JP2014056915A - グラフェンを含むポリビニリデンフルオライドのフィルムからなる圧電体 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来のポリビニリデンフルオライド(PVDF)に比べ、圧電性能が飛躍的に向上したPVDF圧電体(圧電体フィルム)を得る。
【解決手段】本発明に係る圧電体は、グラフェン粉末を含むポリビニリデンフルオライドのフィルムからなる。グラフェン粉末の含有率は0.01重量%以上(特に0.04〜0.07重量%)が好ましい。圧電性能(開放電圧)が従来のPVDFに比べ50%以上向上する。この圧電体は、音響装置、超音波装置、医療機器、計測装置、情報処理機器等のセンサとして利用(応用)することができる。
【選択図】なし
Description
本発明はグラフェンを含むポリビニリデンフルオライドのフィルムからなる圧電体に関する。
ポリビニリデンフルオライドは、ポリフッ化ビニリデンとも呼ばれ、PVDFと略称される。PVDFは、重合度800〜1500程度の結晶性高分子である。融解温度は160〜180℃で溶融状態から結晶化させるとα結晶(単斜晶系、C2h)となるが、フィルム状に延伸処理するとβ結晶(斜方晶、C2v)となり、自発分極を有する結晶構造となる。更にこれをポーリング処理すると圧電体(圧電性フィルム)となり、既に実用に供されている。
圧電体の圧電性能は、圧電歪定数d31で表わされることが多い。このd31の意味を知るべくインターネット上で検索すると、圧電セラミックス、強誘電体読本−Technical Handbook for Piezoceramics and Ferroelectrics、Japanese version− 楠本慶二(Kusumoto Keiji)著<2012年6月版>がヒットする。その33項には、圧電歪定数d31について「圧電体に電界(V/m)を印加した場合に、どれだけ変位するかを表す係数」と説明されており、更に「電界方向と変位方向の関係によってd33やd31、d32、d15〔単位 m/V、C/N〕で表現される」と説明されている。つまり、d31の単位はm/V又はC/Nであり、両者は等価である。
また、(公益社団法人)計測自動制御学会は、創立50周年記念事業(Y50)の一環としてインターネット上にサイトを開設しており、そのサイトにあるオンライン・ハンドブック「ファイル:Book−95−1.jpg」において、PVDFの圧電歪定数d31について、「20pC/N」と報告している。また、株式会社東京センサのホームページ(http://www.t−sensor.co.jp/piezo_film/feature/)には、「23pC/N」と紹介されている。
他方、グラフェン(graphene)は、理想的には1原子の厚さの炭素原子のシート状で、炭素原子とその結合からできた蜂の巣のような六角形格子構造を有する。ただ、シート状と言っても、それは電子顕微鏡で見るレベルでのことであり、肉眼では粉末である。グラフェンは高強度、高導電性、高熱伝導性、透明性、また、シリコンの1000倍もの電子移動度といった特性を持つ。最近、グラフェンを比較的容易に製造できるようになり、エレクトロニクス材料への応用が盛んに試みられている。(株)エヌ・ティー・エスより2012年6月12日に発行された『グラフェンが拓く材料の新領域』によると、グラフェンの各種物性値は下の表1のようになる。
また、アメリカ化学会(American Chemical Society)が2011年12月23日にインターネット上でオンライン発表した論文がある。この論文は、Mitchell T.Ong and Evan J.Reed、“Engineered Piezoelectricity in Graphene”、ACS NANO、Vol.6、NO.2、pp.1387−1394、2012である。この論文には「グラフェン圧電体」が報告されている。著者のOng氏らは、同論文の第1387ページ左欄の中ほどで、「Unfortunately、nanocarbon materials like 2D graphene are not intrinsically piezoelectric」と報告している。つまり、グラフェン(非修飾)は圧電性能を示さないと報告している。
そのため、Ong氏らは、グラフェンの片面にリチウム、水素、カリウム、フッ素等をドーピング(doping)することにより、圧電性能(圧電歪定数d31)について、同論文第1389ページの左欄最下部で「We find that the maximum d31 coefficient that we calculated (3.0×10−1pm/V) is comparable to a theoretical・・・・」と述べている。つまり、「ドープしたグラフェン」の圧電歪定数d31を最大でも「0.3pm/V」と報告している。
