JP2013250169A - Ultrasonic sensor - Google Patents
Ultrasonic sensor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013250169A JP2013250169A JP2012125513A JP2012125513A JP2013250169A JP 2013250169 A JP2013250169 A JP 2013250169A JP 2012125513 A JP2012125513 A JP 2012125513A JP 2012125513 A JP2012125513 A JP 2012125513A JP 2013250169 A JP2013250169 A JP 2013250169A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- circuit
- vibrator
- ultrasonic sensor
- variable capacitance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、超音波を送受信する超音波センサに関する。 The present invention relates to an ultrasonic sensor that transmits and receives ultrasonic waves.
従来から、振動子を駆動させて超音波を送信し、対象物で反射した超音波(以下、反射波という)を、振動子を用いて受信し、超音波の送信から受信までの時間(飛行時間)を計測し、その計測時間を基に対象物までの距離を測定する超音波センサが知られている。この超音波センサにおいては、電気的な送信信号が振動子に入力されることにより、その送信信号に基づいて振動子が振動し、超音波が発振される。一方、反射波の受信時には、振動子が、反射波に因って振動し、圧電効果により、その振動に基づいて電気的な受信信号を出力する。 Conventionally, an ultrasonic wave is transmitted by driving a vibrator, and an ultrasonic wave reflected by an object (hereinafter referred to as a reflected wave) is received by using the vibrator. 2. Description of the Related Art Ultrasonic sensors that measure time) and measure the distance to an object based on the measurement time are known. In this ultrasonic sensor, when an electrical transmission signal is input to the vibrator, the vibrator vibrates based on the transmission signal, and an ultrasonic wave is oscillated. On the other hand, when receiving the reflected wave, the vibrator vibrates due to the reflected wave, and outputs an electrical reception signal based on the vibration due to the piezoelectric effect.
この超音波センサにおいては、超音波の送信と反射波の受信とが共通の振動子を用いてなされる。そのため、図11に示されるように、送信信号S1に基づく超音波の送信中に、送信信号S1に応じた受信信号S2が振動子から出力される。また、超音波の送信後であっても、振動子の残響振動に起因して受信信号S3が出力される。従って、対象物が超音波センサから遠くに在り、反射波に因る受信信号S4が残響振動の収束後に出力される場合には、受信信号S4を検出でき、対象物までの距離を正確に測定できる。それに対して、対象物が超音波センサの近くに在り、残響振動が収束するまでの残響振動収束時間T1中に反射波が受信されたとする。その場合には、振動子から出力される受信信号が、反射波に因る受信信号S4であるか、又は残響振動に起因する受信信号S3であるかを区別することが困難であり、対象物までの距離を正確に測定することは難しい。 In this ultrasonic sensor, transmission of ultrasonic waves and reception of reflected waves are performed using a common vibrator. Therefore, as shown in FIG. 11, during transmission of ultrasonic waves based on the transmission signal S1, a reception signal S2 corresponding to the transmission signal S1 is output from the vibrator. Even after the transmission of the ultrasonic wave, the reception signal S3 is output due to the reverberation vibration of the vibrator. Therefore, when the object is far from the ultrasonic sensor and the reception signal S4 due to the reflected wave is output after the convergence of the reverberation vibration, the reception signal S4 can be detected and the distance to the object is accurately measured. it can. On the other hand, it is assumed that the object is near the ultrasonic sensor and the reflected wave is received during the reverberation vibration convergence time T1 until the reverberation vibration converges. In that case, it is difficult to distinguish whether the reception signal output from the vibrator is the reception signal S4 due to the reflected wave or the reception signal S3 due to the reverberation vibration, It is difficult to accurately measure the distance.
そこで、対象物が近距離にあったとしても、その対象物までの距離を正確に測定できるようにするために、残響振動を抑制する構成を備えた超音波センサが知られている。この超音波センサは、そのような構成として、1次側に入力される電源電圧を昇圧し、その昇圧後の電圧を2次側から振動子に出力するトランスを備える。この超音波センサは、一般に残響振動の周波数が振動子の機械的な固有振動数(自己共振周波数)と略等しいことを利用しており、トランスの電気的な共振周波数が振動子の固有振動数と同一になるように設定されている。従って、残響振動のエネルギーがトランスにより共振現象を利用して吸収され、残響振動が抑制される。 Therefore, an ultrasonic sensor having a configuration that suppresses reverberation vibration is known in order to accurately measure the distance to the object even when the object is at a short distance. This ultrasonic sensor includes a transformer that boosts the power supply voltage input to the primary side and outputs the boosted voltage from the secondary side to the vibrator. This ultrasonic sensor generally utilizes the fact that the frequency of reverberation vibration is approximately equal to the mechanical natural frequency (self-resonance frequency) of the vibrator, and the electrical resonance frequency of the transformer is the natural frequency of the vibrator. Are set to be the same. Therefore, the energy of the reverberation vibration is absorbed by the transformer using the resonance phenomenon, and the reverberation vibration is suppressed.
しかしながら、一般に、振動子は温度特性を有しており、温度上昇に伴って静電容量が減少し、かつ固有振動数も変化する。そのため、上記超音波センサにおいては、温度が変化すると、振動子の固有振動数(=残響振動の周波数)とトランスの共振周波数との間に差が生じる。従って、残響振動のエネルギーをトランスによって十分に吸収することができなくなり、残響振動の抑制効果が低下することがある。 However, in general, the vibrator has temperature characteristics, and as the temperature rises, the capacitance decreases and the natural frequency also changes. For this reason, in the ultrasonic sensor, when the temperature changes, a difference occurs between the natural frequency of the vibrator (= frequency of reverberation vibration) and the resonance frequency of the transformer. Therefore, the energy of the reverberation vibration cannot be sufficiently absorbed by the transformer, and the effect of suppressing the reverberation vibration may be reduced.
そこで、上記超音波センサにおいて、温度変化により固有振動数が変動したとしても、電気的な共振周波数をその変動に追随させ、それらの差をなくすためのキャパシタをトランスの1次側に並列接続したものが知られている(例えば、特許文献1参照)。この超音波センサにおいて、上記キャパシタは温度特性を有し、その静電容量は、温度に応じて、共振周波数を固有振動数に追随させるように変化する。この構成によれば、振動子の温度変化に関係なく、残響振動を抑制できる。しかも、残響振動を抑制するためのキャパシタは、トランスの2次側よりも低電圧の1次側に設けられており、低耐圧キャパシタでよく、製造コストを削減できる。 Therefore, in the ultrasonic sensor, even if the natural frequency fluctuates due to a temperature change, a capacitor for causing the electrical resonance frequency to follow the fluctuation and eliminating the difference is connected in parallel to the primary side of the transformer. Those are known (for example, see Patent Document 1). In this ultrasonic sensor, the capacitor has a temperature characteristic, and the capacitance of the capacitor changes so that the resonance frequency follows the natural frequency according to the temperature. According to this configuration, reverberation vibration can be suppressed regardless of the temperature change of the vibrator. In addition, the capacitor for suppressing the reverberation vibration is provided on the primary side having a lower voltage than the secondary side of the transformer, and may be a low withstand voltage capacitor, thereby reducing the manufacturing cost.
ところで、振動子は、その質量、形状、及び振動子を構成する圧電素子について個体差があり、その個体差により振動子間で静電容量に違いが生じ、振動子の固有振動数にばらつきがある。従って、特許文献1に記載のような超音波センサにおいては、そのばらつきに起因して、振動子の固有振動数と、トランス及びキャパシタで構成される残響抑制回路の予め設定された共振周波数との間に差が生じ、残響振動の抑制効果が減少することがある。
By the way, vibrators have individual differences in mass, shape, and piezoelectric elements constituting the vibrator. Due to the individual differences, capacitances vary between vibrators, and the natural frequency of vibrators varies. is there. Therefore, in the ultrasonic sensor as described in
本発明は、その問題を解決するためになされたものであり、振動子の温度変化及び個体差に関わらず、振動子の残響振動を抑制でき、しかも、製造コストを削減できる超音波センサを提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the problem, and provides an ultrasonic sensor capable of suppressing reverberation vibration of a vibrator regardless of temperature changes and individual differences of the vibrator and reducing manufacturing costs. The purpose is to do.
上記目的を達成するために本発明の超音波センサは、電源から1次側に入力される電圧を昇圧し、その昇圧された電圧を2次側から振動子に出力するトランスを備えた超音波センサにおいて、前記トランスの1次側に並列接続された可変容量回路を備えることを特徴とする。 In order to achieve the above object, an ultrasonic sensor of the present invention boosts a voltage input from a power source to a primary side and outputs an ultrasonic voltage from the secondary side to a vibrator. The sensor includes a variable capacitance circuit connected in parallel to the primary side of the transformer.
前記可変容量回路に印加される電圧のレベルをシフトし、かつその電圧の振幅を制御することにより、その電圧を、元の電圧の波高値を上限値とした正の範囲内に収まるように調整する電圧レベルシフト回路をさらに備えることが望ましい。 By shifting the level of the voltage applied to the variable capacitance circuit and controlling the amplitude of the voltage, the voltage is adjusted to be within a positive range with the peak value of the original voltage as the upper limit. It is desirable to further include a voltage level shift circuit that performs this.
前記振動子に並列接続された該振動子による残響振動を抑制するための抵抗をさらに備え、前記電圧レベルシフト回路のインピーダンスは、その2次換算等価インピーダンスが前記抵抗の抵抗値よりも大きくなるように設定されていることが望ましい。 A resistor for suppressing reverberation vibration by the vibrator connected in parallel to the vibrator is further provided, and the impedance of the voltage level shift circuit is such that its second-order equivalent impedance is larger than the resistance value of the resistor. It is desirable to be set to.
前記電圧レベルシフト回路のインピーダンスが、前記振動子による残響振動を抑制するための抵抗として兼用されることが望ましい。 It is desirable that the impedance of the voltage level shift circuit is also used as a resistor for suppressing reverberation vibration by the vibrator.
前記可変容量回路は、GIC(Generated Immittance Converter)回路により構成されることが望ましい。 The variable capacitance circuit is preferably composed of a GIC (Generated Immittance Converter) circuit.
前記可変容量回路は、互いに並列に接続された複数のキャパシタと、前記複数のキャパシタを入切りするための複数のスイッチと、により構成されることが望ましい。 The variable capacitance circuit is preferably composed of a plurality of capacitors connected in parallel to each other and a plurality of switches for turning on and off the plurality of capacitors.
本発明によれば、振動子の温度変化及び個体差に関わらず、振動子の残響振動を抑制でき、しかも、製造コストを削減できる。 According to the present invention, reverberation vibration of a vibrator can be suppressed regardless of temperature changes and individual differences of the vibrator, and the manufacturing cost can be reduced.
本発明の一実施形態に係る超音波センサについて図面を参照して説明する。図1は、本実施形態の超音波センサの構成を示す。この超音波センサ1は、振動子2を備え、その振動子2に超音波を送信させ、送信された超音波のうち、対象物で反射した超音波(以下、反射波という)を、振動子2を用いて受信する。超音波センサ1は、その受信により、対象物の存在を検知し、さらに、超音波の送信から受信までに要した期間、すなわち、超音波の飛行時間を計測して、超音波センサ1から対象物までの距離を測定する。超音波センサ1は、例えば、車両等の移動体に搭載され、移動体周辺の障害物等の物体の存在を検知し、さらに、移動体から物体までの距離を測定する。
An ultrasonic sensor according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows the configuration of the ultrasonic sensor of this embodiment. The
超音波センサ1は、上記振動子2に加え、振動子2に超音波を送信させる駆動回路3と、振動子2による超音波送信後の残響振動を抑制するための残響抑制回路4と、振動子2から出力される受信信号の中から反射波に因る受信信号を検出する受信回路5とを備える。また、超音波センサ1は、駆動回路3による振動子2の駆動制御、残響抑制回路4による残響振動の抑制制御、及び受信回路5により検出された受信信号に基づく距離演算を行う制御回路6を備える。
In addition to the
振動子2は、圧電素子により構成される。その圧電素子は、駆動回路3から送信信号が入力されると、その入力された送信信号の周波数で伸縮を繰り返すことにより振動し、その送信信号と略同じ周波数の超音波を送信する。また、上記圧電素子は、反射波により振動させられると、圧電効果に因り、その振動に応じた電気的な受信信号を受信回路5に出力する。
The
駆動回路3は、制御回路6から入力される駆動信号に基づいて、直流電源P1から振動子2への電源電圧Vccの供給をオンオフするスイッチング素子により構成される。駆動回路3は、上記供給をオンオフすることにより、電源電圧Vccを波高値としたパルス状の送信信号を振動子2に入力する。その送信信号の周波数は、制御回路6から入力される駆動信号と略等しい。上記スイッチング素子は、トランジスタ又はFET等により構成される。電源電圧Vccは、例えば10[V]に設定されている。
The
残響抑制回路4は、振動子2自身のキャパシタ成分(図示は省略)、トランス41、可変容量回路42及び抵抗R1により構成され、振動子2と駆動回路3との間に配置されている。トランス41は、トランス41の1次側に入力される送信信号としての電圧を昇圧し、その昇圧された電圧をトランス41の2次側から振動子に出力する。
The reverberation suppression circuit 4 includes a capacitor component (not shown) of the
トランス41は、例えば、単巻型のトランスにより構成されており、そのトランスは、1次側と2次側とで共通の分路巻線41aと、2次側のみで用いられる直列巻線41bとを有し、分路巻線41aに上記送信信号が1次側から入力される。その送信信号の電圧値が一時的に略0であるとき、すなわち、電源電圧Vccの供給が一時的にオフされるとき、分路巻線41aには、電磁誘導の作用により、電源電圧Vccと略等しい誘導起電力(逆起電力)が生じる。従って、上記送信信号が分路巻線41aに入力されることにより、分路巻線41aの両端電圧は、波高値が電源電圧Vccである交流の電圧になる。
The
ここで、分路巻線41aに対する直列巻線41bの巻き数比がN−1(N>1)であるとする。その場合、直列巻線41bの両端電圧は、分路巻線41aの両端電圧を(N−1)倍した値になり、分路巻線41a及び直列巻線41bから2次側に出力される総電圧は、分路巻線41aの両端電圧をN倍した値になる。従って、1次側から分路巻線41aに上記送信信号が入力されると、2次側から、波高値がN×Vccである交流の送信信号が振動子2に出力される。そのため、巻き数比N=5で、電源電圧Vcc=10[V]である場合、2次側から振動子2に出力される送信信号は、波高値が50[V]である交流の送信信号になる。可変容量回路42は、分路巻線41aに並列となるように接続されている。抵抗R1は、振動子2に並列接続されている。
Here, it is assumed that the turn ratio of the series winding 41b to the shunt winding 41a is N-1 (N> 1). In this case, the voltage across the series winding 41b is a value obtained by multiplying the voltage across the shunt winding 41a by (N-1), and is output from the shunt winding 41a and the series winding 41b to the secondary side. The total voltage is a value obtained by multiplying the voltage across the shunt winding 41a by N. Therefore, when the transmission signal is input from the primary side to the shunt winding 41a, an AC transmission signal having a peak value of N × Vcc is output from the secondary side to the
直列巻線41bの自己インダクタンスと、可変容量回路42の静電容量とは、残響抑制回路4の共振周波数が振動子2の固有振動数と一致するように予め設定されている。ところで、上記共振周波数は、振動子2自身の静電容量と、上記自己インダクタンスと、上記静電容量をトランス41の2次側で換算した2次換算等価静電容量とを基に求めることができる。従って、逆に、上記共振周波数の値を決めてしまうことにより、上記共振周波数がその値となるように上記自己インダクタンス及び上記2次換算等価静電容量を導き出すことができる。また、可変容量回路42の静電容量をCとすると、その2次換算等価静電容量はC/N2(N:巻き数比)と表わされる。従って、上記の導き出された2次換算等価静電容量を基に逆算して、静電容量Cを算出することができる。抵抗R1は、振動子2の残響振動のエネルギーを吸収し、熱エネルギーに変換して放出する。
The self-inductance of the series winding 41 b and the capacitance of the
受信回路5は、振動子2により出力された受信信号の中から、振動子2により送信される超音波と略同じ周波数の受信信号を、反射波に因る受信信号として、フィルタ機能により抜き出し、検出する。
The
制御回路6は、マイクロプロセッサ等により構成でき、振動子2に超音波を送信させるとき、予め設定された周波数の駆動信号を駆動回路3に入力する。不図示であるが、制御回路6は、可変容量回路42の静電容量を調整する操作を行うための容量調整機器と、接続端子を介して接続可能とされている。制御回路6は、容量調整機器と接続された状態で、容量調整機器に、可変容量回路42の現在の静電容量を示す容量情報信号と、受信回路5により検出された受信信号とを送出する。容量調整機器は、その送出された受信信号の波形をモニタに表示し、ユーザがその波形を見て残響振動収束時間を確認しながら、可変容量回路42の静電容量を調整する操作が可能な構成とされている。制御回路6は、ユーザにより容量調整機器を用いて静電容量の調整操作がなされると、その操作内容に従って、可変容量回路42の静電容量を調整する。
The
図2は、可変容量回路42の構成を示す。可変容量回路42は、例えば、5つのインピーダンス素子Z1〜Z5と2つのオペアンプOP1、OP2から成るGIC(Generated Immittance Converter)回路により構成されるが、これに限定されない。そのGIC回路は、汎用の構成を有することから、その構成の詳細な説明は省略する。
FIG. 2 shows the configuration of the
このGIC回路では、インピーダンス素子Z1〜Z5のインピーダンスをそれぞれZ1〜Z5とすると、それらの合成インピーダンスZが、下記の式(1)によって求められる。
ここで、インピーダンス素子Z1が、静電容量C1のキャパシタであり、インピーダンス素子Z2〜Z4がそれぞれ抵抗値R2〜R4の抵抗であり、インピーダンス素子Z5が抵抗値R5の可変抵抗であるとする。その場合、インピーダンスZは、下記の式(2)に示される値となる。
