JP2013236015A - Power module, installation structure of connection terminal in power module, and connection terminal - Google Patents
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Abstract
【課題】接続端子が基板から外れにくく、良好な接触状態を安定的に維持することができるパワーモジュール、パワーモジュールにおける接続端子の取付構造および接続端子を提供する。
【解決手段】半導体素子が実装される基板と、線材をらせん状に巻回したコイルばね状をなし、外部の回路と接触することによって該回路と基板とを電気的に接続する導電性の接続端子と、基板の表面に接合され、該表面と直交する方向に延びる柱状をなし、接続端子を保持する導電性の保持部材と、を備え、接続端子は、線材が密着巻きされ、少なくとも一部が保持部材と接触して該保持部材に保持される密着巻き部と、密着巻き部よりも粗いピッチで線材が巻回される粗巻き部と、を有する。
【選択図】図2Provided are a power module that can prevent a connection terminal from coming off from a substrate and can stably maintain a good contact state, a connection terminal mounting structure in the power module, and a connection terminal.
A conductive connection for forming a substrate on which a semiconductor element is mounted and a coil spring formed by spirally winding a wire and electrically connecting the circuit and the substrate by contact with an external circuit. And a conductive holding member that is connected to the surface of the substrate and extends in a direction orthogonal to the surface, and holds the connection terminal. Has a tightly wound portion that comes into contact with the holding member and is held by the holding member, and a coarsely wound portion around which the wire is wound at a coarser pitch than the tightly wound portion.
[Selection] Figure 2
Description
本発明は、電力制御用の半導体素子を備えたパワーモジュール、パワーモジュールにおける接続端子の取付構造および接続端子に関する。 The present invention relates to a power module including a semiconductor element for power control, a connection terminal mounting structure in the power module, and a connection terminal.
従来、産業用、自動車用などの電力制御からモータ制御まで、幅広い分野に使用される省エネルギー化のキーデバイスとして、電力制御用の半導体素子を備えたパワーモジュールが知られている。パワーモジュールは、複数の半導体素子が実装された基板と、各半導体素子にそれぞれ接続されて電力の入出力を行う複数の接続端子とを備える。 2. Description of the Related Art Conventionally, a power module including a semiconductor element for power control is known as a key device for energy saving used in a wide range of fields from power control to motor control for industrial use and automobile use. The power module includes a substrate on which a plurality of semiconductor elements are mounted, and a plurality of connection terminals that are connected to the respective semiconductor elements and input / output power.
パワーモジュールにおいて、接続端子に対しては、外部の回路基板とパワーモジュールの基板との間の電気的導通を確実に行うことが求められる。例えば、下記特許文献1では、ピン状をなして基板の電極と接触する第1接触装置と、湾曲形状をなして外部の制御回路基板と接触する第2接触装置と、コイルばね状をなして第1接触装置と第2接触装置の間に設けられる弾性部分とを備えた接続端子が開示されている。このような構成を有する接続端子は、パワーモジュールのハウジングに形成される穴に挿通されて保持される。
In the power module, the connection terminals are required to reliably perform electrical continuity between the external circuit board and the power module board. For example, in
しかしながら、上記特許文献1に記載の従来技術の場合、接続端子がハウジングに対して完全に固定されているわけではないため、制御回路基板を装着して圧縮力を発生させないと基板から外れてしまいやすいという問題があった。
However, in the case of the prior art described in
また、上記特許文献1に記載の従来技術では、接続端子の荷重が制御回路基板による圧縮力に依存しているため、制御回路基板が振動等によって変形すると、接続端子と基板および制御回路基板との接触抵抗が変化してしまうという問題もあった。
In the prior art described in
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、接続端子が基板から外れにくく、良好な接触状態を安定的に維持することができるパワーモジュール、パワーモジュールにおける接続端子の取付構造および接続端子を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and a power module that can prevent a connection terminal from coming off from a substrate and can stably maintain a good contact state, a connection terminal mounting structure in the power module, and a connection terminal The purpose is to provide.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るパワーモジュールは、半導体素子が実装される基板と、線材をらせん状に巻回したコイルばね状をなし、外部の回路と接触することによって該回路と前記基板とを電気的に接続する導電性の接続端子と、前記基板の表面に接合され、該表面と直交する方向に延びる柱状をなし、前記接続端子を保持する導電性の保持部材と、を備え、前記接続端子は、前記線材が密着巻きされ、少なくとも一部が前記保持部材と接触して該保持部材に保持される密着巻き部と、前記密着巻き部よりも粗いピッチで前記線材が巻回される粗巻き部と、を有することを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, the power module according to the present invention has a substrate on which a semiconductor element is mounted, a coil spring formed by winding a wire in a spiral shape, and contacts an external circuit. And a conductive connection terminal for electrically connecting the circuit and the substrate, and a conductive material which is bonded to the surface of the substrate and has a column shape extending in a direction perpendicular to the surface, and holds the connection terminal. The connecting terminal, and the connection terminal is tightly wound around the wire, and is at least partially in contact with the holding member and held by the holding member, and is rougher than the tightly wound portion. And a coarsely wound portion around which the wire is wound at a pitch.
本発明に係るパワーモジュールは、上記発明において、前記保持部材は、前記密着巻き部を保持する中空部が形成されたことを特徴とする。 The power module according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the holding member is formed with a hollow portion for holding the tightly wound portion.
本発明に係るパワーモジュールは、上記発明において、前記保持部材は、前記中空部と面する内周面に設けられ、前記接続端子を抜け止めする抜け止め手段を有することを特徴とする。 The power module according to the present invention is characterized in that, in the above-mentioned invention, the holding member has a retaining means for retaining the connection terminal provided on an inner peripheral surface facing the hollow portion.
本発明に係るパワーモジュールは、上記発明において、前記抜け止め手段は、前記内周面に設けられた凹部であり、前記密着巻き部は、前記凹部と嵌合し、当該密着巻き部の他の部分よりも径が大きいフランジ部を有することを特徴とする。 In the power module according to the present invention, in the above invention, the retaining means is a recess provided in the inner peripheral surface, and the tightly wound portion is fitted with the recessed portion, It has the flange part whose diameter is larger than a part, It is characterized by the above-mentioned.
本発明に係るパワーモジュールは、上記発明において、前記抜け止め手段は、前記内周面から突起した突起部であることを特徴とする。 The power module according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the retaining means is a protruding portion protruding from the inner peripheral surface.
本発明に係るパワーモジュールは、上記発明において、前記接続端子は、前記保持部材の外周面に圧入されることを特徴とする。 In the power module according to the present invention as set forth in the invention described above, the connection terminal is press-fitted into an outer peripheral surface of the holding member.
本発明に係るパワーモジュールは、上記発明において、前記保持部材の外周面に設けられ、前記接続端子を保持した状態で該接続端子を抜け止めする抜け止め手段を有することを特徴とする。 The power module according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the power module has a retaining means that is provided on an outer peripheral surface of the holding member and prevents the connection terminal from being detached while the connection terminal is retained.
本発明に係るパワーモジュールは、上記発明において、前記抜け止め手段は、前記外周面の一部が切り欠かれた切欠部であり、前記密着巻き部は、前記切欠部と嵌合し、当該密着巻き部の他の部分よりも径が小さい小径部を有することを特徴とする。 In the power module according to the present invention, in the above invention, the retaining means is a notch part in which a part of the outer peripheral surface is notched, and the tightly wound part is fitted to the notch part, It has the small diameter part whose diameter is smaller than the other part of a winding part, It is characterized by the above-mentioned.
本発明に係るパワーモジュールにおける接続端子の取付構造は、半導体素子と、該半導体素子が実装される基板と、外部の回路と前記基板とを電気的に接続する導電性の接続端子とを備えたパワーモジュールにおける接続端子の取付構造であって、前記基板の表面に接合され、該表面と直交する方向に延びる柱状をなし、前記接続端子を保持する導電性の保持部材を備え、前記接続端子は、線材がらせん状に密着巻きされ、少なくとも一部が前記保持部材と接触して該保持部材に保持される密着巻き部と、前記密着巻き部よりも粗いピッチで前記線材がらせん状に巻回される粗巻き部と、を有することを特徴とする。 A mounting structure of a connection terminal in a power module according to the present invention includes a semiconductor element, a substrate on which the semiconductor element is mounted, and a conductive connection terminal that electrically connects an external circuit and the substrate. A connection structure for a connection terminal in a power module, comprising a columnar shape bonded to the surface of the substrate and extending in a direction perpendicular to the surface, and having a conductive holding member for holding the connection terminal, The wire is tightly wound in a spiral shape, at least part of which is in contact with the holding member and is held by the holding member, and the wire is wound in a spiral shape at a coarser pitch than the tightly wound portion. And a coarsely wound portion.
本発明に係るパワーモジュールにおける接続端子の取付構造は、上記発明において、前記保持部材は、前記密着巻き部を保持する中空部が形成されたことを特徴とする。 The attachment structure of the connection terminal in the power module according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the holding member is formed with a hollow portion for holding the tightly wound portion.
本発明に係るパワーモジュールにおける接続端子の取付構造は、上記発明において、前記接続端子は、前記保持部材の外周面に圧入されることを特徴とする。 The attachment structure of the connection terminal in the power module according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the connection terminal is press-fitted into an outer peripheral surface of the holding member.
本発明に係る接続端子は、半導体素子と、該半導体素子が実装される基板と、前記基板の表面に接合され、該表面と直交する方向に延びる柱状をなす導電性の保持部材とを備えたパワーモジュールの一部をなし、前記保持部材に保持されることによって外部の回路と前記基板とを電気的に接続する導電性の接続端子であって、線材がらせん状に密着巻きされ、少なくとも一部が前記保持部材と接触して該保持部材に保持される密着巻き部と、前記密着巻き部よりも粗いピッチで前記線材がらせん状に巻回される粗巻き部と、を備えたことを特徴とする。 A connection terminal according to the present invention includes a semiconductor element, a substrate on which the semiconductor element is mounted, and a conductive holding member that is joined to the surface of the substrate and has a columnar shape extending in a direction orthogonal to the surface. A conductive connection terminal that is part of a power module and is electrically connected to an external circuit and the substrate by being held by the holding member, and the wire is tightly wound in a spiral shape. A tightly wound portion that is held by the holding member in contact with the holding member, and a coarsely wound portion in which the wire is wound spirally at a pitch that is coarser than the tightly wound portion. Features.
本発明によれば、線材をらせん状に巻回したコイルばね状をなし、外部の回路と接触することによって該回路と基板とを電気的に接続する導電性の接続端子と、基板の表面に接合され、該表面と直交する方向に延びる柱状をなし、接続端子を保持する導電性の保持部材と、を備え、接続端子は、線材が密着巻きされ、少なくとも一部が保持部材と接触して該保持部材に保持される密着巻き部と、密着巻き部よりも粗いピッチで線材が巻回される粗巻き部と、を有するため、密着巻き部と保持部材との接触によって接続端子が基板から外れにくく、良好な接触状態を安定的に維持することができる。 According to the present invention, a coil spring shape in which a wire is wound in a spiral shape is formed, and a conductive connection terminal that electrically connects the circuit and the substrate by contact with an external circuit, and a surface of the substrate. And a conductive holding member that holds the connection terminal. The connection terminal has a wire rod tightly wound, and at least part of the connection terminal is in contact with the holding member. Since the contact winding portion held by the holding member and the rough winding portion around which the wire is wound at a coarser pitch than the contact winding portion, the connection terminal is removed from the substrate by the contact between the contact winding portion and the holding member. It is difficult to come off and a good contact state can be stably maintained.
以下、添付図面を参照して本発明を実施するための形態(以下、「実施の形態」という)を説明する。なお、図面は模式的なものであって、各部分の厚みと幅との関係、それぞれの部分の厚みの比率などは現実のものとは異なる場合もあることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれる場合があることは勿論である。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention (hereinafter referred to as “embodiments”) will be described with reference to the accompanying drawings. It should be noted that the drawings are schematic, and the relationship between the thickness and width of each part, the ratio of the thickness of each part, and the like may be different from the actual ones. Of course, there may be included portions having different dimensional relationships and ratios.
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係るパワーモジュールの構成を示す斜視図である。図2は、本実施の形態1に係るパワーモジュールの要部の構成を示す断面図である。図1および図2に示すパワーモジュール1は、複数の半導体素子が実装された基板2と、外部の回路と電気的に接触することによって、該回路と基板2とを電気的に接続する導電性の接続端子3と、基板2の表面に接合され、該表面と直交する方向に延びる柱状をなし、接続端子3を保持する導電性の保持部材4と、を備える。
(Embodiment 1)
1 is a perspective view showing a configuration of a power module according to
基板2は、絶縁性の樹脂またはセラミックスなどの絶縁性材料を用いて構成される板状の母材5と、母材5の主面に実装される複数の半導体素子6と、母材5の主面に設けられる複数の電極7と、半導体素子6と電極7とを電気的に接続するワイヤ8とを有する。
The
母材5を構成するセラミックスとしては、例えば窒化アルミニウム、窒化珪素等の窒化物系セラミックスや、アルミナ、マグネシア、ジルコニア、ステアタイト、フォルステライト、ムライト、チタニア、シリカ、サイアロン等の酸化物系セラミックスを適用することができる。このうち、耐久性、熱伝導性等の観点からは、窒化物系セラミックスが好ましい。
Examples of the ceramic constituting the
半導体素子6は、ダイオード、トランジスタ、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)等のパワーデバイスのいずれかである。なお、図1ではすべての半導体素子を「半導体素子6」として記載しているが、これらの半導体素子6は互いに種類が異なっていてもよい。半導体素子6は、半田によって基板2上に接合される。
The
電極7は、銅またはアルミニウムなどの金属または合金を用いてパターニングすることによって、基板2に実装された半導体素子6などに電気信号を伝送するための回路パターンの一部をなす。
The
接続端子3は、線材をらせん状に巻回したコイルばねであり、線材が密着巻きされ、保持部材4の中空部41に圧入されて保持部材4に密着固定される密着巻き部31と、密着巻き部31よりも粗いピッチで線材が巻回され、先端で外部の制御回路基板(図示せず)と接触する粗巻き部32とを有する。接続端子3の外径は、中空部41の径よりも若干大きい。以上の構成を有する接続端子3は金属または合金を用いて構成される。具体的には、接続端子3は、例えばりん青銅、クロム銅、ベリリウム銅またはコルソン銅などの銅合金を用いて構成される。
The
保持部材4は、基板2の電極7の表面と直交する方向に立設され、中空円筒状をなす金属または合金からなる。保持部材4は、円筒状に形成される中空部41で接続端子3の密着巻き部31を密着した状態で保持する。保持部材4は、電極7に対して半田等によって接合される。
The holding
接続端子3を保持部材4に固定する際には、保持部材4の内周面を削って新生面を露出させた後、密着巻き部31の外径が縮小する方向に密着巻き部31をねじった状態で中空部41へ挿入し、圧入する。これにより、パワーモジュール1における接続端子3の取付構造が実現される。
When fixing the
以上説明した本発明の実施の形態1によれば、線材をらせん状に巻回したコイルばね状をなし、外部の回路と接触することによって該回路と基板とを電気的に接続する導電性の接続端子と、基板の表面に接合され、該表面と直交する方向に延びる柱状をなし、接続端子を保持する導電性の保持部材と、を備え、接続端子は、線材が密着巻きされ、少なくとも一部が保持部材と接触して該保持部材に保持される密着巻き部と、密着巻き部よりも粗いピッチで線材が巻回される粗巻き部と、を有するため、密着巻き部と保持部材との接触によって接続端子が基板から外れにくく、良好な接触状態を安定的に維持することができる。
According to
また、本実施の形態1によれば、接続端子を保持部材の中空部へ圧入するだけでよいため、接続端子の交換を容易に行うことができる。
Moreover, according to this
(実施の形態2)
図3は、本発明の実施の形態2に係るパワーモジュールの要部の構成を示す断面図である。同図に示すパワーモジュール9は、基板2と、外部の回路と基板2とを電気的に接続する導電性の接続端子10と、基板2の表面に接合され、該表面と直交する方向に延びる柱状をなし、接続端子10を保持する導電性の保持部材11と、を備える。
(Embodiment 2)
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of the main part of the power module according to
接続端子10はコイルばねであり、保持部材11の外周部に圧入されて密着固定される密着巻き部101と、先端で制御回路基板と接触する粗巻き部102とを有する。接続端子10の内径は、保持部材11の径よりも若干小さい。接続端子10は、接続端子3と同様の材料を用いて構成される。
The
保持部材11は、基板2の電極7の表面と直交する方向に立設され、円柱状をなす金属または合金からなる。保持部材11は、外周部で接続端子10の密着巻き部101を密着した状態で保持する。保持部材11は、電極7に対して半田等によって接合される。
The holding
接続端子10を保持部材11に固定する際には、保持部材11の外周面を削って新生面を露出させた後、密着巻き部101の内径が拡大する方向に密着巻き部101をねじった状態で保持部材11へ圧入する。これにより、パワーモジュール9における接続端子10の取付構造が実現される。
When fixing the
以上説明した本発明の実施の形態2によれば、実施の形態1と同様、接続端子が基板から外れにくく、良好な接触状態を安定的に維持することができる。また、接続端子の交換も容易に行うことができる。 According to the second embodiment of the present invention described above, as in the first embodiment, the connection terminals are unlikely to be detached from the substrate, and a good contact state can be stably maintained. In addition, the connection terminals can be easily replaced.
また、本実施の形態2によれば、接続端子を保持部材の外周側に圧入するため、接続端子の径を内周側に圧入する場合と比較して大きくすることができる。したがって、接続端子の成形が容易であるとともに、保持部材への挿入も容易である。 Further, according to the second embodiment, since the connection terminal is press-fitted into the outer peripheral side of the holding member, the diameter of the connection terminal can be increased as compared with the case of press-fitting into the inner peripheral side. Therefore, it is easy to form the connection terminal, and it is easy to insert the connection terminal into the holding member.
なお、本実施の形態2において、保持部材を中空円筒形状としてもよい。 In the second embodiment, the holding member may have a hollow cylindrical shape.
(実施の形態3)
図4は、本発明の実施の形態3に係るパワーモジュールの要部の構成を示す断面図である。同図に示すパワーモジュール12は、基板2と、外部の回路と基板2とを電気的に接続する導電性の接続端子13と、基板2の表面に接合され、該表面と直交する方向に延びる柱状をなし、接続端子13を保持する導電性の保持部材14と、を備える。
(Embodiment 3)
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the configuration of the main part of the power module according to
接続端子13はコイルばねであり、保持部材14に圧入されて密着固定される密着巻き部131と、先端で制御回路基板と接触する粗巻き部132とを有する。接続端子13は、接続端子3と同様の材料を用いて構成される。
The
密着巻き部131は、粗巻き部132と連結し、粗巻き部132から遠ざかるにつれて径が徐々に小さくなるテーパ部131aと、テーパ部131aの最小径をなす端部に連結する小径部131bと、小径部131bの中間部に設けられ、長手方向に沿って径が徐々に大きくなった後、再び小径部131bと同じ径に戻るフランジ部131cと、を有する。
The tightly wound
保持部材14は、基板2の電極7の表面と直交する方向に立設され、中空部141が形成された円筒状をなす金属または合金からなる。中空部141の高さ方向の略中央部と面する内周面には、保持部材14の外周側に穿設された凹部142が形成されている。凹部142は、フランジ部131cの外周面と略一致する形状をなしており、フランジ部131cと嵌合することにより、接続端子13の保持部材14からの抜け止めを行う。凹部142の最大径は、フランジ部131cの最大径よりも若干小さい。以上の構成を有する保持部材14は、電極7に対して半田等によって接合される。
The holding
接続端子13を保持部材14に固定する際には、保持部材14の内周面を削って新生面を露出させた後、密着巻き部131の外径が縮小する方向に密着巻き部131をねじった状態で中空部141へ挿入し、フランジ部131cが凹部142と嵌合するように圧入する。これにより、パワーモジュール12における接続端子13の取付構造が実現される。
When fixing the
以上説明した本発明の実施の形態3によれば、実施の形態1と同様、接続端子が基板から外れにくく、良好な接触状態を安定的に維持することができる。特に、本実施の形態3においては、保持部材の内周面に抜け止め手段としての凹部が形成される一方、接続端子には凹部と嵌合可能なフランジ部が設けられるため、接続端子が一段と抜けにくくなる。 According to the third embodiment of the present invention described above, as in the first embodiment, the connection terminals are unlikely to be detached from the substrate, and a good contact state can be stably maintained. In particular, in the third embodiment, a concave portion as a retaining means is formed on the inner peripheral surface of the holding member, while the connecting terminal is provided with a flange portion that can be fitted to the concave portion. It becomes difficult to come off.
(実施の形態4)
図5は、本発明の実施の形態4に係るパワーモジュールの要部の構成を示す断面図である。同図に示すパワーモジュール15は、基板2と、外部の回路と基板2とを電気的に接続する導電性の接続端子16と、基板2の表面に接合され、該表面と直交する方向に延びる柱状をなし、接続端子16を保持する導電性の保持部材17と、を備える。
(Embodiment 4)
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration of the main part of the power module according to
接続端子16はコイルばねであり、保持部材17に圧入されて密着固定される密着巻き部161と、先端で制御回路基板と接触する粗巻き部162とを有する。接続端子16は、接続端子3と同様の材料を用いて構成される。
The
密着巻き部161は、粗巻き部162と連結し、粗巻き部162から遠ざかるにつれて径が徐々に小さくなるテーパ部161aと、テーパ部161aの最小径を有する端部に連結する小径部161bとを有する。
The tightly wound
保持部材17は、基板2の電極7の表面と直交する方向に立設され、円柱状の中空部171が形成された円筒状の金属または合金からなる。中空部171の高さ方向の略中央部には、小径部161bの巻き方に沿ったらせん状をなし、内周面から中空部171へ向けて突起する突起部172が形成されている。突起部172は、密着巻き部161の隣接する線材の間に進入し、接続端子16の保持部材17からの抜け止めを行う。中空部171の径は、小径部161bの外径よりも若干小さい。以上の構成を有する保持部材17は、電極7に対して半田等によって接合される。
The holding
接続端子16を保持部材17に固定する際には、保持部材17の内周面を削って新生面を露出させた後、密着巻き部161の外径が縮小する方向に密着巻き部161をねじった状態で中心軸の周りに回転させながら中空部171へ圧入する。この圧入の際、小径部161bが所定の長さ分だけ突起部172を乗り越えて中空部171の内部へ進入するようにする。これにより、パワーモジュール15における接続端子16の取付構造が実現される。
When fixing the
以上説明した本発明の実施の形態4によれば、実施の形態1と同様、接続端子が基板から外れにくく、良好な接触状態を安定的に維持することができる。特に、本実施の形態4においては、保持部材の内周面に抜け止め手段としての突起部が形成されるため、接続端子が一段と抜けにくくなる。 According to the fourth embodiment of the present invention described above, as in the first embodiment, the connection terminals are not easily detached from the substrate, and a good contact state can be stably maintained. In particular, in the fourth embodiment, since the protrusion as the retaining means is formed on the inner peripheral surface of the holding member, the connection terminal is more difficult to come off.
(実施の形態5)
図6は、本発明の実施の形態5に係るパワーモジュールの要部の構成を示す断面図である。同図に示すパワーモジュール18は、基板2と、外部の回路と基板2とを電気的に接続する導電性の接続端子19と、基板2の表面に接合され、該表面と直交する方向に延びる柱状をなし、接続端子19を保持する導電性の保持部材20と、を備える。
(Embodiment 5)
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration of a main part of a power module according to
接続端子19はコイルばねであり、保持部材20の外周部に圧入されて密着固定される密着巻き部191と、先端で制御回路基板と接触する粗巻き部192とを有する。接続端子19は、接続端子3と同様の材料を用いて構成される。
The
密着巻き部191は、粗巻き部192と連結する連結部191aと、連結部191aの端部に連結して連結部191aよりも径が小さい小径部191bとを有する。
The tightly wound
保持部材20は、基板2の電極7の表面と直交する方向に立設され、略円柱状をなす金属または合金からなる。保持部材20は、外周部で接続端子19を密着した状態で保持する。保持部材20は、電極7に対して半田等によって接合される。
The holding
保持部材20の外周面であって電極7に接合する部分には、他の部分よりも径が小さく切り欠かれた切欠部201が形成されている。切欠部201は、密着巻き部191の小径部191bと密着することにより、接続端子19の保持部材20からの抜け止めを行う。保持部材20は、電極7に対して半田等によって接合される。
A portion of the outer peripheral surface of the holding
接続端子19を保持部材20に固定する際には、保持部材20の外周面を削って新生面を露出させた後、密着巻き部191の内径が拡大する方向に密着巻き部191をねじった状態で保持部材20の外周面へ圧入し、小径部191bを切欠部201に嵌合させて密着固定する。これにより、パワーモジュール18における接続端子19の取付構造が実現される。
When fixing the
以上説明した本発明の実施の形態5によれば、実施の形態1と同様、接続端子が基板から外れにくく、良好な接触状態を安定的に維持することができる。特に、本実施の形態5においては、保持部材の外周面に抜け止め手段としての切欠部が形成されるため、接続端子が一段と抜けにくくなる。 According to the fifth embodiment of the present invention described above, as in the first embodiment, the connection terminals are unlikely to be detached from the substrate, and a good contact state can be stably maintained. In particular, in the fifth embodiment, since the notch portion as the retaining means is formed on the outer peripheral surface of the holding member, the connection terminal is more difficult to come off.
また、本実施の形態5によれば、接続端子を保持部材の外周側に圧入するため、接続端子の径を大きくすることができる。したがって、接続端子の成形が容易であるとともに、保持部材への挿入も容易である。 Further, according to the fifth embodiment, since the connection terminal is press-fitted into the outer peripheral side of the holding member, the diameter of the connection terminal can be increased. Therefore, it is easy to form the connection terminal, and it is easy to insert the connection terminal into the holding member.
なお、本実施の形態5において、保持部材を中空円筒形状としてもよい。 In the fifth embodiment, the holding member may have a hollow cylindrical shape.
また、本実施の形態5において、保持部材の切欠部は、保持部材の任意の位置に形成することができる。その場合、切欠部の形成位置に応じて接続端子の小径部を設けることはいうまでもない。 In the fifth embodiment, the notch portion of the holding member can be formed at an arbitrary position of the holding member. In that case, needless to say, the small diameter portion of the connection terminal is provided according to the formation position of the notch.
ここまで、本発明の実施するための形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施の形態1〜5によってのみ限定されるべきものではない。例えば、本発明において、制御信号用と電流用とで接続端子および保持部材の径を変えてもよい。具体的には、大電流を流す電流用の接続端子および保持部材の径を、比較的少ない電流で済む制御信号用の接続端子および保持部材の径よりそれぞれ大きくしてもよい。 Up to this point, the mode for carrying out the present invention has been described, but the present invention should not be limited only by the above-described first to fifth embodiments. For example, in the present invention, the diameters of the connection terminal and the holding member may be changed for the control signal and the current. Specifically, the diameters of the connection terminal for current and the holding member through which a large current flows may be larger than the diameters of the connection terminal for control signal and the holding member that require a relatively small current.
また、本発明において、保持部材は角柱状をなしていてもよいし、中空角柱状をなしていてもよい。 In the present invention, the holding member may have a prismatic shape or a hollow prismatic shape.
また、本発明において、基板の表面を保持部材の高さまで樹脂で封止してもよい。このような樹脂として、例えばフィラーとしてシリカ粉末が充填されたエポキシ樹脂を適用することができる。 Moreover, in this invention, you may seal the surface of a board | substrate with resin to the height of a holding member. As such a resin, for example, an epoxy resin filled with silica powder as a filler can be used.
また、本発明において、シリコンなどの樹脂、またはマシナブルセラミックスなどの絶縁性材料を用いて形成され、基板に取り付けられて複数の接続端子を個別に収容する接続端子ホルダを設けてもよい。 In the present invention, a connection terminal holder that is formed using an insulating material such as a resin such as silicon or a machinable ceramic and that is attached to a substrate and individually accommodates a plurality of connection terminals may be provided.
このように、本発明は、ここでは記載していないさまざまな実施の形態等を含みうるものであり、特許請求の範囲により特定される技術的思想を逸脱しない範囲内において種々の設計変更等を施すことが可能である。 Thus, the present invention can include various embodiments and the like not described herein, and various design changes and the like can be made without departing from the technical idea specified by the claims. It is possible to apply.
1、9、12、15、18 パワーモジュール
2 基板
3、10、13、16、19 接続端子
4、11、14、17、20 保持部材
5 母材
6 半導体素子
7 電極
8 ワイヤ
31、101、131、161、191 密着巻き部
32、102、132、162、192 粗巻き部
41、141、171 中空部
131a、161a テーパ部
131b、161b、191b 小径部
131c フランジ部
142 凹部
172 突起部
191a 連結部
201 切欠部
1, 9, 12, 15, 18
Claims (12)
線材をらせん状に巻回したコイルばね状をなし、外部の回路と接触することによって該回路と前記基板とを電気的に接続する導電性の接続端子と、
前記基板の表面に接合され、該表面と直交する方向に延びる柱状をなし、前記接続端子を保持する導電性の保持部材と、
を備え、
前記接続端子は、
前記線材が密着巻きされ、少なくとも一部が前記保持部材と接触して該保持部材に保持される密着巻き部と、
前記密着巻き部よりも粗いピッチで前記線材が巻回される粗巻き部と、
を有することを特徴とするパワーモジュール。 A substrate on which a semiconductor element is mounted;
A coil spring shape in which a wire is wound in a spiral shape, and a conductive connection terminal that electrically connects the circuit and the substrate by contact with an external circuit;
A conductive holding member which is bonded to the surface of the substrate and has a column shape extending in a direction perpendicular to the surface, and holds the connection terminal;
With
The connection terminal is
The wire rod is tightly wound, and at least part of the wire is in contact with the holding member and is held by the holding member;
A coarsely wound portion around which the wire is wound at a coarser pitch than the tightly wound portion;
A power module comprising:
前記内周面に設けられた凹部であり、
前記密着巻き部は、
前記凹部と嵌合し、当該密着巻き部の他の部分よりも径が大きいフランジ部を有することを特徴とする請求項3に記載のパワーモジュール。 The retaining means is
A recess provided in the inner peripheral surface,
The tightly wound portion is
The power module according to claim 3, wherein the power module has a flange portion that fits into the concave portion and has a larger diameter than other portions of the tightly wound portion.
前記内周面から突起した突起部であることを特徴とする請求項3に記載のパワーモジュール。 The retaining means is
The power module according to claim 3, wherein the power module is a protrusion protruding from the inner peripheral surface.
前記外周面の一部が切り欠かれた切欠部であり、
前記密着巻き部は、
前記切欠部と嵌合し、当該密着巻き部の他の部分よりも径が小さい小径部を有することを特徴とする請求項7に記載のパワーモジュール。 The retaining means is
A part of the outer peripheral surface is notched,
The tightly wound portion is
The power module according to claim 7, wherein the power module has a small diameter portion that fits into the cutout portion and has a smaller diameter than other portions of the tightly wound portion.
前記基板の表面に接合され、該表面と直交する方向に延びる柱状をなし、前記接続端子を保持する導電性の保持部材を備え、
前記接続端子は、
線材がらせん状に密着巻きされ、少なくとも一部が前記保持部材と接触して該保持部材に保持される密着巻き部と、
前記密着巻き部よりも粗いピッチで前記線材がらせん状に巻回される粗巻き部と、
を有することを特徴とするパワーモジュールにおける接続端子の取付構造。 A connection structure for a connection terminal in a power module, which includes a semiconductor element, a substrate on which the semiconductor element is mounted, and an external circuit and a conductive connection terminal that electrically connects the substrate,
A columnar shape bonded to the surface of the substrate and extending in a direction orthogonal to the surface, and having a conductive holding member that holds the connection terminal,
The connection terminal is
A tightly wound portion in which the wire is tightly wound in a spiral shape, and at least part of the wire is in contact with the holding member and is held by the holding member;
A coarsely wound portion in which the wire is spirally wound at a coarser pitch than the tightly wound portion;
A connection terminal mounting structure in a power module, comprising:
線材がらせん状に密着巻きされ、少なくとも一部が前記保持部材と接触して該保持部材に保持される密着巻き部と、
前記密着巻き部よりも粗いピッチで前記線材がらせん状に巻回される粗巻き部と、
を備えたことを特徴とする接続端子。 A part of a power module including a semiconductor element, a substrate on which the semiconductor element is mounted, and a conductive holding member that is bonded to the surface of the substrate and extends in a direction orthogonal to the surface, A conductive connection terminal for electrically connecting an external circuit and the substrate by being held by the holding member;
A tightly wound portion in which the wire is tightly wound in a spiral shape, and at least part of the wire is in contact with the holding member and is held by the holding member;
A coarsely wound portion in which the wire is spirally wound at a coarser pitch than the tightly wound portion;
A connection terminal characterized by comprising:
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JP4998838B2 (en) * | 2010-04-09 | 2012-08-15 | 山一電機株式会社 | Probe pin and IC socket having the same |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015020176A1 (en) * | 2013-08-09 | 2015-02-12 | 日本発條株式会社 | Connection terminal, power module, and energization unit |
WO2021085216A1 (en) * | 2019-10-29 | 2021-05-06 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device, electric power conversion device, and method for producing semiconductor device |
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