JP2014060356A - Thin film solar cell and manufacturing method therefor - Google Patents

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Katsuhito Wada
雄人 和田
Satoru Sawayanagi
悟 澤柳
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film solar cell which can increase the output by widening the effective area of a transparent electrode layer, and can decrease the failure rate when manufacturing a thin film solar cell while ensuring insulation in a second through hole, and to provide a manufacturing method of a thin film solar cell.SOLUTION: In a thin film solar cell 1, a transparent electrode layer 5 and a second back electrode layer 6 are insulated electrically, by separating the transparent electrode layer 5 around a second through hole 8 by means of a blade body 12, by using a separating groove 11.

Description

本発明は、フィルム基板上に金属電極層と光電変換層と透明電極層とを積層してなる薄膜太陽電池とその製造方法に関するものであり、特に金属電極層の少なくとも一部にモリブデンを用いた薄膜太陽電池に関する。   The present invention relates to a thin film solar cell in which a metal electrode layer, a photoelectric conversion layer, and a transparent electrode layer are laminated on a film substrate, and a method for producing the same, and in particular, molybdenum is used for at least a part of the metal electrode layer. The present invention relates to a thin film solar cell.

薄膜太陽電池には、SCAF(Series Connection through Apertures formed on Film)と呼ばれる直列接続構造を用いたものがある。この直列接続構造では、レーザーパターニング処理により複数の領域に分割された薄膜太陽電池が形成され、基板を貫通する複数の貫通孔によって分割された複数の薄膜太陽電池を直列接続するようになっている。
図5は、従来のSCAF型薄膜太陽電池の平面図である。また、図6は、図5のA−A線断面図であり、図7は、図5のB−B線断面図である。
Some thin film solar cells use a series connection structure called SCAF (Series Connection through Structures formed on Film). In this series connection structure, a thin film solar cell divided into a plurality of regions is formed by laser patterning, and a plurality of thin film solar cells divided by a plurality of through holes penetrating the substrate are connected in series. .
FIG. 5 is a plan view of a conventional SCAF type thin film solar cell. 6 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 5, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.

図6及び図7に示すように、従来のSCAF型薄膜太陽電池21は、絶縁性基板22を備えている。絶縁性基板22の両面22a,22bには、金属電極層23が形成されている。ここで、絶縁性基板22の一方の面22a上の金属電極層23は、裏面電極層23aとして機能し、絶縁性基板22の他方の面22b上の金属電極層23は、第1の背面電極層23bとして機能する。   As shown in FIGS. 6 and 7, the conventional SCAF type thin film solar cell 21 includes an insulating substrate 22. Metal electrode layers 23 are formed on both surfaces 22 a and 22 b of the insulating substrate 22. Here, the metal electrode layer 23 on one surface 22a of the insulating substrate 22 functions as the back electrode layer 23a, and the metal electrode layer 23 on the other surface 22b of the insulating substrate 22 is the first back electrode. It functions as the layer 23b.

また、図6及び図7に示すように、裏面電極層23aには、光電変換層24と透明電極層25とが当該順で積層されている。一方、第1の背面電極層23bには、第2の背面電極層26が積層されている。   Moreover, as shown in FIG.6 and FIG.7, the photoelectric converting layer 24 and the transparent electrode layer 25 are laminated | stacked in the said order on the back surface electrode layer 23a. On the other hand, the second back electrode layer 26 is laminated on the first back electrode layer 23b.

また、図6及び図7に示すように、絶縁性基板22には、絶縁性基板22を貫通する第1の貫通孔27が設けられ、透明電極層24と第2の背面電極層26とが、第1の貫通孔27を介して電気的に接続されている。また、図6に示すように、絶縁性基板22には、絶縁性基板22を貫通する第2の貫通孔28が設けられ、裏面電極層23aと第1の背面電極層23bとが、第2の貫通孔28を介して電気的に接続されている。   As shown in FIGS. 6 and 7, the insulating substrate 22 is provided with a first through hole 27 penetrating the insulating substrate 22, and the transparent electrode layer 24 and the second back electrode layer 26 are formed. The first through hole 27 is electrically connected. Further, as shown in FIG. 6, the insulating substrate 22 is provided with a second through hole 28 that penetrates the insulating substrate 22, and the back electrode layer 23 a and the first back electrode layer 23 b include the second through hole 28. Are electrically connected through the through-holes 28.

図5に示すように、絶縁性基板22の一方の面22aに積層された層は、第1のパターニングライン29で分割され、絶縁性基板22の他方の面22bに積層された層は、第2のパターニングライン30で分割されている。これにより、絶縁性基板22上の積層された層が、複数のユニットセルに分割される。   As shown in FIG. 5, the layer stacked on one surface 22 a of the insulating substrate 22 is divided by the first patterning line 29, and the layer stacked on the other surface 22 b of the insulating substrate 22 is It is divided by two patterning lines 30. Thereby, the laminated layer on the insulating substrate 22 is divided into a plurality of unit cells.

ここで、第1のパターニングライン29及び第2パターニングライン30は、絶縁性基板22において互い違いに配置されている。絶縁性基板22の両面22a,22bの電極層の分離位置を互いにずらし、且つ絶縁性基板22の両面22a,22bの電極層を第2の貫通孔28で接続することにより、隣接するユニットセルが直列で接続される構造となっている。   Here, the first patterning lines 29 and the second patterning lines 30 are alternately arranged on the insulating substrate 22. By separating the electrode layers on both surfaces 22a and 22b of the insulating substrate 22 from each other and connecting the electrode layers on both surfaces 22a and 22b of the insulating substrate 22 with the second through-holes 28, adjacent unit cells It has a structure connected in series.

