JP2014007285A - Photodiode - Google Patents
Photodiode Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014007285A JP2014007285A JP2012142011A JP2012142011A JP2014007285A JP 2014007285 A JP2014007285 A JP 2014007285A JP 2012142011 A JP2012142011 A JP 2012142011A JP 2012142011 A JP2012142011 A JP 2012142011A JP 2014007285 A JP2014007285 A JP 2014007285A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light absorption
- semiconductor
- absorption layer
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Description
本発明は、広帯域かつ高感度なフォトダイオードに関する。 The present invention relates to a broadband and high sensitivity photodiode.
フォトダイオードは、半導体光吸収層において吸収した光を電流に変換する素子である。フォトダイオードは、一般に、光吸収層を厚くするほど、入力光パワーに対する出力電流の比（以下、感度と呼ぶ）を大きくすることができる。一方、光吸収層を厚くし過ぎると周波数応答帯域が低下する。このように、感度と周波数応答帯域とは、トレードオフ関係にある。 A photodiode is an element that converts light absorbed in a semiconductor light absorption layer into a current. In general, in a photodiode, the thicker the light absorption layer, the larger the ratio of output current to input optical power (hereinafter referred to as sensitivity). On the other hand, if the light absorption layer is made too thick, the frequency response band is lowered. Thus, the sensitivity and the frequency response band are in a trade-off relationship.
感度と帯域のトレードオフ関係を改善する方法として、基板裏面から光を入射する裏面入射型（基板入射型）のフォトダイオードにおいて、光入射側とは反対側の受光部領域の表面上に反射膜を形成する方法がある（特許文献１参照）。この手法によると、光吸収層で吸収できなかった非吸収光が、再び光吸収層内に導入されて吸収されるため、広帯域かつ高感度なフォトダイオードを実現することが可能になる。 As a method for improving the trade-off relationship between sensitivity and bandwidth, a reflective film is formed on the surface of the light receiving portion region opposite to the light incident side in a back-illuminated (substrate incident type) photodiode in which light is incident from the back surface of the substrate. There is a method of forming (see Patent Document 1). According to this method, since non-absorbed light that could not be absorbed by the light absorption layer is again introduced into the light absorption layer and absorbed, it is possible to realize a broadband and high-sensitivity photodiode.
また、感度と帯域のトレードオフ関係を改善する別の技術として、第１の光吸収層と第２のｐ型光吸収層の比率を、実効的な全キャリア走行時間が最小となるように設定する方法がある（特許文献２参照）。この手法によると、帯域に寄与するキャリア走行時間が最小化されるために、広帯域かつ高感度なフォトダイオードを実現することが可能になる。 As another technique for improving the trade-off relationship between sensitivity and bandwidth, the ratio between the first light absorption layer and the second p-type light absorption layer is set so that the effective total carrier travel time is minimized. There is a method to do (see Patent Document 2). According to this method, since the carrier traveling time contributing to the band is minimized, it is possible to realize a broadband and high-sensitivity photodiode.
さらに、基板入射型のフォトダイオードの光入射側とは反対側の受光部領域の表面上に反射膜を形成しつつ、さらに第１の光吸収層と第２のｐ型光吸収層の比率を、実効的な全キャリア走行時間が最小となるように設定することにより、さらなる広帯域かつ高感度なフォトダイオードを実現する技術も提案されている（特許文献３参照）。 Further, while forming a reflective film on the surface of the light receiving part region opposite to the light incident side of the substrate incident type photodiode, the ratio of the first light absorbing layer to the second p type light absorbing layer is further increased. In addition, a technique has been proposed that realizes a further wideband and high-sensitivity photodiode by setting the effective total carrier traveling time to be minimum (see Patent Document 3).
しかしながら、上述した技術では、特定の波長に対する帯域と感度のトレードオフ関係を改善することに主眼があり、要求される使用波長域全体に対してフォトダイオードの構造をどのように設計するかについての指針は示されていない。このため、要求される使用波長域全体で見ると、想定よりも感度が低い波長が存在してしまうことがあるなどの問題があった。 However, the above-described technology focuses on improving the trade-off relationship between bandwidth and sensitivity for a specific wavelength, and how to design a photodiode structure for the entire required wavelength range. No guidance is given. For this reason, when it sees in the whole use wavelength range requested | required, there existed problems, such as a wavelength with a sensitivity lower than expected.
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、要求される使用波長域全体において、感度が向上し、周波数応答帯域の低下が抑制できるようにすることを目的とする。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and aims to improve sensitivity and suppress a decrease in frequency response band in the entire required wavelength range. To do.
本発明に係るフォトダイオードは、光入射側となる基板の上に形成された第１導電型の半導体からなる第１半導体層と、第１半導体層の上に形成された半導体からなる光吸収層と、光吸収層の上に形成された第２導電型の半導体からなる第２半導体層と、第２半導体層の上の周辺部に接続して形成された第１電極と、第１半導体層に接続された第２電極と、第１電極の内側の第２半導体層の上に形成された反射層とを少なくとも備え、光吸収層は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有した半導体から構成され、第１半導体層，および第２半導体層は、光吸収層を構成する半導体より大きなバンドギャップエネルギーを有する半導体から構成され、基板の側より入射して反射層と第１半導体層との間を反射して往復する光の１往復の光路差のある２つの部分波の位相差Δが、対象波長域の中心波長においてπ／４＋２Ｎπ≦Δ≦３π／４＋２Ｎπ（Ｎは整数）となる状態に、第１半導体層，光吸収層，第２半導体層，反射層の層厚および複素屈折率の少なくとも１つが設定されている。 A photodiode according to the present invention includes a first semiconductor layer made of a first conductivity type semiconductor formed on a substrate on a light incident side, and a light absorption layer made of a semiconductor formed on the first semiconductor layer. A second semiconductor layer made of a second conductivity type semiconductor formed on the light absorption layer, a first electrode connected to a peripheral portion on the second semiconductor layer, and a first semiconductor layer And a reflection layer formed on the second semiconductor layer inside the first electrode, and the light absorption layer has a band gap energy corresponding to the wavelength of the target light. The first semiconductor layer and the second semiconductor layer are made of a semiconductor having a larger band gap energy than that of the semiconductor constituting the light absorption layer. Reflect and reciprocate between semiconductor layers The phase difference Δ of two partial waves having a one-way optical path difference of light is in a state where π / 4 + 2Nπ ≦ Δ ≦ 3π / 4 + 2Nπ (N is an integer) at the center wavelength of the target wavelength region, At least one of the layer thickness and complex refractive index of the light absorption layer, the second semiconductor layer, and the reflection layer is set.
