JP2014007265A

JP2014007265A - Terminal box for crystal silicon based solar cell module, and crystal silicon based solar cell module with terminal box

Info

Publication number: JP2014007265A
Application number: JP2012141513A
Authority: JP
Inventors: Hirofumi Sato; 博文佐藤; Kazunari Sato; 一成佐藤; Koichi Fujii; 浩一藤井
Original assignee: Angel Kogyo KK
Current assignee: Angel Kogyo KK
Priority date: 2012-06-23
Filing date: 2012-06-23
Publication date: 2014-01-16

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a terminal box having an excellent heat radiation property for suppressing a negative characteristic caused by temperature rise of a Schottky barrier diode.SOLUTION: A negative electrode terminal plate 11, an intermediate terminal plate 13, and a positive electrode terminal plate 15 are arranged in a box frame 19. A frame plate of a frame positive electrode Schottky barrier diode 101 is mounted in contact on the negative electrode terminal plate 11, and a frame plate of a frame negative electrode Schottky barrier diode 201 is mounted in contact on the positive electrode terminal plate 15. The frame plate of the frame positive electrode Schottky barrier diode is electrically connected to an anode of the diode, and the frame plate of the frame negative electrode Schottky barrier diode is electrically connected to a cathode of the diode.

Description

本発明は、結晶系シリコン太陽電池モジュールとその電気出力を取り出す外部接続ケーブルを中継する端子ボックス、及び結晶系シリコン太陽電池モジュールと端子ボックスの接続物に関するものである。 The present invention relates to a terminal box for relaying a crystalline silicon solar cell module and an external connection cable for taking out the electrical output thereof, and a connection between the crystalline silicon solar cell module and the terminal box.

結晶系シリコン太陽電池モジュールとその電気出力を取り出す外部接続ケーブルを中継する端子ボックスであって、端子ボックスに中に逆流防止用ダイオードとしてショットキーバリアダイオードを用いた太陽電池パネル用端子ボックスが知られている（例えば、特許文献１参照。）。ショットキーバリアダイオードはジャンクション温度（Ｔｊ）の温度上昇につれて漏れ電流（ＩＲ）が指数関数的に増大するという性質を有する。 A terminal box for relaying a crystalline silicon solar cell module and an external connection cable for taking out its electrical output, and a terminal box for a solar cell panel using a Schottky barrier diode as a backflow prevention diode in the terminal box is known. (For example, refer to Patent Document 1). The Schottky barrier diode has a property that the leakage current (IR) increases exponentially as the junction temperature (Tj) rises.

一方、アモルファス系シリコン太陽電池パネル用端子ボックスの逆流防止用ダイオードとしてＰＮ接合型ダイオードが使用されている。ＰＮ接合型ダイオードは、ショットキーバリアダイオードと比較してＩＲの値が小さい。加えて、ＰＮ接合型ダイオードはＴｊの温度上昇につれてＩＲが増加するが、その増加度合いは、せいぜいＴｊの２乗に比例して増加する程度である。 On the other hand, a PN junction type diode is used as a backflow prevention diode for a terminal box for an amorphous silicon solar cell panel. The PN junction diode has a smaller IR value than the Schottky barrier diode. In addition, in the PN junction diode, the IR increases as the temperature of Tj increases, but the increase degree is at most increased in proportion to the square of Tj.

従って、ショットキーバリアダイオードを用いる端子ボックスにあって、ショットキーバリアダイオードの放熱対策は、ＰＮ接合型ダイオードを用いる端子ボックスにおけるＰＮ接合型ダイオードの放熱対策と同様に肝要である。 Therefore, in a terminal box using a Schottky barrier diode, a countermeasure for heat dissipation of the Schottky barrier diode is as important as a countermeasure for heat dissipation of the PN junction diode in a terminal box using a PN junction diode.

上述した特許文献１では、ショットキーバリアダイオードを具備する端子ボックスにあって放熱対策として、(1)放熱板の設置、(2)拡大された端子板の採用を提案している。しかし、このような端子ボックスが十分な放熱性能を発揮するためには、放熱板又は端子板の寸法を大きくする必要があり、ひいては端子ボックスが大きくなる。また、かような放熱板又は端子板の放熱は最終的に端子ボックス筐体と筐体を取り巻く空気との熱交換に依存するものである。空気の熱容量は小さいから、かような端子ボックスでは筐体内に熱が蓄積されがちである。 Patent Document 1 described above proposes (1) installation of a heat dissipation plate and (2) adoption of an enlarged terminal plate as a heat dissipation measure in a terminal box having a Schottky barrier diode. However, in order for such a terminal box to exhibit sufficient heat dissipation performance, it is necessary to increase the size of the heat dissipation plate or the terminal plate, which in turn increases the size of the terminal box. Further, the heat radiation of such a heat radiating plate or terminal plate ultimately depends on heat exchange between the terminal box housing and the air surrounding the housing. Since the heat capacity of air is small, such terminal boxes tend to accumulate heat in the housing.

ＷＯ２００７／０６０７８７WO2007 / 060787

そこで、本発明は、ショットキーバリアダイオードの温度上昇による負の特性を抑制すべく、当該ダイオードを使用する放熱にすぐれた端子ボックスを得ることを課題とする。 Accordingly, an object of the present invention is to obtain a terminal box excellent in heat dissipation using the diode so as to suppress negative characteristics due to temperature rise of the Schottky barrier diode.

また、本発明は放熱に優れた端子ボックスを用いる端子ボックス付結晶系シリコン太陽電池モジュールを得ることを課題とする。 Moreover, this invention makes it a subject to obtain the crystalline silicon solar cell module with a terminal box using the terminal box excellent in heat dissipation.

本発明のその他の課題は、本発明の説明により明らかになる。 Other problems of the present invention will become apparent from the description of the present invention.

以下に課題を解決する手段を説明する。理解を容易にするために、本発明の実施態様に対応する符号を付けて説明するが、本発明は当該実施態様に限定されるものではない。 The means for solving the problem will be described below. For ease of understanding, description will be made with reference numerals corresponding to the embodiments of the present invention, but the present invention is not limited to the embodiments.

