JP2014029959A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＬＥＤ等の半導体発光素子から発生する熱を効率よく逃がすことができ、かつ、直下型バックライトや照明装置用の発光装置に好適に用いることができる長尺状の発熱装置を実現する。
【解決手段】発光装置１００において、基板１における複数の凹部１０には、金属部６の一部に相当する、複数のＬＥＤチップ７が実装される複数の搭載部６Ａが設けられ、これら搭載部６Ａの全部或いは少なくも一部が、基板１における裏面側において樹脂部３より露出している。さらに、凹部１０に充填された樹脂封止部２が、凹部１０の入口側に突となるドーム形状をなしている。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置に関し、特に、複数の半導体発光素子と、これら複数の半導体発光素子が実装される基板とを備えた発光装置に関するものである。

近年、光源としての発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の半導体発光素子は、高効率で省スペースな光源として、液晶テレビ等の液晶表示装置におけるバックライト光源や、照明装置における照明用光源等として広く利用されている。バックライト光源や照明用光源等において、ＬＥＤは、発光装置（発光モジュール）として構成されている。

発光装置は、基板上に配置されたＬＥＤが樹脂によって封止されて構成される。例えば、エッジライト型のバックライトユニットでは、複数個のＬＥＤが基板上に一次元的に配列されて構成される発光装置が用いられる。

ところで、発光装置としては、表面実装型（ＳＭＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｄｅｖｉｃｅ）やＣＯＢ型（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏｒａｄ）等がある。ＳＭＤ型の発光装置は、樹脂等で成型されたキャビティの中にＬＥＤチップを実装し、当該キャビティ内を蛍光体含有樹脂によって封入したパッケージ型の発光装置である。一方、ＣＯＢ型の発光装置は、基板上にＬＥＤそのもの（ベアチップ）を直接実装するものであり、ベアチップと基板上の配線パターンとをワイヤボンディングし、ベアチップを蛍光体含有樹脂によって封止したものである。ＳＭＤ型と比べてＣＯＢ型の発光装置はコスト面および光率に優れることから、ＣＯＢ型の発光装置を採用した光源の開発を望む声が高い。

ＣＯＢ型の発光装置の一例について、図７、図８を用いて説明する。図７は、ＣＯＢ型の発光装置１００２の平面図であり、図８は、発光装置１００２の断面図（図７のＺ−Ｚ’線に沿って切断した断面図）である。

発光装置１００２は、複数のＬＥＤチップ１０１０と、ＬＥＤチップ１０１０が実装される基板１０２０とを備えている。基板１０２０は、長尺状の矩形形状である樹脂部１０２１と、樹脂部１０２１と一体に形成された金属配線部１０２２とを備えている。樹脂部１０２１には、その長手方向に沿って、ＬＥＤチップ１０１０を収納する凹部１０２１ａが複数、設けられている。凹部１０２１ａの内面は、ＬＥＤチップ１０１０が実装される実装面である底面１０２１ｂと、ＬＥＤチップ１０１０の周囲を囲う内側面１０２１ｃとを有する。樹脂部１０２１は、射出成型にて形成されている。なお、図７、図６において、基板１０２０の構造を理解しやすくするために、樹脂部１０２１と金属配線部１０２２にハッチングを施している。但し、樹脂部１０２１における、凹部１０２１ａの底面１０２１ｂには、ハッチングを施していない。

ＬＥＤチップ１０１０は、凹部１０２１ａの底面１０２１ｂに実装されると共に、ボンディングワイヤ１０１１により、隣接するＬＥＤチップ１０１０や、金属配線部１０２２に電気的に接続されている。金属配線部１０２２は、電気を導通する板状の配線部材であり、樹脂部１０２１の長手方向に沿って並んで配置されている。基板１０２０に設けられた複数の金属配線部１０２２の中で、図７、図８において最も左側に位置する金属配線部１０２２は、コネクタ部１０１２の電極端子（図示せず）に電気的に接続されている。コネクタ部１０１２には、ＬＥＤチップ１０１０に電力を供給するためのワイヤハーネス（図示せず）が接続されている。

ＬＥＤチップ１０１０を実装後の凹部１０２１ａ内には、ＬＥＤチップ１０１０およびボンディングワイヤ１０１１を封止する樹脂封止部１０１３が充填される。

なお、ＬＥＤチップからなるＬＥＤ素子を基板に直接実装した発光装置は、例えば特許文献１に開示されている。この特許文献１では、ＬＥＤチップは、樹脂基板上に形成された金属配線に実装されている。つまり、図７、図８で例示した構成を用いて説明すると、金属配線部１０２２が、凹部１０２１ａの底面１０２１ｂにまで延設されており、延設された部分にＬＥＤチップ１０１０がボンディングされている状態である。

特開２０１２−０５９３７６号公報（２０１２年３月２２日公開）

しかしながら、従来技術の構造では、金属配線部１０２２は、樹脂部によって全体的に覆われているため、ＬＥＤチップから発熱された熱が発光装置内部にこもり易いといった問題がある。発光装置内部に熱がこもると、ＬＥＤの温度が上がって輝度の低下や発光効率低下などを引き起こす。

本発明は、上記課題に鑑みなされたもので、ＬＥＤ等の半導体発光素子から発生する熱を効率よく逃がすことができ、かつ、直下型バックライトや照明装置用の発光装置に好適に用いることができる長尺状の発熱装置を提供することを目的としている。

本発明の発光装置は、上記の課題を解決するために、長尺状をなし、樹脂部と金属部よりなり、前記樹脂部が当該基板の厚み方向の一方の面において部分的に除かれることで複数の凹部が長手方向に沿って形成された基板と、前記基板の前記各凹部に１つ又は複数実装される半導体発光素子と、蛍光体を含み、前記複数の凹部に充填され、前記各凹部に実装された前記半導体発光素子を前記凹部毎に覆う樹脂封止部とを備え、前記基板の前記各凹部には、前記金属部の一部に相当し、前記半導体発光素子が実装される搭載部が設けられ、前記各凹部に設けられた搭載部の全部或いは少なくも一部が、前記基板における前記半導体発光素子が実装される側である表面側とは反対の裏面側において前記樹脂部より露出しており、さらに、前記樹脂封止部が、前記凹部の入口側に突となるドーム形状であることを特徴としている。

上記構成によれば、樹脂部と金属部からなる基板において、金属部における半導体発光素子が実装される搭載部が、基板の裏面側で樹脂部より露出している。これにより、半導体発光素子より発生した熱が搭載部を介して発光装置外部へと逃げ易くなり、発熱に起因した半導体発光素子の輝度低下や発光効率低下を抑制することができる。

しかも、上記構成によれば、半導体発光素子を覆う樹脂封止部が、前記凹部の入口側に突となるドーム形状であるので、直下型バックライトや照明装置用の発光装置に用いることができる。

一般的に、直下型バックライトや照明装置用の発光装置としては、ある程度の接触角を持ったドーム形状をなす個々のＬＥＤ_ＰＫＧ単体を、直下型バックライトや照明装置に適した専用の金属バーに複数個実装して使用している。しかしながら、このような構成では、専用の金属バーが必要であると共に、複数のＬＥＤ_ＰＫＧ単体を実装することが必要なため、部品数および工程数が共に多くコスト高となる。

これに対し、本願発明の発光装置は、複数の半導体発光素子が基板上に実装されてドーム形状の樹脂封止部にて封止されている構成であるので、個々のＬＥＤ_ＰＫＧ単体を金属バーに実装する構成よりも、部品数および工程数が少なく低コストとなる。

また、樹脂封止部をドーム形状としたことで、樹脂封止部がレンズの役割を果たし、その結果、光の集光作用が働き、光取り出し効率や配光特性を改善することができる。

本発明の発光装置においては、さらに、前記樹脂部より露出した前記搭載部は、前記樹脂部よりも突出している構成としてもよい。上記構成によれば、発光装置が他の部材に外部実装された状態で、樹脂部は接触することなく搭載部が他の部材と接触するので、搭載部と樹脂部が共に他の部材と接触する場合よりも、搭載部の放熱性が上がる。

本発明の発光装置においては、さらに、前記基板における隣り合う２つの前記搭載部の間に、前記金属部の一部に相当し、前記隣り合う２つの搭載部に実装された半導体発光素子の少なくとも一部とワイヤボンディングされる導電部が設けられており、前記搭載部と前記導電部とは離間して形成されると共に、前記導電部が前記搭載部よりも前記基板における前記表面側に配置されることで前記搭載部と前記導電部との間に段差が形成され、該段差に前記樹脂部の一部に相当する高反射率樹脂が設けられている構成とすることもできる。

上記構成によれば、半導体発光素子の光が、搭載部と導電部との間の段差に設けられた高反射率樹脂にて反射されるので、半導体発光素子から発せられた光を効率よく外部に取り出すことが可能になる。

しかも、搭載部と導電部との間に段差が形成されることで、半導体発光素子が搭載される凹部が２段底のような構成となり、半導体発光素子は最も凹んだ部分に実装されることとなる。そして、この最も凹んだ部分の体積は、凹部における基板の表面側にある１段目の底部分の体積よりも小さい。そのため、ディスペンサ等を用いて凹部に充填される、樹脂封止部を構成する蛍光体を含む樹脂は、毛細管現象により半導体発光素子が実装されている最も窪んだ位置に集中することとなり、高効率な光変換が可能となる。

さらに、この場合、前記凹部の内面が、前記基板における前記表面側の樹脂部に相当する高反射率樹脂からなる内側面と、前記搭載部の搭載面であって高反射率メッキが施された搭載面、前記搭載部の両側に位置する前記導電部におけるボンディングワイヤの接続面、および前記段差に設けられた高反射率樹脂の面よりなる底面とを有する構成とすることもできる。

これによれば、凹部の内面全体が高反射となり、半導体発光素子から発せられた光をより一層効率よく外部に取り出すことが可能になる。

本発明の発光装置においては、さらに、前記樹脂封止部は、前記基板の上方より平面視したときの形状が楕円形又は円形であることが好ましい。これによれば、樹脂封止部のレンズとしての機能が高まり、光の集光作用が働いて、光取り出し効率や配光特性をより一層改善することができる。

本発明の発光装置においては、さらに、前記樹脂封止部は、蛍光体を含む蛍光体樹脂よりなり、該蛍光体樹脂がドーム形状をなす構成とすることができる。この場合、樹脂部における前記凹部の入口となる部位に、前記蛍光体樹脂をはじく膜が形成されている構成とすることもできる。これによれば、膜にはじかれることで蛍光体樹脂がドーム形状を形成し易くなり、ドーム形状の樹脂封止部を安定して形成することができる。

さらに、この場合、ドーム形状をなす蛍光体樹脂の形成方法としては、金型成型にて作成したり、基板の凹部にディスペンサで蛍光体樹脂を供給して作成したりすることが、安定して形成する上で好ましい。

本発明の発光装置においては、さらに、前記樹脂封止部は、蛍光体を含む蛍光体樹脂よりなる蛍光体樹脂層と、高透過率樹脂よりなる高透過率樹脂層とを含み、前記蛍光体樹脂層が、前記各凹部に実装された前記半導体発光素子を覆い、前記高透過率樹脂層が前記蛍光体樹脂層を覆うと共にドーム形状をなす構成とすることもできる。

これによれば、半導体発光素子の光の波長を変換して所望の色に変換させる蛍光体樹脂層は、半導体発光素子を覆うだけとし、半導体発光素子に通電するボンディングワイヤ等を樹脂封止すると共にレンズとして作用させる機能は、蛍光体樹脂層を覆うように設けられた高透過率樹脂からなる高透過率樹脂層が担う。したがって、樹脂封止部が全て蛍光体樹脂からなる構成よりも、樹脂封止部のレンズとしての機能が高まり、光の集光作用が働いて、光取り出し効率や配光特性をより効果的に改善することができる。

この場合は、前記樹脂部における前記凹部の入口となる部位に、前記高透過率樹脂をはじく膜が形成されている構成とすることもできる。これによれば、膜にはじかれることで高透過率樹脂がドーム形状を形成し易くなり、ドーム形状の樹脂封止部を安定して形成することができる。

さらに、この場合、ドーム形状をなす高透過率樹脂層の形成方法としては、金型成型にて作成したり、基板の凹部にディスペンサで蛍光体樹脂を供給して作成したりすることが、安定して形成する上で好ましい。

本発明の発光装置においては、さらに、前記基板における長手方向の両端部に、当該発光装置を別の発光装置と連結するための連結用コネクタが設けられている構成とすることもできる。

連結用コネクタを用いて、発光装置同士を接続することができ、より長い発光装置を簡単に構成することができる。

本発明は、半導体発光素子から発生する熱を効率よく逃がすことができる長尺状の発熱装置を実現できるという効果を奏する。

本発明の実施の形態１に係る発光装置の断面図である。 本発明の実施の形態１，２に係る発光装置の簡易平面図である。 本発明の実施の形態２に係る発光装置の断面図である。 本発明の実施の形態３，４に係る発光装置の簡易平面図である。 本発明の実施の形態３に係る発光装置の断面図である。 本発明の実施の形態４に係る発光装置の断面図である。 従来技術を示すもので、従来のＣＯＢ型の発光装置の平面図である。 従来のＣＯＢ型の発光装置の断面図である。

〔実施の形態１〕
以下、本発明の実施の一形態について図１、図２を用いて説明する。

（発光装置の構造）
図２は、本発明の実施一形態に係る発光装置の簡易平面図である。発光装置１００は、ＣＯＢ型の発光装置であり、図１に、同発光装置１００の断面図（図２のＸ−Ｘ’線に沿って切断した断面図）を示す。

図２に示すように、発光装置１００は、長尺状の発光装置であるＣＯＢ連結タイプＬＥＤ装置であり、長手方向の両端部に、連結用コネクタ凹部４と連結用コネクタ凸部５とを備えている。発光装置１００の連結用コネクタ凹部４に他の発光装置１００の連結用コネクタ凸部５を接続することで、２つの発光装置１００を長手方向に連結できる。さらに、発光装置１００の連結用コネクタ凸部５に別の発光装置１００の連結用コネクタ凹部４を接続することで、３つの発光装置１００を長手方向に連結できる。連結用コネクタ凹部４と連結用コネクタ凸部５とを介して２つの発光装置１００を連結することで、２つの発光装置１００は互いに電気的にも接続される。

図１に示すように、このような発光装置１００は、複数のＬＥＤチップ（半導体発光素子）７と、ＬＥＤチップ７が実装される複数の凹部１０を有する基板１と、凹部１０に充填され、実装されたＬＥＤチップ７を覆って固化した、蛍光体樹脂からなる樹脂封止部２とを備えている。

基板１は、長尺状の矩形形状の部材であり、高反射率樹脂からなる樹脂部３と、樹脂部３と一体に形成された金属部６とを備えている。ここで、高反射率樹脂とは反射率が波長４５０ｎｍ付近で８５％以上の樹脂を言う。基板１は、例えば、金型を用いて射出成型されることで形成される。以降、基板１のＬＥＤチップ７が実装されている側を表面、その反対側を裏面と称する。基板１の表面側にある樹脂部３には、凹部１０が長手方向に沿って形成されている。

金属部６は、ＬＥＤチップ７が実装される複数の搭載部６Ａと、ＬＥＤチップ７と接続されたボンディングワイヤ８が接続される複数の導電部６Ｂとからなる。複数の搭載部６Ａと複数の導電部６Ｂとは、基板１の長手方向に沿って交互に配置されている。

このうち、複数の搭載部６Ａは、前記凹部１０に対応して設けられており、複数の導電部６Ｂは、凹部１０と凹部１０との間に対応して設けられている。複数のＬＥＤチップ７は、これら搭載部６Ａに、１つあるいは複数個ずつＣＯＢ搭載されており、図１の例では２個ずつ搭載されている。搭載部６Ａの搭載面は、ＡｕやＡｇを用いた高反射率メッキ９が施されている。ここで、高反射率メッキとは反射率が波長４５０ｎｍ付近で８０％以上のメッキを言う。

１つの搭載部６Ａに搭載された複数のＬＥＤチップ７は、Ａｕワイヤなどからなるボンディングワイヤ８を用いて、上面に設けられた第１電極と第２電極とが接続され、残りの第２電極および第１電極が、隣りに位置する導電部６Ｂの端子部１２にそれぞれ接続されている。複数のＬＥＤチップ７は、ＬＥＤチップ７とＬＥＤチップ７との間、あるいはＬＥＤチップ７と導電部６Ｂとの間がボンディングワイヤ８にて接続されることで、基板１の長手方向に沿って直列に接続されている。

金属部６を構成するこれら搭載部６Ａおよび導電部６Ｂのうち、複数の導電部６Ｂは、基板１の裏面において樹脂部３に覆われている。これに対し、複数の搭載部６Ａは、基板１の裏面において樹脂部３より露出している。搭載部６Ａが基板１の裏面において樹脂部３より露出することで、ＬＥＤチップ７の熱が搭載部６Ａより放出されやすくなり、ＬＥＤの輝度低下や発光効率低下を抑制できる。搭載部６Ａを基板１の裏面に露出させたことによる効果としては、搭載部６Ａを基板１の裏面に露出させない構成との比較において、熱抵抗の値が約２６％改善され、発光効率も約１．３％の向上が見込まれることを確認ずみである。

本実施の形態では、露出した搭載部６Ａは、基板１の裏面側にある樹脂部３と同じ高さにあり、基板１の裏面において樹脂部３と搭載部６Ａとは面一となっている。このような構成とすることで、発光装置１００が、他の部材に外部実装された場合に、他の部材と搭載部６Ａとが接触することとなり、搭載部６Ａに伝わった熱が他の部材に伝わりやすくなり、より効果的にＬＥＤで発生した熱を逃がすことができる。

ここで、より好ましくは、複数の搭載部６Ａ全てが基板１の裏面において樹脂部３より露出している構成である。しかしながら、複数ある搭載部６Ａのうちの少なくても一部が露出している構成であってもよい。同様に、より好ましくは、複数の搭載部６Ａ全てが基板１の裏面において樹脂部３と同一の高さとなっている構成である。しかしながら、複数ある搭載部６Ａのうちの一部が樹脂部３と同一の高さになく、外部実装された他の部材と接触しない構成であってもよい。

さらに、本実施の形態においては、搭載部６Ａ及び導電部６Ｂは何れも、同程度の厚さを持つ矩形の金属片よりなり、複数の搭載部６Ａは、基板１の裏面側において露出するべく、複数の導電部６Ｂよりも下方に配置されている。換言すると、複数の導電部６Ｂは、搭載部６Ａよりも基板１の表面側に配置されている。そのため、搭載部６Ａと導電部６Ｂとの間には段差が形成されている。

このような搭載部６Ａと導電部６Ｂとの間の段差には、搭載部６Ａの搭載面と導電部６Ｂにおける端子部１２とを繋ぐように樹脂部３が設けられおり、樹脂部３の面３ｂは、基板１の表面側に開くようなテーパが付けられている。上述したように樹脂部３は高反射率樹脂であるので、基板１の表面側に開くようなテーパが付けられた樹脂部３の面（高反射率樹脂の面）３ｂは、ＬＥＤチップ７から発光された光を効率よく反射する。その結果、ＬＥＤの光を外部に効率よく取り出すことが可能になる。

しかも、搭載部６Ａと導電部６Ｂとの間に段差が形成されることで、ＬＥＤチップ７が搭載される凹部１０が２段底のような構成となり、ＬＥＤチップ７は最も凹んだ部分に搭載されることとなる。そして、この最も凹んだ部分の体積は、凹部１０における基板１の表面側にある１段目の底部分の体積よりも小さい。そのため、凹部に充填された樹脂封止部２をなす蛍光体樹脂は、毛細管現象によりＬＥＤチップ７が搭載されている最も窪んだ位置に集中することとなり、高効率な光変換が可能となる。

また、ＬＥＤチップ７が搭載される凹部１０の内面は、図２における要部拡大図に示すように、高反射率樹脂からなる樹脂部３の内側面３ａと、搭載部６Ａの搭載面であって高反射率メッキ９が施された搭載面、搭載部６Ａの両隣の導電部６Ｂにおけるボンディングワイヤが接続される端子部（接続面）１２、及び搭載部６Ａと端子部１２とをつなぐ高反射率樹脂よりなる樹脂部３の面３ｂでなる底面とを有する、高反射部（リフレクタ）として機能する。このような構成とすることで、凹部１０に実装されたＬＥＤチップの光は、凹部１０内より効率よく取り出され、ＬＥＤの発光効率を上げることができる。

しかも、上記構成によれば、ＬＥＤチップ７を覆う樹脂封止部２が、図１に示すように、凹部１０の入口側に突となるドーム形状をなしている。このような構成とすることで、本実施の形態の発光装置１００は、直下型バックライトや照明装置用の発光装置に用いることができる。

一般的に、直下型バックライトや照明装置用の発光装置としては、ある程度の接触角を持ったドーム形状をなす個々のＬＥＤ_ＰＫＧ単体を、直下型バックライトや照明装置に適した専用の金属バーに複数個実装して使用している。しかしながら、このような構成では、専用の金属バーが必要であると共に、複数のＬＥＤ_ＰＫＧ単体を実装することが必要なため、部品数および工程数が共に多くコスト高となる。

これに対し、発光装置１００は、複数のＬＥＤチップ７が基板１上に実装されてドーム形状の樹脂封止部２にて封止されている構成であるので、個々のＬＥＤ_ＰＫＧ単体を金属バーに実装する構成よりも、部品数および工程数が少なく低コストとなる。また、樹脂封止部２をドーム形状としたことで、樹脂封止部２がレンズの役割を果たし、その結果、光の集光作用が働き、光取り出し効率や配光特性を改善することができる。

また、ドーム形状をなす樹脂封止部２は、基板１の上方より平面視したときの形状が、楕円形又は円形であることが好ましい。これによれば、樹脂封止部２のレンズとしての機能が高まり、光の集光作用が働いて、光取り出し効率や配光特性をより一層改善することができる。

ところで、このようなドーム形状をなす樹脂封止部２の形成方法としては、金型成型にて作成したり、ディスペンサ等を用いて作成したりすることができる。金型を利用する製法では、金型が必要とはなるが、安定してドーム形状に加工することができる。

一方、ディスペンサ等を用いて凹部１０に蛍光体樹脂を充填する手法では、図１に示すように、樹脂部３における凹部１０の入口となる部位に、蛍光体樹脂をはじく膜１３を形成しておくことが好ましい。はじく膜１３が形成されることで、蛍光体樹脂は、はじく膜１３にはじかれてドーム形状を形成し易くなり、ドーム形状の樹脂封止部２を安定して形成することができる。なお、図１に示す構成では、基板１における表面側の樹脂部３の全面にはじく膜１３を形成している構成を例示しているが、はじく膜１３は、少なくとも樹脂部３における凹部１０の入口となる部位に形成されていればよい。

〔実施の形態２〕
本発明の実施の他の形態について説明する。なお、説明の便宜上、実施の形態１において説明した機能と同様の機能を有する部材には同じ部材番号を付してその説明を省略する。

（発光装置の構造）
図２は、本発明の実施の他の形態に係る発光装置の簡易平面図である。発光装置１０１は、ＣＯＢ型の発光装置であり、図３に、発光装置１０１の断面図（図２のＸ−Ｘ’線に沿って切断した断面図）を示す。

図３に示すように、本実施の形態の発光装置１０１では、露出した搭載部６Ａは、基板１の裏面側にある樹脂部３よりも突出している。このような構成とすることで、発光装置１０１が、他の部材に外部実装された場合に、樹脂部３は接触せずに搭載部６Ａが他の部材と接触することとなる。そのため、樹脂部３が他の部材に接触するよりも搭載部６Ａに伝わった熱が他の部材に伝わりやすくなり、より効果的にＬＥＤで発生した熱を逃がすことができる。

ここで、より好ましくは、複数の搭載部６Ａ全てが基板１の裏面において樹脂部３より露出している構成である。しかしながら、複数ある搭載部６Ａのうちの少なくても一部が露出している構成であってもよい。同様に、より好ましくは、複数の搭載部６Ａ全てが基板１の裏面において樹脂部３よりも突出している構成である。しかしながら、複数ある搭載部６Ａのうちの一部が樹脂部３と同一の高さにあるなど、外部実装された他の部材と接触しない構成であってもよい。

そして、このように、複数の搭載部６Ａを樹脂部３よりも突出させる構成とする場合は、突出量を揃えて、全ての搭載部６Ａが外部実装された他の部材に均一に接触することが最も好ましい。しかしながら、一部に他の部材に接触しない搭載部６Ａが含まれていても、本発明の範疇とする。

但し、搭載部６Ａを樹脂部３よりも突出させる構成においては、基板１の裏面側において樹脂部３との間に段差が生じるため、発光装置１０１の外部実装が若干であるが不安定になる可能性がある。したがって、外部実装側のニーズに合わせて形成することが望ましい。

その他の構造は、実施の形態１の発光装置１００と同じであるが、搭載部６Ａと導電部６Ｂとの段差を大きくしたことで、凹部１０におけるＬＥＤチップ７の搭載位置がより一層下がることとなる。これにより、実施の形態１の発光装置１００よりも、ＬＥＤチップ７が搭載されている最も凹んだ部位への蛍光体樹脂の集中が期待でき、より一層、光変換効率向上を図ることができる。

〔実施の形態３〕
本発明の実施の他の形態について説明する。なお、説明の便宜上、実施の形態１、２において説明した機能と同様の機能を有する部材には同じ部材番号を付してその説明を省略する。

（発光装置の構造）
図４は、本発明の実施一形態に係る発光装置の簡易平面図である。発光装置１０２は、ＣＯＢ型の発光装置であり、図５に、同発光装置１０２の断面図（図４のＹ−Ｙ’線に沿って切断した断面図）を示す。

図５に示すように、本実施の形態の発光装置１０２では、凹部に充填された樹脂よりなる樹脂封止部２’が、蛍光体樹脂よりなる蛍光体樹脂層２’Ａと、透明な高透過率樹脂よりなる高透過率樹脂層２’Ｂとを含み、蛍光体樹脂層２’Ａが、各凹部１０に実装されたＬＥＤチップ７を覆い、高透過率樹脂層２’Ｂが蛍光体樹脂層２’Ａを覆うと共にドーム形状をなしている。ここで、高透過率樹脂とは透過率が波長４５０ｎｍ付近で９０％以上の樹脂を言う。

これによれば、ＬＥＤチップ７の光の波長を変換して所望の色に変換させる蛍光体樹脂層２’Ａは、ＬＥＤチップ７を覆うだけとし、ＬＥＤチップ７に通電するボンディングワイヤ８等を樹脂封止すると共にレンズとして作用させる機能は、蛍光体樹脂層２’Ａを覆うように設けられた高透過率樹脂からなる高透過率樹脂層２’Ｂが担う。したがって、図１、図３の樹脂封止部２が全て蛍光体樹脂からなる構成よりも、樹脂封止部２’のレンズとしての機能が高まり、光の集光作用が働いて、光取り出し効率や配光特性をより効果的に改善することができる。

〔実施の形態４〕
本発明の実施の他の形態について説明する。なお、説明の便宜上、実施の形態１〜３において説明した機能と同様の機能を有する部材には同じ部材番号を付してその説明を省略する。

（発光装置の構造）
図４は、本発明の実施の他の形態に係る発光装置の簡易平面図である。発光装置１０３は、ＣＯＢ型の発光装置であり、図６に、発光装置１０３の断面図（図４のＹ−Ｙ’線に沿って切断した断面図）を示す。

図６に示すように、本実施の形態の発光装置１０３では、搭載部６Ａが、基板１の裏面側より突出した発光装置１０１の構成において、凹部１０に充填された樹脂よりなる樹脂封止部２’が、蛍光体樹脂よりなる蛍光体樹脂層２’Ａと、高透過率樹脂よりなる高透過率樹脂層２’Ｂとを含み、蛍光体樹脂層２’Ａが、各凹部１０に実装されたＬＥＤチップ７を覆い、高透過率樹脂層２’Ｂが蛍光体樹脂層２’Ａを覆うと共にドーム形状をなしている構成である。

このような構成とすることで、発光装置１０１の構成による、効果的にＬＥＤチップ７の熱を放熱させると共に蛍光体樹脂をＬＥＤチップ７の周囲に集中させることができる効果に加え、光取り出し効率や配光特性をより効果的に改善することができるという効果を奏する。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

１ 基板
２、２’ 樹脂封止部
２’Ａ 蛍光体樹脂層
２’Ｂ 高透過率樹脂層
３ 樹脂部
３ｂ 段差に設けられた高反射率樹脂の面
４ 連結用コネクタ凹部（連結用コネクタ）
５ 連結用コネクタ凸部（連結用コネクタ）
６ 金属部
６Ａ 搭載部
６Ｂ 導電部
７ ＬＥＤチップ（半導体発光素子）
８ ボンディングワイヤ
９ 高反射率メッキ
１０ 凹部
１００〜１０３ 発光装置

Claims (14)

1. 長尺状をなし、樹脂部と金属部よりなり、前記樹脂部が当該基板の厚み方向の一方の面において部分的に除かれることで複数の凹部が長手方向に沿って形成された基板と、
   前記基板の前記各凹部に１つ又は複数搭載される半導体発光素子と、
   蛍光体を含み、前記複数の凹部に充填され、前記各凹部に搭載された前記半導体発光素子を前記凹部毎に覆う樹脂封止部とを備え、
   前記基板の前記各凹部には、前記金属部の一部に相当し、前記半導体発光素子が搭載される搭載部が設けられ、前記各凹部に設けられた搭載部の全部或いは少なくも一部が、前記基板における前記半導体発光素子が搭載される側である表面側とは反対の裏面側において前記樹脂部より露出しており、さらに、前記樹脂封止部が、前記凹部の入口側に突となるドーム形状であることを特徴とする発光装置。
2. 前記樹脂部より露出した前記搭載部は、前記樹脂部よりも突出していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記基板における隣り合う２つの前記搭載部の間に、前記金属部の一部に相当し、前記隣り合う２つの搭載部に搭載された半導体発光素子の少なくとも一部とワイヤボンディングされる導電部が設けられており、前記搭載部と前記導電部とは離間して形成されると共に、前記導電部が前記搭載部よりも前記基板における前記表面側に配置されることで前記搭載部と前記導電部との間に段差が形成され、該段差に前記樹脂部の一部に相当する高反射率樹脂が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 前記凹部の内面が、前記基板における前記表面側の樹脂部に相当する高反射率樹脂からなる内側面と、前記搭載部の搭載面であって高反射率メッキが施された搭載面、前記搭載部の両側に位置する前記導電部におけるボンディングワイヤの接続面、および前記段差に設けられた高反射率樹脂の面よりなる底面とを有することを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
5. 前記樹脂封止部は、前記基板の上方より平面視したときの形状が、楕円形又は円形であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の発光装置。
6. 前記樹脂封止部は、蛍光体を含む蛍光体樹脂よりなり、該蛍光体樹脂がドーム形状をなすことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の発光装置。
7. 前記樹脂部における前記凹部の入口となる部位に、前記蛍光体樹脂をはじく膜が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
8. 前記樹脂封止部は、蛍光体を含む蛍光体樹脂よりなる蛍光体樹脂層と、高透過率樹脂よりなる高透過率樹脂層とを含み、前記蛍光体樹脂層が、前記各凹部に搭載された前記半導体発光素子を覆い、前記高透過率樹脂層が前記蛍光体樹脂層を覆うと共にドーム形状をなすことを特徴とする１〜５の何れか１項に記載の発光装置。
9. 前記樹脂部における前記凹部の入口となる部位に、前記高透過率樹脂をはじく膜が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
10. 前記基板における長手方向の両端部に、当該発光装置を別の発光装置と連結するための連結用コネクタが設けられていることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の発光装置。
11. 請求項６に記載の発光装置を製造する製造方法であって、前記蛍光体樹脂よりなるドーム形状の樹脂封止部を金型成型にて作成することを特徴とする発光装置の製造方法。
12. 請求項７に記載の発光装置を製造する製造方法であって、前記蛍光体樹脂よりなるドーム形状の樹脂封止部を、前記凹部にディスペンサで蛍光体樹脂を供給することで作成することを特徴とする発光装置の製造方法。
13. 請求項８に記載の発光装置を製造する製造方法であって、前記高透過率樹脂よりなるドーム形状を金型成型にて作成することを特徴とする発光装置の製造方法。
14. 請求項９に記載の発光装置を製造する製造方法であって、前記高透過率樹脂よりなるドーム形状を、前記凹部にディスペンサで高透過率樹脂を供給することで作成することを特徴とする発光装置の製造方法。

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