JP2013229202A - Organic electroluminescent element - Google Patents
Organic electroluminescent element Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013229202A JP2013229202A JP2012100835A JP2012100835A JP2013229202A JP 2013229202 A JP2013229202 A JP 2013229202A JP 2012100835 A JP2012100835 A JP 2012100835A JP 2012100835 A JP2012100835 A JP 2012100835A JP 2013229202 A JP2013229202 A JP 2013229202A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- light emitting
- sealing
- adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 228
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 100
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 93
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 71
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 70
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 25
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 claims description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 97
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 119
- 238000000034 method Methods 0.000 description 79
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 58
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 34
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 32
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 29
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 27
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 20
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 11
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002585 base Substances 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 9
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 8
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 8
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 7
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 7
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 6
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 5
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 4
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 4
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 4
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid Chemical compound CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 4
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 4
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 4
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M Butyrate Chemical compound CCCC([O-])=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Natural products CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M Formate Chemical compound [O-]C=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 3
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- CSUFEOXMCRPQBB-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluoropropan-1-ol Chemical compound CC(F)(F)C(O)(F)F CSUFEOXMCRPQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-L Malonate Chemical compound [O-]C(=O)CC([O-])=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002504 iridium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-L succinate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCC([O-])=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229940070710 valerate Drugs 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJVRPNIWWODHHA-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(=C)C#N IJVRPNIWWODHHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(dimethylamino)-2-methylphenyl]-phenylmethyl]-n,n,3-trimethylaniline Chemical compound CC1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)N(C)C)C)C1=CC=CC=C1 AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUQOBHTUMCEQBG-UHFFFAOYSA-N 4-amino-5-hydroxynaphthalene-1,7-disulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC(O)=C2C(N)=CC=C(S(O)(=O)=O)C2=C1 ZUQOBHTUMCEQBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- MEIBOBDKQKIBJH-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-phenylcyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCC(CC1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MEIBOBDKQKIBJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUSWRTUHJVJVRY-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]propan-2-yl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C(C)(C)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 DUSWRTUHJVJVRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical group C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIQGFRHAIQHZBD-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]-phenylmethyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 XIQGFRHAIQHZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 9H-Pyrido[2,3-b]indole Chemical class C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=N1 BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 229920000623 Cellulose acetate phthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001747 Cellulose diacetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001651 Cyanoacrylate Polymers 0.000 description 1
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N Dibenzofuran Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M Lactate Chemical compound CC(O)C([O-])=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N Methyl cyanoacrylate Chemical compound COC(=O)C(=C)C#N MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-M Pyruvate Chemical compound CC(=O)C([O-])=O LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L adipate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCCCC([O-])=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150059062 apln gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229940077388 benzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-M benzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 229940081734 cellulose acetate phthalate Drugs 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000003869 coulometry Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-M decanoate Chemical compound CCCCCCCCCC([O-])=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 150000004826 dibenzofurans Chemical class 0.000 description 1
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001872 inorganic gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-L isophthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC(C([O-])=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940001447 lactate Drugs 0.000 description 1
- 229940049920 malate Drugs 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N malic acid Chemical compound OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000013008 moisture curing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-M octanoate Chemical compound CCCCCCCC([O-])=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical class CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002908 osmium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N p-quaterphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 description 1
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003058 platinum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 229940076788 pyruvate Drugs 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical compound C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical class C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-M salicylate Chemical compound OC1=CC=CC=C1C([O-])=O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960001860 salicylate Drugs 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- DQJCHOQLCLEDLL-UHFFFAOYSA-N tricyclazole Chemical class CC1=CC=CC2=C1N1C=NN=C1S2 DQJCHOQLCLEDLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、表示装置、照明装置等の用途に適用可能な有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence element applicable to uses such as a display device and a lighting device.
有機物質を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、たとえば、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子や、書き込み光源アレイの発光素子等への用途において有望視されており、有機ＥＬ素子の研究開発が活発に進められている。 Organic electroluminescence elements (organic EL elements) using organic substances are regarded as promising for use in, for example, solid light-emitting inexpensive large-area full-color display elements and light-emitting elements for writing light source arrays. Research and development of devices are actively underway.
有機ＥＬ素子は、一般に、基板上に、第１電極、発光層を含む有機化合物層および第２電極がこの順で積層されて、形成された薄膜型の素子である。ここで、第１電極および第２電極の一方が陽極を構成し、他方が陰極を構成する。また、発光層は、有機発光物質を含有する一つまたは複数の層で構成されている。 In general, an organic EL element is a thin film element formed by laminating a first electrode, an organic compound layer including a light emitting layer, and a second electrode in this order on a substrate. Here, one of the first electrode and the second electrode constitutes an anode, and the other constitutes a cathode. The light emitting layer is composed of one or a plurality of layers containing an organic light emitting material.
このような構成の有機ＥＬ素子において、第１電極および第２電極間に電圧を印加すると、一方の電極（陽極）から発光層に正孔が注入され、かつ、他方の電極（陰極）から発光層に電子が注入される。そして、発光層に注入された正孔及び電子が発光層において再結合することにより、有機発光物質のエネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻り、この際に生じるエネルギーが光として発光層から放出される。 In the organic EL element having such a configuration, when a voltage is applied between the first electrode and the second electrode, holes are injected from the one electrode (anode) into the light emitting layer and light is emitted from the other electrode (cathode). Electrons are injected into the layer. Then, when holes and electrons injected into the light emitting layer recombine in the light emitting layer, the energy level of the organic light emitting material returns from the conduction band to the valence band, and the energy generated at this time is converted from the light emitting layer as light. Released.
上記原理で発光する有機ＥＬ素子では、その発光面において、ダークスポットと呼ばれる非発光点が時間経過とともに拡大する。このダークスポットの拡大現象は、有機ＥＬ素子の電極や有機層（発光層）等が、外部からの酸素や水蒸気の浸入により劣化することにより発生する。このような有機ＥＬ素子への酸素や水蒸気の浸入を防止するため、様々な有機ＥＬ素子の封止技術が提案されている。 In the organic EL element that emits light based on the above principle, a non-light emitting point called a dark spot is enlarged with time on the light emitting surface. The dark spot expansion phenomenon occurs when the electrodes of the organic EL element, the organic layer (light emitting layer), and the like deteriorate due to the ingress of oxygen or water vapor from the outside. In order to prevent oxygen and water vapor from entering such organic EL elements, various sealing techniques for organic EL elements have been proposed.
たとえば、特許文献１には、素子基板上に封止膜と撥水層とを含む素子保護部を有する有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）の構成について開示されている。
また、特許文献２には、有機ＥＬディスプレイ（有機ＥＬ素子）の素子基板上に無機封止膜を形成し、さらに、該無機封止膜上にシール材を介して封止部材を接着する技術が開示されている。
しかし、上記のような封止技術だけで、良好な封止性能を得ることは難しい。
For example,
Patent Document 2 discloses a technique in which an inorganic sealing film is formed on an element substrate of an organic EL display (organic EL element), and a sealing member is bonded onto the inorganic sealing film via a sealing material. Is disclosed.
However, it is difficult to obtain good sealing performance only by the sealing technique as described above.
そのため、現状では、たとえば、有機ＥＬ素子のシール幅（封止幅：発光層の発光領域端部から有機ＥＬ素子の側壁部までの距離）を広げて、良好な封止性能（発光性能）を得ている。しかし、シール幅を広げた場合には、有機ＥＬ素子の発光面の外周端付近の領域に形成される非発光領域の面積が増大してしまう。 Therefore, at present, for example, the sealing width of the organic EL element (sealing width: the distance from the end of the light emitting region of the light emitting layer to the side wall of the organic EL element) is widened to achieve good sealing performance (light emitting performance). It has gained. However, when the seal width is increased, the area of the non-light emitting region formed in the region near the outer peripheral edge of the light emitting surface of the organic EL element increases.
また、外部からの水分の浸入を防止する別の方法としては、発光層の光取り出し側とは反対側に設けられた電極（第２電極）の厚さを増大させて、有機層を外界から保護する方法が考えられる。しかしながら、この方法では、有機ＥＬ素子のフレキシブル性が低減し、さらには、第２電極の膜厚が厚すぎるため、第２電極が素子基板から剥離し易くなるという弊害が生じる。 Further, as another method for preventing moisture from entering from the outside, the thickness of the electrode (second electrode) provided on the side opposite to the light extraction side of the light emitting layer is increased so that the organic layer is exposed from the outside. A way to protect is conceivable. However, in this method, the flexibility of the organic EL element is reduced, and further, since the second electrode is too thick, the second electrode is easily peeled off from the element substrate.
また、封止容器内に固体の吸湿材を設置、あるいは吸湿硬化性の樹脂を配置する等の方法も検討されている（たとえば、特許文献３，４参照）が、いずれも中空封止を対象にしており、素子のフレキシブル性を満足するものではない。
一方で、塗布型のデシカント剤（補水剤）も開発されてはいるが、接着剤としての効果がなく、密着性・封止性能の点において十分とはいえない。
In addition, methods such as placing a solid hygroscopic material in a sealed container or arranging a hygroscopic curable resin have been studied (for example, see Patent Documents 3 and 4). Therefore, the flexibility of the element is not satisfied.
On the other hand, a coating-type desiccant (water replenisher) has been developed, but it has no effect as an adhesive and is not sufficient in terms of adhesion and sealing performance.
上述した各種問題から、フレキシブル性が要求される有機ＥＬ素子に上記封止技術を単に適用しただけでは、フレキシブル性および発光性能の両方に優れた特性を有する有機ＥＬ素子を得ることは難しい。 Because of the various problems described above, it is difficult to obtain an organic EL element having characteristics excellent in both flexibility and light emitting performance by simply applying the sealing technique to an organic EL element that requires flexibility.
したがって、本発明の主な目的は、フレキシブル性が要求される有機ＥＬ素子において、シール幅や厚みを増大させることなく、発光品質の経時変化（劣化）を抑制する有機ＥＬ素子を提供することにある。 Accordingly, a main object of the present invention is to provide an organic EL element that suppresses a change (deterioration) in light emission quality over time without increasing a seal width and thickness in an organic EL element that requires flexibility. is there.
上記課題を解決するため、本発明によれば、
素子基板上に、第１電極、発光層を含む少なくとも１層からなる有機化合物層、第２電極および封止基材を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記素子基板と前記封止基材とが可撓性を有し、
前記第２電極と前記封止基材とが、接着剤層を介して貼合され、
前記接着剤層が、少なくとも１種の熱硬化性接着剤を含む封止部と、少なくとも１種の湿気硬化性接着剤を含む吸湿部とからなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
In order to solve the above problems, according to the present invention,
On an element substrate, an organic electroluminescence element having a first electrode, an organic compound layer composed of at least one layer including a light emitting layer, a second electrode, and a sealing substrate.
The element substrate and the sealing substrate have flexibility,
The second electrode and the sealing substrate are bonded via an adhesive layer,
Provided is an organic electroluminescence device, wherein the adhesive layer is composed of a sealing portion containing at least one thermosetting adhesive and a moisture absorbing portion containing at least one moisture curable adhesive. The
本発明によれば、フレキシブル性が要求される有機ＥＬ素子において、シール幅や厚みを増大させることなく、発光品質の経時変化（劣化）を抑制することができる有機ＥＬ素子を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, in the organic EL element in which flexibility is requested | required, the organic EL element which can suppress a time-dependent change (deterioration) of light emission quality can be provided, without increasing seal width and thickness. .
以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.
《有機ＥＬ素子の構成》
図１（ａ）に示すとおり、有機ＥＬ素子１は、フレキシブル性を有する素子であり、有機ＥＬ素子本体部１０と、接着剤層２０と、封止基材３０とから構成されている。
有機ＥＬ素子本体部１０は、接着剤層２０を介して、封止基材３０と貼合されている。すなわち、有機ＥＬ素子１は固体密着型の素子として構成されている。
<< Configuration of organic EL element >>
As shown in FIG. 1A, the
The organic
有機ＥＬ素子本体部１０は、素子基板１１上に、陽極１２、有機化合物層１３、陰極１４、無機膜層１５が順次積層され、構成されている。
陰極１４は、有機化合物層１３を被覆した状態で形成され、さらに、その上に陰極１４を被覆した状態で無機膜層１５が形成されている。
また、陽極１２の外周端部付近の領域、すなわち、陽極１２の非発光領域内の所定領域上であって、陽極１２と陰極１４との間には無機絶縁膜１６が形成されている。無機絶縁膜１６により、陽極１２および陰極１４間の絶縁性を確保（陽極１１および陰極１３間の電気的短絡を防止）している。
The organic
The
An inorganic
接着剤層２０は、封止部２２と吸湿部２４とから構成されている。
封止部２２は、有機ＥＬ素子本体部１０を被覆した状態で形成されている。
吸湿部２４は、封止部２２の内側であって、封止基材３０の陰極１４側にシート状に形成されている。
吸湿部２４は、図１（ｂ）に示すように、矩形状を呈している。
吸湿部２４は、平面視において有機化合物層１３を被覆するように形成されている。
The
The sealing
The
The
The
なお、本実施形態において、有機ＥＬ素子１の一例として無機膜層１５を有する素子について説明したが、無機膜層１５を有さない構成としても良い。
In the present embodiment, the element having the
また、図１には示していないが、有機ＥＬ素子本体部１０は、陽極１２および陰極１４の外部取り出し電極端部が外部に露出するように封止基材３０によって封止されている。
Although not shown in FIG. 1, the organic
また、本実施形態の有機ＥＬ素子１では、発光層（有機化合物層１３）から射出された光を、陽極１２側のみから取り出してもよいし、陽極１２および陰極１４の両方の側から取り出してもよいし、陰極１４側のみから取り出してもよい。
Further, in the
また、有機化合物層１３は、発光層以外にも、たとえば、キャリア（正孔および電子）の注入層、阻止層および輸送層等の各種有機層を備え、これらの各種有機層を積層して構成されている。これらの各有機層の構成については、後で詳述する。
In addition to the light emitting layer, the
以下、有機ＥＬ素子１の各部および各層の構成をより具体的に説明する。
Hereinafter, the structure of each part and each layer of the
《素子基板》
素子基板１１（基体、基板、基材、支持体）は、たとえば、ガラス、プラスチック等の透明性材料で形成することができる。好ましくはガラス基板、可撓性基材で構成するのがよい。可撓性基材としては、透明樹脂フィルムや薄膜ガラス等を用いることができる。
<Element substrate>
The element substrate 11 (base, substrate, base, support) can be formed of a transparent material such as glass or plastic, for example. Preferably, the glass substrate and the flexible base material are used. As the flexible substrate, a transparent resin film, thin film glass, or the like can be used.
透明樹脂フィルムとしては、たとえば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル、ポリアリレート類、アートン（登録商標：ＪＳＲ社製）またはアペル（登録商標：三井化学社製）と呼ばれるシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。 Examples of the transparent resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, and cellulose acetate propionate (CAP). Cellulose esters such as cellulose acetate phthalate (TAC) and cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, Polyimide, polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfur , Polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic, polyarylates, Arton (registered trademark: manufactured by JSR) or Apel (registered trademark: manufactured by Mitsui Chemicals) Examples thereof include cycloolefin-based resins.
素子基板１１を透明樹脂フィルムで構成した場合、有機ＥＬ素子１内への水蒸気、酸素等の透過を抑制するために、透明樹脂フィルムの表面に、無機材料からなる被膜、有機材料からなる被膜またはこれらの被膜を積層したハイブリッド被膜を設けてもよい。
この場合には、水蒸気透過度（環境条件：２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が約０．０１ｇ／［ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ］以下の値となるようなバリア性フィルムで上記被膜を構成することが好ましい。また、上記被膜を酸素透過度が約１０−３ｃｍ３／［ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ］以下の値であり、かつ、水蒸気透過度が約１０−３ｇ／［ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ］以下の値となるようなバリア性フィルムで構成することがより好ましい。さらに、上記被膜を酸素透過度が約１０−３ｃｍ３／［ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ］以下の値であり、かつ、水蒸気透過度が約１０−５ｇ／［ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ］以下の値となるようなバリア性フィルムで構成することが特に好ましい。
なお、「水蒸気透過度」とは、ＪＩＳ（日本工業規格）−Ｋ７１２９（１９９２年）に準拠した赤外センサー法により測定された値であり、「酸素透過度」は、ＪＩＳ−Ｋ７１２６（１９８７年）に準拠したクーロメトリック法により測定された値である。
When the
In this case, the water vapor permeability (environmental condition: 25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) is about 0.01 g / [m 2 · day · atm] or less. It is preferable to comprise the said film with a barrier film. Further, the film has an oxygen permeability of about 10 −3 cm 3 / [m 2 · day · atm] or less and a water vapor permeability of about 10 −3 g / [m 2 · day · atm]. It is more preferable to use a barrier film having the following values. Further, the film has an oxygen permeability of about 10 −3 cm 3 / [m 2 · day · atm] or less and a water vapor permeability of about 10 −5 g / [m 2 · day · atm]. It is particularly preferable to use a barrier film having the following values.
The “water vapor permeability” is a value measured by an infrared sensor method based on JIS (Japanese Industrial Standard) -K7129 (1992), and the “oxygen permeability” is JIS-K7126 (1987). ) Measured by a coulometric method in accordance with
上述したバリア性フィルムの形成材料としては、有機ＥＬ素子１の劣化を招く、たとえば水分、酸素等の因子の有機ＥＬ素子１への浸入を抑制できる材料であれば、任意の材料を用いることができる。
バリア性フィルムとしては、たとえば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等の無機材料からなる被膜等が挙げられる。なお、バリア性フィルムの脆弱性を改良するためには、上記無機材料からなる被膜と有機材料からなる被膜とを積層したハイブリッド被膜でバリア性フィルムを構成することが好ましい。この場合、無機材料からなる被膜と有機材料からなる被膜との積層順序は任意であるが、両者を交互に複数積層することが好ましい。
As the material for forming the barrier film described above, any material may be used as long as the material can cause deterioration of the
Examples of the barrier film include a film made of an inorganic material such as silicon oxide, silicon dioxide, or silicon nitride. In order to improve the brittleness of the barrier film, the barrier film is preferably composed of a hybrid film in which a film made of the inorganic material and a film made of an organic material are laminated. In this case, the order of laminating the film made of an inorganic material and the film made of an organic material is arbitrary, but it is preferable to laminate a plurality of both alternately.
また、上述のようなバリア性フィルムの形成方法としては、バリア性フィルムを素子基板１１（透明樹脂フィルム）上に形成できる方法であれば任意の方法を用いることができる。たとえば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法（特開２００４−６８１４３号公報参照）、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。好ましくは大気圧プラズマ重合法を用いるのがよい。 Moreover, as a formation method of the above barrier films, any method can be used as long as the barrier film can be formed on the element substrate 11 (transparent resin film). For example, vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma polymerization method (see JP 2004-68143 A), A plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used. The atmospheric pressure plasma polymerization method is preferably used.
《陽極》
陽極１２は、発光層に正孔を供給（注入）する電極膜であり、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）、たとえば、金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物等の電極材料で形成される。
"anode"
The
具体的には、有機ＥＬ素子１において、陽極１２側から光を取り出す場合には、陽極１２は、たとえば、Ａｕ等の金属や、ＣｕＩ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の金属化合物等の光透過性を有する電極材料で形成することができる。また、ＩＤＩＸＯ（登録商標：Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等の非晶質の透明電極材料で形成することもできる。
Specifically, in the
なお、有機ＥＬ素子１において、陽極１２側から光を取り出す場合には、陽極１２の光透過率は約１０％より大きいことが好ましい。また、陽極１２のシート抵抗（表面抵抗）は数百Ω／ｓｑ．以下の値であることが好ましい。さらに、陽極１２の膜厚は、形成材料に依存して変化するが、通常、約１０〜１０００ｎｍ、好ましくは約１０〜２００ｎｍの範囲である。
In the
一方、有機ＥＬ素子１において、陽極１２側から光を取り出さない場合、すなわち、陰極１４側からのみ光を取り出す場合には、陽極１２を、たとえば、金属、アモルファス合金、微結晶性合金等の高反射率を有する電極材料で形成することもできる。
On the other hand, in the
陽極１２は、たとえば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成することができる。このとき、フォトリソグラフィー技術を用いて、陽極１２を所望の形状パターンで形成してもよい。なお、陽極１２において、形状パターンの精度を必要としない場合（精度が約１００μｍ以上の値である場合）には、陽極１２を蒸着やスパッタリング等の方法により形成する際に、所望の形状パターンが形成されたマスクを介して、所望パターンの陽極１２を形成してもよい。
The
《有機化合物層》
有機化合物層１３は、たとえば、発光層、キャリア（正孔および電子）の注入層、阻止層および輸送層等の各種有機層で構成されている。
以下、有機化合物層１３を構成する各有機層について説明する。
<Organic compound layer>
The
Hereinafter, each organic layer constituting the
（１）正孔注入層（陽極バッファー層）
本実施形態の有機ＥＬ素子１では、陽極１２と発光層との間または陽極１２と後述の正孔輸送層との間に、正孔注入層を設けてもよい。正孔注入層は、有機ＥＬ素子１の駆動電圧の低下や発光輝度の向上を図るために設けられる層である。
(1) Hole injection layer (anode buffer layer)
In the
ここでは、正孔注入層の構成の詳細な説明を省略するが、たとえば、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線」（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）の第２編第２章「電極材料」（１２３−１６６頁）に正孔注入層の構成が詳細に記載されている。
正孔注入層の形成材料としては、特開２０００−１６０３２８号公報に記載されている化合物を用いることができる。また、後述の各実施例で用いる、構造式（１）で表されるＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））等を含む化合物を正孔注入層の形成材料として用いてもよい。
Here, a detailed description of the structure of the hole injection layer is omitted. For example, “Organic EL device and its forefront of industrialization” (published on November 30, 1998 by NTT) The structure of the hole injection layer is described in detail in Chapter 2, “Electrode Material” (pages 123-166).
As a material for forming the hole injection layer, compounds described in JP-A No. 2000-160328 can be used. In addition, a compound containing PEDOT (poly (3,4-ethylenedioxythiophene)) represented by the structural formula (1) and the like used in each example described later may be used as a material for forming the hole injection layer. .
（２）正孔輸送層
正孔輸送層は、陽極１２から供給された正孔を発光層に輸送（注入）する層である。また、正孔輸送層は、陰極１４側からの電子の流入を阻止する障壁としても作用する。そのため、正孔輸送層という用語は、広い意味で、正孔注入層や電子阻止層を含む意味で用いられることもある。
(2) Hole Transport Layer The hole transport layer is a layer that transports (injects) holes supplied from the
正孔輸送材料としては、上述した正孔を輸送（注入）する作用および電子の流入を阻止する作用を発現可能な材料であれば、有機材料および無機材料のいずれの材料も用いることができる。
具体的には、正孔輸送材料として、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（特に、チオフェンオリゴマー）、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物（スチリルアミン化合物）等の化合物が挙げられるが、特に芳香族第３級アミン化合物（たとえば、構造式（２）で表されるＨＴ−１を有する化合物（実施例参照））を用いることが好ましい。
As the hole transport material, any material of an organic material and an inorganic material can be used as long as the material can exhibit the above-described action of transporting (injecting) holes and blocking the inflow of electrons.
Specifically, as a hole transport material, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styryl Anthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, conductive polymer oligomers (especially thiophene oligomers), porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds (styrylamine compounds), etc. Examples of the compound include aromatic tertiary amine compounds (for example, compounds having HT-1 represented by the structural formula (2) (see Examples)).
芳香族第３級アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）、２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン、４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン等のスチリルアミン化合物が挙げられる。
さらに、芳香族第３級アミン化合物として、米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されているような２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、たとえば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）や、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているようなトリフェニルアミンユニットが３つ、スターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等の化合物を用いてもよい。
Aromatic tertiary amine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -[1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD), 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane, 1,1-bis (4-di-p- Tolylaminophenyl) cyclohexane, N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl, 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) -4-phenyl Cyclohexane, bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane, bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane, N, N'-diphenyl-N, N'-di (4-methoxyphenyl) ) -4, '-Diaminobiphenyl, N, N, N', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl, N, N, N-tri (p- Tolyl) amine, 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene, 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene, 3- And styrylamine compounds such as methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene.
Furthermore, as aromatic tertiary amine compounds, those having two condensed aromatic rings in the molecule as described in US Pat. No. 5,061,569, for example, 4,4′- Three bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD) and three triphenylamine units as described in JP-A-4-308688 were linked in a starburst type. A compound such as 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (MTDATA) may be used.
また、正孔輸送材料として、たとえば、上述した各種正孔輸送材料を高分子鎖に導入した高分子材料または上述した各種正孔輸送材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔輸送材料および正孔注入層の形成材料として使用することができる。
In addition, as the hole transport material, for example, a polymer material in which the above-described various hole transport materials are introduced into a polymer chain or a polymer material in which the above-described various hole transport materials are the main chain of the polymer may be used. it can.
In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole transport material and the hole injection layer forming material.
さらに、正孔輸送材料として、たとえば、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ８０（２００２），ｐ．１３９）等の文献に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料と呼ばれる材料を用いてもよい。なお、このような材料を正孔輸送材料として用いた場合には、より高効率の発光素子を得ることができる。 Further, as a hole transport material, for example, JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. A material referred to as a so-called p-type hole transport material as described in literatures (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) may be used. Note that when such a material is used as a hole transport material, a more efficient light-emitting element can be obtained.
また、正孔輸送層に不純物をドープして、ｐ性の高い（正孔リッチ）正孔輸送層を形成してもよい。その一例は、たとえば、特開平４−２９７０７６号、特開２０００−１９６１４０号、特開２００１−１０２１７５号、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等の文献に記載されている。正孔リッチの正孔輸送層を用いた場合、より低消費電力の有機ＥＬ素子１を作製することができる。
Alternatively, the hole transport layer may be doped with an impurity to form a hole transport layer having a high p property (hole rich). Examples thereof include, for example, JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, J.A. Appl. Phys. , 95, 5773 (2004). When a hole-rich hole transport layer is used, the
正孔輸送層は、たとえば、スピンコート法、蒸着法等の方法により形成することができる。
正孔輸送層の膜厚は、用いる正孔輸送材料等の条件に応じて適宜設定されるが、通常、約５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは約５〜２００ｎｍの範囲である。
なお、正孔輸送層は、一層だけ設けてもよいし、複数層設けてもよい。正孔輸送層を一層構造とする場合には、上述した正孔輸送材料のうちの一種または二種以上の材料が正孔輸送層に含まれるようにする。
The hole transport layer can be formed, for example, by a method such as spin coating or vapor deposition.
Although the film thickness of a positive hole transport layer is suitably set according to conditions, such as a positive hole transport material to be used, Usually, about 5 nm-5 micrometers, Preferably it is the range of about 5-200 nm.
Note that only one hole transport layer may be provided or a plurality of layers may be provided. When the hole transport layer has a single layer structure, one or more materials among the above-described hole transport materials are included in the hole transport layer.
（３）発光層
発光層は、陽極１２から直接または陽極１２から正孔輸送層等を介して注入される正孔と、陰極１４から直接または陰極１４から電子輸送層等を介して注入される電子とが再結合して発光する層である。なお、発光する部分は、発光層の内部であってもよいし、発光層と、それに隣接する層との間の界面であってもよい。
(3) Light-Emitting Layer The light-emitting layer is injected directly from the
また、発光層は、一層だけ設けてもよいし、複数層設けてもよい。
発光層を複数設ける場合には、互いに発光色の異なる複数の発光層を積層した構成としてもよい。また、隣り合う発光層間に、非発光性の中間層を設けてもよい。この場合、中間層は、発光層内の後述するホスト化合物と同様の材料で形成することができる。
Further, only one light emitting layer may be provided or a plurality of light emitting layers may be provided.
When a plurality of light emitting layers are provided, a structure in which a plurality of light emitting layers having different emission colors from each other may be stacked. Further, a non-light emitting intermediate layer may be provided between adjacent light emitting layers. In this case, the intermediate layer can be formed of the same material as the host compound described later in the light emitting layer.
本実施形態では、発光層を、ホスト化合物（発光ホスト）と発光材料（発光ドーパント）とを含む有機発光性材料で形成する。このような構成の発光層では、発光材料の発光波長や含有させる発光材料の種類等を適宜調整することにより任意の発光色を得ることができる。 In the present embodiment, the light emitting layer is formed of an organic light emitting material including a host compound (light emitting host) and a light emitting material (light emitting dopant). In the light emitting layer having such a configuration, an arbitrary emission color can be obtained by appropriately adjusting the emission wavelength of the light emitting material, the type of the light emitting material to be contained, and the like.
発光層は、たとえば、スピンコート法、蒸着法等の方法を用いて形成することができる。
発光層の膜厚は、任意に設定することが可能であるが、構成膜の均質性、発光時における不必要な高電圧の印加の防止および駆動電流に対する発光色の安定性向上等の点から、好ましくは約２〜２００ｎｍ、より好ましくは約５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲である。
The light emitting layer can be formed by using a method such as spin coating or vapor deposition.
The thickness of the light emitting layer can be set arbitrarily, but from the viewpoints of homogeneity of the constituent films, prevention of unnecessary application of high voltage during light emission, and improvement of the stability of the light emission color against the drive current , Preferably about 2 to 200 nm, more preferably about 5 nm to 100 nm.
以下、発光層に含まれるホスト化合物および発光材料について説明する。 Hereinafter, the host compound and the light emitting material contained in the light emitting layer will be described.
（３−１）ホスト化合物
発光層に含まれるホスト化合物としては、室温（２５℃）におけるリン光発光のリン光量子収率が約０．１未満の値である化合物を用いることが好ましい。特に、リン光量子収率が約０．０１未満の値である化合物をホスト化合物として用いることが好ましい。また、発光層中のホスト化合物の体積比は、発光層に含まれる各種化合物の中で約５０％以上の値とすることが好ましい。
(3-1) Host compound As the host compound contained in the light emitting layer, it is preferable to use a compound having a phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission at room temperature (25 ° C) of less than about 0.1. In particular, a compound having a phosphorescence quantum yield of less than about 0.01 is preferably used as the host compound. The volume ratio of the host compound in the light emitting layer is preferably about 50% or more among various compounds contained in the light emitting layer.
また、ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を用いることができる。その際、一種類のホスト化合物を用いてもよいし、複数種のホスト化合物を併用してもよい。複数種のホスト化合物を用いることにより、電荷（正孔および／または電子）の移動度（移動量）を調整することができ、有機ＥＬ素子１の発光効率を向上させることができる。
A known host compound can be used as the host compound. At that time, one type of host compound may be used, or a plurality of types of host compounds may be used in combination. By using a plurality of types of host compounds, the mobility (movement amount) of electric charges (holes and / or electrons) can be adjusted, and the light emission efficiency of the
上述のような特性を有するホスト化合物としては、たとえば、公知の低分子化合物、繰り返し単位をもつ高分子化合物、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）等の化合物が挙げられる。
また、ホスト化合物としては、正孔輸送機能、電子輸送機能、発光の長波長化を防止する機能および高Ｔｇ（ガラス転移温度）を有する化合物を用いることが好ましい。
なお、「ガラス転移温度（Ｔｇ）」とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量）法を用いて、ＪＩＳ−Ｋ７１２１に準拠した方法により求められる値である。
Examples of the host compound having the above-described characteristics include known low-molecular compounds, high-molecular compounds having repeating units, and low-molecular compounds having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (evaporation polymerizable light-emitting host). ) And the like.
Further, as the host compound, it is preferable to use a compound having a hole transport function, an electron transport function, a function of preventing emission of longer wavelengths, and a high Tg (glass transition temperature).
The “glass transition temperature (Tg)” is a value obtained by a method based on JIS-K7121 using a DSC (Differential Scanning Calorimetry) method.
ホスト化合物として、具体的には、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等の文献に記載されている化合物が挙げられる。
中でも好ましいホスト化合物は、カルバゾール誘導体であり、特に、カルバゾール誘導体であって、かつ、ジベンゾフラン化合物であることがより好ましい（たとえば、構造式（３）で表されるＨ−Ａを有するホスト化合物（実施例参照））。
Specific examples of the host compound include JP-A Nos. 2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, and 2002-334786. Gazette, 2002-8860, 2002-334787, 2002-15871, 2002-334788, 2002-43056, 2002-334789, 2002-75645 2002-338579, 2002-105445, 2002-343568, 2002-141173, 2002-352957, 2002-203683, 2002-363227, same 002-231453, 2003-3165, 2002-234888, 2003-27048, 2002-255934, 2002-260861, 2002-280183, 2002 -29960 gazette, 2002-302516 gazette, 2002-305083 gazette, 2002-305084 gazette, 2002-308837 gazette, etc. The compound currently described in literatures is mentioned.
Among them, a preferable host compound is a carbazole derivative, and more preferably a carbazole derivative and a dibenzofuran compound (for example, a host compound having HA represented by the structural formula (3) (implementation) See example)).
（３−２）発光材料（発光ドーパント）
発光材料としては、たとえば、リン光発光材料（リン光性化合物、リン光発光性化合物）、蛍光発光材料等を用いることができる。発光効率の向上の観点では、発光材料としてリン光発光材料を用いることが好ましい。
(3-2) Luminescent material (luminescent dopant)
As the light emitting material, for example, a phosphorescent light emitting material (phosphorescent compound, phosphorescent light emitting compound), a fluorescent light emitting material, or the like can be used. From the viewpoint of improving the light emission efficiency, it is preferable to use a phosphorescent light emitting material as the light emitting material.
リン光発光材料は、励起三重項からの発光が得られる化合物である。具体的には、リン光発光材料は、室温（２５℃）においてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において約０．０１以上の値の化合物である。ただし、本実施形態では、リン光量子収率が約０．１以上の値であるリン光発光材料を用いることが好ましい。なお、リン光量子収率は、たとえば、「第４版実験化学講座７・分光ＩＩ」（１９９２年版、丸善）の３９８頁に記載されている方法により測定することができる。また、溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本実施形態では、リン光発光材料が、任意の溶媒において、約０．０１以上の値のリン光量子収率が得られる発光材料であればよい。 A phosphorescent material is a compound that can emit light from an excited triplet. Specifically, the phosphorescent material is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and a phosphorescent quantum yield is a compound having a value of about 0.01 or more at 25 ° C. However, in the present embodiment, it is preferable to use a phosphorescent material having a phosphorescence quantum yield of about 0.1 or more. The phosphorescence quantum yield can be measured, for example, by the method described on page 398 of "4th edition Experimental Chemistry Course 7 Spectroscopy II" (1992 edition, Maruzen). In addition, the phosphorescence quantum yield in the solution can be measured using various solvents, but in this embodiment, the phosphorescence emission material has a phosphorescence quantum yield of about 0.01 or more in any solvent. Any light emitting material can be used.
また、発光層には、一種類の発光材料を含有させてもよいし、発光極大波長の異なる複数種の発光材料を含有させてもよい。複数種の発光材料を用いることにより、発光波長の異なる複数の光を混ぜることができ、これにより、任意の発光色の光を得ることができる。たとえば、青色ドーパント、緑色ドーパントおよび赤色ドーパント（３種類の発光材料）を発光層に含有させることにより白色光を得ることができる。 Further, the light emitting layer may contain one kind of light emitting material, or may contain a plurality of kinds of light emitting materials having different light emission maximum wavelengths. By using a plurality of types of light emitting materials, it is possible to mix a plurality of lights having different emission wavelengths, thereby obtaining light of an arbitrary emission color. For example, white light can be obtained by including a blue dopant, a green dopant, and a red dopant (three kinds of light emitting materials) in the light emitting layer.
上述したホスト化合物およびリン光発光材料を含む発光層における発光（リン光発光）の過程（原理）としては、次の２種類の過程が挙げられる。 As the process (principle) of light emission (phosphorescence emission) in the light emitting layer containing the host compound and the phosphorescent light emitting material described above, the following two kinds of processes can be mentioned.
第１の発光過程は、エネルギー移動型の発光過程である。このタイプの発光過程では、まず、キャリア（正孔および電子）が輸送される発光層内のホスト化合物上において、キャリアが再結合し、これにより、ホスト化合物の励起状態が生成される。そして、この際に発生するエネルギーがホスト化合物からリン光発光材料に移動し（励起状態のエネルギー準位がホスト化合物の励起準位から発光材料の励起準位（励起三重項）に移動し）、この結果、リン光発光材料から発光が生じる。 The first light emission process is an energy transfer type light emission process. In this type of light emission process, first, carriers recombine on the host compound in the light emitting layer where carriers (holes and electrons) are transported, thereby generating an excited state of the host compound. The energy generated at this time moves from the host compound to the phosphorescent material (the energy level of the excited state moves from the excited level of the host compound to the excited level (excited triplet) of the luminescent material), As a result, light is emitted from the phosphorescent material.
第２の発光過程は、キャリアトラップ型の発光過程である。このタイプの発光過程では、発光層において、リン光発光材料がキャリア（正孔および電子）をトラップする。その結果、リン光発光材料上でキャリアの再結合が起こり、リン光発光材料から発光が生じる。 The second light emission process is a carrier trap type light emission process. In this type of light emission process, a phosphorescent material traps carriers (holes and electrons) in the light emitting layer. As a result, carrier recombination occurs on the phosphorescent material, and light is emitted from the phosphorescent material.
上述したいずれの発光過程においても、リン光発光材料の励起状態のエネルギー準位は発光ホストの励起状態のエネルギー準位より低くする必要がある。 In any of the light emission processes described above, the excited state energy level of the phosphorescent light emitting material needs to be lower than the excited state energy level of the light emitting host.
上述のような発光過程を生じさせるリン光発光材料としては、従来の有機ＥＬ素子で用いられる公知の各種リン光発光材料（リン光性化合物）の中から所望のリン光発光材料を適宜選択して用いることができる。
たとえば、リン光発光材料としては、元素の周期表で８族〜１０族の金属元素を含有する錯体系化合物を用いることができる。そのような錯体系化合物の中でも、イリジウム化合物、オスミウム化合物、白金化合物（白金錯体系化合物）および希土類錯体のいずれかをリン光発光材料として用いることが好ましい。特に、リン光発光材料として、イリジウム化合物（たとえば、構造式（４）〜（６）で表されるＤ−６６，６７，８０を有する発光ドーパント（実施例参照））を用いることが好ましい。
As a phosphorescent material that causes the above-described light emission process, a desired phosphorescent material is appropriately selected from various known phosphorescent materials (phosphorescent compounds) used in conventional organic EL devices. Can be used.
For example, as the phosphorescent material, a complex compound containing a metal element of Group 8 to
また、蛍光発光材料（蛍光発光体、蛍光性ドーパント）としては、たとえば、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。 Examples of fluorescent light-emitting materials (fluorescent light emitters and fluorescent dopants) include, for example, coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamines. And dyes based on dyes, pyrylium dyes, perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, and rare earth complex phosphors.
なお、本実施形態では、有機ＥＬ素子１から発光する光を分光放射輝度計（コニカミノルタセンシング社製、ＣＳ−１０００）で測定し、その測定結果をＣＩＥ（国際照明委員会）色度座標（たとえば、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６参照）に当てはめた時の色を、有機ＥＬ素子１から発光する光の色とする。具体的には、「白色」とは、２度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ２でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．０７の領域内にある色のことを言う。
In the present embodiment, the light emitted from the
また、本実施形態では、白色発光を得る方法として、ホスト化合物に発光波長の異なる複数の発光材料を含有させる方法を用いるが、本発明はこれに限定されない。たとえば、青色発光層、緑色発光層および赤色発光層を積層して発光層を構成し、各色の発光層からそれぞれ発光される光を混ぜることにより白色発光を得てもよい。 In this embodiment, as a method for obtaining white light emission, a method in which a host compound contains a plurality of light emitting materials having different light emission wavelengths is used, but the present invention is not limited to this. For example, a blue light emitting layer, a green light emitting layer, and a red light emitting layer may be laminated to form a light emitting layer, and light emitted from each color light emitting layer may be mixed to obtain white light emission.
（４）電子輸送層
電子輸送層は、陰極１４から供給された電子を発光層に輸送（注入）する層である。また、電子輸送層は、陽極１２側からの正孔の流入を阻止する障壁としても作用する。そのため、電子輸送層という用語は、広い意味で、電子注入層や正孔阻止層を含む意味で用いられることもある。
(4) Electron Transport Layer The electron transport layer is a layer that transports (injects) electrons supplied from the
発光層の陰極１４側に隣接する電子輸送層（電子輸送層を一層構造とする場合には当該電子輸送層、電子輸送層を複数設ける場合には最も発光層側に位置する電子輸送層）に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極１４より注入された電子を発光層に伝達（輸送）する機能を有する材料であればよく、従来の有機ＥＬ素子で用いられる公知の各種化合物の中から任意のものを適宜選択して用いることができる。
An electron transport layer adjacent to the
電子輸送材料として、具体的には、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリゾール誘導体、シロール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、８−キノリノール誘導体等の金属錯体、メタルフタロシアニンもしくはメタルフリーフタロシアニンまたはそれらの末端基をアルキル基やスルホン酸基等で置換した化合物が挙げられる。また、後述の各実施例で用いる、構造式（７）で表されるＥＴ−１を有するジベンゾフラン誘導体を電子輸送材料として用いることもできる。 Specific examples of the electron transport material include metal complexes such as fluorene derivatives, carbazole derivatives, azacarbazole derivatives, oxadiazole derivatives, trizole derivatives, silole derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanines or metals. Examples thereof include free phthalocyanines or compounds in which their terminal groups are substituted with alkyl groups or sulfonic acid groups. Moreover, the dibenzofuran derivative which has ET-1 represented by Structural formula (7) used by each below-mentioned Example can also be used as an electron transport material.
また、電子輸送層に不純物をゲスト材料としてドープして、ｎ性の高い（電子リッチ）電子輸送層を形成してもよい。
このような構成の電子輸送層の具体例は、たとえば、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等の文献に記載されている。
ゲスト材料（ドープ材）として、具体的には、有機物のアルカリ金属塩を用いることができる。
Alternatively, an electron transport layer may be doped with an impurity as a guest material to form an electron transport layer having a high n property (electron rich).
Specific examples of the electron transport layer having such a structure are disclosed in, for example, JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J. Pat. Appl. Phys. , 95, 5773 (2004).
As the guest material (dope material), specifically, an organic alkali metal salt can be used.
有機物のアルカリ金属塩をドープ材として用いる場合、有機物の種類は任意であるが、たとえば、ギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、吉草酸塩、カプロン酸塩、エナント酸塩、カプリル酸塩、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩、安息香酸塩、フタル酸塩、イソフタル酸塩、テレフタル酸塩、サリチル酸塩、ピルビン酸塩、乳酸塩、リンゴ酸塩、アジピン酸塩、メシル酸塩、トシル酸塩、ベンゼンスルホン酸塩等の化合物を有機物として用いることができる。これらの中でも、特に、ギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、吉草酸塩、カプロン酸塩、エナント酸塩、カプリル酸塩、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩または安息香酸塩を有機物として用いることが好ましい。より好ましい有機物は、ギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩等の脂肪族カルボン酸である。脂肪族カルボン酸を用いる場合には、その炭素数が４以下であることが好ましい。なお、有機物として最も好ましい化合物は、酢酸塩である。 When using an alkali metal salt of an organic substance as a doping material, the kind of the organic substance is arbitrary. For example, formate, acetate, propionate, butyrate, valerate, capronate, enanthate, caprylic acid Salt, oxalate, malonate, succinate, benzoate, phthalate, isophthalate, terephthalate, salicylate, pyruvate, lactate, malate, adipate, mesylate A compound such as a salt, a tosylate, and a benzenesulfonate can be used as the organic substance. Among these, especially formate, acetate, propionate, butyrate, valerate, caprate, enanthate, caprylate, oxalate, malonate, succinate or benzoate Is preferably used as an organic substance. More preferred organic substances are aliphatic carboxylic acids such as formate, acetate, propionate and butyrate. When an aliphatic carboxylic acid is used, the carbon number is preferably 4 or less. The most preferable compound as the organic substance is acetate.
また、有機物のアルカリ金属塩を構成するアルカリ金属の種類は任意であり、たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、ＫまたはＣｓを用いることができる。これらのアルカリ金属の中でも、好ましいアルカリ金属は、ＫまたはＣｓであり、より好ましいアルカリ金属は、Ｃｓである。 Moreover, the kind of alkali metal which comprises the alkali metal salt of organic substance is arbitrary, For example, Li, Na, K, or Cs can be used. Among these alkali metals, a preferable alkali metal is K or Cs, and a more preferable alkali metal is Cs.
以上から、ドープ材としての有機物のアルカリ金属塩としては、具体的には、ギ酸Ｌｉ、ギ酸Ｋ、ギ酸Ｎａ、ギ酸Ｃｓ、酢酸Ｌｉ、酢酸Ｋ、酢酸Ｎａ、酢酸Ｃｓ、プロピオン酸Ｌｉ、プロピオン酸Ｎａ、プロピオン酸Ｋ、プロピオン酸Ｃｓ、シュウ酸Ｌｉ、シュウ酸Ｎａ、シュウ酸Ｋ、シュウ酸Ｃｓ、マロン酸Ｌｉ、マロン酸Ｎａ、マロン酸Ｋ、マロン酸Ｃｓ、コハク酸Ｌｉ、コハク酸Ｎａ、コハク酸Ｋ、コハク酸Ｃｓ、安息香酸Ｌｉ、安息香酸Ｎａ、安息香酸Ｋまたは安息香酸Ｃｓを用いることができる。これらの中でも、酢酸Ｌｉ、酢酸Ｋ、酢酸Ｎａまたは酢酸Ｃｓが好ましいドープ材であり、最も好ましいドープ材は、酢酸Ｃｓである。
なお、これらのドープ材の好ましい含有量は、ドープ材を添加する電子輸送層に対して、約１．５〜３５質量％、より好ましい含有量は約３〜２５質量％、最も好ましい含有量は約５〜１５質量％の範囲である。
From the above, as the alkali metal salt of the organic substance as the dopant, specifically, formic acid Li, formic acid K, formic acid Na, formic acid Cs, acetic acid Li, acetic acid K, acetic acid Na, acetic acid Cs, propionic acid Li, propionic acid Na, propionic acid K, propionic acid Cs, oxalic acid Li, oxalic acid Na, oxalic acid K, oxalic acid Cs, malonic acid Li, malonic acid Na, malonic acid K, malonic acid Cs, succinic acid Li, succinic acid Na, Succinic acid K, succinic acid Cs, benzoic acid Li, benzoic acid Na, benzoic acid K or benzoic acid Cs can be used. Among these, Li-acetate, K-acetate, Na-acetate or Cs-acetate is a preferred dope, and the most preferred dope is Cs-acetate.
In addition, the preferable content of these dope materials is about 1.5-35 mass% with respect to the electron carrying layer which adds a dope material, more preferable content is about 3-25 mass%, and the most preferable content is The range is about 5 to 15% by mass.
電子輸送層は、たとえば、スピンコート法、蒸着法等の方法により形成することができる。
また、電子輸送層の膜厚は、用いられる電子輸送材料等の条件に応じて適宜設定されるが、通常、約５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは約５〜２００ｎｍの範囲である。
なお、電子輸送層は、一層だけ設けてもよいし、複数層設けてもよい。電子輸送層を一層構造とする場合には、上述した電子輸送材料のうちの一種または二種以上の材料が電子輸送層に含まれるようにする。
The electron transport layer can be formed by a method such as spin coating or vapor deposition.
The film thickness of the electron transport layer is appropriately set according to conditions such as the electron transport material used, but is usually in the range of about 5 nm to 5 μm, preferably about 5 to 200 nm.
Note that only one electron transport layer or a plurality of electron transport layers may be provided. When the electron transport layer has a single-layer structure, one or more materials among the electron transport materials described above are included in the electron transport layer.
（５）電子注入層（陰極バッファー層）
本実施形態の有機ＥＬ素子１では、陰極１４と発光層との間または陰極１４と電子輸送層との間に、電子注入層を設けてもよい。電子注入層は、正孔注入層と同様に、有機ＥＬ素子１の駆動電圧の低下や発光輝度の向上を図るために設けられる。
(5) Electron injection layer (cathode buffer layer)
In the
ここでは、電子注入層の構成の詳細な説明を省略するが、たとえば、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線」（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）の第２編第２章「電極材料」（１２３−１６６頁）に電子注入層の構成が詳細に記載されている。 Here, detailed description of the structure of the electron injection layer is omitted, but for example, “Organic EL device and its industrialization front line” (issued by NTT, Inc., November 30, 1998) The structure of the electron injection layer is described in detail in the chapter “Electrode Material” (pages 123-166).
《陰極》
陰極１４は、発光層に電子を供給（注入）する電極膜であり、通常、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）、たとえば、金属（電子注入性金属）、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物等の電極材料で形成される。
"cathode"
The
具体的には、有機ＥＬ素子１において、陰極１４側から光を取り出さない場合には、陰極１４として、アルミニウム、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等の非透明性の電極材料が挙げられる。
Specifically, in the
一方、有機ＥＬ素子１において、陰極１４側から光を取り出す場合には、陰極１４を光透過性を有する電極材料で形成することができる。本実施形態では、非晶質の透明電極材料であるＩＤＩＸＯ（登録商標：Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）を陰極１４の形成材料として用いることが好ましい。
On the other hand, in the
陰極１４は、たとえば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成することができる。
The
《無機膜層》
無機膜層１５（ガスバリア層）は、発光層を含む有機化合物層１３への水蒸気の浸入を防止するため（防湿のため）に設けられる。なお、無機膜層１５は、透明無機膜で構成することが好ましい。
<< Inorganic film layer >>
The inorganic film layer 15 (gas barrier layer) is provided in order to prevent water vapor from entering the
無機膜層１５の形成材料としては、有機ＥＬ素子１の劣化を招く、たとえば水分や酸素等の有機ＥＬ素子１への浸入を抑制できる無機材料であれば、任意の材料を用いることができる。また、無機膜層１５は、水蒸気透過度が約０．０１ｇ／［ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ］以下の値である被膜で構成することが好ましい。
As a material for forming the
無機膜層１５の形成材料として、具体的には、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素等の無機材料を用いることができる。特に、窒化ケイ素または酸化窒化ケイ素の単一膜で構成することが好ましい。
Specifically, an inorganic material such as silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or silicon oxynitride can be used as a material for forming the
なお、無機膜層１５の脆弱性を改良するために、無機膜層１５に有機材料からなる被膜を積層してもよい。この場合、有機材料としては、たとえば、光硬化型シール剤、熱硬化型シール剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型シール剤、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）シール剤、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂シール剤等のシール剤を用いることができる。
In order to improve the fragility of the
無機膜層１５の形成方法としては、任意の方法を用いることができ、たとえば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。
As a method for forming the
無機膜層１５の膜厚は、約１μｍ未満であることが好ましく、特に、約１００ｎｍ〜２５０ｎｍであることがより好ましい。
The film thickness of the
無機膜層１５の膜厚が薄すぎると、無機膜層１５に欠陥等が発生し、該欠陥を介して接着剤が陰極１４に入りこむ。その結果、接着剤の硬化反応により、陰極１４が酸化等され、変質する等の影響が発生する。さらに、陰極１４の膜厚が薄い場合には、接着剤が無機膜層１５および陰極１４の欠陥等を介して、有機化合物層１３に入り込み、ダークスポットの増大の要因にもなる。
一方、無機膜層１５の膜厚が厚すぎると、有機ＥＬ素子１の生産性、フレキシブル性等が低下する。また、無機膜層１５の形成時に発生する有機化合物層１３等へのダメージの影響により、発光性能が劣化する場合もある。
When the film thickness of the
On the other hand, when the film thickness of the
《無機絶縁膜》
無機絶縁膜１６は、陽極１２および陰極１４間の電気的な短絡を防止するために設けられる。
<Inorganic insulating film>
The inorganic insulating
無機絶縁膜１６は、たとえば、ＳｉＯ２膜等の絶縁膜で形成される。
無機絶縁膜１６をＳｉＯ２膜で構成する場合、無機絶縁膜１６は、陽極１２上に、たとえばスパッタ法により形成することができる。また、無機絶縁膜１６は、陽極１２上にＳｉ膜を形成し、その後、該Ｓｉ膜を熱酸化することにより形成することもできる。さらに、無機絶縁膜１６は、シランやテトラエトキシシラン等のガスを原料ガスとして用いた、減圧または常圧でのＣＶＤ法により形成してすることもできる。
The inorganic insulating
When the inorganic insulating
《接着剤層》
封止部２２で用いる接着剤としては、具体的には、アクリル酸系オリゴマーまたはメタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化性または熱硬化性接着剤、エポキシ系等の熱硬化性または化学硬化性（二液混合）接着剤、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィン、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤等が挙げられる。
<Adhesive layer>
Specifically, the adhesive used in the sealing
なお、本実施形態では、製造プロセスの簡易性の観点から、封止部２２を熱硬化性接着剤で形成することが好ましい。
また、封止部２２の形態としては、シート状に加工された熱硬化性接着剤を用いることが好ましい。シート状タイプの熱硬化性接着剤（シール材）を用いる場合には、常温（２５℃程度）では非流動性を示し、かつ、加熱すると５０〜１２０℃の範囲内の温度で流動性を発現するような熱硬化性接着剤を用いる。
In the present embodiment, it is preferable to form the sealing
Moreover, as a form of the sealing
熱硬化性接着剤としては、任意の接着剤を使用することができる。本実施形態では、密着性向上の観点から、封止部２２と隣接する封止基材３０や素子基板１１等との密着性の相性を考慮して、好適な熱硬化性接着剤を適宜選択する。たとえば、分子の末端または側鎖にエチレン性二重結合を有する化合物と、熱重合開始剤とを主成分とする樹脂等を用いることができる。
具体的には、熱硬化性接着剤として、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等が挙げられる。
また、有機ＥＬ素子１の製造工程で用いる貼合装置や硬化処理装置（図示略）に応じて、溶融タイプの熱硬化性接着剤を使用してもよい。
As the thermosetting adhesive, any adhesive can be used. In the present embodiment, from the viewpoint of improving the adhesion, a suitable thermosetting adhesive is appropriately selected in consideration of the compatibility of the adhesion with the sealing
Specifically, examples of the thermosetting adhesive include an epoxy resin and an acrylic resin.
Moreover, according to the bonding apparatus and hardening processing apparatus (not shown) used at the manufacturing process of the
吸湿部２４に用いる接着剤としては、シリル基含有ポリマーの湿気硬化性接着剤（ＴｈｒｅｅＢｏｎｄ１５３０Ｃ）等を用いることができるが、湿気硬化性接着剤と紫外線硬化性接着剤との混合物であることがより好ましい。
本発明においては、接着剤として、３００〜４００ｎｍの波長を有する紫外線の照射および湿気による硬化の機構を持った紫外線硬化樹脂であるＴｈｒｅｅＢｏｎｄ３０５６（ＴｈｒｅｅＢｏｎｄ社製）を使用する。
As the adhesive used for the
In the present invention, ThreeBond 3056 (manufactured by ThreeBond), which is an ultraviolet curable resin having a mechanism of curing with ultraviolet rays and moisture having a wavelength of 300 to 400 nm, is used as an adhesive.
本実施形態においては、接着剤をあらかじめ封止基材３０へ塗布し、適量のＵＶ照射により封止基材３０との密着性を増した状態にした後、封止することで、より高い封止効果が得られる。
また、ＵＶ照射により、接着剤の一部を固めておき（半硬化）、密着性を確保しつつ水分吸収機能を持たせることもできる。
In the present embodiment, an adhesive is applied to the sealing
Further, by UV irradiation, a part of the adhesive can be hardened (semi-cured) to provide a moisture absorption function while ensuring adhesion.
《封止基材》
封止基材３０は、フィルム状（板状）部材で構成され、素子基板１１に対向して配置されている。
封止基材３０としては、たとえば、ガラス、プラスチック等の透明性材料で形成することができる。特に、封止基材３０を、ガラス基板または可撓性封止部材で構成することが好ましい。また、可撓性封止部材として、樹脂層とバリア層（無機物からなる被膜）とを積層した多層膜部材や、可撓性を有する薄膜ガラス等の部材を用いることもできる。
<Sealing substrate>
The sealing
As the
封止基材３０を可撓性封止部材で構成する場合、樹脂層とバリア層とを積層した多層膜構成の可撓性封止部材を用いることが好ましい。
可撓性封止部材の厚さは、製造時の取り扱い性、引っ張り強さ、バリア層の耐ストレスクラッキング性等の特性を考慮して、約１０〜３００μｍとすることが好ましい。
なお、「厚さ」とは、可撓性封止部材の平均厚さであり、たとえば、マイクロメータを使用して、可撓性封止部材の縦方向および幅方向に沿ってそれぞれ１０箇所程度で測定した厚さの平均値である。
When the sealing
The thickness of the flexible sealing member is preferably about 10 to 300 μm in consideration of characteristics such as handleability during manufacture, tensile strength, and stress cracking resistance of the barrier layer.
The “thickness” is the average thickness of the flexible sealing member. For example, using a micrometer, the thickness is about 10 in each of the longitudinal direction and the width direction of the flexible sealing member. It is the average value of the thickness measured by.
また、封止基材３０を可撓性封止部材で構成する場合、封止時の可撓性封止部材の水分量は、たとえば、可撓性封止部材の持ち込み水分により発生する有機化合物層１３の結晶化の抑制、陰極１４の剥離等により発生するダークスポットの抑制および有機ＥＬ素子１の長寿命化等を考慮して、約１．０％以下の値とすることが好ましい。
なお、「水分量」とは、ＡＳＴＭ（米国材料試験協会）−Ｄ５７０に準拠した方法で測定された値である。
Moreover, when the sealing
The “water content” is a value measured by a method based on ASTM (American Society for Testing and Materials) -D570.
可撓性封止部材を構成する樹脂基材として、具体的には、エチレンテトラフルオロエチル共重合体（ＥＴＦＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、延伸ナイロン（ＯＮｙ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド、ポリエーテルスチレン（ＰＥＳ）等の一般の包装用フィルムに使用される熱可塑性樹脂が挙げられる。なお、熱可塑性樹脂フィルムとしては、必要に応じて、異種のフィルムを共押出しして作製された多層フィルムや、複数のフィルムの延伸角度を互いに変えて貼り合せることにより作製された多層フィルム等を使用することもできる。また、このような多層フィルムを作製する場合、可撓性封止部材において必要とする物性を得るために、使用する各フィルムの密度、分子量分布等の物性を考慮して組み合わせることが好ましい。 Specific examples of the resin base material constituting the flexible sealing member include ethylene tetrafluoroethyl copolymer (ETFE), high density polyethylene (HDPE), expanded polypropylene (OPP), polystyrene (PS), and polymethyl. Thermoplastic used for general packaging films such as methacrylate (PMMA), stretched nylon (ONy), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polyimide, polyether styrene (PES) Resin. In addition, as a thermoplastic resin film, if necessary, a multilayer film produced by co-extrusion of different films, a multilayer film produced by laminating a plurality of films with different stretching angles, etc. It can also be used. Moreover, when producing such a multilayer film, in order to obtain physical properties required for the flexible sealing member, it is preferable to combine them in consideration of physical properties such as the density and molecular weight distribution of each film used.
また、可撓性封止部材を構成するバリア層の水蒸気透過度は、たとえば、有機化合物層１３の結晶化の抑制、陰極１４の剥離等により発生するダークスポットの抑制および有機ＥＬ素子１の長寿命化等を考慮して、約０．０１ｇ／［ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ］以下の値であることが好ましい。同様の理由から、バリア層の酸素透過度は、たとえば、約０．０１ｃｍ３／［ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ］以下の値であることが好ましい。
Further, the water vapor permeability of the barrier layer constituting the flexible sealing member is, for example, suppressed crystallization of the
バリア層の形成材料としては、上述の水蒸気透過度および酸素透過度を有する材料であれば任意の材料を用いることができる。たとえば、バリア層の形成材料として、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等の無機材料からなる被膜で構成することができる。また、バリア層の脆弱性を改良するために、上記無機材料からなる被膜と有機材料からなる被膜とを積層したハイブリッド被膜（多層膜）でバリア層を構成することがより好ましい。なお、この場合、無機材料からなる被膜及び有機材料からなる被膜の積層順序は任意であるが、両者を交互に複数積層することが好ましい。 As a material for forming the barrier layer, any material can be used as long as it has the above-described water vapor permeability and oxygen permeability. For example, the barrier layer can be formed of a coating film made of an inorganic material such as silicon oxide, silicon dioxide, or silicon nitride. In order to improve the brittleness of the barrier layer, it is more preferable that the barrier layer is composed of a hybrid film (multilayer film) obtained by laminating the film made of the inorganic material and the film made of the organic material. In this case, the order of laminating the film made of an inorganic material and the film made of an organic material is arbitrary, but it is preferable to laminate a plurality of both alternately.
また、バリア層の形成方法としては、バリア層を樹脂層上に形成できる方法であれば任意の方法を用いることができる。たとえば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法（特開２００４−６８１４３号公報参照）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。特に、大気圧プラズマ重合法を用いてバリア層を形成することが好ましい。 In addition, as a method for forming the barrier layer, any method can be used as long as the barrier layer can be formed on the resin layer. For example, vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma polymerization method (see JP 2004-68143 A), A plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used. In particular, it is preferable to form the barrier layer using an atmospheric pressure plasma polymerization method.
《有機ＥＬ素子の製造方法》
本実施形態の有機ＥＬ素子１の製造方法について、簡単に説明する。
<< Method for Manufacturing Organic EL Element >>
A method for manufacturing the
まず、素子基板１１上に、陽極１２を形成する。
次いで、陽極１２の非発光領域内の所定領域上に無機絶縁膜１６を形成する。
次いで、陽極１２および無機絶縁膜１６の一部の領域上に発光層を含む有機化合物層１３を形成する。
First, the
Next, an inorganic insulating
Next, an
次いで、有機化合物層１３上に、有機化合物層１３を覆うようにして陰極１４を形成し、さらにその上に、陰極１４を覆うようにして無機膜層１５を形成する。
Next, a
一方で、封止基材３０上に接着剤層２０を設けた封止部材を用意する。
次いで、素子基板１１の無機膜層１５と、封止基材３０上に設けられた接着剤層２０とが対向するように、素子基板１１と封止基材３０とを貼り合わせる。このとき、貼り合わせ部材を、所定温度で加熱しながら所定圧力で押圧して、素子基板１１と封止基材３０とを貼り合わせる。
On the other hand, a sealing member in which the
Next, the
本実施形態では、このようにして有機ＥＬ素子１を作製する。
なお、上記貼り合わせ処理は、減圧雰囲気下で実施することが好ましい。これにより、有機ＥＬ素子本体部１０（素子基板１１）と封止基材３０とを貼り合わせた際に、有機ＥＬ素子１の内部に気泡が残留することを防止することができる。
In the present embodiment, the
In addition, it is preferable to implement the said bonding process in a pressure-reduced atmosphere. Thereby, bubbles can be prevented from remaining inside the
次に、上述した有機ＥＬ素子１を複数配列（タイリング）して作製された面状発光体について説明する。
Next, a planar light emitter produced by arranging (tiling) a plurality of the
《面状発光体の構成》
図２に示すとおり、面状発光体４０は、２枚の有機ＥＬ素子１と、支持基板（支持部材）４２と、各有機ＥＬ素子１を支持基板４２上に固定するための接着部材４４とから構成されている。
なお、図２では、面状発光体４０として、２枚の有機ＥＬ素子１を配列した構成例を示すが、本発明はこれに限定されず、面状発光体を構成する有機ＥＬ素子１の枚数および配列形態は、用途等に応じて適宜設定される。
<Structure of planar light emitter>
As shown in FIG. 2, the
2 shows a configuration example in which two
面状発光体４０では、各有機ＥＬ素子１の封止基材３０側の面が接着部材４４により大型の支持基板４２上に固定され、２枚の有機ＥＬ素子１の対向する側面同士が互いに接するように配列されている。
また、配列された２枚の有機ＥＬ素子１の光取り出し面（素子基板１１側の面）は、互いに面一となるように配列されている。
以下、面状発光体４０の各部の構成について説明する。
In the planar light-emitting
In addition, the light extraction surfaces (surfaces on the
Hereinafter, the structure of each part of the
《支持基板》
支持基板４２は、２枚の有機ＥＬ素子１を、接着部材４４を介して載置した際に、その状態を保持可能な板状部材であればよく、任意の板状部材を用いることができる。
《Support substrate》
The
面状発光体４０をフレキシブルに屈曲する構成とする場合には、支持基板４２として、屈曲性を有する可撓性基板で構成する。
このような可撓性基板としては、たとえば、樹脂フィルムや板厚が約０．０１ｍｍ〜０．５０ｍｍのガラス基板（薄膜ガラス）等を用いることができる。
When the planar
As such a flexible substrate, for example, a resin film or a glass substrate (thin film glass) having a plate thickness of about 0.01 mm to 0.50 mm can be used.
《接着部材》
接着部材４４としては、支持基板４２または封止基材３０上に塗布して両者を貼り合わせた後に、種々の化学反応により高分子量体または架橋構造体を形成する硬化型が好適に用いられる。すなわち、接着部材４４は、紫外線のような光を照射するか、熱を加えるか、または加圧することによって接着部分が硬化する材料で形成される。
<Adhesive material>
As the
上述のような物性を備えた接着部材４４としては、具体的には、ウレタン系、エポキシ系、フッ素含有系、水性高分子−イソシアネート系、アクリル系等の硬化型接着剤、湿気硬化ウレタン接着剤、ポリエーテルメタクリレート型、エステル系メタクリレート型、酸化型ポリエーテルメタクリレート等の嫌気性接着剤、シアノアクリレート系の瞬間接着剤、アクリレートとペルオキシド系の２液型瞬間接着剤等の接着剤が挙げられる。
Specific examples of the
また、接着部材４４の形成方法としては、任意の方法を用いることができ、特に、未硬化の接着剤を供給可能な方法を用いることができる。このような形成方法としては、たとえば、グラビアコーター、マイクログラビアコーター、コンマコーター、バーコーター、スプレー塗布、インクジェット法等が挙げられる。また、未硬化の接着部材４４の硬化には、用いる接着剤に適した硬化方法を用いる。
Moreover, as a formation method of the
なお、図２においては、支持基板４２を用いて複数の有機ＥＬ素子１を支持する構成例を説明したが、本発明はこれに限定されない。たとえば、支持基板４２を用いず、互いに隣り合う２枚の有機ＥＬ素子１の側面部同士を接着剤（支持部材）で貼り合わせて面状発光体４０を構成してもよい。
In addition, in FIG. 2, although the structural example which supports the some
以上の本実施形態によれば、有機化合物層１３は、熱硬化性接着剤を含む封止部２２と湿気硬化性接着剤を含む吸湿部２４とで封止された構成となっているから、水分が封止部２２を透過した場合であっても、湿気硬化性接着剤からなる吸湿部２４により水分が吸着され、さらには、湿気硬化性接着剤が硬化するから、封止性能と密着性とを両立させることができる。
According to the above embodiment, the
また、本実施形態の有機ＥＬ素子１は、陰極１４、無機膜層１５および接着剤層２０で有機化合物層１３を封止する構成（３層封止構成）を有しているから、陰極１４、無機膜層１５および接着剤層２０の各膜厚を薄くしても十分な封止性能を得ることができる。
さらに、上記封止構成により、有機ＥＬ素子１のシール幅を狭くすることができ、非発光領域を減少させることができる。
Further, the
Furthermore, with the above-described sealing configuration, the seal width of the
なお、接着剤層２０（吸湿部２４）は、図３，４に示す構成としてもよい（変形例１，２参照）。
In addition, the adhesive bond layer 20 (moisture absorption part 24) is good also as a structure shown in FIG.3, 4 (refer the
［変形例１］
図３（ａ）に示すとおり、封止部２２の内側には吸湿部２４が形成され、さらにその内側に封止部２２が形成されている。吸湿部２４は、封止基材３０の陰極１４側に形成されている。
図３（ｂ）に示すとおり、吸湿部２４は、矩形枠状を呈している。
吸湿部２４は、平面視において、吸湿部２４の内周部２４ａが有機化合物層１３の外周部１３ａより外側になるように形成され、吸湿部２４の外周部２４ｂが封止基材３０の外周部３０ａより内側となるように形成されている。
[Modification 1]
As shown in FIG. 3A, a
As shown in FIG.3 (b), the
The
［変形例２］
図４（ａ）に示すとおり、吸湿部２４は、有機ＥＬ素子１の側壁端部に形成されている。吸湿部２４は、封止基材３０の陰極１４側に形成されている。
図４（ｂ）に示すとおり、吸湿部２４は、矩形枠状を呈している。
吸湿部２４は、平面視において、吸湿部２４の内周部２４ａが有機化合物層１３の外周部１３ａより外側になるように形成され、吸湿部２４の外周部２４ｂが封止基材３０の外周部３０ａと重複するように形成されている。
[Modification 2]
As shown in FIG. 4A, the
As shown in FIG. 4 (b), the
The
《有機ＥＬ素子の作製》
（１）サンプル１の作製
まず、素子基板として、寸法が１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×１００μｍのガラス基板（薄膜ガラス：ＮＨテクノグラス製、ＮＨ４５）を用意した。
次いで、素子基板上に、厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ（透明電極材料）を成膜して、陽極を形成した。次いで、陽極に対してパターニング処理を行い、所定形状の陽極を形成した。
<< Production of organic EL element >>
(1) Production of
Next, ITO (transparent electrode material) having a thickness of 150 nm was formed on the element substrate to form an anode. Next, patterning was performed on the anode to form an anode having a predetermined shape.
次いで、陽極上に、スパッタ法により、膜厚２００ｎｍのＳｉＯ２膜を成膜した。その後、ＳｉＯ２膜に対してパターニング処理を行い、陽極上に所定形状の無機絶縁膜を形成した。
次いで、陽極および無機絶縁膜が形成された素子基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄した。そして、超音波洗浄した素子基板を乾燥窒素ガスで乾燥した後、素子基板に対してＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
Next, a 200 nm thick SiO 2 film was formed on the anode by sputtering. Thereafter, a patterning process was performed on the SiO 2 film to form an inorganic insulating film having a predetermined shape on the anode.
Next, the element substrate on which the anode and the inorganic insulating film were formed was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol. Then, after the ultrasonically cleaned element substrate was dried with dry nitrogen gas, UV ozone cleaning was performed on the element substrate for 5 minutes.
次いで、陽極上および無機絶縁膜の一部の領域上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ：Ｂａｙｅｒ製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０質量％の割合に希釈した溶液を、３０００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコート法により塗布した。その後、塗布した溶液を２００℃で１時間乾燥し、これにより、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層を形成した。 Subsequently, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS: Baytron P Al 4083) 70% by mass with pure water on the anode and a partial region of the inorganic insulating film. The solution diluted to the above ratio was applied by a spin coating method at 3000 rpm for 30 seconds. Thereafter, the applied solution was dried at 200 ° C. for 1 hour, thereby forming a first hole transport layer having a thickness of 30 nm.
次いで、第１正孔輸送層まで形成された素子基板を、窒素ガス（グレードＧ１）の雰囲気環境に移した。
次いで、窒素雰囲気下において、正孔輸送材料ＨＴ−１化合物（分子量８０，０００）をクロロベンゼンに０．５質量％の割合で溶解した溶液を、１５００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコート法により第１正孔輸送層上に塗布した。その後、塗布した溶液を１６０℃で３０分間乾燥し、これにより、膜厚３０ｎｍの第２正孔輸送層を形成した。
Next, the element substrate formed up to the first hole transport layer was transferred to an atmosphere of nitrogen gas (grade G1).
Next, in a nitrogen atmosphere, a solution obtained by dissolving the hole transport material HT-1 compound (molecular weight 80,000) in chlorobenzene at a ratio of 0.5% by mass is first spin-coated at 1500 rpm for 30 seconds. It apply | coated on the positive hole transport layer. Thereafter, the applied solution was dried at 160 ° C. for 30 minutes, thereby forming a second hole transport layer having a thickness of 30 nm.
次いで、ホスト化合物、青色ドーパント、緑色ドーパントおよび赤色ドーパントを下記の割合で含む第１発光層組成物（溶媒：酢酸イソプロピル）を、インクジェットヘッドを用いて、第２正孔輸送層上に吐出注入した。このとき、第１発光層組成物の塗布液膜厚が５．３μｍになるように、第１発光層組成物を吐出した。そして、第１発光層組成物が塗布された素子基板を、１２０℃の乾燥箱中で１０分間乾燥して、膜厚４０ｎｍの第１発光層を形成した。 Next, a first light-emitting layer composition (solvent: isopropyl acetate) containing a host compound, a blue dopant, a green dopant, and a red dopant in the following proportions was discharged and injected onto the second hole transport layer using an inkjet head. . At this time, the 1st light emitting layer composition was discharged so that the coating liquid film thickness of a 1st light emitting layer composition might be set to 5.3 micrometers. And the element board | substrate with which the 1st light emitting layer composition was apply | coated was dried for 10 minutes in a 120 degreeC drying box, and the 1st light emitting layer with a film thickness of 40 nm was formed.
（第１発光層組成物）
ホスト化合物（Ｈ−Ａ）：０．６９質量部
青色ドーパント（Ｄ−６６）：０．３０質量部
緑色ドーパント（Ｄ−６７）：０．００５質量部
赤色ドーパント（Ｄ−８０）：０．００５質量部
酢酸イソプロピル：１００質量部
(First light emitting layer composition)
Host compound (HA): 0.69 parts by mass Blue dopant (D-66): 0.30 parts by mass Green dopant (D-67): 0.005 parts by mass Red dopant (D-80): 0.005 Part by mass Isopropyl acetate: 100 parts by mass
次いで、ホスト化合物、青色ドーパント、緑色ドーパントおよび赤色ドーパントを下記の割合で含む第２発光層組成物（溶媒：酢酸イソプロピル）を、インクジェットヘッドを用いて、第１発光層上に吐出注入した。このとき、第２発光層組成物の塗布液膜厚が５．３μｍになるように、第２発光層組成物を吐出した。そして、第２発光層組成物が塗布された素子基板を、１２０℃の乾燥箱中で１０分間乾燥して、膜厚４０ｎｍの第２発光層を形成した。 Subsequently, the 2nd light emitting layer composition (solvent: isopropyl acetate) containing a host compound, a blue dopant, a green dopant, and a red dopant in the following ratio was discharged and injected on the 1st light emitting layer using the inkjet head. At this time, the 2nd light emitting layer composition was discharged so that the coating liquid film thickness of a 2nd light emitting layer composition might be set to 5.3 micrometers. And the element board | substrate with which the 2nd light emitting layer composition was apply | coated was dried for 10 minutes in a 120 degreeC drying box, and the 2nd light emitting layer with a film thickness of 40 nm was formed.
（第２発光層組成物）
ホスト化合物（Ｈ−Ａ）：０．８９質量部
青色ドーパント（Ｄ−６６）：０．１０質量部
緑色ドーパント（Ｄ−６７）：０．００５質量部
赤色ドーパント（Ｄ−８０）：０．００５質量部
酢酸イソプロピル：１００質量部
(Second light emitting layer composition)
Host compound (HA): 0.89 parts by mass Blue dopant (D-66): 0.10 parts by mass Green dopant (D-67): 0.005 parts by mass Red dopant (D-80): 0.005 Part by mass Isopropyl acetate: 100 parts by mass
次いで、４ｍｌのテトラフルオロプロパノール（ＴＦＰＯ）に、電子輸送材料ＥＴ−１化合物を３０ｍｇ溶解した溶液を、１５００ｒｐｍ、３０秒の条件で、スピンコート法により第２発光層上に塗布した。その後、塗布した溶液を、１２０℃で３０分間乾燥し、これにより、膜厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。 Next, a solution in which 30 mg of the electron transport material ET-1 compound was dissolved in 4 ml of tetrafluoropropanol (TFPO) was applied on the second light-emitting layer by spin coating under conditions of 1500 rpm and 30 seconds. Thereafter, the applied solution was dried at 120 ° C. for 30 minutes, thereby forming an electron transport layer having a thickness of 30 nm.
次いで、電子輸送層まで積層された素子基板を、大気にさらすことなく、真空蒸着装置に取り付けた。また、フッ化ナトリウムおよびフッ化カリウムがそれぞれ充填されたモリブデン製抵抗加熱ボートを真空蒸着装置の真空槽内に取り付けた。その後、真空槽を４×１０−５Ｐａまで減圧した後、フッ化ナトリウムが充填された抵抗加熱ボートに電流を流してフッ化ナトリウムを加熱し、フッ化ナトリウムの薄膜を０．０２ｎｍ／秒のレートで電子輸送層上に形成し、膜厚１ｎｍのフッ化ナトリウムの薄膜を形成した。
次いで、フッ化カリウムが充填された抵抗加熱ボートに電流を流してフッ化カリウムを加熱し、フッ化カリウムの薄膜を０．０２ｎｍ／秒のレートでフッ化ナトリウムの薄膜上に形成し、膜厚１．５ｎｍのフッ化カリウムの薄膜を形成した。このようにして、電子輸送層上に、電子注入層を形成した。
Next, the element substrate laminated up to the electron transport layer was attached to a vacuum deposition apparatus without being exposed to the atmosphere. In addition, a molybdenum resistance heating boat filled with sodium fluoride and potassium fluoride, respectively, was attached to the vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus. Thereafter, the vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 −5 Pa, and then current was passed through a resistance heating boat filled with sodium fluoride to heat the sodium fluoride, and a thin film of sodium fluoride was formed at 0.02 nm / second. A thin film of sodium fluoride having a thickness of 1 nm was formed on the electron transport layer at a rate.
Next, a current is passed through a resistance heating boat filled with potassium fluoride to heat the potassium fluoride, and a thin film of potassium fluoride is formed on the thin film of sodium fluoride at a rate of 0.02 nm / second. A 1.5 nm potassium fluoride thin film was formed. In this way, an electron injection layer was formed on the electron transport layer.
次いで、スパッタ装置を用いて、アルミニウムをスパッタリングして、電子注入層上に、厚さ３００ｎｍの陰極を形成した。 Next, aluminum was sputtered using a sputtering apparatus to form a cathode having a thickness of 300 nm on the electron injection layer.
次いで、窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）をスパッタリングして、陰極上に、厚さ２００ｎｍの無機膜層を形成し、有機ＥＬ素子本体部を作製した。
なお、この際のスパッタ条件は、次の通りである。ターゲット材料には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）を用い、ターゲットの形状は円筒状とした。また、ターゲットの上端と、素子基板との距離が７ｃｍとなるように、陰極まで積層された素子基板を配置した。さらに、スパッタガスとしては、酸素を２体積％含むアルゴンガスを用い、スパッタ時のガス圧は、１．３３×１０−２Ｐａとした。スパッタ電源には、周波数１３．５６ＭＨｚの交流電源を用い、投入電力が１００Ｗのときの成膜レートを水晶振動子によりモニターすると０．１ｎｍ／秒であった。
Next, silicon nitride (SiN x ) was sputtered to form an inorganic film layer having a thickness of 200 nm on the cathode, thereby producing an organic EL element body.
The sputtering conditions at this time are as follows. Silicon nitride (SiNx) was used as the target material, and the shape of the target was cylindrical. Further, the element substrate laminated up to the cathode was arranged so that the distance between the upper end of the target and the element substrate was 7 cm. Further, argon gas containing 2% by volume of oxygen was used as the sputtering gas, and the gas pressure during sputtering was 1.33 × 10 −2 Pa. As the sputtering power source, an AC power source with a frequency of 13.56 MHz was used. When the film formation rate was monitored with a crystal resonator when the input power was 100 W, it was 0.1 nm / second.
一方で、予め接着剤が塗布された封止基材を用意した。具体的には、湿気硬化性接着剤と紫外線硬化性接着剤との混合物（ＴｈｒｅｅＢｏｎｄ３０５６）をスクリーン印刷にて封止基材上に厚さ１０μｍでシート状に塗布し、吸湿部を形成した（図１参照）。
８０Ｗ高圧水銀灯による１０秒間の光照射を行った後、その上から熱硬化性接着剤（熱硬化性エポキシ樹脂）を塗布し、封止部を形成した。
封止基材としては、１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×１００μｍのガラス基板（薄膜ガラス）用いた。
On the other hand, the sealing base material with which the adhesive agent was apply | coated previously was prepared. Specifically, a mixture of a moisture curable adhesive and an ultraviolet curable adhesive (ThreeBond 3056) was applied on a sealing substrate in a sheet form with a thickness of 10 μm by screen printing to form a moisture absorbing portion (see FIG. 1).
After light irradiation for 10 seconds with an 80 W high-pressure mercury lamp, a thermosetting adhesive (thermosetting epoxy resin) was applied from above to form a sealing portion.
As the sealing substrate, a 150 mm × 150 mm × 100 μm glass substrate (thin film) was used.
次いで、有機ＥＬ素子本体部の無機膜層と、封止基材上に設けられたシート状接着剤とが対向するように、有機ＥＬ素子本体部と封止基材とを貼り合わせた。そして、その貼り合わせ部材を、１００℃の真空ラミネーターで３分間加熱圧着した。
次いで、加熱圧着された部材を、ホットプレートにより、１００℃の一定温度で６０分間加熱し、その後、室温にて冷却し、有機ＥＬ素子のサンプル１を作製した。
なお、有機ＥＬ素子の封止幅（シール幅）は３ｍｍとした。
Next, the organic EL element body and the sealing substrate were bonded together so that the inorganic film layer of the organic EL element body and the sheet-like adhesive provided on the sealing substrate were opposed to each other. And the bonded member was thermocompression bonded for 3 minutes with a 100 ° C. vacuum laminator.
Next, the thermocompression-bonded member was heated with a hot plate at a constant temperature of 100 ° C. for 60 minutes, and then cooled at room temperature to prepare
In addition, the sealing width (seal width) of the organic EL element was 3 mm.
（２）サンプル２の作製
サンプル１の作製において、陰極として、ＩＤＩＸＯ（登録商標：Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）を用いた以外は同様にして、サンプル２を作製した。
なお、陰極の厚さは２００ｎｍとした。
(2) Production of Sample 2 Sample 2 was produced in the same manner as in production of
The thickness of the cathode was 200 nm.
（３）サンプル３の作製
サンプル１の作製において、素子基板および封止基材を薄膜ガラスから下記方法に従い作製したプラスチック基材（バリアフィルム）に変更した以外は同様にして、サンプル３を作製した。
(3) Production of Sample 3 Sample 3 was produced in the same manner as in Production of
ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ：帝人・デュポン社製フィルム）の全面に、大気圧プラズマ放電処理装置を用いて、特開２００４−０６８１４３号公報に記載の方法で、連続してＰＥＴフィルム上にＳｉＯｘからなる無機物のガスバリア層を形成し、酸素透過度０．０１ｍｌ／ｍ２／ｄａｙ以下、水蒸気透過度０．０１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下のガスバリア性を持ったプラスチック基材を作製した。
上記プラスチック基材上に、スパッタ装置により透明電極として厚さ１１０ｎｍのＩＴＯを設け、フォトリソグラフィー法により、１０ｍｍ×１０ｍｍの発光部位が得られるようにＩＴＯのパターニングをし、陽極を形成した。
From the surface of the polyethylene terephthalate film (PET: film made by Teijin DuPont) using an atmospheric pressure plasma discharge treatment device, the method described in JP-A-2004-068143 continuously forms SiO x on the PET film. An inorganic gas barrier layer was formed, and a plastic substrate having a gas barrier property with an oxygen permeability of 0.01 ml / m 2 / day or less and a water vapor permeability of 0.01 g / m 2 / day or less was produced.
On the plastic substrate, ITO having a thickness of 110 nm was provided as a transparent electrode by a sputtering apparatus, and ITO was patterned by a photolithography method so as to obtain a light emitting portion of 10 mm × 10 mm, thereby forming an anode.
（４）サンプル４の作製
素子基板および封止基板をサンプル３と同様にし、陰極をサンプル２と同様にした以外は、サンプル１と同様にして、サンプル４を作製した。
(4) Production of Sample 4 Sample 4 was produced in the same manner as
（５）サンプル５の作製
サンプル１の作製において、吸湿部の形状を図３に示す構成にして封止した以外は同様にして、サンプル５を作製した。
(5) Production of Sample 5 Sample 5 was produced in the same manner as in Production of
（６）サンプル６の作製
サンプル１の作製において、吸湿部の形状を図４に示す構成にして封止した以外は同様にして、サンプル６を作製した。
(6) Production of Sample 6 Sample 6 was produced in the same manner as in Production of
（７）サンプル７の作製
サンプル１の作製において、湿気硬化性接着剤と紫外線硬化性接着剤との混合物を封止基材上に塗布した後、光照射を行わないこと以外は同様にして、サンプル７を作製した。
(7) Preparation of Sample 7 In the preparation of
（８）サンプル８の作製
サンプル１の作製において、陰極上に窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）からなる無機膜層を形成しなかった以外は同様にして、サンプル８を作製した。
(8) Production of Sample 8 Sample 8 was produced in the same manner as in Production of
（９）サンプル９の作製（比較例）
サンプル１の作製において、熱硬化性接着剤のみで封止を行った以外は同様にして、サンプル９を作製した。
(9) Preparation of sample 9 (comparative example)
Sample 9 was prepared in the same manner as in preparation of
（１０）サンプル１０の作製（比較例）
サンプル１の作製において、湿気硬化性接着剤（ＴｈｒｅｅＢｏｎｄ１５３０Ｃ）のみで封止を行った以外は同様にして、サンプル１０を作製した。
(10) Preparation of sample 10 (comparative example)
《サンプル１〜１０の評価》
（１）ダークスポット発生率
直径２００ｍｍの円柱部材の表面に沿わせ、有機ＥＬ素子の発光面を外側に向けて有機ＥＬ素子を保持した状態で、８５℃８５％ＲＨで８０分間保持した。その後、９０分かけて温度を−４０℃まで低下（湿度成り行き）させ、８０分間保持した。その後、９０分かけて温度を８５℃まで上昇（湿度８５％ＲＨ）させ、８０分間保持した。これを１サイクルとして、１００サイクル繰り返した。
その後、この素子を定電圧電源を用いて点灯し、ダークスポット（非発光部）面積の発生割合（発生率：初期ＤＳ発生率）を調べた。
なお、ダークスポット発生率は、有機ＥＬ素子の発光面を撮影し、その画像データに対しての所定の画像処理を施すことにより求めた。
測定したダークスポット発生率を、下記の４段階の基準に基づいて判別し、有機ＥＬ素子の発光性能を評価した。
評価結果を表１に示す。
なお、表１中、接着剤として、「Ａ」はＴｈｒｅｅＢｏｎｄ３０５６、「Ｂ」はＴｈｒｅｅＢｏｎｄ１５３０Ｃ、「Ｃ」は熱硬化性エポキシ樹脂を表している。また、接着剤層の構成として、表１中左側が素子内側であることを示している。
<< Evaluation of Samples 1-10 >>
(1) Dark spot generation rate Along with the surface of a cylindrical member having a diameter of 200 mm, the organic EL element was held for 80 minutes at 85 ° C. and 85% RH with the light emitting surface of the organic EL element facing outward. Thereafter, the temperature was decreased to −40 ° C. over 90 minutes (humidity progress) and held for 80 minutes. Thereafter, the temperature was raised to 85 ° C. (humidity 85% RH) over 90 minutes and held for 80 minutes. This was regarded as one cycle and repeated 100 cycles.
Thereafter, this element was turned on using a constant voltage power source, and the occurrence rate (occurrence rate: initial DS occurrence rate) of the dark spot (non-light emitting portion) area was examined.
The dark spot occurrence rate was obtained by photographing the light emitting surface of the organic EL element and applying predetermined image processing to the image data.
The measured dark spot generation rate was discriminated based on the following four criteria, and the light emitting performance of the organic EL element was evaluated.
The evaluation results are shown in Table 1.
In Table 1, as an adhesive, “A” indicates ThreeBond 3056, “B” indicates ThreeBond 1530C, and “C” indicates a thermosetting epoxy resin. Moreover, as a structure of an adhesive bond layer, it has shown that the left side in Table 1 is an element inner side.
◎評価：ダークスポット発生率が０％（ダークスポットの発生が全くない）
○評価：ダークスポット発生率が０％より大きく５％未満
△評価：ダークスポット発生率が５％以上１０％未満
×評価：ダークスポット発生率が１０％以上
◎ Evaluation: Dark spot generation rate is 0% (no dark spots are generated)
○ Evaluation: Dark spot occurrence rate is greater than 0% and less than 5% △ Evaluation: Dark spot occurrence rate is 5% or more and less than 10% X Evaluation: Dark spot occurrence rate is 10% or more
（２）まとめ
表１に示すとおり、本発明のサンプル１〜８は、比較例のサンプル９，１０と比較して、ダークスポットの発生を抑制していることがわかる。
以上から、少なくとも１種の熱硬化性接着剤を含む接着剤と、少なくとも１種の湿気硬化性成分を含む接着剤とを用いて固体封止することは、フレキシブル性を保持し、外部環境により劣化しやすい状況に置かれた場合であっても、発光性能の劣化を抑制するのに有用であることがわかる。
(2) Summary As shown in Table 1, it can be seen that
From the above, solid sealing using an adhesive containing at least one kind of thermosetting adhesive and an adhesive containing at least one kind of moisture curable component keeps flexibility and depends on the external environment. It can be seen that it is useful for suppressing the deterioration of the light emission performance even when it is placed in a situation where it easily deteriorates.
１ 有機ＥＬ素子
１０ 有機ＥＬ素子本体部
１１ 素子基板
１２ 陽極
１３ 有機化合物層
１３ａ 外周部
１４ 陰極
１５ 無機膜層
１６ 無機絶縁膜
２０ 接着剤層
２２ 封止部
２４ 吸湿部
２４ａ 内周部
２４ｂ 外周部
３０ 封止基材
３０ａ 外周部
４０ 面状発光体
４２ 支持基板
４４ 接着部材
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記素子基板と前記封止基材とが可撓性を有し、
前記第２電極と前記封止基材とが、接着剤層を介して貼合され、
前記接着剤層が、少なくとも１種の熱硬化性接着剤を含む封止部と、少なくとも１種の湿気硬化性接着剤を含む吸湿部とからなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 On an element substrate, an organic electroluminescence element having a first electrode, an organic compound layer composed of at least one layer including a light emitting layer, a second electrode, and a sealing substrate.
The element substrate and the sealing substrate have flexibility,
The second electrode and the sealing substrate are bonded via an adhesive layer,
The organic electroluminescence device, wherein the adhesive layer includes a sealing portion containing at least one thermosetting adhesive and a moisture absorbing portion containing at least one moisture curable adhesive.
前記第２電極上に無機膜層が設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to claim 1,
An organic electroluminescence element, wherein an inorganic film layer is provided on the second electrode.
断面視したときに、前記吸湿部が前記封止部の内側に配置されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent element according to claim 1 or 2,
The organic electroluminescence element, wherein the moisture absorption part is disposed inside the sealing part when viewed in cross section.
断面視したときに、前記吸湿部が前記封止部の内側に配置され、さらに内側に前記封止部が配置されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent element according to claim 1 or 2,
When viewed in cross section, the moisture absorbing portion is disposed inside the sealing portion, and the sealing portion is disposed further inside.
断面視したときに、前記吸湿部が最も外側に配置されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent element according to claim 1 or 2,
The organic electroluminescence element, wherein the moisture absorbing portion is disposed on the outermost side when viewed in cross section.
前記熱硬化性接着剤がエポキシ樹脂であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 In the organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 5,
An organic electroluminescence device, wherein the thermosetting adhesive is an epoxy resin.
前記吸湿部が、湿気硬化性接着剤と紫外線硬化性接着剤との混合物からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 In the organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 6,
The hygroscopic part is made of a mixture of a moisture curable adhesive and an ultraviolet curable adhesive.
前記湿気硬化性接着剤がアクリル樹脂を含む接着剤であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 In the organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 7,
The organic electroluminescence element, wherein the moisture curable adhesive is an adhesive containing an acrylic resin.
前記吸湿部が、ＵＶ照射により半硬化されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 In the organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 8,
The organic electroluminescence element, wherein the moisture absorption part is semi-cured by UV irradiation.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012100835A JP5888095B2 (en) | 2012-04-26 | 2012-04-26 | Organic electroluminescence device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012100835A JP5888095B2 (en) | 2012-04-26 | 2012-04-26 | Organic electroluminescence device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013229202A true JP2013229202A (en) | 2013-11-07 |
| JP5888095B2 JP5888095B2 (en) | 2016-03-16 |
Family
ID=49676640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012100835A Active JP5888095B2 (en) | 2012-04-26 | 2012-04-26 | Organic electroluminescence device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5888095B2 (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102015216413A1 (en) | 2014-08-29 | 2016-03-03 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | vehicle light |
| KR20160041708A (en) * | 2014-10-08 | 2016-04-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| CN106356388A (en) * | 2015-07-15 | 2017-01-25 | 铼宝科技股份有限公司 | Display panel |
| FR3056284A1 (en) * | 2016-09-21 | 2018-03-23 | Valeo Vision | LUMINOUS DEVICE WITH CURVED OLEDS |
| CN112310309A (en) * | 2020-10-23 | 2021-02-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Packaging cover plate of OLED display panel and packaging method of OLED display panel |
| JP2021516413A (en) * | 2018-04-09 | 2021-07-01 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | Encapsulation structure, display device and display device |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08222369A (en) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Multicolor emission device |
| US5909081A (en) * | 1995-02-06 | 1999-06-01 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Multi-color light emission apparatus with organic electroluminescent device |
| JP2001068271A (en) * | 1999-08-24 | 2001-03-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Light-emitting element |
| JP2003100449A (en) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Canon Inc | Organic electroluminescence panel |
| JP2004079300A (en) * | 2002-08-14 | 2004-03-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Light emitting element and its manufacturing method |
| JP2006252885A (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device, exposure head, image forming device, and electronic apparatus |
| JP2008034142A (en) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | Organic electroluminescent light emitting device, and organic electroluminescent lighting system |
| JP2008059868A (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Seiko Epson Corp | Organic electroluminescent device, its manufacturing method, and electronic apparatus |
| WO2009025186A1 (en) * | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Process for producing organic electroluminescence panel, and organic electroluminescence panel |
| WO2010077412A1 (en) * | 2008-12-30 | 2010-07-08 | Vitex Systems, Inc. | Method for encapsulating environmentally sensitive devices |
| WO2011001573A1 (en) * | 2009-06-29 | 2011-01-06 | シャープ株式会社 | Organic el display device and method for manufacturing same |
| JP2011146404A (en) * | 2000-09-08 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device and its manufacturing method, and electric appliance |
-
2012
- 2012-04-26 JP JP2012100835A patent/JP5888095B2/en active Active
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5909081A (en) * | 1995-02-06 | 1999-06-01 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Multi-color light emission apparatus with organic electroluminescent device |
| JPH08222369A (en) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Multicolor emission device |
| JP2001068271A (en) * | 1999-08-24 | 2001-03-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Light-emitting element |
| JP2011146404A (en) * | 2000-09-08 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device and its manufacturing method, and electric appliance |
| JP2003100449A (en) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Canon Inc | Organic electroluminescence panel |
| JP2004079300A (en) * | 2002-08-14 | 2004-03-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Light emitting element and its manufacturing method |
| JP2006252885A (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device, exposure head, image forming device, and electronic apparatus |
| JP2008034142A (en) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | Organic electroluminescent light emitting device, and organic electroluminescent lighting system |
| JP2008059868A (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Seiko Epson Corp | Organic electroluminescent device, its manufacturing method, and electronic apparatus |
| WO2009025186A1 (en) * | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Process for producing organic electroluminescence panel, and organic electroluminescence panel |
| WO2010077412A1 (en) * | 2008-12-30 | 2010-07-08 | Vitex Systems, Inc. | Method for encapsulating environmentally sensitive devices |
| JP2012513665A (en) * | 2008-12-30 | 2012-06-14 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | Method for encapsulating environmentally sensitive elements |
| WO2011001573A1 (en) * | 2009-06-29 | 2011-01-06 | シャープ株式会社 | Organic el display device and method for manufacturing same |
| US20120068169A1 (en) * | 2009-06-29 | 2012-03-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic el display device and method for manufacturing the same |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102015216413A1 (en) | 2014-08-29 | 2016-03-03 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | vehicle light |
| US10018322B2 (en) | 2014-08-29 | 2018-07-10 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Vehicular lamp |
| KR20160041708A (en) * | 2014-10-08 | 2016-04-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| KR102259749B1 (en) | 2014-10-08 | 2021-06-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| CN106356388A (en) * | 2015-07-15 | 2017-01-25 | 铼宝科技股份有限公司 | Display panel |
| FR3056284A1 (en) * | 2016-09-21 | 2018-03-23 | Valeo Vision | LUMINOUS DEVICE WITH CURVED OLEDS |
| JP2021516413A (en) * | 2018-04-09 | 2021-07-01 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | Encapsulation structure, display device and display device |
| US11322723B2 (en) | 2018-04-09 | 2022-05-03 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Packaging structure including water-absorbing layer, display component and display device |
| JP7274102B2 (en) | 2018-04-09 | 2023-05-16 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | Sealing structure, display device and display apparatus |
| CN112310309A (en) * | 2020-10-23 | 2021-02-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Packaging cover plate of OLED display panel and packaging method of OLED display panel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5888095B2 (en) | 2016-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6362330B2 (en) | Organic electroluminescence device and planar light emitter | |
| JP6572885B2 (en) | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT | |
| JP5413459B2 (en) | White light emitting organic electroluminescence device | |
| JP5895762B2 (en) | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent panel sealing method | |
| JP5888095B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
| WO2016103889A1 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescent element, and organic electroluminescent element | |
| JPWO2011132550A1 (en) | Organic electroluminescence element, display device and lighting device | |
| JP5589852B2 (en) | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same | |
| JP5181920B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence element | |
| JP5505254B2 (en) | Manufacturing method of organic electroluminescence device and organic electroluminescence device manufactured by the manufacturing method | |
| JP6061450B2 (en) | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT | |
| JP5655486B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence element | |
| JP5472107B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescent element | |
| WO2013176069A1 (en) | Organic electroluminescence element and method for manufacturing same | |
| JP2009152033A (en) | Method of manufacturing organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, display device, and illumination device | |
| WO2010084816A1 (en) | Organic electroluminescent element, and method for producing same | |
| JP6252590B2 (en) | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT | |
| JP5594291B2 (en) | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same | |
| JP2013140727A (en) | Manufacturing method for organic electroluminescent element | |
| JP2013246950A (en) | Organic electronic device and method for manufacturing the same | |
| JP2012234972A (en) | Organic electroluminescent element and method for manufacturing the same | |
| JP2011222385A (en) | Organic electroluminescent element manufacturing method and organic electroluminescent element | |
| WO2009154113A1 (en) | Organic electroluminescence element and manufacturing method thereof | |
| JP2010199021A (en) | Method of manufacturing organic electroluminescent element | |
| JP2013214483A (en) | Organic electronics device, and method and apparatus for manufacturing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141014 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150713 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150721 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150918 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160119 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160201 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5888095 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |