JP2013509247A

JP2013509247A - 移植可能な同時焼成された電気フィードスルー

Info

Publication number: JP2013509247A
Application number: JP2012536917A
Authority: JP
Inventors: マンズ，ゴードン・オー; ホーブリッチ，グレゴリー・ジェイ; エングマーク，デーヴィッド・ビー; ヤマモト，ジョイス; ゴールドマン，サイモン; ブロスナン，ウィリアム・エム; ティシェンドーフ，ブラッド・シー; トム，アンドリュー・ジェイ
Original assignee: Medtronic Inc
Current assignee: Medtronic Inc
Priority date: 2009-10-29
Filing date: 2010-10-25
Publication date: 2013-03-14
Anticipated expiration: 2030-10-25
Also published as: US20110102967A1; CN102481454A; EP2470264A1; WO2011059682A1; US8373075B2; JP5788888B2; CN102481454B; EP2470264B1

Abstract

【解決手段】移植可能な医療機器のための多層フィードスルーは、第１端部と第２端部と基板長さとを有する基板を含む。複数のトレースは、基板上に形成され、基板長さに沿って延在する。複数のトレースは、基板の第１端部及び第２端部に延在する。絶縁層は、基板及び複数のトレース上に形成される。接地面層は、絶縁層上に形成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、移植可能な医療システム及び医療機器のための電気内部接続に関し、更に特定すれば、同時焼成されたセラミックスの電気フィードスルー組立体に関する。

ここで提供される背景の記述は、一般に開示内容を代表する目的のためにある。現在名前が挙げられた発明者の仕事は、ある程度は、その仕事がこの背景技術のセクションに記述され、他の方法では出願の時点で先行技術として適格ではないであろう記述の特徴と同様である。本発明の開示に反する先行技術として明示的又は暗示的のいずれでも認められない。

電気フィードスルーを小型化することは、高レベルの電磁波妨害（ＥＭＩ）保護を提供するが、小さな容器内に減らされた機能的な大きさを提供する移植可能な医療機器（ＩＭＤｓ）のために要求される。従来のフィードスルー技術では、ＥＭＩフィルタは、電気フィードスルーの表面上にチップ型のコンデンサや円盤状のコンデンサを搭載することで、しばしば達成される。この技術は、コンデンサの末端をハーメチックピン組立体及び接地構造体（一般に金属製ＩＭＤの外側筐体の口金と部分）に取り付けるのに要求されるリード線の相互接続の長さを増やすが、機器の全体の大きさを増やすという不利な点を欠点として持つ。非常に小さい低プロフィールで小型化された機器構造の中で電気的性能を改善する一方で、ＥＭＩ保護の統一を可能にする技術が要求される。

本教示は、例えば心臓ペースメーカ等のような移植可能な医療器具で使用されるタイプのフィードスルー組立体を提供し、フィードスルー組立体は、そこの上に存在する導電性トレースと共に複数の非導電性層で構成される。

様々な実施形態において、本開示は、移植可能な医療機器のための多層フィードスルーに関係する。多層フィードスルーは、第１端部及び第２端部を含み、第１端部と第２端部と基板長さを有する基板を更に含む。複数のトレースは、基板上に形成され、基板長さに沿って延在する。複数の接触パッドは、複数のトレースと電気的に結合され、基板の第１端部及び第２端部に延在する。絶縁層は、基板と複数のトレース上に形成される。フィードスルーは、接地面層を更に含む。

様々な実施形態において、本開示は、移植可能な医療機器のための多層フィードスルーに関係する。多層フィードスルーは、第１端部と、第２端部と、基板長さと、第１面と、第１面の反対側の第２面とを有する基板を含む。第１の複数のトレースは、第１面上に形成され、基板長さに沿って延在する。第２の複数のトレースは、第２面上に形成され、基板長さに沿って延在する。第１の複数の接触パッドは、第１の複数のトレースに電気的に結合され、基板の第１端部及び第２端部に延在する。第２の複数の接触パッドは、第２の複数のトレースに電気的に結合され、基板の第１端部及び第２端部に延在する。第１絶縁層は、第１面及び第１の複数のトレース上に形成される。第２絶縁層は、第２面及び第２の複数のトレース上に形成される。フィードスルーは、第１接地面層及び第２接地面層を更に含む。

本開示の適用可能性を有する更なる領域は、詳細な説明や特許請求の範囲及び図面から明らかになるであろう。詳細な説明と特定される実施例は、説明の目的だけを意図しており、本開示の範囲が制限されることを意図していない。

本開示は、詳細な説明及び添付される図面から更に充分に理解されるであろう。

本開示の様々な実施形態に従ったフィードスルー組立体の等尺図である。本開示の様々な実施形態に従ったフィードスルー組立体の分解図である。本開示の様々な実施形態に従ったフィードスルー組立体の等尺図である。本開示の様々な実施形態に従った、統合型トランシーバを備えたフィードスルー組立体の等尺図である。本開示の様々な実施形態に従った、取り付けウェルドリングを備えたフィードスルー組立体の等尺図である。本開示の様々な実施形態に従ったフィードスルー組立体の等尺図である。図６のフィードスルー組立体を線７−７に沿って切断した断面図である。

以下の記載は、本質的に単なる例示であり、開示、適用又は使用を制限する意図は全くない。明瞭にする目的で、類似の要素を特定するために、同じ参照符号が複数の図面で使用されるであろう。ここで使用されるように、Ａ，Ｂ，Ｃのうちの少なくとも１つという語句は、非排除論理で使用される論理（Ａ又はＢ又はＣ）を意味するものとして解釈されるべきである。方法内の工程は、本開示の原理を改めることなく異なる順序を排除されることがあることは理解されるべきである。

次に図１及び図２を参照すれば、本開示の様々な実施形態に従ったフィードスルー組立体１０が示される。フィードスルー組立体１０は、複数の層を含む。基板１４は、基板１４の一方の側又は両側に形成された複数のトレース１５を含む。基板１４は、例えば高温同時焼成セラミックスや他のセラミックス材料等の任意の非導電性材料で製作可能である。トレース１５は、プラチナ、金、パラジウム等の導電性材料を基板１４の表面上に被覆することで、基板１４上に形成可能であり、基板の一方の端部から他方に延在する。トレース１５を形成する他の方法も利用可能である。

トレース１５は、基板１４の第１面１４４ａ及び／又は第２面１４４ｂ上に形成可能である。様々な実施形態では、コンデンサ及び／又はフィルタ機器等の統合型機器、例えばＳＡＷフィルタは、基板１４上に（例えばスクリーニング工程やフォトリソグラフィ工程で）形成可能であり、或いは、基板１４に印加可能であり、トレース１５／接触パッド１５０に電気接続が可能である。例えば、ＳＡＷフィルタは、例えばリチウムニオブ酸塩やリチウムタンタル酸塩等の様々な材料で、基板１４に搭載された表面に製作可能である。この場合に、以下に記述される絶縁層は、ＳＡＷフィルタを完全に囲んで、ハーメチック筺体として機能可能である。

絶縁層１３ａ、１３ｂは、それぞれ、第１面１４４ａ及び第２面１４４ｂ上に形成可能である。絶縁層は、高温同時焼成セラミックスや他のセラミックス材料等の任意の非導電性材料で形成可能であり、基板１４に類似する。いくつかの実施形態では、絶縁層１３ａ、１３ｂは、例えばアルミナやジルコニア又はそれらの結合体等の任意の生体安定性と生体適合性を有する材料で形成可能である。様々な実施形態では、絶縁層１３ａ、１３ｂは、基板１４の第１面１４４ａ及び第２面１４４ｂの一部だけを覆う。例えば、基板の端部１４２ａ、１４２ｂは、露出されて絶縁層１３ａ、１３ｂで覆われないままであることが可能である。このやり方で、トレース１５は、ＩＭＤに電気接続が可能である。

