JP2013250642A - Position detection device and its control method and its system - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a capacitance type position detection device capable of accurately (highly precisely) and quickly detecting a position where an object has come in contact with a substrate or a position where the object has approached the substrate in a non-contact state and its control method (position detection method) and a position detection device.SOLUTION: A capacitance type touch panel 10 includes: a substrate 12 having a conductive film 14 formed on the surface; nodes A and B on an X axis and nodes A and D on a Y axis of the conductive film 14; a reference clock generation circuit 20 for applying a clock signal via corresponding load resistances R0 to the nodes A to D; a position information extraction part 30 for generating, for example, a logarithmic signal ratio between the nodes A and B and a logarithmic signal ratio between the nodes A and D; and a position detection part 40 for detecting X axial and Y axial coordinates on the basis of position information generated by the position information extraction part 30.

Description

本発明は、静電容量型の位置検出装置に関連し、例えばパネルへの物体(例えば指)の接触または非接触により、その座標を抽出する装置及びその制御方法ステム、並びにそのシステムに関する。尚、本明細書において、前記座標を抽出する装置を総称して「タッチパネル」と呼ぶが、それには非接触手段による座標の抽出も含まれる。   The present invention relates to a capacitance type position detection apparatus, and relates to an apparatus for extracting coordinates thereof by contact or non-contact of an object (for example, a finger) to a panel, a control method system thereof, and the system thereof. In the present specification, devices for extracting the coordinates are collectively referred to as a “touch panel”, which includes the extraction of coordinates by non-contact means.

近年、スマートフォンに代表されるようなモバイル機器や、液晶表示装置、電子ボード、等の入力インターフェースとしてタッチパネルが利用されている。タッチパネルの技術には、静電容量型方式(サーフェース・キャパシティブ)や抵抗膜方式などが知られている。静電容量型方式は、一般に、ガラスやプラスチック等の透明基板の表面に透明な導電膜をコーティングし、透明基板に指を触れることで、静電容量(コンデンサ)を形成し、静電容量を介して流された微弱電流の変化分を検出することで位置(座標)を検出している。静電容量型方式は、抵抗膜方式のように2層の導電膜を必要とせず、透明な導電膜を成膜したガラス基板1枚で構成することができるため、抵抗膜方式に比べて部品点数が少なくかつ透過率も高い利点をもつ。   In recent years, touch panels have been used as input interfaces for mobile devices such as smartphones, liquid crystal display devices, electronic boards, and the like. As a touch panel technology, a capacitive type (surface-capacitive) type and a resistive film type are known. In general, the electrostatic capacity type method coats a transparent conductive film on the surface of a transparent substrate such as glass or plastic, and forms a capacitance (capacitor) by touching the transparent substrate with a finger. The position (coordinates) is detected by detecting the amount of change in the weak current passed through. The capacitive type method does not require a two-layer conductive film unlike the resistive film type, and can be composed of a single glass substrate on which a transparent conductive film is formed. It has the advantage of low score and high transmittance.

第1の基板と第2の基板との間に液晶を挟み、第2の基板の表面に透明導電膜を形成することで、静電容量結合方式のタッチパネル機能を備えた液晶モジュールが構成される(特許文献1、2)。このタッチパネルでは、透明導電膜の各コーナーの4点のノードにパルス電圧が印加され、指が接触されたとき、指の接触位置に応じて各コーナーのノードに現れる電圧波形は異なる時定数の電圧波形となり、これらの電圧波形に基づき接触位置(座標位置)を検出している。また、タッチパネルの対角を成す一方のコーナーにパルス電圧を印加したときの他方のコーナーに現れるパルス電圧の立ち上がり時間を計測し、次に、他方のコーナーにパルス電圧を印加したときの一方のコーナーに現れるパルス電圧の立ち上がり時間を計測し、それら2つの計測時間の時間差を利用して指の接触位置を検出するものもある(特許文献3)。更に、抵抗膜の4隅にの接続点に交流信号を印加し、その4隅のうち2点に流れる電流の差分をもとに座標を算出する表示装置が開示されるものもある。(特許文献4)。   A liquid crystal module having a capacitively coupled touch panel function is configured by sandwiching liquid crystal between the first substrate and the second substrate and forming a transparent conductive film on the surface of the second substrate. (Patent Documents 1 and 2). In this touch panel, when a pulse voltage is applied to the four nodes at each corner of the transparent conductive film and the finger is touched, the voltage waveform appearing at the node at each corner varies depending on the finger contact position. A waveform is obtained, and the contact position (coordinate position) is detected based on these voltage waveforms. Also, the rise time of the pulse voltage that appears at the other corner when the pulse voltage is applied to one corner of the touch panel is measured, and then one corner when the pulse voltage is applied to the other corner There is also a technique that measures the rise time of the pulse voltage appearing at, and detects the finger contact position using the time difference between the two measurement times (Patent Document 3). Further, there is a display device that applies an AC signal to connection points at the four corners of the resistive film and calculates coordinates based on a difference between currents flowing at two of the four corners. (Patent Document 4).

特許文献1:特開2008−134522号公報
特許文献2:特開2009−116090号公報
特許文献3:特開2009−015492号公報
特許文献4:特開2007−207124号公報
尚、特許文献1〜3のそれぞれを本発明書に盛り込み、特許文献1〜4のそれぞれが開示する内容を本明細書の開示の一部とする。
Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-134522 Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-116090 Patent Document 3: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-015492 Patent Document 4: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-207124 Each of 3 is included in the present invention, and the contents disclosed in Patent Documents 1 to 4 are part of the disclosure of this specification.

本発明は、物体が基板に接触した位置、または物体が基板に非接触に近づいた位置を、正確(高精度)にかつ高速に検出することができる静電容量型の位置検出装置及びその制御方法(位置検出方法)、並びに位置検出装置を含むシステムが望まれる。また、特許文献4に開示される電流をもとに座標を算出する方式は、電流を電圧に変換することを開示するも平均電流をもとに算出するものであるから消費電力値が大きく又座標を算出する時間も長い。   The present invention relates to a capacitance type position detection apparatus capable of accurately (highly) detecting a position where an object is in contact with a substrate or a position where an object is close to a substrate without contact, and its control. A method (position detection method) and a system including a position detection device are desired. Further, the method of calculating coordinates based on current disclosed in Patent Document 4 discloses converting current to voltage, but is calculated based on average current. It takes a long time to calculate the coordinates.

本発明に係る位置検出装置は、導電膜と、前記導電膜上に形成された絶縁膜と、前記導電膜のX軸またはY軸の少なくともいずれか一方の軸上における少なくとも2点に接続された第1および第2のノードと、前記第1および第2のノードに、クロック信号を印加する第1の回路(印加回路)と、前記第1および第2のノードからそれぞれ得られた第1および第2の出力電圧の対数信号比を示す第1の対数信号比を生成する第2の回路(抽出回路)と、前記第1の対数信号比に基づき、前記絶縁膜に物体が接近または接触した前記少なくともいずれか一方の軸の座標位置を導く第3の回路(検出回路)と、を有する。   The position detection device according to the present invention is connected to at least two points on the conductive film, the insulating film formed on the conductive film, and at least one of the X axis and the Y axis of the conductive film. First and second nodes, a first circuit (application circuit) for applying a clock signal to the first and second nodes, and first and second nodes obtained from the first and second nodes, respectively. A second circuit (extraction circuit) that generates a first log signal ratio indicating a log signal ratio of the second output voltage, and an object approaches or contacts the insulating film based on the first log signal ratio And a third circuit (detection circuit) for deriving the coordinate position of at least one of the axes.

本発明の位置検出方法は、導電膜のX軸上の第1および第2のノード、並びに前記導電膜上のY軸上の第3および第4のノードに共通のクロック信号を印加し、X軸上の第1及び第2のノードの電圧に関連する対数信号比を示す第1の対数信号比を生成し、Y軸上の第3及び第4のノードの電圧に関連する対数信号比を示す第2の対数信号比を生成し、前記第1および第2の対数信号比に基づき、前記導電膜上に形成された絶縁膜のXY平面上に物体が接近または接触する位置の座標を導く。   The position detection method of the present invention applies a common clock signal to the first and second nodes on the X axis of the conductive film and the third and fourth nodes on the Y axis of the conductive film, Generating a first log signal ratio indicative of the log signal ratio associated with the voltage at the first and second nodes on the axis, and calculating the log signal ratio associated with the voltage at the third and fourth nodes on the Y axis. A second logarithmic signal ratio is generated, and coordinates of an object approaching or contacting the XY plane of the insulating film formed on the conductive film are derived based on the first and second logarithmic signal ratios. .

本発明によれば、複数のノードにそれぞれ対応する複数の対数信号比を生成することにより、例えば、導電膜上に形成された絶縁膜のXY平面上に物体が接近または接触する位置の座標を正確にかつ高速に検出することができる。   According to the present invention, by generating a plurality of log signal ratios respectively corresponding to a plurality of nodes, for example, the coordinates of the position where an object approaches or contacts the XY plane of the insulating film formed on the conductive film can be obtained. It can be detected accurately and at high speed.

図1(A)は、タッチパネルの基板の構成を示す断面図、図1(B)は、本発明の実施例のタッチパネルの全体構成を示す図である。FIG. 1A is a cross-sectional view illustrating a configuration of a substrate of a touch panel, and FIG. 1B is a diagram illustrating an overall configuration of a touch panel according to an embodiment of the present invention. 図2(A)は本発明の実施例に係るタッチパネルのノードA、Bから接触位置に至る抵抗と、接触位置における容量を示す図、図2(B)はノードA、BでのStep波形に対する応答カーブである。FIG. 2A is a diagram showing the resistance from the nodes A and B to the contact position and the capacitance at the contact position of the touch panel according to the embodiment of the present invention, and FIG. 2B is for the Step waveform at the nodes A and B. It is a response curve. 本発明の実施例に係るタッチパネルのノードA、Bからタッチ位置に至る抵抗と距離、接触位置における容量を示す図である。It is a figure which shows the capacity | capacitance in the resistance and distance from the nodes A and B of the touchscreen which concern on the Example of this invention to a touch position, and a contact position. タッチパネルのノードA、Bでの出力波形の時間推移。飽和出力からの差異出力Vα、Vβ示す図である。Time transition of output waveform at nodes A and B on the touch panel. It is a figure which shows the difference outputs V (alpha) and V (beta) from a saturation output. タッチパネルのノードA、Bでの飽和出力からの差異出力Vα、Vβの数式と、Vα、Vβの対数表示、及び両者の比を取った数式展開を示す図である。It is a figure which shows numerical formula expansion which took the numerical expression of difference output V (alpha), V (beta) from the saturated output in the nodes A and B of a touch panel, the logarithm display of V (alpha), V (beta), and ratio of both. タッチパネルのノードA、B間の電圧の測定原理を説明する図である。It is a figure explaining the measurement principle of the voltage between the nodes A and B of a touch panel. タッチパネルのノードA、B間の電圧、およびノードA,D間の電圧の測定原理を説明する図である。It is a figure explaining the measurement principle of the voltage between the nodes A and B of the touch panel, and the voltage between the nodes A and D. 本発明の実施例に係るタッチパネルの位置情報抽出部の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the positional information extraction part of the touchscreen which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例による2点接触の検出原理を説明する図である。It is a figure explaining the detection principle of two-point contact by the Example of this invention.

以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して説明する。なお、図面のスケールは、発明の特徴を分かり易くするために強調されており、必ずしも実際のデバイスのスケールと同一ではないことに留意すべきである。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that the scale of the drawings is emphasized for easy understanding of the features of the invention and is not necessarily the same as the scale of an actual device.

図1(A)は、本実施例に係る静電容量型のタッチパネルが含む基板の概略構成を示す断面図である。タッチパネル10は、ガラス、プラスチック、またはその他の材の透明な基板12と、基板12の全面に形成されたITO(Indium Tin Oxide) 、またはその他の材の透明な導電膜14とを含んで構成される。導電膜14は、薄いシート状の透明な絶縁保護膜16、例えばポリエステルシートなどの樹脂シート、またはガラス(好ましくは強化ガラス、複層ガラス、多層ガラス)などの樹脂よりも高い弾性率、剛性率を有する硬度シートによって覆われていてもよい。典型的に、タッチパネル10は、表示ディスプレイ(例えば、液晶パネル、有機エレクトロルミネッセンス(Organic Electro-Luminescence) パネル、電子ボード)とモジュール化または一体化され、入力機能を有する表示装置を構成する。例えば、基板12は、液晶パネルなどで生成された画像情報を透過するように構成される。尚、本明細書において「タッチパネル」とは、物体がパネルに接触する(タッチング)ことに限られず、物体とパネルが所定の距離を介する非接触も含まれる。非接触の例えとして、物体(例えば指)がパネル上空をホバリングしながらムービングする場合も含まれる。更に、基板12はリジットであってもフレキシブルであってもよい。つまり、タッチパネル10は、表示ディスプレイの組成特性に対応してリジットであってもフレキシブルであってもよい。更に、タッチパネル10が表示ディスプレイと一体化される場合、タッチパネル10としての基板12を省略できる場合がある。   FIG. 1A is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a substrate included in the capacitive touch panel according to the present embodiment. The touch panel 10 includes a transparent substrate 12 made of glass, plastic, or other material, and a transparent conductive film 14 made of ITO (Indium Tin Oxide) or other material formed on the entire surface of the substrate 12. The The conductive film 14 is a thin sheet-like transparent insulating protective film 16, for example, a resin sheet such as a polyester sheet, or a higher elastic modulus and rigidity than a resin such as glass (preferably tempered glass, multilayer glass, multilayer glass). It may be covered with a hardness sheet having Typically, the touch panel 10 is modularized or integrated with a display display (for example, a liquid crystal panel, an organic electro-luminescence panel, or an electronic board) to constitute a display device having an input function. For example, the substrate 12 is configured to transmit image information generated by a liquid crystal panel or the like. In the present specification, the “touch panel” is not limited to the case where the object touches the panel (touching), and includes a case where the object and the panel do not contact each other through a predetermined distance. An example of non-contact includes a case where an object (for example, a finger) moves while hovering over the panel. Further, the substrate 12 may be rigid or flexible. That is, the touch panel 10 may be rigid or flexible corresponding to the composition characteristics of the display. Furthermore, when the touch panel 10 is integrated with a display, the substrate 12 as the touch panel 10 may be omitted.

図1(B)は、タッチパネル10の全体の概略構成を示す図である。導電膜14上のX軸およびY軸の各コーナーには、ノードA、B、C、Dが形成され、各ノードA〜Dは、抵抗R0を介して基準電位発生回路20の共通ノードNに接続される。基準電位発生回路20は、好ましくは一定の周波数、例えば1MHzの基準パルス信号(後述する図2(B)に示される矩形波(Square wave))を生成するものであり、さらに基準パルス信号に一定の直流バイアスを付加するものであってもよい。これにより、各ノードA、B、C、Dには、抵抗R0を介して同時に、同相、同電位の基準クロック信号が供給される。   FIG. 1B is a diagram illustrating an overall schematic configuration of the touch panel 10. Nodes A, B, C, and D are formed at the X-axis and Y-axis corners on the conductive film 14, and the nodes A to D are connected to the common node N of the reference potential generation circuit 20 through the resistor R0. Connected. The reference potential generation circuit 20 generates a reference pulse signal (a square wave shown in FIG. 2B, which will be described later), preferably at a constant frequency, for example, 1 MHz. The DC bias may be added. Thus, the reference clock signals having the same phase and the same potential are simultaneously supplied to the nodes A, B, C, and D through the resistor R0.

静電容量型のタッチパネルにおいて、指が導電膜14に接触され、あるいは保護膜16を介して導電膜14に接近されると(以下、このような接近を含めて接触という)、その接触位置P(図1(B)を参照)に静電容量Csが形成され、各ノードA〜Dから接触位置Pには微弱な電流が流れる。ノードAから接触位置Pまでの距離、ノードBから接触位置Pまでの距離に応じた抵抗Ra、Rbが形成されるため、各ノードA〜Dには、抵抗と静電容量の時定数で決まる電圧波形の電流が流れることになる。   In a capacitive touch panel, when a finger comes into contact with the conductive film 14 or approaches the conductive film 14 through the protective film 16 (hereinafter referred to as contact including such approach), the contact position P The electrostatic capacitance Cs is formed in (see FIG. 1B), and a weak current flows from each node A to D to the contact position P. Since the resistors Ra and Rb are formed according to the distance from the node A to the contact position P and the distance from the node B to the contact position P, each of the nodes A to D is determined by the time constant of the resistance and the capacitance. A current having a voltage waveform flows.

各ノードA、B、C、Dに流れる信号は、位置情報抽出部30へ提供され、位置情報抽出部30は、後述するように、X軸のノードA、B間の対数信号比を抽出し、かつY軸のノードA、D間の対数信号比を抽出するような処理を行う。位置情報抽出部30によって抽出された情報は、位置検出部40へ提供され、抽出された位置情報に基づき接触位置Pを特定するための位置検出が行われる。位置情報検出部30および位置検出部40は、どのような形態によって構成されてもよく、ハードウエア、ソフトウエア、あるいはハードウエアとソフトウエアの双方を用いて構成することができる。好ましい態様では、位置情報検出部30は、アナログ信号を処理する回路等によって構成され、位置検出部40は、ディジタル信号を処理する回路やソフトウエアによって構成される。位置検出部40の出力は、表示装置、または表示装置を制御するシステムに提供される。   Signals flowing through the nodes A, B, C, and D are provided to the position information extraction unit 30. The position information extraction unit 30 extracts a log signal ratio between the nodes A and B on the X axis as described later. , And a process of extracting the log signal ratio between the nodes A and D on the Y axis. The information extracted by the position information extraction unit 30 is provided to the position detection unit 40, and position detection for specifying the contact position P is performed based on the extracted position information. The position information detection unit 30 and the position detection unit 40 may be configured in any form, and may be configured using hardware, software, or both hardware and software. In a preferred embodiment, the position information detection unit 30 is configured by a circuit or the like that processes an analog signal, and the position detection unit 40 is configured by a circuit or software that processes a digital signal. The output of the position detection unit 40 is provided to a display device or a system that controls the display device.

次に、本実施例に係るタッチパネルの位置検出原理について説明する。本実施例では、図1(B)に示すように、静電容量型のタッチパネルにおいて、X軸上の2点のノードA、B、Y軸上の2点のノードA、Dの対数信号比を利用して接触位置を検出する。   Next, the principle of detecting the position of the touch panel according to the present embodiment will be described. In this embodiment, as shown in FIG. 1B, in a capacitive touch panel, logarithmic signal ratios of two nodes A and B on the X axis and two nodes A and D on the Y axis. The contact position is detected using.

図2(A)に示すように、タッチパネル上の接触位置Pが接触されたとき、X軸のノードA、Bには、図2(B)に示すように、抵抗Ra、Rb、静電容量Cxyによる時定数で決まる電圧信号Va、Vbが生じる。ここには示していないが、Y軸のノードA、Dにも同様に、抵抗Ra、Rdによる時定数で決まる電圧信号Va、Vdが生じる。この電圧信号Va、Vdのそれぞれの遷移は、CR時定数による過渡領域(transient area)における所定時間の電位である。尚、図2(B)に示される矩形波は、基準電位発生回路20が各ノードA〜Dに供給する基準パルス信号(図1(B)の共通ノードN)を示す。矩形波の上辺が、飽和出力電位(5v)である。矩形波の底辺(下辺)が、0vである。0vと5vの間の電位の遷移期間が、非飽和出力電位である。   As shown in FIG. 2A, when the contact position P on the touch panel is touched, the nodes A and B on the X axis have resistances Ra and Rb, capacitances as shown in FIG. Voltage signals Va and Vb determined by a time constant by Cxy are generated. Although not shown here, the voltage signals Va and Vd determined by the time constants of the resistors Ra and Rd are similarly generated at the nodes A and D on the Y axis. Each transition of the voltage signals Va and Vd is a potential for a predetermined time in a transient area due to a CR time constant. 2B indicates a reference pulse signal (common node N in FIG. 1B) that the reference potential generation circuit 20 supplies to each of the nodes A to D. The upper side of the rectangular wave is the saturation output potential (5v). The bottom side (lower side) of the rectangular wave is 0v. The transition period of the potential between 0v and 5v is the non-saturated output potential.

図3に示すように、タッチパネル上の接触位置P1がタッチ箇所の場合、X軸のノードA、BとP1間には、図に示すように、抵抗Ra、Rb、静電容量Cxyが生じる。抵抗Ra、Rbは一義的にノードA,BとP1間の距離Da、Dbに依存し、ほぼ比例関係にある。この比例係数はP1の位置に依存する。この比例係数は、P1がパネルの周辺部分に無いとき、ほぼ一定になる。   As shown in FIG. 3, when the touch position P1 on the touch panel is a touch location, resistances Ra and Rb and a capacitance Cxy are generated between the nodes A, B and P1 on the X axis as shown in the figure. The resistors Ra and Rb are uniquely proportional to the distances Da and Db between the nodes A and B and P1, and have a substantially proportional relationship. This proportionality coefficient depends on the position of P1. This proportionality coefficient becomes almost constant when P1 is not in the peripheral portion of the panel.

図4に示すように、ノードA,BにおけるStep波形応答の電圧信号Va、Vbは、静電容量Cxyと抵抗Ra、Rbによる時定数で決まる波形になるが、これと飽和出力からの差異出力をVα、Vβとして図4に示している。ここでVα、Vβはパルスの立ち上がりから一定時間(t0)後の出力を取る。   As shown in FIG. 4, step waveform response voltage signals Va and Vb at nodes A and B have waveforms determined by the time constants of capacitance Cxy and resistors Ra and Rb. Is shown in FIG. 4 as Vα and Vβ. Here, Vα and Vβ take outputs after a certain time (t0) from the rising edge of the pulse.

図5には、タッチパネルのノードA、Bでの飽和出力からの差異出力Vα、Vβの数式と、Vα、Vβの対数表示、及び両者の比を取った数式展開を示す。kは定数であり、対数の比を取ることでこの定数は消え、P1とノードA,B間の抵抗Ra、Rbの比になり、距離Da、Dbの比になる。これにより差異出力Vα、Vβの対数信号比を取ることにより、接触位置P1のノードA,Bから距離比が求まる。   FIG. 5 shows mathematical expressions of differential outputs Vα and Vβ from saturated outputs at nodes A and B of the touch panel, logarithmic display of Vα and Vβ, and a ratio of the two. k is a constant, and by taking the logarithmic ratio, this constant disappears, becomes the ratio of resistances Ra and Rb between P1 and nodes A and B, and becomes the ratio of distances Da and Db. Thereby, the distance ratio is obtained from the nodes A and B of the contact position P1 by taking the logarithmic signal ratio of the difference outputs Vα and Vβ.

図6は、電圧の測定原理を説明する図である。ノードA、B、C、Dに対して、図に示すように接触位置PがノードAに近く、ノードBから離れているとすると、接触位置PとノードA間の抵抗が小さいため、ノードAには接触位置Pの影響が強く現れ(電圧の低下が大きく)、反対に、ノードBには接触位置PとノードB間の抵抗が大きいため接触位置Pの影響が弱く現れる(電圧低下が小さい)。このため、ノードAからノードBの電圧変化を対数での比で見ると、ノードA、Bから見た接触位置Pまでの距離a、距離bの比が求まることになる。   FIG. 6 is a diagram for explaining the principle of voltage measurement. If the contact position P is close to the node A and away from the node B with respect to the nodes A, B, C, and D, the resistance between the contact position P and the node A is small. The influence of the contact position P appears strongly (the voltage drop is large), and conversely, the influence of the contact position P appears weakly at the node B because the resistance between the contact position P and the node B is large (the voltage drop is small). ). Therefore, when the voltage change from the node A to the node B is viewed as a logarithmic ratio, the ratio of the distance a and the distance b from the nodes A and B to the contact position P is obtained.

次に、クロック信号を、抵抗R0を介してタッチパネルの4つのノードA、B、C、Dに同時に印加したときの2つのノード間の差動電圧測定モデルについて検討する。図7に示すように、Pを接触位置、a、b、c、dを接触位置Pから各ノードまでの距離とする。この時、各端子に現れる電圧をV(A)、V(B)、V(C)、V(D)とする。これらに対応した飽和出力からの差異出力を、それぞれVα、Vβ、Vγ、Vζとする。これらの対数を算出し、それぞれの比を取ることで、接触位置のX座標、Y座標が求まる。   Next, a differential voltage measurement model between two nodes when a clock signal is simultaneously applied to the four nodes A, B, C, and D of the touch panel via the resistor R0 will be considered. As shown in FIG. 7, P is a contact position, and a, b, c, and d are distances from the contact position P to each node. At this time, the voltages appearing at the terminals are V (A), V (B), V (C), and V (D). The difference outputs from the saturated outputs corresponding to these are denoted as Vα, Vβ, Vγ, and Vζ, respectively. By calculating these logarithms and taking their ratios, the X coordinate and Y coordinate of the contact position can be obtained.

本実施例による対数比を利用した位置検出アルゴリズムを整理すると次のようになる。4つのノードA〜Dに同時に基準パルス信号を入力し、そのうち、X軸、Y軸の2つのノードの出力波形を測定する。パルスの立ち上がりから一定時間(t0)後の飽和出力からの差異出力を取る。次にこれの対数を取り、X軸、Y軸に対しの2つのノードに対する対数比を取ることにより、距離の比がX軸、Y軸に対し求まる。これにより接触位置のX軸、Y軸に対する位置が求まる。サンプリング間隔を0.01s(秒)レベルで行い、2点測定と時間軸の2点測定からノイズキャンセルする。なおこのサンプリング動作ではサンプリング毎に例えば1MHzの基準クロック信号に合わせてX軸のノードA、BとノードC、Dの2点測定、Y軸のノードA、DとノードB、Cの2点測定を1つの単位としてノイズキャンセルを図るに必要な回数繰り返すことになる。   The position detection algorithm using the logarithmic ratio according to the present embodiment is organized as follows. Reference pulse signals are simultaneously input to the four nodes A to D, and the output waveforms of the two nodes of the X axis and the Y axis are measured. The difference output from the saturation output after a certain time (t0) from the rising edge of the pulse is taken. Next, by taking the logarithm of this and taking the logarithmic ratio of the two nodes with respect to the X axis and Y axis, the ratio of the distances is obtained with respect to the X axis and Y axis. Thereby, the position of the contact position with respect to the X axis and the Y axis is obtained. The sampling interval is performed at a level of 0.01 s (seconds), and noise cancellation is performed from two-point measurement and two-point measurement on the time axis. In this sampling operation, two-point measurement of nodes A and B on the X axis and nodes C and D on the X axis and two points measurement on the nodes A and D on the Y axis and nodes B and C in accordance with, for example, a 1 MHz reference clock signal. Is repeated as many times as necessary to achieve noise cancellation.

次に、本実施例のタッチパネルの好ましい構成について説明する。図8は、位置情報抽出部の好ましい構成を示すブロック図である。図1の位置情報抽出部30は、図8においては、4つのノードA〜Dの出力信号を入力し、その中から2つの出力信号を選択するセレクター100と、セレクター100によって選択された2つのノードの出力信号を入力する対数比回路102と、対数比回路102から出力された信号のノイズを除去するフィルター104と、ノイズが除去された対数比信号の出力信号をアナログ/ディジタル変換するA/Dコンバータ108と、各ノードに電流が流れたことに応答して指の接触があったことを検出する第3の回路(検出回路)110と、第3の回路(検出回路)110により接触が検出されると、セレクター100による選択の切替を行うフリップフロップ回路112と、基準電位発生回路20からの基準クロック信号を受け取り、信号バスBUSを介して種々のクロック信号を各部に供給するコントローラ114とを含んで構成される。   Next, a preferable configuration of the touch panel of this embodiment will be described. FIG. 8 is a block diagram showing a preferred configuration of the position information extraction unit. In FIG. 8, the position information extraction unit 30 in FIG. 1 receives the output signals of the four nodes A to D and selects two output signals from among them, and the two selected by the selector 100. A log ratio circuit 102 to which an output signal of the node is input, a filter 104 for removing noise of the signal output from the log ratio circuit 102, and an analog / digital conversion of the output signal of the log ratio signal from which the noise has been removed. Contact is detected by the D converter 108, the third circuit (detection circuit) 110 that detects that a finger touches in response to the current flowing through each node, and the third circuit (detection circuit) 110. When detected, the flip-flop circuit 112 that performs selection switching by the selector 100 and the reference clock signal from the reference potential generation circuit 20 are received, Through the scan BUS configured to include a controller 114 are supplied to each section of the various clock signals.

第3の回路(検出回路)110は、コントローラ114から供給されるクロック信号の立ち上がりに同期するタイミングで指の接触の有無を検出する。指の接触が検出された場合には、第3の回路(検出回路)110は、フリップフロップ回路112にイネーブル信号を供給し、フリップフロップ回路112を動作可能な状態にする。コントローラ114は、フリップフロップ回路112に信号バスBUSを介して一定周波数のクロック信号を供給し、フリップフロップ回路112はクロック信号に応答して第3の回路(検出回路)の検出状態を保持する信号をセレクター100に出力する。コントローラ114はまた、クロック信号に応答して選択状態に対応した切替クロック信号をセレクター100に出力する。セレクター100は、選択状態に応じて1対のノードの出力信号を選択する。例えば、最初の選択状態のとき、X軸上のノードA、Bの出力信号を選択し、次の状態のとき、Y軸上のノードA、Dの出力信号を選択し、というように順次必要な出力信号を選択しこれらの組み合わせが繰り返される。この選択の周期は、コントローラ114からのクロック信号の周波数により適宜選択されるが、好ましくは、指の接触時間は、典型的に0.1秒程度であるので、その間にセレクター100が少なくとも100回程度のノードのサンプリングができるようにする。   The third circuit (detection circuit) 110 detects the presence or absence of a finger contact at a timing synchronized with the rising edge of the clock signal supplied from the controller 114. When the contact of the finger is detected, the third circuit (detection circuit) 110 supplies an enable signal to the flip-flop circuit 112 to make the flip-flop circuit 112 operable. The controller 114 supplies a clock signal having a constant frequency to the flip-flop circuit 112 via the signal bus BUS, and the flip-flop circuit 112 is a signal that holds the detection state of the third circuit (detection circuit) in response to the clock signal. Is output to the selector 100. The controller 114 also outputs a switching clock signal corresponding to the selected state to the selector 100 in response to the clock signal. The selector 100 selects an output signal of a pair of nodes according to the selection state. For example, in the first selection state, the output signals of the nodes A and B on the X axis are selected, in the next state, the output signals of the nodes A and D on the Y axis are selected, and so on. These output combinations are repeated by selecting the correct output signal. The selection cycle is appropriately selected according to the frequency of the clock signal from the controller 114. Preferably, the finger contact time is typically about 0.1 seconds, so that the selector 100 is at least 100 times in the meantime. It is possible to sample about a certain number of nodes.

対数比回路102は、セレクター100によって選択された2つのノード(AとB、またはAとD)の出力信号の対数比信号を抽出する。ノイズが除去された対数比信号の出力信号をアナログ/ディジタル変換するA/Dコンバータ108の出力値を受け取り、これを所定のビット数のディジタル値に変換し、図1に示す位置検出部40へ提供する。位置検出部40は、後述するように受け取ったディジタル信号を処理することで、接触位置を検出する。   The log ratio circuit 102 extracts the log ratio signal of the output signals of the two nodes (A and B or A and D) selected by the selector 100. The output value of the A / D converter 108 that performs analog / digital conversion on the output signal of the logarithmic ratio signal from which noise has been removed is received, converted into a digital value of a predetermined number of bits, and sent to the position detector 40 shown in FIG. provide. The position detection unit 40 detects the contact position by processing the received digital signal as described later.

次に、本実施例の位置検出部について説明する。図1(B)に示す位置検出部40は、位置情報抽出部30により抽出されたデータに基づき、1点接触(シングルタッチ)、複数点接触(マルチタッチ)の判定を行い、その判定結果に基づき検出した接触位置に該当する座標情報を出力する。例えば、位置検出部40は、対数信号比(位置情報抽出部30により抽出されたデータ)が第1のしきい値以下であるとき接近または接触位置は1つであると判定し、前記第1の対数信号比が第1のしきい値より大きいとき前記接近または接触位置は少なくとも2つであると判定する。   Next, the position detection part of a present Example is demonstrated. The position detection unit 40 shown in FIG. 1 (B) determines one-point contact (single touch) or multiple points contact (multi-touch) based on the data extracted by the position information extraction unit 30, and displays the determination result. Coordinate information corresponding to the detected contact position is output. For example, when the logarithmic signal ratio (data extracted by the position information extraction unit 30) is equal to or less than a first threshold value, the position detection unit 40 determines that there is one approach or contact position, and the first When the log signal ratio is greater than the first threshold value, it is determined that there are at least two approach or contact positions.

次に、複数点接触(マルチタッチ)の位置検出方法について説明する。複数点接触の位置検出は、1点接触の重ね合わせから求めることができる。図9に示すように、接触点T2が接触点T1と重なったときを考える。ただし、信号量はノードA−Bから見た値とする。この場合、接触による静電容量がほぼ2倍になるため、信号量が増加する。但し、信号量の大きさは2倍にはならず、1点接触のときの1.3〜1.8程度である。接触点T2が接触点T1から離れてゆくと、図の例では、b2の抵抗変化は少ないが、a2の抵抗が大きく変化する。接触点T1の距離a1がノードAの近傍にあり、b1はノードBから離れているため、信号電圧はほとんどa1で決まる。接触点T2が接触点T1から離れると、距離a2が大きくなり、a2による信号量が低下し、接触点T2の移動により信号量が小さくなる。a2がよりノードAに近づくと、逆に信号量が大きくなる。この信号量の変化は、2点間の移動距離に対応した値になる。これが、2点接触の検出原理である。2点接触では、接触により静電容量が増加することにより信号量も増加するので、比較的感度が高い。他方、X軸のノードA−Bの感度が低下しても、Y軸のノードA−Dがそれを補完するため、検出することが可能である。同様にノードB−C、C−Dでも検知を行うことで、2つの接触点の座標を求めることが出来る。   Next, a method for detecting the position of multi-point contact (multi-touch) will be described. The position detection of the multipoint contact can be obtained from the superposition of the single point contacts. Consider the case where the contact point T2 overlaps the contact point T1, as shown in FIG. However, the signal amount is a value viewed from the node AB. In this case, since the electrostatic capacitance due to the contact is almost doubled, the signal amount is increased. However, the magnitude of the signal amount is not doubled and is about 1.3 to 1.8 at the time of one-point contact. When the contact point T2 moves away from the contact point T1, the resistance change of b2 is small in the example in the figure, but the resistance of a2 changes greatly. Since the distance a1 of the contact point T1 is in the vicinity of the node A and b1 is away from the node B, the signal voltage is almost determined by a1. When the contact point T2 moves away from the contact point T1, the distance a2 increases, the signal amount due to a2 decreases, and the signal amount decreases as the contact point T2 moves. As a2 gets closer to node A, the amount of signal increases. This change in the signal amount becomes a value corresponding to the moving distance between the two points. This is the detection principle of two-point contact. The two-point contact has a relatively high sensitivity because the amount of signal increases as the capacitance increases due to the contact. On the other hand, even if the sensitivity of the node A-B on the X axis decreases, the node A-D on the Y axis complements it, so that it can be detected. Similarly, the coordinates of the two contact points can be obtained by detecting also at the nodes BC and CD.

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。   The preferred embodiment of the present invention has been described in detail above, but the present invention is not limited to the specific embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention described in the claims. Deformation / change is possible.

10:タッチパネル
12:基板
14:導電膜
16:保護膜
20:基準電位発生回路
30:位置情報抽出部
40:位置検出部
100:セレクター
102:対数比回路
104:フィルター
108:A/D変換器
110:タッチ第3の回路(検出回路)
112:フリップフロップ回路
114:コントローラ
P1、T1,T2:接触位置
A、B、C、D:ノード
10: Touch panel 12: Substrate 14: Conductive film 16: Protective film 20: Reference potential generation circuit 30: Position information extraction unit 40: Position detection unit 100: Selector 102: Logarithmic ratio circuit 104: Filter 108: A / D converter 110 : Touch third circuit (detection circuit)
112: flip-flop circuit 114: controllers P1, T1, T2: contact positions A, B, C, D: nodes

Claims (10)

導電膜と、
前記導電膜上に形成された絶縁膜と、
前記導電膜のX軸またはY軸の少なくともいずれか一方の軸上における少なくとも2点に接続された第1および第2のノードと、
前記第1および第2のノードに、クロック信号を印加する第1の回路(印加回路)と、
前記第1および第2のノードからそれぞれ得られた第1および第2の出力電圧の対数信号比を示す第1の対数信号比を生成する第2の回路(抽出回路)と、
前記第1の対数信号比に基づき、前記絶縁膜に物体が接近または接触した前記少なくともいずれか一方の軸の座標位置を導く第3の回路(検出回路)と、
を有する位置検出装置。
A conductive film;
An insulating film formed on the conductive film;
First and second nodes connected to at least two points on at least one of the X-axis and Y-axis of the conductive film;
A first circuit (application circuit) for applying a clock signal to the first and second nodes;
A second circuit (extraction circuit) for generating a first log signal ratio indicating the log signal ratio of the first and second output voltages obtained from the first and second nodes, respectively;
A third circuit (detection circuit) for deriving a coordinate position of the at least one axis where an object approaches or contacts the insulating film, based on the first log signal ratio;
A position detecting device.
前記クロック信号は矩形波であり、
前記第1および第2の出力電圧のそれぞれは、前記クロック信号に対応し、時定数に関連する電圧である、請求項1に記載の位置検出装置。
The clock signal is a rectangular wave;
The position detection device according to claim 1, wherein each of the first and second output voltages is a voltage corresponding to the clock signal and related to a time constant.
位置検出装置はさらに、前記第1および第2のノードとは異なるX軸またはY軸の少なくともいずれか他方の軸上の少なくとも2点に接続された、前記クロック信号が印加された第3および第4のノードを含み、
前記第2の回路(抽出回路)は、前記第3および第4のノードからそれぞれ得られた第3および第4の出力電圧の対数信号比を示す第2の対数信号比を生成し、
前記第3の回路(検出回路)は、前記第1および第2の対数信号比に基づき前記絶縁膜に物体が接近または接触したXY平面上の座標位置を導く、請求項1または2に記載の位置検出装置。
The position detecting device is further connected to at least two points on at least one other axis of the X axis or the Y axis different from the first and second nodes, and the third and second to which the clock signal is applied. Contains 4 nodes,
The second circuit (extraction circuit) generates a second log signal ratio indicating a log signal ratio of the third and fourth output voltages obtained from the third and fourth nodes, respectively;
The third circuit (detection circuit) derives a coordinate position on an XY plane where an object approaches or contacts the insulating film based on the first and second log signal ratios. Position detection device.
前記第3の回路(検出回路)は、前記第1の対数信号比と第1のしきい値とを比較し、前記第1の対数信号比が第1のしきい値以下であるとき接近または接触位置は1つであると判定し、前記第1の対数信号比が第1のしきい値より大きいとき前記接近または接触位置は少なくとも2つであると判定する判定部を含む、請求項1または2に記載の位置検出装置。 The third circuit (detection circuit) compares the first logarithmic signal ratio with a first threshold value, and approaches when the first logarithmic signal ratio is equal to or less than the first threshold value. 2. A determination unit that determines that the number of contact positions is one and that determines that there are at least two approaches or contact positions when the first log signal ratio is greater than a first threshold value. Or the position detection apparatus of 2. 前記第2の回路(抽出回路)は、前記第1の対数信号比のノイズを除去するフィルターを含む、請求項1または2に記載の位置検出装置。 The position detection device according to claim 1, wherein the second circuit (extraction circuit) includes a filter that removes noise of the first log signal ratio. 前記第3の回路(検出回路)は、前記第2の回路(抽出回路)から提供された一定期間内の複数の前記第1の対数信号比に対応するディジタル信号を平均化する処理部を含む、請求項1または2に記載の位置検出装置。 The third circuit (detection circuit) includes a processing unit that averages digital signals corresponding to the plurality of first log signal ratios within a certain period provided from the second circuit (extraction circuit). The position detection device according to claim 1 or 2. 位置検出装置はさらに、前記第1および第2の対数信号比を正規化する正規化部を含む、請求項3に記載の位置検出装置。 The position detection apparatus according to claim 3, further comprising a normalization unit that normalizes the first and second log signal ratios. 導電膜のX軸上の第1および第2のノード、並びに前記導電膜上のY軸上の第3および第4のノードに共通のクロック信号を印加し、
X軸上の第1及び第2のノードの電圧に関連する対数信号比を示す第1の対数信号比を生成し、Y軸上の第3及び第4のノードの電圧に関連する対数信号比を示す第2の対数信号比を生成し、
前記第1および第2の対数信号比に基づき、前記導電膜上に形成された絶縁膜のXY平面上に物体が接近または接触する位置の座標を導く、位置検出方法。
Applying a common clock signal to the first and second nodes on the X axis of the conductive film and the third and fourth nodes on the Y axis of the conductive film;
Generating a first log signal ratio indicative of a log signal ratio associated with the voltage at the first and second nodes on the X axis, and a log signal ratio associated with the voltage at the third and fourth nodes on the Y axis; Generate a second log signal ratio indicative of
A position detection method for deriving coordinates of a position where an object approaches or contacts an XY plane of an insulating film formed on the conductive film based on the first and second log signal ratios.
前記クロック信号は矩形波であり、
前記第1および第2の対数信号比のそれぞれは、前記クロック信号に対応し、時定数に関連する比である、請求項8に記載の位置検出装置。
The clock signal is a rectangular wave;
9. The position detection device according to claim 8, wherein each of the first and second log signal ratios is a ratio corresponding to the clock signal and related to a time constant.
位置検出方法はさらに、前記第1および第2の対数信号比の少なくとも一方と第1のしきい値とを比較し、前記第1のしきい値以下であるとき前記接近または接触位置は1つであると判定し、第1のしきい値より大きいとき前記接近または接触位置は少なくとも2つであると判定する、請求項8または9に記載の位置検出方法。 The position detection method further compares at least one of the first and second logarithmic signal ratios with a first threshold value, and when the ratio is equal to or less than the first threshold value, the approach or contact position is one. The position detection method according to claim 8 or 9, wherein it is determined that the approach or contact position is at least two when it is greater than a first threshold value.
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