一方、特許文献1には、従来のSCAF型薄膜太陽電池の別の例が開示されている。特許文献1の薄膜太陽電池において、電気絶縁性樹脂からなるフィルム基板の一方の面には、第1電極層と、光電変換層と、第2電極層とが積層され、フィルム基板の反対側(裏面)には、第3電極層と、第4電極層とが積層されている。そして接続孔の周囲において、透明電極が接続孔を囲う形で、レーザ光の照射により、分離溝が形成されている。   On the other hand, Patent Document 1 discloses another example of a conventional SCAF type thin film solar cell. In the thin film solar cell of Patent Document 1, a first electrode layer, a photoelectric conversion layer, and a second electrode layer are laminated on one surface of a film substrate made of an electrically insulating resin, and the opposite side of the film substrate ( On the back surface, a third electrode layer and a fourth electrode layer are laminated. A separation groove is formed around the connection hole by laser light irradiation so that the transparent electrode surrounds the connection hole.

特許文献2には、薄膜太陽電池を歩留まりよく製造するために、刃先により電極分離用の溝を加工することが記載されている。   Patent Document 2 describes that a groove for electrode separation is processed by a blade edge in order to manufacture a thin film solar cell with a high yield.

WO2012/105079 A1WO2012 / 105079 A1 特開2010−207945号公報JP 2010-207945 A

しかしながら、上述の図5及び特許文献1の構成では、以下のような問題が生じる。
まず、図5の構成では、第2の貫通孔28において透明電極層25と第2の背面電極層26とが接触しないように、透明電極層26を形成する際には、第2の貫通孔28の近傍にマスク処理を行っていた。したがって、図7(b)に示すように、第2の貫通孔28の近傍には、透明電極層25が形成されない。そのため、従来の構成では、透明電極層25の有効面積が制限されていた。第2の貫通孔28は、第1及び第2の背面電極層23b,26の電気抵抗を考慮して一定間隔をあけて配置される。よって、絶縁性基板22上において透明電極層25が形成できない領域が一定の間隔で設けられることになる。したがって、透明電極層25の有効面積が小さくなり、これに比例して薄膜太陽電池21の出力も低下してしまうという問題があった。
However, in the configuration of FIG. 5 and Patent Document 1 described above, the following problems occur.
First, in the configuration of FIG. 5, when forming the transparent electrode layer 26 so that the transparent electrode layer 25 and the second back electrode layer 26 do not contact with each other in the second through hole 28, the second through hole is formed. Mask processing was performed in the vicinity of 28. Therefore, as shown in FIG. 7B, the transparent electrode layer 25 is not formed in the vicinity of the second through hole 28. Therefore, in the conventional configuration, the effective area of the transparent electrode layer 25 is limited. The second through-holes 28 are arranged at regular intervals in consideration of the electric resistance of the first and second back electrode layers 23b and 26. Therefore, regions where the transparent electrode layer 25 cannot be formed on the insulating substrate 22 are provided at regular intervals. Therefore, there is a problem that the effective area of the transparent electrode layer 25 is reduced, and the output of the thin film solar cell 21 is also reduced in proportion thereto.

また、第2の貫通孔28の近傍をマスク処理するので、絶縁性基板22上の透明電極層25などと、マスクとが接触することにより、絶縁性基板22上の透明電極層25などが損傷する可能性があった。このように絶縁性基板22上にある層が損傷すると、リーク電流などが増加することになり、薄膜太陽電池21を製造する際の不良率が増加してしまうという問題もあった。   Further, since the vicinity of the second through hole 28 is masked, the transparent electrode layer 25 on the insulating substrate 22 and the transparent electrode layer 25 on the insulating substrate 22 are damaged by the contact between the transparent electrode layer 25 on the insulating substrate 22 and the mask. There was a possibility. Thus, when the layer on the insulating substrate 22 is damaged, the leakage current and the like increase, and there is a problem that the defect rate when manufacturing the thin-film solar cell 21 increases.

また、特許文献1に開示された構成では、接続孔の周囲にレーザで分離溝を形成している。このレーザで分離溝を形成する場合、透明電極の厚さが100nm以下と薄い場合には加工は可能である。しかし、例えば化合物系の太陽電池のように膜厚が厚くなり、200〜2000nmになると必要なレーザのエネルギーが高くなり加工装置の価格が高くなる、制御するエネルギーの精度を高くする必要が生じる、などの問題が生ずる。   In the configuration disclosed in Patent Document 1, a separation groove is formed by a laser around the connection hole. When the separation groove is formed by this laser, the processing can be performed when the transparent electrode is as thin as 100 nm or less. However, for example, a compound-type solar cell becomes thicker, and when it is 200 to 2000 nm, the necessary laser energy is increased, and the price of the processing apparatus is increased, and it is necessary to increase the accuracy of energy to be controlled. Problems arise.

一方でCIGS太陽電池については特許文献2に示すように、分離ラインの加工を刃状の加工部を走査して行われてきたが、直線状の加工にのみ使用されてきた。
本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、接続孔周囲の透明電極層に分離溝を形成して有効面積を広げて薄膜太陽電池の出力を増加させる手段として、簡易的に構成できる薄膜太陽電池とその製造方法を提供することにある。
On the other hand, as shown in Patent Document 2, for CIGS solar cells, the processing of the separation line has been performed by scanning the blade-shaped processing portion, but it has been used only for linear processing.
The present invention has been made in view of such circumstances, and its purpose is as means for increasing the output of a thin-film solar cell by forming a separation groove in the transparent electrode layer around the connection hole to increase the effective area. An object of the present invention is to provide a thin-film solar cell that can be simply configured and a method for manufacturing the same.