本発明の一の態様にかかる端子ボックスは、
ボックス筐体(19)と
前記ボックス筐体内に配設され、結晶系シリコン太陽電池モジュールの出力電線が各々接続される、負極端子板(11)、中間端子板(13)、正極端子板(15)、
前記負極端子板と前記正極端子板にそれぞれ接続されて、前記ボックス筐体外に引き出された２本の外部接続ケーブル(17,18)、
前記負極端子板と前記中間端子板に電気的に接続された第一バイパスダイオード、
前記中間端子板と前記正極端子板に電気的に接続された第二バイパスダイオードを備えた結晶系シリコン太陽電池モジュール用端子ボックスにおいて、
第一バイパスダイオードは第一ショットキーバリアダイオードチップ(106)を備えたフレーム陽極ショットキーバリアダイオード(101)であり、第二バイパスダイオードは第二ショットキーバリアダイオードチップ(206)を備えたフレーム陰極ショットキーバリアダイオード(201)であり、
第一ショットキーバリアダイオードチップ(106)は、板状で上面にカソード電極(122)を形成した半導体基板(125)の下面にＮ型半導体層(121)を形成し、前記Ｎ型半導体層の下面に前記Ｎ型半導体層とショットキー接合する金属層(111)を設け、前記金属層の下面にアノード電極(112)を設けたものであり、
前記フレーム陽極ショットキーバリアダイオード(101)は、導電性の第一フレーム板(131)に第一ショットキーバリアダイオードチップが載置され、前記第一フレーム板の上面と第一ショットキーバリアダイオードチップの前記アノード電極(112)が接触しており、第一ショットキーバリアダイオードチップの前記カソード電極に接続された陰極リード(124)を有しているダイオードであり、
第二ショットキーバリアダイオードチップ(206)は、板状で下面にカソード電極(222)を形成した半導体基板(225)の上面にＮ型半導体層(221)を形成し、前記Ｎ型半導体層の上面に前記Ｎ型半導体層とショットキー接合する金属層(211)を設け、前記金属層の上面にアノード電極(212)を設けたものであり、
前記フレーム陰極ショットキーバリアダイオード(201)は、導電性の第二フレーム板(231)に第二ショットキーバリアダイオードチップが載置され、前記第二フレーム板の上面と第二ショットキーバリアダイオードチップの前記カソード電極(222)が接触していて、前記第二ショットキーバリアダイオードチップの前記アノード電極に接続された陽極リード(214)を有しているダイオードであって、
前記負極端子板(11)と前記フレーム陽極ショットキーバリアダイオードの第一フレーム板(131)が接触して配置され、前記フレーム陽極ショットキーバリアダイオードの陰極リード(124)と前記中間端子板(13)が電気導通状態に接続され、
前記正極端子板(15)と前記フレーム陰極ショットキーバリアダイオードの第二フレーム板(231)が接触して配置され、前記フレーム陰極ショットキーバリアダイオードの陽極リード(214)と前記中間端子板(13)が電気導通状態に接続されている結晶系シリコン太陽電池モジュール用の端子ボックスである。 The terminal box according to one aspect of the present invention is:
A negative electrode terminal plate (11), an intermediate terminal plate (13), and a positive electrode terminal plate (15) disposed in the box case (19) and connected to the output wires of the crystalline silicon solar cell module, respectively. ),
Two external connection cables (17, 18) connected to the negative terminal plate and the positive terminal plate, respectively, and drawn out of the box housing;
A first bypass diode electrically connected to the negative terminal plate and the intermediate terminal plate;
In the terminal box for a crystalline silicon solar cell module comprising a second bypass diode electrically connected to the intermediate terminal plate and the positive terminal plate,
The first bypass diode is a frame anode Schottky barrier diode (101) with a first Schottky barrier diode chip (106), and the second bypass diode is a frame cathode with a second Schottky barrier diode chip (206). Schottky barrier diode (201)
The first Schottky barrier diode chip (106) has an N-type semiconductor layer (121) formed on a lower surface of a semiconductor substrate (125) having a plate shape and a cathode electrode (122) formed on an upper surface thereof. A metal layer (111) for Schottky junction with the N-type semiconductor layer is provided on the lower surface, and an anode electrode (112) is provided on the lower surface of the metal layer;
The frame anode Schottky barrier diode (101) has a first Schottky barrier diode chip mounted on a conductive first frame plate (131), and an upper surface of the first frame plate and a first Schottky barrier diode chip. The anode electrode (112) is in contact with a diode having a cathode lead (124) connected to the cathode electrode of a first Schottky barrier diode chip,
The second Schottky barrier diode chip (206) has an N-type semiconductor layer (221) formed on the upper surface of a semiconductor substrate (225) having a plate shape and a cathode electrode (222) formed on the lower surface thereof. A metal layer (211) for Schottky junction with the N-type semiconductor layer is provided on the upper surface, and an anode electrode (212) is provided on the upper surface of the metal layer;
The frame cathode Schottky barrier diode (201) has a second Schottky barrier diode chip mounted on a conductive second frame plate (231), and an upper surface of the second frame plate and a second Schottky barrier diode chip. The cathode electrode (222) is in contact, and has a diode lead (214) connected to the anode electrode of the second Schottky barrier diode chip,
The negative electrode terminal plate (11) and the first frame plate (131) of the frame anode Schottky barrier diode are arranged in contact with each other, and the cathode lead (124) of the frame anode Schottky barrier diode and the intermediate terminal plate (13) ) Is connected to an electrically conductive state,
The positive terminal plate (15) and the second frame plate (231) of the frame cathode Schottky barrier diode are arranged in contact with each other, and the anode lead (214) of the frame cathode Schottky barrier diode and the intermediate terminal plate (13) ) Is a terminal box for a crystalline silicon solar cell module connected in an electrically conductive state.

本発明の好ましい一の実施態様にかかる端子ボックスは、
前記負極端子板と前記フレーム陽極ショットキーバリアダイオードの第一フレーム板の接触態様が、
第一フレーム板の下面総面積のＸ％が前記負極端子板と接触し、第一フレーム板の下面総面積の（１００−Ｘ）％が前記負極端子板とは遊離状態にある、接触態様であってもよい。ここで、８０≦Ｘ≦１００である。 A terminal box according to a preferred embodiment of the present invention is:
The contact mode of the negative electrode terminal plate and the first frame plate of the frame anode Schottky barrier diode is:
In a contact mode, X% of the total lower surface area of the first frame plate is in contact with the negative electrode terminal plate, and (100-X)% of the total lower surface area of the first frame plate is in a free state with the negative electrode terminal plate. There may be. Here, 80 ≦ X ≦ 100.

このような接触状態であれば、負極端子板と外部接続ケーブルを通じるフレーム陽極ショットキーバリアダイオードの放熱が一層促進されるとともに、負極端子板上へのフレーム陽極ショットキーバリアダイオード配置の自由度が高まり、当該配置態様にかかる設計が容易となる。 In such a contact state, heat dissipation of the frame anode Schottky barrier diode through the negative electrode terminal plate and the external connection cable is further promoted, and the degree of freedom in arranging the frame anode Schottky barrier diode on the negative electrode terminal plate is increased. The design according to the arrangement mode is facilitated.

本発明の好ましい他の実施態様にかかる端子ボックスは、
前記正極端子板と前記フレーム陰極ショットキーバリアダイオードの第二フレーム板の接触態様が、
第二フレーム板の下面総面積のＹ％が前記正極端子板と接触し、第二フレーム板の下面総面積の（１００−Ｙ）％が前記正極端子板とは遊離状態にある、接触態様であってもよい。ここで、８０≦Ｙ≦１００である。 A terminal box according to another preferred embodiment of the present invention includes:
The contact aspect of the positive electrode terminal plate and the second frame plate of the frame cathode Schottky barrier diode,
In a contact mode, Y% of the total lower surface area of the second frame plate is in contact with the positive electrode terminal plate, and (100-Y)% of the total lower surface area of the second frame plate is in a free state with the positive electrode terminal plate. There may be. Here, 80 ≦ Y ≦ 100.

このような接触状態であれば、正極端子板と外部接続ケーブルを通じるフレーム陰極ショットキーバリアダイオードの放熱が一層促進されるとともに、正極端子板上へのフレーム陰極ショットキーバリアダイオード配置の自由度が高まり、当該配置態様にかかる設計が容易となる。 In such a contact state, heat dissipation of the frame cathode Schottky barrier diode through the positive electrode terminal plate and the external connection cable is further promoted, and the degree of freedom in arranging the frame cathode Schottky barrier diode on the positive electrode terminal plate is increased. The design according to the arrangement mode is facilitated.

本発明の他の態様にかかる端子ボックス付結晶系シリコン太陽電池モジュールは、
結晶系シリコン太陽電池モジュールと本発明にかかる端子ボックスからなる。 A crystalline silicon solar cell module with a terminal box according to another aspect of the present invention is provided.
It consists of a crystalline silicon solar cell module and a terminal box according to the present invention.

以上説明した本発明とこれらに含まれる構成要素は可能な限り組み合わせて実施することができる。 The present invention described above and components included in these can be implemented in combination as much as possible.

本発明にかかる端子ボックスにあっては、結晶系シリコン太陽電池モジュールの逆流防止ダイオードとして、フレーム陽極ショットキーバリアダイオードとフレーム陰極ショットキーバリアダイオードを併用したので、従来中間端子板上に載置されていた逆流防止ダイオードが負極端子板と接触して配置されている。当該フレーム陽極ショットキーバリアダイオードの発熱は、負極端子板と負極外部接続ケーブルを伝導して端子ボックスの外に放熱される。すなわち、フレーム陽極ショットキーバリアダイオードの発熱は、良好な熱伝導体を介在して端子ボックスの外に放熱される。 In the terminal box according to the present invention, since the frame anode Schottky barrier diode and the frame cathode Schottky barrier diode are used in combination as the backflow prevention diode of the crystalline silicon solar cell module, it is placed on the conventional intermediate terminal plate. The backflow prevention diode which has been arranged is arranged in contact with the negative terminal plate. The heat generated by the frame anode Schottky barrier diode is conducted outside the terminal box through the negative terminal plate and the negative external connection cable. That is, the heat generated by the frame anode Schottky barrier diode is dissipated out of the terminal box through a good heat conductor.

また、フレーム陰極ショットキーバリアダイオードは正極端子板と接触して配置されている。当該フレーム陰極ショットキーバリアダイオードの発熱は、正極端子板と正極外部接続ケーブルを伝導して放熱される。すなわち、上記と同様に、フレーム陰極ショットキーバリアダイオードの発熱は、良好な熱伝導体を介在して端子ボックスの外に放熱される。 The frame cathode Schottky barrier diode is disposed in contact with the positive terminal plate. The heat generated by the frame cathode Schottky barrier diode is radiated through the positive terminal plate and the positive external connection cable. That is, similarly to the above, the heat generated by the frame cathode Schottky barrier diode is dissipated outside the terminal box through a good heat conductor.

このため、本発明にかかる端子ボックスは放熱にすぐれた端子ボックスとなる。ひいては、逆流防止ダイオードであるショットキーバリアダイオードのＩＲを小さい値に保持可能な端子ボックスとなる。 For this reason, the terminal box concerning this invention turns into a terminal box excellent in heat dissipation. As a result, it becomes a terminal box which can hold IR of the Schottky barrier diode which is a backflow prevention diode at a small value.

本発明にかかる端子ボックス付結晶系シリコン太陽電池モジュールは、放熱に優れた端子ボックスを用いているので、信頼性にすぐれ、また、長期間の使用が可能なものとなる。 Since the crystalline silicon solar cell module with a terminal box according to the present invention uses a terminal box excellent in heat dissipation, it has excellent reliability and can be used for a long time.

結晶系シリコン太陽電池モジュールの等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of a crystalline silicon solar cell module. 端子ボックス１０の平面図である。3 is a plan view of the terminal box 10. FIG. 端子ボックス中に配置された端子板の平面図である。It is a top view of the terminal board arrange | positioned in a terminal box. 端子ボックス１０のＡ−Ｂ線の断面図である。4 is a cross-sectional view taken along line AB of the terminal box 10. FIG. フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の斜視図である。2 is a perspective view of a frame anode Schottky barrier diode 101. FIG. フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の説明図である。4 is an explanatory diagram of a frame anode Schottky barrier diode 101. FIG. フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の斜視図である。2 is a perspective view of a frame cathode Schottky barrier diode 201. FIG. フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の説明図である。6 is an explanatory diagram of a flame cathode Schottky barrier diode 201. FIG.

以下、図面を参照して本発明の実施例にかかる端子ボックスと端子ボックス付結晶系シリコン太陽電池モジュールをさらに説明する。本明細書において参照する各図は、本発明の理解を容易にするため、一部の構成要素を誇張して表すなど模式的に表しているものがある。このため、構成要素間の寸法、比率、などは実物と異なっている場合がある。また、図面縦横の縮小・拡大比率を異にして描いている場合がある。本発明の実施例に記載した部材や部分の寸法、材質、形状、その相対位置などは、とくに特定的な記載のない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例にすぎない。 Hereinafter, a terminal box and a crystalline silicon solar cell module with a terminal box according to an embodiment of the present invention will be further described with reference to the drawings. In the drawings referred to in this specification, in order to facilitate the understanding of the present invention, some of the components are schematically illustrated in an exaggerated manner. For this reason, the dimension between components, ratio, etc. may differ from a real thing. Further, there are cases where the drawing is made with different reduction / enlargement ratios in the vertical and horizontal directions. The dimensions, materials, shapes, relative positions, etc. of the members and parts described in the embodiments of the present invention are not intended to limit the scope of the present invention only to those unless otherwise specified. It is just an illustrative example.

図１は結晶系シリコン太陽電池モジュールの回路図である。図２は端子ボックス１０の平面図であり、図３は端子板の平面図であり、図４は端子ボックス１０のＡ−Ｂ線の断面図である。図５はフレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の斜視図であり、図６はフレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の説明図である。図７はフレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の斜視図であり、図８はフレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の説明図である。 FIG. 1 is a circuit diagram of a crystalline silicon solar cell module. 2 is a plan view of the terminal box 10, FIG. 3 is a plan view of the terminal board, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the terminal box 10 taken along line AB. FIG. 5 is a perspective view of the frame anode Schottky barrier diode 101, and FIG. 6 is an explanatory diagram of the frame anode Schottky barrier diode 101. FIG. 7 is a perspective view of the frame cathode Schottky barrier diode 201, and FIG. 8 is an explanatory diagram of the frame cathode Schottky barrier diode 201.

結晶系シリコン太陽電池モジュール７１内には、結晶系シリコン太陽電池セル７２が複数直列に接続された第一セルストリング７３と、結晶系シリコン太陽電池セル７２が複数直列に接続された第二セルストリング７６が配設されている。端子ボックス１０内には、負極端子板１１、中間端子板１３、正極端子板１５が配置されている。 In the crystalline silicon solar cell module 71, a first cell string 73 in which a plurality of crystalline silicon solar cells 72 are connected in series and a second cell string in which a plurality of crystalline silicon solar cells 72 are connected in series. 76 is arranged. In the terminal box 10, a negative terminal plate 11, an intermediate terminal plate 13, and a positive terminal plate 15 are arranged.

第一セルストリング７３の一方の出力線７４は負極端子板１１に接続され、他方の出力線７５は中間端子板１３に接続される。第二セルストリング７６の一方の出力線は、上記出力線７５と共通であり、中間端子板１３と導通している。第二セルストリング７６の他方の出力線７７は正極端子板１５に接続される。 One output line 74 of the first cell string 73 is connected to the negative terminal plate 11, and the other output line 75 is connected to the intermediate terminal plate 13. One output line of the second cell string 76 is common to the output line 75 and is electrically connected to the intermediate terminal board 13. The other output line 77 of the second cell string 76 is connected to the positive terminal plate 15.

図２、図３と図４などを参照して、端子ボックス１０は、筐体１９内に負極端子板１１、中間端子板１３、正極端子板１５を配設している。筐体１９に蓋２８が付着する。 With reference to FIGS. 2, 3 and 4, the terminal box 10 has a negative terminal plate 11, an intermediate terminal plate 13, and a positive terminal plate 15 disposed in a housing 19. A lid 28 adheres to the housing 19.

負極端子板１１、中間端子板１３と正極端子板１５は、例えば、銅、黄銅、錫めっき銅などの導電性材料からなる板である。負極端子板１１は貫通穴２２を有し、中間端子板１３は貫通穴２３を有し、正極端子板１５は貫通穴２４を有している。それぞれの貫通穴に、筐体に設けた突起部を通し当該突起部に菊座止め具を付けることで、それぞれの端子板を筐体１９に固定している。 The negative terminal plate 11, the intermediate terminal plate 13, and the positive terminal plate 15 are plates made of a conductive material such as copper, brass, tin-plated copper, and the like. The negative terminal plate 11 has a through hole 22, the intermediate terminal plate 13 has a through hole 23, and the positive terminal plate 15 has a through hole 24. Each terminal plate is fixed to the housing 19 by passing through a projection provided in the housing through each through hole and attaching a star stop to the projection.

負極端子板１１はかしめ部２６を有している。負極外部接続ケーブル１７の芯線がかしめ部２６に位置付けられ、かしめ止めによって固定され、負極端子板１１と負極外部接続ケーブル１７が電気接続されている。同時に、負極端子板１１と負極外部接続ケーブル１７が熱的な接触状態に置かれている。負極外部接続ケーブル１７の他端は筐体１９の外に出ている。 The negative electrode terminal plate 11 has a caulking portion 26. The core wire of the negative external connection cable 17 is positioned at the caulking portion 26 and fixed by caulking, and the negative terminal plate 11 and the negative external connection cable 17 are electrically connected. At the same time, the negative terminal plate 11 and the negative external connection cable 17 are placed in thermal contact. The other end of the negative electrode external connection cable 17 protrudes from the housing 19.

正極端子板１５はかしめ部２７を有している。正極外部接続ケーブル１８の芯線がかしめ部２７に位置付けられ、かしめ止めによって固定され、正極端子板１５と正極外部接続ケーブル１８が電気接続されている。同時に、正極端子板１５と正極外部接続ケーブル１８が熱的な接触状態に置かれている。正極外部接続ケーブル１８の他端は筐体１９の外に出ている。 The positive terminal plate 15 has a caulking portion 27. The core wire of the positive external connection cable 18 is positioned at the caulking portion 27 and fixed by caulking, and the positive terminal plate 15 and the positive external connection cable 18 are electrically connected. At the same time, the positive terminal plate 15 and the positive external connection cable 18 are placed in thermal contact. The other end of the positive external connection cable 18 protrudes from the housing 19.

負極端子板１１は出力線受容部１２を有し、中間端子板１３は出力線受容部１４を有し、正極端子板１５は出力線受容部１６を有している。それぞれの出力線受容部に結晶系シリコン太陽電池モジュールからの出力線がはんだ付けなどの接続手段で接続される。筐体１９は底板開口部２０を有する。底板開口部２０を経由して、当該出力線が筐体１９内に導かれる。 The negative terminal plate 11 has an output line receiving portion 12, the intermediate terminal plate 13 has an output line receiving portion 14, and the positive terminal plate 15 has an output line receiving portion 16. Output lines from the crystalline silicon solar cell module are connected to the respective output line receiving portions by connection means such as soldering. The housing 19 has a bottom plate opening 20. The output line is guided into the housing 19 through the bottom plate opening 20.

負極端子板１１の上にフレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１が載置されている。フレーム陽極ショットキーバリアダイオードの貫通穴１３７と負極端子板１１の貫通穴２１にリベットを通し、リベットを座屈させることにより、負極端子板１１とフレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１が固定されている。 A frame anode Schottky barrier diode 101 is placed on the negative terminal plate 11. The negative electrode terminal plate 11 and the frame anode Schottky barrier diode 101 are fixed by passing a rivet through the through hole 137 of the frame anode Schottky barrier diode and the through hole 21 of the negative electrode terminal plate 11 and buckling the rivet.

負極端子板１１の上面とフレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１における第一フレーム板の下面１３３が接触し、負極端子板１１はフレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の陽極と電気的に導通状態にされている。同時に負極端子板１１はフレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１と熱的にも導通状態となる。このため、フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１で発生する熱は、負極端子板１１を伝導し、負極外部接続ケーブル１７を伝導し、外界に放熱される。 The upper surface of the negative electrode terminal plate 11 and the lower surface 133 of the first frame plate in the frame anode Schottky barrier diode 101 are in contact with each other, and the negative electrode terminal plate 11 is electrically connected to the anode of the frame anode Schottky barrier diode 101. . At the same time, the negative electrode terminal plate 11 is thermally connected to the frame anode Schottky barrier diode 101. For this reason, the heat generated in the frame anode Schottky barrier diode 101 is conducted through the negative terminal plate 11, conducted through the negative external connection cable 17, and is radiated to the outside.

フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の陰極リード１２４を貫通穴１４２に通し、はんだ付けをしている。これにより、フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の陰極リード１２４は中間端子板１３と接続されている。また、フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の陽極リード１１４を貫通穴１４１に通し、はんだ付けをしている。これにより、フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の陽極と負極端子板１１の電気接続の確実化を図っている。 The cathode lead 124 of the frame anode Schottky barrier diode 101 is passed through the through hole 142 and soldered. Thereby, the cathode lead 124 of the frame anode Schottky barrier diode 101 is connected to the intermediate terminal plate 13. Further, the anode lead 114 of the frame anode Schottky barrier diode 101 is passed through the through hole 141 and soldered. This ensures electrical connection between the anode of the frame anode Schottky barrier diode 101 and the negative terminal plate 11.

正極端子板１５の上にフレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１が載置されている。フレーム陰極ショットキーバリアダイオードの貫通穴２３７と正極端子板１５の貫通穴２５にリベットを通し、リベットを座屈させることにより、正極端子板１５とフレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１が固定されている。 A frame cathode Schottky barrier diode 201 is mounted on the positive terminal plate 15. The positive electrode terminal plate 15 and the frame cathode Schottky barrier diode 201 are fixed by passing a rivet through the through hole 237 of the frame cathode Schottky barrier diode and the through hole 25 of the positive electrode terminal plate 15 and buckling the rivet.

正極端子板１５の上面とフレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１における第二フレーム板の下面２３３が接触し、正極端子板１５はフレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の陰極と電気的に導通状態にされている。同時に正極端子板１５はフレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１と熱的にも導通状態となる。このため、フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１で発生する熱は、正極端子板１５を伝導し、正極外部接続ケーブル１８を伝導し、外界に放熱される。 The upper surface of the positive electrode terminal plate 15 and the lower surface 233 of the second frame plate of the frame cathode Schottky barrier diode 201 are in contact with each other, and the positive electrode terminal plate 15 is electrically connected to the cathode of the frame cathode Schottky barrier diode 201. . At the same time, the positive electrode terminal plate 15 is thermally connected to the frame cathode Schottky barrier diode 201. For this reason, the heat generated in the frame cathode Schottky barrier diode 201 is conducted through the positive terminal plate 15, conducted through the positive external connection cable 18, and radiated to the outside.

フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の陽極リード２１４を貫通穴１４３に通し、はんだ付けをしている。これにより、フレーム陰極ショットキーバリアダイオード１０１の陽極リード２１４は中間端子板１３と接続されている。また、フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の陰極リード２２４を貫通穴１４４に通し、はんだ付けをしている。これにより、フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の陰極と正極端子板１５の電気接続の確実化を図っている。 The anode lead 214 of the frame cathode Schottky barrier diode 201 is passed through the through hole 143 and soldered. Thus, the anode lead 214 of the frame cathode Schottky barrier diode 101 is connected to the intermediate terminal plate 13. Further, the cathode lead 224 of the frame cathode Schottky barrier diode 201 is passed through the through hole 144 and soldered. Thereby, the electrical connection between the cathode of the frame cathode Schottky barrier diode 201 and the positive terminal plate 15 is ensured.

端子ボックス１０にあっては、結晶系シリコン太陽電池モジュールの逆流防止ダイオードとして、フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１とフレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１を併用した。このため、従来中間端子板上に載置されていた逆流防止ダイオードを、負極端子板上に載置するという位置付けの変更が可能となった。端子ボックス１０は、負極外部接続ケーブルを伝導する放熱を利用することができ、逆流防止ダイオードが発する熱を、良熱伝導体を通じて筐体外に放熱するという効果を有する。 In the terminal box 10, the frame anode Schottky barrier diode 101 and the frame cathode Schottky barrier diode 201 are used in combination as a backflow prevention diode of the crystalline silicon solar cell module. For this reason, it has become possible to change the positioning of the backflow prevention diode, which has been conventionally placed on the intermediate terminal plate, to be placed on the negative terminal plate. The terminal box 10 can use heat radiation conducted through the negative external connection cable, and has an effect of radiating heat generated by the backflow prevention diode to the outside of the housing through the good heat conductor.

負極端子板１１とフレーム陽極ショットキーバリアダイオードの第一フレーム板１３１の接触態様に関しては、第一フレーム板の下面総面積のＸ％が負極端子板と接触し、第一フレーム板の下面総面積の（１００−Ｘ）％が負極端子板とは遊離状態にある、接触態様であることが好ましい。ここで、８０≦Ｘ≦１００である。また、遊離状態は離間状態と言い換えることもできる。このような接触状態であれば、負極端子板と外部接続ケーブルを通じるフレーム陽極ショットキーバリアダイオードの放熱が一層促進されるとともに、負極端子板上へのフレーム陽極ショットキーバリアダイオード配置の自由度が高まり、当該配置態様にかかる設計が容易となる。 Regarding the contact mode between the negative electrode terminal plate 11 and the first frame plate 131 of the frame anode Schottky barrier diode, X% of the total lower surface area of the first frame plate is in contact with the negative electrode terminal plate, and the total lower surface area of the first frame plate. (100-X)% of the negative electrode terminal plate is preferably in a free state. Here, 80 ≦ X ≦ 100. Moreover, the free state can be rephrased as a separated state. In such a contact state, heat dissipation of the frame anode Schottky barrier diode through the negative electrode terminal plate and the external connection cable is further promoted, and the degree of freedom in arranging the frame anode Schottky barrier diode on the negative electrode terminal plate is increased. The design according to the arrangement mode is facilitated.

正極端子板１５とフレーム陰極ショットキーバリアダイオードの第二フレーム板２３１の接触態様に関しては、第二フレーム板の下面総面積のＹ％が正極端子板と接触し、第二フレーム板の下面総面積の（１００−Ｙ）％が前記正極端子板とは遊離状態にある、接触態様であることが好ましい。ここで、８０≦Ｙ≦１００である。また、遊離状態は離間状態と言い換えることもできる。このような接触状態であれば、正極端子板と外部接続ケーブルを通じるフレーム陰極ショットキーバリアダイオードの放熱が一層促進されるとともに、正極端子板上へのフレーム陰極ショットキーバリアダイオード配置の自由度が高まり、当該配置態様にかかる設計が容易となる。 Regarding the contact mode of the positive electrode terminal plate 15 and the second frame plate 231 of the frame cathode Schottky barrier diode, Y% of the total lower surface area of the second frame plate is in contact with the positive electrode terminal plate, and the total lower surface area of the second frame plate. (100-Y)% of the positive electrode terminal plate is preferably in a free state. Here, 80 ≦ Y ≦ 100. Moreover, the free state can be rephrased as a separated state. In such a contact state, heat dissipation of the frame cathode Schottky barrier diode through the positive electrode terminal plate and the external connection cable is further promoted, and the degree of freedom in arranging the frame cathode Schottky barrier diode on the positive electrode terminal plate is increased. The design according to the arrangement mode is facilitated.

続いて、フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１を説明する。図５と図６を参照して、フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１は、第一フレーム板１３１の上面１３２に第一ショットキーバリアダイオードチップ１０６が載置されている。第一ショットキーバリアダイオードチップ１０６は、板状の半導体基板１２５の下面にＮ型半導体層１２１を層状に形成し、Ｎ型半導体層１２１の下面に金属層１１１を設けたものである。金属層１１１はＮ型半導体層１２１とショットキー接合している。半導体基板１２５の上面にはカソード電極１２２が形成されている。金属層１１１の下面にはアノード電極１１２が形成されている。 Next, the frame anode Schottky barrier diode 101 will be described. With reference to FIGS. 5 and 6, in the frame anode Schottky barrier diode 101, the first Schottky barrier diode chip 106 is mounted on the upper surface 132 of the first frame plate 131. In the first Schottky barrier diode chip 106, an N-type semiconductor layer 121 is formed in a layer shape on the lower surface of a plate-like semiconductor substrate 125, and a metal layer 111 is provided on the lower surface of the N-type semiconductor layer 121. The metal layer 111 is in Schottky junction with the N-type semiconductor layer 121. A cathode electrode 122 is formed on the upper surface of the semiconductor substrate 125. An anode electrode 112 is formed on the lower surface of the metal layer 111.

カソード電極１２２には、陰極接続子１２３の一方端が接続され、陰極接続子１２３の他方端は陰極リード１２４の一端に接続されている。アノード電極１１２は第一フレーム板１３１の上面１３２に接続されている。第一フレーム板１３１の一部分に陽極接続子１１３の一方端が接続され、陽極接続子１１３の他方端は陽極リード１１４の一端に接続されている。陽極接続子と陽極リード素子からなる陽極リードに置換して、第一フレーム板１３１の一部に突出部を形成し、当該突出部を陽極リードとしてもよい。 One end of a cathode connector 123 is connected to the cathode electrode 122, and the other end of the cathode connector 123 is connected to one end of a cathode lead 124. The anode electrode 112 is connected to the upper surface 132 of the first frame plate 131. One end of the anode connector 113 is connected to a part of the first frame plate 131, and the other end of the anode connector 113 is connected to one end of the anode lead 114. Instead of an anode lead comprising an anode connector and an anode lead element, a protrusion may be formed on a part of the first frame plate 131, and the protrusion may be used as an anode lead.

このように、第一フレーム板１３１は、アノード電極側と導通している。 Thus, the first frame plate 131 is electrically connected to the anode electrode side.

第一フレーム板１３１は、例えば、銅製である。陽極リード１１４、陰極リード１２４、陽極接続子１１３と陰極接続子１２３は、例えば、銅製、アルミニウム製である。 The first frame plate 131 is made of copper, for example. The anode lead 114, the cathode lead 124, the anode connector 113, and the cathode connector 123 are made of, for example, copper or aluminum.

アノード電極１１２と第一フレーム板１３１の間は、マウント材により接続する。マウント材は例えば、半田である。半田は高温半田が好ましい。その他、超音波方式のボンディング、ダイボンディングであってもよい。陽極接続子１１３とフレーム板１３１及び陽極リード１１４の接続も同様である。陰極接続子１２３とカソード電極１２２及び陰極リード１２４の接続も同様である。 The anode electrode 112 and the first frame plate 131 are connected by a mount material. The mount material is, for example, solder. The solder is preferably high temperature solder. In addition, ultrasonic bonding or die bonding may be used. The connection between the anode connector 113, the frame plate 131, and the anode lead 114 is the same. The connection between the cathode connector 123, the cathode electrode 122, and the cathode lead 124 is the same.

フレーム板１３１の上面１３２と第一ショットキーバリアダイオードチップ１０６は、樹脂モールド１３６に覆われている。樹脂モールド１３６は、陰極リード１２４と陽極リード１１４側に延長され（図中１３８が当該延長部分である）、陰極リード１２４と陽極リード１１４の一部を被覆している。また、樹脂モールド１３６は、陰極接続子１２３と陽極接続子１１３を被覆している。図１には、樹脂モールド１３６を一点鎖線で示し、また、一部の境界線を省略して図示している。 The upper surface 132 of the frame plate 131 and the first Schottky barrier diode chip 106 are covered with a resin mold 136. The resin mold 136 is extended toward the cathode lead 124 and the anode lead 114 (138 in the drawing is the extension portion), and covers the cathode lead 124 and a part of the anode lead 114. The resin mold 136 covers the cathode connector 123 and the anode connector 113. In FIG. 1, the resin mold 136 is indicated by a one-dot chain line, and a part of the boundary lines is omitted.

フレーム板１３１の下面１３３と、樹脂モールド延長部１３８の下面は面一である。フレーム板に貫通穴１３７が形成されている。貫通穴１３７は、リベット、ネジなどを受け入れ、フレーム陽極ショットキーバリアダイオード１０１の固定に使用される。 The lower surface 133 of the frame plate 131 and the lower surface of the resin mold extension 138 are flush with each other. A through hole 137 is formed in the frame plate. The through hole 137 receives a rivet, a screw and the like, and is used for fixing the frame anode Schottky barrier diode 101.

第一ショットキーバリアダイオードチップの平面形状は特に制限はない。正方形、長方形、正多角形、円形などにすればよい。ダイオードチップの原板から、余白なく切り取れることから、正方形、長方形、正六角形が好ましい。マウント作業の容易性を考慮すれば、正方形が特に好ましい。 The planar shape of the first Schottky barrier diode chip is not particularly limited. A square, a rectangle, a regular polygon, a circle, or the like may be used. A square, rectangular, or regular hexagon is preferable because it can be cut off from the original diode chip plate without a blank space. Considering the ease of mounting work, a square is particularly preferable.

つづいて、フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１を説明する。図７と図８を参照して、フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１は、第二フレーム板２３１の上面２３２に第二ショットキーバリアダイオードチップ２０６が載置されている。第二ショットキーバリアダイオードチップ２０６は、板状の半導体基板２２５の上面にＮ型半導体層２２１を層状に形成し、Ｎ型半導体層２２１の上面に金属層２１１を設けたものである。金属層２１１はＮ型半導体層２２１とショットキー接合している。半導体基板２２５の下面にはカソード電極２２２が形成されている。金属層２１１の上面にはアノード電極２１２が形成されている。 Next, the flame cathode Schottky barrier diode 201 will be described. With reference to FIGS. 7 and 8, in the frame cathode Schottky barrier diode 201, the second Schottky barrier diode chip 206 is mounted on the upper surface 232 of the second frame plate 231. In the second Schottky barrier diode chip 206, an N-type semiconductor layer 221 is formed in a layer shape on the upper surface of a plate-like semiconductor substrate 225, and a metal layer 211 is provided on the upper surface of the N-type semiconductor layer 221. The metal layer 211 is in Schottky junction with the N-type semiconductor layer 221. A cathode electrode 222 is formed on the lower surface of the semiconductor substrate 225. An anode electrode 212 is formed on the upper surface of the metal layer 211.

アノード電極２１２には、陽極接続子２１３の一方端が接続され、陽極接続子２１３の他方端は陽極リード２１４の一端に接続されている。カソード電極２２２は第二フレーム板２３１の上面２３２に接続されている。第二フレーム板２３１の一部分に陰極接続子２２３の一方端が接続され、陰極接続子２２３の他方端は陰極リード２２４の一端に接続されている。陰極接続子と陰極リード素子からなる陰極リードに置換して、第二フレーム板２３１の一部に突出部を形成し、当該突出部を陰極リードとしてもよい。 One end of an anode connector 213 is connected to the anode electrode 212, and the other end of the anode connector 213 is connected to one end of an anode lead 214. The cathode electrode 222 is connected to the upper surface 232 of the second frame plate 231. One end of the cathode connector 223 is connected to a part of the second frame plate 231, and the other end of the cathode connector 223 is connected to one end of the cathode lead 224. Instead of a cathode lead comprising a cathode connector and a cathode lead element, a protrusion may be formed on a part of the second frame plate 231 and the protrusion may be used as a cathode lead.

このように、第二フレーム板２３１は、カソード電極側と導通している。 Thus, the second frame plate 231 is electrically connected to the cathode electrode side.

第二フレーム板２３１は、例えば、銅製である。陰極リード２２４、陽極リード２１４、陰極接続子２２３と陽極接続子２１３は、例えば、銅製、アルミニウム製である。 The second frame plate 231 is made of, for example, copper. The cathode lead 224, the anode lead 214, the cathode connector 223, and the anode connector 213 are made of, for example, copper or aluminum.

カソード電極２２２と第二フレーム板２３１の間は、マウント材により接続する。マウント材は例えば、半田である。半田は高温半田が好ましい。その他、超音波方式のボンディング、ダイボンディングであってもよい。陰極接続子２２３と第二フレーム板２３１及び陰極リード２２４の接続も同様である。陽極接続子２１３とアノード電極２１２及び陽極リード２１４の接続も同様である。 The cathode electrode 222 and the second frame plate 231 are connected by a mount material. The mount material is, for example, solder. The solder is preferably high temperature solder. In addition, ultrasonic bonding or die bonding may be used. The connection between the cathode connector 223, the second frame plate 231 and the cathode lead 224 is the same. The connection between the anode connector 213, the anode electrode 212, and the anode lead 214 is the same.

第二フレーム板２３１の上面２３２と第二ショットキーバリアダイオードチップ２０６は、樹脂モールド２３６に覆われている。樹脂モールド２３６は、陽極リード２１４と陰極リード２２４側に延長され、陽極リード２１４と陰極リード２２４の一部を被覆している。また、樹脂モールド２３６は、陽極接続子２１３と陰極接続子２２３を被覆している。図７には、樹脂モールド２３６を一点鎖線で示し、また、一部の境界線を省略して図示している。 The upper surface 232 of the second frame plate 231 and the second Schottky barrier diode chip 206 are covered with a resin mold 236. The resin mold 236 extends to the anode lead 214 and the cathode lead 224 side and covers a part of the anode lead 214 and the cathode lead 224. The resin mold 236 covers the anode connector 213 and the cathode connector 223. In FIG. 7, the resin mold 236 is indicated by a one-dot chain line, and a part of the boundary line is omitted.

第二フレーム板２３１の下面２３３と、樹脂モールド延長部の下面は面一である。第二フレーム板に貫通穴２３７が形成されている。貫通穴２３７は、リベット、ネジなどを受け入れ、フレーム陰極ショットキーバリアダイオード２０１の固定に使用される。 The lower surface 233 of the second frame plate 231 and the lower surface of the resin mold extension are flush with each other. A through hole 237 is formed in the second frame plate. The through hole 237 receives a rivet, a screw and the like, and is used for fixing the frame cathode Schottky barrier diode 201.

第二ショットキーバリアダイオードチップ２０６の平面形状は特に制限はない。正方形、長方形、正多角形、円形などにすればよい。ダイオードチップの原板から、余白なく切り取れることから、正方形、長方形、正六角形が好ましい。マウント作業の容易性を考慮すれば、正方形が特に好ましい。 The planar shape of the second Schottky barrier diode chip 206 is not particularly limited. A square, a rectangle, a regular polygon, a circle, or the like may be used. A square, rectangular, or regular hexagon is preferable because it can be cut off from the original diode chip plate without a blank space. Considering the ease of mounting work, a square is particularly preferable.

Ｎ型半導体層１２１、２２１は、例えばエピタキシャル成長で形成する。金属層１１１、２１１は、例えばニッケル層、クロム層、モリブデン層である。 The N-type semiconductor layers 121 and 221 are formed by, for example, epitaxial growth. The metal layers 111 and 211 are, for example, a nickel layer, a chromium layer, and a molybdenum layer.

以上説明した端子ボックスは、端子板の数が３、すなわち中間端子板の数が１の端子ボックスに限られず、中間端子板の数が２以上であっても同様な態様で実施することができ、本発明の技術範囲に含まれる。 The terminal box described above is not limited to a terminal box having three terminal boards, that is, one intermediate terminal board, and can be implemented in the same manner even if the number of intermediate terminal boards is two or more. Is included in the technical scope of the present invention.

１０端子ボックス
１１負極端子板
１３中間端子板
１５正極端子板
１７負極外部接続ケーブル
１８正極外部接続ケーブル
１９筐体
７１結晶系シリコン太陽電池モジュール
１０１フレーム陽極ショットキーバリアダイオード
１０６第一ショットキーバリアダイオードチップ
１１１金属層
１１２アノード電極
１１３陽極接続子
１１４陽極リード
１２１Ｎ型半導体層
１２２カソード電極
１２３陰極接続子
１２４陰極リード
１２５半導体基板
１３１第一フレーム板
１３６樹脂モールド
２０１フレーム陰極ショットキーバリアダイオード
２０６第二ショットキーバリアダイオードチップ
２１１金属層
２１２アノード電極
２１３陽極接続子
２１４陽極リード
２２１Ｎ型半導体層
２２２カソード電極
２２３陰極接続子
２２４陰極リード
２２５半導体基板
２３１第二フレーム板
２３６樹脂モールド DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Terminal box 11 Negative terminal board 13 Intermediate terminal board 15 Positive terminal board 17 Negative external connection cable 18 Positive external connection cable 19 Case 71 Crystalline silicon solar cell module 101 Frame anode Schottky barrier diode 106 First Schottky barrier diode chip 111 Metal layer 112 Anode electrode 113 Anode connector 114 Anode lead 121 N-type semiconductor layer 122 Cathode electrode 123 Cathode connector 124 Cathode lead 125 Semiconductor substrate 131 First frame plate 136 Resin mold 201 Frame cathode Schottky barrier diode 206 Second shot Key barrier diode chip 211 Metal layer 212 Anode electrode 213 Anode connector 214 Anode lead 221 N-type semiconductor layer 222 Cathode electrode 223 Cathode connection 224 cathode lead 225 semiconductor substrate 231 second frame plate 236 resin mold

Claims

A box housing and a negative electrode terminal plate, an intermediate terminal plate, a positive electrode terminal plate, which are arranged in the box housing and connected to the output wires of the crystalline silicon solar cell module,
Two external connection cables respectively connected to the negative terminal plate and the positive terminal plate and drawn out of the box housing;
A first bypass diode electrically connected to the negative terminal plate and the intermediate terminal plate;
In the terminal box for a crystalline silicon solar cell module comprising a second bypass diode electrically connected to the intermediate terminal plate and the positive terminal plate,
The first bypass diode is a frame anode Schottky barrier diode with a first Schottky barrier diode chip, the second bypass diode is a frame cathode Schottky barrier diode with a second Schottky barrier diode chip,
In the first Schottky barrier diode chip, an N-type semiconductor layer is formed on the lower surface of a semiconductor substrate having a plate shape and a cathode electrode formed on the upper surface, and Schottky junction with the N-type semiconductor layer is performed on the lower surface of the N-type semiconductor layer. A metal layer is provided, and an anode electrode is provided on the lower surface of the metal layer.
In the frame anode Schottky barrier diode, a first Schottky barrier diode chip is mounted on a conductive first frame plate, and an upper surface of the first frame plate and the anode electrode of the first Schottky barrier diode chip are in contact with each other. And a diode having a cathode lead connected to the cathode electrode of the first Schottky barrier diode chip,
In the second Schottky barrier diode chip, an N-type semiconductor layer is formed on the upper surface of a semiconductor substrate having a plate shape and a cathode electrode formed on the lower surface, and Schottky junction with the N-type semiconductor layer is performed on the upper surface of the N-type semiconductor layer. A metal layer is provided, and an anode electrode is provided on the upper surface of the metal layer.
The frame cathode Schottky barrier diode has a second Schottky barrier diode chip mounted on a conductive second frame plate, and the upper surface of the second frame plate and the cathode electrode of the second Schottky barrier diode chip are in contact with each other. A diode having an anode lead connected to the anode electrode of the second Schottky barrier diode chip,
The negative electrode terminal plate and the first frame plate of the frame anode Schottky barrier diode are arranged in contact with each other, the cathode lead of the frame anode Schottky barrier diode and the intermediate terminal plate are connected in an electrically conductive state,
A crystal system in which the positive electrode terminal plate and the second frame plate of the frame cathode Schottky barrier diode are arranged in contact with each other, and the anode lead of the frame cathode Schottky barrier diode and the intermediate terminal plate are connected in an electrically conductive state Terminal box for silicon solar cell modules.

The contact mode of the negative electrode terminal plate and the first frame plate of the frame anode Schottky barrier diode is:
In a contact mode, X% of the total lower surface area of the first frame plate is in contact with the negative electrode terminal plate, and (100-X)% of the total lower surface area of the first frame plate is in a free state with the negative electrode terminal plate. The terminal box according to claim 1, wherein the terminal box is provided. Here, 80 ≦ X ≦ 100.

The contact aspect of the positive electrode terminal plate and the second frame plate of the frame cathode Schottky barrier diode,
In a contact mode, Y% of the total lower surface area of the second frame plate is in contact with the positive electrode terminal plate, and (100-Y)% of the total lower surface area of the second frame plate is in a free state with the positive electrode terminal plate. The terminal box according to claim 1, wherein the terminal box is provided. Here, 80 ≦ Y ≦ 100.

A crystalline silicon solar cell module with a terminal box, comprising a crystalline silicon solar cell module and the terminal box according to claim 1.