それに対して、PVDFの圧電歪定数d31は、上述の通り、20〜23pC/N、即ち20〜23pm/Vである。つまり、Ong氏らの報告する「ドープしたグラフェン」の圧電性能(圧電歪定数d31)は、PVDFに比べれば、0.3/20〜0.3/23、つまり、1/80程度と非常に小さく、無視できる。
Mitchell T.Ong and Evan J.Reed、 "Engineered Piezoelectricity in Graphene"、ACS NANO、Vol.6、NO.2、pp.1387−1394、2012
上記のとおり、従来のPVDFの圧電性能は十分ではないため、本発明はこれを高めることを目的とする。
本発明者らは、鋭意研究の結果、「PVDFの圧電性能に比べれば圧電性能がないか又は無視しできるほどに小さいグラフェン」の粉末をPVDFに少量添加すると、驚くべきことに、PVDFの圧電性能が飛躍的に向上することを見出し、本発明を成すに至った。即ち、本発明は、「グラフェン粉末を含むポリビニリデンフルオライド(PVDF)のフィルムからなる圧電体(圧電体フィルム)」を提供する。
本発明によれば、PVDF(純粋)に比べ圧電性能が飛躍的に向上したPVDF圧電体(圧電体フィルム)が得られる。
グラフェンは、最近、研究が進んでおり、容易に入手、又は製造することができるので、ここでは説明を省略する。また、グラフェンは修飾されたグラフェンでも良い。本発明では粉末で使用するが、プレート状のグラフェンの面内サイズとしては数百nm〜数μmのものが好ましい。
他方、PVDFは既に商業生産されており容易に入手できる。PVDFは、重合度800〜1500程度の結晶性高分子である。融解温度は160〜180℃で溶融状態から結晶化させるとα結晶(単斜晶系、C2h)となるが、フィルム状に延伸処理するとβ結晶(斜方晶系、C2v)となり、自発分極を有する結晶構造となる。
グラフェン粉末をPVDFに含ませるには、例えば、PVDF溶液にグラフェンを投入し撹拌して均一化した後、キャスティング法によりフィルムを得る方法や、PVDFを加熱して溶融状態にして、そこにグラフェン粉末を混ぜ、混練する方法がある。PVDF溶液は、PVDF粉末を適当な溶媒例えば、ジメチルフォルムアミド、メチルエチルケトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドンに加え、攪拌しながら溶かすことで作ることができある。
グラフェン粉末の添加率は、0.01重量%以上、好ましくは0.04〜0.07重量%である.0.10重量%以上添加しても、圧電性能は横ばいで更なる向上はない。
こうして「グラフェン粉末を含むPVDF」のフィルムができたならば、次に従来のPVDFと同様に延伸処理する。例えば、4〜5倍に延伸する。これにより、PVDF分子がα結晶からβ結晶に変わる。延伸後のフィルムの厚さは、例えば、60〜80μm前後である。
続いて、従来のPVDFと同様にポーリング処理(分極処理)する。種々の処理方法が知られており、簡単には一対の電極で挟んで高電圧を印加すれば良い。
ここで、グラフェン/PVDFからなる圧電体の実施例を示す。グラフェン/PVDFからなる圧電体の作製方法、開放電圧の測定方法、X線回折とフーリエ変換赤外分光法による結晶構造解析、及び偏光顕微鏡による結晶構造観察等の例を具体的に説明する。
圧電体(圧電体フィルム)は、グラフェンの含有率(重量%)を変えて、0%(比較例)、0.01%、0.02%、0.03%、0.05%、0.10%、0.20%の7種類を作成した.
プラスチック容器に所定重量のグラフェン粉末と溶媒として20gのジメチルホルムアミド(DMF)を加え、容器に蓋をした後、超音波分散機にて30分間×3回撹拌した。今回用いたグラフェン粉末には、1層のものもあり、 数層あるいは数十層のものもある。そのうち約50%は1層である。約25層のものは図1で示される。1層のグラフェンについては、原子力顕微鏡(AFM)の観察により、フレークの最小厚さは1.034nmと測定された。理論上で1層の厚さは0.78nmであるが、表面に酸化物や付着物があるため、このようなフレーク(最小厚さ1.034nm)が1層のものと考えられる。
次に容器に所定重量のPVDF粉末と10gのDMFを加え、容器に蓋をした後、この容器を遊星型混練機にセットし、2000rpmで10分間攪拌した。ここでの重量比は、(グラフェン+PVDF):DMF=1:3である。更に容器の内容物を超音波分散機にて5分間撹拌した。再び、容器を遊星型混錬機にセットし、2000rpmで10分間攪拌した。続いて同じ遊星型混錬機にて脱泡を1分間行った。
こうして得られた「グラフェン粉末を含むPVDFのDMF溶液」をアルミニウム製容器(幅12×奥行60×高さ0.25cm)に流し込んだ。その後、この容器をホットプレートに乗せ、90℃に熱しながら、上から風をあて、乾燥させた。その結果、厚さ平均340μmのフィルムが得られた。
得られたフィルムを40mm×50mmの長方形に切り出し、万能試験機にて加熱しながら一軸延伸処理した。このときの条件は次の通りである。
引張速度:10mm/分、加熱温度60〜70℃、延伸倍率:4〜5倍
引張速度:10mm/分、加熱温度60〜70℃、延伸倍率:4〜5倍
こうして延伸処理されたフィルムを30mm×30mmの正方形に切り出し、ポーリング処理のため、その正方形のフィルムの両面に電極として導電性接着剤でアルミ箔(30mm×30mmの正方形)を貼り付けた。この「アルミ箔/フィルム/アルミ箔」の3層構造物を以下「試料」と言う。
次に試料を直流高圧電源にてポーリング処理を行った。まず、試料の2つのアルミ箔にそれぞれ導電性接着剤で導線を接着することにより接続した。図2に示すように、試料をシリコンオイルに浸し、導線を通じて前記フィルムに直流高圧電源から所定の高電界を印加した。このとき、ステップワイズ法(Step−wise poling)を採用した。この方法は室温で行うことができ、かつ、フィルムが絶縁破壊され難いという利点を持つ。この方法では、電界印加のオン−オフ(on−off)を繰り返し行いながら、段階的に印加電界を上げて行く。ここでは、図3に示すように、電界印加(on)時間tp:8分、電界休止(off)時間ti:4分、on-off繰り返し回数:5回、最初(最小)の印加電界:20MV/m、最後(最大)の印加電界:60MV/mとした。図2の縦軸が電界強度Field Strength(MV/m)で横軸が時間(分)である。
次に得られたフィルム(圧電体)の圧電性能を調べた。各グラフェン含有率における出力電圧を図7に示す。計測条件について以下に述べる。開放電圧の測定実験に用いた装置を図4に示す。まず、同じフィラーの含有率のフィルムを3 枚ずつ、アルミニウム梁の固定端付近にエポキシ樹脂を用いて貼り付けた(図5)。1枚の寸法は3cm×3cm×70μm、この梁の一端を固定し、他端裏面に磁石を取り付け、電磁石を用いて加振させた。このときファンクションジェネレータ、アンプを通して、一次周波数付近である30Hzの正弦波電圧を電磁石に印加し、その際の変位をレーザー変位計で読み取り、先端変位が1mmとなるよう印加電圧の大きさを調整した。このように、同じ周波数および先端変位の下、フィラーの各含有率におけるフィルムの開放電圧を測定、比較した。
図6に示すように、フィルム両面間の開放電圧Vは以下の数式1で表すことができる。
ここで、Q:フィルムの蓄えたチャージ、C:フィルムの静電容量、T1:フィルムの1方向の応力、 ε33: 無応力状態におけるフィルムの誘電率、 E’:フィルムのヤング率、ε’:フィルムのひずみ、d31:圧電歪定数、g31:圧電出力定数である。
グラフェンの添加は微量であるため、フィルムのヤング率E’の変化は無視できると考えられる。そのために、グラフェンの添加による開放電圧Vの増加は直接圧電出力定数g31の増加と繋がられる。さらに、g31とd31との間に、g31=d31/ε33の関係があるため、フィルムの誘電率にはグラフェンの添加による変化がなければ、d31の増加もg31のものと同じになり、0.05wt.%グラフェンの添加により約3倍の圧電効果が得られる。表2、図8と9に、それぞれグラフェンの添加量と出力電圧および出力電圧の増加率との関係を示す。
続いて、延伸処理前と後のフィルムにおけるαとβ型結晶について、X線回折法により分析を行った。その回折強度を図10、11に示す。実際、PVDFに圧電効果を持つ結晶はβ型結晶であることはよく知られており、図10に示すように、延伸前のサンプルでは2θ=18.5°、19.9°、26.5°付近にXRDピークが現れており、それぞれα型結晶の(020)面、(110)面、(021)面に対応している。またα型結晶に対応するピークが現れていないことから、延伸処理を施さないサンプル中では、α型結晶が優勢であることがわかる。
一方、図11においては、延伸処理を施すことによって2θ=20.6°付近に大きなピークが現れており、これはβ型結晶の(110)面に対応している。また延伸後のXRDスペクトルから、α型結晶に対応するピークはわずかに確認できるものの、ほぼ消失していることがわかる。このことから延伸処理によって、最も安定な結晶構造であるα型結晶から不安定な結晶構造であるβ型結晶にほぼ転移したものと考えられる。グラフェン添加の効果については、図10と11には、0.05wt.%の添加量におけるそれぞれα 型結晶とβ型結晶と対応するXRDピークが一番鋭いことから、ほかのサンプルより、このサンプルのα型結晶とβ型結晶の量は一番多いと推測できる。
また、図12、13には、延伸処理前と後のフィルムにおけるフーリエ変換赤外分光法(FT−IR)の解析結果を示す。このグラフから、図10、11の観察結果と同じように、延伸前のサンプルにはほぼα型結晶、延伸後のサンプルにはほぼβ型結晶があるという結論は明らかになった。また、図12、13から二色性比(β型結晶のピーク値/それぞれのα 型結晶のピーク値)の結果を整理し図14と15にβ型結晶の割合を示す。図14、15におけるいずれの線においても、0.05wt.%グラフェンの添加はβ型結晶の最大の割合を示すことにより、それに伴い最大の圧電効果を引き出したと言える。
さらに、偏光顕微鏡(POM)による延伸処理前のグラフェン/PVDFの3種類のサンプルの結晶組織の定性的観察を行った。その結果は図16、17、18で示される。純粋のPVDFと比べて、0.05wt.%グラフェンの添加による小球状結晶(スフェルライト、主にα型結晶)の数の増加と微細化傾向の確認ができ、延伸処理により、より多くのβ型結晶を生成したのではないかと考えられる。また、0.2wt.%グラフェンの添加の場合には、結晶の微細化傾向を確認できるももの、結晶度が低くになると見て取れる。そのために、グラフェンの過剰添加は延伸処理前のα型結晶度を妨げるのではないかと推測できる。
最適なグラフェンの添加量はPVDFのβ型結晶の割合を向上させ、それに伴う材料の高い圧電性能を実現した。このような圧電性能向上のメカニズムはグラフェン自身の圧電効果に関わっていないと断定できる。
本発明の圧電体は、音響装置、超音波装置、医療機器、計測装置、情報処理機器等のセンサとして利用(応用)することができる。例えば、音響装置への応用には、2kHz以上を動作範囲とするスピーカ、ヘッドフォン、電話送受話器など。超音波装置への応用には、超音波診断・探傷装置、超音波顕微鏡、超音波マイクロフォン、AEセンサ、SAWセンサなど。医療機器への応用には、血圧計、脈拍計、触覚センサ、陣痛計など。計測装置への応用には、加速度センサ、衝撃センサ、振動センサなど。情報処理機器への応用には、キーボード、無接点スイッチ、座標入力装置など。
また、本発明の圧電体は、焦電性も有しており、赤外温度センサ例えば 防犯センサ、火災センサ、レーザーパワーメータなどにも応用が可能である。更に本発明の圧電体は、センサばかりではなく、環境発電(つまり、機械エネルギーから電気エネルギーへの変換)素子又は材料としての応用も期待される。
1:高圧電源装置
2:シリコンオイル
3:アルミニウム箔
4:グラフェン/PVDFフィルム
5:試料(圧電体)
6:ゴムシート
7:レーザー変位センサ
8:アルミニウム板(はり)
9:電磁石
10:ファンクションジェネレータ
11:アンプリファー
12:オシロスコープ
2:シリコンオイル
3:アルミニウム箔
4:グラフェン/PVDFフィルム
5:試料(圧電体)
6:ゴムシート
7:レーザー変位センサ
8:アルミニウム板(はり)
9:電磁石
10:ファンクションジェネレータ
11:アンプリファー
12:オシロスコープ
Claims (5)
- グラフェン粉末を含むポリビニリデンフルオライドのフィルムからなる圧電体。
- 請求項1に記載の圧電体において、前記グラフェンを0.01重量%以上含むことを特徴とする圧電体。
- 請求項1に記載の圧電体において、前記グラフェンを0.04〜0.07重量%含むことを特徴とする圧電体。
- 請求項1に記載の圧電体において、前記フィルムが延伸処理されていることを特徴とする圧電体。
- 請求項1に記載の圧電体において、前記フィルムがポーリング処理されていることを特徴とする圧電体。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012200198A JP2014056915A (ja) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | グラフェンを含むポリビニリデンフルオライドのフィルムからなる圧電体 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012200198A JP2014056915A (ja) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | グラフェンを含むポリビニリデンフルオライドのフィルムからなる圧電体 |
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JP2012200198A Pending JP2014056915A (ja) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | グラフェンを含むポリビニリデンフルオライドのフィルムからなる圧電体 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2019171650A1 (ja) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | 株式会社クレハ | 圧電体フィルム、圧電体フィルムの製造方法、および、圧電体デバイス |
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2012
- 2012-09-12 JP JP2012200198A patent/JP2014056915A/ja active Pending
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