JP2014003158A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

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勝仁 内山
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve safety of operation of a semiconductor integrated circuit device.SOLUTION: A semiconductor integrated circuit device comprises first and second external terminals to which the same power supply voltage is supplied, and a disconnection detection circuit. When the disconnection detection circuit detects that supply of the power supply voltage from the first external terminal is interrupted in a state where supply of the power supply voltage from the second external terminal is continued, control is made to stop an operation of the semiconductor integrated circuit device. Accordingly, the operation of the semiconductor integrated circuit device is secured by higher level safety.

Description

本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に電源電圧給電用の電源ラインの断線を検出する回路に関して有効な技術に関する。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to an effective technique relating to a circuit for detecting disconnection of a power supply line for supplying power supply voltage.

半導体集積回路装置に関して、電源電圧給電用の電源ラインの断線を検出する技術は以下の特許文献1に示すようなものがある。この特許文献1には、電源電圧をモニタしておき、このモニタされた電源電圧が上限又は下限を超えた場合は、電源電圧給電用の電源ラインの断線として検出する技術が開示されている。   Regarding a semiconductor integrated circuit device, a technique for detecting disconnection of a power supply line for supplying power supply voltage is disclosed in Patent Document 1 below. This patent document 1 discloses a technique for monitoring a power supply voltage and detecting when the monitored power supply voltage exceeds an upper limit or a lower limit as a disconnection of a power supply line for power supply voltage supply.

特開平6−208693号公報JP-A-6-208693

特許文献1に記載された技術においては、電源電圧給電用の電源ラインの断線として検出するための断線検出回路に対する電源電圧の給電遮断が引き起こされた場合はそもそも検出ができない問題がある。この問題は、断線検出回路のための電源電圧給電用の電源ラインが断線するのだから、断線検出回路に対する電源供給が止まるので、高い確率で起こりえる。   The technique described in Patent Document 1 has a problem in that it cannot be detected in the first place when a power supply voltage supply interruption to a disconnection detection circuit for detecting a disconnection of a power supply line for power supply voltage supply is caused. This problem can occur with high probability because the power supply line for power supply voltage supply for the disconnection detection circuit is disconnected, and the power supply to the disconnection detection circuit is stopped.

本発明者はまず電源電圧を供給するための半導体集積回路装置の外部に設けられる端子を2つ以上設けて、1つの端子からの電源電圧の供給が断線にて途絶えたとしても、もう一つの端子からの電源電圧の供給があることで半導体集積回路装置の動作の安全性を保障することを考えた。しかしながら、このような方式でも半導体集積回路装置の動作の安全性を十分に保障できない。   The present inventor first provides two or more terminals provided outside the semiconductor integrated circuit device for supplying power supply voltage, and even if supply of power supply voltage from one terminal is interrupted due to disconnection, We thought to ensure the safety of the operation of the semiconductor integrated circuit device by supplying the power supply voltage from the terminal. However, even in such a system, the safety of the operation of the semiconductor integrated circuit device cannot be sufficiently ensured.

実施の形態1による半導体集積回路装置は、同一の電源電圧を受ける第一及び第二外部端子と断線検出回路とを有する。断線検出回路は第一及び第二外部端子から電源電圧を受ける。第二外部端子からの電源電圧の供給が継続されている状態で、第一外部端子からの電源電圧の供給が途絶えたことを断線検出回路が検出した場合は、半導体集積回路装置の動作を止める様に制御される。   The semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment has first and second external terminals that receive the same power supply voltage and a disconnection detection circuit. The disconnection detection circuit receives a power supply voltage from the first and second external terminals. When the disconnection detection circuit detects that the supply of the power supply voltage from the first external terminal is interrupted while the supply of the power supply voltage from the second external terminal is continued, the operation of the semiconductor integrated circuit device is stopped. Are controlled in the same way.

半導体集積回路装置の動作をより高いレベルの安全性にて保障できる。   The operation of the semiconductor integrated circuit device can be ensured with a higher level of safety.

実施の形態1の半導体集積回路装置を表す図である。1 is a diagram illustrating a semiconductor integrated circuit device according to a first embodiment. 実施の形態1の入力電圧比較回路や断線検出レジスタを説明するための図である。3 is a diagram for explaining an input voltage comparison circuit and a disconnection detection register according to the first embodiment; FIG. 実施の形態1の半導体集積回路装置の動作を表す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an operation of the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment. 実施の形態1の半導体集積回路装置を含む電子システムにおいて、段線状態が検出された場合の処理フローを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a processing flow when a step line state is detected in an electronic system including the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment. 実施の形態2の半導体集積回路装置を含む電子システムにおいて、段線状態が検出された場合の処理フローを示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a processing flow when a step line state is detected in an electronic system including the semiconductor integrated circuit device of the second embodiment. 実施の形態3の半導体集積回路装置の構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit device according to a third embodiment. 実施の形態3の半導体集積回路装置の動作を表す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating the operation of the semiconductor integrated circuit device according to the third embodiment. 実施の形態4の半導体集積回路装置の構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit device according to a fourth embodiment.

以下、図面を参照しながら、実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.

以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、応用例、詳細説明、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等(個数、数値、量、範囲等を含む)に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。   In the following embodiments, when it is necessary for the sake of convenience, the description will be divided into a plurality of sections or embodiments. However, unless otherwise specified, they are not irrelevant to each other. Are partly or entirely modified, application examples, detailed explanations, supplementary explanations, and the like. Further, in the following embodiments, when referring to the number of elements (including the number, numerical value, quantity, range, etc.), especially when clearly indicated and when clearly limited to a specific number in principle, etc. Except, it is not limited to the specific number, and may be more or less than the specific number.

さらに、以下の実施の形態において、その構成要素(動作、タイミングチャート、要素ステップ、動作ステップ等も含む)は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数等(個数、数値、量、範囲等を含む)についても同様である。   Further, in the following embodiments, the constituent elements (including operation, timing chart, element step, operation step, etc.) are specifically indicated unless otherwise specified and considered to be clearly essential in principle. Not necessarily essential. Similarly, in the following embodiments, when referring to the shapes, positional relationships, etc. of the components, etc., the shapes are substantially the same unless otherwise specified, or otherwise apparent in principle. And the like are included. The same applies to the above numbers and the like (including the number, numerical value, quantity, range, etc.).

なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部位や部材には同一または関連する符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。   Note that portions or members having the same function are denoted by the same or related reference numerals throughout the drawings for describing the embodiments, and the repetitive description thereof is omitted. In the following embodiments, the description of the same or similar parts will not be repeated in principle unless particularly necessary.

また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。   In the drawings used in the embodiments, hatching may be omitted even in a cross-sectional view so as to make the drawings easy to see. Further, even a plan view may be hatched to make the drawing easy to see.

(実施の形態1)
図1は実施の形態1の半導体集積回路装置を表す図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a diagram illustrating a semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment.

マイクロコンピュータMCUは、中央演算装置CPUと、ランダムアクセスメモリRAMと、不揮発性メモリROMと、論理回路Logicと、アナログ回路Analogとを有する内部回路IN-Cを持つ。マイクロコンピュータMCUは1つの半導体基板上に形成された半導体集積回路装置ICとなっている。   The microcomputer MCU has an internal circuit IN-C having a central processing unit CPU, a random access memory RAM, a nonvolatile memory ROM, a logic circuit Logic, and an analog circuit Analog. The microcomputer MCU is a semiconductor integrated circuit device IC formed on one semiconductor substrate.

中央演算装置CPUはマイクロコンピュータMCU全体を制御する。ランダムアクセスメモリRAMは中央演算装置CPUのワーク領域として使用され、各種一時データを格納するために用いられる。不揮発性メモリROMには中央演算装置CPUにて用いられるプログラムや各種制御データが格納されている。論理回路Logicは中央演算装置CPUからの指示に基づいて、マイクロコンピュータMCUを制御するための回路である。アナログ回路Analogは中央演算装置CPUからの指示に基づいて、アナログ信号を処理する回路である。   The central processing unit CPU controls the entire microcomputer MCU. The random access memory RAM is used as a work area for the central processing unit CPU and is used for storing various temporary data. The nonvolatile memory ROM stores programs and various control data used by the central processing unit CPU. The logic circuit Logic is a circuit for controlling the microcomputer MCU based on an instruction from the central processing unit CPU. The analog circuit Analog is a circuit that processes an analog signal based on an instruction from the central processing unit CPU.

論理回路Logicの中には後に説明する入力電圧比較回路IPSCCや断線検出レジスタBDRESを有する断線検出回路BDCを有する。   The logic circuit Logic includes an input voltage comparison circuit IPSCC described later and a disconnection detection circuit BDC having a disconnection detection register BDRES.

図2は実施の形態1の入力電圧比較回路や断線検出レジスタを説明するための図である。   FIG. 2 is a diagram for explaining the input voltage comparison circuit and the disconnection detection register of the first embodiment.

半導体集積回路装置ICは斜線のハッチングにて示されるA電源端子PST-Aと、斜線のハッチングにて示されるB電源端子PST-Bと、斜線のハッチングにて示される電源リングPSRと、内部回路IN-Cとを有する。   The semiconductor integrated circuit device IC includes an A power supply terminal PST-A indicated by hatched hatching, a B power supply terminal PST-B indicated by hatched hatching, a power supply ring PSR indicated by hatched hatching, and an internal circuit IN-C.

電源電圧VDDが半導体集積回路装置ICの外部電源ラインE-PLから半導体集積回路装置ICの外部電源端子としてのA電源端子PST-A及びB電源端子PST-Bに供給される。A電源端子PST-AからA電源ラインA-PLを介して電源リングPSRに電源電圧VDDが供給される。B電源端子PST-BからB電源ラインB-PLを介して電源リングPSRに電源電圧VDDが供給される。電源リングPSRは内部回路IN-Cを取り囲むようなリング状となっており、内部回路IN-Cに電源電圧VDDを供給する。よって、中央演算装置CPU、ランダムアクセスメモリRAM、不揮発性メモリROM、論理回路Logic、アナログ回路Analog及び断線検出回路BDCはA電源端子PST-A及びB電源端子PST-Bから電源リングPSRを介して電源電圧VDDを供給される形となる。尚、記載の容易化のために内部回路IN-C外に一点鎖線にて囲まれた入力電圧比較回路IPSCCや断線検出レジスタBDRESがあるが、これら入力電圧比較回路IPSCCや断線検出レジスタBDRESは内部回路IN-C内に実際には配置されている。入力電圧比較回路IPSCCと断線検出レジスタBDRESで断線検出回路BDCを形成している。   The power supply voltage VDD is supplied from the external power supply line E-PL of the semiconductor integrated circuit device IC to the A power supply terminal PST-A and the B power supply terminal PST-B as external power supply terminals of the semiconductor integrated circuit device IC. The power supply voltage VDD is supplied from the A power supply terminal PST-A to the power supply ring PSR through the A power supply line A-PL. The power supply voltage VDD is supplied from the B power supply terminal PST-B to the power supply ring PSR via the B power supply line B-PL. The power supply ring PSR has a ring shape surrounding the internal circuit IN-C, and supplies the power supply voltage VDD to the internal circuit IN-C. Therefore, the central processing unit CPU, random access memory RAM, nonvolatile memory ROM, logic circuit Logic, analog circuit Analog, and disconnection detection circuit BDC are connected from the A power supply terminal PST-A and B power supply terminal PST-B through the power supply ring PSR. The power supply voltage VDD is supplied. For ease of description, there are an input voltage comparison circuit IPSCC and a disconnection detection register BDRES surrounded by an alternate long and short dash line outside the internal circuit IN-C. However, these input voltage comparison circuit IPSCC and disconnection detection register BDRES are internal. It is actually arranged in the circuit IN-C. The disconnection detection circuit BDC is formed by the input voltage comparison circuit IPSCC and the disconnection detection register BDRES.

入力電圧比較回路IPSCCは制御論理EORと、ノイズフィルタNFと、ラッチ回路LTとを有する。   The input voltage comparison circuit IPSCC has a control logic EOR, a noise filter NF, and a latch circuit LT.

A電源ラインA-PLのA点から電源電圧VDDと、B電源ラインB-PLのB点からの電源電圧VDDとを制御論理EORは受ける。ここでA点から制御論理EORまでのラインをラインL1とし、B点から制御論理EORまでのラインをラインL2とする。制御論理EORは排他的論理和にて構成されており、C点にその出力信号を出力する。C点からの出力信号をノイズフィルタNFは受け、D点にその出力信号を出力する。ラッチ回路LTはD点からの出力信号をクロック入力端子に受ける。ラッチ回路LTの信号入力端子には電源電圧VDDが供給される形となっており、ラッチ回路LTのクロック入力端子にクロックが1パルスでも入力された場合は、ラッチ回路LTの出力信号がハイレベルになるようにされている。断線検出レジスタBDRESはラッチ回路LTからの出力信号を受けることで、断線検出結果を格納する。ハイレベルであれば外部電源ラインE-PLのED点からA点までの経路、又はED点からB点までの経路に断線があったことを示し、ローレベルであれば、ED点からA点までの経路、及びED点からB点までの経路に断線が無かったことを示す。ここで、経路AをED点からA点までの経路、経路BをED点からB点までの経路とする。   The control logic EOR receives the power supply voltage VDD from the point A of the A power supply line A-PL and the power supply voltage VDD from the point B of the B power supply line B-PL. Here, a line from the point A to the control logic EOR is a line L1, and a line from the point B to the control logic EOR is a line L2. The control logic EOR is configured by exclusive OR, and the output signal is output to the point C. The noise filter NF receives the output signal from the point C and outputs the output signal to the point D. The latch circuit LT receives the output signal from the point D at the clock input terminal. The power supply voltage VDD is supplied to the signal input terminal of the latch circuit LT. When even one pulse of the clock is input to the clock input terminal of the latch circuit LT, the output signal of the latch circuit LT is at a high level. To be. The disconnection detection register BDRES receives the output signal from the latch circuit LT, and stores the disconnection detection result. If the level is high, it indicates that the path from the ED point to the point A of the external power supply line E-PL or the path from the ED point to the point B is broken. It is shown that there was no disconnection in the route up to and the route from the ED point to the B point. Here, the route A is a route from the ED point to the A point, and the route B is a route from the ED point to the B point.

ノイズフィルタNFは、抵抗Rと容量Cとヒステリシス比較器HCとを有する。抵抗Rの一端はC点と接続され、抵抗Rの他端は容量Cの一端と接続される。容量Cの他端は接地されてグランド電圧GNDが供給される。抵抗Rの他端はヒステリシス比較器HCの入力と接続される。ヒステリシス比較器HCの出力はD点に接続される。   The noise filter NF includes a resistor R, a capacitor C, and a hysteresis comparator HC. One end of the resistor R is connected to the point C, and the other end of the resistor R is connected to one end of the capacitor C. The other end of the capacitor C is grounded and supplied with the ground voltage GND. The other end of the resistor R is connected to the input of the hysteresis comparator HC. The output of the hysteresis comparator HC is connected to point D.

図3は実施の形態1の半導体集積回路装置の動作を表す図である。図3の左側のグラフは未断線時のA点、B点、C点及びD点の動作状態(電圧状態)を表し、図3の右側のグラフは経路Aに断線があったときのA点、B点、C点及びD点の動作状態を表す。   FIG. 3 is a diagram illustrating the operation of the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment. The left graph in FIG. 3 represents the operating state (voltage state) of points A, B, C, and D when there is no disconnection, and the right graph in FIG. 3 shows the point A when the path A is disconnected. , B, C, and D points.

以下に示すように、半導体集積回路装置ICの電源が立ち上がる際のA点とB点の波形を、断線検出回路BDCが比較することで、A点とB点の波形差が大きな時に断線があると判断される。   As shown below, the disconnection detection circuit BDC compares the waveforms at the points A and B when the power supply of the semiconductor integrated circuit device IC is started up, so that the disconnection occurs when the waveform difference between the points A and B is large. It is judged.

未断線時に半導体集積回路装置ICの電源が立ち上がると、パワーオンリセット信号PORがラッチ回路LTに入力されることで、非断線状態(ローレベル)を示す信号がラッチ回路LTから出力され、断線検出レジスタBDRESにローレベルが出力され、非断線状態を示す情報が格納される。パワーオンリセット信号PORは他の内部回路IN-Cにも供給され、半導体集積回路装置IC全体をリセットする。次に、図に示すように、A点の電源電圧VDD及びB点の電源電圧VDDが立ち上がる。未断線状態であるから、A点はA電源端子PST-Aから主に電源電圧VDDを受け、B点はB電源端子PST-Bから主に電源電圧VDDを受ける。この立ち上がりは、寄生容量や寄生抵抗に依存して図のA点波形やB点波形に示すような波形となる。A点の立ち上がり波形とB点の立ち上がり波形は殆ど変わらない。よってA点の立ち上がり波形とB点の立ち上がり波形は殆ど同じような形となって重なり合うから、制御論理EORの出力はほぼローレベルとなり、C点の出力波形がC点波形のようになる。ここで閾値電圧Vthは制御論理EORの閾値電圧である。C点からの出力はノイズフィルタNFのフィルタリングにより僅かな期間にハイレベルにあるC点の信号もローレベルとされ、ノイズフィルタNFの出力であるD点の波形はずっとローレベルの状態となる。この僅かな期間はノイズフィルタのフィルタ幅よりも狭い。よって断線検出レジスタBDRESは非断線状態を示す情報が格納されたままとなる。このようにA点とB点の波形差が小さな時は断線がないと判断される。   When the power supply of the semiconductor integrated circuit device IC rises when there is no disconnection, a power-on reset signal POR is input to the latch circuit LT, so that a signal indicating a non-disconnection state (low level) is output from the latch circuit LT, and disconnection detection is performed. A low level is output to the register BDRES, and information indicating a non-disconnection state is stored. The power-on reset signal POR is also supplied to the other internal circuit IN-C, and resets the entire semiconductor integrated circuit device IC. Next, as shown in the figure, the power supply voltage VDD at point A and the power supply voltage VDD at point B rise. Since it is not disconnected, point A receives power supply voltage VDD mainly from A power supply terminal PST-A, and point B receives power supply voltage VDD mainly from B power supply terminal PST-B. This rise becomes a waveform as shown in the waveform of point A or point B in the figure depending on the parasitic capacitance or parasitic resistance. The rising waveform at point A and the rising waveform at point B are almost the same. Therefore, since the rising waveform at point A and the rising waveform at point B overlap in almost the same shape, the output of the control logic EOR becomes almost low level, and the output waveform at point C becomes like the waveform at point C. Here, the threshold voltage Vth is a threshold voltage of the control logic EOR. As for the output from the point C, the signal at the point C which is at the high level for a short period of time by the filtering of the noise filter NF is also set to the low level, and the waveform at the point D which is the output of the noise filter NF is kept at the low level. This slight period is narrower than the filter width of the noise filter. Therefore, the disconnection detection register BDRES still stores information indicating the non-disconnection state. Thus, when the waveform difference between point A and point B is small, it is determined that there is no disconnection.

経路Aに断線があったときに半導体集積回路装置ICの電源が立ち上がると、パワーオンリセット信号PORがラッチ回路LTに入力されることで、非断線状態(ローレベル)を示す信号がラッチ回路LTから出力され、断線検出レジスタBDRESにローレベルが出力され、非断線状態を示す情報が格納される。パワーオンリセット信号PORは他の内部回路IN-Cにも供給され、半導体集積回路装置IC全体をリセットする。次に図に示すように、A点の電源電圧VDD及びB点の電源電圧VDDが立ち上がる。経路Aに断線がある状態であるから、A点はB電源端子PST-Bから主に電源電圧VDDを受け、B点もB電源端子PST-Bから主に電源電圧VDDを受ける。この立ち上がりは、寄生容量や寄生抵抗に依存して図のA点波形やB点波形に示すような波形となる。B点の立ち上がり波形はED点から経路Bを通って電源電圧VDDが供給されるのである程度すばやく立ち上がる形となる一方、A点の立ち上がり波形はED点から経路Bを通り、更に電源リングPSRを通って電源電圧VDDが供給されるのでかなり立ち上がりの遅い形となる。これはB点に電源電圧VDDが供給される経路の寄生容量や寄生抵抗の値に比べて、A点に電源電圧が供給される経路の寄生容量や寄生抵抗が電源リングPSRを通る分大きくなるからである。よってA点の立ち上がり波形に比べてB点の立ち上がり波形は立ち上がりが早い関係で早く閾値電圧Vthを超えるので、制御論理EORの出力はある一定期間はハイレベルとなり、C点の出力波形がC点波形のようになる。C点からの出力はノイズフィルタNFを通したとしてもハイレベルを一定期間維持し、ノイズフィルタNFの出力であるD点の波形は一定期間ハイレベルの状態となる。この一定期間はノイズフィルタのフィルタ幅よりも広い。よって、断線検出レジスタBDRESにハイレベルが出力され、断線状態を示す情報が格納される。この格納された情報は中央演算装置CPUにて読み出される。このようにA点とB点の波形差が大きな時に断線があると判断される。   When the power supply of the semiconductor integrated circuit device IC rises when the path A is disconnected, a power-on reset signal POR is input to the latch circuit LT, so that a signal indicating a non-disconnected state (low level) is generated in the latch circuit LT. Is output to the disconnection detection register BDRES, and information indicating a non-disconnection state is stored. The power-on reset signal POR is also supplied to the other internal circuit IN-C, and resets the entire semiconductor integrated circuit device IC. Next, as shown in the figure, the power supply voltage VDD at point A and the power supply voltage VDD at point B rise. Since the path A is disconnected, the point A mainly receives the power supply voltage VDD from the B power supply terminal PST-B, and the point B also receives the power supply voltage VDD mainly from the B power supply terminal PST-B. This rise becomes a waveform as shown in the waveform of point A or point B in the figure depending on the parasitic capacitance or parasitic resistance. The rising waveform at point B has a form that rises quickly to some extent because the power supply voltage VDD is supplied from point ED through path B. On the other hand, the rising waveform at point A passes from path ED through path B and further through power supply ring PSR. Since the power supply voltage VDD is supplied, the rise is considerably slow. This is because the parasitic capacitance and parasitic resistance of the path where the power supply voltage is supplied to the point A pass through the power supply ring PSR, compared to the values of the parasitic capacitance and parasitic resistance of the path where the power supply voltage VDD is supplied to the point B. Because. Therefore, since the rising waveform at point B exceeds the threshold voltage Vth earlier than the rising waveform at point A, the output of the control logic EOR is at a high level for a certain period, and the output waveform at point C is C point. It looks like a waveform. Even if the output from the point C passes through the noise filter NF, the high level is maintained for a certain period, and the waveform at the point D which is the output of the noise filter NF is in a high level state for a certain period. This certain period is wider than the filter width of the noise filter. Therefore, a high level is output to the disconnection detection register BDRES, and information indicating the disconnection state is stored. This stored information is read out by the central processing unit CPU. Thus, it is determined that there is a disconnection when the waveform difference between point A and point B is large.

経路Bで断線があったときに半導体集積回路装置ICの電源が立ち上がると、A点、B点、C点及びD点の波形の状態は、経路Aで断線があったときの半導体集積回路装置ICのA点、B点、C点及びD点の波形の状態で、A点とB点の波形の状態を入れ替えたような形となり、その他C点及びD点は同じような波形の状態となる。A点の立ち上がり波形はED点から経路Aを通って電源電圧VDDが供給されるのである程度すばやく立ち上がる形となる一方、B点の立ち上がり波形はED点から経路Aを通り、更に電源リングPSRを通って電源電圧VDDが供給されるのでかなり立ち上がりの遅い形となる。これはA点に電源電圧VDDが供給される経路の寄生容量や寄生抵抗の値に比べて、B点に電源電圧が供給される経路の寄生容量や寄生抵抗が電源リングPSRを通る分大きくなるからである。   When the power supply of the semiconductor integrated circuit device IC rises when there is a break in the path B, the waveform states at the points A, B, C, and D are as follows. The state of the waveforms at points A, B, C, and D of the IC is such that the waveforms at points A and B are interchanged, and the other points C and D have the same waveform state. Become. The rising waveform at point A is supplied to the power supply voltage VDD from the ED point through the path A, so that it rises to a certain degree, while the rising waveform at the point B passes from the ED point through the path A and further through the power supply ring PSR. Since the power supply voltage VDD is supplied, the rise is considerably slow. This is because the parasitic capacitance and parasitic resistance of the path where the power supply voltage is supplied to the point B pass through the power supply ring PSR, compared to the values of the parasitic capacity and parasitic resistance of the path where the power supply voltage VDD is supplied to the point A. Because.

図4は実施の形態1の半導体集積回路装置を含む電子システムにおいて、段線状態が検出された場合の処理フローを示す図である。   FIG. 4 is a diagram showing a processing flow when a stepped line state is detected in the electronic system including the semiconductor integrated circuit device of the first embodiment.

電子システムES1は半導体集積回路装置ICとデバイスD1とデバイスD2とを有する。半導体集積回路装置ICがデバイスD1及びデバイスD2と互いに信号のやり取りを行うことで電子システムES1全体を制御している。   The electronic system ES1 includes a semiconductor integrated circuit device IC, a device D1, and a device D2. The semiconductor integrated circuit device IC controls the entire electronic system ES1 by exchanging signals with the devices D1 and D2.

ステップS0にて、半導体集積回路装置ICの電源立ち上げ動作が開始される。この立ち上げ動作開始後にパワーオンリセット信号が内部回路IN-Cに入力される。その後、ステップS1において、図3を用いて説明したような形にて、断線検出レジスタBDRESにハイレベルが出力され、断線状態を示す情報が格納され、この格納情報が中央演算装置CPUに読み出されることにより、A電源端子又はB電源端子からの電源電圧VDDの供給が止まったことが検出される。この検出がある場合はA電源端子又はB電源端子からの電源電圧VDDの供給が止まった状態である一方、残る電源端子B電源端子又はA電源端子からの電源電圧VDDの供給は継続されている状態となる。半導体集積回路装置ICは動作可能な状態ではあるが、A電源端子又はB電源端子からの電源電圧VDDの供給が止まった状態であるために、動作の安全性(信頼性)が落ちた状態となっている。よって、電子システムを安全に動作停止させる必要がある。更に安全な動作停止と共に、半導体集積回路装置IC内に断線が発生したことを外部に伝えると更によい。この外部に伝えるのは、次に説明するステップS2とステップS3の間にあるのがよい。   In step S0, the power-on operation of the semiconductor integrated circuit device IC is started. After the start-up operation is started, a power-on reset signal is input to the internal circuit IN-C. Thereafter, in step S1, a high level is output to the disconnection detection register BDRES in the form described with reference to FIG. 3, information indicating the disconnection state is stored, and this stored information is read out to the central processing unit CPU. Thus, it is detected that the supply of the power supply voltage VDD from the A power supply terminal or the B power supply terminal is stopped. When this detection occurs, the supply of the power supply voltage VDD from the A power supply terminal or the B power supply terminal is stopped, while the supply of the power supply voltage VDD from the remaining power supply terminal B power supply terminal or A power supply terminal is continued. It becomes a state. Although the semiconductor integrated circuit device IC is in an operable state, since the supply of the power supply voltage VDD from the A power supply terminal or the B power supply terminal is stopped, the operational safety (reliability) is reduced. It has become. Therefore, it is necessary to safely stop the operation of the electronic system. Further, it is better to notify the outside that a disconnection has occurred in the semiconductor integrated circuit device IC together with a safe operation stop. The information transmitted to the outside is preferably between step S2 and step S3 described below.

ステップS1の後、半導体集積回路装置ICの電源立ち上げ動作が終了する。その後、ステップS2として半導体集積回路装置ICは電子システムES1内に残しておく必要のある様々な情報を何らかの記憶装置(例えば不揮発性メモリROM、この時の不揮発性メモリROMはフラッシュメモリ等の書き換え可能なもので構成される。)に退避させる。   After step S1, the power-on operation of the semiconductor integrated circuit device IC is completed. Thereafter, in step S2, the semiconductor integrated circuit device IC stores various information that needs to be left in the electronic system ES1 (for example, a non-volatile memory ROM, and the non-volatile memory ROM at this time can be rewritten to a flash memory or the like). Evacuated).

ステップS2の後、ステップS3として半導体集積回路装置ICは電子システムES1を安全に動作停止させる。この場合の電子システムES1の典型例としては自動車が挙げられる。この動作停止の際は、半導体集積回路装置ICはまだ動いているが、その他の電子システムES1の構成要素である、デバイスD1及びデバイスD2は停止した状態となる。   After step S2, as step S3, the semiconductor integrated circuit device IC safely stops the operation of the electronic system ES1. A typical example of the electronic system ES1 in this case is an automobile. When this operation is stopped, the semiconductor integrated circuit device IC is still operating, but the devices D1 and D2, which are other components of the electronic system ES1, are stopped.

ステップS3の後、ステップS4として電子システムES1が安全に動作停止したことを確認した上で、半導体集積回路装置ICは自身を動作停止させる。よって、電子システムES1が完全に動作停止する。   After step S3, after confirming that the operation of the electronic system ES1 has been safely stopped in step S4, the semiconductor integrated circuit device IC stops its operation. Therefore, the electronic system ES1 is completely stopped.

図4の説明において、電子システムES1の動作に関して説明をしたが、以下のような形に変更することも可能である。電子システムES1を半導体集積回路装置ICと置き換える。デバイスD1やデバイスD2をアナログ回路Analogや論理回路Logicと置き換える(ランダムアクセスメモリRAMや不揮発性メモリROMと置き換えてもよい。)。半導体集積回路装置ICを中央演算装置CPUと置き換える。このように電子システムES1が半導体集積回路装置IC自身であった場合は、中央演算装置CPUが図4における半導体集積回路装置ICの役割を果たす。   In the description of FIG. 4, the operation of the electronic system ES1 has been described. However, it can be changed to the following form. Replace electronic system ES1 with semiconductor integrated circuit device IC. Replace device D1 and device D2 with analog circuit Analog or logic circuit Logic (may be replaced with random access memory RAM or nonvolatile memory ROM). The semiconductor integrated circuit device IC is replaced with a central processing unit CPU. Thus, when the electronic system ES1 is the semiconductor integrated circuit device IC itself, the central processing unit CPU plays the role of the semiconductor integrated circuit device IC in FIG.

経路Aと経路Bが共通のED点から分岐するような形態となっているが、以下のような形となっていてもよい。外部電源ラインE-PL上のED点からA電源端子PST-Aに至る経路にある第一サブ外部電源ラインが設けられ、外部電源ラインE-PL上のED点とは異なる場所の点からB電源端子PST-Bに至る経路にある第二サブ外部電源ラインが設けられるような形態となっていてもよい。   The route A and the route B are branched from a common ED point, but may be formed as follows. A first sub external power supply line is provided on the path from the ED point on the external power supply line E-PL to the A power supply terminal PST-A, and B is located from a point different from the ED point on the external power supply line E-PL. A configuration may be employed in which a second sub external power supply line in the path to the power supply terminal PST-B is provided.

本実施の形態においては、以下のような作用効果がある。   The present embodiment has the following operational effects.

同一の電源電圧VDDを受けるA電源端子PST-A及びB電源端子PST-Bと断線検出回路BDCとを半導体集積回路装置ICは有する。断線検出回路BDCはA電源端子PST-A及びB電源端子PST-Bから電源電圧VDDを受ける。B電源端子PST-Bからの電源電圧VDDの供給が継続されている状態で、A電源端子PST-Aに対する電源電圧VDDの供給が途絶えたことを断線検出回路BDCが検出した場合は、半導体集積回路装置ICの動作を止める様に制御される。   The semiconductor integrated circuit device IC includes A power supply terminals PST-A and B power supply terminals PST-B that receive the same power supply voltage VDD, and a disconnection detection circuit BDC. The disconnection detection circuit BDC receives the power supply voltage VDD from the A power supply terminal PST-A and the B power supply terminal PST-B. When the disconnection detection circuit BDC detects that the supply of the power supply voltage VDD to the A power supply terminal PST-A is stopped while the supply of the power supply voltage VDD from the B power supply terminal PST-B is continued, the semiconductor integrated circuit Control is performed to stop the operation of the circuit device IC.

半導体集積回路装置ICの外部電源端子として設けられる電源端子を2つ以上(A電源端子PST-AとB電源端子PST-B)設けて、1つの端子からの電源電圧VDDの供給が断線にて途絶えたとしても、もう一つの端子からの電源電圧VDDの供給があることで半導体集積回路装置ICの動作の安全性が保障される。更に高いレベルにて半導体集積回路装置ICの動作を保障するために、1つの端子からの電源電圧VDDの供給が断線にて途絶えたことを検出し、半導体集積回路装置ICの動作を止めるように制御するような態様となっている。この制御の典型例としては、1つの端子からの電源電圧VDDの供給が断線にて途絶えたことを検出した場合(ステップS1)、必要な情報を退避させ(ステップS2)、半導体集積回路装置ICにて制御されている電子システムES1の動作を止め(ステップS3)、最終的に半導体集積回路装置ICの動作もとめる等のフェールセーフ的な制御動作(ステップS4)である。上述したようなフェールセーフ的な制御動作を行うためには、電源電圧VDDを供給するための半導体集積回路装置ICの外部端子を2つ以上(A電源端子PST-AとB電源端子PST-B)必要であり、更に1つの端子からの電源電圧VDDの供給が断線にて途絶えたことを検出し、この検出状態を保持する断線検出回路BDCが半導体集積回路装置ICに必要である。   Two or more power supply terminals (A power supply terminal PST-A and B power supply terminal PST-B) provided as external power supply terminals of the semiconductor integrated circuit device IC are provided, and supply of the power supply voltage VDD from one terminal is disconnected. Even if it is interrupted, the supply of the power supply voltage VDD from the other terminal ensures the operation safety of the semiconductor integrated circuit device IC. In order to ensure the operation of the semiconductor integrated circuit device IC at a higher level, it is detected that the supply of the power supply voltage VDD from one terminal is interrupted due to disconnection, and the operation of the semiconductor integrated circuit device IC is stopped. It is a mode to control. As a typical example of this control, when it is detected that supply of the power supply voltage VDD from one terminal has been interrupted (step S1), necessary information is saved (step S2), and the semiconductor integrated circuit device IC This is a fail-safe control operation (step S4) such as stopping the operation of the electronic system ES1 controlled by (step S3) and finally determining the operation of the semiconductor integrated circuit device IC. In order to perform the fail-safe control operation as described above, two or more external terminals (A power supply terminal PST-A and B power supply terminal PST-B) for supplying the power supply voltage VDD are provided. In addition, the semiconductor integrated circuit device IC needs a disconnection detection circuit BDC that detects that the supply of the power supply voltage VDD from one terminal is interrupted due to disconnection and holds this detection state.

半導体集積回路装置ICの電源が立ち上がる際のA点とB点の波形を、断線検出回路BDCが比較することで、A点とB点の波形差が大きな時に断線があると判断される形となっている。   The disconnection detection circuit BDC compares the waveforms at points A and B when the power supply of the semiconductor integrated circuit device IC is started up, so that it is determined that there is a disconnection when the waveform difference between the points A and B is large. It has become.

断線が電源立ち上げ処理が始まってから早い段階にて検出されることで、半導体集積回路装置ICの消費電流が低い状態にて、半導体集積回路装置ICの動作を止めるような制御が可能となる。これは断線の検出を中央演算装置CPUが早い段階にて読み出すことで、半導体集積回路装置ICの消費電流を上げない制御を中央演算装置CPUが指示することができるからである。このことで、断線していない1つの端子からの電源電圧VDDの供給でも半導体集積回路装置ICが動作可能となり、電力供給不足により誤動作を引き起こされるリスクを回避できる。パワーオンリセット信号が内部回路IN-Cに入力された状態の直後は、消費電流が低い状態であり、電力供給不足により誤動作を引き起こされるリスクを回避できる。   By detecting the disconnection at an early stage after the start-up process of the power supply is started, it is possible to perform control so as to stop the operation of the semiconductor integrated circuit device IC in a state where the current consumption of the semiconductor integrated circuit device IC is low. . This is because the central processing unit CPU can instruct the control not to increase the current consumption of the semiconductor integrated circuit device IC by reading out the detection of the disconnection at an early stage. As a result, the semiconductor integrated circuit device IC can operate even when the power supply voltage VDD is supplied from one terminal that is not disconnected, and the risk of malfunction caused by insufficient power supply can be avoided. Immediately after the power-on reset signal is input to the internal circuit IN-C, the current consumption is low, and the risk of malfunction caused by insufficient power supply can be avoided.

断線検出回路BDCが入力電圧比較回路IPSCCと断線検出レジスタBDRESとを有し、入力電圧比較回路IPSCCの制御論理EORは、A点からの入力の信号レベルの閾値電圧Vthに対する到達有無と、B点からの入力の信号レベルの閾値電圧Vthに対する到達有無に基づいて、制御論理EORの出力レベルが変更される態様となっている。   The disconnection detection circuit BDC has an input voltage comparison circuit IPSCC and a disconnection detection register BDRES, and the control logic EOR of the input voltage comparison circuit IPSCC indicates whether or not the input signal level from the point A reaches the threshold voltage Vth, and the point B The output level of the control logic EOR is changed based on whether or not the input signal level reaches the threshold voltage Vth.

A点からの入力の信号レベルの閾値電圧Vthに対する到達有無と、B点からの入力の信号レベルの閾値電圧Vthに対する到達有無に基づいて、制御論理EORの出力レベルが変更される態様となっていることで、断線がある場合は電源リングPSRを通ってきた制御論理EORに対する入力の信号の立ち上がりが、電源リングPSRを通らない制御論理EORに対する入力の信号の立ち上がりよりも遅くなることで、制御論理の出力レベルが変更される。このことで断線を効果的に検出できる。   The output level of the control logic EOR is changed based on whether or not the input signal level from the point A reaches the threshold voltage Vth and whether or not the input signal level from the point B reaches the threshold voltage Vth. Therefore, when there is a disconnection, the rise of the input signal to the control logic EOR that has passed through the power supply ring PSR becomes slower than the rise of the input signal to the control logic EOR that does not pass through the power supply ring PSR. The logic output level is changed. This can effectively detect disconnection.

制御論理EORからの出力を受けるノイズフィルタNFを有する。このことで、電源電圧VDDに重畳される各種のノイズや、経路Aと経路Bとの間の寄生抵抗や寄生容量の違いに起因するA点やB点での電源立ち上がり波形の違いや、ラインL1とラインL2でのとの間の寄生抵抗や寄生容量の違いに起因する制御論理EORに入力される信号波形の違いに起因して、制御論理EORの出力レベルが変更されることで、断線検出の誤検出が発生するのを抑えている。上述の起因により制御論理EORの出力レベルが変更されるのは短時間の変更となるために、ノイズフィルタNFのローパスフィルタ的な効果により変更がない状態の信号がD点から出力されるからである。特にノイズフィルタNFの抵抗Rと容量Cによりこの効果を発生する。   A noise filter NF that receives an output from the control logic EOR is included. As a result, various noises superimposed on the power supply voltage VDD, differences in power supply rising waveforms at points A and B due to differences in parasitic resistance and parasitic capacitance between the path A and path B, line A disconnection occurs because the output level of the control logic EOR is changed due to the difference in the signal waveform input to the control logic EOR due to the difference in parasitic resistance or parasitic capacitance between L1 and the line L2. The occurrence of false detection errors is suppressed. The reason why the output level of the control logic EOR is changed due to the above-mentioned reason is that the change is made in a short time, so that a signal in the state of no change is output from the point D due to the low-pass filter effect of the noise filter NF. is there. In particular, this effect is generated by the resistance R and capacitance C of the noise filter NF.

ノイズフィルタNFは容量C及び抵抗Rに接続されたヒステリシス比較器HCを有する。ヒステリシス比較器HCにより、ノイズフィルタの出力がハイレベルになる比較値とローレベルになる比較値が異なる形となり、よりノイズに強くなる。   The noise filter NF has a hysteresis comparator HC connected to a capacitor C and a resistor R. By the hysteresis comparator HC, the comparison value at which the output of the noise filter becomes high level and the comparison value at which the output becomes low level are different, and it becomes more resistant to noise.

ラッチ回路LTにパワーオンリセット信号PORが入力されることで、ラッチ回路LTから非断線状態を表す信号が断線検出レジスタBDRESに格納される。ラッチ回路LTの信号入力端子に段線状態を表す信号が固定的に入力され、ノイズフィルタNFの出力がクロック入力端子に入力される。パワーオンリセット信号PORにより、入力電圧比較回路IPSCCの出力は非断線状態にされる。更にラッチ回路LTの信号入力端子に段線状態を表す信号が固定的に入力され、ノイズフィルタNFの出力がクロック入力端子に入力されることで、1度でも段線状態が検出されたら確実にラッチ回路LTが段線状態を示す信号を出力し、断線検出レジスタBDRESに確実に断線状態を示す情報が格納される。   When the power-on reset signal POR is input to the latch circuit LT, a signal indicating a non-disconnection state is stored in the disconnection detection register BDRES from the latch circuit LT. A signal indicating the stage line state is fixedly input to the signal input terminal of the latch circuit LT, and the output of the noise filter NF is input to the clock input terminal. By the power-on reset signal POR, the output of the input voltage comparison circuit IPSCC is brought into a non-disconnected state. Further, a signal indicating the stage line state is fixedly input to the signal input terminal of the latch circuit LT, and the output of the noise filter NF is input to the clock input terminal, so that it is ensured that the stage line state is detected even once. The latch circuit LT outputs a signal indicating the stage line state, and information indicating the disconnection state is reliably stored in the disconnection detection register BDRES.

(実施の形態2)
図5は実施の形態2の半導体集積回路装置を含む電子システムにおいて、段線状態が検出された場合の処理フローを示す図である。
(Embodiment 2)
FIG. 5 is a diagram showing a processing flow when a stepped line state is detected in an electronic system including the semiconductor integrated circuit device of the second embodiment.

電子システムES2はシステムLSIとしての半導体集積回路装置SoC、半導体集積回路装置ICとデバイスD1とデバイスD2とを有する。半導体集積回路装置SoCが半導体集積回路装置IC、デバイスD1及びデバイスD2と互いに信号のやり取りを行うことで電子システムES2全体を制御している。   The electronic system ES2 includes a semiconductor integrated circuit device SoC as a system LSI, a semiconductor integrated circuit device IC, a device D1, and a device D2. The semiconductor integrated circuit device SoC controls the entire electronic system ES2 by exchanging signals with the semiconductor integrated circuit device IC, the device D1, and the device D2.

ステップS0とステップS1は実施の形態1と同じであるが、ステップS1の後にステップS2及びステップS5が実施される。実施の形態1と同様のステップS2の後に、ステップS6が実施される。ステップS6とステップS5の後にステップS7が実施される。ステップS7の後、ステップS8が実施される。   Step S0 and step S1 are the same as those in the first embodiment, but step S2 and step S5 are performed after step S1. Step S6 is performed after step S2 as in the first embodiment. Step S7 is performed after step S6 and step S5. After step S7, step S8 is performed.

ステップS1の後、以下のような形にてステップS5が実施される。半導体集積回路装置ICは、断線検出レジスタBDRESに格納された断線検出結果を、システムLSIとしての半導体集積回路装置SoCに伝える。   After step S1, step S5 is performed in the following manner. The semiconductor integrated circuit device IC transmits the disconnection detection result stored in the disconnection detection register BDRES to the semiconductor integrated circuit device SoC as the system LSI.

ステップS2の後、以下のような形にてステップS6が実施される。半導体集積回路装置ICは、電子システムES2にとって必要な情報の退避完了を、半導体集積回路装置SoCに伝える。   After step S2, step S6 is performed in the following manner. The semiconductor integrated circuit device IC notifies the semiconductor integrated circuit device SoC of the completion of saving the information necessary for the electronic system ES2.

ステップS5及びステップS6の後、ステップS7として、半導体集積回路装置SoCは電子システムES2を安全に動作停止させる。この電子システムES2が停止する際に半導体集積回路装置ICも停止される。この場合の電子システムES2の典型例としては自動車が挙げられる。この動作停止の際には、半導体集積回路装置SoCはまだ動いている状態である。その他の電子システムES2の構成要素である、デバイスD1、デバイスD2、及び半導体集積回路装置ICは動作停止された状態となる。   After step S5 and step S6, as step S7, the semiconductor integrated circuit device SoC safely stops the operation of the electronic system ES2. When the electronic system ES2 is stopped, the semiconductor integrated circuit device IC is also stopped. A typical example of the electronic system ES2 in this case is an automobile. When this operation is stopped, the semiconductor integrated circuit device SoC is still in a moving state. The other components of the electronic system ES2, the device D1, the device D2, and the semiconductor integrated circuit device IC are in a stopped state.

ステップS7の後、ステップS8として、電子システムES2が安全に動作停止したことを確認した上で、半導体集積回路装置SoCは自身を動作停止させる。よって電子装置ES2が完全に動作停止する。
尚、ステップS2が実施の形態1と同様であるとの記載を行ったが、ステップS2を以下のようなステップS21とし、さらにステップS5とステップS7の間にステップS9として以下のようなステップがあってもよい。ステップS21は、半導体集積回路装置IC内に記憶しておくべき各種情報(半導体集積回路装置IC内に関する情報)を何らかの記憶装置(例えば不揮発性メモリ、この時の不揮発性メモリはフラッシュメモリ等の書き換え可能なもので構成される。)退避させるステップである。さらにステップS9としてステップS5の後、半導体集積回路装置SoCは電子システムES2内に残しておく必要のある様々な情報(半導体集積回路装置IC外の電子システムES2に関する情報)を何らかの記憶装置に退避させる。その後ステップS9とステップS6の処理終了を確認して、ステップS7に進む形でもよい。
After step S7, as step S8, after confirming that the electronic system ES2 has safely stopped operating, the semiconductor integrated circuit device SoC stops itself. Therefore, the electronic device ES2 is completely stopped.
In addition, although it described that step S2 was the same as that of Embodiment 1, step S2 was made into step S21 as follows, and also the following steps were carried out as step S9 between step S5 and step S7. There may be. In step S21, various information to be stored in the semiconductor integrated circuit device IC (information related to the semiconductor integrated circuit device IC) is rewritten to any storage device (for example, a nonvolatile memory, and the nonvolatile memory at this time is a flash memory or the like). It is composed of possible things.) It is a step of evacuation. Further, as step S9, after step S5, the semiconductor integrated circuit device SoC saves various information (information related to the electronic system ES2 outside the semiconductor integrated circuit device IC) that needs to remain in the electronic system ES2 to some storage device. . After that, it is possible to confirm the end of the processing in step S9 and step S6 and proceed to step S7.

さらに、ステップS7及びステップS8を以下に示すようなステップS71に置き換えてもよい。
ステップS5とステップS6の後、半導体集積回路装置SoCは、半導体集積回路装置ICの動作を停止させ、半導体集積回路装置ICを用いる機能を用いないで、電子システムES2の動作を続行させるステップS71を実行してもよい。この場合の典型例としては、電子システムES2は自動車であり、半導体集積回路装置ICはカーナビ制御用の半導体集積回路装置であり、ステップS71にてカーナビが用いられない形となる。
Furthermore, step S7 and step S8 may be replaced with step S71 as shown below.
After step S5 and step S6, the semiconductor integrated circuit device SoC stops the operation of the semiconductor integrated circuit device IC, and continues with the operation of the electronic system ES2 without using the function using the semiconductor integrated circuit device IC. May be executed. As a typical example in this case, the electronic system ES2 is an automobile, the semiconductor integrated circuit device IC is a semiconductor integrated circuit device for car navigation control, and the car navigation is not used in step S71.

本実施の形態のように、電子システムES2全体が半導体集積回路装置ICによって制御されているのではなく、半導体集積回路装置LSIによって制御されている場合でも、ステップS6やステップS5の後に、ステップS7が実施されることにより、半導体集積回路装置ICの動作の安全性を高めることができ、電子システムES2の動作の安全性を高めることができる。   Even when the entire electronic system ES2 is not controlled by the semiconductor integrated circuit device IC as in the present embodiment, but is controlled by the semiconductor integrated circuit device LSI, step S7 is performed after step S6 or step S5. As a result, the safety of the operation of the semiconductor integrated circuit device IC can be improved, and the safety of the operation of the electronic system ES2 can be improved.

(実施の形態3)
図6は実施の形態3の半導体集積回路装置の構成図である。
(Embodiment 3)
FIG. 6 is a configuration diagram of the semiconductor integrated circuit device according to the third embodiment.

実施の形態1の半導体集積回路装置ICとの違いは、本実施の形態の半導体集積回路装置IC2はプルダウン回路PDCをさらに有していることである。プルダウン回路PDCは、NMOSトランジスタNMOS1と、NMOSトランジスタNMOS2とインバータINVとアンドANDとを有している。NMOSトランジスタNMOS1のドレインはA電源ラインA−PLに接続され、NMOSトランジスタNMOS1及びNMOSトランジスタのゲートはE点に接続されている。NMOSトランジスタNMOS1及びNMOSトランジスタNMOS2のソースにはグランド電圧GNDが供給され、NMOSトランジスタNMOS2のドレインはB電源ラインB−PLに接続されている。インバータINVには所定の制御信号が入力され、インバータINVの出力と所定の制御信号がアンドANDに入力されて、アンドANDの出力がE点に出力される。   The difference from the semiconductor integrated circuit device IC of the first embodiment is that the semiconductor integrated circuit device IC2 of the present embodiment further includes a pull-down circuit PDC. The pull-down circuit PDC has an NMOS transistor NMOS1, an NMOS transistor NMOS2, an inverter INV, and an AND. The drain of the NMOS transistor NMOS1 is connected to the A power supply line A-PL, and the gates of the NMOS transistor NMOS1 and the NMOS transistor are connected to point E. The ground voltage GND is supplied to the sources of the NMOS transistors NMOS1 and NMOS2, and the drain of the NMOS transistor NMOS2 is connected to the B power supply line B-PL. A predetermined control signal is input to the inverter INV, the output of the inverter INV and the predetermined control signal are input to the AND AND, and the output of the AND AND is output to point E.

図7は実施の形態3の半導体集積回路装置の動作を表す図である。図7の左側のグラフは未断線時のA点、B点、C点及びD点の動作状態を表し、73の右側のグラフは経路Aに断線があったときのA点、B点、C点及びD点の動作状態を表す。   FIG. 7 is a diagram illustrating the operation of the semiconductor integrated circuit device according to the third embodiment. The graph on the left side of FIG. 7 shows the operating state of points A, B, C, and D when there is no disconnection, and the graph on the right side of 73 shows points A, B, and C when the path A is disconnected. The operating state of point and point D is represented.

以下に示すように、半導体集積回路装置IC2の電源が立ち上がる際のA点とB点の波形を、断線検出回路BDCが比較することで、A点とB点の波形差が大きな時に断線があると判断される。   As shown below, the disconnection detection circuit BDC compares the waveforms at the points A and B when the power source of the semiconductor integrated circuit device IC2 is started up, so that the disconnection occurs when the waveform difference between the points A and B is large. It is judged.

未断線時に半導体集積回路装置IC2の電源が立ち上がると、パワーオンリセット信号PORがラッチ回路LTに入力されることで、非断線状態(ローレベル)を示す信号がラッチ回路LTから出力され、断線検出レジスタBDRESにローレベルが出力され、非断線状態を示す情報が格納される。パワーオンリセット信号PORは他の内部回路IN−Cにも供給され、半導体集積回路装置IC2全体をリセットする。次に、図に示すように、A点の電源電圧VDD及びB点の電源電圧VDDが立ち上がる。未断線状態であるから、A点はA電源端子PST−Aから主に電源電圧VDDを受け、B点はB電源端子PST−Bから主に電源電圧VDDを受ける。この立ち上がりは、もしプルダウン回路PDCが無いとしたら、寄生容量や寄生抵抗に依存して図のA点波形やB点波形に示すような点線にて示した波形となる。これは図3にて示したA点の立ち上がり波形やB点の立ち上がり波形と同じである。現実にはプルダウン回路PDCがあるために、以下のようになる。初めに、プルダウン回路PDCにはローレベルの信号が入力されている。よってアンドANDの一方にはローレベルの信号が入力され、アンドANDの他方にはインバータINVにより反転されたハイレベルの信号が入力されることにより、E点の信号レベルはローレベルとなる。次にプルダウン回路PDCに入力される信号がハイレベルに変更される。よってアンドANDの一方にはハイレベルの信号が入力される。アンドANDの他方にはインバータINVにより反転されたローレベルの信号が入力されるが、インバータINVは所定の遅延時間を有しているので、インバータINVの出力は所定の遅延時間だけハイレベルとなる。よって、アンドANDの出力は、所定の遅延時間に相当するだけハイレベルとなった後、ローレベルに戻るため、A点波形やB点波形に示したような、少しの間だけハイレベルとなる信号がE点に発生する。この少しの間だけハイレベルとなることにより、NMOSトランジスタNMOS1やNMOSトランジスタNMOS2がオンする。よって主にA電源端子PST−AからA点に供給される電源電圧VDDやB電源端子PST−BからB点に供給される電源電圧VDDがグランドに抜けるため、A点波形やB点波形の実線にて示すように少しの間のハイレベル期間においては、A点やB点の波形はほぼ一定となる。よってA点の立ち上がり波形とB点の立ち上がり波形は殆ど同じような形となって重なり合うから、制御論理EORの出力はほぼローレベルとなり、C点の出力波形がC点波形のようになる。ここで閾値電圧Vthは制御論理EORの閾値電圧である。C点からの出力はノイズフィルタNFのフィルタリングにより僅かな期間にハイレベルにあるC点の信号もローレベルとされ、ノイズフィルタNFの出力であるD点の波形はずっとローレベルの状態となる。この僅かな期間はノイズフィルタのフィルタ幅よりも狭い。よって断線検出レジスタBDRESは非断線状態を示す情報が格納されたままとなる。このようにA点とB点の波形差が小さな時は断線がないと判断される。   When the power supply of the semiconductor integrated circuit device IC2 rises when there is no disconnection, a power-on reset signal POR is input to the latch circuit LT, so that a signal indicating a non-disconnection state (low level) is output from the latch circuit LT, and disconnection detection is performed. A low level is output to the register BDRES, and information indicating a non-disconnection state is stored. The power-on reset signal POR is also supplied to the other internal circuit IN-C, and resets the entire semiconductor integrated circuit device IC2. Next, as shown in the figure, the power supply voltage VDD at point A and the power supply voltage VDD at point B rise. Since it is not disconnected, point A receives power supply voltage VDD mainly from A power supply terminal PST-A, and point B receives power supply voltage VDD mainly from B power supply terminal PST-B. If there is no pull-down circuit PDC, this rise becomes a waveform shown by a dotted line as shown in the point A waveform and the point B waveform in the figure depending on the parasitic capacitance and the parasitic resistance. This is the same as the rising waveform at point A and the rising waveform at point B shown in FIG. Since there is actually a pull-down circuit PDC, the following occurs. First, a low level signal is input to the pull-down circuit PDC. Accordingly, a low level signal is input to one of the AND AND, and a high level signal inverted by the inverter INV is input to the other of the AND AND, so that the signal level at the point E becomes a low level. Next, the signal input to the pull-down circuit PDC is changed to a high level. Therefore, a high-level signal is input to one of AND AND. A low level signal inverted by the inverter INV is input to the other of the AND AND, but since the inverter INV has a predetermined delay time, the output of the inverter INV becomes a high level only for the predetermined delay time. . Therefore, the AND AND output becomes high level corresponding to a predetermined delay time, and then returns to low level, so that it becomes high level for a short time as shown in the point A waveform and the point B waveform. A signal is generated at point E. The NMOS transistor NMOS1 and NMOS transistor NMOS2 are turned on by being at the high level for a short time. Therefore, the power supply voltage VDD supplied from the A power supply terminal PST-A to the point A and the power supply voltage VDD supplied from the B power supply terminal PST-B to the point B are released to the ground. As indicated by the solid line, the waveforms at points A and B are substantially constant during a short high-level period. Therefore, since the rising waveform at point A and the rising waveform at point B overlap in almost the same shape, the output of the control logic EOR becomes almost low level, and the output waveform at point C becomes like the waveform at point C. Here, the threshold voltage Vth is a threshold voltage of the control logic EOR. As for the output from the point C, the signal at the point C which is at the high level for a short period of time by the filtering of the noise filter NF is also set to the low level, and the waveform at the point D which is the output of the noise filter NF is kept at the low level. This slight period is narrower than the filter width of the noise filter. Therefore, the disconnection detection register BDRES still stores information indicating the non-disconnection state. Thus, when the waveform difference between point A and point B is small, it is determined that there is no disconnection.

経路Aに断線があったときに半導体集積回路装置IC2の電源が立ち上がると、パワーオンリセット信号PORがラッチ回路LTに入力されることで、非断線状態(ローレベル)を示す信号がラッチ回路LTから出力され、断線検出レジスタBDRESにローレベルが出力され、非断線状態を示す情報が格納される。パワーオンリセット信号PORは他の内部回路IN−Cにも供給され、半導体集積回路装置IC2全体をリセットする。次に図に示すように、A点の電源電圧VDD及びB点の電源電圧VDDが立ち上がる。経路Aに断線がある状態であるから、A点はB電源端子PST−Bから主に電源電圧VDDを受け、B点もB電源端子PST−Bから主に電源電圧VDDを受ける。この立ち上がりは、もしプルダウン回路PDCが無いとしたら、寄生容量や寄生抵抗に依存して図のA点波形やB点波形の点線に示すような波形となる。これはB点の立ち上がり波形はED点から経路Bを通って電源電圧VDDが供給されるのである程度すばやく立ち上がる形となる一方、A点の立ち上がり波形はED点から経路Bを通り、更に電源リングPSRを通って電源電圧VDDが供給されるのでかなり立ち上がりの遅い形となるからである。B点に電源電圧VDDが供給される経路の寄生容量や寄生抵抗の値に比べて、A点に電源電圧が供給される経路の寄生容量や寄生抵抗が電源リングPSRを通る分大きい。さらに先ほど説明したようにE点に少しの間だけハイレベルな信号が発生する。このハイレベル期間においては、B点ではB点に近いB電源端子PST−Bから電源電圧VDDが供給されるためにB点の信号レベルはほぼ一定である一方、A点ではA点から遠いB電源端子PST−Bから電源リングPSRを介して電源電圧VDDが供給されるために、A点の信号レベルは下がっていく。よって実施の形態1で図3を用いて説明した時よりも、A点の立ち上がり波形が閾値電圧Vthに到達する時間と、B点の立ち上がり波形が閾値電圧Vthに到達する時間の差がさらに大きくなる。よって制御論理EORの出力はかなり長い時間ハイレベルとなり、C点の出力波形がC点波形のようになる。C点からの出力はノイズフィルタNFを通したとしてもハイレベルをかなり長い時間維持し、ノイズフィルタNFの出力であるD点の波形はかなり長い時間ハイレベルの状態となる。このかなり長い時間はノイズフィルタのフィルタ幅よりも広い。よって、断線検出レジスタBDRESにハイレベルが出力され、断線状態を示す情報が格納される。この格納された情報は中央演算装置CPUにて読み出される。このようにA点とB点の波形差が大きな時に断線があると判断される。   When the power supply of the semiconductor integrated circuit device IC2 rises when the path A is disconnected, the power-on reset signal POR is input to the latch circuit LT, so that a signal indicating a non-disconnected state (low level) is generated in the latch circuit LT. Is output to the disconnection detection register BDRES, and information indicating a non-disconnection state is stored. The power-on reset signal POR is also supplied to the other internal circuit IN-C, and resets the entire semiconductor integrated circuit device IC2. Next, as shown in the figure, the power supply voltage VDD at point A and the power supply voltage VDD at point B rise. Since the path A is disconnected, the point A mainly receives the power supply voltage VDD from the B power supply terminal PST-B, and the point B also receives the power supply voltage VDD mainly from the B power supply terminal PST-B. If there is no pull-down circuit PDC, this rise becomes a waveform as shown by the dotted line of the point A waveform or the point B waveform in the figure depending on the parasitic capacitance and the parasitic resistance. This is because the rising waveform at the point B is supplied from the ED point through the path B so that the power supply voltage VDD rises to some extent, while the rising waveform at the point A passes through the path B from the ED point and further the power supply ring PSR. This is because the power supply voltage VDD is supplied through the power supply so that the rise is considerably slow. The parasitic capacitance and parasitic resistance of the path where the power supply voltage is supplied to the point A are larger than the value of the parasitic capacity and parasitic resistance of the path where the power supply voltage VDD is supplied to the point B as much as passing through the power supply ring PSR. Further, as described above, a high level signal is generated at point E for a short time. In this high level period, the power supply voltage VDD is supplied from the B power supply terminal PST-B close to the B point at the B point, so that the signal level at the B point is substantially constant, while the B point is far from the A point. Since the power supply voltage VDD is supplied from the power supply terminal PST-B through the power supply ring PSR, the signal level at the point A decreases. Therefore, the difference between the time when the rising waveform at the point A reaches the threshold voltage Vth and the time when the rising waveform at the point B reaches the threshold voltage Vth is larger than that described in the first embodiment with reference to FIG. Become. Therefore, the output of the control logic EOR is at the high level for a considerably long time, and the output waveform at the point C becomes like the waveform at the point C. Even if the output from the point C passes through the noise filter NF, the high level is maintained for a considerably long time, and the waveform at the point D, which is the output of the noise filter NF, is in a high level state for a considerably long time. This considerably long time is wider than the filter width of the noise filter. Therefore, a high level is output to the disconnection detection register BDRES, and information indicating the disconnection state is stored. This stored information is read out by the central processing unit CPU. Thus, it is determined that there is a disconnection when the waveform difference between point A and point B is large.

経路Bで断線があったときに半導体集積回路装置IC2の電源が立ち上がると、A点、B点、C点及びD点の波形の状態は、経路Aで断線があったときに半導体集積回路装置IC2のA点、B点、C点及びD点の波形の状態で、A点とB点の波形の状態を入れ替えたような形となり、その他C点及びD点は同じような波形の状態となる。よってA点の立ち上がり波形が閾値電圧Vthに到達する時間は、B点の立ち上がり波形が閾値電圧Vthに到達する時間よりもかなり早くなる。   When the power supply of the semiconductor integrated circuit device IC2 rises when there is a break in the path B, the waveform states at the points A, B, C, and D are as follows. In the state of the waveforms of points A, B, C and D of IC2, the waveforms of points A and B are interchanged, and other points C and D have the same waveform state. Become. Therefore, the time for the rising waveform at point A to reach the threshold voltage Vth is considerably earlier than the time for the rising waveform at point B to reach the threshold voltage Vth.

このように、リセット回路を設けることで、少しの間だけハイレベルとなる信号がE点に発生する。この少しの間のハイレベル期間に断線した経路においては、A点またはB点の信号レベルが下がるために、C点の出力波形がかなり長い期間ハイレベルを維持する。よってより確実に断線検出が行える。   In this manner, by providing the reset circuit, a signal that becomes a high level for a short time is generated at the point E. In the path that is disconnected during the short high level period, the signal level at point A or point B decreases, so that the output waveform at point C maintains a high level for a considerably long period. Therefore, disconnection detection can be performed more reliably.

(実施の形態4)
図8は実施の形態4の半導体集積回路装置の構成図である。
(Embodiment 4)
FIG. 8 is a configuration diagram of the semiconductor integrated circuit device according to the fourth embodiment.

本実施の形態の半導体集積回路装置IC3の実施の形態1の半導体集積回路装置ICとの違いは、断線検出回路BDC1と断線検出回路BCD2とを有することである。断線検出回路BDC1は入力電圧比較回路IPSCC1や断線検出レジスタBDRES1を有する。断線検出回路BDC2は入力電圧比較回路IPSCC2や断線検出レジスタBDRES2を有する。入力電圧比較回路IPSCC1や入力電圧比較回路IPSCCは入力電圧比較回路IPSCCと同じ構成である。断線検出レジスタBDRES1や断線検出レジスタBDRES2は断線検出レジスタBDRESと同じ構成である。よって、断線検出回路BDC1や断線検出回路BDC2は断線検出回路BCDと同じ構成である。   The semiconductor integrated circuit device IC3 of the present embodiment is different from the semiconductor integrated circuit device IC of the first embodiment in that it includes a disconnection detection circuit BDC1 and a disconnection detection circuit BCD2. The disconnection detection circuit BDC1 includes an input voltage comparison circuit IPSCC1 and a disconnection detection register BDRES1. The disconnection detection circuit BDC2 includes an input voltage comparison circuit IPSCC2 and a disconnection detection register BDRES2. The input voltage comparison circuit IPSCC1 and the input voltage comparison circuit IPSCC have the same configuration as the input voltage comparison circuit IPSCC. The disconnection detection register BDRES1 and the disconnection detection register BDRES2 have the same configuration as the disconnection detection register BDRES. Therefore, the disconnection detection circuit BDC1 and the disconnection detection circuit BDC2 have the same configuration as the disconnection detection circuit BCD.

断線検出回路BDC1はB点よりもA点の近くに配置されており、A点の近傍に配置されている。断線検出回路BDC2はA点よりもB点の近くに配置されており、B点の近傍に配置されている。入力電圧比較回路IPSCC1はA点からラインL1を介して一方の入力を受け、B点からラインL2を介して他方の入力を受ける。入力電圧比較回路IPSCC2はA点からラインL3を介して一方の入力を受け、B点からラインL4を介して他方の入力を受ける。   The disconnection detection circuit BDC1 is disposed closer to the point A than the point B, and is disposed near the point A. The disconnection detection circuit BDC2 is disposed closer to the point B than the point A, and is disposed near the point B. The input voltage comparison circuit IPSCC1 receives one input from the point A via the line L1, and receives the other input from the point B via the line L2. Input voltage comparison circuit IPSCC2 receives one input from point A via line L3 and the other input from point B via line L4.

外部電源ラインE−PLのED点からA点までの経路に断線があった場合は、A点近傍の電源リングPSRから電源電圧VDDを受ける断線検出回路BDC1が不安定な動作する恐れがあり、断線検出回路BDC1が正常に断線を検出できない恐れがある。この問題は、B点近傍の電源リングPSRから電源電圧VDDを受ける断線検出回路BDC2はあまり不安定な動作とならず、断線検出回路BDC2が正常に断線を検出できるために対処できる。外部電源ラインE−PLのED点からB点までの経路に断線があった場合は、B点近傍の電源リングPSRから電源電圧VDDを受ける断線検出回路BDC2が不安定な動作する恐れがあり、断線検出回路BDC2が正常に断線を検出できない恐れがある。この問題は、A点近傍の電源リングPSRから電源電圧VDDを受ける断線検出回路BDC1はあまり不安定な動作とならず、断線検出回路BDC1が正常に断線を検出できるために対処できる。このように実施の形態1と比べて、より確実に断線を検出できる。   If there is a disconnection in the path from the ED point to the A point of the external power supply line E-PL, the disconnection detection circuit BDC1 that receives the power supply voltage VDD from the power supply ring PSR in the vicinity of the A point may operate in an unstable manner. There is a possibility that the disconnection detection circuit BDC1 cannot detect the disconnection normally. This problem can be dealt with because the disconnection detection circuit BDC2 that receives the power supply voltage VDD from the power supply ring PSR near the point B does not operate so unstable, and the disconnection detection circuit BDC2 can detect the disconnection normally. If there is a disconnection in the path from the ED point to the B point of the external power supply line E-PL, the disconnection detection circuit BDC2 that receives the power supply voltage VDD from the power supply ring PSR in the vicinity of the B point may operate in an unstable manner. There is a possibility that the disconnection detection circuit BDC2 cannot detect the disconnection normally. This problem can be dealt with because the disconnection detection circuit BDC1 that receives the power supply voltage VDD from the power supply ring PSR in the vicinity of the point A is not so unstable that the disconnection detection circuit BDC1 can detect the disconnection normally. Thus, disconnection can be detected more reliably than in the first embodiment.

以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。   Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, it is needless to say that the present invention is not limited thereto and can be variously modified without departing from the gist thereof.

MCU マイクロコンピュータ
CPU 中央演算装置
RAM ランダムアクセスメモリ
ROM 不揮発性メモリ
Logic 論理回路
Analog アナログ回路
IC 半導体集積回路装置
IPSCC 入力電圧比較回路
BDRES 断線検出レジスタ
BDC 断線検出回路
PST−A A電源端子
PST−B B電源端子
PSR 電源リング
EOR 制御論理
NF ノイズフィルタ
LT ラッチ回路
ES1 電子システム
ES2 電子システム
PDC プルダウン回路
IPSCC1 入力電圧比較回路
BDRES1 断線検出レジスタ
BDC1 断線検出回路
IPSCC2 入力電圧比較回路
BDRES2 断線検出レジスタ
BDC2 断線検出回路
MCU Microcomputer CPU Central processing unit RAM Random access memory ROM Non-volatile memory Logic Logic circuit Analog Analog circuit IC Semiconductor integrated circuit device IPSCC Input voltage comparison circuit BDRES Disconnection detection register BDC Disconnection detection circuit PST-A A power supply terminal PST-B B power supply Terminal PSR power supply ring EOR control logic NF noise filter LT latch circuit ES1 electronic system ES2 electronic system PDC pull-down circuit IPSCC1 input voltage comparison circuit BDRES1 disconnection detection register BDC1 disconnection detection circuit IPSCC2 input voltage comparison circuit BDRES2 disconnection detection register BDC2 disconnection detection circuit

Claims (10)

同一の電源電圧を受ける第一電源端子及び第二電源端子と、断線検出回路とを有し、前記断線検出回路は前記第一電源端子及び前記第二電源端子から前記電源電圧を供給され、前記第二電源端子からの前記電源電圧の供給が継続されている状態で、前記第一電源端子からの前記電源電圧の供給が途絶えたことを前記断線検出回路が検出した場合は、半導体集積回路装置の動作を止める様に制御される半導体集積回路装置。   A first power supply terminal and a second power supply terminal that receive the same power supply voltage, and a disconnection detection circuit, wherein the disconnection detection circuit is supplied with the power supply voltage from the first power supply terminal and the second power supply terminal, When the disconnection detection circuit detects that the supply of the power supply voltage from the first power supply terminal is interrupted while the supply of the power supply voltage from the second power supply terminal is continued, a semiconductor integrated circuit device Integrated circuit device controlled so as to stop the operation. 前記断線検出回路を有する内部回路と、前記内部回路に前記電源電圧を供給する電源リングと、前記第一電源端子から前記電源電圧を受け前記電源リングに前記電源電圧を供給する第一電源ラインと、前記第二電源端子から前記電源電圧を受け前記電源リングに前記電源電圧を供給する第二電源ラインとを更に有し、前記電源電圧が立ち上がる際の前記第一電源ラインと前記第二電源ラインの波形を比較することで、前記断線検出回路が前記電源電圧が供給される電源ラインの断線の判断を行う請求項1に記載の半導体集積回路装置。   An internal circuit having the disconnection detection circuit; a power supply ring that supplies the power supply voltage to the internal circuit; a first power supply line that receives the power supply voltage from the first power supply terminal and supplies the power supply voltage to the power supply ring; A second power supply line that receives the power supply voltage from the second power supply terminal and supplies the power supply voltage to the power supply ring, and the first power supply line and the second power supply line when the power supply voltage rises 2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the disconnection detection circuit determines disconnection of a power supply line to which the power supply voltage is supplied by comparing the waveforms. 前記断線検出回路が入力電圧比較回路と断線検出レジスタとを有し、前記入力電圧比較回路の制御論理が前記第一電源ラインから入力される信号レベルの閾値電圧に対する到達有無と、前記第二電源ラインから入力される信号レベルの前記閾値電圧に対する到達有無に基づいて、前記制御論理の出力レベルが変更される態様となっている請求項2に記載の半導体集積回路装置。   The disconnection detection circuit includes an input voltage comparison circuit and a disconnection detection register, and whether or not the control logic of the input voltage comparison circuit reaches the threshold voltage of the signal level input from the first power supply line, and the second power supply 3. The semiconductor integrated circuit device according to claim 2, wherein an output level of the control logic is changed based on whether or not a signal level input from a line reaches the threshold voltage. 前記制御論理からの出力を受けるノイズフィルタを有する請求項3に記載の半導体集積回路装置。   The semiconductor integrated circuit device according to claim 3, further comprising a noise filter that receives an output from the control logic. ノイズフィルタの出力を受けるラッチ回路を有し、パワーオンリセット信号を受けることで、非断線状態を示す信号が前記ラッチ回路から前記断線検出レジスタに出力される請求項4に記載の半導体集積回路装置。   5. The semiconductor integrated circuit device according to claim 4, further comprising: a latch circuit that receives an output of the noise filter, and a signal indicating a non-disconnection state is output from the latch circuit to the disconnection detection register by receiving a power-on reset signal. . 前記ノイズフィルタは、一端が前記制御論理の出力に接続された抵抗と、一端が前記抵抗の他端に接続され他端にグランド電圧が供給される容量と、前記抵抗の他端に入力が接続されたヒステリシスコンパレータとを有する請求項5に記載の半導体集積回路装置。   The noise filter has a resistor having one end connected to the output of the control logic, a capacitor having one end connected to the other end of the resistor and a ground voltage supplied to the other end, and an input connected to the other end of the resistor. 6. The semiconductor integrated circuit device according to claim 5, further comprising a hysteresis comparator. 前記第一電源ライン及び前記第二電源ラインにグランド電圧を供給するプルダウン回路をさらに有し、
前記電源電圧を立ち上げる際に、所定の期間に前記プルダウン回路が前記第一電源ライン及び前記第二電源ラインに前記グランド電圧を供給する請求項2に記載の半導体集積回路装置。
A pull-down circuit for supplying a ground voltage to the first power line and the second power line;
3. The semiconductor integrated circuit device according to claim 2, wherein when the power supply voltage is raised, the pull-down circuit supplies the ground voltage to the first power supply line and the second power supply line during a predetermined period.
前記断線検出回路とは異なる他の断線検出回路をさらに有し、
前記断線検出回路は前記第二電源ラインよりも前記第一電源ラインに近い場所に配置されており、前記他の断線検出回路は前記第一電源ラインよりも前記第二電源ラインに近い場所に配置されている請求項2に記載の半導体集積回路装置。
It further has another disconnection detection circuit different from the disconnection detection circuit,
The disconnection detection circuit is disposed closer to the first power supply line than the second power supply line, and the other disconnection detection circuit is disposed closer to the second power supply line than the first power supply line. The semiconductor integrated circuit device according to claim 2.
同一の電源電圧を受ける第一電源端子及び第二電源端子と、断線検出回路と、前記断線検出回路を有する内部回路と、前記内部回路に前記電源電圧を供給する電源リングと、前記第一電源端子から前記電源電圧を受け前記電源リングに前記電源電圧を供給する第一電源ラインと、前記第二電源端子から前記電源電圧を受け前記電源リングに前記電源電圧を供給する第二電源ラインとを有し、前記断線検出回路は、前記電源電圧が立ち上がる際の前記第一電源ラインと前記第二電源ラインの波形を比較することで、前記電源電圧が供給される電源ラインの断線の判断を行う半導体集積回路装置。   A first power supply terminal and a second power supply terminal that receive the same power supply voltage, a disconnection detection circuit, an internal circuit having the disconnection detection circuit, a power supply ring that supplies the power supply voltage to the internal circuit, and the first power supply A first power supply line for receiving the power supply voltage from a terminal and supplying the power supply voltage to the power supply ring; and a second power supply line for receiving the power supply voltage from the second power supply terminal and supplying the power supply voltage to the power supply ring. And the disconnection detection circuit determines the disconnection of the power supply line to which the power supply voltage is supplied by comparing the waveforms of the first power supply line and the second power supply line when the power supply voltage rises. Semiconductor integrated circuit device. 同一の電源電圧を受ける第一電源端子及び第二電源端子と、前記第一電源端子及び前記第二電源端子から前記電源電圧が供給される内部回路と断線検出回路とを有し、前記第二電源端子からの前記電源電圧の供給が継続されている状態で、前記第一電源端子からの前記電源電圧の供給が途絶えたことを前記断線検出回路が検出した場合は、前記内部回路の動作を止める様に制御される半導体集積回路装置。   A first power supply terminal and a second power supply terminal that receive the same power supply voltage; an internal circuit to which the power supply voltage is supplied from the first power supply terminal and the second power supply terminal; and a disconnection detection circuit. When the disconnection detection circuit detects that the supply of the power supply voltage from the first power supply terminal is interrupted while the supply of the power supply voltage from the power supply terminal is continued, the operation of the internal circuit is performed. A semiconductor integrated circuit device controlled to stop.
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