JP2014096726A - Antenna device - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、マイクロ波帯において、通信やレーダに用いられるアンテナ装置に関するものである。 The present invention relates to an antenna device used for communication and radar in the microwave band.
マイクロ波帯の送受信に用いられる通信装置として、Micro Strip Antenna(以下、MSAと称する)やリフレクトアレーアンテナなど、Micro Strip共振器の原理を利用した様々なアンテナが用いられている。 As a communication device used for transmission / reception of a microwave band, various antennas using the principle of a Micro Strip resonator, such as a Micro Strip Antenna (hereinafter referred to as MSA) and a reflect array antenna, are used.
図7は、従来のMSAの構成を示す図である。図7に示したMSAは、誘電体基板91と、当該誘電体基板91上に貼り付けた放射素子となる放射導体92と、放射導体92に給電を行う給電ピン93と、誘電体基板91の底面側に当接した導体地板94で構成されている。なお、給電ピン93と導体地板94は導通していない。
図7に示すようなMSAの動作周波数帯域は、誘電体基板91を構成する誘電体の誘電率、層数および大きさと、放射導体92の大きさおよび形状と、放射導体92への給電位置などによって決まる。放射導体92に切欠き形状やスロットに設けることにより、複数の周波数帯での動作や円偏波の発生が可能である。また、MSAはプリント基板のエッチング加工により比較的安価で容易に製作可能であるという利点を持つ。
FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a conventional MSA. The MSA shown in FIG. 7 includes a
The operating frequency band of the MSA as shown in FIG. 7 includes the dielectric constant, the number of layers and the size of the dielectric constituting the
図8は、従来のリフレクトアレーアンテナの構成を示す図である。図8に示したリフレクトアレーアンテナは、誘電体基板91と、当該誘電体基板91´上に貼り付けた複数の放射導体92´と、導体基板94´と、ホーンアンテナなどの一次放射器100で構成されている。リフレクトアレーアンテナを構成する複数の放射導体92´の反射位相を調整することにより、近傍に設置された一次放射器100から照射された位相分布を持つ電波101を平面波102に変換する。このように、リフレクトアレーアンテナの反射面はパラボラアンテナなどの反射鏡アンテナの主反射鏡と同様の働きをする。リフレクトアレーアンテナは鏡面の平面化が可能であるため、曲面を持つ反射鏡アンテナ程の幅を取らず、衛星搭載用アンテナなど搭載スペースに制限のある場所に配置しやすいという特徴を持つ。
FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a conventional reflectarray antenna. The reflectarray antenna shown in FIG. 8 includes a
このようなMSAやリフレクトアレーアンテナは電波の送信方向、使用周波数帯域が一定であるパッシブ型の研究開発に始まり、近年ではその応用範囲拡大、および、機能性向上を目的として、動作周波数や電磁波の反射方向を切り替えることが可能なアクティブ型の研究開発も盛んになりつつある。以下にアクティブ型のMSAおよびリフレクトアレーアンテナの構成を示す。 Such MSA and reflectarray antennas began with passive research and development in which the transmission direction of radio waves and the frequency band used are constant, and in recent years, with the aim of expanding their application range and improving functionality, Active research and development that can switch the reflection direction is also becoming popular. The configurations of active MSA and reflectarray antenna are shown below.
動作周波数を切り替えることが可能なMSAの1つとして、能動素子を利用したものが存在する。非特許文献1には、能動素子としてダイオードを用いたMSAが開示されている。非特許文献1に開示されたMSAでは、MSAの放射導体にスロットを設け、さらにスロットをまたぐようにPINダイオードを配置し、配置したPINダイオードに、電圧を与えることによりPINダイオードがON状態となり、スロットの一部に導通経路が形成される。これにより、放射導体の表面電流の経路を変わり、共振周波数が変化する。
As one of MSAs capable of switching the operating frequency, there is one using an active element. Non-Patent
MSAと同様に能動素子を用いたアンテナ素子を使って構成されたリフレクトアレーアンテナも存在する。上述のように、リフレクトアレーアンテナの電波放射方向は当該アンテナを構成するアンテナ素子の反射位相に依存する。したがって、反射位相を変えれば、放射方向は変わる。このような目的のために能動素子を用いたアンテナ素子が使われている。非特許文献2に記載されたリフレクトアレーアンテナのアンテナ素子は、PINダイオードを用いてアンテナ素子の放射導体の電気長を変えることで反射位相を変更するものである。また、目的を同じくして、能動素子にMEMS(Micro Electro Mechanical System)を用いたリフレクトアレーアンテナが非特許文献3には記載されている。
Similar to MSA, there is also a reflectarray antenna configured using an antenna element using an active element. As described above, the radio wave radiation direction of the reflectarray antenna depends on the reflection phase of the antenna elements constituting the antenna. Therefore, if the reflection phase is changed, the radiation direction is changed. For this purpose, an antenna element using an active element is used. The antenna element of the reflectarray antenna described in
アンテナ以外では、電磁波の伝送状態を周波数可変とするために、プラズマを用いた装置が存在する。プラズマの複素比誘電率には周波数依存性があり、内部のガス密度や電界によって変化する。また、外部磁場が与えられている場合、当該比誘電率は異方性を持つ。従って、プラズマ中に入射した電磁波の方向はプラズマの状態を可変とすることで制御することができる。
特許文献1には、ある空間に密封したガスを多数の電極を使用することで任意のプラズマ状態にして屈折率を調整することで、当該空間に入射する電磁波の方向を制御する電磁波制御装置が開示されている。
Other than antennas, there are devices using plasma in order to make the frequency of electromagnetic wave transmission variable. The complex relative permittivity of plasma has frequency dependence and changes depending on the internal gas density and electric field. In addition, when an external magnetic field is applied, the relative dielectric constant has anisotropy. Therefore, the direction of the electromagnetic wave incident on the plasma can be controlled by changing the plasma state.
しかしながら、上述したアクティブ型アンテナの技術では、MSAやリフレクトアレーアンテナのアンテナ素子に能動素子を多く用いた場合、アンテナの構造が非常に複雑になるという課題があった。所望の共振周波数を得るための電流分布を放射導体表面上に作成する必要があり、多くの周波数帯域への切り替えを行う場合には1つの放射導体に対して複数個のダイオードを搭載する必要がある。また、能動素子を複数搭載した場合には、各能動素子を制御するために接続される導線の数も増加する。膨大な数の配線が放射面上に存在した状態で電磁波が入射した場合、配線上に大きな電流が励起されて不要散乱波が発生するという課題もあった。また、能動による損失を考慮し、ダイオードのバイアス回路に電流が流れないようにするためには、アイソレーションを考慮して設計しなければならないという課題があった。 However, the above-described active antenna technology has a problem that the structure of the antenna becomes very complicated when many active elements are used as the antenna elements of the MSA or the reflect array antenna. It is necessary to create a current distribution for obtaining a desired resonance frequency on the surface of the radiation conductor, and when switching to many frequency bands, it is necessary to mount a plurality of diodes on one radiation conductor. is there. In addition, when a plurality of active elements are mounted, the number of conductive wires connected to control each active element also increases. When an electromagnetic wave is incident in a state where a huge number of wirings exist on the radiation surface, there is a problem that a large current is excited on the wirings to generate unnecessary scattered waves. Further, in order to prevent loss due to active and prevent a current from flowing through the diode bias circuit, there is a problem that the design must be performed in consideration of isolation.
また、特許文献1に開示された技術では、プラズマを生成する電力を供給するための電極を多数配置する必要があるため、アンテナ装置の構造が複雑化するという課題があった。
In addition, the technique disclosed in
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、能動素子を用いることなく動作周波数を可変とし、さらに不要散乱波の発生を抑制し、アイソレーションを考慮した設計を必要としないアンテナ装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and requires a design that considers isolation by making the operating frequency variable without using active elements, further suppressing the generation of unnecessary scattered waves. An object of the present invention is to provide an antenna device that does not.
この発明に係るアンテナ装置は、導体からなる接地板と、接地板上に積層され、内部に気体を封入可能な中空構造を有する誘電体板と、誘電体板の接地板との積層面と対抗する面の内壁に、接地板と平行に配置された放射導体と、一端が装置外部に露出し、他端が接続された放射導体に給電を行う給電ピンと、誘導体板の接地板および放射導体と導通しない位置に配置した電極板とを備え、電極板に所定の電圧を印加し、誘電体板内部に封入した気体を励起させてプラズマを生成すると共に、電極板への印加電圧および誘電体板内部に封入した気体の密度のうちの少なくともいずれか一方を調整し、プラズマの電気特性を変化させるものである。 The antenna device according to the present invention is opposed to a laminated surface of a ground plate made of a conductor, a dielectric plate laminated on the ground plate and having a hollow structure capable of enclosing gas therein, and the ground plate of the dielectric plate. A radiation conductor disposed on the inner wall of the surface to be parallel to the ground plate, a power supply pin for supplying power to the radiation conductor having one end exposed to the outside of the device and the other end connected thereto, a ground plate and a radiation conductor of the derivative plate, An electrode plate disposed at a non-conducting position, applying a predetermined voltage to the electrode plate to excite the gas enclosed in the dielectric plate to generate plasma, and applying the voltage to the electrode plate and the dielectric plate It adjusts at least one of the densities of the gas sealed inside to change the electrical characteristics of the plasma.
この発明によれば、能動素子を用いることなく動作周波数を可変とするMSAを実現することができる。また、放射素子の放射面上に不要散乱波が発生するのを抑制し、バイアス回路のアイソレーションを考慮した設計を必要としないアンテナ装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to realize an MSA in which the operating frequency is variable without using an active element. In addition, it is possible to provide an antenna device that suppresses the generation of unnecessary scattered waves on the radiation surface of the radiation element and does not require a design that considers the isolation of the bias circuit.
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1によるアンテナ装置の構成を示す図である。図1において、アンテナ素子10は透過斜視図で示している。図2はこの発明の実施の形態1によるアンテナ素子の構成を示す三面図であり、図2(a)はアンテナ素子の透過上面図、図2(b)は図2(a)におけるA−A´線断面図、図2(c)は図2(a)におけるB−B´線断面図である。
アンテナ装置は、アンテナ素子10、電源装置20、導線21、ガス密度調整装置30、ガスボンベ40、制御装置50で構成されている。また、アンテナ素子10は、中空誘電体板1、放射導体2、接地板3、給電ピン4および一対の電極板5a,5bで構成されている。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an antenna apparatus according to
The antenna device includes an
中空誘電体板1は、中空の薄型立方体で構成され、ガスボンベ40から充填される気体を封入可能な構造を有しており放電管として機能する。中空誘電体板1に用いられる誘電体材料はどのようなものでも構成可能であるが、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタラート、ポリカーボネートおよびポリテトラフルオロチレンなどのように、低誘電損失且つ低誘電率の材料が望ましい。また、中空誘電体板1は、底面に給電ピン4が挿入される孔部(給電孔部)1a、3つの側面にはそれぞれ電極板5aが挿入される孔部1b、電極板5bが挿入される孔部1c、およびガス密度調整装置30と接続するための管が挿入される孔部(気体導入孔部)1dが形成されている。
The
放射導体2は、中空誘電体板1の中空部内の天面の中央に配置されている。接地板3は、導体で形成され、放射導体2の法線方向と、当該接地板3の法線方向が略同一となるように中空誘電体板1の外側底面に当接させて配置している。また接地板3は、中空誘電体板1の底面に設けた孔部1aと一致する箇所に、同様の孔部3aが形成されている。給電ピン4は、一端部が放射導体2に接続され、当該放射導体2に給電する。一方、給電ピン4の他端部は中空誘電体板1の孔部1aおよび接地板3の孔部3aを貫通して、中空誘電体板1の外部に露出している。なお、給電ピン4は、接地板3に接触しないように配置される。
The
一対の電極板5a,5bは、中空誘電体板1の対抗する側面にそれぞれ設けた孔部1bbおよび孔部1cに挿入され、中空誘電体板1の中空部内および外部に電極板5a,5bが露出するように配置される。さらに一対の電極板5a,5bは、それぞれ導線21a,21bを介して電源装置20に接続されている。なお、一対の電極板5a,5bはそれぞれ、放射導体2および接地板3には接触しないように配置される。
The pair of
電源装置20は、導線21a,21bを介して接続された導電板5a,5bに所定の電圧を印加する。ガス密度調整装置30は、ガスボンベ40と接続され、ガスボンベ40内の気体を中空誘電体板1の中空部内に充填する際のガス密度を調整する装置である。中空誘電体板1の1つの側面に形成された孔部1dに接続された管31の他端がガス密度調整装置30に接続されている。当該管18を介してガスボンベ40内の気体を中空誘電体板1の中空部内に充填する。
The
ガスボンベ40は、第18族元素(希ガス)や窒素、酸素、フッ素などが充填されている。また、希ガスと窒素の混合気体、もしくはこれらを含む比率の高い気体(空気など)を充填してもよい。
中空誘電体板1に設けた4つの孔部1a,1b,1c,1dは、それぞれ給電ピン4、1対の導線21a,21bおよび管31によって完全に塞がれているため、中空誘電体板1の中空部内に封入された気体が外部に漏れ出すことはない。
The
Since the four
中空誘電体板1の中空部内および外部に露出した一対の電極板5a,5bに対して電源装置20が電圧を印加することにより、中空誘電体板1の中空部内に封入された例えば希ガスが励起されてプラズマ状態となる。プラズマの複素比誘電率には周波数依存性があり、中空誘電体板1の中空部内のガス密度や電界によって変化する。そのため、電源装置20の印加電圧およびガス密度調整装置30のガス密度の設定を調整することにより、中空誘電体板1の中空部内に発生するプラズマの電気的な性質を変化させることができる。
When the
制御装置50は、入力部(不図示)を介して指定された周波数となるような印加電圧およびガス密度を算出し、電源装置20の印加電圧およびガス密度調整装置30のガス密度を調整する制御を行う。なお、制御装置50に対して直接印加電圧およびガス密度を指定する入力を行い、指定された印加電圧およびガス密度となるように電源装置20およびガス密度調整装置30を制御するように構成してもよい。
The
次に、放電管として機能する中空誘電体板1を用いたアンテナ素子10において、発生したプラズマを用いた共振周波数の制御について以下に説明する。
まず、MSAの共振周波数の算出について説明する。なお、説明の簡略化のため、図7において従来のアンテナ装置として示した、誘電体基板91、正方形を有する放射導体92、給電ピン93および導体接地板94からなる単純な構造のMSAを例に説明を行う。
参考文献1に記載された矩形のMSAに関する以下の式(1)から式(3)を用いて、当該MSAの共振周波数が求められる。
・参考文献1
C. A. Balanies, Antenna Theory: Analysis & Design, 2nd edition, John Wiley & Sons, Inc., 1997
Next, control of the resonance frequency using generated plasma in the
First, calculation of the resonance frequency of the MSA will be described. For simplicity of explanation, an MSA having a simple structure including a
Using the following formulas (1) to (3) related to the rectangular MSA described in
・
CA Balanies, Antenna Theory: Analysis & Design, 2 nd edition, John Wiley & Sons, Inc., 1997
例えば、放射導体92の一辺の長さaを15.172mm、誘電体基板91の厚さtを1mm、比誘電率εrを0.8、誘電正接を0.01とした場合、MSAの共振周波数は約10GHzと求められる。
For example, if the length a of one side of the
次に、上述のように算出された誘電率を、図1で示した本発明のアンテナ装置がプラズマを用いて実現する構成について説明する。
中空誘電体板1内で発生したプラズマの外部に磁界が存在せず、且つ電子温度が低温であった場合に、プラズマの複素比誘電率εrは、参考文献2に記載されたDrude分散式である以下の式(4)によって表される。
Next, a configuration in which the antenna device of the present invention shown in FIG. 1 realizes the dielectric constant calculated as described above using plasma will be described.
When a magnetic field does not exist outside the plasma generated in the
式(4)において、ωは電磁波の角周波数[rad/s]、νは電子が原子と単位時間あたりに衝突する頻度(衝突周波数[Hz])を表している。
・参考文献2
R. J. Vidmar、”On the use of Atmospheric Pressure Plasmas as Electromagnetic Reflections and Absorbers”、IEEE Trans. Plasma Sci.、Vol. 18、No. 4、1990
In Equation (4), ω represents the angular frequency [rad / s] of the electromagnetic wave, and ν represents the frequency of collision of electrons with the atom per unit time (collision frequency [Hz]).
・
RJ Vidmar, “On the use of Atmospheric Pressure Plasmas as Electromagnetic Reflections and Absorbers”, IEEE Trans. Plasma Sci., Vol. 18, No. 4, 1990
また、ωpはプラズマが電気的に中性になろうとする際のゆらぎの周波数であり、プラズマ角周波数[rad/s]と呼ばれ、上述した参考文献2に記載された以下の式(5)で示される。
式(5)において、eは電子の電荷[q]、meは電子質量、ε0は真空の比誘電率[F/m]、そして、neは電子の密度[m−3]を表している。
Further, ω p is a frequency of fluctuation when the plasma becomes electrically neutral, and is called a plasma angular frequency [rad / s], and is expressed by the following formula (5 ).
In the formula (5), e is the electron charge [q], me is the electron mass, epsilon 0 is the vacuum dielectric constant [F / m], and, n e is representative of the electron density [m -3] Yes.
上述した式(4)および式(5)により、ある周波数の電磁波に対するプラズマの電気的性質は電子密度と衝突周波数によって決まることが分かる。式(4)をさらに展開すると、上述した参考文献2に記載された以下の式(6)が示される。
式(6)において、実部がプラズマの比誘電率、実部と虚部の比が誘電正接となる。式(6)により、誘電率は最大でも1未満となり、1以上の値は取りえないことが分かる。
From the above equations (4) and (5), it can be seen that the electrical properties of plasma with respect to electromagnetic waves of a certain frequency are determined by the electron density and the collision frequency. When Formula (4) is further developed, the following Formula (6) described in
In Equation (6), the real part is the relative dielectric constant of the plasma, and the ratio of the real part to the imaginary part is the dielectric loss tangent. From the equation (6), it can be seen that the dielectric constant is less than 1 at the maximum and cannot take a value of 1 or more.
上述した式(4)から式(6)により、角周波数ωが10×2π rad/s(電磁波の周波数:10GHz)の時に、比誘電率が0.8、誘電正接が0.01の誘電体として振る舞うようにプラズマを制御するためには、電子密度は2.5×1017m−3、衝突周波数は2.5GHzとすれば良い。これらの値は共に実現可能な値である。 A dielectric having a relative dielectric constant of 0.8 and a dielectric loss tangent of 0.01 when the angular frequency ω is 10 × 2π rad / s (electromagnetic wave frequency: 10 GHz) according to the equations (4) to (6) described above. In order to control the plasma to behave as follows, the electron density may be 2.5 × 10 17 m −3 and the collision frequency may be 2.5 GHz. Both of these values are realizable values.
制御装置50は、上述のように算出された電子密度および衝突周波数となるように、図1で示したアンテナ装置の電源装置20の印加電圧、およびガス密度調整装置30のガス密度を制御する。これにより、中空誘電体板1の中空部内における電子密度および衝突周波数を所望の値に制御し、所定のプラズマ状態とすることができる。
なお、上述した電子密度および衝突周波数の算出は、制御装置50が行うように構成してもよいし、図示しない計算処理装置が行い、算出結果を制御装置50に設定するように構成してもよい。
The
The calculation of the electron density and the collision frequency described above may be performed by the
以上のように、放電管として機能する中空誘電体板1を備え、当該中空誘電体板1の中空部内に封入した気体をプラズマ状態とし、当該プラズマの電気的な性質を変化させ、アンテナ素子10の共振周波数を可変可能に構成したので、従来のアクティブ型アンテナ装置に用いられているダイオードやMEMSなどの能動素子を使わずに共振周波数を可変可能なMSAを実現することができる。
また能動素子を用いる必要がないため、送受信波が損失する要素を低減させることができ、さらにバイアス回路のアイソレーションを考慮した設計を行う必要がない。また、複数の能動素子を配置する必要がないため、膨大な数の配線が放射素子2の放射面上に存在する状態を回避することができ、不要散乱波の発生を低減することができる。
As described above, the
In addition, since it is not necessary to use an active element, it is possible to reduce the elements that transmit and receive waves are lost, and it is not necessary to perform design in consideration of isolation of the bias circuit. In addition, since it is not necessary to arrange a plurality of active elements, it is possible to avoid a state in which an enormous number of wirings exist on the radiation surface of the
また、この実施の形態1によれば、中空誘電体板1内への印加電圧を調整する電源装置20、中空誘電体板1内のガス密度を調整するガス密度調整装置30と、プラズマを用いて所望の誘電率を実現するために算出された電子密度および衝突周波数に基づいて、電源装置20およびガス密度調整装置30を制御する制御装置50とを備えるように構成したので、誘電体基板に換えて、プラズマを用いて共振周波数を可変とするアンテナ装置を構成することができる。
Further, according to the first embodiment, the
実施の形態2.
この実施の形態2では、電極板の配置位置およびガス密度調整装置の接続位置を変更した構成を示す。
図3は、この発明の実施の形態1によるアンテナ装置の構成を示す図である。図3において、アンテナ素子10´は透過斜視図で示している。図4はこの発明の実施の形態1によるアンテナ素子の構成を示す三面図であり、図4(a)はアンテナ素子10´の透過上面図、図4(b)は図4(a)におけるA−A´線断面図、図4(c)は図4(a)におけるB−B´線断面図である。
In this
FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the antenna device according to
図4(b)および図4(c)に示すように、導線21a,21bの先端に設けられた一対の電極板5a´,5b´は、中空誘電体板1の中空部内の天面、底面および側面のいずれにも接触しないように配置される。さらに導線21a,21bは、中空誘電体板1の底面から中空部内に挿入される。また、中空誘電体板1とガス密度調整装置30とを接続する管31も同様に中空誘電体板1の底面から中空部内に挿入される。
As shown in FIGS. 4B and 4C, the pair of
導線21a,21bおよび管18の挿入位置の変更に伴って、実施の形態1の図1および図2で示した孔部1b,1c,1dの形成位置を変更している。図3および図4に示すように、中空誘電体板1は、底面に給電ピン4が挿入される孔部1a、電極板5a,5bに接続された導線21a,21bが挿入される孔部(配線孔部)1b´,孔部1c´およびガス密度調整装置30と接続するための管31が挿入される孔部1d´が形成されている。
With the change of the insertion position of conducting
また接地板3は、中空誘電体板1の底面に設けた孔部1a,1b´,1c´,1d´と一致する箇所に、同様の孔部3a,3b,3c,3dが形成されている。給電ピン4は、中空誘電体板1の孔部1aおよび接地板3の孔部3aを貫通して、中空誘電体板1の外部に露出している。なお、給電ピン4は、接地板3に接触しないように配置される。電極板5a´,5b´に接続された導線21a,21bは孔部1b´,1c´および孔部3b,3cを貫通して電源装置20に接続される。なお、導線21a,21bは、接地板3に接触しないように配置される。管31は、孔部1d´に接続され、孔部3dを経由してガス密度調整装置30に接続される。
The
また、中空誘電体板1に設けた4つの孔部1a,1b´,1c´,1d´は、それぞれ給電ピン4、導線21a,21bおよび管31によって完全に塞がれているため、中空誘電体板1の中空部内に封入された気体が外部に漏れ出すことはない。
In addition, the four
導線21a,21bが挿入される孔部1b´,1c´、および管31が接続される孔部1d´全てを、中空誘電体板1の底面側に形成することにより、電極板5a´,5b´に接続される導線21a,21bおよび管31を、接地板3の底面側、すなわちアンテナ素子10´の底部側から中空誘電体板1内に挿入することができる。通常、導線21a,21bの配線によって不要散乱波が発生するという問題があるが、導線21a,21bを接地板3の底面側から中空誘電体板1内に挿入することにより放射導体2の表面における不要散乱波の発生を低減することができる。また、導線21a,21bおよび管31を接地板3の底部側から中空誘電体板1内に挿入することにより、複数のアンテナ素子10を近接させて配置するのが容易となる。
By forming all of the
以上のように、この実施の形態2によれば、電極板5a´,5b´を中空誘電体板1の中空部に配置し、当該電極板5a´,5b´に接続された導線21a,21bを挿入する孔部1b´,1c´,3b,3cをアンテナ素子10´の底部側に形成するように構成したので、導線21a,21bを放射導体2の設置平面から見て接地板3の背面に配線することができ、放射導体2の表面に不要散乱波が発生するのを低減することができる。
As described above, according to the second embodiment, the
また、この実施の形態2によれば、導線21a,21bに加えて、ガス密度調整装置30に繋がれた管31を接続する孔部1c´,3cをアンテナ素子10´の底部側に形成するように構成したので、複数のアンテナ素子10を近接させて配置することができる。
Further, according to the second embodiment, in addition to the conducting
実施の形態3.
図5は、この発明の実施の形態3によるアンテナ装置の構成を示す図である。
図5の例では、実施の形態2で示したアンテナ素子10´を用いて構成したアンテナ装置を示しているが、実施の形態1で示したアンテナ素子10を適用することも可能である。
この実施の形態3のアンテナ装置は、アンテナ素子10´、電源装置20、分配器60、複数のガス密度調整装置30a,30b,30c,30d、複数のガスボンベ40a,40b,40c,40d、および制御装置50で構成されている。
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of an antenna apparatus according to
In the example of FIG. 5, an antenna device configured using the
The antenna device according to the third embodiment includes an antenna element 10 ', a
ガスボンベ40a,40b,40c,40dのうち、1つのガスボンベ(例えば、ガスボンベ40d)は中空誘電体板1の中空部内に封入された気体を排気する際に用いる排気用ガスボンベであり、残る3つのガスボンベ40a,40b,40cはそれぞれ異なる種類の気体が充填された通常のガスボンベである。なお、いずれのガスボンベ40a,40b,40c,40dを排気用とするかは適宜設定可能である。ガス密度調整装置30a,30b,30c,30dは、各々接続されたガスボンベ40a,40b,40c,40dから出力する気体のガス密度の調整を行う。なお、例えば図5において、ガスボンベ40dを常に排気用のみと使用する場合には、ガス密度調整装置30dの配置を省略してもよい。
Of the
分配器60は、ガス密度調整装置30a,30b,30c,30dでガス密度が調整された各気体を所定の混合比率に基づいて、各ボンベ40a,40b,40cから出力された気体を分配して混合気体を生成する。生成された混合気体は、中空誘電体板1の中空部内に送り込まれる。制御装置50は、電源装置20の印加電圧、ガス密度調整装置30のガス密度、および分配器60の分配比率を調整する制御を行う。
The
プラズマの密度と衝突周波数は印加電圧と気体の種類に依存する。電圧を印加することで発生した電界による加速度を受けて電子は運動する。この運動する電子が他の粒子と衝突して消滅する1秒当たりの平均回数が衝突周波数である。衝突周波数νは以下の式(7)で定義される。
Plasma density and collision frequency depend on applied voltage and gas type. Electrons move by receiving acceleration due to an electric field generated by applying a voltage. The average number of times per second that the moving electrons collide with other particles and disappear is the collision frequency. The collision frequency ν is defined by the following equation (7).
式(7)において、運動する電子が衝突する他の粒子の大きさが大きくなると、衝突断面積が大きくなることから、衝突周波数は高くなることが分かる。
制御装置50は、上述のように算出された衝突周波数および電子密度となるように、図5で示したアンテナ装置の電源装置20の印加電圧、ガス密度調整装置30のガス密度、および分配器60の各気体の混合比率を制御する。これにより、中空誘電体板1の中空部内における電子密度および衝突周波数を所望の値に制御し、所定のプラズマ状態とすることができる。
なお、上述した電子密度および衝突周波数の算出は、制御装置50が行うように構成してもよいし、図示しない計算処理装置が行い、算出結果を制御装置50に設定するように構成してもよい。
In equation (7), it can be seen that as the size of other particles that collide with the moving electrons increases, the collision cross-sectional area increases, and the collision frequency increases.
The
The calculation of the electron density and the collision frequency described above may be performed by the
また、排気用ガスボンベ40dを設けているため、中空誘電体板1の中空部内に充填した混合気体を完全に排気用ボンベ内に抜き出すことができる。そのため、プラズマ状態を容易に可変させることができる。
Further, since the
以上のように、この実施の形態3によれば、それぞれ異なる気体を充填した複数のガスボンベ40と、各ガスボンベ40から中空誘電体板1の中空部内に充填する気体の圧力調整を行う複数のガス密度調整装置30と、複数のガス密度調整装置30でガス密度が調整された各気体を指定された混合比率に基づいて分配して混合気体を生成する分配器60と、電源装置20、ガス密度調整装置30および分配器60を制御する制御装置50とを備えるように構成したので、中空誘電体板1の中空部内のプラズマ状態において所定の衝突周波数となるように様々な気体の粒子を混合することが可能となり、衝突周波数の調整の自由度をより高めることができる。
As described above, according to the third embodiment, a plurality of
また、この実施の形態3によれば、それぞれ異なる複数種類の気体を充填したガスボンベ40a,40b,40cに加えて、排気用ガスボンベ40dを設けるように構成したので、中空誘電体板1の中空部に封入された混合ガスを完全に抜き出し、新たな混合比率で混合された混合気体を中空誘電体板1の中空部に充填することができ、衝突周波数の調整を容易に行うことができる。
Further, according to the third embodiment, since the
実施の形態4.
この実施の形態4では、上述したアンテナ素子を用いて構成したリフレクトアレーアンテナの構成について説明する。
図6は、この発明の実施の形態4によるリフレクトアレーアンテナを示す説明図である。なお、上述した実施の形態1から実施の形態3で示したアンテナ素子10,10´を用いてリフレクトアレーアンテナを構成することができる。しかし、図6の例のように複数のアンテナ素子を整列して配置する場合には、導線21a,21bおよび管31を挿入する孔部をアンテナ素子の底部に形成する必要があることから、実施の形態2および実施の形態3のアンテナ素子10´を適用した場合を例に説明を行う。
In the fourth embodiment, a configuration of a reflectarray antenna configured using the antenna elements described above will be described.
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a reflectarray antenna according to
また、リフレクトアレーアンテナを形成する各アンテナ素子10´は、図3および図4で示した給電ピン2を備えず、中空誘電体板1に孔部1aを、接地板3に孔部3aを備えていない。また、複数のアンテナ素子10´の接地板3は互いに導通している。
Each
リフレクトアレーアンテナ70は、複数のアンテナ素子10´を、アンテナ素子10´の平面方向に並列させて配置して構成する。リフレクトアレーアンテナ70は、各アンテナ素子10´の放射導体2の反射位相を調整することにより、近傍に設置されたホーンアンテナなどの一次放射器100から照射された位相分布を持つ電波101を平面波102に変換する。一次放射器100は、各アンテナ素子10´の放射導体2が全て視認可能な位置に配置されている。
The reflect array antenna 70 is configured by arranging a plurality of
一般的に、リフレクトアレーアンテナにおいて光線方向を制御するためには、各アンテナ素子に設けられた放射導体の反射位相をそれぞれ調整する必要がある。使用する一次放射器100や、一次放射器100から放射された電波101を反射して所望の平面波102を得るためには、毎回異なるアンテナ素子が複数必要となる。
一方、実施の形態2で示したプラズマを用いたアンテナ素子10´を用いることにより、製作するアンテナ素子10´は1種類でよく、各アンテナ素子10´の印加電圧およびガス密度の調整によってプラズマの比誘電率を変化させることにより放射導体2の反射位相をそれぞれ調整することができる。
In general, in order to control the light beam direction in a reflectarray antenna, it is necessary to adjust the reflection phase of the radiation conductor provided in each antenna element. In order to obtain the desired
On the other hand, by using the
以上のように、この実施の形態4によれば、アンテナ素子10´を複数配置して構成したリフレクトアレーアンテナ70において各アンテナ素子のプラズマの比誘電率を変化させて各アンテナ素子の反射位相を調整するように構成したので、アンテナ素子の構造を変化させることなく、プラズマの複素比誘電率を変化させるのみで、異なるリフレクトアレーアンテナとして動作させることができる。これにより、所望の光線方向や、使用する一次放射器100に応じた放射導体を有するアンテナ素子を数種類製作することなく、反射位相が異なるリフレクトアレーアンテナを形成することができる。
As described above, according to the fourth embodiment, in the reflect array antenna 70 configured by arranging a plurality of antenna elements 10 ', the plasma dielectric constant of each antenna element is changed to change the reflection phase of each antenna element. Since it is configured to adjust, it can be operated as a different reflectarray antenna only by changing the complex relative dielectric constant of the plasma without changing the structure of the antenna element. This makes it possible to form a reflectarray antenna having different reflection phases without producing several types of antenna elements having a desired radiation direction and radiation conductors corresponding to the
なお、上述した実施の形態1から実施の形態4では、電源装置20の印加電圧とガス密度調整装置30のガス密度とを共に調整する構成を示したが、印加電圧またはガス密度の一方を調整することにより所望のプラズマ状態が得られる場合には、印加電圧またはガス密度のいずれか一方を調整すればよい。
In the first to fourth embodiments described above, the configuration in which the applied voltage of the
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。 In the present invention, within the scope of the invention, any combination of the embodiments, or any modification of any component in each embodiment, or omission of any component in each embodiment is possible. .
1 中空誘電体板、1a,1b,1c,1d,1b´,1c´,1d´,3a、3b,3c,3d 孔部、2 放射導体、3 接地板、4 給電ピン、5a,5b,5a´,5b´ 電極板、10,10´ アンテナ素子、20 電源装置、21a,21b 導線、30,30a,30b,30c,30d ガス密度調整装置、40,40a,40b,40c,40d ガスボンベ、50 制御装置、60 分配器、70 リフレクトアレーアンテナ、100 一次放射器、101 電波、102 平面波。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記接地板上に積層され、内部に気体を封入可能な中空構造を有する誘電体板と、
前記誘電体板の前記接地板との積層面と対抗する面の内壁に、前記接地板と平行に配置された放射導体と、
一端が装置外部に露出し、他端が接続された前記放射導体に給電を行う給電ピンと、
前記誘導体板の前記接地板および前記放射導体と導通しない位置に配置した電極板とを備え、
前記電極板に所定の電圧を印加し、前記誘電体板内部に封入した前記気体を励起させてプラズマを生成すると共に、前記電極板への印加電圧および前記誘電体板内部に封入した前記気体の密度のうち少なくともいずれか一方を調整し、前記プラズマの電気特性を変化させるアンテナ装置。 A ground plate made of a conductor;
A dielectric plate laminated on the ground plate and having a hollow structure capable of enclosing gas inside;
A radiation conductor arranged in parallel with the ground plate on the inner wall of the surface facing the laminated surface of the dielectric plate with the ground plate;
A feed pin that feeds power to the radiation conductor, one end of which is exposed to the outside of the device and the other end of which is connected;
An electrode plate disposed at a position not conducting with the ground plate and the radiation conductor of the dielectric plate,
A predetermined voltage is applied to the electrode plate to excite the gas sealed inside the dielectric plate to generate plasma, and the voltage applied to the electrode plate and the gas sealed inside the dielectric plate are An antenna device that adjusts at least one of the densities to change the electrical characteristics of the plasma.
前記各アンテナ素子は、導体からなる接地板と、前記接地板上に積層され、内部に気体を封入可能な中空構造を有する誘電体板と、前記誘電体板の前記接地板との積層面と対抗する面の内壁に、前記接地板と平行に配置された放射導体と、前記誘導体板の前記接地板および前記放射導体と導通しない位置に配置した電極板と、前記接地板および前記誘電体板の前記接地板との積層面に、前記電極板に接続される導線が挿入される配線孔部、および前記誘電体板内部に前記気体を導入する気体導入孔部とを備え、
前記各アンテナ素子の前記接地板は互いに導通し、
前記電極板に所定の電圧を印加し、前記誘電体板内部に封入した前記気体を励起させてプラズマを生成すると共に、前記電極板への印加電圧および前記誘電体板内部に封入した前記気体の密度のうち少なくともいずれか一方を調整し、前記プラズマの電気特性を変化させて前記放射導体の反射位相を制御することを特徴とするアンテナ装置。 An antenna device comprising a plurality of antenna elements that reflect radio waves transmitted from a radio wave transmitter,
Each antenna element includes a ground plate made of a conductor, a dielectric plate laminated on the ground plate and having a hollow structure capable of enclosing gas therein, and a laminated surface of the ground plate of the dielectric plate. A radiation conductor disposed in parallel with the ground plate on the inner wall of the opposing surface, an electrode plate disposed at a position not conducting to the ground plate and the radiation conductor of the dielectric plate, the ground plate and the dielectric plate A wiring hole portion into which a conductive wire connected to the electrode plate is inserted, and a gas introduction hole portion for introducing the gas into the dielectric plate;
The ground plates of the antenna elements are electrically connected to each other,
A predetermined voltage is applied to the electrode plate to excite the gas sealed inside the dielectric plate to generate plasma, and the voltage applied to the electrode plate and the gas sealed inside the dielectric plate are An antenna device characterized in that at least one of the densities is adjusted to change the electric characteristics of the plasma to control the reflection phase of the radiation conductor.
前記誘電体板内部に封入する前記気体の密度を調整する気体密度調整装置と、
前記誘電体板内部に生成させる前記プラズマの電気特性に応じて、前記電源装置の印加電圧および前記気体密度調整装置の気体密度の調整値のうちの少なくともいずれか一方を制御する制御装置とを備えたことを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載のアンテナ装置。 A power supply device for applying a voltage to the electrode plate;
A gas density adjusting device for adjusting the density of the gas sealed in the dielectric plate;
A control device that controls at least one of an applied voltage of the power supply device and an adjustment value of a gas density of the gas density adjusting device according to an electrical characteristic of the plasma generated inside the dielectric plate. The antenna device according to any one of claims 1 to 4, wherein the antenna device is provided.
前記誘電体板内部に封入する複数種類の前記気体の各密度を調整する複数の気体密度調整装置と、
前記複数の気体密度調整装置により密度が調整された前記各気体を分配して所定の混合比率を有する混合気体を生成し、前記誘電体内部に導入する分配器と、
前記誘電体板内部に生成させる前記プラズマの電気特性に応じて、前記電源装置の印加電圧および前記気体密度調整装置の気体密度の調整値のうちの少なくともいずれか一方および前記分配器の前記各気体の分配率を制御する制御装置とを備えたことを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載のアンテナ装置。 A power supply device for applying a voltage to the electrode plate;
A plurality of gas density adjusting devices that adjust the densities of a plurality of types of the gases enclosed in the dielectric plate;
A distributor for distributing each gas whose density is adjusted by the plurality of gas density adjusting devices to generate a mixed gas having a predetermined mixing ratio and introducing the mixed gas into the dielectric;
According to the electrical characteristics of the plasma generated inside the dielectric plate, at least one of an applied voltage of the power supply device and a gas density adjustment value of the gas density adjusting device and each gas of the distributor The antenna device according to any one of claims 1 to 4, further comprising a control device that controls a distribution ratio of the antenna.
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