JP2014087195A - Rotary electric machine for vehicle - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、乗用車やトラック等に搭載される車両用回転電機に関する。 The present invention relates to a vehicular rotating electrical machine mounted on a passenger car, a truck, or the like.
従来から、複数の整流器モジュールのそれぞれにロードダンプ保護判定部を有し、出力電圧が第1のしきい値電圧を超えたときに下アームのMOSトランジスタをオンし、その後出力電圧が第2のしきい値電圧よりも低くなったときに、サージ電圧の発生抑制に適したタイミングでMOSトランジスタをオフする車両用発電機が知られている(例えば、特許文献1参照。)。また、この車両用発電機は、出力電圧が第2のしきい値電圧よりも低くなったときに、サージ電圧の発生抑制に適したタイミングを検出できなかった場合には、所定時間後にMOSトランジスタをオフする。 Conventionally, each of the plurality of rectifier modules has a load dump protection determination unit, and when the output voltage exceeds the first threshold voltage, the lower arm MOS transistor is turned on. There is known a vehicular generator that turns off a MOS transistor at a timing suitable for suppressing the occurrence of a surge voltage when the voltage is lower than a threshold voltage (for example, see Patent Document 1). In addition, when the output voltage is lower than the second threshold voltage, the vehicular generator can detect a MOS transistor after a predetermined time if a timing suitable for suppressing the occurrence of surge voltage cannot be detected. Turn off.
ところで、特許文献1に開示された車両用発電機では、電機子巻線の三相出力の一相のみが下アームのMOSトランジスタをオンしている場合には、相間の起電圧が出力電圧VB 以下になると、このMOSトランジスタのソースに印加される交流電圧が最低値になっても相電流が流れることはない。このため、MOSトランジスタのソース・ドレイン間に接続されている寄生ダイオードは逆バイアスの電圧になり、ドレイン電圧が0V以下になることがなかった。この結果、相間の起電圧が出力電圧VB に近い電圧であっても、サージ電圧の発生抑制に適したタイミングを検出できなくなり、所定時間後にMOSトランジスタをオフするタイミングによってはサージ電圧が発生してしまうという問題があった。なお、ドレイン電圧検出のしきい値を0Vよりも高い値に設定した場合であっても、回路誤差でこの設定したしきい値が実際には0V以下にずれることが考えられる。このような場合にも、上述した相間の起電力が出力電圧以下になると、サージ電圧の発生抑制に適したタイミングが検出できなくなる。
By the way, in the vehicle generator disclosed in
本発明は、このような点に鑑みて創作されたものであり、その目的は、ロードダンプ時の高電圧発生を迅速に終わらせることができる車両用回転電機を提供することにある。 The present invention was created in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a vehicular rotating electrical machine capable of quickly terminating the generation of a high voltage during load dump.
上述した課題を解決するために、本発明の車両用回転電機は、電機子巻線、スイッチング部、制御部、ロードダンプ保護判定部を備える。電機子巻線は、2相以上の相巻線を有する。スイッチング部は、ダイオードが並列接続されたスイッチング素子によって構成された複数の下アームを有するブリッジ回路を構成し、電機子巻線の誘起電圧を整流する。制御部は、スイッチング素子のオンオフを制御する。ロードダンプ保護判定部は、スイッチング部の出力電圧を監視し、出力電圧が第1のしきい値電圧を超えたときに、下アームを構成するスイッチング素子をオンする指示を制御部に対して行い、第1のしきい値電圧を超えた後に出力電圧が第1のしきい値電圧よりも低い第2のしきい値電圧よりも低くなったときに、下アームを構成するスイッチング素子の電機子巻線側電圧が所定電圧を下回るタイミングと上回るタイミングの中間のタイミングをサージ電圧の発生の抑制に適したタイミングとし、このタイミングの到来を待って、下アームを構成するスイッチング素子をオフする指示を制御部に対して行う。 In order to solve the above-described problems, a rotating electrical machine for a vehicle according to the present invention includes an armature winding, a switching unit, a control unit, and a load dump protection determination unit. The armature winding has two or more phase windings. The switching unit configures a bridge circuit having a plurality of lower arms configured by switching elements having diodes connected in parallel, and rectifies the induced voltage of the armature winding. The control unit controls on / off of the switching element. The load dump protection determination unit monitors the output voltage of the switching unit, and gives an instruction to the control unit to turn on the switching element constituting the lower arm when the output voltage exceeds the first threshold voltage. The armature of the switching element constituting the lower arm when the output voltage becomes lower than the second threshold voltage lower than the first threshold voltage after exceeding the first threshold voltage An intermediate timing between the timing when the winding side voltage falls below the specified voltage and the timing when it exceeds the specified voltage is set as a timing suitable for suppressing the occurrence of surge voltage, and an instruction to turn off the switching elements constituting the lower arm is waited for the arrival of this timing Perform for the control unit.
これにより、相間の起電圧が出力電圧よりも小さくなった場合や、スイッチング素子の電機子巻線側電圧が0V以下になったことを検出する検出手段の精度が悪化して電機子巻線に電流を引き込むタイミングになっても0V以下になったことが検出できない場合であっても、サージ電圧の発生の抑制に適したタイミングを検出することが可能になる。したがって、ロードダンプ保護動作を解除する際に大きなサージ電圧が発生することを防止して、ロードダンプ時の高電圧発生を迅速に終わらせることができる。 As a result, when the electromotive voltage between the phases becomes smaller than the output voltage, or when the armature winding side voltage of the switching element becomes 0 V or less, the accuracy of the detecting means is deteriorated, and the armature winding becomes Even when it is not possible to detect that the voltage has become 0 V or less even when the current is drawn, it is possible to detect a timing suitable for suppressing the occurrence of the surge voltage. Therefore, it is possible to prevent a large surge voltage from being generated when canceling the load dump protection operation, and to quickly terminate the generation of a high voltage during the load dump.
以下、本発明の車両用回転電機を適用した一実施形態の車両用発電機について、図面を参照しながら説明する。図1に示すように、本実施形態の車両用発電機1は、2つの固定子巻線(電機子巻線)2、3、界磁巻線4、2つの整流器モジュール群5、6、界磁制御部7、ツェナーダイオード20、ダイオード22を含んで構成されている。2つの整流器モジュール群5、6がスイッチング部に対応する。
Hereinafter, a vehicular generator according to an embodiment to which a vehicular rotating electrical machine of the present invention is applied will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the
一方の固定子巻線2は、多相巻線(例えばX相巻線、Y相巻線、Z相巻線からなる三相巻線)であって、固定子鉄心(図示せず)に巻装されている。同様に、他方の固定子巻線3は、多相巻線(例えばU相巻線、V相巻線、W相巻線からなる三相巻線)であって、上述した固定子鉄心に、固定子巻線2に対して電気角で30度ずらした位置に巻装されている。本実施形態では、これら2つの固定子巻線2、3と固定子鉄心によって固定子が構成されている。
One
界磁巻線4は、固定子鉄心の内周側に対向配置された界磁極(図示せず)に巻装されて回転子を構成している。界磁電流を流すことにより、界磁極が磁化される。界磁極が磁化されたときに発生する回転磁界によって固定子巻線2、3が交流電圧を発生する。
The field winding 4 is wound around a field pole (not shown) disposed opposite to the inner peripheral side of the stator core to constitute a rotor. By passing a field current, the field pole is magnetized. The
一方の整流器モジュール群5は、一方の固定子巻線2に接続されており、全体で三相全波整流回路(ブリッジ回路)が構成され、固定子巻線2に誘起される交流電流を直流電流に変換する。この整流器モジュール群5は、固定子巻線2の相数に対応する数(三相巻線の場合には3個)の整流器モジュール5X、5Y、5Zを備えている。整流器モジュール5Xは、固定子巻線2に含まれるX相巻線に接続されている。整流器モジュール5Yは、固定子巻線2に含まれるY相巻線に接続されている。整流器モジュール5Zは、固定子巻線2に含まれるZ相巻線に接続されている。
One
他方の整流器モジュール群6は、他方の固定子巻線3に接続されており、全体で三相全波整流回路(ブリッジ回路)が構成され、固定子巻線3に誘起される交流電流を直流電流に変換する。この整流器モジュール群6は、固定子巻線3の相数に対応する数(三相巻線の場合には3個)の整流器モジュール6U、6V、6Wを備えている。整流器モジュール6Uは、固定子巻線3に含まれるU相巻線に接続されている。整流器モジュール6Vは、固定子巻線3に含まれるV相巻線に接続されている。整流器モジュール6Wは、固定子巻線3に含まれるW相巻線に接続されている。
The other rectifier module group 6 is connected to the other stator winding 3 to form a three-phase full-wave rectifier circuit (bridge circuit) as a whole, and the alternating current induced in the stator winding 3 is converted into direct current. Convert to current. The rectifier module group 6 includes a number of
界磁制御部7は、F端子を介して接続された界磁巻線4に流す界磁電流を整流器モジュール群5、6の出力電圧に応じて制御しており、界磁電流を調整することにより車両用発電機1の出力電圧(各整流器モジュールの出力電圧)VB が調整電圧Vreg になるように制御する。例えば、界磁制御部7は、出力電圧VB が調整電圧Vreg よりも高くなったときに界磁巻線4への界磁電流の供給を停止し、出力電圧VB が調整電圧Vreg よりも低くなったときに界磁巻線4に界磁電流の供給を行うことにより、出力電圧VB が調整電圧Vreg になるように制御する。また、界磁制御部7は、P端子に印加される固定子巻線のいずれかの相電圧(例えばX相)に基づいて回転子の回転数を検出し、回転停止を検出したときに界磁巻線4へ供給する界磁電流を低減する。具体的には、初期励磁状態に対応した値(例えば2A前後の値)に設定される。さらに、界磁制御部7は、通信端子Lおよび通信線を介してECU8(外部制御装置)と接続されており、ECU8との間で双方向のシリアル通信(例えば、LIN(Local Interconnect Network)プロトコルを用いたLIN通信)を行い、通信メッセージを送信あるいは受信する。
The field control unit 7 controls the field current flowing through the field winding 4 connected via the F terminal in accordance with the output voltage of the
ツェナーダイオード20は、2つの整流器モジュール群5、6の出力に並列接続されている。具体的には、車両用発電機1の出力端子側がカソード、アース側がアノードとなるようにツェナーダイオード20が配置されている。また、このツェナーダイオード20には、車両用発電機1の出力側にバッテリ9が逆接続されたときに流れる電流を阻止する電流制限素子としてのダイオード22が直列に接続されている。電流を阻止する向きとは、ダイオード22のアノード側が車両用発電機1の出力端子側となるような向きである。なお、図1では、ダイオード22が車両用発電機1の出力端子側に配置されているが、ツェナーダイオード20を車両用発電機1の出力端子側に配置してもよい。また、上述したツェナーダイオード20は、スイッチング素子の耐圧や界磁制御部7の耐圧よりも低いツェナー電圧を有している。
The Zener
図2に示すように、界磁制御部7は、MOSトランジスタ71、還流ダイオード72、抵抗73、74、電圧比較回路75、界磁電流制御回路76、回転検出回路77、通信回路78、電源回路79、コンデンサ80を有している。通信回路78は、ECU8との間でシリアル通信を行う。これにより、ECU8から送られてくる調整電圧Vreg 等のデータを受信することができる。
As shown in FIG. 2, the field controller 7 includes a
抵抗73、74は、分圧回路を構成し、車両用発電機1の発電電圧(出力電圧)を分圧した電圧を電圧比較回路75に入力する。電圧比較回路75は、抵抗73、74で分圧された発電電圧と、通信回路78によって受信した調整電圧Vreg に対応する基準電圧とを比較する。例えば、比較結果として、基準電圧の方が発電電圧よりも高い場合にはハイレベルの信号が出力され、反対に発電電圧の方が基準電圧よりも高い場合にはローレベルの信号が出力される。
The
界磁電流制御回路76は、電圧比較回路75の出力(電圧比較結果)に基づいて決定した駆動デューティを有するPWM信号でMOSトランジスタ71をオンオフ制御する。なお、出力電流の急激な変動を抑えるために、界磁電流を徐々に変化させる徐励制御等を界磁電流制御回路76によって行うようにしてもよい。
The field
回転検出回路77は、P端子を介して一方の固定子巻線2のX相巻線が接続されており、X相巻線の端部に現れる相電圧VP に基づいて、具体的には、相電圧と回転検出用の基準電圧の大小関係が周期的に変化することを検出して回転検出を行っている。整流器モジュール5Xや固定子巻線2などに短絡故障が発生していない正常時には、発電時にP端子には所定の振幅を有する相電圧VP が現れるため、この相電圧VP に基づく回転検出が可能となる。
The
界磁電流制御回路76は、回転検出回路77による回転検出結果が入力されており、回転検出中は発電動作に必要な界磁電流を界磁巻線4に供給するために必要なPWM信号を出力するが、所定時間(あるいは周期)以上回転停止(回転検出不能)状態が継続すると、界磁電流を初期励磁状態に対応した値にするために必要なPWM信号を出力する。
The field
電源回路79は、界磁制御部7に含まれる各回路に動作電圧を供給する。コンデンサ80は、整流器モジュール群5、6の出力端子から侵入するノイズを除去するためのものであり、例えば1μF程度の容量を有している。
The
本実施形態の車両用発電機1はこのような構成を有しており、次に、整流器モジュール5X等の詳細について説明する。整流器モジュール5Xと他の整流器モジュール5Y、5Z、6U、6V、6Wは同じ構成を有している。以下では、整流器モジュール5Xについて詳細を説明する。図3に示すように、整流器モジュール5Xは、2つのMOSトランジスタ50、51、制御回路54を備えている。MOSトランジスタ50は、ソースが固定子巻線2のX相巻線に接続され、ドレインが充電線12を介してを電気負荷10やバッテリ9の正極端子に接続された上アーム(ハイサイド側)のスイッチング素子である。MOSトランジスタ51は、ドレインがX相巻線に接続され、ソースがバッテリ9の負極端子(アース)に接続された下アーム(ローサイド側)のスイッチング素子である。また、MOSトランジスタ50、51のそれぞれのソース・ドレイン間にはダイオードが並列接続されている。このダイオードはMOSトランジスタ50、51の寄生ダイオード(ボディダイオード)によって実現されるが、別部品としてのダイオードをさらに並列接続するようにしてもよい。なお、上アームおよび下アームの少なくとも一方を、MOSトランジスタ以外のスイッチング素子を用いて構成するようにしてもよい。
The
図4に示すように、制御回路54は、制御部100、電源102、バッテリ電圧検出部110、動作検出部120、130、ロードダンプ保護判定部140、温度検出部150、ドライバ170、172、通信回路180を備えている。
As shown in FIG. 4, the
電源102は、エンジン始動に伴って固定子巻線2のX相巻線に所定の相電圧が発生したときに動作を開始し、制御回路54に含まれる各素子に動作電圧を供給する。この動作自体は、界磁制御部7において従来から行われている動作と同じであり、同じ技術を用いて実現することができる。
The
ドライバ170は、出力端子(G1)がハイサイド側のMOSトランジスタ50のゲートに接続されており、MOSトランジスタ50をオンオフする駆動信号を生成する。同様に、ドライバ172は、出力端子(G2)がローサイド側のMOSトランジスタ51のゲートに接続されており、MOSトランジスタ51をオンオフする駆動信号を生成する。
The
バッテリ電圧検出部110は、差動増幅器とその出力をデジタルデータに変換するアナログ−デジタル変換器(AD)によって構成されており、車両用発電機1の出力端子と充電線12を介して接続されたバッテリ9の正極端子の電圧に対応するデータを出力する。
The battery
動作検出部120は、差動増幅器とその出力をデジタルデータに変換するアナログ−デジタル変換器(AD)によって構成されており、ハイサイド側のMOSトランジスタ50のソース・ドレイン間電圧(図3、図4のB−C端子間電圧)に対応するデータを出力する。制御部100は、このデータに基づいて、ドライバ170の駆動状態に対応するMOSトランジスタ50の動作状態を監視し、適宜MOSトランジスタ50の制御や故障検知を行う。
The
動作検出部130は、差動増幅器とその出力をデジタルデータに変換するアナログ−デジタル変換器(AD)によって構成されており、ローサイド側のMOSトランジスタ51のソース・ドレイン間電圧(図3、図4のC−D端子間電圧)に対応するデータを出力する。制御部100は、このデータに基づいて、ドライバ172の駆動状態に対応するMOSトランジスタ51の動作状態を監視し、適宜MOSトランジスタ51の制御や故障検知を行う。
The
ロードダンプ保護判定部140は、車両用発電機1(整流器モジュール群5、6)の出力電圧(B端子電圧)を監視し、B端子電圧がロードダンプ発生を判定する第1のしきい値電圧V1(例えば20V)を超えたときに保護動作を開始する指示(保護開始指示)を行い、その後、B端子電圧がこの保護動作によって低下して第1のしきい値電圧V1よりも低い第2のしきい値電圧V2(例えば16.5V)を下回ったときに保護動作を停止する指示(保護停止指示)を行う。制御部100は、ロードダンプ保護判定部140による保護開始/保護停止指示等に応じて保護動作や保護動作解除後の整流動作を実行する。ロードダンプ保護判定部140の詳細構成および保護動作の詳細については後述する。
The load dump
温度検出部150は、定電流源、ダイオード、差動増幅器とその出力をデジタルデータに変換するアナログ−デジタル変換器(AD)によって構成されており、温度によって変化するダイオードの順方向電圧降下に対応するデータを出力する。制御部100は、このデータに基づいて整流器モジュール5Xの温度を検出する。
The
通信回路180は、界磁制御部7の通信回路78と同様の通信手段であって、界磁制御部7とECU8の間を接続する通信端子および通信線に共通に接続されており、ECU8との間で双方向のシリアル通信(例えば、LINプロトコルを用いたLIN通信)を行い、通信メッセージを送信あるいは受信する。
The
本実施形態の整流器モジュール5X等はこのような構成を有しており、次に、ロードダンプ発生時の保護動作と、保護動作から通常の発電(整流)状態に復帰する動作の詳細について説明する。
The
図5に示す遷移状態図において、「整流」はロードダンプが発生していない通常時において行われる整流動作を示しており、「保護」はロードダンプ発生時に行われる保護動作を示している。また、図6において、(A)には通常時における相電圧が、(B)にはロードダンプ発生時の相電圧がそれぞれ示されている。 In the transition state diagram shown in FIG. 5, “rectification” indicates a rectification operation performed in a normal time when no load dump occurs, and “protection” indicates a protection operation performed when a load dump occurs. In FIG. 6, (A) shows the phase voltage at the normal time, and (B) shows the phase voltage when the load dump occurs.
バッテリ9の端子電圧をVbatt、MOSトランジスタ50、51のオン時のソース・ドレイン間電圧をαとすると、ロードダンプが発生していない通常時には、例えばX相巻線の相電圧VxがVbatt+αを超えたときにハイサイド側のMOSトランジスタ50がオンされ、相電圧Vxが−αよりも低下したときにローサイド側のMOSトランジスタ51がオンされる同期整流が行われる(図6(A))。
When the terminal voltage of the battery 9 is Vbatt and the source-drain voltage when the
このような状態において、車両用発電機1の出力端子と充電線12との接続、あるいは、バッテリ9の正極端子と充電線12との接続が外れると、車両用発電機1の固定子巻線2、3の各相電圧が一時的に高くなるロードダンプが発生する(図6(B))。このときの相電圧VLDは、バッテリ9の端子電圧Vbattに比べて高くなるため(例えば100V以上)、車両用発電機1内の整流器モジュール5X等や界磁制御部7あるいは各種の電気負荷10を保護するために、「保護準備」の手順を経た後に保護動作に移行する(図5)。
In such a state, when the connection between the output terminal of the
具体的には、相電圧が第1のしきい値電圧V1を超えたときに「保護準備」の手順に移行する。この保護準備とは、保護動作に入る最適なタイミングを判定する動作であり、保護動作に入る際のサージ電圧の発生を抑えることができるタイミングに合わせて保護開始指示が行われる。また、定格電圧12Vの鉛蓄電池をバッテリ9として用いる場合を想定すると、第1のしきい値電圧が例えば20Vに設定されている。この第1のしきい値電圧V1は、電気負荷10が故障等の異常を生じない値に設定されており、一時的に出力電圧が第1のしきい値電圧まで上昇しても、電気負荷10は正常動作を維持することができる。
Specifically, the process proceeds to the “protection preparation” procedure when the phase voltage exceeds the first threshold voltage V1. This protection preparation is an operation for determining an optimum timing for entering the protection operation, and a protection start instruction is issued in accordance with a timing at which generation of a surge voltage when entering the protection operation can be suppressed. Further, assuming that a lead storage battery having a rated voltage of 12V is used as the battery 9, the first threshold voltage is set to 20V, for example. The first threshold voltage V1 is set to a value at which the
本実施形態では、ロードダンプ発生時に相電圧が20Vを超えると、ローサイド側のMOSトランジスタ51がオンされ、同時に、ハイサイド側のMOSトランジスタ50がオフされて保護動作が実施される。その後、ロードダンプ発生に伴う高電圧が解消するまで、これらのMOSトランジスタ50、51のオン/オフ状態が継続される。この保護動作中は、相電圧は、図6(B)にVpで示すように、−αから+α(−0.1Vから+0.1V)の範囲を推移するようになる。
In the present embodiment, when the phase voltage exceeds 20 V when load dump occurs, the low-side MOS transistor 51 is turned on, and at the same time, the high-
ところで、図6においてAで示される範囲では、保護動作移行前はハイサイド側のMOSトランジスタ50がオン、ローサイド側のMOSトランジスタ51がオフされていたため、これら2つのMOSトランジスタ50、51のオン/オフを瞬時に入れ替えると、相巻線に大きなサージ電圧が発生するおそれがある。例えば、実際にはMOSトランジスタ50、51のオン/オフ切り替えタイミングは素子毎にばらつきがあり、オンされていたハイサイド側のMOSトランジスタ50をオフするタイミングのみがわずかに早くなると、相巻線に流れていた電流が遮断されるため、大きなサージ電圧が発生する。
Incidentally, in the range indicated by A in FIG. 6, the high-
また、図6においてBで示される範囲では、相巻線に電流は流れていないが、ローサイド側のMOSトランジスタ51ではソースとドレインの電位差が大きく、このMOSトランジスタ51をオンした際に、瞬間的に大きな相電流が発生するため、この相電流の変化に対抗する大きなサージ電圧が発生する。 In the range indicated by B in FIG. 6, no current flows through the phase winding, but the potential difference between the source and drain is large in the low-side MOS transistor 51, and when this MOS transistor 51 is turned on, the current instantaneously Therefore, a large surge voltage is generated against the change in the phase current.
このように、図6においてA、Bで示される範囲にあるときに保護動作に入ると大きなサージ電圧の発生を伴うおそれがあるため、本実施形態では、図6においてCで示される範囲に含まれることを確認した後に保護動作に入るようにしている。「保護準備」では、Cで示される範囲にあるときに、保護動作に入る最適なタイミングであると判定している。 As described above, since there is a possibility that a large surge voltage is generated when the protection operation is started when it is in the ranges indicated by A and B in FIG. 6, in this embodiment, it is included in the range indicated by C in FIG. 6. After confirming that this is done, the protection operation is started. In “protection preparation”, when it is within the range indicated by C, it is determined that it is the optimum timing to enter the protection operation.
一方、ロードダンプ時に発生した高電圧が解消して保護動作から通常の整流動作に復帰する場合も、同様に間に「復帰準備」の手順を経ている。具体的には、ロードダンプ発生時に高電圧となった相電圧が再び低下して第2のしきい値電圧を下回ったときに「復帰準備」の手順に移行する。この復帰準備とは、通常の整流動作に入る最適なタイミングを判定する動作であり、整流動作に入る際のサージ電圧の発生を抑えることができるタイミングに合わせて整流再開指示が行われる。整流再開指示が出されると、制御部100によってローサイド側のMOSトランジスタ51がオフされ、その後、制御部100による通常の整流動作(同期整流の制御動作)が行われる。
On the other hand, when the high voltage generated at the time of load dump is eliminated and the normal operation is restored from the protection operation, the procedure of “recovery preparation” is similarly performed. Specifically, when the phase voltage that has become high at the time of load dumping falls again and falls below the second threshold voltage, the procedure proceeds to the “recovery preparation” procedure. This recovery preparation is an operation for determining an optimum timing for entering a normal rectification operation, and a rectification restart instruction is issued in accordance with a timing at which generation of a surge voltage upon entering the rectification operation can be suppressed. When the commutation restart instruction is issued, the
ところで、保護動作中はローサイド側のMOSトランジスタ51が常時オンされており、図6(B)のVpで示される相電圧が発生している。この状態で、ローサイド側のMOSトランジスタをオフするということは、AとBで示された範囲においてはそれまでMOSトランジスタ51を通して流れていた大きな相電流を遮断することになるため、大きなサージ電圧が発生する。したがって、本実施形態では、上述した「保護準備」の手順と同様に、図6においてCで示される範囲に含まれることを確認した後に通常の整流動作に入るようにしている。「復帰準備」では、Cで示される範囲にあるときに、整流動作に入る最適なタイミングであると判定している。 Incidentally, during the protection operation, the low-side MOS transistor 51 is always on, and a phase voltage indicated by Vp in FIG. 6B is generated. In this state, turning off the low-side MOS transistor cuts off a large phase current that has been flowing through the MOS transistor 51 in the range indicated by A and B. Occur. Therefore, in the present embodiment, the normal rectification operation is started after confirming that it is included in the range indicated by C in FIG. 6, as in the above-described “protection preparation” procedure. In “recovery preparation”, when it is within the range indicated by C, it is determined that it is the optimum timing to enter the rectifying operation.
また、保護動作中に流れる相電流が少ない場合(保護動作に入る直前の励磁電流が少ない場合や回転数が低い場合)には、図6(B)に示したような相電圧Vpが現れにくくなり、相電圧Vpによる復帰タイミングの判定を行うことが難しくなる。本実施形態では、このような場合には強制的に保護動作を解除するようにしている。強制的な保護動作解除の詳細については後述する。 Further, when the phase current flowing during the protection operation is small (when the excitation current just before entering the protection operation is small or when the rotation speed is low), the phase voltage Vp as shown in FIG. Thus, it is difficult to determine the return timing based on the phase voltage Vp. In this embodiment, the protection operation is forcibly released in such a case. Details of the forced protection operation cancellation will be described later.
次に、保護準備動作と復帰準備動作を行うロードダンプ保護判定部140の詳細について説明する。図7に示すように、ロードダンプ保護判定部140は、B電圧検出部141、しきい値電圧判定部142、MOS電圧検出部143、通電方向検出部144、MOS電圧Va検出部145、中間タイミング検出部146、オア回路147、タイミング判定部148、149を備えている。
Next, details of the load dump
B電圧検出部141は、車両用発電機1(整流器モジュール群5、6)の出力電圧(B端子電圧)VB を検出する。しきい値電圧判定部142は、出力電圧VB が第1のしきい値電圧V1よりも高くなったか否か、一旦第1のしきい値電圧V1より高くなった出力電圧VB が第2のしきい値電圧よりも低くなったか否かを判定する。
The
図8において、横軸は出力電圧VB を、縦軸はしきい値電圧判定部142の判定結果をそれぞれ示している。図8に示すように、しきい値電圧判定部142は、出力電圧VB が高くなって第1のしきい値電圧V1(例えば20V)を超えたときに、出力をローレベル(L)からハイレベル(H)に切り替える。また、一旦V1を超えた出力電圧VB が低くなって第2のしきい値電圧V2(例えば16.5V)よりも低くなったときに、出力をハイレベルからローレベルに切り替える。
In FIG. 8, the horizontal axis represents the output voltage V B , and the vertical axis represents the determination result of the threshold
MOS電圧検出部143は、ローサイド側のMOSトランジスタ51のソース・ドレイン間電圧Vds(図3、図4のC−D端子間電圧)を検出する。通電方向検出部144は、MOS電圧検出部143によって検出されたMOSトランジスタ51のソース・ドレイン間電圧Vdsに基づいて、MOSトランジスタ51をオンしたときにソース・ドレイン間に流れる電流の向きを判定する。
The
ロードダンプ発生時であって保護動作に入る前(ローサイド側のMOSトランジスタ51をオンする前)の状態においては、図6においてAあるいはBで示す範囲に対応する相電圧VLDは、0V以上となる。したがって、Cで示す範囲にあるか否か(MOSトランジスタ51をオンしたときに、このMOSトランジスタ51に並列接続されたダイオードの順方向と反対方向に電流が流れるか否か)を知りたければ、相電圧VLD、すなわちMOSトランジスタ51のソース・ドレイン間電圧Vdsが0Vよりも低い所定の基準電圧Vref を下回ったか否かを調べればよい。ソース・ドレイン間電圧Vdsが基準電圧Vref よりも低いということは、相電圧VLDが図6においてCに示す範囲にあることを示しており、この場合には、通電方向検出部144の出力がハイレベルになる。
In a state when load dump occurs and before the protection operation is started (before the low-side MOS transistor 51 is turned on), the phase voltage V LD corresponding to the range indicated by A or B in FIG. Become. Therefore, if it is desired to know whether or not it is in the range indicated by C (whether or not current flows in the direction opposite to the forward direction of the diode connected in parallel to the MOS transistor 51 when the MOS transistor 51 is turned on), What is necessary is just to check whether or not the phase voltage V LD , that is, the source-drain voltage Vds of the MOS transistor 51 is lower than a predetermined reference voltage Vref lower than 0V. The fact that the source-drain voltage Vds is lower than the reference voltage Vref indicates that the phase voltage V LD is in the range indicated by C in FIG. 6. In this case, the output of the energization
実際には、MOS電圧検出部143において−0.1〜+0.1Vの範囲の電圧を精度よく検出し、通電方向検出部144において0V近傍の参照電圧Vref を用いて精度よく電圧比較を行うことは難しい。このため、MOS電圧検出部143では、検出したソース・ドレイン間電圧Vdsを所定の利得で増幅して電圧レベルを変換した後の電圧Vds’を出力し、通電方向検出部144はこの電圧Vds’を用いて電圧比較を行っている。
Actually, the
図9において、縦軸は変換後の電圧Vds’を、横軸は変換前のソース・ドレイン間電圧Vdsをそれぞれ示している。通電方向検出部144において電圧比較を行う範囲は−0.1〜+0.1Vの範囲に含まれるソース・ドレイン間電圧Vdsであるため、この範囲が例えば20倍に増幅されている。図9に示す例では、−0.1Vが0Vに、+0.1Vが+5Vにそれぞれ対応し、その間の電圧が線形的に1対1に対応している。また、ソース・ドレイン間電圧Vdsが−0.1Vよりも低くなった場合、あるいは、+0.1Vよりも高くなった場合には、MOS電圧検出部143の出力電圧が0Vあるいは+5Vにクリップ(固定)されるようになっている。例えば、参照電圧Vref’=2.5V(Vds=0V)に設定されている。
In FIG. 9, the vertical axis indicates the converted voltage Vds', and the horizontal axis indicates the source-drain voltage Vds before conversion. Since the voltage comparison range in the energization
通電方向検出部144は、MOS電圧検出部143の出力電圧Vds’と参照電圧Vref’ とを比較し、Vds’がVref’ 以下の場合(ソース・ドレイン間電圧Vdsが0V以下の場合)に出力をハイレベルにし、高い場合に出力をローレベルにする。なお、通電方向検出部144は、出力をハイレベルにするタイミングを所定期間遅らせるようにしてもよい。一般に、整流器モジュール5X等の回路のLC成分により、検出したソース・ドレイン間電圧Vdsと実際にソース・ドレイン間に流れる電流との間には位相のずれが生じることがある。具体的には、ソース・ドレイン間電圧が0Vでも電流は0A以上である場合がある。このような場合を考慮して、ハイレベルに変化するタイミングを所定期間遅らせるようにしてもよい。所定期間としては、例えば相巻線の誘起電圧(相電圧)の周期の1/4に対応する期間が用いられる。
The energization
一方のタイミング判定部148は、しきい値電圧判定部142の出力がローレベルからハイレベルに変化した後、通電方向検出部144の出力がハイレベルになったとき、すなわち、ロードダンプ発生に伴って出力電圧VB が第1のしきい値電圧V1よりも高くなり、かつ、図6においてCで示す範囲にあると判定されたときに、出力をハイレベルにする。このタイミング判定部148のハイレベルの出力が「保護開始指示」に対応しており、この保護開始指示が出力されると、制御部100は、ドライバ170を駆動してハイサイド側のMOSトランジスタ50をオフするとともに、ドライバ172を駆動してローサイド側のMOSトランジスタ51をオンすることにより、ロードダンプ発生時の保護動作を開始する。
One
他方のタイミング判定部149は、しきい値電圧判定部142の出力がハイレベルからローレベルに変化した後、通電方向検出部144の出力がハイレベルになったとき、すなわち、ロードダンプ発生に伴って一旦第1のしきい値電圧V1を超えた出力電圧VB が再び第2のしきい値電圧V2よりも低くなり、かつ、図6においてCで示す範囲にあると判定されたときに、出力をハイレベルにする。このタイミング判定部149のハイレベルの出力が「整流再開指示」に対応しており、この整流再開指示が出力されると、制御部100は、ドライバ172を駆動してローサイド側のMOSトランジスタ51をオフする。以後、制御部100は、同期整流の制御動作を再開する。
The other
なお、通電方向検出部144の出力がハイレベルに変化するタイミングを所定期間遅らせる場合とは、図6においてCで示す範囲の中央近傍に対応するタイミングをねらう意図である。この点については、2つのタイミング判定部148、149の両方に当てはまるものである。ハイレベルに変化するタイミングを所定期間遅らせる機能をタイミング判定部148、149の少なくとも一方にもたせ、これらにおいてこのタイミングの変更を行うようにしてもよい。
Note that the case where the timing at which the output of the energization
ところで、図6(B)や図9に示す例では、MOSトランジスタ51がオンされている場合のソース・ドレイン間電圧Vdsが−0.1V〜+0.1Vの範囲で変化するものとしたが、相電流(ソース・ドレイン間電流)が少ない場合にはソース・ドレイン間電圧Vdsが小さくなって、復帰準備時にソース・ドレイン間電圧Vds’が参照電圧Vref’より低くならないことがある。すると、通電方向検出部144の出力がハイレベルに変化せず、タイミング判定部149の出力もローレベルを維持することになり、整流再開指示が出されなくなる。このような場合を想定して、本実施形態では、MOS電圧Va検出部145、中間タイミング検出部146、オア回路147が設けられている。
In the examples shown in FIGS. 6B and 9, the source-drain voltage Vds when the MOS transistor 51 is turned on is assumed to change in the range of −0.1 V to +0.1 V. When the phase current (source-drain current) is small, the source-drain voltage Vds becomes small, and the source-drain voltage Vds ′ may not become lower than the reference voltage Vref ′ during recovery preparation. Then, the output of the energization
MOS電圧Va検出部145は、ロードダンプ保護動作中にローサイド側のMOSトランジスタ51の電機子巻線側電圧であるドレイン電圧VD が0V以上の所定電圧Vaを下回るタイミングと上回るタイミングの両方を検出する。中間タイミング検出部146は、ローサイド側のMOSトランジスタ51の電機子巻線側電圧であるドレイン電圧VD が所定電圧Vaを下回ったタイミングから次に上回ったタイミングまでの所要時間Taを算出するとともに、ドレイン電圧VD が所定電圧Vaを下回った後にTa/2の時間が経過した時点を中間タイミングとして検出し、この中間タイミングが到来したときに出力をローレベルからハイレベルに変化させる。
The MOS voltage
図10に示すように、ローサイド側のMOSトランジスタ51のドレイン電圧VD は、0Vを中心に上下に変化している。中間タイミング検出部146は、このドレイン電圧VD が所定電圧Vaを下回ったタイミングt1から次に上回ったタイミングt2までの所要時間Taを算出し、次にドレイン電圧VD が所定電圧Vaを下回ったタイミングt3からTa/2の時間が経過した時点を中間タイミングtmとして検出する。なお、この例では、中間タイミングtmを検出するために、1周期前の所要時間Taを用いたが、2周期あるいはそれ以上前の所要時間Taを用いるようにしてもよい。
As shown in FIG. 10, the drain voltage V D of the MOS transistor 51 on the low side changes up and down around 0V. The intermediate
オア回路147は、2つの入力端子を有しており、少なくとも一方の入力端子にハイレベルの信号が入力されたときに出力をハイレベルにする。一方の入力端子には通電方向検出部144の出力が入力される。また、他方の入力端子には中間タイミング検出部146の出力が入力される。したがって、相電圧VLDが図6においてCに示す範囲に入って通電方向検出部144の出力がローレベルからハイレベルに変化したとき、あるいは、中間タイミングtmが検出されて中間タイミング検出部146の出力がローレベルからハイレベルに変化したときに、オア回路147の出力がハイレベルとなる。このオア回路147の出力は、タイミング判定部148、149に入力される。
The OR
すなわち、オア回路147の出力が入力されるタイミング判定部149は、しきい値電圧判定部142の出力がハイレベルからローレベルに変化した後、通電方向検出部144の出力がハイレベルにならなくても、中間タイミングtmが到来して中間タイミング検出部146の出力がハイレベルになると、整流再開指示を出力する。この整流再開指示が出力されると、制御部100は、ドライバ172を駆動してローサイド側のMOSトランジスタ51をオフする(図11)。以後、制御部100は、同期整流の制御動作を再開する。
That is, the
このように、本実施形態の車両用発電機1では、ロードダンプ保護動作中に出力電圧VB が第1のしきい値電圧V1よりも低い第2のしきい値電圧V2よりも低くなったときに、下アームを構成するスイッチング素子(MOSトランジスタ51)の固定子巻線側電圧(ドレイン電圧VD )が所定電圧Vaを下回るタイミングと上回るタイミングの中間のタイミングをサージ電圧の発生の抑制に適したタイミングとし、このタイミングの到来を待って、下アームを構成するスイッチング素子をオフする指示を制御部100に対して行っている。これにより、相間の起電圧が出力電圧よりも小さくなった場合や、スイッチング素子の固定子巻線側電圧が0V以下になったことを検出する検出手段(MOS電圧検出部143)の精度が悪化して固定子巻線に電流を引き込むタイミングになっても0V以下になったことが検出できない場合であっても、サージ電圧の発生の抑制に適したタイミングを検出することが可能になる。したがって、ロードダンプ保護動作を解除する際に大きなサージ電圧が発生することを防止して、ロードダンプ時の高電圧発生を迅速に終わらせることができる。
As described above, in the
特に、ロードダンプ保護判定部140は、スイッチング素子の固定子巻線側電圧が0V以上に設定された所定電圧Vaを下回ったタイミングから上回ったタイミングまでの所要期間Taの1/2が、固定子巻線側電圧が下回った後に経過したタイミングで、スイッチング素子がオフになるように制御部100に対して指示を行っている。これにより、スイッチング素子をオフした場合のサージ電圧の発生を最も小さく抑制することができるタイミングでサージ保護動作を終わらせることができる。
In particular, the load dump
また、ロードダンプ保護判定部140内のタイミング判定部149は、固定子巻線側電圧(MOSトランジスタ51のソース・ドレイン間電圧Vds)が0V以下になるタイミングをサージ電圧の発生の抑制に適したタイミングとして設定している。これにより、起電圧が十分発生している場合や、スイッチング素子の電機子巻線側電圧が0V以下になったことを精度よく検出することができる場合には、確実にサージ電圧の発生を抑制することができるタイミングでスイッチング素子をオフすることができる。
The
また、ロードダンプ保護判定部140内のタイミング判定部148は、出力電圧VB が第1のしきい値電圧V1を超えたことを検出した後、サージ電圧の発生の抑制に適したタイミングで、下アームを構成するスイッチング素子をオンする指示を制御部100に対して行っている。これにより、ロードダンプ保護動作の開始時についてもサージ電圧の発生を抑制することが可能となる。
Further, the
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、2つの固定子巻線2、3と2つの整流器モジュール群5、6を備えるようにしたが、一方の固定子巻線2と一方の整流器モジュール群5を備える車両用発電機についても本発明を適用することができる。
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation implementation is possible within the range of the summary of this invention. For example, in the above-described embodiment, the two
また、上述した実施形態では、各整流器モジュール5X等を用いて整流動作(発電動作)を行う場合について説明したが、MOSトランジスタ50、51のオン/オフタイミングを変更することにより、バッテリ9から印加される直流電流を交流電流に変換して固定子巻線2、3に供給することにより、車両用発電機1に電動動作を行わせるようにしてもよい。
Further, in the above-described embodiment, the case where the rectifying operation (power generation operation) is performed using each
また、上述した実施形態では、2つの整流器モジュール群5、6のそれぞれに3つの整流器モジュールを含ませるようにしたが、整流器モジュールの数は3以外であってもよい。
In the above-described embodiment, each of the two
また、上述した実施形態では、各相巻線に対応させた整流器モジュールを備えて各整流器モジュール毎に同期整流の制御を行うようにしたが、共通の制御装置を用いて同期整流の制御を行う構成についても本発明を適用することができる。 In the above-described embodiment, the rectifier module corresponding to each phase winding is provided and the synchronous rectification control is performed for each rectifier module. However, the synchronous rectification control is performed using a common control device. The present invention can also be applied to the configuration.
また、上述した実施形態では、上アームと下アームの両方にMOSトランジスタを用いたが、下アームのみをMOSトランジスタとし、上アームをダイオードで構成するようにしてもよい。 In the embodiment described above, MOS transistors are used for both the upper arm and the lower arm. However, only the lower arm may be a MOS transistor, and the upper arm may be formed of a diode.
また、上述した実施形態では、界磁制御部7の外部に、ツェナーダイオード20、ダイオード22を設けたが、これら(あるいは一部)を界磁制御部7内に設けるようにしてもよい。これにより、ツェナーダイオード20やダイオード22を単体部品として車両用発電機1に実装する必要がなくなるため構成の簡略化が可能となる。また、コンデンサ80を界磁制御部7内に設けたが、界磁制御部7の外部に設けるようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the
また、上述した実施形態では、MOSトランジスタ51のドレイン電圧VD が所定電圧Vaを下回ったタイミングから上回るタイミングまでの所要時間Taの1/2の時間が、次に所定電圧Vaを下回るタイミングから経過したタイミングtmを、サージ電圧の発生を抑制することができるタイミングとしたが、この経過時間(Ta/2)の代わりにTa/2から所定時間αを引いた経過時間(図12に示したTa/2−α)を用いるようにしてもよい。これにより、スイッチング素子としてMOSトランジスタ51を用いた場合にサージ電圧の発生を抑制するタイミングでサージ保護動作を終わらせることができる。 In the above-described embodiment, the time ½ of the required time Ta from the timing when the drain voltage V D of the MOS transistor 51 is lower than the predetermined voltage Va to the timing when the drain voltage V D is higher than the predetermined voltage Va elapses from the next lower timing than the predetermined voltage Va. The timing tm is determined as the timing at which the generation of the surge voltage can be suppressed, but instead of this elapsed time (Ta / 2), an elapsed time obtained by subtracting a predetermined time α from Ta / 2 (Ta shown in FIG. 12). / 2-α) may be used. As a result, when the MOS transistor 51 is used as the switching element, the surge protection operation can be terminated at a timing at which generation of a surge voltage is suppressed.
特に、この場合の所定時間αとしては、ロードダンプ保護判定部140が制御部100にMOSトランジスタ51をオフする指示を行ってからMOSトランジスタ51がオフするまでの遅れ時間に相当する値を用いることが望ましい。これにより、スイッチング素子としてMOSトランジスタ51を用いた場合にサージ電圧の発生を最も小さく抑制することができるタイミングでMOSトランジスタ51をオフしてサージ保護動作を終わらせることができる。
In particular, as the predetermined time α in this case, a value corresponding to a delay time from when the load dump
上述したように、本発明によれば、相間の起電圧が出力電圧よりも小さくなった場合や、スイッチング素子の電機子巻線側電圧が0V以下になったことを検出する検出手段の精度が悪化して電機子巻線に電流を引き込むタイミングになっても0V以下になったことが検出できない場合であっても、サージ電圧の発生の抑制に適したタイミングを検出することが可能になる。したがって、ロードダンプ保護動作を解除する際に大きなサージ電圧が発生することを防止して、ロードダンプ時の高電圧発生を迅速に終わらせることができる。 As described above, according to the present invention, the accuracy of the detection means for detecting when the electromotive voltage between the phases becomes smaller than the output voltage or when the armature winding side voltage of the switching element becomes 0 V or less. Even if it becomes worse and it is not possible to detect that the voltage has fallen to 0 V or less even when the current is drawn into the armature winding, it is possible to detect a timing suitable for suppressing the occurrence of the surge voltage. Therefore, it is possible to prevent a large surge voltage from being generated when canceling the load dump protection operation, and to quickly terminate the generation of a high voltage during the load dump.
2、3 固定子巻線
5、6 整流器モジュール群
51 MOSトランジスタ
100 制御部
140 ロードダンプ保護判定部
146 中間タイミング検出部
148、149 タイミング判定部
2, 3 Stator winding 5, 6 Rectifier module group 51
Claims (6)
ダイオードが並列接続されたスイッチング素子(51)によって構成された複数の下アームを有するブリッジ回路を構成し、前記電機子巻線の誘起電圧を整流するスイッチング部(5、6)と、
前記スイッチング素子のオンオフを制御する制御部(100)と、
前記スイッチング部の出力電圧を監視し、前記出力電圧が第1のしきい値電圧を超えたときに、前記下アームを構成する前記スイッチング素子をオンする指示を前記制御部に対して行い、前記第1のしきい値電圧を超えた後に前記出力電圧が前記第1のしきい値電圧よりも低い第2のしきい値電圧よりも低くなったときに、前記下アームを構成する前記スイッチング素子の電機子巻線側電圧が所定電圧を下回るタイミングと上回るタイミングの中間のタイミングをサージ電圧の発生の抑制に適したタイミングとし、このタイミングの到来を待って、前記下アームを構成する前記スイッチング素子をオフする指示を前記制御部に対して行うロードダンプ保護判定部(140、146、148、149)と、
を備えることを特徴とする車両用回転電機。 An armature winding (2, 3) having two or more phase windings;
A switching unit (5, 6) that configures a bridge circuit having a plurality of lower arms configured by switching elements (51) connected in parallel with a diode, and rectifies an induced voltage of the armature winding;
A control unit (100) for controlling on / off of the switching element;
The output voltage of the switching unit is monitored, and when the output voltage exceeds a first threshold voltage, an instruction to turn on the switching element constituting the lower arm is given to the control unit, The switching element constituting the lower arm when the output voltage becomes lower than a second threshold voltage lower than the first threshold voltage after exceeding a first threshold voltage An intermediate timing between the timing at which the armature winding side voltage of the armature winding is lower than the predetermined voltage and the timing at which the armature winding side voltage exceeds the predetermined voltage is set as a timing suitable for suppressing the generation of the surge voltage. A load dump protection determination unit (140, 146, 148, 149) for instructing the control unit to turn off,
A vehicular rotating electrical machine comprising:
前記ロードダンプ保護判定部は、前記スイッチング素子の電機子巻線側電圧が0V以上に設定された前記所定電圧を下回ったタイミングから上回ったタイミングまでの所要期間の1/2が、前記電機子巻線側電圧が下回った後に経過したタイミングで、前記スイッチング素子がオフになるように前記制御部に対して指示を行うことを特徴とする車両用回転電機。 In claim 1,
The load dump protection determination unit is configured such that a half of a required period from a timing when the armature winding side voltage of the switching element falls below the predetermined voltage set to 0 V or more to a timing when the voltage exceeds the predetermined voltage is the armature winding. A rotating electrical machine for a vehicle, wherein the controller is instructed to turn off the switching element at a timing after the line-side voltage has dropped.
前記スイッチング素子は、MOSトランジスタであり、
前記ロードダンプ保護判定部は、前記MOSトランジスタのドレイン電圧が前記所定電圧を下回ったタイミングから上回るタイミングまでの所要時間の1/2の時間から所定時間を引いたタイミングで、前記MOSトランジスタがオフになるように前記制御部に対して指示を行うことを特徴とする車両用回転電機。 In claim 1 or 2,
The switching element is a MOS transistor;
The load dump protection determination unit turns off the MOS transistor at a timing obtained by subtracting a predetermined time from a half of the time required until the drain voltage of the MOS transistor is lower than the predetermined voltage. The rotating electrical machine for a vehicle is characterized in that an instruction is given to the control unit.
前記所定時間は、前記ロードダンプ保護判定部が前記制御部に前記MOSトランジスタをオフする指示を行ってから前記MOSトランジスタがオフするまでの遅れ時間に相当する値であることを特徴とする車両用回転電機。 In claim 3,
The predetermined time is a value corresponding to a delay time from when the load dump protection determination unit instructs the control unit to turn off the MOS transistor until the MOS transistor is turned off. Rotating electric machine.
前記ロードダンプ保護判定部(149)は、前記電機子巻線側電圧が0V以下である場合であっても、前記サージ電圧の発生の抑制に適したタイミングとして設定することを特徴とする車両用回転電機。 In any one of Claims 1-4,
The load dump protection determination unit (149) sets the timing suitable for suppressing the generation of the surge voltage even when the armature winding side voltage is 0V or less. Rotating electric machine.
前記ロードダンプ保護判定部(148)は、前記出力電圧が前記第1のしきい値電圧を超えたことを検出した後、サージ電圧の発生の抑制に適したタイミングで、前記下アームを構成する前記スイッチング素子をオンする指示を前記制御部に対して行うことを特徴とする車両用回転電機。 In any one of Claims 1-5,
The load dump protection determination unit (148) configures the lower arm at a timing suitable for suppressing generation of a surge voltage after detecting that the output voltage exceeds the first threshold voltage. A rotating electrical machine for a vehicle, wherein an instruction to turn on the switching element is given to the control unit.
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