JP2014045093A - Substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus - Google Patents

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Toshio Kimura
敏夫 木村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To inhibit a fluent solution component obtained by vapor condensation of a solution coated on a semiconductor wafer from leaking from a gap between a roller body 111 of a guide roller 110 and a roller guide 112 loaded on the roller body 111 and accumulating at a lower end of a side wall of the roller guide 112 in a substrate transfer apparatus equipped with the guide roller composed of ceramic as a porous material.SOLUTION: A substrate transfer apparatus for transferring a semiconductor wafer comprises a guide roller 110 including a cylindrical roller body 111 and a roller guide 112 loaded on the roller body 111; and through holes 111a, 111b which are formed in the vicinity to boundaries Bn between guide loaded parts 110b on which the roller guide 112 is loaded and an exposed part 110b between the opposing roller guide. As a result, leaked fluent solution component is inhaled from the through holes 111a, 111b to the inside 111c of the roller body 111 due to negative pressure of the inside 111c of the roller body 111.

Description

本発明は、基板搬送装置および基板処理装置に関し、特に、半導体ウェハなどの被処理基板を基板搬送装置により基板乾燥装置などの基板処理装置内で移動させて被処理基板に塗布した基板処理用溶液(以下、単に溶液という。)を乾燥させる際に、蒸発した溶液が凝集して基板搬送装置の搬送ローラに流動性の滞留物(流動性溶液成分)として付着するのを防止する構造、及びこのような構造の基板搬送装置を用いた基板処理装置に関するものである。   The present invention relates to a substrate transfer apparatus and a substrate processing apparatus, and in particular, a substrate processing solution in which a substrate to be processed such as a semiconductor wafer is moved by the substrate transfer apparatus in a substrate processing apparatus such as a substrate drying apparatus and applied to the substrate to be processed. (Hereinafter, simply referred to as a solution), and a structure that prevents the evaporated solution from aggregating and adhering to the transport roller of the substrate transport apparatus as a flowable stay (fluid solution component), and this The present invention relates to a substrate processing apparatus using a substrate transfer apparatus having such a structure.

半導体装置の製造工程には、半導体ウェハに拡散層や配線層を形成するための成膜プロセスやパターニングプロセスとともに、半導体ウェハに塗布した溶液や半導体ウェハの洗浄に用いた洗浄液を乾燥させる乾燥プロセスが含まれている。   The semiconductor device manufacturing process includes a film forming process and a patterning process for forming a diffusion layer and a wiring layer on the semiconductor wafer, and a drying process for drying the solution applied to the semiconductor wafer and the cleaning liquid used for cleaning the semiconductor wafer. include.

このような乾燥プロセスでは、半導体ウェハを乾燥させる乾燥炉と、この乾燥炉内で半導体ウェハを搬送する基板搬送装置とを備えた基板乾燥装置(基板処理装置)が用いられる。   In such a drying process, a substrate drying apparatus (substrate processing apparatus) including a drying furnace for drying a semiconductor wafer and a substrate transfer apparatus for transferring the semiconductor wafer in the drying furnace is used.

図7は、例えば、太陽電池の製造工程で用いられる基板乾燥装置を説明する図であり、半導体ウェハ(太陽電池基板)の搬送方向に沿った断面構造を模式的に示している。また、図8は、この基板乾燥装置に用いられている基板搬送装置を示す上面図であり、基板搬送装置上を半導体ウェハが搬送される様子を示している。   FIG. 7 is a diagram for explaining, for example, a substrate drying device used in a manufacturing process of a solar cell, and schematically shows a cross-sectional structure along the transport direction of a semiconductor wafer (solar cell substrate). FIG. 8 is a top view showing a substrate transfer device used in the substrate drying apparatus, and shows how a semiconductor wafer is transferred on the substrate transfer device.

この基板乾燥装置20は、半導体ウェハWに塗布された溶液を乾燥させる乾燥炉10aと、この乾燥炉10a内にこの乾燥炉10aの一端側の入口10a1から他端側の出口10a2に跨って設けられ、半導体ウェハWを乾燥炉10aの入口10a1からその出口10a2に至る搬送経路に沿って搬送する基板搬送装置300とを有している。この基板搬送装置300の乾燥炉10a内の上部には、上記搬送経路に沿って乾燥用の加熱装置(例えば、加熱ヒータ)11〜13がこの基板搬送装置300の基板搬送面Scに対向するように設けられている。   The substrate drying apparatus 20 is provided in a drying furnace 10a for drying the solution applied to the semiconductor wafer W, and is provided in the drying furnace 10a from the inlet 10a1 on one end side to the outlet 10a2 on the other end side of the drying furnace 10a. And a substrate transfer device 300 that transfers the semiconductor wafer W along a transfer path from the inlet 10a1 to the outlet 10a2 of the drying furnace 10a. At the upper part in the drying furnace 10 a of the substrate transport apparatus 300, heating devices (for example, heaters) 11 to 13 for drying face the substrate transport surface Sc of the substrate transport apparatus 300 along the transport path. Is provided.

この基板搬送装置300は、半導体ウェハWの搬送方向Dtに配列され、中空構造を有する複数の回転ローラ101及び310と、これらの回転ローラを回転可能に支持するローラ支持機構120aおよび120bと、複数の回転ローラに回転力を印加するローラ駆動源150とを有しており、このローラ駆動源150は駆動モータMである。   The substrate transfer apparatus 300 is arranged in the transfer direction Dt of the semiconductor wafer W and has a plurality of rotating rollers 101 and 310 having a hollow structure, roller support mechanisms 120a and 120b for rotatably supporting these rotating rollers, And a roller driving source 150 for applying a rotational force to the rotating roller. The roller driving source 150 is a driving motor M.

図9は、上記ガイドローラ310の構造を詳しく説明する図であり、図9(a)は、図8のR部分を拡大して示す平面図、図9(b)は、図9(a)のB部分の断面構造を拡大して示す図、図9(c)は、図9(b)のA−A’線断面の構造を示す図である。   FIG. 9 is a diagram for explaining the structure of the guide roller 310 in detail. FIG. 9A is an enlarged plan view showing an R portion of FIG. 8, and FIG. 9B is a plan view of FIG. FIG. 9C is an enlarged view showing the cross-sectional structure of the portion B, and FIG. 9C is a view showing the cross-sectional structure taken along the line AA ′ of FIG.

上記回転ローラ101は、セラミック製円筒体からなる搬送ローラであり、回転ローラ310は、セラミック製円筒体からなる内部311cが中空のローラ本体311と、このローラ本体311に相互に所定の間隔を空けて取り付けられた、セラミック製円筒体からなるローラガイド(ガイド部材)312とを有するガイドローラ(図9(b)及び図9(c)参照)である。   The rotating roller 101 is a conveying roller made of a ceramic cylindrical body, and the rotating roller 310 is a roller body 311 having a hollow interior 311c made of a ceramic cylindrical body, and the roller body 311 is spaced a predetermined distance from each other. 9 is a guide roller (see FIGS. 9B and 9C) having a roller guide (guide member) 312 made of a ceramic cylinder.

このローラガイド312は、その内径がローラ本体311の外形より若干大きく形成されており、ここでは、ガイドローラ310は、5つのローラガイド312をローラ本体311に、このローラ本体311がそれぞれのローラガイド312を貫通するように装着し、両者をセラミック製接着材(セラミックボンド)314で接着してなるものである。ここで、セラミック製接着材314は、セラミックの焼成により形成したローラ本体311及びローラガイド312に比べて大きな孔の多孔質構造となっているが、熱膨張係数、耐熱性、耐酸性などの特性はローラ本体及びローラガイドを構成するセラミックと同等の性質を有している。なお、以下説明の都合上、ガイドローラ310及び搬送ローラ101をともに単に回転ローラともいう。   The roller guide 312 has an inner diameter slightly larger than the outer shape of the roller body 311. Here, the guide roller 310 includes five roller guides 312 as the roller body 311, and the roller body 311 serves as each roller guide. It is attached so as to penetrate 312, and both are bonded by a ceramic adhesive (ceramic bond) 314. Here, the ceramic adhesive 314 has a porous structure with larger pores than the roller main body 311 and the roller guide 312 formed by firing ceramic, but has characteristics such as a thermal expansion coefficient, heat resistance, and acid resistance. Has the same properties as the ceramic constituting the roller body and roller guide. For convenience of explanation, both the guide roller 310 and the transport roller 101 are also simply referred to as a rotation roller.

つまり、この基板搬送装置300では、隣接するローラガイド312の間の領域が搬送経路となっており、基板搬送面Scには一端側のローラ支持機構120aから他端側のローラ支持機構120bにかけて第1〜第4の4つの搬送経路Tc1〜Tc4が形成されており、半導体ウェハWがこれらの搬送経路により4列に並んで搬送されるようになっている。   That is, in this substrate transport apparatus 300, the region between the adjacent roller guides 312 serves as a transport path, and the substrate transport surface Sc is firstly extended from the roller support mechanism 120a on one end side to the roller support mechanism 120b on the other end side. The first to fourth transport paths Tc1 to Tc4 are formed, and the semiconductor wafers W are transported in four rows along these transport paths.

また、このガイドローラ310は、基板搬送装置300の基板搬送面Sc上での半導体ウェハWの蛇行を規制するものであり、ローラガイド312の側面312aが半導体ウェハWの端面に当接して半導体ウェハWの蛇行が、対応する搬送経路内に規制されるようになっている。なお、半導体ウェハWの搬送経路での蛇行は、セラミックを焼成する製造プロセスに起因する回転ローラの偏芯や加工精度のばらつきにより生ずるものである。   Further, the guide roller 310 regulates the meandering of the semiconductor wafer W on the substrate transfer surface Sc of the substrate transfer apparatus 300, and the side surface 312 a of the roller guide 312 comes into contact with the end surface of the semiconductor wafer W and the semiconductor wafer W W meandering is regulated within the corresponding transport path. The meandering along the transport path of the semiconductor wafer W is caused by the eccentricity of the rotating roller and the variation in processing accuracy caused by the manufacturing process of firing the ceramic.

なお、太陽電池基板としての半導体ウェハWは、円柱状のシリコンインゴットの側面部を4箇所で中心軸と平行な平面で切り落とし、さらに中心軸と垂直な面に沿って薄くスライスしてなる構造となっており、その実際の平面形状は、円板を、対角線がこの円板の直径より長く、一辺の長さがこの円板の直径より短い正方形に中心を一致させて重ねたときの、この円板の正方形からはみ出した部分を切り落として得られる略正方形形状となっているが、ここでは、このn型シリコン基板101aは正方形形状として模式的に図示している。従って、半導体ウェハの4隅は曲線状となっており、この半導体ウェハはその隅部がローラガイド312の側面312aに当接することで、ローラガイド312によりガイドされることとなる。   The semiconductor wafer W as a solar cell substrate has a structure in which a side surface portion of a cylindrical silicon ingot is cut off at four locations on a plane parallel to the central axis, and further sliced thinly along a plane perpendicular to the central axis. The actual planar shape of this disk is that when the disk is overlapped with a square whose center is coincident with a square whose diagonal is longer than the diameter of the disk and whose one side is shorter than the diameter of the disk. The n-type silicon substrate 101a is schematically illustrated as a square shape, although it has a substantially square shape obtained by cutting off a portion protruding from the square of the disk. Accordingly, the four corners of the semiconductor wafer are curved, and the semiconductor wafer is guided by the roller guide 312 when the corner abuts against the side surface 312 a of the roller guide 312.

そして、この基板搬送装置300では、搬送経路の始端と終端にガイドローラ310が位置するように、ガイドローラ310と搬送ローラ101とが交互に搬送方向Dtに沿って配置されており、各回転ローラ101及び310の両端がローラ支持機構120aおよび120bにより回転可能に支持されている。   In the substrate transport apparatus 300, the guide rollers 310 and the transport rollers 101 are alternately arranged along the transport direction Dt so that the guide rollers 310 are located at the start and end of the transport path. Both ends of 101 and 310 are rotatably supported by roller support mechanisms 120a and 120b.

さらに、基板搬送装置300では、駆動モータMの回転軸は、上記ローラ支持機構120aおよび120bを介して各回転ローラ101及び310に接続されており、駆動モータMの回転軸の回転により、ローラ支持機構120aおよび120bに支持されている各回転ローラ101及び130が回転するようになっている。   Further, in the substrate transfer apparatus 300, the rotation shaft of the drive motor M is connected to the rotation rollers 101 and 310 via the roller support mechanisms 120a and 120b, and the roller support is performed by the rotation of the rotation shaft of the drive motor M. The rotating rollers 101 and 130 supported by the mechanisms 120a and 120b rotate.

次に動作について説明する。   Next, the operation will be described.

例えば、半導体ウェハに基板処理用溶液としてスクリーン印刷方式で塗布した拡散ペースト、つまり半導体ウェハにドーパントを熱拡散させるための拡散源を、この基板乾燥装置20を用いて乾燥させる場合、拡散ペーストを塗布した半導体ウェハWを乾燥炉10aの入口10a1から乾燥炉10a内に入れると、半導体ウェハWは、回転ローラ101及び310の回転によりこれらの回転ローラ101及び310上を、それぞれの対応する搬送経路Tc1〜Tc4に沿って加熱装置11〜13の下側を移動する。このとき、加熱装置11〜13により半導体ウェハWが適宜所定の温度で加熱され、これにより半導体ウェハWに塗布された溶液(拡散ペースト)が乾燥する。基板搬送装置300の他端側に到達した半導体ウェハWは、乾燥炉10aの出口10a2から乾燥炉の外部に取り出され、続く処理装置に導入される。ここでは、半導体ウェハに基板処理用溶液としてドーパントを熱拡散させるための拡散源(拡散ペースト)を塗布しているので、乾燥炉で拡散ペーストを乾燥させた半導体ウェハWは、熱拡散炉に導入される。   For example, when a diffusion paste applied to a semiconductor wafer by a screen printing method as a substrate processing solution, that is, a diffusion source for thermally diffusing a dopant to the semiconductor wafer is dried using the substrate drying apparatus 20, the diffusion paste is applied. When the semiconductor wafer W is put into the drying furnace 10a from the inlet 10a1 of the drying furnace 10a, the semiconductor wafer W is rotated on the rotating rollers 101 and 310 by the rotation of the rotating rollers 101 and 310, respectively, and the corresponding transport paths Tc1. The lower side of the heating devices 11 to 13 is moved along Tc4. At this time, the semiconductor wafer W is appropriately heated at a predetermined temperature by the heating devices 11 to 13, whereby the solution (diffusion paste) applied to the semiconductor wafer W is dried. The semiconductor wafer W that has reached the other end of the substrate transfer apparatus 300 is taken out of the drying furnace from the outlet 10a2 of the drying furnace 10a and introduced into the subsequent processing apparatus. Here, since a diffusion source (diffusion paste) for thermally diffusing the dopant as a substrate processing solution is applied to the semiconductor wafer, the semiconductor wafer W after drying the diffusion paste in the drying furnace is introduced into the thermal diffusion furnace. Is done.

なお、特許文献1及び2には、洗浄した半導体ウェハを、回転ローラを有する搬送装置により乾燥炉内で搬送して乾燥させる乾燥処理装置において、半導体ウェハが搬送経路から外れないように回転ローラの両側に半導体ウェハをガイドするガイドローラが取り付けられているものが示されている。   In Patent Documents 1 and 2, in a drying processing apparatus in which a cleaned semiconductor wafer is transported and dried in a drying furnace by a transport apparatus having a rotating roller, a rotating roller is provided so that the semiconductor wafer does not come off the transport path. In the figure, guide rollers for guiding a semiconductor wafer are attached to both sides.

また、特許文献3には、拡散源(拡散ペースト)として、n型ドーパント拡散剤の具体的なドーパント源や溶媒が開示されている。   Patent Document 3 discloses a specific dopant source or solvent of an n-type dopant diffusing agent as a diffusion source (diffusion paste).

特開2000−230783号公報JP 2000-230783 A 特開2003−17463号公報JP 2003-17463 A 特開2010−205839号公報JP 2010-205839 A

ところで、従来の複数の回転ローラを有する基板搬送装置では、回転ローラを、耐熱性及び耐酸性を有し、しかも拡散源となることのない材料であるセラミックにより構成しているが、半導体ウェハに塗布する溶液である拡散ペースト(n型ドーパント拡散剤)として、リン酸塩などのリン原子を含む化合物を用いた場合、セラミックは多孔質性部材であるため、半導体ウェハに塗布した溶液の、乾燥炉で一旦蒸発したリン酸塩を含む成分が凝集し、凝集した溶液成分がガイドローラなどを構成する多孔質性のセラミック材料に吸収され、吸収された溶液成分が飽和量以上となると、セラミック製の回転ローラ(搬送ローラ及びガイドローラ)から染み出すという現象が生ずる。   By the way, in the conventional substrate transport apparatus having a plurality of rotating rollers, the rotating roller is made of ceramic which is a material having heat resistance and acid resistance and which does not become a diffusion source. When a compound containing a phosphorus atom such as a phosphate is used as a diffusion paste (n-type dopant diffusing agent) that is a solution to be applied, since the ceramic is a porous member, the solution applied to the semiconductor wafer is dried. When the component containing phosphate once evaporated in the furnace is agglomerated, the agglomerated solution component is absorbed by the porous ceramic material that constitutes the guide roller, etc., and the absorbed solution component exceeds the saturation amount. The phenomenon of seeping out from the rotating roller (conveying roller and guide roller) occurs.

このとき、回転ローラ101の表面に染み出した溶液成分は、回転ローラ101の表面上は半導体ウェハWが通過するため、回転ローラ101の搬送経路を形成する部分に溜まることはない。また、同様にガイドローラ310のローラ本体311の表面に染み出した溶液成分も、ガイドローラ310のローラ本体311の表面上は半導体ウェハWが通過するため、この溶液成分が溜まることはない。   At this time, since the semiconductor wafer W passes on the surface of the rotating roller 101, the solution component that has oozed out on the surface of the rotating roller 101 does not accumulate in a portion that forms the conveyance path of the rotating roller 101. Similarly, the solution component that has oozed out on the surface of the roller main body 311 of the guide roller 310 passes through the surface of the roller main body 311 of the guide roller 310, so that the solution component does not accumulate.

ところが、ガイドローラ310のローラ本体311の表面と、ローラ本体311に装着したローラガイド312の側面312aとが交わる部分(つまり、ローラガイド310の側壁下端部)は、通常は半導体ウェハが通過する部分ではなく、しかも体積の大きいローラガイドの近傍に位置するため、図9(a)及び図9(b)に示すように、ガイドローラ310、特にローラガイド312で飽和した溶液成分が、ローラガイド312とローラ本体311とを接着する接着材314を構成するセラミック材料から染み出し、この染み出した溶液成分Cmがこのローラガイド310の側壁下端部に溜まることなる。   However, the portion where the surface of the roller main body 311 of the guide roller 310 and the side surface 312a of the roller guide 312 attached to the roller main body 311 intersect (that is, the lower end portion of the side wall of the roller guide 310) is usually a portion through which the semiconductor wafer passes. However, since it is located in the vicinity of the roller guide having a large volume, as shown in FIG. 9A and FIG. The liquid component Cm oozes out from the ceramic material that constitutes the adhesive 314 that bonds the roller body 311 to the roller body 311, and accumulates at the lower end of the side wall of the roller guide 310.

このように溶液成分Cmがローラガイド310の側壁下端部に溜まっている状態で、ガイドローラ310の搬送経路Tc2(図9(a)参照)を移動する半導体ウェハWが、搬送経路Tc2の一方の側縁側に偏ってこの溶液成分Cmに接触すると、半導体ウェハWの裏面に溶液成分Cmが付着し、半導体ウェハWの裏面に付着した溶液成分は他の回転ローラ101やガイドローラ310の表面にも付着することとなる。   The semiconductor wafer W moving on the transport path Tc2 (see FIG. 9A) of the guide roller 310 in a state where the solution component Cm accumulates at the lower end of the side wall of the roller guide 310 is thus transferred to one of the transport paths Tc2. When the solution component Cm is biased toward the side edge and comes into contact with the solution component Cm, the solution component Cm adheres to the back surface of the semiconductor wafer W, and the solution component adhering to the back surface of the semiconductor wafer W also moves to the surfaces of other rotating rollers 101 and guide rollers 310 It will adhere.

上記のように半導体ウェハに塗布する溶液が、ドーパントの拡散源として用いられるリン酸塩などの化合物を含む場合、その後の熱拡散工程で、半導体ウェハWの裏面に付着した溶液であるドーパント拡散源からも不純物の拡散が行われることとなって、半導体ウェハとして不良品の発生を招くこととなる。   When the solution applied to the semiconductor wafer as described above contains a compound such as a phosphate used as a dopant diffusion source, the dopant diffusion source which is a solution attached to the back surface of the semiconductor wafer W in the subsequent thermal diffusion step As a result, impurities are diffused, resulting in generation of defective products as a semiconductor wafer.

本発明は、このような従来の問題点を解決するためになされたものであり、多孔質部材により構成した回転ローラにより被処理基板を搬送する際に、被処理基板の表面に塗布した溶液の蒸気が凝集して流動性溶液成分として、ローラ本体に取り付けた円筒状のガイド部材の側面下端部に溜まるのを防止することができ、これにより被処理基板の搬送中に、被処理基板の表面に塗布した溶液が被処理基板の裏面側に付着するのを回避することができ、被処理基板の搬送途中での不良品の発生による歩留まり低下を防止することができる基板搬送装置、及びこのような基板搬送装置を用いた基板処理装置を得ることを目的とする。   The present invention has been made to solve such a conventional problem, and when a substrate to be processed is transported by a rotating roller constituted by a porous member, a solution applied to the surface of the substrate to be processed is provided. It is possible to prevent the vapor from aggregating and accumulating as a fluid solution component at the lower end of the side surface of the cylindrical guide member attached to the roller body, and thereby the surface of the substrate to be processed during the transfer of the substrate to be processed. A substrate transfer apparatus capable of preventing the solution applied to the substrate from adhering to the back side of the substrate to be processed, and preventing the yield from being reduced due to the occurrence of defective products during the transfer of the substrate to be processed; and An object of the present invention is to obtain a substrate processing apparatus using a simple substrate transfer apparatus.

本発明に係る基板搬送装置は、被処理基板の搬送経路を形成するように配列され、回転可能に支持された複数の回転ローラを備え、該回転ローラの回転により該被処理基板を該搬送経路に沿って搬送する基板搬送装置であって、該複数の回転ローラのうちの所定の回転ローラは、円筒状のローラ本体と、該ローラ本体に該搬送経路の両側に位置するように装着され、該複数の回転ローラ上を移動する該被処理基板が該搬送経路から逸れないように該被処理基板をガイドするガイド部材とを有するガイドローラであり、該円筒状のローラ本体は、該ガイド部材が装着されたガイド装着部と、該対向するガイド部材間の露出部との境界部分に形成された貫通孔を有し、該ローラ本体の内部の負圧により、該被処理基板の表面に塗布した溶液の蒸気が凝結して生じた流動性溶液成分が該貫通孔から該ローラ本体の内部に吸い込まれるように構成されている。   A substrate transfer apparatus according to the present invention includes a plurality of rotating rollers arranged to form a transfer path for a substrate to be processed and rotatably supported, and the substrate to be processed is rotated by the rotation of the rotation roller. A predetermined rotation roller of the plurality of rotation rollers is mounted on the roller body and on the roller body so as to be located on both sides of the conveyance path, A guide roller having a guide member for guiding the substrate to be processed so that the substrate to be processed moving on the plurality of rotating rollers does not deviate from the transport path, and the cylindrical roller body includes the guide member Is applied to the surface of the substrate to be processed by the negative pressure inside the roller body. Solution vapor Condensed and the resulting flowable solution component is configured to be sucked from the through hole inside of the roller body.

以上のように、本発明によれば、多孔質部材により構成した回転ローラにより被処理基板を搬送する際に、被処理基板の表面に塗布した溶液の蒸気が凝集して流動性溶液成分として、ローラ本体に取り付けた円筒状のガイド部材の側面下端部に溜まるのを抑制することができ、被処理基板の搬送途中での不良品の発生による歩留まり低下を抑制することができる基板搬送装置、及びこのような基板搬送装置を用いた基板処理装置を実現することができる。   As described above, according to the present invention, when the substrate to be processed is transported by the rotating roller constituted by the porous member, the vapor of the solution applied to the surface of the substrate to be processed aggregates as a fluid solution component. A substrate transfer device capable of suppressing accumulation at the lower end of the side surface of the cylindrical guide member attached to the roller body, and capable of suppressing a decrease in yield due to generation of defective products during the transfer of the substrate to be processed; and A substrate processing apparatus using such a substrate transfer apparatus can be realized.

図1は、本発明の実施形態1による基板処理装置の全体構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 図2は、本発明の実施形態1による基板処理装置に用いられている基板搬送装置を示す上面図であり、基板搬送装置上を半導体ウェハが搬送される様子を示している。FIG. 2 is a top view showing a substrate transfer apparatus used in the substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention, and shows a state in which a semiconductor wafer is transferred on the substrate transfer apparatus. 図3は、本発明の実施形態1による基板搬送装置を構成するガイドローラの構造を詳しく説明する図であり、図3(a)は、図2のR1部分を拡大して示す平面図、図3(b)は、図3(a)のB1部分の断面構造を拡大して示す図、図3(c)は、図3(b)のA1−A1’線断面の構造を示す図である。FIG. 3 is a diagram for explaining in detail the structure of the guide roller constituting the substrate transport apparatus according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 3A is an enlarged plan view showing the R1 portion of FIG. 3 (b) is an enlarged view of the cross-sectional structure of the B1 portion in FIG. 3 (a), and FIG. . 図4は、本発明の実施形態1による基板搬送装置の細部を説明する図であり、図4(a)は、該基板搬送装置を構成するガイドローラの一部(図3(a)のB1部分)を拡大して示す斜視図であり、図4(b)は、基板搬送装置のローラ支持機構及び液溜め室を示す図である。FIG. 4 is a diagram for explaining the details of the substrate transport apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 4A is a part of a guide roller constituting the substrate transport apparatus (B1 in FIG. 3A). FIG. 4B is a diagram showing a roller support mechanism and a liquid reservoir chamber of the substrate transport apparatus. 図5は、本発明の実施形態2による基板搬送装置を構成するガイドローラの構造を詳しく説明する図であり、図5(a)は、図2のR1部分に相当する部分を拡大して示し、図5(b)は、図5(a)のB2部分の断面構造を拡大して示し、図5(c)は、図5(b)のA2−A2’線断面の構造を示している。FIG. 5 is a diagram for explaining in detail the structure of the guide roller constituting the substrate transport apparatus according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 5A is an enlarged view corresponding to the R1 portion of FIG. 5 (b) shows an enlarged cross-sectional structure of the B2 portion of FIG. 5 (a), and FIG. 5 (c) shows a cross-sectional structure taken along the line A2-A2 ′ of FIG. 5 (b). . 図6は、本発明の実施形態2による基板搬送装置を構成するガイドローラを説明する斜視図であり、図5(a)のB2部分を拡大して示している。FIG. 6 is a perspective view for explaining a guide roller constituting the substrate transport apparatus according to Embodiment 2 of the present invention, and shows an enlarged B2 portion in FIG. 図7は、太陽電池の製造工程で用いられる従来の基板処理装置(基板乾燥装置)を説明する図であり、半導体ウェハ(太陽電池基板)の搬送方向に沿った断面構造を模式的に示している。FIG. 7 is a diagram for explaining a conventional substrate processing apparatus (substrate drying apparatus) used in a manufacturing process of a solar cell, schematically showing a cross-sectional structure along a transport direction of a semiconductor wafer (solar cell substrate). Yes. 図8は、従来の基板乾燥装置に用いられている基板搬送装置を示す上面図であり、基板搬送装置上を半導体ウェハが搬送される様子を示している。FIG. 8 is a top view showing a substrate transfer apparatus used in a conventional substrate drying apparatus, and shows a state in which a semiconductor wafer is transferred on the substrate transfer apparatus. 図9は、従来の基板搬送装置を構成するガイドローラの構造を詳しく説明する図であり、図9(a)は、図8のR部分を拡大して示し、図9(b)は、図9(a)のB部分の断面構造を拡大して示し、図9(c)は、図9(b)のA−A’線断面の構造を示している。FIG. 9 is a diagram for explaining in detail the structure of a guide roller constituting a conventional substrate transfer apparatus. FIG. 9A is an enlarged view of a portion R in FIG. 8, and FIG. 9 (a) shows an enlarged cross-sectional structure of a portion B, and FIG. 9 (c) shows a cross-sectional structure taken along line AA ′ of FIG. 9 (b).

以下、まず、本発明の本質的特徴について説明する。   Hereinafter, first, essential features of the present invention will be described.

本発明は、複数の回転ローラにより被処理基板を搬送する基板搬送装置であって、複数の回転ローラとして、円筒状のローラ本体と、複数の回転ローラ上を移動する被処理基板をガイドするようにローラ本体に取り付けたガイド部材とを有するガイドローラを備え、円筒状のローラ本体の、該ガイド部材が装着されたガイド装着部と、該対向するガイド部材間の露出部との境界部分に貫通孔を形成し、ローラ本体の内部の負圧により、被処理基板の表面に塗布した溶液の蒸気が凝集して生じた流動性溶液成分が貫通孔からローラ本体の内部に吸い込まれるようにしたことを本質的特徴としている。   The present invention is a substrate transport apparatus that transports a substrate to be processed by a plurality of rotating rollers, and guides a cylindrical roller body and a substrate to be processed moving on the plurality of rotating rollers as the plurality of rotating rollers. A guide roller having a guide member attached to the roller body, and penetrating a boundary portion between a guide mounting portion on which the guide member is mounted and an exposed portion between the opposing guide members of the cylindrical roller body A hole was formed so that the fluid solution component generated by the aggregation of the vapor of the solution applied to the surface of the substrate to be processed by the negative pressure inside the roller body was sucked into the roller body from the through hole. Is an essential feature.

このような構成の本発明では、ローラ本体とローラガイドとの間の接着材から染み出した流動性溶液成分は、貫通孔を介してローラ本体の内部に流れ込むこととなり、これにより、ローラガイドとローラ本体とを接着する接着材を構成するセラミック材料から染み出した溶剤成分がローラガイドの側壁下端部に溜まるのを抑制することができる。   In the present invention having such a configuration, the fluid solution component exuded from the adhesive between the roller main body and the roller guide flows into the roller main body through the through-hole, and thereby the roller guide and It is possible to suppress the solvent component that has exuded from the ceramic material constituting the adhesive that bonds the roller main body from collecting at the lower end of the side wall of the roller guide.

本発明の実施形態においては、上記基板搬送装置において、前記ガイド部材は、円筒状部材からなるローラガイドであり、該ローラガイドは、前記円筒状のローラ本体の外周面に装着されており、該ローラガイドと該ローラ本体とは接着材により固着されていることが好ましい。   In an embodiment of the present invention, in the substrate transport apparatus, the guide member is a roller guide made of a cylindrical member, and the roller guide is attached to an outer peripheral surface of the cylindrical roller body, The roller guide and the roller body are preferably fixed by an adhesive.

本発明の実施形態においては、上記基板搬送装置において、前記円筒状のローラ本体、前記ローラガイド、及び前記接着材は多孔質材料により構成されていることが好ましい。   In an embodiment of the present invention, in the substrate transport apparatus, it is preferable that the cylindrical roller body, the roller guide, and the adhesive are made of a porous material.

本発明の実施形態においては、上記基板搬送装置において、前記多孔質材料はセラミックであることが好ましい。   In an embodiment of the present invention, in the substrate transport apparatus, the porous material is preferably ceramic.

本発明の実施形態においては、上記基板搬送装置において、前記被処理基板の表面に塗布した処理材料は、該被処理基板に対してドーパントを拡散させる拡散源であり、リン酸塩を含むドーパント源と、該ドーパント源に対する溶媒と、増粘剤とを含んでいることが好ましい。   In an embodiment of the present invention, in the substrate transport apparatus, the processing material applied to the surface of the substrate to be processed is a diffusion source for diffusing a dopant into the substrate to be processed, and a dopant source containing phosphate And a solvent for the dopant source and a thickener.

本発明の実施形態においては、上記基板搬送装置において、前記貫通孔は、前記ローラ本体の露出部の、前記ガイド装着部と該露出部との境界に隣接する部分に、該ローラ本体の全周に渡って形成されていることが好ましい。   In an embodiment of the present invention, in the substrate transport apparatus, the through hole is formed at a portion of the exposed portion of the roller main body adjacent to a boundary between the guide mounting portion and the exposed portion. It is preferable that it is formed over.

本発明の実施形態においては、上記基板搬送装置において、前記貫通孔は、前記ローラ本体のガイド装着部の、該ガイド装着部と前記露出部との境界に隣接する部分に該ローラ本体の全周に渡って形成されていることが好ましい。   In an embodiment of the present invention, in the substrate transport apparatus, the through hole is formed at a portion of the guide mounting portion of the roller body adjacent to a boundary between the guide mounting portion and the exposed portion. It is preferable that it is formed over.

本発明の実施形態においては、上記基板搬送装置において、前記貫通孔は、その中心軸に垂直な面内での形状が円形形状であることが好ましい。   In an embodiment of the present invention, in the substrate transfer apparatus, the through hole preferably has a circular shape in a plane perpendicular to the central axis.

本発明の実施形態においては、上記基板搬送装置において、前記貫通孔は、前記ローラ本体の、前記ガイド装着部と前記露出部との境界部分に、該ガイド装着部と該露出部とに跨るように形成された長孔であることが好ましい。   In an embodiment of the present invention, in the substrate transport apparatus, the through hole extends across the guide mounting portion and the exposed portion at a boundary portion between the guide mounting portion and the exposed portion of the roller body. It is preferable that it is a long hole formed.

本発明の実施形態においては、上記基板搬送装置において、前記複数の回転ローラのうちの、前記ガイドローラ以外の回転ローラは、円筒状部材からなる搬送ローラであることが好ましい。   In an embodiment of the present invention, in the substrate transport apparatus, it is preferable that a rotation roller other than the guide roller among the plurality of rotation rollers is a transport roller made of a cylindrical member.

本発明の実施形態においては、上記基板搬送装置において、前記搬送ローラと前記ガイドローラとは前記搬送経路に沿って交互に配列されていることが好ましい。   In an embodiment of the present invention, in the substrate transport apparatus, it is preferable that the transport roller and the guide roller are alternately arranged along the transport path.

本発明の実施形態においては、上記基板搬送装置において、前記ガイドローラを構成する円筒状のローラ本体の一端側は密閉されており、該円筒状のローラ本体の他端側は吸引ポンプに接続されていることが好ましい。   In an embodiment of the present invention, in the substrate transport apparatus, one end side of the cylindrical roller body constituting the guide roller is sealed, and the other end side of the cylindrical roller body is connected to a suction pump. It is preferable.

本発明の実施形態においては、上記基板搬送装置において、前記複数の回転ローラを回転可能に支持するローラ支持機構と、該回転ローラの回転力を発生するローラ駆動源とを有し、該複数の回転ローラには、該ローラ駆動源で発生した回転力を、該ローラ支持機構を介して印加することが好ましい。   In an embodiment of the present invention, the substrate transport apparatus includes a roller support mechanism that rotatably supports the plurality of rotating rollers, and a roller driving source that generates a rotational force of the rotating rollers. It is preferable that the rotational force generated by the roller driving source is applied to the rotating roller via the roller support mechanism.

本発明は、被処理基板を処理する処理室と、該被処理基板が該処理室内を通過するように該被処理基板を搬送する基板搬送装置とを備え、該処理室内で、該被処理基板に対する処理を行う基板処理装置であって、該基板搬送装置として、上述した本発明に係る基板搬送装置を備えたことを本質的特徴としている。   The present invention includes a processing chamber for processing a substrate to be processed and a substrate transfer device for transferring the substrate to be processed so that the substrate to be processed passes through the processing chamber. A substrate processing apparatus that performs the above-described processing, and is characterized in that the substrate transport apparatus according to the present invention described above is provided as the substrate transport apparatus.

本発明の実施形態においては、上記基板処理装置において、前記処理室は、前記被処理基板に対して加熱による乾燥処理を施す乾燥室であることが好ましい。   In an embodiment of the present invention, in the substrate processing apparatus, the processing chamber is preferably a drying chamber that performs a drying process by heating the substrate to be processed.

次に、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳しく説明する。   Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1による基板処理装置の全体構成を示す図であり、被処理基板である半導体ウェハ(ここでは太陽電池基板)の搬送方向に沿った断面構造を模式的に示している。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention, and schematically shows a cross-sectional structure along a conveyance direction of a semiconductor wafer (here, a solar cell substrate) that is a substrate to be processed. ing.

この実施形態1の基板処理装置10は、半導体ウェハの表面に塗布した基板処理用材料(溶液)を乾燥させる基板乾燥装置であり、半導体ウェハの加熱により半導体ウェハの塗布溶液を乾燥させる乾燥炉10aと、この乾燥炉10aの一端側から他端側に跨って設けられ、半導体ウェハWを乾燥炉10aの一端側からその他端側に至る搬送経路に沿って搬送する基板搬送装置100とを有している。   The substrate processing apparatus 10 according to the first embodiment is a substrate drying apparatus that dries a substrate processing material (solution) applied to the surface of a semiconductor wafer, and a drying furnace 10a that dries the coating solution of the semiconductor wafer by heating the semiconductor wafer. And a substrate transfer apparatus 100 that is provided across from one end side to the other end side of the drying furnace 10a and that transfers the semiconductor wafer W along a transfer path from one end side to the other end side of the drying furnace 10a. ing.

ここで、乾燥炉10aは、従来の基板乾燥装置300におけるものと同一のものであり、乾燥炉10aの一端側には半導体ウェハWの入口10a1が形成され、乾燥炉10aの他端側には半導体ウェハWの出口10a2が形成されている。また、この乾燥炉10a内には、搬送経路に沿って乾燥用の加熱装置11〜13がこの基板搬送装置100の基板搬送面Scに対向するように設けられている。   Here, the drying furnace 10a is the same as that in the conventional substrate drying apparatus 300, and an inlet 10a1 of the semiconductor wafer W is formed on one end side of the drying furnace 10a, and on the other end side of the drying furnace 10a. An outlet 10a2 of the semiconductor wafer W is formed. Further, in the drying furnace 10a, heating devices 11 to 13 for drying are provided so as to face the substrate transport surface Sc of the substrate transport device 100 along the transport path.

図2は、この基板搬送装置を説明する上面図であり、基板搬送装置100上を半導体ウェハWが搬送される様子を示している。   FIG. 2 is a top view for explaining the substrate transfer apparatus, and shows a state in which the semiconductor wafer W is transferred on the substrate transfer apparatus 100.

この基板搬送装置100は、半導体ウェハWの搬送方向Dtに配列され、中空構造を有する複数の回転ローラ101及び110と、これらの回転ローラを回転可能に支持するローラ支持機構120aおよび120bと、これらの回転ローラの回転力を発生するローラ駆動源(駆動モータM)150とを有し、複数の回転ローラ101及び110には、ローラ駆動源150で発生した回転力が、該ローラ支持機構120a及び120bを介して印加されるように構成されている。   The substrate transfer apparatus 100 includes a plurality of rotating rollers 101 and 110 that are arranged in the transfer direction Dt of the semiconductor wafer W and have a hollow structure, roller support mechanisms 120a and 120b that rotatably support these rotating rollers, A plurality of rotating rollers 101 and 110, the rotating force generated by the roller driving source 150 is supplied to the roller support mechanism 120a and the roller supporting mechanism 120a. It is configured to be applied via 120b.

ここで、回転ローラ101は、円筒状のローラ本体からなる搬送ローラであり、回転ローラ110は、内部111cが中空の円筒状のローラ本体111と、ローラ本体111に装着され、複数の回転ローラ上を移動する半導体ウェハWが対応する搬送経路Tc1〜Tc4から逸れないように半導体ウェハWをガイドするローラガイド(ガイド部材)112とを有するガイドローラである。なお、以下説明の都合上、ガイドローラ110及び搬送ローラ101をともに回転ローラともいう。   Here, the rotating roller 101 is a conveying roller formed of a cylindrical roller body, and the rotating roller 110 is mounted on the cylindrical roller body 111 having a hollow interior 111c and the roller body 111, and on a plurality of rotating rollers. Is a guide roller having a roller guide (guide member) 112 for guiding the semiconductor wafer W so as not to deviate from the corresponding transfer paths Tc1 to Tc4. For convenience of explanation below, both the guide roller 110 and the transport roller 101 are also referred to as rotating rollers.

ここで、ガイドローラ110及び搬送ローラ101を構成するローラ本体の直径は、例えばφ10mm〜φ20mm程度であり、その長さは50cm〜150cm程度である。また、ローラガイド112の直径は、例えばローラ本体の直径の2〜3倍程度、その長さは、例えば30mm〜50mmである。ただし、ローラ本体及びガイドローラのサイズは、これらの寸法に限定されるものではなく、これらのローラ本体の直径と長さは、回転ローラで搬送する半導体ウェハの搬送経路の個数、ローラ本体の強度などに基づいて設定され、ローラガイドの直径は、隣接する回転ローラの間隔などに基づいて決定され、ローラガイドの長さ(幅)は、ローラ本体の長さと搬送経路の個数などに基づいて決定される。   Here, the diameter of the roller main body constituting the guide roller 110 and the conveying roller 101 is, for example, about φ10 mm to φ20 mm, and the length is about 50 cm to 150 cm. The diameter of the roller guide 112 is, for example, about 2 to 3 times the diameter of the roller body, and the length is, for example, 30 mm to 50 mm. However, the sizes of the roller main body and the guide roller are not limited to these dimensions, and the diameter and length of these roller main bodies are the number of transport paths of the semiconductor wafer transported by the rotating roller, the strength of the roller main body. The diameter of the roller guide is determined based on the interval between adjacent rotating rollers, and the length (width) of the roller guide is determined based on the length of the roller body and the number of conveyance paths. Is done.

図3は、このガイドローラの構造を詳しく説明する図であり、図3(a)は、図2のR1部分を拡大して示す平面図、図3(b)は図3(a)のB1部分の断面構造を拡大して示す図、図3(c)は図3(b)のA1−A1’線断面の構造を示す図である。図4(a)は、基板搬送装置を構成するガイドローラの一部(図3(a)のB1部分)を拡大して示す斜視図であり、図4(b)は、基板搬送装置のローラ支持機構及び液溜め室を示す図である。   FIG. 3 is a diagram for explaining the structure of the guide roller in detail. FIG. 3A is an enlarged plan view showing a portion R1 in FIG. 2, and FIG. 3B is B1 in FIG. The figure which expands and shows the cross-section of a part, FIG.3 (c) is a figure which shows the structure of the A1-A1 'line cross section of FIG.3 (b). FIG. 4A is an enlarged perspective view showing a part of a guide roller (B1 portion in FIG. 3A) constituting the substrate transfer device, and FIG. 4B is a roller of the substrate transfer device. It is a figure which shows a support mechanism and a liquid reservoir chamber.

このガイドローラ110を構成する円筒状のローラ本体111は、ローラガイド112が装着されたガイド装着部110aと、該対向するローラガイド112間の露出部110bとの境界部分Bnに形成された貫通孔111a及び111bを有し、ローラ本体111の内部の負圧により、半導体ウェハWの表面に塗布した溶液成分の蒸気が凝結して生じた流動性物質が貫通孔111a及び111bからローラ本体111の内部111cに吸い込まれるように構成されている。   A cylindrical roller main body 111 constituting the guide roller 110 has a through hole formed in a boundary portion Bn between a guide mounting portion 110a on which the roller guide 112 is mounted and an exposed portion 110b between the opposing roller guides 112. 111a and 111b, and a fluid substance produced by condensation of the vapor of the solution component applied to the surface of the semiconductor wafer W due to the negative pressure inside the roller body 111 passes through the through holes 111a and 111b. It is configured to be sucked into 111c.

つまり、ローラガイド112は、円筒状のローラ本体111の外周面に装着されており、ローラガイド112とローラ本体111とは接着材114により固着されている。また、円筒状のローラ本体111、ローラガイド112、及び接着材114は多孔質材料により構成されている。ローラ本体111及びローラガイド112はセラミックを焼成して形成したものであり、また、接着材114はセラミックボンドである。この接着材114は、セラミックの焼成により形成したローラ本体111及びローラガイド112に比べて大きな孔の多孔質構造となっているが、熱膨張係数、耐熱性、耐酸性などの特性はローラ本体及びローラガイドを構成するセラミックと同等の性質を有している。   That is, the roller guide 112 is attached to the outer peripheral surface of the cylindrical roller body 111, and the roller guide 112 and the roller body 111 are fixed by the adhesive material 114. The cylindrical roller body 111, the roller guide 112, and the adhesive material 114 are made of a porous material. The roller body 111 and the roller guide 112 are formed by firing ceramic, and the adhesive 114 is a ceramic bond. The adhesive 114 has a porous structure with larger pores than the roller main body 111 and the roller guide 112 formed by firing ceramics. However, the adhesive 114 has characteristics such as a coefficient of thermal expansion, heat resistance, and acid resistance. It has the same properties as the ceramic that constitutes the roller guide.

また、半導体ウェハWの表面に塗布した溶液は、従来技術で説明したものと同様、半導体ウェハに対してドーパントを拡散させる拡散源であり、リン酸塩を含むドーパント源と、該ドーパント源に対する溶媒と、増粘剤とを含んでいる。   Further, the solution applied to the surface of the semiconductor wafer W is a diffusion source for diffusing a dopant into the semiconductor wafer, as described in the prior art, and includes a dopant source containing phosphate and a solvent for the dopant source. And a thickener.

また、貫通孔111aは、ローラ本体111の露出部110bの、ガイド装着部110aと露出部110bとの境界Bnに隣接する部分Raに、ローラ本体111の全周に渡って形成されている外側貫通孔である。また、貫通孔111bは、ローラ本体のガイド装着部110aの、ガイド装着部110aと露出部110bとの境界Bnに隣接する部分Rbにローラ本体111の全周に渡って形成されている内側貫通孔である。   Further, the through hole 111a is an outer through hole formed in the portion Ra of the exposed portion 110b of the roller body 111 adjacent to the boundary Bn between the guide mounting portion 110a and the exposed portion 110b over the entire circumference of the roller body 111. It is a hole. The through hole 111b is an inner through hole formed over the entire circumference of the roller body 111 in a portion Rb of the guide mounting part 110a of the roller body adjacent to the boundary Bn between the guide mounting part 110a and the exposed part 110b. It is.

また、これらの貫通孔110aおよび110bは、その中心軸に垂直な面内での形状を円形形状としている。ここでは、搬送ローラ101とガイドローラ110とは搬送方向Dtに沿って交互に配列されており、基板搬送装置の始端位置と終端位置にはガイドローラ110が位置するようになっている。   These through holes 110a and 110b have a circular shape in a plane perpendicular to the central axis. Here, the transport roller 101 and the guide roller 110 are alternately arranged along the transport direction Dt, and the guide roller 110 is positioned at the start end position and the end position of the substrate transport apparatus.

さらに、ガイドローラ110を構成する円筒状のローラ本体111の一端側は、図2に示すように、キャップ部材113aにより密閉状態になるように塞がれている。一方、円筒状のローラ本体111の他端側には、図2及び図4(b)に示すように液溜め室113bが取り付けられており、液溜め室113bとローラ本体111とは、これらの間が気密状態になり、しかもローラ本体111が液溜め室113bに対して回転可能となるように気密性ジョイント部材113b1により接続されている。   Further, one end side of the cylindrical roller main body 111 constituting the guide roller 110 is closed so as to be sealed by a cap member 113a as shown in FIG. On the other hand, a liquid reservoir chamber 113b is attached to the other end side of the cylindrical roller main body 111 as shown in FIGS. 2 and 4B. The liquid reservoir chamber 113b and the roller main body 111 are separated from each other. The roller body 111 is connected by an airtight joint member 113b1 so that the space is airtight and the roller body 111 is rotatable with respect to the liquid reservoir chamber 113b.

この液溜め室113bには、吸引ポンプ(P)140に接続された吸引管130aから枝分かれした枝管130bが接続されている。また、液溜め室113bの底面には、廃液Wrとして溜まった流動性溶液成分を排出するためのドレイン配管160の枝配管161の一端が接続されており、枝配管161につながる幹配管162にはドレイン弁160aが取り付けられている。   A branch pipe 130b branched from a suction pipe 130a connected to a suction pump (P) 140 is connected to the liquid storage chamber 113b. In addition, one end of a branch pipe 161 of a drain pipe 160 for discharging the fluid solution component stored as the waste liquid Wr is connected to the bottom surface of the liquid storage chamber 113b. A drain valve 160a is attached.

また、他端側のローラ支持機構120bは、基板搬送装置100のフレーム部材などの基部121に取り付けられ、ガイドローラを構成する円筒状のローラ本体111の一端を回転可能に支持する軸受け部材122と、ローラ本体111の一端に取り付けられた歯車123と、ローラ駆動源150により回転させられる回転シャフト125に取り付けられ、この歯車123と歯合するウォームギア124とを有している。なお、搬送ローラを構成するローラ本体の一端もガイドローラを構成する円筒状のローラ本体111の一端と同様にローラ支持機構120bにより回転可能に支持され、ローラ駆動源150の回転力により回転するようになっている。また、一端側のローラ支持機構120aも他端側のローラ支持機構120bと同一の構成となっている。   The roller support mechanism 120b on the other end side is attached to a base 121 such as a frame member of the substrate transport apparatus 100, and a bearing member 122 that rotatably supports one end of a cylindrical roller main body 111 constituting a guide roller. , A gear 123 attached to one end of the roller body 111, and a worm gear 124 that is attached to a rotating shaft 125 that is rotated by a roller drive source 150 and meshes with the gear 123. Note that one end of the roller main body constituting the conveying roller is also rotatably supported by the roller support mechanism 120b and rotated by the rotational force of the roller driving source 150, similarly to one end of the cylindrical roller main body 111 constituting the guide roller. It has become. Also, the roller support mechanism 120a on one end side has the same configuration as the roller support mechanism 120b on the other end side.

次に、動作について説明する。   Next, the operation will be described.

このような構成の基板乾燥装置10では、ローラ駆動源150が駆動して回転シャフト125が回転すると、回転シャフト125の回転力がウォームギア124および歯車123を介して回転ローラ(搬送ローラ101及びガイドローラ110)に伝達され、これによりこれらの搬送ローラ101及びガイドローラ110が回転する。   In the substrate drying apparatus 10 having such a configuration, when the roller driving source 150 is driven to rotate the rotating shaft 125, the rotating force of the rotating shaft 125 is rotated via the worm gear 124 and the gear 123 (the conveying roller 101 and the guide roller). 110), whereby the transport roller 101 and the guide roller 110 are rotated.

この状態で、基板搬送装置100の一端側に載置された半導体ウェハWが乾燥炉10aの入口10a1から乾燥炉10a内に入ると、半導体ウェハWは、回転ローラ101及び110の回転によりこれらの回転ローラ上を、それぞれの対応する搬送経路Tc1〜Tc4に沿って4列で加熱装置11〜13の下側を移動する。このとき、加熱装置11〜13により半導体ウェハWが加熱され、半導体ウェハWに塗布された溶液の乾燥が行われる。基板搬送装置100の他端側に到達した半導体ウェハWは、乾燥炉10aの出口10a2から乾燥炉10aの外部に取り出され、半導体ウェハWは、後段の処理装置、例えば、熱拡散炉などに搬入される。   In this state, when the semiconductor wafer W placed on one end side of the substrate transfer apparatus 100 enters the drying furnace 10a through the inlet 10a1 of the drying furnace 10a, the semiconductor wafer W is rotated by the rotation of the rotary rollers 101 and 110. The lower side of the heating devices 11 to 13 is moved in four rows along the corresponding transport paths Tc1 to Tc4 on the rotating rollers. At this time, the semiconductor wafer W is heated by the heating devices 11 to 13, and the solution applied to the semiconductor wafer W is dried. The semiconductor wafer W that has reached the other end of the substrate transport apparatus 100 is taken out of the drying furnace 10a from the outlet 10a2 of the drying furnace 10a, and the semiconductor wafer W is carried into a subsequent processing apparatus such as a thermal diffusion furnace. Is done.

このように半導体ウェハWが乾燥炉10a内を移動する状態では、回転ローラ101及び110を構成するセラミックが多孔質性部材であるため、半導体ウェハに塗布した溶液の、乾燥炉10a内で一旦蒸発した成分が凝集し、凝集した溶液成分は回転ローラを構成する多孔質性のセラミック材料に吸収されるが、吸収される溶液成分が回転ローラを構成する多孔質性のセラミック材料の飽和量以上となると、回転ローラ、つまり搬送ローラ101及びガイドローラ110から染み出すという現象が生ずる。   Thus, in the state where the semiconductor wafer W moves in the drying furnace 10a, the ceramic constituting the rotary rollers 101 and 110 is a porous member. Therefore, the solution applied to the semiconductor wafer is once evaporated in the drying furnace 10a. The agglomerated components are agglomerated, and the agglomerated solution component is absorbed by the porous ceramic material constituting the rotating roller, but the absorbed solution component is more than the saturation amount of the porous ceramic material constituting the rotating roller. As a result, the phenomenon of seeping out from the rotating roller, that is, the conveying roller 101 and the guide roller 110 occurs.

特に、ガイドローラ110では、ローラ本体111とローラガイド112との間のセラミック製の接着材114の露出面、つまりガイド装着部110aと露出部110bとの境界付近から、吸収された溶液成分が染み出す。   In particular, in the guide roller 110, the absorbed solution component is stained from the exposed surface of the ceramic adhesive 114 between the roller body 111 and the roller guide 112, that is, from the vicinity of the boundary between the guide mounting portion 110a and the exposed portion 110b. put out.

ところが、この実施形態1の基板搬送装置100では、半導体ウェハWの搬送中には、吸引ポンプ140により液溜め室113bは負圧に保持されており、これによりこの液溜め室113bに気密シールされて接続されているローラ本体111の内部111cも負圧となり、このローラ本体111に形成した貫通孔111a及び111bの周辺からは、この貫通孔に液体あるいは気体などの流体が流れ込む流体流が発生する。   However, in the substrate transfer apparatus 100 of the first embodiment, during the transfer of the semiconductor wafer W, the liquid reservoir chamber 113b is held at a negative pressure by the suction pump 140, and thereby, the liquid reservoir chamber 113b is hermetically sealed. The inside 111c of the roller body 111 connected in this manner also has a negative pressure, and a fluid flow is generated from the periphery of the through holes 111a and 111b formed in the roller body 111 so that a fluid such as liquid or gas flows into the through hole. .

このため、ローラ本体111とローラガイド112との間の接着材114から染み出した流動性溶液成分は、外側貫通孔111aを介してローラ本体111の内部に流れ込むこととなる。また、ローラ本体111には、ガイド装着部110aと露出部110bとの境界Bnの内側にも貫通孔111bが形成されているので、特に、ローラ本体111のローラガイド112が装着された部分で飽和した流動性溶液成分が、内側貫通孔111bを介してローラ本体111の内部111cに流れ込む。   For this reason, the fluid solution component oozing out from the adhesive 114 between the roller body 111 and the roller guide 112 flows into the roller body 111 through the outer through-hole 111a. Further, since the roller body 111 is also formed with a through hole 111b inside the boundary Bn between the guide mounting portion 110a and the exposed portion 110b, the roller body 111 is saturated particularly at a portion where the roller guide 112 is mounted. The fluid solution component thus obtained flows into the interior 111c of the roller body 111 through the inner through hole 111b.

ローラ本体111の内部111cに流れ込んだ流動性溶液成分は、ローラ本体111の内部の負圧に引かれてその一端側の液溜め室113bに導かれて液溜め室113bの内部に廃液Wrとして溜まる。   The fluid solution component that has flowed into the inside 111c of the roller body 111 is attracted by the negative pressure inside the roller body 111, is guided to the liquid reservoir chamber 113b on one end side thereof, and accumulates as waste liquid Wr in the liquid reservoir chamber 113b. .

その結果、ガイドローラ112を構成するセラミック材料に吸収された溶液が飽和して、ローラガイド112とローラ本体111とを接着する接着材114から染み出しても、染み出した流動性溶液成分がローラガイド112の側壁下端部に溜まるのを抑制することができ、半導体ウェハの搬送途中での不良品の発生による歩留まり低下を抑制することができる。   As a result, even if the solution absorbed in the ceramic material constituting the guide roller 112 is saturated and oozes out from the adhesive 114 that bonds the roller guide 112 and the roller body 111, the spilled fluid solution component remains in the roller. Accumulation at the lower end of the side wall of the guide 112 can be suppressed, and a decrease in yield due to generation of defective products during the transfer of the semiconductor wafer can be suppressed.

なお、液溜め室113bに廃液Wrとして溜まった流動性溶剤成分は、液溜め室113bに接続されているドレイン配管160の幹配管162に取り付けられているドレイン弁160aを開くことにより基板搬送装置100から排出される。   The fluid solvent component accumulated as the waste liquid Wr in the liquid storage chamber 113b is opened by opening the drain valve 160a attached to the main pipe 162 of the drain pipe 160 connected to the liquid storage chamber 113b. Discharged from.

このように、本実施形態1では、複数の回転ローラにより半導体ウェハWを搬送する基板搬送装置100において、円筒状のローラ本体111と、複数の回転ローラ上を移動する半導体ウェハをガイドするようにローラ本体111に取り付けたローラガイド112とを有するガイドローラ110を備え、円筒状のローラ本体111の、ローラガイド112が装着されたガイド装着部110aと、該対向するローラガイド間の露出部110bとの境界Bnの近傍に貫通孔111a及び111bを形成し、ローラ本体111の内部の負圧により、半導体ウェハの表面に塗布した溶液の蒸気が凝結して生じた流動性溶液成分が貫通孔111a及び111bからローラ本体111の内部111cに吸い込まれるようにしたので、ローラ本体111とローラガイド112との間の接着材114から染み出した流動性溶液成分は、外側貫通孔111aを介してローラ本体111の内部111cに流れ込むこととなる。また、ローラガイド112や接着材114に蓄積された流動性溶液成分は内側貫通孔111bを介してローラ本体111の内部111cに吸い込まれることとなる。これにより、ローラガイドとローラ本体とを接着する接着材114を構成するセラミック材料から染み出した流動性溶剤成分がローラガイド112の側壁下端部に溜まるのを抑制することができる。   As described above, in the first embodiment, in the substrate transport apparatus 100 that transports the semiconductor wafer W by the plurality of rotating rollers, the cylindrical roller main body 111 and the semiconductor wafer moving on the plurality of rotating rollers are guided. A guide roller 110 having a roller guide 112 attached to the roller body 111, a guide mounting portion 110a of the cylindrical roller body 111 on which the roller guide 112 is mounted, and an exposed portion 110b between the opposing roller guides. Through holes 111a and 111b are formed in the vicinity of the boundary Bn, and the fluid solution component generated by condensation of the vapor of the solution applied to the surface of the semiconductor wafer due to the negative pressure inside the roller body 111 is formed in the through holes 111a and 111b. 111b is sucked into the inside 111c of the roller body 111. Flowable solution components exuded from the adhesive 114 between the Ragaido 112, so that the flow into the interior 111c of the roller body 111 via the outer through-hole 111a. In addition, the fluid solution component accumulated in the roller guide 112 and the adhesive material 114 is sucked into the interior 111c of the roller body 111 through the inner through hole 111b. Thereby, it is possible to prevent the fluid solvent component that has exuded from the ceramic material constituting the adhesive material 114 that bonds the roller guide and the roller body from accumulating at the lower end of the side wall of the roller guide 112.

なお、上記実施形態1では、貫通孔111aを、ローラ本体の露出部110bの、ガイド装着部と露出部との境界Bnに隣接する部分に、該ローラ本体の全周に渡って形成し、さらに、ローラ本体のガイド装着部110aの、ガイド装着部110aと露出部110bとの境界に隣接する部分に貫通孔112aをローラ本体の全周に渡って形成しているが、ローラ本体は、貫通孔111aをローラ本体の露出部110bの、ガイド装着部110aと露出部110bとの境界Bnに隣接する部分にのみ形成したもの、あるいはローラ本体のガイド装着部110aの、ガイド装着部110bと露出部110aとの境界Bnに隣接する部分にのみ形成したものでもよい。   In the first embodiment, the through-hole 111a is formed over the entire circumference of the roller body at a portion of the exposed portion 110b of the roller body adjacent to the boundary Bn between the guide mounting portion and the exposed portion. A through hole 112a is formed over the entire circumference of the roller body in a portion adjacent to the boundary between the guide mounting part 110a and the exposed part 110b of the guide mounting part 110a of the roller body. 111a is formed only on the portion of the exposed portion 110b of the roller body adjacent to the boundary Bn between the guide mounting portion 110a and the exposed portion 110b, or the guide mounting portion 110b and the exposed portion 110a of the guide mounting portion 110a of the roller body. It may be formed only in a portion adjacent to the boundary Bn.

また、上記実施形態1では、液溜め室は、ガイドローラの一端側にのみ設けているが、ガイドローラの両端側に設けてもよい。この場合は、ドレイン配管160もガイドローラの他端側にも設けるのが望ましい。   In the first embodiment, the liquid reservoir chamber is provided only on one end side of the guide roller, but may be provided on both end sides of the guide roller. In this case, it is desirable that the drain pipe 160 is also provided on the other end side of the guide roller.

さらに、上記実施形態1では、駆動モータで生成した回転力を回転ローラの一端側及び他端側の両方に2つの駆動モータにより印加するようにしているが、回転ローラの一端側にのみ回転力を印加するようにしてもよい。その場合は駆動モータは1つでよい。   Furthermore, in Embodiment 1 described above, the rotational force generated by the drive motor is applied to both the one end side and the other end side of the rotary roller by the two drive motors, but the rotational force is applied only to one end side of the rotary roller. May be applied. In that case, one drive motor is sufficient.

また、上記実施形態1では、ガイドローラと搬送ローラとを搬送方向に沿って交互に配列しているが、ガイドローラは、搬送ローラの2つ置きあるいは3つ置きに設けてもよく、さらには、ガイドローラは、隣接するもの同士の間隔をさらに空けて設けるようにしてもよい。   In the first embodiment, the guide rollers and the conveyance rollers are alternately arranged along the conveyance direction. However, the guide rollers may be provided every two or three conveyance rollers. The guide rollers may be provided with an interval between adjacent ones.

また、上記実施形態1では、第1〜第4の搬送経路を有し、半導体ウェハWを4列並行に搬送する基板搬送装置を示したが、基板搬送装置における半導体ウェハを搬送する搬送経路は2列並行に配置しても、あるいは3列並行に配置しても、あるいは5以上並列に配置してもよい。   In the first embodiment, the substrate transport apparatus having the first to fourth transport paths and transporting the semiconductor wafers W in parallel is shown. However, the transport path for transporting the semiconductor wafers in the substrate transport apparatus is as follows. Two rows may be arranged in parallel, three rows may be arranged in parallel, or five or more rows may be arranged in parallel.

また、上記実施形態1では、貫通孔は、その中心軸に垂直な面内での形状が円形形状となるように形成しているが、貫通孔の形状はこれに限定されるものではない。   In the first embodiment, the through hole is formed so that the shape in a plane perpendicular to the central axis thereof is a circular shape, but the shape of the through hole is not limited to this.

(実施形態2)
図5は、本発明の実施形態2による基板搬送装置を説明する図であり、図5(a)は、この基板搬送装置におけるガイドローラの詳細な構造として、図2のR1部分に相当する部分を拡大して示す平面図、図5(b)は、図5(a)のB2部分の断面構造を拡大して示す図、図5(c)は、図5(b)のA2−A2’線断面の構造を示す図である。また、図6は、図5に示すガイドローラを説明する斜視図であり、図5(a)のB2部分を拡大して示している。
(Embodiment 2)
FIG. 5 is a view for explaining a substrate transfer apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 5A shows a detailed structure of the guide roller in this substrate transfer apparatus, which corresponds to the R1 portion of FIG. FIG. 5B is an enlarged view showing the cross-sectional structure of the B2 portion of FIG. 5A, and FIG. 5C is A2-A2 ′ of FIG. 5B. It is a figure which shows the structure of a line cross section. FIG. 6 is a perspective view for explaining the guide roller shown in FIG. 5, and shows an enlarged B2 portion of FIG. 5 (a).

この実施形態2の基板搬送装置は、実施形態1の基板搬送装置100におけるガイドローラ110に代えて、ローラ本体に形成した貫通孔の形状が異なるガイドローラ211を備えたものである。この実施形態2の基板搬送装置は、実施形態1の基板搬送装置100と同様に、半導体ウェハの表面に塗布した溶液を乾燥させる基板乾燥装置における基板搬送装置として用いられるものでる。   The substrate transport apparatus according to the second embodiment includes a guide roller 211 having a different shape of the through hole formed in the roller body, instead of the guide roller 110 in the substrate transport apparatus 100 according to the first embodiment. Similar to the substrate transport apparatus 100 of the first embodiment, the substrate transport apparatus of the second embodiment is used as a substrate transport apparatus in a substrate drying apparatus that dries a solution applied to the surface of a semiconductor wafer.

このガイドローラ210を構成する円筒状のローラ本体211は、ローラガイド(ガイド部材)112が装着されたガイド装着部210aと、対向するローラガイド間の露出部210bとの境界Bn及びその近傍に形成された貫通孔211a及び211bを有し、ローラ本体211の内部211cの負圧により、半導体ウェハWの表面に塗布した溶液(図示せず)の蒸気が凝結して生じた流動性溶液成分が貫通孔211a及び211bからローラ本体211の内部211cに吸い込まれるように構成されている。   The cylindrical roller body 211 constituting the guide roller 210 is formed at and near the boundary Bn between the guide mounting portion 210a on which the roller guide (guide member) 112 is mounted and the exposed portion 210b between the opposing roller guides. The fluid solution component generated by condensation of the vapor of the solution (not shown) applied to the surface of the semiconductor wafer W by the negative pressure inside the roller body 211 is penetrated by the through holes 211a and 211b. The holes 211a and 211b are configured to be sucked into the interior 211c of the roller body 211.

つまり、ローラガイド112は、円筒状のローラ本体211の外周面に装着されており、ローラガイド112とローラ本体211とは接着材114により固着されている。また、円筒状のローラ本体211、ローラガイド112、及び接着材114は多孔質材料により構成されており、ローラ本体211及びローラガイド112はセラミックを焼成して形成されており、また、接着材114はセラミックボンドである。   That is, the roller guide 112 is attached to the outer peripheral surface of the cylindrical roller body 211, and the roller guide 112 and the roller body 211 are fixed by the adhesive 114. The cylindrical roller body 211, the roller guide 112, and the adhesive material 114 are made of a porous material, and the roller body 211 and the roller guide 112 are formed by firing ceramic, and the adhesive material 114 Is a ceramic bond.

ここで、図5及び図6に示すように、貫通孔211a及び211bは、ローラ本体211に形成された長孔である。貫通孔211aは、ローラ本体211の、ガイド装着部210aと露出部210bとの境界Bnの両側に跨る部分に、ローラ本体111の全周に渡って形成されている外側貫通孔である。また、貫通孔211bは、ローラ本体211のガイド装着部210aの、ガイド装着部210aと露出部210bとの境界Bnに隣接する部分にローラ本体211の全周に渡って形成されている内側貫通孔である。   Here, as shown in FIGS. 5 and 6, the through holes 211 a and 211 b are long holes formed in the roller body 211. The through-hole 211a is an outer through-hole formed over the entire circumference of the roller body 111 in a portion of the roller body 211 that straddles both sides of the boundary Bn between the guide mounting portion 210a and the exposed portion 210b. The through hole 211b is an inner through hole formed over the entire circumference of the roller body 211 at a portion of the guide mounting part 210a of the roller body 211 adjacent to the boundary Bn between the guide mounting part 210a and the exposed part 210b. It is.

このような構成の本実施形態2においても、上記実施形態1と同様に、複数の回転ローラにより半導体ウェハを搬送する基板搬送装置において、円筒状のローラ本体211と、複数の回転ローラ上を移動する半導体ウェハをガイドするようにローラ本体211に取り付けたローラガイド112とを有するガイドローラ210を備え、円筒状のローラ本体211の、ローラガイド112が装着されたガイド装着部210aと、該対向するローラガイド間の露出部210bとの境界Bnの近傍に長穴形状の貫通孔211a及び211bを形成し、ローラ本体211の内部211cの負圧により、半導体ウェハの表面に塗布した溶液の蒸気が凝結して生じた流動性溶液成分が貫通孔211a及び211bからローラ本体211の内部211cに吸い込まれるようにしたので、ローラ本体211とローラガイド112との間の接着材114から染み出した流動性溶液成分は、外側貫通孔211aを介してローラ本体211の内部211cに流れ込むこととなる。また、ローラガイド112や接着材114に蓄積された流動性溶液成分は内側貫通孔211bを介してローラ本体211の内部211cに吸い込まれることとなる。これによりローラガイドとローラ本体とを接着する接着材114を構成するセラミック材料から染み出した溶剤成分がローラガイド21の側壁下端部に溜まるのを抑制することができる。   Also in the second embodiment having such a configuration, similarly to the first embodiment, in the substrate transfer apparatus that transfers a semiconductor wafer by a plurality of rotating rollers, the cylindrical roller body 211 and the plurality of rotating rollers are moved. A guide roller 210 having a roller guide 112 attached to the roller main body 211 so as to guide the semiconductor wafer to be guided. The guide mounting portion 210a of the cylindrical roller main body 211 on which the roller guide 112 is mounted is opposed to the guide roller 210. Slot-shaped through holes 211a and 211b are formed in the vicinity of the boundary Bn with the exposed portion 210b between the roller guides, and the vapor of the solution applied to the surface of the semiconductor wafer condenses due to the negative pressure inside the roller body 211c. The fluid solution component produced by the suction is sucked into the inside 211c of the roller body 211 from the through holes 211a and 211b. Since the Murrell so, flowable solution components exuded from the adhesive 114 between the roller body 211 and the roller guide 112, so that the flow into the interior 211c of the roller body 211 via the outer through-hole 211a. In addition, the fluid solution component accumulated in the roller guide 112 and the adhesive 114 is sucked into the interior 211c of the roller body 211 through the inner through hole 211b. As a result, it is possible to prevent the solvent component exuded from the ceramic material constituting the adhesive material 114 that bonds the roller guide and the roller body from accumulating at the lower end of the side wall of the roller guide 21.

なお、上記実施形態1及び2では、ガイドローラを構成する円筒状のローラ本体の、ガイド部材が装着されたガイド装着部と、対向するガイド部材間の露出部との境界部分に複数の貫通孔を形成したものを示したが、このような複数の貫通孔に代えて、ローラ本体の、ガイド部材が装着されたガイド装着部と、対向するガイド部材間の露出部との境界部分を、ローラ本体の表面と内部とが連通するような目の粗い多孔質構造(メッシュ構造)を用いてもよい。   In the first and second embodiments, a plurality of through-holes are formed at the boundary between the guide mounting portion on which the guide member is mounted and the exposed portion between the opposing guide members of the cylindrical roller body constituting the guide roller. However, instead of a plurality of such through holes, the roller body has a boundary portion between the guide mounting portion on which the guide member is mounted and the exposed portion between the opposing guide members. A coarse porous structure (mesh structure) in which the surface of the main body communicates with the inside may be used.

以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。   As mentioned above, although this invention has been illustrated using preferable embodiment of this invention, this invention should not be limited and limited to this embodiment. It is understood that the scope of the present invention should be construed only by the claims. It is understood that those skilled in the art can implement an equivalent range based on the description of the present invention and the common general technical knowledge from the description of specific preferred embodiments of the present invention. Patents, patent applications, and documents cited herein should be incorporated by reference in their entirety, as if the contents themselves were specifically described herein. Understood.

本発明は、基板搬送装置及び基板乾燥装置の分野において、多孔質部材により構成した回転ローラにより被処理基板を搬送する際に、被処理基板の表面に塗布した溶液の蒸気が凝集して流動性溶液成分として、ローラ本体に取り付けた円筒状のガイド部材の側面下端部に溜まるのを抑制することができ、これにより被処理基板の搬送途中での不良品の発生による歩留まり低下を抑制することができる基板搬送装置、及びこのような基板搬送装置を用いた基板処理装置を実現することができる。   In the field of a substrate transfer device and a substrate drying device, the present invention relates to the fluidity of the solution vapor applied to the surface of the substrate to be agglomerated when the substrate to be processed is transferred by a rotating roller constituted by a porous member. As a solution component, it is possible to suppress accumulation at the lower end of the side surface of the cylindrical guide member attached to the roller main body, thereby suppressing a decrease in yield due to generation of defective products during the transfer of the substrate to be processed. And a substrate processing apparatus using such a substrate transfer apparatus can be realized.

10 基板処理装置(基板乾燥装置)
10a 乾燥炉
10a1 入口
10a2 出口
11〜13 加熱装置
100 基板搬送装置
101 搬送ローラ(回転ローラ)
110、210 ガイドローラ(回転ローラ)
110a、210a ガイド装着部
110b、210b 露出部
111、211 ローラ本体
111a、211a 外側貫通孔
111b、211b 内側貫通孔
112、211 ローラガイド(ガイド部材)
113a キャップ部材
113b 液溜め室
113b1 シール部材
113b 枝管
114 接着材
120a,120b ローラ支持機構
121 基部
122 軸受け部材
123 歯車
124 ウォームギア
125 回転シャフト
130a 吸引管
130b 枝管
140 吸引ポンプ
150 ローラ駆動源
160 ドレイン配管
160a ドレイン弁
161 枝配管
162 幹配管
Bn 境界
Dt 搬送方向
Sc 基板搬送面
M 駆動モータ
W 半導体ウェハ
10 Substrate processing equipment (substrate drying equipment)
10a Drying furnace 10a1 Inlet 10a2 Outlet 11-13 Heating device 100 Substrate conveying device 101 Conveying roller (rotating roller)
110, 210 Guide roller (rotating roller)
110a, 210a Guide mounting portion 110b, 210b Exposed portion 111, 211 Roller body 111a, 211a Outer through hole 111b, 211b Inner through hole 112, 211 Roller guide (guide member)
113a Cap member 113b Liquid reservoir chamber 113b1 Seal member 113b Branch pipe 114 Adhesive material 120a, 120b Roller support mechanism 121 Base 122 Bearing member 123 Gear 124 Warm gear 125 Rotating shaft 130a Suction pipe 130b Branch pipe 140 Suction pump 150 Roller drive source 160 Drain pipe 160a Drain valve 161 Branch pipe 162 Main pipe Bn Boundary Dt Transport direction Sc Substrate transport surface M Drive motor W Semiconductor wafer

Claims (15)

被処理基板の搬送経路を形成するように配列され、回転可能に支持された複数の回転ローラを備え、該回転ローラの回転により該被処理基板を該搬送経路に沿って搬送する基板搬送装置であって、
該複数の回転ローラのうちの所定の回転ローラは、
円筒状のローラ本体と、
該ローラ本体に該搬送経路の両側に位置するように装着され、該複数の回転ローラ上を移動する該被処理基板が該搬送経路から逸れないように該被処理基板をガイドするガイド部材とを有するガイドローラであり、
該円筒状のローラ本体は、
該ガイド部材が装着されたガイド装着部と、該対向するガイド部材間の露出部との境界部分に形成された貫通孔を有し、
該ローラ本体の内部の負圧により、該被処理基板の表面に塗布した溶液の蒸気が凝結して生じた流動性溶液成分が該貫通孔から該ローラ本体の内部に吸い込まれるように構成されている、基板搬送装置。
A substrate transport apparatus that includes a plurality of rotation rollers arranged to form a transport path for a substrate to be processed and rotatably supported, and transports the substrate to be processed along the transport path by the rotation of the rotation roller. There,
A predetermined rotation roller of the plurality of rotation rollers is
A cylindrical roller body;
A guide member that is mounted on the roller body so as to be positioned on both sides of the transport path, and that guides the target substrate so that the target substrate moving on the plurality of rotating rollers does not deviate from the transport path; A guide roller having
The cylindrical roller body is
A through hole formed in a boundary portion between the guide mounting portion on which the guide member is mounted and the exposed portion between the opposing guide members;
A fluid solution component generated by condensation of the vapor of the solution applied to the surface of the substrate to be processed by the negative pressure inside the roller body is sucked into the roller body from the through hole. A substrate transfer device.
前記ガイド部材は、円筒状部材からなるローラガイドであり、
該ローラガイドは、前記円筒状のローラ本体の外周面に装着されており、
該ローラガイドと該ローラ本体とは接着材により固着されている、請求項1に記載の基板搬送装置。
The guide member is a roller guide made of a cylindrical member,
The roller guide is mounted on the outer peripheral surface of the cylindrical roller body,
The substrate transport apparatus according to claim 1, wherein the roller guide and the roller body are fixed by an adhesive.
前記円筒状のローラ本体、前記ローラガイド、及び前記接着材は多孔質材料により構成されている、請求項2に記載の基板搬送装置。   The substrate transfer apparatus according to claim 2, wherein the cylindrical roller body, the roller guide, and the adhesive are made of a porous material. 前記多孔質材料はセラミックである、請求項3に記載の基板搬送装置。   The substrate transfer apparatus according to claim 3, wherein the porous material is ceramic. 前記被処理基板の表面に塗布した処理材料は、該被処理基板に対してドーパントを拡散させる拡散源であり、
リン酸塩を含むドーパント源と、該ドーパント源に対する溶媒と、増粘剤とを含んでいる、請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板搬送装置。
The processing material applied to the surface of the substrate to be processed is a diffusion source that diffuses a dopant to the substrate to be processed.
The board | substrate conveyance apparatus in any one of Claims 1-4 containing the dopant source containing a phosphate, the solvent with respect to this dopant source, and the thickener.
前記貫通孔は、前記ローラ本体の露出部の、前記ガイド装着部と該露出部との境界に隣接する部分に、該ローラ本体の全周に渡って形成されている、請求項1に記載の基板搬送装置。   The said through-hole is formed in the part adjacent to the boundary of the said guide mounting part and this exposed part of the exposed part of the said roller main body over the perimeter of this roller main body. Substrate transfer device. 前記貫通孔は、前記ローラ本体のガイド装着部の、該ガイド装着部と前記露出部との境界に隣接する部分に該ローラ本体の全周に渡って形成されている、請求項6に記載の基板搬送装置。   The said through-hole is formed over the perimeter of the said roller main body in the part adjacent to the boundary of this guide mounting part and the said exposed part of the guide mounting part of the said roller main body. Substrate transfer device. 前記貫通孔は、その中心軸に垂直な面内での形状が円形形状である、請求項1に記載の基板搬送装置。   The substrate transport apparatus according to claim 1, wherein the through hole has a circular shape in a plane perpendicular to a central axis thereof. 前記貫通孔は、前記ローラ本体の、前記ガイド装着部と前記露出部との境界部分に、該ガイド装着部と該露出部とに跨るように形成された長孔である、請求項1に記載の基板搬送装置。   The said through-hole is an elongate hole formed in the boundary part of the said roller main body between the said guide mounting part and the said exposed part so that this guide mounting part and this exposed part may be straddled. Substrate transfer device. 前記複数の回転ローラのうちの、前記ガイドローラ以外の回転ローラは、円筒状部材からなる搬送ローラである、請求項1に記載の基板搬送装置。   The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein a rotation roller other than the guide roller among the plurality of rotation rollers is a transfer roller made of a cylindrical member. 前記搬送ローラと前記ガイドローラとは前記搬送経路に沿って交互に配列されている、請求項10に記載の基板搬送装置。   The substrate transport apparatus according to claim 10, wherein the transport roller and the guide roller are alternately arranged along the transport path. 前記ガイドローラを構成する円筒状のローラ本体の一端側は密閉されており、
該円筒状のローラ本体の他端側は吸引ポンプに接続されている、請求項1に記載の基板搬送装置。
One end side of a cylindrical roller body constituting the guide roller is sealed,
The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein the other end side of the cylindrical roller body is connected to a suction pump.
前記複数の回転ローラを回転可能に支持するローラ支持機構と、
該回転ローラの回転力を発生するローラ駆動源とを有し、
該複数の回転ローラには、該ローラ駆動源で発生した回転力を、該ローラ支持機構を介して印加する、請求項1に記載の基板搬送装置。
A roller support mechanism for rotatably supporting the plurality of rotating rollers;
A roller drive source for generating the rotational force of the rotating roller,
The substrate transport apparatus according to claim 1, wherein a rotational force generated by the roller driving source is applied to the plurality of rotating rollers via the roller support mechanism.
被処理基板を処理する処理室と、該被処理基板が該処理室内を通過するように該被処理基板を搬送する基板搬送装置とを備え、該処理室内で、該被処理基板に対する処理を行う基板処理装置であって、
該基板搬送装置として、請求項1に記載の基板搬送装置を備えた、基板処理装置。
A processing chamber for processing a substrate to be processed, and a substrate transfer device for transferring the substrate to be processed so that the substrate to be processed passes through the processing chamber, and processing the substrate to be processed in the processing chamber. A substrate processing apparatus,
A substrate processing apparatus comprising the substrate transfer apparatus according to claim 1 as the substrate transfer apparatus.
前記処理室は、前記被処理基板に対して加熱による乾燥処理を施す乾燥室である、請求項14に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 14, wherein the processing chamber is a drying chamber that performs a drying process by heating the substrate to be processed.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2020050010A1 (en) * 2018-09-07 2020-03-12 日本電気硝子株式会社 Glass plate manufacturing device and glass plate manufacturing method

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