上記フォトダイオードにおいて、光吸収層を、第１半導体層の側に形成されてアンドープとされた半導体からなる第１光吸収層と、第２半導体層の側に形成されて第２導電型の第１光吸収層と同じ半導体からなる第２光吸収層とから構成してもよい。この場合、第１導電型はｎ型であり第２導電型はｐ型である。 In the above-described photodiode, the light absorption layer is formed on the first semiconductor layer side and formed of an undoped semiconductor, and the light absorption layer is formed on the second semiconductor layer side. You may comprise from the 2nd light absorption layer which consists of the same semiconductor as 1 light absorption layer. In this case, the first conductivity type is n-type and the second conductivity type is p-type.
以上説明したことにより、本発明によれば、要求される使用波長域全体において、感度が向上し、周波数応答帯域の低下が抑制できるようになるという優れた効果が得られる。 As described above, according to the present invention, it is possible to obtain an excellent effect that the sensitivity is improved and the decrease in the frequency response band can be suppressed in the entire used wavelength range required.
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態におけるフォトダイオードの構成を示す断面図である。このフォトダイオードは、まず、光入射側となる基板１０１の上に形成された第１導電型の半導体からなる第１半導体層１０２を備える。また、第１半導体層１０２の上に形成されてアンドープとされた半導体からなる第１光吸収層１０３ａと、第１光吸収層１０３ａの上に形成されて第１光吸収層１０３ａと同じ半導体からなり第２導電型とされた第２光吸収層１０３ｂとを備える。また、第２光吸収層１０３ｂの上に形成された第２導電型の半導体からなる第２半導体層１０４を備える。なお、第１導電型は、ｎ型であり、第２導電型は、ｐ型である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a photodiode according to an embodiment of the present invention. The photodiode includes a first semiconductor layer 102 made of a first conductivity type semiconductor formed on a substrate 101 on the light incident side. Further, the first light absorption layer 103a made of an undoped semiconductor formed on the first semiconductor layer 102 and the same semiconductor as the first light absorption layer 103a formed on the first light absorption layer 103a are formed. And a second light absorption layer 103b having a second conductivity type. Further, a second semiconductor layer 104 made of a second conductivity type semiconductor formed on the second light absorption layer 103b is provided. The first conductivity type is n-type, and the second conductivity type is p-type.
また、第２半導体層１０４の上の周辺部には、第１電極１０５が接続して形成され、第１半導体層１０２には、第２電極１０６が接続して形成されている。例えば、第１光吸収層１０３ａ，第２光吸収層１０３ｂ，第２半導体層１０４は、円柱形状にパターニングされ、この円柱部の周囲の第１半導体層１０２上に、第２電極１０６が形成されている。 In addition, a first electrode 105 is formed to be connected to a peripheral portion on the second semiconductor layer 104, and a second electrode 106 is formed to be connected to the first semiconductor layer 102. For example, the first light absorption layer 103a, the second light absorption layer 103b, and the second semiconductor layer 104 are patterned into a cylindrical shape, and the second electrode 106 is formed on the first semiconductor layer 102 around the cylindrical portion. ing.
また、第２半導体層１０４の上には、誘電体層１０７を介して反射層１０８が形成されている。反射層１０８は、第１電極１０５の内側の第２半導体層１０４の上に形成されていればよい。反射層１０８は、例えば金属から構成されている。また、基板１０１の光入射側の裏面には、反射防止層１０９が形成されている。 A reflective layer 108 is formed on the second semiconductor layer 104 with a dielectric layer 107 interposed therebetween. The reflective layer 108 only needs to be formed on the second semiconductor layer 104 inside the first electrode 105. The reflective layer 108 is made of, for example, metal. An antireflection layer 109 is formed on the back surface of the substrate 101 on the light incident side.
なお、第１光吸収層１０３ａ，第２光吸収層１０３ｂは、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有した半導体から構成されていればよい。これら光吸収層は、対象とする光の波長（使用波長）におけるフォトンエネルギーよりもバンドギャップの小さい材料から構成されていればよい。また、第１半導体層１０２，および第２半導体層１０４は、第１光吸収層１０３ａ，第２光吸収層１０３ｂを構成する半導体より大きなバンドギャップエネルギーを有する半導体から構成されている。 In addition, the 1st light absorption layer 103a and the 2nd light absorption layer 103b should just be comprised from the semiconductor with the band gap energy corresponding to the wavelength of the light made into object. These light absorption layers should just be comprised from the material whose band gap is smaller than the photon energy in the wavelength (use wavelength) of the object light. Further, the first semiconductor layer 102 and the second semiconductor layer 104 are made of a semiconductor having a larger band gap energy than the semiconductors constituting the first light absorption layer 103a and the second light absorption layer 103b.
例えば、基板１０１は、半絶縁性のＩｎＰからなる半導体基板であればよい。また、第１半導体層１０２は、ｎ型不純物が高濃度に導入されたｎ+−ＩｎＰから構成されていればよい。また、第１光吸収層１０３ａは、アンドープのＩｎＧａＡｓから構成され、第２光吸収層１０３ｂは、ｐ型不純物が導入されたｐ−ＩｎＧａＡｓから構成されていればよい。第２半導体層１０４は、ｐ型の不純物が高濃度に導入されたｐ+−ＩｎＧａＡｓＰから構成されていればよい。なお、誘電体層１０７は、ＴｉＯ2およびＳｉＯ2の積層から構成されていればよい。 For example, the substrate 101 may be a semiconductor substrate made of semi-insulating InP. The first semiconductor layer 102 only needs to be made of n + -InP into which an n-type impurity is introduced at a high concentration. Further, the first light absorption layer 103a may be made of undoped InGaAs, and the second light absorption layer 103b may be made of p-InGaAs into which a p-type impurity is introduced. The second semiconductor layer 104 only needs to be made of p + -InGaAsP into which a p-type impurity is introduced at a high concentration. The dielectric layer 107 only needs to be composed of a laminate of TiO 2 and SiO 2 .
以下、本実施の形態におけるフォトダイオードの製造方法について簡単に説明する。まず、半絶縁性のＩｎＰからなる基板１０１の上に、ｎ型のＩｎＰ（第１半導体層１０２）、アンドープのＩｎＧａＡｓ（第１光吸収層１０３ａ）、ｐ型のＩｎＧａＡｓ（第２光吸収層１０３ｂ）、およびｐ型のＩｎＧａＡｓＰ（第２半導体層１０４）を順次堆積する。これらは、よく知られた有機金属気相成長法により形成すればよい。また、ｎ型の層は、例えばＳｉを不純物として用いればよく、ｐ型の層は、例えばＺｎを不純物として用いればよい。 Hereinafter, a method for manufacturing the photodiode according to the present embodiment will be briefly described. First, on a substrate 101 made of semi-insulating InP, n-type InP (first semiconductor layer 102), undoped InGaAs (first light absorption layer 103a), p-type InGaAs (second light absorption layer 103b). ) And p-type InGaAsP (second semiconductor layer 104) are sequentially deposited. These may be formed by a well-known metal organic chemical vapor deposition method. For example, Si may be used as an impurity for the n-type layer, and Zn may be used as an impurity for the p-type layer, for example.
次に、第２半導体層１０４となるＩｎＧａＡｓＰの層の上に、第１電極１０５を形成する。例えば、第１電極１０５の形成領域が開放したレジストパターンを形成し、この上に、電子ビーム蒸着法により、Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｕを順次蒸着して，Ｐｔ／Ｔｉ／Ａｕ多層膜を形成する。この後、レジストパターンを除去すればＰｔ／Ｔｉ／Ａｕ多層膜から構成された第１電極１０５できる（リフトオフ法）。第１電極１０５は、例えば、平面視で中央に開口を有するリング状に形成すればよい。 Next, the first electrode 105 is formed on the InGaAsP layer to be the second semiconductor layer 104. For example, a resist pattern in which the formation region of the first electrode 105 is opened is formed, and Pt, Ti, and Au are sequentially deposited thereon by an electron beam evaporation method to form a Pt / Ti / Au multilayer film. Thereafter, if the resist pattern is removed, the first electrode 105 composed of a Pt / Ti / Au multilayer film can be formed (lift-off method). The first electrode 105 may be formed, for example, in a ring shape having an opening in the center in plan view.
次に、公知のリソグラフィー技術およびウエットエッチングにより、アンドープのＩｎＧａＡｓの層，ｐ型のＩｎＧａＡｓの層，およびｐ型のＩｎＧａＡｓＰの層をパターニングし、円柱状の第１光吸収層１０３ａ，第２光吸収層１０３ｂ，および第２半導体層１０４を形成する。次に、このパターニングにより露出した第１半導体層１０２の所望の箇所に、上述した第１電極１０５と同様にすることで、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ多層膜から構成された第２電極１０６を形成する。 Next, the undoped InGaAs layer, the p-type InGaAs layer, and the p-type InGaAsP layer are patterned by a known lithography technique and wet etching, and the cylindrical first light absorption layer 103a and second light absorption layer are patterned. The layer 103b and the second semiconductor layer 104 are formed. Next, a second electrode composed of a Ti / Pt / Au / Pt / Ti multilayer film is formed at a desired location of the first semiconductor layer 102 exposed by this patterning in the same manner as the first electrode 105 described above. 106 is formed.
次に、誘電体層１０７を形成する。例えば、ＴｉＯ2の層およびＳｉＯ2の層を順次にスパッタ法で堆積し、ＴｉＯ2およびＳｉＯ2の積層からなる誘電体層１０７を形成すればよい。ここで、誘電体層１０７の機能としては、ＳｉＯ2のみで十分であるが、第２半導体層１０４とＳｉＯ2との界面の密着性および濡れ性などを向上させることを目的として、ＴｉＯ2の層を挿入する。 Next, the dielectric layer 107 is formed. For example, a dielectric layer 107 composed of a stack of TiO 2 and SiO 2 may be formed by sequentially depositing a TiO 2 layer and a SiO 2 layer by sputtering. Here, as the function of the dielectric layer 107, only SiO 2 is sufficient, but for the purpose of improving the adhesion and wettability of the interface between the second semiconductor layer 104 and SiO 2 , the function of TiO 2 is improved. Insert a layer.
次に、反射層１０８を形成する。例えば、電子ビーム法により選択的にＡｕを堆積することで、反射層１０８を形成すればよい。反射層１０８は、少なくとも、第１電極１０５の形成領域より内側の領域に形成されていればよい。また、基板１０１の裏面に、反射防止層１０９を形成する。 Next, the reflective layer 108 is formed. For example, the reflective layer 108 may be formed by selectively depositing Au by an electron beam method. The reflective layer 108 may be formed at least in a region inside the region where the first electrode 105 is formed. Further, an antireflection layer 109 is formed on the back surface of the substrate 101.
上述した構成とした本実施の形態におけるフォトダイオードは、第１半導体層１０２および第２半導体層１０４は、第１光吸収層１０３ａ，第２光吸収層１０３ｂを構成する半導体より大きなバンドギャップエネルギーを有する半導体から構成しているので、対象とする波長の入射光は、透過する。これに対し、第１光吸収層１０３ａ，第２光吸収層１０３ｂは、使用波長におけるフォトンエネルギーよりもバンドギャップの小さい材料から構成しているので、入射光を吸収し光電流に変換することができる。 In the photodiode according to this embodiment having the above-described structure, the first semiconductor layer 102 and the second semiconductor layer 104 have a larger band gap energy than the semiconductors included in the first light absorption layer 103a and the second light absorption layer 103b. Since it consists of the semiconductor which has, the incident light of the target wavelength permeate | transmits. On the other hand, since the first light absorption layer 103a and the second light absorption layer 103b are made of a material having a band gap smaller than the photon energy at the wavelength used, it is possible to absorb incident light and convert it into a photocurrent. it can.
