JP2014093100A - Shift register circuit and image display device - Google Patents

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照彦 市村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a shift register circuit that prevents a decrease in potential of an output signal.SOLUTION: A shift register circuit 10 includes a transistor 1 that decreases a potential of a node 12 in accordance with an increase in potential of a node 11, and a transistor 2 that decreases the potential of the node 11 in accordance with an increase in potential of the node 12. The shift register circuit 10 further includes a transistor 3 that outputs OUTin association with an increase in potential of the node 11 upon input of CLK.

Description

本発明は、シフトレジスタ回路および画像表示装置に関する。   The present invention relates to a shift register circuit and an image display device.

従来、前段の回路が出力した信号を後段の回路へ伝達するシフトレジスタ回路が知られている。このようなシフトレジスタ回路は、LCD(Liquid Crystal Display)や有機EL(Electronic Luminescence)ディスプレイ等の表示素子を順次操作するためのドライバ回路として用いられている。   Conventionally, a shift register circuit that transmits a signal output from a preceding circuit to a subsequent circuit is known. Such a shift register circuit is used as a driver circuit for sequentially operating display elements such as an LCD (Liquid Crystal Display) and an organic EL (Electronic Luminescence) display.

以下、図8を用いて、シフトレジスタ回路の動作について説明する。図8は、従来のシフトレジスタを説明する回路図である。例えば、図8に示すシフトレジスタ回路30は、複数のトランジスタ31〜38、ノード40、41を有する。なお、図8に示す例では、トランジスタ31、37は、ゲート(ベース)およびドレイン(コレクタ)がダイオード接続されている。   Hereinafter, the operation of the shift register circuit will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a circuit diagram illustrating a conventional shift register. For example, the shift register circuit 30 illustrated in FIG. 8 includes a plurality of transistors 31 to 38 and nodes 40 and 41. In the example shown in FIG. 8, the gates (base) and drain (collector) of the transistors 31 and 37 are diode-connected.

このようなシフトレジスタ回路30では、前段の回路から入力された信号を次段の回路に出力しない非選択時においては、ノード40の電位がLow状態となり、ノード41の電位がHigh状態となる。また、シフトレジスタ回路30では、前段の回路から入力された信号を次段の回路に出力する選択時においては、ノード40の電位がHigh状態となり、ノード41の電位がLow状態となる。   In such a shift register circuit 30, when the signal input from the previous circuit is not output to the next circuit, the potential of the node 40 is in the low state and the potential of the node 41 is in the high state. In the shift register circuit 30, when the signal input from the previous circuit is output to the next circuit, the potential of the node 40 is in a high state and the potential of the node 41 is in a low state.

ここで、シフトレジスタ回路30は、前段の回路から入力信号である「in」のパルスが入力されると、ダイオードとして動作するトランジスタ31を介し、パルスをノード40に入力する。このような場合には、ノード40の電位がHigh状態となり、トランジスタ35がオン状態となる結果、シフトレジスタ回路30は、クロック信号である「CLK」を出力信号である「OUT」として出力する。   Here, when a pulse of “in” that is an input signal is input from the preceding circuit, the shift register circuit 30 inputs a pulse to the node 40 via the transistor 31 that operates as a diode. In such a case, as a result of the potential of the node 40 being in a high state and the transistor 35 being in an on state, the shift register circuit 30 outputs “CLK” that is a clock signal as “OUT” that is an output signal.

また、シフトレジスタ回路30は、「in」のパルスをトランジスタ34のゲート(ベース)に入力する。このような場合には、トランジスタ34がオン状態となり、ノード41の電位が「VGL(低電位)」へと降下する。また、シフトレジスタ回路30は、クロック信号のパルスをトランジスタ38のゲートに入力する。この結果、トランジスタ38がオン状態になり、ノード41の電位が「VGL」へと降下し、トランジスタ33がオフ状態となり、ノード40の電位がHigh状態となる。   Further, the shift register circuit 30 inputs an “in” pulse to the gate (base) of the transistor 34. In such a case, the transistor 34 is turned on, and the potential of the node 41 drops to “VGL (low potential)”. The shift register circuit 30 inputs a clock signal pulse to the gate of the transistor 38. As a result, the transistor 38 is turned on, the potential of the node 41 is lowered to “VGL”, the transistor 33 is turned off, and the potential of the node 40 is in a high state.

また、シフトレジスタ回路30は、次段の回路が出力した「OUT」を、トランジスタ32のゲートに入力する。すると、トランジスタ32がオン状態となるので、ノード40の電位が「VGL」へと降下する。また、シフトレジスタ回路30の動作終了後は、トランジスタ34、38がオフ状態となり、ノード41の電位がLow状態からHigh状態へと遷移し、トランジスタ33、36がオン状態となる結果、ノード40が安定してLow状態となる。   Further, the shift register circuit 30 inputs “OUT” output from the circuit in the next stage to the gate of the transistor 32. Then, since the transistor 32 is turned on, the potential of the node 40 drops to “VGL”. After the operation of the shift register circuit 30, the transistors 34 and 38 are turned off, the potential of the node 41 is changed from the low state to the high state, and the transistors 33 and 36 are turned on. As a result, the node 40 is turned on. A stable low state is obtained.

特開2003−046090号公報JP 2003-046090 A

しかしながら、上述したシフトレジスタ回路30は、ノード41の電位が十分に下がらず、出力する信号の電位が低くなるという問題がある。   However, the above-described shift register circuit 30 has a problem that the potential of the node 41 is not sufficiently lowered and the potential of the output signal is lowered.

例えば、トランジスタ34が十分なオン状態にならず、ノード41の電位が十分に下がらない場合は、トランジスタ33が完全なオフ状態にならない。このため、ノード40は十分高い電位を保てず、「OUT」の電位が降下する。   For example, when the transistor 34 is not sufficiently turned on and the potential of the node 41 is not sufficiently lowered, the transistor 33 is not completely turned off. For this reason, the node 40 cannot maintain a sufficiently high potential, and the potential of “OUT” drops.

また、「OUT」の電位が降下した場合は、トランジスタ38が十分なオン状態にならないので、ノード41の電位が十分に下がらず、トランジスタ33が完全なオフ状態にならない。この結果、ノード40の電位がさらに降下し、トランジスタ35が十分なオン状態にならないので、「OUT」の電位が降下する。   Further, when the potential of “OUT” drops, the transistor 38 is not sufficiently turned on, so that the potential of the node 41 is not sufficiently lowered and the transistor 33 is not completely turned off. As a result, the potential of the node 40 further decreases, and the transistor 35 is not sufficiently turned on, so that the potential of “OUT” decreases.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、出力信号の電位の降下を防ぐシフトレジスタ回路および画像表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a shift register circuit and an image display device that prevent a drop in potential of an output signal.

本発明に係るシフトレジスタ回路は、ゲートが第1の導電経路に接続されて、ドレインが第2の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第1の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第2の導電経路の電位を降下させる第1のトランジスタを有する。シフトレジスタ回路は、ゲートが前記第2の導電経路に接続されて、ドレインが前記第1の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第2の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第1の導電経路の電位を降下させる第2のトランジスタを有する。シフトレジスタ回路は、前記第1の導電経路にゲートが接続され、ドレインに第1のクロック信号の入力端子が接続されるとともにソースに出力信号を出力する出力端子が接続された、前記第1のクロック信号が入力された際に前記第1の導電経路の電位が上昇することに応じて前記出力端子から出力信号を出力させる第3のトランジスタを有する。   The shift register circuit according to the present invention includes a first conductive path having a gate connected to a first conductive path, a drain connected to a second conductive path, and a source connected to a low potential terminal. There is a first transistor that lowers the potential of the second conductive path in response to an increase in potential. In the shift register circuit, the potential of the second conductive path having a gate connected to the second conductive path, a drain connected to the first conductive path, and a source connected to a low potential terminal is There is a second transistor that lowers the potential of the first conductive path in response to the rise. In the shift register circuit, the gate is connected to the first conductive path, the input terminal of the first clock signal is connected to the drain, and the output terminal that outputs the output signal is connected to the source. And a third transistor that outputs an output signal from the output terminal in response to an increase in potential of the first conductive path when a clock signal is input.

本発明に係るシフトレジスタ回路は、出力信号の電位の降下を防ぐことができる。   The shift register circuit according to the present invention can prevent a drop in the potential of the output signal.

第1形態のシフトレジスタ回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the shift register circuit of a 1st form. トランジスタの電流特性を説明するグラフである。It is a graph explaining the current characteristic of a transistor. シフトレジスタ回路に入力される信号波形を説明する図である。It is a figure explaining the signal waveform input into a shift register circuit. シフトレジスタ回路の動作を説明する図である。It is a figure explaining operation | movement of a shift register circuit. シミュレーションの一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of simulation. シフトレジスタ回路の適用例を説明する第1の図である。It is a first diagram illustrating an application example of a shift register circuit. シフトレジスタ回路の適用例を説明する第2の図である。It is a 2nd figure explaining the application example of a shift register circuit. 従来のシフトレジスタを説明する回路図である。It is a circuit diagram explaining the conventional shift register.

以下に、本発明に係るシフトレジスタ回路の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態は本発明を限定するものではない。そして、以下に例示する実施形態は、形状を矛盾させない範囲で適宜変更、組み合わせることが可能である。   Embodiments of a shift register circuit according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Note that this embodiment does not limit the present invention. And the embodiment illustrated below can be suitably changed and combined in the range which does not contradict a shape.

(第1形態)
[シフトレジスタ回路の構造]
図1を用いて、シフトレジスタ回路の第1形態を説明する。図1は、第1形態のシフトレジスタ回路を示す回路図である。図1に示したように、シフトレジスタ回路10は、複数のトランジスタ1〜8、ノード11、12を有する。また、シフトレジスタ回路10は、前段のシフトレジスタ回路が出力した「in」、クロック信号である「CLK」、および「CLK」、次段のシフトレジスタ回路の出力信号である「OUT」が入力される入力端子を有する。また、シフトレジスタ回路10は、次段のシフトレジスタ回路に信号を出力する「OUT」の出力端子を有する。例えば、シフトレジスタ回路10は、画像表示装置のドライバ回路に適用される場合には、「OUT」の出力端子から次段のシフトレジスタ回路と、画像表示領域のゲート線とに信号を出力する。
(First form)
[Structure of shift register circuit]
A first embodiment of the shift register circuit will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a circuit diagram showing a shift register circuit according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the shift register circuit 10 includes a plurality of transistors 1 to 8 and nodes 11 and 12. Further, the shift register circuit 10 includes “in” output from the previous shift register circuit, “CLK 1 ” and “CLK 2 ” which are clock signals, and “OUT 2 ” which is an output signal of the next shift register circuit. Are input terminals. The shift register circuit 10 has an output terminal “OUT 1 ” that outputs a signal to the shift register circuit at the next stage. For example, when applied to the driver circuit of the image display device, the shift register circuit 10 outputs a signal from the output terminal of “OUT 1 ” to the next-stage shift register circuit and the gate line of the image display area. .

また、シフトレジスタ回路10は、電位が所定の閾値よりも高い値「VGH」に保たれている高電位端子と、電位が所定の閾値よりも低い値「VGL」に保たれている低電位端子とを有する。なお、以下の説明では、「VGH」の値はGND(グランド)よりも高い値とし、例えば、8(V)〜20(V)、「VGL」の値はGNDよりも低い値とし、例えば、−5(V)〜−15(V)とする。   The shift register circuit 10 includes a high potential terminal whose potential is maintained at a value “VGH” higher than a predetermined threshold value, and a low potential terminal whose potential is maintained at a value “VGL” lower than a predetermined threshold value. And have. In the following description, the value of “VGH” is a value higher than GND (ground), for example, 8 (V) to 20 (V), and the value of “VGL” is a value lower than GND. -5 (V) to -15 (V).

また、各トランジスタ1〜8は、例えば、nチャンネルのMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)であるが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、各トランジスタ1〜8は、NPN型のトランジスタや、キャリアが電子であるタイプ(n型)のMIS(Metal Insulator Semiconductor)構造を採用した電界効果トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)であってもよい。   Each of the transistors 1 to 8 is, for example, an n-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), but the present invention is not limited to this. For example, each of the transistors 1 to 8 may be an NPN type transistor or a field effect transistor (FET) adopting a MIS (Metal Insulator Semiconductor) structure of an electron (n type) carrier. Good.

また、各トランジスタ1〜8は、FETの一種である薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)、すなわちn−MISFETTFTであってもよい。また、PNP型のトランジスタやキャリアが正孔である(p型)のFET、又はTFT等を用いて、シフトレジスタ回路10と同等の機能を発揮する回路を構成してもよい。   Each of the transistors 1 to 8 may be a thin film transistor (TFT) which is a kind of FET, that is, an n-MISFET TFT. Alternatively, a circuit that exhibits a function equivalent to that of the shift register circuit 10 may be configured by using a PNP transistor, a FET whose carrier is a hole (p-type), a TFT, or the like.

ここで、各トランジスタ1〜8には、ゲート、ソース、ドレインの3つの電極が存在するが、ソース、およびドレインは、トランジスタの導電性及び相対的な電位関係によって定義される。このため、以下の説明では、各トランジスタ1〜8がnチャンネルのMOSFETであるものとし、各トランジスタ1〜8が有する端子のうち、高電位側の端子をドレイン、低電位側の端子をソースと記載する。   Here, each of the transistors 1 to 8 has three electrodes of a gate, a source, and a drain, and the source and the drain are defined by the conductivity of the transistor and the relative potential relationship. For this reason, in the following description, it is assumed that each of the transistors 1 to 8 is an n-channel MOSFET, and among the terminals of each of the transistors 1 to 8, the high potential side terminal is the drain, and the low potential side terminal is the source. Describe.

ここで、図1に示したシフトレジスタ回路10における各トランジスタ1〜8、ノード11、ノード12の接続関係について説明する。   Here, a connection relationship between the transistors 1 to 8, the node 11, and the node 12 in the shift register circuit 10 illustrated in FIG. 1 will be described.

ノード11は、トランジスタ1、2、3、7、8を接続する導電経路である。詳細には、ノード11は、トランジスタ1のゲート、トランジスタ2のドレイン、トランジスタ3のゲート、トランジスタ7のドレイン、トランジスタ8のソースに接続される。   Node 11 is a conductive path connecting transistors 1, 2, 3, 7, and 8. Specifically, the node 11 is connected to the gate of the transistor 1, the drain of the transistor 2, the gate of the transistor 3, the drain of the transistor 7, and the source of the transistor 8.

ノード12は、トランジスタ1、2、4〜6を接続する導電経路である。詳細には、ノード12は、トランジスタ1のドレイン、トランジスタ2のゲート、トランジスタ4のドレイン、トランジスタ5のソース、トランジスタ6のゲートに接続される。   Node 12 is a conductive path connecting transistors 1, 2, 4 to 6. Specifically, the node 12 is connected to the drain of the transistor 1, the gate of the transistor 2, the drain of the transistor 4, the source of the transistor 5, and the gate of the transistor 6.

トランジスタ1は、ゲートにノード11が接続され、ドレインにノード12が接続され、ソースに低電位端子が接続されている。そして、トランジスタ1は、ノード11の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード12の電位が「VGL」へ引き下げられる。   The transistor 1 has a node 11 connected to the gate, a node 12 connected to the drain, and a low potential terminal connected to the source. The transistor 1 is turned on when the potential of the node 11 is higher than a predetermined threshold. As a result, the potential of the node 12 is lowered to “VGL”.

トランジスタ2は、ゲートにノード12が接続され、ドレインにノード11が接続され、ソースに低電位端子が接続されている。そして、トランジスタ2は、ノード12の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード11の電位が「VGL」へ引き下げられる。   In the transistor 2, the node 12 is connected to the gate, the node 11 is connected to the drain, and the low potential terminal is connected to the source. The transistor 2 is turned on when the potential of the node 12 is higher than a predetermined threshold. As a result, the potential of the node 11 is lowered to “VGL”.

トランジスタ3は、ゲートにノード11が接続され、ドレインに「CLK」の入力端子が接続され、ソースに「OUT」の出力端子、およびトランジスタ6のドレインが接続されている。そして、トランジスタ3は、ノード11の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、「CLK」が「OUT」として出力される。 In the transistor 3, the node 11 is connected to the gate, the input terminal of “CLK 1 ” is connected to the drain, the output terminal of “OUT 1 ” is connected to the source, and the drain of the transistor 6 is connected. The transistor 3 is turned on when the potential of the node 11 is higher than a predetermined threshold value. As a result, “CLK 1 ” is output as “OUT 1 ”.

トランジスタ4は、ゲートに「in」の入力端子が接続され、ドレインにノード12が接続され、ソースに低電位端子が接続されている。そして、トランジスタ4は、「in」の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード12の電位が「VGL」へ引き下げられる。   In the transistor 4, the “in” input terminal is connected to the gate, the node 12 is connected to the drain, and the low potential terminal is connected to the source. The transistor 4 is turned on when the potential of “in” is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential of the node 12 is lowered to “VGL”.

トランジスタ5は、ゲートに「CLK」の端子が接続され、ドレインに高電位端子が接続され、ソースにノード12が接続されている。そして、トランジスタ5は、「CLK」の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード12に「VGH」が供給され、ノード12の電位が上昇する。 In the transistor 5, the terminal of “CLK 2 ” is connected to the gate, the high potential terminal is connected to the drain, and the node 12 is connected to the source. The transistor 5 is turned on when the potential of “CLK 2 ” is higher than a predetermined threshold value. As a result, “VGH” is supplied to the node 12 and the potential of the node 12 rises.

トランジスタ6は、ゲートにノード12が接続され、ドレインにトランジスタ3のソースが接続され、ソースに低電位端子が接続されている。そして、トランジスタ6は、ノード12の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、トランジスタ3のソース、すなわち「OUT」の出力端子における電位が「VGL」へ引き下げられる。 The transistor 6 has a gate connected to the node 12, a drain connected to the source of the transistor 3, and a source connected to the low potential terminal. The transistor 6 is turned on when the potential of the node 12 is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential at the source of the transistor 3, that is, the output terminal of “OUT 1 ” is lowered to “VGL”.

トランジスタ7は、ゲートに「OUT」の入力端子が接続され、ドレインにノード11が接続され、ソースに低電位端子が接続されている。そして、トランジスタ7は、「OUT」の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となる。この結果、ノード11の電位が「VGL」へと引き下げられる。 In the transistor 7, the input terminal “OUT 2 ” is connected to the gate, the node 11 is connected to the drain, and the low potential terminal is connected to the source. The transistor 7 is turned on when the potential of “OUT 2 ” is higher than a predetermined threshold value. As a result, the potential of the node 11 is lowered to “VGL”.

トランジスタ8は、ゲートに信号「in」の入力端子が接続され、ドレインに高電位端子が接続され、ソースにノード11が接続されている。そして、トランジスタ8は、信号「in」の電位が所定の閾値よりも高い場合には、オン状態となり、高電位端子とノード11とを電気的に接続する。このような場合には、ノード11に「VGH」が供給され、ノード11の電位が上昇する。   In the transistor 8, the input terminal of the signal “in” is connected to the gate, the high potential terminal is connected to the drain, and the node 11 is connected to the source. The transistor 8 is turned on when the potential of the signal “in” is higher than a predetermined threshold, and electrically connects the high potential terminal and the node 11. In such a case, “VGH” is supplied to the node 11 and the potential of the node 11 rises.

ここで、各トランジスタ1〜8のドレイン、ソース間に流れる電流は、ゲート、ソース間の電位に応じて変化する。このため、各トランジスタ1〜8は、ゲートの電位が所定の閾値よりも十分に高い場合は、完全なオン状態となるが、所定の閾値よりも十分に高くない場合は、完全なオン状態とはならない。また、各トランジスタ1〜8は、ゲートの電位が所定の閾値よりも十分に低い場合は、完全なオフ状態となるが、ゲートの電位が所定の閾値よりも十分に低くない場合は、完全なオフ状態とはならない。   Here, the current flowing between the drain and the source of each of the transistors 1 to 8 changes according to the potential between the gate and the source. Therefore, each of the transistors 1 to 8 is completely turned on when the potential of the gate is sufficiently higher than a predetermined threshold, but is completely turned on when it is not sufficiently higher than the predetermined threshold. Must not. Each of the transistors 1 to 8 is completely turned off when the gate potential is sufficiently lower than the predetermined threshold value, but is completely turned off when the gate potential is not sufficiently lower than the predetermined threshold value. It is not turned off.

例えば、図2は、トランジスタの電流特性を説明するグラフである。なお、図2に示すグラフは、横軸を各トランジスタ1〜8のゲート、ソース間の電位Vg(V:Volt)とし、縦軸にドレイン、ソース間の電流Id(A:Ampere)を対数表示した。図2に示すように、各トランジスタ1〜8は、電位Vgが十分に低い場合には、電流Idをほぼ流さないオフ状態となる。   For example, FIG. 2 is a graph illustrating current characteristics of a transistor. In the graph shown in FIG. 2, the horizontal axis represents the potential Vg (V: Volt) between the gate and source of each transistor 1 to 8, and the vertical axis represents the current Id (A: Ampere) between the drain and source in logarithm. did. As shown in FIG. 2, when the potential Vg is sufficiently low, each of the transistors 1 to 8 is in an off state in which almost no current Id flows.

また、各トランジスタ1〜8は、電位Vgが十分に低くない場合には、電流Idが流れるオン(低)状態となる。また、各トランジスタ1〜8は、電位Vgが十分に高くない場合には、電流Idが十分に流れないオン(中)状態となる。また、各トランジスタ1〜8は、電位Vgが十分に高い場合には、電流Idが飽和し、完全なオン状態であるオン(高)状態となる。   Further, each of the transistors 1 to 8 is in an on (low) state in which the current Id flows when the potential Vg is not sufficiently low. Each of the transistors 1 to 8 is in an on (medium) state where the current Id does not sufficiently flow when the potential Vg is not sufficiently high. Further, when the potential Vg is sufficiently high, each of the transistors 1 to 8 is saturated with the current Id and is turned on (high), which is a complete on state.

このため、従来のシフトレジスタ回路は、各トランジスタ1〜8のゲートに印加される電位が所定の閾値よりも十分に高くない場合には、各トランジスタ1〜8がオン(高)状態とはならず、動作不良を引き起こす場合がある。また、従来のシフトレジスタ回路は、各トランジスタ1〜8のゲートに印加される電位が所定の閾値よりも十分に低くない場合には、オフ状態とはならず、動作不良を引き起こす場合がある。   Therefore, in the conventional shift register circuit, when the potential applied to the gates of the transistors 1 to 8 is not sufficiently higher than a predetermined threshold value, the transistors 1 to 8 are not in the on (high) state. May cause malfunction. In addition, the conventional shift register circuit may not be turned off when the potential applied to the gates of the transistors 1 to 8 is not sufficiently lower than a predetermined threshold value, which may cause malfunction.

一方、本発明のシフトレジスタ回路10は、「OUT」の電位にではなく、ノード11の電位に応じてノード12の電位を下げる。この結果、シフトレジスタ回路10は、「OUT」を出力する際に、ノード12の電位を確実に下げることができ、ノード11の電位を十分高い状態に保てることで、信号出力の降下を防ぐことができる。 On the other hand, the shift register circuit 10 of the present invention lowers the potential of the node 12 not according to the potential of “OUT 1 ” but according to the potential of the node 11. As a result, the shift register circuit 10 can reliably reduce the potential of the node 12 when outputting “OUT 1 ”, and can prevent the signal output from dropping by keeping the potential of the node 11 sufficiently high. be able to.

詳細には、シフトレジスタ回路10は、ノード12の電位の上昇に伴って、ノード11の電位を下降させるトランジスタ2と、ノード11の電位の上昇に伴って、ノード12の電位を下降させるトランジスタ1とを有する。また、シフトレジスタ回路10は、ノード11の電位の上昇に伴って、「CLK」を「OUT」に出力するトランジスタ3を有する。ここで、トランジスタ3において「CLK」が流れた場合には、ブートストラップ効果により、ノード11の電位が上昇する。この結果、ノード12の電位が下降し、トランジスタ2が確実にオフにされ、ノード11の電位が上昇するので、シフトレジスタ回路10は、「CLK」の電位の低下を防ぐことができる。 Specifically, the shift register circuit 10 includes a transistor 2 that decreases the potential of the node 11 as the potential of the node 12 increases, and a transistor 1 that decreases the potential of the node 12 as the potential of the node 11 increases. And have. The shift register circuit 10 includes a transistor 3 that outputs “CLK 1 ” to “OUT 1 ” as the potential of the node 11 increases. Here, when “CLK 1 ” flows in the transistor 3, the potential of the node 11 rises due to the bootstrap effect. As a result, the potential of the node 12 is lowered, the transistor 2 is surely turned off, and the potential of the node 11 is raised. Therefore, the shift register circuit 10 can prevent a decrease in the potential of “CLK 1 ”.

[シフトレジスタ回路10の動作の流れ]
このようなシフトレジスタ回路10の動作の流れを説明する。まず、図3を用いて、シフトレジスタ回路10に入力する信号について説明する。図3は、シフトレジスタ回路に入力される信号波形を説明する図である。例えば、図3に示す例では、シフトレジスタ回路10には、「in」として、例えば「VST」(垂直走査開始信号:Vertical Start)が入力されるとともに、「CLK」、および「CLK」が入力される。
[Operation Flow of Shift Register Circuit 10]
The operation flow of the shift register circuit 10 will be described. First, signals input to the shift register circuit 10 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram for explaining a signal waveform input to the shift register circuit. For example, in the example illustrated in FIG. 3, for example, “VST” (vertical scan start signal: Vertical Start) is input to the shift register circuit 10 as “in”, and “CLK 1 ” and “CLK 2 ”. Is entered.

ここで、「VST」とは、シフトレジスタ回路10の前段に他のシフトレジスタ回路が存在しない場合に、「in」としてシフトレジスタ回路10に入力される信号であり、複数のシフトレジスタが信号を伝達する処理の開始を示す信号である。また、「CLK」とは、電位がVGHからVGLまで周期的に変化する第1のクロック信号であり、シフトレジスタ回路10が次段のシフトレジスタ回路に「OUT」を出力するタイミングを示す信号である。また、「CLK」とは、第2のクロック信号であり、図1に示すシフトレジスタでは「in」に入力されるタイミングと同期したクロック信号である。なお、以下の説明においては、「CLK」は、「CLK」の位相を反転させた信号である。 Here, “VST” is a signal that is input to the shift register circuit 10 as “in” when there is no other shift register circuit in the preceding stage of the shift register circuit 10, and a plurality of shift registers receive the signal. It is a signal which shows the start of the process to transmit. “CLK 1 ” is a first clock signal whose potential periodically changes from VGH to VGL, and indicates the timing at which the shift register circuit 10 outputs “OUT 1 ” to the next-stage shift register circuit. Signal. “CLK 2 ” is a second clock signal, which is a clock signal synchronized with the timing input to “in” in the shift register shown in FIG. In the following description, “CLK 2 ” is a signal obtained by inverting the phase of “CLK 1 ”.

次に、図4を用いて、各信号が入力された際のシフトレジスタ回路10の動作について説明する。図4は、シフトレジスタ回路の動作を説明する図である。なお、図4には、シフトレジスタ回路10に入力される「CLK」、「CLK」、および「in」の入力波形と、ノード11、ノード12の電位変化、及び「OUT」、「OUT」の波形を示す。 Next, the operation of the shift register circuit 10 when each signal is input will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the shift register circuit. In FIG. 4, the input waveforms of “CLK 1 ”, “CLK 2 ”, and “in” input to the shift register circuit 10, the potential changes of the nodes 11 and 12, and “OUT 1 ”, “ The waveform of “OUT 2 ” is shown.

また、図4には、各トランジスタ1〜8がオン(高)状態となる範囲を網かけで示し、オン(中)状態となる範囲を濃い点描で示し、オン(低)状態となる範囲を薄い点描で示す。また、各トランジスタ1〜8がオフ状態となる範囲は、白抜きで示す。また、図4中T1よりも前の状態では、ノード11の電位が「VGL」であり、ノード12の電位が「VGH」であるものとする。   Further, in FIG. 4, the range in which each of the transistors 1 to 8 is in the on (high) state is indicated by shading, the range in which the on (medium) state is indicated by dark stippling, and the range in which the on (low) state is indicated. Shown in light stippling. The range in which each of the transistors 1 to 8 is turned off is shown in white. Further, in the state before T1 in FIG. 4, it is assumed that the potential of the node 11 is “VGL” and the potential of the node 12 is “VGH”.

図4は、電位が周期的に変化する「CLK」と同期する「in」を入力して「OUT」を出力し、後段のシフトレジスタ回路から入力される「OUT」によって出力を停止する一連の流れを示す。ここでは、図4中T1〜T11に示した期間におけるトランジスタ1〜8の状態を用いて、上記一連の流れを具体的に説明する。 In FIG. 4, “in” synchronized with “CLK 2 ” whose potential changes periodically is input to output “OUT 1 ”, and the output is stopped by “OUT 2 ” input from the shift register circuit at the subsequent stage. A series of flow is shown. Here, the above series of flows will be specifically described using the states of the transistors 1 to 8 in the period shown by T1 to T11 in FIG.

具体的には、T1は、「in」信号が入力されるまでの前段階であり、T2は、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGH」となり、「in」のパルスが入力される期間である。 Specifically, T1 is the stage prior to the "in" signal is input, T2, the potential of "CLK 1" is "VGL" potential "VGH" in "CLK 2", and " This is a period during which an "in" pulse is input.

また、T3は、「in」の入力後に「CLK」と「CLK」との電位が「VGL」となる期間であり、T4は、「CLK」の電位が「VGH」、「CLK」の電位が「VGL」となる期間である。また、T5は、「OUT」が出力された後に「CLK」と「CLK」との電位が「VGL」となる期間であり、T6は、「CLK」の電位が「VGL」、「CLK」の電位が「VGH」となる期間である。また、T7〜T11は、「OUT」の入力があった後に「CLK」の電位が周期的に「VGL」と「VGH」とを繰り返す各期間である。 T3 is a period in which the potential of “CLK 1 ” and “CLK 2 ” is “VGL” after “in” is input, and T4 is the potential of “CLK 1 ” and “CLK 2 ”. ”Is a period in which the potential becomes“ VGL ”. T5 is a period in which the potentials of “CLK 1 ” and “CLK 2 ” are “VGL” after “OUT 1 ” is output, and T6 is the potential of “CLK 1 ”. This is a period during which the potential of “CLK 2 ” is “VGH”. T7 to T11 are periods in which the potential of “CLK 2 ” periodically repeats “VGL” and “VGH” after “OUT 2 ” is input.

例えば、図4中T1以前からT1においては、「CLK」の電位は周期的に「VGH」、「VGL」へと変化すると「VGH」期間中にはノード12に「VGH」が定期的に供給されるため、ノード12の電位が「VGH」に保たれるので、トランジスタ2、6がオン(高)状態となり、ノード11およびOUTの電位が「VGL」となる。 For example, from T1 before T1 in FIG. 4, when the potential of “CLK 2 ” periodically changes to “VGH” and “VGL”, “VGH” is periodically transferred to the node 12 during the “VGH” period. Since the potential of the node 12 is maintained at “VGH”, the transistors 2 and 6 are turned on (high), and the potentials of the node 11 and OUT 1 are “VGL”.

続いて、図4中T2においては、「CLK」の電位が「VGL」であり、「CLK」の電位が「VGH」である。ここで、トランジスタ4には、「in」のパルスが入力されるので、オン(高)状態となる。また、トランジスタ5には、「CLK」が入力されるが、ノード12の電位により、オン(中)状態となる。すると、ノード12は、オン(中)状態のトランジスタ5を介して「VGH」が供給される一方で、オン(高)状態のトランジスタ4を介して「VGL」へ引き下げられる。この結果、ノード12の電位は、「VGH」よりも低い中間的な値となるので、トランジスタ2、6がオン(中)状態となる。 Subsequently, at T < b > 2 in FIG. 4, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 2 ” is “VGH”. Here, since an “in” pulse is input to the transistor 4, the transistor 4 is turned on. Further, although “CLK 2 ” is input to the transistor 5, the transistor 5 is turned on (medium) by the potential of the node 12. Then, the node 12 is supplied with “VGH” through the transistor 5 in the on (medium) state, and is pulled down to “VGL” through the transistor 4 in the on (high) state. As a result, the potential of the node 12 becomes an intermediate value lower than “VGH”, so that the transistors 2 and 6 are turned on (medium).

一方、「in」のパルスが入力されると、トランジスタ8がオン(高)状態となるので、ノード11に「VGH」が供給され、ノード11の電位が上昇する。ノード12の電位は、T2初期では上述したように「VGH」から低い中間電位であるがトランジスタ1とトランジスタ4によって徐々に「VGL」へ引き下げられトランジスタ2はオン(中)状態からオン(低)状態へと変化する。したがって、ノード11の電位は、GND(グランド)よりも高いHigh状態となる。また、ノード12の電位は、オン(中)状態のトランジスタ5を介して「VGH」が供給される一方で、オン(中)状態のトランジスタ1と、オン(高)状態のトランジスタ4とを介して「VGL」へ引き下げられるので、GNDよりも低いLow状態となる。   On the other hand, when the “in” pulse is input, the transistor 8 is turned on (high), so that “VGH” is supplied to the node 11 and the potential of the node 11 is increased. As described above, the potential of the node 12 is an intermediate potential that is low from “VGH” as described above, but is gradually lowered to “VGL” by the transistors 1 and 4, so that the transistor 2 is turned on (low) from the on (medium) state. Change to state. Therefore, the potential of the node 11 is in a high state higher than GND (ground). The potential of the node 12 is supplied with “VGH” through the transistor 5 in the on (medium) state, while the transistor 1 in the on (medium) state and the transistor 4 in the on (high) state. Therefore, it is lowered to “VGL”, so that the Low state is lower than GND.

また、図4中T3においては、「CLK」の電位が「VGL」であり、「CLK」の電位が「VGL」であり、「in」が「VGL」となる。すると、トランジスタ4、5、8がオフ状態となる。このため、ノード12に対する「VGH」の供給が遮断されるとともに、トランジスタ4によるノード12の電圧降下が抑制されるがトランジスタ1により引き続き「VGL」へと引き下げられる。 Further, at T3 in FIG. 4, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, the potential of “CLK 2 ” is “VGL”, and “in” is “VGL”. Then, the transistors 4, 5, and 8 are turned off. For this reason, the supply of “VGH” to the node 12 is cut off, and the voltage drop of the node 12 by the transistor 4 is suppressed, but the transistor 1 continues to pull down to “VGL”.

また、図4中T4においては、「CLK」の電位が「VGH」であり、「CLK」の電位が「VGL」であり、「in」の電位が「VGL」であることからトランジスタ7およびトランジスタ8がオフ状態である。このような場合には、トランジスタ3のドレインからソースへと「CLK」が印加されると、ブートストラップ効果が発生し、ノード11の電位がカップリングにより上昇する。 4, the potential of “CLK 1 ” is “VGH”, the potential of “CLK 2 ” is “VGL”, and the potential of “in” is “VGL”. The transistor 8 is off. In such a case, when “CLK 1 ” is applied from the drain to the source of the transistor 3, a bootstrap effect occurs, and the potential of the node 11 rises due to coupling.

すると、トランジスタ1がオン(高)状態となるので、ノード12の電位が「VGL」へ引き下げられるので、トランジスタ2がオフ状態となる。すると、ノード11の電位が「VGH」に対して1.3〜1.5倍程度に上昇するので、トランジスタ1がオン(高)状態となる。   Then, since the transistor 1 is turned on (high), the potential of the node 12 is lowered to “VGL”, so that the transistor 2 is turned off. Then, the potential of the node 11 rises by about 1.3 to 1.5 times with respect to “VGH”, so that the transistor 1 is turned on (high).

ここで、トランジスタ5がオフ状態であるので、ノード12には「VGH」が供給されていない。このため、ノード12の電位は「VGL」と同じLow状態となる。また、トランジスタ3がオン(高)状態となるので、「CLK」のパルスが「OUT」として出力される。 Here, since the transistor 5 is in the off state, “VGH” is not supplied to the node 12. For this reason, the potential of the node 12 becomes the same Low state as “VGL”. Further, since the transistor 3 is turned on (high) state, a pulse of "CLK 1" is output as "OUT 1".

このように、シフトレジスタ回路10は、ノード11の電位に応じて、ノード12と低電位端子とを電気的に接続するトランジスタ1を有し、ノード11の電位が上昇した場合には、ノード12の電位を降下させる。このため、シフトレジスタ回路10は、「OUT」を出力する際にノード12の電位をLow状態にすることができる。 As described above, the shift register circuit 10 includes the transistor 1 that electrically connects the node 12 and the low potential terminal in accordance with the potential of the node 11, and when the potential of the node 11 rises, the node 12 The potential of is lowered. Therefore, the shift register circuit 10 can set the potential of the node 12 to the low state when outputting “OUT 1 ”.

また、シフトレジスタ回路10は、トランジスタ3のドレインからソースへと「CLK」が流れる際に、ブートストラップ効果により、ノード11の電位を上昇させるので、トランジスタ1がオン(高)状態となり、ノード12の電位をさらに降下させる。この結果、トランジスタ2が完全にオフ状態となるので、ノード11の電位を高い状態に維持できる結果、シフトレジスタ回路10は、次の回路に伝達する信号の出力を安定させることができる。 Further, the shift register circuit 10 raises the potential of the node 11 due to the bootstrap effect when “CLK 1 ” flows from the drain to the source of the transistor 3, so that the transistor 1 is turned on (high), and the node 1 The potential of 12 is further lowered. As a result, the transistor 2 is completely turned off, so that the potential of the node 11 can be maintained high. As a result, the shift register circuit 10 can stabilize the output of a signal transmitted to the next circuit.

また、図4中T5においては、「CLK」の電位が「VGL」であり、「CLK」の電位が「VGL」である。このため、トランジスタ3のソースからドレインへと「CLK」のLow電位に引き戻される際にカップリングにより、ノード11は、GNDよりも少し高いHigh状態に戻り、トランジスタ1がオン(中)状態となる。また、図5中T5においては、トランジスタ5がオフ状態であるため、ノード12に「VGH」が供給されない結果、ノード12の電位は、「VGL」と同じLow状態を維持する。また、「OUT」の電位も「VGL」となる。 Further, at T5 in FIG. 4, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 2 ” is “VGL”. Therefore, when the transistor 3 is pulled back to the low potential of “CLK 1 ” from the source to the drain, the node 11 returns to the high state that is slightly higher than the GND due to the coupling, and the transistor 1 is turned on (medium). Become. Further, at T5 in FIG. 5, since the transistor 5 is in an off state, “VGH” is not supplied to the node 12, and as a result, the potential of the node 12 maintains the same Low state as “VGL”. Further, the potential of “OUT 1 ” is also “VGL”.

また、図4中T6においては、「CLK」の電位が「VGL」であり、「CLK」の電位が「VGH」である。このような場合には、「CLK」の電位によりトランジスタ5がオン(高)状態となるため、ノード12に「VGH」が供給される結果、ノード12の電位が上昇し、GNDよりも少し高いHigh状態となる。このため、トランジスタ2、6がオン(中)状態となる。 Further, at T6 in FIG. 4, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 2 ” is “VGH”. In such a case, the transistor 5 is turned on (high) by the potential of “CLK 2 ”, so that “VGH” is supplied to the node 12, and as a result, the potential of the node 12 rises and is slightly lower than GND. It becomes a high state. Therefore, the transistors 2 and 6 are turned on (medium).

また、図4中T6においては、次段のシフトレジスタ回路から「OUT」のパルスが出力されると、「OUT」の電位によりトランジスタ7がオン(高)状態となる。ここで、トランジスタ8がオフ状態であるので、ノード11には「VGH」が供給されていない。この結果、ノード11の電位は、トランジスタ2、7を介して引き下げられ、ほぼ「VGL」と同じLow状態となる。また、オン(中)状態のトランジスタ6を介して、「OUT」の出力端子における電位が「VGL」に保たれるので、シフトレジスタ回路10は、出力信号の状態をより安定させることができる。 Further, at T6 in FIG. 4, when a pulse of “OUT 2 ” is output from the shift register circuit in the next stage, the transistor 7 is turned on (high) by the potential of “OUT 2 ”. Here, since the transistor 8 is in the off state, the node 11 is not supplied with “VGH”. As a result, the potential of the node 11 is pulled down via the transistors 2 and 7 and is in a Low state substantially the same as “VGL”. Further, since the potential at the output terminal of “OUT 1 ” is maintained at “VGL” via the transistor 6 in the on (medium) state, the shift register circuit 10 can further stabilize the state of the output signal. .

また、図4中T7においては、「CLK」の電位が「VGH」であり、「CLK」の電位が「VGL」である。このような場合には、「CLK」の電位が「VGL」であるため、トランジスタ5がオフ状態となり、「in」の電位、およびノード11の電位が「VGL」であるため、トランジスタ1、4もオフ状態となる。この結果、ノード12の電位は、「VGL」により引き下げられることなく、GNDよりも少し高いHigh状態に保たれる。このため、トランジスタ2、6がオン(中)状態となり、ノード11、および「OUT」の電位は、「VGL」を維持する。 Further, at T7 in FIG. 4, the potential of “CLK 1 ” is “VGH”, and the potential of “CLK 2 ” is “VGL”. In such a case, since the potential of “CLK 2 ” is “VGL”, the transistor 5 is turned off, and the potential of “in” and the potential of the node 11 are “VGL”. 4 is also turned off. As a result, the potential of the node 12 is kept at a High state slightly higher than GND without being pulled down by “VGL”. Therefore, the transistors 2 and 6 are turned on (medium), and the potentials of the node 11 and “OUT 1 ” are maintained at “VGL”.

また、図4中T8においては、「CLK」の電位が「VGL」であり、「CLK」の電位が「VGH」である。このような場合には、「CLK」の電位が「VGH」であるが、ノード12がHigh状態であるため、トランジスタ5がオン(中)状態となる。すると、ノード12に「VGH」が供給され、ノード12の電位が上昇し、「VGH」に近いHigh状態となる。この結果、トランジスタ2、6は、オン(高)状態を保ち、ノード11、および「OUT」の電位は、「VGL」を維持する。 Further, at T8 in FIG. 4, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 2 ” is “VGH”. In such a case, although the potential of “CLK 2 ” is “VGH”, since the node 12 is in the high state, the transistor 5 is turned on (medium). Then, “VGH” is supplied to the node 12, the potential of the node 12 is increased, and a high state close to “VGH” is obtained. As a result, the transistors 2 and 6 are kept on (high), and the potentials of the node 11 and “OUT 1 ” are maintained at “VGL”.

その後、図4中T9においては、「CLK」の電位が「VGH」であり、「CLK」の電位が「VGL」である。このような場合には、ノード12の電位が「VGH」に近いHigh状態であるため、トランジスタ2がオン(高)となり、ノード11の電位が「VGL」を維持するので、トランジスタ3がオフ状態を維持する結果、「OUT」が出力されない。 After that, at T9 in FIG. 4, the potential of “CLK 1 ” is “VGH”, and the potential of “CLK 2 ” is “VGL”. In such a case, since the potential of the node 12 is in a high state close to “VGH”, the transistor 2 is turned on (high), and the potential of the node 11 is maintained at “VGL”, so that the transistor 3 is turned off. As a result, “OUT 1 ” is not output.

また、図4中T10では、「CLK」の電位が「VGL」であり、「CLK」の電位が「VGH」である。このような場合には、「CLK」の電位が「VGH」であるが、ノード12が「VGH」に近いHigh状態であるため、トランジスタ5がオン(低)状態となる。すると、ノード12に「VGH」が供給される結果、ノード12の電位がHigh状態に保たれる。なお、図4中T11においては、図4中T9と同様に、「OUT」が出力されず、ノード12の電位が「VGH」に近いHigh状態に保たれる。 Further, at T10 in FIG. 4, the potential of “CLK 1 ” is “VGL”, and the potential of “CLK 2 ” is “VGH”. In such a case, although the potential of “CLK 2 ” is “VGH”, since the node 12 is in a high state close to “VGH”, the transistor 5 is turned on (low). Then, “VGH” is supplied to the node 12, and as a result, the potential of the node 12 is kept in a high state. Note that, at T11 in FIG. 4, “OUT 1 ” is not output, and the potential of the node 12 is kept in a high state close to “VGH”, similarly to T9 in FIG.

ここで、シフトレジスタ回路10は、図4中T8以降において、「CLK」と同時に「in」が入力された場合には、図4中T2〜T7と同じ様に動作することで、次段のシフトレジスタ回路10に「OUT」を出力することができる。 Here, when “in” is input simultaneously with “CLK 2 ” after T 8 in FIG. 4, the shift register circuit 10 operates in the same manner as T 2 to T 7 in FIG. “OUT 1 ” can be output to the shift register circuit 10.

[シフトレジスタ回路10のシミュレーション結果]
次に、図5を用いて、シフトレジスタ回路10のシミュレーション結果について説明する。図5は、シミュレーションの一例を説明する図である。なお、図5に示すグラフは、シフトレジスタ回路10に入力した「in」、シフトレジスタ回路10が出力する「OUT」、およびノード11、12の電位遷移をシミュレーションした結果である。また、図5に示す例では、横軸に時間をとり、縦軸に「OUT」をとって、ノード11、12の電位をプロットした。
[Simulation result of shift register circuit 10]
Next, simulation results of the shift register circuit 10 will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a diagram for explaining an example of the simulation. The graph shown in FIG. 5 is a result of simulating “in” input to the shift register circuit 10, “OUT 1 ” output from the shift register circuit 10, and potential transitions of the nodes 11 and 12. In the example shown in FIG. 5, the horizontal axis represents time, the vertical axis represents “OUT 1 ”, and the potentials of the nodes 11 and 12 are plotted.

例えば、図5中T12〜T13においては、「OUT」、ノード11、ノード12の電位にあまり変化がない。また、図5中T14において、「in」信号のパルスが入力されると、ノード11の電位が上昇し、ノード12の電位が下がる。そして、図5中T15において、ノード11の電位がブートストラップ効果によりさらに向上し、ノード12の電位がさらに下がるので、シフトレジスタ回路10は、電位降下の無い「OUT」を出力する。その後、図5中T16、T17において、ノード11の電位が降下し、ノード12の電位が上昇するので、シフトレジスタ回路10は、待機時の状態に変遷することができる。 For example, in FIG. 5 in t12 to t13, "OUT 1", the node 11, there is not much change in the potential of the node 12. 5, when an “in” signal pulse is input, the potential of the node 11 increases and the potential of the node 12 decreases. At T15 in FIG. 5, the potential of the node 11 is further improved due to the bootstrap effect, and the potential of the node 12 is further lowered. Therefore, the shift register circuit 10 outputs “OUT 1 ” with no potential drop. After that, at T16 and T17 in FIG. 5, the potential of the node 11 drops and the potential of the node 12 rises, so that the shift register circuit 10 can change to a standby state.

[シフトレジスタ回路10の効果]
上述したように、シフトレジスタ回路10は、ノード11の電位が上昇することに応じて、ノード12の電位を降下させるトランジスタ1と、ノード12の電位が上昇することに応じて、ノード11の電位を降下させるトランジスタ2とを有する。また、シフトレジスタ回路10は、ノード11の電位が上昇することに応じて、「OUT」を出力する際に、ブートストラップ効果によりノード11の電位を上昇させるトランジスタ3を有する。このため、シフトレジスタ回路10は、「OUT」の電位の降下を防ぐことができる。
[Effect of the shift register circuit 10]
As described above, the shift register circuit 10 includes the transistor 1 that decreases the potential of the node 12 in response to the increase in the potential of the node 11 and the potential of the node 11 in response to the increase in the potential of the node 12. And a transistor 2 for lowering. The shift register circuit 10 includes the transistor 3 that raises the potential of the node 11 by the bootstrap effect when outputting “OUT 1 ” in response to the rise of the potential of the node 11. For this reason, the shift register circuit 10 can prevent a potential drop of “OUT 1 ”.

また、シフトレジスタ回路10は、「in」の電位が上昇することに応じて、ノード12の電位を降下させるトランジスタ4を有する。このように、シフトレジスタ回路10は、「in」が入力された際にノード12の電位を下げるので、ノード11の電位を上昇させる結果、「OUT」の電位の降下をさらに防ぐことができる。 Further, the shift register circuit 10 includes the transistor 4 that lowers the potential of the node 12 in response to the rise of the potential of “in”. As described above, the shift register circuit 10 lowers the potential of the node 12 when “in” is input. Therefore, as a result of increasing the potential of the node 11, the potential drop of “OUT 1 ” can be further prevented. .

また、シフトレジスタ回路10は、「CLK」の電位が上昇することに応じて、ノード12の電位を上昇させるトランジスタ5を有する。このため、シフトレジスタ回路10は、「OUT」を出力しない非選択状態における動作を安定させることができる。 The shift register circuit 10 includes the transistor 5 that raises the potential of the node 12 in response to the rise of the potential of “CLK 2 ”. Therefore, the shift register circuit 10 can stabilize the operation in the non-selected state in which “OUT 1 ” is not output.

また、シフトレジスタ回路10は、ノード12の電位が上昇することに応じて、「OUT」の出力端子の電位を降下させるトランジスタ6を有する。このため、シフトレジスタ回路10は、非選択状態に誤った「OUT」の出力を防止することができる。 In addition, the shift register circuit 10 includes a transistor 6 that lowers the potential of the output terminal of “OUT 1 ” in response to the potential of the node 12 rising. Therefore, the shift register circuit 10 can prevent the output of “OUT 1 ” erroneously in the non-selected state.

また、シフトレジスタ回路10は、「OUT」の電位が上昇することに応じて、ノード11の電位を降下させるトランジスタ7を有する。このため、シフトレジスタ回路10は、後段のシフトレジスタ回路が信号を出力した際に、確実に非選択状態に遷移することができる。 In addition, the shift register circuit 10 includes the transistor 7 that lowers the potential of the node 11 in response to the rise of the potential of “OUT 2 ”. Therefore, the shift register circuit 10 can reliably transition to the non-selected state when the shift register circuit at the subsequent stage outputs a signal.

[適用範囲]
例えば、上記の実施形態で例示したシフトレジスタ回路10は、液晶パネルや有機EL(Electronic Luminescent)パネルを用いた画像表示装置を動作させるドライバ回路に好適に適用される。また、シフトレジスタ回路10は、上述したドライバ回路以外の回路にも適用することができる。また、シフトレジスタ回路10は、複数のトランジスタと、各素子を順次駆動するためのドライバ回路とを有するセンサ装置、発光素子アレイ、サーマルヘッド等、任意の装置に適用することができる。
[Scope of application]
For example, the shift register circuit 10 exemplified in the above embodiment is suitably applied to a driver circuit that operates an image display device using a liquid crystal panel or an organic EL (Electronic Luminescent) panel. The shift register circuit 10 can also be applied to circuits other than the driver circuit described above. The shift register circuit 10 can be applied to an arbitrary device such as a sensor device, a light emitting element array, or a thermal head having a plurality of transistors and a driver circuit for sequentially driving each element.

(液晶パネルへの適用)
以下の説明では、シフトレジスタ回路10の適用例として、液晶パネルを用いた画像表示装置を動作させるドライバ回路にシフトレジスタ回路10を適用する例について説明する。
(Application to LCD panel)
In the following description, an example in which the shift register circuit 10 is applied to a driver circuit that operates an image display apparatus using a liquid crystal panel will be described as an application example of the shift register circuit 10.

図6は、シフトレジスタ回路の適用例を説明する第1の図である。図6に示す例では、画像表示装置50は、制御回路51とパネル52とを有する。なお、画像表示装置50は、バックライト等の光源装置、カラーフィルタ基板、偏光方向が互いに異なる偏光板等を有するが、図6では、理解を容易にするため、それらの記載を省略した。   FIG. 6 is a first diagram illustrating an application example of the shift register circuit. In the example illustrated in FIG. 6, the image display device 50 includes a control circuit 51 and a panel 52. The image display device 50 includes a light source device such as a backlight, a color filter substrate, and polarizing plates having different polarization directions. However, in FIG. 6, the description thereof is omitted for easy understanding.

制御回路51は、例えば、パネル52に配置されるFPC(Flexible printed circuits)上に設けられたり、または、パネル52の外部回路基板上に設けられており、パネル52を駆動させるための制御信号を駆動回路55に出力する。なお、図6では、FPC、または外部回路基板についての図示を省略した。   The control circuit 51 is provided on, for example, an FPC (Flexible printed circuits) disposed on the panel 52 or is provided on an external circuit board of the panel 52, and a control signal for driving the panel 52 is provided. Output to the drive circuit 55. In FIG. 6, illustration of the FPC or the external circuit board is omitted.

また、パネル52には、液晶パネルが用いられており、一対の基板から構成されている。例えば、パネル52は、アクティブエリア57に薄膜トランジスタが形成されたアレイ基板とアレイ基板に対向するカラーフィルタ基板とからなる一対のガラス基板で構成されている。また、アクティブエリア57のアレイ基板の周辺には、周辺部54が形成されている。周辺部54には、駆動回路55および走査線駆動回路56が設けられており、走査線駆動回路56はアレイ基板のガラス上に形成されている。また、駆動回路55と走査線駆動回路56とは走査線制御線53で接続されている。   In addition, a liquid crystal panel is used for the panel 52, and it is composed of a pair of substrates. For example, the panel 52 is composed of a pair of glass substrates including an array substrate in which a thin film transistor is formed in the active area 57 and a color filter substrate facing the array substrate. A peripheral portion 54 is formed around the array substrate in the active area 57. The peripheral portion 54 is provided with a driving circuit 55 and a scanning line driving circuit 56, and the scanning line driving circuit 56 is formed on the glass of the array substrate. The driving circuit 55 and the scanning line driving circuit 56 are connected by a scanning line control line 53.

駆動回路55は、駆動用の半導体素子からなり、アクティブエリア上に延在されたデータ線に画像信号を出力する信号線駆動回路、走査線制御回路および対向電位駆動回路等で構成されている。なお、駆動回路55は、アクティブエリア57の周辺部54にCOG(Chip On Glass)方式で実装されている。   The drive circuit 55 is composed of a semiconductor element for driving, and includes a signal line drive circuit for outputting an image signal to a data line extending on the active area, a scanning line control circuit, a counter potential drive circuit, and the like. The drive circuit 55 is mounted on the peripheral portion 54 of the active area 57 by a COG (Chip On Glass) method.

また、パネル52の周辺部54に設けられた走査線駆動回路56には、第1形態において説明したシフトレジスタ回路10が適用されている。駆動回路55は、走査線制御線53で走査線駆動回路56と接続されており、走査線制御線53を介してシフトレジスタ回路10に制御信号を出力する。なお、シフトレジスタ回路10は、パネル52のアレイ基板上の周辺部54に一体的に形成されている。   Further, the shift register circuit 10 described in the first embodiment is applied to the scanning line driving circuit 56 provided in the peripheral portion 54 of the panel 52. The drive circuit 55 is connected to the scan line drive circuit 56 through the scan line control line 53, and outputs a control signal to the shift register circuit 10 through the scan line control line 53. The shift register circuit 10 is formed integrally with the peripheral portion 54 of the panel 52 on the array substrate.

アクティブエリア57は、マトリックス状に配置した画素58を複数有する。詳細には、アクティブエリア57には、複数のデータ線が列方向に延在され、複数の走査線が行方向に延在されている。そして、アクティブエリア57には、データ線と走査線との交差に対応して、それぞれ画素58が形成されている。   The active area 57 has a plurality of pixels 58 arranged in a matrix. Specifically, in the active area 57, a plurality of data lines are extended in the column direction, and a plurality of scanning lines are extended in the row direction. In the active area 57, pixels 58 are formed corresponding to the intersections of the data lines and the scanning lines.

ここで、画素58は、アクティブ素子として動作する薄膜トランジスタ59と、画素電極60とを有する。画像表示装置50は、アレイ基板に設けられた画素電極60とカラーフィルタ基板に設けられた共通電極(図示せず)との間に印加された電圧によって液晶分子を制御して画像表示する。ここでは、パネル52は、アレイ基板に画素電極60が設けられ、カラーフィルタ基板に共通電極が設けられた縦電界方式で説明しているが、これに限らず、例えば、アレイ基板の画素58内に画素電極60および共通電極が設けられた横電界方式であってもよい。   Here, the pixel 58 includes a thin film transistor 59 that operates as an active element, and a pixel electrode 60. The image display device 50 displays an image by controlling liquid crystal molecules with a voltage applied between a pixel electrode 60 provided on the array substrate and a common electrode (not shown) provided on the color filter substrate. Here, the panel 52 is described in a vertical electric field method in which the pixel electrode 60 is provided on the array substrate and the common electrode is provided on the color filter substrate. Alternatively, a horizontal electric field method in which a pixel electrode 60 and a common electrode are provided may be used.

走査線駆動回路56は、第1形態に係わるシフトレジスタ回路10と同様のシフトレジスタ回路10、10a〜10cを多段に接続した回路により構成される。なお、走査線駆動回路56は、シフトレジスタ回路10、10a〜10c以外にも複数のシフトレジスタ回路を有するが、図6では、理解を容易にするため、記載を省略した。   The scanning line driving circuit 56 is configured by a circuit in which shift register circuits 10, 10a to 10c similar to the shift register circuit 10 according to the first embodiment are connected in multiple stages. Note that although the scanning line driving circuit 56 includes a plurality of shift register circuits in addition to the shift register circuits 10 and 10a to 10c, the description is omitted in FIG. 6 for easy understanding.

ここで、走査線駆動回路56は、各シフトレジスタ回路10、10a〜10cが出力する信号を次段のシフトレジスタ回路に入力するとともに、アクティブエリア57上に延在する走査線に入力する。このため、走査線駆動回路56は、駆動回路55から走査線制御線53を介して、制御信号が入力された場合には、アクティブエリア57上の各走査線に対して上方向から順に電圧を印加する。   Here, the scanning line driving circuit 56 inputs a signal output from each of the shift register circuits 10, 10 a to 10 c to the next-stage shift register circuit, and inputs it to a scanning line extending on the active area 57. For this reason, when a control signal is input from the drive circuit 55 via the scanning line control line 53, the scanning line driving circuit 56 applies voltages to the scanning lines on the active area 57 in order from the top. Apply.

例えば、シフトレジスタ回路10は、制御信号を受信すると、シフトレジスタ回路10aにOUTを出力し、1段目の走査線に対して電圧を印加する。次に、シフトレジスタ回路10aは、次段のシフトレジスタ回路にOUTを出力し、2段目の走査線に対して電圧を印加する。この際、シフトレジスタ回路10aは、シフトレジスタ回路10にOUTを出力するので、シフトレジスタ回路10に信号の出力を停止させ、1段目の走査線に対する電圧の印加を停止させることとなる。この結果、走査線駆動回路56は、アクティブエリア57上の各走査線に対して、順番に電圧を印加する。 For example, when receiving the control signal, the shift register circuit 10 outputs OUT 1 to the shift register circuit 10a and applies a voltage to the first-stage scanning line. Next, the shift register circuit 10a outputs OUT 1 to the next-stage shift register circuit, and applies a voltage to the second-stage scanning line. At this time, since the shift register circuit 10a outputs OUT 2 to the shift register circuit 10, output of signals to the shift register circuit 10 is stopped, and application of voltage to the first scanning line is stopped. As a result, the scanning line driving circuit 56 sequentially applies a voltage to each scanning line on the active area 57.

薄膜トランジスタ59は、画素58が形成された位置に応じたデータ線とソースとが接続され、画素58が形成された位置に応じた走査線とゲートとが接続されている。そして、走査線駆動回路56から対応する走査線に電圧が印加されるとともに、駆動回路55から対応するデータ線に電圧が印加された場合に、データ線に印加された電圧が薄膜トランジスタ59を介して画素電極60に印加される。   In the thin film transistor 59, a data line and a source corresponding to the position where the pixel 58 is formed are connected, and a scanning line and a gate corresponding to the position where the pixel 58 is formed are connected. When a voltage is applied to the corresponding scanning line from the scanning line driving circuit 56 and a voltage is applied to the corresponding data line from the driving circuit 55, the voltage applied to the data line is passed through the thin film transistor 59. Applied to the pixel electrode 60.

ここで、走査線駆動回路56を第1形態に係わるシフトレジスタ回路10で構成した場合には、各シフトレジスタ回路10が各走査線に印加する電圧の低下を防ぐことができる。この結果、画像表示装置50は、アクティブエリア57の大型化や画素58の細密化により走査線の数が増加した場合にも、各画素58に印加する電圧の低下を防ぐことができるので、正常に動作することができる。   Here, when the scanning line driving circuit 56 is configured by the shift register circuit 10 according to the first embodiment, it is possible to prevent the voltage applied to each scanning line by each shift register circuit 10 from being lowered. As a result, the image display device 50 can prevent a decrease in the voltage applied to each pixel 58 even when the number of scanning lines increases due to the increase in the size of the active area 57 or the densification of the pixels 58. Can work.

なお、図6では、液晶パネルを用いた画像表示装置にシフトレジスタ回路10を適用する例について説明した。しかしながら、実施の形態はこれに限定されるものではない。例えば、有機ELパネルを用いた画像表示装置にシフトレジスタ回路10を適用してもよい。例えば、図7は、シフトレジスタ回路10の適用例を説明する第2の図である。   Note that FIG. 6 illustrates an example in which the shift register circuit 10 is applied to an image display device using a liquid crystal panel. However, the embodiment is not limited to this. For example, the shift register circuit 10 may be applied to an image display device using an organic EL panel. For example, FIG. 7 is a second diagram illustrating an application example of the shift register circuit 10.

(有機ELへの適用)
図7に示す例では、複数のシフトレジスタ回路10、10aからなる走査線駆動回路56を有し、有機ELパネルを用いた画像表示装置70について記載した。また、図7に示す例では、理解を容易にするため、走査線駆動回路56がシフトレジスタ回路10、10aを有する例について記載したが、走査線駆動回路56は、走査線の数だけシフトレジスタ回路を有すればよい。なお、上述の液晶パネルを用いた画像表示装置50と同様に、シフトレジスタ回路10は、パネル52のアレイ基板上の周辺部に一体的に形成されている。
(Application to organic EL)
In the example illustrated in FIG. 7, the image display device 70 that includes the scanning line driving circuit 56 including the plurality of shift register circuits 10 and 10 a and uses an organic EL panel is described. Further, in the example shown in FIG. 7, for the sake of easy understanding, an example in which the scanning line driving circuit 56 includes the shift register circuits 10 and 10 a is described. It suffices to have a circuit. Note that the shift register circuit 10 is integrally formed on the peripheral portion of the panel 52 on the array substrate, similarly to the image display device 50 using the above-described liquid crystal panel.

図7に示す例では、画素58は、アノードが定電位供給回路71と電気的に接続された発光素子80と、発光素子80のカソードに一方の電極が接続されたトランジスタ81とを有する。また、画素58は、n型の薄膜トランジスタによって形成され、ドレインがトランジスタ82のドレインに接続され、ソースが電源供給回路72と電気的に接続されたドライバ素子83とを有する。また、画素58は、ドライバ素子83を形成する薄膜トランジスタのゲート・ドレイン間の導通状態を制御するトランジスタ82と静電容量84とを有する。   In the example shown in FIG. 7, the pixel 58 includes a light emitting element 80 whose anode is electrically connected to the constant potential supply circuit 71, and a transistor 81 whose one electrode is connected to the cathode of the light emitting element 80. The pixel 58 includes an n-type thin film transistor, and includes a driver element 83 whose drain is connected to the drain of the transistor 82 and whose source is electrically connected to the power supply circuit 72. In addition, the pixel 58 includes a transistor 82 that controls the conduction state between the gate and the drain of the thin film transistor that forms the driver element 83, and a capacitance 84.

また、図7に示す例では、各画素58内に備わる発光素子80のアノードに対して一定のオン電位を供給する定電位供給回路71と、制御線を介して、画素58内に備わるトランジスタ81の駆動を制御する駆動制御回路73と、ドライバ素子83のソースにオン電位または0電位を供給する電源供給回路72とを有する。   In the example shown in FIG. 7, a constant potential supply circuit 71 for supplying a constant on potential to the anode of the light emitting element 80 provided in each pixel 58, and a transistor 81 provided in the pixel 58 via a control line. And a power supply circuit 72 for supplying an ON potential or a zero potential to the source of the driver element 83.

発光素子80は、電流注入によって発光する機構を有し、例えば有機EL素子によって形成される。有機EL素子は、Al、Cu、ITO(Indium Tin Oxide)等によって形成されたアノード層およびカソード層と、アノード層とカソード層との間にフタルシアニン、トリスアルミニウム錯体、ベンゾキノリノラト、ベリリウム錯体等の有機系の材料によって形成された発光層とを少なくとも備えた構造を有し、発光層に注入された正孔と電子とが発光再結合することによって光を生じる機能を有する。   The light emitting element 80 has a mechanism for emitting light by current injection, and is formed of, for example, an organic EL element. The organic EL device includes an anode layer and a cathode layer formed of Al, Cu, ITO (Indium Tin Oxide), and the like, and phthalocyanine, trisaluminum complex, benzoquinolinolato, and beryllium complex between the anode layer and the cathode layer. And a light emitting layer formed of an organic material such as an organic material, and has a function of generating light by recombination of holes and electrons injected into the light emitting layer.

トランジスタ81は、発光素子80とドライバ素子83との間の導通を制御する機能を有し、本実施形態1では、n型の薄膜トランジスタによって形成される。すなわち、薄膜トランジスタのドレインとソースとがそれぞれ発光素子80、ドライバ素子83に接続される一方で、ゲートが駆動制御回路73と電気的に接続された構成を有し、駆動制御回路73から供給される電位に基づいて、発光素子80とドライバ素子83との間の導通状態を制御している。   The transistor 81 has a function of controlling conduction between the light emitting element 80 and the driver element 83, and is formed of an n-type thin film transistor in the first embodiment. That is, the drain and the source of the thin film transistor are connected to the light emitting element 80 and the driver element 83, respectively, while the gate is electrically connected to the drive control circuit 73, and supplied from the drive control circuit 73. Based on the potential, the conduction state between the light emitting element 80 and the driver element 83 is controlled.

ドライバ素子83は、発光素子80に流れる電流を制御するための機能を有する。具体的には、ドライバ素子83は、閾値以上の電位差に応じて発光素子80に流れる電流を制御する機能を有する。本実施形態では、ドライバ素子83は、n型の薄膜トランジスタによって形成され、ゲートとソースとの間に印加される電位差に応じて発光素子80の発光輝度を制御している。   The driver element 83 has a function for controlling the current flowing through the light emitting element 80. Specifically, the driver element 83 has a function of controlling a current flowing through the light emitting element 80 in accordance with a potential difference equal to or greater than a threshold value. In the present embodiment, the driver element 83 is formed of an n-type thin film transistor, and controls the light emission luminance of the light emitting element 80 according to the potential difference applied between the gate and the source.

このような画素58においては、駆動回路55が信号線に印加した電圧により静電容量84に電荷が蓄積される。そして、駆動制御回路73がトランジスタ81のゲートに電圧を印加している間、静電容量84に蓄積した電荷に応じた電流が発光素子80に流れ、発光素子80が発光する。   In such a pixel 58, charges are accumulated in the capacitance 84 by the voltage applied to the signal line by the drive circuit 55. While the drive control circuit 73 applies a voltage to the gate of the transistor 81, a current corresponding to the charge accumulated in the capacitance 84 flows to the light emitting element 80, and the light emitting element 80 emits light.

このように、各画素58が発光素子80を有する場合であっても、走査線駆動回路56は、シフトレジスタ回路10と同様のシフトレジスタ回路を走査線ごとに接続し、各シフトレジスタ各画素の出力信号を走査線に出力する。このため、画像表示装置70は、画素58が有機ELパネルを有する場合にも、各画素58に印加する電圧の低下を防ぐことができるので、正常に動作することができる。   As described above, even when each pixel 58 includes the light emitting element 80, the scanning line driving circuit 56 connects a shift register circuit similar to the shift register circuit 10 for each scanning line, and each shift register has a pixel. An output signal is output to the scanning line. For this reason, the image display device 70 can operate normally because the voltage applied to each pixel 58 can be prevented from decreasing even when the pixel 58 has an organic EL panel.

1〜8 トランジスタ
10 シフトレジスタ回路
11、12 ノード
1 to 8 transistors 10 shift register circuits 11 and 12 nodes

Claims (8)

ゲートが第1の導電経路に接続されて、ドレインが第2の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第1の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第2の導電経路の電位を降下させる第1のトランジスタと、
ゲートが前記第2の導電経路に接続されて、ドレインが前記第1の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記第2の導電経路の電位が上昇することに応じて前記第1の導電経路の電位を降下させる第2のトランジスタと、
前記第1の導電経路にゲートが接続され、ドレインに第1のクロック信号の入力端子が接続されるとともにソースに出力信号を出力する出力端子が接続された、前記第1のクロック信号が入力された際に前記第1の導電経路の電位が上昇することに応じて前記出力端子から出力信号を出力させる第3のトランジスタと
を有することを特徴とするシフトレジスタ回路。
The gate is connected to the first conductive path, the drain is connected to the second conductive path, and the source is connected to the low potential terminal. A first transistor that lowers the potential of the second conductive path;
In response to an increase in potential of the second conductive path, the gate being connected to the second conductive path, the drain being connected to the first conductive path and the source being connected to the low potential terminal. A second transistor that lowers the potential of the first conductive path;
The first clock signal is input, the gate being connected to the first conductive path, the input terminal of the first clock signal being connected to the drain, and the output terminal outputting the output signal being connected to the source. And a third transistor that outputs an output signal from the output terminal in response to a rise in potential of the first conductive path.
ゲートが入力信号の入力端子に接続されて、ドレインが前記第2の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記入力信号の入力に応じて前記第2の導電経路の電位を降下させる第4のトランジスタを有することを特徴とする請求項1に記載のシフトレジスタ回路。   The gate is connected to the input terminal of the input signal, the drain is connected to the second conductive path, and the source is connected to the low potential terminal. The shift register circuit according to claim 1, further comprising a fourth transistor that drops the potential. ゲートが第2のクロック信号の入力端子に接続されて、ソースが前記第2の導電経路に接続されるとともにドレインが高電位端子に接続された、該第2のクロック信号の入力に応じて前記第2の導電経路の電位を上昇させる第5のトランジスタを有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシフトレジスタ回路。   In response to the input of the second clock signal, the gate is connected to the input terminal of the second clock signal, the source is connected to the second conductive path, and the drain is connected to the high potential terminal. The shift register circuit according to claim 1, further comprising a fifth transistor that raises a potential of the second conductive path. ゲートが前記第2の導電経路に接続されて、ドレインに前記出力端子を接続するとともにソースに低電位端子が接続された、前記第2の導電経路の電位が上昇することに応じて前記出力信号を出力する端子の電位を降下させる第6のトランジスタを有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1つに記載のシフトレジスタ回路。   The output signal in response to an increase in potential of the second conductive path, the gate being connected to the second conductive path, the output terminal being connected to the drain and the low potential terminal being connected to the source. 4. The shift register circuit according to claim 1, further comprising: a sixth transistor that drops a potential of a terminal that outputs the signal. 5. ゲートが他の回路が出力する信号の出力端子に接続されて、ドレインが前記第1の導電経路に接続されるとともにソースが低電位端子に接続された、前記他の回路が出力した信号の出力に応じて前記第1の導電経路の電位を降下させる第7のトランジスタを有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1つに記載のシフトレジスタ回路。   Output of a signal output by the other circuit, the gate being connected to the output terminal of the signal output from the other circuit, the drain being connected to the first conductive path and the source being connected to the low potential terminal 5. The shift register circuit according to claim 1, further comprising: a seventh transistor that lowers the potential of the first conductive path in response to the signal. ゲートが前記入力信号の入力端子に接続されて、ソースが前記第1の導電経路に接続されるとともにドレインが高電位端子に接続された、前記入力信号の入力に応じて前記第1の導電経路の電位を上昇させる第8のトランジスタを有することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1つに記載のシフトレジスタ回路。   The first conductive path according to the input of the input signal, wherein the gate is connected to the input terminal of the input signal, the source is connected to the first conductive path, and the drain is connected to the high potential terminal. 6. The shift register circuit according to claim 1, further comprising an eighth transistor that raises the potential of. 請求項1乃至請求項6のいずれか1つに記載のシフトレジスタ回路を有するドライバ回路と、
前記ドライバ回路が出力する信号に従って発光する発光素子を有する表示パネルと
を備えたことを特徴とする画像表示装置。
A driver circuit having the shift register circuit according to any one of claims 1 to 6;
An image display device comprising: a display panel having a light emitting element that emits light according to a signal output from the driver circuit.
請求項1乃至請求項6のいずれか1つに記載のシフトレジスタ回路を有するドライバ回路と、
前記ドライバ回路が出力する信号に従って画像を表示する液晶パネルと
を備えたことを特徴とする画像表示装置。
A driver circuit having the shift register circuit according to any one of claims 1 to 6;
An image display device comprising: a liquid crystal panel that displays an image according to a signal output from the driver circuit.
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