JP2013218156A - Exposure apparatus and substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、露光装置及び基板処理装置に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus and a substrate processing apparatus.
ディスプレイ装置などの表示装置を構成する表示素子として、例えば液晶表示素子、有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)素子が知られている。現在、これらの表示素子では、各画素に対応して基板表面に薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT)を形成する能動的素子(アクティブデバイス)が主流となってきている。 As display elements that constitute display devices such as display devices, for example, liquid crystal display elements and organic electroluminescence (organic EL) elements are known. Currently, in these display elements, active elements (active devices) that form thin film transistors (TFTs) on the substrate surface corresponding to each pixel have become mainstream.
近年では、可撓性を有する基板(例えばフィルム部材など)上に表示素子を形成する技術が提案されている。このような技術として、例えばロール・トゥ・ロール方式(以下、単に「ロール方式」と表記する)と呼ばれる手法が知られている(例えば、特許文献1参照)。ロール方式では、基板供給側の供給用ローラーに巻かれた帯状の基板を送り出すと共に送り出された基板を基板回収側の回収用ローラーで巻き取りながら基板を搬送する。 In recent years, a technique for forming a display element on a flexible substrate (for example, a film member) has been proposed. As such a technique, for example, a technique called a roll-to-roll system (hereinafter simply referred to as “roll system”) is known (see, for example, Patent Document 1). In the roll method, the belt-shaped substrate wound around the substrate supply side supply roller is sent out, and the substrate is transported while being wound up by the substrate recovery side recovery roller.
基板が送り出されてから巻き取られるまでの間、複数の処理装置により、TFTを構成するゲート電極、ゲート酸化膜、半導体膜、ソース・ドレイン電極等が形成される。その後、表示素子の他の構成要素が基板上に順次形成される。例えば基板上に有機EL素子を形成する場合には、発光層や陽極、陰極、電気回路などが基板上に順次形成される。これらの構成要素は、例えばマスクを介した露光光で基板を露光する露光装置などを用いて、例えばフォトリソグラフィ法を用いて形成される場合がある。 A gate electrode, a gate oxide film, a semiconductor film, a source / drain electrode, and the like constituting the TFT are formed by a plurality of processing apparatuses from when the substrate is sent out until it is wound. Thereafter, other components of the display element are sequentially formed on the substrate. For example, when an organic EL element is formed on a substrate, a light emitting layer, an anode, a cathode, an electric circuit, and the like are sequentially formed on the substrate. These components may be formed using, for example, a photolithography method using an exposure apparatus that exposes the substrate with exposure light through a mask, for example.
ところで、上記のようなロール方式においても、帯状の基板に表示素子を高精度に製造可能とする技術が要望されている。このため、光学性能に優れた露光装置が求められている。 By the way, even in the roll method as described above, there is a demand for a technology that enables a display element to be manufactured with high accuracy on a belt-like substrate. For this reason, an exposure apparatus having excellent optical performance is required.
そこで、本発明の態様は、光学性能に優れた露光装置及び基板処理装置を提供することを目的とする。 In view of the above, an object of an aspect of the present invention is to provide an exposure apparatus and a substrate processing apparatus excellent in optical performance.
本発明の第一の態様に従えば、マスクに形成されたパターンの露光光による像をシート状の基板に投影して基板を露光する露光装置であって、基板のうち像を投影させる部分を湾曲させるように基板を支持する湾曲形成部が設けられた基板支持装置と、基板の湾曲部分に対応させて露光光の光路長を調整する調整部材とを備える露光装置が提供される。 According to a first aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus that exposes a substrate by projecting an image of a pattern formed by exposure light on a mask onto a sheet-like substrate, wherein a portion of the substrate on which an image is projected is provided. An exposure apparatus is provided that includes a substrate support device provided with a curve forming portion that supports the substrate so as to be bent, and an adjustment member that adjusts the optical path length of exposure light in correspondence with the curved portion of the substrate.
本発明の第二の態様に従えば、基板を搬送する基板搬送部と、基板を処理する基板処理部と、を備え、基板処理部は、本発明の第一の態様に従う露光装置を有する基板処理装置が提供される。 According to a second aspect of the present invention, a substrate transport unit that transports a substrate and a substrate processing unit that processes the substrate, the substrate processing unit having the exposure apparatus according to the first aspect of the present invention. A processing device is provided.
本発明の態様によれば、光学性能に優れた露光装置及び基板処理装置を提供することができる。 According to the aspect of the present invention, it is possible to provide an exposure apparatus and a substrate processing apparatus having excellent optical performance.
[第一実施形態]
以下、図面を参照して、本発明の第一実施形態を説明する。
図1は、本実施形態に係る露光装置EXの構成を示す図である。
図1に示すように、露光装置EXは、照明ユニットIUと、マスクステージMSTと、投影光学系PLと、基板ステージSSTと、制御装置とを有している。露光装置EXは、マスクMに形成されたパターンPの露光光ELIによる像Imを、シート状の基板Sに投影する。
[First embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a view showing the arrangement of the exposure apparatus EX according to this embodiment.
As shown in FIG. 1, the exposure apparatus EX includes an illumination unit IU, a mask stage MST, a projection optical system PL, a substrate stage SST, and a control device. The exposure apparatus EX projects an image Im by the exposure light ELI of the pattern P formed on the mask M onto the sheet-like substrate S.
図1において、直交座標系XYZは、マスクMのパターン形成面MaがXZ面と垂直となるように設定され、基板Sの搬送方向(長尺方向)と直交する幅方向がY方向に設定されるものとする。なお、その基板Sは、予め所定の前処理によって、その表面を改質して活性化したもの、或いは、表面に精密パターニングの為の微細な隔壁構造(凹凸構造)を形成したものでも良い。 In FIG. 1, an orthogonal coordinate system XYZ is set such that the pattern formation surface Ma of the mask M is perpendicular to the XZ plane, and the width direction orthogonal to the transport direction (long direction) of the substrate S is set to the Y direction. Shall be. The substrate S may be activated by modifying the surface in advance by a predetermined pretreatment, or may be formed with a fine partition structure (uneven structure) for precise patterning on the surface.
基板Sとしては、例えば樹脂フィルムやステンレス鋼などの箔(フォイル)を用いることができる。例えば、樹脂フィルムは、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂、などの材料を用いることができる。 As the substrate S, for example, a foil such as a resin film or stainless steel can be used. For example, the resin film is made of polyethylene resin, polypropylene resin, polyester resin, ethylene vinyl copolymer resin, polyvinyl chloride resin, cellulose resin, polyamide resin, polyimide resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, vinyl acetate resin, etc. Can be used.
基板Sは、例えば200℃程度の熱を受けても寸法が変わらないように熱膨張係数が小さい方が好ましい。例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合して熱膨張係数を小さくすることができる。無機フィラーの例としては、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素などが挙げられる。また、基板Sはフロート法等で製造された厚さ100μm程度の極薄ガラスの単体、或いはその極薄ガラスに上記樹脂フィルムやアルミ箔を貼り合わせた積層体であっても良い。 The substrate S preferably has a smaller coefficient of thermal expansion so that the dimensions do not change even when subjected to heat of about 200 ° C., for example. For example, an inorganic filler can be mixed with a resin film to reduce the thermal expansion coefficient. Examples of the inorganic filler include titanium oxide, zinc oxide, alumina, silicon oxide and the like. The substrate S may be a single piece of ultrathin glass having a thickness of about 100 μm manufactured by a float process or the like, or a laminate in which the resin film or aluminum foil is bonded to the ultrathin glass.
基板Sの幅方向(短尺方向)の寸法は例えば1m〜2m程度に形成されており、長さ方向(長尺方向)の寸法は例えば10m以上に形成されている。勿論、この寸法は一例に過ぎず、これに限られることは無い。例えば基板SのY方向の寸法が50cm以下であっても構わないし、2m以上であっても構わない。また、基板SのX方向の寸法が10m以下であっても構わない。 The dimension in the width direction (short direction) of the substrate S is, for example, about 1 m to 2 m, and the dimension in the length direction (long direction) is, for example, 10 m or more. Of course, this dimension is only an example and is not limited thereto. For example, the dimension in the Y direction of the substrate S may be 50 cm or less, or 2 m or more. Moreover, the dimension of the X direction of the board | substrate S may be 10 m or less.
基板Sは、可撓性を有するように形成されている。ここで可撓性とは、基板に自重程度の力を加えても線断したり破断したりすることはなく、該基板を撓めることが可能な性質をいう。また、自重程度の力によって屈曲する性質も可撓性に含まれる。また、上記可撓性は、該基板の材質、大きさ、厚さ、又は温度などの環境、等に応じて変わる。なお、基板Sとしては、1枚の帯状の基板を用いても構わないが、複数の単位基板を接続して帯状に形成される構成としても構わない。 The substrate S is formed so as to have flexibility. Here, the term “flexibility” refers to the property that the substrate can be bent without being broken or broken even if a force of its own weight is applied to the substrate. In addition, flexibility includes a property of bending by a force of about its own weight. The flexibility varies depending on the material, size, thickness, environment such as temperature, etc. of the substrate. As the substrate S, a single strip-shaped substrate may be used, but a configuration in which a plurality of unit substrates are connected and formed in a strip shape may be used.
照明ユニットIUは、マスクMに対して露光光ELIを照明する。本実施形態では、マスクMとして、平板上のマスクMが用いられている。当該マスクMのパターン形成面(物体面)Maには、所定のパターンPが形成されている。マスクMとしては、照明ユニットIUからの露光光ELIを透過する透過型マスクが用いられているが、これに限られず、照明ユニットIUからの露光光ELIを反射する反射型マスクが用いられても良い。 The illumination unit IU illuminates the exposure light ELI on the mask M. In the present embodiment, a mask M on a flat plate is used as the mask M. A predetermined pattern P is formed on the pattern forming surface (object surface) Ma of the mask M. As the mask M, a transmissive mask that transmits the exposure light ELI from the illumination unit IU is used. However, the mask M is not limited to this, and a reflective mask that reflects the exposure light ELI from the illumination unit IU may be used. good.
マスクステージMSTは、マスクMを保持して移動可能である。マスクステージMSTは、パターン形成面Maに沿ってマスクMを移動させる駆動機構(不図示)を有している。マスクステージMSTがマスクMを移動させることにより、パターンPの全体に対して露光光ELIが走査される。 Mask stage MST is movable while holding mask M. The mask stage MST has a drive mechanism (not shown) that moves the mask M along the pattern formation surface Ma. The exposure light ELI is scanned over the entire pattern P by the mask stage MST moving the mask M.
投影光学系PLは、マスクMに形成されたパターンPの像を基板Sに投影するレンズ31〜レンズ34を有している。投影光学系PLとしては、例えばマスクMに形成されたパターンPの像を拡大して投影する拡大光学系(すなわち、投影倍率として拡大倍率を有する光学系)が用いられている。また、投影光学系PLは、中間結像36を有し、中間結像の倍率が基板Sの像に対して縮小倍率となっている。
The projection optical system PL includes
基板ステージSSTは、投影光学系PLによってパターンPの像が投影される各投影領域PAを経由するように基板Sを搬送する。基板ステージSSTは、基板支持ローラー80を有している。また、基板ステージSSTは、基板支持ローラー80をX方向、Y方向及びZ方向に移動させると共に、θY方向に回転させる駆動部81を有している。
The substrate stage SST transports the substrate S so as to pass through each projection area PA on which an image of the pattern P is projected by the projection optical system PL. The substrate stage SST has a
基板ステージSSTは、基板支持ローラー80は、円筒状に形成されており、投影光学系PLによるパターンPの像の投影領域PAに対応した位置に配置されている。基板支持ローラー80の外周面は、基板Sを支持する支持面80aとなっている。なお、基板支持ローラー80には図示しないエアベアリング機構が設けられており、このエアベアリング機構によって基板Sを支持面80a上に非接触に支持する構成としても良い。
In the substrate stage SST, the
本実施形態では、上記構成の露光装置EXのうち投影光学系PLにおいて、投影像(パターンPの像)の投影位置を、支持面80aに支持される基板Sの表面Saに沿った方向へ調整可能な調整機構35が設けられている。調整機構35は、露光光ELIのX方向における光路長を調整する。
In the present embodiment, in the projection optical system PL of the exposure apparatus EX configured as described above, the projection position of the projection image (pattern P image) is adjusted in a direction along the surface Sa of the substrate S supported by the
本実施形態のように円筒状に形成された支持面80aに支持された基板Sの表面Saは円筒面に配置されている。一方、マスクMは平面状に形成されており、パターンPは平面状に配置されている。したがって、マスクMのパターンPの像Imを当該基板Sの表面Saに投影する場合、支持面80aに支持される基板Sの表面Saに沿った方向へ像Imを調整する必要がある。
The surface Sa of the substrate S supported by the
図2は、像Imを調整する原理を説明するための図である。
図2に示すように、曲率半径Rの円筒面51を設定し、当該円筒面51に接する平面52を設定した場合、平面52上のうち接点53から距離Hだけ離れた位置54から円筒面51までの距離Lは、
L=R−√(R2−H2)
である。
FIG. 2 is a diagram for explaining the principle of adjusting the image Im.
As shown in FIG. 2, when a
L = R−√ (R 2 −H 2 )
It is.
よって、平面52のうち接点53から位置54までの間を通る光線に距離Lに等しい光路差(光路差L)が生じるように投影光学系PLを構成すれば、円筒面として配置された基板Sの表面Saに対して良好な光学性能でパターンPの像Imを投影可能となる。そこで、本実施形態では、投影光学系PLに調整機構35を配置させている。
Therefore, if the projection optical system PL is configured such that an optical path difference (optical path difference L) equal to the distance L is generated in a light beam passing from the
このような調整機構35として、本実施形態では、例えば露光光ELIを透過可能であると共に、曲率方向(X方向)に光屈折率分布を有する光屈折部材37が用いられている。光屈折部材37は、露光光ELIの進行方向においてマスクMの下流側に設けられている。当該光屈折部材37は、投影光学系PLのうち物体面(パターン形成面Ma)と共役位置の近傍に配置されている。この場合、光屈折部材37のX方向の光屈折率分布が上記光路差を有するような光屈折率分布であれば、パターンPの像面が円筒面を形成することになる。なお、光屈折部材37は、投影光学系PLのうち当該光屈折部材37と共役位置である位置39に配置された構成であっても良い。
In this embodiment, for example, a
以上のように、本実施形態によれば、マスクMに形成されたパターンPの露光光ELIによる像Imをシート状の基板Sに投影して基板Sを露光する露光装置EXであって、基板Sのうち像Imを投影させる投影領域PAを湾曲させるように基板Sを支持する支持面80aが設けられた基板支持ローラー80と、基板Sの湾曲部分に対応させて露光光ELIの光路長を調整する調整機構35とを備えるので、当該調整機構35によって、基板Sの形状に対応するようにパターンPの像Imを調整することができる。これにより、光学性能に優れた露光装置EXを実現できる。
As described above, according to the present embodiment, the exposure apparatus EX that exposes the substrate S by projecting the image Im by the exposure light ELI of the pattern P formed on the mask M onto the sheet-like substrate S. The
[第二実施形態]
次に、本発明の第二実施形態を説明する。
本実施形態では、上記第一実施形態に記載の露光装置EXを備えるデバイス製造システムについて説明する。図3は、本実施形態のデバイス製造システム(フレキシブル・ディスプレー製造ライン)の一部の構成を示す図である。ここでは、供給ロールFR1から引き出された可撓性の基板S(シート、フィルム等)が、順次、n台の処理装置U1,U2,U3,U4,U5,・・・Unを経て、回収ロールFR2に巻き上げられるまでの例を示している。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
In the present embodiment, a device manufacturing system including the exposure apparatus EX described in the first embodiment will be described. FIG. 3 is a diagram showing a partial configuration of the device manufacturing system (flexible display manufacturing line) of the present embodiment. Here, the flexible substrate S (sheet, film, etc.) drawn out from the supply roll FR1 passes through n processing devices U1, U2, U3, U4, U5,. The example until it winds up to FR2 is shown.
図3において、直交座標系XYZは、基板Sの表面(又は裏面)がXZ面と垂直となるように設定され、基板Sの搬送方向(長尺方向)と直交する幅方向がY方向に設定されるものとする。なお、その基板Sは、予め所定の前処理によって、その表面を改質して活性化したもの、或いは、表面に精密パターニングの為の微細な隔壁構造(凹凸構造)を形成したものでも良い。 In FIG. 3, the orthogonal coordinate system XYZ is set so that the front surface (or back surface) of the substrate S is perpendicular to the XZ plane, and the width direction orthogonal to the transport direction (long direction) of the substrate S is set to the Y direction. Shall be. The substrate S may be activated by modifying the surface in advance by a predetermined pretreatment, or may be formed with a fine partition structure (uneven structure) for precise patterning on the surface.
供給ロールFR1に巻かれている基板Sは、ニップされた駆動ローラーDR1によって引き出されて処理装置U1に搬送されるが、基板SのY方向(幅方向)の中心はエッジポジションコントローラーEPC1によって、目標位置に対して±十数μm〜数十μm程度の範囲に収まるようにサーボ制御される。 The substrate S wound around the supply roll FR1 is pulled out by the nipped drive roller DR1 and transported to the processing apparatus U1. The center of the substrate S in the Y direction (width direction) is controlled by the edge position controller EPC1. Servo control is performed so as to be within a range of about ± 10 μm to several tens μm with respect to the position.
処理装置U1は、印刷方式で基板Sの表面に感光性機能液(フォトレジスト、感光性カップリング材、UV硬化樹脂液等)を、基板Sの搬送方向(長尺方向)に関して連続的又は選択的に塗布する塗布装置である。処理装置U1内には、基板Sが巻き付けられる圧胴ローラーDR2、この圧胴ローラーDR2上で、基板Sの表面に感光性機能液を一様に塗布する為の塗布用ローラー等を含む塗布機構Gp1、基板Sに塗布された感光性機能液に含まれる溶剤または水分を急速に除去する為の乾燥機構Gp2等が設けられている。 The processing device U1 continuously or selects a photosensitive functional liquid (photoresist, photosensitive coupling material, UV curable resin liquid, etc.) on the surface of the substrate S by a printing method with respect to the transport direction (long direction) of the substrate S. It is the coating device which coats automatically. In the processing apparatus U1, a coating mechanism including a pressure drum DR2 around which the substrate S is wound, a coating roller for uniformly coating the photosensitive functional liquid on the surface of the substrate S on the pressure drum DR2. Gp1, a drying mechanism Gp2 for rapidly removing the solvent or moisture contained in the photosensitive functional liquid applied to the substrate S, and the like are provided.
処理装置U2は、処理装置U1から搬送されてきた基板Sを所定温度(例えば、数10℃〜120℃程度)まで加熱して、表面に塗布された感光性機能層を安定に定着する為の加熱装置である。処理装置U2内には、基板Sを折返し搬送する為の複数のローラーとエア・ターン・バー、搬入されてきた基板Sを加熱する為の加熱チャンバー部HA1、加熱された基板Sの温度を、後工程(処理装置U3)の環境温度と揃うように下げる為の冷却チャンバー部HA2、ニップされた駆動ローラーDR3等が設けられている。 The processing device U2 heats the substrate S conveyed from the processing device U1 to a predetermined temperature (for example, about several tens of degrees Celsius to 120 ° C.) to stably fix the photosensitive functional layer applied on the surface. It is a heating device. In the processing apparatus U2, a plurality of rollers and an air turn bar for returning and conveying the substrate S, a heating chamber HA1 for heating the loaded substrate S, and the temperature of the heated substrate S, A cooling chamber HA2 and a nipped drive roller DR3 are provided for lowering the temperature so as to match the environmental temperature of the post-process (processing device U3).
処理装置U3は、処理装置U2から搬送されてきた基板Sの感光性機能層に対して、ディスプレイ用の回路パターンや配線パターンに対応した紫外線のパターニング光を照射する露光装置EXである。処理装置U3内には、基板SのY方向(幅方向)の中心を一定位置に制御するエッジポジションコントローラーEPC、ニップされた駆動ローラーDR4、所定のテンションでX方向に搬送される基板Sの裏面をエアベアリングの層で平面支持する基板搬送装置ST、及び、基板Sに所定の弛み(あそび)DLを与える為の2組の駆動ローラーDR6、DR7等が設けられている。 The processing device U3 is an exposure device EX that irradiates the photosensitive functional layer of the substrate S conveyed from the processing device U2 with ultraviolet patterning light corresponding to the circuit pattern and wiring pattern for display. In the processing apparatus U3, an edge position controller EPC that controls the center of the substrate S in the Y direction (width direction) to a fixed position, a nipped drive roller DR4, and the back surface of the substrate S that is conveyed in the X direction with a predetermined tension Are provided with a substrate transport device ST which is plane-supported by an air bearing layer, and two sets of drive rollers DR6 and DR7 for giving a predetermined slack (play) DL to the substrate S.
図3の処理装置U4は、処理装置U3から搬送されてきた基板Sの感光性機能層に対して、湿式による現像処理、無電解メッキ処理等を行なうウェット処理装置である。処理装置U4内には、Z方向に階層化された3つの処理槽BT1、BT2、BT3と、基板Sを折り曲げて搬送する複数のローラーと、ニップされた駆動ローラーDR8等が設けられている。 The processing apparatus U4 in FIG. 3 is a wet processing apparatus that performs wet development processing, electroless plating processing, and the like on the photosensitive functional layer of the substrate S conveyed from the processing apparatus U3. In the processing apparatus U4, three processing tanks BT1, BT2, and BT3 layered in the Z direction, a plurality of rollers that fold and convey the substrate S, a nip driving roller DR8, and the like are provided.
処理装置U5は、処理装置U4から搬送されてきた基板Sを暖めて、湿式プロセスで湿った基板Sの水分含有量を所定値に調整する加熱乾燥装置であるが、詳細は省略する。その後、幾つかの処理装置を経て、一連のプロセスの最後の処理装置Unを通った基板Sは、ニップされた駆動ローラーDR1を介して回収ロールFR2に巻き上げられる。その巻上げの際も、基板SのY方向(幅方向)の中心、或いはY方向の基板端が、Y方向にばらつかないように、エッジポジションコントローラーEPC2によって、駆動ローラーDR1と回収ロールFR2のY方向の相対位置が逐次補正制御される。 The processing device U5 is a heating and drying device that warms the substrate S transported from the processing device U4 and adjusts the moisture content of the substrate S wet by the wet process to a predetermined value, but the details are omitted. After that, the substrate S that has passed through several processing apparatuses and passed through the last processing apparatus Un of the series of processes is wound up on the collection roll FR2 via the nipped drive roller DR1. Also during the winding, the edge position controller EPC2 controls the Y of the drive roller DR1 and the recovery roll FR2 so that the center in the Y direction (width direction) of the substrate S or the substrate end in the Y direction does not vary in the Y direction. The relative position in the direction is successively corrected and controlled.
上位制御装置5は、製造ラインを構成する各処理装置U1〜Unの運転を統括制御するものであり、各処理装置U1〜Unにおける処理状況や処理状態の監視、処理装置間での基板Sの搬送状態のモニター、事前・事後の検査・計測の結果に基づくフィードバック補正やフィードフォワード補正等も行なう。 The host controller 5 controls the operation of the processing devices U1 to Un constituting the production line, monitors the processing status and processing status of the processing devices U1 to Un, and the substrate S between the processing devices. It also monitors the conveyance status, and performs feedback correction and feedforward correction based on the results of prior and subsequent inspections and measurements.
本実施形態で使用される基板Sは、例えば、樹脂フィルム、ステンレス鋼等の金属又は合金からなる箔(フォイル)等である。樹脂フィルムの材質は、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂のうち1又は2以上を含む。 The board | substrate S used by this embodiment is foil (foil) etc. which consist of metals or alloys, such as a resin film and stainless steel, for example. The material of the resin film is, for example, one of polyethylene resin, polypropylene resin, polyester resin, ethylene vinyl copolymer resin, polyvinyl chloride resin, cellulose resin, polyamide resin, polyimide resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, and vinyl acetate resin. Or two or more.
基板Sは、各種の処理工程において受ける熱による変形量が実質的に無視できるように、熱膨張係数が顕著に大きくないものを選定するのが望ましい。熱膨張係数は、例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合することによって、プロセス温度等に応じた閾値よりも小さく設定されていてもよい。無機フィラーは、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素等でもよい。また、基板Sは、フロート法等で製造された厚さ100μm程度の極薄ガラスの単層体であってもよいし、この極薄ガラスに上記の樹脂フィルム、箔等を貼り合わせた積層体であってもよい。 As the substrate S, it is desirable to select a substrate whose coefficient of thermal expansion is not remarkably large so that the amount of deformation caused by heat in various processing steps can be substantially ignored. The thermal expansion coefficient may be set smaller than a threshold corresponding to the process temperature or the like, for example, by mixing an inorganic filler with a resin film. The inorganic filler may be, for example, titanium oxide, zinc oxide, alumina, silicon oxide or the like. The substrate S may be a single layer of ultrathin glass having a thickness of about 100 μm manufactured by a float process or the like, or a laminate in which the above resin film, foil, or the like is bonded to the ultrathin glass. It may be.