上記の課題を解決するために、本発明によれば、
絶縁性基板の一方の面には、少なくとも一部にモリブデンを含む裏面電極層と光電変換層と透明電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の他方の面には、第1の背面電極層と第2の背面電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成することにより前記絶縁性基板が複数のユニットセルに分割され、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記第1の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池において、
前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層が、刃体の走査(回転)による溝により分離されており、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、電気的に絶縁されていることとする。
In order to solve the above problems, according to the present invention,
On one surface of the insulating substrate, a back electrode layer containing at least part of molybdenum, a photoelectric conversion layer, and a transparent electrode layer are laminated in this order, and the other surface of the insulating substrate has a first electrode A back electrode layer and a second back electrode layer are stacked in this order, and the insulating substrate is formed into a plurality of unit cells by alternately forming patterning lines on the layers stacked on both sides of the insulating substrate. The transparent electrode layer and the second back electrode layer are electrically connected via a first through hole penetrating the insulating substrate, and the back electrode layer and the first back electrode are divided. In a thin film solar cell in which layers are electrically connected via a second through hole penetrating the insulating substrate, and adjacent unit cells are connected in series,
The transparent electrode layer around the second through-hole is separated by a groove formed by scanning (rotation) of a blade, and the transparent electrode layer and the second back electrode layer are electrically insulated. Suppose that

また、本発明によれば、
絶縁性基板に第2の貫通孔を形成するステップと、
前記絶縁性基板の一方の面に少なくとも一部にモリブデンを含む裏面電極層を形成するとともに、前記絶縁性基板の他方の面に第1の背面電極層を形成するステップと、
前記裏面電極層及び前記第1の背面電極層を形成した後に、前記絶縁性基板に第1の貫通孔を形成するステップと、
前記絶縁性基板の一方の面側から光電変換層と透明電極層とを当該順で積層するとともに、前記絶縁性基板の他方の面側から第2の背面電極層を積層するステップと、
前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成して、前記絶縁性基板を複数のユニットセルに分割するステップと、
少なくとも前記透明電極層に刃体を走査(回転)させて、該透明電極層を前記第2の貫通孔の周囲で分割し、前記透明電極と前記第2の背面電極とを電気的に絶縁するステップと、
を含むこととする。
この製造方法は、従来のレーザを用いた方法ではなく、刃体を貫通孔周囲を走査することによって透明電極を除去して行うものである。刃体はモリブデンが硬いため(モリブデンのビッカース硬度は1530MPaである)に電極上部の透明電極及び発電層のみを一部除去して加工できる。
Moreover, according to the present invention,
Forming a second through hole in the insulating substrate;
Forming a back electrode layer containing molybdenum at least in part on one surface of the insulating substrate, and forming a first back electrode layer on the other surface of the insulating substrate;
After forming the back electrode layer and the first back electrode layer, forming a first through hole in the insulating substrate;
Laminating a photoelectric conversion layer and a transparent electrode layer in this order from one surface side of the insulating substrate, and laminating a second back electrode layer from the other surface side of the insulating substrate;
Forming alternating patterning lines for layers laminated on both sides of the insulating substrate, and dividing the insulating substrate into a plurality of unit cells;
At least the transparent electrode layer is scanned (rotated) with a blade, the transparent electrode layer is divided around the second through hole, and the transparent electrode and the second back electrode are electrically insulated. Steps,
Is included.
This manufacturing method is not a method using a conventional laser, but is performed by removing a transparent electrode by scanning a blade body around a through hole. Since the blade is hard in molybdenum (molybdenum has a Vickers hardness of 1530 MPa), it can be processed by removing only a part of the transparent electrode and the power generation layer above the electrode.

また本発明の薄膜太陽電池の製造方法によれば、前記刃体を刃体ツールの軸の周囲を回転させると共に、太陽電池に押し付けて行う。
更に本発明の薄膜太陽電池の製造方法によれば、前記刃体が複数、刃体ツールの同一の軸の周囲に設置されていることを特徴とする。
According to the method for manufacturing a thin film solar cell of the present invention, the blade is rotated around the axis of the blade tool and pressed against the solar cell.
Furthermore, according to the method for manufacturing a thin film solar cell of the present invention, a plurality of the blade bodies are provided around the same axis of the blade body tool.

また本発明の薄膜太陽電池の製造方法によれば、刃体ツールを複数個備えた加工部を設け、複数の加工を同時にすることで処理を更に高速化する。
また、加工部を、加工部の移動用の軸を用いて、ステッピングロール方式により、間歇的に移動させることにより、溝の穿孔を行う。なお、間歇的に移動する際には、加工部が絶縁性基板にぶつからないように、加工部を退避させておく。
Moreover, according to the manufacturing method of the thin film solar cell of this invention, the processing part provided with two or more blade tools is provided, and a process is further speeded up by carrying out several processes simultaneously.
Further, the processing unit is intermittently moved by a stepping roll method using a shaft for moving the processing unit, thereby piercing the groove. In addition, when moving intermittently, the processed part is retracted so that the processed part does not hit the insulating substrate.

また、本発明の薄膜太陽電池によれば、前記光電変換層は、アモルファス半導体或いは微結晶を含むアモルファス半導体、化合物系(カルコパイライト系)の太陽電池のいずれかである。   According to the thin film solar cell of the present invention, the photoelectric conversion layer is either an amorphous semiconductor, an amorphous semiconductor containing microcrystals, or a compound (chalcopyrite) solar cell.

また、本発明の薄膜太陽電池の製造方法によれば、前記絶縁性基板が、フィルム材料から形成されている。
また、本発明の薄膜太陽電池の製造方法によれば、前記フィルム材料が、ポリイミド又はポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレートの耐熱性フィルムである。
Moreover, according to the manufacturing method of the thin film solar cell of this invention, the said insulating substrate is formed from the film material.
Moreover, according to the manufacturing method of the thin film solar cell of this invention, the said film material is a heat resistant film of a polyimide, a polyamideimide, or a polyethylene naphthalate.

本発明に係る薄膜太陽電池によれば、透明電極を、第2の貫通孔の周囲で、刃体を用いて分離することで、透明電極層の有効面積を広げて薄膜太陽電池の出力を増加させることができる。   According to the thin film solar cell according to the present invention, the transparent electrode is separated around the second through-hole by using a blade, so that the effective area of the transparent electrode layer is increased and the output of the thin film solar cell is increased. Can be made.

この構成を採用することで加工溝を裏面電極部分で止めることが容易に出来る。また更にレーザ光で加工溝を形成する場合のような、光電変換層の熱ダメージによるショートも防ぐこともできる。   By adopting this configuration, the processing groove can be easily stopped at the back electrode portion. Furthermore, a short circuit due to thermal damage of the photoelectric conversion layer as in the case of forming a processing groove with a laser beam can also be prevented.

また、本発明の薄膜太陽電池によれば、前記絶縁性基板が、フィルム材料から形成されているので、搬送用のロールで絶縁性基板を搬送する方式(例えば、ロールツーロール方式、ステッピングロール方式)で製造することができ、効率的に薄膜太陽電池の製造を行うことができる。   Moreover, according to the thin film solar cell of the present invention, since the insulating substrate is formed of a film material, a method of transporting the insulating substrate with a transporting roll (for example, a roll-to-roll method, a stepping roll method) The thin film solar cell can be efficiently manufactured.

また、本発明の薄膜太陽電池の製造方法によれば、透明電極が第2の貫通孔を囲う形で分離されることで、透明電極と裏面電極が絶縁する工程を含むので、従来のように第2の貫通孔の近傍にマスク処理を行う必要がなくなり、薄膜太陽電池の製造時の発電面積拡大効果が向上する。 加えて、第2の貫通孔の近傍にマスク処理を行う必要がなくなるので、マスクと基板上の層とが接触して基板上の層が損傷することもなくなる。これにより、薄膜太陽電池においてリーク電流が増加することもなくなり、薄膜太陽電池を製造する際の不良率を低下させることができる。   In addition, according to the method for manufacturing a thin film solar cell of the present invention, since the transparent electrode is separated so as to surround the second through-hole, the transparent electrode and the back electrode are insulated. It is not necessary to perform mask processing in the vicinity of the second through hole, and the power generation area expansion effect at the time of manufacturing the thin film solar cell is improved. In addition, since it is not necessary to perform mask processing in the vicinity of the second through hole, the mask and the layer on the substrate do not come into contact with each other and the layer on the substrate is not damaged. Thereby, leak current does not increase in the thin film solar cell, and the defect rate when manufacturing the thin film solar cell can be reduced.

しかも、第2の貫通孔の周囲で透明電極が分離されて、発電領域下における透明電極層と背面電極層が分離されるため、第2の貫通孔における絶縁性も確保することができる。
加工には刃体を用いることで溝を発電層までで止め、更に発電層への熱によるダメージを抑制することができる。
In addition, since the transparent electrode is separated around the second through hole and the transparent electrode layer and the back electrode layer under the power generation region are separated, the insulating property in the second through hole can be ensured.
By using a blade for processing, the groove can be stopped up to the power generation layer, and damage to the power generation layer due to heat can be suppressed.

また穴の周囲を分離するため、軸の周りを刃体を回転させて加工すると良い。更には複数の刃体を同一の軸の周りに設けた刃体ツールを回転させて加工時間を短縮することができる。   Moreover, in order to isolate | separate the circumference | surroundings of a hole, it is good to process by rotating a blade body around an axis | shaft. Furthermore, the machining time can be shortened by rotating a blade tool provided with a plurality of blades around the same axis.

刃体ツールを複数個設けることでも加工時間を短縮することができる。
加えて、刃体ツールを複数個備えた加工部を、加工部の移動用の軸を用いて、ステッピングロール方式により、間歇的に移動させることにより、多数の溝の穿孔を、より短時間で行うことが可能になる。
The machining time can also be shortened by providing a plurality of blade tools.
In addition, drilling a large number of grooves in a shorter time can be achieved by intermittently moving a processing unit equipped with a plurality of blade tools by a stepping roll method using a shaft for moving the processing unit. It becomes possible to do.

本発明の第1実施形態に係る薄膜太陽電池の平面図である。It is a top view of the thin film solar cell concerning a 1st embodiment of the present invention. (a)は、図1のA−A線断面図であり、(b)は、(a)におけるCの拡大図である。(A) is the sectional view on the AA line of FIG. 1, (b) is an enlarged view of C in (a). (a)は、図1のB−B線断面図であり、(b)は、(a)におけるDの拡大図である。(A) is the BB sectional drawing of FIG. 1, (b) is an enlarged view of D in (a). 本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池を製造する際のフローチャートである。It is a flowchart at the time of manufacturing the thin film solar cell which concerns on embodiment of this invention. 従来の薄膜太陽電池の平面図である。It is a top view of the conventional thin film solar cell. (a)は、図5のA−A線断面図であり、(b)は、(a)におけるCの拡大図である。(A) is the sectional view on the AA line of FIG. 5, (b) is an enlarged view of C in (a). (a)は、図5のB−B線断面図であり、(b)は、(a)におけるDの拡大図である。(A) is the BB sectional drawing of FIG. 5, (b) is an enlarged view of D in (a). 刃体を複数備えた刃体ツールを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the blade tool provided with two or more blade bodies. 複数個の刃体ツールを備えた加工部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the process part provided with the some blade body tool.

以下、本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池を、図面を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る薄膜太陽電池の平面図である。図2は、図1のA−A線断面図であり、(b)は、(a)におけるCの拡大図である。また、図3は、図1のB−B線断面図であり、(b)は、(a)におけるDの拡大図である。
[第1実施形態]
図1及び図2に示すように、本実施形態に係る薄膜太陽電池1は、絶縁性基板2を備えている。この絶縁性基板2は、フィルム材料から形成されており、例えば、ポリイミドやポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレート、あるいはアラミド等の材料から形成されている。
Hereinafter, a thin film solar cell according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of the thin-film solar cell according to the first embodiment. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1, and (b) is an enlarged view of C in (a). 3 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 1, and (b) is an enlarged view of D in (a).
[First Embodiment]
As shown in FIGS. 1 and 2, the thin-film solar cell 1 according to this embodiment includes an insulating substrate 2. This insulating substrate 2 is made of a film material, for example, a material such as polyimide, polyamideimide, polyethylene naphthalate, or aramid.

図2に示すように、絶縁性基板2の表面2aには、Mo/Ag/ZnO等の少なくとも一部にMo層を備える、金属からなる裏面電極層3aが形成されている。また反対面の2bにはAg、Ag/ZnOやAl/ZnOなどからなる背面電極層3bが形成されている。裏面電極層3aがモリブデンのみから成る場合、その厚さは、必要な抵抗を基に設計する必要があるが、0.1μm〜1.0μmである。ただ、CIGS太陽電池のように、モリブデンの一部がセレン化されている時は、セレン化されている部分の厚さは0.2μm程度なので、モリブデン電極の厚さは、0.3μm〜1.2μm程度である。金属電極層3aがMo/Ag/ZnO等の場合は、CIGS太陽電池の場合、その総厚は0.5μm〜1.0μmであり、その場合のモリブデン部分の厚さは0.3μm〜0.5μmである。モリブデン層のうち、セレン化された部分は強度的に弱いので、刃体12により除去される。金属電極層3aは、太陽電池がCIGSではない場合には、総厚は0.3μm〜1.0μmで、モリブデン部分の厚さは0.1μm〜0.3μmである。   As shown in FIG. 2, on the surface 2a of the insulating substrate 2, a back electrode layer 3a made of metal and having a Mo layer at least partially such as Mo / Ag / ZnO is formed. A back electrode layer 3b made of Ag, Ag / ZnO, Al / ZnO, or the like is formed on the opposite surface 2b. In the case where the back electrode layer 3a is made only of molybdenum, the thickness thereof needs to be designed based on the required resistance, but is 0.1 μm to 1.0 μm. However, when a part of molybdenum is selenized like a CIGS solar cell, the thickness of the selenized part is about 0.2 μm, so the thickness of the molybdenum electrode is 0.3 μm to 1 μm. .About 2 μm. When the metal electrode layer 3a is made of Mo / Ag / ZnO or the like, in the case of a CIGS solar cell, the total thickness is 0.5 μm to 1.0 μm, and the thickness of the molybdenum portion in that case is 0.3 μm to 0.00 μm. 5 μm. Since the selenized portion of the molybdenum layer is weak in strength, it is removed by the blade body 12. When the solar cell is not CIGS, the metal electrode layer 3a has a total thickness of 0.3 μm to 1.0 μm and a molybdenum portion thickness of 0.1 μm to 0.3 μm.

以下の実施例では、裏面電極が、平面視で見て、薄膜太陽電池の全ての領域にモリブデン層が存在する場合について述べる。
また、図2に示すように、絶縁性基板2の一方の面2a上にある裏面電極層3aには、光電変換層4と透明電極層5とが当該順で積層されている。ここで、光電変換層4としては、アモルファス半導体や化合物半導体、色素増感形太陽電池、又は有機太陽電池を用いることができる。
In the following examples, a case will be described in which the back surface electrode has a molybdenum layer in all regions of the thin film solar cell as viewed in a plan view.
As shown in FIG. 2, the photoelectric conversion layer 4 and the transparent electrode layer 5 are laminated in this order on the back electrode layer 3 a on the one surface 2 a of the insulating substrate 2. Here, as the photoelectric conversion layer 4, an amorphous semiconductor, a compound semiconductor, a dye-sensitized solar cell, or an organic solar cell can be used.

一方、絶縁性基板2の他方の面2b上にある第1の背面電極層3bには、第2の背面電極層6が積層されている。
図1に示すように、絶縁性基板2の一方の面2a上に積層された層(裏面電極層3a、光電変換層4、透明電極層5)は、レーザ加工による第1のパターニングライン9により複数に分割されている。
On the other hand, the second back electrode layer 6 is laminated on the first back electrode layer 3 b on the other surface 2 b of the insulating substrate 2.
As shown in FIG. 1, the layers (back electrode layer 3a, photoelectric conversion layer 4, transparent electrode layer 5) laminated on one surface 2a of the insulating substrate 2 are formed by a first patterning line 9 by laser processing. It is divided into multiple parts.

また、図1及び図3に示すように、絶縁性基板2の他方の面2b上に積層された層(第1の背面電極層3b、第2の背面電極層6)も同様に、レーザ加工による第2のパターニングライン10により複数に分割されている。ここで、第1のパターニングライン9及び第2パターニングライン10は、絶縁性基板2において互い違いに配置されている。   Further, as shown in FIGS. 1 and 3, the layers (first back electrode layer 3b and second back electrode layer 6) laminated on the other surface 2b of the insulating substrate 2 are similarly laser processed. The second patterning line 10 is divided into a plurality of parts. Here, the first patterning lines 9 and the second patterning lines 10 are alternately arranged on the insulating substrate 2.

図1及び図2に示すように、絶縁性基板2には、絶縁性基板2を貫通する第1の貫通孔7が設けられている。透明電極層5と第2の背面電極層6とは、第1の貫通孔7の側壁部7a上で互いに重なり合うような形で接続している。これにより、絶縁性基板2の一方の面2a上の各層と他方の面2b上の各層とからなるユニットセル(単位太陽電池)が形成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the insulating substrate 2 is provided with a first through hole 7 that penetrates the insulating substrate 2. The transparent electrode layer 5 and the second back electrode layer 6 are connected so as to overlap each other on the side wall portion 7 a of the first through hole 7. Thereby, the unit cell (unit solar cell) which consists of each layer on the one surface 2a of the insulating substrate 2 and each layer on the other surface 2b is formed.

また、図1及び図3に示すように、絶縁性基板2には、絶縁性基板2を貫通する第2の貫通孔8が設けられている。裏面電極層3aと第1の背面電極層3bとは、第2の貫通孔8の側壁部8aを介して電気的に接続されている。すなわち、隣接し合うユニットセルが第2の貫通孔8により電気的に接続されている。詳細には、第1及び第2の貫通孔7,8は、第1及び第2の背面電極層3b,6→第1の貫通孔7→透明電極層5→光電変換層4→裏面電極層3a→第2の貫通孔8→第1の背面電極層3bの順に接続するために利用されている。   As shown in FIGS. 1 and 3, the insulating substrate 2 is provided with a second through hole 8 that penetrates the insulating substrate 2. The back electrode layer 3 a and the first back electrode layer 3 b are electrically connected via the side wall 8 a of the second through hole 8. That is, adjacent unit cells are electrically connected by the second through hole 8. Specifically, the first and second through holes 7 and 8 are formed by the first and second back electrode layers 3b and 6 → the first through hole 7 → the transparent electrode layer 5 → the photoelectric conversion layer 4 → the back electrode layer. It is used for connecting in the order of 3a → second through hole 8 → first back electrode layer 3b.

以上のように、隣接し合うユニットセルを電気的に直列接続することにより、SCAF構造の薄膜太陽電池1が構成されている。
本実施形態の特徴としては、図3に示すように、透明電極5の発電部は第2の貫通孔8の周囲において刃体12により形成された分離溝11において分離されている。
As described above, the thin film solar cell 1 having the SCAF structure is configured by electrically connecting adjacent unit cells in series.
As a feature of the present embodiment, as shown in FIG. 3, the power generation portion of the transparent electrode 5 is separated by a separation groove 11 formed by the blade body 12 around the second through hole 8.

以上のような構成から、透明電極層5と第2の背面電極層6とは、第2の貫通孔8周囲の透明電極5に設けられた分離溝11により電気的に絶縁されている。
次に、本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造方法について図面を参照して説明する。図4は、本実施形態に係る薄膜太陽電池1を製造する際のフローチャートである。
From the above configuration, the transparent electrode layer 5 and the second back electrode layer 6 are electrically insulated by the separation groove 11 provided in the transparent electrode 5 around the second through hole 8.
Next, the manufacturing method of the thin film solar cell which concerns on embodiment of this invention is demonstrated with reference to drawings. FIG. 4 is a flowchart when manufacturing the thin-film solar cell 1 according to this embodiment.

本実施形態に係る薄膜太陽電池1は、絶縁性基板2として上述したようなフィルム材料を用いる。薄膜太陽電池1を製造する方法としては、ロールツーロール方式やインクジェットによる印刷技術を用いる。例えば、ロールツーロール方式は、フィルム材料の基板が複数のロール(搬送手段)によって搬送され、連続して配置された成膜室内において基板上に連続的に薄膜を成膜する方式である。   The thin film solar cell 1 according to this embodiment uses the film material as described above as the insulating substrate 2. As a method for manufacturing the thin-film solar cell 1, a roll-to-roll method or an ink jet printing technique is used. For example, the roll-to-roll method is a method in which a film material substrate is conveyed by a plurality of rolls (conveying means), and a thin film is continuously formed on the substrate in a film forming chamber that is continuously arranged.

薄膜太陽電池1を製造する際には、図4に示すように、まずステップS1において、絶縁性基板2の前処理を行う。具体的には、絶縁性基板2をプラズマ中に曝す事によって表面を洗浄する等の前処理を行なう。   When the thin film solar cell 1 is manufactured, as shown in FIG. 4, first, in step S1, the insulating substrate 2 is pretreated. Specifically, pretreatment such as cleaning the surface by exposing the insulating substrate 2 to plasma is performed.

次に、ステップS2において、絶縁性基板2に第2の貫通孔8を形成する。第2の貫通孔8はパンチング(穿孔法)により形成する。第2の貫通孔8の形状としては、直径が1mmの円形としている。第2の貫通孔8は、円形の直径を0.05〜1mmの範囲で設定され、穿孔数は設計に応じて調整することができる。   Next, in step S <b> 2, the second through hole 8 is formed in the insulating substrate 2. The second through hole 8 is formed by punching (a perforating method). The shape of the second through hole 8 is a circle having a diameter of 1 mm. The second through-hole 8 has a circular diameter in the range of 0.05 to 1 mm, and the number of perforations can be adjusted according to the design.

次に、ステップS3において、スパッタリング処理を行うことにより絶縁性基板2の両面2a,2bに裏面電極層3a及び第1の背面電極層3bを形成する。この際、裏面電極層3a及び第1の背面電極層3bが第2の貫通孔8を介して電気的に接続することになる。   Next, in step S3, a back electrode layer 3a and a first back electrode layer 3b are formed on both surfaces 2a and 2b of the insulating substrate 2 by performing a sputtering process. At this time, the back electrode layer 3 a and the first back electrode layer 3 b are electrically connected through the second through hole 8.

その後、ステップS4において、絶縁性基板2の受光面側に形成した層をレーザ加工により直線状に除去して1次パターニングライン(図示せず)を形成する。この際、絶縁性基板2の両面2a,2bに形成するラインは、互いにずらして形成される。   Thereafter, in step S4, the layer formed on the light receiving surface side of the insulating substrate 2 is linearly removed by laser processing to form a primary patterning line (not shown). At this time, the lines formed on both surfaces 2a and 2b of the insulating substrate 2 are formed so as to be shifted from each other.

そして、ステップS5において、絶縁性基板2に第1の貫通孔7を形成する。第1の貫通孔7はパンチングにより形成する。
そして、ステップS6において、絶縁性基板2の裏面電極層3a上に光電変換層4を形成し、その後、ステップS7において、光電変換層4上に更に透明電極層5を形成する。
In step S <b> 5, the first through hole 7 is formed in the insulating substrate 2. The first through hole 7 is formed by punching.
In step S6, the photoelectric conversion layer 4 is formed on the back electrode layer 3a of the insulating substrate 2, and then in step S7, the transparent electrode layer 5 is further formed on the photoelectric conversion layer 4.

次に、ステップS8において、絶縁性基板2の第1の背面電極層3b上に第2の背面電極層6を形成する。
次に、ステップS9において、ステップS4で形成した1次パターニングライン上の光電変換層4及び透明電極層5を、レーザ加工により再度直線状に除去して第1のパターニングライン9を形成する。
Next, in step S <b> 8, the second back electrode layer 6 is formed on the first back electrode layer 3 b of the insulating substrate 2.
Next, in step S9, the photoelectric conversion layer 4 and the transparent electrode layer 5 on the primary patterning line formed in step S4 are removed again linearly by laser processing to form the first patterning line 9.

さらに、ステップS10において、第2の背面電極層6を、レーザ加工により直線状に除去して第2のパターニングライン10を形成する。 第1のパターニングラインと第2のパターニングラインとは、互い違いに形成されている。
更に、ステップS11において、ステップS7において形成した透明電極をステップS2で形成した第2貫通孔周囲において、刃体12により分離することで、分離溝11で囲われた部分の外側の透明電極と電極3が分離され、第1及び第2のパターニングライン9,10により絶縁性基板2上の層が複数のユニットセルに分離され、薄膜太陽電池1の直列接続が完成する。
刃体12による分離溝11の加工について、図8と図9により説明する。
刃体12により第2の貫通孔の周囲に形成される溝11の幅は、30〜100μmである。刃体12の刃先の幅もこの幅と同程度である。
この溝は貫通孔の周囲を囲って設けるため、加工は刃体ツール13の軸の周りを回転させて行うと良い。更には図8に示すように同一の軸の周りに複数の刃体12(図8の例では、刃体ツール13は、円周上に刃体12が3個設けられたものである)を設けた刃体ツール13を設けることで、加工速度を上げることができる。
Further, in step S10, the second back electrode layer 6 is linearly removed by laser processing to form a second patterning line 10. The first patterning line and the second patterning line are formed alternately.
Further, in step S11, the transparent electrode formed in step S7 is separated by the blade body 12 around the second through hole formed in step S2, so that the transparent electrode and the electrode outside the portion surrounded by the separation groove 11 are separated. 3 is separated, and the layers on the insulating substrate 2 are separated into a plurality of unit cells by the first and second patterning lines 9 and 10, and the series connection of the thin-film solar cells 1 is completed.
Processing of the separation groove 11 by the blade body 12 will be described with reference to FIGS.
The width of the groove 11 formed around the second through hole by the blade body 12 is 30 to 100 μm. The width of the blade edge of the blade body 12 is about the same as this width.
Since this groove is provided so as to surround the periphery of the through hole, the machining is preferably performed by rotating around the axis of the blade tool 13. Furthermore, as shown in FIG. 8, a plurality of blade bodies 12 (in the example of FIG. 8, the blade tool 13 is provided with three blade bodies 12 on the circumference) around the same axis. By providing the provided blade tool 13, the processing speed can be increased.

更に図9に示すように刃体ツール13を複数個設けた加工部14を設けることで加工速度をより向上させることができ、一度に複数の穿溝を行うことができる。
図9においては、複数の刃体ツール13を備えた加工部14が存在し、その加工部14が加工部の移動用軸15により移動できるように構成されている。したがって、この加工部の移動用軸15を間歇的に駆動(ステッピングロール方式)すれば、第2の貫通孔の周囲に穿溝を連続的に形成することができる。
Further, as shown in FIG. 9, by providing the processing portion 14 provided with a plurality of blade tools 13, the processing speed can be further improved, and a plurality of grooves can be formed at a time.
In FIG. 9, there is a processing unit 14 including a plurality of blade tools 13, and the processing unit 14 is configured to be moved by a moving shaft 15 of the processing unit. Therefore, if the shaft 15 for movement of this processing part is driven intermittently (stepping roll method), the piercing groove can be continuously formed around the second through hole.

本発明の第1実施形態に係わる薄膜太陽電池によれば、刃体12により、透明電極層5が第2の貫通孔8の周囲において、刃体12により分割されて成るので、従来のようなレーザやマスクの使用が不要になり、薄膜太陽電池の有効発電面積が向上する。本構成は裏面電極3aの少なくとも一部にモリブデンを含んでいるので、特にCIGS太陽電池やCIS薄膜太陽電池において有用である。   According to the thin film solar cell according to the first embodiment of the present invention, the transparent electrode layer 5 is divided by the blade body 12 around the second through-hole 8 by the blade body 12, so that Use of a laser or a mask becomes unnecessary, and the effective power generation area of the thin film solar cell is improved. Since this structure contains molybdenum in at least a part of the back electrode 3a, it is particularly useful for CIGS solar cells and CIS thin film solar cells.

アモルファス系薄膜太陽電池などの場合は、裏面電極3aを、平面視で見て、第2の貫通孔8の周囲の部分のみ、モリブデン層で形成するようにしても良いが、実際に部分的にモリブデン層を形成することは難しい。   In the case of an amorphous thin film solar cell or the like, the back electrode 3a may be formed of a molybdenum layer only in a portion around the second through-hole 8 when viewed in plan view. It is difficult to form a molybdenum layer.

本発明の第1実施形態に係る薄膜太陽電池1の製造方法によれば、透明電極層5を貫通孔8の周囲で、刃体12により分離する工程を含むので、従来のように第2の貫通孔の近傍にマスク処理を行う必要がなくなり、薄膜太陽電池1の製造時の歩留まりが向上する。本方法も裏面電極の少なくとも一部にモリブデンを含んでいるので、特にCIGS太陽電池の製造方法において有用である。
加えて、第2の貫通孔8の近傍にマスク処理を行う必要がなくなるので、マスクと絶縁性基板2上の層とが接触して絶縁性基板2上の層が損傷することもなくなる。これにより、薄膜太陽電池1においてリーク電流が増加することもなくなり、薄膜太陽電池1を製造する際の不良率を低下させることができる。
According to the method for manufacturing the thin-film solar cell 1 according to the first embodiment of the present invention, since the transparent electrode layer 5 includes the step of separating the transparent electrode layer 5 around the through-hole 8 by the blade body 12, It is not necessary to perform mask processing in the vicinity of the through hole, and the yield at the time of manufacturing the thin film solar cell 1 is improved. Since this method also contains molybdenum in at least a part of the back electrode, it is particularly useful in a method for manufacturing a CIGS solar cell.
In addition, since it is not necessary to perform mask processing in the vicinity of the second through-hole 8, the mask and the layer on the insulating substrate 2 do not come into contact with each other and the layer on the insulating substrate 2 is not damaged. Thereby, the leakage current does not increase in the thin film solar cell 1, and the defect rate when the thin film solar cell 1 is manufactured can be reduced.

本発明では、第2の貫通孔の周囲に刃体12を走査して行うので、周囲の層の熱によるダメージを抑制し、更には、ビッカース硬度が1530MPaである硬いモリブデンにおいて刃体12が止まることから、容易に加工ができるという利点も有る。   In the present invention, since the blade body 12 is scanned around the second through hole, damage due to heat of the surrounding layers is suppressed, and further, the blade body 12 stops in hard molybdenum having a Vickers hardness of 1530 MPa. Therefore, there is an advantage that it can be easily processed.

以上、本発明の実施の形態につき述べたが、本発明は既述の実施形態に限定されるものでなく、本発明の技術的思想に基づいて各種の変形及び変更が可能である。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made based on the technical idea of the present invention.

1 薄膜太陽電池
2 絶縁性基板
3 金属電極層
3a 裏面電極層
3b 第1の背面電極層
4 光電変換層
5 透明電極層
6 第2の背面電極層
7 第1の貫通孔
8 第2の貫通孔
9 第1のパターニングライン
10 第2のパターニングライン
11 溝
12 刃体
13 刃体ツール
14 加工部
15 加工部の移動用軸
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Thin film solar cell 2 Insulating substrate 3 Metal electrode layer 3a Back surface electrode layer 3b 1st back surface electrode layer 4 Photoelectric conversion layer 5 Transparent electrode layer 6 2nd back surface electrode layer 7 1st through-hole 8 2nd through-hole 9 1st patterning line 10 2nd patterning line 11 Groove 12 Blade body 13 Blade body tool 14 Processing part 15 Shaft for movement of processing part

Claims (8)

絶縁性基板の一方の面には、少なくとも一部にモリブデンを含む裏面電極層と光電変換層と透明電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の他方の面には、第1の背面電極層と第2の背面電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成することにより前記絶縁性基板が複数のユニットセルに分割され、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記第1の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池において、
前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層が、刃体の走査による溝により分離されており、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、電気的に絶縁されていることを特徴とする薄膜太陽電池。
On one surface of the insulating substrate, a back electrode layer containing at least part of molybdenum, a photoelectric conversion layer, and a transparent electrode layer are laminated in this order, and the other surface of the insulating substrate has a first electrode A back electrode layer and a second back electrode layer are stacked in this order, and the insulating substrate is formed into a plurality of unit cells by alternately forming patterning lines on the layers stacked on both sides of the insulating substrate. The transparent electrode layer and the second back electrode layer are electrically connected via a first through hole penetrating the insulating substrate, and the back electrode layer and the first back electrode are divided. In a thin film solar cell in which layers are electrically connected via a second through hole penetrating the insulating substrate, and adjacent unit cells are connected in series,
The transparent electrode layer around the second through hole is separated by a groove formed by scanning a blade, and the transparent electrode layer and the second back electrode layer are electrically insulated. A thin film solar cell characterized by
絶縁性基板に第2の貫通孔を形成するステップと、
前記絶縁性基板の一方の面に少なくとも一部にモリブデンを含む裏面電極層を形成するとともに、前記絶縁性基板の他方の面に第1の背面電極層を形成するステップと、
前記裏面電極層及び前記第1の背面電極層を形成した後に、前記絶縁性基板に第1の貫通孔を形成するステップと、
前記絶縁性基板の一方の面側から光電変換層と透明電極層とを当該順で積層するとともに、前記絶縁性基板の他方の面側から第2の背面電極層を積層するステップと、
前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成して、前記絶縁性基板を複数のユニットセルに分割するステップと
少なくとも前記透明電極層に刃体を走査させて、該透明電極層を前記第2の貫通孔の周囲で分割し、前記透明電極と前記第2の背面電極とを電気的に絶縁するステップと、
を含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
Forming a second through hole in the insulating substrate;
Forming a back electrode layer containing molybdenum at least in part on one surface of the insulating substrate, and forming a first back electrode layer on the other surface of the insulating substrate;
After forming the back electrode layer and the first back electrode layer, forming a first through hole in the insulating substrate;
Laminating a photoelectric conversion layer and a transparent electrode layer in this order from one surface side of the insulating substrate, and laminating a second back electrode layer from the other surface side of the insulating substrate;
Alternately forming patterning lines on the layers laminated on both sides of the insulating substrate, dividing the insulating substrate into a plurality of unit cells, and scanning at least the transparent electrode layer with a blade, Dividing the transparent electrode layer around the second through hole to electrically insulate the transparent electrode from the second back electrode;
The manufacturing method of the thin film solar cell characterized by including.
前記透明電極層の分離を、軸の周りに前記刃体を回転させて行うことを特徴とする請求項2に記載の薄膜太陽電池の製造方法   3. The method for manufacturing a thin-film solar cell according to claim 2, wherein the transparent electrode layer is separated by rotating the blade around an axis. 前記透明電極層の分離を、同一の軸の周りに刃体を複数個設けた刃体ツールを用いて行うことを特徴とする請求項2または3に記載の薄膜太陽電池の製造方法   The method for producing a thin-film solar cell according to claim 2 or 3, wherein the transparent electrode layer is separated using a blade tool having a plurality of blades around the same axis. 前記刃体ツールを複数個備えた加工部を設けて加工することを特徴とする請求項4に記載の薄膜太陽電池の製造方法   5. The method for manufacturing a thin-film solar cell according to claim 4, wherein a processing unit including a plurality of the blade tools is provided for processing. 前記絶縁性基板が、フィルム材料から形成されていることを特徴とする請求項2ないし5のいずれか一項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。   The method for manufacturing a thin-film solar cell according to any one of claims 2 to 5, wherein the insulating substrate is formed of a film material. 前記フィルム材料が、ポリイミド又はポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレート、の耐熱性フィルムであることを特徴とする請求項6に記載の薄膜太陽電池の製造方法。   The method for producing a thin-film solar cell according to claim 6, wherein the film material is a heat-resistant film of polyimide, polyamideimide, or polyethylene naphthalate. 軸の中心の周囲に複数の刃体を設けた刃体ツールと、前記刃体ツールを複数個備えた加工部と、前記加工部が備え付けられた、加工部の移動用の軸とを備え、前記加工部の移動用の軸を間歇的に移動させて、薄膜太陽電池に設けられた第2の貫通孔の周囲に溝を設けることを特徴とする請求項2に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
A blade tool provided with a plurality of blade bodies around the center of the shaft, a processing unit provided with a plurality of the blade tool, and a shaft for moving the processing unit provided with the processing unit, 3. The thin-film solar cell according to claim 2, wherein a groove is provided around the second through hole provided in the thin-film solar cell by intermittently moving the moving shaft of the processed portion. Method.
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