接地面１２ａ、１２ｂは、様々な実施形態において、絶縁層１３ａ、１３ｂ上に形成可能である。接地面１２ａ、１２ｂは、例えば白金、金、パラジウム等の金属の任意の導電性材料で形成可能である。接地面１２ａ、１２ｂは、トレース１５それ自身間の干渉を最小化するのと同様、漂遊電磁干渉（stray electromagnetic interference）からトレース１５を遮蔽するのを助ける。さまざまな実施形態において、接地面１２ａ、１２ｂは、絶縁層１３ａ、１３ｂを覆う導電性材料の連続層で形成可能である。いくつかの実施形態では、接地面１２ａ、１２ｂは、絶縁層１３ａ、１３ｂを覆う導電性材料の網目や格子で形成可能である。他の絶縁層１１ａ、１１ｂは、ＩＭＤから接地面１２ａ、１２ｂを絶縁するために、接地面１２ａ、１２ｂ上に形成可能である。

示された実施形態は、基板１４とは別の層上に接地面１２ａ、１２ｂが形成されることを示すが、本開示は、異なる構成における接地面１２ａ、１２ｂの構成を達成する。例えば、接地面１２ａ、１２ｂは、基板１４上に形成され、トレース１５から電気的に絶縁可能である。更に、接地面１２ａ、１２ｂは、基板１４を実質的に囲むように形成可能であり、及び／又は、基板１４の第１面１４４ａ及び第２面１４４ｂに垂直に方向付けられることが可能である。接地面１２ａ、１２ｂは、様々な方法で、例えば、１又は２以上のトレース１５、１又は２以上の接触パッド１５０、ウェルドリング３５（以下により詳細に記述される）やそれらの組み合わせと接続されることで、電気的に接地の電位に接続可能である。例としてだけ、接地面１２ａ、１２ｂは、単一の絶縁層や絶縁層１１ａ、１１ｂ内に形成された１又は２以上のビアの使用を通じて、トレース１５と接続可能である。ビアの使用は、図６−７に関して、以下に、更に詳細に記述される。

フィードスルー組立体１０のトレース１５は、基板１４の端部１４２ａ、１４２ｂに延在可能である。この方法では、トレース１５は、例えばＩＭＤ内に存在する対応する受信部スロット（不図示）と係合するためのカード端部接続部として利用可能である。様々な実施形態では、接触パッド１５０は、トレース１５の一部として含まれる。接触パッド１５０は、トレース１５より大きい表面領域を有することが可能であり、その結果、ＩＭＤのトレースと関連する回路との間の陽的な結合が確実にされることが可能である。様々な実施形態では、トレース１５／接触パッド１５０は、端部１４２ａ、１４２ｂの周りに延在可能であり、図３に示されるように、基板１４の端部面１４０上に存在可能である。端部面１４０上のトレース１５の存在は、接触パッド１５０があろうとなかろうと、フィードスルー組立体１０と、ＩＭＤ内の受信部スロットとの間の更に一定の結合を提供可能である。

次に図４を参照すれば、フィードスルー組立体２０は、本開示の様々な実施形態に従った統合型トランシーバ２６と共に示される。上記したフィードスルー組立体１０と同様、フィードスルー組立体２０は、複数の層を含む。基板２４は、基板２４の一方の側又は両側に形成された複数のトレース２５を含む。基板２４は、任意の非導電性材料、例えば高温同時焼成セラミックスや他のセラミックス材料で製作可能である。トレース２５は、白金や金、パラジウム等の導電性材料を基板２４の表面上に被覆することで基板２４上に形成可能であり、その結果、基板の一方の端部から他方に延在する。トレース２５を形成する他の方法も利用可能である。トレース２５は、基板２４の第１面２４４ａ及び／又は第２面２４４ｂ上に形成可能である。トレース２５は、トレース１５及び接触パッド１５０に関して、上述と同様、接触パッドを含むことが可能である。様々な実施形態では、コンデンサ及び／又はフィルタ機器のような一体型の機器、例えばＳＡＷフィルタは、基板２４上に形成され、トレース２５に電気的に接続可能である。

絶縁層２３ａ、２３ｂは、それぞれ、第１面２４４ａ及び第２面２４４ｂ上に形成可能である。絶縁層は、基板２４と同様、高温同時焼成セラミックスや他のセラミックス材料等の任意の非導電性材料で形成可能である。様々な実施形態では、絶縁層２３ａ、２３ｂは、基板２４の第１面２４４ａ及び第２面２４４ｂの一部だけを覆う。基板の端部２４２ａ、２４２ｂは、露出しているが、絶縁層２３ａ、２３ｂによって覆われない状態にあることが可能である。このやり方で、トレース２５は、ＩＭＤに電気的に接続可能である。

接地面２２ａ、２２ｂは、様々な実施形態で絶縁層２３ａ、２３ｂ上に形成可能である。接地面２２ａ、２２ｂは、白金や金、パラジウム等の任意の導電性材料で形成可能である。接地面２２ａ、２２ｂは、トレース２５自身の間の干渉を最小化することと同様、トレース２５を漂遊電磁干渉から遮蔽することを助ける。様々な実施形態では、接地面２２ａ、２２ｂは、絶縁層２３ａ、２３ｂを覆う絶縁材料の連続層で形成可能である。ＩＭＤから接地面２２ａ、２２ｂを絶縁するために、いくつかの実施形態では、他の絶縁層２１ａ、２１ｂは、接地面２２ａ、２２ｂ上に形成可能である。上述されるように、接地面２２ａ、２２ｂは、様々な方法で、例えば１又は２以上のトレース２５、１又は２以上の接触パッド１５０、ウェルドリング３５（以下に更に充分に記述される）、或いは、それらの結合と接続することで、電気的に接地の電位に接続可能であろう。

フィードスルー組立体２０のトレース２５は、基板２４の端部２４２ａ、２４２ｂに延在可能である。このやり方で、トレース２５は、例えば、ＩＭＤ内に存在する対応する受信部スロット（不図示）と係合するために、カード端部接続部として、利用可能である。様々な実施形態において、トレース２５は、端部２４２ａ、２４２ｂの周りに延在可能であり、フィードスルー組立体１０に関して図３に示されるように、基板２４の端部面２４０上に存在可能である。端部面２４０上のトレース２５の存在は、フィードスルー組立体２０とＩＭＤの受信器スロットとの間の更にしっかりした係合を提供可能である。

統合型トランシーバ２６は、図４内に示されるように、基板２４上に搭載された表面であろう。信号イントレース２６２は、ＩＭＤから統合型トランシーバ２６に電気的に接続可能である。この方法では、統合型トランシーバ２６は、ＩＭＤから信号を受信可能である。統合型トランシーバ２６は、信号アウトトレース２６４に更に電気的に接続可能である。信号アウトトレース２６４は、アンテナに電気的に接続可能であり、或いは、送信／受信要素（不図示）に電気的に接続可能である。この方法では、統合型トランシーバ２６は、遠隔機器から情報を受信するのと同様、ＩＭＤから受信した情報を遠隔機器に送信可能である。統合型トランシーバ２６は、基板２４上のトレースとして形成された動力線２６６によって動力が供給可能である。様々な実施形態では、トランシーバ２６は、動力線を含むことが可能であり、及び／又は、ワイヤやリボン結合のような、基板２４とその上に形成されたトレース２５から離間した信号イン線及び信号アウト線を含むことが可能である。

次に図５を参照すれば、本開示の様々な実施形態に従ったフィードスルー組立体３０が示される。フィードスルー組立体３０は、上述されたフィードスルー組立体１０と２０に実質的に類似であろう。ウェルドリング３５は、フィードスルー組立体３０にハーメチックシール可能である。ウェルドリング３５は、例えばチタンやニオブ、タンタル、それらの結合体等の任意の生体安定材料及び任意の生体互換性材料で製作可能である。ウェルドリング３５は、ＩＭＤの本体にも接続可能であり、その結果、ＩＭＤとフィードスルー組立体３０との間にハーメチックシールがある。ウェルドリング３５は、例えば真鍮ジョイントや拡散結合、ガラスシール、圧縮シール等様々なやり方で、フィードスルー組立体に結合可能である。

次に図６と図７を参照すれば、本開示の様々な実施形態に従ったフィードスルー組立体２００が示される。フィードスルー組立体２００は、複数の層を含む。基板２０４は、基板２０４の一方の側又は両側に形成された複数のトレース２０５（図７）を含む。基板２０４は、例えば高温同時焼成セラミックス又は他のセラミックス材料等の任意の非導電性材料で製作可能である。トレース２０５は、白金、金、パラジム等の導電性材料を基板２０４の表面上に蒸着することで、基板２０４上に形成可能である。トレース２０５を形成する他の方法が利用可能である。

トレース２０５は、基板２０４の第１面２４４ａ及び／又は第２面２４４ｂ上に形成可能である。様々な実施形態において、コンデンサ及び／又はフィルタ機器等の統合型の機器、例えばＳＡＷフィルタは、（例えばスクリーニングやフォトリソグラフィ工程によって）基板２０４上に形成可能であり、或いは、基板２０４に適用可能であり、トレース２０５／接触パッド２５０に電気的に接続可能である。例えば、ＳＡＷフィルタは、リチウムニオブ酸塩やリチウムタンタル酸塩等の様々な材料で、基板２０４に搭載された表面に製造可能である。この場合、以下に記述される絶縁層は、ハーメチック筐体として機能するために、ＳＡＷフィルタを取り囲むことが可能である。

絶縁層２０３ａ、２０３ｂは、それぞれ、第１面２４４ａ及び第２面２４４ｂ上に形成可能である。絶縁層は、基板２０４に類似して、例えば高温同時焼成セラミックスや他のセラミックス材料等の任意の非導電性材料で形成可能である。いくつかの実施形態では、絶縁層２０３ａ、２０３ｂは、例えばアルミナやジルコニア、それらの結合体等の任意の生体安定性材料及び任意の生体互換性材料で形成可能である。様々な実施形態では、絶縁層２０３ａ、２０３ｂは、基板２０４の第１面２４４ａ及び第２面２４４ｂ全体を覆う。

接地面２０２ａ、２０２ｂは、様々な実施形態において、絶縁層２０３ａ、２０３ｂ上に形成可能である。接地面２０２ａ、２０２ｂは、例えば白金や金、パラジウム、他の金属等の任意の導電性材料で形成可能である。接地面２０２ａ、２０２ｂは、トレース２０５それ自身の間の干渉を最小化するのと同様、漂遊電磁干渉からトレース２０５を遮蔽するのを助ける。様々な実施形態では、接地面２０２ａ、２０２ｂは、絶縁層２０３ａ、２０３ｂを覆う導電性材料の連続層で形成可能である。いくつかの実施形態では、接地面２０２ａ、２０２ｂは、絶縁層２０３ａ、２０３ｂを覆う導電性材料の網目又は格子で形成可能である。他の絶縁層２０１ａ、２０１ｂは、ＩＭＤから接地面２０２ａ、２０２ｂを絶縁するための接地面２０２ａ、２０２ｂ上に形成可能である。示された実施形態は、接地面２０２ａ、２０２ｂが基板２０４から離間した層上に形成されるように示すが、本開示は、異なる構成における接地面２０２ａ、２０２ｂの構成を達成する。例えば、接地面２０２ａ、２０２ｂは、基板２０４上に形成可能であり、トレース２０５から電気的に絶縁可能である。更に、接地面２０２ａ、２０２ｂは、基板２０４を実質的に取り囲むように形成可能であり、及び／又は、基板２０４の第１面２４４ａ及び第２面２４４ｂに垂直に方向付けられることが可能である。上述されたように、接地面２０２ａ、２０２ｂは、例えば１又は２以上のトレース２０５や１又は２以上の接触パッド、ウェルドリング２３５（以下に更に充分に記述される）、それらの結合体等、様々な方法で、電気的に接地の電位に接続可能である。

様々な実施形態において、フィードスルー組立体２００のトレース２０５は、基板２０４の端部に延在しない。替わって、接触パッド２５０は、別個の層（示された例の絶縁層２０１ａ）上に形成され、トレース２０５と電気的に結合される。このやり方で、接触パッド２５０は、例えばＩＭＤ内に存在する対応する受信部スロット（不図示）と係合するために、カード端部接続部として利用可能である。接触パッド２５０は、トレース２０５より大きな表面を有することが可能であり、その結果、トレースとＩＭＤの関連する回路との間の陽的な結合は、確実なものとすることが可能である。様々な実施形態において、接触パッド２５０は、図３に示されたフィードスルー組立体２０に類似して、フィードスルー組立体の端部の周りに延在可能である。端部面上の接触パッド２５０の存在は、フィードスルー組立体２００とＩＭＤの受信部スロットとの間の更にしっかりとした結合を提供可能である。

トレース２０５は、ビア２５５を介して接触パッド２５０と電気的に結合可能である。ビア２５５は、フィードスルー組立体２００の様々な層の間を延在し、白金や金、パラジウムや他の金属などの任意の導電性材料で形成可能である。示された実施形態では、ビア２５５は、絶縁層２０１ａと接地面２０２ａ、絶縁層２０３ａを通じて延在し、接触パッド２５０をトレース２０５に結合する。ビア２５５を接地面２０２ａから絶縁するために、孔２５７は、ビア２５５がその中を延在する接地面２０２ａ内に形成される。いくつかの実施形態において、孔２５７は、絶縁材料で充填可能である。他の様々な実施形態において、孔２５７は、ビア２５５がその中を延在する様々な層内に空洞の開口部であろう。

本開示の様々な実施形態において、フィードスルー組立体２００は、ウェルドリング２３５を含み、フィードスルー組立体２００をハーメチックシールする。ウェルドリング２３５はまた、ＩＭＤの本体に結合可能であり、その結果、ＩＭＤとフィードスルー組立体２００との間にハーメチックシールがある。ウェルドリング２３５は、例えば真鍮ジョイントや拡散結合、ガラスシール、圧縮シール等様々なやり方で、フィードスルー組立体に結合可能である。更に、様々な実施形態において、フィードスルー組立体２００は、上述し図４に示したフィードスルー組立体２０に類似して、統合型トランシーバを含むことが可能である。

本開示の幅広い教示は、様々な形態で実行可能である。それゆえに、この開示は特殊な例を含むが、図面、明細書、以下の特許請求の範囲を検討すれば他の修正案が明らかになるであろうから、本開示の真の範囲はあまり限定されるべきではない。

１０：フィードスルー組立体、１１ａ，１１ｂ：他の絶縁層、１２ａ，１２ｂ：接地面、１３ａ，１３ｂ：絶縁層、１４：基板、１５：トレース、３５：ウェルドリング、１４０：端部面、１４２ａ，１４２ｂ：基板の端部、１４４ａ：第１面、１４４ｂ：第２面、１５０：接触パッド
２０：フィードスルー組立体、２１ａ，２１ｂ：他の絶縁層、２２ａ，２２ｂ：接地面、２３ａ，２３ｂ：絶縁層、２４：基板、２５：トレース、２６：統合型トランシーバ、２４０：端部面、２４２ａ，２４２ｂ：端部、２４４ａ：第１面、２４４ｂ：第２面、２６２：信号イントレース、２６４：信号アウトトレース、２６６：動力線
３０：フィードスルー組立体、３５：ウェルドリング
２００：フィードスルー組立体、２０１ａ，２０１ｂ：他の絶縁層、２０２ａ，２０２ｂ：接地面、２０３ａ，２０３ｂ：絶縁層、２０４：基板、２０５：トレース、２３５：ウェルドリング、２５０：接触パッド、２５５：ビア、２５７：孔

Claims

移植可能な医療器具のための、第１端部及び第２端部を含む多層フィードスルーであって、
前記フィードスルーの前記第１端部に対応する第１端部と、当該フィードスルーの前記第２端部に対応する第２端部と、基板長さと、第１面と、当該第１面とは反対の第２面と、を有する基板と、
前記第１面上に形成され、前記基板長さに沿って延在する、第１の複数のトレースと、
前記第２面上に形成され、前記基板長さに沿って延在する、第２の複数のトレースと、
前記第１の複数のトレースと電気的に結合された第１の複数の接触パッドと、
前記第２の複数のトレースと電気的に結合された第２の複数の接触パッドと、
前記第１面と前記第１の複数のトレースとの上に形成された第１絶縁層と、
前記第２面と前記第２の複数のトレースとの上に形成された第２絶縁層と、
第１接地面層と、
第２接地面層と、
を備え、
前記第１の複数の接触パッド及び第２の複数の接触パッドは、前記フィードスルーの前記第１端部及び前記第２端部に延在する、多層フィードスルー。
請求項１に記載の多層フィードスルーにおいて、
前記基板の前記第１面上に形成された統合型トランシーバを更に備える、多層フィードスルー。
請求項２に記載の多層フィードスルーにおいて、
前記第１の複数のトレースは、前記統合型トランシーバのための少なくとも１つの動力線と少なくとも１つの信号線とを含む、多層フィードスルー。
請求項３に記載の多層フィードスルーにおいて、
前記第１の複数の接触パッド及び前記第２の複数の接触パッドは、前記基板の前記第１端部及び前記第２端部の周りを延在する、多層フィードスルー。
請求項１に記載の多層フィードスルーにおいて、
前記第１接地面層上に形成された第３絶縁層と、前記第２接地面層上に形成された第４絶縁層とを更に備える、多層フィードスルー。
請求項５に記載の多層フィードスルーにおいて、
前記第１の複数の接触パッド及び前記第２の複数の接触パッドは、それぞれ、前記第３絶縁層及び第４絶縁層上に形成された、多層フィードスルー。
請求項６に記載の多層フィードスルーにおいて、
第１の複数のビアは、前記第１の複数の接触パッドを前記第１の複数のトレースに電気的に結合し、
第２の複数のビアは、前記第２の複数の接触パッドを前記第２の複数のトレースに電気的に結合する、多層フィードスルー。
請求項１に記載の多層フィードスルーにおいて、
前記第１の接地面層は、導電性材料の連続層を備える、多層フィードスルー。
請求項１に記載の多層フィードスルーにおいて、
前記第１の接地面層は、導電性材料の網目を備える、多層フィードスルー。
請求項１に記載の多層フィードスルーにおいて、
前記基板と前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とは、非導電性材料を備える、多層フィードスルー。
請求項１０に記載の多層フィードスルーにおいて、
前記非導電性材料は、高温同時焼成セラミックスを備える、多層フィードスルー。
請求項１に記載の多層フィードスルーにおいて、
前記基板は、前記第１端部の直近の第１端部部分と、前記第２端部に直近の第２端部部分とを更に含み、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、前記第１端部部分及び前記第２端部部分に存在しない、多層フィードスルー。
請求項１に記載の多層フィードスルーにおいて、
前記第１接地面及び前記第２接地面は、前記第１面及び前記第２面に実質的に垂直である、多層フィードスルー。
請求項１に記載の多層フィードスルーにおいて、
前記第１の複数の接触パッド及び前記第２の複数の接触パッドは、前記基板上に形成された、多層フィードスルー。
請求項１の多層フィードスルーを備えた移植可能な医療機器。
請求項１に記載の多層フィードスルーにおいて、
前記第１接地面層は、前記第１の複数のトレースの１つに電気的に接続する、多層フィードスルー。