JP2014093346A - Processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウェーハ外周縁の環状領域を切削ブレードで切削してウェーハに円形加工を施す加工方法に関する。 The present invention relates to a processing method for performing circular processing on a wafer by cutting an annular region on the outer periphery of the wafer with a cutting blade.
従来、所謂エッジトリミングの実施に際して、例えば特許文献1に開示されるように、サブテーブルで保持したテストウェーハを切削し、切削ブレードの位置合わせを実施することが知られている。 Conventionally, when performing so-called edge trimming, it is known that, for example, as disclosed in Patent Document 1, a test wafer held by a sub-table is cut and a cutting blade is aligned.
また、例えば、特許文献2に開示されるように、サブテーブルを回転させてテストウェーハに切削痕を形成し、切削ブレードの位置合わせを実施することが知られている。
Further, for example, as disclosed in
特許文献1に開示される実施形態の場合では、サブテーブルと加工中にウェーハを保持する保持テーブルは位置が離れて配置されているため、例えば、サブテーブルと保持テーブルとで温度差が生じた場合には、保持テーブルの熱膨張量とサブテーブルの熱膨張量が異なることになる。 In the case of the embodiment disclosed in Patent Document 1, since the position of the sub table and the holding table that holds the wafer during processing are arranged apart from each other, for example, a temperature difference occurs between the sub table and the holding table. In this case, the thermal expansion amount of the holding table and the thermal expansion amount of the sub table are different.
このため、サブテーブル上で切削ブレードの位置合わせを実施しても、保持テーブルで保持したウェーハを加工すると切削ブレードの位置ずれが生じてしまうことが懸念される。 For this reason, even if the cutting blade is positioned on the sub-table, there is a concern that if the wafer held by the holding table is processed, the cutting blade is displaced.
また、特許文献2に開示される実施形態の場合では、サブテーブルと加工中にウェーハを保持する保持テーブルは、その構成が異なるため、サブテーブルと保持テーブルではそのヨーイングが相違することになる。
In the case of the embodiment disclosed in
このヨーイングの相違により、サブテーブル上のテストウェーハで位置合わせを実施しても、保持テーブル上でのウェーハ加工時には切削ブレードの位置ずれが生じてしまうことが懸念される。 Due to this difference in yawing, there is a concern that even if alignment is performed on the test wafer on the sub-table, the position of the cutting blade may be displaced during wafer processing on the holding table.
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、切削ブレードの位置合わせをした後において、保持テーブルで保持したウェーハの加工時に切削ブレードの位置ずれを発生させることなく、ウェーハに高精度に円形加工を施すことが可能な加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and the object of the present invention is to generate a positional deviation of the cutting blade during processing of the wafer held by the holding table after the positioning of the cutting blade. It is an object of the present invention to provide a processing method capable of performing circular processing on a wafer with high accuracy without causing the processing to occur.
請求項1に記載の発明によると、
複数のデバイスが形成されたデバイス領域とデバイス領域を囲繞した外周余剰領域とを備えたウェーハの外周余剰領域内の環状領域を切削ブレードで切削してウェーハの円形加工を施す加工方法であって、
ウェーハを回転可能な保持テーブルで保持する保持ステップと、
保持ステップを実施した後、切削ブレードの切削位置を特定する基準線を有した撮像手段で保持テーブルで保持されたウェーハを撮像し、環状領域からウェーハの外周側の所定位置に対して基準線を合わせて切削ブレードをウェーハに切り込ませ、切削痕を形成する切削痕形成ステップと、
該切削痕形成ステップで形成した該切削痕を該撮像手段で撮像し、該切削痕のウェーハ中心側エッジ、又は、ウェーハ反中心側エッジと該基準線との位置ずれ量と位置ずれ方向を検出する検出ステップと、
該位置ずれ検出ステップを実施した後、ウェーハを該撮像手段で撮像して該基準線を該環状領域に位置付けるとともに該切削ブレードの位置データに該位置ずれ量と同量の位置ずれ補正値を該位置ずれ方向と逆方向に加算して該切削ブレードの位置補正を実施した上で該切削ブレードをウェーハに切り込ませ、該保持テーブルを1回転以上回転させて該環状領域に円形加工を施す円形加工ステップと、
を備えた加工方法が提供される。
According to the invention of claim 1,
A processing method for performing circular processing of a wafer by cutting an annular region in an outer peripheral surplus region of a wafer provided with a device region in which a plurality of devices are formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region,
A holding step for holding the wafer on a rotatable holding table;
After carrying out the holding step, the wafer held by the holding table is imaged by an imaging means having a reference line for specifying the cutting position of the cutting blade, and the reference line is set from the annular region to a predetermined position on the outer peripheral side of the wafer. In combination, a cutting blade is cut into the wafer, and a cutting mark forming step for forming a cutting mark,
The cutting trace formed in the cutting trace forming step is imaged by the imaging means, and the positional deviation amount and the positional deviation direction of the cutting trace between the wafer center side edge or the wafer non-center side edge and the reference line are detected. Detecting step to
After performing the misalignment detection step, the wafer is imaged by the imaging means, the reference line is positioned in the annular region, and the misalignment correction value equal to the misalignment amount is added to the position data of the cutting blade. After correcting the position of the cutting blade by adding in the direction opposite to the displacement direction, the cutting blade is cut into the wafer, and the holding table is rotated one or more times to perform circular processing on the annular region. Processing steps;
A processing method is provided.
また、請求項2に記載の発明によると、
前記切削痕形成ステップでは、ウェーハを完全切断しない第一の切込み深さに前記切削ブレードをウェーハへと切り込ませて前記切削痕を形成し、
前記加工方法は、該切削痕形成ステップを実施した後、高さ位置検出手段でウェーハの上面の高さ位置と該切削痕の底の高さ位置を検出して該切削痕の実測深さを算出するとともに該第一の切込み深さと該切削痕の深さとのずれを切込み深さずれ補正値として算出する切込み深さずれ検出ステップを備え、
前記円形加工ステップでは、該第一の切込み深さより深い第二の切込み深さに該切込み深さずれ補正値を加算して該切削ブレードをウェーハに切り込ませる、
ことを特徴とする請求項1に記載の加工方法が提供される。
According to the invention of
In the cutting trace forming step, the cutting blade is cut into the wafer to a first cutting depth that does not completely cut the wafer to form the cutting trace,
In the processing method, after the cutting trace forming step is performed, the height position detecting means detects the height position of the upper surface of the wafer and the height position of the bottom of the cutting trace to determine the measured depth of the cutting trace. A cutting depth deviation detection step for calculating and calculating a deviation between the first cutting depth and the depth of the cutting mark as a cutting depth deviation correction value;
In the circular processing step, the cutting blade is cut into the wafer by adding the cutting depth deviation correction value to a second cutting depth deeper than the first cutting depth.
A processing method according to claim 1 is provided.
本発明の加工装置では、切削ブレードの位置合わせをした後において、保持テーブルで保持したウェーハの加工時に切削ブレードの位置ずれを発生させずに、ウェーハに円形加工を施すことが可能な加工方法が提供される。 In the processing apparatus of the present invention, there is a processing method capable of performing circular processing on a wafer without causing a positional deviation of the cutting blade when processing the wafer held by the holding table after aligning the cutting blade. Provided.
具体的には、保持テーブルで保持されたウェーハを用いて切削ブレード切削位置の位置ずれを検出し、位置ずれ補正値を位置ずれ方向と逆方向に加算した上で保持テーブルで保持されたウェーハに円形加工を施すため、切削ブレードの切削位置ずれを発生させることなく、ウェーハに円形加工を施すことが可能となる。 Specifically, the wafer held on the holding table is used to detect the position deviation of the cutting blade cutting position, and the position deviation correction value is added in the direction opposite to the position deviation direction, and then the wafer held on the holding table is detected. Since the circular processing is performed, it is possible to perform the circular processing on the wafer without causing the cutting position shift of the cutting blade.
また、請求項2に記載の発明によれば、切込み深さの補正を実施することができ、円形加工、及び、その後に行われるエッジトリミングを高精度で実施することができる。
According to the invention described in
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1に示したウェーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウェーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ライン(ストリート)13が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン13によって区画された複数の領域にそれぞれIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The
ウェーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19(環状除去領域)を備えている。また、ウェーハ11の外周にはシリコンウェーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。
The
なお、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19には、図2(A)に示すように、後述する円形加工をウェーハ11の外周縁まで到達させるための環状の領域(斜線で示す環状領域A1)、或いは、図2(B)に示すように、後述する円形加工をウェーハ11の外周縁から所定幅内側において環状に形成するための領域(斜線で示す環状領域A2(その外周にさらに環状部A2aが存在する))が形成される。
In addition, as shown in FIG. 2 (A), the outer
以上のようなウェーハ11、即ち、複数のデバイス15が形成されたデバイス領域17とデバイス領域17を囲繞した外周余剰領域19とを備えたウェーハ11について、本発明の加工方法が実施される。
The processing method of the present invention is performed on the
この加工方法を実施するための装置としては、例えば、図3に示す切削装置2の構成にて実現できる。切削装置2は、切削ユニット12と保持テーブル10を有しており、切削ブレード18が固定されたスピンドル16を高速回転させることで、保持テーブル10の上面に保持されたウェーハ11が切削加工される構成としている。
An apparatus for carrying out this processing method can be realized, for example, by the configuration of the
保持テーブル10は、矢印X1方向に加工送りされる構成とするとともに、支持軸8の回転により、矢印R1で示される回転方向に回転可能に構成される。 The holding table 10 is configured to be processed and fed in the direction of the arrow X1, and is configured to be rotatable in the rotation direction indicated by the arrow R1 by the rotation of the support shaft 8.
切削ユニット12は、Y軸方向、Z軸方向に移動可能に構成され、分割予定ライン13に沿った切削加工がなされる際には、切削ユニット12をZ軸方向の位置において所定の位置まで下げた状態とするとともに、保持テーブル10を矢印X1方向に加工送りすることで、所定深さの切削溝が形成されることとなっている。
The
また、切削ユニット12をY軸方向にインデックス送りすることによって、第一の方向の全ての分割予定ライン13についての切削加工がなされ、その後、保持テーブル10を90度回転させることにより、第一の方向と直交する第二の方向の分割予定ライン13について、同様に切削加工がなされる。
Further, by cutting the index of the
加えて、詳しくは後述するように、切削ブレード18をウェーハ11の外周位置に合わせつつ、保持テーブル10を回転させることによって、ウェーハ11の外周部の円形加工(サークルカット)が実施され得る構成としている。この円形加工は、ウェーハ11を裏面研削して薄化する際のシャープエッジの形成を防止するための、エッジトリミング加工や、ウェーハを小径化させるダウンサイジング加工としても知られるものである。
In addition, as will be described in detail later, by rotating the holding table 10 while aligning the
さらに、切削ユニット12には、撮像カメラ20を備える撮像ユニット14が付設されており、撮像カメラ20によってウェーハ11を撮像することで、切削位置のアライメント(位置合わせ)や、詳しくは後述する切削ブレード18の切削痕30(図7参照)の深さが測定できる構成としている。
Further, the cutting
以上のような切削装置2を用い、本発明の加工方法が実施される。まず、図4に示すように、ウェーハ11を回転可能な保持テーブル10で保持する保持ステップが実施される。
Using the
保持テーブル10は、例えば、ポーラスセラミック材によって円盤状に形成された吸引面を有するチャックテーブルにて構成することができ、図示せぬ真空吸引手段による吸引により、吸引面に載置されたウェーハ11の裏面11bが吸引保持される構成にて実現できる。
The holding table 10 can be constituted by, for example, a chuck table having a suction surface formed in a disk shape by a porous ceramic material, and the
保持ステップを実施した後、図5に示すように、切削ブレード18の切削位置を特定する基準線Kを有した撮像ユニット14(図3参照)で保持テーブル10で保持されたウェーハ11を撮像し、環状領域A1からウェーハ11の外周側の所定位置に基準線Kを合わせて切削ブレード18をウェーハ11に切り込ませ、切削痕30(図7参照)を形成する切削痕形成ステップが実施される。
After performing the holding step, as shown in FIG. 5, the
より具体的には、図5は撮像カメラ20(図3参照)によって撮像された画像40を示すものであり、撮像カメラ20で撮像された各画像40には、予め設定された位置に基準線Kが配置され得る構成としている。換言すれば、撮像された画像40には、常に、同一の位置に基準線Kが位置され得るように構成されている。
More specifically, FIG. 5 shows an
本実施形態では、図5におけるY軸方向において、この基準線Kに対し切削ブレード18を一致させるようにして切削加工がなされるようにしており、より厳密には、ソフトウェアにおいて、切削ブレード18の一側面18Aのエッジ18aが基準線Kに一致するように設定されている。図6では、切削ブレード18の一側面18Aのエッジ18aが基準線Kに合わせられた様子を示している。
In the present embodiment, the cutting process is performed by making the
また、図5に示すように、撮像ユニット14は、撮像カメラ20によって撮像された画像40に基づき、斜線で示した環状領域A1を特定できるようになっている。この特定は、例えば、ウェーハ11の外周輪郭線11mを画像解析して、その内側の一定の幅を持った領域を環状領域A1として定義させることができる。なお、オペレーターのマニュアル操作によって、撮像ユニット14に環状領域A1を定義させることとしてもよい。
Further, as shown in FIG. 5, the
そして、図6に示すように、この特定された環状領域A1からウェーハ11の外周側の所定位置に基準線Kを合わせるように、切削ユニット12のY軸方向の位置調整(例えば、環状領域A1の幅の範囲内に基準線Kが収まるように位置調整する)を行ったうえで、回転する切削ブレード18をZ軸方向に移動させウェーハ11に対して切り込ませる。ここでの切削ユニット12のY軸方向の位置調整は、ウェーハ11の環状領域A1を撮像ユニット14にて画像解析することで、図示せぬ制御装置によって自動制御されることとするほか、オペレーターのマニュアル操作によって行われることとしてもよい。
Then, as shown in FIG. 6, the position adjustment (for example, the annular region A1) of the cutting
なお、このようなウェーハ11への切込みの加工は、チョッパーカットとも称されるものである。また、チョッパーカットによって切込みを行うこととするほか、切削ブレード18を予めZ軸方向の所定の位置まで下げた状態としつつ、保持テーブル10をX軸方向(図3)参照に加工送りすることで切込みを行うこととしてもよい。
Note that such a cutting process into the
以上のように切込みを行うことで、図7及び図8に示すように、ウェーハ11の表面11aにおいて、環状領域A1に切削痕30が形成される。この切削痕30は、後に行われる位置ずれ検出ステップにおいて、Y軸方向の位置ずれ量W(図9参照)を求めるために形成するものである。
By performing the cutting as described above, the cutting marks 30 are formed in the annular region A1 on the
また、図8に示すように、切削痕30の切込み深さD1(設定上の深さ)は特に限定されるものではないが、例えば、後に行われる円形加工ステップでの切込み深さD2よりも浅く設定されることが考えられる。
Further, as shown in FIG. 8, the cutting depth D1 (setting depth) of the cutting
次いで、図9に示すように、切削痕形成ステップで形成した切削痕30を撮像ユニット14(図3参照)で撮像し(画像42)、切削痕30のウェーハ中心側エッジEと基準線Kとの位置ずれ量Wと位置ずれ方向(Y軸方向プラス方向、或いは、Y軸方向マイナス方向)を検出する位置ずれ検出ステップが実施される。
Next, as shown in FIG. 9, the cutting
ここで、位置ずれが発生するということは、本来は、ウェーハ中心側エッジEと基準線Kを一致させる設定であるにもかかわらず、Y軸方向における切削ブレードの位置にずれが生じていることを意味するものである。図9の例では、切削ブレードの位置が、Y軸方向においてマイナス側にずれてしまっていることとなっており、この位置ずれを打ち消し切削ブレードの位置を補正するための位置ずれ補正値αは、その量が位置ずれ量=Wと同量であり、その補正の方向は、位置ずれ方向=Y軸方向プラスと逆方向(補正方向)、つまりは、Y軸方向マイナスとして定義される。 Here, the occurrence of misalignment means that the position of the cutting blade in the Y-axis direction is misaligned even though the wafer center side edge E and the reference line K are originally set to coincide with each other. Means. In the example of FIG. 9, the position of the cutting blade is shifted to the minus side in the Y-axis direction, and the positional deviation correction value α for canceling this positional deviation and correcting the position of the cutting blade is The amount is the same as the amount of misalignment = W, and the direction of correction is defined as the direction of misalignment = the positive direction of the Y-axis direction (correction direction), that is, the negative Y-axis direction.
このようにして、切削痕30に基づいて、切削ブレードのY軸方向のずれ(切削ブレードとウェーハのY軸方向の相対位置ずれ)を認識することができる。さらに、このY軸方向のずれに基づいて、当該ずれを解消するために必要な情報、つまりは、位置ずれ補正値αと、位置ずれ方向とは逆方向(補正方向)を取得することができる。なお、ウェーハ中心側エッジEの検出は、撮像ユニット14による画像解析により自動的に成されることとするほか、オペレーターが画像42を参照してマニュアル操作でウェーハ中心側エッジEの位置を定義することとしてもよい。
In this way, based on the cutting marks 30, it is possible to recognize the deviation of the cutting blade in the Y-axis direction (the relative displacement of the cutting blade and the wafer in the Y-axis direction). Furthermore, based on the deviation in the Y-axis direction, information necessary for eliminating the deviation, that is, the position deviation correction value α and the direction opposite to the position deviation direction (correction direction) can be acquired. . The detection of the wafer center side edge E is automatically performed by image analysis by the
また、図9に示される画像42の例では、切削痕30がウェーハ11の外方に通じるように形成される例となっているが、図10に示される画像44の例のように、環状領域A1内に収まる切削痕32を形成するとともに、ウェーハ反中心側エッジE1(ウェーハ11の半径方向外側のエッジ)と基準線Kとの間の距離を位置ずれ量W1として定義してもよい。また、この場合、位置ずれ補正値αが、位置ずれ量=W1と同量であって、その補正の方向は、位置ずれ方向=Y軸方向マイナスと逆方向(補正方向)、つまりは、Y軸方向プラスとして定義される。
In the example of the
以上のようにして位置ずれ検出ステップを実施した後、図9及び図11に示すように、ウェーハ11を撮像ユニット(撮像手段)14(図3)で撮像して基準線Kを環状領域A1に位置付けるとともに切削ブレード18の位置データ18Dに位置ずれ補正値αを位置ずれ方向と逆方向(補正方向)に加算して切削ブレード18をウェーハ11に切り込ませ、保持テーブル10を1回転以上回転させて環状領域A1に円形加工を施す円形加工ステップが実施される。
After performing the misregistration detection step as described above, as shown in FIGS. 9 and 11, the
より具体的には、位置ずれ検出ステップで検出した位置ずれに基づく位置ずれ補正値α(量が位置ずれ量Wと同量、加算の方向が=Y軸方向マイナス(補正方向))を用い、切削ブレード18の一側面18Aの位置であるウェーハ中心側エッジEを基準線Kに一致させるように、例えば、切削ブレード18の位置データ18DのY軸方向のゼロ点を補正することが行われる。
More specifically, a positional deviation correction value α based on the positional deviation detected in the positional deviation detection step (the amount is the same amount as the positional deviation amount W, and the addition direction is the Y-axis direction minus (correction direction)), For example, the zero point of the
図11の例では、切削ブレード18についての位置データ18D(絶対座標を定義するデータ)のY軸方向のゼロ点を、Y軸方向において位置ずれ量Wだけプラス方向に移動させた位置に再定義することで、矢印J1に示されるように、切削ブレード18の一側面18AのY軸方向のウェーハ中心側エッジEが、基準線Kに一致するように補正がされる様子を示している。このY軸方向のゼロ点の再定義は、制御装置によって自動処理されるほか、オペレーターによるマニュアル操作でされることとしてもよい。
In the example of FIG. 11, the zero point in the Y-axis direction of the
なお、図11の実施例とは反対に、ウェーハ中心側エッジEが基準線KよりもY軸方向においてプラス側にある場合には、Y軸方向において位置ずれ量Wだけマイナス方向に移動させるように、Y軸方向のゼロの補正が行われる。 In contrast to the embodiment of FIG. 11, when the wafer center side edge E is on the plus side in the Y-axis direction with respect to the reference line K, the wafer is moved in the minus direction by the positional deviation amount W in the Y-axis direction. In addition, zero correction in the Y-axis direction is performed.
このようにして、切削ブレード18のY軸方向の位置について、実際に形成された切削痕30に基づいた位置補正が実施され、補正後においては、ウェーハ中心側エッジEが基準線Kに確実に一致するような高精度な円形加工が実施可能となる。
In this manner, the position correction based on the actually formed cutting
この円形加工では、図11に示すように、切削ブレード18をウェーハ11に切り込ませ、保持テーブル10を1回転以上回転させて環状領域A1に環状の凹部11nが形成される。なお、1回転させる前に、例えば、30度程度の360度以内の範囲で円弧状の凹部を形成する加工を実施し、位置補正の適正を確認することとしてもよい。
In this circular processing, as shown in FIG. 11, the
以上のようにして、本発明を実施することができる。
即ち、複数のデバイス15が形成されたデバイス領域17とデバイス領域17を囲繞した外周余剰領域19とを備えたウェーハ11の外周余剰領域19内の環状領域A1を切削ブレード18で切削してウェーハ11の円形加工を施す加工方法であって、
ウェーハ11を回転可能な保持テーブル10で保持する保持ステップと、
保持ステップを実施した後、切削ブレード18の切削位置を特定する基準線Kを有した撮像ユニット14で保持テーブル10で保持されたウェーハ11を撮像し、ウェーハ11の環状領域A1からウェーハ11の外周側の所定位置に基準線Kを合わせて切削ブレード18をウェーハ11に切り込ませ、切削痕30を形成する切削痕形成ステップと、
切削痕形成ステップで形成した切削痕30を撮像ユニット14(図3参照)で撮像し(画像42)、切削痕30のウェーハ中心側エッジEと基準線Kとの位置ずれ量と位置ずれ方向を検出する位置ずれ量検出ステップと、
ウェーハ11を撮像ユニット(撮像手段)14(図3)で撮像して基準線Kを環状領域A1に位置付けるとともに切削ブレード18の位置データ18Dに位置ずれ量と同量の位置ずれ補正値αを位置ずれ方向と逆方向に加算して切削ブレード18の位置補正を実施した上で切削ブレード18をウェーハ11に切り込ませ、保持テーブル10を1回転以上回転させて環状領域A1に円形加工を施す円形加工ステップと、を備えた加工方法とする。
The present invention can be implemented as described above.
That is, the annular region A1 in the outer
A holding step for holding the
After performing the holding step, the
The cutting
The
このようにして、切削ブレード18の位置合わせをした後において、保持テーブル10で保持したウェーハ11の加工時に切削ブレード18の位置ずれを発生させずに、ウェーハ11に円形加工を施すことが可能な加工方法が提供される。
Thus, after the positioning of the
具体的には、保持テーブル10で保持されたウェーハ11を用いて切削ブレード18の切削位置の位置ずれを検出し、位置ずれ補正値を加算した上で保持テーブル10で保持されたウェーハ11に円形加工を施すため、切削ブレード18の切削位置ずれを発生させることなく、ウェーハ11に円形加工を施すことが可能となる。
Specifically, the
また、以上の実施形態に加え、上述した切削痕形成ステップでは、図8に示すように、ウェーハ11を完全切断しない第一の切込み深さD1(設定上の深さ)に切削ブレード18をウェーハ11へと切り込ませて切削痕30を形成し、切削痕形成ステップを実施した後、撮像ユニット(高さ位置検出手段)14でウェーハ11の上面(表面11a)の高さ位置と切削痕30の底の高さ位置を検出して切削痕30の実測深さDFを算出するとともに第一の切込み深さD1と切削痕30の深さDFとのずれを切込み深さずれ補正値Dfとして算出する切込み深さずれ検出ステップを備え、
円形加工ステップでは、第一の切込み深さD1より深い第二の切込み深さD2に切込み深さずれ補正値Dfを加算して切削ブレード18をウェーハに切り込ませる、こととしてもよい。
In addition to the above embodiment, in the above-described cutting trace forming step, as shown in FIG. 8, the
In the circular processing step, the
この実施形態では、Z軸方向における切削ブレード18の位置ずれを補正するものである。仮に、第一の切込み深さD1と実測深さDFが一致し、切込み深さずれ補正値Dfがゼロの場合には、意図した第一の切込み深さD1(設定上の深さ)通りに切削痕30が形成されるため、Z軸方向の補正は不要である。これに対し、切込み深さずれ補正値Dfが生じた場合には、設定された深さである第一の切込み深さD1通りの深さが実現されていないため、Z軸方向において切削ブレード18の位置ずれの補正が必要となる。
In this embodiment, the positional deviation of the
図8の例では、図示せぬ切削ブレード18についての位置データ18D(絶対座標を定義するデータ)のZ軸方向のゼロ点を、Z軸方向において切込み深さずれ補正値Dfだけマイナス方向(矢印J2)に移動させた位置に再定義することが示されている。
In the example of FIG. 8, the zero point in the Z-axis direction of the
そして、円形加工ステップでは、第二の切込み深さD2に切込み深さずれ補正値Dfを加算することで、実際に形成される切削痕30の深さを、設定された第二の切込み深さD2と一致させることが可能となる。
In the circular machining step, the depth of the
以上のようにして、この実施形態によれば、切込み深さの補正を実施することができ、円形加工、及び、その後に行われるエッジトリミングを高精度で実施することができる。 As described above, according to this embodiment, the depth of cut can be corrected, and circular processing and edge trimming performed thereafter can be performed with high accuracy.
2 切削装置
8 支持軸
10 保持テーブル
11 ウェーハ
12 切削ユニット
14 撮像ユニット
15 デバイス
17 デバイス領域
19 外周余剰領域
30 切削痕
A1 環状領域
E ウェーハ中心側エッジ
K 基準線
2 Cutting device 8
Claims (2)
ウェーハを回転可能な保持テーブルで保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、切削ブレードの切削位置を特定する基準線を有した撮像手段で該保持テーブルで保持されたウェーハを撮像し、該環状領域からウェーハの外周側の所定位置に該基準線を合わせて該切削ブレードをウェーハに切り込ませ、切削痕を形成する切削痕形成ステップと、
該切削痕形成ステップで形成した該切削痕を該撮像手段で撮像し、該切削痕のウェーハ中心側エッジ、又は、ウェーハ反中心側エッジと該基準線との位置ずれ量と位置ずれ方向を検出する位置ずれ検出ステップと、
該位置ずれ検出ステップを実施した後、ウェーハを該撮像手段で撮像して該基準線を該環状領域に位置付けるとともに該切削ブレードの位置データに該位置ずれ量と同量の位置ずれ補正値を該位置ずれ方向と逆方向に加算して該切削ブレードの位置補正を実施した上で該切削ブレードをウェーハに切り込ませ、該保持テーブルを1回転以上回転させて該環状領域に円形加工を施す円形加工ステップと、
を備えた加工方法。 This is a processing method in which an annular region in the outer peripheral surplus region of a wafer having a device region in which a plurality of devices are formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region is cut with a cutting blade to circularly process the wafer. And
A holding step for holding the wafer on a rotatable holding table;
After performing the holding step, the wafer held by the holding table is imaged by an imaging means having a reference line for specifying the cutting position of the cutting blade, and the reference is moved from the annular region to a predetermined position on the outer peripheral side of the wafer. Cutting trace forming step for cutting the cutting blade into the wafer by aligning the lines and forming a cutting trace;
The cutting trace formed in the cutting trace forming step is imaged by the imaging means, and the positional deviation amount and the positional deviation direction of the cutting trace between the wafer center side edge or the wafer non-center side edge and the reference line are detected. Misalignment detection step to perform,
After performing the misalignment detection step, the wafer is imaged by the imaging means, the reference line is positioned in the annular region, and the misalignment correction value equal to the misalignment amount is added to the position data of the cutting blade. After correcting the position of the cutting blade by adding in the direction opposite to the displacement direction, the cutting blade is cut into the wafer, and the holding table is rotated one or more times to perform circular processing on the annular region. Processing steps;
A processing method with
前記加工方法は、該切削痕形成ステップを実施した後、高さ位置検出手段でウェーハの上面の高さ位置と該切削痕の底の高さ位置を検出して該切削痕の実測深さを算出するとともに該第一の切込み深さと該切削痕の深さとのずれを切込み深さずれ補正値として算出する切込み深さずれ検出ステップを備え、
前記円形加工ステップでは、該第一の切込み深さより深い第二の切込み深さに該切込み深さずれ補正値を加算して該切削ブレードをウェーハに切り込ませる、
ことを特徴とする請求項1に記載の加工方法。 In the cutting trace forming step, the cutting blade is cut into the wafer to a first cutting depth that does not completely cut the wafer to form the cutting trace,
In the processing method, after the cutting trace forming step is performed, the height position detecting means detects the height position of the upper surface of the wafer and the height position of the bottom of the cutting trace to determine the measured depth of the cutting trace. A cutting depth deviation detection step for calculating and calculating a deviation between the first cutting depth and the depth of the cutting mark as a cutting depth deviation correction value;
In the circular processing step, the cutting blade is cut into the wafer by adding the cutting depth deviation correction value to a second cutting depth deeper than the first cutting depth.
The processing method according to claim 1, wherein:
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