そして、上記の式(2)に、「Z=1/(jωC)」(C:可変容量回路42の静電容量)を代入すると、静電容量Cは、下記の式(3)で求めることができる。
上記可変抵抗は、MOSFETから成るスイッチング素子Tr1により構成され、そのMOSFETが線形領域で動作している状態で、MOSFETのゲートへの入力電圧値を増減することにより、MOSFETのオン抵抗値が変化する特性を利用したものである。ゲートへの入力電圧値は制御回路6(図1参照)により制御される。上記可変抵抗は、互いに並列に接続された抵抗R2、R3と、それらの抵抗R2、R3への通電を入切りするためのスイッチSW1、SW2とにより構成されていてもよい。上記可変抵抗は、制御回路6による制御の下、スイッチSW1、SW2により抵抗R2、R3への通電がそれぞれ独立して制御されることにより、全体の抵抗が増減される。このような構成の可変抵抗を構成する抵抗及びスイッチの数は、それぞれ、2つに限定されず、複数であればよい。
The variable resistor is constituted by a switching element Tr1 made of a MOSFET, and the on-resistance value of the MOSFET changes by increasing or decreasing the input voltage value to the gate of the MOSFET while the MOSFET is operating in the linear region. It uses characteristics. The input voltage value to the gate is controlled by the control circuit 6 (see FIG. 1). The variable resistor may be configured by resistors R2 and R3 connected in parallel to each other and switches SW1 and SW2 for switching on and off the energization of the resistors R2 and R3. Under the control of the
本実施形態において、振動子2の固有振動数が温度変化に起因して変動するか、振動子2の個体差に応じてその固有振動数にばらつきがあるか、又はトランス41の温度特性に起因して残響抑制回路4の共振周波数が変動したとする。それらのいずれの場合であったとしても、可変容量回路42の静電容量を変更することにより、残響抑制回路4の共振周波数を調整して振動子2の固有振動数と略同一にすることができる。従って、振動子2の温度変化及び個体差に関わらず、共振現象を利用して振動子2による残響振動を抑制することができる。その結果、対象物が超音波センサ1の近距離に在ったとしても、対象物による反射波の受信時に振動子2から出力される受信信号を正確に検出することができ、超音波センサ1から対象物までの距離を正確に測定することが可能になる。しかも、残響振動を抑制するための可変容量回路42は、トランス41の2次側よりも低電圧の1次側に設けられており、従って、可変容量回路42を構成する上で低耐圧素子を用いることができ、そのため、製造コストを削減することができる。
In the present embodiment, the natural frequency of the
また、可変容量回路42が、上述したGIC回路により構成される場合、その構成を、簡単で、かつ電圧依存性の無いものにすることができる。しかも、可変容量回路42にnFオーダの静電容量が必要とされる場合であったとしても、その構成に要するキャパシタは1つで済む。従って、超音波センサ1内の電気回路をASIC(Application Specific Integrated Circuit)化する場合にキャパシタがそのASICに外付けされることになったとしても、キャパシタの数を1つに抑えることができる。そのため、回路の小型化を図ることができる。
Further, when the
また、図3に示されるように、可変容量回路がトランス41の2次側に設けられる場合(破線で示す)の残響振動収束時間T1’よりも、本実施形態の残響振動収束時間T1を短くすることができる。その原理について説明する。同図の縦軸は、振動子2から出力される受信信号のピーク・ツー・ピーク電圧値Vppを示し、横軸は時間を示す。また、縦軸の目盛を対数目盛とする。ピーク・ツー・ピーク電圧値Vppは、超音波送信時には略100[V]であり、超音波の送信が終了しても、残響振動に起因して、瞬時には0[V]にならない。そこで、可変容量回路42を動作させることにより、残響振動を抑制してピーク・ツー・ピーク電圧値Vppを下げることができる。ここで、可変容量回路42が残響振動を抑制できるのは、可変容量回路42への入力電圧が、可変容量回路42の駆動電圧以下、本実施形態では10[V]以下のときだけであるとする。その場合、可変容量回路がトランス41の2次側に在れば、受信信号がそのまま可変容量回路42に入力されることから、ピーク・ツー・ピーク電圧値Vppが10[V]になるとき(ts’)までは、可変容量回路を用いて残響振動を抑制することができない。その結果として、残響振動収束時間T1’が延びてしまう。残響振動収束時間とは、送信信号に基づく超音波送信後に、残響振動が収束するまでに要する時間である。
Further, as shown in FIG. 3, the reverberation vibration convergence time T1 of the present embodiment is shorter than the reverberation vibration convergence time T1 ′ when the variable capacitance circuit is provided on the secondary side of the transformer 41 (shown by a broken line). can do. The principle will be described. The vertical axis in the figure indicates the peak-to-peak voltage value Vpp of the reception signal output from the
それに対して、本実施形態においては、可変容量回路42がトランス41の1次側にあることから、受信信号は、そのまま可変容量回路42に印加されるのではなく、その電圧がトランス41により1/N(例えば、1/5)とされてから、可変容量回路42に入力される。従って、例えば、ピーク・ツー・ピーク電圧値VppがN×10[V](例えば、5×10[V])であるとき(ts)でも、可変容量回路42に入力される受信信号のピーク・ツー・ピーク電圧は10[V]になる。そのため、可変容量回路42を機能させることができ、残響振動収束時間T1を短くすることができる。
On the other hand, in the present embodiment, since the
以下、上記実施形態の各種変形例について図面を参照して説明する。各変形例において、上記実施形態と同一の構成部材には同一の符号を付し、上記実施形態と同じ構成の説明は省略する。
(第1の変形例)
図4は、第1の変形例に係る超音波センサの可変容量回路42の構成を示す。この可変容量回路42は、互いに並列に接続されたキャパシタC2〜C4と、これらのキャパシタC2〜C4への通電を入切りするためのスイッチング素子Tr2、Tr3、Tr4(スイッチ)とにより構成される。可変容量回路42は、制御回路6(図1参照)による制御の下、スイッチング素子Tr2〜Tr4によりキャパシタC2〜C4への通電がそれぞれ独立して制御されることにより、回路全体の静電容量が増減される。上記キャパシタ及びスイッチング素子の数は、それぞれ、3つに限定されず、複数であればよい。
Hereinafter, various modifications of the above embodiment will be described with reference to the drawings. In each modified example, the same components as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and description of the same configuration as that in the above embodiment is omitted.
(First modification)
FIG. 4 shows the configuration of the
各キャパシタC2〜C4の静電容量は、互いに同じであっても、異なっていてもよい。スイッチング素子Tr2〜Tr4は、それぞれ、キャパシタC2〜C4と直列に接続されている。各スイッチング素子Tr2〜Tr4は、例えば、FETにより構成され、ドレインがそれぞれ各キャパシタC2〜C4と接続され、ソースが接地されている。各スイッチング素子Tr2〜Tr4は、制御回路6からゲートに入力されるオンオフ切替え制御信号に従ってオン状態とオフ状態とを切り替えることにより、各キャパシタC2〜C4への通電を入切りする。
The capacitances of the capacitors C2 to C4 may be the same as or different from each other. The switching elements Tr2 to Tr4 are connected in series with the capacitors C2 to C4, respectively. Each of the switching elements Tr2 to Tr4 is configured by, for example, an FET, the drain is connected to each of the capacitors C2 to C4, and the source is grounded. Each of the switching elements Tr2 to Tr4 switches on and off of the capacitors C2 to C4 by switching between an on state and an off state in accordance with an on / off switching control signal input from the
本変形例においては、可変容量回路42の構成を、上記実施形態よりもさらに簡単で、しかも電圧依存性の無いものにすることができる。
In this modification, the configuration of the
(第2の変形例)
図5は、第2の変形例に係る超音波センサ1の構成を示す。本変形例の超音波センサ1は、可変容量回路42に印加される電圧(以下、単に印加電圧という)のレベルをシフトする電圧レベルシフト回路(以下、単にシフト回路という)43をさらに備える。シフト回路43は、駆動回路3からトランス41の1次側への給電系統L1と可変容量回路42との間に配置され、シフト回路43の一端は、AC結合用のキャパシタC1を介して給電系統L1と接続されており、その他端は、可変容量回路42と接続されている。シフト回路43は、給電系統L1による可変容量回路42への印加電圧のレベルをシフトする。
(Second modification)
FIG. 5 shows a configuration of the
図6(a)は、シフト回路43による調整前の上記印加電圧の信号波形を示し、図6(b)は、シフト回路43による調整後の上記印加電圧の信号波形を示す。図6(a)に示されるように、シフト回路43による調整前の印加電圧は、波高値が電源電圧Vccと略等しい交流の送信信号による電圧であり、その電圧の極性はグランド電位(ゼロ電位)を中心として正負の間で切り替わる。図6(b)に示されるように、シフト回路43は、印加電圧(一点鎖線で示す)を電源電圧Vccの略1/2の値だけ正方向にオフセットすることにより、印加電圧のレベルをシフトする。そのレベルがシフトされた印加電圧は、電源電圧Vccの略1/2の値を中心として上昇と低下を交互に繰り返す脈流電圧となる。また、シフト回路43は、その印加電圧における電源電圧Vccよりも高い範囲及び負極性の範囲(0以下の範囲)をカットすることにより、印加電圧の振幅を制御する。このようにして、シフト回路43は、印加電圧を、電源電圧Vcc(元の電圧)を上限値とした正極性の範囲内に収まるように調整し、可変容量回路42を保護する。
6A shows the signal waveform of the applied voltage before adjustment by the
本変形例においては、可変容量回路42への印加電圧が正極性の範囲内に収まる。従って、可変容量回路42が上記実施形態と同等の構成(図2参照)を有する場合、その印加電圧が入力されるオペアンプOP1、OP2を駆動する上で、各オペアンプOP1、OP2に正極性の電源と負極性の電源の両方を用意する必要はなくなる。そのため、正極性の単一電源で済む。
In this modification, the voltage applied to the
ところで、オペアンプOP1、OP2を駆動できるのは、それらへの入力電圧がそれらの駆動電圧以下になるときである。そのため、上記入力電圧の上限を電源電圧Vccとすることにより、オペアンプOP1、OP2が直流電源P1を用いて駆動できるようになる。従って、オペアンプOP1、OP2と振動子2とで直流電源P1を共用することができる。
By the way, the operational amplifiers OP1 and OP2 can be driven when the input voltage to them becomes equal to or lower than the drive voltage. Therefore, by setting the upper limit of the input voltage to the power supply voltage Vcc, the operational amplifiers OP1 and OP2 can be driven using the DC power supply P1. Therefore, the operational amplifiers OP1 and OP2 and the
(第3の変形例)
図7は、第3の変形例に係る超音波センサ1の回路構成を示す。本変形例では、シフト回路43が、可変容量回路42への印加電圧をオフセットするためのバイアス抵抗R4、R5(シフト回路43のインピーダンス)を有する。また、シフト回路43は、そのオフセットされた電圧における電源電圧Vccよりも高い範囲と負極性の範囲とをカットするクランプ用のダイオードD1、D2を有する。
(Third Modification)
FIG. 7 shows a circuit configuration of the
バイアス抵抗R4は、その一端が直流電源P1に接続され、その他端が可変容量回路42における印加電圧の入力端子42aに接続されている。バイアス抵抗R5は、その一端が入力端子42aに接続され、その他端が接地されている。バイアス抵抗R4、R5の抵抗値は、互いに等しい。このような構成により、電源電圧Vccは分圧され、バイアス抵抗R5には電源電圧Vccの略1/2の電圧が掛かり、その電圧でもってキャパシタC1が充電される。それにより、給電系統L1からキャパシタC1を経由して入力端子42aに印加される電圧は、キャパシタC1の充電電圧、すなわち、電源電圧Vccの略1/2の電圧だけ、正方向にオフセットされる。以下、このオフセットされた電圧を、単に、オフセット電圧という。
One end of the bias resistor R4 is connected to the DC power supply P1, and the other end is connected to the
ダイオードD1は、カソードが直流電源P1と接続され、アノードが入力端子42aと接続されている。ダイオードD1は、オフセット電圧の値が電源電圧Vccを越えるときに導通し、オフセット電圧を電源電圧Vccと略等しい値にまで引き下げ、それにより、電源電圧Vccよりも高い範囲の電圧をカットする。一方、ダイオードD2は、カソードが入力端子42aと接続され、アノードが接地されている。ダイオードD2は、オフセット電圧の値が0未満となって負になるときに導通し、オフセット電圧を略0にまで引き上げ、それにより、負極性の範囲の電圧をカットする。なお、ここでは、ダイオードD1、D2が導通したときの各ダイオードの順方向電圧については無視するものとする。
The diode D1 has a cathode connected to the DC power supply P1 and an anode connected to the
図8は、図7に示される超音波センサ1の等価回路を示す。この等価回路は、バイアス抵抗R4、R5の代わりとして、トランス41の2次側に、2次換算抵抗R45(2次換算等価インピーダンス)を設けたものである。この2次換算抵抗R45は、バイアス抵抗R4、R5の合成抵抗値を2次側で換算した2次換算等価抵抗値を有する。その2次換算等価抵抗値は、各バイアス抵抗R4、R5の抵抗値をRとしたときに、(R/2)×N2で表わされる。この2次換算等価抵抗値(R/2)×N2が残響振動抑制用の抵抗R1の抵抗値よりも十分に大きくなるように、例えば抵抗R1の抵抗値の10倍以上となるように、バイアス抵抗R4、R5の抵抗値は設定されている。
FIG. 8 shows an equivalent circuit of the
本変形例においては、シフト回路43のバイアス抵抗R4、R5が、抵抗R1による残響振動の吸収を妨げないようにすることができ、残響振動の抑制効果の低下を防ぐことができる。
In the present modification, the bias resistors R4 and R5 of the
(第4の変形例)
図9は、第3の変形例に係る超音波センサ1の構成を示す。本変形例の超音波センサ1は、上記第3の変形例の構成(図7参照)において、残響振動抑制用の抵抗R1を省略し、さらに、バイアス抵抗R4、R5を可変抵抗R6、R7(シフト回路43のインピーダンス)に置換したものである。可変抵抗R6、R7は、例えば、MOSFETにより構成され、そのMOSFETが線形領域で動作している状態で、MOSFETのゲートへの入力電圧値を増減することにより、MOSFETのオン抵抗値が変化する特性を利用したものである。そのゲートへの入力電圧値は制御回路6(図5参照)により制御される。
(Fourth modification)
FIG. 9 shows a configuration of an
図10は、図9に示される超音波センサ1の等価回路を示す。この等価回路は、可変抵抗R6、R7の代わりとして、トランス41の2次側に、2次換算可変抵抗R67を設けたものである。この2次換算可変抵抗R67は、可変抵抗R6、R7の合成抵抗値を2次側で換算した2次換算等価抵抗値を有する。可変抵抗R6、R7の抵抗値を変更すると、2次換算等価抵抗値も増減するが、その増減し得る範囲内に、上記第3の変形例における抵抗R1及び2次換算抵抗R45(図8参照)の合成抵抗値が含まれるように、可変抵抗R6、R7の抵抗値は設定されている。このようにして、可変抵抗R6、R7が、抵抗R1の代わりに、振動子2による残響振動を抑制するための抵抗として兼用される。
FIG. 10 shows an equivalent circuit of the
本変形例においては、トランス41の2次側よりも低圧の1次側にある可変抵抗R6、R7が残響振動抑制用の抵抗として兼用されることにより、実質的に、残響振動抑制用の抵抗が1次側に設けられることになる。従って、可変抵抗R6、R7を低耐圧素子で構成可能になり、そのため、ASICに内蔵することができ、その抵抗値を、振動子2による残響振動の収束度合に応じて適当な値に調整することができる。
In this modification, the variable resistors R6 and R7 on the primary side lower in voltage than the secondary side of the
なお、本発明は、上記の実施形態及び各変形例の構成に限定されるものでなく、使用目的に応じ、様々な変形が可能である。例えば、トランス41は、プッシュプル型のトランスであってもよいし、複巻型のトランスであってもよい。また、送信信号の波高値は電源電圧Vccの1/2であってもよい。その場合、その送信信号に基づいて超音波が送信され、その送信に因る残響振動が発生したとしても、その発生直後の可変容量回路42への入力電圧は電源電圧Vccと略等しくなる。従って、可変容量回路42の駆動電圧が電源電圧Vccと略同じであれば、直ちに可変容量回路42を機能させることができ、残響振動収束時間をさらに短縮することができる。
In addition, this invention is not limited to the structure of said embodiment and each modification, A various deformation | transformation is possible according to the intended purpose. For example, the
上記実施形態において、抵抗R1は省略されていてもよい。また、図4に示す各スイッチング素子Tr2〜Tr4は、npn型トランジスタにより構成され、コレクタがそれぞれ各キャパシタC2〜C4と接続され、エミッタが接地されていてもよい。その場合、各スイッチング素子Tr2〜Tr4は、制御回路6からベースに入力されるオンオフ切替え制御信号に従ってオン状態とオフ状態とを切り替えても構わない。
In the above embodiment, the resistor R1 may be omitted. Further, each of the switching elements Tr2 to Tr4 illustrated in FIG. 4 may be configured by an npn transistor, and a collector may be connected to each of the capacitors C2 to C4, and an emitter may be grounded. In that case, each of the switching elements Tr2 to Tr4 may be switched between an on state and an off state in accordance with an on / off switching control signal input from the
1 超音波センサ
2 振動子
41 トランス
42 可変容量回路
43 電圧レベルシフト回路
R1 抵抗
R4、R5、R6、R7 バイパス抵抗(電圧レベルシフト回路のインピーダンス)
C2、C3、C4 キャパシタ
Tr2、Tr3、Tr4 スイッチング素子(スイッチ)
P1 直流電源
DESCRIPTION OF
C2, C3, C4 Capacitors Tr2, Tr3, Tr4 Switching elements (switches)
P1 DC power supply
Claims (6)
前記トランスの1次側に並列接続された可変容量回路を備えることを特徴とする超音波センサ。 In an ultrasonic sensor including a transformer that boosts a voltage input from a power source to a primary side and outputs the boosted voltage from a secondary side to a vibrator.
An ultrasonic sensor comprising a variable capacitance circuit connected in parallel to the primary side of the transformer.
前記電圧レベルシフト回路のインピーダンスは、その2次換算等価インピーダンスが前記抵抗の抵抗値よりも大きくなるように設定されていることを特徴とする請求項2に記載の超音波センサ。 A resistor for suppressing reverberation vibration by the vibrator connected in parallel to the vibrator;
The ultrasonic sensor according to claim 2, wherein the impedance of the voltage level shift circuit is set such that a second-order equivalent impedance is larger than a resistance value of the resistor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012125513A JP6021055B2 (en) | 2012-05-31 | 2012-05-31 | Ultrasonic sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012125513A JP6021055B2 (en) | 2012-05-31 | 2012-05-31 | Ultrasonic sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013250169A true JP2013250169A (en) | 2013-12-12 |
JP6021055B2 JP6021055B2 (en) | 2016-11-02 |
Family
ID=49848990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012125513A Expired - Fee Related JP6021055B2 (en) | 2012-05-31 | 2012-05-31 | Ultrasonic sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6021055B2 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017116527A (en) * | 2015-10-21 | 2017-06-29 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | Controlling output signal independently of first harmonic |
WO2017159257A1 (en) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社デンソー | Object detection device |
KR102030467B1 (en) * | 2018-11-23 | 2019-10-10 | 현대오트론 주식회사 | An Apparatus and A Method For Ultrasonic Sensor Impedance Matching |
WO2021124752A1 (en) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 株式会社デンソー | Object detecting device, object detecting method, and object detecting program |
Citations (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5010685A (en) * | 1973-05-28 | 1975-02-03 | ||
JPS56120968A (en) * | 1980-01-30 | 1981-09-22 | Siemens Ag | Transmitting and receiving circuit with sound wave generating converter |
JPS58206989A (en) * | 1982-05-27 | 1983-12-02 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Sound wave transmitter and receiver |
JPS5949098A (en) * | 1982-09-14 | 1984-03-21 | Matsushita Electric Works Ltd | Ultrasonic wave circuit |
JPS59138970A (en) * | 1983-01-31 | 1984-08-09 | Matsushita Electric Works Ltd | Wave transmitting circuit of electrostatic type ultrasonic oscillator |
JPS6123983A (en) * | 1984-07-11 | 1986-02-01 | West Electric Co Ltd | Ultrasonic wave transmitting and receiving device |
JPS6366481A (en) * | 1986-09-09 | 1988-03-25 | Nec Corp | Transmitter/receiver circuit system |
JPS63212298A (en) * | 1987-02-27 | 1988-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | Piezoelectric transducer |
JPS63214380A (en) * | 1987-02-27 | 1988-09-07 | 三菱電機株式会社 | Piezoelectric type converter |
JPH02199994A (en) * | 1989-01-27 | 1990-08-08 | Honda Electron Co Ltd | Frequency variable vibrator |
JPH0379199A (en) * | 1989-08-23 | 1991-04-04 | Brother Ind Ltd | Transmitter/receiver |
JPH09318746A (en) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | Receiving circuit for access sensor |
JPH11103496A (en) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Sony Corp | Ultrasonic sensor |
JP2000193737A (en) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Matsushita Electric Works Ltd | Transducer circuit of ultrasonic sensor |
JP2001017916A (en) * | 1999-07-09 | 2001-01-23 | Murata Mfg Co Ltd | Ultrasonic circuit |
JP2001251164A (en) * | 2000-03-08 | 2001-09-14 | Sony Corp | Active inductance circuit, two-terminal element active inductance circuit and symmetric four-terminal active inductance circuit |
JP2004343482A (en) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Nippon Soken Inc | Ultrasonic sensor |
JP2005083935A (en) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | Driving circuit of ultrasonic sensor |
JP2007033196A (en) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Sumida Corporation | Ultrasonic sensor |
JP2008258710A (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Epson Toyocom Corp | Temperature compensation piezoelectric oscillator, and temperature compensating method thereof |
JP2012220434A (en) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Panasonic Corp | Object detecting device |
JP2013120088A (en) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Panasonic Corp | Ultrasonic sensor |
JP2013183374A (en) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Nec Casio Mobile Communications Ltd | Oscillator and method for manufacturing the same |
US8681464B2 (en) * | 2009-04-18 | 2014-03-25 | Nokia Corporation | Voltage suppressor component |
-
2012
- 2012-05-31 JP JP2012125513A patent/JP6021055B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5010685A (en) * | 1973-05-28 | 1975-02-03 | ||
JPS56120968A (en) * | 1980-01-30 | 1981-09-22 | Siemens Ag | Transmitting and receiving circuit with sound wave generating converter |
JPS58206989A (en) * | 1982-05-27 | 1983-12-02 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Sound wave transmitter and receiver |
JPS5949098A (en) * | 1982-09-14 | 1984-03-21 | Matsushita Electric Works Ltd | Ultrasonic wave circuit |
JPS59138970A (en) * | 1983-01-31 | 1984-08-09 | Matsushita Electric Works Ltd | Wave transmitting circuit of electrostatic type ultrasonic oscillator |
JPS6123983A (en) * | 1984-07-11 | 1986-02-01 | West Electric Co Ltd | Ultrasonic wave transmitting and receiving device |
JPS6366481A (en) * | 1986-09-09 | 1988-03-25 | Nec Corp | Transmitter/receiver circuit system |
JPS63212298A (en) * | 1987-02-27 | 1988-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | Piezoelectric transducer |
JPS63214380A (en) * | 1987-02-27 | 1988-09-07 | 三菱電機株式会社 | Piezoelectric type converter |
JPH02199994A (en) * | 1989-01-27 | 1990-08-08 | Honda Electron Co Ltd | Frequency variable vibrator |
JPH0379199A (en) * | 1989-08-23 | 1991-04-04 | Brother Ind Ltd | Transmitter/receiver |
JPH09318746A (en) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | Receiving circuit for access sensor |
JPH11103496A (en) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Sony Corp | Ultrasonic sensor |
JP2000193737A (en) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Matsushita Electric Works Ltd | Transducer circuit of ultrasonic sensor |
JP2001017916A (en) * | 1999-07-09 | 2001-01-23 | Murata Mfg Co Ltd | Ultrasonic circuit |
JP2001251164A (en) * | 2000-03-08 | 2001-09-14 | Sony Corp | Active inductance circuit, two-terminal element active inductance circuit and symmetric four-terminal active inductance circuit |
JP2004343482A (en) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Nippon Soken Inc | Ultrasonic sensor |
JP2005083935A (en) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | Driving circuit of ultrasonic sensor |
JP2007033196A (en) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Sumida Corporation | Ultrasonic sensor |
JP2008258710A (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Epson Toyocom Corp | Temperature compensation piezoelectric oscillator, and temperature compensating method thereof |
US8681464B2 (en) * | 2009-04-18 | 2014-03-25 | Nokia Corporation | Voltage suppressor component |
JP2012220434A (en) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Panasonic Corp | Object detecting device |
JP2013120088A (en) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Panasonic Corp | Ultrasonic sensor |
JP2013183374A (en) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Nec Casio Mobile Communications Ltd | Oscillator and method for manufacturing the same |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6016010197; 田山 浩之 Hiroyuki Tayama Hiroyuki Tayama: '一共振周波数の上昇及び下降制御一外部電子回路による圧電デバイスの共振周波数可変範囲の拡張に関する検討' 日本音響学会研究発表会議講演論文集 秋II , 200409, P.1237-1238 * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017116527A (en) * | 2015-10-21 | 2017-06-29 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | Controlling output signal independently of first harmonic |
WO2017159257A1 (en) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社デンソー | Object detection device |
JP2017172989A (en) * | 2016-03-18 | 2017-09-28 | 株式会社Soken | Object detection device |
KR102030467B1 (en) * | 2018-11-23 | 2019-10-10 | 현대오트론 주식회사 | An Apparatus and A Method For Ultrasonic Sensor Impedance Matching |
WO2021124752A1 (en) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 株式会社デンソー | Object detecting device, object detecting method, and object detecting program |
JP2021099239A (en) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 株式会社Soken | Object detector, object detection method, and object detection program |
US20220317291A1 (en) * | 2019-12-20 | 2022-10-06 | Denso Corporation | Object detecting device, object detecting method, and object detecting program |
JP7259729B2 (en) | 2019-12-20 | 2023-04-18 | 株式会社Soken | OBJECT DETECTION DEVICE, OBJECT DETECTION METHOD, AND OBJECT DETECTION PROGRAM |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6021055B2 (en) | 2016-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5477946B2 (en) | Voltage generation circuit and ultrasonic diagnostic apparatus | |
US10868486B2 (en) | Low power adaptive linear resonant actuator driver using accelerometer | |
JP6021055B2 (en) | Ultrasonic sensor | |
US20120068574A1 (en) | Control device for suppression of residual vibration of piezoelectric transducer | |
US11833543B2 (en) | Ultrasonic apparatus | |
JP4641134B2 (en) | Power support device for ultrasonic vibration dental handpiece | |
US9318686B2 (en) | Driver device and driving method for driving a capacitive load, in particular an ultrasound transducer | |
JP2006266740A (en) | Ultrasonic sonar device | |
US20160173004A1 (en) | Space vector pulse modulation based motor driver | |
CN105283778B (en) | Ultrasonic transmitting and receiving device | |
JP4110153B2 (en) | Drive device for vibration actuator and drive method for vibration actuator | |
CN104821740B (en) | Use the traveling wave motor pre-driver of high resolution PWM generator | |
JP4728728B2 (en) | Ultrasonic sensor | |
JP2013120088A (en) | Ultrasonic sensor | |
US20230288546A1 (en) | Compensation for an ultrasonic transducer with a variable compensation inductance | |
JP3471297B2 (en) | Switching power supply | |
US20230367007A1 (en) | Object detection system | |
WO2014146005A9 (en) | Acoustic-pulser feedback and power factor control of a hifu device | |
JP7409551B2 (en) | object detection system | |
GB2488390A (en) | Object detection | |
JP2019114954A (en) | Driving circuit | |
JP2001083235A (en) | Circuit for detecting ultrasonic wave propagation time | |
JP5161436B2 (en) | Ultrasonic motor drive device | |
JP2019029740A (en) | Ultrasonic vibrator driving device | |
US11013496B2 (en) | Ultrasound diagnostic apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20150225 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20150302 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160520 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160920 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160926 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6021055 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |