JP2013228684A - Device and method for exposure, and pattern film manufacturing method - Google Patents

Device and method for exposure, and pattern film manufacturing method Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce overlying failure and protect a mask to thereby obtain an excellent exposure pattern.SOLUTION: A first processing film is supported and transported by a backup roll. A mask 28 is provided close to the backup roll, and the first processing film is irradiated with light from a light source through a mask 28. The mask 28 includes a plurality of slits 29 aligned in a width direction, and comprises a rectangular substrate 28A, a mask film 28B formed on one surface of the substrate 28A, and a high refractive index layer 28C formed on the mask film 28B. The high refractive index layer 28C has transmissivity to light of the light source, and is formed of a material having a refractive index greater than that of the substrate 28A.

Description

本発明は、露光装置及び方法、パターンフィルムの製造方法に関するものである。   The present invention relates to an exposure apparatus and method, and a pattern film manufacturing method.

微細パターンを設けたフィルムやガラス板は、3Dディスプレイ等に用いられる位相差板等に用いられる。また、微細パターンを設けたフィルムの製造効率を向上させるためには、可撓性ウェブに対して長尺のまま微細パターンを形成することが望ましい。3Dディスプレイ等に要求される低コスト及び高品質を満足するために、可撓性ウェブにおける微細パターンの精度をより向上させること及びパターン間の境界領域の欠陥をより減少させることが求められている。   A film or glass plate provided with a fine pattern is used for a retardation plate or the like used for a 3D display or the like. Moreover, in order to improve the manufacturing efficiency of the film provided with the fine pattern, it is desirable to form the fine pattern with the long length of the flexible web. In order to satisfy the low cost and high quality required for 3D displays and the like, it is required to further improve the precision of the fine pattern in the flexible web and to reduce the defects in the boundary region between the patterns. .

可撓性ウェブに塗布された光反応性化合物を含む光反応性膜に対して光を照射して、光反応性膜を反応させる露光装置が知られている。光反応には、光による液晶分子の配向や硬化などが知られている。例えば、特許文献1の露光装置では、光反応による光反応性膜のシワを防止するため、光が照射されるエリアを、バックアップロールで支持された部分に設定している。   There has been known an exposure apparatus in which a photoreactive film containing a photoreactive compound applied to a flexible web is irradiated with light to react the photoreactive film. Known photoreactions include alignment and curing of liquid crystal molecules by light. For example, in the exposure apparatus of Patent Document 1, an area irradiated with light is set to a portion supported by a backup roll in order to prevent wrinkling of the photoreactive film due to photoreaction.

光源と光反応性膜との間に配されたマスクを用いて、光反応性膜の一部のみに光を照射する露光装置も知られている(例えば、特許文献2)。特許文献2に記載のマスクには、複数のスリットが設けられている。複数のスリットは、ウェブの長手方向(搬送方向)にそれぞれ延びており、ウェブの幅方向に並ぶ。この露光装置によれば、ウェブを連続搬送しながら、光反応性膜に、いわゆるストライプ状の露光パターンを効率的に形成することができる。すなわち、この露光パターンは、露光により光反応が進んだ線状の露光部分と、未露光のため光反応が起きていない線状の未露光部分とが交互に並ぶパターンである。   There is also known an exposure apparatus that irradiates only a part of the photoreactive film using a mask disposed between the light source and the photoreactive film (for example, Patent Document 2). The mask described in Patent Document 2 is provided with a plurality of slits. The plurality of slits extend in the longitudinal direction (conveying direction) of the web, and are arranged in the width direction of the web. According to this exposure apparatus, a so-called stripe-shaped exposure pattern can be efficiently formed on the photoreactive film while continuously conveying the web. That is, this exposure pattern is a pattern in which linear exposed portions where the photoreaction has progressed by exposure and linear unexposed portions where the photoreaction has not occurred due to unexposure are alternately arranged.

特開昭63−194779号公報JP-A 63-19479 特開平09−274323号公報JP 09-274323 A

しかし、特許文献2記載の露光装置のように、光源からの光をレンズやミラーなどの光学系で整えた上でマスクを通して露光を行うにしても、ランプやLEDなどからなる光源自体が広がりを有している。このため、光学系やマスクにいかに高精度のものを用いたとしても、マスクを露光対象であるフィルムの表面に密着させない限り、原理的に未露光エリアとして設定した領域にも露光が及ぶカブリ故障を避けることができない。この露光工程におけるカブリ故障が、フィルムにおけるストライプ状のパターン間の境界領域の欠陥となって現れてしまう。フィルムに要求される高い品質への要求を満足するためには、露光工程においてカブリ故障を可能な限り低減することが必要である。このためには、例えば、マスクとバックアップロールとの隙間(ギャップ)を小さくしなければならない。   However, even if exposure is performed through a mask after aligning light from a light source with an optical system such as a lens or a mirror as in the exposure apparatus described in Patent Document 2, the light source itself composed of a lamp, LED, etc. expands. Have. For this reason, no matter how high-precision optical systems and masks are used, fog failure that in principle extends to areas set as unexposed areas unless the mask is in close contact with the surface of the film being exposed. Cannot be avoided. The fogging failure in the exposure process appears as a defect in the boundary region between the striped patterns in the film. In order to satisfy the demand for high quality required for the film, it is necessary to reduce the fogging failure as much as possible in the exposure process. For this purpose, for example, the gap (gap) between the mask and the backup roll must be reduced.

また、一般にマスクの基板には石英ガラスが用いられる。その表面に一定ピッチのスリットをフィルムの幅方向に配列したパターンをもつ遮光性の金属膜が形成され、そのスリットを通してフィルム表面への露光が行われる。この場合、フィルム表裏に微小な付着物があったり、フィルムにしわがあったりすると、フィルムあるいは微小な付着物がマスクの金属膜に接触し、表面に汚れや傷が付くなどの問題が生じる。この問題は、マスクをフィルム表面からある程度離して設置することで改善は可能である。しかし、これでは前述したカブリ故障が助長され、微細な露光パターンを得る上では大きな弊害となる。   In general, quartz glass is used for the mask substrate. A light-shielding metal film having a pattern in which slits having a constant pitch are arranged in the width direction of the film is formed on the surface, and the film surface is exposed through the slits. In this case, if there are minute deposits on the front and back of the film or wrinkles on the film, the film or the minute deposits come into contact with the metal film of the mask, causing problems such as contamination and scratches on the surface. This problem can be improved by placing the mask at a certain distance from the film surface. However, this promotes the above-described fogging failure, which is a serious problem in obtaining a fine exposure pattern.

発明者は、鋭意検討の結果、生産性を落とすことなく、コストを特に増大させることない露光装置及び露光工程を見出した。本発明は、カブリ故障を抑えつつ、マスクの保護もできる良好な露光パターンが得られる露光装置及び方法、パターンフィルムの製造方法を提供することを目的とする。   As a result of intensive studies, the inventor has found an exposure apparatus and an exposure process that do not particularly reduce costs without reducing productivity. An object of the present invention is to provide an exposure apparatus and method capable of obtaining a good exposure pattern capable of protecting a mask while suppressing fogging failure, and a method for producing a pattern film.

上記目的を達成するために、本発明の露光装置は、表面に光反応性膜が形成された可撓性ウェブの裏面を支持する周面を有し、支持された可撓性ウェブを搬送するバックアップロールと、支持されている可撓性ウェブ上に形成された光反応性膜に向けて、光反応性膜に光反応を引き起こす光を照射する光源と、バックアップロールに近接する状態で光源とバックアップロールとの間に配置され、可撓性ウェブの搬送方向に延び可撓性ウェブの幅方向に一定ピッチで複数本配列され光源からの光を通過させるスリットを有するマスクとを備え、マスクは、光に対して透明な基板と、基板のバックアップロール側の面上に、光に対して不透明な材料により形成されたマスク膜と、光に対して透過性を有し基板の屈折率以上の屈折率を持つ材料により、基板のマスク膜を形成した側に対してマスク膜を覆うように形成されている高屈折率層とを有することを特徴とする。   In order to achieve the above object, an exposure apparatus of the present invention has a peripheral surface that supports the back surface of a flexible web having a photoreactive film formed on the surface thereof, and conveys the supported flexible web. A backup roll, a light source that irradiates light that causes a photoreaction to the photoreactive film toward a photoreactive film formed on a supported flexible web, and a light source that is in proximity to the backup roll. A mask having a slit that is arranged between the backup roll and extends in the conveyance direction of the flexible web and is arranged at a constant pitch in the width direction of the flexible web and allows light from the light source to pass therethrough. A substrate transparent to light, a mask film formed of a material opaque to light on the back-up roll side surface of the substrate, and transparent to light and having a refractive index higher than that of the substrate Depending on the material with refractive index Characterized by having a high refractive index layer is formed to cover the mask film to the side forming a mask film on the substrate.

光源が照射する光は紫外線であることが好ましい。また、基板がオゾンレス石英ガラス,合成石英ガラス,天然石英ガラスのうちいずれか一つの材料からなることが好ましい。また、マスク膜が金属により形成されていることが好ましい。また、金属がクロムであることが好ましい。また、マスク膜が真空蒸着,電子ビーム蒸着,イオンビーム蒸着,プラズマ蒸着,スパッタリングのうちいずれか1つの方法で形成されていることが好ましい。   The light emitted from the light source is preferably ultraviolet light. The substrate is preferably made of any one material selected from ozoneless quartz glass, synthetic quartz glass, and natural quartz glass. The mask film is preferably made of metal. Moreover, it is preferable that a metal is chromium. The mask film is preferably formed by any one of vacuum deposition, electron beam deposition, ion beam deposition, plasma deposition, and sputtering.

高屈折率層が無機材料からなる薄膜により形成されることが好ましい。また、無機材料は、BaF,DyF,GdF,LaF,NdF,TdF,YbF,YFといったフッ化物、SiO,SiO,Al,HfO,ZrO,Ta,Nb,TiO,In,WOといった酸化物、SiON,Siといった窒化物、SiC,BCといった炭化物、SiO/Al,Al/Pr11,Al/La,ZrO/Ta,ZrO/MgO,ZrO/Al,TiO/Pr11,TiO/Al,TiO/Laといった酸化物の混合物のうち少なくともいずれか1つであることが好ましい。また、高屈折率層が真空蒸着,電子ビーム蒸着,イオンビーム蒸着,プラズマ蒸着,スパッタリングのうちいずれか1つの方法で形成されていることが好ましい。 The high refractive index layer is preferably formed of a thin film made of an inorganic material. In addition, the inorganic materials include fluorides such as BaF 2 , DyF 3 , GdF 3 , LaF 3 , NdF 2 , TdF 3 , YbF 3 , YF 3 , SiO 2 , SiO, Al 2 O 3 , HfO 2 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 , Nb 2 O 5 , TiO 2 , In 2 O 3 , WO 3 oxide, SiON, Si 3 N 4 nitride, SiC, B 4 C carbide, SiO 2 / Al 2 O 3 , Al 2 O 3 / Pr 6 O 11 , Al 2 O 3 / La 2 O 3 , ZrO 2 / Ta 2 O 5 , ZrO 2 / MgO, ZrO 2 / Al 2 O 3 , TiO 2 / Pr 6 O 11 , TiO 2 It is preferably at least one of a mixture of oxides such as / Al 2 O 3 and TiO 2 / La 2 O 3 . The high refractive index layer is preferably formed by any one of vacuum deposition, electron beam deposition, ion beam deposition, plasma deposition, and sputtering.

本発明の露光方法は、表面に光反応性膜が形成された可撓性ウェブの裏面をバックアップロールにより支持しながら搬送する搬送経路中で、バックアップロールに近接した状態で光源とバックアップロールとの間に配置され、可撓性ウェブの搬送方向に延び可撓性ウェブの幅方向に一定ピッチで複数本配列されたスリットを有するマスクを介して、光反応性膜に向けて、光反応性膜に光反応を引き起こす光を光源から照射する照射工程を有し、マスクは、光に対して透明な基板と、基板のバックアップロール側の面上に、光に対して不透明な材料により形成されたマスク膜と、光に対して透過性を有し基板の屈折率以上の屈折率を持つ材料により、基板のマスク膜を形成した側に対してマスク膜を覆うように形成されている高屈折率層とを有することを特徴とする。   In the exposure method of the present invention, the light source and the backup roll are in close proximity to the backup roll in the transport path for transporting while supporting the back surface of the flexible web having the photoreactive film formed on the surface by the backup roll. The photoreactive film is disposed toward the photoreactive film through a mask having a plurality of slits arranged in the width direction of the flexible web and arranged in a certain pitch in the width direction of the flexible web. The mask is formed of a substrate transparent to the light and a surface on the backup roll side of the substrate made of a material opaque to the light. A high refractive index formed by the mask film and a material that is transparent to light and has a refractive index equal to or higher than the refractive index of the substrate so that the mask film is formed on the side of the substrate on which the mask film is formed. With layers And wherein the Rukoto.

本発明の露光方法についても、露光装置と同様に、光は紫外線であり、光反応性膜は紫外線に対して反応する性質を有する化合物を含有することが好ましい。また、基板はオゾンレス石英ガラス,合成石英ガラス,天然石英ガラスのうちいずれか一つの材料からなることが好ましい。また、マスク膜が金属により形成されていることが好ましい。また、金属がクロムであることが好ましい。また、マスク膜が真空蒸着,電子ビーム蒸着,イオンビーム蒸着,プラズマ蒸着,スパッタリングのうちいずれか1つの方法で形成されていることが好ましい。   Also in the exposure method of the present invention, as in the exposure apparatus, the light is an ultraviolet ray, and the photoreactive film preferably contains a compound having a property of reacting to the ultraviolet ray. The substrate is preferably made of any one material selected from ozoneless quartz glass, synthetic quartz glass, and natural quartz glass. The mask film is preferably made of metal. Moreover, it is preferable that a metal is chromium. The mask film is preferably formed by any one of vacuum deposition, electron beam deposition, ion beam deposition, plasma deposition, and sputtering.

本発明の露光方法についても、露光装置と同様に、高屈折率層が無機材料からなる薄膜により形成されることが好ましい。また、無機材料には、露光装置に好ましく用いられる材料と同様の材料が用いられることが好ましい。また、高屈折率層の形成には、露光装置と同様の形成方法が用いられることが好ましい。   Also in the exposure method of the present invention, it is preferable that the high refractive index layer is formed of a thin film made of an inorganic material, similarly to the exposure apparatus. Moreover, it is preferable that the same material as the material preferably used for the exposure apparatus is used for the inorganic material. In addition, it is preferable to use the same formation method as the exposure apparatus for forming the high refractive index layer.

本発明のパターンフィルムの製造方法は、可撓性ウェブの表面に光反応性膜を形成する光反応性膜形成工程と、請求項10〜18のいずれか1項記載の露光方法による露光工程とを有することを特徴とするパターンフィルムの製造方法。   The method for producing a pattern film of the present invention includes a photoreactive film forming step of forming a photoreactive film on the surface of a flexible web, and an exposure step by the exposure method according to any one of claims 10 to 18. A process for producing a patterned film, comprising:

光反応性膜形成工程は、光反応性膜塗布液を塗布する光反応性膜塗布工程と、光反応性塗布液を乾燥する光反応性膜乾燥工程とを有することが好ましい。また、露光工程の前後どちらか一方に、光反応性膜に対してラビング処理を施すラビング工程を有することが好ましい。また、露光工程とラビング工程とが行われた後に、液晶膜塗布液を塗布する液晶膜塗布工程と、液晶膜塗布液を硬化させる液晶膜硬化工程とを有することが好ましい。   The photoreactive film forming step preferably includes a photoreactive film coating step for applying a photoreactive film coating solution and a photoreactive film drying step for drying the photoreactive coating solution. Moreover, it is preferable to have the rubbing process which performs the rubbing process with respect to a photoreactive film in any one before and after an exposure process. Moreover, it is preferable to have the liquid crystal film application | coating process which apply | coats a liquid-crystal film coating liquid after the exposure process and a rubbing process, and the liquid crystal film hardening process which hardens | cures a liquid-crystal film coating liquid.

本発明によると、カブリ故障を抑えつつ、マスクの保護もできる良好な露光パターンが、コストを特に増大させることなく生産性を落とさずに得られる。   According to the present invention, a good exposure pattern capable of protecting a mask while suppressing fogging failure can be obtained without particularly reducing the cost without increasing the cost.

本発明の実施形態に係る可撓性ウェブに微細パターンを設けたフィルム(以下、パターンフィルム、と称する)の製造工程のフローチャートである。It is a flowchart of the manufacturing process of the film (henceforth a pattern film) which provided the fine pattern in the flexible web which concerns on embodiment of this invention. パターンフィルムの別の製造工程のフローチャートである。It is a flowchart of another manufacturing process of a pattern film. 本発明の実施形態に係る塗布及び乾燥工程を行う製膜装置の概略図である。It is the schematic of the film forming apparatus which performs the application | coating and drying process which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る露光装置の概略図である。1 is a schematic view of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る露光装置の概略を示す一部断面図である。It is a partial cross section figure which shows the outline of the exposure apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る露光装置に用いられるマスクの断面図である。It is sectional drawing of the mask used for the exposure apparatus which concerns on embodiment of this invention. マスクに対して光源の光が照射される様子を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining a mode that the light of a light source is irradiated with respect to a mask. マスクに対して光源の光が照射される様子を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining a mode that the light of a light source is irradiated with respect to a mask.

(パターンフィルムの製造工程)
図1Aに示すように、パターンフィルム13の製造工程は、光反応性膜塗布工程S1と光反応性膜乾燥工程S2とを有する。光反応性膜塗布工程S1は、図1A及び図2に示すように、基材フィルム10の片側の表面に少なくとも一つの光酸発生剤を含むラビング配向膜液を塗布しラビング配向膜12を形成する工程である。塗布によって形成されたラビング配向膜12は液状膜である。そこで、光反応性膜乾燥工程S2は、図1A及び図2に示すように、ラビング配向膜12を乾燥させて第一処理フィルム10Aを得る工程である。この第一処理フィルム10Aは、基材フィルム10とラビング配向膜12とを備える。ただし、第一処理フィルム10Aにおけるラビング配向膜12は、液晶を配向させる配向作用はまだ発現しておらず、ラビング工程S5でのラビング処理により配向作用を発現する。また、第一処理フィルム10Aにおけるラビング配向膜12は、後工程の照射工程S4で照射される光に反応する光反応性膜であり、光反応性膜形成工程は光反応性膜塗布工程S1と光反応性膜乾燥工程S2とを有する。
(Pattern film manufacturing process)
As shown in FIG. 1A, the manufacturing process of the pattern film 13 includes a photoreactive film coating process S1 and a photoreactive film drying process S2. In the photoreactive film coating step S1, as shown in FIGS. 1A and 2, a rubbing alignment film 12 containing at least one photoacid generator is applied to the surface of one side of the base film 10 to form a rubbing alignment film 12. It is a process to do. The rubbing alignment film 12 formed by coating is a liquid film. Therefore, the photoreactive film drying step S2 is a step of obtaining the first treated film 10A by drying the rubbing alignment film 12 as shown in FIGS. 1A and 2. This first treated film 10 </ b> A includes a base film 10 and a rubbing alignment film 12. However, the rubbing alignment film 12 in the first treatment film 10A has not yet exhibited an alignment action for aligning liquid crystals, and exhibits an alignment action by the rubbing process in the rubbing step S5. In addition, the rubbing alignment film 12 in the first treatment film 10A is a photoreactive film that reacts with the light irradiated in the subsequent irradiation step S4, and the photoreactive film forming step includes the photoreactive film coating step S1. Photoreactive film drying step S2.

また、図1Aに示すように、パターンフィルム13の製造工程は、搬送工程S3と、照射工程S4とを有する。搬送工程S3は、図1A及び図3に示すように、バックアップロール25により第一処理フィルム10Aの基材フィルム10側を支持しながら搬送する工程である。照射工程S4は、ラビング配向膜液の塗布側の面に対し、UV光源34により紫外線を照射することにより第二処理フィルム10Bを得る工程である。照射工程S4では、マスク28を介して第一処理フィルム10Aに向けてUV光源34により紫外線を照射する。マスク28のマスク膜28Bには、幅方向に並ぶ複数のスリット29が形成されており、これにより、マスク28は、露光部4に紫外線を照射し非露光部5には紫外線が照射されないようなパターンを有する。このマスク28による紫外線照射により、露光部4における光酸発生剤から酸を発生させ第二処理フィルム10Bを得る。   Moreover, as shown to FIG. 1A, the manufacturing process of the pattern film 13 has conveyance process S3 and irradiation process S4. As shown in FIG. 1A and FIG. 3, the transporting step S <b> 3 is a step of transporting while supporting the base film 10 side of the first processing film 10 </ b> A by the backup roll 25. Irradiation process S4 is a process of obtaining the 2nd processing film 10B by irradiating an ultraviolet-ray with the UV light source 34 with respect to the application | coating side surface of a rubbing alignment film liquid. In the irradiation step S4, ultraviolet rays are irradiated from the UV light source 34 toward the first processing film 10A through the mask 28. A plurality of slits 29 arranged in the width direction are formed in the mask film 28B of the mask 28, so that the mask 28 irradiates the exposure part 4 with ultraviolet rays and does not irradiate the non-exposure part 5 with ultraviolet rays. Has a pattern. By the ultraviolet irradiation by the mask 28, an acid is generated from the photoacid generator in the exposure unit 4 to obtain the second processed film 10B.

また、パターンフィルム13の製造工程は、図1Aに示すように、ラビング工程S5と、液晶膜塗布工程S6と、熟成工程S7と、UV硬化工程S8とを有する。ラビング工程S5は、ラビング配向膜液の塗布側の面に対し、特定のラビング配向の方向にラビングする工程である。液晶膜塗布工程S6は、ラビング配向膜液の塗布側の面に対しディスコティック液晶を含有し液晶膜である光学異方性層14を形成する液を塗布する工程である。熟成工程S7は、ディスコティック液晶を配向させる工程である。UV硬化工程S8は、全面に紫外線を照射して露光部4及び非露光部5によってそれぞれの方向に配向されたディスコティック液晶を、その配向方向が変化しないように硬化させる工程である。光学異方性層14の第1位相差領域14aは露光部4上に形成され、第2位相差領域14bは非露光部5上に形成される。第1位相差領域14aと第2位相差領域14bとは、図1Aの紙面奥行き方向に延びている。なお、図1Bに示すように、ラビング工程S5は光反応性膜乾燥工程S2と搬送工程S3との間にあっても良い。   Further, as shown in FIG. 1A, the manufacturing process of the pattern film 13 includes a rubbing process S5, a liquid crystal film coating process S6, an aging process S7, and a UV curing process S8. The rubbing step S5 is a step of rubbing the surface on the application side of the rubbing alignment film solution in a specific rubbing alignment direction. The liquid crystal film coating step S6 is a step of coating a liquid that contains the discotic liquid crystal and forms the optically anisotropic layer 14 that is a liquid crystal film on the surface on the coating side of the rubbing alignment film liquid. The aging step S7 is a step of aligning the discotic liquid crystal. The UV curing step S8 is a step of irradiating the entire surface with ultraviolet rays and curing the discotic liquid crystal aligned in the respective directions by the exposed portion 4 and the non-exposed portion 5 so that the alignment direction does not change. The first retardation region 14 a of the optically anisotropic layer 14 is formed on the exposed portion 4, and the second retardation region 14 b is formed on the non-exposed portion 5. The first phase difference region 14a and the second phase difference region 14b extend in the depth direction of the paper surface of FIG. 1A. As shown in FIG. 1B, the rubbing step S5 may be between the photoreactive film drying step S2 and the transporting step S3.

[光酸発生剤]
光酸発生剤には、紫外線等の光照射により分解し酸性化合物を発生させる化合物、例えば化1又は化2に示す化合物が用いられる。光酸発生剤が、光照射により分解して酸性化合物を発生すると、ラビング配向膜12の配向制御能に変化が生じる。ここでいう配向制御能の変化は、ラビング配向膜12単独の配向制御能の変化として特定されるものであっても、ラビング配向膜12とその上に配置される光学異方性層形成用組成物中に含まれる添加剤等とによって達成される配向制御能の変化として特定されるものであってもよいし、またこれらの組み合わせとして特定されるものであってもよい。
[Photoacid generator]
As the photoacid generator, a compound that decomposes upon irradiation with light such as ultraviolet rays to generate an acidic compound, for example, a compound represented by Chemical Formula 1 or Chemical Formula 2 is used. When the photoacid generator is decomposed by light irradiation to generate an acidic compound, the alignment control ability of the rubbing alignment film 12 changes. Even if the change in the alignment control ability here is specified as a change in the alignment control ability of the rubbing alignment film 12 alone, the composition for forming the rubbing alignment film 12 and the optically anisotropic layer disposed thereon is used. It may be specified as a change in orientation control ability achieved by an additive or the like contained in the product, or may be specified as a combination thereof.

Figure 2013228684
Figure 2013228684

Figure 2013228684
Figure 2013228684

[重合性基を有するディスコティック液晶化合物]
光学異方性層の主原料として使用可能なディスコティック液晶としては、重合性基を有する化合物が好ましい。前記ディスコティック液晶としては、下記一般式(I)で表される化合物が好ましい。
一般式(I): D(−L−H−Q)
一般式(I)中のDは円盤状コアであり、Lは二価の連結基であり、Hは二価の芳香族環又は複素環であり、Qは重合性基であり、nは3〜12の整数を表す。
[Discotic liquid crystal compound having a polymerizable group]
As the discotic liquid crystal that can be used as the main raw material of the optically anisotropic layer, a compound having a polymerizable group is preferable. As the discotic liquid crystal, a compound represented by the following general formula (I) is preferable.
General formula (I): D (-LHQ) n
In general formula (I), D is a discotic core, L is a divalent linking group, H is a divalent aromatic ring or heterocyclic ring, Q is a polymerizable group, and n is 3 Represents an integer of ~ 12.

円盤状コア(D)は、ベンゼン環、ナフタレン環、トリフェニレン環、アントラキノン環、トルキセン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環が好ましく、ベンゼン環、トリフェニレン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環が特に好ましい。   The discotic core (D) is preferably a benzene ring, naphthalene ring, triphenylene ring, anthraquinone ring, truxene ring, pyridine ring, pyrimidine ring, or triazine ring, and particularly a benzene ring, triphenylene ring, pyridine ring, pyrimidine ring, or triazine ring. preferable.

Lは、*−O−CO−、*−CO−O−、*−CH=CH−、*−C≡C−及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基が好ましく、*−CH=CH−又は*−C≡C−のいずれか一方を少なくとも一つ以上含む二価の連結基であることが特に好ましい。ここで、*は一般式(I)中のDに結合する位置を表す。   L is preferably a divalent linking group selected from the group consisting of * —O—CO—, * —CO—O—, * —CH═CH—, * —C≡C—, and combinations thereof. Particularly preferred is a divalent linking group containing at least one of CH═CH— and * —C≡C—. Here, * represents a position bonded to D in the general formula (I).

Hは、芳香族環としては、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。複素環としては、ピリジン環及びピリミジン環が好ましく、ピリジン環が特に好ましい。Hは、芳香族環が特に好ましい。   As the aromatic ring, H is preferably a benzene ring or a naphthalene ring, particularly preferably a benzene ring. As the heterocyclic ring, a pyridine ring and a pyrimidine ring are preferable, and a pyridine ring is particularly preferable. H is particularly preferably an aromatic ring.

重合性基Qの重合反応は、付加重合(開環重合を含む)又は縮合重合であることが好ましい。言い換えると、重合性基は、付加重合反応又は縮合重合反応が可能な官能基であることが好ましい。中でも、(メタ)アクリレート基、エポキシ基が好ましい。   The polymerization reaction of the polymerizable group Q is preferably addition polymerization (including ring-opening polymerization) or condensation polymerization. In other words, the polymerizable group is preferably a functional group capable of addition polymerization reaction or condensation polymerization reaction. Of these, a (meth) acrylate group and an epoxy group are preferable.

一般式(I)で表されるディスコティック液晶は、下記一般式(II)又は(III)で表されるディスコティック液晶であることが特に好ましい。   The discotic liquid crystal represented by the general formula (I) is particularly preferably a discotic liquid crystal represented by the following general formula (II) or (III).

Figure 2013228684
Figure 2013228684

式中、L、H、Qは、一般式(I)におけるL、H、Qとそれぞれ同義であり、好ましい範囲も同様である。   In the formula, L, H and Q have the same meanings as L, H and Q in the general formula (I), respectively, and preferred ranges thereof are also the same.

Figure 2013228684
Figure 2013228684

式中、Y、Y、及びYは、後述する一般式(IV)におけるY11、Y12、及びY13と同義であり、その好ましい範囲も同一である。また、L、L、L、H、H、H、R、R、及びRも、後述する一般式(IV)におけるL、L、L、H、H、H、R、R、Rと同義であり、その好ましい範囲も同一である。 In the formula, Y 1 , Y 2 , and Y 3 are synonymous with Y 11 , Y 12 , and Y 13 in the general formula (IV) described later, and their preferred ranges are also the same. Further, L 1 , L 2 , L 3 , H 1 , H 2 , H 3 , R 1 , R 2 , and R 3 are also L 1 , L 2 , L 3 , H 1 in the general formula (IV) described later. , H 2 , H 3 , R 1 , R 2 , R 3 , and their preferred ranges are also the same.

後述するように、一般式(I)、(II)、(III)及び(IV)で表されるように、分子内に複数個の芳香環を有しているディスコティック液晶は、配向制御剤として用いられるピリジニウム化合物又はイミダゾリウム化合物等のオニウム塩との間に分子間π−π相互作用が起こるため、垂直配向を実現することができる。特に、例えば、一般式(II)において、Lが、*−CH=CH−又は*−C≡C−のいずれか一方を少なくとも一つ以上含む二価の連結基である場合、及び、一般式(III)において、複数個の芳香環及び複素環が単結合で連結される場合は、該連結基により結合の自由回転が強く束縛されることにより分子の直線性が保持される。このため、液晶性が向上すると共に、より強い分子間π−π相互作用が起こり安定な垂直配向が実現する。   As will be described later, as represented by the general formulas (I), (II), (III) and (IV), the discotic liquid crystal having a plurality of aromatic rings in the molecule is an alignment control agent. Since an intermolecular π-π interaction occurs with an onium salt such as a pyridinium compound or an imidazolium compound used as a vertical alignment, vertical alignment can be realized. In particular, for example, in the general formula (II), when L is a divalent linking group containing at least one of * —CH═CH— or * —C≡C—, and the general formula In (III), when a plurality of aromatic rings and heterocycles are connected by a single bond, the free rotation of the bond is strongly constrained by the linking group, thereby maintaining the linearity of the molecule. For this reason, liquid crystallinity is improved, and stronger intermolecular π-π interaction occurs and stable vertical alignment is realized.

ディスコティック液晶としては、下記一般式(IV)で表される化合物が好ましい。   As the discotic liquid crystal, a compound represented by the following general formula (IV) is preferable.

Figure 2013228684
Figure 2013228684

式中、Y11、Y12及びY13はそれぞれ独立に置換されていてもよいメチン又は窒素原子を表し、L、L及びLはそれぞれ独立に単結合又は二価の連結基を表し、H、H及びHはそれぞれ独立に一般式(I−A)又は(I−B)の基を表し、R、R及びRは、それぞれ独立に下記一般式(I−R)を表す。 In the formula, Y 11 , Y 12 and Y 13 each independently represent a methine or nitrogen atom which may be substituted, and L 1 , L 2 and L 3 each independently represents a single bond or a divalent linking group. , H 1 , H 2 and H 3 each independently represent a group of the general formula (IA) or (IB), and R 1 , R 2 and R 3 each independently represent the following general formula (I- R).

Figure 2013228684
Figure 2013228684

一般式(I−A)中、YA及びYAはそれぞれ独立にメチン又は窒素原子を表し、XAは酸素原子,硫黄原子,メチレン又はイミノを表し、*は上記一般式(IV)におけるL〜L側と結合する位置を表し、**は上記一般式(IV)におけるR〜R側と結合する位置を表す。 In general formula (IA), YA 1 and YA 2 each independently represents a methine or nitrogen atom, XA represents an oxygen atom, a sulfur atom, methylene or imino, and * represents L 1 in the above general formula (IV). It represents the position at which the group bonds to ~L 3 side, and ** represents a position bonded with R 1 to R 3 side in the general formula (IV).

Figure 2013228684
Figure 2013228684

一般式(I−B)中、YB及びYBはそれぞれ独立にメチン又は窒素原子を表し、XBは酸素原子,硫黄原子,メチレン又はイミノを表し、*は上記一般式(IV)におけるL〜L側と結合する位置を表し、**は上記一般式(IV)におけるR〜R側と結合する位置を表す。 In the general formula (IB), YB 1 and YB 2 each independently represent a methine or nitrogen atom, XB represents an oxygen atom, a sulfur atom, methylene or imino, and * represents L 1 in the general formula (IV). It represents the position at which the group bonds to ~L 3 side, and ** represents a position bonded with R 1 to R 3 side in the general formula (IV).

一般式(I−R): *−(−L21−Qn1−L22−L23−Q
一般式(I−R)中、*は、一般式(IV)におけるH〜H側と結合する位置を表し、L21は単結合又は二価の連結基を表し、Qは少なくとも1種類の環状構造を有する二価の基(環状基)を表す。n1は、0〜4の整数を表す。L22は、**−O−、**−O−CO−、**−CO−O−、**−O−CO−O−、**−S−、**−NH−、**−SO−、**−CH−、**−CH=CH−又は**−C≡C−を表す。L23は、−O−、−S−、−C(=O)−、−SO−、−NH−、−CH−、−CH=CH−及び−C≡C−並びにこれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基を表す。Qは重合性基又は水素原子を表す。
General formula (IR): *-(-L 21 -Q 2 ) n1 -L 22 -L 23 -Q 1
In the general formula (IR), * represents a position bonded to the H 1 to H 3 side in the general formula (IV), L 21 represents a single bond or a divalent linking group, and Q 2 is at least 1 Represents a divalent group (cyclic group) having a kind of cyclic structure. n1 represents the integer of 0-4. L 22 is **-O-, **-O-CO-, **-CO-O-, **-O-CO-O-, **-S-, **-NH-, ** —SO 2 —, ** — CH 2 —, ** — CH═CH— or ** — C≡C— is represented. L 23 is —O—, —S—, —C (═O) —, —SO 2 —, —NH—, —CH 2 —, —CH═CH— and —C≡C— and combinations thereof. Represents a divalent linking group selected from the group consisting of Q 1 represents a polymerizable group or a hydrogen atom.

式(IV)で表される3置換ベンゼン系ディスコティック液晶性化合物の各符号の好ましい範囲、及び式(IV)の化合物の具体例については、特開2010−244038号公報の段落[0013]〜[0077]記載を参照することができる。但し、本発明に使用可能なディスコティック液晶性化合物は、式(IV)の3置換ベンゼン系ディスコティック液晶性化合物に限定されるものではない。   Regarding preferred ranges of the respective symbols of the trisubstituted benzene-based discotic liquid crystalline compound represented by the formula (IV) and specific examples of the compound of the formula (IV), paragraphs [0013] to JP2010-244038A- [0077] Reference can be made to the description. However, the discotic liquid crystalline compound that can be used in the present invention is not limited to the trisubstituted benzene-based discotic liquid crystalline compound of the formula (IV).

トリフェニレン化合物としては、特開2007−108732号公報の段落[0062]〜[0067]記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Examples of the triphenylene compound include compounds described in paragraphs [0062] to [0067] of JP-A-2007-108732, but the present invention is not limited thereto.

一般式(IV)で表されるディスコティック液晶は、分子内に複数個の芳香環を有している。このため、後述する、ピリジニウム化合物又はイミダゾリウム化合物との間に強い分子間π−π相互作用が起こり、ディスコティック液晶のラビング配向膜12の界面近傍におけるチルト角を増加させる。特に、一般式(IV)で表されるディスコティック液晶は、複数個の芳香環が単結合で連結されているため、分子の回転自由度が束縛された直線性の高い分子構造を有している。この結果、ピリジニウム化合物又はイミダゾリウム化合物との間により強い分子間π−π相互作用が起こり、ディスコティック液晶のラビング配向膜12の界面近傍におけるチルト角を増加させ垂直配向状態が実現する。   The discotic liquid crystal represented by the general formula (IV) has a plurality of aromatic rings in the molecule. For this reason, a strong intermolecular π-π interaction occurs between the pyridinium compound or the imidazolium compound, which will be described later, and the tilt angle in the vicinity of the interface of the rubbing alignment film 12 of the discotic liquid crystal is increased. In particular, the discotic liquid crystal represented by the general formula (IV) has a highly linear molecular structure in which the rotational degrees of freedom of the molecules are constrained because a plurality of aromatic rings are connected by a single bond. Yes. As a result, a stronger intermolecular π-π interaction occurs with the pyridinium compound or imidazolium compound, and the tilt angle in the vicinity of the interface of the rubbing alignment film 12 of the discotic liquid crystal is increased to realize a vertical alignment state.

本発明においては、ディスコティック液晶を垂直配向させることが好ましい。尚、本明細書において「垂直配向」とは、ディスコティック液晶の円盤面と層面が垂直であることをいう。ただし、厳密に垂直であることを要求するものではなく、本明細書では、水平面(層面)とのなす傾斜角が70度以上の配向を意味するものとする。傾斜角は85〜90度が好ましく、87〜90度がより好ましく、88〜90度がさらに好ましく、89〜90度が最も好ましい。なお、前述の組成物中には、液晶の垂直配向を促進する添加剤を添加していることが好ましく、該添加剤の例には、特開2009−223001号公報の[0055]〜[0063]に記載される化合物が含まれる。   In the present invention, the discotic liquid crystal is preferably vertically aligned. In the present specification, “vertical alignment” means that the disc surface and the layer surface of the discotic liquid crystal are vertical. However, it is not required to be strictly perpendicular, and in this specification, it means an orientation having an inclination angle of 70 degrees or more with a horizontal plane (layer surface). The inclination angle is preferably 85 to 90 degrees, more preferably 87 to 90 degrees, further preferably 88 to 90 degrees, and most preferably 89 to 90 degrees. Note that an additive that promotes vertical alignment of liquid crystal is preferably added to the above-described composition, and examples of the additive include [0055] to [0063] in JP-A-2009-222001. The compounds described in the above are included.

ディスコティック液晶は、オニウム塩を添加することで、直交垂直配向状態になる場合がある。さらに、光照射により発生した酸とそのオニウム塩とがアニオン交換すると、そのオニウム塩のラビング配向膜12の界面における偏在性が低下し、直交垂直配向効果を低下させ、平行垂直配向状態を形成される場合がある。本実施例においては、光学異方性層14に対し、このような特徴を備えるオニウム塩を含有させ、ラビング配向膜12にこのような特徴を備える光酸発生剤を含有させるように、材料となる化合物が選択され用いられる。また、ラビング配向膜12にポリビニルアルコール系の化合物を採用し、光照射により発生した酸によりそのエステル部分を分解させてオニウム塩のラビング配向膜12の界面偏在性を変化させるように、各種化合物が選択されて用いられてもよい。もちろんこれらに限ることはなく、同様の技術的思想を有する化合物の組み合わせによる実施であれば本発明の範囲内とする。このような技術的思想を用いて、露光部4におけるディスコティック液晶の配向方向と非露光部5におけるそれとをそれぞれ別の方向にしたパターンフィルム13が得られる。   The discotic liquid crystal may be in an orthogonal vertical alignment state by adding an onium salt. Furthermore, when the acid generated by light irradiation and its onium salt are anion-exchanged, the uneven distribution of the onium salt at the interface of the rubbing alignment film 12 is reduced, the orthogonal vertical alignment effect is reduced, and a parallel vertical alignment state is formed. There is a case. In this example, the optical anisotropic layer 14 contains an onium salt having such characteristics, and the rubbing alignment film 12 includes a photoacid generator having such characteristics. Is selected and used. Various compounds are used so that the rubbing alignment film 12 adopts a polyvinyl alcohol-based compound, and the ester portion is decomposed by an acid generated by light irradiation to change the interfacial unevenness of the onium salt rubbing alignment film 12. It may be selected and used. Of course, the present invention is not limited thereto, and any combination of compounds having the same technical idea is within the scope of the present invention. Using such a technical idea, a pattern film 13 is obtained in which the orientation direction of the discotic liquid crystal in the exposed portion 4 and that in the non-exposed portion 5 are in different directions.

[オニウム塩化合物(配向膜側配向制御剤)]
本発明では、前述のように、重合性基を有するディスコティック液晶の垂直配向を実現するために、オニウム塩を添加することが好ましい。オニウム塩はラビング配向膜12界面に偏在し、液晶分子のラビング配向膜12界面近傍におけるチルト角を増加させる作用をする。
[Onium salt compound (alignment control agent on alignment film)]
In the present invention, as described above, it is preferable to add an onium salt in order to realize vertical alignment of a discotic liquid crystal having a polymerizable group. The onium salt is unevenly distributed at the interface with the rubbing alignment film 12 and acts to increase the tilt angle of the liquid crystal molecules near the interface with the rubbing alignment film 12.

オニウム塩としては、下記一般式(1)で表される化合物が好ましい。
一般式(1) Z−(Y−L−)Cy・X
式中、Cyは5又は6員環のオニウム基であり、L、Y、Z、Xは、後述する一般式(2a)及び(2b)におけるL23、L24、Y22、Y23、Z21、Xに同義であり、その好ましい範囲も同一であり、nは2以上の整数を表す。
As the onium salt, a compound represented by the following general formula (1) is preferable.
Formula (1) Z- (Y-L- ) n Cy + · X -
In the formula, Cy is a 5- or 6-membered onium group, and L, Y, Z, and X are L 23 , L 24 , Y 22 , Y 23 , Z in the general formulas (2a) and (2b) described later. 21 and X are synonymous, and their preferred ranges are also the same, and n represents an integer of 2 or more.

5又は6員環のオニウム基(Cy)は、ピラゾリウム環、イミダゾリウム環、トリアゾリウム環、テトラゾリウム環、ピリジニウム環、ピリジニウム環、ピリミジニウム環、トリアジニウム環が好ましく、イミダゾリウム環、ピリジニウム環が特に好ましい。   The 5- or 6-membered onium group (Cy) is preferably a pyrazolium ring, an imidazolium ring, a triazolium ring, a tetrazolium ring, a pyridinium ring, a pyridinium ring, a pyrimidinium ring, or a triazinium ring, and particularly preferably an imidazolium ring or a pyridinium ring.

5又は6員環のオニウム基(Cy)は、ラビング配向膜12の材料と親和性のある基を有することが好ましい。さらに、オニウム塩化合物は、温度T℃ではラビング配向膜12の材料との親和性が高く、一方、温度T℃では、親和性が低下していることが好ましい。水素結合は、液晶を配向させる実際の温度範囲内(室温〜150℃程度)において、結合状態にも、その結合が消失した状態にもなり得るので、水素結合による親和性を利用することが好ましい。但し、この例に限定されるものではない。 The 5- or 6-membered onium group (Cy) preferably has a group having an affinity for the material of the rubbing alignment film 12. Furthermore, it is preferable that the onium salt compound has a high affinity with the material of the rubbing alignment film 12 at a temperature T 1 ° C, while the affinity is reduced at a temperature T 2 ° C. Since the hydrogen bond can be in a bonded state or a state in which the bond has disappeared within the actual temperature range for aligning the liquid crystal (room temperature to about 150 ° C.), it is preferable to use the affinity due to the hydrogen bond. . However, it is not limited to this example.

例えば、ラビング配向膜12材料としてポリビニルアルコールを利用する態様では、ポリビニルアルコールの水酸基と水素結合を形成するために、水素結合性基を有していることが好ましい。水素結合の理論的な解釈としては、例えば、H.Uneyama and K.Morokuma、Journal of American Chemical Society、第99巻、第1316〜1332頁、1977年に報告がある。具体的な水素結合の様式としては、例えば、J.N.イスラエルアチヴィリ著、近藤保、大島広行訳、分子間力と表面力、マグロウヒル社、1991年の第98頁、図17に記載の様式が挙げられる。具体的な水素結合の例としては、例えば、G.R.Desiraju、Angewante Chemistry International Edition English、第34巻、第2311頁、1995年に記載のものが挙げられる。   For example, in an embodiment in which polyvinyl alcohol is used as the rubbing alignment film 12 material, it is preferable to have a hydrogen bonding group in order to form a hydrogen bond with the hydroxyl group of polyvinyl alcohol. As a theoretical interpretation of hydrogen bonding, for example, H.H. Unneyama and K.M. There are reports in Morokuma, Journal of American Chemical Society, Vol. 99, pp. 1316-1332, 1977. Specific examples of hydrogen bonding include J.I. N. There is a style described in Israel Ativiri, Yasu Kondo, Hiroyuki Oshima, intermolecular force and surface force, McGraw Hill, 1991, page 98, FIG. Specific examples of hydrogen bonding include, for example, G.I. R. Examples include those described in Desiraju, Angewent Chemistry International Edition England, Vol. 34, p. 2311, 1995.

水素結合性基を有する5又は6員環のオニウム基は、オニウム基の親水性の効果に加え、ポリビニルアルコールと水素結合することによって、ラビング配向膜12界面の表面偏在性を高めるとともに、ポリビニルアルコール主鎖に対する直交配向性を付与する機能を促進する。好ましい水素結合性基としては、アミノ基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、酸アミド基、ウレイド基、カルバモイル基、カルボキシル基、スルホ基、含窒素複素環基(例えば、イミダゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、1,3,5−トリアジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、キノリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基、コハクイミド基、フタルイミド基、マレイミド基、ウラシル基、チオウラシル基、バルビツール酸基、ヒダントイン基、マレイン酸ヒドラジド基、イサチン基、ウラミル基などが挙げられる)を挙げることができる。更に好ましい水素結合性基としては、アミノ基、ピリジル基を挙げることができる。   In addition to the hydrophilic effect of the onium group, the 5- or 6-membered onium group having a hydrogen bonding group increases the surface unevenness at the interface of the rubbing alignment film 12 by hydrogen bonding to the polyvinyl alcohol, and polyvinyl alcohol. Promotes the function of imparting orthogonal orientation to the main chain. Preferred hydrogen-bonding groups include amino groups, carbonamido groups, sulfonamido groups, acid amide groups, ureido groups, carbamoyl groups, carboxyl groups, sulfo groups, nitrogen-containing heterocyclic groups (for example, imidazolyl groups, benzimidazolyl groups, Pyrazolyl group, pyridyl group, 1,3,5-triazyl group, pyrimidyl group, pyridazyl group, quinolyl group, benzimidazolyl group, benzthiazolyl group, succinimide group, phthalimide group, maleimide group, uracil group, thiouracil group, barbituric acid group And hydantoin group, maleic hydrazide group, isatin group, uramil group and the like. More preferred hydrogen bonding groups include amino groups and pyridyl groups.

また、イミダゾリウム環の窒素原子ように、5又は6員環のオニウム環に、水素結合性基を有する原子を含有していることも好ましい。   Moreover, it is also preferable that the 5- or 6-membered onium ring contains an atom having a hydrogen bonding group, such as a nitrogen atom of an imidazolium ring.

nは、2〜5の整数が好ましく、3又は4であることがより好ましく、3であることが特に好ましい。複数のL及びYは、互いに同一であっても異なっていてもよい。nが3以上である場合、一般式(1)で表されるオニウム塩は、3つ以上の5又は6員環を有しているため、ディスコティック液晶と強い分子間π−π相互作用が働くため、ディスコティック液晶の垂直配向、特に、ポリビニルアルコールのラビング配向膜12上では、ポリビニルアルコール主鎖に対する直交垂直配向を実現することができる。   n is preferably an integer of 2 to 5, more preferably 3 or 4, and particularly preferably 3. A plurality of L and Y may be the same as or different from each other. When n is 3 or more, the onium salt represented by the general formula (1) has three or more 5- or 6-membered rings, and therefore has a strong intermolecular π-π interaction with the discotic liquid crystal. Therefore, the vertical alignment of the discotic liquid crystal, in particular, the orthogonal vertical alignment with respect to the polyvinyl alcohol main chain can be realized on the rubbing alignment film 12 of polyvinyl alcohol.

一般式(1)で表されるオニウム塩は、下記一般式(2a)で表されるピリジニウム化合物又は下記一般式(2b)で表されるイミダゾリウム化合物であることが特に好ましい。一般式(2a)及び(2b)で表される化合物は、主に、一般式(I)〜(IV)で表されるディスコティック液晶のラビング配向膜12界面における配向を制御することを目的として添加され、ディスコティック液晶の分子のラビング配向膜12界面近傍におけるチルト角を増加させる作用がある。なお、一般式(2)とは、一般式(2a)及び(2b)のことを指す。   The onium salt represented by the general formula (1) is particularly preferably a pyridinium compound represented by the following general formula (2a) or an imidazolium compound represented by the following general formula (2b). The compounds represented by the general formulas (2a) and (2b) are mainly for the purpose of controlling the orientation of the discotic liquid crystal represented by the general formulas (I) to (IV) at the interface of the rubbing alignment film 12. When added, it acts to increase the tilt angle of the discotic liquid crystal molecules in the vicinity of the interface with the rubbing alignment film 12. The general formula (2) refers to the general formulas (2a) and (2b).

Figure 2013228684
Figure 2013228684

式中、L23及びL24はそれぞれ二価の連結基を表す。L23は、単結合、−O−、−O−CO−、−CO−O−、−C≡C−、−CH=CH−、−CH=N−、−N=CH−、−N=N−、−O−AL−O−、−O−AL−O−CO−、−O−AL−CO−O−、−CO−O−AL−O−、−CO−O−AL−O−CO−、−CO−O−AL−CO−O−、−O−CO−AL−O−、−O−CO−AL−O−CO−又は−O−CO−AL−CO−O−であることが好ましく、ALは、炭素原子数が1〜10のアルキレン基である。L23は、単結合、−O−、−O−AL−O−、−O−AL−O−CO−、−O−AL−CO−O−、−CO−O−AL−O−、−CO−O−AL−O−CO−、−CO−O−AL−CO−O−、−O−CO−AL−O−、−O−CO−AL−O−CO−または−O−CO−AL−CO−O−が好ましく、単結合または−O−がさらに好ましく、−O−が最も好ましい。 In the formula, L 23 and L 24 each represent a divalent linking group. L 23 represents a single bond, —O—, —O—CO—, —CO—O—, —C≡C—, —CH═CH—, —CH═N—, —N═CH—, —N═. N-, -O-AL-O-, -O-AL-O-CO-, -O-AL-CO-O-, -CO-O-AL-O-, -CO-O-AL-O- CO-, -CO-O-AL-CO-O-, -O-CO-AL-O-, -O-CO-AL-O-CO- or -O-CO-AL-CO-O-. Preferably, AL is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms. L 23 represents a single bond, —O—, —O—AL—O—, —O—AL—O—CO—, —O—AL—CO—O—, —CO—O—AL—O—, — CO-O-AL-O-CO-, -CO-O-AL-CO-O-, -O-CO-AL-O-, -O-CO-AL-O-CO- or -O-CO- AL-CO-O- is preferable, a single bond or -O- is more preferable, and -O- is most preferable.

24は、単結合、−O−、−O−CO−、−CO−O−、−C≡C−、−CH=CH−、−CH=N−、−N=CH−または−N=N−であることが好ましく、−O−CO−又は−CO−O−がより好ましい。mが2以上のとき、複数のL24が交互に、−O−CO−及び−CO−O−であることがさらに好ましい。 L 24 represents a single bond, —O—, —O—CO—, —CO—O—, —C≡C—, —CH═CH—, —CH═N—, —N═CH— or —N═. N- is preferred, and -O-CO- or -CO-O- is more preferred. When m is 2 or more, it is more preferable that the plurality of L 24 are alternately —O—CO— and —CO—O—.

22は水素原子、無置換アミノ基、又は炭素原子数が1〜20の置換アミノ基である。R22が、ジアルキル置換アミノ基である場合、2つのアルキル基が互いに結合して含窒素複素環を形成してもよい。このとき形成される含窒素複素環は、5員環または6員環が好ましい。R23は水素原子、無置換アミノ基、または炭素原子数が2〜12のジアルキル置換アミノ基であることがさらに好ましく、水素原子、無置換アミノ基、または炭素原子数が2〜8のジアルキル置換アミノ基であることがよりさらに好ましい。R23が無置換アミノ基及び置換アミノ基である場合、ピリジニウム環の4位が置換されていることが好ましい。 R 22 is a hydrogen atom, an unsubstituted amino group, or a substituted amino group having 1 to 20 carbon atoms. When R 22 is a dialkyl-substituted amino group, two alkyl groups may be bonded to each other to form a nitrogen-containing heterocycle. The nitrogen-containing heterocycle formed at this time is preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring. R 23 is more preferably a hydrogen atom, an unsubstituted amino group, or a dialkyl-substituted amino group having 2 to 12 carbon atoms, and a hydrogen atom, an unsubstituted amino group, or a dialkyl-substituted group having 2 to 8 carbon atoms. Even more preferred is an amino group. When R 23 is an unsubstituted amino group or a substituted amino group, the 4-position of the pyridinium ring is preferably substituted.

Xはアニオンである。Xは、一価のアニオンであることが好ましい。アニオンの例には、ハライドイオン(フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン)およびスルホン酸イオン(例;メタンスルホネートイオン、p−トルエンスルホネートイオン、ベンゼンスルホネートイオン)が含まれる。   X is an anion. X is preferably a monovalent anion. Examples of anions include halide ions (fluorine ions, chlorine ions, bromine ions, iodine ions) and sulfonate ions (eg, methanesulfonate ion, p-toluenesulfonate ion, benzenesulfonate ion).

22及びY23はそれぞれ、5又は6員環を部分構造として有する2価の連結基である。前述の5又は6員環が置換基を有していてもよい。好ましくは、Y22及びY23のうち少なくとも1つは、置換基を有する5又は6員環を部分構造として有する2価の連結基である。Y22およびY23は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい6員環を部分構造として有する2価の連結基であることが好ましい。6員環は、脂肪族環、芳香族環(ベンゼン環)および複素環を含む。6員脂肪族環の例は、シクロヘキサン環、シクロヘキセン環およびシクロヘキサジエン環を含む。6員複素環の例は、ピラン環、ジオキサン環、ジチアン環、チイン環、ピリジン環、ピペリジン環、オキサジン環、モルホリン環、チアジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピペラジン環およびトリアジン環を含む。6員環に、他の6員環または5員環が縮合していてもよい。 Y 22 and Y 23 are each a divalent linking group having a 5- or 6-membered ring as a partial structure. The aforementioned 5- or 6-membered ring may have a substituent. Preferably, at least one of Y 22 and Y 23 is a divalent linking group having a 5- or 6-membered ring having a substituent as a partial structure. Y 22 and Y 23 are preferably each independently a divalent linking group having a 6-membered ring which may have a substituent as a partial structure. The 6-membered ring includes an aliphatic ring, an aromatic ring (benzene ring) and a heterocyclic ring. Examples of the 6-membered aliphatic ring include a cyclohexane ring, a cyclohexene ring, and a cyclohexadiene ring. Examples of 6-membered heterocycles include pyran ring, dioxane ring, dithiane ring, thiin ring, pyridine ring, piperidine ring, oxazine ring, morpholine ring, thiazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, piperazine ring and triazine ring. Including. Another 6-membered ring or 5-membered ring may be condensed to the 6-membered ring.

5又は6員環が有する置換基の例は、ハロゲン原子、シアノ、炭素原子数が1〜12のアルキル基および炭素原子数が1〜12のアルコキシ基を含む。アルキル基およびアルコキシ基は、炭素原子数が2〜12のアシル基または炭素原子数が2〜12のアシルオキシ基で置換されていてもよい。置換基は、炭素原子数が1〜12(より好ましくは1〜6、さらに好ましくは1〜3)のアルキル基であることが好ましい。置換基は2以上であってもよく、例えば、Y22及びY23がフェニレン基である場合は、1〜4の炭素原子数が1〜12(より好ましくは1〜6、さらに好ましくは1〜3)のアルキル基で置換されていてもよい。 Examples of the substituent that the 5- or 6-membered ring has include a halogen atom, cyano, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms. The alkyl group and the alkoxy group may be substituted with an acyl group having 2 to 12 carbon atoms or an acyloxy group having 2 to 12 carbon atoms. The substituent is preferably an alkyl group having 1 to 12 (more preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3) carbon atoms. The number of substituents may be 2 or more. For example, when Y 22 and Y 23 are phenylene groups, the number of carbon atoms of 1 to 4 is 1 to 12 (more preferably 1 to 6, more preferably 1 to The alkyl group of 3) may be substituted.

なお、mは1又は2であり、2であることが好ましい。mが2のとき、複数のY23及びL24は、互いに同一であっても異なっていてもよい。 Note that m is 1 or 2, and is preferably 2. When m is 2, the plurality of Y 23 and L 24 may be the same as or different from each other.

21は、ハロゲン置換フェニル、ニトロ置換フェニル、シアノ置換フェニル、炭素原子数が1〜10のアルキル基で置換されたフェニル、炭素原子数が2〜10のアルコキシ基で置換されたフェニル、炭素原子数が1〜12のアルキル基、炭素原子数が2〜20のアルキニル基、炭素原子数が1〜12のアルコキシ基、炭素原子数が2〜13のアルコキシカルボニル基、炭素原子数が7〜26のアリールオキシカルボニル基および炭素原子数が7〜26のアリールカルボニルオキシ基からなる群より選ばれる一価の基である。 Z 21 is halogen-substituted phenyl, nitro-substituted phenyl, cyano-substituted phenyl, phenyl substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, phenyl substituted with an alkoxy group having 2 to 10 carbon atoms, carbon atom An alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 13 carbon atoms, and 7 to 26 carbon atoms And a monovalent group selected from the group consisting of an arylcarbonyloxy group having 7 to 26 carbon atoms.

mが2の場合、Z21は、シアノ、炭素原子数が1〜10のアルキル基または炭素原子数が1〜10のアルコキシ基であることが好ましく、炭素原子数4〜10のアルコキシ基であることがさらに好ましい。mが1の場合、Z21は、炭素原子数が7〜12のアルキル基、炭素原子数が7〜12のアルコキシ基、炭素原子数が7〜12のアシル置換アルキル基、炭素原子数が7〜12のアシル置換アルコキシ基、炭素原子数が7〜12のアシルオキシ置換アルキル基または炭素原子数が7〜12のアシルオキシ置換アルコキシ基であることが好ましい。 When m is 2, Z 21 is preferably cyano, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and is an alkoxy group having 4 to 10 carbon atoms. More preferably. When m is 1, Z 21 is an alkyl group having 7 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 7 to 12 carbon atoms, an acyl-substituted alkyl group having 7 to 12 carbon atoms, or 7 carbon atoms. It is preferably an acyl-substituted alkoxy group of -12, an acyloxy-substituted alkyl group having 7-12 carbon atoms, or an acyloxy-substituted alkoxy group having 7-12 carbon atoms.

アシル基は−CO−R、アシルオキシ基は−O−CO−Rで表され、Rは脂肪族基(アルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基)または芳香族基(アリール基、置換アリール基)である。Rは、脂肪族基であることが好ましく、アルキル基またはアルケニル基であることがさらに好ましい。   The acyl group is represented by —CO—R, the acyloxy group is represented by —O—CO—R, and R is an aliphatic group (alkyl group, substituted alkyl group, alkenyl group, substituted alkenyl group, alkynyl group, substituted alkynyl group) or aromatic. Group (aryl group, substituted aryl group). R is preferably an aliphatic group, and more preferably an alkyl group or an alkenyl group.

pは、1〜10の整数である。pは、1または2であることが特に好ましい。C2pは、分岐構造を有していてもよい鎖状アルキレン基を意味する。C2pは、直鎖状アルキレン基(−(CH−)であることが好ましい。 p is an integer of 1-10. It is particularly preferable that p is 1 or 2. C p H 2p means a chain alkylene group which may have a branched structure. C p H 2p is preferably a linear alkylene group (— (CH 2 ) p —).

式(2b)中、R30は、水素原子又は炭素原子数が1〜12(より好ましくは1〜6、さらに好ましくは1〜3)のアルキル基である。 In formula (2b), R 30 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 12 (more preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3) carbon atoms.

前記式(2a)又は(2b)で表される化合物の中でも、下記式(2a’)又は(2b’)で表される化合物が好ましい。なお、一般式(2’)とは、一般式(2a’)及び(2b’)のことを指す。   Among the compounds represented by the formula (2a) or (2b), compounds represented by the following formula (2a ′) or (2b ′) are preferable. The general formula (2 ′) refers to the general formulas (2a ′) and (2b ′).

Figure 2013228684
Figure 2013228684

式(2a’)及び(2b’)中、式(2)と同一の符号は同一の意義であり、好ましい範囲も同様である。L25はL24と同義であり、好ましい範囲も同様である。L24及びL25は、−O−CO−又は−CO−O−であることが好ましく、L24が−O−CO−で、且つL25が−CO−O−であることが好ましい。 In the formulas (2a ′) and (2b ′), the same symbols as those in the formula (2) have the same meaning, and the preferred ranges are also the same. L 25 is synonymous with L 24 and the preferred range is also the same. L 24 and L 25 are preferably —O—CO— or —CO—O—, L 24 is preferably —O—CO—, and L 25 is preferably —CO—O—.

23、R24及びR25はそれぞれ、炭素原子数が1〜12(より好ましくは1〜6、さらに好ましくは1〜3)のアルキル基である。n23は0〜4、n24は1〜4、及びn25は0〜4を表す。n23及びn25が0で、n24が1〜4(より好ましくは1〜3)であることが好ましい。R30は、炭素原子数が1〜12(より好ましくは1〜6、さらに好ましくは1〜3)のアルキル基であることが好ましい。 R 23 , R 24 and R 25 are each an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms (more preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3). n 23 is 0-4, n 24 is 1 to 4, and n 25 represents 0 to 4. In n 23 and n 25 is 0, it is preferred that n 24 is 1 to 4 (more preferably 1 to 3). R 30 is preferably an alkyl group having 1 to 12 (more preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3) carbon atoms.

一般式(2)で表される化合物の具体例としては、特開2006−113500号公報の明細書中[0058]〜[0061]に記載の化合物が挙げられる。   Specific examples of the compound represented by the general formula (2) include compounds described in [0058] to [0061] in the specification of JP-A-2006-113500.

以下に、一般式(2’)で表される化合物の具体例を示す。但し、下記式中、アニオン(X)は省略した。 Specific examples of the compound represented by the general formula (2 ′) are shown below. However, the anion (X ) was omitted in the following formula.

Figure 2013228684
Figure 2013228684

Figure 2013228684
Figure 2013228684

式(2a)及び(2b)の化合物は、一般的な方法で製造することができる。例えば、式(2a)のピリジニウム誘導体は、一般にピリジン環をアルキル化(メンシュトキン反応)して得られる。また、オニウム塩は、その添加量が、液晶化合物に対して5質量%を超えることはなく、0.1〜2質量%程度であることが好ましい。   The compounds of the formulas (2a) and (2b) can be produced by a general method. For example, the pyridinium derivative of the formula (2a) is generally obtained by alkylating the pyridine ring (Menstokin reaction). Moreover, the addition amount of onium salt does not exceed 5 mass% with respect to a liquid crystal compound, and it is preferable that it is about 0.1-2 mass%.

一般式(2a)及び(2b)で表されるオニウム塩は、ピリジニウム基又はイミダリウム基が親水的であるため前述の親水的なポリビニルアルコールのラビング配向膜12の表面に偏在する。特に、ピリジニウム基に、さらに、水素原子のアクセプターの置換基であるアミノ基(一般式(2a)及び(2a’)において、R22が無置換のアミノ基又は炭素原子数が1〜20の置換アミノ基)が置換されていると、ポリビニルアルコールとの間に分子間水素結合が発生し、より高密度にラビング配向膜12の表面に偏在すると共に、水素結合の効果により、ピリジニウム誘導体がポリビニルアルコールの主鎖と直交する方向に配向するため、ラビング方向に対して液晶の直交配向を促進する。前述のピリジニウム誘導体は、分子内に複数個の芳香環を有しているため、前述した、液晶、特にディスコティック液晶との間に強い分子間π−π相互作用が起こり、ディスコティック液晶のラビング配向膜12の界面近傍における直交配向を誘起する。特に、一般式(2a’)で表されるように、親水的なピリジニウム基に疎水的な芳香環が連結されていると、その疎水性の効果により垂直配向を誘起する効果も有する。 The onium salts represented by the general formulas (2a) and (2b) are unevenly distributed on the surface of the rubbing alignment film 12 of the aforementioned hydrophilic polyvinyl alcohol because the pyridinium group or the imidazolium group is hydrophilic. In particular, a pyridinium group is further substituted with an amino group which is a substituent of an acceptor of a hydrogen atom (in the general formulas (2a) and (2a ′), R 22 is an unsubstituted amino group or a substituent having 1 to 20 carbon atoms) When the amino group is substituted, intermolecular hydrogen bonds are generated between the polyvinyl alcohol and the surface of the rubbing alignment film 12 with a higher density, and the pyridinium derivative is converted into polyvinyl alcohol by the effect of the hydrogen bonds. Since the liquid crystal is oriented in a direction perpendicular to the main chain, the liquid crystal is oriented perpendicularly to the rubbing direction. Since the aforementioned pyridinium derivative has a plurality of aromatic rings in the molecule, a strong intermolecular π-π interaction occurs between the liquid crystal, particularly the discotic liquid crystal, and the rubbing of the discotic liquid crystal. An orthogonal orientation in the vicinity of the interface of the alignment film 12 is induced. In particular, as represented by the general formula (2a ′), when a hydrophobic aromatic ring is connected to a hydrophilic pyridinium group, it also has an effect of inducing vertical alignment due to the hydrophobic effect.

さらに、一般式(2a)及び(2b)で表されるオニウム塩を併用すると、ある温度を超えて加熱することで、液晶が、その遅相軸を、ラビング方向に対して平行にして配向する、平行配向を促進することができる。これは、加熱による熱エネルギーでポリビニルアルコールとの水素結合が切断され、オニウム塩がラビング配向膜12に均一に分散され、ラビング配向膜12の表面における密度が低下し、ラビング配向膜12そのものの規制力により液晶が配向するためである。   Furthermore, when the onium salts represented by the general formulas (2a) and (2b) are used in combination, the liquid crystal is aligned with its slow axis parallel to the rubbing direction by heating above a certain temperature. , Can promote parallel orientation. This is because the heat bond caused by heating breaks the hydrogen bond with polyvinyl alcohol, the onium salt is uniformly dispersed in the rubbing alignment film 12, the density on the surface of the rubbing alignment film 12 is lowered, and the rubbing alignment film 12 itself is regulated. This is because the liquid crystal is aligned by force.

光反応性膜塗布工程S1及び光反応性膜乾燥工程S2に係る製膜装置11について説明する。図2に示すように、この製膜装置11は、ダイ20と、乾燥装置22とを備える。ダイ20は、光反応性膜塗布工程S1においてラビング配向膜液を基材フィルム10に塗布する。乾燥装置22は、光反応性膜乾燥工程S2においてラビング配向膜12を乾燥させるために熱風を当てて第一処理フィルム10Aを得る。この製膜装置11には、基材フィルム10,第一処理フィルム10Aなどを搬送する搬送ローラ23がところどころに設けられている。搬送ローラ23は、後述の第二処理フィルム10Bなどを搬送するために露光装置24等にも設けられている。   The film forming apparatus 11 according to the photoreactive film coating step S1 and the photoreactive film drying step S2 will be described. As shown in FIG. 2, the film forming apparatus 11 includes a die 20 and a drying device 22. The die 20 applies the rubbing alignment film liquid to the base film 10 in the photoreactive film application step S1. The drying device 22 applies hot air to dry the rubbing alignment film 12 in the photoreactive film drying step S2 to obtain the first processed film 10A. The film forming apparatus 11 is provided with transport rollers 23 for transporting the base film 10, the first processing film 10A, and the like. The conveyance roller 23 is also provided in the exposure device 24 and the like in order to convey a second processing film 10B described later.

ダイ20は、図示しない供給口より、ラビング配向膜液を含有する液が常に供給される。乾燥装置22には排気装置(図示省略)が設けられており、ラビング配向膜12から蒸発した有機溶剤を排気する。   The die 20 is always supplied with a liquid containing a rubbing alignment film liquid from a supply port (not shown). The drying device 22 is provided with an exhaust device (not shown), and exhausts the organic solvent evaporated from the rubbing alignment film 12.

搬送工程S3及び照射工程S4に係る露光装置24について説明する。図3及び図4に示すように、この露光装置24は、バックアップロール25と、駆動軸26と、マスク28と、マスク28に設けられたスリット29と、マスクフォルダ30と、UV光源34とを備える。駆動軸26は、駆動源(図示省略)が接続されバックアップロールを回転運動させる。マスク28は、露光部4が露光され非露光部5が露光されないようにパターンされている。マスクフォルダ30は、マスク28を支持する。UV光源34は、マスク28を介して、バックアップロール25に支持された第一処理フィルム10Aに対して紫外線を照射する。   The exposure apparatus 24 according to the transport process S3 and the irradiation process S4 will be described. As shown in FIGS. 3 and 4, the exposure apparatus 24 includes a backup roll 25, a drive shaft 26, a mask 28, a slit 29 provided in the mask 28, a mask folder 30, and a UV light source 34. Prepare. A drive source (not shown) is connected to the drive shaft 26 to rotate the backup roll. The mask 28 is patterned so that the exposed portion 4 is exposed and the non-exposed portion 5 is not exposed. The mask folder 30 supports the mask 28. The UV light source 34 irradiates the first processing film 10 </ b> A supported by the backup roll 25 through the mask 28 with ultraviolet rays.

図5に示すように、マスク28は、例えば、矩形状の基板28Aの一方の面にマスク膜28Bを形成し、その上に高屈折率層28Cを形成し、高屈折率層28Cのバックアップロール25側の面を研磨することで得られる。基板28Aは、紫外線に対して透明で反応性を有しない。マスク膜28Bは、基板28Aのバックアップロール25側の面に対し、紫外線に対して不透明で反応性を有しない材料の蒸着あるいはスパッタにより形成される。このマスク膜28Bの上に高屈折率の材料を成膜することにより、高屈折率層28Cは形成され、そのバックアップロール25側の面を研磨することでマスク28は得られる。   As shown in FIG. 5, the mask 28 is formed, for example, by forming a mask film 28B on one surface of a rectangular substrate 28A, forming a high refractive index layer 28C thereon, and a backup roll for the high refractive index layer 28C. It is obtained by polishing the surface on the 25th side. The substrate 28A is transparent to ultraviolet rays and has no reactivity. The mask film 28B is formed on the surface of the substrate 28A on the backup roll 25 side by vapor deposition or sputtering of a material that is opaque to ultraviolet rays and has no reactivity. A high refractive index layer 28C is formed by depositing a high refractive index material on the mask film 28B, and the mask 28 is obtained by polishing the surface on the backup roll 25 side.

基板28Aは、紫外線の透過率に優れ、紫外線光源からの熱に安定なものが好ましく、例えばオゾンレス石英ガラス,合成石英ガラス,天然石英ガラスが好ましい。マスク膜28Bには、成膜しやすい材料であって紫外線に対して反応性を有しないものが使用されることが望ましく、例えば金属が望ましい。マスク膜28Bの成膜の方法は、真空蒸着,電子ビーム蒸着,イオンビーム蒸着,プラズマ蒸着,スパッタリングのいずれか1つであることが望ましい。また、マスク膜28Bは露光工程中において、ラビング配向膜12から発生するガスなどにより劣化しないものが望ましく、例えば強酸に対して緻密な表面酸化皮膜を形成するクロムが望ましい。   The substrate 28A is preferably one that has excellent ultraviolet transmittance and is stable to heat from the ultraviolet light source. For example, ozone-less quartz glass, synthetic quartz glass, and natural quartz glass are preferred. For the mask film 28B, it is desirable to use a material that is easy to form and has no reactivity to ultraviolet rays, and for example, a metal is desirable. The method of forming the mask film 28B is preferably one of vacuum vapor deposition, electron beam vapor deposition, ion beam vapor deposition, plasma vapor deposition, and sputtering. The mask film 28B is preferably one that does not deteriorate due to gas generated from the rubbing alignment film 12 during the exposure process. For example, chromium that forms a dense surface oxide film against a strong acid is desirable.

高屈折率層28Cは基板28Aよりも屈折率が高い。高屈折率層28Cは、無機材料からなる薄膜により形成されることが望ましい。高屈折率層28Cの成膜の方法は、真空蒸着,電子ビーム蒸着,イオンビーム蒸着,プラズマ蒸着,スパッタリングのいずれか1つであることが望ましい。なお、高屈折率層28Cの代わりに単純に高屈折率の材料の板を設けてもかまわない。   The high refractive index layer 28C has a higher refractive index than the substrate 28A. The high refractive index layer 28C is desirably formed of a thin film made of an inorganic material. The film forming method of the high refractive index layer 28C is preferably any one of vacuum vapor deposition, electron beam vapor deposition, ion beam vapor deposition, plasma vapor deposition, and sputtering. Note that a plate of a material having a high refractive index may be simply provided instead of the high refractive index layer 28C.

高屈折率層28Cを形成する無機材料は、BaF,DyF,GdF,LaF,NdF,TdF,YbF,YFといったフッ化物、SiO,SiO,Al,HfO,ZrO,Ta,Nb,TiO,In,WOといった酸化物、SiON,Siといった窒化物、SiC,BCといった炭化物、SiO/Al,Al/Pr11,Al/La,ZrO/Ta,ZrO/MgO,ZrO/Al,TiO/Pr11,TiO/Al,TiO/Laといった酸化物の混合物のうち少なくともいずれか1つであることが望ましい。 Inorganic material for forming the high refractive index layer 28C is, BaF 2, DyF 3, GdF 3, LaF 3, NdF 2, fluorides such TdF 3, YbF 3, YF 3 , SiO 2, SiO, Al 2 O 3, HfO 2 , oxides such as ZrO 2 , Ta 2 O 5 , Nb 2 O 5 , TiO 2 , In 2 O 3 and WO 3 , nitrides such as SiON and Si 3 N 4 , carbides such as SiC and B 4 C, SiO 2 / Al 2 O 3 , Al 2 O 3 / Pr 6 O 11 , Al 2 O 3 / La 2 O 3 , ZrO 2 / Ta 2 O 5 , ZrO 2 / MgO, ZrO 2 / Al 2 O 3 , TiO 2 / Pr It is desirable to be at least one of a mixture of oxides such as 6 O 11 , TiO 2 / Al 2 O 3 , and TiO 2 / La 2 O 3 .

UV光源34として、例えば、少なくとも一つの紫外線ランプを用いることができる。紫外線ランプとしては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等がある。UV光源34の照度は、例えば、500mW/cm以上1000mW/cm以下である。UV光源34はパターンに対してカブリ防止の観点から平行光が好ましい。その平行度(図6B中のθ)は基板28Aに対して幅方向に10°以下、このましくは5°以下が好ましい。光の平行化の手段に特に限定はないが、ミラーやレンズなど種々の光学機器をもちいることができる。また、光の照射範囲はマスク28のうちマスクパターンが形成されている部分のみであることが好ましい。これにより、マスクの表面温度が高くなることによる熱膨張収縮に起因するカブリ故障の頻度も低減する。露光の手段に特に限定はないが、ミラーやレンズを用いた集光や遮光板をもちいることができる。 As the UV light source 34, for example, at least one ultraviolet lamp can be used. Examples of the ultraviolet lamp include a low pressure mercury lamp, a medium pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a carbon arc lamp, a metal halide lamp, and a xenon lamp. Illuminance of UV light source 34 is, for example, 500 mW / cm 2 or more 1000 mW / cm 2 or less. The UV light source 34 is preferably parallel light with respect to the pattern from the viewpoint of preventing fogging. The parallelism (θ in FIG. 6B) is preferably 10 ° or less, and more preferably 5 ° or less in the width direction with respect to the substrate 28A. There are no particular limitations on the means for collimating the light, but various optical devices such as mirrors and lenses can be used. Further, it is preferable that the light irradiation range is only a portion of the mask 28 where the mask pattern is formed. As a result, the frequency of fog failure due to thermal expansion and contraction due to an increase in the surface temperature of the mask is also reduced. There is no particular limitation on the means for exposure, but light condensing using a mirror or lens or a light shielding plate can be used.

以下、本発明の作用について説明する。光反応性膜塗布工程S1において塗布するダイ20により基材フィルム10上にラビング配向膜液が14cc/mで塗布されラビング配向膜12が液膜として形成される。そして光反応性膜乾燥工程S2において乾燥装置22によりラビング配向膜12に110度の熱風が1分程度当てられて乾燥されることで、第一処理フィルム10Aが得られる。 The operation of the present invention will be described below. The rubbing alignment film liquid is applied on the base film 10 at 14 cc / m 2 by the die 20 applied in the photoreactive film application step S1, and the rubbing alignment film 12 is formed as a liquid film. Then, in the photoreactive film drying step S2, the first treatment film 10A is obtained by drying the rubbing alignment film 12 with hot air of 110 degrees applied for about 1 minute by the drying device 22.

さらに、搬送工程S3においてバックアップロール25により第一処理フィルム10Aの基材フィルム10側が支持された状態において、第一処理フィルム10Aは照射工程S4に供される。すなわち、照射工程S4は、搬送工程S3中にある。照射工程S4は、バックアップロール25上に支持された第一処理フィルム10Aのラビング配向膜液の塗布側の面に対し、マスク28を介して、UV光源34により紫外線を照射して第二処理フィルム10Bを得る。マスク28は、露光部4に紫外線を照射し非露光部5には紫外線が照射されないようなパターンのスリット29を有する。UV光源34により10mJ/cm程度のエネルギーの紫外線を照射して、露光部4における光酸発生剤のみから酸を発生させることで、第二処理フィルム10Bが得られる。なお、本実施形態では、露光部4及び非露光部5のウェブの幅方向におけるパターン幅は、280μm程度とする。 Furthermore, 10 A of 1st process films are provided to irradiation process S4 in the state by which the base film 10 side of 10 A of 1st process films was supported by the backup roll 25 in conveyance process S3. That is, the irradiation step S4 is in the transport step S3. In the irradiation step S4, the surface on the application side of the rubbing alignment film liquid of the first processing film 10A supported on the backup roll 25 is irradiated with ultraviolet rays from the UV light source 34 through the mask 28, and the second processing film. 10B is obtained. The mask 28 has a slit 29 having a pattern that irradiates the exposed portion 4 with ultraviolet rays and does not irradiate the non-exposed portion 5 with ultraviolet rays. By irradiating the UV light source 34 with ultraviolet rays having an energy of about 10 mJ / cm 2 and generating an acid only from the photoacid generator in the exposed portion 4, the second processed film 10B is obtained. In the present embodiment, the pattern width in the web width direction of the exposed portion 4 and the non-exposed portion 5 is about 280 μm.

マスク28はラビング配向膜12から発生するガスなどに晒されるが、高屈折率層28Cがマスク膜28Bを保護する保護膜として作用し、これによりマスク膜28Bがラビング配向膜12から発生するガスなどから保護される。そのため、図6A及び図6Bに示すように、図6Aのマスク35よりも第一処理フィルム10Aからの距離Dを小さい状態に、図6Bのマスク28を配することができる。   The mask 28 is exposed to a gas generated from the rubbing alignment film 12, but the high refractive index layer 28C acts as a protective film for protecting the mask film 28B, whereby the mask film 28B generates a gas generated from the rubbing alignment film 12, etc. Protected from. Therefore, as shown in FIGS. 6A and 6B, the mask 28 of FIG. 6B can be arranged in a state where the distance D from the first processing film 10A is smaller than the mask 35 of FIG. 6A.

また、UV光源34から照射される光は、図6A,図6Bに示すように、マスク28の表面に対して完全に垂直でない成分がある。このため、従来の露光装置及び方法では、未露光部分に設定された領域において露光されてしまう領域RFが図6Aに示すように大きく形成されてしまう。しかし、マスク28においては、マスク35よりも距離Dを小さくした状態で配されることに加えて、高屈折率層28Cの高い屈折率によって、図6Bに示すように、未露光部分に設定された領域において露光されてしまう領域RFが大幅に低減する。   The light emitted from the UV light source 34 has a component that is not completely perpendicular to the surface of the mask 28 as shown in FIGS. 6A and 6B. For this reason, in the conventional exposure apparatus and method, the region RF that is exposed in the region set in the unexposed portion is formed large as shown in FIG. 6A. However, in the mask 28, in addition to being arranged in a state where the distance D is smaller than that of the mask 35, the high refractive index of the high refractive index layer 28C is set to an unexposed portion as shown in FIG. 6B. The area RF that is exposed in the exposed area is greatly reduced.

具体的には、図6Aに示すように、高屈折率層28Cを有しないマスク35に対しては、UV光源34から照射されたマスク35に対して完全に垂直でない光がマスク膜28Bを通過した後に広がる。しかし、図6Bに示すように、高屈折率層28Cを有するマスク28は、UV光源34から照射されたマスク28に対して完全に垂直でない光がマスク膜28Bを通過した後に高屈折率層28Cによってその広がりを大幅に抑えられる。なお、高屈折率層28Cの屈折率は、マスク28と第一処理フィルム10Aとの間の雰囲気の屈折率よりも高ければ領域RFを狭める一定の効果はある。しかし、高屈折率層28Cを基板28よりも高い屈折率にすることによって、領域RFがより狭められる。   Specifically, as shown in FIG. 6A, for the mask 35 that does not have the high refractive index layer 28C, light that is not completely perpendicular to the mask 35 irradiated from the UV light source 34 passes through the mask film 28B. After spreading. However, as shown in FIG. 6B, the mask 28 having the high refractive index layer 28C has a high refractive index layer 28C after light that is not completely perpendicular to the mask 28 irradiated from the UV light source 34 passes through the mask film 28B. Can greatly reduce the spread. If the refractive index of the high refractive index layer 28C is higher than the refractive index of the atmosphere between the mask 28 and the first processing film 10A, there is a certain effect of narrowing the region RF. However, by making the high refractive index layer 28C have a higher refractive index than that of the substrate 28, the region RF is further narrowed.

第二処理フィルム10Bに対し、ラビング工程S5は、ラビング配向膜液の塗布側の面に対し所望の方向にラビングする。また、液晶膜塗布工程S6においては、ラビング配向膜液の塗布側の面に対しディスコティック液晶を含有し光学異方性層14を形成する液を5cc/mで塗布する。さらに、2段階の熟成工程S7が行われる。第1段階では、75℃の環境下に置くことで、ディスコティック液晶をラビング配向方向に垂直な方向に配向させ、露光部4において垂直配向剤と酸とを反応させる。第2段階では、さらに110℃の環境下に置き、露光部4においてディスコティック液晶をラビング配向方向に配向させる。最後に、UV硬化工程S8において、光学異方性層14を形成する液からなる塗膜の全面に500mJ/cmのエネルギーの紫外線を照射して露光部4及び非露光部5においてそれぞれの方向に配向されたディスコティック液晶を配向方向が変化しないように硬化させる。これにより、所望のパターンフィルム13(図1A参照)が得られる。 In the rubbing step S5, the second treatment film 10B is rubbed in a desired direction with respect to the surface on the application side of the rubbing alignment film liquid. In the liquid crystal film application step S6, a liquid containing discotic liquid crystal and forming the optically anisotropic layer 14 is applied at 5 cc / m 2 to the surface on the application side of the rubbing alignment film liquid. Further, a two-stage ripening step S7 is performed. In the first stage, the discotic liquid crystal is aligned in a direction perpendicular to the rubbing alignment direction by being placed in an environment of 75 ° C., and the vertical alignment agent and acid are reacted in the exposed portion 4. In the second stage, the discotic liquid crystal is aligned in the rubbing alignment direction in the exposure section 4 under an environment of 110 ° C. Finally, in the UV curing step S8, the entire surface of the coating film made of the liquid for forming the optically anisotropic layer 14 is irradiated with ultraviolet rays having an energy of 500 mJ / cm 2 in the exposed portion 4 and the non-exposed portion 5, respectively. The discotic liquid crystal aligned in the direction is cured so that the alignment direction does not change. Thereby, the desired pattern film 13 (refer FIG. 1A) is obtained.

このため、光源から照射されたマスクに対して完全に垂直でない光が可撓性ウェブあるいはバックアップロールにより反射され、その反射光がさらにマスクによって反射され、未露光部分に設定された領域に光が照射されてしまうことに起因するカブリ故障の頻度が、大幅に低減する。   For this reason, light that is not completely perpendicular to the mask irradiated from the light source is reflected by the flexible web or the backup roll, the reflected light is further reflected by the mask, and the light is applied to the region set in the unexposed portion. The frequency of fog failure due to irradiation is greatly reduced.

また、上記実施形態では、3Dディスプレイ等に用いられる位相差板等に用いられる微細パターンを設けた可撓性ウェブの製造装置及び製造工程の一部である露光装置24及び露光工程について記載している。しかし、これに限ることなく、カラーフィルタ等のカラーパターンや遮光パターンの製造についても同様に用いることができる。   Moreover, in the said embodiment, it described about the exposure apparatus 24 and the exposure process which are a manufacturing apparatus of a flexible web provided with the fine pattern used for phase difference plates etc. which are used for 3D displays etc., and a part of manufacturing process. Yes. However, the present invention is not limited to this, and the same can be applied to the production of color patterns such as color filters and light shielding patterns.

本発明の効果を確認するために、実施例と、本発明に対する比較例とを行った。   In order to confirm the effect of the present invention, examples and comparative examples for the present invention were performed.

(実験1)
<基材フィルム10の作製>
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Aを調製した。
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セルロースアシレート溶液Aの組成
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置換度2.86のセルロースアセテート 100 質量部
トリフェニルホスフェート(可塑剤) 7.8質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート(可塑剤) 3.9質量部
メチレンクロライド(第1溶媒) 300 質量部
メタノール(第2溶媒) 54 質量部
1−ブタノール 11 質量部
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(Experiment 1)
<Preparation of base film 10>
The following composition was put into a mixing tank and stirred while heating to dissolve each component to prepare a cellulose acylate solution A.
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Composition of Cellulose Acylate Solution A───────────────────────────────────────
Cellulose acetate with a substitution degree of 2.86 100 parts by weight Triphenyl phosphate (plasticizer) 7.8 parts by weight Biphenyl diphenyl phosphate (plasticizer) 3.9 parts by weight Methylene chloride (first solvent) 300 parts by weight Methanol (second solvent) ) 54 parts by mass 1-butanol 11 parts by mass ──────────────────────────────────────

別のミキシングタンクに、下記の組成物を投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Bを調製した。
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添加剤溶液Bの組成
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下記化合物B1(Re低下剤) 40 質量部
下記化合物B2(波長分散制御剤) 4 質量部
メチレンクロライド(第1溶媒) 80 質量部
メタノール(第2溶媒) 20 質量部
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The following composition was charged into another mixing tank, stirred while heating to dissolve each component, and an additive solution B was prepared.
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Composition of additive solution B ───────────────────────────────────────
The following compound B1 (Re reducing agent) 40 parts by mass The following compound B2 (wavelength dispersion controlling agent) 4 parts by mass Methylene chloride (first solvent) 80 parts by mass Methanol (second solvent) 20 parts by mass ──────── ───────────────────────────────

Figure 2013228684
Figure 2013228684

<<セルロースアセテート製の基材フィルム10の作製>>
477質量部のセルロースアシレート溶液Aに、添加剤溶液Bの40質量部を添加し、充分に攪拌して、ドープを調製した。ドープを流延ダイ(図示なし)の流延口から0℃に冷却したドラム上に流延した。溶媒含有率70質量%の状態で剥ぎ取り、フィルムの巾方向の両端をピンテンター(特開平4−1009号の図3に記載のピンテンター)で固定し、溶媒含有率が3乃至5質量%の状態で、横方向(搬送方向に垂直な方向)の延伸率が3%となる間隔を保ちつつ乾燥した。その後、熱処理装置のロール間を搬送することにより、さらに乾燥し、厚み60μmのセルロースアセテート製の基材フィルム10を作製した。このセルロースアセテート製の基材フィルム10は紫外線吸収剤を含有しておらず、Re(550)は0nmであり、Rth(550)は12.3nmであった。
<< Production of Substrate Film 10 Made of Cellulose Acetate >>
40 parts by mass of the additive solution B was added to 477 parts by mass of the cellulose acylate solution A, and the dope was prepared by sufficiently stirring. The dope was cast from a casting port of a casting die (not shown) onto a drum cooled to 0 ° C. The film is peeled off in a state where the solvent content is 70% by mass, both ends in the width direction of the film are fixed with a pin tenter (a pin tenter described in FIG. 3 of JP-A-4-1009), and the solvent content is 3 to 5% by mass Then, the film was dried while maintaining an interval at which the stretching ratio in the lateral direction (direction perpendicular to the conveying direction) was 3%. Then, it dried further by conveying between the rolls of the heat processing apparatus, and produced the base film 10 made of cellulose acetate having a thickness of 60 μm. This substrate film 10 made of cellulose acetate did not contain a UV absorber, Re (550) was 0 nm, and Rth (550) was 12.3 nm.

<<アルカリ鹸化処理>>
セルロースアセテート製の基材フィルム10を、温度60℃の誘電式加熱ロールを通過させ、フィルム表面温度を40℃に昇温した。この後に、フィルムの片面に下記に示す組成のアルカリ溶液を、バーコーターを用いて塗布量14ml/mで塗布し、110℃に加熱し、(株)ノリタケカンパニーリミテド製のスチーム式遠赤外ヒーターの下に、10秒間搬送した。続いて、同じくバーコーターを用いて、純水を3ml/mで塗布した。次いで、ファウンテンコーターによる水洗とエアナイフによる水切りを3回繰り返した。この後に、70℃の乾燥ゾーンに10秒間搬送して乾燥し、アルカリ鹸化処理したセルロースアセテート製の基材フィルム10を作製した。
<< Alkaline saponification treatment >>
The substrate film 10 made of cellulose acetate was passed through a dielectric heating roll having a temperature of 60 ° C., and the film surface temperature was raised to 40 ° C. Thereafter, an alkali solution having the composition shown below was applied to one side of the film using a bar coater at a coating amount of 14 ml / m 2 , heated to 110 ° C., and steam-type far infrared manufactured by Noritake Company Limited. It was conveyed for 10 seconds under the heater. Subsequently, pure water was applied at 3 ml / m 2 using the same bar coater. Next, washing with a fountain coater and draining with an air knife were repeated three times. Thereafter, the substrate film 10 made of cellulose acetate subjected to alkali saponification treatment was produced by transporting to a drying zone at 70 ° C. for 10 seconds and drying.

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アルカリ溶液の組成(質量部)
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水酸化カリウム 4.7質量部
水 15.8質量部
イソプロパノール 63.7質量部
界面活性剤
SF−1:C1429O(CHCHO)20H 1.0質量部
プロピレングリコール 14.8質量部
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Composition of alkaline solution (parts by mass)
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Potassium hydroxide 4.7 parts by weight Water 15.8 parts by weight Isopropanol 63.7 parts by weight Surfactant SF-1: C 14 H 29 O (CH 2 CH 2 O) 20 H 1.0 parts by weight Propylene glycol 14. 8 parts by mass ────────────────────────────────────────

<マスク28の作製>
オゾンレス石英ガラスの一方の表面に、可撓性ウェブ(基材フィルム10)の搬送方向に延び可撓性ウェブの幅方向に一定ピッチで複数本スリットが配列されるようなパターンとなるようクロムをスパッタリングにより形成した。そして、その面にさらにプラズマ蒸着によりBaFを蒸着させ、本発明に係る実施例の露光装置24に用いるマスク28を作製した。
<Production of Mask 28>
Chromium is applied to one surface of the ozoneless quartz glass so as to have a pattern extending in the conveying direction of the flexible web (base film 10) and having a plurality of slits arranged at a constant pitch in the width direction of the flexible web. It was formed by sputtering. Then, BaF 2 was further deposited on the surface by plasma deposition, and a mask 28 used for the exposure apparatus 24 of the example according to the present invention was produced.

<ラビング配向膜の形成>
上記作製した基材フィルム10の、鹸化処理を施した面に、下記の組成のラビング配向膜液を#8のワイヤーバーで連続的に塗布した。60℃の温風で60秒、さらに100℃の温風で120秒乾燥し、ラビング配向膜12を形成した。次に、透過部(スリット29)の横ストライプ幅285μm、遮蔽部(スリット29とスリット29との間)の横ストライプ幅285μmのマスク28をラビング配向膜12上に配置した。室温空気下にて、UV−C領域における照度2.5mW/cmの空冷メタルハライドランプ(アイグラフィックス(株)製)を用いて紫外線を4秒間照射して、光酸発生剤を分解し酸性化合物を発生させた。これにより第1位相差領域14a(図1A参照)用のラビング配向膜12を形成した。その後に、ストライプマスクのストライプに対して45°の角度を保持して500rpmで一方向に1往復、ラビング処理を行い、ラビング配向膜12付きの透明支持体(基材フィルム10)を作製した。なお、ラビング配向膜12の膜厚は、0.5μmであった。
<Formation of rubbing alignment film>
A rubbing alignment film solution having the following composition was continuously applied with a # 8 wire bar to the surface of the base film 10 thus prepared. The rubbing alignment film 12 was formed by drying with warm air of 60 ° C. for 60 seconds and further with warm air of 100 ° C. for 120 seconds. Next, a mask 28 having a lateral stripe width of 285 μm of the transmission part (slit 29) and a horizontal stripe width of 285 μm of the shielding part (between the slits 29 and 29) was disposed on the rubbing alignment film 12. Under a room temperature air, UV light is irradiated for 4 seconds using an air-cooled metal halide lamp (produced by Eye Graphics Co., Ltd.) having an illuminance of 2.5 mW / cm 2 in the UV-C region, and the photoacid generator is decomposed and acidic. A compound was generated. Thereby, the rubbing alignment film 12 for the first retardation region 14a (see FIG. 1A) was formed. Thereafter, rubbing treatment was performed once in one direction at 500 rpm while maintaining an angle of 45 ° with respect to the stripe of the stripe mask, and a transparent support (base film 10) with the rubbing alignment film 12 was produced. The film thickness of the rubbing alignment film 12 was 0.5 μm.

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ラビング配向膜液の組成
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配向膜用ポリマー材料 3.9質量部
(PVA103、クラレ(株)製ポリビニルアルコール)
光酸発生剤(S−2) 0.1質量部
メタノール 36 質量部
水 60 質量部
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なお、光酸発生剤(S−2)は、下記化合物である。
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Composition of rubbing alignment film solution ───────────────────────────────────────
Polymer material for alignment film 3.9 parts by mass (PVA103, Kuraray Co., Ltd. polyvinyl alcohol)
Photoacid generator (S-2) 0.1 parts by weight Methanol 36 parts by weight Water 60 parts by weight ──────────────────────────── ───────────
In addition, a photo-acid generator (S-2) is the following compound.

Figure 2013228684
Figure 2013228684

<パターン化された光学異方性層14の形成>
下記の光学異方性層用塗布液を、バーコーターを用いて塗布量4ml/mで塗布した。次いで、膜面温度110℃で2分間加熱熟成した後、80℃まで冷却し空気下にて20mW/cmの空冷メタルハライドランプ(アイグラフィックス(株)製)を用いて紫外線を20秒間照射して、その配向状態を固定化することによりパターン光学異方性層Aを形成した。マスク露光部4上の第1位相差領域14a(図1A参照)では、ラビング方向に対し遅相軸方向が平行にディスコティック液晶が垂直配向しており、非露光部5上の第2位相差領域14b(図1A参照)では直交に垂直配向していた。なお、光学異方性層14の膜厚は、0.9μmであった。
<Formation of patterned optically anisotropic layer 14>
The following coating liquid for optically anisotropic layer was applied at a coating amount of 4 ml / m 2 using a bar coater. Next, after aging at a film surface temperature of 110 ° C. for 2 minutes, the film was cooled to 80 ° C. and irradiated with ultraviolet rays for 20 seconds using an air-cooled metal halide lamp (made by Eye Graphics Co., Ltd.) of 20 mW / cm 2 in the air. Then, the patterned optical anisotropic layer A was formed by fixing the orientation state. In the first retardation region 14a (see FIG. 1A) on the mask exposure portion 4, the discotic liquid crystal is vertically aligned with the slow axis direction parallel to the rubbing direction, and the second retardation on the non-exposure portion 5 is obtained. In the region 14b (see FIG. 1A), it was vertically aligned perpendicularly. The film thickness of the optically anisotropic layer 14 was 0.9 μm.

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光学異方性層用塗布液の組成
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ディスコティック液晶E−1 100 質量部
配向膜界面配向剤(II−1) 3.0質量部
空気界面配向剤(P−1) 0.4質量部
光重合開始剤 3.0質量部
(イルガキュア907、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ(株)製)
増感剤(カヤキュア−DETX、日本化薬(株)製) 1.0質量部
メチルエチルケトン 400 質量部
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Composition of coating solution for optically anisotropic layer ───────────────────────────────────────
Discotic liquid crystal E-1 100 parts by weight Alignment film interface aligner (II-1) 3.0 parts by weight Air interface aligner (P-1) 0.4 parts by weight Photopolymerization initiator 3.0 parts by weight (Irgacure 907 , Manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.)
Sensitizer (Kayacure-DETX, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) 1.0 part by weight Methyl ethyl ketone 400 parts by weight ───────────────────────── ──────────────

比較例Comparative example

(実験2)
実験2では、オゾンレス石英ガラスの一方の表面に、可撓性ウェブ(基材フィルム10)の搬送方向に延び可撓性ウェブの幅方向に一定ピッチで複数本スリットが配列されるようなパターンとなるよう、クロムをスパッタリングにより形成することで作製したマスクを作製した。このマスクに実験1のマスク28を置き換える以外は、実験1と同じ条件で行った。
(Experiment 2)
In Experiment 2, a pattern in which a plurality of slits are arranged on one surface of ozoneless quartz glass in the conveyance direction of the flexible web (base film 10) and arranged at a constant pitch in the width direction of the flexible web, Thus, a mask produced by forming chromium by sputtering was produced. The test was performed under the same conditions as in Experiment 1 except that the mask 28 in Experiment 1 was replaced with this mask.

実験1及び実験2において、カブリ故障の大きさを、パターンフィルムにおいて隣接したパターン間の境界領域の幅として、この幅の大小で評価した。実験1では、実験初期において実用上問題がないレベルまでこのカブリ故障が低く抑えられ、パターンフィルム13を3000m製造した後においてもこのレベルを保持した。一方、実験2では、実験初期においても実用上問題が生じてしまうレベルのカブリ故障が発生し、パターンフィルムを3000m製造した後においては初期よりさらに大きなカブリ故障が発生した。さらに、実験1では用いたマスクのマスク膜には劣化は見られなかったが、実験2では用いたマスクのマスク膜に劣化が見られた。   In Experiment 1 and Experiment 2, the magnitude of the fogging failure was evaluated as the width of the boundary region between adjacent patterns in the pattern film. In Experiment 1, this fogging failure was suppressed to a level where there was no practical problem at the beginning of the experiment, and this level was maintained even after the pattern film 13 was manufactured 3000 m. On the other hand, in Experiment 2, a fog failure at a level causing a practical problem even in the initial stage of the experiment occurred, and after the pattern film was manufactured 3000 m, a larger fog fault occurred than in the initial stage. Furthermore, in Experiment 1, no deterioration was found in the mask film of the mask used, but in Experiment 2, the mask film of the mask used was deteriorated.

4 露光部
5 非露光部
10 基材フィルム
10A 第一処理フィルム
10B 第二処理フィルム
12 ラビング配向膜
13 パターンフィルム
14a 第1位相差領域
14b 第2位相差領域
20 ダイ
22 乾燥装置
23 搬送ローラ
25 バックアップロール
26 駆動軸
28 マスク
28A 基板
28B マスク膜
28C 高屈折率層
29 スリット
30 マスクフォルダ
34 UV光源
40 UV光路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 4 Exposed part 5 Non-exposed part 10 Base film 10A 1st process film 10B 2nd process film 12 Rubbing alignment film 13 Pattern film 14a 1st phase difference area 14b 2nd phase difference area 20 Die 22 Drying device 23 Conveyance roller 25 Backup Roll 26 Drive shaft 28 Mask 28A Substrate 28B Mask film 28C High refractive index layer 29 Slit 30 Mask folder 34 UV light source 40 UV light path

Claims (22)

表面に光反応性膜が形成された可撓性ウェブの裏面を支持する周面を有し、前記支持された可撓性ウェブを搬送するバックアップロールと、
前記支持されている前記可撓性ウェブ上に形成された前記光反応性膜に向けて、前記光反応性膜に光反応を引き起こす光を照射する光源と、
前記バックアップロールに近接する状態で前記光源と前記バックアップロールとの間に配置され、前記可撓性ウェブの搬送方向に延び前記可撓性ウェブの幅方向に一定ピッチで複数本配列され前記光源からの光を通過させるスリットを有するマスクとを備え、
前記マスクは、
前記光に対して透明な基板と、
前記基板の前記バックアップロール側の面上に、前記光に対して不透明な材料により形成されたマスク膜と、
前記光に対して透過性を有し前記基板の屈折率以上の屈折率を持つ材料により、前記基板の前記マスク膜を形成した側に対して前記マスク膜を覆うように形成されている高屈折率層とを有することを特徴とする露光装置。
A backup roll having a peripheral surface for supporting the back surface of the flexible web having a photoreactive film formed on the surface, and transporting the supported flexible web;
A light source for irradiating the photoreactive film with light that causes a photoreaction toward the photoreactive film formed on the supported flexible web;
Located between the light source and the backup roll in a state of being close to the backup roll, extends in the conveyance direction of the flexible web, and is arranged in a plurality at a constant pitch in the width direction of the flexible web. And a mask having a slit through which light passes.
The mask is
A substrate transparent to the light;
A mask film formed of a material opaque to the light on the surface of the substrate on the backup roll side;
High refraction formed so as to cover the mask film with respect to the side of the substrate on which the mask film is formed, by a material that is transparent to the light and has a refractive index equal to or higher than the refractive index of the substrate. An exposure apparatus comprising a rate layer.
前記光源が照射する前記光は紫外線であることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the light emitted from the light source is ultraviolet light. 前記基板がオゾンレス石英ガラス,合成石英ガラス,天然石英ガラスのうちいずれか一つの材料からなることを特徴とする請求項1または2記載の露光装置。   3. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the substrate is made of any one material selected from ozoneless quartz glass, synthetic quartz glass, and natural quartz glass. 前記マスク膜が金属により形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the mask film is made of metal. 前記金属がクロムであることを特徴とする請求項4記載の露光装置。   5. An exposure apparatus according to claim 4, wherein the metal is chromium. 前記マスク膜が真空蒸着,電子ビーム蒸着,イオンビーム蒸着,プラズマ蒸着,スパッタリングのうちいずれか1つの方法で形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載の露光装置。   6. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the mask film is formed by any one of vacuum deposition, electron beam deposition, ion beam deposition, plasma deposition, and sputtering. . 前記高屈折率層が無機材料からなる薄膜により形成されることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the high refractive index layer is formed of a thin film made of an inorganic material. 前記無機材料は、BaF,DyF,GdF,LaF,NdF,TdF,YbF,YFといったフッ化物、SiO,SiO,Al,HfO,ZrO,Ta,Nb,TiO,In,WOといった酸化物、SiON,Siといった窒化物、SiC,BCといった炭化物、SiO/Al,Al/Pr11,Al/La,ZrO/Ta,ZrO/MgO,ZrO/Al,TiO/Pr11,TiO/Al,TiO/Laといった酸化物の混合物のうち少なくともいずれか1つであることを特徴とする請求項7記載の露光装置。 The inorganic materials include BaF 2 , DyF 3 , GdF 3 , LaF 3 , NdF 2 , TdF 3 , YbF 3 , YF 3 fluorides, SiO 2 , SiO, Al 2 O 3 , HfO 2 , ZrO 2 , Ta 2. O 5 , Nb 2 O 5 , TiO 2 , In 2 O 3 , WO 3 oxides, SiON, Si 3 N 4 nitrides, SiC, B 4 C carbides, SiO 2 / Al 2 O 3 , Al 2 O 3 / Pr 6 O 11 , Al 2 O 3 / La 2 O 3 , ZrO 2 / Ta 2 O 5 , ZrO 2 / MgO, ZrO 2 / Al 2 O 3 , TiO 2 / Pr 6 O 11 , TiO 2 / al 2 O 3, TiO 2 / La exposure apparatus according to claim 7, wherein the at least one of a mixture of 2 O 3 such oxides. 前記高屈折率層が真空蒸着,電子ビーム蒸着,イオンビーム蒸着,プラズマ蒸着,スパッタリングのうちいずれか1つの方法で形成されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項記載の露光装置。   The high refractive index layer is formed by any one of vacuum deposition, electron beam deposition, ion beam deposition, plasma deposition, and sputtering. Exposure device. 表面に光反応性膜が形成された可撓性ウェブの裏面をバックアップロールにより支持しながら搬送する搬送経路中で、
前記バックアップロールに近接した状態で前記光源と前記バックアップロールとの間に配置され、前記可撓性ウェブの搬送方向に延び前記可撓性ウェブの幅方向に一定ピッチで複数本配列されたスリットを有するマスクを介して、前記光反応性膜に向けて、前記光反応性膜に光反応を引き起こす光を光源から照射する照射工程を有し、
前記マスクは、
前記光に対して透明な基板と、
前記基板の前記バックアップロール側の面上に、前記光に対して不透明な材料により形成されたマスク膜と、
前記光に対して透過性を有し前記基板の屈折率以上の屈折率を持つ材料により、前記基板の前記マスク膜を形成した側に対して前記マスク膜を覆うように形成されている高屈折率層とを有することを特徴とする露光方法。
In the transport path for transporting while supporting the back surface of the flexible web with the photoreactive film formed on the surface by the backup roll,
A plurality of slits arranged between the light source and the backup roll in the vicinity of the backup roll and extending in the conveyance direction of the flexible web and arranged at a constant pitch in the width direction of the flexible web. An irradiation step of irradiating light that causes a photoreaction to the photoreactive film from a light source toward the photoreactive film through a mask having,
The mask is
A substrate transparent to the light;
A mask film formed of a material opaque to the light on the surface of the substrate on the backup roll side;
High refraction formed so as to cover the mask film with respect to the side of the substrate on which the mask film is formed, by a material that is transparent to the light and has a refractive index equal to or higher than the refractive index of the substrate. And an exposure layer.
前記光は紫外線であり、前記光反応性膜は紫外線に対して反応する性質を有する化合物を含有することを特徴とする請求項10記載の露光方法。   11. The exposure method according to claim 10, wherein the light is ultraviolet light, and the photoreactive film contains a compound having a property of reacting to ultraviolet light. 前記基板はオゾンレス石英ガラス,合成石英ガラス,天然石英ガラスのうちいずれか一つの材料からなることを特徴とする請求項10または11記載の露光方法。   12. The exposure method according to claim 10, wherein the substrate is made of any one material selected from ozoneless quartz glass, synthetic quartz glass, and natural quartz glass. 前記マスク膜が金属により形成されていることを特徴とする請求項10〜12のいずれか1項記載の露光方法。   The exposure method according to claim 10, wherein the mask film is made of metal. 前記金属がクロムであることを特徴とする請求項13記載の露光方法。   The exposure method according to claim 13, wherein the metal is chromium. 前記マスク膜が真空蒸着,電子ビーム蒸着,イオンビーム蒸着,プラズマ蒸着,スパッタリングのうちいずれか1つの方法で形成されていることを特徴とする請求項10〜14のいずれか1項記載の露光方法。   The exposure method according to claim 10, wherein the mask film is formed by any one of vacuum deposition, electron beam deposition, ion beam deposition, plasma deposition, and sputtering. . 前記高屈折率層が無機材料からなる薄膜により形成されることを特徴とする請求項10〜15のいずれか1項記載の露光方法。   The exposure method according to claim 10, wherein the high refractive index layer is formed of a thin film made of an inorganic material. 前記無機材料は、BaF,DyF,GdF,LaF,NdF,TdF,YbF,YFといったフッ化物、SiO,SiO,Al,HfO,ZrO,Ta,Nb,TiO,In,WOといった酸化物、SiON,Siといった窒化物、SiC,BCといった炭化物、SiO/Al,Al/Pr11,Al/La,ZrO/Ta,ZrO/MgO,ZrO/Al,TiO/Pr11,TiO/Al,TiO/Laといった酸化物の混合物のうち少なくともいずれか1つであることを特徴とする請求項16記載の露光方法。 The inorganic materials include BaF 2 , DyF 3 , GdF 3 , LaF 3 , NdF 2 , TdF 3 , YbF 3 , YF 3 fluorides, SiO 2 , SiO, Al 2 O 3 , HfO 2 , ZrO 2 , Ta 2. O 5 , Nb 2 O 5 , TiO 2 , In 2 O 3 , WO 3 oxides, SiON, Si 3 N 4 nitrides, SiC, B 4 C carbides, SiO 2 / Al 2 O 3 , Al 2 O 3 / Pr 6 O 11 , Al 2 O 3 / La 2 O 3 , ZrO 2 / Ta 2 O 5 , ZrO 2 / MgO, ZrO 2 / Al 2 O 3 , TiO 2 / Pr 6 O 11 , TiO 2 / The exposure method according to claim 16, wherein the exposure method is at least one of a mixture of oxides such as Al 2 O 3 and TiO 2 / La 2 O 3 . 前記高屈折率層が真空蒸着,電子ビーム蒸着,イオンビーム蒸着,プラズマ蒸着,スパッタリングのうちいずれか1つの方法で形成されていることを特徴とする、請求項10〜17のいずれか1項記載の露光方法。   18. The high refractive index layer is formed by any one of vacuum deposition, electron beam deposition, ion beam deposition, plasma deposition, and sputtering. Exposure method. 前記可撓性ウェブの表面に前記光反応性膜を形成する光反応性膜形成工程と、
請求項10〜18のいずれか1項記載の露光方法による露光工程とを有することを特徴とするパターンフィルムの製造方法。
A photoreactive film forming step of forming the photoreactive film on the surface of the flexible web;
The manufacturing method of a pattern film characterized by having an exposure process by the exposure method of any one of Claims 10-18.
前記光反応性膜形成工程は、
光反応性膜塗布液を塗布する光反応性膜塗布工程と、
前記光反応性塗布液を乾燥する光反応性膜乾燥工程とを有することを特徴とする請求項19に記載のパターンフィルムの製造方法。
The photoreactive film forming step includes
A photoreactive film coating step of applying a photoreactive film coating solution;
The method for producing a pattern film according to claim 19, further comprising a photoreactive film drying step of drying the photoreactive coating solution.
前記露光工程の前後どちらか一方に、前記光反応性膜に対してラビング処理を施すラビング工程を有することを特徴とする請求項19又は20に記載のパターンフィルムの製造方法。   21. The method for producing a patterned film according to claim 19, further comprising a rubbing step for rubbing the photoreactive film before or after the exposure step. 前記露光工程と前記ラビング工程とが行われた後に、液晶膜塗布液を塗布する液晶膜塗布工程と、前記液晶膜塗布液を硬化させる液晶膜硬化工程とを有することを特徴とする請求項19〜21のいずれか一つに記載のパターンフィルムの製造方法。   The liquid crystal film coating process for coating a liquid crystal film coating liquid after the exposure process and the rubbing process are performed, and the liquid crystal film curing process for curing the liquid crystal film coating liquid. The manufacturing method of the pattern film as described in any one of -21.
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