JP2013242694A - 半導体装置、電子装置、電子システム及び電子装置の制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】記憶装置140は、データ及び誤り訂正符号を保持する。LUT72は、メモリアドレスと、誤り訂正レベルと、の関係を格納する。エラー検出レベル処理部70は、記憶装置140へのアクセス命令に含まれるアクセスアドレスと、LUT72と、に基づき、当該アクセスアドレスに対応する誤り訂正レベルを算出する。書き込み制御部60は、算出した誤り訂正レベルを基に誤り訂正符号を算出して、データと共に記憶装置140に書き込む。読み出し制御部50は、算出した誤り訂正レベルを基に誤り訂正符号を用いた誤り訂正処理を行い、誤り訂正後のデータを供給する。
【選択図】図3
Description
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。はじめに、本実施の形態にかかる電子装置が搭載され得る電子システムの一例である車載システムの一態様について説明する。
図1は、本実施の形態にかかる電子装置10を搭載した車載システムの全体構成を示すブロック図である。車載システム100は、前方カメラ110と、後方カメラ120と、電子装置10と、エンジンシステム制御マイコン150(エンジン制御装置)とを備える。車載システム100は、一般乗用車、業務用乗用車(トラック等)、自動二輪車(いわゆるオートバイ等)などに搭載され得る情報処理システムである。当該車載システム100は、車両のダッシュボード等を制御するシステムの総称である。
次に、本実施の形態にかかる電子装置10について説明する。
図2は、実施の形態1にかかる電子装置10を示すブロック図である。電子装置10は半導体装置130記憶装置140を含んでいる。特に限定されるわけではないが、半導体装置130と記憶装置140は、それぞれ第1の半導体チップおよび第2の半導体チップ内に形成され、同一の配線基板上に実装されている。また、第1の半導体チップおよび第2の半導体チップは同一のパッケージ内に配置されていてもよい。
図3を参照してメモリコントローラ30の構成を説明する。なお、図3では半導体装置130におけるメモリコントローラ130以外の処理部の記載を適宜省略している。メモリコントローラ30は、CPU132から記憶装置140への読み出しリクエスト、及びCPU132から記憶装置140への書き込みリクエストを制御する処理部である。メモリコントローラ30は、アクセス制御部40と、読み出し制御部50と、書き込み制御部60と、エラー検出レベル処理部70とを備える。
読み出し制御部50は、CPU132からの読み出しリクエスト(図示せず)を受信する。読み出し制御部50は、読み出しリクエストを用いて記憶装置140からデータを読み出す。この際、読み出し制御部50は、読み出したデータに対応する誤り訂正符号(ECC)も併せて読み出す。さらに、後述するエラー検出レベル処理部70から供給されるエラー検出レベルに応じて、読み出したデータの誤り訂正処理を行う。
なお、読み出し制御部50は、図5に示すように構成しても良い。セレクタ52には、エラー検出レベル、及び記憶装置140から読み出したデータ及びECCが入力される。セレクタ52は、エラー検出レベルに対応するデータ経路を一つ選択し、選択したデータ経路にのみ読み出しデータ及びECCを供給する。データ比較部51及びデータコレクタ53の構成及び動作は、図4と同様であるため、詳細な説明は省略する。
再び図3を参照する。書き込み制御部60には、CPU132から書き込みリクエスト(書き込みデータ、及び書き込み先のアドレスに関する情報を含む)が入力される。さらに、書き込み制御部60には、エラー検出レベル処理部70から供給されるエラー検出レベルが供給される。書き込み制御部60は、供給されたエラー検出レベルに応じたECCをデータと共に記憶装置140に書き込むように制御を行う。
なお、書き込み制御部60は、図7に示す構成にしても良い。セレクタ62には、エラー検出レベル及び書き込み対象のデータが供給される。セレクタ62は、エラー検出レベルに対応するデータ経路を経路P5〜P8から一つ選択する。セレクタ62は、選択したデータ経路にのみ書き込み対象のデータを供給する。これにより、経路P5〜P8のいずれかのみから書き込み対象のデータ及びECCが出力される。ECC処理部61の構成は、図6と同様であるため、詳細な説明は省略する。
ここで、記憶装置140のデータ管理手法について、図8及び図9を参照して説明する。記憶装置140は、データそのもの(以下、実データとも記載する。)及び当該実データのECCを管理する領域(以下、データ保持領域(第1領域)とも記載する。)と、当該データ保持領域へアクセスするための各種情報(以下、管理データとも記載する。)を保持する領域(以下、管理データ領域(第2領域)とも記載する。)と、を有する。
再び、図3を参照する。エラー検出レベル処理部70は、読み出しリクエストまたは書き込みリクエストをCPU132から受信し、受信したリクエスト(に含まれるアドレス)に応じて前述のエラー検出レベルを生成する。ここでエラー検出レベルとは、読み出し/書き込みデータに対してどのビット数のECC処理を行うか(何ビット毎にECCによる誤り訂正処理を行うか/何ビット毎にECCを付与するか)、またはECC処理を行わないか、を指定する情報である。図4〜図7に示す例では、エラー検出レベルは、(1)ECC処理を行わない、(2)16ビット毎にECC処理を行う、(3)32ビット毎にECC処理を行う、(4)64ビット毎にECC処理を行う、という4つのレベルになり得る。本例では、エラー検出レベルは、順に"0b00"(1)、"0b01"(2)、"0b10"(3)、"0b11"(4)、とする。エラー検出レベル処理部70は、生成したエラー検出レベルを読み出し制御部50内のセレクタ52、及び書き込み制御部60内のセレクタ62に供給する。以下、詳細を説明する。
ルックアップテーブル72は、バリッドフラグと、上位20ビットと、エラー検出レベルとを属性とするデータテーブルである。ルックアップテーブル72には、データ列を識別するためのインデックス(図10では1〜)が付与されている。
ハッシュ処理部71は、ルックアップテーブル72にアクセスするためのインデックスを算出し、ルックアップテーブル72にアクセスすることにより読み出し制御部50及び書き込み制御部60に供給するエラー検出レベルを決定する。以下、ハッシュ処理部71の処理概要を図11及び図12を参照して説明する。
続いて、本実施の形態にかかる電子装置10の効果について説明する。はじめに、本実施の形態にかかる電子装置10の比較対象として、特許文献1に記載の不揮発性メモリ装置を説明する。当該不揮発性メモリ装置は、メモリへのアドレスに応じて不揮発性メモリとの間で入出力するデータ長を変更している。しかしながら、当該不揮発性メモリ装置では、制御装置(厳密にはメモリに読み書きを行うCPUが動作するOS)の管理単位に応じたデータの管理を行っていない。さらに、当該不揮発性メモリ装置では、誤り訂正符号を付与しないことについては何らの考慮もしていない。
30 メモリコントローラ
40 アクセス制御部
50 読み出し制御部
51 ECC生成部
52 セレクタ
53 データコレクタ
60 書き込み制御部
61 ECC生成部
62 セレクタ
70 エラー検出レベル処理部
71 ハッシュ処理部
72 ルックアップテーブル
90 システムバス
100 車載システム(電子システム)
110 前方カメラ(撮像装置)
120 後方カメラ(撮像装置)
130 半導体装置
131 画像処理エンジン
132 CPU
133 イメージキャプチャ部
140 記憶装置
141 処理データ
142 画像処理プログラム
143 画像データ
150 エンジンシステム制御マイコン(エンジン制御装置)
151 ECU
160 車両内ネットワーク
Claims (17)
- 以下を含む電子装置:
(a)記憶装置と;
ここで前記記憶装置は以下を含む:
(i)データ及び当該データの誤り訂正符号を記憶する第1領域と;
(ii)前記第1領域を管理する管理データを演算装置の制御単位毎に記憶する第2領域
(b)前記記憶装置を制御する半導体装置、
ここで前記半導体装置は以下を含む:
(i)メモリアドレスと誤り訂正レベルとの関係を格納したルックアップテーブルを有し、メモリへのアクセス命令に含まれるアクセスアドレスと前記ルックアップテーブルとに基づき、当該アクセスアドレスに対応する誤り訂正レベルを算出するエラー検出レベル処理部と;
(ii)前記エラー検出レベル処理部が算出した前記誤り訂正レベルに基づき、書き込みデータの単位サイズ毎に誤り訂正符号を付与するか否か、及び前記誤り訂正符号を付与する場合の前記単位サイズを決定し、前記書込みデータ及び当該データに対応する誤り訂正符号を前記第1領域内の前記管理データに従って前記第2領域に書き込む書き込み制御部と;
(iii)前記第1領域内の前記管理データに基づき、前記第2領域からデータ及び誤り訂正符号を取得し、前記エラー検出レベル処理部が算出した前記誤り訂正レベルに基づき、取得したデータの誤り訂正の実施する読み出し制御部。 - 前記エラー検出レベル処理部は、
前記アクセス命令に含まれるアクセスアドレスを所定のハッシュ関数に代入することにより前記ルックアップテーブルの探索位置を算出し、当該探索位置のデータ列に含まれるメモリアドレスと、前記ハッシュ関数に代入したアクセスアドレスとが一致するヒット状態の場合に当該データ列にある誤り訂正レベルを読み出すハッシュ処理部を備える、請求項1に記載の電子装置。 - 前記ルックアップテーブルは、前記誤り訂正レベルとして誤り訂正を行わないことを示す訂正レベルを示す値を保持しない、請求項1に記載の電子装置。
- 前記ハッシュ処理部は、前記ハッシュ関数を用いて前記ルックアップテーブルの所定回数の探索を行ってヒット状態に至らなかった場合、前記誤り訂正レベルとして誤り訂正を行わないことを示す訂正レベルが設定されていたとみなす、請求項3に記載の電子装置。
- 前記記憶装置は、
前記第1領域において、データを記憶するデータ記憶領域と前記誤り訂正符号を記憶する符号記憶領域を有し、
前記データ記憶領域と、前記符号記憶領域と、が所定のビット比率で対応付けられている、請求項1に記載の電子装置。 - 前記ルックアップテーブルは、テーブル内の各データ列の有効性を示すバリッドフラグの情報を更に有する、請求項1に記載の電子装置。
- 前記エラー検出レベル処理部は、前記ハッシュ関数を用いた演算として、オープンアドレス法ダブルハッシュ形式の演算を行う、請求項2に記載の電子装置。
- データ及び当該データの誤り訂正符号を記憶する第1領域と、前記第1領域を管理する管理データを演算装置の制御単位毎に記憶する第2領域とを有する記憶装置を内蔵する電子装置の制御方法であって、
(a)メモリアドレスと誤り訂正レベルとの関係を格納したルックアップテーブルを有し、メモリへのアクセス命令に含まれるアクセスアドレスと前記ルックアップテーブルとに基づき、当該アクセスアドレスに対応する誤り訂正レベルを算出し、
(b)前記算出した前記誤り訂正レベルに基づき、書き込みデータの単位サイズ毎に誤り訂正符号を付与するか否か、及び前記誤り訂正符号を付与する場合の前記単位サイズを決定し、前記書込みデータ及び当該データに対応する誤り訂正符号を前記第1領域内の前記管理データに従って前記第2領域に書き込み、
(c)前記第1領域内の前記管理データに基づき、前記第2領域からデータ及び誤り訂正符号を取得し、前記エラー検出レベル処理部が算出した前記誤り訂正レベルに基づき、取得したデータの誤り訂正の実施する、
電子装置の制御方法。 - 前記アクセス命令に含まれるアクセスアドレスを所定のハッシュ関数に代入することにより前記ルックアップテーブルの探索位置を算出し、当該探索位置のデータ列に含まれるメモリアドレスと、前記ハッシュ関数に代入したアクセスアドレスとが一致するヒット状態の場合に当該データ列にある誤り訂正レベルを読み出す、請求項8に記載の電子装置の制御方法。
- 前記ルックアップテーブルは、前記誤り訂正レベルとして誤り訂正を行わないことを示す訂正レベルを示す値を保持しない、請求項8に記載の電子装置の制御方法。
- 前記ハッシュ関数を用いて前記ルックアップテーブルの所定回数の探索を行ってヒット状態に至らなかった場合、前記誤り訂正レベルとして誤り訂正を行わないことを示す訂正レベルが設定されていたとみなす、請求項10に記載の電子装置の制御方法。
- 前記記憶装置は、
前記第1領域において、データを記憶するデータ記憶領域と前記誤り訂正符号を記憶する符号記憶領域を有し、
前記データ記憶領域と、前記符号記憶領域とが所定のビット比率で対応付けられている、請求項8に記載の電子装置の制御方法。 - 前記ルックアップテーブルは、テーブル内の各データ列の有効性を示すバリッドフラグの情報を更に有する、請求項8に記載の電子装置の制御方法。
- 前記ハッシュ関数を用いた演算として、オープンアドレス法ダブルハッシュ形式の演算を行う、請求項9に記載の電子装置の制御方法。
- データ及び当該データの誤り訂正符号を記憶する第1領域と、前記第1領域を管理する管理データを演算装置の制御単位毎に記憶する第2領域を含む記憶装置を制御する半導体装置であって、
(a)メモリアドレスと誤り訂正レベルとの関係を格納したルックアップテーブルを有し、メモリへのアクセス命令に含まれるアクセスアドレスと前記ルックアップテーブルとに基づき、当該アクセスアドレスに対応する誤り訂正レベルを算出するエラー検出レベル処理部と;
(b)前記エラー検出レベル処理部が算出した前記誤り訂正レベルに基づき、書き込みデータの単位サイズ毎に誤り訂正符号を付与するか否か、及び前記誤り訂正符号を付与する場合の前記単位サイズを決定し、前記書込みデータ及び当該データに対応する誤り訂正符号を前記第1領域内の前記管理データに従って前記第2領域に書き込む書き込み制御部と;
(c)前記第1領域内の前記管理データに基づき、前記第2領域からデータ及び誤り訂正符号を取得し、前記エラー検出レベル処理部が算出した前記誤り訂正レベルに基づき、取得したデータの誤り訂正の実施する読み出し制御部
を含む半導体装置。 - 以下を含む電子システム:
(a)撮像装置と;
(b)前記撮像装置によって取得された画像データを記憶する記憶装置と;
ここで前記記憶装置は以下を含む:
(i)データ及び当該データの誤り訂正符号を記憶する第1領域と;
(ii)前記第1領域を管理する管理データを演算装置の制御単位毎に記憶する第2領域;
(c)前記記憶装置を制御する半導体装置と;
ここで前記半導体装置は以下を含む:
(i)メモリアドレスと誤り訂正レベルとの関係を格納したルックアップテーブルを有し、メモリへのアクセス命令に含まれるアクセスアドレスと前記ルックアップテーブルとに基づき、当該アクセスアドレスに対応する誤り訂正レベルを算出するエラー検出レベル処理部と;
(ii)前記エラー検出レベル処理部が算出した前記誤り訂正レベルに基づき、書き込みデータの単位サイズ毎に誤り訂正符号を付与するか否か、及び前記誤り訂正符号を付与する場合の前記単位サイズを決定し、前記書込みデータ及び当該データに対応する誤り訂正符号を前記第1領域内の前記管理データに従って前記第2領域に書き込む書き込み制御部と;
(iii)前記第1領域内の前記管理データに基づき、前記第2領域からデータ及び誤り訂正符号を取得し、前記エラー検出レベル処理部が算出した前記誤り訂正レベルに基づき、取得したデータの誤り訂正の実施する読み出し制御部。 - 前記電子システムは車載用に使用され、
さらに
(d)エンジン制御装置
を含み、
前記エンジン制御装置は、前記記憶装置中のデータを基にエンジンを制御する請求項16記載の電子システム。
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