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160823

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160920

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6012416

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250