JP2013251400A

JP2013251400A - Semiconductor light-emitting device

Info

Publication number: JP2013251400A
Application number: JP2012125004A
Authority: JP
Inventors: Yu Shibayama; 悠柴山
Original assignee: Olympus Corp
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 2012-05-31
Filing date: 2012-05-31
Publication date: 2013-12-12

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an LED with high light-extraction efficiency.SOLUTION: An LED 1 comprises a substrate 10, a plurality of semiconductor layers 11, a first metal electrode 23 connected to a first semiconductor layer 13, and a second metal electrode 24 connected to a second semiconductor layer 15. The LED 1 is a rectangular solid configured to output light when an electric current is applied to between the first metal electrode 23 and the second metal electrode 24. At least one of the first metal electrode 23 and the second metal electrode 24 is formed on one of side surfaces.

Description

本発明は、基板の上に複数の半導体層が積層され、第１の半導体層と第２の半導体層との間に電流が注入されると光を出射する直方体の半導体発光素子に関する。 The present invention relates to a rectangular parallelepiped semiconductor light emitting device that emits light when a plurality of semiconductor layers are stacked on a substrate and current is injected between a first semiconductor layer and a second semiconductor layer.

発光ダイオード（ＬＥＤ）等の半導体発光素子は、電球等と比べて、長寿命、低消費電力、低駆動電圧、低発熱性、および小型等の長所を有するが、更なる高輝度化が要求されている。 Semiconductor light-emitting elements such as light-emitting diodes (LEDs) have advantages such as long life, low power consumption, low drive voltage, low heat generation, and small size compared to light bulbs and the like, but higher brightness is required. ing.

例えば、特開２００６−１２０９２７号公報には、光を外部に出射する効率（光取り出し効率）が高いＬＥＤ１０１が開示されている。図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、ＬＥＤ１０１は、基板１１０のバッファ層１１２の上に、ｎ型半導体層１１３と、活性層１１４と、ｐ型半導体層１１５と、からなる半導体層１１１が積層されている。 For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-120927 discloses an LED 101 having high efficiency for emitting light to the outside (light extraction efficiency). As shown in FIGS. 1A and 1B, the LED 101 includes an n-type semiconductor layer 113, an active layer 114, and a p-type semiconductor layer 115 on the buffer layer 112 of the substrate 110. A semiconductor layer 111 is stacked.

ｎ型半導体である基板１１０の底面には、ｎ側電極である第１の金属電極１２３が形成されている。一方、ｐ型半導体層１１５の光取り出し面である上面２には、パターニングされた透明電極１２２が形成され、さらに、透明電極１２２と接続されたｐ側電極である第２の金属電極１２４が形成されている。ＬＥＤ１０１は、第１の金属電極１２３と第２の金属電極１２４との間に電流が印加されると活性層１１４が発光する。 A first metal electrode 123 that is an n-side electrode is formed on the bottom surface of the substrate 110 that is an n-type semiconductor. On the other hand, a patterned transparent electrode 122 is formed on the upper surface 2 that is the light extraction surface of the p-type semiconductor layer 115, and further, a second metal electrode 124 that is a p-side electrode connected to the transparent electrode 122 is formed. Has been. In the LED 101, the active layer 114 emits light when a current is applied between the first metal electrode 123 and the second metal electrode 124.

しかし、第２の金属電極１２４は、上面２から外部への光出射を妨げ、光取り出し効率が低下する要因になっていた。 However, the second metal electrode 124 hinders light emission from the upper surface 2 to the outside, and has been a factor of reducing light extraction efficiency.

一方、図２に示す特開２００１−２１０８６７号公報に開示されたＬＥＤ１０１Ａの基板１１０Ａは不導体のサファイアである。ＬＥＤ１０１Ａでは、バッファ層１１２Ａの上に、ｎ型半導体層１１３Ａと、活性層１１４Ａと、ｐ型半導体層１１５Ａと、からなる半導体層１１１Ａが積層されている。そして、一部露出させたｎ型半導体層１１３Ａの表面にｎ側電極である第１の金属電極１２３Ａが形成され、ｐ型半導体層１１５Ａの上面２にｐ側電極である第２の金属電極１２４Ａが形成されている。 On the other hand, the substrate 110A of the LED 101A disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2001-210867 shown in FIG. 2 is non-conductive sapphire. In the LED 101A, a semiconductor layer 111A including an n-type semiconductor layer 113A, an active layer 114A, and a p-type semiconductor layer 115A is stacked on the buffer layer 112A. Then, a first metal electrode 123A that is an n-side electrode is formed on the surface of the partially exposed n-type semiconductor layer 113A, and a second metal electrode 124A that is a p-side electrode is formed on the upper surface 2 of the p-type semiconductor layer 115A. Is formed.

ＬＥＤ１０１Ａにおいても、第２の金属電極１２４Ａは、上面２から外部への光出射を妨げ、光取り出し効率が低下する要因になっていた。 Also in the LED 101A, the second metal electrode 124A hinders light emission from the upper surface 2 to the outside, which is a factor of reducing light extraction efficiency.

なお、ＬＥＤ１０１Ａは、底面３から光を取り出すことも可能である。しかし、第１の金属電極１２３Ａを形成するために、ｎ型半導体層１１３Ａの表面を一部露出することは簡単ではなく、かつ、ｐｎ接合面の面積の減少要因、すなわち、発光面積の減少要因になっていた。 The LED 101A can also extract light from the bottom surface 3. However, in order to form the first metal electrode 123A, it is not easy to partially expose the surface of the n-type semiconductor layer 113A, and a factor for reducing the area of the pn junction surface, that is, a factor for reducing the light emitting area. It was.

特開２００６−１２０９２７号公報JP 2006-120927 A 特開２００１−２１０８６７号公報JP 2001-210867 A

本発明の実施形態は、光取り出し効率の高い半導体発光素子を提供することを目的とする。 An embodiment of the present invention aims to provide a semiconductor light emitting device with high light extraction efficiency.

本発明の半導体発光素子は、基板と、前記基板の上に積層された複数の半導体層と、第１の半導体層に接続された第１の金属電極と、第２の半導体層に接続された第２の金属電極と、を具備し、前記第１の金属電極と前記第２の金属電極との間に電流が印加されると光を出射する直方体の半導体発光素子であって、前記第１の金属電極または前記第２の金属電極の少なくともいずれかが側面に形成されている。 The semiconductor light emitting device of the present invention is connected to a substrate, a plurality of semiconductor layers stacked on the substrate, a first metal electrode connected to the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer. A rectangular parallelepiped semiconductor light emitting device that emits light when a current is applied between the first metal electrode and the second metal electrode. At least one of the metal electrode and the second metal electrode is formed on the side surface.

本発明の実施形態によれば、光取り出し効率の高い半導体発光素子を提供することができる。 According to the embodiment of the present invention, it is possible to provide a semiconductor light emitting device with high light extraction efficiency.

従来の半導体発光素子の構造を説明するための図であり、図１（Ａ）は上面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＩＢ−ＩＢ線に沿った断面図である。FIGS. 1A and 1B are views for explaining a structure of a conventional semiconductor light emitting element, in which FIG. 1A is a top view and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line IB-IB in FIG. 従来の半導体発光素子の構造を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the structure of the conventional semiconductor light-emitting device. 第１実施形態の半導体発光素子の斜視図である。1 is a perspective view of a semiconductor light emitting element according to a first embodiment. 第１実施形態の半導体発光素子の構造を説明するための図であり、図４（Ａ）は上面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＩＶＢ−ＩＶＢ線に沿った断面図である。4A and 4B are views for explaining the structure of the semiconductor light emitting device according to the first embodiment, in which FIG. 4A is a top view and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line IVB-IVB in FIG. is there. 第２実施形態の半導体発光素子の斜視図である。It is a perspective view of the semiconductor light emitting element of 2nd Embodiment. 第２実施形態の半導体発光素子の構造を説明するための図であり、図６（Ａ）は上面図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＶＩＢ−ＶＩＢ線に沿った断面図である。6A and 6B are views for explaining the structure of a semiconductor light emitting device according to a second embodiment. FIG. 6A is a top view, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line VIB-VIB in FIG. is there. 変形例１の半導体発光素子の斜視図である。FIG. 10 is a perspective view of a semiconductor light emitting element of Modification 1; 変形例２の半導体発光素子の斜視図である。FIG. 10 is a perspective view of a semiconductor light emitting element according to Modification 2. 第３実施形態の半導体発光素子の構造を説明するための図であり、図９（Ａ）は上面図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）のＩＸＢ−ＩＸＢ線に沿った断面図である。It is a figure for demonstrating the structure of the semiconductor light-emitting device of 3rd Embodiment, FIG. 9 (A) is a top view, FIG.9 (B) is sectional drawing along the IXB-IXB line | wire of FIG. 9 (A). is there. 第４実施形態の半導体発光素子の構造を説明するための図であり、図１０（Ａ）は上面図、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）のＸＢ−ＸＢ線に沿った断面図である。It is a figure for demonstrating the structure of the semiconductor light-emitting device of 4th Embodiment, FIG. 10 (A) is a top view, FIG.10 (B) is sectional drawing along the XB-XB line | wire of FIG. 10 (A). is there.

＜第１実施形態＞
図３、図４（Ａ）および図４（Ｂ）を用いて本発明の第１実施形態の半導体発光素子であるＬＥＤ１について説明する。なお図は、いずれも説明のための模式図であり、縦横の寸法比等は実際とは異なっている。また、Ｚ軸方向を上下方向とする。 <First Embodiment>
The LED 1 that is the semiconductor light emitting device of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3, 4A, and 4B. Each figure is a schematic diagram for explanation, and the vertical and horizontal dimensional ratios and the like are different from actual ones. The Z-axis direction is the up-down direction.

ＬＥＤ１は、単結晶サファイアからなる基板１０の上に、第１の半導体層１３と、活性層１４と、第２の半導体層１５とからなる複数の半導体層１１が積層されている。そして、ＬＥＤ１は、第１の半導体層１３と第２の半導体層１５との間に電流が注入されると活性層１４が光を発生する窒化ガリウム（ＧａＮ）系の半導体発光素子である。ＬＥＤ１は、光取り出し面である上面２と、上面２に対向する底面３と、四方の側面４Ａ〜４Ｄと、を有する略直方体である。 In the LED 1, a plurality of semiconductor layers 11 including a first semiconductor layer 13, an active layer 14, and a second semiconductor layer 15 are stacked on a substrate 10 made of single crystal sapphire. The LED 1 is a gallium nitride (GaN) -based semiconductor light emitting element in which the active layer 14 generates light when a current is injected between the first semiconductor layer 13 and the second semiconductor layer 15. The LED 1 is a substantially rectangular parallelepiped having a top surface 2 that is a light extraction surface, a bottom surface 3 that faces the top surface 2, and four side surfaces 4A to 4D.

基板１０は、半導体層１１のエピタキシャル成長に適した材料であれば、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、ＧａＮ、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または炭化ケイ素（ＳｉＣ）等を用いてもよい。 If the substrate 10 is a material suitable for the epitaxial growth of the semiconductor layer 11, gallium arsenide (GaAs), gallium phosphide (GaP), GaN, aluminum nitride (AlN), zinc oxide (ZnO), or silicon carbide (SiC). ) Etc. may be used.

第１の半導体層１３は、Ｓｉ、ゲルマニウム（Ｇｅ）等のドナーを形成する不純物がドープされたｎ型のＧａＮ系半導体からなる第１のクラッド層であり、第２の半導体層１５は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、炭素（Ｃ）等のアクセプタを形成する不純物がドープされたｐ型のＧａＮ系半導体からなる第２のクラッド層である。第１の半導体層１３と第２の半導体層１５との間の活性層１４は、発光領域であり、Ｓｉ、Ｇｅ等がドープされたｎ型層と、不純物を添加しないいわゆるアンドープの層と、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃ等がドープされたｐ型層と、からなる。なお、ＧａＮ、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、またはＡｌＮ等からなり、基板１０と半導体層１１との間に介在するバッファ層は、図示していない。 The first semiconductor layer 13 is a first clad layer made of an n-type GaN-based semiconductor doped with an impurity forming a donor such as Si or germanium (Ge), and the second semiconductor layer 15 is made of zinc. This is a second cladding layer made of a p-type GaN-based semiconductor doped with an impurity forming an acceptor such as (Zn), magnesium (Mg), or carbon (C). The active layer 14 between the first semiconductor layer 13 and the second semiconductor layer 15 is a light emitting region, an n-type layer doped with Si, Ge, or the like, a so-called undoped layer not added with impurities, And a p-type layer doped with Zn, Mg, C or the like. A buffer layer made of GaN, aluminum gallium nitride (AlGaN), indium gallium nitride (InGaN), AlN, or the like and interposed between the substrate 10 and the semiconductor layer 11 is not shown.

ＬＥＤ１では、第１の金属電極２３が、第１の側面４Ａに形成され、第２の金属電極２４が、第１の側面４Ａと対向する第２の側面４Ｃに形成されている。そして、光取り出し面である上面２には、光の出射を妨げる金属電極は形成されていない。このため、ＬＥＤ１は光取り出し効率が高い。 In the LED 1, the first metal electrode 23 is formed on the first side surface 4A, and the second metal electrode 24 is formed on the second side surface 4C facing the first side surface 4A. A metal electrode that prevents light emission is not formed on the upper surface 2 that is a light extraction surface. For this reason, LED1 has high light extraction efficiency.

外部接続用電極である、第１の金属電極２３および第２の金属電極２４は、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、またはＮｉ等の導電性材料からなる単層層または多層層である。 The first metal electrode 23 and the second metal electrode 24, which are external connection electrodes, are single layer layers or multilayer layers made of a conductive material such as Au, Al, Ag, Cu, or Ni.

ＬＥＤ１は、第１の金属電極２３および第２の金属電極２４を、適当な接続材料を介して半導体パッケージの外部リード端子等に電気的に接続される。 In the LED 1, the first metal electrode 23 and the second metal electrode 24 are electrically connected to an external lead terminal of the semiconductor package or the like via an appropriate connection material.

そして、第１の金属電極２３は第１の半導体層１３の側面と電気的に接続され、第２の金属電極２４は第２の半導体層１５の側面と電気的に接続されている。ＬＥＤ１は、金属電極が半導体層１１に直接、形成されているためコンタクト抵抗が低い。また、金属電極は半導体層１１の側面に形成されるため製造が容易である。 The first metal electrode 23 is electrically connected to the side surface of the first semiconductor layer 13, and the second metal electrode 24 is electrically connected to the side surface of the second semiconductor layer 15. The LED 1 has a low contact resistance because the metal electrode is formed directly on the semiconductor layer 11. Further, since the metal electrode is formed on the side surface of the semiconductor layer 11, it is easy to manufacture.

なお、第２の金属電極２４が形成される第２の側面は、第１の金属電極２３と絶縁されていれば、第３の側面４Ｂまたは第４の側面４Ｄであってもよい。 Note that the second side surface on which the second metal electrode 24 is formed may be the third side surface 4B or the fourth side surface 4D as long as it is insulated from the first metal electrode 23.

また、半導体層は上記で説明した構成に限られるものではない。例えば、ｎ型ＧａＡｓ基板の上に、ＡｌＩｎＰからなるｎ型クラッド層である第１の半導体層と、ＧａＩｎＰからなる活性層と、ＡｌＩｎＰからなるｐ型クラッド層である第２の半導体層とを積層した構造のＡｌＧａＩｎＰ系半導体層等であってもよい。また、第１の半導体層、活性層、および第２の半導体層はＬＥＤの基本構成層であり、ＬＥＤはさらに多数の半導体層を有していてもよい。 The semiconductor layer is not limited to the configuration described above. For example, a first semiconductor layer that is an n-type cladding layer made of AlInP, an active layer made of GaInP, and a second semiconductor layer that is a p-type cladding layer made of AlInP are stacked on an n-type GaAs substrate. An AlGaInP-based semiconductor layer having the structure described above may be used. Further, the first semiconductor layer, the active layer, and the second semiconductor layer are basic constituent layers of the LED, and the LED may further include a large number of semiconductor layers.

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態の半導体発光素子であるＬＥＤ１Ａについて説明する。なお、ＬＥＤ１Ａは、ＬＥＤ１と類似しているので、同じ構成要素には同じ符号を付し、説明は省略する。 Second Embodiment
Next, LED1A which is a semiconductor light-emitting device of 2nd Embodiment is demonstrated. In addition, since LED1A is similar to LED1, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and description is abbreviate | omitted.

図５および図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように、ＬＥＤ１Ａでは、第１の側面４Ａに形成された第１の絶縁層３３と、第２の側面４Ｃに形成された第２の絶縁層３４と、を具備する。第１の絶縁層３３は、少なくとも第２の半導体層１５および活性層１４の側面を覆い、第１の半導体層１３の側面を完全には覆っていない。一方、第２の絶縁層３４は、少なくとも第１の半導体層１３および活性層１４の側面を覆い第２の半導体層１５の側面を完全には覆っていない。そして、第１の金属電極２３Ａは第１の側面４Ａの全面に形成されており、第２の金属電極２４Ａは第２の側面４Ｃの全面に形成されている。 As shown in FIGS. 5, 6A, and 6B, in the LED 1A, the first insulating layer 33 formed on the first side surface 4A and the second insulating layer 33 formed on the second side surface 4C. And an insulating layer 34. The first insulating layer 33 covers at least the side surfaces of the second semiconductor layer 15 and the active layer 14, and does not completely cover the side surfaces of the first semiconductor layer 13. On the other hand, the second insulating layer 34 covers at least the side surfaces of the first semiconductor layer 13 and the active layer 14 and does not completely cover the side surfaces of the second semiconductor layer 15. The first metal electrode 23A is formed on the entire surface of the first side surface 4A, and the second metal electrode 24A is formed on the entire surface of the second side surface 4C.

第１の絶縁層３３および第２の絶縁層３４は、エポキシ、ポリイミドもしくはシリコーン等の樹脂材料、または、アルミナもしくはシリカ等の無機材料からなる。 The first insulating layer 33 and the second insulating layer 34 are made of a resin material such as epoxy, polyimide, or silicone, or an inorganic material such as alumina or silica.

ＬＥＤ１Ａは、ＬＥＤ１が有する効果を有し、さらに、第１の金属電極２３Ａおよび第２の金属電極２４Ａの面積が広いために、外部との接続が容易である。 The LED 1A has the effect of the LED 1, and further, since the area of the first metal electrode 23A and the second metal electrode 24A is large, connection to the outside is easy.

さらに、第１の金属電極２３Ａおよび第２の金属電極２４Ａは、活性層１４から出射される光を反射する機能を有する。すなわち、第１の側面４Ａおよび第２の側面４Ｃから出射された光が反射されて、一部は上面２から取り出される。このため、ＬＥＤ１Ａは、ＬＥＤ１よりも光取り出し効率が高い。 Furthermore, the first metal electrode 23A and the second metal electrode 24A have a function of reflecting light emitted from the active layer 14. That is, the light emitted from the first side surface 4 </ b> A and the second side surface 4 </ b> C is reflected, and a part is extracted from the upper surface 2. For this reason, LED1A has higher light extraction efficiency than LED1.

特に、ＬＥＤ１Ａが上面２が底面３よりも大きい直方体の場合、第１の側面４Ａおよび第２の側面４Ｃで反射した光が効率的に上面２から出射される。 In particular, when the LED 1A is a rectangular parallelepiped whose top surface 2 is larger than the bottom surface 3, light reflected by the first side surface 4A and the second side surface 4C is efficiently emitted from the top surface 2.

なお、第１の側面４Ａおよび第２の側面４Ｃの全面とは１００％を意味するものではなく、ＬＥＤの仕様によっては９０％程度であってもよい。 Note that the entire surfaces of the first side surface 4A and the second side surface 4C do not mean 100%, but may be about 90% depending on the LED specifications.

＜変形例＞
第１実施形態のＬＥＤ１または第２実施形態のＬＥＤ１Ａは、種々の変形が可能である。
例えば、図７に示す変形例１のＬＥＤ１Ａ１では、第１の金属電極２３Ａ１および第２の金属電極２４Ａ１が、それぞれ四方の側面いずれにも形成されている。 <Modification>
The LED 1 of the first embodiment or the LED 1A of the second embodiment can be variously modified.
For example, in LED1A1 of the modification 1 shown in FIG. 7, 1st metal electrode 23A1 and 2nd metal electrode 24A1 are each formed in all the four side surfaces.

また、図８に示す変形例２のＬＥＤ１Ａ２は、基板１０Ａ２が、ｎ型ＳｉＣからなる。そして、第１の金属電極２３Ａ２が底面３に形成されており、第２の金属電極２４Ａ２が、第２の側面４Ｃに形成されている。 Further, in LED 1A2 of Modification 2 shown in FIG. 8, substrate 10A2 is made of n-type SiC. The first metal electrode 23A2 is formed on the bottom surface 3, and the second metal electrode 24A2 is formed on the second side surface 4C.

すなわち、本発明のＬＥＤは、絶縁状態にある第１の金属電極２３または第２の金属電極２４の少なくともいずれかが、四方いずれかの側面に形成されており、第１の金属電極２３および第２の金属電極２４が光取り出し面に形成されていなければ、所望の効果を得ることができる。 That is, in the LED of the present invention, at least one of the first metal electrode 23 and the second metal electrode 24 in an insulated state is formed on any one of the four sides, and the first metal electrode 23 and the second metal electrode 24 If the second metal electrode 24 is not formed on the light extraction surface, a desired effect can be obtained.

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態の半導体発光素子であるＬＥＤ１Ｂについて説明する。なお、ＬＥＤ１Ｂは、ＬＥＤ１等と類似しているので、同じ構成要素には同じ符号を付し、説明は省略する。 <Third Embodiment>
Next, LED1B which is a semiconductor light-emitting device of 3rd Embodiment is demonstrated. In addition, since LED1B is similar to LED1 etc., the same code | symbol is attached | subjected to the same component and description is abbreviate | omitted.

図９（Ａ）および図９（Ｂ）に示すように、ＬＥＤ１Ｂでは、上面２に透明電極４１が形成され、透明電極４１は、第２の金属電極２４Ｂと接続されている。透明電極４１としては、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の酸化物半導体の化合物、例えばＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３にスズ添加）、ＦＴＯ（ＳｎＯ_２にフッ素添加）、またはＧＺＯ（ＺｎＯにガリウム添加）等を用いる。 As shown in FIGS. 9A and 9B, in the LED 1B, a transparent electrode 41 is formed on the upper surface 2, and the transparent electrode 41 is connected to the second metal electrode 24B. As the transparent electrode 41, an oxide semiconductor compound such as indium oxide (In ₂ O 3), tin oxide (SnO ₂ ), or zinc oxide (ZnO), for example, ITO (tin added to In ₂ O ₃ ), FTO (SnO ₂ ), etc. Fluorine added) or GZO (Gallium added to ZnO) or the like is used.

ＬＥＤ１Ｂは、ＬＥＤ１、１Ａが有する効果を有し、さらに、半導体層１１に印加される電流密度がより均一になるため、面内発光分布の均一性がさらに高いものとなる。 The LED 1B has the effects of the LEDs 1 and 1A, and the current density applied to the semiconductor layer 11 becomes more uniform, so that the uniformity of the in-plane light emission distribution is further increased.

なお、第２の側面４Ｃには第２の絶縁層３４が形成されており、第２の金属電極２４Ｂは第２の半導体層１５と側面でも接続されている。一方、第１の金属電極２３Ｂは、第１の側面４Ａに露出した第１の半導体層１３の側面と接続されている。 A second insulating layer 34 is formed on the second side surface 4C, and the second metal electrode 24B is connected to the second semiconductor layer 15 also on the side surface. On the other hand, the first metal electrode 23B is connected to the side surface of the first semiconductor layer 13 exposed at the first side surface 4A.

しかし、第２の金属電極２４Ｂは第２の半導体層１５の側面と接続されていなくてもよいし、第１の側面４Ａにも絶縁層が形成されていてもよい。 However, the second metal electrode 24B may not be connected to the side surface of the second semiconductor layer 15, and an insulating layer may be formed also on the first side surface 4A.

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態の半導体発光素子であるＬＥＤ１Ｃについて説明する。なお、ＬＥＤ１Ｃは、ＬＥＤ１等と類似しているので、同じ構成要素には同じ符号を付し、説明は省略する。 <Fourth embodiment>
Next, LED1C which is a semiconductor light-emitting device of 4th Embodiment is demonstrated. In addition, since LED1C is similar to LED1 etc., the same code | symbol is attached | subjected to the same component and description is abbreviate | omitted.

図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）に示すように、ＬＥＤ１Ｃでは、第３の側面４Ｂおよび第４の側面４Ｄならびに底面３を覆うように、内部からの光を反射する反射層４２が形成されている。反射層４２は、高反射率の絶縁性材料であり、例えば、絶縁性の白色ソルダーレジスト、または、アルミナ層などを用いる。なお、ＬＥＤ１Ｃのように、反射層４２は金属電極が形成されている領域には重ねて形成されている必要はないが、形成されていてもよい。 As shown in FIG. 10A and FIG. 10B, in the LED 1C, a reflective layer 42 that reflects light from the inside is formed so as to cover the third side surface 4B, the fourth side surface 4D, and the bottom surface 3. Has been. The reflective layer 42 is an insulating material having a high reflectance, and for example, an insulating white solder resist or an alumina layer is used. In addition, like LED1C, although the reflection layer 42 does not need to be overlapped and formed in the area | region in which the metal electrode is formed, it may be formed.

ＬＥＤ１Ｃは、ＬＥＤ１等が有する効果に加えて、側面または底面３に出射された光が反射層４２で反射されて上面２から取り出されるため、光取り出し効率がさらに高い。 In addition to the effects of the LED 1 and the like, the LED 1C has higher light extraction efficiency because the light emitted to the side surface or the bottom surface 3 is reflected by the reflection layer 42 and extracted from the top surface 2.

本発明は上述した実施の形態または変形例に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等ができる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments or modifications, and various changes and modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

１…ＬＥＤ、２…上面、３…底面、４Ａ〜４Ｄ…側面、１０…基板、１１…半導体層、１３…第１の半導体層、１４…活性層、１５…第２の半導体層、２３…第１の金属電極、２４…第２の金属電極、３３…第１の絶縁層、３４…第２の絶縁層、４１…透明電極、４２…反射層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... LED, 2 ... Upper surface, 3 ... Bottom surface, 4A-4D ... Side surface, 10 ... Substrate, 11 ... Semiconductor layer, 13 ... 1st semiconductor layer, 14 ... Active layer, 15 ... 2nd semiconductor layer, 23 ... 1st metal electrode, 24 ... 2nd metal electrode, 33 ... 1st insulating layer, 34 ... 2nd insulating layer, 41 ... Transparent electrode, 42 ... Reflective layer

Claims

A substrate,
A plurality of semiconductor layers stacked on the substrate;
A first metal electrode connected to the first semiconductor layer, and a second metal electrode connected to the second semiconductor layer,
A rectangular parallelepiped semiconductor light emitting device that emits light when a current is applied between the first metal electrode and the second metal electrode,
At least one of the first metal electrode and the second metal electrode is formed on any one of the side surfaces.

2. The device according to claim 1, wherein at least one of the first metal electrode and the second metal electrode is connected to a side surface of the first semiconductor layer or a side surface of the second semiconductor layer. The semiconductor light emitting element as described.

The first metal electrode formed on the first side surface is connected to the side surface of the first semiconductor layer;
3. The semiconductor light emitting element according to claim 2, wherein the second metal electrode formed on the second side surface is connected to the side surface of the second semiconductor layer.

A first insulating layer covering a side surface of the second semiconductor layer formed on the first side surface;
A second insulating layer covering a side surface of the first semiconductor layer formed on the second side surface,
4. The semiconductor light emitting element according to claim 3, wherein the first metal electrode and the second metal electrode are formed on the entire surface of each side surface.

2. The semiconductor light emitting device according to claim 1, further comprising a transparent electrode formed on the second semiconductor layer and connected to the second metal electrode.

6. The semiconductor light emitting element according to claim 5, wherein the transparent electrode is formed on the entire upper surface.

The semiconductor light-emitting element according to claim 1, wherein the side surface and the bottom surface are covered with a light reflection layer.