JP2014005491A - Method for producing metal powder, metal powder, conductive paste and laminated ceramic electronic component - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a metal powder that can afford good electrode coverage and can suppress structural defects such as cracks, delamination or the like and is suitable for a conductive material for an internal electrode of a laminated ceramic electronic component.SOLUTION: A method for producing a metal powder comprises: (a) preparing a suspension solution 5 comprising a metal particle 2 having an oxide film 6 formed on at least a part of the surface thereof and a reducing agent solution containing a reducing agent; (b) reducing and removing the oxide film 6; and (c) adding a sulfur-containing substance to the suspension solution 5, bringing the metal particle 2 in contact with the sulfur-containing substance to react them in the presence of the reducing agent, and coating at least a part of the surface of the metal particle 2 with a metal compound 3 composed mainly of a sulfide to produce a metal powder 1. A conductive paste is produced using the metal powder as a conductive material. A laminated ceramic electronic component such as a laminated ceramic capacitor or the like is manufactured using the conductive paste.

Description

本発明は、金属粉末の製造方法、金属粉末、及び導電性ペースト、並びに積層セラミック電子部品に関し、より詳しくは積層セラミック電子部品用内部電極の導電性材料に適した金属粉末の製造方法、この製造方法を使用して製造された金属粉末、及びこの金属粉末を導電性材料に使用した導電性ペースト、並びにこの導電性ペーストを使用して製造された積層セラミック電子部品に関する。   The present invention relates to a metal powder manufacturing method, a metal powder, a conductive paste, and a multilayer ceramic electronic component. More specifically, the present invention relates to a metal powder manufacturing method suitable for a conductive material of an internal electrode for a multilayer ceramic electronic component. The present invention relates to a metal powder manufactured using the method, a conductive paste using the metal powder as a conductive material, and a multilayer ceramic electronic component manufactured using the conductive paste.

積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品は、今日では様々な電子機器に搭載されている。   Today, multilayer ceramic electronic components such as multilayer ceramic capacitors are mounted on various electronic devices.

この種の積層セラミック電子部品は、従来より、通常以下のような方法で作製されている。   Conventionally, this type of multilayer ceramic electronic component is usually manufactured by the following method.

すなわち、まず、セラミック原料粉末をシート状に成形加工したセラミックグリーンシートと導電性ペーストを塗布して形成された導電膜とを交互に積層するような形態でセラミック積層体を形成する。次いで、このセラミック積層体に脱脂処理(熱処理)を行い、セラミックグリーンシートや導電性ペーストに含有されているバインダ樹脂を焼失させ、該バインダ樹脂を除去した後、焼成処理を行う。そしてこれにより、内部電極が埋設されたセラミック素体を作製し、その後該セラミック素体の両端部に外部電極を形成し、積層セラミック電子部品を作製している。   That is, first, a ceramic laminate is formed in such a form that ceramic green sheets formed by processing ceramic raw material powder into a sheet and conductive films formed by applying conductive paste are alternately laminated. Next, the ceramic laminate is subjected to a degreasing treatment (heat treatment) to burn out the binder resin contained in the ceramic green sheet or the conductive paste, and after removing the binder resin, a firing treatment is performed. Thus, a ceramic body in which internal electrodes are embedded is manufactured, and then external electrodes are formed on both ends of the ceramic body to manufacture a multilayer ceramic electronic component.

そして、導電性材料としては、AgやPdなどの貴金属材料、NiやCuなどの卑金属材料材等、良導電性を有する各種金属粉末が使用されている。   As the conductive material, various metal powders having good conductivity such as noble metal materials such as Ag and Pd and base metal materials such as Ni and Cu are used.

ところで、上記積層セラミック電子部品は、上述したように製造過程で脱脂処理を行い、セラミックグリーンシートや導電膜に含有されたバインダ樹脂を除去しているが、導電膜の主成分であるAg、Pd、Ni、Cu等の金属粉末は、バインダ樹脂と接触すると燃焼反応を促進する触媒作用を有することが知られている。したがって、このような触媒作用を有する金属粉末を導電性材料に使用すると、斯かる金属粉末の触媒作用により脱脂処理時にはバインダ樹脂の急激な燃焼を促進することから、セラミック積層体の内部にはガスが発生し、このためセラミック積層体の内部圧力が増加し、クラックやデラミネーション(層間剥離)等の構造欠陥が発生するおそれがある。   By the way, the multilayer ceramic electronic component is degreased in the manufacturing process as described above to remove the binder resin contained in the ceramic green sheet and the conductive film. However, Ag, Pd, which are the main components of the conductive film, are removed. It is known that metal powders such as Ni and Cu have a catalytic action that promotes a combustion reaction when in contact with a binder resin. Therefore, when a metal powder having such a catalytic action is used as a conductive material, the catalytic action of such a metal powder promotes rapid combustion of the binder resin during the degreasing treatment, and therefore, the gas inside the ceramic laminate is As a result, the internal pressure of the ceramic laminate increases, and structural defects such as cracks and delamination (delamination) may occur.

そこで、従来より、金属硫化物を金属粉末の表面に形成し、これにより脱脂処理時におけるバインダ樹脂の急激な燃焼を抑制することが行われている。 Therefore, conventionally, a metal sulfide is formed on the surface of the metal powder, thereby suppressing a rapid combustion of the binder resin during the degreasing process.

例えば、特許文献1には、硫黄:0.01〜1.0質量%、炭素:0.01〜1.0質量%を含有し、表面に硫黄含有化合物が被覆又は付着したニッケル粉末が提案されている。   For example, Patent Document 1 proposes a nickel powder containing sulfur: 0.01 to 1.0% by mass and carbon: 0.01 to 1.0% by mass and having a surface coated or adhered with a sulfur-containing compound. ing.

この特許文献1では、例えば図4に示すように、Ni粉末スラリー101にチオ尿素等の硫黄含有化合物溶液102を添加した後、200〜300℃の温度で短時間、気流乾燥処理103を行い、その後、大気雰囲気等の酸化性雰囲気下、100〜400℃で熱処理104を行い、これによりニッケル粉末の表面を硫黄含有化合物(硫化ニッケル)で被覆し、又は付着させている。   In Patent Document 1, for example, as shown in FIG. 4, after adding a sulfur-containing compound solution 102 such as thiourea to the Ni powder slurry 101, airflow drying treatment 103 is performed at a temperature of 200 to 300 ° C. for a short time, Thereafter, a heat treatment 104 is performed at 100 to 400 ° C. in an oxidizing atmosphere such as an air atmosphere, whereby the surface of the nickel powder is covered or adhered with a sulfur-containing compound (nickel sulfide).

また、特許文献2には、平均粒径が0.1〜1.0μmで、かつ硫黄含有率が0.02〜1.0%であるニッケル微粉末が提案されている。   Patent Document 2 proposes a nickel fine powder having an average particle size of 0.1 to 1.0 μm and a sulfur content of 0.02 to 1.0%.

この特許文献2では、図5に示すように、塩化ニッケルを気化させた塩化ニッケルガス111及び硫化水素ガス113を収容した反応容器にAr等のキャリアガスと共に水素ガス112を供給し、反応容器内で気相水素還元処理114を行い、硫黄成分を含有したニッケル微粉末を得ている。すなわち、前記反応容器内で塩化ニッケルガス111と水素ガス112とを反応させてニッケル粒子を作製すると同時に塩化ニッケルガス111と硫化水素ガス113とを反応させ、ニッケル粒子の表面を硫化ニッケルで被覆したニッケル微粉末を得ている。   In Patent Document 2, as shown in FIG. 5, hydrogen gas 112 is supplied together with a carrier gas such as Ar into a reaction vessel containing nickel chloride gas 111 and hydrogen sulfide gas 113 in which nickel chloride is vaporized. Then, a gas phase hydrogen reduction treatment 114 is performed to obtain a nickel fine powder containing a sulfur component. That is, the nickel chloride gas 111 and the hydrogen gas 112 are reacted in the reaction vessel to produce nickel particles, and at the same time the nickel chloride gas 111 and the hydrogen sulfide gas 113 are reacted to coat the surfaces of the nickel particles with nickel sulfide. Nickel fine powder is obtained.

また、特許文献3には、ニッケル微粒子を硫黄化合物の溶液で湿式処理し、ニッケル微粒子に対して0.05〜1.0重量%の範囲の硫黄を含有させるようにしたニッケル微粒子の製造方法が提案されている。   Patent Document 3 discloses a method for producing nickel fine particles, in which nickel fine particles are wet-treated with a solution of a sulfur compound so as to contain sulfur in a range of 0.05 to 1.0% by weight with respect to the nickel fine particles. Proposed.

この特許文献3では、図6に示すように、硫黄を含有した硫酸アンモニウム等の硫黄含有化合物溶液121にニッケル微粒子122を添加し、湿式処理123し、その後加熱乾燥して硫黄化合物をニッケル微粒子中に均一に含有させている。   In Patent Document 3, as shown in FIG. 6, nickel fine particles 122 are added to a sulfur-containing compound solution 121 such as ammonium sulfate containing sulfur, wet-treated 123, and then heated and dried to put the sulfur compounds in the nickel fine particles. It is contained uniformly.

国際公開2005/123307号(請求項1、2、段落番号〔0037〕〜〔0039〕、〔0045〕等)International Publication No. 2005/123307 (claims 1 and 2, paragraph numbers [0037] to [0039], [0045], etc.) 特開平11−80817号公報(請求項1、段落番号〔0009〕、〔0010〕等)Japanese Patent Laid-Open No. 11-80817 (Claim 1, paragraph numbers [0009], [0010], etc.) 特開2007−191771号公報(請求項1、段落番号〔0010〕、〔0023〕等)JP 2007-191771 A (Claim 1, paragraph numbers [0010], [0023], etc.)

しかしながら、特許文献1では、気流乾燥処理103を行った後、酸化性雰囲気下で100〜400℃の温度で熱処理104を行っており、このため前記熱処理時にニッケル微粒子同士が凝結し、粒径が粗大化するおそれがある。そして、このように粗大化したニッケル粉末を使用して導電性ペーストを作製した場合、ニッケル粉末の分散性が低下することから、セラミックグリーンシート上に導電性ペーストを塗布しても平滑性の良好な導電膜を形成するのが困難となり、電極被覆率が低下したりデラミネーション等の構造欠陥を招くおそれがある。   However, in Patent Document 1, after the airflow drying process 103 is performed, the heat treatment 104 is performed at a temperature of 100 to 400 ° C. in an oxidizing atmosphere. There is a risk of coarsening. And, when a conductive paste is produced using such coarsened nickel powder, the dispersibility of the nickel powder is reduced, so that smoothness is good even if the conductive paste is applied on the ceramic green sheet. It is difficult to form a conductive film, and the electrode coverage may be reduced or structural defects such as delamination may be caused.

また、特許文献2では、高温雰囲気で塩化ニッケルをガス化し、この高温雰囲気を利用して気相水素還元処理114を行い、これによりニッケル粒子の作製と同時に該ニッケル粒子の表面に硫化ニッケルを形成している。このため反応過程でニッケル微粒子同士が凝結し、粒径が粗大化するおそれがある。したがって、特許文献1と同様、セラミックグリーンシート上に導電性ペーストを塗布しても平滑性の良好な導電膜を形成するのが困難となり、電極被覆率が低下したりデラミネーション等の構造欠陥が発生するおそれがある。   In Patent Document 2, nickel chloride is gasified in a high temperature atmosphere, and gas phase hydrogen reduction treatment 114 is performed using the high temperature atmosphere, thereby forming nickel sulfide on the surface of the nickel particles simultaneously with the production of the nickel particles. doing. For this reason, nickel fine particles may condense during the reaction process, and the particle size may become coarse. Therefore, as in Patent Document 1, it becomes difficult to form a conductive film with good smoothness even when a conductive paste is applied on a ceramic green sheet, and the electrode coverage is reduced or structural defects such as delamination are present. May occur.

さらに、特許文献3では、ニッケル微粒子122を硫黄含有化合物溶液121に添加し、湿式処理123をしており、したがって、その後に加熱乾燥させても、硫黄がニッケル粒子の表面に吸着しているだけと考えられる。   Further, in Patent Document 3, nickel fine particles 122 are added to the sulfur-containing compound solution 121 and wet processing 123 is performed. Therefore, even if heat-dried thereafter, sulfur is only adsorbed on the surface of the nickel particles. it is conceivable that.

すなわち、ニッケル粒子等の金属粒子の表面の少なくとも一部は、大気と不可避的に接触するため、通常、表面は金属酸化物からなる酸化皮膜で被覆されている。この金属酸化物は硫黄化合物との間で反応が生じ難いため、ニッケル微粒子122を硫黄含有化合物溶液121に添加しても、ニッケル粒子の表面に金属硫化物が形成されることはなく、ニッケル粒子と硫黄含有化合物との混合溶液となる。したがって、その後に加熱乾燥させても硫黄化合物はニッケル粒子に吸着しているだけと考えられる。   That is, at least a part of the surface of metal particles such as nickel particles inevitably comes into contact with the atmosphere, and therefore the surface is usually coated with an oxide film made of a metal oxide. Since this metal oxide hardly reacts with the sulfur compound, even if the nickel fine particles 122 are added to the sulfur-containing compound solution 121, no metal sulfide is formed on the surface of the nickel particles, and the nickel particles And a mixed solution of sulfur-containing compounds. Therefore, it is considered that the sulfur compound is only adsorbed on the nickel particles even if it is subsequently dried by heating.

そして、このように表面に硫黄化合物が吸着したニッケル微粒子を使用して導電性ペーストを作製しても、硫黄化合物は導電性ペーストの作製時にニッケル粒子の表面から脱離してしまい、脱脂処理時におけるニッケル粒子の触媒作用を抑制することができなくなる。   Even when the conductive paste is prepared using the nickel fine particles having the sulfur compound adsorbed on the surface in this way, the sulfur compound is detached from the surface of the nickel particles during the preparation of the conductive paste, and the degreasing treatment is performed. The catalytic action of the nickel particles cannot be suppressed.

すなわち、特許文献3のような金属粉末の製造方法では、金属粒子の触媒作用を効果的に抑制することができず、脱脂処理時にバインダ樹脂の急激な燃焼を招き易く、セラミック積層体の内部でガスが発生して圧力が上昇し、クラックやデラミネーション等の構造欠陥を招くおそれがある。   That is, in the method for producing metal powder as in Patent Document 3, the catalytic action of the metal particles cannot be effectively suppressed, and the binder resin is likely to be rapidly burned during the degreasing treatment. Gas is generated and the pressure rises, which may cause structural defects such as cracks and delamination.

本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、良好な電極被覆率を得ることができると共に、クラックやデラミネーション等の構造欠陥の発生を抑制でき、積層セラミック電子部品の内部電極用導電性材料に適した金属粉末の製造方法、この製造方法を使用して製造された金属粉末、及びこの金属粉末を導電性材料に使用した導電性ペースト、並びにこの導電性ペーストを使用して製造された積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and it is possible to obtain a good electrode coverage and to suppress the occurrence of structural defects such as cracks and delamination, and for internal electrodes of multilayer ceramic electronic components. Manufacturing method of metal powder suitable for conductive material, metal powder manufactured using this manufacturing method, conductive paste using this metal powder as conductive material, and manufacturing using this conductive paste An object of the present invention is to provide a multilayer ceramic electronic component such as a multilayer ceramic capacitor.

上述したようにAg、Pd、Ni、Cu等の金属粒子は、大気と不可避的に接することから、通常、表面には酸化皮膜が形成されている。   As described above, since metal particles such as Ag, Pd, Ni, and Cu inevitably come into contact with the atmosphere, an oxide film is usually formed on the surface.

そこで、本発明者らが、鋭意研究を行なったところ、金属粒子を還元剤で処理して表面の酸化皮膜を除去した後、前記還元剤の存在下で硫黄成分を添加することにより、金属粒子と硫黄成分との反応性が向上し、これにより熱処理を行なうことなく、化学反応によって金属粒子の表面に硫黄成分を含有した金属化合物を形成できるという知見を得た。   Therefore, the present inventors conducted extensive research, and after removing the oxide film on the surface by treating the metal particles with a reducing agent, the metal particles were added by adding a sulfur component in the presence of the reducing agent. As a result, the inventors have found that a metal compound containing a sulfur component can be formed on the surface of a metal particle by a chemical reaction without performing a heat treatment.

本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る金属粉末の製造方法は、表面の少なくとも一部に酸化皮膜が形成された金属粒子を還元剤で処理した後、該還元剤の存在下、前記金属粒子と硫黄成分とを接触させて前記金属粒子と前記硫黄成分とを反応させ、前記硫黄成分を含有した金属化合物で前記金属粒子の表面の少なくとも一部を被覆することを特徴としている。   The present invention has been made on the basis of such knowledge, and the method for producing a metal powder according to the present invention comprises treating a metal particle having an oxide film formed on at least a part of its surface with a reducing agent, In the presence of a reducing agent, the metal particles and the sulfur component are contacted to react the metal particles and the sulfur component, and at least a part of the surface of the metal particles is coated with the metal compound containing the sulfur component. It is characterized by that.

これにより気相での熱処理を行うことなく、液相での化学反応によって金属粒子の表面を金属化合物で被覆することが可能となる。したがって、熱処理に起因した金属粒子同士の凝結が生じることもなく、この金属粉末を導電性材料に使用した導電性ペーストは、基材に塗布しても平滑性の高い導電膜を形成することができ、良好な電極被覆率を確保することができる。   Accordingly, the surface of the metal particles can be coated with the metal compound by a chemical reaction in the liquid phase without performing a heat treatment in the gas phase. Therefore, the metal particles are not condensed due to the heat treatment, and the conductive paste using the metal powder as a conductive material can form a highly smooth conductive film even when applied to a substrate. And good electrode coverage can be secured.

また、上述したように硫黄成分を含有した金属化合物で金属粒子の表面を被覆しているので、金属の触媒作用を抑制することができ、これにより積層セラミック電子部品の製造過程で脱脂処理を行なっても、バインダ樹脂が急激に燃焼するのを抑制することができ、クラックやデラミネーション等の構造欠陥が発生するのを極力回避することができる。   In addition, as described above, the surface of the metal particles is coated with the metal compound containing a sulfur component, so that the catalytic action of the metal can be suppressed, thereby performing the degreasing process in the manufacturing process of the multilayer ceramic electronic component. However, it is possible to suppress the rapid burning of the binder resin, and to avoid the occurrence of structural defects such as cracks and delamination as much as possible.

また、本発明の金属粉末の製造方法は、前記金属粒子が、Ni、Ag、Cu、及びPdのうちの少なくとも1種を含んでいるのが好ましい。   In the metal powder manufacturing method of the present invention, it is preferable that the metal particles contain at least one of Ni, Ag, Cu, and Pd.

また、上記金属粉末の製造方法では、表面に酸化皮膜が形成された金属粒子を対象にしているが、金属塩溶液を還元剤で処理して金属粒子を得る液相還元法に適用しても上述と同様の作用・効果を得ることができる。   The metal powder manufacturing method is directed to metal particles having an oxide film formed on the surface. However, the metal powder may be applied to a liquid phase reduction method in which a metal salt solution is treated with a reducing agent to obtain metal particles. The same operations and effects as described above can be obtained.

すなわち、本発明に係る金属粉末の製造方法は、金属イオンを含有した金属塩溶液を還元剤で処理し、酸化還元反応を生じさせて金属粒子を作製し、その後、前記還元剤の存在下、前記金属粒子と硫黄成分とを接触させて前記金属粒子と前記硫黄成分とを反応させ、前記硫黄成分を含有した金属化合物で前記金属粒子の表面の少なくとも一部を被覆することを特徴としている。   That is, in the method for producing metal powder according to the present invention, a metal salt solution containing metal ions is treated with a reducing agent to produce a redox reaction to produce metal particles, and then in the presence of the reducing agent, The metal particles and the sulfur component are brought into contact with each other to react the metal particles with the sulfur component, and at least a part of the surface of the metal particles is coated with the metal compound containing the sulfur component.

また、本発明の金属粉末の製造方法は、前記金属イオンが、Niイオン、Agイオン、Cuイオン、及びPdイオンのうちの少なくとも1種を含んでいるのが好ましい。   In the method for producing a metal powder of the present invention, it is preferable that the metal ions include at least one of Ni ions, Ag ions, Cu ions, and Pd ions.

また、本発明の金属粉末の製造方法は、前記硫黄成分は、硫黄単体、水硫化物及び多硫化物を含む硫化物群のうちの少なくとも1種以上を含有した無機硫黄含有物の形態で、前記金属粒子に添加するのが好ましい。   Further, in the method for producing a metal powder of the present invention, the sulfur component is in the form of an inorganic sulfur-containing material containing at least one or more of a sulfide group including sulfur alone, hydrosulfide and polysulfide, It is preferable to add to the metal particles.

また、本発明の金属粉末の製造方法は、前記金属化合物が、硫化物を主成分とするのが好ましい。   In the metal powder production method of the present invention, the metal compound preferably contains a sulfide as a main component.

また、本発明の金属粉末の製造方法は、前記金属粉末中の硫黄成分が、濃度に換算して0.01〜5質量%であるのが好ましい。   Moreover, it is preferable that the manufacturing method of the metal powder of this invention is 0.01-5 mass% in conversion of the sulfur component in the said metal powder into a density | concentration.

さらに、本発明の金属粉末の製造方法は、前記金属粉末の平均粉末径は、0.01μm以上であるのが好ましい。   Furthermore, in the method for producing a metal powder of the present invention, the average powder diameter of the metal powder is preferably 0.01 μm or more.

また、本発明の金属粉末の製造方法は、前記金属粒子と前記硫黄成分との反応は、pHが2を超えた溶液中で行なうのが好ましい。   In the method for producing metal powder of the present invention, the reaction between the metal particles and the sulfur component is preferably performed in a solution having a pH exceeding 2.

さらに、本発明の金属粉末の製造方法は、前記金属粒子と前記硫黄成分との反応は、20〜200℃の温度で行なうのが好ましい。   Furthermore, in the method for producing a metal powder of the present invention, the reaction between the metal particles and the sulfur component is preferably performed at a temperature of 20 to 200 ° C.

また、本発明の金属粉末の製造方法は、前記還元剤が、ヒドラジン、水素化ホウ素化合物、ハロゲン化チタン、次亜リン酸塩、亜リン酸塩、アルデヒド類、アスコルビン酸、水素ガス、アルコール類、多価アルコール類の中から選択された少なくとも1種であるのが好ましい。   Further, in the method for producing a metal powder of the present invention, the reducing agent is hydrazine, borohydride compound, titanium halide, hypophosphite, phosphite, aldehydes, ascorbic acid, hydrogen gas, alcohols. And at least one selected from polyhydric alcohols.

また、本発明に係る金属粉末は、上述したいずれかに記載の製造方法を使用して製造されたことを特徴としている。   In addition, the metal powder according to the present invention is manufactured using any of the manufacturing methods described above.

また、本発明に係る導電性ペーストは、少なくとも導電性材料と、バインダ樹脂と、溶剤とを含有した導電性ペーストであって、前記導電性材料が、上記金属粉末を有していることを特徴としている。   The conductive paste according to the present invention is a conductive paste containing at least a conductive material, a binder resin, and a solvent, and the conductive material has the metal powder. It is said.

また、本発明に係る積層セラミック電子部品は、内部電極がセラミック素体に埋設された積層セラミック電子部品であって、前記内部電極は、上記導電性ペーストが焼結されてなることを特徴としている。   The multilayer ceramic electronic component according to the present invention is a multilayer ceramic electronic component in which an internal electrode is embedded in a ceramic body. The internal electrode is formed by sintering the conductive paste. .

本発明の金属粉末の製造方法によれば、表面の少なくとも一部に酸化皮膜が形成された金属粒子(例えば、Ni、Cu、Ag、Pd等)をヒドラジン等の還元剤で処理した後、前記還元剤の存在下、前記金属粒子と硫黄成分(例えば、硫黄単体、硫化物等)とを接触させて前記金属粒子と前記硫黄成分とを反応させ、硫化物等の前記硫黄成分を含有した金属化合物を前記金属粒子の少なくとも一部に被覆するので、製造過程で気相での熱処理を伴うこともなく、液相での化学反応で金属表面に硫黄化合物を形成させことができる。したがって、熱処理に起因した金属粒子同士の凝結が生じることもなく、この金属粉末を導電性材料に使用した導電性ペーストは、基材に塗布しても平滑性の高い導電膜を形成することができ、良好な電極被覆率を確保することができる。   According to the method for producing metal powder of the present invention, after treating metal particles (for example, Ni, Cu, Ag, Pd, etc.) having an oxide film formed on at least a part of the surface with a reducing agent such as hydrazine, In the presence of a reducing agent, the metal particles and a sulfur component (for example, sulfur alone, sulfide, etc.) are brought into contact with each other to react the metal particles with the sulfur component, thereby containing the sulfur component such as sulfide. Since the compound is coated on at least a part of the metal particles, a sulfur compound can be formed on the metal surface by a chemical reaction in the liquid phase without accompanying heat treatment in the gas phase during the production process. Therefore, the metal particles are not condensed due to the heat treatment, and the conductive paste using the metal powder as a conductive material can form a highly smooth conductive film even when applied to a substrate. And good electrode coverage can be secured.

また、上述したように硫黄成分を含有した金属化合物で金属粒子の表面の少なくとも一部を被覆しているので、金属の触媒作用を効果的に抑制することができ、これにより積層セラミック電子部品の製造過程で脱脂処理を行なっても、バインダ樹脂が急激に燃焼するのを抑制することができ、クラックやデラミネーション等の構造欠陥が発生するのを極力回避することができる。   Moreover, since at least a part of the surface of the metal particles is coated with the metal compound containing the sulfur component as described above, the catalytic action of the metal can be effectively suppressed. Even if the degreasing treatment is performed in the manufacturing process, the binder resin can be prevented from burning rapidly, and the occurrence of structural defects such as cracks and delamination can be avoided as much as possible.

また、本発明の金属粉末の製造方法によれば、金属イオンを含有した金属塩溶液を還元剤で処理し、酸化還元反応を生じさせて金属粒子を作製し、その後、前記還元剤の存在下、前記金属粒子と硫黄成分とを接触させて前記金属粒子と前記硫黄成分とを反応させ、前記硫黄成分を含有した金属化合物で前記金属粒子の表面の少なくとも一部を被覆するので、表面に酸化皮膜が形成された金属粒子に代えて、金属塩溶液を還元剤で処理する液相還元法で金属粒子を得る場合についても、上述と同様の作用・効果を得ることができる。   Further, according to the method for producing a metal powder of the present invention, a metal salt solution containing a metal ion is treated with a reducing agent to produce a redox reaction to produce metal particles, and then in the presence of the reducing agent. The metal particles and the sulfur component are brought into contact with each other, the metal particles and the sulfur component are reacted, and at least a part of the surface of the metal particles is coated with the metal compound containing the sulfur component. Even in the case of obtaining metal particles by a liquid phase reduction method in which a metal salt solution is treated with a reducing agent instead of the metal particles on which a film is formed, the same actions and effects as described above can be obtained.

また、本発明の導電性ペーストによれば、少なくとも導電性材料と、バインダ樹脂と、溶剤とを含有した導電性ペーストであって、前記導電性材料が、上記金属粉末を有しているので、金属粒子同士が凝結することもなく、粉末径の粗大化が抑制されることから、導電性ペーストを基材に塗布しても平滑性の高い導電膜を形成することができ、良好な電極被覆率を確保することができる。また、触媒作用が抑制された導電性材料を使用しているので、積層セラミック電子部品の製造過程で脱脂処理を行なってもバインダ樹脂の急激な燃焼が生じることもなく、バインダ樹脂を焼失させることができる。   Further, according to the conductive paste of the present invention, it is a conductive paste containing at least a conductive material, a binder resin, and a solvent, and since the conductive material has the metal powder, Since the metal particles do not condense and the coarsening of the powder diameter is suppressed, a conductive film with high smoothness can be formed even if the conductive paste is applied to the base material, and a good electrode coating The rate can be secured. Also, because it uses a conductive material with reduced catalytic action, the binder resin will not burn rapidly even if it is degreased during the manufacturing process of multilayer ceramic electronic components, and the binder resin will be burned out. Can do.

また、本発明に係る積層セラミック電子部品は、内部電極がセラミック素体に埋設された積層セラミック電子部品であって、前記内部電極は、上記導電性ペーストが焼結されてなるので、良好な電極被覆率を確保することができ、クラックやデラミネーション等の構造欠陥の発生が抑制された信頼性の良好な積層セラミック電子部品を得ることができる。   The multilayer ceramic electronic component according to the present invention is a multilayer ceramic electronic component in which an internal electrode is embedded in a ceramic body, and the internal electrode is a good electrode because the conductive paste is sintered. The coverage can be ensured, and a highly reliable multilayer ceramic electronic component in which occurrence of structural defects such as cracks and delamination is suppressed can be obtained.

本発明の製造方法を使用して製造された金属粉末の一実施の形態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically one Embodiment of the metal powder manufactured using the manufacturing method of this invention. 本発明に係る金属粉末の製造方法の製造工程を模式的に示す製造工程図である。It is a manufacturing process figure which shows typically the manufacturing process of the manufacturing method of the metal powder which concerns on this invention. 本発明に係る積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示す断面図である。1 is a cross-sectional view schematically illustrating an embodiment of a multilayer ceramic capacitor as a multilayer ceramic electronic component according to the present invention. 特許文献1に記載されたニッケル粉末の製造方法を示す製造工程図である。It is a manufacturing process figure which shows the manufacturing method of the nickel powder described in patent document 1. 特許文献2に記載されたニッケル超粉末の製造方法を示す製造工程図である。It is a manufacturing process figure which shows the manufacturing method of the nickel super powder described in patent document 2. FIG. 特許文献3に記載されたニッケル微粒子の製造方法を示す製造工程図である。It is a manufacturing process figure which shows the manufacturing method of the nickel fine particle described in patent document 3. FIG.

次に、本発明の実施の形態を詳説する。   Next, an embodiment of the present invention will be described in detail.

図1は本発明の製造方法を使用して製造された金属粉末の一実施の形態を模式的に示す断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of a metal powder produced using the production method of the present invention.

すなわち、この金属粉末1は、金属粒子2の表面に硫黄成分を含有した金属化合物3が形成されている。   That is, in the metal powder 1, a metal compound 3 containing a sulfur component is formed on the surface of the metal particles 2.

以下、図2を参照しながら、この金属粉末の製造方法を詳述する。   Hereinafter, this metal powder manufacturing method will be described in detail with reference to FIG.

まず、図2(a)に示すように、還元剤を含有した還元剤溶液4中に金属粒子2を投入し、金属粒子2と還元剤溶液4とからなる懸濁溶液5を作製する。   First, as shown in FIG. 2A, the metal particles 2 are put into a reducing agent solution 4 containing a reducing agent, and a suspension solution 5 composed of the metal particles 2 and the reducing agent solution 4 is produced.

金属粒子2は、通常、大気と不可避的に接することから、表面が酸化されており、金属酸化物からなる酸化皮膜6が形成されている。そして、この酸化皮膜6は、還元剤溶液4と接することにより還元剤の作用によって還元除去され、図2(b)に示すように、懸濁溶液5は、還元剤溶液4と金属粒子1との混合溶液となる。   Since the metal particles 2 usually inevitably come into contact with the atmosphere, the surface is oxidized, and an oxide film 6 made of a metal oxide is formed. The oxide film 6 is reduced and removed by the action of the reducing agent by coming into contact with the reducing agent solution 4. As shown in FIG. 2 (b), the suspension solution 5 includes the reducing agent solution 4, the metal particles 1, and the like. A mixed solution of

次に、この懸濁溶液5に硫黄成分を含有した硫黄含有物を添加し、金属粒子2と硫黄含有物とを接触させる。すると、金属粒子2の表面で金属粒子2と硫黄含有物とが反応し、図2(c)に示すように、硫化物を主成分とした金属化合物3が金属粒子2の表面に形成され、これにより金属粉末1が形成される。   Next, a sulfur-containing material containing a sulfur component is added to the suspension solution 5 to bring the metal particles 2 into contact with the sulfur-containing material. Then, the metal particle 2 reacts with the sulfur-containing material on the surface of the metal particle 2, and as shown in FIG. 2C, a metal compound 3 mainly composed of sulfide is formed on the surface of the metal particle 2, Thereby, the metal powder 1 is formed.

このように還元剤の存在下で金属粒子2と硫黄含有物とを反応させることにしたのは以下の理由による。   The reason why the metal particles 2 are reacted with the sulfur-containing material in the presence of the reducing agent is as follows.

図2(a)及び図2(b)に示すように、金属粒子2を還元剤溶液4と接触させることにより、金属粒子2の表面に形成された酸化皮膜(金属酸化物)6は容易に還元除去することができるが、金属粒子2を還元剤の不存在下に晒すと、金属粒子2の表面には再び酸化皮膜6が形成されるおそれがある。そして、酸化皮膜6を形成する金属酸化物は硫黄含有物との間で反応が生じ難いことから、金属粒子2の表面に硫化物を形成するのが困難となる。   As shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), by bringing the metal particles 2 into contact with the reducing agent solution 4, the oxide film (metal oxide) 6 formed on the surface of the metal particles 2 can be easily formed. Although it can be reduced and removed, if the metal particles 2 are exposed in the absence of a reducing agent, the oxide film 6 may be formed again on the surfaces of the metal particles 2. And since the metal oxide which forms the oxide film 6 does not easily react with the sulfur-containing material, it is difficult to form a sulfide on the surface of the metal particle 2.

そこで、本実施の形態では、還元剤の存在下で、金属粒子2と硫黄含有物とを接触させ、両者が円滑に反応するようにしている。   Therefore, in the present embodiment, the metal particles 2 and the sulfur-containing material are brought into contact with each other in the presence of a reducing agent so that both react smoothly.

このように酸化皮膜6が還元除去された金属粒子2と硫黄含有物とを接触させることにより、酸化皮膜6が残存している場合とは異なり、金属粒子1と硫黄含有物とが円滑に反応し、金属粒子2の表面には硫化物を主成分とする金属化合物3が容易に形成される。   Unlike the case where the oxide film 6 remains by contacting the metal particles 2 from which the oxide film 6 has been reduced and removed with the sulfur-containing material, the metal particles 1 and the sulfur-containing material react smoothly. And the metal compound 3 which has a sulfide as a main component is easily formed in the surface of the metal particle 2. FIG.

しかも、上記製造方法では、特許文献1や特許文献2のように気相での熱処理を行なうことなく、液相で化学反応を生じさせることにより金属化合物3を形成しているので、金属粒子2同士が凝結して粗大化することもなく、所望粒径を有する金属粉末1を容易に得ることができる。   Moreover, in the manufacturing method described above, the metal compound 3 is formed by causing a chemical reaction in the liquid phase without performing heat treatment in the gas phase as in Patent Document 1 and Patent Document 2, so that the metal particles 2 The metal powder 1 having a desired particle size can be easily obtained without being condensed and coarsened.

したがって、この金属粉末3を導電性材料に使用して導電性ペーストを作製し、該導電性ペーストを基材に塗布することにより、平滑性の高い導電膜を形成することができ、良好な電極被覆率を確保することができる。   Therefore, a conductive film having high smoothness can be formed by producing a conductive paste using the metal powder 3 as a conductive material and applying the conductive paste to a base material. Coverage can be ensured.

また、金属粒子2の表面が金属化合物3で被覆された金属粉末1を導電性材料に使用するので、積層セラミック電子部品の製造過程で脱脂処理を行なっても、金属の触媒作用を抑制することができる。したがって、バインダ樹脂の急激な燃焼を回避することが可能となり、セラミック積層体の内部でガスが発生するのが抑制されて内部圧力が増加するのを阻止することができ、クラックやデラミネーション等の構造欠陥が発生するのを抑制することができる。   In addition, since the metal powder 1 whose surface of the metal particle 2 is coated with the metal compound 3 is used as a conductive material, even if a degreasing process is performed in the manufacturing process of the multilayer ceramic electronic component, the metal catalytic action is suppressed. Can do. Therefore, it becomes possible to avoid the rapid combustion of the binder resin, and it is possible to prevent the generation of gas inside the ceramic laminate and prevent the internal pressure from increasing, and cracks, delamination, etc. The occurrence of structural defects can be suppressed.

そして、このような硫黄成分を含有した硫黄含有物については、懸濁溶液5中で硫化物イオンが生成されるものであれば特に限定されるものではなく、硫化水素ガスを水に溶解させた硫黄含有水溶液を懸濁溶液5に添加してもよいが、硫黄単体、硫化ナトリウム、硫化アンモニウム等の硫化物、硫化水素ナトリウムや硫化水素アンモニウム等の水硫化物、多硫化ナトリウムや多硫化アンモニウム等の多硫化物の少なくとも1種以上含有した無機硫黄含有物を使用するのが好ましい。すなわち、有機硫黄化合物を懸濁溶液5に添加しても、金属粒子2の表面に硫化物を形成することができ、構造欠陥の発生を抑制することは可能であるが、この場合、有機硫黄化合物に含有される炭素成分が金属粒子の表面に残留してしまうおそれがある。したがって、このような点を考慮すると、上述した硫黄単体、硫化物、水硫化物、多硫化物を含有した無機硫黄含有物を金属粒子2に添加するのが好ましい。   The sulfur-containing material containing such a sulfur component is not particularly limited as long as sulfide ions are generated in the suspension solution 5, and hydrogen sulfide gas is dissolved in water. A sulfur-containing aqueous solution may be added to the suspension solution 5, but sulfur alone, sulfides such as sodium sulfide and ammonium sulfide, hydrosulfides such as sodium hydrogen sulfide and ammonium hydrogen sulfide, sodium polysulfide and ammonium polysulfide, etc. It is preferable to use an inorganic sulfur-containing material containing at least one polysulfide. That is, even if an organic sulfur compound is added to the suspension solution 5, sulfide can be formed on the surface of the metal particles 2, and it is possible to suppress the occurrence of structural defects. There exists a possibility that the carbon component contained in a compound may remain on the surface of a metal particle. Therefore, in consideration of such points, it is preferable to add to the metal particles 2 an inorganic sulfur-containing material containing the above-described simple sulfur, sulfide, hydrosulfide, or polysulfide.

また、金属粉末1中の硫黄濃度については、特に限定されるものではないが、構造欠陥の発生をより一層抑制し、より良好な電極被覆率を確保するためには、硫黄濃度は0.01〜5質量%が好ましく、より好ましくは0.05〜2質量%である。金属粉末1中の硫黄濃度が0.01質量%未満になると、硫黄含有量が少なくなるため、金属粒子の表面を金属化合物で被覆できなくなるおそれがある。一方、硫黄濃度が5質量%を超えると、金属粉末1中の金属粒子2の含有量が相対的に低下することから、電極被覆率の低下を招くおそれがある。   Further, the sulfur concentration in the metal powder 1 is not particularly limited, but in order to further suppress the occurrence of structural defects and ensure a better electrode coverage, the sulfur concentration is 0.01. -5 mass% is preferable, More preferably, it is 0.05-2 mass%. When the sulfur concentration in the metal powder 1 is less than 0.01% by mass, the sulfur content decreases, so that the surface of the metal particles may not be covered with the metal compound. On the other hand, when the sulfur concentration exceeds 5% by mass, the content of the metal particles 2 in the metal powder 1 is relatively decreased, which may cause a decrease in electrode coverage.

また、還元剤についても特に限定されるものではないが、還元力の強い還元剤が好ましく、ヒドラジン、水素化ホウ素ナトリウム、三塩化チタン、次亜リン酸ナトリウム、亜リン酸ナトリウム、アルデヒド類、アスコルビン酸、水素ガス、1−ブタノール等のアルコール類、エチレングリコール等の多価アルコール類の中から選択された少なくとも1種を好んで使用することができる。   Further, the reducing agent is not particularly limited, but a reducing agent having a strong reducing power is preferable. Hydrazine, sodium borohydride, titanium trichloride, sodium hypophosphite, sodium phosphite, aldehydes, ascorbine At least one selected from acids, hydrogen gas, alcohols such as 1-butanol, and polyhydric alcohols such as ethylene glycol can be preferably used.

また、金属粉末1の平均粉末径も特に限定されるものではないが、より一層の構造欠陥を低減する観点からは、平均粉末径は0.01μm以上が好ましく、より好ましくは0.1μm以上である。平均粉末径が0.01μm未満になると、金属粒子2の比表面積も大きくなり、すべての金属粒子2の表面を被覆するには、硫黄濃度を増加させる必要がある。尚、平均粉末径が1μm以上になると、硫黄濃度を増加させなくても、構造欠陥の発生を十分に抑制でき、また、金属粒子の平均粒径が微粒になればなるほど、電極被覆率は向上すると考えられることから、金属粉末1の平均粉末径は1μm以下がよい。   Further, the average powder diameter of the metal powder 1 is not particularly limited, but from the viewpoint of further reducing the structural defects, the average powder diameter is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.1 μm or more. is there. When the average powder diameter is less than 0.01 μm, the specific surface area of the metal particles 2 also increases, and in order to cover the surfaces of all the metal particles 2, it is necessary to increase the sulfur concentration. In addition, when the average powder diameter is 1 μm or more, the occurrence of structural defects can be sufficiently suppressed without increasing the sulfur concentration, and the electrode coverage increases as the average particle diameter of the metal particles becomes finer. Therefore, the average powder diameter of the metal powder 1 is preferably 1 μm or less.

尚、金属粉末1の平均粉末径は、酸化皮膜6が形成された金属粒子2の平均粒径で近似されることから、還元処理前の金属粒子1の平均粒径で管理することができる。   In addition, since the average powder diameter of the metal powder 1 is approximated by the average particle diameter of the metal particles 2 on which the oxide film 6 is formed, it can be managed by the average particle diameter of the metal particles 1 before the reduction treatment.

また、金属粒子1と硫黄含有物とが反応する懸濁溶液5のpHについても特に限定されるものではないが、金属粉末が溶解しないように炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、硫酸、酢酸、酢酸ナトリウム等のpH調整剤を使用して懸濁溶液のpHを調整するのが好ましい。具体的には懸濁溶液5のpHは2を超えているのが好ましい。このように懸濁溶液5のpHを調整することにより、金属粒子2の表面には所望の硫化物を主成分とする金属化合物を形成することができ、脱脂処理を行っても金属の触媒作用を抑制することができる。尚、硫化物イオンは、pHが7未満の酸性領域では硫化水素を発生させ得る。したがって、作業の安全性を考慮すると、懸濁溶液のpHは、7以上の中性溶液乃至アルカリ性溶液であるのがより好ましい。   Further, the pH of the suspension solution 5 in which the metal particles 1 react with the sulfur-containing material is not particularly limited, but sodium bicarbonate, sodium hydroxide, sulfuric acid, acetic acid, acetic acid so that the metal powder does not dissolve. It is preferable to adjust the pH of the suspension using a pH adjusting agent such as sodium. Specifically, the pH of the suspension solution 5 is preferably more than 2. By adjusting the pH of the suspension 5 in this way, a metal compound containing a desired sulfide as a main component can be formed on the surface of the metal particles 2, and even if a degreasing treatment is performed, the metal catalytic action Can be suppressed. The sulfide ion can generate hydrogen sulfide in an acidic region having a pH of less than 7. Therefore, in consideration of work safety, the pH of the suspension solution is more preferably 7 or more neutral or alkaline solution.

また、反応温度についても特に限定されるものではないが、構造欠陥の発生をより効果的に抑制するためには、20〜200℃が好ましく、より好ましくは60〜200℃である。すなわち、懸濁溶液5中では酸化皮膜を還元除去するための還元反応と、金属粒子と硫黄含有物との硫化物生成反応を順次進行させる必要があるが、反応温度が20℃未満になると、上述した両反応が進行し難くなり、金属粒子の表面を金属硫化物で被覆するのが困難になるおそれがある。また、反応温度が200℃を超える高温になると、金属硫化物の生成反応が局部的に進行し、このため金属粒子の表面を金属硫化物で均一に被覆するのが困難になるおそれがある。   Moreover, although it does not specifically limit about reaction temperature, In order to suppress generation | occurrence | production of a structural defect more effectively, 20-200 degreeC is preferable, More preferably, it is 60-200 degreeC. That is, in the suspension solution 5, it is necessary to sequentially proceed with a reduction reaction for reducing and removing the oxide film and a sulfide generation reaction between the metal particles and the sulfur-containing material, but when the reaction temperature is less than 20 ° C., Both of the reactions described above are difficult to proceed, and it may be difficult to coat the surface of the metal particles with metal sulfide. In addition, when the reaction temperature is higher than 200 ° C., the metal sulfide formation reaction proceeds locally, which may make it difficult to uniformly coat the surface of the metal particles with the metal sulfide.

また、本発明で適用可能な金属粒子1の種類については、硫黄含有物との間で反応が進行し、硫化物を形成するものであれば特に限定されるものではないが、積層セラミック電子部品用内部電極の導電性材料に使用される金属種、例えばNi、Cu、Ag、及びPdを好んで使用することができる。   The type of metal particles 1 applicable in the present invention is not particularly limited as long as the reaction proceeds with a sulfur-containing material to form a sulfide. The metal species used for the conductive material of the internal electrode, such as Ni, Cu, Ag, and Pd, can be preferably used.

次に、上記金属粉末を使用した積層セラミック電子部品について詳述する。   Next, a multilayer ceramic electronic component using the metal powder will be described in detail.

図3は本発明に係る積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示す断面図である。   FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of a multilayer ceramic capacitor as a multilayer ceramic electronic component according to the present invention.

該積層セラミックコンデンサは、セラミック素体7に内部電極8a〜8fが埋設されると共に、該セラミック素体7の両端部には外部電極9a、9bが形成され、さらに該外部電極9a、9bの表面には第1のめっき皮膜10a、10b及び第2のめっき皮膜11a、11bが形成されている。   In the multilayer ceramic capacitor, internal electrodes 8a to 8f are embedded in a ceramic body 7, external electrodes 9a and 9b are formed at both ends of the ceramic body 7, and the surfaces of the external electrodes 9a and 9b are further formed. Are formed with first plating films 10a and 10b and second plating films 11a and 11b.

すなわち、セラミック素体7は、誘電体セラミック層12a〜12gと本発明の金属粉末1を導電性材料とする内部電極層8a〜8fとが交互に積層されており、内部電極層8a、8c、8eは外部電極9aと電気的に接続され、内部電極層8b、8d、8fは外部電極9bと電気的に接続されている。そして、内部電極層8a、8c、8eと内部電極層8b、8d、8fとの対向面間で静電容量を形成している。   That is, the ceramic body 7 is formed by alternately laminating dielectric ceramic layers 12a to 12g and internal electrode layers 8a to 8f using the metal powder 1 of the present invention as a conductive material, and the internal electrode layers 8a, 8c, 8e is electrically connected to the external electrode 9a, and the internal electrode layers 8b, 8d, and 8f are electrically connected to the external electrode 9b. A capacitance is formed between the opposing surfaces of the internal electrode layers 8a, 8c, and 8e and the internal electrode layers 8b, 8d, and 8f.

次に、上記積層セラミックコンデンサの製造方法を詳述する。   Next, a method for manufacturing the multilayer ceramic capacitor will be described in detail.

まず、内部電極用導電性ペーストを作製する。   First, an internal electrode conductive paste is prepared.

すなわち、上述した金属粉末1、及び有機ビヒクルを所定の混合割合となるように秤量して混合し、三本ロールミルやサンドミル、ポットミル等を使用して分散・混練し、これにより上記金属粉末を導電性材料とした導電性ペーストを作製する。   That is, the above-described metal powder 1 and the organic vehicle are weighed and mixed so as to have a predetermined mixing ratio, and dispersed and kneaded using a three-roll mill, a sand mill, a pot mill or the like, thereby making the metal powder conductive. A conductive paste made of a conductive material is prepared.

ここで、有機ビヒクルは、バインダ樹脂が有機溶剤中に溶解されてなり、バインダ樹脂と有機溶剤との混合比率は、例えば体積比率で、1〜3:7〜9となるように調製されている。   Here, the organic vehicle is prepared such that the binder resin is dissolved in an organic solvent, and the mixing ratio of the binder resin and the organic solvent is, for example, 1 to 3: 7 to 9 by volume ratio. .

また、上記バインダ樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えば、エチルセルロース樹脂、ニトロセルロース樹脂、アクリル樹脂、アルキド樹脂、ブチラール樹脂又はこれらの組み合わせを使用することができる。また、有機溶剤についても特に限定されるものではなく、α―テルピネオール、キシレン、トルエン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等を単独、或いはこれらを組み合わせて使用することができる。尚、この内部電極用導電性ペーストには、必要に応じて分散剤や可塑剤等を添加するのも好ましい。   The binder resin is not particularly limited, and for example, ethyl cellulose resin, nitrocellulose resin, acrylic resin, alkyd resin, butyral resin, or a combination thereof can be used. Also, the organic solvent is not particularly limited, and α-terpineol, xylene, toluene, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, etc. alone or in combination thereof Can be used. In addition, it is also preferable to add a dispersing agent, a plasticizer, etc. to this electroconductive paste for internal electrodes as needed.

次に、この内部電極用導電性ペーストを使用して積層セラミックコンデンサを作製する。   Next, a multilayer ceramic capacitor is produced using the conductive paste for internal electrodes.

すなわち、Ba化合物、Ti化合物等のセラミック素原料を用意する。そしてこれらセラミック素原料を所定量秤量し、これら秤量物をPSZ(Partially Stabilized Zirconia:部分安定化ジルコニア)ボール等の粉砕媒体及び純水と共にボールミルに投入し、十分に湿式で混合粉砕し、乾燥させた後、950〜1150℃の温度で所定時間、仮焼処理を施し、これによりチタン酸バリウムを主成分とする仮焼粉末を作製する。   That is, ceramic raw materials such as a Ba compound and a Ti compound are prepared. Then, a predetermined amount of these ceramic raw materials are weighed, and these weighed materials are put into a ball mill together with a grinding medium such as PSZ (Partially Stabilized Zirconia) balls and pure water, and sufficiently wet-mixed and pulverized and dried. After that, a calcination treatment is performed at a temperature of 950 to 1150 ° C. for a predetermined time, thereby preparing a calcination powder mainly composed of barium titanate.

次に、希土類元素Reを含有したRe化合物、Siを含有したSi化合物、アルカリ土類金属Mを含有したM化合物、Mnを含有したMn化合物及びVを含有したV化合物等の添加物を必要に応じて所定量秤量し、これら秤量物を前記仮焼粉末、粉砕媒体及び純水と共にボールミルに投入し、十分に湿式で混合粉砕し、乾燥処理を施し、これによりセラミック原料粉末を作製する。   Next, additives such as Re compound containing rare earth element Re, Si compound containing Si, M compound containing alkaline earth metal M, Mn compound containing Mn and V compound containing V are required. Accordingly, a predetermined amount is weighed, and these weighed materials are put into a ball mill together with the calcined powder, pulverization medium and pure water, sufficiently wet-mixed and pulverized, and subjected to a drying treatment, thereby producing a ceramic raw material powder.

次いで、上記セラミック原料粉末を有機バインダや有機溶剤、粉砕媒体と共にボールミルに投入して湿式混合し、セラミックスラリーを作製し、リップ法やドクターブレード法等を使用してセラミックスラリーをシート状に成形加工し、セラミックグリーンシートを作製する。   Next, the ceramic raw material powder is put into a ball mill together with an organic binder, an organic solvent, and a grinding medium and wet mixed to produce a ceramic slurry. The ceramic slurry is formed into a sheet using a lip method or a doctor blade method. Then, a ceramic green sheet is produced.

次いで、上述した内部電極用導電性ペーストを使用してセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷を施し、前記セラミックグリーンシートの表面に所定パターンの導電膜を形成する。   Next, screen printing is performed on the ceramic green sheet using the above-described internal electrode conductive paste, and a conductive film having a predetermined pattern is formed on the surface of the ceramic green sheet.

次いで、導電膜が形成されたセラミックグリーンシートを所定方向に複数枚積層し、導電膜の形成されていないセラミックグリーンシートで挟持し、圧着し、所定寸法に切断してセラミック積層体を作製する。そしてこの後、温度300〜500℃で脱バインダ処理を行ない、さらに、大気雰囲気下、又は還元性雰囲気下、所定の焼成プロファイルでもって約2時間焼成処理を行なう。これにより導電膜とセラミックグリーンシートとが共焼結され、内部電極8a〜8fが埋設されたセラミック素体7が得られる。   Next, a plurality of ceramic green sheets on which a conductive film is formed are laminated in a predetermined direction, sandwiched between ceramic green sheets on which a conductive film is not formed, pressure-bonded, and cut into predetermined dimensions to produce a ceramic laminate. Thereafter, the binder removal treatment is performed at a temperature of 300 to 500 ° C., and further, the firing treatment is performed for about 2 hours with a predetermined firing profile in an air atmosphere or a reducing atmosphere. Thereby, the conductive film and the ceramic green sheet are co-sintered, and the ceramic body 7 in which the internal electrodes 8a to 8f are embedded is obtained.

次に、セラミック素体7の両端面に外部電極用導電性ペーストを塗布し、600〜800℃の温度で焼付処理を行い、外部電極9a、9bを形成する。   Next, a conductive paste for external electrodes is applied to both end faces of the ceramic body 7, and a baking treatment is performed at a temperature of 600 to 800 ° C. to form the external electrodes 9a and 9b.

尚、外部電極用導電性ペーストに含有される導電性材料は、特に限定されるものではないが、低コスト化の観点から、AgやCu、或いはこれらの合金を主成分とした材料を使用するのが好ましい。   The conductive material contained in the external electrode conductive paste is not particularly limited, but from the viewpoint of cost reduction, a material mainly composed of Ag, Cu, or an alloy thereof is used. Is preferred.

そして、最後に、電解めっきを施して外部電極9a、9bの表面にNi、Cu、Ni−Cu合金等からなる第1のめっき皮膜10a、10bを形成し、さらに該第1のめっき皮膜10a、10bの表面にはんだやスズ等からなる第2のめっき皮膜11a、11bを形成し、これにより積層セラミックコンデンサが製造される。   Finally, electrolytic plating is performed to form first plating films 10a and 10b made of Ni, Cu, Ni—Cu alloy or the like on the surfaces of the external electrodes 9a and 9b, and further, the first plating film 10a, Second plating films 11a and 11b made of solder, tin or the like are formed on the surface of 10b, whereby a multilayer ceramic capacitor is manufactured.

このように形成された積層セラミックコンデンサは、内部電極の導電性材料に上記金属粉末が使用されているので、金属粒子同士が凝結することもなく、粒子の粗大化が抑制された金属粉末を導電性材料に使用していることから、導電性ペーストをセラミックグリーンシートに塗布しても平滑性の高い導電膜を形成することができ、良好な電極被覆率を有する積層セラミック電子部品を得ることができる。また、金属粉末1は、金属粒子2の表面に硫化物を主成分とする金属化合物3が効果的に形成されていることから、金属の触媒作用が抑制され、脱脂処理時に導電性ペースト中のバインダ樹脂が急激に燃焼して内部圧力の上昇を招くこともなく、クラックやデラミネーション等の構造欠陥が発生するのを抑制することができる信頼性の良好な積層セラミック電子部品を得ることができる。   In the multilayer ceramic capacitor formed in this way, the metal powder is used for the conductive material of the internal electrode, so that the metal particles do not condense and the metal particles are prevented from being coarsened. Therefore, even when a conductive paste is applied to a ceramic green sheet, a highly smooth conductive film can be formed, and a multilayer ceramic electronic component having a good electrode coverage can be obtained. it can. Moreover, since the metal compound 1 which has a sulfide as a main component is effectively formed on the surface of the metal particle 2, the metal powder 1 is suppressed in the catalytic action of the metal, and in the conductive paste during the degreasing process. A highly reliable monolithic ceramic electronic component capable of suppressing the occurrence of structural defects such as cracks and delamination without causing the binder resin to burn suddenly and causing an increase in internal pressure can be obtained. .

また、上記実施の形態では、金属粒子2の表面に形成された酸化皮膜6を還元除去し、その後還元剤の存在下、金属粒子2と硫黄含有物とを反応させているが、金属塩溶液と還元剤溶液とを接触させて酸化還元反応を生じさせ、これにより金属粒子を生成し、その後還元剤の存在下、金属粒子と硫黄含有物とを反応させてもよい。   In the above embodiment, the oxide film 6 formed on the surface of the metal particle 2 is reduced and removed, and then the metal particle 2 and the sulfur-containing material are reacted in the presence of the reducing agent. And a reducing agent solution are brought into contact with each other to cause a redox reaction, thereby generating metal particles, and then the metal particles and the sulfur-containing material may be reacted in the presence of the reducing agent.

この場合は、具体的には以下のような方法で金属粉末を作製することができる。   In this case, specifically, the metal powder can be produced by the following method.

まず、金属塩を用意する。ここで、金属塩としては還元剤により還元されて容易に金属粒子に還元できるものであれば、特に限定されるものではなく、例えば、硫酸ニッケル・6水和物(NiSO・6HO)、硝酸銀(AgNO)、硫酸銅・五水和物(CuSO・5HO)、硫酸パラジウム(PdSO)等を使用することができる。 First, a metal salt is prepared. Here, the metal salt is not particularly limited as long as it is reduced by a reducing agent and can be easily reduced to metal particles. For example, nickel sulfate hexahydrate (NiSO 4 .6H 2 O) , silver nitrate (AgNO 3), copper sulfate pentahydrate (CuSO 4 · 5H 2 O) , may be used palladium sulfate (PdSO 4) or the like.

そして、錯化剤等を含有した水溶液中に前記金属塩を溶解させ、これにより金属塩水溶液を作製する。ここで、錯化剤としては特に限定されるものではなく、例えば、クエン酸三ナトリウム、マロン酸、グリシン、ニトリロ三酢酸等を使用することができる。   Then, the metal salt is dissolved in an aqueous solution containing a complexing agent or the like, thereby preparing an aqueous metal salt solution. Here, the complexing agent is not particularly limited, and for example, trisodium citrate, malonic acid, glycine, nitrilotriacetic acid and the like can be used.

次に、上記実施の形態と同様、還元剤を含有した還元剤溶液を用意する。   Next, as in the above embodiment, a reducing agent solution containing a reducing agent is prepared.

そして、これら金属塩水溶液と還元剤溶液とを所定温度下で加温しながら混合させ、酸化還元反応を生じさせる。すると、金属イオンが金属に還元され、これにより、微粒の金属粒子が生成される。その後はこの還元剤の存在下、上記実施の形態と同様の方法で金属粒子と硫黄含有物とを反応させ、これにより硫化物を主成分とする金属化合物で被覆された金属粉末を作製することができる。   And these metal salt aqueous solution and a reducing agent solution are mixed, heating at predetermined temperature, and an oxidation-reduction reaction is produced. Then, metal ions are reduced to metal, thereby producing fine metal particles. Thereafter, in the presence of this reducing agent, the metal particles and the sulfur-containing material are reacted in the same manner as in the above embodiment, thereby producing a metal powder coated with a metal compound mainly composed of sulfide. Can do.

このように表面に酸化皮膜6が形成された金属粒子2に代えて金属塩を出発原料とした場合であっても、金属粒子同士が凝結することもなく、金属化合物で被覆された金属粉末を得ることができる。   Thus, even when a metal salt is used as a starting material instead of the metal particles 2 having the oxide film 6 formed on the surface, the metal particles coated with the metal compound can be obtained without condensing the metal particles. Can be obtained.

そしてこの金属粉末を導電性材料に使用することにより、上述したように平滑性の良好な導電膜を得ることができ、良好な電極被覆率を有する積層セラミックコンデンサを得ることができる。また、金属の触媒作用を抑制できることから脱脂処理時にバインダ樹脂が急激な燃焼を生じることもなく、クラックやデラミネーション等の構造欠陥の発生が抑制された積層セラミックコンデンサを得ることができる。   By using this metal powder for the conductive material, a conductive film having good smoothness can be obtained as described above, and a multilayer ceramic capacitor having a good electrode coverage can be obtained. Moreover, since the catalytic action of the metal can be suppressed, the multilayer ceramic capacitor in which the occurrence of structural defects such as cracks and delamination is suppressed without causing the binder resin to rapidly burn during the degreasing process.

尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、積層セラミックコンデンサを例示したが、脱脂処理を伴う他の積層セラミック電子部品、例えば積層型の圧電部品等にも適用可能なのはいうまでもない。   The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above-described embodiment, the multilayer ceramic capacitor is exemplified, but it is needless to say that the present invention can also be applied to other multilayer ceramic electronic components that are degreased, such as multilayer piezoelectric components.

次に、本発明の実施例を具体的に説明する。   Next, examples of the present invention will be specifically described.

〔試料の作製〕
(試料番号1)
還元剤としてヒドラジン(HNNH)を含有した還元剤溶液(ヒドラジン濃度:5重量%、及び金属粒子として平均粒径0.4μmのPd粒子を用意した。そして、Pd粒子を還元剤溶液に投入し、懸濁溶液を調製した。
[Sample preparation]
(Sample No. 1)
A reducing agent solution containing hydrazine (H 2 NNH 2 ) as a reducing agent (hydrazine concentration: 5% by weight, and Pd particles having an average particle diameter of 0.4 μm as metal particles was prepared. The suspension solution was prepared.

次いで、pH調整剤として水酸化ナトリウムを使用し、pHが13となるように懸濁溶液のpHを調整し、さらに該懸濁溶液を湯浴上で60℃に加温した。   Next, sodium hydroxide was used as a pH adjuster, the pH of the suspension was adjusted so that the pH was 13, and the suspension was further heated to 60 ° C. on a hot water bath.

次に、硫黄化合物として硫化ナトリウムを用意した。そして、撹拌羽根を使用して懸濁溶液を撹拌しながら硫化ナトリウムを前記懸濁溶液に添加し、Pdと硫化ナトリウムとを30分間反応させ、その後ろ過し、水洗した後、乾燥させ、これにより試料番号1の金属粉末を得た。   Next, sodium sulfide was prepared as a sulfur compound. Then, while stirring the suspension solution using a stirring blade, sodium sulfide is added to the suspension solution, Pd and sodium sulfide are reacted for 30 minutes, then filtered, washed with water, dried, A metal powder of sample number 1 was obtained.

次に、この金属粉末を導電性材料とした内部電極用導電性ペーストを作製した。   Next, a conductive paste for internal electrodes was produced using this metal powder as a conductive material.

まず、バインダ樹脂としてエチルセルロース樹脂、有機溶剤としてα―テルピネオールを用意し、エチルセルロース樹脂とα―テルピネオールとの混合比率が、体積比率で、1:9となるようにエチルセルロース樹脂をα―テルピネオール中に溶解させ、これにより有機ビヒクルを作製した。   First, prepare ethyl cellulose resin as binder resin and α-terpineol as organic solvent. Dissolve ethyl cellulose resin in α-terpineol so that the mixing ratio of ethyl cellulose resin and α-terpineol is 1: 9 by volume. This produced an organic vehicle.

次に、金属粉末が45重量%となるように、金属粉末と有機ビヒクルとを混合し、三本ロールミルを使用して分散・混練させ、これにより上記金属粉末を導電性材料とした内部電極用導電性ペーストを作製した。   Next, the metal powder and the organic vehicle are mixed so that the metal powder is 45% by weight, and dispersed and kneaded using a three-roll mill, thereby using the metal powder as a conductive material for internal electrodes. A conductive paste was prepared.

次に、この内部電極用導電性ペーストを使用して積層セラミックコンデンサを作製した。   Next, a multilayer ceramic capacitor was produced using this conductive paste for internal electrodes.

すなわち、まず、チタン酸バリウムを主成分とするセラミック原料粉末を用意した。   That is, first, a ceramic raw material powder mainly composed of barium titanate was prepared.

次に、このセラミック原料粉末をポリビニルブチラール系の有機バインダ、エタノール等の有機溶剤、及びPSZボールと共に、ボールミルに投入して湿式混合し、セラミックスラリーを作製した。次いで、ドクターブレード法を使用してセラミックスラリーを成形加工し、セラミックグリーンシートを作製した。   Next, the ceramic raw material powder was placed in a ball mill together with a polyvinyl butyral organic binder, an organic solvent such as ethanol, and PSZ balls, and wet mixed to prepare a ceramic slurry. Next, the ceramic slurry was formed using a doctor blade method to produce a ceramic green sheet.

次いで、上述した内部電極用導電性ペーストを使用してセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷を施し、前記セラミックグリーンシートの表面に所定パターンの導電膜を形成した。   Next, screen printing was performed on the ceramic green sheet using the above-described internal electrode conductive paste, and a conductive film having a predetermined pattern was formed on the surface of the ceramic green sheet.

次いで、導電膜が形成されたセラミックグリーンシートを所定方向に複数枚積層し、導電膜の形成されていないセラミックグリーンシートで挟持し、圧着し、所定寸法に切断してセラミック積層体を作製した。そしてこの後、温度350℃で脱バインダ処理を行ない、さらに、大気雰囲気中、焼成温度1200℃で約2時間焼成処理を行なった。これにより導電膜とセラミックグリーンシートとが共焼結され、内部電極が埋設されたセラミック素体が得られた。   Next, a plurality of ceramic green sheets on which a conductive film was formed were laminated in a predetermined direction, sandwiched between ceramic green sheets on which a conductive film was not formed, pressure-bonded, and cut into predetermined dimensions to produce a ceramic laminate. Thereafter, the binder removal treatment was performed at a temperature of 350 ° C., and the firing treatment was further performed in the atmosphere at a firing temperature of 1200 ° C. for about 2 hours. As a result, the conductive film and the ceramic green sheet were co-sintered, and a ceramic body in which internal electrodes were embedded was obtained.

次に、セラミック素体の両端面にAgを主成分とする外部電極用導電性ペーストを塗布し、700℃の温度で焼付処理を行い、外部電極を形成した。その後、電解めっきを施し、外部電極の表面にNi皮膜及びSn皮膜を順次形成し、これにより試料番号1の試料(積層セラミックコンデンサ)を作製した。得られた試料の外形寸法は、長さL:2.0mm、幅W:1.2mm、厚みT:1.2mmであり、有効積層数は100層であった。   Next, a conductive paste for external electrodes mainly composed of Ag was applied to both end faces of the ceramic body, and a baking treatment was performed at a temperature of 700 ° C. to form external electrodes. Thereafter, electrolytic plating was performed to sequentially form a Ni film and a Sn film on the surface of the external electrode, thereby preparing a sample of sample number 1 (multilayer ceramic capacitor). The outer dimensions of the obtained sample were length L: 2.0 mm, width W: 1.2 mm, thickness T: 1.2 mm, and the effective number of layers was 100 layers.

(試料番号2)
平均粒径0.4μmのPd粒子と水酸化ナトリウム溶液を混合した後、pH調整剤を添加してpHが13の懸濁溶液を作製し、湯浴上で60℃に加温した。次いで、この懸濁溶液をろ過した後、水洗し、乾燥して試料番号2の金属粉末を作製した。
(Sample No. 2)
After mixing Pd particles having an average particle size of 0.4 μm and a sodium hydroxide solution, a pH adjusting agent was added to prepare a suspension solution having a pH of 13, and heated to 60 ° C. on a hot water bath. Subsequently, this suspension solution was filtered, washed with water, and dried to prepare a metal powder of Sample No. 2.

その後はこの金属粉末を導電性材料に使用し、試料番号1と同様の方法・手順で導電性ペーストを作製し、該導電性ペーストを使用して試料番号2の積層セラミックコンデンサを作製した。   Thereafter, this metal powder was used as a conductive material, a conductive paste was prepared by the same method and procedure as in Sample No. 1, and a multilayer ceramic capacitor of Sample No. 2 was prepared using the conductive paste.

(試料番号3)
試料番号1と同様の方法・手順で、Pd粒子を還元剤溶液に投入し、pH調整剤を使用してpHが13となるように調整された懸濁溶液を作製した。次いで、この懸濁溶液を湯浴上で加温して60℃の温度に保持した後、ろ過し、水洗した後乾燥し、試料番号3の金属粉末を得た。
(Sample No. 3)
Pd particles were charged into the reducing agent solution by the same method and procedure as Sample No. 1, and a suspension solution adjusted to have a pH of 13 using a pH adjuster was prepared. Subsequently, this suspension solution was heated on a hot water bath and kept at a temperature of 60 ° C., then filtered, washed with water and dried to obtain a metal powder of Sample No. 3.

その後は、試料番号1と同様の方法・手順で、試料番号3の金属粉末を導電性材料とした導電性ペーストを作製し、該導電性ペーストを使用して試料番号3の積層セラミックコンデンサを作製した。   After that, a conductive paste using the metal powder of sample number 3 as a conductive material was prepared by the same method and procedure as in sample number 1, and a multilayer ceramic capacitor of sample number 3 was prepared using the conductive paste. did.

(試料番号4)
平均粒径0.4μmのPd粒子を水酸化ナトリウム溶液に溶解させ、pH調整剤を添加してpHが13の懸濁溶液を作製し、湯浴上で60℃に加温した。次いで、この懸濁溶液に硫化ナトリウムを添加し、Pd粒子と硫化ナトリウムとを接触させた。その後ろ過した後、水洗し、乾燥して試料番号4の金属粉末を作製した。
(Sample No. 4)
Pd particles having an average particle size of 0.4 μm were dissolved in a sodium hydroxide solution, and a pH adjusting agent was added to prepare a suspension solution having a pH of 13, which was heated to 60 ° C. on a hot water bath. Subsequently, sodium sulfide was added to this suspension solution, and Pd particles and sodium sulfide were brought into contact with each other. Then, after filtration, washed with water and dried, a metal powder of sample number 4 was produced.

その後はこの金属粉末を導電性材料に使用し、試料番号1と同様の方法・手順で導電性ペーストを作製し、該導電性ペーストを使用して試料番号4の積層セラミックコンデンサを作製した。   Thereafter, this metal powder was used as a conductive material, a conductive paste was prepared by the same method and procedure as in Sample No. 1, and a multilayer ceramic capacitor of Sample No. 4 was manufactured using the conductive paste.

(試料番号5)
Pd粒子をスラリー化してPd粉末スラリーを作製した後、該Pd粉末スラリーにNaSを添加し、その後、250℃の温度で気流乾燥を行い、次いで、大気中、200℃で加熱処理を行い、試料番号5の金属粉末を作製した。
その後は、試料番号1と同様の方法・手順で、金属粉末を導電性材料に使用した導電性ペーストを作製し、該導電性ペーストを使用し
(Sample No. 5)
After preparing Pd powder slurry by slurrying Pd particles, Na 2 S is added to the Pd powder slurry, followed by air drying at a temperature of 250 ° C., followed by heat treatment at 200 ° C. in the atmosphere. A metal powder of Sample No. 5 was produced.
After that, a conductive paste using a metal powder as a conductive material was prepared by the same method and procedure as Sample No. 1, and the conductive paste was used.

て試料番号5の試料を作製した。 Thus, a sample No. 5 was prepared.

〔試料の評価〕
試料番号1〜5の各試料について、金属粉末中の硫黄濃度、Pd粒子表面における硫化物形成の有無、内部電極の電極被覆率を測定し、構造欠陥の発生状態を評価した。
(Sample evaluation)
About each sample of sample numbers 1-5, the sulfur density | concentration in metal powder, the presence or absence of the sulfide formation in the Pd particle surface, the electrode coverage of an internal electrode were measured, and the generation | occurrence | production state of the structural defect was evaluated.

ここで、金属粉末中の硫黄濃度はCS計を使用して測定した。   Here, the sulfur concentration in the metal powder was measured using a CS meter.

また、前記硫化物形成の有無は、以下の方法で確認した。   The presence or absence of the sulfide formation was confirmed by the following method.

X線光電子分光分析装置(XPS装置)(フィジカル・エレクトロニクス社製クオンタム2000)を使用し、金属粉末中の硫黄の化学状態を分析した。すなわち、XPS装置で得られるS2pスペクトルから、S2-の状態を示す第1のピークとSO 2- の状態を示す第2のピークとを求め、(第1のピーク)/(第1のピーク+第2のピーク)が30%以上の試料を硫化物が形成されていると判断した。 The chemical state of sulfur in the metal powder was analyzed using an X-ray photoelectron spectroscopic analyzer (XPS apparatus) (Quantum 2000 manufactured by Physical Electronics Co., Ltd.). That is, from the S2p spectrum obtained by the XPS apparatus, a first peak indicating the S 2− state and a second peak indicating the SO 4 2− state are obtained, and (first peak) / (first peak Samples having a peak + second peak) of 30% or more were judged to be sulfides.

内部電極の電極被覆率は、試料各5個について、以下の方法で測定した。   The electrode coverage of the internal electrodes was measured by the following method for each of five samples.

すなわち、焼結後の各試料を積層方向の中央部で切断し、切断面を光学顕微鏡で観察し、画像解析を行なって内部電極の理論面積に対する実測面積の面積比率を算出し、その平均値を求め、電極被覆率とした。   That is, each sample after sintering was cut at the center in the stacking direction, the cut surface was observed with an optical microscope, image analysis was performed to calculate the area ratio of the measured area to the theoretical area of the internal electrode, and the average value Was determined as the electrode coverage.

構造欠陥の発生状態は、試料1〜5の各試料400個について、以下の方法でクラックやデラミネーションが発生しているか否かを確認して評価した。   The state of occurrence of structural defects was evaluated by confirming whether or not cracks and delamination occurred on 400 samples 1 to 5 by the following method.

すなわち、まず、各試料について目視で外観検査を行い、クラックが生じているか否かを確認した。   That is, first, each sample was visually inspected to confirm whether or not a crack had occurred.

次に、長さL、厚みTを有する試料のLT面が上面となるように、試料を超音波顕微鏡の所定位置に配し、該超音波顕微鏡で異常が生じているか否かを確認した。そして、該超音波顕微鏡で観察した結果、異常が生じていると判断した場合は、更に研磨処理を行ない、内部の異常状態を確認した。そして、L方向に10μm以上のデラミネーション及びクラックのうちの少なくともいずれか一方が生じている試料個数を計数し、全試料に対する比率を算出して構造欠陥発生率を求めた。   Next, the sample was placed in a predetermined position of the ultrasonic microscope so that the LT surface of the sample having the length L and the thickness T was the upper surface, and it was confirmed whether or not an abnormality occurred in the ultrasonic microscope. And when it was judged that abnormality had arisen as a result of observing with this ultrasonic microscope, the grinding | polishing process was further performed and the internal abnormal state was confirmed. Then, the number of samples in which at least one of delamination of 10 μm or more and cracks occurred in the L direction was counted, and the ratio with respect to all samples was calculated to obtain the structural defect occurrence rate.

そして、構造欠陥発生率が、1%未満の試料を優(◎)、1%以上3%未満を良(○)、3%以上5%未満を可(△)、5%以上を不良(×)と判断し、構造欠陥の発生状態を評価した。   Further, samples having a structural defect occurrence rate of less than 1% are excellent ((), 1% or more and less than 3% are good (◯), 3% or more and less than 5% are acceptable (Δ), and 5% or more are defective (× ) And the occurrence of structural defects was evaluated.

表1は、試料番号1〜4の各試料について、金属粉末の作製条件、及び測定・評価結果を示している。   Table 1 shows the metal powder preparation conditions and the measurement / evaluation results for the samples Nos. 1 to 4.

Figure 2014005491
Figure 2014005491

試料番号2は、還元処理も硫黄含有物の添加処理も行なっていないPd粒子を使用しているため、構造欠陥の発生個数が多くなり、評価結果が不良となった。これは、Pd粒子の表面に硫化物が形成されていないため、脱脂処理時にPd粒子の触媒作用によってバインダ樹脂の急激な燃焼が生じ、その結果、試料の内部圧力が上昇してデラミネーションやクラック等の構造欠陥の発生個数が多くなったものと思われる。   Since sample No. 2 uses Pd particles that have not been subjected to reduction treatment or addition treatment of sulfur-containing material, the number of occurrence of structural defects was increased, resulting in poor evaluation results. This is because sulfides are not formed on the surface of the Pd particles, and therefore the binder resin undergoes a rapid combustion due to the catalytic action of the Pd particles during the degreasing process, resulting in an increase in the internal pressure of the sample, resulting in delamination and cracks. It seems that the number of structural defects such as

試料番号3は、還元処理は行っているものの、Pd粒子に対して硫黄含有物の添加処理を行なっていないため、試料番号2と同様の理由から構造欠陥の発生個数が多くなり、評価結果は不良となった。   Sample No. 3 has undergone a reduction treatment, but no addition of sulfur-containing material to the Pd particles. Therefore, the number of structural defects generated increased for the same reason as Sample No. 2, and the evaluation result was It became defective.

試料番号4は、硫黄含有物の添加処理は行っているものの、構造欠陥の発生個数が多くなり、評価結果が不良となった。すなわち、試料番号4では、Pd粒子に対し還元処理を行なっていないため、Pd粒子の表面にはPd酸化物が形成されていると考えられる。そして、Pd酸化物と硫黄化合物とは反応し難いことから、Pd粒子の表面には硫化物が形成されず、その結果、試料番号2や試料番号3と同様、構造欠陥の発生個数が多くなったものと思われる。   Sample No. 4 was subjected to the addition treatment of the sulfur-containing material, but the number of structural defects generated was increased, resulting in poor evaluation results. That is, in Sample No. 4, since the reduction treatment is not performed on the Pd particles, it is considered that Pd oxide is formed on the surface of the Pd particles. Since the Pd oxide and the sulfur compound do not easily react, sulfide is not formed on the surface of the Pd particles, and as a result, the number of occurrence of structural defects increases as in the case of the sample numbers 2 and 3. It seems to have been.

試料番号5は、電極被覆率が58%と低く、構造欠陥の発生個数も多く、評価結果が不良となった。これはPd粒子の表面に硫黄化合物が形成されているものの、熱処理を行っているため、Pd粒子同士が凝結し、このため導電性ペースト中に粒径が粗大化したPd粒子が混在し、良好な平滑性を有する導電膜を形成することができず、電極被覆率の低下や構造欠陥の発生個数が多くなったものと思われる。   Sample No. 5 had an electrode coverage as low as 58%, a large number of structural defects, and the evaluation result was poor. This is because although a sulfur compound is formed on the surface of the Pd particles, the heat treatment is performed, so the Pd particles are condensed together, so that the Pd particles having a coarse particle size are mixed in the conductive paste, which is good. It seems that the conductive film having smoothness could not be formed, and the electrode coverage decreased and the number of structural defects generated increased.

これに対し試料番号1は、Pd粒子に還元処理を行った後にヒドラジン(還元剤)の存在下、硫化ナトリウム(硫黄含有物)を添加し、これによりPd粒子の表面に硫化パラジウム(硫化物)を形成しているので、電極被覆率は72%と大きく、また構造欠陥発生率も1%未満と良好であり、信頼性の良好な積層セラミックコンデンサが得られることが分かった。   On the other hand, in sample No. 1, after reducing the Pd particles, sodium sulfide (sulfur-containing material) was added in the presence of hydrazine (reducing agent), whereby palladium sulfide (sulfide) was added to the surface of the Pd particles. Therefore, it was found that the electrode coverage was as high as 72% and the structural defect occurrence rate was as low as less than 1%, and a multilayer ceramic capacitor with good reliability was obtained.

試料番号1と同様の方法・手順で還元剤としてのヒドラジン及び金属粒子としてのPd粒子を含有した懸濁溶液を作製し、次いで、試料番号1と同様、pHが13となるようにpH調整剤でpH調整を行ない、さらに該懸濁溶液を60℃の温度に保持した。   A suspension solution containing hydrazine as a reducing agent and Pd particles as metal particles is prepared by the same method and procedure as in Sample No. 1, and then a pH adjuster so that the pH is 13 as in Sample No. 1. The pH of the suspension was adjusted and the suspension was kept at a temperature of 60 ° C.

次に、表2に示す硫黄含有物を用意した。そして、撹拌羽根を使用して懸濁溶液を撹拌しながら硫黄含有物を前記懸濁溶液に添加し、Pdと硫黄含有物とを反応させ、その後ろ過し、水洗した後、乾燥し、これにより試料番号11〜16の金属粉末を得た。   Next, the sulfur containing material shown in Table 2 was prepared. Then, while stirring the suspension solution using a stirring blade, the sulfur-containing material is added to the suspension solution, Pd and the sulfur-containing material are reacted, then filtered, washed with water, dried, The metal powder of sample numbers 11-16 was obtained.

そしてその後は、この金属粉末を使用し、試料番号1と同様の方法・手順で、試料番号11〜16の導電性ペースト、及び積層セラミックコンデンサを作製した。   Then, using this metal powder, the conductive pastes of Sample Nos. 11 to 16 and the multilayer ceramic capacitor were produced by the same method and procedure as Sample No. 1.

次いで、実施例1と同様の方法・手順で硫黄濃度を測定し、硫化物形成の有無を確認し、さらに構造欠陥の発生状態を評価した。   Next, the sulfur concentration was measured by the same method and procedure as in Example 1, the presence or absence of sulfide formation was confirmed, and the state of occurrence of structural defects was further evaluated.

表2は、試料番号11〜16の各試料の作製条件、及び測定・評価結果を示している。   Table 2 shows the production conditions and measurement / evaluation results of the samples Nos. 11 to 16.

Figure 2014005491
Figure 2014005491

この表2から明らかなように、硫黄含有物として、硫化アンモニウム、硫黄単体、水硫化ナトリウムや水硫化アンモニウムなどの水流化物、多硫化ナトリウムや多硫化アンモニウムなどの多流化物等、各種硫化物や硫黄単体を使用した場合であっても、硫化ナトリウムを硫黄含有物に使用した場合と同様、Pd粒子の表面に硫化物が形成され、構造欠陥発生率も1%未満であり、良好な結果が得られることが分かった。   As is apparent from Table 2, as the sulfur-containing material, various sulfides such as ammonium sulfide, sulfur alone, water flow products such as sodium hydrosulfide and ammonium hydrogen sulfide, polyflow products such as sodium polysulfide and ammonium polysulfide, Even when using only sulfur, as in the case where sodium sulfide is used for the sulfur-containing material, sulfide is formed on the surface of the Pd particles, the structural defect occurrence rate is less than 1%, and good results are obtained. It turns out that it is obtained.

試料番号1と同様の方法・手順で表3に示す還元剤と金属粒子としてのPd粒子を含有した懸濁溶液を作製し、次いで、pHが13となるようにpH調整剤でpH調整を行ない、さらに該懸濁溶液を60〜150℃の温度に保持した。   A suspension solution containing the reducing agent shown in Table 3 and Pd particles as metal particles is prepared by the same method and procedure as Sample No. 1, and then the pH is adjusted with a pH adjuster so that the pH is 13. Further, the suspension solution was kept at a temperature of 60 to 150 ° C.

次に、撹拌羽根を使用して懸濁溶液を撹拌しながら硫化ナトリウムを前記懸濁溶液に添加し、Pdと各種硫黄含有物とを反応させ、その後、ろ過し、水洗した後、乾燥し、これにより試料番号21〜29の金属粉末を得た。   Next, while stirring the suspension solution using a stirring blade, sodium sulfide is added to the suspension solution, Pd and various sulfur-containing materials are reacted, then filtered, washed with water, dried, As a result, metal powders of sample numbers 21 to 29 were obtained.

そしてその後は、この金属粉末を使用し、試料番号1と同様の方法・手順で、試料番号21〜29の導電性ペースト、及び積層セラミックコンデンサを作製した。   Then, using this metal powder, the conductive paste of Sample Nos. 21 to 29 and the multilayer ceramic capacitor were produced by the same method and procedure as Sample No. 1.

次いで、実施例1と同様の方法・手順で硫黄濃度を測定し、硫化物形成の有無を確認し、さらに構造欠陥の発生状態を評価した。   Next, the sulfur concentration was measured by the same method and procedure as in Example 1, the presence or absence of sulfide formation was confirmed, and the state of occurrence of structural defects was further evaluated.

表3は、試料番号21〜29の各試料の作製条件、及び測定・評価結果を示している。   Table 3 shows the production conditions and the measurement / evaluation results of the samples Nos. 21 to 29.

Figure 2014005491
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この表3から明らかなように、還元剤として、三塩化チタン、次亜リン酸塩、水素化ホウ素ナトリウム、亜リン酸ナトリウム、ホルムアルデヒド、アスコルビン酸、水素ガス、1−ブタノール、及びジエチレングリコールを使用した場合であっても、ヒドラジンを還元剤に使用した場合と同様、Pd粒子の表面に硫化物が形成され、構造欠陥発生率も1%未満であり、良好な結果が得られることが分かった。   As apparent from Table 3, titanium trichloride, hypophosphite, sodium borohydride, sodium phosphite, formaldehyde, ascorbic acid, hydrogen gas, 1-butanol, and diethylene glycol were used as the reducing agent. Even in this case, as in the case where hydrazine was used as the reducing agent, sulfides were formed on the surface of the Pd particles, and the occurrence rate of structural defects was less than 1%, indicating that good results were obtained.

金属粒子として平均粒径0.3μmのAg粒子、平均粒径0.5μmのCu粒子、平均粒径0.2μmのNi粒子を用意した。   As metal particles, Ag particles having an average particle size of 0.3 μm, Cu particles having an average particle size of 0.5 μm, and Ni particles having an average particle size of 0.2 μm were prepared.

次いで、試料番号1と同様の方法・手順で還元剤としてのヒドラジンと前記各金属粒子を含有した懸濁溶液を作製し、次いで、試料番号1と同様、pHが13となるようにpH調整剤でpHを調整し、さらに該懸濁溶液を60℃の温度に保持した。   Next, a suspension solution containing hydrazine as a reducing agent and each of the above metal particles is prepared by the same method and procedure as in Sample No. 1, and then the pH adjuster is adjusted so that the pH is 13 as in Sample No. 1. The pH was adjusted with and the suspension was kept at a temperature of 60 ° C.

次に、撹拌羽根を使用して懸濁溶液を撹拌しながら硫黄成分含有物としての硫化ナトリウムを前記懸濁溶液に添加し、各金属粒子と硫化ナトリウムとを反応させ、その後ろ過し、水洗した後乾燥させ、これにより試料番号41〜43の金属粉末を得た。   Next, while stirring the suspension solution using a stirring blade, sodium sulfide as a sulfur component-containing material is added to the suspension solution, each metal particle and sodium sulfide are reacted, then filtered and washed with water. After drying, metal powders of sample numbers 41 to 43 were obtained.

また、金属粒子として、いずれも平均粒径0.2μmのAg粒子、Cu粒子、及びNi粒子を用意した。   As the metal particles, Ag particles, Cu particles, and Ni particles having an average particle diameter of 0.2 μm were prepared.

そして、これらの金属粒子を使用し、試料番号2と同様の方法・手順で還元処理や硫黄含有物の添加処理を行なわなかった試料番号44〜46の金属粉末を作製した。   And using these metal particles, the metal powder of sample numbers 44-46 which did not perform a reduction process and the addition process of a sulfur containing material by the method and procedure similar to the sample number 2 was produced.

次いで、試料番号41〜46の金属粉末を使用し、実施例1と同様の方法・手順で、試料番号41〜46の導電性ペースト、及び積層セラミックコンデンサを作製した。ただし、金属粉末がNi粉末及びCu粉末の各試料については、酸素分圧が10-10MPaに調整されたH−N−HOガスからなる還元雰囲気下で焼成処理を行った。 Next, using the metal powder of sample numbers 41 to 46, the conductive paste of sample numbers 41 to 46 and the multilayer ceramic capacitor were prepared by the same method and procedure as in Example 1. However, each sample of the metal powder being Ni powder and Cu powder was fired in a reducing atmosphere composed of H 2 —N 2 —H 2 O gas having an oxygen partial pressure adjusted to 10 −10 MPa.

次いで、実施例1と同様の方法・手順で硫黄濃度を測定し、硫化物形成の有無を確認し、さらに構造欠陥の発生状態を評価した。   Next, the sulfur concentration was measured by the same method and procedure as in Example 1, the presence or absence of sulfide formation was confirmed, and the state of occurrence of structural defects was further evaluated.

表4は、試料番号41〜46の各試料の作製条件、及び測定・評価結果を示している。   Table 4 shows the preparation conditions and measurement / evaluation results of the samples Nos. 41 to 46.

Figure 2014005491
Figure 2014005491

試料番号44〜46は、還元処理も硫黄含有物の添加処理も行なっていない金属粒子(Ag粒子、Cu粒子、Ni粒子)を使用しているため、金属粒子の表面に硫化物が形成されることはなく、試料番号2(実施例1参照)と同様の理由から、構造欠陥の発生個数が多くなり、評価結果は不良となった。   Since sample numbers 44 to 46 use metal particles (Ag particles, Cu particles, Ni particles) that are not subjected to reduction treatment or addition treatment of sulfur-containing materials, sulfides are formed on the surfaces of the metal particles. However, for the same reason as Sample No. 2 (see Example 1), the number of occurrences of structural defects increased and the evaluation results were poor.

これに対し試料番号41〜43は、還元処理及び硫化ナトリウムの添加処理を行なった金属粒子(Ag粒子、Cu粒子、Ni粒子)を使用していることから、試料番号1と同様、金属粒子の表面に硫化物が形成され、その結果、構造欠陥発生率も1%未満であり、良好な結果が得られた。   On the other hand, sample numbers 41 to 43 use metal particles (Ag particles, Cu particles, Ni particles) subjected to reduction treatment and addition treatment of sodium sulfide. Sulfides were formed on the surface, and as a result, the structural defect occurrence rate was less than 1%, and good results were obtained.

そして、このようにPd以外のAg、Cu、Niについても、Pdと同様、本発明の製造方法を適用できることが確認された。   And it was confirmed that the production method of the present invention can be applied to Ag, Cu, and Ni other than Pd as well as Pd.

硫黄含有物としての硫化ナトリウムの添加量を種々異ならせた以外は、試料番号1と同様の方法・手順で試料番号51〜59の金属粉末を作製した。   Metal powders of Sample Nos. 51 to 59 were prepared by the same method and procedure as Sample No. 1 except that the amount of sodium sulfide added as a sulfur-containing material was varied.

そしてその後は、これらの金属粉末を使用し、実施例1と同様の方法・手順で、試料番号51〜59の導電性ペースト、及び積層セラミックコンデンサを作製した。   Then, using these metal powders, the conductive paste of Sample Nos. 51 to 59 and the multilayer ceramic capacitor were produced by the same method and procedure as in Example 1.

次いで、実施例1と同様の方法・手順で硫黄濃度を測定し、硫化物形成の有無を確認し、さらに電極被覆率を測定し、構造欠陥の発生状態を評価した。   Subsequently, the sulfur concentration was measured by the same method and procedure as in Example 1, the presence or absence of sulfide formation was confirmed, the electrode coverage was further measured, and the occurrence state of structural defects was evaluated.

表5は、試料番号51〜59の各試料の作製条件、及び測定・評価結果を示している。   Table 5 shows the production conditions and the measurement / evaluation results of the samples Nos. 51 to 59.

Figure 2014005491
Figure 2014005491

試料番号51は、硫化物が形成され、電極被覆率も72%と良好であり、構造欠陥発生率も5%未満であったが、金属粉末中の硫黄濃度が0.001質量%と低いため、構造欠陥発生率は3%以上となり、構造欠陥の発生個数が若干多くなった。これは金属粉末中の硫黄濃度が0.001質量%と低くなると、Pd粒子の表面を硫化物で被覆するのが困難となり、表面露出したPd粒子がバインダ樹脂と接触し、Pd粒子の触媒作用によってバインダ樹脂の急激な燃焼を招くためと思われる。   In Sample No. 51, sulfide was formed, the electrode coverage was as good as 72%, and the structural defect occurrence rate was less than 5%, but the sulfur concentration in the metal powder was as low as 0.001% by mass. The structural defect generation rate was 3% or more, and the number of structural defects generated was slightly increased. This is because when the sulfur concentration in the metal powder is as low as 0.001% by mass, it becomes difficult to coat the surface of the Pd particles with sulfide, and the exposed Pd particles come into contact with the binder resin, and the catalytic action of the Pd particles. This is considered to cause a rapid combustion of the binder resin.

これに対し試料番号52〜59は、金属粉末中の硫黄濃度が0.01〜5質量%の範囲にあるので、構造欠陥発生率を3%未満に抑制できた。また、硫黄濃度が0.05〜2質量%の範囲で構造欠陥発生率を1%未満に抑制でき、より信頼性の良好な積層セラミックコンデンサが得られることが分かった。   On the other hand, since the sample numbers 52 to 59 have the sulfur concentration in the metal powder in the range of 0.01 to 5% by mass, the structural defect generation rate can be suppressed to less than 3%. Further, it was found that the structural defect occurrence rate can be suppressed to less than 1% when the sulfur concentration is in the range of 0.05 to 2% by mass, and a more reliable multilayer ceramic capacitor can be obtained.

このように構造欠陥の発生率をより一層抑制する観点からは、金属粉末中の硫黄濃度は、0.01〜5質量%が好ましく、より好ましくは0.05〜2質量%であることが確認された。   Thus, from the viewpoint of further suppressing the occurrence rate of structural defects, it is confirmed that the sulfur concentration in the metal powder is preferably 0.01 to 5% by mass, more preferably 0.05 to 2% by mass. It was done.

尚、硫黄濃度が5質量%になると電極被覆率が67%に低下している。したがって、硫黄濃度が5質量%を超えると電極被覆率は更に低下するものと考えられるが、これは硫黄濃度が多くなると、導電性材料中で硫黄成分が増加して金属成分の比率が低下することから、電極被覆率の低下を招くものと思われる。   In addition, when the sulfur concentration is 5% by mass, the electrode coverage is reduced to 67%. Therefore, it is considered that when the sulfur concentration exceeds 5% by mass, the electrode coverage is further decreased. However, when the sulfur concentration increases, the sulfur component increases in the conductive material and the ratio of the metal component decreases. For this reason, it seems that the electrode coverage ratio is reduced.

金属粒子として、平均粒径が種々異なるPd粒子を使用した以外は、試料番号1と同様の方法・手順で試料番号61〜67の金属粉末を作製した。   Metal powders of Sample Nos. 61 to 67 were prepared by the same method and procedure as Sample No. 1 except that Pd particles having different average particle diameters were used as the metal particles.

そしてその後は、これらの金属粉末を使用し、実施例1と同様の方法・手順で、試料番号61〜67の導電性ペースト、及び積層セラミックコンデンサを作製した。   Then, using these metal powders, the conductive pastes of Sample Nos. 61 to 67 and the multilayer ceramic capacitor were produced by the same method and procedure as in Example 1.

次いで、実施例1と同様の方法・手順で硫黄濃度を測定し、硫化物の形成の有無を確認し、さらに構造欠陥の発生状態を評価した。   Next, the sulfur concentration was measured by the same method and procedure as in Example 1, the presence or absence of sulfide formation was confirmed, and the occurrence state of structural defects was evaluated.

表6は、試料番号61〜67の各試料の作製条件、及び測定・評価結果を示している。   Table 6 shows the production conditions and the measurement / evaluation results of the samples Nos. 61 to 67.

Figure 2014005491
Figure 2014005491

試料番号61は、硫化物が形成され、構造欠陥発生率も5%未満であったが、Pd粒子の平均粒径が0.005μmと小さく、このため構造欠陥発生率は3%以上となり、構造欠陥の発生個数が若干多くなった。これは平均粒径が0.005μm程度に小さくなると、Pd粒子の比表面積が増加し、すべてのPd粒子の表面を硫化物で被覆するには、硫黄濃度を増加させる必要がある。そのため試料番号61では硫黄濃度を1.0質量%に増加させているが、それでもPd粒子の全表面を硫化物で被覆するのが困難になることが分かった。   In sample No. 61, sulfide was formed and the structural defect occurrence rate was less than 5%. However, the average particle size of Pd particles was as small as 0.005 μm, so the structural defect occurrence rate was 3% or more. The number of defects was slightly increased. When the average particle size becomes as small as about 0.005 μm, the specific surface area of the Pd particles increases, and in order to cover the surface of all the Pd particles with sulfide, it is necessary to increase the sulfur concentration. Therefore, in sample No. 61, the sulfur concentration was increased to 1.0 mass%, but it was found that it was still difficult to coat the entire surface of the Pd particles with sulfide.

これに対し試料番号62〜67は、Pd粒子の平均粒径は0.01〜2μmの範囲にあるので、硫黄濃度が0.1〜0.5質量%であっても構造欠陥発生率を3%未満に抑制できた。また、平均粒径が0.05〜2質量%の範囲で構造欠陥発生率を1%未満に抑制でき、構造欠陥の発生個数がより低減された信頼性の良好な積層セラミックコンデンサが得られることが分かった。   On the other hand, in Sample Nos. 62 to 67, the average particle size of Pd particles is in the range of 0.01 to 2 μm. % Could be suppressed. Also, the structural defect occurrence rate can be suppressed to less than 1% when the average particle size is in the range of 0.05 to 2% by mass, and a highly reliable multilayer ceramic capacitor in which the number of structural defects is further reduced can be obtained. I understood.

このように構造欠陥の発生率をより一層抑制する観点からは、Pd粒子の平均粒径は、0.01μm以上が好ましく、より好ましくは0.1μm以上であることが確認された。   Thus, from the viewpoint of further suppressing the occurrence rate of structural defects, it was confirmed that the average particle size of the Pd particles is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.1 μm or more.

尚、試料番号66と試料番号67との対比から明らかなように、平均粒径が1μm以上になると硫黄濃度を増加させなくても、構造欠陥の発生について良好な結果が得られていることから、金属粒子の平均粒径は1μm以下が好ましいと考えられる。   As is clear from the comparison between Sample No. 66 and Sample No. 67, when the average particle size is 1 μm or more, good results are obtained for the occurrence of structural defects without increasing the sulfur concentration. The average particle size of the metal particles is considered to be preferably 1 μm or less.

金属粒子として、平均粒径が0.2μm、0.4μmのNi粒子を使用し、pH調整剤を使用して懸濁溶液のpHを種々異ならせた以外は、試料番号1と同様の方法・手順で試料番号71〜76の金属粉末を作製した。   The same method as Sample No. 1 except that Ni particles having an average particle diameter of 0.2 μm and 0.4 μm were used as metal particles, and the pH of the suspension solution was varied using a pH adjuster. The metal powder of sample numbers 71-76 was produced by the procedure.

そしてその後は、これらの金属粉末を使用し、実施例1と同様の方法・手順で、試料番号71〜76の導電性ペースト、及び積層セラミックコンデンサを作製した。   Then, using these metal powders, conductive pastes of sample numbers 71 to 76 and multilayer ceramic capacitors were produced by the same method and procedure as in Example 1.

次いで、実施例1と同様の方法・手順で硫黄濃度を測定し、硫化物の形成の有無を確認し、さらに構造欠陥の発生状態を評価した。   Next, the sulfur concentration was measured by the same method and procedure as in Example 1, the presence or absence of sulfide formation was confirmed, and the occurrence state of structural defects was evaluated.

表7は、試料番号71〜76の各試料の作製条件、及び測定・評価結果を示している。   Table 7 shows the production conditions and the measurement / evaluation results for the samples Nos. 71 to 76.

Figure 2014005491
Figure 2014005491

試料番号71は、硫化物が形成され、構造欠陥発生率も5%未満であったが、懸濁溶液のpHが2と小さく、このため構造欠陥発生率は3%以上となり、構造欠陥の発生個数が若干多くなった。これは試料番号71では懸濁溶液が強酸性であるため、Ni粒子の一部が懸濁溶液中に溶解し、Ni粒子の表面を硫化物で被覆されない金属粉末が生じたためと思われる。   In sample No. 71, sulfide was formed and the structural defect occurrence rate was less than 5%, but the pH of the suspension solution was as low as 2, so the structural defect occurrence rate was 3% or more, and the occurrence of structural defects occurred. The number increased slightly. This is presumably because in Sample No. 71, the suspension solution was strongly acidic, so that some of the Ni particles were dissolved in the suspension solution, resulting in a metal powder in which the surface of the Ni particles was not coated with sulfide.

これに対し試料番号72〜76は、懸濁溶液のpHを5以上に調整しているので、構造欠陥発生率を3%未満に抑制できた。また、懸濁溶液のpHが7以上の範囲で構造欠陥発生率を1%未満に抑制でき、構造欠陥の発生個数がより低減された信頼性の良好な積層セラミックコンデンサが得られることが分かった。   On the other hand, Sample Nos. 72 to 76 were able to suppress the structural defect occurrence rate to less than 3% because the pH of the suspension solution was adjusted to 5 or higher. Further, it was found that the structural defect occurrence rate can be suppressed to less than 1% when the pH of the suspension solution is 7 or more, and a highly reliable multilayer ceramic capacitor in which the number of structural defects generated is further reduced can be obtained. .

このように構造欠陥の発生率をより一層抑制する観点からは、pHは金属粒子が懸濁溶液に溶解しない範囲、すなわちpHは2を超えているのが好ましく、より好ましくは5を超えているのが良いことが確認された。   Thus, from the viewpoint of further suppressing the occurrence rate of structural defects, the pH is preferably in a range where the metal particles do not dissolve in the suspension solution, that is, the pH is preferably higher than 2, more preferably higher than 5. It was confirmed that it was good.

Pd粒子と硫化ナトリウムとの反応温度を種々異ならせた以外は、試料番号1と同様の方法・手順で試料番号81〜87の金属粉末を作製した。   Metal powders of Sample Nos. 81 to 87 were prepared by the same method and procedure as Sample No. 1 except that the reaction temperatures of Pd particles and sodium sulfide were varied.

そしてその後は、これらの金属粉末を使用し、実施例1と同様の方法・手順で、試料番号81〜87の導電性ペースト、及び積層セラミックコンデンサを作製した。   Then, using these metal powders, conductive pastes of sample numbers 81 to 87 and a multilayer ceramic capacitor were produced by the same method and procedure as in Example 1.

次いで、実施例1と同様の方法・手順で硫黄濃度を測定し、硫化物形成の有無を確認し、さらに構造欠陥の発生状態を評価した。   Next, the sulfur concentration was measured by the same method and procedure as in Example 1, the presence or absence of sulfide formation was confirmed, and the state of occurrence of structural defects was further evaluated.

表8は、試料番号81〜87の各試料の作製条件、及び測定・評価結果を示している。   Table 8 shows the production conditions and measurement / evaluation results of the samples Nos. 81 to 87.

Figure 2014005491
Figure 2014005491

試料番号81は、硫化物が形成され、構造欠陥発生率も5%未満であったが、反応温度が10℃と低く、このため構造欠陥発生率は3%以上となり、構造欠陥の発生個数が若干多くなった。これは反応温度が10℃と低いため、懸濁溶液内での還元反応や硫化物の生成反応が進行し難く、このためPd粒子の全表面を硫化物で被覆できなかったものと考えられる。   In Sample No. 81, sulfide was formed and the structural defect occurrence rate was less than 5%, but the reaction temperature was as low as 10 ° C., so the structural defect occurrence rate was 3% or more, and the number of structural defects generated was Slightly more. Since the reaction temperature is as low as 10 ° C., it is considered that the reduction reaction or the sulfide formation reaction in the suspension solution does not proceed easily. Therefore, it is considered that the entire surface of the Pd particles could not be covered with the sulfide.

一方、試料番号87も、硫化物が形成され、構造欠陥発生率も5%未満であったが、反応温度が300℃と高く、このため構造欠陥発生率は3%以上となり、構造欠陥の発生個数が若干多くなった。これは反応温度が300℃と高いため、硫化物の生成反応が局部的に進行し、このためPd粒子の表面を硫化物で均一に被覆できなかったものと考えられる。   On the other hand, in Sample No. 87, sulfide was formed and the structural defect occurrence rate was less than 5%, but the reaction temperature was as high as 300 ° C. Therefore, the structural defect occurrence rate was 3% or more, and the occurrence of structural defects occurred. The number increased slightly. Since the reaction temperature is as high as 300 ° C., it is considered that the sulfide formation reaction locally progressed, so that the surface of the Pd particles could not be uniformly coated with sulfide.

これに対し試料番号82〜86は、反応温度を20〜200℃と適度な温度範囲に調整しているので、構造欠陥発生率を3%未満に抑制できた。また、60〜200℃の範囲では構造欠陥発生率を1%未満に抑制でき、構造欠陥の発生個数がより低減された信頼性の良好な積層セラミックコンデンサが得られることが分かった。   On the other hand, since the sample numbers 82-86 have adjusted the reaction temperature to 20-200 degreeC and an appropriate temperature range, they could suppress the structural defect generation rate to less than 3%. Further, it was found that in the range of 60 to 200 ° C., the structural defect occurrence rate can be suppressed to less than 1%, and a highly reliable multilayer ceramic capacitor in which the number of structural defects generated is further reduced can be obtained.

このように構造欠陥の発生率をより一層抑制する観点からは、反応温度は20〜200℃が好ましく、より好ましくは60〜200℃であるのがあるのが確認された。   Thus, from the viewpoint of further suppressing the occurrence rate of structural defects, it was confirmed that the reaction temperature is preferably 20 to 200 ° C, more preferably 60 to 200 ° C.

上記実施例1〜8では、金属粒子を使用した場合の本発明の効果を確認したが、以下の実施例9〜16では、金属粒子に代えて金属塩を使用し、本発明の効果を確認した。   In the said Examples 1-8, although the effect of this invention at the time of using a metal particle was confirmed, it replaced with a metal particle and the metal salt was used in the following Examples 9-16, and the effect of this invention was confirmed. did.

〔試料の作製〕
(試料番号91)
まず、水酸化ナトリウム:240gを水:700mlに溶解した水酸化ナトリウム水溶液に、抱水ヒドラジン:300g(ヒドラジン濃度:60重量%)を添加し、さらに水を加えて、全量が1500mLの還元剤水溶液を調整した。
[Sample preparation]
(Sample No. 91)
First, hydrazine hydrate: 300 g (hydrazine concentration: 60% by weight) is added to a sodium hydroxide aqueous solution in which 240 g of sodium hydroxide is dissolved in 700 ml of water, and further water is added to reduce the total amount of the reducing agent aqueous solution to 1500 mL. Adjusted.

また、硫酸ニッケル・六水和物(NiSO・6HO):517gおよび硫酸銅・五水和物(CuSO・5HO):0.05g、錯化剤としてクエン酸三ナトリウム:0.9molを水に溶解させ、これによりニッケルイオン及び錯化剤を含有した全量が1500mLの金属塩溶液を調製した。 Also, nickel sulfate hexahydrate (NiSO 4 .6H 2 O): 517 g and copper sulfate pentahydrate (CuSO 4 .5H 2 O): 0.05 g, trisodium citrate as complexing agent: 0 .9 mol was dissolved in water, whereby a total amount of 1500 mL of a metal salt solution containing nickel ions and a complexing agent was prepared.

そして、これら還元剤溶液及び金属塩溶液を湯浴上でそれぞれ60℃に加温し、その後還元剤溶液に金属塩溶液を添加し、ヒドラジンと硫酸ニッケル・六水和物とを反応させてニッケルイオンを還元し、Ni粒子が生成された懸濁溶液を作製した。   The reducing agent solution and the metal salt solution are each heated to 60 ° C. on a hot water bath, and then the metal salt solution is added to the reducing agent solution to react the hydrazine with nickel sulfate / hexahydrate to produce nickel. Ions were reduced to prepare a suspension solution in which Ni particles were generated.

この後、懸濁溶液のpHが13となるようにpH調整剤を使用して調整し、湯浴上で60℃に加温しながら硫化ナトリウムを添加し、これによりNi粒子と硫化ナトリウムとを反応させ金属粉末を含有した反応溶液を得た。そして、この反応溶液をろ過し、水洗した後、乾燥させて試料番号91の金属粉末を得た。   Thereafter, the pH of the suspension is adjusted to 13 using a pH adjuster, and sodium sulfide is added while warming to 60 ° C. on a hot water bath, thereby removing Ni particles and sodium sulfide. A reaction solution containing metal powder was obtained by reaction. The reaction solution was filtered, washed with water, and dried to obtain a metal powder of sample number 91.

そして、この反応後の金属粉末を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察し、画像解析して平均粉末径を求めたところ、平均粉末径は0.2μmであった。   And after observing the metal powder after this reaction with a scanning electron microscope (SEM) and analyzing the image to determine the average powder diameter, the average powder diameter was 0.2 μm.

その後はこの金属粉末を使用し、試料番号1と同様の方法・手順で導電性ペーストを作製し、該導電性ペーストを使用して試料番号91の積層セラミックコンデンサを得た。   Thereafter, using this metal powder, a conductive paste was produced by the same method and procedure as in Sample No. 1, and a multilayer ceramic capacitor of Sample No. 91 was obtained using the conductive paste.

(試料番号92)
試料番号91と同様の方法・手順で、硫酸ニッケル・六水和物をヒドラジンで還元させてNi粒子を作製し、その後、湯浴上で60℃に加温し、pH調整剤を使用してpHを13に調整して懸濁溶液を得た。次いで、この懸濁溶液をろ過し、水洗した後、乾燥させて試料番号92の金属粉末を得た。
(Sample No. 92)
The nickel sulfate hexahydrate was reduced with hydrazine in the same method and procedure as sample number 91 to produce Ni particles, and then heated to 60 ° C. in a hot water bath, using a pH adjuster. The pH was adjusted to 13 to obtain a suspension solution. The suspension was then filtered, washed with water, and dried to obtain a metal powder of sample number 92.

この金属粉末についても試料番号91と同様、平均粉末径を求めたところ、0.2μmであった。   As for Sample No. 91, the average powder diameter of this metal powder was 0.2 μm.

その後は実施例1と同様の方法・手順で導電性ペーストを作製し、該導電性ペーストを使用して試料番号92の積層セラミックコンデンサを得た。   Thereafter, a conductive paste was prepared by the same method and procedure as in Example 1, and a multilayer ceramic capacitor of sample number 92 was obtained using the conductive paste.

(試料番号93)
試料番号91と同様の方法・手順で硫酸ニッケル・六水和物をヒドラジンで還元させてNi粒子を作製した。
(Sample No. 93)
Nickel sulfate hexahydrate was reduced with hydrazine by the same method and procedure as Sample No. 91 to produce Ni particles.

次いで、このNi粒子の粉末にヒドラジン溶液(ヒドラジン濃度:5重量%)を添加し、その後、湯浴上で60℃に加温し、pH調整剤を使用してpHを13に調整し、懸濁溶液を得た。その後、この懸濁溶液をろ過し、乾燥させて試料番号93の金属粉末を得た。   Next, a hydrazine solution (hydrazine concentration: 5% by weight) is added to the powder of Ni particles, and then heated to 60 ° C. on a hot water bath, and the pH is adjusted to 13 using a pH adjuster. A cloudy solution was obtained. Then, this suspension solution was filtered and dried to obtain a metal powder of sample number 93.

そして、この金属粉末についても、試料番号91と同様、平均粉末径を求めたところ、平均粉末径は0.2μmであった。   And also about this metal powder, when the average powder diameter was calculated | required similarly to the sample number 91, the average powder diameter was 0.2 micrometer.

その後はこの金属粉末を使用し、実施例1と同様の方法・手順で導電性ペーストを作製し、該導電性ペーストを使用して試料番号93の積層セラミックコンデンサを得た。
(試料番号94)
試料番号91と同様の方法・手順で硫酸ニッケル・6水和物をヒドラジンで還元させてNi粒子を作製し、その後、湯浴上で60℃に加温し、pH調整剤を使用してpHを13に調整して懸濁溶液を得た。
そして、この懸濁溶液を湯浴上で60℃に加温しながら硫化ナトリウムを添加し、これによりNi粒子と硫化ナトリウムとを反応させ金属粉末を含有した反応溶液を得た。そして、この反応溶液をろ過し、水洗した後、乾燥させて試料番号94の金属粉末を得た。
この金属粉末についても試料番号91と同様、平均粉末径を求めたところ、0.2μmであった。
その後は実施例1と同様の方法・手順で導電性ペーストを作製し、該導電性ペーストを使用して試料番号94の積層セラミックコンデンサを得た。
次いで、実施例1と同様の方法・手順で硫黄濃度を測定し、硫化物の形成の有無を確認し、さらに構造欠陥の発生状態を評価した。
表9は、試料番号91〜94の各試料の作製条件、及び測定・評価結果を示している。
Thereafter, using this metal powder, a conductive paste was prepared by the same method and procedure as in Example 1, and a multilayer ceramic capacitor of Sample No. 93 was obtained using the conductive paste.
(Sample No. 94)
Nickel sulfate hexahydrate is reduced with hydrazine by the same method and procedure as Sample No. 91 to prepare Ni particles, then heated to 60 ° C. in a hot water bath, and pH adjusted using a pH adjuster. Was adjusted to 13 to obtain a suspension.
Then, sodium sulfide was added while heating this suspension solution at 60 ° C. on a hot water bath, thereby reacting Ni particles with sodium sulfide to obtain a reaction solution containing metal powder. The reaction solution was filtered, washed with water, and dried to obtain a metal powder of sample number 94.
As for Sample No. 91, the average powder diameter of this metal powder was 0.2 μm.
Thereafter, a conductive paste was prepared by the same method and procedure as in Example 1, and a multilayer ceramic capacitor of sample number 94 was obtained using the conductive paste.
Next, the sulfur concentration was measured by the same method and procedure as in Example 1, the presence or absence of sulfide formation was confirmed, and the occurrence state of structural defects was evaluated.
Table 9 shows the preparation conditions and measurement / evaluation results of the samples Nos. 91 to 94.

Figure 2014005491
Figure 2014005491

試料番号92は、還元処理も硫黄化合物の添加処理も行なっていないNi粒子を使用しているため、Ni粒子の表面に硫化物が形成されることはなく、実施例1の試料番号2と同様の理由から構造欠陥の発生個数も多くなり、評価結果は不良となった。
試料番号93は、還元処理は行っているものの、Ni粒子に対して硫黄含有物の添加処理を行なっておらず、上記試料番号2と同様の理由から構造欠陥の発生個数も多くなり、評価結果は不良となった。
試料番号94は、硫化ナトリウムの添加処理は行っているものの、Ni粒子に対し還元処理を行なっていないため、実施例1の試料番号4と同様の理由から構造欠陥の発生個数も多くなり、評価結果は不良となった。
これに対し試料番号91は、硫酸ニッケル・6水和物に還元処理を行った後に還元剤の存在下、硫化ナトリウムを添加し、これによりNi粒子の表面に硫化物を形成しているので、構造欠陥発生率は1%未満と良好であり、したがって、良好な電極被覆率を有し、かつ構造欠陥の発生個数が低減された信頼性の高い積層セラミックコンデンサが得られることが分かった。
Sample No. 92 uses Ni particles that have not been subjected to reduction treatment or sulfur compound addition treatment, so that no sulfide is formed on the surface of the Ni particles, which is the same as Sample No. 2 in Example 1. For this reason, the number of structural defects generated increased, and the evaluation results were poor.
Sample No. 93 has been subjected to a reduction treatment, but has not been subjected to the addition treatment of the sulfur-containing material to the Ni particles. For the same reason as Sample No. 2, the number of occurrences of structural defects increased, and the evaluation results Became bad.
In Sample No. 94, although the addition treatment of sodium sulfide was performed, the reduction treatment was not performed on the Ni particles. Therefore, the number of structural defects generated increased for the same reason as Sample No. 4 in Example 1, and the evaluation was performed. The result was bad.
On the other hand, sample No. 91 was formed by adding sodium sulfide in the presence of a reducing agent after reducing the nickel sulfate hexahydrate, thereby forming a sulfide on the surface of the Ni particles. It was found that the structural defect occurrence rate was good at less than 1%, and therefore a highly reliable multilayer ceramic capacitor having a good electrode coverage and a reduced number of structural defect occurrences was obtained.

試料番号91と同様の方法・手順でNi粒子を還元生成し、pHが13となるようにpH調整剤でpH調整を行ない、さらに該懸濁溶液を60℃の温度に保持した。
次に、表10に示す硫黄含有物を用意した。そして、撹拌羽根を使用して懸濁溶液を撹拌しながら硫黄成分含有物を前記懸濁溶液に添加し、Ni粒子と硫黄含有物とを反応させ、その後ろ過して水洗した後、乾燥させ、これにより試料番号101〜106の金属粉末を得た。
そしてその後は、この金属粉末を使用し、実施例1と同様の方法・手順で、試料番号101〜106の導電性ペースト、及び積層セラミックコンデンサを作製した。
次いで、実施例1と同様の方法・手順で硫黄濃度を測定し、硫化物形成の有無を確認し、さらに構造欠陥の発生状態を評価した。
表10は、試料番号101〜106の各試料の作製条件、及び測定・評価結果を示している。
Ni particles were reduced and produced by the same method and procedure as in Sample No. 91, the pH was adjusted with a pH adjusting agent so that the pH was 13, and the suspension was kept at a temperature of 60 ° C.
Next, the sulfur containing material shown in Table 10 was prepared. Then, while stirring the suspension solution using a stirring blade, the sulfur component-containing material is added to the suspension solution, the Ni particles and the sulfur-containing material are reacted, then filtered and washed with water, and then dried. As a result, metal powders of sample numbers 101 to 106 were obtained.
Then, using this metal powder, the conductive pastes of sample numbers 101 to 106 and the multilayer ceramic capacitor were produced by the same method and procedure as in Example 1.
Next, the sulfur concentration was measured by the same method and procedure as in Example 1, the presence or absence of sulfide formation was confirmed, and the state of occurrence of structural defects was further evaluated.
Table 10 shows the production conditions and the measurement / evaluation results of the samples Nos. 101 to 106.

Figure 2014005491
Figure 2014005491

この表10から明らかなように、硫黄含有物として、硫化アンモニウム、硫黄単体、水硫化ナトリウムや水硫化アンモニウムなどの水流化物、多硫化ナトリウムや多硫化アンモニウムなどの多硫化物等、各種硫化物や硫黄単体を使用した場合であっても、硫化ナトリウムの場合と同様、Ni粒子の表面に硫化物が形成され、構造欠陥発生率も1%未満となり、良好な結果が得られることが分かった。   As is apparent from Table 10, as the sulfur-containing material, various sulfides such as ammonium sulfide, sulfur alone, water sulphides such as sodium hydrosulfide and ammonium hydrosulfide, polysulfides such as sodium polysulfide and ammonium polysulfide, Even when single sulfur was used, it was found that sulfide was formed on the surface of Ni particles and the rate of occurrence of structural defects was less than 1%, as in the case of sodium sulfide, and good results were obtained.

表11に示す還元剤を使用してNi粒子を作製した以外は、試料番号91と同様の方法で試料番号111〜114の金属粉末を作製した。ただし、Ni粒子と硫化ナトリウムの反応は、試料111〜113では温度を60℃に保持し、試料番号114では温度を150℃に保持して行なった。
そしてその後は、この金属粉末を使用し、実施例1と同様の方法・手順で、試料番号111〜114の導電性ペースト、及び積層セラミックコンデンサを作製した。
次いで、実施例1と同様の方法・手順で硫黄濃度を測定し、硫化物形成の有無を確認し、さらに構造欠陥の発生状態を評価した。
表11は、試料番号111〜114の各試料の作製条件、及び測定結果を示している。
Metal powders of sample numbers 111 to 114 were prepared in the same manner as sample number 91 except that Ni particles were prepared using the reducing agent shown in Table 11. However, the reaction between the Ni particles and sodium sulfide was performed while maintaining the temperature at 60 ° C. for samples 111 to 113 and maintaining the temperature at 150 ° C. for sample number 114.
Then, using this metal powder, the conductive pastes of Sample Nos. 111 to 114 and the multilayer ceramic capacitor were produced by the same method and procedure as in Example 1.
Next, the sulfur concentration was measured by the same method and procedure as in Example 1, the presence or absence of sulfide formation was confirmed, and the state of occurrence of structural defects was further evaluated.
Table 11 shows the production conditions and measurement results of the samples Nos. 111 to 114.

Figure 2014005491
Figure 2014005491

この表11から明らかなように、還元剤として、三塩化チタン、次亜リン酸塩、水素化ホウ素ナトリウム、水素ガスを使用した場合であっても、ヒドラジンの場合と同様、Ni粒子の表面に硫化物が形成され、構造欠陥発生率も1%未満となり、良好な結果が得られることが分かった。   As is apparent from Table 11, even when titanium trichloride, hypophosphite, sodium borohydride, or hydrogen gas is used as the reducing agent, the surface of the Ni particles is the same as in the case of hydrazine. It was found that sulfide was formed and the structural defect occurrence rate was less than 1%, and good results were obtained.

金属塩として硝酸銀(AgNO)、硫酸銅・五水和物(CuSO・5HO)、硫酸パラジウム(PdSO)を用意した。
次いで、試料番号91と略同様の方法・手順で金属粒子を還元生成し、次いで、試料番号91と同様、pHが13となるようにpH調整剤でpH調整を行ない、さらに該懸濁溶液を60℃の温度に保持した。
次に、撹拌羽根を使用して懸濁溶液を撹拌しながら硫黄成分含有物としての硫化ナトリウムを前記懸濁溶液に添加し、金属粒子と硫化ナトリウムとを反応させ、その後、ろ過して水洗し、乾燥し、これにより試料番号121〜123の金属粉末を得た。
また、上記金属塩を使用し、試料番号92と同様の方法・手順で還元処理や硫黄含有物の添加処理を行なわなかった試料番号124〜126の金属粉末を作製した。
次いで、この金属粉末を使用し、実施例1と同様の方法・手順で、試料番号121〜126の導電性ペースト、及び積層セラミックコンデンサを作製した。
次いで、実施例1と同様の方法・手順で硫黄濃度を測定し、硫化物の形成の有無を確認し、さらに構造欠陥の発生状態を評価した。
表12は、試料番号121〜126の各試料の作製条件、及び測定・評価結果を示している。
Nitrate as the metal salt (AgNO 3), copper sulfate pentahydrate (CuSO 4 · 5H 2 O) , were prepared palladium sulfate (PdSO 4).
Next, the metal particles are reduced and produced in substantially the same manner and procedure as in sample number 91, and then, as in sample number 91, the pH is adjusted with a pH adjusting agent so that the pH is 13, and the suspension solution is further added. The temperature was kept at 60 ° C.
Next, while stirring the suspension solution using a stirring blade, sodium sulfide as a sulfur component-containing material is added to the suspension solution to react the metal particles with sodium sulfide, and then filtered and washed with water. And dried, thereby obtaining metal powders of sample numbers 121 to 123.
Moreover, the metal powder of the sample numbers 124-126 which did not perform the reduction process and the addition process of a sulfur containing material by the method and procedure similar to the sample number 92 using the said metal salt was produced.
Next, using this metal powder, the conductive paste of Sample Nos. 121 to 126 and the multilayer ceramic capacitor were produced by the same method and procedure as in Example 1.
Next, the sulfur concentration was measured by the same method and procedure as in Example 1, the presence or absence of sulfide formation was confirmed, and the occurrence state of structural defects was evaluated.
Table 12 shows the preparation conditions and measurement / evaluation results of the samples Nos. 121 to 126.

Figure 2014005491
Figure 2014005491

試料番号124〜126は、還元処理も硫黄化合物の添加処理も行なっていない無垢の金属粒子(Ag粒子、Cu粒子、Ni粒子)を使用しているため、金属粒子の表面に硫化物が形成されることはなく、試料番号2(実施例1参照)と同様の理由から、構造欠陥の発生個数も多く、評価結果は不良となった。
これに対し試料番号121〜123は、還元処理及び硫化ナトリウムの添加処理を行なった金属粉末を使用していることから、試料番号1と同様、金属粒子の表面に硫化物が形成され、その結果構造欠陥発生率も1%未満となり、良好な結果が得られることが分かった。
このようにPd以外のAg、Cu、Niについても、本発明の製造方法を適用できることが確認された。
Since sample numbers 124 to 126 use solid metal particles (Ag particles, Cu particles, Ni particles) that are not subjected to reduction treatment or addition treatment of sulfur compounds, sulfides are formed on the surfaces of the metal particles. For the same reason as Sample No. 2 (see Example 1), the number of structural defects generated was large, and the evaluation results were poor.
On the other hand, Sample Nos. 121 to 123 use metal powder that has been subjected to reduction treatment and addition treatment of sodium sulfide, and as in Sample No. 1, sulfide is formed on the surface of the metal particles. The structural defect occurrence rate was also less than 1%, and it was found that good results were obtained.
Thus, it was confirmed that the production method of the present invention can be applied to Ag, Cu, and Ni other than Pd.

硫黄含有物としての硫化ナトリウムの添加量を種々異ならせた以外は、試料番号91と同様の方法・手順で試料番号131〜138の金属粉末を作製した。
そしてその後は、これらの金属粉末を使用し、実施例1と同様の方法・手順で、試料番号131〜138の導電性ペースト、及び積層セラミックコンデンサを作製した。
次いで、実施例1と同様の方法・手順で硫黄濃度を測定し、硫化物形成の有無を確認し、さらに電極被覆率を測定し、構造欠陥の発生状態を評価した。
表13は、試料番号131〜138の各試料の作製条件、及び測定・評価結果を示している。
Metal powders of Sample Nos. 131 to 138 were prepared by the same method and procedure as Sample No. 91, except that the amount of sodium sulfide added as a sulfur-containing substance was varied.
Then, using these metal powders, conductive pastes of sample numbers 131 to 138 and multilayer ceramic capacitors were produced by the same method and procedure as in Example 1.
Subsequently, the sulfur concentration was measured by the same method and procedure as in Example 1, the presence or absence of sulfide formation was confirmed, the electrode coverage was further measured, and the occurrence state of structural defects was evaluated.
Table 13 shows the production conditions and the measurement / evaluation results of the samples Nos. 131 to 138.

Figure 2014005491
Figure 2014005491

試料番号131は、硫化物が形成され、電極被覆率も74%と良好であり、構造欠陥発生率も5%未満であったが、金属粉末中の硫黄濃度が0.001質量%と低いため、実施例5の試料番号51と同様の理由から、構造欠陥発生率は3%以上となり、構造欠陥の発生個数が若干大きくなった。
これに対し試料番号132〜138は、金属粉末中の硫黄濃度が0.01〜5質量%の範囲にあるので、構造欠陥発生率を3%未満に抑制できた。また、硫黄濃度が0.05〜2質量%の範囲で構造欠陥発生率を1%未満に抑制でき、構造欠陥の発生個数がより低減された信頼性の良好な積層セラミックコンデンサが得られることが分かった。
このように出発原料に金属塩を使用した場合も、実施例5と同様の結果が得られた。
In Sample No. 131, sulfide was formed, the electrode coverage was as good as 74%, and the structural defect occurrence rate was less than 5%, but the sulfur concentration in the metal powder was as low as 0.001% by mass. For the same reason as Sample No. 51 in Example 5, the structural defect occurrence rate was 3% or more, and the number of structural defects generated was slightly increased.
On the other hand, since the sample numbers 132 to 138 have a sulfur concentration in the metal powder in the range of 0.01 to 5% by mass, the structural defect occurrence rate can be suppressed to less than 3%. In addition, the structural defect occurrence rate can be suppressed to less than 1% when the sulfur concentration is in the range of 0.05 to 2% by mass, and a highly reliable multilayer ceramic capacitor in which the number of structural defects generated is further reduced can be obtained. I understood.
Thus, the same results as in Example 5 were obtained when the metal salt was used as the starting material.

懸濁溶液に含有される錯化剤(クエン酸三ナトリウム)の添加量を異ならせ、これにより平均粉末径の異なる試料番号141〜146の金属粉末を作製した。
そしてその後は、これらの金属粉末を使用し、実施例1と同様の方法・手順で、試料番号141〜146の導電性ペースト、及び積層セラミックコンデンサを作製した。
次いで、実施例1と同様の方法・手順で硫黄濃度を測定し、硫化物の形成の有無を確認し、さらに構造欠陥の発生状態を評価した。
表14は、試料番号141〜146の各試料の作製条件、及び測定・評価結果を示している。
The addition amount of the complexing agent (trisodium citrate) contained in the suspension solution was varied, thereby producing metal powders of sample numbers 141 to 146 having different average powder diameters.
Then, using these metal powders, the conductive pastes of sample numbers 141 to 146 and the multilayer ceramic capacitor were produced by the same method and procedure as in Example 1.
Next, the sulfur concentration was measured by the same method and procedure as in Example 1, the presence or absence of sulfide formation was confirmed, and the occurrence state of structural defects was evaluated.
Table 14 shows the production conditions and the measurement / evaluation results of the samples Nos. 141 to 146.

Figure 2014005491
Figure 2014005491

試料番号141は、硫化物が形成され、構造欠陥発生率も5%未満であったが、金属粉末の平均粉末径が0.005μmと小さく、実施例6の試料番号61と同様の理由から構造欠陥発生率は3%以上となり、構造欠陥の発生個数が若干大きくなった。
これに対し試料番号142〜146は、Ni粉末の平均粉末径は0.01〜1μmの範囲にあるので、構造欠陥発生率を3%未満に抑制できた。また、平均粉末径が0.1〜1質量%の範囲で構造欠陥発生率を1%未満に抑制でき、構造欠陥の発生個数がより低減された信頼性の良好な積層セラミックコンデンサが得られることが分かった。
Sample No. 141 was formed with sulfide and had a structural defect occurrence rate of less than 5%. However, the average powder diameter of the metal powder was as small as 0.005 μm, and it was structured for the same reason as Sample No. 61 in Example 6. The defect generation rate was 3% or more, and the number of structural defects generated was slightly increased.
On the other hand, sample numbers 142 to 146 have an average powder diameter of Ni in the range of 0.01 to 1 μm, so that the structural defect occurrence rate can be suppressed to less than 3%. Moreover, the structural defect occurrence rate can be suppressed to less than 1% when the average powder diameter is in the range of 0.1 to 1% by mass, and a highly reliable multilayer ceramic capacitor in which the number of structural defects is further reduced can be obtained. I understood.

pH調整剤を使用して懸濁溶液のpHを種々異ならせた以外は、試料番号91と同様の方法・手順で試料番号151〜157の金属粉末を作製した。
そしてその後は、これらの金属粉末を使用し、実施例1と同様の方法・手順で、試料番号151〜157の導電性ペースト、及び積層セラミックコンデンサを作製した。
次いで、実施例1と同様の方法・手順で硫黄濃度を測定し、硫化物形成の有無を確認し、さらに構造欠陥の発生状態を評価した。
表15は、試料番号151〜157の各試料の作製条件、及び測定・評価結果を示している。
Metal powders of Sample Nos. 151 to 157 were prepared by the same method and procedure as Sample No. 91, except that the pH of the suspension was varied using a pH adjuster.
Then, using these metal powders, the conductive pastes of sample numbers 151 to 157 and the multilayer ceramic capacitor were produced by the same method and procedure as in Example 1.
Next, the sulfur concentration was measured by the same method and procedure as in Example 1, the presence or absence of sulfide formation was confirmed, and the state of occurrence of structural defects was further evaluated.
Table 15 shows the production conditions and the measurement / evaluation results of the samples Nos. 151 to 157.

Figure 2014005491
Figure 2014005491

試料番号151、152は、硫化物が形成され、構造欠陥発生率も5%未満であったが、懸濁溶液のpHが2以下と小さく、実施例7の試料番号71と同様の理由から構造欠陥発生率は3%以上となり、構造欠陥の発生個数が若干大きくなった。
これに対し試料番号153〜157は、懸濁溶液のpHを5以上に調整しているので、構造欠陥発生率を3%未満に抑制できた。また、懸濁溶液のpHが7以上の範囲で構造欠陥発生率を1%未満に抑制でき、構造欠陥の発生個数がより低減された信頼性の良好な積層セラミックコンデンサが得られることが分かった。
このように実施例7と同様、構造欠陥の発生率をより一層抑制する観点からは、pHは2を超えているのが好ましく、より好ましくは5を超えているのが良いことが確認された。
Sample Nos. 151 and 152 had sulfides formed and the structural defect occurrence rate was less than 5%, but the pH of the suspension was as small as 2 or less, and the structure was the same as for Sample No. 71 in Example 7. The defect generation rate was 3% or more, and the number of structural defects generated was slightly increased.
On the other hand, since the sample numbers 153 to 157 adjusted the pH of the suspension to 5 or more, the structural defect generation rate could be suppressed to less than 3%. Further, it was found that the structural defect occurrence rate can be suppressed to less than 1% when the pH of the suspension solution is 7 or more, and a highly reliable multilayer ceramic capacitor in which the number of structural defects generated is further reduced can be obtained. .
Thus, as in Example 7, from the viewpoint of further suppressing the occurrence rate of structural defects, it was confirmed that the pH is preferably higher than 2, more preferably higher than 5. .

Ni粒子と硫化ナトリウムの反応温度を種々異ならせた以外は、試料番号91と同様の方法・手順で試料番号161〜167の金属粉末を作製した。
そしてその後は、これらの金属粉末を使用し、実施例1と同様の方法・手順で、試料番号161〜167の導電性ペースト、及び積層セラミックコンデンサを作製した。
次いで、実施例1と同様の方法・手順で硫黄濃度を測定し、硫化物形成の有無を確認し、さらに構造欠陥の発生状態を評価した。
表16は、試料番号161〜167の各試料の作製条件、及び測定・評価結果を示している。
Metal powders of Sample Nos. 161 to 167 were prepared by the same method and procedure as Sample No. 91 except that the reaction temperatures of Ni particles and sodium sulfide were varied.
Then, using these metal powders, the conductive pastes of Sample Nos. 161 to 167 and the multilayer ceramic capacitor were produced by the same method and procedure as in Example 1.
Next, the sulfur concentration was measured by the same method and procedure as in Example 1, the presence or absence of sulfide formation was confirmed, and the state of occurrence of structural defects was further evaluated.
Table 16 shows the production conditions and measurement / evaluation results of the samples Nos. 161 to 167.

Figure 2014005491
Figure 2014005491

試料番号161は、硫化物が形成され、構造欠陥発生率も5%未満であったが、反応温度が10℃と低く、実施例8の試料番号81と同様の理由から構造欠陥発生率は3%以上となり、構造欠陥の発生個数が若干大きくなった。
一方、試料番号167も、硫化物が形成され、構造欠陥発生率も5%未満であったが、反応温度が300℃と高く、実施例8の試料番号87と同様の理由から構造欠陥発生率は3%以上となり、構造欠陥の発生個数が若干多くなった。
これに対し試料番号162〜166は、反応温度を20〜200℃と適度な温度範囲に調整しているので、構造欠陥発生率を3%未満に抑制できた。また、さらに60〜200℃の範囲では構造欠陥発生率を1%未満に抑制でき、構造欠陥の発生個数がより低減された信頼性の良好な積層セラミックコンデンサが得られることが分かった。
このように実施例8と同様、構造欠陥の発生率をより一層抑制する観点からは、反応温度は20〜200℃が好ましく、より好ましくは60〜200℃であることが確認された。
In Sample No. 161, sulfide was formed and the structural defect occurrence rate was less than 5%, but the reaction temperature was as low as 10 ° C., and the structural defect occurrence rate was 3 for the same reason as Sample No. 81 in Example 8. % Or more, and the number of structural defects generated was slightly increased.
On the other hand, in Sample No. 167, sulfide was formed and the structural defect occurrence rate was less than 5%, but the reaction temperature was as high as 300 ° C., and the structural defect occurrence rate was the same as in Sample No. 87 in Example 8. Was 3% or more, and the number of structural defects generated was slightly increased.
On the other hand, since the sample numbers 162 to 166 have the reaction temperature adjusted to an appropriate temperature range of 20 to 200 ° C., the structural defect generation rate can be suppressed to less than 3%. Furthermore, it was found that in the range of 60 to 200 ° C., the structural defect occurrence rate can be suppressed to less than 1%, and a highly reliable multilayer ceramic capacitor in which the number of structural defects generated is further reduced can be obtained.
Thus, like Example 8, from the viewpoint of further suppressing the occurrence rate of structural defects, it was confirmed that the reaction temperature was preferably 20 to 200 ° C, more preferably 60 to 200 ° C.

積層セラミック電子部品用内部電極の導電性材料に使用しても、金属粉末作製時に金属粒子が凝結したり、脱脂処理時にバインダ樹脂が急激な燃焼を生じることもなく、良好な電極被覆率を確保し、かつ構造欠陥の発生を抑制できるようにした。   Even when used as a conductive material for internal electrodes for multilayer ceramic electronic components, metal particles do not condense during metal powder production, and binder resin does not cause rapid combustion during degreasing, ensuring good electrode coverage In addition, the generation of structural defects can be suppressed.

1 金属粉末
2 金属粒子
3 金属化合物
6 酸化皮膜
7 セラミック素体
8a〜8f 内部電極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Metal powder 2 Metal particle 3 Metal compound 6 Oxide film 7 Ceramic body 8a-8f Internal electrode

Claims (14)

表面の少なくとも一部に酸化皮膜が形成された金属粒子を還元剤で処理した後、該還元剤の存在下、前記金属粒子と硫黄成分とを接触させて前記金属粒子と前記硫黄成分とを反応させ、前記硫黄成分を含有した金属化合物で前記金属粒子の表面の少なくとも一部を被覆することを特徴とする金属粉末の製造方法。   After the metal particles having an oxide film formed on at least a part of the surface are treated with a reducing agent, the metal particles and the sulfur component are reacted by bringing the metal particles into contact with the sulfur component in the presence of the reducing agent. And at least a part of the surface of the metal particles is coated with a metal compound containing the sulfur component. 前記金属粒子は、Ni、Ag、Cu、及びPdのうちの少なくとも1種を含んでいることを特徴とする請求項1記載の金属粉末の製造方法。   The method for producing metal powder according to claim 1, wherein the metal particles contain at least one of Ni, Ag, Cu, and Pd. 金属イオンを含有した金属塩溶液を還元剤で処理し、酸化還元反応を生じさせて金属粒子を作製し、その後、前記還元剤の存在下、前記金属粒子と硫黄成分とを接触させて前記金属粒子と前記硫黄成分とを反応させ、前記硫黄成分を含有した金属化合物で前記金属粒子の表面の少なくとも一部を被覆することを特徴とする金属粉末の製造方法。   A metal salt solution containing metal ions is treated with a reducing agent to produce a redox reaction to produce metal particles, and then in the presence of the reducing agent, the metal particles and a sulfur component are brought into contact with each other to form the metal. A method for producing a metal powder, comprising reacting particles with the sulfur component and coating at least a part of the surface of the metal particle with a metal compound containing the sulfur component. 前記金属イオンは、Niイオン、Agイオン、Cuイオン、及びPdイオンのうちの少なくとも1種を含んでいることを特徴とする請求項3記載の金属粉末の製造方法。   The said metal ion contains at least 1 sort (s) of Ni ion, Ag ion, Cu ion, and Pd ion, The manufacturing method of the metal powder of Claim 3 characterized by the above-mentioned. 前記硫黄成分は、硫黄単体、水硫化物及び多硫化物を含む硫化物群のうちの少なくとも1種以上を含有した無機硫黄含有物の形態で、前記金属粒子に添加することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の金属粉末の製造方法。   The sulfur component is added to the metal particles in the form of an inorganic sulfur-containing material containing at least one or more of a sulfide group including sulfur alone, hydrosulfide, and polysulfide. The manufacturing method of the metal powder in any one of Claims 1 thru | or 4. 前記金属化合物は、硫化物を主成分とすることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の金属粉末の製造方法。   6. The method for producing a metal powder according to claim 1, wherein the metal compound contains a sulfide as a main component. 前記金属粉末中の硫黄成分は、濃度に換算して0.01〜5質量%であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の金属粉末の製造方法。   The method for producing a metal powder according to any one of claims 1 to 6, wherein the sulfur component in the metal powder is 0.01 to 5% by mass in terms of concentration. 前記金属粉末の平均粉末径は、0.01μm以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の金属粉末の製造方法。   The method for producing a metal powder according to claim 1, wherein an average powder diameter of the metal powder is 0.01 μm or more. 前記金属粒子と前記硫黄成分との反応は、pHが2を超えた溶液中で行なうことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の金属粉末の製造方法。   The method for producing a metal powder according to any one of claims 1 to 8, wherein the reaction between the metal particles and the sulfur component is performed in a solution having a pH exceeding 2. 前記金属粒子と前記硫黄成分との反応は、20〜200℃の温度で行なうことを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の金属粉末の製造方法。   The method for producing a metal powder according to any one of claims 1 to 9, wherein the reaction between the metal particles and the sulfur component is performed at a temperature of 20 to 200 ° C. 前記還元剤は、ヒドラジン、水素化ホウ素化合物、ハロゲン化チタン、次亜リン酸塩、亜リン酸塩、アルデヒド類、アスコルビン酸、水素ガス、アルコール類、多価アルコール類の中から選択された少なくとも1種であることを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の金属粉末の製造方法。   The reducing agent is at least selected from hydrazine, borohydride compounds, titanium halides, hypophosphites, phosphites, aldehydes, ascorbic acid, hydrogen gas, alcohols, polyhydric alcohols. The method for producing a metal powder according to claim 1, wherein the metal powder is one type. 請求項1乃至請求項11のいずれかに記載の製造方法を使用して製造されたことを特徴とする金属粉末。   A metal powder produced by using the production method according to any one of claims 1 to 11. 少なくとも導電性材料と、バインダ樹脂と、溶剤とを含有した導電性ペーストであって、
前記導電性材料が、請求項12記載の金属粉末で形成されていることを特徴とする導電性ペースト。
A conductive paste containing at least a conductive material, a binder resin, and a solvent,
A conductive paste, wherein the conductive material is formed of the metal powder according to claim 12.
内部電極がセラミック素体に埋設された積層セラミック電子部品であって、
前記内部電極は、請求項13記載の導電性ペーストが焼結されてなることを特徴とする積層セラミック電子部品。
A multilayer ceramic electronic component in which an internal electrode is embedded in a ceramic body,
The multilayer ceramic electronic component, wherein the internal electrode is formed by sintering the conductive paste according to claim 13.
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