JP2014000513A - Glass panel separation method and heat treatment device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a glass panel separation method capable of removing a joint material and separating a sheet body from a glass plate in a glass panel such as a PV panel or a laminated glass panel.SOLUTION: To separate a solar battery cell unit 2, tabs 3, a glass plate 4, and a back sheet 5 included in a silicon-based PV panel 1, it is necessary to remove EVA 6 that bonds together the solar battery cell unit 2, the tabs 3, the glass plate 4, and the back sheet 5. To remove the EVA 6, the silicon-based PV panel 1 is introduced into a tunnel kiln 10 and heated in the tunnel kiln 10. If a temperature of the silicon-based PV panel 1 is rapidly increased, then the EVA 6 remains and it is impossible to separate the solar battery cell unit 2 from the glass plate 4. Furthermore, the glass plate 4 is damaged due to a rapid temperature change. Therefore, the temperature of the silicon-based PV panel 1 is gradually increased up to a set maximum temperature, and gradually decreased after reaching the maximum temperature.

Description

本発明は、ガラスパネルを構成するシート体とその一方面に接合されたガラス板とを分離する方法およびそれに用いられる熱処理装置に関する。   The present invention relates to a method for separating a sheet body constituting a glass panel and a glass plate bonded to one surface thereof, and a heat treatment apparatus used therefor.

近年、環境問題や資源問題などへの関心が高まっており、太陽光発電などの自然エネルギーを利用した発電に注目が集まっている。また、太陽光発電パネル(PVパネル)の価格が徐々に下がってきたことで、公共や一般家庭への太陽光発電の普及率が上がってきている。   In recent years, interest in environmental problems and resource problems has increased, and attention has been focused on power generation using natural energy such as solar power generation. Moreover, the price of photovoltaic power generation panels (PV panels) has gradually decreased, and the penetration rate of photovoltaic power generation to the public and general households has increased.

PVパネルの寿命は、15〜20年程度である。太陽光発電が普及し始めたのは、約20年前であり、その初期に導入されたPVパネルは、寿命を終えて、廃棄され始めている。また、PVパネルの生産には、高い生産技術が要求され、初期不良などによる廃棄率も依然として高い。したがって、今後廃棄されるPVパネルの数が年々増え続けることが予想され、PVパネルの再資源化に対する需要が高まりつつある。   The lifetime of the PV panel is about 15 to 20 years. Photovoltaic power generation started to spread about 20 years ago, and PV panels introduced at the beginning of the solar power generation have reached the end of their life and are starting to be discarded. In addition, high production technology is required for the production of PV panels, and the disposal rate due to initial failure is still high. Therefore, it is expected that the number of PV panels discarded in the future will continue to increase year by year, and the demand for recycling PV panels is increasing.

PVパネルには、シリコンセル、ガラス板およびバックシートが含まれる。ガラス板、シリコンセルおよびバックシートは、薄い板状をなしている。たとえば、シリコンセルの一方面および他方面にそれぞれガラス板およびバックシートが接合材として用いられるエチレン酢酸ビニル共重合体(EVA)を介して対向して配置された後、それらの構造物が加熱されながら、ガラス板とバックシートとの間に圧が加えられる。その結果、EVAが架橋・硬化し、そのEVAにより、シリコンセル、ガラス板およびバックシートが互いに接着される。   PV panels include silicon cells, glass plates and backsheets. The glass plate, the silicon cell, and the back sheet have a thin plate shape. For example, after a glass plate and a back sheet are arranged to face each other through an ethylene vinyl acetate copolymer (EVA) used as a bonding material on one side and the other side of a silicon cell, those structures are heated. However, pressure is applied between the glass plate and the backsheet. As a result, EVA is crosslinked and cured, and the silicon cell, the glass plate, and the back sheet are bonded to each other by the EVA.

特開平6−177412号公報Japanese Patent Laid-Open No. 6-177412

PVパネルを再資源化するためには、EVAを除去して、各部材を分離する必要がある。   In order to recycle the PV panel, it is necessary to remove EVA and separate each member.

しかしながら、従来の技術では、シリコンセル、タブおよびガラス板を損傷させることなく、EVAを除去することができないため、PVパネルの再資源化は、現在のところ実現されていない。   However, in the prior art, EVA cannot be removed without damaging the silicon cells, tabs, and glass plates, so PV panel recycling has not been realized at present.

また、従来の技術では、PVパネルに限らず、ガラス板とガラス板とを接合材(PVB)を用いて接合される合わせガラスパネルにおいても、ガラス板を損傷させることなく、接合材を除去することはできない。   Further, in the conventional technology, not only the PV panel but also a laminated glass panel in which a glass plate and a glass plate are bonded using a bonding material (PVB), the bonding material is removed without damaging the glass plate. It is not possible.

本発明の目的は、PVパネルや合わせガラスパネルなどのガラスパネルにおいて、接合材を除去し、シート体とガラス板とを分離させることができる、ガラスパネルの分離方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a glass panel separation method capable of removing a bonding material and separating a sheet body and a glass plate in a glass panel such as a PV panel or a laminated glass panel.

前記の目的を達成するため、本発明の一の局面に係るガラスパネルの分離方法は、ガラスパネルを構成するシート体とその一方面に接合材を介して接合されたガラス板とを分離する方法である。前記分離方法では、前記ガラスパネルを熱処理装置に導入する導入工程と、前記熱処理装置内で前記ガラスパネルを加熱して、前記シート体と前記ガラス板とを互いに分離させる分離工程とを含み、前記分離工程では、前記ガラスパネルの周囲の雰囲気の温度が前記接合材の材料に応じて設定された最高温度まで漸次上昇され、その後、前記雰囲気の温度が前記最高温度から漸次下降される。   In order to achieve the above object, a method for separating a glass panel according to one aspect of the present invention is a method for separating a sheet body constituting a glass panel and a glass plate joined to one surface thereof via a joining material. It is. The separation method includes an introduction step of introducing the glass panel into a heat treatment apparatus, and a separation step of heating the glass panel in the heat treatment apparatus to separate the sheet body and the glass plate from each other, In the separation step, the temperature of the atmosphere around the glass panel is gradually increased to the maximum temperature set according to the material of the bonding material, and then the temperature of the atmosphere is gradually decreased from the maximum temperature.

シート体とガラス板とを分離させるために、シート体とガラス板とを接合している接合材を除去する必要がある。   In order to separate the sheet body and the glass plate, it is necessary to remove the bonding material that joins the sheet body and the glass plate.

ガラスパネルの温度を急激に上昇させると、接合材が完全にガス化される前に、接合材が発火温度に達してしまう。この場合、ガス化されなかった接合材が接合面に残留してしまうため、ガラスパネルからシート体およびガラス板を完全に分離させることができない。また、ガラス板は、急激な温度変化によって損傷を受ける。このため、ガラスパネルの周囲の雰囲気の温度は、接合材の材料に応じて設定された最高温度まで漸次上昇され、最高温度に達した後に、漸次下降される。   When the temperature of the glass panel is rapidly increased, the joining material reaches the ignition temperature before the joining material is completely gasified. In this case, since the bonding material that has not been gasified remains on the bonding surface, the sheet body and the glass plate cannot be completely separated from the glass panel. Further, the glass plate is damaged by a sudden temperature change. For this reason, the temperature of the atmosphere around the glass panel is gradually increased to the maximum temperature set according to the material of the bonding material, and is gradually decreased after reaching the maximum temperature.

これにより、ガラス板を損傷させることなく、接合材を除去することができる。接合材を除去することにより、シート体とガラス板とを分離させることができる。その結果、シート体およびガラス板を再資源化可能な形で得ることができる。   Thereby, a joining material can be removed, without damaging a glass plate. By removing the bonding material, the sheet body and the glass plate can be separated. As a result, the sheet body and the glass plate can be obtained in a recyclable form.

ガラスパネルは、太陽光発電パネルであってもよい。この場合、シート体は、太陽電池セルであり、ガラス板は、太陽電池セルの表面に接合材を介して接合されている。   The glass panel may be a photovoltaic power generation panel. In this case, the sheet body is a solar battery cell, and the glass plate is bonded to the surface of the solar battery cell via a bonding material.

分離工程では、太陽電池セルとガラス板とが分離される。その結果、ガラス板および太陽電池セルを再資源化可能な形で得ることができる。   In the separation step, the solar battery cell and the glass plate are separated. As a result, the glass plate and the solar battery cell can be obtained in a recyclable form.

太陽光発電パネルには、太陽電池セルの表面に接続された配線と、太陽電池セルの裏面に接合材を介して接合されたバックシートとが含まれていてもよい。   The photovoltaic power generation panel may include wiring connected to the surface of the solar battery cell and a back sheet bonded to the back surface of the solar battery cell via a bonding material.

この場合、分離工程において、太陽電池セル、ガラス板および配線をそれぞれ再資源化可能に分離させることができる。バックシートは、通常、加熱中に焼失する。   In this case, in the separation step, the solar battery cell, the glass plate, and the wiring can be separated so as to be recyclable. The backsheet usually burns out during heating.

最高温度が接合材の発火温度よりも低く設定されると、接合材が完全に除去されない。また、最高温度をガラス板の溶融温度に設定すると、ガラス板が溶融するので、ガラス板およびシート体が再資源化できなくなる。最高温度は、接合材の発火温度よりも高く、かつ、ガラス板の溶融温度よりも低い範囲内に設定されることが好ましい。   If the maximum temperature is set lower than the ignition temperature of the bonding material, the bonding material is not completely removed. Further, when the maximum temperature is set to the melting temperature of the glass plate, the glass plate is melted, so that the glass plate and the sheet body cannot be recycled. The maximum temperature is preferably set in a range higher than the ignition temperature of the bonding material and lower than the melting temperature of the glass plate.

これにより、ガラス板を溶融させることなく、接合材を良好に除去することができる。   Thereby, a joining material can be removed favorably, without melting a glass plate.

熱処理装置は、1つのパネル搬送路を形成する複数のチャンバを備えていてもよい。この場合、パネル搬送路の中央部に配置されるチャンバ内の温度が最高温度に制御され、最高温度に制御されたチャンバからパネル搬送路の入口および出口に近いチャンバほど、チャンバ内の温度が低くなるように制御されるとよい。そして、分離工程では、ガラスパネルが、各チャンバを順次に搬送されるとよい。   The heat treatment apparatus may include a plurality of chambers that form one panel conveyance path. In this case, the temperature in the chamber arranged at the center of the panel conveyance path is controlled to the highest temperature, and the chamber closer to the inlet and outlet of the panel conveyance path from the chamber controlled to the highest temperature has a lower temperature in the chamber. It is good to be controlled so that it becomes. And in a separation process, it is good for a glass panel to be sequentially conveyed in each chamber.

また、熱処理装置は、1つのチャンバを備えていてもよい。この場合、チャンバ内温度は、最高温度まで漸次上昇され、最高温度まで加熱された後に、漸次下降されるように制御されるとよい。そして、分離工程では、ガラスパネルがチャンバに静止された状態で加熱されるとよい。   The heat treatment apparatus may include one chamber. In this case, the chamber temperature may be controlled to be gradually increased to the maximum temperature, gradually decreased after being heated to the maximum temperature. In the separation step, the glass panel is preferably heated while being stationary in the chamber.

導入工程において、ガラスパネルは、ガラス板を鉛直下方に向けた姿勢でケージ内に設置されることが好ましい。   In the introducing step, the glass panel is preferably installed in the cage with the glass plate oriented vertically downward.

これにより、分離工程後、ガラス板の上にシート体が残るため、ガラス板およびシート体を容易に回収することができる。   Thereby, since a sheet | seat body remains on a glass plate after a isolation | separation process, a glass plate and a sheet | seat body can be collect | recovered easily.

本発明の他の局面に係る熱処理装置は、ガラスパネルを構成するシート体とその一方面に接合材を介して接合されたガラス板とを分離させるために用いられる熱処理装置である。前記熱処理装置は、ガラスパネルを加熱するチャンバと、チャンバにガラスパネルを導入する導入手段と、チャンバ内にガラスパネルが導入されてからの経過時間に伴って、ガラスパネルの周囲の雰囲気の温度を接合材の材料に応じて設定された最高温度まで漸次上昇させ、その後、ガラスパネルの周囲の雰囲気の温度を前記最高温度から漸次下降させる温度制御手段とを含む。   The heat processing apparatus which concerns on the other situation of this invention is a heat processing apparatus used in order to isolate | separate the sheet | seat body which comprises a glass panel, and the glass plate joined to the one side through the joining material. The heat treatment apparatus includes a chamber for heating the glass panel, introduction means for introducing the glass panel into the chamber, and the temperature of the atmosphere around the glass panel with the elapsed time after the glass panel is introduced into the chamber. Temperature control means for gradually raising the temperature to the maximum temperature set according to the material of the bonding material and then gradually lowering the temperature of the atmosphere around the glass panel from the maximum temperature.

この熱処理装置を用いて、前記分離方法を実施することができる。その結果、接合材を除去して、シート体とガラス板とを分離させることができる。   The separation method can be carried out using this heat treatment apparatus. As a result, the bonding material can be removed and the sheet body and the glass plate can be separated.

本発明によれば、ガラスパネルに用いられている接合材を良好に除去し、シート体とガラス板とを再資源化可能な形で分離させることができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the joining material currently used for the glass panel can be removed favorably, and a sheet body and a glass plate can be isolate | separated in the form which can be recycled.

図1は、本発明の一実施形態に係るシリコン系PVパネルの分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of a silicon-based PV panel according to an embodiment of the present invention. 図2は、太陽電池セルの断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a solar battery cell. 図3は、トンネルキルンの要部構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a main configuration of the tunnel kiln. 図4は、シャトルキルンの要部構成を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a main configuration of the shuttle kiln.

以下では、本発明の実施の形態について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1は、本発明の一実施形態に係るシリコン系PVパネルの分解斜視図である。図2は、太陽電池セルの断面図である。   FIG. 1 is an exploded perspective view of a silicon-based PV panel according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of a solar battery cell.

シリコン系PVパネル1には、太陽電池セルユニット2、タブ3、ガラス板4、バックシート5およびEVA6が含まれている。   The silicon-based PV panel 1 includes a solar cell unit 2, a tab 3, a glass plate 4, a back sheet 5, and EVA 6.

太陽電池セルユニット2は、複数の太陽電池セル50を含む。各太陽電池セル50は、多結晶シリコン7を基板として備えている。多結晶シリコン7の表面は、たとえば、PSG(リンケイ酸ガラス)からなる層間絶縁膜8に覆われている。多結晶シリコン7の表面上には、2個の電極9が形成されている。電極9は、たとえば、Ag(銀)からなる。そして、層間絶縁膜8には、各電極9と対向する位置に開口が形成されており、電極9は、開口を介して、層間絶縁膜8上に隆起状に突出している。   Solar cell unit 2 includes a plurality of solar cells 50. Each solar cell 50 includes polycrystalline silicon 7 as a substrate. The surface of the polycrystalline silicon 7 is covered with an interlayer insulating film 8 made of, for example, PSG (phosphosilicate glass). Two electrodes 9 are formed on the surface of the polycrystalline silicon 7. The electrode 9 is made of, for example, Ag (silver). An opening is formed in the interlayer insulating film 8 at a position facing each electrode 9, and the electrode 9 protrudes in a raised shape on the interlayer insulating film 8 through the opening.

複数の太陽電池セル50は、正方行列状に配置されている。行方向に整列する太陽電池セル50は、各太陽電池セル50の電極9間に配線51が架設されることにより、電気的に直列接続され、直列接続構造物をなしている。各直列接続構造物は、電気的に並列に接続されている。   The plurality of solar cells 50 are arranged in a square matrix. The photovoltaic cells 50 aligned in the row direction are electrically connected in series by laying wiring 51 between the electrodes 9 of each photovoltaic cell 50, forming a series connection structure. Each series connection structure is electrically connected in parallel.

タブ3は、たとえば、2本設けられている。タブ3は、金属からなる細長い薄板状をなしている。また、タブ3は、互いに平行になるように並べられている。各タブ3の一端部は、配線51と電気的に接続されている。タブ3の他端部は、平面視で太陽電池セルユニット2の外側に張り出している。   For example, two tabs 3 are provided. The tab 3 has an elongated thin plate shape made of metal. The tabs 3 are arranged so as to be parallel to each other. One end of each tab 3 is electrically connected to the wiring 51. The other end of the tab 3 protrudes outside the solar cell unit 2 in plan view.

ガラス板4は、平面視で太陽電池セルユニット2と同形状かつほぼ同じ大きさに形成されている。ガラス板4は、太陽電池セルユニット2と対向して配置されている。これにより、タブ3は、太陽電池セルユニット2とガラス板4との間に挟まれている。太陽電池セルユニット2がガラス板4によって覆われることにより、シリコン系PVパネル1は、透光性を確保しながら、長期間の屋外使用に耐えることができる。   The glass plate 4 is formed in the same shape and substantially the same size as the solar cell unit 2 in plan view. The glass plate 4 is disposed to face the solar battery cell unit 2. Thereby, the tab 3 is sandwiched between the solar cell unit 2 and the glass plate 4. By covering the solar battery cell unit 2 with the glass plate 4, the silicon-based PV panel 1 can withstand long-term outdoor use while ensuring translucency.

バックシート5は、平面視で太陽電池セルユニット2と同形状かつほぼ同じ大きさに形成されている。バックシート5は、太陽電池セルユニット2のガラス板4と面していない面と対向して配置されている。   The back sheet 5 is formed in the same shape and substantially the same size as the solar cell unit 2 in plan view. The back sheet 5 is disposed to face the surface of the solar battery unit 2 that does not face the glass plate 4.

EVA6は、太陽電池セルユニット2とガラス板4およびバックシート5との隙間を満たすように配置されている。   EVA6 is arrange | positioned so that the clearance gap between the photovoltaic cell unit 2, the glass plate 4, and the backsheet 5 may be satisfy | filled.

シリコン系PVパネル1の製造時には、たとえば、2枚のシート状のEVA6が太陽電池セルユニット2とガラス板4およびバックシート5との間にそれぞれ配置される。その後、太陽電池セルユニット2、タブ3、ガラス板4、バックシート5およびEVA6が加熱されるとともに、ガラス板4とバックシート5とがそれらの対向方向に加圧される。これにより、EVA6が架橋・硬化され、太陽電池セルユニット2とガラス板4およびバックシート5とがEVA6によって接合される。また、各太陽電池セル50の間にEVA6が入り込み、ガラス板4とバックシート5との間で、各太陽電池セル50がEVA6によって封止される。   When the silicon-based PV panel 1 is manufactured, for example, two sheet-like EVAs 6 are respectively disposed between the solar battery cell unit 2, the glass plate 4, and the back sheet 5. Thereafter, the solar cell unit 2, the tab 3, the glass plate 4, the back sheet 5 and the EVA 6 are heated, and the glass plate 4 and the back sheet 5 are pressurized in the facing direction. Thereby, EVA6 is bridge | crosslinked and hardened | cured and the photovoltaic cell unit 2, the glass plate 4, and the backsheet 5 are joined by EVA6. Further, EVA 6 enters between the solar cells 50, and each solar cell 50 is sealed with EVA 6 between the glass plate 4 and the back sheet 5.

図3は、トンネルキルン10の要部構成を示すブロック図である。   FIG. 3 is a block diagram showing a main configuration of the tunnel kiln 10.

トンネルキルン10は、シリコン系PVパネル1を加熱して、EVA6を除去するための熱処理装置である。   The tunnel kiln 10 is a heat treatment apparatus for heating the silicon-based PV panel 1 and removing the EVA 6.

トンネルキルン10には、シリコン系PVパネル1を搬送するためのパネル搬送路11が形成されている。パネル搬送路11は、直線状に延びている。   In the tunnel kiln 10, a panel transport path 11 for transporting the silicon-based PV panel 1 is formed. The panel conveyance path 11 extends linearly.

パネル搬送路11上には、第1チャンバ21、第2チャンバ22、第3チャンバ23、第4チャンバ24、第5チャンバ25、第6チャンバ26、第7チャンバ27および第8チャンバ28が並設されている。パネル搬送路11を搬送されるシリコン系PVパネル1は、第1チャンバ21〜第8チャンバ28をこの順に経由する。   A first chamber 21, a second chamber 22, a third chamber 23, a fourth chamber 24, a fifth chamber 25, a sixth chamber 26, a seventh chamber 27, and an eighth chamber 28 are arranged in parallel on the panel conveyance path 11. Has been. The silicon-based PV panel 1 transported through the panel transport path 11 passes through the first chamber 21 to the eighth chamber 28 in this order.

第1チャンバ21〜第8チャンバ28には、温度センサ13が備えられる。温度センサ13は、それぞれ第1チャンバ21〜第8チャンバ28内の温度(チャンバ内温度)を検出する。   The temperature sensor 13 is provided in the first chamber 21 to the eighth chamber 28. The temperature sensors 13 detect the temperatures in the first chamber 21 to the eighth chamber 28 (chamber temperature), respectively.

また、トンネルキルン10には、制御部14が備えられている。制御部14には、ヒータ12が制御対象として接続されている。また、制御部14には、温度センサ13が接続されている。   The tunnel kiln 10 is provided with a control unit 14. The heater 12 is connected to the control unit 14 as a control target. Further, a temperature sensor 13 is connected to the control unit 14.

第1チャンバ21〜第8チャンバ28には、それぞれ目標温度が設定されている。制御部14は、温度センサ13によって検出されたチャンバ内温度と目標温度とを比較し、チャンバ内温度が目標温度に一致するように、ヒータ12を制御する。   A target temperature is set for each of the first chamber 21 to the eighth chamber 28. The control unit 14 compares the temperature in the chamber detected by the temperature sensor 13 with the target temperature, and controls the heater 12 so that the temperature in the chamber matches the target temperature.

出入口からもっとも離れた第4チャンバ24または第5チャンバ25の目標温度は、最高温度(450℃よりも高い温度)に設定される。   The target temperature of the fourth chamber 24 or the fifth chamber 25 farthest from the entrance / exit is set to a maximum temperature (a temperature higher than 450 ° C.).

第4チャンバ24の目標温度が最高温度に設定される場合、第1チャンバ21、第2チャンバ22および第3チャンバ23の目標温度は、この順に高くなるように設定される。また、第5チャンバ25、第6チャンバ26、第7チャンバ27および第8チャンバ28の目標温度は、この順に低くなるように設定される。   When the target temperature of the fourth chamber 24 is set to the maximum temperature, the target temperatures of the first chamber 21, the second chamber 22, and the third chamber 23 are set to increase in this order. The target temperatures of the fifth chamber 25, the sixth chamber 26, the seventh chamber 27, and the eighth chamber 28 are set so as to decrease in this order.

第5チャンバ25の目標温度が最高温度に設定される場合、第1チャンバ21、第2チャンバ22、第3チャンバ23および第4チャンバ24の目標温度は、この順に高くなるように設定される。また、第6チャンバ26、第7チャンバ27および第8チャンバ28の目標温度は、この順に低くなるように設定される。   When the target temperature of the fifth chamber 25 is set to the maximum temperature, the target temperatures of the first chamber 21, the second chamber 22, the third chamber 23, and the fourth chamber 24 are set to increase in this order. The target temperatures of the sixth chamber 26, the seventh chamber 27, and the eighth chamber 28 are set so as to decrease in this order.

具体的には、第1チャンバ21の目標温度は、約170℃から約200℃の範囲に設定される。第2チャンバ22の目標温度は、約220℃から約260℃の範囲に設定される。第3チャンバ23の目標温度は、約340℃から約370℃の範囲に設定される。第4チャンバ24の目標温度は、約450℃から約460℃の範囲に設定される。第5チャンバ25の目標温度は、約450℃から約480℃の範囲に設定される。また、第6チャンバ26の目標温度は、約300℃から約350℃の範囲に設定される。第7チャンバ27の目標温度は、約250℃に設定される。第8チャンバ28の目標温度は、約150℃に設定される。   Specifically, the target temperature of the first chamber 21 is set in a range of about 170 ° C. to about 200 ° C. The target temperature of the second chamber 22 is set in the range of about 220 ° C. to about 260 ° C. The target temperature of the third chamber 23 is set in the range of about 340 ° C. to about 370 ° C. The target temperature of the fourth chamber 24 is set in the range of about 450 ° C. to about 460 ° C. The target temperature of the fifth chamber 25 is set in the range of about 450 ° C. to about 480 ° C. Further, the target temperature of the sixth chamber 26 is set in a range of about 300 ° C. to about 350 ° C. The target temperature of the seventh chamber 27 is set to about 250 ° C. The target temperature of the eighth chamber 28 is set to about 150 ° C.

トンネルキルン10には、ケージ15が備えられている。ケージ15は、シリコン系PVパネル1がパネル搬送路11上を移動するために用いられる。   The tunnel kiln 10 is provided with a cage 15. The cage 15 is used for the silicon-based PV panel 1 to move on the panel conveyance path 11.

シリコン系PVパネル1は、ガラス板4を鉛直下方に向けた姿勢で、ケージ15に搭載される。シリコン系PVパネル1は、ケージ15に搭載された後に、トンネルキルン10内に導入されて、パネル搬送路11上を第1チャンバ21から第8チャンバ28まで移動される。   The silicon-based PV panel 1 is mounted on the cage 15 with the glass plate 4 oriented vertically downward. After the silicon PV panel 1 is mounted on the cage 15, the silicon PV panel 1 is introduced into the tunnel kiln 10 and moved from the first chamber 21 to the eighth chamber 28 on the panel conveyance path 11.

第4チャンバ24の目標温度が最高温度に設定されている場合、シリコン系PVパネル1が第1チャンバ21から第4チャンバ24まで移動する間に、シリコン系PVパネル1の温度が緩やかに上昇する。その後、シリコン系PVパネル1が第4チャンバ24から第8チャンバまで移動する間に、シリコン系PVパネル1の温度が緩やかに下降する。   When the target temperature of the fourth chamber 24 is set to the maximum temperature, the temperature of the silicon PV panel 1 gradually increases while the silicon PV panel 1 moves from the first chamber 21 to the fourth chamber 24. . Thereafter, while the silicon-based PV panel 1 moves from the fourth chamber 24 to the eighth chamber, the temperature of the silicon-based PV panel 1 gradually decreases.

第5チャンバ25の目標温度が最高温度に設定されている場合、シリコン系PVパネル1が第1チャンバ21から第5チャンバ25まで移動する間に、シリコン系PVパネル1の温度が緩やかに上昇する。その後、シリコン系PVパネル1が第5チャンバ25から第8チャンバまで移動する間に、シリコン系PVパネル1の温度が緩やかに下降する。   When the target temperature of the fifth chamber 25 is set to the maximum temperature, the temperature of the silicon-based PV panel 1 gradually increases while the silicon-based PV panel 1 moves from the first chamber 21 to the fifth chamber 25. . Thereafter, while the silicon-based PV panel 1 moves from the fifth chamber 25 to the eighth chamber, the temperature of the silicon-based PV panel 1 gradually decreases.

これにより、EVA6が除去され、太陽電池セルユニット2、タブ3、ガラス板4およびバックシート5を分離することができる。   Thereby, EVA6 is removed and the photovoltaic cell unit 2, the tab 3, the glass plate 4, and the backsheet 5 can be isolate | separated.

以上のように、シリコン系PVパネル1に含まれる太陽電池セルユニット2、タブ3、ガラス板4およびバックシート5を分離するために、太陽電池セルユニット2とガラス板4およびバックシート5とを接着しているEVA6を除去する必要がある。   As described above, in order to separate the solar cell unit 2, the tab 3, the glass plate 4 and the back sheet 5 included in the silicon-based PV panel 1, the solar cell unit 2, the glass plate 4 and the back sheet 5 are separated. It is necessary to remove the adhered EVA 6.

EVA6を除去するために、シリコン系PVパネル1は、トンネルキルン10に導入されて加熱される。   In order to remove the EVA 6, the silicon-based PV panel 1 is introduced into the tunnel kiln 10 and heated.

シリコン系PVパネル1の温度を急激に上昇させると、EVA6が完全にガス化される前に、EVA6が発火温度に達してしまう。この場合、ガス化されなかったEVA6が接合面に残留してしまうため、太陽電池セルユニット2とガラス板4とを完全に分離させることができない。また、ガラス板4は、急激な温度変化によって破損する。このため、シリコン系PVパネル1の温度は、EVA6の材料に応じて設定された最高温度まで漸次上昇され、最高温度に達した後に、漸次下降される。   When the temperature of the silicon-based PV panel 1 is rapidly increased, the EVA 6 reaches the ignition temperature before the EVA 6 is completely gasified. In this case, since the EVA 6 that has not been gasified remains on the joint surface, the solar cell unit 2 and the glass plate 4 cannot be completely separated. Moreover, the glass plate 4 is damaged by a rapid temperature change. For this reason, the temperature of the silicon-based PV panel 1 is gradually increased to the maximum temperature set according to the material of the EVA 6, and is gradually decreased after reaching the maximum temperature.

これにより、ガラス板4を損傷させることなく、EVA6を除去することができる。EVA6を除去することにより、太陽電池セルユニット2、ガラス板4およびバックシート5を分離させることができる。バックシート5は、通常、加熱中に焼失する。その結果、太陽電池セルユニット2、タブ3およびガラス板4を再資源化可能な形で得ることができる。   Thereby, EVA6 can be removed, without damaging the glass plate 4. FIG. By removing EVA 6, solar cell unit 2, glass plate 4 and backsheet 5 can be separated. The backsheet 5 is usually burned off during heating. As a result, the solar cell unit 2, the tab 3, and the glass plate 4 can be obtained in a form that can be recycled.

最高温度がEVA6の発火温度よりも低く設定されると、EVA6が完全に除去されない。また、最高温度をガラス板4の溶融温度に設定すると、ガラス板4が溶融するので、太陽電池セルユニット2、ガラス板4およびバックシート5が再資源化できなくなる。最高温度は、EVA6の発火温度よりも高く、かつ、ガラス板4の溶融温度よりも低い範囲内に設定される。   If the maximum temperature is set lower than the ignition temperature of EVA6, EVA6 is not completely removed. If the maximum temperature is set to the melting temperature of the glass plate 4, the glass plate 4 melts, so that the solar cell unit 2, the glass plate 4, and the back sheet 5 cannot be recycled. The maximum temperature is set in a range higher than the ignition temperature of EVA 6 and lower than the melting temperature of glass plate 4.

これにより、ガラス板4を溶融させることなくEVA6を良好に除去することができる。   Thereby, EVA6 can be removed favorably, without making the glass plate 4 fuse | melt.

トンネルキルン10は、直線状に延びるパネル搬送路11上に並設された第1チャンバ21〜第8チャンバ28を備えている。この場合、第4チャンバ24または第5チャンバ25の温度が最高温度に制御され、第1チャンバ21、第2チャンバ22および第3チャンバ23の温度がこの順に高くなるように制御され、第6チャンバ26、第7チャンバ27および第8チャンバ28の温度がこの順に低くなるように制御される。そして、分離工程において、シリコン系PVパネル1は、第1チャンバ21〜第8チャンバ28をこの順に搬送される。   The tunnel kiln 10 includes a first chamber 21 to an eighth chamber 28 arranged side by side on a panel conveyance path 11 extending in a straight line. In this case, the temperature of the fourth chamber 24 or the fifth chamber 25 is controlled to the maximum temperature, and the temperatures of the first chamber 21, the second chamber 22, and the third chamber 23 are controlled to increase in this order, and the sixth chamber 26, the temperature of the seventh chamber 27 and the eighth chamber 28 is controlled to decrease in this order. In the separation step, the silicon-based PV panel 1 is transported through the first chamber 21 to the eighth chamber 28 in this order.

また、シリコン系PVパネル1は、ガラス板4を鉛直下方に向けた姿勢でケージ15内に収容される。   The silicon-based PV panel 1 is housed in the cage 15 with the glass plate 4 facing vertically downward.

これにより、分離工程後、ガラス板4の上に太陽電池セルユニット2およびタブ3が残るため、ガラス板4、太陽電池セルユニット2およびタブ3を容易に回収することができる。   Thereby, since the photovoltaic cell unit 2 and the tab 3 remain on the glass plate 4 after the separation step, the glass plate 4, the photovoltaic cell unit 2 and the tab 3 can be easily recovered.

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。   As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form.

たとえば、熱処理装置として、メッシュベルトキルンが用いられてもよい。メッシュベルトキルンは、ケージ15に代えて、コンベアベルトを備えている以外、トンネルキルン10とほぼ同じ構成を有している。シリコン系PVパネル1は、コンベアベルトに搭載されて、各チャンバを順次に経由して搬送される。   For example, a mesh belt kiln may be used as the heat treatment apparatus. The mesh belt kiln has substantially the same configuration as the tunnel kiln 10 except that it includes a conveyor belt instead of the cage 15. The silicon-based PV panel 1 is mounted on a conveyor belt and conveyed through each chamber sequentially.

また、トンネルキルン10は、第1チャンバ21〜第8チャンバ28を備えているとしたが、これに限らず、3個以上のチャンバを備えていればよい。3個以上のチャンバを備える構成において、パネル搬送路11の中央部に配置されるチャンバの温度が最高温度に制御されるとともに、各チャンバの温度が入口に近いチャンバから最高温度に設定されたチャンバまで漸次上昇され、その後、最高温度から漸次下降されるように制御されれば、第1チャンバ21〜第8チャンバ28を備える構成と同様の効果が得られる。   Moreover, although the tunnel kiln 10 is provided with the first chamber 21 to the eighth chamber 28, the tunnel kiln 10 is not limited thereto, and may be provided with three or more chambers. In a configuration including three or more chambers, the temperature of the chamber disposed in the center of the panel conveyance path 11 is controlled to the highest temperature, and the temperature of each chamber is set to the highest temperature from the chamber close to the inlet If it is controlled so as to be gradually raised to the maximum temperature and then gradually lowered from the maximum temperature, the same effect as that of the configuration including the first chamber 21 to the eighth chamber 28 can be obtained.

また、たとえば、熱処理装置として、トンネルキルン10に代えて、図4に示されるシャトルキルン30が用いられてもよい。   Further, for example, a shuttle kiln 30 shown in FIG. 4 may be used as a heat treatment apparatus instead of the tunnel kiln 10.

シャトルキルン30は、単一のチャンバ31を備えている。チャンバ31には、ヒータ32および温度センサ33が設けられている。   The shuttle kiln 30 includes a single chamber 31. The chamber 31 is provided with a heater 32 and a temperature sensor 33.

また、シャトルキルン30には、制御部34が備えられている。制御部34には、ヒータ32が制御対象として接続されている。また、制御部34には、温度センサ33が接続されている。   The shuttle kiln 30 is provided with a control unit 34. A heater 32 is connected to the control unit 34 as a control target. A temperature sensor 33 is connected to the control unit 34.

制御部34は、温度センサ33によって検出されたチャンバ31内の温度と目標温度を比較し、チャンバ31内の温度が目標温度に一致するようにヒータ32を制御する。   The control unit 34 compares the temperature in the chamber 31 detected by the temperature sensor 33 with the target temperature, and controls the heater 32 so that the temperature in the chamber 31 matches the target temperature.

シャトルキルン30は、ケージ35を備えている。ケージ35は、シリコン系PVパネル1をチャンバ31に導入するために用いられる。   The shuttle kiln 30 includes a cage 35. The cage 35 is used for introducing the silicon-based PV panel 1 into the chamber 31.

シリコン系PVパネル1は、ガラス板4を鉛直下方に向けた姿勢でケージ35に搭載される。シリコン系PVパネル1は、ケージ35に搭載された後に、チャンバ31内に導入されて、チャンバ31内に静止された状態で、加熱される。チャンバ31内の目標温度は、導入直後の室温から設定された最高温度にまで漸次上昇される。その後、チャンバ31内の目標温度は、最高温度から漸次下降される。チャンバ31内の目標温度の最高温度は、450℃よりも高い温度に設定されている。シリコン系PVパネル1への加熱が終わると、ケージ35は、チャンバ31内から取り出される。   The silicon-based PV panel 1 is mounted on the cage 35 with the glass plate 4 oriented vertically downward. After the silicon-based PV panel 1 is mounted on the cage 35, the silicon-based PV panel 1 is introduced into the chamber 31 and heated in a state of being stationary in the chamber 31. The target temperature in the chamber 31 is gradually increased from the room temperature immediately after introduction to the set maximum temperature. Thereafter, the target temperature in the chamber 31 is gradually lowered from the maximum temperature. The maximum target temperature in the chamber 31 is set to a temperature higher than 450 ° C. When the heating of the silicon-based PV panel 1 is finished, the cage 35 is taken out from the chamber 31.

これにより、シリコン系PVパネル1の温度は、チャンバ31への導入後、チャンバ31内の温度上昇に伴って上昇し、チャンバ31内の温度が設定された最高温度に達した後、チャンバ31内の温度下降に伴って下降する。このため、熱処理装置としてシャトルキルン30が用いられる場合においても、熱処理装置としてトンネルキルン10が用いられる場合と同様な効果が得られる。   Thereby, the temperature of the silicon-based PV panel 1 rises as the temperature in the chamber 31 rises after being introduced into the chamber 31, and after the temperature in the chamber 31 reaches the set maximum temperature, The temperature drops as the temperature drops. For this reason, even when the shuttle kiln 30 is used as a heat treatment apparatus, the same effects as when the tunnel kiln 10 is used as a heat treatment apparatus are obtained.

シャトルキルン30においても、ケージ35に代えて、コンベアベルトが備えられていてもよい。   Also in the shuttle kiln 30, a conveyor belt may be provided instead of the cage 35.

また、多結晶シリコン7を太陽電池パネルに用いられる光電変換素子の一例として取り上げたが、光電変換素子として、たとえば、多結晶シリコン以外のシリコン系光電変換素子や化合物系および有機系の光電変換素子が用いられていてもよい。   Moreover, although the polycrystalline silicon 7 was taken up as an example of the photoelectric conversion element used for a solar cell panel, as a photoelectric conversion element, silicon type photoelectric conversion elements other than polycrystalline silicon, a compound type, and an organic type photoelectric conversion element, for example May be used.

酢酸ビニルの含有率によってEVA6の発火温度が変化するため、それに応じて、トンネルキルン10またはシャトルキルン30における最高温度を設定することが好ましい。   Since the ignition temperature of EVA 6 varies depending on the content of vinyl acetate, it is preferable to set the maximum temperature in tunnel kiln 10 or shuttle kiln 30 accordingly.

また、この熱処理方法は、車両用のフロントガラスなどの、合わせガラスパネルにも適用できる。合わせガラスパネルは、ガラス板の一方面に接合材(PVB)を介してガラス板が積層される。この場合、PVBの発火温度に応じた最高温度が設定された熱処理装置を用いて本実施形態に記載された熱処理を行うと、接合材を除去し、フロントガラスに含まれるガラス板を取り出すことができる。   This heat treatment method can also be applied to a laminated glass panel such as a windshield for a vehicle. In the laminated glass panel, a glass plate is laminated on one surface of a glass plate via a bonding material (PVB). In this case, when the heat treatment described in the present embodiment is performed using a heat treatment apparatus in which the maximum temperature corresponding to the ignition temperature of PVB is set, the bonding material is removed and the glass plate included in the windshield can be taken out. it can.

その他、前述の構成には、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。   In addition, various design changes can be made to the above-described configuration within the scope of the matters described in the claims.

次に、本発明を、実施例および比較例に基づいて説明するが、本発明は、以下の実施例によって限定されるものではない。   Next, the present invention will be described based on examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples.

次に説明する実施例1〜3および比較例1〜3では、前述の第1実施形態に係る構成のトンネルキルンを用いて、シリコン系PVパネルを、一定速度で移動させて、トンネルキルンの第1チャンバ、第2チャンバ、第3チャンバ、第4チャンバ、第5チャンバ、第6チャンバ、第7チャンバおよび第8チャンバの順に通過させた。シリコン系PVパネルが第1チャンバ〜第8チャンバを通過するのに要する時間は、一つのチャンバにつき、それぞれ、12分である。また、実施例1〜3および比較例1〜3における第1チャンバ〜第8チャンバの目標温度は、表1〜表6に示すとおりである。
<実施例1>

Figure 2014000513
In Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 to be described next, using the tunnel kiln having the configuration according to the first embodiment described above, the silicon-based PV panel is moved at a constant speed, and the tunnel kiln first The first chamber, the second chamber, the third chamber, the fourth chamber, the fifth chamber, the sixth chamber, the seventh chamber, and the eighth chamber were passed through in this order. The time required for the silicon-based PV panel to pass through the first to eighth chambers is 12 minutes for each chamber. Further, the target temperatures of the first to eighth chambers in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 are as shown in Tables 1 to 6.
<Example 1>
Figure 2014000513

実施例1では、第1チャンバ、第2チャンバ、第3チャンバ、第4チャンバ、第5チャンバ、第6チャンバ、第7チャンバおよび第8チャンバの目標温度(炉内設定温度)がそれぞれ170℃、250℃、350℃、450℃、480℃、350℃、250℃、および150℃に設定されている。   In Example 1, the target temperatures (in-furnace set temperatures) of the first chamber, the second chamber, the third chamber, the fourth chamber, the fifth chamber, the sixth chamber, the seventh chamber, and the eighth chamber are 170 ° C., It is set to 250 ° C, 350 ° C, 450 ° C, 480 ° C, 350 ° C, 250 ° C, and 150 ° C.

このとき、トンネルキルンを通過後のケージ内において、太陽電池セル、ガラス板、バックシートおよびタブが互いに分離されていた。
<実施例2>

Figure 2014000513
At this time, the solar cell, the glass plate, the back sheet, and the tab were separated from each other in the cage after passing through the tunnel kiln.
<Example 2>
Figure 2014000513

実施例2では、第1チャンバ、第2チャンバ、第3チャンバ、第4チャンバ、第5チャンバ、第6チャンバ、第7チャンバおよび第8チャンバの目標温度(炉内設定温度)がそれぞれ200℃、220℃、340℃、460℃、450℃、300℃、250℃、および150℃に設定されている。   In Example 2, the target temperature (in-furnace set temperature) of each of the first chamber, the second chamber, the third chamber, the fourth chamber, the fifth chamber, the sixth chamber, the seventh chamber, and the eighth chamber is 200 ° C., 220 ° C, 340 ° C, 460 ° C, 450 ° C, 300 ° C, 250 ° C, and 150 ° C.

このとき、トンネルキルンを通過後のケージ内において、太陽電池セル、ガラス板、バックシートおよびタブが互いに分離されていた。しかしながら、各部材からEVAが完全に除去できていなかった。
<実施例3>

Figure 2014000513
At this time, the solar cell, the glass plate, the back sheet, and the tab were separated from each other in the cage after passing through the tunnel kiln. However, EVA was not completely removed from each member.
<Example 3>
Figure 2014000513

実施例3では、第1チャンバ、第2チャンバ、第3チャンバ、第4チャンバ、第5チャンバ、第6チャンバ、第7チャンバおよび第8チャンバの目標温度(炉内設定温度)がそれぞれ200℃、260℃、370℃、460℃、470℃、320℃、250℃、および150℃に設定されている。   In Example 3, the target temperatures (in-furnace set temperatures) of the first chamber, the second chamber, the third chamber, the fourth chamber, the fifth chamber, the sixth chamber, the seventh chamber, and the eighth chamber are 200 ° C., 260 ° C, 370 ° C, 460 ° C, 470 ° C, 320 ° C, 250 ° C, and 150 ° C.

このとき、トンネルキルンを通過後のケージ内において、太陽電池セル、ガラス板、バックシートおよびタブが互いに分離されていた。しかしながら、各部材からEVAが完全に除去できていなかった。
<比較例1>

Figure 2014000513
At this time, the solar cell, the glass plate, the back sheet, and the tab were separated from each other in the cage after passing through the tunnel kiln. However, EVA was not completely removed from each member.
<Comparative Example 1>
Figure 2014000513

比較例1では、第1チャンバ、第2チャンバ、第3チャンバ、第4チャンバ、第5チャンバ、第6チャンバ、第7チャンバおよび第8チャンバの目標温度(炉内設定温度)がそれぞれ170℃、250℃、350℃、450℃、450℃、350℃、250℃、および150℃に設定されている。   In Comparative Example 1, the target temperatures (in-furnace set temperatures) of the first chamber, the second chamber, the third chamber, the fourth chamber, the fifth chamber, the sixth chamber, the seventh chamber, and the eighth chamber are 170 ° C., It is set to 250 ° C., 350 ° C., 450 ° C., 450 ° C., 350 ° C., 250 ° C., and 150 ° C.

このとき、トンネルキルンを通過後のケージ内において、太陽電池セル、ガラス板、バックシートおよびタブが互いに分離される場合と互いに分離されていない場合とがあった。
<比較例2>

Figure 2014000513
At this time, in the cage after passing through the tunnel kiln, the solar cell, the glass plate, the back sheet, and the tab may be separated from each other or may not be separated from each other.
<Comparative example 2>
Figure 2014000513

比較例2では、第1チャンバ、第2チャンバ、第3チャンバ、第4チャンバ、第5チャンバ、第6チャンバ、第7チャンバおよび第8チャンバの目標温度(炉内設定温度)がそれぞれ190℃、220℃、340℃、400℃、360℃、300℃、250℃、および150℃に設定されている。   In Comparative Example 2, the target temperatures (in-furnace set temperatures) of the first chamber, the second chamber, the third chamber, the fourth chamber, the fifth chamber, the sixth chamber, the seventh chamber, and the eighth chamber are 190 ° C., 220 ° C., 340 ° C., 400 ° C., 360 ° C., 300 ° C., 250 ° C., and 150 ° C.

このとき、トンネルキルンを通過後のケージ内において、太陽電池セル、ガラス板、バックシートおよびタブが互いに分離されず、EVAが完全に除去できていなかった。
<比較例3>

Figure 2014000513
At this time, in the cage after passing through the tunnel kiln, the solar cells, the glass plate, the back sheet, and the tab were not separated from each other, and EVA was not completely removed.
<Comparative Example 3>
Figure 2014000513

比較例3では、第1チャンバ、第2チャンバ、第3チャンバ、第4チャンバ、第5チャンバ、第6チャンバ、第7チャンバおよび第8チャンバの目標温度(炉内設定温度)がそれぞれ170℃、250℃、350℃、400℃、350℃、300℃、250℃、および150℃に設定されている。   In Comparative Example 3, the target temperatures (in-furnace set temperatures) of the first chamber, the second chamber, the third chamber, the fourth chamber, the fifth chamber, the sixth chamber, the seventh chamber, and the eighth chamber are 170 ° C., It is set to 250 ° C., 350 ° C., 400 ° C., 350 ° C., 300 ° C., 250 ° C., and 150 ° C.

このとき、トンネルキルンを通過後のケージ内において、太陽電池セル、ガラス板、バックシートおよびタブが互いに分離されず、EVAが完全に除去できていなかった。   At this time, in the cage after passing through the tunnel kiln, the solar cells, the glass plate, the back sheet, and the tab were not separated from each other, and EVA was not completely removed.

実施例1〜3の温度条件では、トンネルキルンを通過後のケージ内において、太陽電池セル、ガラス板、バックシートおよびタブが互いに分離されていた。しかしながら、比較例1〜3の温度条件では、トンネルキルンを通過後のケージ内において、太陽電池セル、ガラス板、バックシートおよびタブが互いに分離されていなかった。   In the temperature conditions of Examples 1 to 3, the solar battery cell, the glass plate, the back sheet, and the tab were separated from each other in the cage after passing through the tunnel kiln. However, in the temperature conditions of Comparative Examples 1 to 3, the solar battery cell, the glass plate, the back sheet, and the tab were not separated from each other in the cage after passing through the tunnel kiln.

この結果から、第1チャンバの目標温度は、約170℃から約200℃の範囲に設定される。第2チャンバの目標温度は、約220℃から約260℃の範囲に設定され、第3チャンバの目標温度は、約340℃から約370℃の範囲に設定され、第4チャンバの目標温度は、約450℃から約460℃の範囲に設定され、第5チャンバの目標温度は、EVAの発火温度以上、つまり、約450℃以上、好ましくは約450℃から約480℃の範囲に設定され、第6チャンバの目標温度は、約300℃から約350℃の範囲に設定され、第7チャンバの目標温度は約250℃に設定され、第8チャンバの目標温度は、約150℃に設定されるとよいことが判る。   From this result, the target temperature of the first chamber is set in the range of about 170 ° C. to about 200 ° C. The target temperature of the second chamber is set in the range of about 220 ° C. to about 260 ° C., the target temperature of the third chamber is set in the range of about 340 ° C. to about 370 ° C., and the target temperature of the fourth chamber is The target temperature of the fifth chamber is set to be higher than the ignition temperature of EVA, that is, higher than about 450 ° C., preferably in the range of about 450 ° C. to about 480 ° C. The target temperature of the six chamber is set in the range of about 300 ° C. to about 350 ° C., the target temperature of the seventh chamber is set to about 250 ° C., and the target temperature of the eighth chamber is set to about 150 ° C. I know it ’s good.

1 シリコン系PVパネル(ガラスパネル、太陽光発電パネル)
2 太陽電池セルユニット(シート体、太陽電池セル)
3 タブ(配線)
4 ガラス板
5 バックシート
6 EVA(接合材)
10 トンネルキルン(熱処理装置)
21 第1チャンバ(チャンバ)
22 第2チャンバ(チャンバ)
23 第3チャンバ(チャンバ)
24 第4チャンバ(チャンバ)
25 第5チャンバ(チャンバ)
26 第6チャンバ(チャンバ)
27 第7チャンバ(チャンバ)
28 第8チャンバ(チャンバ)
30 シャトルキルン(熱処理装置)
31 チャンバ
51 配線
1 Silicon PV panels (glass panels, photovoltaic panels)
2 Solar cell unit (sheet, solar cell)
3 Tab (wiring)
4 Glass plate 5 Back sheet 6 EVA (bonding material)
10 Tunnel kiln (heat treatment equipment)
21 First chamber (chamber)
22 Second chamber (chamber)
23 Third chamber (chamber)
24 Fourth chamber (chamber)
25 Fifth chamber (chamber)
26 Sixth chamber (chamber)
27 Seventh chamber (chamber)
28 Eighth chamber (chamber)
30 Shuttle kiln (heat treatment equipment)
31 Chamber 51 Wiring

Claims (8)

ガラスパネルを構成するシート体とその一方面に接合材を介して接合されたガラス板とを分離する方法であって、
前記ガラスパネルを熱処理装置に導入する導入工程と、
前記熱処理装置内で前記ガラスパネルを加熱して、前記シート体と前記ガラス板とを互いに分離させる分離工程とを含み、
前記分離工程では、前記ガラスパネルの周囲の雰囲気の温度が前記接合材の材料に応じて設定された最高温度まで漸次上昇され、その後、前記雰囲気の温度が前記最高温度から漸次下降される、ガラスパネルの分離方法。
A method of separating a sheet body constituting a glass panel and a glass plate bonded to one surface of the sheet body through a bonding material,
An introducing step of introducing the glass panel into a heat treatment apparatus;
A separation step of heating the glass panel in the heat treatment apparatus to separate the sheet body and the glass plate from each other;
In the separation step, the temperature of the atmosphere around the glass panel is gradually increased to the maximum temperature set according to the material of the bonding material, and then the temperature of the atmosphere is gradually decreased from the maximum temperature. Panel separation method.
前記ガラスパネルは、太陽光発電パネルであり、
前記シート体は、太陽電池セルであり、
前記ガラス板は、前記太陽電池セルの表面に前記接合材を介して接合されており、
前記分離工程では、前記太陽電池セルと前記ガラス板とが分離される、請求項1に記載のガラスパネルの分離方法。
The glass panel is a photovoltaic power generation panel,
The sheet body is a solar battery cell,
The glass plate is bonded to the surface of the solar battery cell via the bonding material,
The method for separating a glass panel according to claim 1, wherein in the separation step, the solar battery cell and the glass plate are separated.
前記太陽光発電パネルは、前記太陽電池セルの表面に接続された配線と、前記太陽電池セルの裏面に接合材を介して接合されたバックシートとを含み、
前記分離工程では、前記太陽電池セル、前記ガラス板、前記バックシートおよび前記配線が互いに分離される、請求項2に記載のガラスパネルの分離方法。
The solar power generation panel includes wiring connected to the surface of the solar battery cell, and a back sheet bonded to the back surface of the solar battery cell via a bonding material,
The glass panel separation method according to claim 2, wherein in the separation step, the solar battery cell, the glass plate, the back sheet, and the wiring are separated from each other.
前記最高温度は、前記接合材の発火温度より高く、かつ、前記ガラス板の溶融温度より低い範囲内に設定される、請求項1〜3のいずれか一項に記載のガラスパネルの分離方法。   The said highest temperature is the isolation | separation method of the glass panel as described in any one of Claims 1-3 set in the range higher than the ignition temperature of the said bonding | jointing material, and lower than the melting temperature of the said glass plate. 前記熱処理装置は、1つのパネル搬送路を形成する複数のチャンバを備えており、
前記分離工程では、前記パネル搬送路の中央部に配置される前記チャンバ内の温度が前記最高温度に制御され、当該チャンバから前記パネル搬送路の入口および出口にそれぞれ近い前記チャンバほど、前記チャンバ内の温度が低くなるように制御され、前記ガラスパネルが前記パネル搬送路を搬送されて、前記ガラスパネルが前記複数のチャンバを順次に通過する、請求項1〜4のいずれか一項に記載のガラスパネルの分離方法。
The heat treatment apparatus includes a plurality of chambers that form one panel conveyance path,
In the separation step, the temperature in the chamber arranged at the center of the panel conveyance path is controlled to the maximum temperature, and the chambers closer to the inlet and the outlet of the panel conveyance path from the chamber are located in the chamber. The temperature is controlled to be low, the glass panel is transported through the panel transport path, and the glass panel sequentially passes through the plurality of chambers. Separation method of glass panel.
前記熱処理装置は、1つのチャンバを備えており、
前記分離工程では、前記ガラスパネルが前記チャンバ内で静止された状態で、前記チャンバ内の温度が前記最高温度まで漸次上昇され、その後、前記チャンバ内の温度が前記最高温度から漸次下降される、請求項1〜4のいずれか一項に記載のガラスパネルの分離方法。
The heat treatment apparatus includes one chamber,
In the separation step, the temperature in the chamber is gradually increased to the maximum temperature while the glass panel is stationary in the chamber, and then the temperature in the chamber is gradually decreased from the maximum temperature. The separation method of the glass panel as described in any one of Claims 1-4.
前記導入工程では、前記ガラスパネルが前記ガラス板を鉛直下方に向けた姿勢で前記熱処理装置に導入される、請求項1〜6のいずれか一項に記載のガラスパネルの分離方法。   The method for separating a glass panel according to any one of claims 1 to 6, wherein, in the introducing step, the glass panel is introduced into the heat treatment apparatus in a posture in which the glass plate is directed vertically downward. ガラスパネルを構成するシート体とその一方面に接合材を介して接合されたガラス板とを分離させるために用いられる熱処理装置であって、
前記ガラスパネルを加熱するチャンバと、
前記チャンバに前記ガラスパネルを導入する導入手段と、
前記チャンバ内に前記ガラスパネルが導入されてからの経過時間に伴って、前記ガラスパネルの周囲の雰囲気の温度を前記接合材の材料に応じて設定された最高温度まで漸次上昇させ、その後、前記雰囲気の温度を前記最高温度から漸次下降させる温度制御手段とを含む、熱処理装置。
A heat treatment apparatus used to separate a sheet body constituting a glass panel and a glass plate joined to one surface thereof via a joining material,
A chamber for heating the glass panel;
Introducing means for introducing the glass panel into the chamber;
With the elapsed time after the glass panel is introduced into the chamber, the temperature of the atmosphere around the glass panel is gradually increased to the maximum temperature set according to the material of the bonding material, and then And a temperature control means for gradually lowering the temperature of the atmosphere from the maximum temperature.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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