JP2013239657A - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2013239657A
JP2013239657A JP2012112979A JP2012112979A JP2013239657A JP 2013239657 A JP2013239657 A JP 2013239657A JP 2012112979 A JP2012112979 A JP 2012112979A JP 2012112979 A JP2012112979 A JP 2012112979A JP 2013239657 A JP2013239657 A JP 2013239657A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
reference position
chamber
wafer
load lock
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012112979A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiko Nakagawa
良彦 中川
Yasuhiro Mizuguchi
靖裕 水口
Mitsuru Fukuda
満 福田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2012112979A priority Critical patent/JP2013239657A/en
Publication of JP2013239657A publication Critical patent/JP2013239657A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To acquire a reference position of a substrate transfer robot at an operation part.SOLUTION: A substrate processing apparatus comprises: a first substrate transfer chamber provided with a first substrate carrier for carrying a substrate under reduced pressure; a processing chamber which is connected to the first substrate transfer chamber, and includes a first substrate position detector and a first substrate loading part, and processes the substrate under reduced pressure; a spare chamber which is connected to the first substrate transfer chamber, and includes a second substrate position detector and a second substrate loading part, and which switches between reduced pressure and atmospheric pressure; a control part which arranges the substrate loaded on the first substrate carrier in the processing chamber, acquires from the first substrate position detector, a first reference position which serves as a reference when the first substrate carrier loads the substrate on the first substrate loading part, arranges the substrate loaded on the first substrate carrier in the spare chamber, and acquires from the second substrate position detector, a second reference position which serves as a reference when the first substrate carrier loads the substrate on the second substrate loading part; and an operation display part for accepting an instruction for acquiring first and second reference positions and displaying an acquisition state of the first and second reference positions.

Description

本発明は、例えば半導体ウエハ等の基板を処理する基板処理装置に関し、該基板処理装置において基板搬送する際の基準位置の取得や基板の位置ずれを検出する技術に関するものである。   The present invention relates to a substrate processing apparatus that processes a substrate such as a semiconductor wafer, for example, and relates to a technique for acquiring a reference position and detecting a positional deviation of the substrate when the substrate is transferred in the substrate processing apparatus.

例えば、図1に示すように、ウエハ収納容器であるカセットCA1〜CA3をそれぞれ載置する複数のロードポートLP1〜LP3、大気雰囲気で基板を搬送する大気ロボットARを有する大気搬送室EFEM、大気状態と真空状態を切替できる複数のロードロック室LM1〜LM2、真空状態で基板を搬送する真空ロボットVRを有する真空搬送室TM、基板を処理する基板処理室である複数のプロセスチャンバPM1〜PM4をこの順に配置されて構成される基板処理装置がある。図1は、基板処理装置の構成例であり、上面から見た図である。   For example, as shown in FIG. 1, a plurality of load ports LP1 to LP3 on which cassettes CA1 to CA3, which are wafer storage containers, are respectively mounted, an atmospheric transfer chamber EFEM having an atmospheric robot AR for transferring a substrate in an atmospheric atmosphere, an atmospheric state A plurality of load lock chambers LM1 to LM2 capable of switching the vacuum state, a vacuum transfer chamber TM having a vacuum robot VR for transferring a substrate in a vacuum state, and a plurality of process chambers PM1 to PM4 which are substrate processing chambers for processing a substrate. There is a substrate processing apparatus that is arranged in order. FIG. 1 is a configuration example of a substrate processing apparatus, as viewed from above.

この基板処理装置においては、被処理基板であるウエハWが、大気ロボットARにより大気雰囲気下で、例えばロードポートLP1上のカセットCA1から大気搬送室EFEMを経てロードロック室LM1へ搬送されてロードロック室LM1内のバッファステージLS1へ載置される。次に、ゲートバルブLD1が閉じられてロードロック室LM1が真空状態にされた後、バッファステージLS1上のウエハWが、真空ロボットVRによりロードロック室LM1から真空搬送室TMを経てプロセスチャンバPM1へ搬送されてプロセスチャンバPM1内の載置台PS1へ載置される。プロセスチャンバPM1内で処理されたウエハWは、逆の手順で、ロードポートLP1上のカセットCA1へ戻される。   In this substrate processing apparatus, a wafer W, which is a substrate to be processed, is transferred to the load lock chamber LM1 via the atmospheric transfer chamber EFEM from the cassette CA1 on the load port LP1 through the atmospheric transfer chamber EFEM, for example, by the atmospheric robot AR. It is placed on the buffer stage LS1 in the chamber LM1. Next, after the gate valve LD1 is closed and the load lock chamber LM1 is evacuated, the wafer W on the buffer stage LS1 is transferred from the load lock chamber LM1 to the process chamber PM1 from the load lock chamber LM1 through the vacuum transfer chamber TM by the vacuum robot VR. It is conveyed and mounted on the mounting table PS1 in the process chamber PM1. The wafer W processed in the process chamber PM1 is returned to the cassette CA1 on the load port LP1 in the reverse procedure.

このとき、例えば真空ロボットVRは、ロードロック室LM1内のバッファステージLS1へ載置されているウエハWや、プロセスチャンバPM1内の載置台PS1へ載置されているウエハWを、真空ロボットVRの基板支持部であるアームVRA上の適切な位置で支持するように、真空ロボットVRのアームVRAの位置調整を予め行っておく必要がある。   At this time, for example, the vacuum robot VR transfers the wafer W mounted on the buffer stage LS1 in the load lock chamber LM1 or the wafer W mounted on the mounting table PS1 in the process chamber PM1 to the vacuum robot VR. It is necessary to adjust the position of the arm VRA of the vacuum robot VR in advance so that it is supported at an appropriate position on the arm VRA that is the substrate support unit.

この位置調整を行うために、ティーチングペンダント(以下、ペンダント)と呼ばれる保守端末を真空ロボットVRの制御部であるロボットコントローラに接続して真空ロボットVRを動かし、真空ロボットVRのアームVRAの位置を、保守員が目視により適切な位置に調整する。真空ロボットVRのアームVRAの位置は、真空ロボットVRのモータのエンコーダ値で表されるので、適切な位置におけるエンコーダ値を取得、つまり基準位置を取得し、ロボットコントローラ内のメモリに記憶しておく。そして、運用時においては、該メモリに記憶した基準位置(エンコーダ値)に基づき、真空ロボットVRの位置を決定し、ウエハWを例えばバッファステージLS1へ載置、あるいはバッファステージLS1からピックアップする。   In order to perform this position adjustment, a maintenance terminal called a teaching pendant (hereinafter referred to as a pendant) is connected to a robot controller which is a control unit of the vacuum robot VR, the vacuum robot VR is moved, and the position of the arm VRA of the vacuum robot VR is determined. Maintenance personnel visually adjust the position appropriately. Since the position of the arm VRA of the vacuum robot VR is represented by the encoder value of the motor of the vacuum robot VR, the encoder value at an appropriate position is acquired, that is, the reference position is acquired and stored in the memory in the robot controller. . During operation, the position of the vacuum robot VR is determined based on the reference position (encoder value) stored in the memory, and the wafer W is placed on the buffer stage LS1, for example, or picked up from the buffer stage LS1.

例えば、ロードロック室LM1に対する真空ロボットVRの基準位置取得は、次の手順により保守員が手動で行う。まず手順1でロードロック室LM1を大気雰囲気にし、手順2で大気ロボットARを用いてロードポートLP1上のカセットCA1からウエハWを取り出し、ロードロック室LM1へ搬送する。手順3でゲートバルブLD1を閉じてロードロック室LM1内を排気し真空状態にする。手順4でゲートバルブLGV1を開ける。手順5でロードロック室LM1内のウエハWを真空ロボットVRのアームVRAに載せる。手順6で真空ロボットVRに接続しているペンダントをローカルモードに切換える。手順7でペンダントを用いてロードロック室LM1に対するキャリブレーションを実施、つまり、真空ロボットVRの位置を保守員が目視により適切な位置に調整し基準位置を取得する。手順8でペンダントをリモートモードに切換える。手順9で真空ロボットVRをイニシャルする、つまり、真空ロボットVRをホームポジションに移動させる。ホームポジションでは、アームVRAを引っ込めた状態で、旋回位置がロードロック室LM1を向いた状態になる。手順10でゲートバルブLGV1を閉じる。   For example, the reference position of the vacuum robot VR with respect to the load lock chamber LM1 is manually acquired by a maintenance staff according to the following procedure. First, the load lock chamber LM1 is set to the atmospheric atmosphere in the procedure 1, and the wafer W is taken out from the cassette CA1 on the load port LP1 using the atmospheric robot AR in the procedure 2 and transferred to the load lock chamber LM1. In step 3, the gate valve LD1 is closed and the load lock chamber LM1 is evacuated to a vacuum state. In step 4, the gate valve LGV1 is opened. In step 5, the wafer W in the load lock chamber LM1 is placed on the arm VRA of the vacuum robot VR. In step 6, the pendant connected to the vacuum robot VR is switched to the local mode. In step 7, the load lock chamber LM1 is calibrated using a pendant, that is, the maintenance person visually adjusts the position of the vacuum robot VR to obtain a reference position. In step 8, switch the pendant to remote mode. In step 9, the vacuum robot VR is initialized, that is, the vacuum robot VR is moved to the home position. At the home position, the swivel position faces the load lock chamber LM1 with the arm VRA retracted. In step 10, the gate valve LGV1 is closed.

上述したような基準位置取得は、真空ロボットVRについては、ロードロック室LM1〜LM2、プロセスチャンバPM1〜PM4に対して行われる。また、大気ロボットARについては、ロードポートLP1〜LP3、ロードロック室LM1〜LM2に対してそれぞれ行われ、それぞれの基準位置が取得される。   The reference position acquisition as described above is performed on the load lock chambers LM1 to LM2 and the process chambers PM1 to PM4 for the vacuum robot VR. Further, the atmospheric robot AR is performed on the load ports LP1 to LP3 and the load lock chambers LM1 to LM2, respectively, and the respective reference positions are acquired.

また、基準位置取得後、複数のウエハWを順次プロセスチャンバPM1〜PM4へ搬送して処理し、ロードポートLP1〜LP3上のカセットCA1〜CA3に戻すことを繰り返すうちに、例えば真空ロボットVR上におけるウエハの支持位置が適切な位置からずれて位置ずれを生じる。位置ずれを検出すると、保守員が真空ロボットVRにペンダントを接続して、ペンダントにより位置ずれを修正、つまり基準位置を修正する。   Further, after the reference position is acquired, the plurality of wafers W are sequentially transferred to the process chambers PM1 to PM4, processed, and returned to the cassettes CA1 to CA3 on the load ports LP1 to LP3, for example, on the vacuum robot VR. The wafer support position shifts from an appropriate position, resulting in a position shift. When the positional deviation is detected, the maintenance staff connects the pendant to the vacuum robot VR and corrects the positional deviation by the pendant, that is, corrects the reference position.

下記の特許文献1では、基板処理装置において、基板処理装置の運用を開始させる際のセットアップ工程で、基板搬送ロボットを用いて、ウエハ収納容器であるカセットからウエハを取り出してプロセスチャンバへ搬送した後、カセットに戻す搬送テストが行われる。このような搬送テストを行うことで、ウエハ搬送に支障がないかどうかを確認することができる。また、特許文献2では、実際の運用時において、複数の基板を順次プロセスチャンバへ搬送して処理し、カセットに戻すことを繰り返すうちに、種々の理由により、基板搬送ロボット上におけるウエハの支持位置が位置ずれを生じるため、この位置ずれをセンサにより検出している。このような位置ずれを検出すると、位置を修正して搬送を行う。   In the following Patent Document 1, in the setup process when starting the operation of the substrate processing apparatus in the substrate processing apparatus, the substrate transfer robot is used to take out the wafer from the cassette that is the wafer storage container and transfer it to the process chamber. Then, a conveyance test for returning to the cassette is performed. By performing such a transfer test, it is possible to confirm whether or not there is an obstacle to wafer transfer. Further, in Patent Document 2, in actual operation, a plurality of substrates are sequentially transferred to the process chamber, processed, and returned to the cassette, and the wafer support position on the substrate transfer robot for various reasons. Therefore, the positional deviation is detected by a sensor. When such a positional deviation is detected, the position is corrected and transport is performed.

しかしながら、従来の基板処理装置においては、例えば複数存在するプロセスチャンバにおける基板搬送ロボットの基準位置取得を、それぞれペンダントを用いて保守員が行うようにしており、基準位置データ(エンコーダ値等の調整データ)を基板搬送ロボット制御部内のメモリに記憶しているので、基板処理装置の操作部において操作者が、各プロセスチャンバにおける基板搬送ロボットの位置が適正であるか否かを一目で知ることができない。
また、基板処理装置の操作部から基準位置を求めることや修正することができず、ペンダントを用いる必要がある。さらに、ペンダントの操作方法は複雑であるため、操作方法を熟知していない場合は、うまく操作ができず誤操作するおそれがある。
However, in the conventional substrate processing apparatus, for example, the maintenance position is acquired by the maintenance personnel using the pendant in each of the plurality of process chambers, and the reference position data (adjustment data such as an encoder value) is obtained. ) Is stored in the memory in the substrate transfer robot controller, the operator cannot know at a glance whether or not the position of the substrate transfer robot in each process chamber is appropriate in the operation unit of the substrate processing apparatus. .
Further, the reference position cannot be obtained or corrected from the operation unit of the substrate processing apparatus, and it is necessary to use a pendant. Furthermore, since the pendant operation method is complicated, if the user does not know the operation method well, the pendant may not be operated properly and may be erroneously operated.

特開2010−103486号公報JP 2010-103486 A 特開2010−206139号公報JP 2010-206139 A

本発明の目的は、基板処理装置の操作部において操作者が、プロセスチャンバ等における基板搬送ロボットの基準位置が適正であるか否かを容易に知ることができる、あるいは基板搬送ロボットの基準位置を容易に取得し、また修正することができる基板処理技術を提供することにある。   An object of the present invention is to enable an operator in the operation unit of the substrate processing apparatus to easily know whether or not the reference position of the substrate transfer robot in the process chamber or the like is appropriate, or to set the reference position of the substrate transfer robot. It is an object of the present invention to provide a substrate processing technique that can be easily obtained and modified.

前記課題を解決するための、本発明に係る基板処理装置の代表的な構成は、次のとおりである。すなわち、
減圧状態で基板を搬送する第1の基板搬送機を備える第1の基板搬送室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第1の基板位置検知器と基板を載置する第1の基板載置部とを備え、該第1の基板載置部に載置した基板を減圧状態で処理する処理室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第2の基板位置検知器と基板を載置する第2の基板載置部を備え、減圧状態と大気圧状態とを切換え可能な予備室と、
前記第1の基板搬送機に載置された基板を前記処理室内に配置し、前記第1の基板位置検知器を用いて前記第1の基板搬送機が前記第1の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第1の基準位置を取得するとともに、前記第1の基板搬送機に載置された基板を前記予備室内に配置し、前記第2の基板位置検知器を用いて前記第1の基板搬送機が前記第2の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第2の基準位置とを取得する制御部と、
前記第1の基準位置と前記第2の基準位置に関する操作者からの取得指示を受け付けるとともに、前記第1の基準位置と前記第2の基準位置の取得状況を表示する操作表示部と、を備えるよう構成された基板処理装置。
A typical configuration of the substrate processing apparatus according to the present invention for solving the above-described problems is as follows. That is,
A first substrate transfer chamber comprising a first substrate transfer device for transferring a substrate in a reduced pressure state;
A first substrate position detector provided to be connected to the first substrate transfer chamber and configured to detect a substrate position; and a first substrate placement unit for placing a substrate; A processing chamber for processing the substrate placed on the part in a reduced pressure state;
A second substrate position detector provided to be connected to the first substrate transfer chamber and detecting a substrate position, and a second substrate placement unit for placing the substrate are provided, and a reduced pressure state and an atmospheric pressure state are provided. A switchable spare room,
A substrate placed on the first substrate transporter is placed in the processing chamber, and the first substrate transporter uses the first substrate position detector to place the substrate on the first substrate rest. A first reference position serving as a reference for placing the substrate is placed, a substrate placed on the first substrate transporter is placed in the spare chamber, and the second substrate position detector is used. A control unit that acquires a second reference position that serves as a reference when the first substrate transporter places a substrate on the second substrate platform;
An operation display unit that receives an acquisition instruction from the operator regarding the first reference position and the second reference position, and displays an acquisition status of the first reference position and the second reference position. A substrate processing apparatus configured as described above.

上記の構成によれば、プロセスチャンバ等における基板搬送ロボットの基準位置を容易に取得又は修正することができる。   According to the above configuration, the reference position of the substrate transfer robot in the process chamber or the like can be easily obtained or corrected.

本発明の実施形態に係る基板処理装置の構成図である。It is a block diagram of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る基板処理装置の制御部の構成図である。It is a block diagram of the control part of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る基板処理装置の操作表示部の表示例である。It is an example of a display of the operation display part of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 第1実施例に係る基準位置確認時の基板処理装置の処理シーケンスである。It is a processing sequence of the substrate processing apparatus at the time of reference position confirmation concerning the 1st example. 第2実施例に係る基準位置取得時の基板処理装置の処理シーケンスである。It is a process sequence of the substrate processing apparatus at the time of the reference | standard position acquisition which concerns on 2nd Example.

(1)基板処理装置の構成
以下、図面を参照して、本発明の実施形態における基板処理装置を説明する。本実施形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置(IC:Integrated Circuit)の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。また、本実施形態の基板処理装置は、1つの処理室で1枚の基板にCVD(Chemical Vapor Deposition)処理などの成膜処理を行う枚葉装置として構成されている。図1は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の構成図であり、上面から見た図である。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus Hereinafter, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, as an example, the substrate processing apparatus is configured as a semiconductor manufacturing apparatus that performs a processing step in a manufacturing method of a semiconductor device (IC: Integrated Circuit). In addition, the substrate processing apparatus according to the present embodiment is configured as a single-wafer apparatus that performs film forming processing such as CVD (Chemical Vapor Deposition) processing on one substrate in one processing chamber. FIG. 1 is a configuration diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, as viewed from above.

図1に示す基板処理装置は、減圧状態で基板(例えばシリコン等からなるウエハW)を取り扱う真空側の構成と、大気圧状態においてウエハWを取り扱う大気側の構成とを備えている。真空側の構成は、主に、真空搬送室TMと、ロードロック室LM1,LM2と、ウエハWを処理するプロセスチャンバPM1〜PM4とを備える。大気側の構成は、主に、大気搬送室EFEMと、ロードポートLP1〜LP3とを備える。ロードポートLP1〜LP3には、ウエハWを収納するウエハキャリアとしてのカセットCA1〜CA3が、基板処理装置外部から搬送されて載置され、また、基板処理装置外部へ搬送される。このような構成により、例えば、ロードポートLP1上のカセットCA1から未処理のウエハWが取り出され、ロードロック室LM1を経て、プロセスチャンバPM1へ搬入されて処理された後、処理済みのウエハWは、その逆の手順で、ロードポートLP1上のカセットCA1へ戻される。   The substrate processing apparatus shown in FIG. 1 has a vacuum side structure for handling a substrate (for example, a wafer W made of silicon or the like) in a reduced pressure state and an atmosphere side structure for handling the wafer W in an atmospheric pressure state. The configuration on the vacuum side mainly includes a vacuum transfer chamber TM, load lock chambers LM1 and LM2, and process chambers PM1 to PM4 for processing the wafer W. The configuration on the atmosphere side mainly includes an atmosphere transfer chamber EFEM and load ports LP1 to LP3. In the load ports LP1 to LP3, cassettes CA1 to CA3 as wafer carriers for storing the wafers W are transported and mounted from the outside of the substrate processing apparatus, and are transported to the outside of the substrate processing apparatus. With such a configuration, for example, an unprocessed wafer W is taken out from the cassette CA1 on the load port LP1, is loaded into the process chamber PM1 through the load lock chamber LM1, processed, and then the processed wafer W is processed. In the reverse procedure, the cassette CA1 on the load port LP1 is returned.

(真空側の構成)
真空搬送室TMは、真空状態などの大気圧未満の負圧(減圧)に耐えることが出来る真空気密可能な構造に構成されている。なお、本実施形態においては、真空搬送室TMの筐体は、平面視が五角形で、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。ロードロック室LM1,LM2、プロセスチャンバPM1〜PM4は、真空搬送室TMの外周を囲むように配置されている。
(Vacuum side configuration)
The vacuum transfer chamber TM is configured in a vacuum-tight structure that can withstand a negative pressure (reduced pressure) less than atmospheric pressure such as a vacuum state. In the present embodiment, the housing of the vacuum transfer chamber TM is formed in a box shape having a pentagonal shape in plan view and closed at both upper and lower ends. The load lock chambers LM1, LM2 and the process chambers PM1 to PM4 are arranged so as to surround the outer periphery of the vacuum transfer chamber TM.

真空搬送室TM内には、減圧状態でウエハWを搬送する搬送手段としての真空ロボットVR(第1の基板搬送機)が例えば1台設けられている。真空ロボットVRは、ウエハWを基板載置部である2組の基板支持アーム(以下、アーム)VRAに載せることで、ロードロック室LM1,LM2及びプロセスチャンバPM1〜PM4との間で、ウエハWの搬送を行なう。なお、真空ロボットVRは、真空搬送室TMの気密性を維持しつつ昇降できるように構成される。また、2組のアームVRAは、上下方向に離間して設けられ、それぞれ水平方向に伸縮でき、係る水平面内で回転移動できるように構成されている。また、真空搬送室TM内であって、ロードロック室LM1,LM2、プロセスチャンバPM1〜PM4の各手前位置には、図示しない基板有無検知センサが設置され、アームVRA上のウエハWの存在を検知できるように構成されている。   In the vacuum transfer chamber TM, for example, one vacuum robot VR (first substrate transfer machine) is provided as transfer means for transferring the wafer W in a reduced pressure state. The vacuum robot VR places the wafer W on two sets of substrate support arms (hereinafter referred to as “arms”) VRA, which are substrate placement units, so that the wafer W is placed between the load lock chambers LM1 and LM2 and the process chambers PM1 to PM4. Transport. The vacuum robot VR is configured to be able to move up and down while maintaining the airtightness of the vacuum transfer chamber TM. Further, the two sets of arms VRA are provided so as to be spaced apart in the vertical direction, can be expanded and contracted in the horizontal direction, and can be rotated and moved within the horizontal plane. In addition, a substrate presence / absence detection sensor (not shown) is installed in the vacuum transfer chamber TM in front of each of the load lock chambers LM1 and LM2 and the process chambers PM1 to PM4 to detect the presence of the wafer W on the arm VRA. It is configured to be able to.

プロセスチャンバPM1〜PM4は、ウエハWが載置される基板載置部としての載置台(第1の基板載置部)PS1〜PS4をそれぞれ備え、例えばウエハWを1枚ずつ減圧状態で処理する枚葉式の処理室として構成されている。すなわち、プロセスチャンバPM1〜PM4は、それぞれが例えばプラズマ等を用いたエッチングやアッシング、化学反応による成膜(CVD)など、ウエハWに付加価値を与える処理室として機能する。
また、プロセスチャンバPM1〜PM4の各室内には、基板位置検知器PKがそれぞれ複数設置され、各室内におけるウエハWの水平方向や鉛直方向の位置や位置ずれを検知できるように構成されている。基板位置検知器PKは、例えば赤外線センサや超音波センサ、あるいはカメラ等により構成される。
Each of the process chambers PM1 to PM4 includes mounting tables (first substrate mounting units) PS1 to PS4 as substrate mounting units on which the wafers W are mounted. For example, the wafers W are processed one by one in a reduced pressure state. It is configured as a single wafer processing chamber. That is, each of the process chambers PM1 to PM4 functions as a processing chamber that gives added value to the wafer W, such as etching or ashing using plasma or the like, film formation by chemical reaction (CVD), or the like.
A plurality of substrate position detectors PK are installed in each chamber of the process chambers PM1 to PM4, and are configured to detect the horizontal and vertical positions and displacements of the wafer W in each chamber. The substrate position detector PK is configured by, for example, an infrared sensor, an ultrasonic sensor, or a camera.

また、プロセスチャンバPM1〜PM4は、その機能に応じた各種の構成、例えばガス導入機構や排気機構や圧力調整機構や温度制御機構やプラズマ放電機構(いずれも図示せず)等を備えている。これらの機構は、プロセスチャンバPM1〜PM4内へ供給する処理ガスの流量を制御する図示しないマスフローコントローラ(MFC)、プロセスチャンバPM1〜PM4内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ(APC)等の圧力コントローラ15、プロセスチャンバPM1〜PM4内の温度を制御する図示しない温度調整器、処理ガスの供給や排気用バルブのオン/オフを制御するバルブデジタルI/O19、各種スイッチ(SW)等のオン/オフを制御するSWデジタルI/O18などを備えている。上記各構成は、プロセスチャンバコントローラ14に電気的に接続されている。プロセスチャンバコントローラ14を含む装置コントローラとしての制御部10の構成については後述する。   Further, the process chambers PM1 to PM4 are provided with various configurations according to their functions, for example, a gas introduction mechanism, an exhaust mechanism, a pressure adjustment mechanism, a temperature control mechanism, a plasma discharge mechanism (all not shown), and the like. These mechanisms are a pressure controller such as a mass flow controller (MFC) (not shown) that controls the flow rate of the processing gas supplied into the process chambers PM1 to PM4, and an auto pressure controller (APC) that controls the pressure in the process chambers PM1 to PM4. 15. Temperature controller (not shown) for controlling the temperature in the process chambers PM1 to PM4, valve digital I / O 19 for controlling on / off of supply of processing gas and exhaust valve, on / off of various switches (SW), etc. SW digital I / O 18 and the like are provided. Each of the above components is electrically connected to the process chamber controller 14. The configuration of the control unit 10 as an apparatus controller including the process chamber controller 14 will be described later.

また、プロセスチャンバPM1〜PM4は、開閉弁としてのゲートバルブPGV1〜PGV4により真空搬送室TMにそれぞれ連接されている。したがって、ゲートバルブPGV1〜PGV4を開けることにより、真空搬送室TMとの間で減圧下にてウエハWの搬送を行うことが可能である。また、ゲートバルブPGV1〜PGV4を閉じることにより、プロセスチャンバPM1〜PM4内の圧力や処理ガス雰囲気を保持したまま、ウエハWに対して各種の基板処理を行うことが可能である。   The process chambers PM1 to PM4 are connected to the vacuum transfer chamber TM by gate valves PGV1 to PGV4 as opening / closing valves, respectively. Therefore, by opening the gate valves PGV1 to PGV4, the wafer W can be transferred to the vacuum transfer chamber TM under reduced pressure. Further, by closing the gate valves PGV1 to PGV4, it is possible to perform various substrate processes on the wafer W while maintaining the pressure and the processing gas atmosphere in the process chambers PM1 to PM4.

ロードロック室LM1,LM2は、真空搬送室TM内へウエハWを搬入する予備室として、あるいは真空搬送室TM内からウエハWを搬出する予備室として機能する。ロードロック室LM1,LM2の内部には、ウエハWを搬入搬出する際、ウエハWを一時的に支持する基板載置部としてのバッファステージ(第2の基板載置部)LS1,LS2が、それぞれ設けられている。バッファステージLS1,LS2は、複数枚(例えば2枚)のウエハWを保持する多段型スロットとしてそれぞれ構成されていてもよい。
また、ロードロック室LM1,LM2の各室内には、基板位置検知器LKがそれぞれ複数設置され、各室内におけるウエハWの水平方向や鉛直方向の位置や位置ずれを検知できるように構成されている。基板位置検知器LKは、例えば赤外線センサや超音波センサ、あるいはカメラ等により構成される。
The load lock chambers LM1 and LM2 function as spare chambers for loading the wafer W into the vacuum transfer chamber TM or as spare chambers for unloading the wafer W from the vacuum transfer chamber TM. In the load lock chambers LM1 and LM2, buffer stages (second substrate platforms) LS1 and LS2 as substrate platforms that temporarily support the wafer W when loading and unloading the wafers W are respectively provided. Is provided. The buffer stages LS1 and LS2 may each be configured as a multi-stage slot that holds a plurality of (for example, two) wafers W.
Further, a plurality of substrate position detectors LK are installed in each of the load lock chambers LM1 and LM2, and are configured to detect the horizontal and vertical positions and displacements of the wafer W in each chamber. . The substrate position detector LK is configured by, for example, an infrared sensor, an ultrasonic sensor, or a camera.

また、ロードロック室LM1,LM2は、開閉弁としてのゲートバルブLGV1,LGV2により真空搬送室TMにそれぞれ連接されており、また、開閉弁としてのゲートバルブLD1,LD2により後述する大気搬送室EFEMにそれぞれ連接されている。したがって、真空搬送室TM側のゲートバルブLGV1,LGV2を閉じたまま、大気搬送室EFEM側のゲートバルブLD1,LD2を開けることにより、真空搬送室TM内の真空気密を保持したまま、ロードロック室LM1,LM2と大気搬送室EFEMとの間で、大気圧下にてウエハWの搬送を行うことが可能である。   The load lock chambers LM1 and LM2 are connected to the vacuum transfer chamber TM by gate valves LGV1 and LGV2 as opening / closing valves, respectively, and are connected to an atmospheric transfer chamber EFEM to be described later by gate valves LD1 and LD2 as opening / closing valves. Each is connected. Accordingly, by opening the gate valves LD1 and LD2 on the atmospheric transfer chamber EFEM while the gate valves LGV1 and LGV2 on the vacuum transfer chamber TM side are closed, the load lock chamber is maintained while maintaining the vacuum airtightness in the vacuum transfer chamber TM. It is possible to transfer the wafer W under atmospheric pressure between the LM1 and LM2 and the atmospheric transfer chamber EFEM.

また、ロードロック室LM1,LM2は、真空状態などの大気圧未満の減圧に耐えることが出来る構造に構成されており、その内部をそれぞれ真空排気することが可能となっている。したがって、大気搬送室EFEM側のゲートバルブLD1,LD2を閉じてロードロック室LM1,LM2の内部を真空排気した後で、真空搬送室TM側のゲートバルブLGV1,LGV2を開けることにより、真空搬送室TM内の真空状態を保持したまま、ロードロック室LM1,LM2と真空搬送室TMとの間で、減圧下にてウエハWの搬送を行うことが可能である。
このように、ロードロック室LM1,LM2は、大気圧状態と減圧状態とを切換え可能に構成されている。
Further, the load lock chambers LM1 and LM2 have a structure capable of withstanding a reduced pressure less than atmospheric pressure such as a vacuum state, and the inside thereof can be evacuated. Therefore, after the gate valves LD1 and LD2 on the atmosphere transfer chamber EFEM side are closed and the inside of the load lock chambers LM1 and LM2 is evacuated, the vacuum transfer chamber is opened by opening the gate valves LGV1 and LGV2 on the vacuum transfer chamber TM side. It is possible to transfer the wafer W under reduced pressure between the load lock chambers LM1, LM2 and the vacuum transfer chamber TM while maintaining the vacuum state in the TM.
Thus, the load lock chambers LM1 and LM2 are configured to be switchable between the atmospheric pressure state and the reduced pressure state.

(大気側の構成)
一方、基板処理装置の大気側には、上述の通り、ロードロック室LM1,LM2に接続されたフロントモジュールである大気搬送室EFEM(Equipment Front End Module)と、大気搬送室EFEMに接続され、例えば1ロット分、25枚のウエハWをそれぞれ収納した収納容器としてのカセットCA1〜CA3を載置する収納容器載置部としてのロードポートLP1〜LP3と、が設けられる。
(Composition on the atmosphere side)
On the other hand, as described above, the atmosphere side of the substrate processing apparatus is connected to an atmospheric transfer chamber EFEM (Equipment Front End Module) which is a front module connected to the load lock chambers LM1 and LM2, and an atmospheric transfer chamber EFEM. Load ports LP1 to LP3 are provided as storage container placement portions for placing cassettes CA1 to CA3 as storage containers each storing 25 wafers W for one lot.

大気搬送室EFEM内には、搬送手段としての大気ロボットAR(第2の基板搬送機)が例えば1台設けられている。大気ロボットARは、ロードロック室LM1,LM2とロードポートLP1〜LP3との間でウエハWの搬送を行なう。大気ロボットARも、真空ロボットVRと同様に基板載置部である2組のアームARAを有する。また、大気搬送室EFEM内であって、ロードロック室LM1,LM2の各手前位置には、図示しない基板有無検知センサが設置され、アームARA上のウエハWの存在を検知できるように構成されている。   In the atmospheric transfer chamber EFEM, for example, one atmospheric robot AR (second substrate transfer machine) as a transfer means is provided. The atmospheric robot AR transfers the wafer W between the load lock chambers LM1, LM2 and the load ports LP1-LP3. Similarly to the vacuum robot VR, the atmospheric robot AR has two sets of arms ARA, which are substrate placement units. In addition, a substrate presence / absence detection sensor (not shown) is installed in the atmospheric transfer chamber EFEM and in front of each of the load lock chambers LM1 and LM2, and configured to detect the presence of the wafer W on the arm ARA. Yes.

また、大気搬送室EFEM内には、基板位置修正装置として、ウエハWの結晶方位の位置合わせ等を行うオリフラ(Orientation Flat)合わせ装置であるアライナーAUが設けられている。ウエハWがノッチタイプであるときは、基板位置修正装置としてのノッチ合わせ装置を設けることも可能である。また、大気搬送室EFEMには、大気搬送室EFEMの内部にクリーンエアを供給する図示しないクリーンエアユニットが設けられている。   In the atmospheric transfer chamber EFEM, an aligner AU, which is an orientation flat aligning device for aligning the crystal orientation of the wafer W, is provided as a substrate position correcting device. When the wafer W is a notch type, a notch aligning device as a substrate position correcting device can be provided. The atmospheric transfer chamber EFEM is provided with a clean air unit (not shown) that supplies clean air into the atmospheric transfer chamber EFEM.

各ロードポートLP1〜LP3は、各ロードポートLP1〜LP3上に、複数枚の基板Wを収納したカセットCA1〜CA3をそれぞれ載置するように構成される。それぞれのカセットCA1〜CA3内には、ウエハWをそれぞれ収納する収納部としてのスロット(図示せず)が例えば1ロット分、25スロット設けられている。各ロードポートLP1〜LP3はカセットCA1〜CA3が載置されると、カセットCA1〜CA3に付され、カセットCA1〜CA3を識別するキャリアIDを示すバーコード等を読み取って記憶するよう構成される。
以上、本実施形態の基板処理装置について説明をしたが、各室の数や構成、組み合わせは上記に限られず、適宜、選択することができる。
Each of the load ports LP1 to LP3 is configured to place cassettes CA1 to CA3 containing a plurality of substrates W on the load ports LP1 to LP3, respectively. In each of the cassettes CA1 to CA3, for example, 25 slots (not shown) serving as storage units for storing the wafers W are provided for one lot. When the cassettes CA1 to CA3 are placed, the load ports LP1 to LP3 are attached to the cassettes CA1 to CA3, and are configured to read and store a barcode or the like indicating a carrier ID for identifying the cassettes CA1 to CA3.
The substrate processing apparatus of the present embodiment has been described above. However, the number, configuration, and combination of each chamber are not limited to the above, and can be selected as appropriate.

(2)装置コントローラの構成
次に、基板処理装置を制御する装置コントローラとしての制御部10について、主に図2を用いて説明する。図2は、基板処理装置の制御部10の構成図である。
図2に示すように、制御部10には、スイッチングハブ16を介して、操作部コントローラ11と、制御手段としての搬送系コントローラ13と、他の制御手段としてのプロセスチャンバコントローラ14とがLAN等の通信ネットワーク31で相互に接続されるように設けられている。また、上位のホストコンピュータ40が、LAN等の通信ネットワーク31により接続されている。
(2) Configuration of Apparatus Controller Next, the control unit 10 as an apparatus controller that controls the substrate processing apparatus will be described mainly with reference to FIG. FIG. 2 is a configuration diagram of the control unit 10 of the substrate processing apparatus.
As shown in FIG. 2, the control unit 10 includes an operation unit controller 11, a transport system controller 13 as a control unit, and a process chamber controller 14 as another control unit via a switching hub 16. The communication network 31 is connected to each other. A host computer 40 is connected via a communication network 31 such as a LAN.

制御部10は、例えば基板処理装置の内部に設けられ、操作部コントローラ11、搬送系コントローラ13、プロセスチャンバコントローラ14等を備えることで、基板処理装置の各部を制御するよう構成される。
操作部コントローラ11、搬送系コントローラ13、プロセスチャンバコントローラ14は、それぞれ、ハードウエア構成としては、CPU(Central Processing Unit)と各コントローラの動作プログラム等を格納する記憶部11m、13m、14mとを備えており、各CPUは、それぞれの動作プログラムに従って動作する。各記憶部11m、13m、14mはそれぞれ、EEPROM、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、上記CPUの動作プログラムを記憶する記憶媒体をも含む。
The control unit 10 is provided, for example, inside the substrate processing apparatus, and includes an operation unit controller 11, a transfer system controller 13, a process chamber controller 14, and the like, and is configured to control each unit of the substrate processing apparatus.
Each of the operation unit controller 11, the transfer system controller 13, and the process chamber controller 14 includes a CPU (Central Processing Unit) and storage units 11m, 13m, and 14m that store operation programs of the respective controllers as hardware configurations. Each CPU operates according to its operation program. Each of the storage units 11m, 13m, and 14m includes an EEPROM, a flash memory, a hard disk, and the like, and includes a storage medium that stores the operation program of the CPU.

制御部10は、上記のように基板処理装置内に設けることに代えて、基板処理装置外に設けられていても良い。また、操作部コントローラ11や搬送系コントローラ13やプロセスチャンバコントローラ14は、例えばパソコン(パーソナルコンピュータ)等の一般的な汎用コンピュータとして構成されていてもよい。この場合、各種プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体(フレキシブルディスク、CD−ROM、USBメモリ、磁気テープ、ハードディスク、DVD等)を用いて汎用コンピュータにプログラムをインストールすることにより、各コントローラを構成することができる。   The control unit 10 may be provided outside the substrate processing apparatus instead of being provided in the substrate processing apparatus as described above. Further, the operation unit controller 11, the transfer system controller 13, and the process chamber controller 14 may be configured as a general general-purpose computer such as a personal computer (personal computer). In this case, each controller is configured by installing the program in a general-purpose computer using a computer-readable recording medium (flexible disk, CD-ROM, USB memory, magnetic tape, hard disk, DVD, etc.) storing various programs. can do.

また、上述の処理を実行するプログラムを供給するための手段は、任意に選択できる。上述のように所定の記録媒体を介して供給するほか、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給することができる。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板(BBS)に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して供給してもよい。そして、このようにして提供されたプログラムを起動し、基板処理装置のOS(Operating System)の制御下、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。   A means for supplying a program for executing the above-described processing can be arbitrarily selected. In addition to being supplied via a predetermined recording medium as described above, for example, it can be supplied via a communication line, a communication network, a communication system, or the like. In this case, for example, the program may be posted on a bulletin board (BBS) of a communication network, and this may be supplied by being superimposed on a carrier wave via the network. Then, the above-described processing can be executed by starting the program thus provided and executing it in the same manner as other application programs under the control of the OS (Operating System) of the substrate processing apparatus.

操作部コントローラ11は、操作部コントローラ11に接続された操作表示部11sとともに、操作者とのインタフェースであり、操作表示部11sを介して操作者による操作や指示を受け付けるよう構成される。操作表示部11sには、後述する図3に示すような操作画面や各種データ等の情報が表示される。操作表示部11sに表示されるデータは、操作部コントローラ11の記憶部11mに記憶されている。   The operation unit controller 11 is an interface with the operator together with the operation display unit 11s connected to the operation unit controller 11, and is configured to receive operations and instructions by the operator via the operation display unit 11s. Information such as an operation screen and various data as shown in FIG. 3 described later is displayed on the operation display unit 11s. Data displayed on the operation display unit 11 s is stored in the storage unit 11 m of the operation unit controller 11.

プロセスチャンバコントローラ14及び搬送系コントローラ13には、DeviceNet等の信号線32を通じて、処理ガスの供給や排気用バルブのオン/オフを制御するバルブデジタルI/O19、各種スイッチ(SW)等のオン/オフを制御するSWデジタルI/O18が、シーケンサ17を介してそれぞれ接続されている。また、プロセスレシピや搬送レシピ及び各種プログラムが記憶される記憶部14m,13mをそれぞれ備える。搬送系コントローラ13の記憶部13mには、真空ロボットVRや大気ロボットARの基準位置が記憶され、この基準位置データは、記憶部13mから操作部コントローラ11の記憶部11mに転送され記憶される。   The process chamber controller 14 and the transfer system controller 13 are connected via a signal line 32 such as DeviceNet to supply digital gas I / O 19 for controlling on / off of supply of processing gas and an exhaust valve, on / off of various switches (SW), etc. SW digital I / Os 18 for controlling the turn-off are connected to each other via the sequencer 17. Moreover, the memory | storage parts 14m and 13m which each store a process recipe, a conveyance recipe, and various programs are provided. The storage unit 13m of the transport system controller 13 stores the reference positions of the vacuum robot VR and the atmospheric robot AR, and the reference position data is transferred from the storage unit 13m to the storage unit 11m of the operation unit controller 11 and stored therein.

プロセスチャンバコントローラ14は、プロセスチャンバPM1〜PM4内での基板処理を制御するよう構成される。具体的には、プロセスチャンバコントローラ14には、プロセスチャンバPM1〜PM4内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ(APC)等の圧力コントローラ15が、例えば信号線32を通じて接続されている。プロセスチャンバコントローラ14は、例えば操作部コントローラ11を介して操作者により作成又は編集されて記憶部14mに記憶されたプロセスレシピに基づいて、ウエハWを処理する際の制御データ(制御指示)を、圧力コントローラ15や、処理ガスの供給・排気用バルブ、各種スイッチ、マスフローコントローラ、温度調整器等に対して出力し、プロセスチャンバPM1〜PM4内における基板処理の制御を行う。   The process chamber controller 14 is configured to control substrate processing in the process chambers PM1 to PM4. Specifically, a pressure controller 15 such as an auto pressure controller (APC) for controlling the pressure in the process chambers PM1 to PM4 is connected to the process chamber controller 14 through a signal line 32, for example. For example, the process chamber controller 14 generates control data (control instructions) for processing the wafer W based on the process recipe created or edited by the operator via the operation unit controller 11 and stored in the storage unit 14m. Outputs to the pressure controller 15, processing gas supply / exhaust valves, various switches, a mass flow controller, a temperature controller, etc., and controls substrate processing in the process chambers PM1 to PM4.

搬送系コントローラ13は、真空ロボットVRや大気ロボットARを制御するロボットコントローラを含み、ウエハWの搬送制御や、操作者から指示された作業の実行を制御するよう構成される。具体的には、搬送系コントローラ13には、ロードポートLP1〜LP3に載置されたカセットCA1〜CA3を識別するキャリアIDを示すバーコード1,2,3・・・等が記憶される記憶部20や、基板位置検知器LKやPKが、例えば信号線32を通じて接続されている。
搬送系コントローラ13は、例えば操作部コントローラ11を介して操作者により作成又は編集されて記憶部13mに記憶された搬送レシピに基づいて、ウエハWを搬送する際の制御データ(制御指示)を、真空ロボットVRや大気ロボットAR、各種バルブ、スイッチ等に対して出力し、基板処理装置内におけるウエハWの搬送制御を行う。
また、搬送系コントローラ13は、記憶部13mに記憶された真空ロボットVRや大気ロボットARの基準位置に基づいて、真空ロボットVRや大気ロボットARの制御を行う。
The transfer system controller 13 includes a robot controller that controls the vacuum robot VR and the atmospheric robot AR, and is configured to control transfer control of the wafer W and execution of work instructed by the operator. Specifically, the transport system controller 13 stores bar codes 1, 2, 3,... Indicating the carrier ID for identifying the cassettes CA1 to CA3 placed on the load ports LP1 to LP3. 20 and substrate position detectors LK and PK are connected through a signal line 32, for example.
The transfer system controller 13 generates control data (control instructions) for transferring the wafer W based on a transfer recipe created or edited by the operator via the operation unit controller 11 and stored in the storage unit 13m, for example. It outputs to the vacuum robot VR, the atmospheric robot AR, various valves, switches, etc., and carries the wafer W in the substrate processing apparatus.
The transfer system controller 13 controls the vacuum robot VR and the atmospheric robot AR based on the reference positions of the vacuum robot VR and the atmospheric robot AR stored in the storage unit 13m.

また、搬送系コントローラ13は、基板位置検知器LKやPKからの基板位置情報に基づき、真空ロボットVRや大気ロボットARの基準位置を取得する。詳しくは、搬送系コントローラ13は、真空ロボットVRに載置されたウエハWをプロセスチャンバPM1〜PM4内に配置し、基板位置検知器PKを用いて真空ロボットVRが載置台PS1〜PS4にウエハWを載置する際の基準となる基準位置をそれぞれ取得する。また、搬送系コントローラ13は、真空ロボットVRに載置されたウエハWをロードロック室LM1〜LM2内に配置し、基板位置検知器LKを用いて真空ロボットVRがバッファステージLS1〜LS2にウエハWを載置する際の基準となる基準位置をそれぞれ取得する。また、搬送系コントローラ13は、大気ロボットARに載置されたウエハWをロードロック室LM1〜LM2内に配置し、基板位置検知器LKを用いて大気ロボットARがバッファステージLS1〜LS2にウエハWを載置する際の基準となる基準位置をそれぞれ取得する。
また、搬送系コントローラ13は、基準位置を取得したときは、その基準位置データを、搬送系コントローラ13の記憶部13mに記憶するとともに、操作部コントローラ11の記憶部11mに転送する。
Further, the transfer system controller 13 acquires the reference positions of the vacuum robot VR and the atmospheric robot AR based on the substrate position information from the substrate position detectors LK and PK. Specifically, the transfer system controller 13 places the wafer W placed on the vacuum robot VR in the process chambers PM1 to PM4, and the vacuum robot VR uses the substrate position detector PK to place the wafer W on the placement tables PS1 to PS4. A reference position serving as a reference for placing the is acquired. Further, the transfer system controller 13 arranges the wafer W placed on the vacuum robot VR in the load lock chambers LM1 to LM2, and the vacuum robot VR is placed on the buffer stages LS1 to LS2 using the substrate position detector LK. A reference position serving as a reference for placing the is acquired. Further, the transfer system controller 13 arranges the wafer W placed on the atmospheric robot AR in the load lock chambers LM1 to LM2, and the atmospheric robot AR is placed on the buffer stages LS1 to LS2 using the substrate position detector LK. A reference position serving as a reference for placing the is acquired.
Further, when the transport system controller 13 acquires the reference position, the transport system controller 13 stores the reference position data in the storage unit 13 m of the transport system controller 13 and also transfers it to the storage unit 11 m of the operation unit controller 11.

以上の構成により、制御部10は、例えば操作表示部11sからの操作者の指示に基づき、プロセスチャンバコントローラ14の記憶部14mに記憶されているプロセスレシピを実行するもので、該プロセスレシピに従って、プロセスチャンバPM1〜PM4に供給する処理ガスの流量や、プロセスチャンバPM1〜PM4内の圧力や、プロセスチャンバPM1〜PM4内のウエハWの温度等が、所定の値になるように制御する。また、制御部10は、上記プロセスレシピを実行する際に上記搬送レシピに従って、大気ロボットARや真空ロボットVRを用いて、搬送系コントローラ13の記憶部13mに記憶した基準位置に基づき、ロードポートLP1〜LP3上のカセットCA1〜CA3と、アライナーAUと、ロードロック室LM1〜LM2と、プロセスチャンバPM1〜PM4との間で、ウエハWを搬送する。   With the above configuration, the control unit 10 executes the process recipe stored in the storage unit 14m of the process chamber controller 14 based on, for example, an operator instruction from the operation display unit 11s. Control is performed so that the flow rate of the processing gas supplied to the process chambers PM1 to PM4, the pressure in the process chambers PM1 to PM4, the temperature of the wafer W in the process chambers PM1 to PM4, and the like become predetermined values. Further, the control unit 10 uses the atmospheric robot AR and the vacuum robot VR according to the transfer recipe when executing the process recipe, and based on the reference position stored in the storage unit 13m of the transfer system controller 13, the load port LP1. The wafer W is transferred between the cassettes CA1 to CA3 on the LP3, the aligner AU, the load lock chambers LM1 to LM2, and the process chambers PM1 to PM4.

(3)基板処理工程
次に、上記の構成をもつ基板処理装置を使用する基板処理工程を説明する。この基板処理工程は、例えば半導体装置を製造する半導体製造工程の一工程として実施される。この基板処理工程においては、基板処理装置の各構成部を、制御部10が制御するものである。
まず、未処理のウエハ25枚を収納した例えばカセットCA1が、工程内搬送装置によって、基板処理装置へ搬送されて来る。図1に示されているように、搬送されてきたカセットCA1は、例えばロードポートLP1の上に、工程内搬送装置から受け渡されて載置される。
ロードポートLP1上に載置されたカセットCA1は、該カセットCA1のID(例えばバーコード)がID読取装置(不図示)により読取られて認証される。その後、カセットCA1のキャップが取り外され、大気搬送室EFEMに設置された大気ロボットARは、カセットCA1からウエハWを1枚ピックアップして、アライナーAUへ載置する。
(3) Substrate Processing Step Next, a substrate processing step using the substrate processing apparatus having the above configuration will be described. This substrate processing step is performed as one step of a semiconductor manufacturing process for manufacturing a semiconductor device, for example. In this substrate processing step, the control unit 10 controls each component of the substrate processing apparatus.
First, for example, a cassette CA1 containing 25 unprocessed wafers is transferred to the substrate processing apparatus by the in-process transfer apparatus. As shown in FIG. 1, the cassette CA1 that has been transported is delivered from the in-process transport device and placed on the load port LP1, for example.
The cassette CA1 placed on the load port LP1 is authenticated by reading the ID (for example, a barcode) of the cassette CA1 by an ID reader (not shown). Thereafter, the cap of the cassette CA1 is removed, and the atmospheric robot AR installed in the atmospheric transfer chamber EFEM picks up one wafer W from the cassette CA1 and places it on the aligner AU.

アライナーAUは、載置されたウエハWを、水平面における縦横方向及び円周方向に動かして、ウエハWのノッチ位置等を調整する。アライナーAUによりウエハWの位置調整が終了した後、大気ロボットARは、アライナーAU上のウエハWをピックアップする。
次に、ゲートバルブLD1が開けられ、大気ロボットARは、ウエハWを大気圧状態のロードロック室LM1に搬入し、ロードロック室LM1内のバッファステージLS1上に移載する。この移載作業中には、真空搬送室TM側のゲートバルブLGV1は閉じられており、真空搬送室TM内の負圧は維持されている。
The aligner AU moves the mounted wafer W in the vertical and horizontal directions and the circumferential direction on the horizontal plane to adjust the notch position and the like of the wafer W. After the position adjustment of the wafer W is completed by the aligner AU, the atmospheric robot AR picks up the wafer W on the aligner AU.
Next, the gate valve LD1 is opened, and the atmospheric robot AR loads the wafer W into the load lock chamber LM1 in the atmospheric pressure state and transfers it onto the buffer stage LS1 in the load lock chamber LM1. During the transfer operation, the gate valve LGV1 on the vacuum transfer chamber TM side is closed, and the negative pressure in the vacuum transfer chamber TM is maintained.

ウエハWのバッファステージLS1への移載が完了すると、ゲートバルブLD1が閉じられ、ロードロック室LM1内が、排気装置(図示せず)によって、負圧になるよう排気される。ロードロック室LM1が、予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブLGV1が開かれ、真空搬送室TMの真空ロボットVRが、バッファステージLS1からウエハWをピックアップして、大気搬送室TM内へ搬入する。
その後、ゲートバルブLGV1が閉じられ、プロセスチャンバPM1のゲートバルブPGV1が開かれ、真空ロボットVRが、ウエハWをプロセスチャンバPM1に搬入する。ゲートバルブPGV1が閉じられた後、プロセスチャンバPM1内に、ガス供給装置(図示せず)から処理用ガスが供給され、所望の処理がウエハWに施される。
When the transfer of the wafer W to the buffer stage LS1 is completed, the gate valve LD1 is closed, and the load lock chamber LM1 is evacuated to a negative pressure by an evacuation device (not shown). When the load lock chamber LM1 is depressurized to a preset pressure value, the gate valve LGV1 is opened, and the vacuum robot VR in the vacuum transfer chamber TM picks up the wafer W from the buffer stage LS1, and the atmospheric transfer chamber TM. Carry in.
Thereafter, the gate valve LGV1 is closed, the gate valve PGV1 of the process chamber PM1 is opened, and the vacuum robot VR carries the wafer W into the process chamber PM1. After the gate valve PGV1 is closed, a processing gas is supplied from a gas supply device (not shown) into the process chamber PM1, and a desired process is performed on the wafer W.

プロセスチャンバPM1において処理が終了した後、ゲートバルブPGV1とLGV1が開かれ、真空ロボットVRは、プロセスチャンバPM1から搬出したウエハWを、ロードロック室LM1へ搬入し、バッファステージLS1上に載置する。
そして、ゲートバルブLGV1が閉じられ、ロードロック室LM1内で処理済みのウエハWの冷却が開始されると同時に、ロードロック室LM1に接続された不活性ガス供給装置(図示せず)から不活性ガスが導入され、ロードロック室LM1内の圧力が大気圧に戻される。
After the processing is completed in the process chamber PM1, the gate valves PGV1 and LGV1 are opened, and the vacuum robot VR loads the wafer W unloaded from the process chamber PM1 into the load lock chamber LM1 and places it on the buffer stage LS1. .
Then, the gate valve LGV1 is closed and cooling of the processed wafer W in the load lock chamber LM1 is started, and at the same time, an inert gas supply device (not shown) connected to the load lock chamber LM1 is inactivated. Gas is introduced, and the pressure in the load lock chamber LM1 is returned to atmospheric pressure.

ロードロック室LM1において、予め設定された冷却時間が経過し、かつロードロック室LM1内の圧力が大気圧に戻されると、ゲートバルブLD1が開かれる。続いて、大気搬送室EFEMの大気ロボットARが、バッファステージLS1から処理済みのウエハWをピックアップして大気搬送室EFEMに搬出した後、ゲートバルブLD1が閉じられる。その後、大気ロボットARは、処理済みのウエハWをカセットCA1に収納する。   In the load lock chamber LM1, when a preset cooling time has elapsed and the pressure in the load lock chamber LM1 is returned to the atmospheric pressure, the gate valve LD1 is opened. Subsequently, after the atmospheric robot AR in the atmospheric transfer chamber EFEM picks up the processed wafer W from the buffer stage LS1 and carries it out to the atmospheric transfer chamber EFEM, the gate valve LD1 is closed. Thereafter, the atmospheric robot AR stores the processed wafer W in the cassette CA1.

前述の工程によってカセットCA1内の全てのウエハに所望の処理が行われ、処理済みの25枚のウエハの全てが、カセットCA1へ収納されると、カセットCA1のキャップが閉じられる。閉じられたカセットCA1は、ロードポートLP1の上から次の工程へ、工程内搬送装置によって搬送される。以上の動作が繰り返されることにより、ウエハがカセット単位で25枚ずつ、順次処理されていく。   The desired process is performed on all the wafers in the cassette CA1 by the above-described process. When all the 25 processed wafers are stored in the cassette CA1, the cap of the cassette CA1 is closed. The closed cassette CA1 is transported from the top of the load port LP1 to the next process by the in-process transport apparatus. By repeating the above operation, 25 wafers are sequentially processed in cassette units.

(4)基板搬送機の基準位置の確認方法及び取得方法
次に、本実施形態の基板処理装置における基板搬送機の基準位置の確認方法と取得方法について、それぞれ第1実施例及び第2実施例として、図3ないし図5を参照して説明する。図3は、本実施形態に係る基板処理装置の操作表示部の表示例である。図4は、第1実施例に係る基準位置確認時の基板処理装置の処理シーケンスである。図5は、第2実施例に係る基準位置取得時の基板処理装置の処理シーケンスである。第1実施例に係る基準位置確認処理や第2実施例に係る基準位置取得処理は、通常は、基板処理装置のセットアップ処理の1つとして実行される。
(4) Method for Confirming and Obtaining Reference Position of Substrate Transporter Next, a method for confirming and obtaining a reference position of a substrate transporter in the substrate processing apparatus of the present embodiment will be described as a first example and a second example, respectively. Will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a display example of the operation display unit of the substrate processing apparatus according to the present embodiment. FIG. 4 is a processing sequence of the substrate processing apparatus when checking the reference position according to the first embodiment. FIG. 5 is a processing sequence of the substrate processing apparatus when acquiring the reference position according to the second embodiment. The reference position confirmation process according to the first embodiment and the reference position acquisition process according to the second embodiment are normally executed as one of the setup processes of the substrate processing apparatus.

図3に示すように、操作表示部11sには、各モジュール、つまりウエハWが載置される室(チャンバ)のステータス(状態)と、基板搬送ロボットのアームのキャリブレーション状態とが表示される。キャリブレーション状態とは、基準位置取得状況や基準位置確認状況を示すもので、基準位置取得がなされたか否か取得した基準位置が適切であるか否かを示すものである。
また、図3では図示を省略しているが、操作表示部11sには、図1に示すような基板処理装置の平面図や鉛直方向の断面図が表示され、各室(チャンバ)内におけるウエハWの位置を基板位置検知器LKやPKで検知して表示できるようになっている。
As shown in FIG. 3, the operation display section 11s displays the status (state) of each module, that is, the chamber (chamber) on which the wafer W is placed, and the calibration state of the arm of the substrate transfer robot. . The calibration state indicates a reference position acquisition situation or a reference position confirmation situation, and indicates whether or not the reference position has been acquired and whether or not the acquired reference position is appropriate.
Although not shown in FIG. 3, a plan view and a vertical sectional view of the substrate processing apparatus as shown in FIG. 1 are displayed on the operation display unit 11s, and wafers in each chamber (chamber) are displayed. The position of W can be detected and displayed by the substrate position detector LK or PK.

ここで基準位置とは、例えば、ロードロック室LM1〜LM2やプロセスチャンバPM1〜PM4内において、ウエハWを支持した真空ロボットVRが、該ウエハWをバッファステージLS1〜LS2や載置台PS1〜PS4に載置するときの真空ロボットVRの水平方向の位置、水平面における周方向の位置、及び鉛直方向の位置であり、また、真空ロボットVRが、ロードロック室LM1〜LM2やプロセスチャンバPM1〜PM4内に載置されているウエハWをピックアップして支持するときの真空ロボットVRの水平方向の位置、水平面における周方向の位置、及び鉛直方向の位置である。
詳しくは、基準位置は、例えば、ウエハWを支持した真空ロボットVRのアームVRAが、ロードロック室LM1〜LM2やプロセスチャンバPM1〜PM4内へ水平方向に進入し、続いて鉛直方向に下降してバッファステージLS1〜LS2や載置台PS1〜PS4上にウエハWを載置する際において、上記水平方向から鉛直方向に移動方向を転換するときの真空ロボットVRのアームVRAの水平方向、周方向及び鉛直方向の第1の位置を含む。また、基準位置は、ウエハWを支持していない空の真空ロボットVRのアームVRAが、ロードロック室LM1〜LM2やプロセスチャンバPM1〜PM4内へ水平方向に進入し、続いて鉛直方向に上昇してバッファステージLS1〜LS2や載置台PS1〜PS4上のウエハWをピックアップする際において、上記水平方向から鉛直方向に移動方向を転換するときの真空ロボットVRのアームVRAの水平方向、周方向及び鉛直方向の第2の位置を含む。
Here, the reference position refers to, for example, the vacuum robot VR that supports the wafer W in the load lock chambers LM1 to LM2 and the process chambers PM1 to PM4, and places the wafer W on the buffer stages LS1 to LS2 and the mounting tables PS1 to PS4. The horizontal position of the vacuum robot VR when placed, the circumferential position on the horizontal plane, and the vertical position, and the vacuum robot VR is placed in the load lock chambers LM1 to LM2 and the process chambers PM1 to PM4. These are the horizontal position of the vacuum robot VR when picking up and supporting the mounted wafer W, the circumferential position on the horizontal plane, and the vertical position.
Specifically, the reference position is determined by, for example, the arm VRA of the vacuum robot VR supporting the wafer W entering the load lock chambers LM1 to LM2 and the process chambers PM1 to PM4 in the horizontal direction and then descending in the vertical direction. When the wafer W is mounted on the buffer stages LS1 to LS2 or the mounting tables PS1 to PS4, the horizontal direction, the circumferential direction, and the vertical direction of the arm VRA of the vacuum robot VR when the moving direction is changed from the horizontal direction to the vertical direction. Including a first position in the direction. The reference position is that the arm VRA of the empty vacuum robot VR that does not support the wafer W enters the load lock chambers LM1 to LM2 and the process chambers PM1 to PM4 in the horizontal direction, and then rises in the vertical direction. When picking up the wafer W on the buffer stages LS1 to LS2 and the mounting tables PS1 to PS4, the horizontal direction, the circumferential direction and the vertical direction of the arm VRA of the vacuum robot VR when the moving direction is changed from the horizontal direction to the vertical direction. Including a second position in the direction.

また、図3に示すように、操作表示部11sには、操作者からの基準位置確認処理や基準位置取得処理の開始命令を受け付ける「実行」ボタンが設けられており、基準位置確認処理又は基準位置取得処理を指定して「実行」ボタンが押下されると、指定された基準位置確認処理又は基準位置取得処理が開始される。   Also, as shown in FIG. 3, the operation display unit 11s is provided with an “execute” button for receiving a reference position confirmation process or a reference position acquisition process start command from the operator. When the position acquisition process is designated and the “execute” button is pressed, the designated reference position confirmation process or reference position acquisition process is started.

図3の例は、アームを上下2組有する真空ロボットVRのアームのキャリブレーション状態を表示するものである。この例では、ロードロック室LM1〜LM2とプロセスチャンバPM1〜PM2のステータスがいずれも「アイドル」状態であること、つまりウエハWの処理中でないことが表示され、また、例えばロードロック室LM1に対しては、真空ロボットVRの上アームのキャリブレーション状態が「無効」で、下アームのキャリブレーション状態が「有効」であることが表示され、ロードロック室LM2に対しては、真空ロボットVRの上アームのキャリブレーション状態が「無効」で、下アームのキャリブレーション状態が「実行中」であることが表示されている。キャリブレーション状態が「無効」とは、適切な基準位置取得がなされていないことを示し、「有効」とは適切な基準位置取得がなされていることを示し、「実行中」とは基準位置取得中であることを示す。   The example of FIG. 3 displays the calibration state of the arm of the vacuum robot VR having two upper and lower arms. In this example, it is displayed that the statuses of the load lock chambers LM1 and LM2 and the process chambers PM1 and PM2 are both “idle”, that is, the wafer W is not being processed. Therefore, it is displayed that the calibration state of the upper arm of the vacuum robot VR is “invalid” and the calibration state of the lower arm is “valid”, and the upper part of the vacuum robot VR is displayed for the load lock chamber LM2. It is displayed that the calibration state of the arm is “invalid” and the calibration state of the lower arm is “executing”. “Invalid” for the calibration status indicates that an appropriate reference position has not been acquired, “Valid” indicates that an appropriate reference position has been acquired, and “In progress” indicates that a reference position has been acquired. Indicates that it is inside.

(第1実施例)
次に、第1実施例である基板搬送機の基準位置の確認方法について、真空ロボットVRを例にとり、図4を参照して説明する。この動作は、制御部10の特に搬送系コントローラ13により制御される。
図4に示すように、ウエハWが例えばロードポートLP1上のカセットCA1から大気ロボットARにより取り出され、ロードロック室LM1へ搬送され、ロードロック室LM1内のバッファステージLS1上に載置される(ステップS1)。続いて、ゲートバルブLD1とLD2が閉じられ、ロードロック室LM1とLM2内がエバック、つまり真空排気される(ステップS2)。次に、バッファステージLS1上のウエハWが、予め設定されていた基準位置データに基づき、真空ロボットVRの上アームVRAでピックアップされて支持される(ステップS3)。このとき、搬送系コントローラ13が、記憶部13m内の基準位置データに基づき、真空ロボットVRの上アームVRAを基準位置に移動させる。
(First embodiment)
Next, a method for confirming the reference position of the substrate transfer machine according to the first embodiment will be described with reference to FIG. 4, taking the vacuum robot VR as an example. This operation is controlled by the transport system controller 13 of the control unit 10.
As shown in FIG. 4, for example, the wafer W is taken out from the cassette CA1 on the load port LP1 by the atmospheric robot AR, transferred to the load lock chamber LM1, and placed on the buffer stage LS1 in the load lock chamber LM1 (see FIG. 4). Step S1). Subsequently, the gate valves LD1 and LD2 are closed, and the load lock chambers LM1 and LM2 are evacuated, that is, evacuated (step S2). Next, the wafer W on the buffer stage LS1 is picked up and supported by the upper arm VRA of the vacuum robot VR based on preset reference position data (step S3). At this time, the transport system controller 13 moves the upper arm VRA of the vacuum robot VR to the reference position based on the reference position data in the storage unit 13m.

次に、真空ロボットVRの上アームVRAに支持されたウエハWの位置が、ロードロック室LM1内に設けられた複数の基板位置検知器LKにより測定され、ロードロック室LM1に対する真空ロボットVRの基準位置がOKであるか、つまり最適位置から許容範囲内にある適正位置であるか否かが、搬送系コントローラ13により判断される(ステップS4)。適正位置である場合は(ステップS4でYes)、搬送系コントローラ13は「有効」である旨の情報を操作部コントローラ11へ送信し、該「有効」である旨の情報は操作部コントローラ11の記憶部11mに記憶され、操作表示部11sに表示されたロードロック室LM1のキャリブレーション状態に「有効」が表示される(ステップS5)。OKでない場合は(ステップS4でNo)、搬送系コントローラ13は「無効」である旨の情報を操作部コントローラ11へ送信し、該「無効」である旨の情報は操作部コントローラ11の記憶部11mに記憶され、操作表示部11sに表示されたロードロック室LM1のキャリブレーション状態に「無効」が表示される(ステップS6)。   Next, the position of the wafer W supported by the upper arm VRA of the vacuum robot VR is measured by a plurality of substrate position detectors LK provided in the load lock chamber LM1, and the reference of the vacuum robot VR with respect to the load lock chamber LM1. The transport system controller 13 determines whether the position is OK, that is, whether the position is an appropriate position within the allowable range from the optimum position (step S4). If it is an appropriate position (Yes in step S4), the transport system controller 13 transmits information indicating “valid” to the operation unit controller 11, and the information indicating “valid” is stored in the operation unit controller 11. “Valid” is displayed in the calibration state of the load lock chamber LM1 stored in the storage unit 11m and displayed on the operation display unit 11s (step S5). If it is not OK (No in step S4), the transfer system controller 13 transmits information indicating “invalid” to the operation unit controller 11, and the information indicating “invalid” is stored in the storage unit of the operation unit controller 11. "Invalid" is displayed in the calibration state of the load lock chamber LM1 stored in 11m and displayed on the operation display unit 11s (step S6).

次に、全てのロードロック室(例えばLM1〜LM2)に対して、上記の真空ロボットVRの基準位置確認処理を行ったか否かが判断され(ステップS7)、全てのロードロック室LMに対する基準位置確認処理が完了していない場合は(ステップS7でNo)、ウエハWを支持した真空ロボットVRの上アームVRAが、次のロードロック室(例えばLM2)に対して予め設定されていた基準位置に配置される(ステップS8)。続いて、ステップS4へ戻り、真空ロボットVRの上アームVRAに支持されたウエハWの位置が、ロードロック室LM2内に設けられた基板位置検知器LKにより測定され、ロードロック室LM2に対する真空ロボットVRの基準位置が適正位置であるか否かが判断される。基準位置がOKである場合は(ステップS4でYes)、上記と同様に、「有効」である旨の情報が操作部コントローラ11へ送信されて記憶部11mに記憶され、操作表示部11sに表示されたロードロック室LM2のキャリブレーション状態に「有効」が表示され(ステップS5)、OKでない場合は(ステップS4でNo)、「無効」である旨の情報が操作部コントローラ11へ送信されて記憶部11mに記憶され、操作表示部11sに表示されたロードロック室LM2のキャリブレーション状態に「無効」が表示される(ステップS6)。   Next, it is determined whether or not the above-described reference position confirmation processing of the vacuum robot VR has been performed for all the load lock chambers (for example, LM1 to LM2) (step S7), and the reference positions for all the load lock chambers LM are determined. If the confirmation process has not been completed (No in step S7), the upper arm VRA of the vacuum robot VR that supports the wafer W is at a reference position set in advance with respect to the next load lock chamber (for example, LM2). Arranged (step S8). Subsequently, returning to step S4, the position of the wafer W supported by the upper arm VRA of the vacuum robot VR is measured by the substrate position detector LK provided in the load lock chamber LM2, and the vacuum robot for the load lock chamber LM2 is measured. It is determined whether or not the VR reference position is an appropriate position. If the reference position is OK (Yes in step S4), the information indicating “valid” is transmitted to the operation unit controller 11, stored in the storage unit 11m, and displayed on the operation display unit 11s as described above. “Valid” is displayed in the calibration state of the load lock chamber LM2 that has been performed (step S5), and if it is not OK (No in step S4), information indicating “invalid” is transmitted to the operation unit controller 11. “Invalid” is displayed in the calibration state of the load lock chamber LM2 stored in the storage unit 11m and displayed on the operation display unit 11s (step S6).

全てのロードロック室LM1〜LM2に対する基準位置確認処理が完了した場合は(ステップS7でYes)、ゲートバルブPGV1〜PGV4が開けられ、真空ロボットVRに支持されたウエハWが、プロセスチャンバPM1内へ搬入され、プロセスチャンバPM1に対して予め設定されていた基準位置に配置される(ステップS9)。   When the reference position confirmation processing for all the load lock chambers LM1 to LM2 is completed (Yes in step S7), the gate valves PGV1 to PGV4 are opened, and the wafer W supported by the vacuum robot VR enters the process chamber PM1. It is carried in and placed at a reference position set in advance with respect to the process chamber PM1 (step S9).

続いて、真空ロボットVRの上アームVRAに支持されたウエハWの位置が、プロセスチャンバPM1内に設けられた複数の基板位置検知器PKにより測定され、プロセスチャンバPM1に対する真空ロボットVRの基準位置が適正位置であるか否かが判断される(ステップS10)。基準位置が適正位置である場合は(ステップS10でYes)、搬送系コントローラ13は「有効」である旨の情報を操作部コントローラ11へ送信し、該「有効」である旨の情報は操作部コントローラ11の記憶部11mに記憶され、操作表示部11sに表示されたプロセスチャンバPM1のキャリブレーション状態に「有効」が表示され(ステップS11)、OKでない場合は(ステップS10でNo)、「無効」である旨の情報が操作部コントローラ11へ送信されて記憶部11mに記憶され、操作表示部11sに表示されたプロセスチャンバPM1のキャリブレーション状態に「無効」が表示される(ステップS12)。   Subsequently, the position of the wafer W supported by the upper arm VRA of the vacuum robot VR is measured by a plurality of substrate position detectors PK provided in the process chamber PM1, and the reference position of the vacuum robot VR with respect to the process chamber PM1 is determined. It is determined whether or not the position is appropriate (step S10). When the reference position is an appropriate position (Yes in step S10), the transport system controller 13 transmits information indicating “valid” to the operation unit controller 11, and the information indicating “valid” is the operation unit. “Valid” is displayed in the calibration state of the process chamber PM1 stored in the storage unit 11m of the controller 11 and displayed on the operation display unit 11s (step S11). If it is not OK (No in step S10), “invalid” "Is transmitted to the operation unit controller 11 and stored in the storage unit 11m, and" invalid "is displayed in the calibration state of the process chamber PM1 displayed on the operation display unit 11s (step S12).

次に、全てのプロセスチャンバ(例えばPM1〜PM4)に対して、上記の真空ロボットVRの基準位置確認処理を行ったか否かが判断され(ステップS13)、全てのプロセスチャンバPM1〜PM4に対する基準位置確認処理が完了していない場合は(ステップS13でNo)、ウエハWを支持した真空ロボットVRが、次のプロセスチャンバ(例えばPM2)に対して予め設定されていた基準位置に配置される(ステップS14)。続いて、ステップS10へ戻り、真空ロボットVRの上アームVRAに支持されたウエハWの位置が、プロセスチャンバPM2内に設けられた基板位置検知器PKにより測定され、プロセスチャンバPM2に対する真空ロボットVRの基準位置が適正位置であるか否かが判断される。このようにして、プロセスチャンバPM1に対する真空ロボットVRの基準位置確認処理と同様に、プロセスチャンバPM2〜PM4における真空ロボットVRの基準位置確認処理が行われる。   Next, it is determined whether or not the above-described reference position confirmation processing of the vacuum robot VR is performed for all process chambers (for example, PM1 to PM4) (step S13), and the reference positions for all the process chambers PM1 to PM4 are determined. If the confirmation process has not been completed (No in step S13), the vacuum robot VR supporting the wafer W is arranged at a reference position set in advance for the next process chamber (for example, PM2) (step S13). S14). Subsequently, the process returns to step S10, and the position of the wafer W supported by the upper arm VRA of the vacuum robot VR is measured by the substrate position detector PK provided in the process chamber PM2, and the vacuum robot VR with respect to the process chamber PM2 is measured. It is determined whether or not the reference position is an appropriate position. In this manner, the reference position confirmation processing of the vacuum robot VR in the process chambers PM2 to PM4 is performed in the same manner as the reference position confirmation processing of the vacuum robot VR with respect to the process chamber PM1.

全てのプロセスチャンバPM1〜PM4に対する基準位置確認処理が完了した場合は(ステップS13でYes)、真空ロボットVRに支持されたウエハWが、ロードロック室LM1内へ搬入され、ロードロック室LM1内のバッファステージLS1上に載置される(ステップS15)。続いて、ゲートバルブLGV1が閉じられ、ロードロック室LM1内がベント、つまり大気圧状態にされる(ステップS16)。続いて、ゲートバルブLD1が開けられ、大気ロボットARにより、バッファステージLS1上のウエハWがロードポートLP1上のカセットCA1へ搬送される(ステップS17)。   When the reference position confirmation processing for all the process chambers PM1 to PM4 is completed (Yes in step S13), the wafer W supported by the vacuum robot VR is loaded into the load lock chamber LM1, and is stored in the load lock chamber LM1. It is placed on the buffer stage LS1 (step S15). Subsequently, the gate valve LGV1 is closed, and the inside of the load lock chamber LM1 is vented, that is, the atmospheric pressure state is set (step S16). Subsequently, the gate valve LD1 is opened, and the wafer W on the buffer stage LS1 is transferred to the cassette CA1 on the load port LP1 by the atmospheric robot AR (step S17).

真空ロボットVRの下アームについても、上記の上アームを用いた基準位置確認処理と同様に、上記ステップS1〜S17により基準位置確認処理を行うことができる。なお、上アームに続けて下アームの基準位置確認処理を行う場合は、上アームで上記ステップS1〜S14を行った後、下アームで上記ステップS3〜S17を行うようにしてもよい。
また、上アームと下アームの両方にウエハWを支持した状態で、ステップS1〜S17を行うようにしてもよい。この場合は、1つのロードロック室やプロセスチャンバに対して、例えばロードロック室LM1に対して上アームの基準位置確認処理を行い、続いて下アームの基準位置確認処理を行うようにする。勿論、先に、下アームの基準位置確認処理を行うようにしてもよい。こうすることにより、基準位置確認処理を短縮できる。
Similarly to the reference position confirmation process using the upper arm, the reference position confirmation process can be performed on the lower arm of the vacuum robot VR by the above steps S1 to S17. In addition, when performing the reference position confirmation process of a lower arm following an upper arm, after performing said step S1-S14 with an upper arm, you may make it perform said step S3-S17 with a lower arm.
Alternatively, steps S1 to S17 may be performed with the wafer W supported by both the upper arm and the lower arm. In this case, for one load lock chamber or process chamber, for example, the upper arm reference position confirmation processing is performed on the load lock chamber LM1, and then the lower arm reference position confirmation processing is performed. Of course, the lower arm reference position confirmation process may be performed first. By doing so, the reference position confirmation process can be shortened.

(第2実施例)
次に、第2実施例である基板搬送機の基準位置の取得方法について、真空ロボットVRを例にとり、図5を参照して説明する。この動作は、制御部10の特に搬送系コントローラ13により制御される。
図5に示すように、ウエハWが例えばロードポートLP1上のカセットCA1から大気ロボットARにより取り出され、ロードロック室LM1へ搬送され、ロードロック室LM1内のバッファステージLS1上に載置される(ステップS21)。ゲートバルブLD1とLD2が閉じられ、ロードロック室LM1とLM2内がエバック、つまり真空排気される(ステップS22)。次に、バッファステージLS1上のウエハWが、真空ロボットVRの上アームVRAでピックアップされて支持される(ステップS23)。
(Second embodiment)
Next, a method for obtaining the reference position of the substrate transfer machine according to the second embodiment will be described with reference to FIG. 5, taking the vacuum robot VR as an example. This operation is controlled by the transport system controller 13 of the control unit 10.
As shown in FIG. 5, for example, the wafer W is taken out from the cassette CA1 on the load port LP1 by the atmospheric robot AR, transferred to the load lock chamber LM1, and placed on the buffer stage LS1 in the load lock chamber LM1 (see FIG. 5). Step S21). The gate valves LD1 and LD2 are closed, and the load lock chambers LM1 and LM2 are evacuated, that is, evacuated (step S22). Next, the wafer W on the buffer stage LS1 is picked up and supported by the upper arm VRA of the vacuum robot VR (step S23).

次に、真空ロボットVRの上アームVRAに支持されたウエハWが、ロードロック室LM1内に設けられた基板位置検知器LKにより位置測定されつつ移動され、ロードロック室LM1に対する真空ロボットVRの適正位置へ移動される。適正位置であるか否かは、基板位置検知器LKからの位置情報に基づき、搬送系コントローラ13が判断する。このウエハWの適正位置への移動は、上記のように制御部10により自動で行うが、ロードロック室LM1内におけるウエハWの位置を操作表示部11sに表示し、操作者が操作表示部11sからウエハWの位置を目視で確認しつつ手動で行うこともできる。適正位置に移動されると、その位置における真空ロボットVRのモータのエンコーダ値が、ロードロック室LM1に対する真空ロボットVRの基準位置として取得される(ステップS24)。このとき、搬送系コントローラ13は、ロードロック室LM1に対する真空ロボットVRの基準位置を取得した旨の情報、つまり、基準位置が「有効」である旨の情報を操作部コントローラ11へ送信し、該「有効」である旨の情報は操作部コントローラ11の記憶部11mに記憶され、操作表示部11sに表示されたロードロック室LM1のキャリブレーション状態に「有効」が表示される。   Next, the wafer W supported by the upper arm VRA of the vacuum robot VR is moved while the position is measured by the substrate position detector LK provided in the load lock chamber LM1, and the appropriateness of the vacuum robot VR with respect to the load lock chamber LM1. Moved to position. Whether or not the position is appropriate is determined by the transport system controller 13 based on position information from the substrate position detector LK. The movement of the wafer W to an appropriate position is automatically performed by the control unit 10 as described above, but the position of the wafer W in the load lock chamber LM1 is displayed on the operation display unit 11s, and the operator displays the operation display unit 11s. The wafer W can be manually operated while visually confirming the position of the wafer W. When moved to the proper position, the encoder value of the motor of the vacuum robot VR at that position is acquired as the reference position of the vacuum robot VR relative to the load lock chamber LM1 (step S24). At this time, the transfer system controller 13 transmits information indicating that the reference position of the vacuum robot VR with respect to the load lock chamber LM1 has been acquired, that is, information indicating that the reference position is “valid” to the operation unit controller 11. Information indicating “valid” is stored in the storage unit 11m of the operation unit controller 11, and “valid” is displayed in the calibration state of the load lock chamber LM1 displayed on the operation display unit 11s.

次に、全てのロードロック室(例えばLM1〜LM2)に対して、上記の真空ロボットVRの基準位置取得処理を行ったか否かが判断され(ステップS25)、全てのロードロック室に対する基準位置取得処理が完了していない場合は(ステップS25でNo)、真空ロボットVRの上アームVRAに支持されたウエハWが、次のロードロック室(例えばLM2)内へ搬送される(ステップS26)。続いて、ステップS24へ戻り、真空ロボットVRの上アームVRAに支持されたウエハWの位置が、ロードロック室LM2内に設けられた基板位置検知器LKにより位置測定されつつ移動され、ウエハWを支持した真空ロボットVRが、ロードロック室LM2に対する真空ロボットVRの適正位置へ移動される。適正位置に移動されると、真空ロボットVRのモータのエンコーダ値が、ロードロック室LM2に対する真空ロボットVRの基準位置として取得される(ステップS24)。このとき、搬送系コントローラ13は、ロードロック室LM2に対する真空ロボットVRの基準位置が「有効」である旨の情報を操作部コントローラ11へ送信し、該「有効」である旨の情報は操作部コントローラ11の記憶部11mに記憶され、操作表示部11sに表示されたロードロック室LM2のキャリブレーション状態に「有効」が表示される。   Next, it is determined whether or not the above-described reference position acquisition processing of the vacuum robot VR has been performed for all load lock chambers (for example, LM1 and LM2) (step S25), and reference position acquisition for all load lock chambers is performed. If the process has not been completed (No in step S25), the wafer W supported by the upper arm VRA of the vacuum robot VR is transferred into the next load lock chamber (for example, LM2) (step S26). Subsequently, returning to step S24, the position of the wafer W supported by the upper arm VRA of the vacuum robot VR is moved while the position is measured by the substrate position detector LK provided in the load lock chamber LM2, and the wafer W is moved. The supported vacuum robot VR is moved to an appropriate position of the vacuum robot VR with respect to the load lock chamber LM2. When moved to the proper position, the encoder value of the motor of the vacuum robot VR is acquired as the reference position of the vacuum robot VR with respect to the load lock chamber LM2 (step S24). At this time, the transfer system controller 13 transmits information indicating that the reference position of the vacuum robot VR with respect to the load lock chamber LM2 is “valid” to the operation unit controller 11, and the information indicating that it is “valid” “Valid” is displayed in the calibration state of the load lock chamber LM2 stored in the storage unit 11m of the controller 11 and displayed on the operation display unit 11s.

全てのロードロック室LM1〜LM2に対する基準位置取得処理が完了した場合は(ステップS25でYes)、ゲートバルブPGV1〜PGV4が開けられ、真空ロボットVRに支持されたウエハWが、プロセスチャンバPM1内へ搬入される(ステップS27)。続いて、プロセスチャンバPM1内に設けられた基板位置検知器PKにより位置測定されつつ移動され、プロセスチャンバPM1に対する真空ロボットVRの適正位置へ移動される。適正位置に移動されると、真空ロボットVRのモータのエンコーダ値が、プロセスチャンバPM1に対する真空ロボットVRの基準位置として取得される(ステップS28)。このとき、搬送系コントローラ13は、プロセスチャンバPM1に対する真空ロボットVRの基準位置を取得した旨の情報、つまり、基準位置が「有効」である旨の情報を操作部コントローラ11へ送信し、該「有効」である旨の情報は操作部コントローラ11の記憶部11mに記憶され、操作表示部11sに表示されたプロセスチャンバPM1のキャリブレーション状態に「有効」が表示される。   When the reference position acquisition processing for all the load lock chambers LM1 to LM2 is completed (Yes in step S25), the gate valves PGV1 to PGV4 are opened, and the wafer W supported by the vacuum robot VR enters the process chamber PM1. It is carried in (step S27). Subsequently, the position is measured while being measured by the substrate position detector PK provided in the process chamber PM1, and is moved to an appropriate position of the vacuum robot VR with respect to the process chamber PM1. When moved to the proper position, the encoder value of the motor of the vacuum robot VR is acquired as the reference position of the vacuum robot VR with respect to the process chamber PM1 (step S28). At this time, the transfer system controller 13 transmits information indicating that the reference position of the vacuum robot VR with respect to the process chamber PM1 has been acquired, that is, information indicating that the reference position is “valid” to the operation unit controller 11, and the “ Information indicating “valid” is stored in the storage unit 11m of the operation unit controller 11, and “valid” is displayed in the calibration state of the process chamber PM1 displayed on the operation display unit 11s.

次に、全てのプロセスチャンバ(例えばPM1〜PM4)に対して、上記の真空ロボットVRの基準位置取得処理を行ったか否かが判断され(ステップS29)、全てのプロセスチャンバPM1〜PM4に対する基準位置取得処理が完了していない場合は(ステップS29でNo)、真空ロボットVRの上アームVRAに支持されたウエハWが、次のプロセスチャンバ(例えばPM2)内へ搬送される(ステップS30)。続いて、ステップS28へ戻り、真空ロボットVRの上アームVRAに支持されたウエハWの位置が、プロセスチャンバPM2内に設けられた基板位置検知器PKにより位置測定されつつ移動され、ウエハWを支持した真空ロボットVRが、プロセスチャンバPM2に対する適正位置へ移動される。適正位置に移動されると、真空ロボットVRのモータのエンコーダ値が、プロセスチャンバPM2に対する真空ロボットVRの基準位置として取得される(ステップS28)。このとき、搬送系コントローラ13は、プロセスチャンバPM2に対する真空ロボットVRの基準位置が「有効」である旨の情報を操作部コントローラ11へ送信し、該「有効」である旨の情報は操作部コントローラ11の記憶部11mに記憶され、操作表示部11sに表示されたプロセスチャンバPM2のキャリブレーション状態に「有効」が表示される。このようにして、プロセスチャンバPM1に対する真空ロボットVRの基準位置取得処理と同様に、プロセスチャンバPM2〜PM4に対する真空ロボットVRの基準位置取得処理が行われる。   Next, it is determined whether or not the above-described reference position acquisition processing of the vacuum robot VR has been performed for all the process chambers (for example, PM1 to PM4) (step S29), and the reference positions for all the process chambers PM1 to PM4 are determined. If the acquisition process has not been completed (No in step S29), the wafer W supported by the upper arm VRA of the vacuum robot VR is transferred into the next process chamber (for example, PM2) (step S30). Subsequently, returning to step S28, the position of the wafer W supported by the upper arm VRA of the vacuum robot VR is moved while the position is measured by the substrate position detector PK provided in the process chamber PM2, and the wafer W is supported. The vacuum robot VR is moved to an appropriate position with respect to the process chamber PM2. When moved to the proper position, the encoder value of the motor of the vacuum robot VR is acquired as the reference position of the vacuum robot VR with respect to the process chamber PM2 (step S28). At this time, the transfer system controller 13 transmits information indicating that the reference position of the vacuum robot VR with respect to the process chamber PM2 is “valid” to the operation unit controller 11, and the information indicating that “valid” is the operation unit controller 11 is displayed in the calibration state of the process chamber PM2 stored in the storage unit 11m and displayed on the operation display unit 11s. Thus, the reference position acquisition process of the vacuum robot VR for the process chambers PM2 to PM4 is performed in the same manner as the reference position acquisition process of the vacuum robot VR for the process chamber PM1.

全てのプロセスチャンバPM1〜PM4に対する基準位置取得処理が完了した場合は(ステップS29でYes)、真空ロボットVRに支持されたウエハWが、ロードロック室LM1内へ搬入され、ロードロック室LM1内のバッファステージLS1上に載置される(ステップS31)。続いて、ゲートバルブLGV1が閉じられ、ロードロック室LM1内がベント、つまり大気圧状態にされる(ステップS32)。続いて、ゲートバルブLD1が開けられ、大気ロボットARにより、バッファステージLS1上のウエハWがロードポートLP1上のカセットCA1へ搬送される(ステップS33)。   When the reference position acquisition processing for all the process chambers PM1 to PM4 is completed (Yes in step S29), the wafer W supported by the vacuum robot VR is loaded into the load lock chamber LM1, and is stored in the load lock chamber LM1. It is placed on the buffer stage LS1 (step S31). Subsequently, the gate valve LGV1 is closed, and the inside of the load lock chamber LM1 is vented, that is, the atmospheric pressure state is set (step S32). Subsequently, the gate valve LD1 is opened, and the wafer W on the buffer stage LS1 is transferred to the cassette CA1 on the load port LP1 by the atmospheric robot AR (step S33).

真空ロボットVRの下アームについても、上記の上アームを用いた基準位置取得処理と同様に、上記ステップS21〜S33により基準位置取得処理を行うことができる。なお、上アームに続けて下アームの基準位置取得処理を行う場合は、上アームで上記ステップS21〜S30を行った後、下アームで上記ステップS23〜S33を行うようにしてもよい。
また、上アームと下アームの両方にウエハWを支持した状態で、ステップS21〜S30を行うようにしてもよい。この場合は、1つのロードロック室やプロセスチャンバに対して、例えばロードロック室LM1に対して上アームの基準位置取得処理を行い、続いて下アームの基準位置取得処理を行うようにする。勿論、先に、下アームの基準位置取得処理を行うようにしてもよい。
Similarly to the reference position acquisition process using the upper arm, the reference position acquisition process can be performed on the lower arm of the vacuum robot VR by the steps S21 to S33. In addition, when performing the reference position acquisition process of a lower arm following an upper arm, after performing said step S21-S30 with an upper arm, you may make it perform said step S23-S33 with a lower arm.
Further, steps S21 to S30 may be performed in a state where the wafer W is supported by both the upper arm and the lower arm. In this case, for one load lock chamber or process chamber, for example, the upper arm reference position acquisition processing is performed on the load lock chamber LM1, and then the lower arm reference position acquisition processing is performed. Of course, the lower arm reference position acquisition process may be performed first.

以上説明した実施形態によれば、少なくとも次の(1)〜(5)の効果を得ることができる。
(1)ペンダント(保守端末)を真空ロボットや大気ロボットの制御部であるロボットコントローラに接続しなくても、基板処理装置の操作表示部を介して操作者が、基準位置確認処理や基準位置取得処理を行うことができる。また、ペンダントの操作方法を熟知していない操作者でも、基準位置確認処理や基準位置取得処理を容易に行うことができ、基板処理装置のセットアップ時間を短縮することができる。
(2)各ロードロック室や各プロセスチャンバに対する基準位置確認状況や基準位置取得状況を、基板処理装置の操作表示部に一覧表示するので、上記基準位置確認状況や基準位置取得状況を操作者が一目で確認でき、無駄な基準位置確認処理や基準位置取得処理を行わずに済む。
(3)ペンダントを用いて、ロードロック室やプロセスチャンバを1室ずつ基準位置確認処理や基準位置取得処理を行うのではなく、複数のロードロック室やプロセスチャンバに対し、連続して自動で基準位置確認処理や基準位置取得処理を行うことができるので、基板処理装置のセットアップ時間を短縮することができる。
(4)製品基板の処理を開始する前に、基準位置確認処理を行うことにより、そのときの基準位置が余裕(マージン)をもった適正位置であることを確認できるので、単に基板搬送できることを確認するやり方(このやり方では、基準位置が余裕をもっているかどうか不明)に比べ、製品基板処理時における基板搬送エラーの発生を抑制できる。
(5)1つの室(チャンバ)毎に、複数アームの一方のアーム(例えば上アーム)の基準位置取得処理(又は基準位置確認処理)を行い続いて他方のアーム(例えば下アーム)の基準位置取得処理を行うように構成した場合は、複数の室(チャンバ)に対して順次一方のアームの基準位置取得処理(又は基準位置確認処理)を行った後、上記複数の室(チャンバ)に対して順次他方のアームの基準位置取得処理(又は基準位置確認処理)を行うように構成した場合に比べて、基準位置取得処理(又は基準位置確認処理)時間を短縮することができる。
According to the embodiment described above, at least the following effects (1) to (5) can be obtained.
(1) Even if the pendant (maintenance terminal) is not connected to a robot controller that is a control unit of a vacuum robot or an atmospheric robot, an operator can perform reference position confirmation processing and reference position acquisition via the operation display unit of the substrate processing apparatus. Processing can be performed. Further, even an operator who is not familiar with the pendant operation method can easily perform the reference position confirmation process and the reference position acquisition process, and the setup time of the substrate processing apparatus can be shortened.
(2) Since the reference position confirmation status and the reference position acquisition status for each load lock chamber and each process chamber are displayed in a list on the operation display unit of the substrate processing apparatus, the operator can check the reference position confirmation status and the reference position acquisition status. It can be confirmed at a glance, and unnecessary reference position confirmation processing and reference position acquisition processing are not required.
(3) Using the pendant, instead of performing the reference position confirmation process and the reference position acquisition process for each of the load lock chambers and process chambers one by one, the reference is automatically and continuously performed for a plurality of load lock chambers and process chambers. Since the position confirmation process and the reference position acquisition process can be performed, the setup time of the substrate processing apparatus can be shortened.
(4) By performing the reference position confirmation process before starting the processing of the product substrate, it can be confirmed that the reference position at that time is an appropriate position with a margin, so that the substrate can be simply transported. Compared with the method of checking (in this method, it is unknown whether the reference position has a margin), it is possible to suppress the occurrence of substrate transport errors during product substrate processing.
(5) For each chamber (chamber), reference position acquisition processing (or reference position confirmation processing) of one arm (for example, upper arm) of a plurality of arms is performed, and then the reference position of the other arm (for example, lower arm) In the case where the acquisition process is performed, the reference position acquisition process (or reference position confirmation process) of one arm is sequentially performed on the plurality of chambers (chambers), and then the plurality of chambers (chambers) are processed. Compared to the case where the reference position acquisition process (or reference position confirmation process) of the other arm is sequentially performed, the reference position acquisition process (or reference position confirmation process) time can be shortened.

本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
前記実施形態では、真空ロボットの基準位置確認方法や基準位置取得方法を説明したが、大気ロボットについても、真空ロボットと同様にして、基準位置確認や基準位置取得を行うことができる。また、上記真空ロボットや大気ロボット以外の基板搬送ロボットを用いる場合にも、同様の基準位置確認や基準位置取得を行うことができる。また、前記実施形態では、カセットCA1内にあるウエハWを用いて基準位置確認や基準位置取得を行ったが、他のカセットCA2やCA3内にあるウエハWを用いてもよい。また、前記実施形態では、ロードポートが3つでロードロック室が2つでプロセスチャンバが4つの場合について説明したが、これらの数に限定されるものではない。
It goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
In the above embodiment, the reference position confirmation method and the reference position acquisition method for the vacuum robot have been described. However, the reference position confirmation and the reference position acquisition can be performed for the atmospheric robot in the same manner as the vacuum robot. Also, when using a substrate transfer robot other than the vacuum robot or the atmospheric robot, the same reference position confirmation and reference position acquisition can be performed. In the embodiment, the reference position confirmation and the reference position acquisition are performed using the wafer W in the cassette CA1, but the wafer W in another cassette CA2 or CA3 may be used. In the above embodiment, the case where there are three load ports, two load lock chambers, and four process chambers has been described. However, the present invention is not limited to these numbers.

また、前記実施形態では、基板処理装置を構成する全ての室(チャンバ)に対してアームの基準位置取得処理(又は基準位置確認処理)を行うようにしたが、操作表示部から特定の室(1又は複数)を指定して、該指定された室のみの基準位置取得処理(又は基準位置確認処理)を行うようにすることもできる。このようにすると、基板処理装置の立ち上げ時など基準位置が「無効」の室が多い場合は、自動で全ての室に対して基準位置取得処理(又は基準位置確認処理)を行うようにし、基板処理装置稼働後のメンテナンス時など基準位置が「無効」の室が少ない場合は、特定の室を指定して基準位置取得処理(又は基準位置確認処理)を行うようにすることができるので、基板処理装置のセットアップ時間を短縮できる。   In the embodiment, the arm reference position acquisition process (or reference position confirmation process) is performed for all the chambers (chambers) constituting the substrate processing apparatus. It is also possible to designate one or more) and perform the reference position acquisition process (or reference position confirmation process) for only the designated room. In this way, when there are many rooms where the reference position is “invalid” such as when starting up the substrate processing apparatus, the reference position acquisition process (or reference position confirmation process) is automatically performed for all the rooms. When there are few rooms where the reference position is “invalid”, such as during maintenance after the substrate processing apparatus is in operation, it is possible to specify a specific room and perform reference position acquisition processing (or reference position confirmation processing). The setup time of the substrate processing apparatus can be shortened.

また、ペンダントを用いて行う特定の1室に対する基準位置取得処理(又は基準位置確認処理)と併用することも可能である。このようにすると、基板処理装置の立ち上げ時など基準位置が「無効」の室が多い場合は、自動で全ての室に対して基準位置取得処理(又は基準位置確認処理)を行うようにし、基板処理装置稼働後のメンテナンス時など基準位置が「無効」の室が少ない場合は、ペンダントを用いて基準位置取得処理(又は基準位置確認処理)を行うようにすることができるので、基板処理装置のセットアップ時間を短縮できる。   Moreover, it is also possible to use together with the reference position acquisition process (or reference position confirmation process) for a specific room performed using a pendant. In this way, when there are many rooms where the reference position is “invalid” such as when starting up the substrate processing apparatus, the reference position acquisition process (or reference position confirmation process) is automatically performed for all the rooms. When there are few rooms where the reference position is “invalid”, such as during maintenance after the substrate processing apparatus is in operation, the reference position acquisition process (or reference position confirmation process) can be performed using a pendant. Setup time can be shortened.

本発明は、半導体製造装置だけでなく、LCD製造装置のようなガラス基板を処理する装置や、他の基板処理装置にも適用できる。基板処理の処理内容は、CVD、PVD、ALD、エピタキシャル成長膜、酸化膜、窒化膜、金属含有膜等を形成する成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、拡散処理、エッチング処理、露光処理、リソグラフィ、塗布処理、モールド処理、現像処理、ダイシング処理、ワイヤボンディング処理、検査処理等であってもよい。   The present invention can be applied not only to a semiconductor manufacturing apparatus but also to an apparatus for processing a glass substrate, such as an LCD manufacturing apparatus, and other substrate processing apparatuses. The processing content of the substrate processing includes not only film forming processing for forming CVD, PVD, ALD, epitaxial growth film, oxide film, nitride film, metal-containing film, etc., but also annealing processing, oxidation processing, diffusion processing, etching processing, exposure processing Lithography, coating treatment, mold treatment, development treatment, dicing treatment, wire bonding treatment, inspection treatment, etc.

本明細書には少なくとも、次の構成が含まれる。すなわち、
第1の構成は、
減圧状態で基板を搬送する第1の基板搬送機を備える第1の基板搬送室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第1の基板位置検知器と基板を載置する第1の基板載置部とを備え、該第1の基板載置部に載置した基板を減圧状態で処理する処理室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第2の基板位置検知器と基板を載置する第2の基板載置部を備え、減圧状態と大気圧状態とを切換え可能な予備室と、
前記第1の基板搬送機に載置された基板を前記処理室内に配置し、前記第1の基板位置検知器を用いて前記第1の基板搬送機が前記第1の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第1の基準位置を取得するとともに、前記第1の基板搬送機に載置された基板を前記予備室内に配置し、前記第2の基板位置検知器を用いて前記第1の基板搬送機が前記第2の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第2の基準位置とを取得する制御部と、
前記第1の基準位置と前記第2の基準位置に関する操作者からの取得指示を受け付けるとともに、前記第1の基準位置と前記第2の基準位置の取得状況を表示する操作表示部と、を備えるよう構成された基板処理装置。
The present specification includes at least the following configurations. That is,
The first configuration is
A first substrate transfer chamber comprising a first substrate transfer device for transferring a substrate in a reduced pressure state;
A first substrate position detector provided to be connected to the first substrate transfer chamber and configured to detect a substrate position; and a first substrate placement unit for placing a substrate; A processing chamber for processing the substrate placed on the part in a reduced pressure state;
A second substrate position detector provided to be connected to the first substrate transfer chamber and detecting a substrate position, and a second substrate placement unit for placing the substrate are provided, and a reduced pressure state and an atmospheric pressure state are provided. A switchable spare room,
A substrate placed on the first substrate transporter is placed in the processing chamber, and the first substrate transporter uses the first substrate position detector to place the substrate on the first substrate rest. A first reference position serving as a reference for placing the substrate is placed, a substrate placed on the first substrate transporter is placed in the spare chamber, and the second substrate position detector is used. A control unit that acquires a second reference position that serves as a reference when the first substrate transporter places a substrate on the second substrate platform;
An operation display unit that receives an acquisition instruction from the operator regarding the first reference position and the second reference position, and displays an acquisition status of the first reference position and the second reference position. A substrate processing apparatus configured as described above.

第2の構成は、第1の構成における基板処理装置であって、
さらに、前記予備室に連接して設けられ、大気圧状態で基板を搬送する第2の基板搬送機を備える第2の基板搬送室を備え、
前記制御部は、さらに、
前記第2の基板搬送機に載置された基板を前記予備室内に配置し、前記第2の基板位置検知器を用いて前記第2の基板搬送機が前記第2の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第3の基準位置を取得し、
前記操作表示部は、さらに、
前記第3の基準位置に関する操作者からの取得指示を受け付けるとともに、前記第3の基準位置の取得状況を表示するよう構成された基板処理装置。
The second configuration is the substrate processing apparatus in the first configuration,
Furthermore, a second substrate transfer chamber provided with a second substrate transfer machine that is connected to the preliminary chamber and transfers the substrate in an atmospheric pressure state,
The control unit further includes:
A substrate placed on the second substrate transporter is placed in the spare room, and the second substrate transporter uses the second substrate position detector to place the substrate on the second substrate platform. To obtain a third reference position serving as a reference when placing
The operation display unit further includes:
A substrate processing apparatus configured to receive an acquisition instruction from an operator regarding the third reference position and to display an acquisition status of the third reference position.

第3の構成は、第1の構成又は第2の構成における基板処理装置であって、
前記第1の基板搬送機は、基板支持アームを2組備え、
前記制御部は、
前記2組の基板支持アームのそれぞれについての前記第1の基準位置を取得した後、前記2組の基板支持アームのそれぞれについての前記第2の基準位置を取得するよう構成された基板処理装置。
The third configuration is a substrate processing apparatus in the first configuration or the second configuration,
The first substrate transfer machine includes two sets of substrate support arms,
The controller is
A substrate processing apparatus configured to acquire the second reference position for each of the two sets of substrate support arms after acquiring the first reference position for each of the two sets of substrate support arms.

第4の構成は、第2の構成における基板処理装置であって、
さらに、前記第2の基板搬送室に連接して設けられ、複数の基板を収納した収納容器を載置するロードポートを備え、
前記制御部は、
前記第2の基板搬送機が前記ロードポートに載置された収納容器から基板を取り出して前記第2の基板載置部に載置し、次に、前記第1の基板搬送機が前記第2の基板載置部に載置されていた前記基板を支持した後、前記第1の基準位置と前記第2の基準位置とを取得するよう構成された基板処理装置。
The fourth configuration is the substrate processing apparatus in the second configuration,
Furthermore, a load port is provided that is connected to the second substrate transfer chamber and places a storage container that stores a plurality of substrates.
The controller is
The second substrate transporter takes out the substrate from the storage container placed on the load port and places the substrate on the second substrate platform, and then the first substrate transporter performs the second A substrate processing apparatus configured to acquire the first reference position and the second reference position after supporting the substrate placed on the substrate placement unit.

第5の構成は、第4の構成における基板処理装置であって、
前記制御部は、
前記第2の基板搬送機が前記収納容器から基板を取り出した後、前記第2の基板載置部に載置する前に前記第3の基準位置を取得するよう構成された基板処理装置。
The fifth configuration is the substrate processing apparatus in the fourth configuration,
The controller is
A substrate processing apparatus configured to obtain the third reference position after the second substrate transporter has taken out the substrate from the storage container and before placing the substrate on the second substrate platform.

第6の構成は、
減圧状態で基板を搬送する第1の基板搬送機を備える第1の基板搬送室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第1の基板位置検知器と第1の基板載置部とを備え、該第1の基板載置部に載置した基板を減圧状態で処理する処理室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第2の基板位置検知器と第2の基板載置部とを備え、減圧状態と大気圧状態とを切換え可能な予備室と、
操作者からの指示を受け付けるとともに各種情報を表示する操作表示部と、を備えた基板処理装置の制御方法であって、
前記第1の基板搬送機が前記第1の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第1の基準位置と、前記第1の基板搬送機が前記第2の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第2の基準位置とを取得するための操作者からの指示を前記操作表示部で受け付けるステップと、
前記第1の基板搬送機に載置された基板を前記処理室内に配置し前記第1の基板位置検知器を用いて前記第1の基準位置を取得するステップと、
前記第1の基板搬送機に載置された基板を前記予備室内に配置し前記第2の基板位置検知器を用いて前記第2の基準位置を取得するステップと、
前記取得した前記第1の基準位置と前記第2の基準位置の取得状況を前記操作表示部に表示するステップと、
を備えるように構成された基板処理装置の制御方法。
The sixth configuration is
A first substrate transfer chamber comprising a first substrate transfer device for transferring a substrate in a reduced pressure state;
A first substrate position detector provided to be connected to the first substrate transfer chamber and detecting a substrate position and a first substrate platform, and placed on the first substrate platform. A processing chamber for processing the substrate under reduced pressure;
A spare which is provided in connection with the first substrate transfer chamber and includes a second substrate position detector for detecting the substrate position and a second substrate platform, and is capable of switching between a reduced pressure state and an atmospheric pressure state. Room,
An operation display unit that receives instructions from an operator and displays various types of information, and a control method for a substrate processing apparatus,
A first reference position serving as a reference when the first substrate transporter places a substrate on the first substrate platform, and the first substrate transporter serves as the second substrate platform. Receiving an instruction from an operator for obtaining a second reference position serving as a reference when placing the substrate on the operation display unit;
Placing the substrate placed on the first substrate transporter in the processing chamber and obtaining the first reference position using the first substrate position detector;
Placing the substrate placed on the first substrate transporter in the preliminary chamber and obtaining the second reference position using the second substrate position detector;
Displaying the acquired acquisition status of the first reference position and the second reference position on the operation display unit;
A method for controlling a substrate processing apparatus configured to include:

第7の構成は、
減圧状態で基板を搬送する第1の基板搬送機を備える第1の基板搬送室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第1の基板位置検知器と第1の基板載置部とを備え、該第1の基板載置部に載置した基板を減圧状態で処理する処理室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第2の基板位置検知器と第2の基板載置部とを備え、減圧状態と大気圧状態とを切換え可能な予備室と、
操作者からの指示を受け付けるとともに各種情報を表示する操作表示部と、を備えた基板処理装置の制御プログラムであって、
前記第1の基板搬送機が前記第1の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第1の基準位置と、前記第1の基板搬送機が前記第2の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第2の基準位置とを取得するための操作者からの指示を前記操作表示部で受け付けるステップと、
前記第1の基板搬送機に載置された基板を前記処理室内に配置し前記第1の基板位置検知器を用いて前記第1の基準位置を取得するステップと、
前記第1の基板搬送機に載置された基板を前記予備室内に配置し前記第2の基板位置検知器を用いて前記第2の基準位置を取得するステップと、
前記取得した前記第1の基準位置と前記第2の基準位置の取得状況を前記操作表示部に表示するステップと、
を備えるように構成された基板処理装置の制御プログラム。
The seventh configuration is
A first substrate transfer chamber comprising a first substrate transfer device for transferring a substrate in a reduced pressure state;
A first substrate position detector provided to be connected to the first substrate transfer chamber and detecting a substrate position and a first substrate platform, and placed on the first substrate platform. A processing chamber for processing the substrate under reduced pressure;
A spare which is provided in connection with the first substrate transfer chamber and includes a second substrate position detector for detecting the substrate position and a second substrate platform, and is capable of switching between a reduced pressure state and an atmospheric pressure state. Room,
An operation display unit that receives instructions from an operator and displays various types of information, and a control program for a substrate processing apparatus,
A first reference position serving as a reference when the first substrate transporter places a substrate on the first substrate platform, and the first substrate transporter serves as the second substrate platform. Receiving an instruction from an operator for obtaining a second reference position serving as a reference when placing the substrate on the operation display unit;
Placing the substrate placed on the first substrate transporter in the processing chamber and obtaining the first reference position using the first substrate position detector;
Placing the substrate placed on the first substrate transporter in the preliminary chamber and obtaining the second reference position using the second substrate position detector;
Displaying the acquired acquisition status of the first reference position and the second reference position on the operation display unit;
A control program for a substrate processing apparatus configured to include:

第8の構成は、
減圧状態で基板を搬送する第1の基板搬送機を備える第1の基板搬送室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第1の基板位置検知器と第1の基板載置部とを備え、該第1の基板載置部に載置した基板を減圧状態で処理する処理室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第2の基板位置検知器と第2の基板載置部とを備え、減圧状態と大気圧状態とを切換え可能な予備室と、
操作者からの指示を受け付けるとともに各種情報を表示する操作表示部と、を備えた基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記第1の基板搬送機が前記第1の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第1の基準位置と、前記第1の基板搬送機が前記第2の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第2の基準位置とを取得するための操作者からの指示を前記操作表示部で受け付けるステップと、
前記第1の基板搬送機に載置された基板を前記処理室内に配置し前記第1の基板位置検知器を用いて前記第1の基準位置を取得するステップと、
前記第1の基板搬送機に載置された基板を前記予備室内に配置し前記第2の基板位置検知器を用いて前記第2の基準位置を取得するステップと、
前記取得した前記第1の基準位置と前記第2の基準位置の取得状況を前記操作表示部に表示するステップと、
前記第1の基板搬送機が、前記取得した第2の基準位置に基づき前記第2の基板載置部に載置されている基板を支持した後、前記取得した第1の基準位置に基づき前記第1の基板載置部に基板を載置するステップと、
前記第1の基板載置部に載置した基板を減圧状態で処理する処理ステップと、
前記処理ステップで処理済みの前記第1の基板載置部に載置されている基板を、前記第1の基板搬送機が、前記取得した第1の基準位置に基づき支持した後、前記取得した第2の基準位置に基づき前記第2の基板載置部に載置するステップと、
を備えるように構成された半導体装置の製造方法。
The eighth configuration is
A first substrate transfer chamber comprising a first substrate transfer device for transferring a substrate in a reduced pressure state;
A first substrate position detector provided to be connected to the first substrate transfer chamber and detecting a substrate position and a first substrate platform, and placed on the first substrate platform. A processing chamber for processing the substrate under reduced pressure;
A spare which is provided in connection with the first substrate transfer chamber and includes a second substrate position detector for detecting the substrate position and a second substrate platform, and is capable of switching between a reduced pressure state and an atmospheric pressure state. Room,
An operation display unit that receives instructions from an operator and displays various types of information, and a method for manufacturing a semiconductor device using a substrate processing apparatus,
A first reference position serving as a reference when the first substrate transporter places a substrate on the first substrate platform, and the first substrate transporter serves as the second substrate platform. Receiving an instruction from an operator for obtaining a second reference position serving as a reference when placing the substrate on the operation display unit;
Placing the substrate placed on the first substrate transporter in the processing chamber and obtaining the first reference position using the first substrate position detector;
Placing the substrate placed on the first substrate transporter in the preliminary chamber and obtaining the second reference position using the second substrate position detector;
Displaying the acquired acquisition status of the first reference position and the second reference position on the operation display unit;
The first substrate transporter supports the substrate placed on the second substrate platform based on the acquired second reference position, and then based on the acquired first reference position. Placing the substrate on the first substrate platform;
A processing step of processing the substrate placed on the first substrate placement unit in a reduced pressure state;
Acquired after the substrate mounted on the first substrate platform processed in the processing step is supported by the first substrate transporter based on the acquired first reference position. Placing on the second substrate platform based on a second reference position;
A method of manufacturing a semiconductor device configured to include:

第9の構成は、
減圧状態で基板を搬送する第1の基板搬送機を備える第1の基板搬送室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第1の基板位置検知器と第1の基板載置部とを備え、該第1の基板載置部に載置した基板を減圧状態で処理する処理室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第2の基板位置検知器と第2の基板載置部を備え、減圧状態と大気圧状態とを切換え可能な予備室と、
前記第1の基板搬送機に載置された基板を、予め設定された第1の基準位置に基づき前記処理室内に配置し、前記第1の基板位置検知器を用いて前記第1の基準位置が適切であるか否かを判断するとともに、前記第1の基板搬送機に載置された基板を、予め設定された第2の基準位置に基づき前記予備室内に配置し、前記第2の基板位置検知器を用いて前記第2の基準位置が適切であるか否かを判断する制御部と、
前記第1の基準位置と前記第2の基準位置とが適切であるか否かに関する操作者からの確認指示を受け付けるとともに、前記第1の基準位置と前記第2の基準位置とが適切であるか否かの確認状況を表示する操作表示部と、を備えるよう構成された基板処理装置。
The ninth configuration is
A first substrate transfer chamber comprising a first substrate transfer device for transferring a substrate in a reduced pressure state;
A first substrate position detector provided to be connected to the first substrate transfer chamber and detecting a substrate position and a first substrate platform, and placed on the first substrate platform. A processing chamber for processing the substrate under reduced pressure;
A spare chamber that is connected to the first substrate transfer chamber, includes a second substrate position detector for detecting the substrate position, and a second substrate platform, and is capable of switching between a reduced pressure state and an atmospheric pressure state. When,
A substrate placed on the first substrate transporter is placed in the processing chamber based on a first reference position set in advance, and the first reference position is detected using the first substrate position detector. Is determined to be appropriate, and a substrate placed on the first substrate transporter is placed in the spare room based on a preset second reference position, and the second substrate A control unit that determines whether or not the second reference position is appropriate using a position detector;
A confirmation instruction from an operator regarding whether or not the first reference position and the second reference position are appropriate is accepted, and the first reference position and the second reference position are appropriate. A substrate processing apparatus configured to include an operation display unit that displays a confirmation status of whether or not.

第10の構成は、
減圧状態で基板を搬送する第1の基板搬送機を備える第1の基板搬送室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第1の基板位置検知器と第1の基板載置部とを備え、該第1の基板載置部に載置した基板を減圧状態で処理する処理室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第2の基板位置検知器と第2の基板載置部とを備え、減圧状態と大気圧状態とを切換え可能な予備室と、
操作者からの指示を受け付けるとともに各種情報を表示する操作表示部と、を備える基板処理装置の制御方法であって、
前記第1の基板搬送機が前記第1の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第1の基準位置と、前記第1の基板搬送機が前記第2の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第2の基準位置とが適切であるか否かを確認するための操作者からの指示を前記操作表示部で受け付けるステップと、
前記第1の基板搬送機に載置された基板を、予め設定された第1の基準位置に基づき前記処理室内に配置し、前記第1の基板位置検知器を用いて前記第1の基準位置が適切であるか否かを判断するステップと、
前記第1の基板搬送機に載置された基板を、予め設定された第2の基準位置に基づき前記予備室内に配置し、前記第2の基板位置検知器を用いて前記第2の基準位置が適切であるか否かを判断するステップと、
前記第1の基準位置と前記第2の基準位置とが適切であるか否かの確認状況を前記操作表示部に表示するステップと、
を備えるように構成された基板処理装置の制御方法。
The tenth configuration is
A first substrate transfer chamber comprising a first substrate transfer device for transferring a substrate in a reduced pressure state;
A first substrate position detector provided to be connected to the first substrate transfer chamber and detecting a substrate position and a first substrate platform, and placed on the first substrate platform. A processing chamber for processing the substrate under reduced pressure;
A spare which is provided in connection with the first substrate transfer chamber and includes a second substrate position detector for detecting the substrate position and a second substrate platform, and is capable of switching between a reduced pressure state and an atmospheric pressure state. Room,
An operation display unit that receives instructions from an operator and displays various types of information, and a control method for a substrate processing apparatus,
A first reference position serving as a reference when the first substrate transporter places a substrate on the first substrate platform, and the first substrate transporter serves as the second substrate platform. Receiving an instruction from an operator for confirming whether or not the second reference position serving as a reference for placing the substrate on the substrate is appropriate;
A substrate placed on the first substrate transporter is placed in the processing chamber based on a first reference position set in advance, and the first reference position is detected using the first substrate position detector. Determining whether is appropriate,
A substrate placed on the first substrate transporter is placed in the spare room based on a preset second reference position, and the second reference position is detected using the second substrate position detector. Determining whether is appropriate,
Displaying on the operation display unit a confirmation status as to whether or not the first reference position and the second reference position are appropriate;
A method for controlling a substrate processing apparatus configured to include:

第11の構成は、
減圧状態で基板を搬送する第1の基板搬送機を備える第1の基板搬送室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第1の基板位置検知器と第1の基板載置部とを備え、該第1の基板載置部に載置した基板を減圧状態で処理する処理室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第2の基板位置検知器と第2の基板載置部とを備え、減圧状態と大気圧状態とを切換え可能な予備室と、
操作者からの指示を受け付けるとともに各種情報を表示する操作表示部と、を備える基板処理装置の制御プログラムであって、
前記第1の基板搬送機が前記第1の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第1の基準位置と、前記第1の基板搬送機が前記第2の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第2の基準位置とが適切であるか否かを確認するための操作者からの指示を前記操作表示部で受け付けるステップと、
前記第1の基板搬送機に載置された基板を、予め設定された第1の基準位置に基づき前記処理室内に配置し、前記第1の基板位置検知器を用いて前記第1の基準位置が適切であるか否かを判断するステップと、
前記第1の基板搬送機に載置された基板を、予め設定された第2の基準位置に基づき前記予備室内に配置し、前記第2の基板位置検知器を用いて前記第2の基準位置が適切であるか否かを判断するステップと、
前記第1の基準位置と前記第2の基準位置とが適切であるか否かの確認状況を前記操作表示部に表示するステップと、
を備えるように構成された基板処理装置の制御プログラム。
The eleventh configuration is
A first substrate transfer chamber comprising a first substrate transfer device for transferring a substrate in a reduced pressure state;
A first substrate position detector provided to be connected to the first substrate transfer chamber and detecting a substrate position and a first substrate platform, and placed on the first substrate platform. A processing chamber for processing the substrate under reduced pressure;
A spare which is provided in connection with the first substrate transfer chamber and includes a second substrate position detector for detecting the substrate position and a second substrate platform, and is capable of switching between a reduced pressure state and an atmospheric pressure state. Room,
An operation display unit that receives instructions from an operator and displays various information, and a control program for a substrate processing apparatus,
A first reference position serving as a reference when the first substrate transporter places a substrate on the first substrate platform, and the first substrate transporter serves as the second substrate platform. Receiving an instruction from an operator for confirming whether or not the second reference position serving as a reference for placing the substrate on the substrate is appropriate;
A substrate placed on the first substrate transporter is placed in the processing chamber based on a first reference position set in advance, and the first reference position is detected using the first substrate position detector. Determining whether is appropriate,
A substrate placed on the first substrate transporter is placed in the spare room based on a preset second reference position, and the second reference position is detected using the second substrate position detector. Determining whether is appropriate,
Displaying on the operation display unit a confirmation status as to whether or not the first reference position and the second reference position are appropriate;
A control program for a substrate processing apparatus configured to include:

第12の構成は、
減圧状態で基板を搬送する第1の基板搬送機を備える第1の基板搬送室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第1の基板位置検知器と第1の基板載置部とを備え、該第1の基板載置部に載置した基板を減圧状態で処理する処理室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第2の基板位置検知器と第2の基板載置部とを備え、減圧状態と大気圧状態とを切換え可能な予備室と、
操作者からの指示を受け付けるとともに各種情報を表示する操作表示部と、を備えた基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記第1の基板搬送機が前記第1の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第1の基準位置と、前記第1の基板搬送機が前記第2の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第2の基準位置とが適切であるか否かを確認するための操作者からの指示を前記操作表示部で受け付けるステップと、
前記第1の基板搬送機に載置された基板を、予め設定された第1の基準位置に基づき前記処理室内に配置し、前記第1の基板位置検知器を用いて前記第1の基準位置が適切であるか否かを判断するステップと、
前記第1の基板搬送機に載置された基板を、予め設定された第2の基準位置に基づき前記予備室内に配置し、前記第2の基板位置検知器を用いて前記第2の基準位置が適切であるか否かを判断するステップと、
前記第1の基準位置と前記第2の基準位置とが適切である場合に、
前記第1の基板搬送機が、前記第2の基準位置に基づき前記第2の基板載置部に載置されている基板を支持した後、前記第1の基準位置に基づき前記第1の基板載置部に基板を載置するステップと、
前記第1の基板載置部に載置した基板を減圧状態で処理する処理ステップと、
前記処理ステップで処理済みの前記第1の基板載置部に載置されている基板を、前記第1の基板搬送機が前記第1の基準位置に基づき支持した後、前記第2の基準位置に基づき前記第2の基板載置部に載置するステップと、
を備えるように構成された半導体装置の製造方法。
The twelfth configuration is
A first substrate transfer chamber comprising a first substrate transfer device for transferring a substrate in a reduced pressure state;
A first substrate position detector provided to be connected to the first substrate transfer chamber and detecting a substrate position and a first substrate platform, and placed on the first substrate platform. A processing chamber for processing the substrate under reduced pressure;
A spare which is provided in connection with the first substrate transfer chamber and includes a second substrate position detector for detecting the substrate position and a second substrate platform, and is capable of switching between a reduced pressure state and an atmospheric pressure state. Room,
An operation display unit that receives instructions from an operator and displays various types of information, and a method for manufacturing a semiconductor device using a substrate processing apparatus,
A first reference position serving as a reference when the first substrate transporter places a substrate on the first substrate platform, and the first substrate transporter serves as the second substrate platform. Receiving an instruction from an operator for confirming whether or not the second reference position serving as a reference for placing the substrate on the substrate is appropriate;
A substrate placed on the first substrate transporter is placed in the processing chamber based on a first reference position set in advance, and the first reference position is detected using the first substrate position detector. Determining whether is appropriate,
A substrate placed on the first substrate transporter is placed in the spare room based on a preset second reference position, and the second reference position is detected using the second substrate position detector. Determining whether is appropriate,
When the first reference position and the second reference position are appropriate,
After the first substrate transporter supports the substrate placed on the second substrate platform based on the second reference position, the first substrate based on the first reference position. Placing the substrate on the placement unit;
A processing step of processing the substrate placed on the first substrate placement unit in a reduced pressure state;
After the first substrate transporter supports the substrate placed on the first substrate platform processed in the processing step based on the first reference position, the second reference position Placing on the second substrate platform based on:
A method of manufacturing a semiconductor device configured to include:

10…制御部(コントローラ)、11…操作部コントローラ、11s…操作表示部、11m…記憶部、13…搬送系コントローラ、13m…記憶部、14…プロセスチャンバコントローラ、14m…記憶部、15…圧力コントローラ、16…スイッチングハブ、17…シーケンサ、18…SWデジタルI/O、19…バルブデジタルI/O、20…記憶部、21…GEM、31…ネットワーク、32…信号線、40…上位ホスト、AU…アライナー、AR…大気ロボット(第2の基板搬送機)、ARA…大気ロボットのアーム、EFEM…大気搬送室(第2の基板搬送室)、CA1〜CA3…カセット(収納容器)、LD1,LD2…ゲートバルブ、LGV1,LGV2…ゲートバルブ、LK…基板位置検知器(第2の基板位置検知器)、LM1,LM2…ロードロック室(予備室)、LP1〜LP3…ロードポート(収納容器載置部)、LS1,LS2…バッファステージ(第2の基板載置部)、P…ペンダント、PG1〜PG4…ゲートバルブ、PK…基板位置検知器(第1の基板位置検知器)、PM1〜PM4…プロセスチャンバ(処理室)、PS1〜PS4…載置台(第1の基板載置部)、TM…真空搬送室(第1の基板搬送室)、VR…真空ロボット(第1の基板搬送機)、VRA…真空ロボットのアーム、W…ウエハ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Control part (controller), 11 ... Operation part controller, 11s ... Operation display part, 11m ... Memory | storage part, 13 ... Conveyance system controller, 13m ... Memory | storage part, 14 ... Process chamber controller, 14m ... Memory | storage part, 15 ... Pressure Controller, 16 ... Switching hub, 17 ... Sequencer, 18 ... SW digital I / O, 19 ... Valve digital I / O, 20 ... Storage unit, 21 ... GEM, 31 ... Network, 32 ... Signal line, 40 ... Upper host, AU ... aligner, AR ... atmospheric robot (second substrate transfer machine), ARA ... arm of atmospheric robot, EFEM ... atmospheric transfer chamber (second substrate transfer chamber), CA1 to CA3 ... cassette (storage container), LD1, LD2 ... Gate valve, LGV1, LGV2 ... Gate valve, LK ... Substrate position detector (second substrate position detector), LM , LM2 ... load lock chamber (preliminary chamber), LP1 to LP3 ... load port (storage container placement section), LS1, LS2 ... buffer stage (second substrate placement section), P ... pendant, PG1 to PG4 ... gate Valve, PK ... Substrate position detector (first substrate position detector), PM1 to PM4 ... Process chamber (processing chamber), PS1-PS4 ... Placement table (first substrate placement portion), TM ... Vacuum transfer chamber (First substrate transfer chamber), VR ... vacuum robot (first substrate transfer machine), VRA ... arm of vacuum robot, W ... wafer.

Claims (1)

減圧状態で基板を搬送する第1の基板搬送機を備える第1の基板搬送室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第1の基板位置検知器と基板を載置する第1の基板載置部とを備え、該第1の基板載置部に載置した基板を減圧状態で処理する処理室と、
前記第1の基板搬送室に連接して設けられ、基板位置を検知する第2の基板位置検知器と基板を載置する第2の基板載置部を備え、減圧状態と大気圧状態とを切換え可能な予備室と、
前記第1の基板搬送機に載置された基板を前記処理室内に配置し、前記第1の基板位置検知器を用いて前記第1の基板搬送機が前記第1の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第1の基準位置を取得するとともに、前記第1の基板搬送機に載置された基板を前記予備室内に配置し、前記第2の基板位置検知器を用いて前記第1の基板搬送機が前記第2の基板載置部に基板を載置する際の基準となる第2の基準位置とを取得する制御部と、
前記第1の基準位置と前記第2の基準位置に関する操作者からの取得指示を受け付けるとともに、前記第1の基準位置と前記第2の基準位置の取得状況を表示する操作表示部と、を備えるよう構成された基板処理装置。
A first substrate transfer chamber comprising a first substrate transfer device for transferring a substrate in a reduced pressure state;
A first substrate position detector provided to be connected to the first substrate transfer chamber and configured to detect a substrate position; and a first substrate placement unit for placing a substrate; A processing chamber for processing the substrate placed on the part in a reduced pressure state;
A second substrate position detector provided to be connected to the first substrate transfer chamber and detecting a substrate position, and a second substrate placement unit for placing the substrate are provided, and a reduced pressure state and an atmospheric pressure state are provided. A switchable spare room,
A substrate placed on the first substrate transporter is placed in the processing chamber, and the first substrate transporter uses the first substrate position detector to place the substrate on the first substrate rest. A first reference position serving as a reference for placing the substrate is placed, a substrate placed on the first substrate transporter is placed in the spare chamber, and the second substrate position detector is used. A control unit that acquires a second reference position that serves as a reference when the first substrate transporter places a substrate on the second substrate platform;
An operation display unit that receives an acquisition instruction from the operator regarding the first reference position and the second reference position, and displays an acquisition status of the first reference position and the second reference position. A substrate processing apparatus configured as described above.
JP2012112979A 2012-05-17 2012-05-17 Substrate processing apparatus Pending JP2013239657A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012112979A JP2013239657A (en) 2012-05-17 2012-05-17 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012112979A JP2013239657A (en) 2012-05-17 2012-05-17 Substrate processing apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013239657A true JP2013239657A (en) 2013-11-28

Family

ID=49764423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012112979A Pending JP2013239657A (en) 2012-05-17 2012-05-17 Substrate processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013239657A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6108643B2 (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and abnormality processing program
JP6681646B2 (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and program
JP6403431B2 (en) Substrate processing apparatus, flow rate monitoring method, semiconductor device manufacturing method, and flow rate monitoring program
US8972036B2 (en) Method of controlling substrate processing apparatus, maintenance method of substrate processing apparatus and transfer method performed in substrate processing apparatus
US9244447B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, non-transitory computer-readable recording medium, and substrate transfer method
JP5573861B2 (en) Transport system
TWI797207B (en) Auto-calibration to a station of a process module that spins a wafer
JP6029250B2 (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and program
US8740535B2 (en) Delivery position aligning method for use in vacuum processing apparatus, vacuum processing apparatus and computer storage medium
US9595460B2 (en) Substrate processing apparatus, recording medium and method of manufacturing semiconductor device
JP5003315B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
JP2005262367A (en) Carrying dislocation confirming method of carrying robot and processing system
WO2020121869A1 (en) Treatment method for substrate treatment device and substrate treatment device
TW201438128A (en) Operation method for vacuum processing apparatus
JP5433290B2 (en) Substrate storage method and control device
JP5797176B2 (en) Spacer, spacer conveying method, processing method, and processing apparatus
JP2013239657A (en) Substrate processing apparatus
JP2009124078A (en) Substrate processing apparatus
JP2014116341A (en) Substrate processing system and degeneration operation method of substrate processing system
US20230117258A1 (en) Substrate transfer apparatus and substrate transfer method
JP2013239656A (en) Substrate processing apparatus
JP2016066668A (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and program
JP2020194972A (en) Substrate processing apparatus, manufacturing method of semiconductor device, and program
JP2013055239A (en) Substrate processing apparatus
JP2014130895A (en) Substrate processing apparatus, substrate transfer method and semiconductor device manufacturing method