なお、ＩｎＰから構成した基板１０１および第１半導体層１０２と、ＩｎＧａＡｓから構成した第１光吸収層１０３ａ，第２光吸収層１０３ｂとは、バンドギャップが異なると同時に、一般に屈折率も異なる。例えば、波長１．５５μｍにおいて、ＩｎＰは屈折率が３．１７であり、ＩｎＧａＡｓは、屈折率が３．５９である。従って、各々の材料の組み合わせによって、第１光吸収層１０３ａと第１半導体層１０２，あるいは、第１半導体層１０２と基板１０１との界面には、屈折率差が形成されることになる。 The substrate 101 and the first semiconductor layer 102 made of InP, and the first light absorption layer 103a and the second light absorption layer 103b made of InGaAs have different band gaps and generally different refractive indexes. For example, at a wavelength of 1.55 μm, InP has a refractive index of 3.17, and InGaAs has a refractive index of 3.59. Accordingly, a difference in refractive index is formed at the interface between the first light absorption layer 103a and the first semiconductor layer 102 or between the first semiconductor layer 102 and the substrate 101 depending on the combination of the respective materials.
ここで、上記構成とした本実施の形態のフォトダイオードでは、基板１０１の側より入射して第１光吸収層１０３ａ，第２光吸収層１０３ｂを透過した入射光は、第２半導体層１０４，誘電体層１０７を透過して反射層１０８で反射され、再び第１光吸収層１０３ａ，第２光吸収層１０３ｂに導かれて吸収される。さらに、反射層１０８で反射して第１光吸収層１０３ａ，第２光吸収層１０３ｂを透過した一部の反射光は、屈折率差が存在する上述した界面で反射され、再再度、第１光吸収層１０３ａ，第２光吸収層１０３ｂに導かれて吸収されることになる。このように、第１光吸収層１０３ａ，第２光吸収層１０３ｂを挟んで、多重反射が発生していることが分かる。 Here, in the photodiode of the present embodiment having the above-described configuration, incident light that has entered from the substrate 101 side and has passed through the first light absorption layer 103a and the second light absorption layer 103b is transmitted to the second semiconductor layer 104, The light passes through the dielectric layer 107, is reflected by the reflective layer 108, and is again guided to and absorbed by the first light absorption layer 103a and the second light absorption layer 103b. Further, a part of the reflected light reflected by the reflective layer 108 and transmitted through the first light absorbing layer 103a and the second light absorbing layer 103b is reflected at the above-described interface where there is a difference in refractive index, and is again first. The light absorption layer 103a and the second light absorption layer 103b are guided and absorbed. Thus, it can be seen that multiple reflection occurs with the first light absorption layer 103a and the second light absorption layer 103b interposed therebetween.
この多重反射の発生において、本実施の形態におけるフォトダイオードは、基板１０１の側より入射して反射層１０８と第１半導体層１０２との間を反射して往復する光の１往復の光路差のある２つの部分波Ｅ１および部分波Ｅ２の位相差Δが、対象波長域の中心波長においてπ／４＋２Ｎπ≦Δ≦３π／４＋２Ｎπ（Ｎは整数）となる状態に、第１半導体層１０２，光吸収層，第２半導体層１０４，反射層１０８の層厚および複素屈折率の少なくとも１つが設定されているようにした。例えば、第１光吸収層１０３ａおよび第２光吸収層１０３ｂからなる光吸収層の厚さを、上記式が成立する状態に設定すればよい。 In the occurrence of this multiple reflection, the photodiode according to the present embodiment has an optical path difference of one round trip of light incident from the substrate 101 side and reflected back and forth between the reflective layer 108 and the first semiconductor layer 102. The first semiconductor layer 102 absorbs light in a state where the phase difference Δ between two partial waves E1 and E2 is π / 4 + 2Nπ ≦ Δ ≦ 3π / 4 + 2Nπ (N is an integer) at the center wavelength of the target wavelength region. At least one of the layer thickness, the layer thickness of the second semiconductor layer 104, and the reflective layer 108 and the complex refractive index is set. For example, what is necessary is just to set the thickness of the light absorption layer which consists of the 1st light absorption layer 103a and the 2nd light absorption layer 103b in the state in which the said Formula is materialized.
このように、第１光吸収層１０３ａおよび第２光吸収層１０３ｂからなる光吸収層において生じる多重反射光において、１往復だけ光路差のある２つの部分波Ｅ１と部分波Ｅ２の位相差Δ、言い換えると、部分波Ｅ１に対する部分波Ｅ２の位相差Δを利用すると、波長に対する感度変化の形状を制御することが可能になる。以下、具体例とともに本発明の原理を説明する。なお、以下では、第１光吸収層１０３ａおよび第２光吸収層１０３ｂをあわせて光吸収層とする。 In this way, in the multiple reflected light generated in the light absorption layer composed of the first light absorption layer 103a and the second light absorption layer 103b, the phase difference Δ between the two partial waves E1 and E2 having an optical path difference by one round trip, In other words, if the phase difference Δ of the partial wave E2 with respect to the partial wave E1 is used, the shape of the sensitivity change with respect to the wavelength can be controlled. The principle of the present invention will be described below with specific examples. Hereinafter, the first light absorption layer 103a and the second light absorption layer 103b are collectively referred to as a light absorption layer.
図２は、本発明の実施の形態におけるフォトダイオードにおいて、光吸収層に生じる多重反射光において１往復だけ光路差のある２つの部分波の位相差、すなわち、図１に示す部分波Ｅ１に対する部分波Ｅ２の位相差Δが、光吸収層厚（第１光吸収層１０３ａと第２光吸収層１０３ｂの厚さの和）に対してどのように変化するかを計算したものである。また図３は、光吸収層厚に対する感度の変化を計算したものである。 FIG. 2 shows a phase difference between two partial waves having an optical path difference of one round trip in the multiple reflected light generated in the light absorption layer in the photodiode according to the embodiment of the present invention, that is, a portion with respect to the partial wave E1 shown in FIG. It is calculated how the phase difference Δ of the wave E2 changes with respect to the light absorption layer thickness (the sum of the thicknesses of the first light absorption layer 103a and the second light absorption layer 103b). FIG. 3 shows the change in sensitivity with respect to the light absorption layer thickness.
ここで、光の波長は１．５７μｍとし、基板１０１、および第１半導体層１０２はＩｎＰの屈折率を用いた。また、光吸収層はＩｎＧａＡｓの複素屈折率を用いており、波長が長波長になるほど吸収係数が単調に減少するよう屈折率の虚部を設定した。また第２半導体層１０４，誘電体層１０７，反射層１０８は、Ａｕの複素屈折率で代表させた。また、光吸収層における第１光吸収層１０３ａと第２光吸収層１０３ｂとの比は一定にした。また位相差Δは±πラジアンの間の値で表した。 Here, the wavelength of light was 1.57 μm, and the refractive index of InP was used for the substrate 101 and the first semiconductor layer 102. The light absorption layer uses a complex refractive index of InGaAs, and the imaginary part of the refractive index is set so that the absorption coefficient monotonously decreases as the wavelength becomes longer. The second semiconductor layer 104, the dielectric layer 107, and the reflective layer 108 are represented by the complex refractive index of Au. Further, the ratio of the first light absorption layer 103a and the second light absorption layer 103b in the light absorption layer was made constant. The phase difference Δ is expressed as a value between ± π radians.
また図３において、多重反射を考慮した場合の計算結果を実線で示している。一方、屈折率差に伴う多重反射が発生しない場合、すなわち基板１０１および第１半導体層１０２層の屈折率が光吸収層と等しく、行きと帰りの１往復のみを考慮すれば良い場合の計算結果を点線で示した。また、感度は、単位Ａ／Ｗで表した。また入射光は光吸収層の面に対し垂直に入射するものとした。 Further, in FIG. 3, the calculation result when multiple reflection is taken into consideration is shown by a solid line. On the other hand, when multiple reflection due to the difference in refractive index does not occur, that is, when the refractive index of the substrate 101 and the first semiconductor layer 102 is equal to that of the light absorption layer and only one round trip between the return and return is considered. Is indicated by a dotted line. Sensitivity was expressed in units of A / W. The incident light is assumed to be incident perpendicular to the surface of the light absorption layer.
図２に示すように、光吸収層厚が増加すると部分波Ｅ１から部分波Ｅ２に至る伝播距離が増加するために位相差Δが増加する。また位相差Δは、光吸収層厚に比例する位相成分だけでなく、各層の境界面における反射に伴う位相シフトも含まれている。ここで、光吸収層厚１μｍ近傍に注目し、位相差Δが＋π／２ラジアンおよび−π／２ラジアンとなる点を、各々点Ａおよび点Ｂと呼ぶことにする。また、図２において、グレーで示した領域は、当該波長において、位相差Δがπ／４＋２Ｎπ≦Δ≦３π／４＋２Ｎπ（Ｎは整数）であることを示しており、点Ａもこの領域に含まれる。 As shown in FIG. 2, when the thickness of the light absorption layer increases, the propagation distance from the partial wave E1 to the partial wave E2 increases, so that the phase difference Δ increases. The phase difference Δ includes not only a phase component proportional to the thickness of the light absorption layer but also a phase shift accompanying reflection at the boundary surface of each layer. Here, paying attention to the vicinity of the light absorption layer thickness of 1 μm, the points where the phase difference Δ is + π / 2 radians and −π / 2 radians will be referred to as points A and B, respectively. In FIG. 2, a region indicated by gray indicates that the phase difference Δ is π / 4 + 2Nπ ≦ Δ ≦ 3π / 4 + 2Nπ (N is an integer) at the wavelength, and the point A is also included in this region. It is.
図３に示すように、屈折率差に伴う多重反射が発生しない場合（点線）は、光吸収層厚が増加すると感度が単調増加する。ところが、多重反射を考慮した場合（実線）は、点線に対して感度が増加する場合や減少する場合がある。図２の位相差Δと照らし合わせると、位相差が、＋π／２ラジアンとなる点Ａおよび−π／２ラジアンとなる点Ｂでは、感度はほとんど変わらないが、位相差が０ラジアン，πラジアンでは、多重反射の影響により、各々感度がおおむね極大値，極小値を示すことが分かる。 As shown in FIG. 3, when the multiple reflection due to the refractive index difference does not occur (dotted line), the sensitivity increases monotonically as the light absorption layer thickness increases. However, when multiple reflection is considered (solid line), the sensitivity may increase or decrease with respect to the dotted line. When compared with the phase difference Δ in FIG. 2, the sensitivity is almost the same at the point A where the phase difference is + π / 2 radians and the point B where the phase difference is −π / 2 radians, but the phase differences are 0 radians and π radians. Then, it can be seen that the sensitivity shows a maximum value and a minimum value due to the influence of multiple reflection.
次に、図４および図５は、本発明の実施の形態におけるフォトダイオードにおいて、光吸収層に多重反射が生じる場合に、１．５７±０．０５μｍの範囲の波長に対して位相差Δと感度がどのように変化するかを、図２の点Ａおよび点Ｂの光吸収層厚について各々計算した結果である。 Next, FIGS. 4 and 5 show the phase difference Δ and the wavelength difference in the range of 1.57 ± 0.05 μm when multiple reflection occurs in the light absorption layer in the photodiode according to the embodiment of the present invention. It is the result of having calculated each about the light absorption layer thickness of the point A and the point B of FIG. 2 how a sensitivity changes.
点Ａの計算結果を表す線Ａは、多重反射光の中心波長における位相差が＋π／２ラジアンであり、中心波長よりも長波長側においては同位相になる方向に位相差Δが変化するため、量子効率が向上する。これにより、長波長側における光吸収層材料の吸収係数の減少に伴う感度低下を補うことが可能になる。 The line A representing the calculation result of the point A has a phase difference of + π / 2 radians at the center wavelength of the multiple reflected light, and the phase difference Δ changes in a direction in which the phase becomes the same on the longer wavelength side than the center wavelength. , Quantum efficiency is improved. Thereby, it becomes possible to compensate for the sensitivity reduction accompanying the decrease in the absorption coefficient of the light absorption layer material on the long wavelength side.
これに対し、点Ｂの計算結果を表す線Ｂは、多重反射光の中心波長における位相差が−π／２ラジアンであり、中心波長よりも長波長側においては逆位相になる方向に位相差Δが変化するため、量子効率が低下する。これにより、長波長側における光吸収層材料の吸収係数の減少とあいまって感度が低下する。 On the other hand, the line B representing the calculation result of the point B is such that the phase difference at the center wavelength of the multiple reflected light is −π / 2 radians, and the phase difference is in the opposite phase on the longer wavelength side than the center wavelength. Since Δ changes, the quantum efficiency decreases. As a result, the sensitivity is reduced in combination with a decrease in the absorption coefficient of the light absorption layer material on the long wavelength side.
また、図５において、線Ａに対する感度の最大値と最小値を、各々ＡｍａｘとＡｍｉｎとし、線Ｂに対して各々ＢｍａｘとＢｍｉｎとすると、Ａｍａｘ／Ａｍｉｎ＝１．０３、Ｂｍａｘ／Ｂｍｉｎ＝１．１７となる。このように、明らかに線Ａの方が感度の平坦性が良く、１．５２〜１．６２μｍの波長に対する感度変動を３％程度に抑制できる。 In FIG. 5, if the maximum and minimum values of sensitivity for the line A are Amax and Amin and Bmax and Bmin for the line B, respectively, Amax / Amin = 1.03, Bmax / Bmin = 1. 17 Thus, obviously, the line A has better sensitivity flatness, and the sensitivity fluctuation with respect to the wavelength of 1.52 to 1.62 μm can be suppressed to about 3%.
図６は、１．５２〜１．６２μｍの波長範囲における感度の最大値と最小値を、各光吸収層厚に対して求めた計算結果である。Ａｍａｘ，Ａｍｉｎ，Ｂｍａｘ，Ｂｍｉｎの各点は、図５における定義と同じである。図６において、点Ａ付近において最大値と最小値が近接しているのはグレーで示した領域である。さらに、中心波長１．５７μｍに対する位相差Δ（図２）と照らし合わせると、グレーで示した領域、すなわち中心波長の位相差Δが、「π／４＋２Ｎπ≦Δ≦３π／４＋２Ｎπ（Ｎは整数）」である場合に最大値と最小値が近接していることが分かる。 FIG. 6 shows calculation results obtained by determining the maximum value and the minimum value of sensitivity in the wavelength range of 1.52 to 1.62 μm with respect to each light absorption layer thickness. Each point of Amax, Amin, Bmax, and Bmin is the same as the definition in FIG. In FIG. 6, the maximum value and the minimum value are close to each other in the vicinity of the point A is an area shown in gray. Further, when compared with the phase difference Δ (FIG. 2) with respect to the center wavelength of 1.57 μm, the region shown in gray, that is, the phase difference Δ of the center wavelength is “π / 4 + 2Nπ ≦ Δ ≦ 3π / 4 + 2Nπ (N is an integer) It can be seen that the maximum value and the minimum value are close to each other.
以上に説明したように、本発明によれば、基板の側より入射して反射層と第１半導体層との間を反射して往復する光の１往復の光路差のある２つの部分波Ｅ１および部分波Ｅ２の位相差Δが、対象波長域の中心波長においてπ／４＋２Ｎπ≦Δ≦３π／４＋２Ｎπ（Ｎは整数）となる状態にしたので、要求される使用波長域全体において、感度が向上し、周波数応答帯域の低下が抑制できるようになる。 As described above, according to the present invention, two partial waves E1 having an optical path difference of one reciprocation of light incident from the substrate side and reflected between the reflective layer and the first semiconductor layer to reciprocate. And the phase difference Δ of the partial wave E2 is in a state of π / 4 + 2Nπ ≦ Δ ≦ 3π / 4 + 2Nπ (N is an integer) at the center wavelength of the target wavelength range, so that sensitivity is improved in the entire required wavelength range to be used. As a result, a decrease in the frequency response band can be suppressed.
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、上述では、長波長側において光吸収層材料の吸収係数の減少により感度が長波長側で低下する場合について説明したが、使用する波長帯における吸収係数の波長依存性、および量子効率と感度の波長に対する関係に応じて位相差Δを設定することにより感度の平坦化を実現してもよい。また、感度を平坦化する効果に注目して説明したが、特定波長の感度が向上するよう位相差Δを設定しても良い。 The present invention is not limited to the embodiment described above, and many modifications and combinations can be implemented by those having ordinary knowledge in the art within the technical idea of the present invention. It is obvious. For example, in the above description, the case where the sensitivity decreases on the long wavelength side due to the decrease in the absorption coefficient of the light absorption layer material on the long wavelength side has been described. However, the wavelength dependence of the absorption coefficient in the wavelength band to be used, and the quantum efficiency and sensitivity. Flattening of the sensitivity may be realized by setting the phase difference Δ according to the relationship with respect to the wavelength. In addition, although the description has been given focusing on the effect of flattening the sensitivity, the phase difference Δ may be set so that the sensitivity at a specific wavelength is improved.
また、位相差Δを設定するためのパラメータとして光吸収層厚を用いたが、各層の境界面における反射に伴う位相シフトが位相差Δに関わることを用いて、光吸収層以外の層の複素屈折率や厚さをパラメータとして位相差Δを設定してもよい。また、光吸収層厚１μｍ近傍に注目して説明したが、他の光吸収層厚であっても良い。また、基板の裏面（素子と反対側）から光が入射する構造について説明したが、基板の上面（素子側）から光を入射し、光吸収層を透過した光を反射層で反射させることにより光吸収層に多重反射を発生させる構造であってもよい。 In addition, although the thickness of the light absorption layer is used as a parameter for setting the phase difference Δ, the fact that the phase shift accompanying the reflection at the boundary surface of each layer is related to the phase difference Δ makes it possible to complex the layers other than the light absorption layer. The phase difference Δ may be set using the refractive index and thickness as parameters. In addition, although the description has been given focusing on the vicinity of the light absorption layer thickness of 1 μm, other light absorption layer thicknesses may be used. In addition, the structure in which light is incident from the back surface (the side opposite to the element) of the substrate has been described, but light is incident from the upper surface (element side) of the substrate, and the light transmitted through the light absorption layer is reflected by the reflective layer. A structure that generates multiple reflections in the light absorption layer may be used.
また、上述では、光吸収層を、第１半導体層の側に形成されてアンドープとされた半導体からなる第１光吸収層と、第２半導体層の側に形成されて第２導電型の第１光吸収層と同じ半導体からなる第２光吸収層とから構成したが、これに限るものではない。光吸収層は、アンドープの半導体から一体に構成してもよい。また、光吸収層は、第１半導体層および第２半導体層よりも低い濃度範囲で不純物が導入された半導体から一体に構成してもよい。 Further, in the above description, the light absorption layer is formed on the first semiconductor layer side and made of an undoped semiconductor, and on the second semiconductor layer side, the second conductivity type second light absorption layer is formed. Although it comprised from the 2nd light absorption layer which consists of the same semiconductor as 1 light absorption layer, it does not restrict to this. The light absorption layer may be integrally formed from an undoped semiconductor. The light absorption layer may be integrally formed from a semiconductor into which impurities are introduced in a concentration range lower than that of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.
また、誘電体層は、ＴｉＯ2/ＳｉＯ2の積層構造として説明したが、入射光の波長帯で大きな吸収係数を持たない限り、Ａｌ2Ｏ3およびＴａ2Ｏ5などの他の酸化物、また、Ｓｉ3Ｎ4，ＴｉＮ，およびＡｌＮなどの窒化物から構成してもよい。また、誘電体層を形成する半導体表面との密着性および濡れ性が十分にある場合は、ＴｉＯ2/ＳｉＯ2のように多層構造にする必要はない。材料を変更しても、誘電体層の層厚はＴｉＯ2/ＳｉＯ2の場合と同様に、プロセスに支障をきたさないために必要最低限度以上の層厚で、かつ反射率が最大となる層厚にすればよい。 Further, the dielectric layer has been described as a laminated structure of TiO 2 / SiO 2 , but other oxides such as Al 2 O 3 and Ta 2 O 5 as long as they do not have a large absorption coefficient in the wavelength band of incident light, Further, Si 3 N 4, TiN, and may be composed of nitrides such as AlN. In addition, when there is sufficient adhesion and wettability with the semiconductor surface on which the dielectric layer is formed, it is not necessary to have a multilayer structure like TiO 2 / SiO 2 . Even when the material is changed, the layer thickness of the dielectric layer is the layer thickness that is more than the minimum necessary to prevent troubles in the process as in the case of TiO 2 / SiO 2 and has the maximum reflectance. You can make it thick.
また、反射層を構成する金属はＡｕとして説明したが、入射光の波長に対する反射率が十分に確保できる金属材料で、かつ組み合わせて用いる誘電体層に拡散および誘電体層と合金化しないものであればよい。例えば、反射層を構成する材料としては、Ａｇ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，およびＴｉなどが挙げられる。 In addition, although the metal constituting the reflective layer has been described as Au, it is a metal material that can sufficiently ensure the reflectance with respect to the wavelength of incident light, and does not diffuse and alloy with the dielectric layer used in combination. I just need it. For example, examples of the material constituting the reflective layer include Ag, Pt, Al, Ni, Co, W, Cu, and Ti.
また上述では、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系化合物半導体を用いるようにしたが、これに限るものではない。例えば、Ｐ系、Ａｓ系、Ｎ系、Ｓｂ系、などの化合物半導体を用いるようにしてもよく、またＧｅ系、Ｓｉ系などの単元素半導体材料でもよい。 In the above description, an InGaAs / InP-based compound semiconductor is used. However, the present invention is not limited to this. For example, a compound semiconductor such as P-based, As-based, N-based, or Sb-based may be used, or a single-element semiconductor material such as Ge-based or Si-based may be used.
また、導電型を入れ替えてもよいことはいうまでもない。例えば、基板の側より、ｐ型とした半導体層，ｐ型光吸収層，ノンドープの光吸収層，ｎ型とした半導体層の順に積層し、ｎ型とした半導体層の上に、誘電体層を介して反射層を形成してもよい。 Needless to say, the conductivity types may be interchanged. For example, a p-type semiconductor layer, a p-type light absorption layer, a non-doped light absorption layer, and an n-type semiconductor layer are stacked in this order from the substrate side, and a dielectric layer is formed on the n-type semiconductor layer. A reflective layer may be formed via
また、上述では、反射層を設ける側の電極を円形のリング状に形成したが、これに限るものではない。例えば、四角形および六角形などの外形の枠状に形成してもよく、基板の側より入射してきた光を反射することができる領域が、電極を形成する反射層に備えられるようにされていればよい。 In the above description, the electrode on the side where the reflective layer is provided is formed in a circular ring shape, but the present invention is not limited to this. For example, it may be formed in a frame shape having an outer shape such as a quadrangle and a hexagon, and a region capable of reflecting light incident from the substrate side is provided in the reflective layer forming the electrode. That's fine.
１０１…基板、１０２…第１半導体層、１０３ａ…第１光吸収層、１０３ｂ…第２光吸収層、１０４…第２半導体層、１０５…第１電極、１０６…第２電極、１０７…誘電体層、１０８…反射層、１０９…反射防止層。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 ... Substrate, 102 ... First semiconductor layer, 103a ... First light absorption layer, 103b ... Second light absorption layer, 104 ... Second semiconductor layer, 105 ... First electrode, 106 ... Second electrode, 107 ... Dielectric Layer 108, reflective layer 109, antireflection layer.
Claims (2)
前記第１半導体層の上に形成された半導体からなる光吸収層と、
前記光吸収層の上に形成された第２導電型の半導体からなる第２半導体層と、
前記第２半導体層の上の周辺部に接続して形成された第１電極と、
前記第１半導体層に接続された第２電極と、
前記第１電極の内側の前記第２半導体層の上に形成された反射層と
を少なくとも備え、
前記光吸収層は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有した半導体から構成され、
前記第１半導体層，および前記第２半導体層は、前記光吸収層を構成する半導体より大きなバンドギャップエネルギーを有する半導体から構成され、
前記基板の側より入射して前記反射層と前記第１半導体層との間を反射して往復する光の１往復の光路差のある２つの部分波の位相差Δが、対象波長域の中心波長においてπ／４＋２Ｎπ≦Δ≦３π／４＋２Ｎπ（Ｎは整数）となる状態に、前記第１半導体層，前記光吸収層，前記第２半導体層，前記反射層の層厚および複素屈折率の少なくとも１つが設定されている
ことを特徴とするフォトダイオード。 A first semiconductor layer made of a first conductivity type semiconductor formed on a substrate on the light incident side;
A light absorption layer made of a semiconductor formed on the first semiconductor layer;
A second semiconductor layer made of a second conductivity type semiconductor formed on the light absorption layer;
A first electrode formed in connection with a peripheral portion on the second semiconductor layer;
A second electrode connected to the first semiconductor layer;
A reflective layer formed on the second semiconductor layer inside the first electrode, and
The light absorption layer is composed of a semiconductor having a band gap energy corresponding to the wavelength of light of interest,
The first semiconductor layer and the second semiconductor layer are made of a semiconductor having a larger band gap energy than the semiconductor constituting the light absorption layer,
The phase difference Δ of two partial waves having a one-way optical path difference of light incident from the substrate side and reflected back and forth between the reflective layer and the first semiconductor layer is the center of the target wavelength range. In a state where π / 4 + 2Nπ ≦ Δ ≦ 3π / 4 + 2Nπ (N is an integer) at a wavelength, at least the layer thickness and the complex refractive index of the first semiconductor layer, the light absorption layer, the second semiconductor layer, and the reflection layer A photodiode characterized in that one is set.
前記光吸収層は、前記第１半導体層の側に形成されてアンドープとされた半導体からなる第１光吸収層と、前記第２半導体層の側に形成されて第２導電型の前記第１光吸収層と同じ半導体からなる第２光吸収層とから構成され、
第１導電型はｎ型であり第２導電型はｐ型であることを特徴とするフォトダイオード。 The photodiode of claim 1, wherein
The light absorption layer is formed on the first semiconductor layer side and is made of an undoped semiconductor. The light absorption layer is formed on the second semiconductor layer side and the second conductivity type first. It is composed of a second light absorption layer made of the same semiconductor as the light absorption layer,
A photodiode wherein the first conductivity type is n-type and the second conductivity type is p-type.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012142011A JP5952105B2 (en) | 2012-06-25 | 2012-06-25 | Photodiode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012142011A JP5952105B2 (en) | 2012-06-25 | 2012-06-25 | Photodiode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014007285A true JP2014007285A (en) | 2014-01-16 |
| JP5952105B2 JP5952105B2 (en) | 2016-07-13 |
Family
ID=50104761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012142011A Active JP5952105B2 (en) | 2012-06-25 | 2012-06-25 | Photodiode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5952105B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102176477B1 (en) * | 2019-11-08 | 2020-11-09 | 이상환 | Backside illuminated photodetector |
| KR102307789B1 (en) * | 2021-02-24 | 2021-10-01 | 이상환 | Backside illuminated avalanche photodiode and manufacturing method thereof |
| WO2024057435A1 (en) * | 2022-09-14 | 2024-03-21 | 株式会社京都セミコンダクター | Backside incident-type semiconductor light receiving element |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011187607A (en) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light-receiving device |
-
2012
- 2012-06-25 JP JP2012142011A patent/JP5952105B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011187607A (en) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light-receiving device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102176477B1 (en) * | 2019-11-08 | 2020-11-09 | 이상환 | Backside illuminated photodetector |
| KR102307789B1 (en) * | 2021-02-24 | 2021-10-01 | 이상환 | Backside illuminated avalanche photodiode and manufacturing method thereof |
| CN114975673A (en) * | 2021-02-24 | 2022-08-30 | 李瑺焕 | Backside illuminated avalanche photodiode and method of manufacturing the same |
| WO2024057435A1 (en) * | 2022-09-14 | 2024-03-21 | 株式会社京都セミコンダクター | Backside incident-type semiconductor light receiving element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5952105B2 (en) | 2016-07-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5303962B2 (en) | Semiconductor photo detector | |
| JP5239568B2 (en) | Semiconductor photo detector | |
| JP5444994B2 (en) | Semiconductor photo detector | |
| JP5307750B2 (en) | Semiconductor photo detector | |
| JP5857774B2 (en) | Semiconductor photo detector | |
| JP5952105B2 (en) | Photodiode | |
| JP5501814B2 (en) | Avalanche photodiode | |
| JP2014099527A5 (en) | ||
| US20110303949A1 (en) | Semiconductor light-receiving element | |
| JP2014013844A (en) | Semiconductor photodetector and manufacturing method of the same | |
| JP4935148B2 (en) | Multi-wavelength quantum well infrared detector | |
| CN110416348B (en) | Linearly polarized light detector based on Schottky junction and preparation method thereof | |
| JP5524517B2 (en) | Light receiving element | |
| JP2017533591A (en) | Optoelectronic semiconductor chip | |
| JPH03291979A (en) | Avalanche photodiode | |
| TWI731630B (en) | Semiconductor light-receiving element and method for manufacturing semiconductor light-receiving element | |
| JP5705859B2 (en) | Avalanche type photodiode | |
| CN112582880A (en) | Infrared detector | |
| JP2001053328A (en) | Semiconductor photodetector | |
| JP2700492B2 (en) | Avalanche photodiode | |
| US20190109244A1 (en) | Semiconductor light receiving element and method for manufacturing the same | |
| JP7147669B2 (en) | Semiconductor light receiving element | |
| JP2024033544A (en) | Light receiving element | |
| JPH05218488A (en) | Semiconductor photodetective element | |
| JP3014389B2 (en) | Photodetector with quantum wave interference layer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140704 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150722 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150811 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151117 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160216 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160427 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160511 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160606 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160609 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5952105 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |