JP2013231163A - Compound, resin, resist composition, and method for production of resist pattern - Google Patents

Compound, resin, resist composition, and method for production of resist pattern Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a compound useful as a material of the resin for a resist composition, capable of obtaining a pattern with less flaw marks and having good pattern.SOLUTION: There is provided a compound represented by formula (I) (wherein Ris hydrogen or methyl; Ais 1-6C alkanediyl; Ais 1-18C divalent saturated hydrocarbon having halogen; Xis *-CO-O- or *-O-CO-; * is a hand bonding to A; Ais a single bond or 1-6C alkanediyl; and Wis a heterocycle ring which may have a substituent).

Description

本発明は、化合物、樹脂、レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法に関する。   The present invention relates to a compound, a resin, a resist composition, and a method for producing a resist pattern using the resist composition.

特許文献1には、塩基性酸解離基を含む構成単位(f1)と式(f2−1)で表される構成単位(f2−1)とを有する含フッ素高分子化合物、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が増大する樹脂、及び酸発生剤を含有するレジスト組成物が記載されている。

Figure 2013231163
(式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のフルオロアルキル基を表す。Wは多環式の脂肪族環式基を含む基である。) Patent Document 1 discloses a fluorine-containing polymer compound having a structural unit (f1) containing a basic acid dissociable group and a structural unit (f2-1) represented by the formula (f2-1), an alkali by the action of an acid. A resist composition containing a resin with increased solubility in an aqueous solution and an acid generator is described.
Figure 2013231163
(In the formula, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms. W is a group containing a polycyclic aliphatic cyclic group.)

特開2010−197413号公報JP 2010-197413 A

本発明の目的は、欠陥数が少なく且つ形状がよいパターンを得ることができるレジスト組成物用の樹脂の材料として有用な化合物を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a compound useful as a resin material for a resist composition that can obtain a pattern having a small number of defects and a good shape.

本発明は、以下の発明を含む。
〔1〕式(I)で表される化合物。

Figure 2013231163
[式(I)中、
は、水素原子又はメチル基を表す。
は、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。
は、ハロゲン原子を有する炭素数1〜18の2価の飽和炭化水素基を表す。
は、*−CO−O−又は*−O−CO−を表す。*は、Aとの結合手を表す。
は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。
環Wは、置換基を有してもよい複素環を表す。]
〔2〕環Wが、環状エーテル構造を含む環である〔1〕記載の化合物。
〔3〕〔1〕又は〔2〕記載の化合物に由来する構造単位を有する樹脂。
〔4〕〔3〕記載の樹脂、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が増大する樹脂及び酸発生剤を含むレジスト組成物。
〔5〕(1)上記〔3〕または〔4〕記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。 The present invention includes the following inventions.
[1] A compound represented by the formula (I).
Figure 2013231163
[In the formula (I),
R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
A 1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms.
A 2 represents a C 1-18 divalent saturated hydrocarbon group having a halogen atom.
X 1 represents * —CO—O— or * —O—CO—. * Represents a bond to A 2.
A 3 represents a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms.
Ring W 1 represents a heterocyclic ring which may have a substituent. ]
[2] The compound according to [1], wherein the ring W 1 is a ring containing a cyclic ether structure.
[3] A resin having a structural unit derived from the compound according to [1] or [2].
[4] A resist composition comprising the resin according to [3], a resin whose solubility in an alkaline aqueous solution is increased by the action of an acid, and an acid generator.
[5] (1) A step of applying the resist composition according to [3] or [4] on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating,
A method for producing a resist pattern including:

本発明によれば、欠陥数が少なく且つ形状がよいレジストパターンを形成できるレジスト組成物を得ることができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the resist composition which can form a resist pattern with few defects and a favorable shape can be obtained.

ラインアンドスペースのレジストパターンにおける断面形状を模式的に表す図である。It is a figure which represents typically the cross-sectional shape in a line and space resist pattern.

本明細書において、化学式中の各置換基は、特に断りのない限り、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示を適用する。各基において、立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。以下の置換基の例示において、「C」に付して記載した数値は、各々の基の炭素数を示す。   In this specification, unless otherwise specified, each substituent in the chemical formula applies the following examples of substituents while appropriately selecting the number of carbon atoms. In each group, when stereoisomers exist, all stereoisomers are included. In the following examples of substituents, the numerical value attached to “C” indicates the carbon number of each group.

炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含する。
脂肪族炭化水素基は、鎖式の脂肪族炭化水素基、環式の脂肪族炭化水素基(以下「脂環式炭化水素基」という場合がある。)及びこれらを組み合わせた基を包含する。また、鎖式の脂肪族炭化水素基は、直鎖状脂肪族炭化水素基及び分岐状脂肪族炭化水素基を包含する。脂肪族炭化水素基は、脂肪族不飽和炭化水素基でもよいが、脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。
The hydrocarbon group includes an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group.
The aliphatic hydrocarbon group includes a chain aliphatic hydrocarbon group, a cyclic aliphatic hydrocarbon group (hereinafter sometimes referred to as “alicyclic hydrocarbon group”), and a group obtained by combining these. The chain aliphatic hydrocarbon group includes a linear aliphatic hydrocarbon group and a branched aliphatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group may be an aliphatic unsaturated hydrocarbon group, but is preferably an aliphatic saturated hydrocarbon group.

1価の鎖式の脂肪族炭化水素基としては、例えば、アルキル基が挙げられる。
アルキル基としては、例えば、メチル基(C)、エチル基(C)、プロピル基(C)、ブチル基(C)、ペンチル基(C)、ヘキシル基(C)、ヘプチル基(C)、オクチル基(C)、デシル基(C10)、ドデシル基(C12)、ヘキサデシル基(C14)、ペンタデシル基(C15)、ヘキシルデシル基(C16)、ヘプタデシル基(C17)及びオクタデシル基(C18)等が挙げられる。
2価の鎖式の脂肪族炭化水素基としては、例えば、アルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が挙げられ、その具体例は、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基、エタン−1,1−ジイル基、プロパン−1,1−ジイル基、プロパン−2,2−ジイル基、ブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基及び2−メチルブタン−1,4−ジイル基等である。
Examples of the monovalent chain aliphatic hydrocarbon group include an alkyl group.
Examples of the alkyl group include a methyl group (C 1 ), an ethyl group (C 2 ), a propyl group (C 3 ), a butyl group (C 4 ), a pentyl group (C 5 ), a hexyl group (C 6 ), and heptyl. group (C 7), octyl (C 8), decyl (C 10), dodecyl (C 12), hexadecyl (C 14), pentadecyl (C 15), hexyl decyl group (C 16), heptadecyl Examples thereof include a group (C 17 ) and an octadecyl group (C 18 ).
Examples of the divalent chain aliphatic hydrocarbon group include an alkanediyl group obtained by removing one hydrogen atom from an alkyl group, and specific examples thereof include a methylene group, an ethylene group, propane-1,3- Diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1,6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane- 1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl group, dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl Group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1,16-diyl group, heptadecane-1,17-diyl group, ethane-1,1-diyl group, propane-1 1-diyl group, propane-2,2-diyl group, butane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1 , 4-diyl group and 2-methylbutane-1,4-diyl group.

環式の脂肪族炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれをも包含する。
1価の単環式の脂肪族炭化水素基は、例えば、式(KA−1)〜(KA−7)で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。

Figure 2013231163
The cyclic aliphatic hydrocarbon group includes both monocyclic and polycyclic groups.
The monovalent monocyclic aliphatic hydrocarbon group is, for example, a group obtained by removing one hydrogen atom of a cycloalkane represented by the formulas (KA-1) to (KA-7).
Figure 2013231163

1価の多環式の脂肪族炭化水素基は、例えば、式(KA−8)〜(KA−23)で表される脂肪族炭化水素の水素原子を1個取り去った基である。

Figure 2013231163
The monovalent polycyclic aliphatic hydrocarbon group is, for example, a group obtained by removing one hydrogen atom of the aliphatic hydrocarbon represented by the formulas (KA-8) to (KA-23).
Figure 2013231163

2価の環式の脂肪族炭化水素基としては、例えば、式(KA−1)〜式(KA−23)の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が挙げられる。   Examples of the divalent cyclic aliphatic hydrocarbon group include groups in which two hydrogen atoms have been removed from the alicyclic hydrocarbon of the formula (KA-1) to the formula (KA-23).

前記脂肪族炭化水素基が置換基を有する場合の置換基としては、特に断りのない限り、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基等が挙げられる。   As the substituent when the aliphatic hydrocarbon group has a substituent, for example, a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, an aryl group, an aralkyl group, and an aryloxy group, unless otherwise specified. Etc.

1価の芳香族炭化水素基としては、フェニル基(C)、トリル基(C)、キシリル(C)、クメニル基(C)、メシチル基(C)、ナフチル基(C10)、アントリル基(C14)、ビフェニル基(C12)、フェナントリル基(C14)及びフルオレニル基(C13)等のアリール基が挙げられる。
2価の芳香族炭化水素基は、例えば、これらのアリール基から、さらに水素原子を1個取り去ったアリーレン基を挙げられる。
Examples of the monovalent aromatic hydrocarbon group include a phenyl group (C 6 ), a tolyl group (C 7 ), a xylyl (C 8 ), a cumenyl group (C 9 ), a mesityl group (C 9 ), and a naphthyl group (C 10 ), Anthryl group (C 14 ), biphenyl group (C 12 ), phenanthryl group (C 14 ) and aryl group such as fluorenyl group (C 13 ).
Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group include an arylene group obtained by removing one hydrogen atom from these aryl groups.

前記芳香族炭化水素基が置換基を有する場合の置換基としては、特に断りのない限り、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アルキル基及びアリールオキシ基等を挙げられる。   Examples of the substituent in the case where the aromatic hydrocarbon group has a substituent include a halogen atom, an alkoxy group, an acyl group, an alkyl group, and an aryloxy group, unless otherwise specified.

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基(C)、エトキシ基(C)、プロポキシ基(C)、ブトキシ基(C)、ペンチルオキシ基(C)、ヘキシルオキシ基(C)、ヘプチルオキシ基(C7)、オクチルオキシ基(C8)、デシルオキシ基(C10)及びドデシルオキシ基(C12)等が挙げられる。
アシル基としては、アセチル基(C)、プロピオニル基(C)、ブチリル基(C)、バレイル基(C)、ヘキサノイル基(C)、ヘプタノイル基(C7)、オクタノイル基(C8)、デカノイル基(C10)及びドデカノイル基(C12)等のアルキル基とカルボニル基とが結合したもの、並びに、ベンゾイル基(C7)等のアリール基とカルボニル基とが結合したものが挙げられる。
アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基及びイソブチリルオキシ基等が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル基(C7)、フェネチル基(C8)、フェニルプロピル基(C9)、ナフチルメチル基(C11)及びナフチルエチル基(C12)等が挙げられる。
アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基(C)、ナフチルオキシ基(C10)、アントリルオキシ基(C14)、ビフェニルオキシ基(C12)、フェナントリルオキシ基(C14)及びフルオレニルオキシ基(C13)等のアリール基と酸素原子とが結合したものが挙げられる。
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
Examples of alkoxy groups include methoxy group (C 1 ), ethoxy group (C 2 ), propoxy group (C 3 ), butoxy group (C 4 ), pentyloxy group (C 5 ), hexyloxy group (C 6 ), heptyl Examples thereof include an oxy group (C 7 ), an octyloxy group (C 8 ), a decyloxy group (C 10 ), and a dodecyloxy group (C 12 ).
Examples of the acyl group include acetyl group (C 2 ), propionyl group (C 3 ), butyryl group (C 4 ), valeryl group (C 5 ), hexanoyl group (C 6 ), heptanoyl group (C 7 ), octanoyl group ( C 8), which alkyl group and a carbonyl group such as a decanoyl group (C 10) and dodecanoyl groups (C 12) is bonded, as well as those in which the aryl group and a carbonyl group such as benzoyl group (C 7) is bonded Is mentioned.
Examples of the acyloxy group include an acetyloxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, and an isobutyryloxy group.
Examples of the aralkyl group include benzyl group (C 7 ), phenethyl group (C 8 ), phenylpropyl group (C 9 ), naphthylmethyl group (C 11 ), and naphthylethyl group (C 12 ).
Aryloxy groups include phenyloxy group (C 6 ), naphthyloxy group (C 10 ), anthryloxy group (C 14 ), biphenyloxy group (C 12 ), phenanthryloxy group (C 14 ) and full Examples include those in which an aryl group such as an oleenyloxy group (C 13 ) and an oxygen atom are bonded.

また、本明細書において「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「CH2=CH−CO−」又は「CH2=C(CH3)−CO−」の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様に「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種」を意味する。 Further, in the present specification, "(meth) acrylic monomer", at least one monomer having a structure of "CH 2 = CH-CO-" or "CH 2 = C (CH 3) -CO- " means. Similarly, “(meth) acrylate” and “(meth) acrylic acid” mean “at least one of acrylate and methacrylate” and “at least one of acrylic acid and methacrylic acid”, respectively.

<式(I)で表される化合物>
本発明の化合物は、式(I)で表される化合物(以下「化合物(I)」という場合がある。)である。

Figure 2013231163
[式(I)中、
は、水素原子又はメチル基を表す。
は、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。
は、ハロゲン原子を有する炭素数1〜18の2価の飽和炭化水素基を表す。
は、*−CO−O−又は*−O−CO−を表す。*は、Aとの結合手を表す。
は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。
環Wは、置換基を有してもよい複素環を表す。] <Compound represented by formula (I)>
The compound of the present invention is a compound represented by the formula (I) (hereinafter sometimes referred to as “compound (I)”).
Figure 2013231163
[In the formula (I),
R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
A 1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms.
A 2 represents a C 1-18 divalent saturated hydrocarbon group having a halogen atom.
X 1 represents * —CO—O— or * —O—CO—. * Represents a bond to A 2.
A 3 represents a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms.
Ring W 1 represents a heterocyclic ring which may have a substituent. ]

及びAにより表されるアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;1−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、1−メチルブタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
1としては、エチレン基が好ましい。
としては、メチレン基が好ましい。
Examples of the alkanediyl group represented by A 1 and A 3 include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, a butane-1,4-diyl group, and a pentane- Linear alkanediyl groups such as 1,5-diyl group and hexane-1,6-diyl group; 1-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2- Examples thereof include branched alkanediyl groups such as methylpropane-1,2-diyl group, 1-methylbutane-1,4-diyl group, and 2-methylbutane-1,4-diyl group.
A 1 is preferably an ethylene group.
A 3 is preferably a methylene group.

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。なかでもフッ素原子が好ましい。
により表される飽和炭化水素基としては、鎖式及び環式のいずれか、並びに、これらを組み合わせた2価の飽和炭化水素基が包含される。この飽和炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜6であり、より好ましくは炭素数2〜3である。
により表されるハロゲン原子を有する飽和炭化水素基は、好ましくはフッ素原子を有する脂肪族飽和炭化水素基である。
ハロゲン原子(好ましくはフッ素原子)を有する鎖式の2価の飽和炭化水素基としては、ジフルオロメチレン基、ペルフルオロエチレン基、ペルフルオロプロパンジイル基、ペルフルオロブタンジイル基、ペルフルオロペンタンジイル基、ジクロロメチレン基及びジブロモメチレン基等が挙げられる。
ハロゲン原子(好ましくはフッ素原子)を有する環式の2価の飽和炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の前記飽和炭化水素基としては、ペルフルオロシクロヘキサンジイル基、ペルクロロシクロヘキサンジイル基等が挙げられる。多環式の前記飽和炭化水素基としては、ペルフルオロアダマンタンジイル基等が挙げられる。
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Of these, a fluorine atom is preferred.
The saturated hydrocarbon group represented by A 2 includes any of a chain type and a cyclic type, and a divalent saturated hydrocarbon group obtained by combining these. This saturated hydrocarbon group preferably has 1 to 6 carbon atoms, more preferably 2 to 3 carbon atoms.
The saturated hydrocarbon group having a halogen atom represented by A 2 is preferably an aliphatic saturated hydrocarbon group having a fluorine atom.
Examples of the chain type divalent saturated hydrocarbon group having a halogen atom (preferably a fluorine atom) include a difluoromethylene group, a perfluoroethylene group, a perfluoropropanediyl group, a perfluorobutanediyl group, a perfluoropentanediyl group, a dichloromethylene group, and And a dibromomethylene group.
The cyclic divalent saturated hydrocarbon group having a halogen atom (preferably a fluorine atom) may be monocyclic or polycyclic. Examples of the monocyclic saturated hydrocarbon group include a perfluorocyclohexanediyl group and a perchlorocyclohexanediyl group. Examples of the polycyclic saturated hydrocarbon group include a perfluoroadamantanediyl group.

環Wにより表される複素環は、好ましくは、炭素数2〜6の環であり、具体的には、炭素数1〜4のアルキレン基と、少なくとも1つの酸素原子、窒素原子及び/又は硫黄原子(好ましくは酸素原子)とを有する環である。該複素環を構成する原子は、1つ又は複数の置換基を有していてよい。
環Wにより表される複素環は、好ましくは、炭素数2〜5の環状エーテル構造を含む環であり、より好ましくは、オキシラン環、オキセタン環、テトラヒドロフラン環又はテトラヒドロピラン環であり、さらに好ましくはオキシラン環又はオキセタン環である。
環Wにより表される複素環としては、式(IA)で表される環等が挙げられる。

Figure 2013231163
[式(IA)中、
s1は、1〜4の整数を表す。t1は、0〜2の整数を表す。但し、s1+t1は、1〜4である。
は、炭素数1〜12の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−で置き換わっていてもよい。
u1は、0〜9の整数を表し、u1が2以上である場合、複数のRは同一又は相異なる。
* はXとの結合手である。] The heterocyclic ring represented by the ring W 1 is preferably a ring having 2 to 6 carbon atoms, specifically, an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and at least one oxygen atom, nitrogen atom and / or A ring having a sulfur atom (preferably an oxygen atom). The atoms constituting the heterocyclic ring may have one or more substituents.
The heterocyclic ring represented by the ring W 1 is preferably a ring containing a cyclic ether structure having 2 to 5 carbon atoms, more preferably an oxirane ring, an oxetane ring, a tetrahydrofuran ring or a tetrahydropyran ring, still more preferably. Is an oxirane ring or an oxetane ring.
Examples of the heterocyclic ring represented by the ring W 1 include a ring represented by the formula (IA).
Figure 2013231163
[In the formula (IA),
s1 represents an integer of 1 to 4. t1 represents the integer of 0-2. However, s1 + t1 is 1-4.
R 2 represents a saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the saturated hydrocarbon group may be replaced by —O—.
u1 represents an integer of 0 to 9, when u1 is 2 or more, plural R 2 are same or different.
* Represents a bond to X 1. ]

環Wにより表される複素環が有する置換基としては、炭素数1〜10の脂肪族飽和炭化水素基であって、1つ又は複数のメチレン基が酸素原子に置き換わってもよい脂肪族飽和炭化水素基が挙げられる。
該脂肪族飽和炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基などの炭素数1〜10のアルキル基;シクロヘキシル基、アダマンチル基などの炭素数3〜10のシクロアルキル基;等が挙げられる。
式(IA)で表される環としては、例えば、以下で表される環が挙げられる。下記式において、*は結合手を表す。

Figure 2013231163
The substituent that the heterocyclic ring represented by the ring W 1 has is an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, in which one or a plurality of methylene groups may be replaced with an oxygen atom. A hydrocarbon group is mentioned.
Examples of the aliphatic saturated hydrocarbon group include alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group and hexyl group; cycloalkyl groups having 3 to 10 carbon atoms such as cyclohexyl group and adamantyl group. Group; etc. are mentioned.
As a ring represented by a formula (IA), the ring represented by the following is mentioned, for example. In the following formula, * represents a bond.
Figure 2013231163

化合物(I)としては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2013231163




Figure 2013231163

As compound (I), the following are mentioned, for example.
Figure 2013231163




Figure 2013231163

上記の化合物において、Rに相当するメチル基が水素原子に置き換わった化合物も、化合物(I)の具体例として挙げることができる。 In the above compounds, compounds in which the methyl group corresponding to R 1 is replaced with a hydrogen atom can also be mentioned as specific examples of the compound (I).

化合物(I)のうち、Xが*−CO−O−(*はAとの結合手を表す。)である化合物(IB)は、例えば、化合物(IB−a)と化合物(IB−b)とを、縮合剤の存在下、溶媒中で反応させることにより製造することができる。以下、断りない限り、符号は前記と同義である。

Figure 2013231163
Among the compounds (I), the compound (IB) in which X 1 is * —CO—O— (* represents a bond to A 2 ) includes, for example, the compound (IB-a) and the compound (IB—). b) can be produced by reacting in a solvent in the presence of a condensing agent. Hereinafter, unless otherwise noted, the symbols are as defined above.
Figure 2013231163

この製造方法に用いる溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
縮合剤としては、1−(3−ジメチルアミノプロピル)−3−エチルカルボジイミド塩酸塩等が挙げられる。
化合物(IB−a)としては、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート等が挙げられる。
Tetrahydrofuran etc. are mentioned as a solvent used for this manufacturing method.
Examples of the condensing agent include 1- (3-dimethylaminopropyl) -3-ethylcarbodiimide hydrochloride.
Examples of the compound (IB-a) include hydroxyethyl methacrylate and hydroxyethyl acrylate.

化合物(IB−b)は、化合物(IB−c)、化合物(IB−d)及び化合物(IB−e)を、溶媒中で反応させることにより、製造することができる。

Figure 2013231163
この製造方法に用いる溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
化合物(IB−c)としては、2,2,3,3,4,4−ヘキサフルオロペンタン二酸無水物及びテトラフルオロこはく酸無水物等が挙げられる。
化合物(IB−d)としては、以下で表される化合物等が挙げられる。
Figure 2013231163
化合物(IB−e)として、ピリジン以外に、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、N―メチルモルホリン及びN―メチルピロリジン等を用いても同反応を行うことができる。 Compound (IB-b) can be produced by reacting compound (IB-c), compound (IB-d) and compound (IB-e) in a solvent.
Figure 2013231163
Tetrahydrofuran etc. are mentioned as a solvent used for this manufacturing method.
Examples of the compound (IB-c) include 2,2,3,3,4,4-hexafluoropentanedioic anhydride and tetrafluorosuccinic anhydride.
Examples of the compound (IB-d) include compounds represented by the following.
Figure 2013231163
In addition to pyridine, the same reaction can be carried out using triethylamine, diisopropylethylamine, N-methylmorpholine, N-methylpyrrolidine and the like as compound (IB-e).

〈式(I)で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂〉
本発明の樹脂は、式(I)で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂(以下「樹脂(A1)」という場合がある)である。
樹脂(A1)は、上述した式(I)で表される化合物に由来する構造単位(以下「構造単位(I)」という場合がある)を有する。
<Resin having a structural unit derived from the compound represented by formula (I)>
The resin of the present invention is a resin having a structural unit derived from the compound represented by the formula (I) (hereinafter sometimes referred to as “resin (A1)”).
The resin (A1) has a structural unit derived from the compound represented by the formula (I) described above (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (I)”).

樹脂(A1)は、構造単位(I)と異なる構造単位を有していてもよい。
構造単位(I)とは異なる構造単位としては、後述する酸不安定モノマー(a1)に由来する構造単位、式(III−1)で表される構造単位(以下「構造単位(III−1)」という場合がある)、式(III−2)で表される構造単位(以下「構造単位(III−2)」という場合がある)等の後述の酸安定モノマーに由来する構造単位、当該分野で用いられる公知のモノマーに由来する構造単位等が挙げられる。好ましくは構造単位(III−1)又は構造単位(III−2)である。
The resin (A1) may have a structural unit different from the structural unit (I).
As the structural unit different from the structural unit (I), a structural unit derived from the acid labile monomer (a1) described later, a structural unit represented by the formula (III-1) (hereinafter “structural unit (III-1)”) A structural unit derived from an acid-stable monomer described later, such as a structural unit represented by the formula (III-2) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (III-2)”), And structural units derived from known monomers used in the above. The structural unit (III-1) or the structural unit (III-2) is preferable.

Figure 2013231163
[式(III−1)中、
11は、水素原子又はメチル基を表す。
11は、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。
12は、フッ素原子を有する炭素数1〜10の炭化水素基を表す。]
Figure 2013231163
[In the formula (III-1),
R 11 represents a hydrogen atom or a methyl group.
A 11 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms.
R 12 represents a C 1-10 hydrocarbon group having a fluorine atom. ]

Figure 2013231163
[式(III−2)中、
21は、水素原子又はメチル基を表す。
環Wは、炭素数6〜10の炭化水素環を表す。
22は、−O−、−CO−O−又は−O−CO−(は環Wとの結合手を表す)を表す。
22は、フッ素原子を有する炭素数1〜6のアルキル基を表す。]
Figure 2013231163
[In the formula (III-2),
R 21 represents a hydrogen atom or a methyl group.
Ring W 2 represents a hydrocarbon ring having 6 to 10 carbon atoms.
A 22 represents —O—, * —CO—O—, or * —O—CO— ( * represents a bond to ring W 2 ).
R 22 represents a C 1-6 alkyl group having a fluorine atom. ]

11により表されるアルカンジイル基としては、式(I)のAと同様の基が挙げられる。 The alkanediyl group represented by A 11, include the same groups as A 1 in formula (I).

12により表されるフッ素原子を有する炭化水素基としては、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有する脂環式炭化水素基等が挙げられる。
フッ素原子を有するアルキル基としては、以下に表す基を含む、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1−ジフルオロエチル基、2,2−ジフルオロエチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、1,1,2,2−テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロプロピル基、パーフルオロエチルメチル基、1−(トリフルオロメチル)−1,2,2,2−テトラフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、1,1,2,2−テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオロブチル基、パーフルオロブチル基、1,1−ビス(トリフルオロ)メチル−2,2,2−トリフルオロエチル基、2−(パーフルオロプロピル)エチル基、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオロペンチル基、パーフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカフルオロペンチル基、1,1−ビス(トリフルオロメチル)−2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基、パーフルオロペンチル基、2−(パーフルオロブチル)エチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカフルオロヘキシル基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,6−ウンデカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基等のフッ化アルキル基が挙げられる。
Examples of the hydrocarbon group having a fluorine atom represented by R 12 include an alkyl group having a fluorine atom and an alicyclic hydrocarbon group having a fluorine atom.
Examples of the alkyl group having a fluorine atom include difluoromethyl group, trifluoromethyl group, 1,1-difluoroethyl group, 2,2-difluoroethyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group including the following groups: Group, perfluoroethyl group, 1,1,2,2-tetrafluoropropyl group, 1,1,2,2,3,3-hexafluoropropyl group, perfluoroethylmethyl group, 1- (trifluoromethyl) -1,2,2,2-tetrafluoroethyl group, perfluoropropyl group, 1,1,2,2-tetrafluorobutyl group, 1,1,2,2,3,3-hexafluorobutyl group, 1 , 1,2,2,3,3,4,4-octafluorobutyl group, perfluorobutyl group, 1,1-bis (trifluoro) methyl-2,2,2-trifluoroethyl group, 2- ( -Fluoropropyl) ethyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4-octafluoropentyl group, perfluoropentyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4,5 , 5-decafluoropentyl group, 1,1-bis (trifluoromethyl) -2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, perfluoropentyl group, 2- (perfluorobutyl) ethyl group, 1 , 1,2,2,3,3,4,4,5,5-decafluorohexyl group, 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,6-undecafluorohexyl And fluorinated alkyl groups such as 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-dodecafluorohexyl group, perfluoropentylmethyl group and perfluorohexyl group.

フッ素原子を有する脂環式炭化水素基は、好ましくは、フッ素原子を有する脂環式飽和炭化水素であり、例えば、ペルフルオロシクロヘキシル基、ペルフルオロアダマンチル基等のフッ化シクロアルキル基が挙げられる。   The alicyclic hydrocarbon group having a fluorine atom is preferably an alicyclic saturated hydrocarbon having a fluorine atom, and examples thereof include fluorinated cycloalkyl groups such as a perfluorocyclohexyl group and a perfluoroadamantyl group.

環Wにより表される炭化水素環としては、例えば、脂環式炭化水素環が挙げられ、好ましくは、飽和の脂環式炭化水素環である。なかでも、アダマンタン環又はシクロヘキサン環が好ましく、アダマンタン環がより好ましい。 Examples of the hydrocarbon ring represented by ring W 2 include an alicyclic hydrocarbon ring, and a saturated alicyclic hydrocarbon ring is preferable. Of these, an adamantane ring or a cyclohexane ring is preferable, and an adamantane ring is more preferable.

構造単位(III−1)としては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2013231163
As structural unit (III-1), the following are mentioned, for example.
Figure 2013231163

Figure 2013231163
Figure 2013231163

上記の構造単位において、R11に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位(III−1)の具体例として挙げることができる。 In the above structural unit, a structural unit in which a methyl group corresponding to R 11 is replaced with a hydrogen atom can also be given as a specific example of the structural unit (III-1).

構造単位(III−2)としては、例えば、以下で表される構造単位が挙げられる。

Figure 2013231163
上記の構造単位において、R21に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位(III−2)の具体例として挙げることができる。 Examples of the structural unit (III-2) include the structural units represented below.
Figure 2013231163
In the above structural unit, a structural unit in which a methyl group corresponding to R 21 is replaced by a hydrogen atom can also be given as a specific example of the structural unit (III-2).

樹脂(A1)中の構造単位(I)の含有量は、樹脂(A1)の全構造単位に対して、5〜100モル%が好ましく、10〜100モル%がより好ましい。
樹脂(A1)が構造単位(III−1)及び/又は構造単位(III−2)を含有する場合、これらの合計含有量は、樹脂(A1)の全構造単位に対して、1〜95モル%が好ましく、2〜80モル%がより好ましく、5〜70モル%がさらに好ましい。
なお、構造単位(III−1)と構造単位(III−2)との含有量比(モル比)〔構造単位(III−1)の含有量:構造単位(III−2)の含有量〕は、通常0:100〜100:0であり、3:97〜97:3が好ましく、50:50〜95:5がより好ましい。
5-100 mol% is preferable with respect to all the structural units of resin (A1), and, as for content of structural unit (I) in resin (A1), 10-100 mol% is more preferable.
When resin (A1) contains structural unit (III-1) and / or structural unit (III-2), these total content is 1-95 mol with respect to all the structural units of resin (A1). % Is preferable, 2 to 80 mol% is more preferable, and 5 to 70 mol% is more preferable.
The content ratio (molar ratio) between the structural unit (III-1) and the structural unit (III-2) [content of the structural unit (III-1): content of the structural unit (III-2)] is Usually, it is 0: 100 to 100: 0, 3:97 to 97: 3 is preferable, and 50:50 to 95: 5 is more preferable.

このような含有量で各構造単位を有する樹脂(A1)は、樹脂(A1)の製造に用いるモノマーの総量に対して、用いる各モノマーを上記のモル比率で使用することにより製造することができる。
樹脂(A1)を構成する各構造単位は、1種のみ又は2種以上を組み合わせて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法(例えばラジカル重合法)によって製造することができる。
樹脂(A1)の重量平均分子量は、好ましくは、5,000以上(より好ましくは7,000以上)、80,000以下(より好ましくは60,000以下)である。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。
The resin (A1) having each structural unit with such a content can be produced by using each monomer to be used in the above molar ratio with respect to the total amount of monomers used for producing the resin (A1). .
Each structural unit constituting the resin (A1) may be used alone or in combination of two or more, and is produced by a known polymerization method (for example, radical polymerization method) using a monomer that derives these structural units. can do.
The weight average molecular weight of the resin (A1) is preferably 5,000 or more (more preferably 7,000 or more) and 80,000 or less (more preferably 60,000 or less). A weight average molecular weight is calculated | required as a conversion value of a standard polystyrene reference | standard by gel permeation chromatography analysis, and the detailed analysis conditions of an analysis are explained in full detail in the Example of this application.

〈レジスト組成物〉
本発明のレジスト組成物は、
(A)樹脂(以下「樹脂(A)」という場合がある)及び
(B)酸発生剤(以下「酸発生剤(B)という場合がある」)を含有する。
ここで、樹脂(A)は、
樹脂(A1)を含み、更に
(A2)酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が増大する樹脂(以下「樹脂(A2)」という場合がある)を含んでよい。
本発明のレジスト組成物は、樹脂(A1)及び樹脂(A2)を、それぞれ1種または2種以上含むものであってよい。
なお、樹脂(A1)は、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が増大してもよいし、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が増大しなくてもよい。本明細書において、樹脂(A2)は構造単位(I)を有しない。
樹脂(A1)が、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が増大する場合、上記レジスト組成物は、樹脂(A)として樹脂(A1)のみ含む組成物であってもよい。樹脂(A)は、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が増大する樹脂(A1)と、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が増大しない樹脂(A1)とからなるものであってもよいし、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が増大する樹脂(A1)からなるものであってもよい。
本発明のレジスト組成物は、さらに(D)溶剤(以下「溶剤(D)」という場合がある)を含有していることが好ましい。
<Resist composition>
The resist composition of the present invention comprises:
(A) A resin (hereinafter sometimes referred to as “resin (A)”) and (B) an acid generator (hereinafter sometimes referred to as “acid generator (B)”).
Here, the resin (A) is
It may contain a resin (A1), and further (A2) a resin whose solubility in an alkaline aqueous solution is increased by the action of an acid (hereinafter sometimes referred to as “resin (A2)”).
The resist composition of the present invention may contain one or more resins (A1) and (A2).
The resin (A1) may have increased solubility in an alkaline aqueous solution due to the action of an acid, or may not increase solubility in an alkaline aqueous solution due to the action of an acid. In the present specification, the resin (A2) does not have the structural unit (I).
When the resin (A1) has increased solubility in an alkaline aqueous solution due to the action of an acid, the resist composition may be a composition containing only the resin (A1) as the resin (A). The resin (A) may be composed of a resin (A1) whose solubility in an alkaline aqueous solution is increased by the action of an acid and a resin (A1) whose solubility in an alkaline aqueous solution is not increased by the action of an acid. It may be made of a resin (A1) whose solubility in an alkaline aqueous solution is increased by the action of an acid.
The resist composition of the present invention preferably further contains (D) a solvent (hereinafter sometimes referred to as “solvent (D)”).

〈樹脂(A)〉
本発明のレジスト組成物に含有されている樹脂(A)は、上述した樹脂(A1)を含み、更に樹脂(A2)や後述するような樹脂(A1)及び(A2)以外の樹脂が含まれていてもよい。
<Resin (A)>
The resin (A) contained in the resist composition of the present invention includes the resin (A1) described above, and further includes the resin (A2) and resins other than the resins (A1) and (A2) as described later. It may be.

〈樹脂(A2)〉
樹脂(A2)は、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が増大する。ここで、「酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が増大する」とは、酸との接触によりアルカリ水溶液への溶解性が増大することを意味する。例えば、酸に不安定な基(以下「酸不安定基」という場合がある。)を有し、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にアルカリ水溶液に可溶となる樹脂が挙げられる。
樹脂(A2)は、後述する酸不安定基を有するモノマー(a1)(以下「酸不安定モノマー(a1)」という場合がある)の1種又は2種以上を重合することによって得ることができる。該重合は、必要に応じ、更に酸不安定モノマー(a1)以外のモノマーを用いて行ってよい。
樹脂(A2)は、上述した性質を備える限り、当該分野で公知のモノマーに由来する構造単位を有してよい。当該分野で公知のモノマーに由来する構造単位としては、上述の構造単位(III−1)及び構造単位(III−2)や、後述の酸安定モノマー(a2)に由来する構造単位等、酸不安定基を有さないモノマー(以下「酸安定モノマー」という場合がある。)に由来する構造単位が挙げられる。
<Resin (A2)>
Resin (A2) has increased solubility in an aqueous alkali solution due to the action of an acid. Here, “the solubility in an alkaline aqueous solution is increased by the action of an acid” means that the solubility in an alkaline aqueous solution is increased by contact with an acid. For example, it has an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid labile group”), and is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution before contact with an acid, but after contact with an acid, an alkaline aqueous solution Resins that become soluble in
The resin (A2) can be obtained by polymerizing one or more of monomers (a1) having an acid labile group described below (hereinafter sometimes referred to as “acid labile monomer (a1)”). . The polymerization may be performed using a monomer other than the acid labile monomer (a1) as necessary.
The resin (A2) may have a structural unit derived from a monomer known in the art as long as it has the properties described above. Structural units derived from monomers known in the art include acid units such as the above-mentioned structural units (III-1) and (III-2) and structural units derived from the acid-stable monomer (a2) described below. Examples thereof include a structural unit derived from a monomer having no stabilizing group (hereinafter sometimes referred to as “acid-stable monomer”).

〈酸不安定モノマー(a1)〉
「酸不安定基」とは、脱離基を有し、酸と接触すると脱離基が脱離して、親水性基(例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基)を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、式(1)で表される基、式(2)で表される基等が挙げられる。
<Acid labile monomer (a1)>
The “acid labile group” means a group that has a leaving group, and the leaving group is removed by contact with an acid to form a hydrophilic group (for example, a hydroxy group or a carboxy group). Examples of the acid labile group include a group represented by the formula (1) and a group represented by the formula (2).

Figure 2013231163
[式(1)中、Ra1、Ra2及びRa3は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、又はアルキル基で置換されていてもよい炭素数3〜20の脂環式炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。*は結合手を表す。]
Figure 2013231163
[式(2)中、Ra1’及びRa2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、Ra3’は、炭素数1〜20の炭化水素基を表すか、Ra2’及びRa3’は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成し、前記炭化水素基及び前記2価の炭化水素基に含まれる−CH−は、−O―又は―S−で置き換わってもよい。]
Figure 2013231163
[In the formula (1), R a1 , R a2 and R a3 are each independently an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an alicyclic carbon atom having 3 to 20 carbon atoms which may be substituted with an alkyl group. R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. * Represents a bond. ]
Figure 2013231163
[In formula (2), R a1 ′ and R a2 ′ each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and R a3 ′ represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R a2 ′ and R a3 ′ are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group and the divalent hydrocarbon group. May be replaced by -O- or -S-. ]

a1、Ra2及びRa3により表される脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基で置換されていてもよい。この場合、該脂環式炭化水素基の炭素数は、アルキル基の炭素数も含めて20以下である。
単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基(*は結合手を表す。)等が挙げられる。

Figure 2013231163
アルキル基で置換された脂環式炭化水素基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。
式(1)においては、Ra1、Ra2及びRa3により表される脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜16である。 The alicyclic hydrocarbon group represented by R a1 , R a2 and R a3 may be monocyclic or polycyclic, and the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group is an alkyl group. May be substituted. In this case, the carbon number of the alicyclic hydrocarbon group is 20 or less including the carbon number of the alkyl group.
Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, norbornyl group, and the following groups (* represents a bond).
Figure 2013231163
Examples of the alicyclic hydrocarbon group substituted with an alkyl group include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, and a methylnorbornyl group.
In the formula (1), the alicyclic hydrocarbon group represented by R a1 , R a2 and R a3 preferably has 3 to 16 carbon atoms.

a1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合の−C(Ra1)(Ra2)(Ra3)としては、下記の基が挙げられる。2価の炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜12である。

Figure 2013231163
Examples of —C (R a1 ) (R a2 ) (R a3 ) in the case where R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group include the following groups. The divalent hydrocarbon group preferably has 3 to 12 carbon atoms.

Figure 2013231163

式(1)で表される基としては、例えば、1,1−ジアルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1、Ra2及びRa3がアルキル基である基、好ましくはtert−ブトキシカルボニル基)、2−アルキルアダマンタン−2−イルオキシカルボニル基(式(1)中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基)及び1−(アダマンタン−1−イル)−1−アルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基)等が挙げられる。 Examples of the group represented by the formula (1) include a 1,1-dialkylalkoxycarbonyl group (a group in which R a1 , R a2 and R a3 are alkyl groups in the formula (1), preferably tert-butoxycarbonyl). Group), 2-alkyladamantan-2-yloxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 , R a2 and a carbon atom form an adamantyl group, and R a3 is an alkyl group) and 1- (adamantane) -1-yl) -1-alkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 and R a2 are alkyl groups, and R a3 is an adamantyl group).

a1’、Ra2’及びRa3’により表される炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。
a2’及びRa3’が互いに結合して形成する2価の炭化水素基としては、例えば、2価の脂肪族炭化水素基が挙げられる。
Examples of the hydrocarbon group represented by R a1 ′ , R a2 ′ and R a3 ′ include an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group.
Examples of the divalent hydrocarbon group formed by combining R a2 ′ and R a3 ′ include a divalent aliphatic hydrocarbon group.

式(2)においては、Ra1’及びRa2’のうち、少なくとも1つは水素原子であることが好ましい。
式(2)で表される基の具体例としては、例えば、以下の基が挙げられる。

Figure 2013231163
In the formula (2), it is preferable that at least one of R a1 ′ and R a2 ′ is a hydrogen atom.
Specific examples of the group represented by the formula (2) include the following groups.
Figure 2013231163

酸不安定モノマー(a1)は、好ましくは、酸不安定基とエチレン性二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーである。   The acid labile monomer (a1) is preferably a monomer having an acid labile group and an ethylenic double bond, more preferably a (meth) acrylic monomer having an acid labile group.

酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数5〜20の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有する酸不安定モノマー(a1)に由来する構造単位を有する樹脂をレジスト組成物の調製に使用すれば、レジストパターンの解像度を向上させることができる。   Among the (meth) acrylic monomers having an acid labile group, those having an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms are preferable. If a resin having a structural unit derived from an acid labile monomer (a1) having a bulky structure such as an alicyclic hydrocarbon group is used for preparing a resist composition, the resolution of the resist pattern can be improved. .

酸不安定基(1)を有する(メタ)アクリル系モノマーに由来する構造単位として、好ましくは式(a1−1)で表される構造単位又は式(a1−2)で表される構造単位が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。本明細書では、式(a1−1)で表される構造単位及び式(a1−2)で表される構造単位を、それぞれ構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−2)と、構造単位(a1−1)を誘導するモノマー及び構造単位(a1−2)を誘導するモノマーを、それぞれモノマー(a1−1)及びモノマー(a1−2)という場合がある。   As a structural unit derived from a (meth) acrylic monomer having an acid labile group (1), a structural unit represented by the formula (a1-1) or a structural unit represented by the formula (a1-2) is preferable. Can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. In this specification, the structural unit represented by the formula (a1-1) and the structural unit represented by the formula (a1-2) are represented by the structural unit (a1-1) and the structural unit (a1-2), respectively. The monomer that derives the structural unit (a1-1) and the monomer that derives the structural unit (a1-2) may be referred to as a monomer (a1-1) and a monomer (a1-2), respectively.

Figure 2013231163
[式(a1−1)及び式(a1−2)中、
a1及びLa2は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−を表し、k1は1〜7の整数を表し、*は−CO−との結合手を表す。
a4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、又はアルキル基で置換されていてもよい炭素数3〜10の脂環式炭化水素基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
n1は0〜10の整数を表す。
n1’は0〜3の整数を表す。]
Figure 2013231163
[In Formula (a1-1) and Formula (a1-2),
L a1 and L a2 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to —CO—. Represents a hand.
R a4 and R a5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 and R a7 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms which may be substituted with an alkyl group.
m1 represents the integer of 0-14.
n1 represents an integer of 0 to 10.
n1 ′ represents an integer of 0 to 3. ]

a1及びLa2は、好ましくは、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−であり、より好ましくは−O−である。k1は、好ましくは1〜4の整数、より好ましくは1である。
a4及びRa5は、好ましくはメチル基である。
a6及びRa7により表されるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。Ra6及びRa7のアルキル基は、好ましくは炭素数6以下である。
a6及びRa7により表される脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基で置換されていてもよい。この場合、該脂環式炭化水素基の炭素数は、アルキル基の炭素数も含めて18以下である。具体的には、式(1)のRa1〜Ra3により表される脂環式炭化水素基と同様の基が挙げられる。
m1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1’は好ましくは0又は1である。
L a1 and L a2 are preferably —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, more preferably —O—. k1 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R a4 and R a5 are preferably methyl groups.
Examples of the alkyl group represented by R a6 and R a7 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group. The alkyl group for R a6 and R a7 preferably has 6 or less carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group represented by R a6 and R a7 may be monocyclic or polycyclic, and the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group is substituted with an alkyl group. May be. In this case, the carbon number of the alicyclic hydrocarbon group is 18 or less including the carbon number of the alkyl group. Specific examples include the same groups as the alicyclic hydrocarbon groups represented by R a1 to R a3 in formula (1).
m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 ′ is preferably 0 or 1.

モノマー(a1−1)としては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式(a1−1−1)〜式(a1−1−8)のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式(a1−1−1)〜式(a1−1−4)のいずれかで表されるモノマーがより好ましい。

Figure 2013231163
As a monomer (a1-1), the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned, for example. Among these, a monomer represented by any one of formula (a1-1-1) to formula (a1-1-8) is preferable, and any one of formula (a1-1-1) to formula (a1-1-4) is preferable. The monomer represented by is more preferable.

Figure 2013231163

モノマー(a1−2)としては、例えば、1−エチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘプタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−メチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−イソプロピルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート等が挙げられる。式(a1−2−1)〜式(a1−2−12)で表されるモノマーが好ましく、式(a1−2−3)、式(a1−2−4)、式(a1−2−9)及び式(a1−2−10)で表されるモノマーがより好ましく、式(a1−2−3)及び式(a1−2−9)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Figure 2013231163
Examples of the monomer (a1-2) include 1-ethylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate, and 1-ethylcycloheptan-1-yl (meth). Examples include acrylate, 1-methylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, and 1-isopropylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate. Monomers represented by formula (a1-2-1) to formula (a1-2-12) are preferred, and are represented by formula (a1-2-3), formula (a1-2-4), formula (a1-2-9) ) And a monomer represented by formula (a1-2-10) are more preferable, and a monomer represented by formula (a1-2-3) and formula (a1-2-9) is more preferable.

Figure 2013231163

樹脂(A2)が構造単位(a1−1)及び/又は構造単位(a1−2)を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂(A2)の全構造単位に対して、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。   When resin (A2) contains structural unit (a1-1) and / or structural unit (a1-2), these total content rates are 10-95 mol normally with respect to all the structural units of resin (A2). %, Preferably 15 to 90 mol%, more preferably 20 to 85 mol%.

他の酸不安定モノマー(a1)としては、例えば、酸不安定基(2)を有する(メタ)アクリル系モノマーである式(a1−5)で表されるモノマー(以下「モノマー(a1−5)」という場合がある)を用いてもよい。

Figure 2013231163
式(a1−5)中、
31は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
は、単結合又は*−[CH2k1−CO−L−基を表す。ここで、k1は1〜4の整数を表す。*は、Lとの結合手を表す。
、L、L及びLは、それぞれ独立に、−O−又は−S−を表す。
s1は、1〜3の整数を表す。
s1’は、0〜3の整数を表す。 Examples of the other acid labile monomer (a1) include a monomer represented by the formula (a1-5) which is a (meth) acrylic monomer having an acid labile group (2) (hereinafter referred to as “monomer (a1-5)”. ) ”May be used.

Figure 2013231163
In formula (a1-5),
R 31 represents a C 1-6 alkyl group which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
Z 1 represents a single bond or a * — [CH 2 ] k1 —CO—L 4 — group. Here, k1 represents an integer of 1 to 4. * Represents a bond to L 1.
L 1 , L 2 , L 3 and L 4 each independently represent —O— or —S—.
s1 represents an integer of 1 to 3.
s1 ′ represents an integer of 0 to 3.

式(a1−5)においては、R31は、水素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基が好ましい。
は、酸素原子が好ましい。
及びLは、一方が酸素原子、他方が硫黄原子が好ましい。
s1は、1が好ましい。
s1’は、0〜2の整数が好ましい。
は、単結合又は−CH−CO−O−が好ましい。
In formula (a1-5), R 31 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.
L 1 is preferably an oxygen atom.
One of L 2 and L 3 is preferably an oxygen atom and the other is a sulfur atom.
s1 is preferably 1.
s1 ′ is preferably an integer of 0 to 2.
Z 1 is preferably a single bond or —CH 2 —CO—O—.

モノマー(a1−5)としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。

Figure 2013231163
As a monomer (a1-5), the following monomers are mentioned, for example.

Figure 2013231163

Figure 2013231163
Figure 2013231163

Figure 2013231163
Figure 2013231163

Figure 2013231163
Figure 2013231163

Figure 2013231163
Figure 2013231163

Figure 2013231163
Figure 2013231163

樹脂(A)が、モノマー(a1−5)に由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、1〜50モル%が好ましく、3〜45モル%がより好ましく、5〜40モル%がさらに好ましい。   When the resin (A) has a structural unit derived from the monomer (a1-5), the content is preferably from 1 to 50 mol%, preferably from 3 to 45 mol, based on all structural units of the resin (A). % Is more preferable, and 5 to 40 mol% is more preferable.

〈酸安定モノマー〉
酸安定モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(以下「ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)」という場合がある)又はラクトン環を含有する酸安定モノマー(以下「ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)」という場合がある)に由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストパターンの解像度及び基板との密着性を向上させることができる。
<Acid stable monomer>
As an acid stable monomer, Preferably, the monomer which has a hydroxyl group or a lactone ring is mentioned. Acid stable monomer having a hydroxy group (hereinafter sometimes referred to as “acid stable monomer having a hydroxy group (a2)”) or acid stable monomer having a lactone ring (hereinafter referred to as “acid stable monomer having a lactone ring (a3)”) If a resin having a structural unit derived from (sometimes) is used, the resolution of the resist pattern and the adhesion to the substrate can be improved.

〈ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)〉
レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光(248nm)、電子線又はEUV(超紫外光)などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、好ましくは、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーを使用する。短波長のArFエキシマレーザ露光(193nm)などを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、好ましくは、式(a2−1)で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用する。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
<Acid-stable monomer having a hydroxy group (a2)>
When the resist composition is used for high energy beam exposure such as KrF excimer laser exposure (248 nm), electron beam or EUV (ultra-ultraviolet light), the acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably a hydroxystyrene. An acid stable monomer having a certain phenolic hydroxy group is used. When using short-wavelength ArF excimer laser exposure (193 nm) or the like, the acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably an acid-stable monomer having a hydroxyadamantyl group represented by the formula (a2-1). use. The acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group may be used alone or in combination of two or more.

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式(a2−1)で表されるモノマーが挙げられる。

Figure 2013231163
式(a2−1)中、
a3は、−O−又は−O−(CH2k2−CO−O−を表し、
k2は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
a14は、水素原子又はメチル基を表す。
a15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
o1は、0〜10の整数を表す。 Examples of the acid stable monomer having a hydroxyadamantyl group include a monomer represented by the formula (a2-1).
Figure 2013231163
In formula (a2-1),
L a3 represents —O— or * —O— (CH 2 ) k2 —CO—O—,
k2 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a14 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a15 and R a16 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxy group.
o1 represents an integer of 0 to 10.

式(a2−1)では、La3は、好ましくは、−O−、−O−(CH2f1−CO−O−であり(前記f1は、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。
a14は、好ましくはメチル基である。
a15は、好ましくは水素原子である。
a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
o1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
In the formula (a2-1), L a3 is preferably, -O -, - O- (CH 2) f1 -CO-O- and is (wherein f1 is an integer from 1 to 4), more preferably Is —O—.
R a14 is preferably a methyl group.
R a15 is preferably a hydrogen atom.
R a16 is preferably a hydrogen atom or a hydroxy group.
o1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)としては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式(a2−1−1)〜式(a2−1−6)のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式(a2−1−1)〜式(a2−1−4)のいずれかで表されるモノマーがより好ましく、式(a2−1−1)又は式(a2−1−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Figure 2013231163
As an acid stable monomer (a2-1) which has a hydroxyadamantyl group, the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned, for example. A monomer represented by any one of formula (a2-1-1) to formula (a2-1-6) is preferable, and represented by any one of formula (a2-1-1) to formula (a2-1-4). The monomer represented by Formula (a2-1-1) or Formula (a2-1-3) is more preferable.
Figure 2013231163

樹脂(A2)が式(a2−1)で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂(A2)の全構造単位に対して、通常3〜45モル%であり、好ましくは3〜40モル%であり、より好ましくは3〜35モル%である。   When the resin (A2) includes a structural unit derived from the monomer represented by the formula (a2-1), the content is usually 3 to 45 mol% with respect to all the structural units of the resin (A2). , Preferably it is 3-40 mol%, More preferably, it is 3-35 mol%.

〈ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)〉
酸安定モノマー(a3)が有するラクトン環は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、好ましくは、γ−ブチロラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が挙げられる。
<Acid-stable monomer having a lactone ring (a3)>
The lactone ring possessed by the acid stable monomer (a3) may be, for example, a monocycle such as a β-propiolactone ring, γ-butyrolactone ring, or δ-valerolactone ring, and a monocyclic lactone ring and other rings The condensed ring may be used. Among these lactone rings, a γ-butyrolactone ring or a condensed ring of γ-butyrolactone ring and another ring is preferable.

ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)は、好ましくは、式(a3−1)、式(a3−2)又は式(a3−3)で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The acid-stable monomer (a3) having a lactone ring is preferably represented by the formula (a3-1), the formula (a3-2) or the formula (a3-3). These 1 type may be used independently and may use 2 or more types together.

Figure 2013231163
式(a3−1)〜式(a3−3)中、
a4、La5及びLa6は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k3−CO−O−を表す。
k3は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
a18、Ra19及びRa20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a21は、炭素数1〜4のアルキル基を表す。
p1は0〜5の整数を表す。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。
q1及びr1は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。p1が2以上のとき、複数のRa21は同一又は相異なり、q1が2以上のとき、複数のRa22は同一又は相異なり、r1が2以上のとき、複数のRa23は同一又は相異なる。
Figure 2013231163
In formula (a3-1) to formula (a3-3),
L a4 , L a5 and L a6 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—.
k3 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a18 , R a19 and R a20 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a21 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
p1 represents an integer of 0 to 5.
R a22 and R a23 each independently represent a carboxy group, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
q1 and r1 each independently represents an integer of 0 to 3. When p1 is 2 or more, a plurality of R a21 are the same or different. When q1 is 2 or more, a plurality of R a22 are the same or different. When r1 is 2 or more, a plurality of R a23 are the same or different. .

a21、Ra22及びRa23により表されるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group represented by R a21 , R a22 and R a23 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group and a sec-butyl group.

式(a3−1)〜式(a3−3)では、La4、La5及びLa6は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k3−CO−O−であることが好ましく、より好ましくは−O−である。k3は、好ましくは1〜4の整数であり、より好ましくは1である。
a18、Ra19及びRa21は、好ましくはメチル基である。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
p1〜r1は、それぞれ独立に、好ましくは0〜2、より好ましくは0又は1である。
In Formula (a3-1) to Formula (a3-3), L a4 , L a5 and L a6 are each independently —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—. Is preferred, and -O- is more preferred. k3 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R a18 , R a19 and R a21 are preferably methyl groups.
R a22 and R a23 are each independently preferably a carboxy group, a cyano group or a methyl group.
p1 to r1 are each independently preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.

ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)としては、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式(a3−1−1)〜式(a3−1−4)、式(a3−2−1)〜式(a3−2−4)又は式(a3−3−1)〜式(a3−3−4)で表されるモノマーが好ましく、式(a3−1−1)〜式(a3−1−2)又は式(a3−2−3)〜式(a3−2−4)で表されるモノマーがより好ましく、式(a3−1−1)又は式(a3−2−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。   Examples of the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring include monomers described in JP 2010-204646 A. Formula (a3-1-1) to Formula (a3-1-4), Formula (a3-2-1) to Formula (a3-2-4), or Formula (a3-3-1) to Formula (a3-3) -4) is preferable, and the monomer represented by formula (a3-1-1) to formula (a3-1-2) or formula (a3-2-3) to formula (a3-2-4) is preferable. A monomer is more preferable, and a monomer represented by formula (a3-1-1) or formula (a3-2-3) is more preferable.

Figure 2013231163
Figure 2013231163

Figure 2013231163
Figure 2013231163

樹脂(A2)がラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)に由来する構造単位を含む場合、その合計含有率は、樹脂(A2)の全構造単位に対して、通常5〜70モル%であり、好ましくは10〜65モル%であり、より好ましくは10〜60モル%である。   When the resin (A2) includes a structural unit derived from the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring, the total content is usually 5 to 70 mol% with respect to all the structural units of the resin (A2). , Preferably it is 10-65 mol%, More preferably, it is 10-60 mol%.

樹脂(A2)が、酸不安定モノマー(a1)と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸不安定モノマー(a1)に由来する構造単位は、樹脂(A2)の全構造単位に対して、好ましくは10〜80モル%、より好ましくは20〜60モル%である。
アダマンチル基を有するモノマーに由来する構造単位(特に、構造単位(a1−1))の含有率は、好ましくは酸不安定モノマー(a1)に由来する構造単位の合計に対して15モル%以上である。アダマンチル基を有するモノマーに由来する構造単位の比率が増えると、レジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。
When the resin (A2) is a copolymer of an acid labile monomer (a1) and an acid stable monomer, the structural unit derived from the acid labile monomer (a1) is based on the total structural unit of the resin (A2). The amount is preferably 10 to 80 mol%, more preferably 20 to 60 mol%.
The content of the structural unit derived from the monomer having an adamantyl group (particularly the structural unit (a1-1)) is preferably 15 mol% or more based on the total of the structural units derived from the acid labile monomer (a1). is there. When the ratio of the structural unit derived from the monomer having an adamantyl group is increased, the dry etching resistance of the resist pattern is improved.

樹脂(A2)は、好ましくは、酸不安定モノマー(a1)と、酸安定モノマーとの共重合体である。この共重合体において、酸不安定モノマー(a1)は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマー(a1−1)及びモノマー(a1−2)(好ましくはシクロヘキシル基又はシクロペンチル基を有する該モノマー)の少なくとも1種、さらに好ましくはモノマー(a1−1)である。また、酸安定モノマーは、好ましくは、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)及び/又はラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)である。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)であり、ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)は、より好ましくはγ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー(a3−1)及びγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー(a3−2)の少なくとも1種である。   The resin (A2) is preferably a copolymer of an acid labile monomer (a1) and an acid stable monomer. In this copolymer, the acid labile monomer (a1) is more preferably at least one of the monomer (a1-1) having an adamantyl group and the monomer (a1-2) (preferably the monomer having a cyclohexyl group or a cyclopentyl group). One type, more preferably monomer (a1-1). The acid stable monomer is preferably an acid stable monomer (a2) having a hydroxy group and / or an acid stable monomer (a3) having a lactone ring. The acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably an acid-stable monomer (a2-1) having a hydroxyadamantyl group, and the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring is more preferably a γ-butyrolactone ring. The acid-stable monomer (a3-1) and the acid-stable monomer (a3-2) having a condensed ring of a γ-butyrolactone ring and a norbornane ring.

樹脂(A2)を構成する各構造単位は、1種のみ又は2種以上を組み合わせて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法(例えばラジカル重合法)によって製造することができる。
樹脂(A2)の重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上(より好ましくは3,000以上、さらに好ましくは4,000以上)、50,000以下(より好ましくは30,000以下、さらに好ましくは15,000以下)である。
樹脂(A1)及び樹脂(A2)の含有比(質量比)〔樹脂(A1)の含有量:樹脂(A2)の含有量〕は、0.01:10〜5:10、好ましくは0.05:10〜3:10、より好ましくは0.1:10〜2.5:10、特に好ましくは0.2:10〜2:10である。
なお、樹脂(A1)及び樹脂(A2)の含有比の範囲は、樹脂(A2)が構造単位(I)を含まない場合の範囲である。
Each structural unit constituting the resin (A2) may be used alone or in combination of two or more, and is produced by a known polymerization method (for example, radical polymerization method) using a monomer that derives these structural units. can do.
The weight average molecular weight of the resin (A2) is preferably 2,500 or more (more preferably 3,000 or more, more preferably 4,000 or more), 50,000 or less (more preferably 30,000 or less, further preferably 15,000 or less).
Resin (A1) and resin (A2) content ratio (mass ratio) [resin (A1) content: resin (A2) content] is 0.01: 10 to 5:10, preferably 0.05. : 10 to 3:10, more preferably 0.1: 10 to 2.5: 10, and particularly preferably 0.2: 10 to 2:10.
In addition, the range of content ratio of resin (A1) and resin (A2) is a range in case resin (A2) does not contain structural unit (I).

〈樹脂(A1)及び(A2)以外の樹脂〉
樹脂(A1)及び(A2)以外の樹脂としては、例えば、酸安定モノマーに由来する構造単位の他、当該分野で用いられる公知のモノマーに由来する構造単位からなる樹脂が挙げられる。
樹脂(A)が、樹脂(A1)及び(A2)以外の樹脂を含む場合、これらの含有率は、樹脂(A)の総量に対して、通常0.1〜50質量%であり、好ましくは0.5〜30質量%であり、より好ましくは1〜20質量%である。
<Resin other than resin (A1) and (A2)>
Examples of the resin other than the resins (A1) and (A2) include resins composed of structural units derived from known monomers used in this field, in addition to structural units derived from acid-stable monomers.
When resin (A) contains resin other than resin (A1) and (A2), these content rates are 0.1-50 mass% normally with respect to the total amount of resin (A), Preferably It is 0.5-30 mass%, More preferably, it is 1-20 mass%.

樹脂(A)の含有率は、好ましくは、レジスト組成物の固形分中80質量%以上99質量%以下である。本明細書において「組成物中の固形分」とは、レジスト組成物の総量から溶剤(E)を除いた成分の合計量を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂(A)の含有率は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。   The content of the resin (A) is preferably 80% by mass or more and 99% by mass or less in the solid content of the resist composition. In the present specification, the “solid content in the composition” means the total amount of components excluding the solvent (E) from the total amount of the resist composition. The solid content in the composition and the content of the resin (A) relative thereto can be measured, for example, by a known analysis means such as liquid chromatography or gas chromatography.

〈酸発生剤(B)〉
酸発生剤(B)は、非イオン系とイオン系とに分類されるが、本発明のレジスト組成物においては、いずれを用いてもよい。非イオン系酸発生剤としては、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類(例えば2−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N−スルホニルオキシイミド、N−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン 4−スルホネート)、スルホン類(例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン)等が挙げられる。イオン系酸発生剤としては、オニウムカチオンを含むオニウム塩(例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩)が挙げられる。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等が挙げられる。
<Acid generator (B)>
The acid generator (B) is classified into a nonionic type and an ionic type, and any of them may be used in the resist composition of the present invention. Nonionic acid generators include organic halides, sulfonate esters (for example, 2-nitrobenzyl ester, aromatic sulfonate, oxime sulfonate, N-sulfonyloxyimide, N-sulfonyloxyimide, sulfonyloxyketone, diazonaphthoquinone 4). -Sulfonate), sulfones (for example, disulfone, ketosulfone, sulfonyldiazomethane) and the like. Examples of the ionic acid generator include onium salts containing onium cations (for example, diazonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts, iodonium salts). Examples of the anion of the onium salt include a sulfonate anion, a sulfonylimide anion, and a sulfonylmethide anion.

酸発生剤(B)としては、例えば特開昭63−26653号、特開昭55−164824号、特開昭62−69263号、特開昭63−146038号、特開昭63−163452号、特開昭62−153853号、特開昭63−146029号、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用することができる。   Examples of the acid generator (B) include JP-A 63-26653, JP-A 55-164824, JP-A 62-69263, JP-A 63-146038, JP-A 63-163452, JP-A-62-153853, JP-A-63-146029, US Pat. No. 3,779,778, US Pat. No. 3,849,137, German Patent No. 3914407, European Patent No. 126,712 The compound which generate | occur | produces an acid by the radiation as described in etc. can be used.

酸発生剤(B)は、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式(B1)で表されるスルホン酸塩である。   The acid generator (B) is preferably a fluorine-containing acid generator, more preferably a sulfonate represented by the formula (B1).

Figure 2013231163
[式(B1)中、
1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
b1は、炭素数1〜24の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基、水素原子又はフッ素原子を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−、−SO−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
+は、有機カチオンを表す。]
Figure 2013231163
[In the formula (B1),
Q 1 and Q 2 each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L b1 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the saturated hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—.
Y represents an optionally substituted alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, a hydrogen atom or a fluorine atom, and —CH 2 — contained in the alicyclic hydrocarbon group is — O—, —SO 2 — or —CO— may be substituted.
Z + represents an organic cation. ]

1及びQ2により表されるペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
1及びQ2は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
Examples of the perfluoroalkyl group represented by Q 1 and Q 2 include trifluoromethyl group, perfluoroethyl group, perfluoropropyl group, perfluoroisopropyl group, perfluorobutyl group, perfluoro sec-butyl group, perfluorotert-butyl group, perfluoropentyl. Group, perfluorohexyl group and the like.
Q 1 and Q 2 are each independently preferably a trifluoromethyl group or a fluorine atom, more preferably a fluorine atom.

b1により表される2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基、エタン−1,1−ジイル基、プロパン−1,1−ジイル基及びプロパン−2,2−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;
直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基(特に、炭素数1〜4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等)の側鎖を有したもの、例えば、1−メチルブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;
シクロブタン−1,3−ジイル基、シクロペンタン−1,3−ジイル基、シクロヘキサン−1,4−ジイル基、シクロオクタン−1,5−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の2価の脂環式飽和炭化水素基;
ノルボルナン−1,4−ジイル基、ノルボルナン−2,5−ジイル基、アダマンタン−1,5−ジイル基、アダマンタン−2,6−ジイル基等の多環式の2価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。
Examples of the divalent saturated hydrocarbon group represented by L b1 include a linear alkanediyl group, a branched alkanediyl group, a monocyclic or polycyclic alicyclic saturated hydrocarbon group, A combination of two or more of the groups may be used.
Specifically, methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1 , 6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl group , Dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1,16-diyl group, heptadecane-1, Linear alkanediyl groups such as 17-diyl group, ethane-1,1-diyl group, propane-1,1-diyl group and propane-2,2-diyl group;
An alkyl group (particularly an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group); For example, 1-methylbutane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1,4 A branched alkanediyl group such as a diyl group or 2-methylbutane-1,4-diyl group;
Monocyclic 2 which is a cycloalkanediyl group such as cyclobutane-1,3-diyl group, cyclopentane-1,3-diyl group, cyclohexane-1,4-diyl group, cyclooctane-1,5-diyl group Valent alicyclic saturated hydrocarbon group;
Polycyclic divalent alicyclic saturated hydrocarbon such as norbornane-1,4-diyl group, norbornane-2,5-diyl group, adamantane-1,5-diyl group, adamantane-2,6-diyl group, etc. Groups and the like.

b1により表される飽和炭化水素基に含まれる−CH−が−O−又は−CO−で置き換わった基としては、例えば、式(b1−1)〜式(b1−7)のいずれかで表される基が挙げられる。なお、式(b1−1)〜式(b1−7)及びこれらの具体例では、その左右を式(B1)に合わせて記載しており、それぞれ*で表される2つの結合手のうち、左側でC(Q1)(Q2)−と結合し、右側で−Yと結合する。 Examples of the group in which —CH 2 — contained in the saturated hydrocarbon group represented by L b1 is replaced by —O— or —CO— include any of formulas (b1-1) to (b1-7) The group represented by these is mentioned. In addition, in the formula (b1-1) to the formula (b1-7) and specific examples thereof, the left and right are described in accordance with the formula (B1), and each of the two bonds represented by * Bonded to C (Q 1 ) (Q 2 )-on the left side and to -Y on the right side.

Figure 2013231163


式(b1−1)〜式(b1−7)中、
b2は、単結合又は炭素数1〜22、好ましくは1〜15の飽和炭化水素基を表す。
b3は、単結合又は炭素数1〜19、好ましくは1〜12の飽和炭化水素基を表す。
b4は、炭素数1〜20、好ましくは1〜13の飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は20、好ましくは13である。
b5は、単結合又は炭素数1〜21、好ましくは1〜14の飽和炭化水素基を表す。
b6は、炭素数1〜22、好ましくは1〜15の飽和炭化水素基を表す。但しLb5及びLb6の合計炭素数の上限は22、好ましくは15である。
b7は、単結合又は炭素数1〜22、好ましくは15の飽和炭化水素基を表す。
b8は、炭素数1〜23、好ましくは1〜16の飽和炭化水素基を表す。但しLb7及びLb8の合計炭素数の上限は23、好ましくは1〜17である。
b9は、単結合又は炭素数1〜20、好ましくは1〜13の飽和炭化水素基を表す。
b10は、炭素数1〜21、好ましくは1〜14の飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は21、好ましくは14である。
b11及びLb12は、単結合又は炭素数1〜18、好ましくは1〜11の飽和炭化水素基を表す。
b13は、炭素数1〜19、好ましくは1〜12の飽和炭化水素基を表す。但しLb11、Lb12及びLb13の合計炭素数の上限は19、好ましくは12である。
b14及びLb15は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜20、好ましくは1〜13の飽和炭化水素基を表す。
b16は、炭素数1〜21、好ましくは1〜14の飽和炭化水素基を表す。但しLb14、Lb15及びLb16の合計炭素数の上限は21、好ましくは14である。
b2〜Lb16における飽和炭化水素基としては、アルカンジイル基が好ましく、Lb13における飽和炭化水素基としては、アルカンジイル基及び炭素数3〜10の脂環式炭化水素基が好ましく、アルカンジイル基、シクロヘキシル基及びアダマンチル基がより好ましい。
中でも、Lb1は、好ましくは式(b1−1)〜式(b1−4)のいずれかで表される基であり、より好ましくは式(b1−1)又は式(b1−3)で表される基であり、さらに好ましくは式(b1−1)で表される2価の基である。特にLb1は、Lb2が単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基である式(b1−1)で表される基、即ち*−CO−O−(CH−(uは0〜6の整数を表し、*は、−C(Q)(Q)−との結合手を表す)であることが好ましく、Lb2が単結合又は−CH−である式(b1−1)で表される基、即ち*−CO−O−、*−CO−O−CH−がより好ましい。
Figure 2013231163


In formula (b1-1) to formula (b1-7),
L b2 represents a single bond or a saturated hydrocarbon group having 1 to 22 carbon atoms, preferably 1 to 15 carbon atoms.
L b3 represents a single bond or a saturated hydrocarbon group having 1 to 19 carbon atoms, preferably 1 to 12 carbon atoms.
L b4 represents a saturated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 13 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b3 and L b4 is 20, preferably 13.
L b5 represents a single bond or a saturated hydrocarbon group having 1 to 21 carbon atoms, preferably 1 to 14 carbon atoms.
L b6 represents a saturated hydrocarbon group having 1 to 22 carbon atoms, preferably 1 to 15 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b5 and L b6 is 22, preferably 15.
L b7 represents a single bond or a saturated hydrocarbon group having 1 to 22 carbon atoms, preferably 15 carbon atoms.
L b8 represents a saturated hydrocarbon group having 1 to 23 carbon atoms, preferably 1 to 16 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b7 and L b8 is 23, preferably 1-17.
L b9 represents a single bond or a saturated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 13 carbon atoms.
L b10 represents a saturated hydrocarbon group having 1 to 21 carbon atoms, preferably 1 to 14 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b9 and L b10 is 21, preferably 14.
L b11 and L b12 each represents a single bond or a saturated hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, preferably 1 to 11 carbon atoms.
L b13 represents a saturated hydrocarbon group having 1 to 19 carbon atoms, preferably 1 to 12 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b11 , L b12 and L b13 is 19, preferably 12.
L b14 and L b15 each independently represent a single bond or a saturated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 13 carbon atoms.
L b16 represents a saturated hydrocarbon group having 1 to 21 carbon atoms, preferably 1 to 14 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b14 , L b15 and L b16 is 21, preferably 14.
The saturated hydrocarbon group for L b2 to L b16 is preferably an alkanediyl group, and the saturated hydrocarbon group for L b13 is preferably an alkanediyl group or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms, A group, a cyclohexyl group and an adamantyl group are more preferred.
Among them, L b1 is preferably a group represented by any one of formulas (b1-1) to (b1-4), and more preferably represented by formula (b1-1) or formula (b1-3). And more preferably a divalent group represented by the formula (b1-1). In particular, L b1 is a group represented by the formula (b1-1) in which L b2 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, that is, * —CO—O— (CH 2 ) u — (u is It represents an integer of 0 to 6, and * is preferably a bond with —C (Q 1 ) (Q 2 ) —, and L b2 is a single bond or —CH 2 —. -1), that is, * —CO—O— and * —CO—O—CH 2 — are more preferable.

式(b1−1)で表される基としては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2013231163
As group represented by a formula (b1-1), the following are mentioned, for example.
Figure 2013231163

式(b1−2)で表される基としては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2013231163
Examples of the group represented by the formula (b1-2) include the following.
Figure 2013231163

式(b1−3)で表される基としては、例えば、下のものが挙げられる。

Figure 2013231163
As group represented by a formula (b1-3), the following are mentioned, for example.
Figure 2013231163

式(b1−4)で表される基としては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2013231163
Examples of the group represented by formula (b1-4) include the following.
Figure 2013231163

式(b1−5)で表される基としては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2013231163
As group represented by a formula (b1-5), the following are mentioned, for example.
Figure 2013231163

式(b1−6)で表される基としては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2013231163
Examples of the group represented by formula (b1-6) include the following.
Figure 2013231163

式(b1−7)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 2013231163
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-7) include the following.

Figure 2013231163

Yにより表される脂環式炭化水素基としては、例えば、式(Y1)〜式(Y11)のいずれかで表される基が挙げられる。
Yにより表される脂環式炭化水素基に含まれる−CH−が−O−、−SO−又は−CO−で置き換わった基としては、例えば、式(Y12)〜式(Y26)のいずれかで表される基が挙げられる。
Examples of the alicyclic hydrocarbon group represented by Y include groups represented by any of formulas (Y1) to (Y11).
Examples of the group in which —CH 2 — contained in the alicyclic hydrocarbon group represented by Y is replaced by —O—, —SO 2 — or —CO— include those represented by formulas (Y12) to (Y26). The group represented by either is mentioned.

Figure 2013231163
Figure 2013231163

なかでも、Yは、好ましくは式(Y1)〜式(Y19)のいずれかで表される基であり、より好ましくは式(Y11)、式(Y14)、式(Y15)又は式(Y19)で表される基であり、さらに好ましくは式(Y11)又は式(Y14)で表される基である。   Among them, Y is preferably a group represented by any one of the formulas (Y1) to (Y19), more preferably the formula (Y11), the formula (Y14), the formula (Y15), or the formula (Y19). And more preferably a group represented by formula (Y11) or formula (Y14).

Yにより表される脂環式炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、ヒドロキシ基含有炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、炭素数7〜21のアラルキル基、炭素数2〜4のアシル基、グリシジルオキシ基又は−(CH2j2−O−CO−Rb1基(式中、Rb1は、炭素数1〜16のアルキル基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0〜4の整数を表す。)などが挙げられる。 Examples of the substituent of the alicyclic hydrocarbon group represented by Y include a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a hydroxy group-containing alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and 3 to 3 carbon atoms. 16 alicyclic hydrocarbon groups, alkoxy groups having 1 to 12 carbon atoms, aromatic hydrocarbon groups having 6 to 18 carbon atoms, aralkyl groups having 7 to 21 carbon atoms, acyl groups having 2 to 4 carbon atoms, glycidyloxy Group or — (CH 2 ) j2 —O—CO—R b1 group (wherein R b1 is an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 16 carbon atoms, or 6 to 6 carbon atoms). Represents an aromatic hydrocarbon group of 18. j2 represents an integer of 0 to 4).

ヒドロキシ基含有アルキル基としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基;トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル基等のアリール基等が挙げられる。
Examples of the hydroxy group-containing alkyl group include a hydroxymethyl group and a hydroxyethyl group.
Aromatic hydrocarbon groups include phenyl, naphthyl, anthryl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl; tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, biphenyl Group, phenanthryl group, 2,6-diethylphenyl group, aryl group such as 2-methyl-6-ethylphenyl group, and the like.

Yとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Figure 2013231163
Examples of Y include the following.
Figure 2013231163

Yは、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは置換基(例えば、オキソ基、ヒドロキシ基等)を有していてもよいアダマンチル基であり、さらに好ましくはアダマンチル基、ヒドロキシアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。   Y is preferably an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent, more preferably a substituent (for example, an oxo group, a hydroxy group, etc.). A good adamantyl group, more preferably an adamantyl group, a hydroxyadamantyl group or an oxoadamantyl group.

式(B1)で表されるスルホン酸塩におけるスルホン酸アニオンとしては、好ましくは、式(b1−1−1)〜式(b1−1−9)で表されるアニオンが挙げられる。以下の式においては、符号の定義は上記と同じ意味であり、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に炭素数1〜4のアルキル基(好ましくは、メチル基)を表す。
式(B1)で表されるスルホン酸塩におけるスルホン酸アニオンとしては、具体的には、特開2010−204646号公報に記載されたアニオンが挙げられる。
The sulfonate anion in the sulfonate represented by the formula (B1) is preferably an anion represented by the formula (b1-1-1) to the formula (b1-1-9). In the following formulas, the definitions of the symbols have the same meaning as described above, and R b2 and R b3 each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms (preferably a methyl group).
Specific examples of the sulfonate anion in the sulfonate represented by the formula (B1) include anions described in JP-A No. 2010-204646.

Figure 2013231163
Figure 2013231163

+により表される有機カチオンは、有機オニウムカチオン、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、有機ホスホニウムカチオン等が挙げられ、好ましくは、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンであり、より好ましくは、アリールスルホニウムカチオンである。
+は、好ましくは式(b2−1)〜式(b2−4)のいずれかで表されるカチオンである。
Examples of the organic cation represented by Z + include an organic onium cation, an organic sulfonium cation, an organic iodonium cation, an organic ammonium cation, a benzothiazolium cation, and an organic phosphonium cation, and preferably an organic sulfonium cation or an organic iodonium cation. And more preferably an arylsulfonium cation.
Z + is preferably a cation represented by any one of formulas (b2-1) to (b2-4).

Figure 2013231163
Figure 2013231163

式(b2−1)〜式(b2−4)において、
b4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1〜30の炭化水素基を表し、この炭化水素基は、炭素数1〜30のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基及び炭素数6〜18の芳香族炭化水素基が好ましい。前記アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、前記脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数2〜4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を有していてもよい。また、Rb4とRb5とは、それらが結合する硫黄原子とともに環を形成してもよい。
b7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
m2及びn2は、それぞれ独立に、0〜5の整数を表し、m2が2以上のとき、複数のRb7は同一又は相異なり、n2が2以上のとき、複数のRb8は同一又は相異なる。
b9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1〜18のアルキル基又は炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表すか、Rb9とRb10とは、それらが結合する硫黄原子とともに互いに結合して3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成する。該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わってもよい。
b11は、水素原子、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。
b11とRb12は、それらが結合する−CH−CO−とともに3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成していてもよい。該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わってもよい。
b12は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表し、該芳香族炭化水素基は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数1〜12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
In formula (b2-1) to formula (b2-4),
R b4 , R b5 and R b6 each independently represent a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, and this hydrocarbon group is an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms or an alicyclic group having 3 to 18 carbon atoms. A hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms are preferred. The alkyl group may have a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, and the alicyclic hydrocarbon group includes a halogen atom and a carbon number. An alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or a glycidyloxy group, the aromatic hydrocarbon group being a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, You may have a C3-C18 alicyclic hydrocarbon group or a C1-C12 alkoxy group. R b4 and R b5 may form a ring together with the sulfur atom to which they are bonded.
R b7 and R b8 each independently represent a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
m2 and n2 each independently represent an integer of 0 to 5, when m2 is 2 or more, the plurality of R b7 are the same or different, and when n2 is 2 or more, the plurality of R b8 are the same or different. .
R b9 and R b10 each independently represent an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or R b9 and R b10 are a sulfur atom to which they are bonded. Together with each other to form a 3- to 12-membered ring (preferably a 3- to 7-membered ring). The methylene group contained in the ring may be replaced with an oxygen atom, a sulfur atom or a carbonyl group.
R b11 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms.
R b11 and R b12 may form a 3- to 12-membered ring (preferably a 3- to 7-membered ring) with —CH—CO— to which they are bonded. The methylene group contained in the ring may be replaced with an oxygen atom, a sulfur atom or a carbonyl group.
R b12 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, and the aromatic hydrocarbon group has It may be substituted with an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an alkylcarbonyloxy group having 1 to 12 carbon atoms.

b13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及びRb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
b11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。
q2及びr2は、それぞれ独立に、0〜4の整数を表す。
u2は0又は1を表す。
o2が2以上のとき、複数のRb13は同一又は相異なり、p2が2以上のとき、複数のRb14は同一又は相異なり、q2が2以上のとき、複数のRb15は同一又は相異なり、r2が2以上のとき、複数のRb16は同一又は相異なり、s2が2以上のとき、複数のRb17は同一又は相異なり、t2が2以上のとき、複数のRb18は、同一又は相異なる。
R b13, R b14, R b15 , R b16, R b17 and R b18 each independently represent a hydroxy group, an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms having 1 to 12 carbon atoms.
L b11 represents an oxygen atom or a sulfur atom.
o2, p2, s2, and t2 each independently represents an integer of 0 to 5.
q2 and r2 each independently represents an integer of 0 to 4.
u2 represents 0 or 1.
When o2 is 2 or more, multiple R b13 are the same or different, when p2 is 2 or more, multiple R b14 are the same or different, and when q2 is 2 or more, multiple R b15 are the same or different , When r2 is 2 or more, a plurality of R b16 are the same or different, when s2 is 2 or more, a plurality of R b17 are the same or different, and when t2 is 2 or more, a plurality of R b18 are the same or different Different.

脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1〜8のアルキル基で置換されていてもよい。この場合、該脂環式炭化水素基の炭素数は、アルキル基の炭素数も含めて20以下である。具体的には、式(1)のRa1、Ra2及びRa3により表される脂環式炭化水素基と同様の基が挙げられる。 The alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic, and the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. . In this case, the carbon number of the alicyclic hydrocarbon group is 20 or less including the carbon number of the alkyl group. Specific examples include the same groups as the alicyclic hydrocarbon groups represented by R a1 , R a2 and R a3 in the formula (1).

アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。   Examples of the alkylcarbonyloxy group include a methylcarbonyloxy group, an ethylcarbonyloxy group, an n-propylcarbonyloxy group, an isopropylcarbonyloxy group, an n-butylcarbonyloxy group, a sec-butylcarbonyloxy group, a tert-butylcarbonyloxy group, Examples thereof include a pentylcarbonyloxy group, a hexylcarbonyloxy group, an octylcarbonyloxy group, and a 2-ethylhexylcarbonyloxy group.

b9、Rb10、Rb11及びRb12により表されるアルキル基は、好ましくは炭素数1〜12であり、特に、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2−エチルヘキシル基等が好ましい。
b9、Rb10及びRb11により表される脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜18、より好ましくは炭素数4〜12であり、特に、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2−アルキルアダマンタン−2−イル基、1−(アダマンタン−1−イル)アルカン−1−イル基及びイソボルニル基等が好ましい。
b12により表される芳香族炭化水素基は、フェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、4−シクロへキシルフェニル基、4−メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基等が好ましい。
The alkyl group represented by R b9 , R b10 , R b11 and R b12 preferably has 1 to 12 carbon atoms, and in particular, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, A sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, an octyl group, a 2-ethylhexyl group, and the like are preferable.
The alicyclic hydrocarbon group represented by R b9 , R b10 and R b11 preferably has 3 to 18 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and in particular, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclopentyl group. A cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclodecyl group, a 2-alkyladamantan-2-yl group, a 1- (adamantan-1-yl) alkane-1-yl group, an isobornyl group, and the like are preferable.
The aromatic hydrocarbon group represented by R b12 is a phenyl group, 4-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 4-cyclohexylphenyl group, 4-methoxyphenyl group, Biphenylyl group, naphthyl group and the like are preferable.

b4とRb5とが結合する硫黄原子とともに形成するとしては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、硫黄原子を1以上含むものであれば、さらに、1以上の硫黄原子及び/又は1以上の酸素原子を含んでいてもよい。該環としては、炭素数3〜18の環が好ましく、炭素数4〜18の環がより好ましい。 The ring formed with the sulfur atom to which R b4 and R b5 are bonded may be a monocyclic, polycyclic, aromatic, non-aromatic, saturated or unsaturated ring, and a sulfur atom As long as it contains one or more, one or more sulfur atoms and / or one or more oxygen atoms may be further contained. As the ring, a ring having 3 to 18 carbon atoms is preferable, and a ring having 4 to 18 carbon atoms is more preferable.

b9とRb10とが結合する硫黄原子とともに形成する環としては、例えば、チオラン−1−イウム環(テトラヒドロチオフェニウム環)、チアン−1−イウム環及び1,4−オキサチアン−4−イウム環等が挙げられる。
b11とRb12とが結合する−CH−CO−とともに形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環等が挙げられる。
Examples of the ring formed together with the sulfur atom to which R b9 and R b10 are bonded include, for example, a thiolane-1-ium ring (tetrahydrothiophenium ring), a thian-1-ium ring, and 1,4-oxathian-4-ium. A ring etc. are mentioned.
Examples of the ring formed with —CH—CO— in which R b11 and R b12 are bonded include an oxocycloheptane ring, an oxocyclohexane ring, an oxonorbornane ring, and an oxoadamantane ring.

カチオン(b2−1)〜カチオン(b2−4)の中でも、好ましくは、カチオン(b2−1)であり、より好ましくは、式(b2−1−1)で表されるカチオンであり、特に好ましくは、トリフェニルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=x2=0)、ジフェニルトリルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=0、x2=1であり、Rb21がメチル基である。)又はトリトリルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。)である。 Among the cations (b2-1) to (b2-4), the cation (b2-1) is preferable, and the cation represented by the formula (b2-1-1) is more preferable. Are triphenylsulfonium cations (in formula (b2-1-1), v2 = w2 = x2 = 0), diphenyltolylsulfonium cations (in formula (b2-1-1), v2 = w2 = 0, x2 = 1 And R b21 is a methyl group.) Or a tolylsulfonium cation (in formula (b2-1-1), v2 = w2 = x2 = 1, and R b19 , R b20 and R b21 are all methyl. Group.)

Figure 2013231163
式(b2−1−1)中、
b19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表す。また、Rb19〜Rb21から選ばれる2つが一緒になってヘテロ原子を有してもよい環を形成してもよい。
v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0〜5の整数(好ましくは0又は1)を表す。
v2が2以上のとき、複数のRb19は同一又は相異なり、w2が2以上のとき、複数のRb20は同一又は相異なり、x2が2以上のとき、複数のRb21は同一又は相異なる。
なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基である。
Figure 2013231163
In formula (b2-1-1),
R b19 , R b20 and R b21 each independently represent a halogen atom (more preferably a fluorine atom) hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms or an alkyl group having 3 to 18 carbon atoms. Represents an alicyclic hydrocarbon group. It is also possible to form two of which may have a hetero atom together ring selected from R b19 to R b21.
v2, w2 and x2 each independently represent an integer of 0 to 5 (preferably 0 or 1).
When v2 is 2 or more, the plurality of R b19 are the same or different, when w2 is 2 or more, the plurality of R b20 are the same or different, and when x2 is 2 or more, the plurality of R b21 are the same or different. .
Among them, R b19 , R b20 and R b21 are preferably each independently a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms. It is.

式(b2−1−1)で表されるカチオンとしては、具体的には、特開2010−204646号公報に記載されたカチオンが挙げられる。   Specific examples of the cation represented by the formula (b2-1-1) include cations described in JP 2010-204646 A.

酸発生剤(B1)は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができ、好ましくは、アニオン(b1−1−1)〜アニオン(b1−1−9)のいずれかとカチオン(b2−1−1)との組合せ、並びにアニオン(b1−1−3)〜(b1−1−5)のいずれかとカチオン(b2−3)との組合せが挙げられる。     The acid generator (B1) is a combination of the above-described sulfonate anion and organic cation. The above-mentioned anion and cation can be arbitrarily combined, and preferably a combination of any one of anion (b1-1-1) to anion (b1-1-9) and cation (b2-1-1), and A combination of any one of anions (b1-1-3) to (b1-1-5) and a cation (b2-3) may be mentioned.

酸発生剤(B1)としては、好ましくは、式(B1−1)〜式(B1−20)で表される塩が挙げられ、より好ましくは、トリフェニルスルホニウムカチオン又はトリトリルスルホニウムカチオンを含む塩が挙げられ、さらに好ましくは、式(B1−1)、式(B1−2)、式(B1−3)、式(B1−6)、式(B1−7)、式(B1−11)、式(B1−12)、式(B1−13)又は式(B1−14)で表される塩が挙げられる。   The acid generator (B1) is preferably a salt represented by the formula (B1-1) to the formula (B1-20), more preferably a salt containing a triphenylsulfonium cation or a tolylsulfonium cation. More preferably, Formula (B1-1), Formula (B1-2), Formula (B1-3), Formula (B1-6), Formula (B1-7), Formula (B1-11), Examples thereof include a salt represented by the formula (B1-12), the formula (B1-13) or the formula (B1-14).

Figure 2013231163
Figure 2013231163

Figure 2013231163
Figure 2013231163

Figure 2013231163
Figure 2013231163

Figure 2013231163
Figure 2013231163

酸発生剤(B)の含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上(より好ましくは3質量部以上)、好ましくは30質量部以下(より好ましくは25質量部以下)である。
本発明のレジスト組成物においては、酸発生剤(B)は、単独でも複数種の酸発生剤を含有していてもよい。
The content of the acid generator (B) is preferably 1 part by mass or more (more preferably 3 parts by mass or more), preferably 30 parts by mass or less (more preferably 25 parts by mass) with respect to 100 parts by mass of the resin (A). Part or less).
In the resist composition of the present invention, the acid generator (B) may contain a single acid generator or a plurality of acid generators.

<塩基性化合物(以下、「塩基性化合物(C)」という場合がある)>
本明細書における「塩基性化合物」とは、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、酸発生剤から発生する酸を捕捉するという特性を有する化合物を意味し、当該技術分野ではクエンチャーといわれている。
<Basic compound (hereinafter sometimes referred to as “basic compound (C)”)>
The “basic compound” in the present specification means a compound having the property of capturing an acid, particularly a compound having the property of capturing an acid generated from an acid generator. It is said.

塩基性化合物(C)は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物(C)は、好ましくは、式(C1)〜式(C8)のいずれかで表される化合物が挙げられ、より好ましくは式(C1−1)で表される化合物である。   The basic compound (C) is preferably a basic nitrogen-containing organic compound, and examples thereof include amines and ammonium salts. Examples of amines include aliphatic amines and aromatic amines. Aliphatic amines include primary amines, secondary amines and tertiary amines. The basic compound (C) is preferably a compound represented by any one of the formulas (C1) to (C8), more preferably a compound represented by the formula (C1-1).

Figure 2013231163
[式(C1)中、
c1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。]
Figure 2013231163
[In the formula (C1),
R c1 , R c2 and R c3 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms. The hydrogen atom contained in the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, an amino group, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the aromatic hydrocarbon group The hydrogen atom contained is substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms. It may be. ]

Figure 2013231163
[式(C1−1)中、
c2及びRc3は、上記と同じ意味を表す。
c4は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表す。
m3は0〜3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は同一又は相異なる。]
Figure 2013231163
[In the formula (C1-1),
R c2 and R c3 represent the same meaning as described above.
R c4 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms.
m3 represents an integer of 0 to 3, and when m3 is 2 or more, the plurality of R c4 are the same or different. ]

Figure 2013231163
[式(C2)、式(C3)及び式(C4)中、
c5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。
c9は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6の脂環式炭化水素基又は炭素数2〜6のアルカノイル基を表す。
n3は0〜8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は同一又は相異なる。]
Figure 2013231163
[In Formula (C2), Formula (C3) and Formula (C4),
R c5 , R c6 , R c7 and R c8 each independently represent the same meaning as R c1 .
R c9 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or an alkanoyl group having 2 to 6 carbon atoms.
n3 represents an integer of 0 to 8, and when n3 is 2 or more, the plurality of R c9 are the same or different. ]

Figure 2013231163
[式(C5)及び式(C6)中、
c10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。
c14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。
o3及びp3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表し、o3が2以上であるとき、複数のRc14は同一又は相異なり、p3が2以上であるとき、複数のRc15は、同一又は相異なる。
c1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Figure 2013231163
[In Formula (C5) and Formula (C6),
R c10 , R c11 , R c12 , R c13 and R c16 each independently represent the same meaning as R c1 .
R c14 , R c15 and R c17 each independently represent the same meaning as R c4 .
o3 and p3 each independently represent an integer of 0 to 3, when o3 is 2 or more, the plurality of R c14 are the same or different, and when p3 is 2 or more, the plurality of R c15 are the same or Different.
L c1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

Figure 2013231163
[式(C7)及び式(C8)中、
c18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。
q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表し、q3が2以上であるとき、複数のRc18は同一又は相異なり、r3が2以上であるとき、複数のRc19は同一又は相異なり、及びs3が2以上であるとき、複数のRc20は同一又は相異なる。
c2は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Figure 2013231163
[In Formula (C7) and Formula (C8),
R c18, R c19 and R c20 in each occurrence independently represent the same meaning as R c4.
q3, r3 and s3 each independently represents an integer of 0 to 3, and when q3 is 2 or more, the plurality of R c18 are the same or different, and when r3 is 2 or more, the plurality of R c19 are the same. Or when different and when s3 is 2 or more, the plurality of R c20 are the same or different.
L c2 represents a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

式(C1)〜式(C8)においては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基、アルカンジイル基は、上述したものと同様のものが挙げられる。
アルカノイル基としては、アセチル基、2−メチルアセチル基、2,2−ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2−ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。
In the formulas (C1) to (C8), examples of the alkyl group, the alicyclic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group, the alkoxy group, and the alkanediyl group are the same as those described above.
Examples of the alkanoyl group include acetyl group, 2-methylacetyl group, 2,2-dimethylacetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, pentanoyl group, and 2,2-dimethylpropionyl group.

式(C1)で表される化合物としては、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。   Examples of the compound represented by the formula (C1) include 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N- Dimethylaniline, diphenylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tri Pentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyl Hexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonyl Amine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diamino-1,2- Examples include diphenylethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane, and preferably diisopropyl. Piruanirin. Particularly preferred include 2,6-diisopropylaniline.

式(C2)で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。
式(C3)で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。
式(C4)で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11−52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。
式(C5)で表される化合物としては、2,2’−メチレンビスアニリン等が挙げられる。
式(C6)で表される化合物としては、イミダゾール、4−メチルイミダゾール等が挙げられる。
式(C7)で表される化合物としては、ピリジン、4−メチルピリジン等が挙げられる。
式(C8)で表される化合物としては、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。
Examples of the compound represented by the formula (C2) include piperazine.
Examples of the compound represented by the formula (C3) include morpholine.
Examples of the compound represented by the formula (C4) include piperidine and hindered amine compounds having a piperidine skeleton described in JP-A No. 11-52575.
Examples of the compound represented by the formula (C5) include 2,2′-methylenebisaniline.
Examples of the compound represented by the formula (C6) include imidazole and 4-methylimidazole.
Examples of the compound represented by the formula (C7) include pyridine and 4-methylpyridine.
Examples of the compound represented by the formula (C8) include 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,2-di (2-pyridyl) ethene, 1, 2-di (4-pyridyl) ethene, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-di (4-pyridyloxy) ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4′-dipyridyl sulfide 4,4′-dipyridyl disulfide, 2,2′-dipyridylamine, 2,2′-dipiconylamine, bipyridine and the like.

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。   As ammonium salts, tetramethylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethyl Ammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium salicylate, choline and the like can be mentioned.

塩基性化合物(C)の含有率は、レジスト組成物の固形分中、好ましくは、0.01〜5質量%程度であり、より好ましく0.01〜3質量%程度であり、特に好ましく0.01〜1質量%程度である。   The content of the basic compound (C) in the solid content of the resist composition is preferably about 0.01 to 5% by mass, more preferably about 0.01 to 3% by mass, and particularly preferably 0.8. It is about 01 to 1% by mass.

〈その他の成分(以下「その他の成分(F)」という場合がある)〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分(F)を含有していてもよい。その他の成分(F)に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。
<Other components (hereinafter sometimes referred to as “other components (F)”)>
The resist composition of this invention may contain the other component (F) as needed. The other component (F) is not particularly limited, and additives, sensitizers, dissolution inhibitors, surfactants, stabilizers, dyes, and the like known in the resist field can be used.

<レジスト組成物の調製>
本発明のレジスト組成物は、樹脂(A)、酸発生剤(B)、並びに必要に応じて用いられる溶剤(E)、塩基性化合物(C)及びその他の成分(F)を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10〜40℃の範囲から、樹脂などの種類や樹脂等の溶剤(E)に対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5〜24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径0.003〜0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。
<Preparation of resist composition>
The resist composition of the present invention comprises a resin (A), an acid generator (B), and a solvent (E), a basic compound (C) and other components (F) used as necessary. Can be prepared. The mixing order is arbitrary and is not particularly limited. The temperature at the time of mixing can select an appropriate temperature range from the range of 10-40 degreeC according to the kind etc. of resin, the solubility with respect to solvent (E), such as resin. An appropriate mixing time can be selected from 0.5 to 24 hours depending on the mixing temperature. The mixing means is not particularly limited, and stirring and mixing can be used.
After mixing each component, it is preferable to filter using a filter having a pore size of about 0.003 to 0.2 μm.

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
(1)本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程を含む。
<Method for producing resist pattern>
The method for producing a resist pattern of the present invention comprises:
(1) The process of apply | coating the resist composition of this invention on a board | substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) A step of heating the composition layer after exposure and (5) a step of developing the composition layer after heating.

レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。基板としては、シリコンウェハ等の無機基板が挙げられる。レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜等が形成されていてもよい。   Application of the resist composition onto the substrate can be performed by a commonly used apparatus such as a spin coater. Examples of the substrate include an inorganic substrate such as a silicon wafer. Before applying the resist composition, the substrate may be washed or an antireflection film or the like may be formed.

塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤を除去し、組成物層を形成する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること(いわゆるプリベーク)により行うか、あるいは減圧装置を用いて行い、溶剤が除去された組成物層を形成する。この場合の温度は、50〜200℃程度が好ましい。また、圧力は、1〜1.0×10Pa程度が好ましい。 By drying the composition after coating, the solvent is removed and a composition layer is formed. Drying is performed, for example, by evaporating the solvent using a heating device such as a hot plate (so-called pre-baking) or using a decompression device to form a composition layer from which the solvent has been removed. The temperature in this case is preferably about 50 to 200 ° C. The pressure is preferably about 1 to 1.0 × 10 5 Pa.

得られた組成物層を露光する。露光は、通常、露光機を用いて行われ、液浸露光機を用いてもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2エキシマレーザ(波長157nm)のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源(YAG又は半導体レーザ等)からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線(EB)やEUVを照射するもの等、種々のものを用いることができる。 The obtained composition layer is exposed. The exposure is usually performed using an exposure machine, and an immersion exposure machine may be used. At this time, exposure is usually performed through a mask corresponding to a required pattern. Exposure light sources include those that emit laser light in the ultraviolet region such as KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), solid-state laser light source (YAG or semiconductor laser) And the like, and those that emit harmonic laser light in the far ultraviolet region or vacuum ultraviolet region, those that irradiate an electron beam (EB) or EUV, and the like can be used.

露光後の組成物層を、脱保護基反応を促進するために加熱処理(いわゆるポストエキスポジャーベーク)する。加熱温度としては、通常50〜200℃程度、好ましくは70〜150℃程度である。
加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。
本発明のレジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ現像液を用いる。
ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい
The composition layer after exposure is subjected to heat treatment (so-called post-exposure baking) in order to promote the deprotection group reaction. As heating temperature, it is about 50-200 degreeC normally, Preferably it is about 70-150 degreeC.
The heated composition layer is usually developed using a developer using a developing device.
When producing a positive resist pattern from the resist composition of the present invention, an alkaline developer is used as the developer.
The alkaline developer used here may be various alkaline aqueous solutions used in this field. Examples thereof include an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline). The alkali developer may contain a surfactant.
After development, it is preferable to rinse with ultrapure water to remove water remaining on the substrate and the pattern.

本発明のレジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液(以下「有機系現像液」という場合がある)を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、2−ヘキサノン、2−ヘプタノンなどのケトン溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル溶剤;酢酸ブチル等のエステル溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル溶剤;N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤;アニソールなどの芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、90質量%以上100質量%以下が好ましく、95質量%以上100質量%以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び2−ヘプタノンの合計含有率は、50質量%以上100質量%以下が好ましく、90質量%以上100質量%以下がより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。
現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。
In the case of producing a negative resist pattern from the resist composition of the present invention, a developer containing an organic solvent as a developer (hereinafter sometimes referred to as “organic developer”) is used.
Organic solvents contained in the organic developer include ketone solvents such as 2-hexanone and 2-heptanone; glycol ether ester solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate; ester solvents such as butyl acetate; glycols such as propylene glycol monomethyl ether Examples include ether solvents; amide solvents such as N, N-dimethylacetamide; aromatic hydrocarbon solvents such as anisole.
In the organic developer, the content of the organic solvent is preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less, and still more preferably only the organic solvent.
Among them, the organic developer is preferably a developer containing butyl acetate and / or 2-heptanone. In the organic developer, the total content of butyl acetate and 2-heptanone is preferably 50% by mass to 100% by mass, more preferably 90% by mass to 100% by mass, and substantially butyl acetate and / or 2 -More preferred is heptanone alone.
The organic developer may contain a surfactant. The organic developer may contain a trace amount of water.
At the time of development, the development may be stopped by substituting a solvent of a different type from the organic developer.
It is preferable to wash the developed resist pattern with a rinse solution. The rinsing liquid is not particularly limited as long as it does not dissolve the resist pattern, and is preferably an alcohol solvent or an ester solvent.
After the cleaning, it is preferable to remove the rinse solution remaining on the substrate and the pattern.

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線露光用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物、特に液浸露光用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に有用である。
<Application>
The resist composition of the present invention is a resist composition for KrF excimer laser exposure, a resist composition for ArF excimer laser exposure, a resist composition for electron beam exposure, or a resist composition for EUV exposure, particularly for immersion exposure. It is suitable as a resist composition and is useful for fine processing of semiconductors.

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「%」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
以下の実施例において、化合物の構造は、質量分析(LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型)を用いて確認した。重量平均分子量は、下記の分析条件で、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。
装置:HLC−8120GPC型(東ソー社製)
カラム:TSKgel Multipore HXL-M x 3+guardcolumn(東ソー社製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μl
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー社製)
The present invention will be described more specifically with reference to examples. In the examples, “%” and “parts” representing the content or amount used are based on mass unless otherwise specified.
In the following examples, the structure of the compound was confirmed by mass spectrometry (LC is Agilent Model 1100, MASS is Agilent LC / MSD Model). The weight average molecular weight is a value determined by gel permeation chromatography under the following analysis conditions.
Apparatus: HLC-8120GPC type (manufactured by Tosoh Corporation)
Column: TSKgel Multipore HXL-M x 3 + guardcolumn (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μl
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)

実施例1:〔式(I−1)で表される化合物の合成〕

Figure 2013231163
式(I1−a)で表される化合物25部及びテトラヒドロフラン25部を仕込み、23℃で30分間攪拌混合した後、0℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式(I1−b)で表される化合物13.73部、ピリジン11.22部及びテトラヒドロフラン40部の混合溶液を、1時間かけて添加し、更に、25℃程度まで温度を上げ、同温度で1時間攪拌した。得られた反応物に、酢酸エチル232.30部及びイオン交換水58.08部を添加攪拌後、分液して有機層を回収した。回収された有機層を濃縮した後、得られた濃縮物に、n−ヘプタン310部を添加攪拌後、上澄み液を除去した後、濃縮することにより、式(I1−c)で表される化合物40.74部を得た。得られた式(I1−c)で表される化合物40.72部、テトラヒドロフラン192部、式(I1−e)で表される化合物15.23部及びピリジン9.26部を仕込み、23℃で30分間攪拌混合した後、0℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に式(I1−d)で表される化合物(1−(3−ジメチルアミノプロピル)−3−エチルカルボジイミド塩酸塩)28.06部を添加し、23℃で24時間攪拌した。得られた反応溶液に、n−ヘプタン905部及び5%塩酸水溶液85部を加え、23℃で30分間攪拌した。静置、分液することにより回収された有機層に、10%炭酸カリウム水溶液67部を加え、23℃で30分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した。このような洗浄操作を2回繰り返した。洗浄後の有機層に、イオン交換水240部を仕込み23℃で30分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を5回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮した。得られた濃縮物を、カラム分取(カラム分取条件 固定相:メルク社製シリカゲル60−200メッシュ 展開溶媒:n−ヘプタン/酢酸エチル=4/1 重量比)することにより、式(I−1)で表される化合物5.77部を得た。
MS(質量分析):450.1(分子イオンピーク) Example 1: [Synthesis of Compound Represented by Formula (I-1)]
Figure 2013231163
25 parts of the compound represented by the formula (I1-a) and 25 parts of tetrahydrofuran were charged, stirred and mixed at 23 ° C. for 30 minutes, and then cooled to 0 ° C. While maintaining the same temperature, a mixed solution of 13.73 parts of the compound represented by the formula (I1-b), 11.22 parts of pyridine and 40 parts of tetrahydrofuran was added to the obtained mixture over 1 hour. Furthermore, the temperature was raised to about 25 ° C., and the mixture was stirred at the same temperature for 1 hour. To the obtained reaction product, 232.30 parts of ethyl acetate and 58.08 parts of ion-exchanged water were added and stirred, followed by liquid separation to recover the organic layer. After the collected organic layer is concentrated, 310 parts of n-heptane is added to the resulting concentrate, and after stirring, the supernatant is removed and concentrated to obtain a compound represented by the formula (I1-c) 40.74 parts were obtained. 40.72 parts of the compound represented by the formula (I1-c), 192 parts of tetrahydrofuran, 15.23 parts of the compound represented by the formula (I1-e) and 9.26 parts of pyridine were charged at 23 ° C. After stirring and mixing for 30 minutes, the mixture was cooled to 0 ° C. While maintaining the same temperature, 28.06 parts of the compound represented by the formula (I1-d) (1- (3-dimethylaminopropyl) -3-ethylcarbodiimide hydrochloride) was added to the obtained mixture, and 23 Stir at 24 ° C. for 24 hours. To the obtained reaction solution, 905 parts of n-heptane and 85 parts of 5% hydrochloric acid aqueous solution were added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. To the organic layer recovered by standing and liquid separation, 67 parts of 10% potassium carbonate aqueous solution was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and the organic layer was washed by standing and liquid separation. Such washing operation was repeated twice. The organic layer after washing was charged with 240 parts of ion-exchanged water, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, allowed to stand, and separated to wash the organic layer with water. Such washing operation was repeated 5 times. The organic layer after washing with water was concentrated. The obtained concentrate was subjected to column fractionation (column fractionation conditions, stationary phase: silica gel 60-200 mesh, manufactured by Merck & Co., Ltd., developing solvent: n-heptane / ethyl acetate = 4/1 weight ratio) to obtain the formula (I- 5.77 parts of the compound represented by 1) were obtained.
MS (mass spectrometry): 450.1 (molecular ion peak)

実施例2:〔式(I−2)で表される化合物の合成〕

Figure 2013231163

式(I1−a)で表される化合物25部及びテトラヒドロフラン25部を仕込み、23℃で30分間攪拌混合した後、0℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式(I2−b)で表される化合物8.76部、ピリジン11.22部及びテトラヒドロフラン40部の混合溶液を、1時間かけて添加し、更に、25℃程度まで温度を上げ、同温度で1時間攪拌した。得られた反応物に、酢酸エチル200部及びイオン交換水50部を添加攪拌後、分液して有機層を回収した。回収された有機層を濃縮した後、得られた濃縮物に、n−ヘプタン300部を添加攪拌後、上澄み液を除去した後、濃縮することにより、式(I2−c)で表される化合物38.11部を得た。得られた式(I2−c)で表される化合物36.61部、テトラヒドロフラン180部、式(I1−e)で表される化合物15.23部及びピリジン9.26部を仕込み、23℃で30分間攪拌混合した後、0℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に式(I1−d)で表される化合物(1−(3−ジメチルアミノプロピル)−3−エチルカルボジイミド塩酸塩)28.06部を添加し、23℃で24時間攪拌した。得られた反応溶液に、n−ヘプタン900部及び5%塩酸水溶液85部を加え、23℃で30分間攪拌した。静置、分液することにより回収された有機層に、10%炭酸カリウム水溶液67部を加え、23℃で30分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した。このような洗浄操作を2回繰り返した。洗浄後の有機層に、イオン交換水200部を仕込み23℃で30分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を5回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮した。得られた濃縮物を、カラム分取(カラム分取条件 固定相:メルク社製シリカゲル60−200メッシュ 展開溶媒:n−ヘプタン/酢酸エチル=4/1 重量比)することにより、式(I−2)で表される化合物4.28部を得た。
MS(質量分析):408.1(分子イオンピーク) Example 2: Synthesis of compound represented by formula (I-2)

Figure 2013231163

25 parts of the compound represented by the formula (I1-a) and 25 parts of tetrahydrofuran were charged, stirred and mixed at 23 ° C. for 30 minutes, and then cooled to 0 ° C. While maintaining the same temperature, a mixed solution of 8.76 parts of the compound represented by the formula (I2-b), 11.22 parts of pyridine and 40 parts of tetrahydrofuran was added to the obtained mixture over 1 hour. Furthermore, the temperature was raised to about 25 ° C., and the mixture was stirred at the same temperature for 1 hour. To the obtained reaction product, 200 parts of ethyl acetate and 50 parts of ion-exchanged water were added and stirred, followed by liquid separation to recover the organic layer. After the collected organic layer is concentrated, 300 parts of n-heptane is added to the resulting concentrate, and after stirring, the supernatant is removed and then concentrated to obtain a compound represented by the formula (I2-c) 38.11 parts were obtained. 36.61 parts of the compound represented by the formula (I2-c), 180 parts of tetrahydrofuran, 15.23 parts of the compound represented by the formula (I1-e) and 9.26 parts of pyridine were charged at 23 ° C. After stirring and mixing for 30 minutes, the mixture was cooled to 0 ° C. While maintaining the same temperature, 28.06 parts of the compound represented by the formula (I1-d) (1- (3-dimethylaminopropyl) -3-ethylcarbodiimide hydrochloride) was added to the obtained mixture, and 23 Stir at 24 ° C. for 24 hours. To the obtained reaction solution, 900 parts of n-heptane and 85 parts of 5% hydrochloric acid aqueous solution were added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. To the organic layer recovered by standing and liquid separation, 67 parts of 10% potassium carbonate aqueous solution was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and the organic layer was washed by standing and liquid separation. Such washing operation was repeated twice. To the organic layer after washing, 200 parts of ion-exchanged water was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, allowed to stand, and separated to wash the organic layer with water. Such washing operation was repeated 5 times. The organic layer after washing with water was concentrated. The obtained concentrate was subjected to column fractionation (column fractionation conditions, stationary phase: silica gel 60-200 mesh, manufactured by Merck & Co., Ltd., developing solvent: n-heptane / ethyl acetate = 4/1 weight ratio) to obtain the formula (I- 2.28 parts of the compound represented by 2) were obtained.
MS (mass spectrometry): 408.1 (molecular ion peak)

実施例3:〔式(I−11)で表される化合物の合成〕

Figure 2013231163

式(I11−a)で表される化合物19.4部及びテトラヒドロフラン19.4部を仕込み、23℃で30分間攪拌混合した後、0℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式(I11−b)で表される化合物13.73部、ピリジン11.22部及びテトラヒドロフラン40部の混合溶液を、1時間かけて添加し、更に、25℃程度まで温度を上げ、同温度で1時間攪拌した。得られた反応物に、酢酸エチル200部及びイオン交換水50部を添加攪拌後、分液して有機層を回収した。回収された有機層を濃縮した後、得られた濃縮物に、n−ヘプタン300部を添加攪拌後、上澄み液を除去した後、濃縮することにより、式(I11−c)で表される化合物36.22部を得た。得られた式(I11−c)で表される化合物35.84部、テトラヒドロフラン180部、式(I11−e)で表される化合物15.23部及びピリジン9.26部を仕込み、23℃で30分間攪拌混合した後、0℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に式(I11−d)で表される化合物(1−(3−ジメチルアミノプロピル)−3−エチルカルボジイミド塩酸塩)28.06部を添加し、23℃で24時間攪拌した。得られた反応溶液に、n−ヘプタン900部及び5%塩酸水溶液85部を加え、23℃で30分間攪拌した。静置、分液することにより回収された有機層に、10%炭酸カリウム水溶液67部を加え、23℃で30分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した。このような洗浄操作を2回繰り返した。洗浄後の有機層に、イオン交換水200部を仕込み23℃で30分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を5回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮した。得られた濃縮物を、カラム分取(カラム分取条件 固定相:メルク社製シリカゲル60−200メッシュ 展開溶媒:n−ヘプタン/酢酸エチル=4/1 重量比)することにより、式(I−11)で表される化合物4.98部を得た。
MS(質量分析):400.1(分子イオンピーク) Example 3: Synthesis of compound represented by formula (I-11)

Figure 2013231163

19.4 parts of the compound represented by the formula (I11-a) and 19.4 parts of tetrahydrofuran were charged, stirred and mixed at 23 ° C. for 30 minutes, and then cooled to 0 ° C. While maintaining the same temperature, a mixed solution of 13.73 parts of the compound represented by the formula (I11-b), 11.22 parts of pyridine and 40 parts of tetrahydrofuran was added to the obtained mixture over 1 hour. Furthermore, the temperature was raised to about 25 ° C., and the mixture was stirred at the same temperature for 1 hour. To the obtained reaction product, 200 parts of ethyl acetate and 50 parts of ion-exchanged water were added and stirred, followed by liquid separation to recover the organic layer. After the collected organic layer is concentrated, 300 parts of n-heptane is added to the resulting concentrate, and after stirring, the supernatant is removed and then concentrated to give a compound represented by the formula (I11-c) 36.22 parts were obtained. 35.84 parts of the compound represented by the formula (I11-c), 180 parts of tetrahydrofuran, 15.23 parts of the compound represented by the formula (I11-e) and 9.26 parts of pyridine were charged at 23 ° C. After stirring and mixing for 30 minutes, the mixture was cooled to 0 ° C. While maintaining the same temperature, 28.06 parts of the compound represented by the formula (I11-d) (1- (3-dimethylaminopropyl) -3-ethylcarbodiimide hydrochloride) was added to the obtained mixture, and 23 Stir at 24 ° C. for 24 hours. To the obtained reaction solution, 900 parts of n-heptane and 85 parts of 5% hydrochloric acid aqueous solution were added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. To the organic layer recovered by standing and liquid separation, 67 parts of 10% potassium carbonate aqueous solution was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and the organic layer was washed by standing and liquid separation. Such washing operation was repeated twice. To the organic layer after washing, 200 parts of ion-exchanged water was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, allowed to stand, and separated to wash the organic layer with water. Such washing operation was repeated 5 times. The organic layer after washing with water was concentrated. The obtained concentrate was subjected to column fractionation (column fractionation conditions, stationary phase: silica gel 60-200 mesh, manufactured by Merck & Co., Ltd., developing solvent: n-heptane / ethyl acetate = 4/1 weight ratio) to obtain the formula (I- 11.98 parts of the compound represented by 11) were obtained.
MS (mass spectrometry): 400.1 (molecular ion peak)

合成例1:〔式(III―1−4m)で表される化合物の合成〕

Figure 2013231163

式(III―1−4m−b)で表される化合物88部、メチルイソブチルケトン616部及びピリジン60.98部を、23℃で30分間攪拌混合した後、0℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式(III―1−4m−a)で表される化合物199.17部を、1時間かけて添加した後、更に、10℃程度まで温度を上げ、同温度で1時間攪拌した。得られた反応物に、n−へプタン1450部及び2%塩酸水溶液700部を加え、23℃で30分間攪拌した。静置、分液することにより回収された有機層に、2%塩酸水溶液340部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。静置、分液することにより有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水360部を仕込み23℃で30分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。回収された有機層に、10%炭酸カリウム水溶液445部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を回収した。このような洗浄操作を2回繰り返した。回収された有機層に、イオン交換水360部を仕込み、23℃で30分間攪拌、静置した後、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を5回繰り返した。回収された有機層を濃縮し式(III―1−4m)で表される化合物163.65部を得た。
MS(質量分析):276.0(分子イオンピーク) Synthesis Example 1: [Synthesis of Compound Represented by Formula (III-1-4m)]

Figure 2013231163

88 parts of the compound represented by the formula (III-1-4m-b), 616 parts of methyl isobutyl ketone and 60.98 parts of pyridine were stirred and mixed at 23 ° C. for 30 minutes, and then cooled to 0 ° C. While maintaining the same temperature, 199.17 parts of the compound represented by the formula (III-1-4m-a) was added to the obtained mixture over 1 hour, and the temperature was further increased to about 10 ° C. And stirred at the same temperature for 1 hour. To the obtained reaction product, 1450 parts of n-heptane and 700 parts of 2% aqueous hydrochloric acid were added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. 340 parts of 2% aqueous hydrochloric acid solution was added to the organic layer recovered by standing and liquid separation, and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The organic layer was recovered by standing and liquid separation. To the collected organic layer, 360 parts of ion-exchanged water was charged, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, allowed to stand and liquid-separated to wash the organic layer with water. The collected organic layer was charged with 445 parts of a 10% aqueous potassium carbonate solution, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, allowed to stand, and separated to recover the organic layer. Such washing operation was repeated twice. The recovered organic layer was charged with 360 parts of ion-exchanged water, stirred at 23 ° C. for 30 minutes and allowed to stand, and then separated to wash the organic layer with water. Such washing operation was repeated 5 times. The collected organic layer was concentrated to obtain 163.65 parts of a compound represented by the formula (III-1-4m).
MS (mass spectrometry): 276.0 (molecular ion peak)

合成例2:〔式(III―1−6m)で表される化合物の合成〕

Figure 2013231163

式(III―1−6m−b)で表される化合物10.00部、テトラヒドロフラン40部及びピリジン7.29部を反応器に仕込み、23℃で30分間攪拌し、0℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式(III―1−6m−a)で表される化合物33.08部を、1時間かけて添加し、更に、温度を上げ、23℃に到達した時点で、同温度で3時間攪拌した。得られた反応物に、酢酸エチル361.51部及び5%塩酸水溶液20.19部を加え、23℃で30分間攪拌した。攪拌、静置し、分液した。回収された有機層に、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液81.42部を加え、23℃で30分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水90.38部を加え、23℃で30分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。この水洗操作を5回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮し、式(III―1−6m)で表される化合物23.40部を得た。
MS(質量分析):326.0(分子イオンピーク) Synthesis Example 2: [Synthesis of Compound Represented by Formula (III-1-6m)]

Figure 2013231163

10.00 parts of the compound represented by the formula (III-1-6m-b), 40 parts of tetrahydrofuran and 7.29 parts of pyridine were charged into a reactor, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and cooled to 0 ° C. While maintaining the same temperature, 33.08 parts of the compound represented by the formula (III-1-6m-a) was added to the obtained mixture over 1 hour, and the temperature was further increased to 23 ° C. When it reached, it was stirred at the same temperature for 3 hours. To the obtained reaction product, 361.51 parts of ethyl acetate and 20.19 parts of 5% aqueous hydrochloric acid solution were added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. The mixture was stirred, allowed to stand, and separated. To the recovered organic layer, 81.42 parts of a saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, allowed to stand, and separated to recover the organic layer. To the collected organic layer, 90.38 parts of ion-exchanged water was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, allowed to stand, and separated to wash the organic layer with water. This washing operation was repeated 5 times. The organic layer after washing with water was concentrated to obtain 23.40 parts of a compound represented by the formula (III-1-6m).
MS (mass spectrometry): 326.0 (molecular ion peak)

樹脂の合成において使用した化合物(モノマー)を下記に示す。

Figure 2013231163


以下、これらの化合物をその式番号に応じて、「モノマー(a1−1−1)」等という。 The compounds (monomers) used in the resin synthesis are shown below.

Figure 2013231163


Hereinafter, these compounds are referred to as “monomer (a1-1-1)” or the like according to the formula number.

実施例4:〔樹脂A1−1の合成〕
モノマーとして、モノマー(I−1)を用い、全モノマー量の1.2質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して4.5mol%添加し、これらを60℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のn−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量5.4×10の樹脂A1−1を収率89%で得た。この樹脂A1−1は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013231163
Example 4: [Synthesis of Resin A1-1]
Monomer (I-1) was used as a monomer, and 1.2 mass times of methyl isobutyl ketone as the total monomer amount was added to prepare a solution. To this solution, 4.5 mol% of azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as an initiator was added with respect to the total monomer amount, and these were heated at 60 ° C. for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of n-heptane to precipitate a resin, and this resin was filtered to obtain a resin A1-1 having a weight average molecular weight of 5.4 × 10 4 in a yield of 89%. This resin A1-1 has the following structural units.

Figure 2013231163

実施例5:〔樹脂A1−2の合成〕
モノマーとして、モノマー(III−1−4m)及びモノマー(I−1)を用い、そのモル比〔モノマー(III−1−4m):モノマー(I−1)〕が50:50となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して4.5mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のn−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量2.7×10の樹脂A1−2(共重合体)を収率78%で得た。この樹脂A1−2は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013231163
Example 5: [Synthesis of Resin A1-2]
Monomer (III-1-4m) and monomer (I-1) are used as the monomers, and mixed so that the molar ratio [monomer (III-1-4m): monomer (I-1)] is 50:50. Then, 1.5 mass times methyl isobutyl ketone of the total monomer amount was added to make a solution. To this solution, 4.5 mol% of azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as an initiator was added with respect to the total monomer amount, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of n-heptane to precipitate a resin, and this resin was filtered to obtain a resin A1-2 (copolymer) having a weight average molecular weight of 2.7 × 10 4 in a yield of 78%. Got in. This resin A1-2 has the following structural units.

Figure 2013231163

実施例6:〔樹脂A1−3の合成〕
モノマーとして、モノマー(III−2−1m)及びモノマー(I−1)を用い、そのモル比〔モノマー(III−2−1m):モノマー(I−1)〕が10:90となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して4.5mol%添加し、これらを70℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のn−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量3.8×10の樹脂A1−3(共重合体)を収率86%で得た。この樹脂A1−3は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013231163
Example 6: [Synthesis of Resin A1-3]
Monomer (III-2-1m) and monomer (I-1) are used as monomers and mixed so that the molar ratio [monomer (III-2-1m): monomer (I-1)] is 10:90. Then, 1.5 mass times methyl isobutyl ketone of the total monomer amount was added to make a solution. To this solution, 4.5 mol% of azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as an initiator was added with respect to the total amount of monomers, and these were heated at 70 ° C. for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of n-heptane to precipitate a resin, and this resin was filtered to obtain a resin A1-3 (copolymer) having a weight average molecular weight of 3.8 × 10 4 in a yield of 86%. Got in. This resin A1-3 has the following structural units.

Figure 2013231163

実施例7:〔樹脂A1−4の合成〕
モノマーとして、モノマー(III−1−6m)及びモノマー(I−1)を用い、そのモル比〔モノマー(III−1−6m):モノマー(I−1)〕が50:50となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して4.5mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のn−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量2.3×10の樹脂A1−4(共重合体)を収率72%で得た。この樹脂A1−4は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013231163
Example 7: [Synthesis of Resin A1-4]
Monomer (III-1-6m) and monomer (I-1) are used as monomers and mixed so that the molar ratio [monomer (III-1-6m): monomer (I-1)] is 50:50. Then, 1.5 mass times methyl isobutyl ketone of the total monomer amount was added to make a solution. To this solution, 4.5 mol% of azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as an initiator was added with respect to the total monomer amount, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of n-heptane to precipitate a resin, and this resin was filtered to obtain a resin A1-4 (copolymer) having a weight average molecular weight of 2.3 × 10 4 in a yield of 72%. Got in. This resin A1-4 has the following structural units.

Figure 2013231163

実施例8:〔樹脂A1−5の合成〕
モノマーとして、モノマー(I−2)を用い、全モノマー量の1.2質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して4.5mol%添加し、これらを60℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のn−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量4.7×10の樹脂A1−5を収率83%で得た。この樹脂A1−5は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013231163
Example 8: [Synthesis of Resin A1-5]
Monomer (I-2) was used as the monomer, and methyl isobutyl ketone 1.2 times the total monomer amount was added to prepare a solution. To this solution, 4.5 mol% of azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as an initiator was added with respect to the total monomer amount, and these were heated at 60 ° C. for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of n-heptane to precipitate a resin, and this resin was filtered to obtain a resin A1-5 having a weight average molecular weight of 4.7 × 10 4 in a yield of 83%. This resin A1-5 has the following structural units.

Figure 2013231163

実施例9:〔樹脂A1−6の合成〕
モノマーとして、モノマー(I−11)を用い、全モノマー量の1.2質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して4.5mol%添加し、これらを60℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のn−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量5.4×10の樹脂A1−6を収率89%で得た。この樹脂A1−6は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013231163
Example 9: [Synthesis of Resin A1-6]
Monomer (I-11) was used as the monomer, and 1.2 mass times of methyl isobutyl ketone as the total monomer amount was added to prepare a solution. To this solution, 4.5 mol% of azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as an initiator was added with respect to the total monomer amount, and these were heated at 60 ° C. for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of n-heptane to precipitate a resin, and this resin was filtered to obtain a resin A1-6 having a weight average molecular weight of 5.4 × 10 4 in a yield of 89%. This resin A1-6 has the following structural units.

Figure 2013231163

実施例10:〔樹脂A1−7の合成〕
モノマーとして、モノマー(III−1−4m)及びモノマー(I−11)を用い、そのモル比〔モノマー(III−1−4m):モノマー(I−11)〕が50:50となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して4.5mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のn−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量2.9×10の樹脂A1−7(共重合体)を収率80%で得た。この樹脂A1−7は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013231163
Example 10: [Synthesis of Resin A1-7]
Monomer (III-1-4m) and monomer (I-11) are used as monomers and mixed so that the molar ratio [monomer (III-1-4m): monomer (I-11)] is 50:50. Then, 1.5 mass times methyl isobutyl ketone of the total monomer amount was added to make a solution. To this solution, 4.5 mol% of azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as an initiator was added with respect to the total monomer amount, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of n-heptane to precipitate a resin, and this resin was filtered to obtain a resin A1-7 (copolymer) having a weight average molecular weight of 2.9 × 10 4 in a yield of 80%. Got in. This resin A1-7 has the following structural units.

Figure 2013231163

合成例3〔樹脂A2−1の合成〕
モノマーとして、モノマー(a1−1−2)、モノマー(a1−2−3)、モノマー(a2−1−1)、モノマー(a3−1−1)及びモノマー(a3−2−3)を用い、そのモル比〔モノマー(a1−1−2):モノマー(a1−2−3):モノマー(a2−1−1):モノマー(a3−1−1):モノマー(a3−2−3)〕が30:14:6:30:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.2×10の樹脂A2−1(共重合体)を収率78%で得た。この樹脂A2−1は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013231163
Synthesis Example 3 [Synthesis of Resin A2-1]
As the monomer, using monomer (a1-1-2), monomer (a1-2-3), monomer (a2-1-1), monomer (a3-1-1) and monomer (a3-2-3), The molar ratio [monomer (a1-1-2): monomer (a1-2-3): monomer (a2-1-1): monomer (a3-1-1): monomer (a3-2-3)] It mixed so that it might be set to 30: 14: 6: 30: 20, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added, and it was set as the solution. 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators are added to the solution, respectively, with respect to the total monomer amount, and these are heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The resin thus obtained is again dissolved in dioxane, and a solution obtained by pouring the solution into a methanol / water mixed solvent is precipitated twice, and the resin is filtered twice to perform a reprecipitation operation twice. 2 × 10 3 resin A2-1 (copolymer) was obtained with a yield of 78%. This resin A2-1 has the following structural units.

Figure 2013231163

合成例4〔樹脂A2−2の合成〕
モノマーとして、モノマー(a1−1−2)、モノマー(a2−1−1)及びモノマー(a3−1−1)を用い、そのモル比〔モノマー(a1−1−2):モノマー(a2−1−1):モノマー(a3−1−1)〕が50:25:25となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを80℃で約8時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量9.2×10の樹脂A2−2(共重合体)を収率60%で得た。この樹脂A2−2は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013231163
Synthesis Example 4 [Synthesis of Resin A2-2]
As the monomer, monomer (a1-1-2), monomer (a2-1-1) and monomer (a3-1-1) were used, and the molar ratio [monomer (a1-1-2): monomer (a2-1) -1): monomer (a3-1-1)] was mixed at 50:25:25, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to obtain a solution. 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators are added to the solution, respectively, based on the total monomer amount, and these are heated at 80 ° C. for about 8 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The resin thus obtained was dissolved again in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 9. 2 × 10 3 resin A2-2 (copolymer) was obtained with a yield of 60%. This resin A2-2 has the following structural units.

Figure 2013231163

合成例5〔樹脂A2−3の合成〕
モノマーとして、モノマー(a1−1−2)、モノマー(a1−2−9)、モノマー(a2−1−1)、モノマー(a3−1−1)及びモノマー(a3−2−3)を用い、そのモル比〔モノマー(a1−1−2):モノマー(a1−2−9):モノマー(a2−1−1):モノマー(a3−1−1):モノマー(a3−2−3)〕が、30:14:6:30:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量8.4×10の樹脂A2−3(共重合体)を収率85%で得た。この樹脂A2−3は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013231163
Synthesis Example 5 [Synthesis of Resin A2-3]
As the monomer, using monomer (a1-1-2), monomer (a1-2-9), monomer (a2-1-1), monomer (a3-1-1) and monomer (a3-2-3), The molar ratio [monomer (a1-1-2): monomer (a1-2-9): monomer (a2-1-1): monomer (a3-1-1): monomer (a3-2-3)] , 30: 14: 6: 30: 20, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to make a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and a solution obtained by pouring the solution into a methanol / water mixed solvent was precipitated, and the resin was filtered twice. The weight-average molecular weight was 8.4. × 10 3 of the resin A2-3 (copolymer) was obtained in 85% yield. This resin A2-3 has the following structural units.

Figure 2013231163

合成例6〔樹脂A2−4の合成〕
モノマーとして、モノマー(a1−1−2)、モノマー(a1−2−9)、モノマー(a2−1−3)、モノマー(a3−1−1)及びモノマー(a3−2−3)を用い、そのモル比〔モノマー(a1−1−2):モノマー(a1−2−9):モノマー(a2−1−3):モノマー(a3−1−1):モノマー(a3−2−3)〕が、35:15:3:20:27となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.8×10の樹脂A2−4(共重合体)を収率81%で得た。この樹脂A2−4は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013231163
Synthesis Example 6 [Synthesis of Resin A2-4]
As the monomer, using monomer (a1-1-2), monomer (a1-2-9), monomer (a2-1-3), monomer (a3-1-1) and monomer (a3-2-3), The molar ratio [monomer (a1-1-2): monomer (a1-2-9): monomer (a2-1-3): monomer (a3-1-1): monomer (a3-2-3)] , 35: 15: 3: 20: 27, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to obtain a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.8. × 10 3 of the resin A2-4 (copolymer) was obtained in 81% yield. This resin A2-4 has the following structural units.

Figure 2013231163

合成例7〔樹脂A2−5の合成〕
モノマー(a1−1−3)、モノマー(a1−2−9)、モノマー(a2−1−3)、モノマー(a3−1−1)及びモノマー(a3−2−3)を用い、そのモル比〔モノマー(a1−1−3):モノマー(a1−2−9):モノマー(a2−1−3):モノマー(a3−1−1):モノマー(a3−2−3)〕が、35:15:3:20:27となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.9×10の樹脂A2−5(共重合体)を収率73%で得た。この樹脂A2−5は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013231163
Synthesis Example 7 [Synthesis of Resin A2-5]
Using monomer (a1-1-3), monomer (a1-2-9), monomer (a2-1-3), monomer (a3-1-1) and monomer (a3-2-3), the molar ratio [Monomer (a1-1-3): Monomer (a1-2-9): Monomer (a2-1-3): Monomer (a3-1-1): Monomer (a3-2-3)] is 35: The mixture was mixed at 15: 3: 20: 27, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to prepare a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.9. × 10 3 of the resin A2-5 (copolymer) was obtained in 73% yield. This resin A2-5 has the following structural units.

Figure 2013231163

合成例8〔樹脂A2−6の合成〕
モノマーとして、モノマー(a1−1−3)、モノマー(a1−2−9)、モノマー(a2−1−3)、モノマー(a3−2−3)及びモノマー(a3−1−1)を用い、そのモル比〔モノマー(a1−1−3):モノマー(a1−2−9):モノマー(a2−1−3):モノマー(a3−2−3):モノマー(a3−1−1)〕が45:14:2.5:22:16.5となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、0.95mol%及び2.85mol%添加し、これらを73℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/イオン交換水=4/1の混合用液に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量7.8×10の樹脂A2−6(共重合体)を収率73%で得た。この樹脂A2−6は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013231163
Synthesis Example 8 [Synthesis of Resin A2-6]
As the monomer, using monomer (a1-1-3), monomer (a1-2-9), monomer (a2-1-3), monomer (a3-2-3) and monomer (a3-1-1), The molar ratio [monomer (a1-1-3): monomer (a1-2-9): monomer (a2-1-3): monomer (a3-2-3): monomer (a3-1-1)] It mixed so that it might become 45: 14: 2.5: 22: 16.5, and 1.5 mass times propylene glycol monomethyl ether acetate of the total monomer amount was added, and it was set as the solution. To this solution, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added in an amount of 0.95 mol% and 2.85 mol%, respectively, based on the total monomer amount, and these were added at 73 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture is poured into a large amount of methanol / ion-exchanged water = 4/1 mixing solution to precipitate a resin, and the resin is filtered to obtain a resin A2-6 having a weight average molecular weight of 7.8 × 10 3 . (Copolymer) was obtained with a yield of 73%. This resin A2-6 has the following structural units.

Figure 2013231163

合成例9〔樹脂X1の合成〕
モノマーとして、モノマー(a1−1−1)、モノマー(a3−1−1)及びモノマー(a2−1−1)を用い、そのモル比〔モノマー(a1−1−1):モノマー(a3−1−1):モノマー(a2−1−1)〕が35:45:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1.0mol%及び3.0mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.0×10の樹脂X1(共重合体)を収率75%で得た。この樹脂X1は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013231163
Synthesis Example 9 [Synthesis of Resin X1]
As the monomer, monomer (a1-1-1), monomer (a3-1-1) and monomer (a2-1-1) were used, and the molar ratio [monomer (a1-1-1): monomer (a3-1) -1): monomer (a2-1-1)] was mixed at 35:45:20, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to obtain a solution. To this solution, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added in an amount of 1.0 mol% and 3.0 mol%, respectively, based on the total monomer amount, and these were added at 75 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was dissolved again in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.0. A × 10 3 resin X1 (copolymer) was obtained in a yield of 75%. This resin X1 has the following structural units.

Figure 2013231163

合成例10〔樹脂X2の合成〕
モノマーとして、モノマー(f2−1)及びモノマー(a1−1−1)を用い、そのモル比〔モノマー(f2−1):モノマー(a1−1−1)〕が80:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、0.5mol%及び1.5mol%添加し、これらを70℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量2.8×10の樹脂X2(共重合体)を収率70%で得た。この樹脂X2は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2013231163
Synthesis Example 10 [Synthesis of Resin X2]
As the monomer, monomer (f2-1) and monomer (a1-1-1) are used, and the molar ratio [monomer (f2-1): monomer (a1-1-1)] is 80:20. Then, 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to make a solution. To this solution, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added in an amount of 0.5 mol% and 1.5 mol%, respectively, based on the total monomer amount, and these were added at 70 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 2.8. A × 10 4 resin X2 (copolymer) was obtained in a yield of 70%. This resin X2 has the following structural units.

Figure 2013231163

<レジスト組成物の調製>
表1に示す各成分を、表1に示す質量部で、以下に示す溶剤に溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。
<Preparation of resist composition>
Each component shown in Table 1 was dissolved in the following solvent in parts by mass shown in Table 1, and further filtered through a fluororesin filter having a pore diameter of 0.2 μm to prepare a resist composition.

Figure 2013231163
Figure 2013231163

表1及び下記表3において、各符号は以下の化合物を表す。
<樹脂>
上述した合成例で合成した樹脂A1−1〜A1−3、A2−1〜A2−5、X1〜X2
<酸発生剤>
B1:特開2010−152341号公報の実施例に従って合成

Figure 2013231163
B2:WO2008/99869号の実施例及び、特開2010−26478の実施例に従って合成
Figure 2013231163
B3:特開2005−221721の実施例に従って合成
Figure 2013231163
In Table 1 and Table 3 below, each symbol represents the following compound.
<Resin>
Resins A1-1 to A1-3, A2-1 to A2-5, X1 to X2 synthesized in the synthesis examples described above
<Acid generator>
B1: Synthesis according to the example of JP 2010-152341 A
Figure 2013231163
B2: synthesized according to examples of WO2008 / 99869 and JP2010-26478
Figure 2013231163
B3: synthesized according to the example of JP-A-2005-221721
Figure 2013231163

<塩基性化合物:クエンチャー>
C1:2,6−ジイソプロピルアニリン(東京化成工業(株)製)
<Basic compound: Quencher>
C1: 2,6-diisopropylaniline (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)

<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 265.0部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 20.0部
2−ヘプタノン 20.0部
γ−ブチロラクトン 3.5部
<Solvent>
Propylene glycol monomethyl ether acetate 265.0 parts Propylene glycol monomethyl ether 20.0 parts 2-heptanone 20.0 parts γ-butyrolactone 3.5 parts

<欠陥評価>
12インチのシリコン製ウェハ(基板)に、レジスト組成物を、乾燥(プリベーク)後の膜厚が0.15μmとなるようにスピンコーターで塗布した。塗布後、ダイレクトホットプレート上にて、表1のPB欄に示す温度で60秒間プリベークし、ウェハ上に組成物層を形成した。このようにして組成物層が形成されたウェハに、現像機[ACT−12;東京エレクトロン(株)製]を用いて、60秒間、水でリンスを行った。
その後、欠陥検査装置[KLA−2360;KLAテンコール製]を用いて、ウェハ上の欠陥数を測定した。結果を表2に示す。
<Defect evaluation>
The resist composition was applied to a 12-inch silicon wafer (substrate) with a spin coater so that the film thickness after drying (pre-baking) was 0.15 μm. After coating, the composition layer was formed on the wafer by pre-baking on a direct hot plate for 60 seconds at the temperature shown in the PB column of Table 1. The wafer on which the composition layer was thus formed was rinsed with water for 60 seconds using a developing machine [ACT-12; manufactured by Tokyo Electron Ltd.].
Thereafter, the number of defects on the wafer was measured using a defect inspection apparatus [KLA-2360; manufactured by KLA Tencor]. The results are shown in Table 2.

<レジスト組成物の液浸露光評価>
12インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC−29;日産化学(株)製]を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥(プリベーク)後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。
レジスト組成物が塗布されたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表1の「PB」欄に記載された温度で60秒間プリベークして組成物層を形成した。このように組成物層が形成されたウェハに、液浸露光用ArFエキシマレーザステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4Annular X−Y偏光]で、ラインアンドスペースパターン(ピッチ90nm/ライン45nm)を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表1の「PEB」欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。
<Immersion exposure evaluation of resist composition>
An organic antireflective coating composition [ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.] was applied onto a 12-inch silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to obtain a thickness of 78 nm. An organic antireflection film was formed. Subsequently, the resist composition was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness after drying (pre-baking) was 85 nm.
The silicon wafer coated with the resist composition was pre-baked on a direct hot plate for 60 seconds at the temperature described in the “PB” column of Table 1 to form a composition layer. An ArF excimer laser stepper for immersion exposure [XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 Annular XY polarized light] on a wafer on which the composition layer is formed in this manner, and a line and space pattern Using a mask for forming (pitch 90 nm / line 45 nm), the line and space pattern was subjected to immersion exposure by changing the exposure amount stepwise. Note that ultrapure water was used as the immersion medium.
After exposure, post-exposure baking is performed for 60 seconds on a hot plate at the temperature described in the “PEB” column of Table 1, and further paddle development is performed for 60 seconds with an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide solution. And a resist pattern was obtained.

得られたレジストパターンにおいて、50nmのラインアンドスペースパターンのライン幅とスペース幅とが1:1となる露光量を実効感度とした。   In the obtained resist pattern, the exposure amount at which the line width and space width of the 50 nm line-and-space pattern were 1: 1 was defined as effective sensitivity.

<形状評価>
実効感度で得られた50nmのラインパターンの断面を走査型電子顕微鏡で観察した。トップ形状が矩形に近いもの(図面、図1(a))を○、トップ形状が丸いもの(図面、図1(b))を×とした。結果を表2に示す。
<Shape evaluation>
A cross section of a 50 nm line pattern obtained with effective sensitivity was observed with a scanning electron microscope. A top shape close to a rectangle (drawing, FIG. 1 (a)) was marked with ◯, and a round top shape (drawing, FIG. 1 (b)) was marked with a cross. The results are shown in Table 2.

Figure 2013231163
Figure 2013231163

<レジスト組成物の調製>
表3に示す各成分を、表3に示す質量部で、以下に示す溶剤に溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。
<Preparation of resist composition>
Each component shown in Table 3 was dissolved in the following solvent in the parts by mass shown in Table 3, and further filtered through a fluororesin filter having a pore diameter of 0.2 μm to prepare a resist composition.

Figure 2013231163
Figure 2013231163

<ネガ型レジストパターンの製造>
12インチのシリコンウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC−29;日産化学(株)製]を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥(プリベーク)後の組成物層の膜厚が100nmとなるようにスピンコートした。塗布後、ダイレクトホットプレート上にて、表3の「PB」欄に記載された温度で60秒間プリベークして、シリコンウェハ上に組成物層を形成した。
組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ArFエキシマレーザステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4Annular X−Y偏光照明]で、ラインアンドスペースパターン(ピッチ90nm/ライン45nm)を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表3の「PEB」欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行った。次いで、このシリコンウェハ上の組成物層を、現像液として酢酸ブチル(東京化成工業(株)製)を用いて、23℃で20秒間ダイナミックディスペンス法によって現像を行うことにより、ネガ型レジストパターンを製造した。 得られたレジストパターンにおいて、ラインアンドスペースパターンのライン幅とスペース幅とが1:1になる露光量を実効感度とした。
<Manufacture of negative resist pattern>
An organic antireflective coating composition [ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.] was applied onto a 12-inch silicon wafer, and baked under the conditions of 205 ° C. and 60 seconds, whereby an organic layer having a thickness of 78 nm was obtained. An antireflection film was formed. Next, the resist composition was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness of the composition layer after drying (pre-baking) was 100 nm. After coating, the composition layer was formed on the silicon wafer by pre-baking on a direct hot plate at the temperature described in the “PB” column of Table 3 for 60 seconds.
An ArF excimer laser stepper for immersion exposure (XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 Annular XY polarized illumination) is applied to a silicon wafer on which the composition layer has been formed. Using a mask for forming a pitch of 90 nm / line of 45 nm, exposure was performed by changing the exposure amount stepwise. Note that ultrapure water was used as the immersion medium.
After the exposure, post-exposure baking was performed for 60 seconds on the hot plate at the temperature described in the “PEB” column of Table 3. Next, the composition layer on the silicon wafer is developed by using a butyl acetate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a developing solution by a dynamic dispensing method at 23 ° C. for 20 seconds, thereby forming a negative resist pattern. Manufactured. In the obtained resist pattern, an exposure amount at which the line width and space width of the line and space pattern were 1: 1 was defined as effective sensitivity.

<形状評価>
実効感度で得られた45nmのラインパターンの断面を走査型電子顕微鏡で観察した。トップ形状が矩形に近いもの(図面、図1(a))を○、トップ形状が丸いもの(図面、図1(b))を×とした。結果を表4に示す。
<Shape evaluation>
A cross section of a 45 nm line pattern obtained with effective sensitivity was observed with a scanning electron microscope. A top shape close to a rectangle (drawing, FIG. 1 (a)) was marked with ◯, and a round top shape (drawing, FIG. 1 (b)) was marked with a cross. The results are shown in Table 4.

<欠陥評価>
液浸露光用ArFエキシマレーザステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4Annular X−Y偏光照明]で、1:1ラインアンドスペースパターン(ピッチ80nm)を形成するためのマスクを用いて、得られるラインアンドスペースパターンのライン幅とスペース幅とが1:1になる露光量で露光する以外は、上記と同様の操作を行うことにより、ネガ型レジストパターンを製造した。
その後、欠陥検査装置[KLA−2360;KLAテンコール製]を用いて、ウェハ上にある欠陥数(個)を測定した。その結果を表4に示す。
<Defect evaluation>
ArF excimer laser stepper for immersion exposure [XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 Annular XY polarized illumination] for forming a 1: 1 line and space pattern (pitch 80 nm) Using the mask, a negative resist pattern was manufactured by performing the same operation as above except that exposure was performed with an exposure amount at which the line width and space width of the obtained line and space pattern were 1: 1.
Thereafter, the number of defects (pieces) on the wafer was measured using a defect inspection apparatus [KLA-2360; manufactured by KLA Tencor]. The results are shown in Table 4.

Figure 2013231163
Figure 2013231163

本発明のレジスト組成物は、形状に優れ、かつ欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造できる。   The resist composition of the present invention can produce a resist pattern that is excellent in shape and has a small number of defects.

(a)は、トップ形状が矩形に近いレジストパターンを表す。 (A) represents the resist pattern whose top shape is close to a rectangle.

(b)は、トップ形状が丸いレジストパターンを表す。 (B) represents a resist pattern having a round top shape.

Claims (6)

式(I)で表される化合物。
Figure 2013231163
[式(I)中、
は、水素原子又はメチル基を表す。
は、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。
は、ハロゲン原子を有する炭素数1〜18の2価の飽和炭化水素基を表す。
は、*−CO−O−又は*−O−CO−を表す。*は、Aとの結合手を表す。
は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。
環Wは、置換基を有してもよい複素環を表す。]
A compound represented by formula (I).
Figure 2013231163
[In the formula (I),
R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
A 1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms.
A 2 represents a C 1-18 divalent saturated hydrocarbon group having a halogen atom.
X 1 represents * —CO—O— or * —O—CO—. * Represents a bond to A 2.
A 3 represents a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms.
Ring W 1 represents a heterocyclic ring which may have a substituent. ]
環Wは、環状エーテル構造を含む環である請求項1記載の化合物。 Ring W 1, the compound according to claim 1, wherein the ring containing a cyclic ether structure. 請求項1又は2記載の化合物に由来する構造単位を有する樹脂。   A resin having a structural unit derived from the compound according to claim 1. 請求項3記載の樹脂と酸発生剤とを含むレジスト組成物。   A resist composition comprising the resin according to claim 3 and an acid generator. 更に、酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解性が増大する樹脂を含む請求項4記載のレジスト組成物。   Furthermore, the resist composition of Claim 4 containing resin which the solubility to alkaline aqueous solution increases by the effect | action of an acid. (1)請求項4又は5記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
(1) The process of apply | coating the resist composition of Claim 4 or 5 on a board | substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating,
A method for producing a resist pattern including:
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