JP2014082418A - Laser processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物にレーザー加工を施すためのレーザー加工装置に関する。 The present invention relates to a laser processing apparatus for performing laser processing on a workpiece such as a semiconductor wafer.
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。また、サファイア基板や炭化珪素基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。 In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially wafer-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs, LSIs, etc. are partitioned in the partitioned regions. Form. Then, the semiconductor wafer is cut along the streets to divide the region in which the device is formed to manufacture individual devices. In addition, an optical device wafer in which a gallium nitride compound semiconductor or the like is laminated on the surface of a sapphire substrate or silicon carbide substrate is also divided into optical devices such as individual light emitting diodes and laser diodes by cutting along the streets. Widely used.
ウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法が試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハの裏面側から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って改質層を連続的に形成し、この改質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加えることにより、ウエーハを個々のデバイスに分割するものである。(例えば、特許文献1参照。) As a method of dividing the wafer along the street, a laser processing method has been attempted in which a pulsed laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer is used, and the focused laser beam is aligned within the region to be divided and irradiated with the pulsed laser beam. ing. The dividing method using this laser processing method is to irradiate a pulse laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer along the street from the back surface side of the wafer and irradiate the inside of the wafer to the street. A modified layer is continuously formed along the surface, and the wafer is divided into individual devices by applying an external force along a street whose strength is reduced by the formation of the modified layer. (For example, refer to Patent Document 1.)
また、ウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、ウエーハに形成されたストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿って破断する方法が実用化されている。(例えば、特許文献2参照。) In addition, as a method of dividing the wafer along the street, a laser beam is formed by irradiating the pulse laser beam along the street formed on the wafer, using a pulse laser beam having a wavelength that absorbs the wafer. A method of breaking along the laser processed groove has been put into practical use. (For example, see Patent Document 2.)
上述したレーザー加工を施すレーザー加工装置は、被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、被加工物保持手段を加工送り方向(X軸方向)に加工送りする加工送り手段および被加工物保持手段を加工送り方向と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)に割り出し送りする割り出し送り手段を具備している。(例えば、特許文献3参照。)
The laser processing apparatus for performing the laser processing described above includes a workpiece holding means for holding a workpiece, a laser beam irradiation means for irradiating the workpiece held by the workpiece holding means with a laser beam, and a workpiece A machining feed means for machining and feeding the holding means in the machining feed direction (X-axis direction) and an index feed means for indexing and feeding the workpiece holding means in the index feed direction (Y-axis direction) perpendicular to the machining feed direction are provided. Yes. (For example, refer to
近年、半導体デバイス製造の生産性を向上させるために、ウエーハの径が300mm、450mmと大口径化の傾向があり、ウエーハ等の被加工物を保持する被加工物保持手段もウエーハの大口径化に対応した大きさに構成される。このように被加工物保持手段の大型化に伴って保持手段の移動経路も長くなるため、レーザー加工装置自体が大型化して単価の高いクリーンルームを圧迫するという問題がある。 In recent years, in order to improve the productivity of semiconductor device manufacturing, there is a tendency to increase the diameter of the wafer to 300 mm and 450 mm, and the workpiece holding means for holding the workpiece such as a wafer also increases the diameter of the wafer. It is configured in the size corresponding to. Thus, since the moving path of the holding means becomes longer as the workpiece holding means becomes larger, there is a problem that the laser processing apparatus itself becomes larger and presses a clean room with a high unit price.
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハの大口径化に対応して保持手段を大きくしても装置全体の大型化を抑制することができるレーザー加工装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and the main technical problem thereof is laser processing that can suppress the increase in the size of the entire apparatus even if the holding means is increased in response to the increase in the diameter of the wafer. To provide an apparatus.
上記主たる技術的課題を解決するために、本発明によれば、被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線を集光して該被加工物保持手段に保持された被加工物に照射する集光器と、該集光器をX軸方向に移動するX軸移動機構と、該集光器をX軸方向と直交するY軸方向に移動するY軸移動機構と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a workpiece holding means for holding a workpiece, and laser beam irradiation for irradiating a workpiece held on the workpiece holding means with a laser beam A laser processing apparatus comprising:
The laser beam irradiating means includes a laser beam oscillating means for oscillating a laser beam, a condenser for condensing the laser beam oscillated by the laser beam oscillating means and irradiating the workpiece held by the workpiece holding means, An X-axis movement mechanism that moves the condenser in the X-axis direction, and a Y-axis movement mechanism that moves the condenser in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction,
A laser processing apparatus is provided.
上記被加工物保持手段は、被加工物を保持する保持面を備えた保持テーブルと、該保持テーブルを回転する回転駆動機構と、該保持テーブルをX軸方向およびY軸方向と直交するZ軸方向に移動するZ軸移動機構と備えている。
また、上記集光器はX軸移動機構によってX軸方向に移動せしめられる集光器装着部材に装着されており、該集光器装着部材には集光器とX軸方向の同一軸線上に被加工物保持手段の保持テーブルに保持された被加工物のレーザー加工すべき加工領域を検出するための撮像手段が装着される。
The workpiece holding means includes a holding table having a holding surface for holding the workpiece, a rotation driving mechanism for rotating the holding table, and a Z axis perpendicular to the X axis direction and the Y axis direction. It is equipped with a Z-axis moving mechanism that moves in the direction.
The collector is mounted on a collector mounting member that is moved in the X-axis direction by the X-axis moving mechanism, and the collector mounting member is on the same axis line as the collector in the X-axis direction. An imaging means for detecting a processing area to be laser processed of the workpiece held on the holding table of the workpiece holding means is mounted.
本発明によるレーザー加工装置おいては、レーザー光線照射手段は集光器をX軸方向に移動するX軸移動機構と、集光器をY軸方向に移動するY軸移動機構を具備しているので、被加工物保持手段の保持テーブルをX軸方向およびY軸方向に移動させる構成にする必要がない。従って、被加工物であるウエーハの大口径化に対応して被加工物保持手段の保持テーブルを大きくしても装置全体の大型化を抑制することができる。 In the laser processing apparatus according to the present invention, the laser beam irradiation means includes an X-axis moving mechanism for moving the condenser in the X-axis direction and a Y-axis moving mechanism for moving the condenser in the Y-axis direction. It is not necessary to adopt a configuration in which the holding table of the workpiece holding means is moved in the X axis direction and the Y axis direction. Therefore, even if the holding table of the workpiece holding means is enlarged in response to the increase in the diameter of the wafer as the workpiece, the overall size of the apparatus can be suppressed.
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。 Preferred embodiments of a laser processing apparatus configured according to the present invention will be described below in more detail with reference to the accompanying drawings.
図1には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図1に示すレーザー加工装置は、静止基台2と、該静止基台2上に配設され被加工物を保持する被加工物保持手段3と、静止基台2に配設され被加工物保持手段3に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段としてレーザー光線照射ユニット4とを具備している。
FIG. 1 is a perspective view of a laser processing apparatus constructed according to the present invention. The laser processing apparatus shown in FIG. 1 includes a stationary base 2, a
上記被加工物保持手段3は、図2に示すように被加工物を保持する保持面311aを備えた保持テーブル31と、該保持テーブル31を回転する回転駆動機構32と、保持テーブル31を加工送り方向である矢印Xで示すX軸方向および割り出し送り方向である矢印Yで示すY軸方向と直交する焦点位置調整方向である矢印Zで示すZ軸方向(保持テーブル31の保持面311aに垂直な方向)に移動するZ軸移動機構33を備えている。保持テーブル31は、多孔性材料から形成された吸着チャック311を具備しており、吸着チャック311の上面である保持面311a上に半導体ウエーハ等の被加工物を図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成された保持テーブル31には、半導体ウエーハ等の被加工物を保護テープを介して支持する環状のフレームを固定するためのクランプ34が配設されている。
The workpiece holding means 3 processes the holding table 31 having a
上記回転駆動機構32は、保持テーブル31を回転可能に支持する円筒状の回転支持部材321と、該円筒状の回転支持部材321内に配設されたパルスモータ322とを具備しており、パルスモータ322を駆動することにより保持テーブル31を回転せしめる。
The
上記Z軸移動機構33は、上記保持テーブル31および回転駆動機構32を支持するテーブル支持部材331と、該テーブル支持部材331をZ軸方向(保持テーブル31の保持面311aに垂直な方向)に移動可能に支持する案内支持部材332と、該案内支持部材332の上面に配設されテーブル支持部材331をZ軸方向に移動せしめる移動モータ333とからなっている。テーブル支持部材331は、正方形の天壁331aと、該天壁331aの4辺からそれぞれ垂下する4個の側壁331bからなっており、下方が開放されている。このように構成されたテーブル支持部材331の天壁331a上に上記回転支持部材321が配設される。上記案内支持部材332は、上記テーブル支持部材331を構成する4個の側壁331bの内面と対応する正方形状に形成され、4隅にテーブル支持部材331を構成する4個の側壁331bの内面を案内する案内部332aが上方に突出して設けられている。従って、案内支持部材332にテーブル支持部材331を上方から嵌合することにより、テーブル支持部材331は案内支持部材332の案内部332aに沿ってZ軸方向に移動可能に支持される。上記移動モータ333はパルスモータからなり、その駆動軸333aには雄ネジ333bが形成されている。この雄ネジ333bは、上記テーブル支持部材331を構成する天壁331aの中央部に設けられた図示しない雌ネジ穴と螺合するようになっている。従って、移動モータ333を一方向に回転することによりテーブル支持部材331が上昇し、移動モータ333を他方向に回転することによりテーブル支持部材331が下降せしめられる。このように構成されたZ軸移動機構33は、案内支持部材332が図1に示すように静止基台2上に配設される。
The Z-
上記レーザー光線照射ユニット4は、上記静止基台2上に配設された支持部材41と、該支持部材41によって支持され実質上水平に延出するケーシング42と、該ケーシング42に配設されたレーザー光線照射手段5と、レーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段43を具備している。レーザー光線照射手段5は、パルスレーザー光線を発振するパルスレーザー光線発振手段51と、該パルスレーザー光線発振手段51が発振したパルスレーザー光線を集光して上記被加工物保持手段3の保持テーブル31に保持された被加工物に照射する集光器52と、該集光器52をX軸方向(加工送り方向)およびY軸方向(割り出し送り方向)に移動可能に支持する集光器支持ユニット6を具備している。パルスレーザー光線発振手段51は、YAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器と、これに付設された繰り返し周波数設定手段とから構成されており、ケーシング42内に配設されている。
The laser beam irradiation unit 4 includes a
上記集光器支持ユニット6について、図3乃至図5を参照して説明する。図示の実施形態における集光器支持ユニット6は、上記ケーシング42の下面に装着されるY軸方向案内部材61と、該Y軸方向案内部材61によってY軸方向に移動可能に支持される移動基台62を具備している。Y軸方向案内部材61は、X軸方向の両側部にY軸方向に延びる案内溝611、612が設けられている。また、Y軸方向案内部材61のY軸方向の一端中央部には、後述するY軸移動機構を構成する雄ネジロッドを回転可能に支持する支持穴613aを備えた軸受け部材613が下方に突出して設けられている。
The
移動基台62は、図5に示すようにX軸方向に長い長方形状の基台本体621と、該基台本体621のX軸方向両端から上方に延びる被支持部622、623とからなっている。基台本体621には、X軸方向に沿って形成された案内穴621aが設けられている。上記被支持部622、623の上端にはそれぞれ外方に突出しY軸方向に延びる被案内レール622a、623aが設けられており、この被案内レール622a、623aを上記Y軸方向案内部材61に設けられた案内溝611、612に係合することにより、図3に示すように移動基台62はY軸方向案内部材61にY軸方向に沿って移動可能に支持される。なお、移動基台62を構成する一方の被支持部622には後述するY軸移動機構を構成する雄ネジロッドを回転可能に支持する支持穴622bが設けられており、他方の被支持部623には後述するY軸移動機構を構成する雄ネジロッドを回転駆動するモータを装着するための装着穴623bが設けられている。
As shown in FIG. 5, the
上述したように構成された移動基台62には、上記集光器52を装着するための集光器装着部材63および該集光器装着部材63の上面に配設されたX軸方向移動ブロック64がX軸方向に沿って移動可能に配設される。即ち、集光器装着部材63の上面に配設されたX軸方向移動ブロック64は、上記移動基台62を構成する基台本体621に設けられた案内穴621aの幅と対応する幅を有しており、図4に示すように基台本体621の下側から案内穴621aに嵌合することにより案内穴621aにそってX軸方向に移動可能に配設される。また、X軸方向移動ブロック64には、図5に示すようにX軸方向に貫通する雌ネジ穴641が設けられている。この雌ネジ穴641に後述するX軸移動機構を構成する雄ネジロッドが螺合せしめられる。
On the
上記のようにX軸方向移動ブロック64とともに移動基台62の基台本体621にX軸方向に移動可能に配設された集光器装着部材63の下面に、図4に示すように集光器52が装着される。従って、集光器52は集光器装着部材63とともに移動基台62の基台本体621にX軸方向に移動可能に配設されることになる。また、集光器装着部材63の下面には、集光器52とX軸方向の同一軸線上に上記被加工物保持手段3の保持テーブル31上に保持された被加工物のレーザー加工すべき加工領域を検出するための撮像手段43が装着される。
As shown in FIG. 4, the light is condensed on the lower surface of the
また、上記移動基台62を構成する基台本体621の中央部上面には、Y軸方向移動ブロック65が配設されている。このY軸方向移動ブロック65は、図4および図5に示すようにY軸方向に貫通する雌ネジ穴651が設けられている。この雌ネジ穴651に後述するY軸移動機構を構成する雄ネジロッドが螺合せしめられる。
A Y-axis
上記移動基台62を構成する基台本体621の下面には、上記集光器52とX軸方向の同一軸線上に上記パルスレーザー光線発振手段51が発振したパルスレーザー光線を集光器52に向けて反射せしめる反射手段53が装着されている。なお、反射手段53は、反射ミラーやプリズムを用いることができる。
On the lower surface of the
図3乃至図5を参照して説明を続けると、図示の実施形態におけるレーザー光線照射手段5は、上記集光器52が装着された集光器装着部材63をX軸方向に移動するX軸移動機構66と、集光器52が装着された集光器装着部材63および反射手段53が配設された移動基台62をY軸方向に移動するY軸移動機構67を具備している。X軸移動機構66は、上記移動基台62を構成する基台本体621に設けられた案内穴621aに沿って配設され雄ネジロッド661と、該雄ネジロッド661の一端に連結されたパルスモータ662とからなっている。雄ネジロッド661は、X軸方向移動ブロック64に設けられた雌ネジ穴641に螺合し、他端が上記移動基台62を構成する一方の被支持部622に設けられた支持穴622bによって回転可能に支持される。雄ネジロッド661の一端に連結されたパルスモータ662は、上記移動基台62を構成する他方の被支持部623に設けられた装着穴623bに嵌合することによって装着される。このように構成されたX軸移動機構66は、パルスモータ662を一方向または他方向に回転駆動することにより、X軸方向移動ブロック64が配設された集光器装着部材63に装着されている集光器52はX軸方向に移動せしめられる。
Continuing with reference to FIGS. 3 to 5, the laser beam irradiation means 5 in the illustrated embodiment moves in the X axis direction to move the
上記集光器52をY軸方向に移動するY軸移動機構67は、上記Y軸方向案内部材61の下側中央部にY軸方向に沿って配設され雄ネジロッド671と、該雄ネジロッド671の一端に連結されたパルスモータ672とからなっている。雄ネジロッド671は、Y軸方向移動ブロック65に設けられた雌ネジ穴651に螺合し、他端が上記Y軸方向案内部材61のY軸方向の一端中央部に設けられた軸受け部材613に形成されている支持穴613aによって回転可能に支持される。雄ネジロッド671の一端に連結されたパルスモータ672は、Y軸方向案内部材61の下面に装着される。このように構成されたY軸移動機構67は、パルスモータ672を一方向または他方向に回転駆動することにより、Y軸方向移動ブロック65が装着された移動基台62に配設されている集光器装着部材63に装着された集光器52はY軸方向に移動せしめられる。
The Y-
次に、レーザー光線照射手段5を構成するパルスレーザー光線発振手段51と反射手段53および集光器52との関係について、図6および図7を参照して説明する。
図6に示すように集光器52および撮像手段43が装着された集光器装着部材63は、上述したようにX軸移動機構66によって矢印Xで示すX軸方向に移動可能に構成されている。また、上記集光器装着部材63および反射手段53が配設されている移動基台62は、上述したようにY軸移動機構67によって矢印Yで示すY軸方向に移動可能に構成されている。そして、パルスレーザー光線発振手段51から発振されたパルスレーザー光線LBが、Y軸方向に沿って反射手段53に照射するように構成されている。従って、反射手段53が装着された移動基台62がY軸方向に移動しても、パルスレーザー光線発振手段51から発振されたパルスレーザー光線LBは常に反射手段53の所定位置に導かれる。このように反射手段53に導かれたパルスレーザー光線LBは、反射手段53によってX軸方向に反射され集光器52に導かれる。従って、集光器52が配設された集光器装着部材63がX軸方向に移動しても反射手段53によってX軸方向に反射されたパルスレーザー光線LBは、常に集光器52の所定位置に導かれる。即ち、図示の実施形態においては図7に示すように、反射手段53によってX軸方向に反射されたパルスレーザー光線LBは、反射手段53に対向して集光器52に形成された開口52aを通過して集光器52を構成する方向変換ミラー521の所定位置に導かれる。方向変換ミラーに導かれたパルスレーザー光線LBは、図7において下方に向けて方向変換され、集光レンズ522によって集光され、上記保持テーブル31に保持された被加工物Wに照射される。
Next, the relationship between the pulse laser beam oscillating means 51, the reflecting means 53, and the
As shown in FIG. 6, the
以上のように、図示のレーザー加工装置においては、レーザー光線照射手段5は、集光器52が装着された集光器装着部材63をX軸方向に移動するX軸移動機構66と、集光器52が装着された集光器装着部材63および反射手段53が配設された移動基台62をY軸方向に移動するY軸移動機構67を具備しているので、被加工物保持手段3の保持テーブル31をX軸方向(加工送り方向)およびY軸方向(割り出し送り方向)に移動させる構成にする必要がない。従って、被加工物であるウエーハの大口径化に対応して被加工物保持手段3の保持テーブル31を大きくしても装置全体の大型化を抑制することができる。
また、図示のレーザー加工装置においては、被加工物保持手段3は、被加工物を保持する保持面を備えた保持テーブル31をX軸方向(加工送り方向)およびY軸方向(割り出し送り方向)と直交するZ軸方向(焦点位置調整方向)に移動するZ軸移動機構33を備えているので、集光器52によるレーザー光線の集光点位置を調整するためにレーザー光線照射手段5をZ軸方向に移動調整するための集光点位置調整機構を装備する必要がない。
更に、図示のレーザー加工装置においては、集光器52はX軸移動機構66によってX軸方向に移動せしめられる集光器装着部材63に装着されており、該集光器装着部材63には集光器52とX軸方向の同一軸線上に被加工物保持手段3の保持テーブル31に保持された被加工物のレーザー加工すべき加工領域を検出するための撮像手段43が装着されるので、保持テーブル31に保持された被加工物のレーザー加工すべき加工領域とレーザー光線を照射する集光器52との位置合わせを行うアライメント作業が容易となる。
As described above, in the illustrated laser processing apparatus, the laser beam irradiation means 5 includes the
In the illustrated laser processing apparatus, the workpiece holding means 3 moves the holding table 31 having a holding surface for holding the workpiece in the X-axis direction (machining feed direction) and the Y-axis direction (index feed direction). Since the Z-
Further, in the illustrated laser processing apparatus, the
2:静止基台
3:被加工物保持手段
31:保持テーブル
32:回転駆動機構
33:Z軸移動機構
4:レーザー光線照射ユニット
43:撮像手段
5:レーザー光線照射手段
51:パルスレーザー光線発振手段
52:集光器
53:反射手段
6:集光器支持ユニット
61:Y軸方向案内部材
62:移動基台
63:集光器装着部材
64:X軸方向移動ブロック
65:Y軸方向移動ブロック
66:X軸移動機構
67:Y軸移動機構
2: Stationary base 3: Workpiece holding means 31: Holding table 32: Rotation drive mechanism 33: Z-axis movement mechanism 4: Laser beam irradiation unit 43: Imaging means 5: Laser beam irradiation means 51: Pulse laser beam oscillation means 52: Collection Optical device 53: Reflecting means 6: Condenser support unit 61: Y-axis direction guide member 62: Moving base 63: Concentrator mounting member 64: X-axis direction moving block 65: Y-axis direction moving block 66: X-axis Movement mechanism 67: Y-axis movement mechanism
Claims (3)
該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線を集光して該被加工物保持手段に保持された被加工物に照射する集光器と、該集光器をX軸方向に移動するX軸移動機構と、該集光器をX軸方向と直交するY軸方向に移動するY軸移動機構と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置。 In a laser processing apparatus comprising: a workpiece holding unit that holds a workpiece; and a laser beam irradiation unit that irradiates a laser beam onto the workpiece held by the workpiece holding unit.
The laser beam irradiating means includes a laser beam oscillating means for oscillating a laser beam, a condenser for condensing the laser beam oscillated by the laser beam oscillating means and irradiating the workpiece held by the workpiece holding means, An X-axis movement mechanism that moves the condenser in the X-axis direction, and a Y-axis movement mechanism that moves the condenser in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction,
Laser processing equipment characterized by that.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107464762A (en) * | 2016-06-03 | 2017-12-12 | 株式会社迪思科 | The inspection method of machined object, check device, laser processing device, expanding unit |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003266185A (en) * | 2002-03-12 | 2003-09-24 | Hamamatsu Photonics Kk | Method of laser beam machining |
JP2008126237A (en) * | 2006-11-16 | 2008-06-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser beam machining apparatus |
JP2010082645A (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Aisin Seiki Co Ltd | Laser scribing method and laser scribing apparatus |
JP2010162586A (en) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Toray Eng Co Ltd | Laser beam machining method and laser beam machining apparatus |
-
2012
- 2012-10-18 JP JP2012230880A patent/JP2014082418A/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003266185A (en) * | 2002-03-12 | 2003-09-24 | Hamamatsu Photonics Kk | Method of laser beam machining |
JP2008126237A (en) * | 2006-11-16 | 2008-06-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser beam machining apparatus |
JP2010082645A (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Aisin Seiki Co Ltd | Laser scribing method and laser scribing apparatus |
JP2010162586A (en) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Toray Eng Co Ltd | Laser beam machining method and laser beam machining apparatus |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107464762A (en) * | 2016-06-03 | 2017-12-12 | 株式会社迪思科 | The inspection method of machined object, check device, laser processing device, expanding unit |
CN107464762B (en) * | 2016-06-03 | 2022-10-18 | 株式会社迪思科 | Inspection method and inspection device for workpiece, laser processing device, and expansion device |
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