JP2014072015A

JP2014072015A - Organic el display device and method of manufacturing the same

Info

Publication number: JP2014072015A
Application number: JP2012216489A
Authority: JP
Inventors: Shinya Koide; 晋也小出
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2012-09-28
Filing date: 2012-09-28
Publication date: 2014-04-21

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display device which is free from emission unevenness by eliminating wetting-up and printing unevenness of a printed film due to a partition wall in organic layer printing, and to provide a method of manufacturing the same.SOLUTION: A light-emitting region in which a plurality of pixels are arranged is provided on a substrate 108, and a partitioning insulating layer 121 for partitioning the pixels is formed. In the light-emitting region, a pixel electrode 109 arranged for each of the pixels and an organic light-emitting medium layer 115 which is arranged on the pixel electrode 109 and has a hole transport layer 110, an organic light-emitting layer 112, and an electron injection layer 113 are formed. The pixel electrode 109 is made higher than the partitioning insulating layer 121.

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（以下、（有機ＥＬ）という。）表示装置及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to an organic electroluminescence (hereinafter referred to as (organic EL)) display device and a manufacturing method thereof.

有機ＥＬ表示装置は、二つの対向する電極の間に有機発光材料からなる有機発光層が形成され、両電極から有機発光層に電流を流すことで発光させるものであるが、効率よく発光させるには有機発光層の膜厚が重要であり、１００ｎｍ程度の薄膜にする必要がある。さらに、これをディスプレイパネル化するには高精細にパターニングする必要がある。
有機発光層を形成する有機発光材料には、低分子材料と高分子材料があり、一般に低分子材料は真空蒸着法等により薄膜形成し、このときに微細パターンのマスクを用いてパターニングするが、この方法では基板が大型化すればするほど、パターニング精度が出難いという問題がある。また、真空中で成膜するためにスループットが悪いという問題がある。 In an organic EL display device, an organic light emitting layer made of an organic light emitting material is formed between two opposing electrodes, and light is emitted by passing a current from both electrodes to the organic light emitting layer. The film thickness of the organic light emitting layer is important, and it is necessary to make it a thin film of about 100 nm. Furthermore, in order to make this a display panel, it is necessary to pattern it with high definition.
The organic light emitting material for forming the organic light emitting layer includes a low molecular material and a high molecular material. Generally, a low molecular material is formed into a thin film by a vacuum deposition method or the like, and is patterned using a fine pattern mask at this time. This method has a problem that the larger the substrate is, the more difficult patterning accuracy is. In addition, since the film is formed in a vacuum, there is a problem that the throughput is poor.

そこで、最近では高分子の有機発光材料を溶媒に溶かして塗工液にし、これをウェットコーティング法で薄膜形成する方法が試みられるようになってきている。薄膜形成するためのウェットコーティング法としては、スピンコート法、バーコート法、突出コート法、ディップコート法等があるが、高精細にパターニングしたり、ＲＧＢ３色に塗り分けしたりするためには、これらのウェットコーティング法では難しく、塗り分け・パターニングを得意とする印刷法による薄膜形成が最も有効であると考えられる。 Therefore, recently, a method in which a polymer organic light emitting material is dissolved in a solvent to form a coating solution and a thin film is formed by a wet coating method has been tried. As a wet coating method for forming a thin film, there are a spin coating method, a bar coating method, a protruding coating method, a dip coating method, etc., but in order to pattern with high definition or to separate the RGB three colors, These wet coating methods are difficult, and it is thought that thin film formation by a printing method that is good at coating and patterning is most effective.

凸版印刷法やインクジェット法にて被印刷基板上に有機発光層を形成する場合、濃度が１％前後の有機発光インキがそのままの状態で被印刷基板に転写される。したがって、有機発光インキをＲＧＢ三色に塗りわけする場合、有機発光インキが隣の画素電極まで広がってしまい、混色が生じてしまう。したがって、インキの広がりを抑えるために、隔壁を設けること、隔壁によって仕切られた画素電極内に有機発光インキを印刷することが提案されている（特許文献１、２参照）。 When an organic light emitting layer is formed on a substrate to be printed by a relief printing method or an ink jet method, an organic light emitting ink having a concentration of about 1% is transferred to the substrate to be printed as it is. Therefore, when the organic light emitting ink is applied to the three colors RGB, the organic light emitting ink spreads to the adjacent pixel electrode, resulting in color mixing. Therefore, in order to suppress the spread of the ink, it has been proposed to provide a partition and to print the organic light emitting ink in the pixel electrode partitioned by the partition (see Patent Documents 1 and 2).

しかし、この隔壁を設けることによって、有機発光層を凸版印刷で形成する場合、隔壁の凸部にインキが取られるため、発光画素の領域の有機膜の印刷にムラが生じる問題があり、また画素内に印刷された有機膜は、隔壁に濡れ上があるため、画素内での膜厚分布が生じてしまう問題があった。
この問題を解決する方法として、隔壁上にも、有機層を印刷することにより、隔壁表面でのはじきや、インキが取られるのを防止し、隔壁による印刷ムラの低減させることが試みられている（特許文献３参照）。しかし、隔壁上への印刷工程が増えるのと、隔壁の凸形状によるインキの転写ムラや、隔壁高さバラツキによるムラの問題が依然として残っている。 However, when the organic light-emitting layer is formed by letterpress printing by providing this partition wall, ink is taken out of the convex part of the partition wall, and there is a problem that unevenness occurs in the printing of the organic film in the region of the light-emitting pixel. The organic film printed inside has a problem in that the film thickness distribution in the pixel occurs because the partition walls are wetted.
As a method for solving this problem, an organic layer is also printed on the partition wall, thereby preventing repelling on the partition wall surface and taking of ink, and reducing printing unevenness due to the partition wall. (See Patent Document 3). However, as the number of printing processes on the partition increases, there still remains a problem of uneven transfer of ink due to the convex shape of the partition and unevenness due to variations in partition height.

特開２００１−１５５８５８号公報JP 2001-155858 A 特開２００２−３０５０７７号公報JP 2002-305077 A 特開２０１０−１０３０８３号公報JP 2010-103083 A

本発明では、有機層印刷における隔壁による、印刷膜の濡れ上がりや、印刷ムラをなくし、発光ムラのない有機ＥＬ表示装置、その製造方法を提供することを課題とした。 An object of the present invention is to provide an organic EL display device free from light emission unevenness and a manufacturing method thereof, which eliminates wetness of a printed film and uneven printing due to partition walls in organic layer printing.

上記課題を解決するために請求項１に係る発明は、基板上に複数の画素が配列された発光領域を有し、前記画素を区画する区画絶縁層と、前記画素毎に配置された画素電極と、前記画素電極上に配置された有機発光媒体層とを有する有機ＥＬ表示装置であって、前記画素電極が前記区画絶縁層よりも高いことを特徴とする。
上記課題を解決するために請求項２に係る発明は、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記画素電極の断面形状が逆テーパー形状になっていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。 In order to solve the above-described problem, the invention according to claim 1 includes a light-emitting region in which a plurality of pixels are arranged on a substrate, a partition insulating layer that partitions the pixels, and a pixel electrode that is disposed for each pixel. And an organic light emitting medium layer disposed on the pixel electrode, wherein the pixel electrode is higher than the partition insulating layer.
In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 2 is the organic EL display device according to claim 1, wherein the cross-sectional shape of the pixel electrode is an inversely tapered shape. It is.

上記課題を解決するために請求項３に係る発明は、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記有機発光媒体層は、正孔輸送層、インターレイヤー、有機発光層、電子注入層及び陰極を有し、前記正孔輸送層が無機材料で形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。
上記課題を解決するために請求項４に係る発明は、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記正孔輸送層が有機材料であり、前記正孔輸送層が蒸着法で成膜されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。 In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 3 is the organic EL display device according to claim 1 or 2, wherein the organic light emitting medium layer includes a hole transport layer, an interlayer, an organic light emitting layer, and an electron injection. An organic EL display device having a layer and a cathode, wherein the hole transport layer is formed of an inorganic material.
In order to solve the above-described problems, an invention according to claim 4 is the organic EL display device according to claim 1 or 2, wherein the hole transport layer is an organic material, and the hole transport layer is formed by an evaporation method. It is an organic EL display device characterized by being formed into a film.

上記課題を解決するために請求項５に係る発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置において、前記発有機光媒体層の少なくとも１層が、印刷プロセスにより形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。
上記課題を解決するために、請求項６に係る発明は、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記発有機光媒体層が正孔輸送層、インターレイヤー、有機発光層、電子注入層及び陰極を有し、前記正孔輸送層を無機材料で形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法である。 In order to solve the above-described problem, an invention according to claim 5 is the organic EL display device according to any one of claims 1 to 4, wherein at least one of the organic light emitting medium layers is formed by a printing process. An organic EL display device.
In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 6 is the method of manufacturing an organic EL display device according to claim 1 or 2, wherein the organic light emitting medium layer includes a hole transport layer, an interlayer, An organic EL display device manufacturing method comprising an organic light emitting layer, an electron injection layer, and a cathode, wherein the hole transport layer is formed of an inorganic material.

上記課題を解決するために請求項７に係る発明は、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、有機材料からなる前記正孔輸送層を、蒸着法で成膜することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
上記課題を解決するために請求項８に係る発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記発有機光媒体層の少なくとも１層を、印刷プロセスにより形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法である。 In order to solve the above problem, an invention according to claim 7 is the method of manufacturing an organic EL display device according to claim 1 or 2, wherein the hole transport layer made of an organic material is formed by vapor deposition. A method of manufacturing an organic EL display device.
In order to solve the above problem, an invention according to claim 8 is the method of manufacturing an organic EL display device according to any one of claims 1 to 4, wherein at least one of the organic light emitting medium layers is printed. It is a manufacturing method of an organic EL display device characterized by being formed by a process.

画素を区画する区画絶縁膜を、画素電極よりも低くすることにより、隔壁の凸部にとられていたインキや、画素内の隔壁によるインキの濡れ上がりの影響をなくすことができる。また、印刷ムラの主要因となっている隔壁による印刷ムラが改善させたとこにより、画素内の有機膜形状の平坦性が向上、発光ムラの大幅な低減と、高輝度化が可能となった。 By making the partition insulating film that partitions the pixels lower than the pixel electrode, it is possible to eliminate the influence of ink taken up by the protrusions of the partition walls and the ink wetting due to the partition walls in the pixels. In addition, by improving the printing unevenness due to the partition wall, which is the main cause of printing unevenness, the flatness of the organic film shape in the pixel has been improved, the emission unevenness has been greatly reduced, and high brightness has become possible. .

本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the organic EL element of the organic EL display apparatus which concerns on embodiment of this invention. 従来における有機ＥＬ素子の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the conventional organic EL element. 従来における有機ＥＬ素子の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the conventional organic EL element. 図１に示した有機ＥＬ素子の製造に用いる凸版印刷装置の概略図である。It is the schematic of the relief printing apparatus used for manufacture of the organic EL element shown in FIG. 画素発光の概略図であって、（ａ）は隔壁上発光ありの場合、（ｂ）は短辺方向に発光が寄った場合、（ｃ）は長辺方向に発光が寄った発光の場合、（ｄ）は非発光の場合、（ｅ）は正常発光（従来発光）の場合、（ｆ）は正常発光（本発明の発光）場合を示す。It is a schematic diagram of pixel light emission, where (a) is light emission on the partition, (b) is light emission in the short side direction, (c) is light emission in the long side direction, (D) shows no light emission, (e) shows normal light emission (conventional light emission), and (f) shows normal light emission (light emission of the present invention).

本発明の有機ＥＬ表示装置の説明をするために、一例としてアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置に関して述べる。ただし、本発明はアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置に限定されるものではなく、パッシブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。 In order to describe the organic EL display device of the present invention, an active matrix drive type organic EL display device will be described as an example. However, the present invention is not limited to the active matrix driving type organic EL display device, and can also be applied to a passive matrix driving type organic EL display device.

以下、本発明による有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を、添付図に基づいて説明する。
本発明の一実施形態として、基板（ＴＦＴ付き基板）１０８上に複数の画素（画素領域）が一列に配列された発光領域を有する有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子の模式図を図１に示した。この有機ＥＬ素子は、基板１０８上の発光領域において画素ごとに設けられた画素電極（陽極、下部電極）１０９と、画素電極１０９に対向するように形成された陰極（上部電極）１１４と、画素電極１０９と陰極１１４とに狭持された有機発光媒体層１１５とを有している。 Hereinafter, an organic EL display device and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
As an embodiment of the present invention, a schematic diagram of an organic EL element of an organic EL display device having a light emitting region in which a plurality of pixels (pixel regions) are arranged in a row on a substrate (substrate with TFT) 108 is shown in FIG. It was. This organic EL element includes a pixel electrode (anode, lower electrode) 109 provided for each pixel in a light emitting region on the substrate 108, a cathode (upper electrode) 114 formed so as to face the pixel electrode 109, a pixel The organic light emitting medium layer 115 is sandwiched between the electrode 109 and the cathode 114.

また、有機発光媒体層１１５は、少なくとも発光に寄与する有機発光層１１２と、正孔を注入するキャリア注入層としての正孔輸送層１１０と、電子を注入する層としての電子注入層１１３と、インターレイヤー（電子ブロック層）１１１とを含んでいる。なお、有機発光媒体層１１５としては、画素電極１０９と有機発光層１１２との間の正孔注入層、有機発光層１１２と電子注入層１１３の間のインターレイヤー（正孔ブロック層）等を必要に応じて積層することができる。
さらに、画素（有機ＥＬ素子）を区画する区画絶縁層１２１が設けられ、画素電極１０９は区画絶縁膜１２１よりも高い。すなわち、画素電極１０９の陰極１１４側の面が区画絶縁膜１２１の陰極１１４側の面よりも高い位置にある。 The organic light emitting medium layer 115 includes at least an organic light emitting layer 112 that contributes to light emission, a hole transport layer 110 as a carrier injection layer for injecting holes, an electron injection layer 113 as a layer for injecting electrons, And an interlayer (electronic block layer) 111. The organic light emitting medium layer 115 requires a hole injection layer between the pixel electrode 109 and the organic light emitting layer 112, an interlayer (hole blocking layer) between the organic light emitting layer 112 and the electron injection layer 113, and the like. It can be laminated according to.
Further, a partition insulating layer 121 that partitions the pixel (organic EL element) is provided, and the pixel electrode 109 is higher than the partition insulating film 121. That is, the surface of the pixel electrode 109 on the cathode 114 side is higher than the surface of the partition insulating film 121 on the cathode 114 side.

このような有機ＥＬ素子を画素（サブピクセル）として配列することにより、有機ＥＬ表示装置とすることができる。各画素を構成する有機発光層１１２を例えばＲＧＢの３色に塗り分けることで、フルカラーのディスプレイパネルを作製することができた。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置では、区画絶縁層１２１を設けることにより、画素電極１０９より低い位置で画素を区画することができるから、有機膜を印刷で形成する際の、隔壁凸部でのインキの取られや、隔壁による画素内の有機層の濡れ上がりを抑制することができる。 By arranging such organic EL elements as pixels (subpixels), an organic EL display device can be obtained. A full-color display panel could be produced by coating the organic light emitting layer 112 constituting each pixel with, for example, three colors of RGB.
In the organic EL display device of the present embodiment, by providing the partition insulating layer 121, it is possible to partition the pixel at a position lower than the pixel electrode 109. Therefore, when the organic film is formed by printing, the partition projection is Ink removal and wetting of the organic layer in the pixel by the partition can be suppressed.

以下、本実施形態の有機ＥＬ素子の構成について詳細に説明する。
図１に本発明に用いることができるＴＦＴ基板の例を示した。本発明のアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置に用いる支持体（基板、バックプレーン）１０１には、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）と画素電極１０９が設けられており、かつＴＦＴと画素電極１０９とが電気接続している。 Hereinafter, the configuration of the organic EL element of the present embodiment will be described in detail.
FIG. 1 shows an example of a TFT substrate that can be used in the present invention. A support (substrate, backplane) 101 used in the active matrix drive organic EL display device of the present invention is provided with a TFT (thin film transistor) and a pixel electrode 109, and the TFT and the pixel electrode 109 are electrically connected. ing.

ＴＦＴや、その上方に構成されるアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ素子は支持体１０１で支持される。支持体１０１としては機械的強度、絶縁性を有し寸法安定性に優れた支持体であれば如何なる材料も使用することができる。例えば、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートに酸化ケイ素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物、酸窒化ケイ素などの金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基材や、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、シート、板や、前記プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。光取出しをどちらの面から行うかに応じて支持体１０１の透光性を選択すればよい。これらの材料からなる支持体１０１は、有機ＥＬ表示装置内への水分の侵入を避けるために、無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。特に、発光媒体層への水分の侵入を避けるために、支持体１０１における含水率およびガス透過係数を小さくすることが好ましい。 The TFT and the active matrix driving type organic EL element formed above the TFT are supported by the support 101. Any material can be used as the support 101 as long as it is a support having mechanical strength and insulating properties and excellent dimensional stability. For example, plastic films and sheets such as glass, quartz, polypropylene, polyethersulfone, polycarbonate, cycloolefin polymer, polyarylate, polyamide, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, etc., or oxidation to these plastic films and sheets Metal oxides such as silicon and aluminum oxide, metal fluorides such as aluminum fluoride and magnesium fluoride, metal nitrides such as silicon nitride and aluminum nitride, metal oxynitrides such as silicon oxynitride, acrylic resins and epoxy resins For translucent base materials with single or laminated polymer resin films such as silicone resin and polyester resin, metal foils such as aluminum and stainless steel, sheets and plates, and plastic films and sheets Aluminum, may be used copper, nickel, stainless steel and metal film non-translucent substrate as a laminate of such. What is necessary is just to select the translucency of the support body 101 according to which surface light extraction is performed from. The support 101 made of these materials is subjected to moisture proofing treatment or hydrophobic treatment by forming an inorganic film or applying a fluororesin in order to prevent moisture from entering the organic EL display device. Preferably there is. In particular, it is preferable to reduce the moisture content and gas permeability coefficient of the support 101 in order to avoid the intrusion of moisture into the luminescent medium layer.

支持体１０１上に設けるＴＦＴは、公知のＴＦＴを用いることができる。具体的には、主として、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層、ゲート絶縁膜及びゲート電極から構成されるＴＦＴが挙げられる。ＴＦＴの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。 As the TFT provided on the support 101, a known TFT can be used. Specifically, a TFT composed mainly of an active layer in which a source / drain region and a channel region are formed, a gate insulating film, and a gate electrode can be given. The structure of the TFT is not particularly limited, and examples thereof include a staggered type, an inverted staggered type, a top gate type, and a coplanar type.

ゲート電極１０２は、特に限定されるものではなく、例えば、Ｔａ（タンタル），Ｍｏ（モリブデン），Ａｌ（アルミニウム），またはその合金を、スパッタリング法、あるいは、蒸着法により、成膜し、その後、フォトリソグラフィー法により、パターニングを行う。
ゲート絶縁層１０３には、絶縁が取れるのであればよく、特に限定されるものではない。例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）をＣＶＤ法で成膜する方法が挙げられる。 The gate electrode 102 is not particularly limited. For example, Ta (tantalum), Mo (molybdenum), Al (aluminum), or an alloy thereof is formed by sputtering or vapor deposition, and then, Patterning is performed by photolithography.
The gate insulating layer 103 is not particularly limited as long as it can be insulated. For example, a method of forming a silicon nitride (SiNx) film by a CVD method can be given.

活性層１０４は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）等の有機半導体材料により形成することができる。これらの活性層１０４は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ法により積層し、イオンドーピングする方法；ＳｉＨ４ガスを用いてＬＰＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法；Ｓｉ_２Ｈ_６ガスを用いてＬＰＣＶＤ法により、また、ＳｉＨ_４ガスを用いてＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法（低温プロセス）；減圧ＣＶＤ法又はＬＰＣＶＤ法によりポリシリコンを積層し、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法（高温プロセス）等が挙げられる。 The active layer 104 is not particularly limited, and examples thereof include inorganic semiconductor materials such as amorphous silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, cadmium selenide, thiophene oligomers, poly (p-ferylene vinylene), and the like. The organic semiconductor material can be used. These active layers 104 are formed by, for example, depositing amorphous silicon by plasma CVD and ion doping; forming amorphous silicon by LPCVD using SiH 4 gas, crystallizing amorphous silicon by solid phase growth, After silicon is obtained, ion doping is performed by ion implantation; amorphous silicon is formed by LPCVD using Si ₂ H ₆ gas, or PECVD using SiH ₄ gas, and a laser such as an excimer laser is used. Annealing and crystallizing amorphous silicon to obtain polysilicon, followed by ion doping by ion doping (low temperature process); stacking polysilicon by low pressure CVD or LPCVD, and ion implantation by ion implantation Doping method of (high temperature process), and the like.

ソース電極１０５、ドレイン電極１０６の形成方法は、特に限定されるものではないが、例として、信号の遅延を懸念し低抵抗な、Ａｌの合金を蒸着法より成膜し、フォトリソグラフィー法と、エッチングにより、電極をパターニングする方法が挙げられる。
保護層１０７の形成方法は、特に限定されるものではなく、一般的に、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）を、ＣＶＤ法、あるいは、蒸着法により形成する方法が挙げられる。 A method for forming the source electrode 105 and the drain electrode 106 is not particularly limited. For example, a low-resistance Al alloy is formed by vapor deposition in consideration of signal delay, and a photolithography method. The method of patterning an electrode by etching is mentioned.
The method for forming the protective layer 107 is not particularly limited, and generally includes a method of forming silicon nitride (SiNx) by a CVD method or a vapor deposition method.

画素電極１０９、ソース電極１０５と画素電極１０９とを接続する電極の材料としては、正孔の注入を効率よく行うために、仕事関数が大きい材料が用いられる。特に通常の有機ＥＬ素子では、画素電極１０９を通して光が放出されるために、画素電極１０９が透明であることが要求され、ＩＴＯ等の導電性金属酸化物が用いられる。本発明のトップエミッション方式では透明であることは必要ではないが、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの導電性金属酸化物を用いて画素電極１０９を形成してもよい。さらに、ＩＴＯなどの導電性金属酸化物を用いる場合、その下に反射率の高い反射電極（Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗなど）を用いることが好ましい。 As a material of the electrode that connects the pixel electrode 109, the source electrode 105, and the pixel electrode 109, a material having a high work function is used in order to efficiently inject holes. In particular, in a normal organic EL element, since light is emitted through the pixel electrode 109, the pixel electrode 109 is required to be transparent, and a conductive metal oxide such as ITO is used. The top emission method of the present invention does not need to be transparent, but the pixel electrode 109 may be formed using a conductive metal oxide such as ITO or IZO. Further, when a conductive metal oxide such as ITO is used, it is preferable to use a reflective electrode (Al, Ag, Mo, W, etc.) having a high reflectance underneath.

画素電極１０９の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。画素電極１０９のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いて、画素電極１０９の断面が逆テーパー形状になるようにパターニングする。 As a formation method of the pixel electrode 109, a dry film forming method such as a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method, a gravure printing method, or a screen printing depending on the material. A wet film forming method such as a method can be used. As a patterning method of the pixel electrode 109, an existing patterning method such as a mask vapor deposition method, a photolithography method, a wet etching method, or a dry etching method is used according to a material or a film forming method, and the cross section of the pixel electrode 109 is reversed. Patterning is performed in a tapered shape.

また、画素電極１０９上には正孔輸送層１１０が配置されている。正孔輸送層１１０は、画素電極１０９から後述する有機発光層１１２への正孔の注入を補助する機能を有する層である。このため、正孔輸送層１１０は画素電極１０９と有機発光層１１２との間に配置される。
正孔輸送層１１０の材料には、ポリエチレンスルホン酸をドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳと称される）や、その誘導体（共重合体など）、遷移金属の酸化物などが含まれる。 A hole transport layer 110 is disposed on the pixel electrode 109. The hole transport layer 110 is a layer having a function of assisting injection of holes from the pixel electrode 109 to the organic light emitting layer 112 described later. For this reason, the hole transport layer 110 is disposed between the pixel electrode 109 and the organic light emitting layer 112.
Examples of the material of the hole transport layer 110 include poly (3,4-ethylenedioxythiophene) doped with polyethylene sulfonic acid (referred to as PEDOT-PSS), derivatives thereof (such as copolymers), and transition metal. Oxides and the like are included.

遷移金属の酸化物の例には、ＷＯ_ｘ、ＭｏＯ_ｘ、ＴｉＯ_２、ＮｉＯ、Ｖ_２Ｏ_５、ＲｕＯ_２およびこれらの組み合わせなどが含まれる。好ましい正孔注入層の材料は、酸化タングステン（ＷＯ_ｘ）または酸化モリブデン（ＭｏＯ_ｘ）である。正孔輸送層１１０の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１００ｎｍであり、約５０ｎｍでありうる。
正孔輸送層１１０の材料は、遷移金属の酸化物であることが好ましい。印刷で成膜する際、膜厚が不均一になる恐れがあること、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを含む正孔輸送層１１０は、導電性であることから、画素間でリーク電流が流れる恐れがある。 Examples of transition metal _{_{_{oxide, WO x, MoO x, TiO}}} 2, NiO, and the like _V ₂ O 5, RuO 2 and combinations thereof. A preferred hole injection layer material is tungsten oxide (WO _x ) or molybdenum oxide (MoO _x ). The thickness of the hole transport layer 110 is typically 10 nm to 100 nm, and may be about 50 nm.
The material of the hole transport layer 110 is preferably a transition metal oxide. When the film is formed by printing, the film thickness may be non-uniform, and since the hole transport layer 110 containing PEDOT-PSS is conductive, a leak current may flow between pixels.

一方、遷移金属の酸化物からなる正孔輸送層１１０は、スパッタリングや蒸着などで形成することができ、膜厚を均一に成膜可能であり、画素電極１０９の逆テーパーの箇所で、正孔輸送層１１０の膜が不連続膜になるため、画素間リーク電流を抑制することができる。なお、画素電極１０９から有機発光層１１２へ効率的に正孔を注入できる限り、正孔輸送層１１０は省略されてもよい。この場合、画素電極１０９上に直接有機発光媒体層１１５が配置される。 On the other hand, the hole transport layer 110 made of an oxide of a transition metal can be formed by sputtering, vapor deposition, or the like, and can be formed to have a uniform film thickness. Since the film of the transport layer 110 becomes a discontinuous film, the leak current between pixels can be suppressed. The hole transport layer 110 may be omitted as long as holes can be efficiently injected from the pixel electrode 109 to the organic light emitting layer 112. In this case, the organic light emitting medium layer 115 is directly disposed on the pixel electrode 109.

正孔輸送層１１０形成後、インターレイヤー１１１を形成するが、そのインターレイヤー１１１に用いる材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などの、芳香族アミンを含むポリマーなどが挙げられる。これらの材料は溶媒に溶解または分散させ、スピンコーター等を用いた各種塗布方法や凸版印刷方法を用いて形成される。また、インターレイヤー１１１形成後、有機発光層１１２を凸版印刷法により形成する。 After forming the hole transport layer 110, the interlayer 111 is formed. As a material used for the interlayer 111, polyvinyl carbazole or a derivative thereof, a polyarylene derivative having an aromatic amine in a side chain or a main chain, an arylamine derivative, Examples thereof include polymers containing aromatic amines such as triphenyldiamine derivatives. These materials are dissolved or dispersed in a solvent, and are formed using various coating methods using a spin coater or the like and letterpress printing methods. Further, after the formation of the interlayer 111, the organic light emitting layer 112 is formed by a relief printing method.

有機発光層１１２は電流を通すことにより発光する層であり、有機発光層１１２を形成する有機発光材料は、例えばクマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、Ｎ，Ｎ‘−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系などの発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料が挙げられる。 The organic light emitting layer 112 is a layer that emits light by passing an electric current, and the organic light emitting material forming the organic light emitting layer 112 is, for example, a coumarin type, a perylene type, a pyran type, an anthrone type, a porphyrene type, a quinacridone type, N, N Dispersing luminescent dyes such as' -dialkyl-substituted quinacridone, naphthalimide, N, N'-diaryl-substituted pyrrolopyrrole, iridium complex in polymers such as polystyrene, polymethylmethacrylate, polyvinylcarbazole, , Polyarylene-based, polyarylene vinylene-based, and polyfluorene-based polymer materials.

これらの有機発光材料は溶媒に溶解または安定に分散させ有機発光インキとなる。有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの単独またはこれらの混合溶媒が上げられる。中でもトルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が有機発光材料の溶解性の面から好適である。また、有機発光インキには必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。 These organic light emitting materials are dissolved or stably dispersed in a solvent to form an organic light emitting ink. Examples of the solvent for dissolving or dispersing the organic light emitting material include toluene, xylene, acetone, anisole, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, or a mixed solvent thereof. Among them, aromatic organic solvents such as toluene, xylene, and anisole are preferable from the viewpoint of the solubility of the organic light emitting material. Moreover, surfactant, antioxidant, a viscosity modifier, a ultraviolet absorber, etc. may be added to organic luminescent ink as needed.

次に、有機発光層１１２を形成するのに用いる凸版印刷装置について図４を参照して説明する。
図４は、有機発光材料からなる有機発光インキを、画素電極１０９、区画絶縁層１２１、正孔輸送層１１０が形成された基板（被印刷基板）１０８上にパターン印刷する際のもので、本製造装置はインクタンク４０１とインキチャンバー４０２とアニロックスロール４０３と凸部が設けられた凸版４０５がマウントされた版胴４０６とを有している。インクタンク４０１には、溶剤で希釈された有機発光インキが収容されており、インキチャンバー４０２にはインクタンク４０１より有機発光インキが送り込まれるようになっている。アニロックスロール４０３はインキチャンバー４０２のインキ供給部に接して回転可能に支持されている。アニロックスロール４０３の回転に伴い、インキ層４０４のインキが凸版４０５の凸部に転移する。ステージ４０８には被印刷基板４０７が設置され、凸版４０５の凸部のインキが被印刷基板４０７に対して印刷され、必要に応じて乾燥工程を経て、被印刷基板４０７上に有機発光層１１２が形成される。 Next, a relief printing apparatus used to form the organic light emitting layer 112 will be described with reference to FIG.
FIG. 4 shows an organic light emitting ink made of an organic light emitting material when pattern printing is performed on a substrate (printed substrate) 108 on which the pixel electrode 109, the partition insulating layer 121, and the hole transport layer 110 are formed. The manufacturing apparatus includes an ink tank 401, an ink chamber 402, an anilox roll 403, and a plate cylinder 406 on which a relief plate 405 provided with a projection is mounted. The ink tank 401 contains organic light-emitting ink diluted with a solvent, and the organic light-emitting ink is fed into the ink chamber 402 from the ink tank 401. The anilox roll 403 is rotatably supported in contact with the ink supply unit of the ink chamber 402. As the anilox roll 403 rotates, the ink in the ink layer 404 is transferred to the convex portion of the relief plate 405. A printing substrate 407 is installed on the stage 408, and the ink of the convex portion of the relief plate 405 is printed on the printing substrate 407, and the organic light emitting layer 112 is formed on the printing substrate 407 through a drying process as necessary. It is formed.

次に、電子注入層１１３を形成する。材料には透過性が高く、かつ有機発光層１１２への電子注入効率の高い、仕事関数の高い材料を用いる。具体的な材料としては、ＬｉＦ、ＢａＦ₂，ＣｓＦ，などの、アルカリ金属及び、アルカリ土類金属の化合物である。その他、有機材料としては、Ａｌｑ_３が挙げられる。
電子注入層１１３形成法は、材料に応じ、抵抗過熱法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法を用いることができる。 Next, the electron injection layer 113 is formed. As the material, a material having high work function and high electron function for injecting electrons into the organic light emitting layer 112 is used. Specific examples of the material include alkali metal and alkaline earth metal compounds such as LiF, BaF ₂ , and CsF. Other examples of the organic materials include Alq _3.
As a method for forming the electron injection layer 113, a resistance overheating method, an electron beam evaporation method, a reactive evaporation method, an ion plating method, or a sputtering method can be used depending on the material.

次に、陰極１１４を形成する。陰極１１４は、電子注入層１１３への水や酸素の浸入を防ぐため、画素全体を覆うように、形成する。具体的な材料としては、Ａｌ，Ｍｇ，Ａｇである。
陰極１１４の形成法は、抵抗過熱法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法を用いることができる。 Next, the cathode 114 is formed. The cathode 114 is formed so as to cover the entire pixel in order to prevent water and oxygen from entering the electron injection layer 113. Specific materials are Al, Mg, and Ag.
As a method for forming the cathode 114, a resistance heating method, an electron beam evaporation method, a reactive evaporation method, an ion plating method, or a sputtering method can be used.

次に、封止体について説明する。
有機ＥＬ表示装置としては電極間に発光材料を挟み、電流を流すことで発光させることが可能であるが、有機発光材料は大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまうため通常は外部と遮断するための封止体（図示せず）を設ける。封止体は例えば封止材上に樹脂層を設けて作製することができる。 Next, the sealing body will be described.
As an organic EL display device, it is possible to emit light by sandwiching a light emitting material between electrodes and passing an electric current. However, since an organic light emitting material is easily deteriorated by moisture or oxygen in the atmosphere, it is usually externally connected. A sealing body (not shown) for blocking is provided. The sealing body can be manufactured, for example, by providing a resin layer on a sealing material.

封止材としては、水分や酸素の透過性が低い基材である必要がある。また、材料の一例として、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、耐湿性フィルムなどを挙げることができる。耐湿性フィルムの例として、プラスチック基材の両面にＳｉＯｘをＣＶＤ法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤を塗布した重合体フィルムなどがあり、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、１０^−６ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下であることが好ましい。 The sealing material needs to be a base material having low moisture and oxygen permeability. Examples of the material include ceramics such as alumina, silicon nitride, and boron nitride, glass such as alkali-free glass and alkali glass, quartz, and moisture resistant film. Examples of moisture-resistant films include films formed by CVD of SiOx on both sides of plastic substrates, films with low permeability and water-absorbing films, or polymer films coated with a water-absorbing agent. The water vapor transmission rate is preferably 10 ⁻⁶ g / m ² / day or less.

樹脂層の材料の一例として、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、２液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート（ＥＥＡ）ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物などの熱可塑性接着性樹脂を挙げることができる。樹脂層を封止材の上に形成する方法の一例として、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などを挙げることができる。必要に応じて吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることもできる。封止材上に形成する樹脂層の厚みは、封止する有機ＥＬ表示装置の大きさや形状により任意に決定されるが、５〜５００μｍ程度が望ましい。なお、ここでは封止材上に樹脂層として形成したが直接有機ＥＬ表示装置側に形成することもできる。 As an example of the material of the resin layer, a photo-curing adhesive resin, a thermosetting adhesive resin, a two-component curable adhesive resin, or an ethylene ethyl acrylate (EEA) made of epoxy resin, acrylic resin, silicon resin, or the like Examples thereof include acrylic resins such as polymers, vinyl resins such as ethylene vinyl acetate (EVA), thermoplastic resins such as polyamide and synthetic rubber, and thermoplastic adhesive resins such as acid-modified products of polyethylene and polypropylene. Examples of methods for forming a resin layer on a sealing material include solvent solution method, extrusion lamination method, melting / hot melt method, calendar method, nozzle coating method, screen printing method, vacuum laminating method, hot roll laminating method, etc. Can be mentioned. A material having a hygroscopic property or an oxygen absorbing property may be contained as necessary. The thickness of the resin layer formed on the sealing material is arbitrarily determined depending on the size and shape of the organic EL display device to be sealed, but is preferably about 5 to 500 μm. In addition, although formed as a resin layer on the sealing material here, it can also be formed directly on the organic EL display device side.

次に、本発明の実施例について、説明する。
（実施例）
基板１０８としては、支持体１０１上に設けられたスイッチング素子として機能するＴＦＴを備えたアクティブマトリクス基板を用いた。基板１０８のサイズは２００ｍｍ×２００ｍｍでその中に対角５インチのディスプレイが中央に設置されており、この基板１０８上に画素電極１０９を形成させた。形成方法としては、スパッタ法によりＩＴＯ膜を厚さ１５０ｎｍ形成した。 Next, examples of the present invention will be described.
(Example)
As the substrate 108, an active matrix substrate including a TFT functioning as a switching element provided on the support 101 was used. The size of the substrate 108 is 200 mm × 200 mm, and a 5-inch diagonal display is installed in the center thereof. A pixel electrode 109 is formed on the substrate 108. As a forming method, an ITO film having a thickness of 150 nm was formed by sputtering.

その後、フォトリソグラフィー法と、ドライエッチング及び、ウェットエッチングにより、画素電極１０９の断面を逆テーパー形状にするのと同時に、各画素幅は８０［μｍ］×１５０［μm］となるように、ＩＴＯのパターニングを行った。
基板１０８の表面上に、正孔輸送層１１０として、厚さ２０ｎｍの酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）を、スパッタリング法により成膜した。 Thereafter, the cross section of the pixel electrode 109 is formed into a reverse taper shape by photolithography, dry etching, and wet etching, and at the same time, the width of each pixel is 80 [μm] × 150 [μm]. Patterning was performed.
On the surface of the substrate 108, molybdenum oxide (MoOx) having a thickness of 20 nm was formed as the hole transport layer 110 by a sputtering method.

次に、インターレイヤー１１１の材料であるポリビニルカルバゾール誘導体を濃度０．５％になるようにトルエンに溶解させたインキを用いこの基板を印刷機にセッティングし、絶縁層区画された画素電極１０９の真上にそのラインパターンに合わせてインターレイヤー１１１を凸版印刷法で印刷を行った。このとき３００線／インチのアニロックスロールおよび水現像タイプの感光性樹脂版を使用した。印刷、乾燥後のインターレイヤー１１１の膜厚は３０ｎｍとなった。 Next, this substrate was set in a printing machine using an ink in which a polyvinyl carbazole derivative, which is a material of the interlayer 111, was dissolved in toluene so as to have a concentration of 0.5%, and the trueness of the pixel electrode 109 partitioned by the insulating layer was set. The interlayer 111 was printed by the relief printing method according to the line pattern. At this time, 300 lines / inch anilox roll and a water developing type photosensitive resin plate were used. The film thickness of the interlayer 111 after printing and drying was 30 nm.

次に、有機発光材料であるポリフェニレンビニレン誘導体を濃度１％になるようにトルエンに溶解させた有機発光インキを用い、この基板を印刷機にセッティングし、区画絶縁層１２１に挟まれた画素電極１０９の真上に、そのラインパターンを合わせて有機発光層１１２を凸版印刷法で印刷を行った。このとき１５０線／インチのアニロックスロールおよび水現像タイプの感光性樹脂版を使用した。印刷、乾燥後の有機発光層１１２の膜厚は、６０ｎｍとなった。 Next, an organic light emitting ink in which a polyphenylene vinylene derivative, which is an organic light emitting material, is dissolved in toluene so as to have a concentration of 1% is used, this substrate is set in a printing machine, and the pixel electrode 109 sandwiched between the partition insulating layers 121 is used. The organic light emitting layer 112 was printed by a relief printing method with the line pattern aligned directly above. At this time, a 150 line / inch anilox roll and a water developing type photosensitive resin plate were used. The thickness of the organic light emitting layer 112 after printing and drying was 60 nm.

次に、真空蒸着法により、電子注入層１１３として、Ｂａ膜を４ｎｍ、陰極１１４として、Ａｌ膜を２００ｎｍ、画素全体覆うように、連続で成膜した。
その後、封止ガラスと接着剤を、発光領域をカバーするように載せ、約９０℃で１時間接着剤を熱硬化して密閉封止し、アクティブマトリックス駆動型有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬパネル）を製作した。 Next, as an electron injection layer 113, a Ba film was formed to 4 nm, a cathode 114, an Al film was formed to 200 nm, and the entire pixel was continuously formed by vacuum deposition.
After that, sealing glass and an adhesive are placed so as to cover the light emitting region, and the adhesive is thermally cured at about 90 ° C. for 1 hour to be hermetically sealed, and an active matrix driving type organic EL display device (organic EL panel) Was made.

（比較例１）
図２に示すように、画素電極１０９を形成後、アクリル系のフォトレジスト材料を、アクティブマトリクス基板の全面に厚さ２［μｍ］で形成した後、上記のフォトレジスト材料に対して、フォトリソグラフィ法により、画素電極１０９のエッジを覆うように隔壁２０１を形成し、画素を区画した工程が、増えただけで、その他の工程は、実施例と同じ工程とした。 (Comparative Example 1)
As shown in FIG. 2, after the pixel electrode 109 is formed, an acrylic photoresist material is formed to a thickness of 2 [μm] on the entire surface of the active matrix substrate, and then photolithography is performed on the photoresist material. By the method, the partition 201 is formed so as to cover the edge of the pixel electrode 109, and the number of steps for partitioning the pixels is increased. The other steps are the same as those in the embodiment.

（比較例２）
図３に示すように、画素電極１０９を形成後、プラズマＣＶＤにより、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）をアクティブマトリックス基板全面に、厚さ１μｍで成膜し、その後、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、画素電極１０９のエッジを覆うように隔壁３０１を形成し、画素を区画した工程が、増えただけで、その他の工程は、実施例と同じ工程とした。 (Comparative Example 2)
As shown in FIG. 3, after the pixel electrode 109 is formed, silicon nitride (SiNx) is formed on the entire surface of the active matrix substrate by plasma CVD to a thickness of 1 μm, and then the pixel is formed by reactive ion etching (RIE). The number of steps of forming the partition wall 301 so as to cover the edge of the electrode 109 and partitioning the pixels is increased, and the other steps are the same as those in the example.

（実施例及び比較例に対する物性の評価）
上記の方法によって得られた実施例、比較例１及び比較例２の有機ＥＬ表示装置に対し、電圧７Ｖで駆動し、輝度計で画素の輝度値を測定し比較と、有機ＥＬ表示装置を駆動させながら、顕微鏡で画素の発光状態を確認し、発光不良画素の個数を数え、画素に対する割合の比較評価を行った。また、その結果を表１に示した。 (Evaluation of physical properties for Examples and Comparative Examples)
The organic EL display devices of Examples, Comparative Examples 1 and 2 obtained by the above method are driven at a voltage of 7 V, the luminance value of the pixel is measured by a luminance meter, and the comparison and the organic EL display device are driven. Then, the light emission state of the pixel was confirmed with a microscope, the number of light emitting defective pixels was counted, and a comparative evaluation of the ratio to the pixel was performed. The results are shown in Table 1.

比較例１の結果は、正孔輸送層１１０が画素間で連なっているため、画素の端が発光して、画素部の発光が抑えられたため、輝度は、実施例の６０％程度の輝度しかなかった。
また、比較例１の場合には、発光に寄りがあり、図５（ａ）〜（ｅ）に示すように、発光部５０１が画素５０４の短辺方向の端に寄った発光、発光部５０１が画素５０４の長辺方向の両端に寄ったような発光が見られ、非発光の画素を含めると、発効不良画素が全体の２０％を占めた。なお、図５において、５０２は非発光部、５０３は隔壁上発光部である。 The result of Comparative Example 1 is that the hole transport layer 110 is continuous between the pixels, so that the edge of the pixel emits light and the light emission of the pixel portion is suppressed. Therefore, the luminance is only about 60% of the luminance of the example. There wasn't.
Further, in the case of the comparative example 1, there is a difference in light emission, and as shown in FIGS. 5A to 5E, the light emission unit 501 emits light near the end in the short side direction of the pixel 504, and the light emission unit 501. However, when the non-light emitting pixels were included, 20% of the defective pixels accounted for 20% of the total. In FIG. 5, reference numeral 502 denotes a non-light emitting part, and 503 denotes a light emitting part on the partition wall.

また、比較例２では、比較例１と比較すると、発光不良画素が全体の１０％であり、隔壁３０１が低くなったことで発光不良画素は低下したが、実施例の３％と比較すると３倍以上であり、また隔壁３０１がテーパー形状であるから、画素間で正孔輸送層１１０が連なっているので、隔壁３０１上の発光が目立ち、実施例１の輝度に対して８５％の輝度となった。 Further, in Comparative Example 2, compared to Comparative Example 1, the number of defective pixels was 10% of the whole, and the number of defective pixels was decreased because the partition wall 301 was lowered, but compared to 3% of Example, 3%. Since the partition wall 301 is tapered and the hole transport layer 110 is connected between pixels, the light emission on the partition wall 301 is conspicuous, and the brightness is 85% of the brightness of the first embodiment. became.

上記の結果に対し、実施例では、画素電極１０９の逆テーパー形状により、スパッタ製膜した正孔輸送層１１０が断続膜になり、画素間リーク電流がなくなったことと、隔壁での印刷した膜の濡れ上がりがないため、画素の平坦性が高くなり、従来構造（比較例２）よりも１５％輝度が改善した。
また、隔壁がないから、隔壁によるムラの発生がないので、発光不良画素が非点発光画素を含めても３％であり、本発明の効果が確認された。 In contrast to the above results, in the example, due to the inverse taper shape of the pixel electrode 109, the sputtered hole transport layer 110 becomes an intermittent film, and there is no inter-pixel leakage current, and the printed film on the partition wall Therefore, the flatness of the pixel was improved, and the luminance was improved by 15% as compared with the conventional structure (Comparative Example 2).
In addition, since there is no partition, there is no occurrence of unevenness due to the partition, so that the defective light emitting pixels are 3% even including the astigmatic light emitting pixels, and the effect of the present invention was confirmed.

１０１・・・支持体（基板）
１０２・・・ゲート電極
１０３・・・絶縁層
１０４・・・活性層
１０５・・・ソース電極
１０６・・・ドレイン電極
１０７・・・保護層
１０８・・・基板
１０９・・・画素電極
１１０・・・正孔輸送層
１１１・・・インターレイヤー
１１２・・・有機発光層
１１３・・・電子注入層
１１４・・・陰極
１１５・・・有機発光媒体層
１２１・・・区画絶縁層
２０１・・・隔壁
３０１・・・隔壁
４０１・・・インクタンク
４０２・・・インキチャンバー
４０３・・・アニロックスロール
４０４・・・インキ層
４０５・・・凸版
４０６・・・版胴
４０７・・・被印刷基板
４０８・・・ステージ
５０１・・・発光部
５０２・・・非発光部
５０３・・・隔壁上発光部
５０４・・・画素 101 ... Support (substrate)
102 ... Gate electrode 103 ... Insulating layer 104 ... Active layer 105 ... Source electrode 106 ... Drain electrode 107 ... Protective layer 108 ... Substrate 109 ... Pixel electrode 110 ... -Hole transport layer 111 ... Inter layer 112 ... Organic light emitting layer 113 ... Electron injection layer 114 ... Cathode 115 ... Organic light emitting medium layer 121 ... Partition insulating layer 201 ... Partition 301 ... partition wall 401 ... ink tank 402 ... ink chamber 403 ... anilox roll 404 ... ink layer 405 ... letterpress 406 ... plate cylinder 407 ... substrate to be printed 408 ... Stage 501... Light emitting portion 502... Non-light emitting portion 503.

Claims

A light-emitting region in which a plurality of pixels are arranged on a substrate; a partition insulating layer that partitions the pixels; a pixel electrode disposed for each pixel; and an organic light-emitting medium layer disposed on the pixel electrode; An organic EL display device having
The organic EL display device, wherein the pixel electrode is higher than the partition insulating layer.

2. The organic EL display device according to claim 1, wherein the cross-sectional shape of the pixel electrode is an inversely tapered shape.

The organic light-emitting medium layer has a hole transport layer, an interlayer, an organic light-emitting layer, an electron injection layer, and a cathode, and the hole transport layer is formed of an inorganic material. 2. The organic EL display device according to 2.

The organic EL display device according to claim 1, wherein the hole transport layer is an organic material, and the hole transport layer is formed by a vapor deposition method.

The organic EL display device according to claim 1, wherein at least one of the organic light emitting medium layers is formed by a printing process.

It is a manufacturing method of the organic electroluminescence display according to claim 1 or 2,
The organic light emitting medium layer has a hole transport layer, an interlayer, an organic light emitting layer, an electron injection layer, and a cathode, and the hole transport layer is formed of an inorganic material. .

It is a manufacturing method of the organic electroluminescence display according to claim 1 or 2,
A method of manufacturing an organic EL display device, wherein the hole transport layer made of an organic material is formed by a vapor deposition method.

It is a manufacturing method of the organic electroluminescence display in any one of Claims 1 thru | or 4, Comprising:
A method of manufacturing an organic EL display device, wherein at least one of the organic light emitting medium layers is formed by a printing process.