本実施形態のデバイス製造システム1は、デバイス(ディスプレーパネル等)製造のための各種の処理を、基板Sに対して繰り返し、或いは連続して実行する。各種の処理が施された基板Sは、デバイスごとに分割(ダイシング)されて、複数個のデバイスになる。基板Sの寸法は、例えば、幅方向(短尺となるY方向)の寸法が10cm〜2m程度であり、長さ方向(長尺となるX方向)の寸法が10m以上である。 The device manufacturing system 1 according to the present embodiment repeatedly or continuously executes various processes for manufacturing a device (display panel or the like) on the substrate S. The substrate S that has been subjected to various types of processing is divided (diced) for each device to form a plurality of devices. As for the dimension of the substrate S, for example, the dimension in the width direction (short Y direction) is about 10 cm to 2 m, and the length direction (long X direction) is 10 m or more.
以上のように、本実施形態によれば、光学性能に優れた露光装置EXが搭載されているので、帯状の基板Sに表示素子を高精度に製造可能となる。 As described above, according to the present embodiment, since the exposure apparatus EX excellent in optical performance is mounted, the display element can be manufactured on the belt-like substrate S with high accuracy.
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態においては、調整機構35が投影光学系PLのうち物体面(パターン形成面Ma)と共役位置の近傍に配置された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the above-described embodiment, the
例えば、図4に示すように、調整機構35を中間結像36の近傍に配置した構成であっても良い。この場合、調整機構35としては、上記実施形態と同様、X方向に光屈折率の分布が形成された光屈折部材37が配置されている。当該光屈折部材37は、基板Sの表面SaにおいてパターンPの像面が円筒面となるような光路差Lが形成されるように、中間結像36の位置において所定の光路差を発生させる構成である。
For example, as shown in FIG. 4, the
また、例えば図5に示すように、調整機構35として凹シリンドリカルレンズ38を中間結像36の近傍に配置した構成であっても良い。この場合、凹シリンドリカルレンズ38は、基板Sの表面SaにおいてパターンPの像面が円筒面となるような光路差Lが形成されるように、中間結像36の位置において所定の光路差を発生させる構成である。
For example, as shown in FIG. 5, a configuration in which a concave
また、例えば図6に示すように、調整機構35として凹面鏡43を中間結像36の近傍に配置した構成であっても良い。図6に示す構成では、投影光学系PLは、ダイクロイックプリズム41、レンズ32、凹面鏡42、凹面鏡43、レンズ33及びレンズ34を有しており、露光光ELIが第一中間結像36a及び第二中間結像36bの2つの中間結像36を結ぶように構成されている。この投影光学系PLにおいて、凹面鏡43は第一中間結像36aの近傍に配置されている。
Further, for example, as shown in FIG. 6, a configuration in which a
照明ユニットIUからの露光光ELIは、ダイクロイックプリズム41を介してレンズ32に入射し、当該レンズ32を透過する。この露光光ELIは、凹面鏡42によって反射され、再度レンズ32を透過し、中間結像36の近傍に配置された凹面鏡43に到達する。
The exposure light ELI from the illumination unit IU enters the
凹面鏡43に到達した露光光ELIは、当該凹面鏡43の近傍で第一中間結像36aを形成する。その後、露光光ELIは、凹面鏡43によって反射され、レンズ32を透過し、凹面鏡42によって反射され、レンズ32を再度透過して、ダイクロイックプリズム41を透過する。ダイクロイックプリズム41を透過した露光光ELIは、第二中間結像36bを形成する。その後、露光光ELIは、レンズ33及びレンズ34を介して基板Sの表面Saの投影領域PAに投影される。
The exposure light ELI that has reached the
この構成においては、凹面鏡43は、基板Sの表面SaにおいてパターンPの像面が円筒面となるような光路差Lが形成されるように、第一中間結像36aの位置において所定の光路差を発生させる構成である。なお、図6に示す構成においては、第一中間結像36aの近傍のみに調整機構35(凹面鏡43)が設けられた構成としたが、これに限られることは無い。例えば、第二中間結像36bの近傍に別途調整機構35が設けられた構成であってよい。この場合、全ての調整機構35における調整量の合計値が上記光路差Lとなるように、各調整機構35を設計すれば良い。
In this configuration, the
また、例えば図7に示すように、1つの中間結像36に対して複数の調整機構35を配置させる構成であっても良い。図7に示す構成においては、調整機構35として、第一光屈折部材37a及び第二光屈折部材37bが設けられている。第一光屈折部材37a及び第二光屈折部材37bは、露光光ELIの進行方向において中間結像36を挟む位置に配置されている。なお、図7では、反射型のマスクMを取り外し可能に保持する回転体55を有するマスクステージMSTが設けられている。したがって、露光装置EXは、当該マスクステージMSTによって凸形状に保持された反射型のマスクMのパターンPを、凸形状の支持面80aに支持された基板Sの表面Saに投影する構成となっている。この場合、上記光路差Lは、平板状のパターンPを凸形状の基板Sの表面Saに投影する場合の光路差Lよりも大きくする必要がある。このような場合に、複数の調整機構35を配置することにより、収差を低減しつつパターンPの像面を円筒面に形成することができる。なお、図7に示す構成においては、例えば第一光屈折部材37aによって中間結像36の像面が平面になるように光路差を発生させると共に、第二光屈折部材37bによって基板Sの表面Saに対応する円筒面が形成されるように光路差を発生させる構成とすることができる。
Further, for example, as shown in FIG. 7, a configuration in which a plurality of
また、上記実施形態においては、基板Sが凸形状に支持された場合の構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば図8に示すように、基板Sが凹形状に支持された場合においても、調整機構35を配置することができる。この場合、調整機構35は、パターンPの像面が凹面となるような光路差Lを発生させる構成とすれば良い。
Moreover, in the said embodiment, although the structure when the board | substrate S was supported by convex shape was mentioned as an example and demonstrated, it is not restricted to this. For example, as shown in FIG. 8, even when the substrate S is supported in a concave shape, the
EX…露光装置 PL…投影光学系 SST…基板ステージ M…マスク P…パターン ELI…露光光 Im…像 S…基板 Ma…パターン形成面 PA…投影領域 Sa…表面 1…デバイス製造システム 35…調整機構 36…中間結像 36a…第一中間結像 36b…第二中間結像 37…光屈折部材 37a…第一光屈折部材 37b…第二光屈折部材 38…凹シリンドリカルレンズ 39…位置 41…ダイクロイックプリズム 43…凹面鏡 55…回転体 80…基板支持ローラー
EX ... Exposure apparatus PL ... Projection optical system SST ... Substrate stage M ... Mask P ... Pattern ELI ... Exposure light Im ... Image S ... Substrate Ma ... Pattern formation surface PA ... Projection area Sa ... Surface 1 ...
Claims (12)
前記基板のうち前記像を投影させる部分を湾曲させるように前記基板を支持する湾曲形成部が設けられた基板支持装置と、
前記基板の湾曲部分に対応させて前記露光光の光路長を調整する調整部材と
を備える露光装置。 An exposure apparatus that exposes the substrate by projecting an image of exposure light of a pattern formed on the mask onto a sheet-like substrate,
A substrate support device provided with a curve forming portion for supporting the substrate so as to curve a portion of the substrate on which the image is projected;
An exposure apparatus comprising: an adjustment member that adjusts an optical path length of the exposure light corresponding to a curved portion of the substrate.
請求項1に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 1, wherein the adjustment member is provided on the downstream side of the mask in the traveling direction of the exposure light.
前記調整部材は、前記マスクに近接する第1位置、及び、前記投影光学系における前記第1位置と共役な第2位置のうち少なくとも一方に配置されている
請求項1又は請求項2に記載の露光装置。 A projection optical system for projecting the image onto the substrate;
3. The adjustment member according to claim 1, wherein the adjustment member is disposed at at least one of a first position close to the mask and a second position conjugate with the first position in the projection optical system. Exposure device.
前記投影光学系は、前記マスクと前記基板との間の中間結像位置で前記露光光を結像させるように形成され、
前記調整部材は、前記露光光の光路において前記中間結像位置を挟む位置に配置されている
請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の露光装置。 A projection optical system for projecting the image onto the substrate;
The projection optical system is formed to image the exposure light at an intermediate imaging position between the mask and the substrate,
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the adjustment member is disposed at a position sandwiching the intermediate imaging position in an optical path of the exposure light.
請求項1から請求項4のうちいずれか一項に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the adjustment member has a cylindrical surface.
請求項1から請求項5のうちいずれか一項に記載の露光装置。 6. The adjustment member according to claim 1, wherein the adjustment member is formed in a flat plate shape, and a refractive index distribution of the exposure light is formed so as to correspond to the curved portion. Exposure device.
前記マスクを取り外し可能に保持する回転体を有するマスク保持装置を更に備える
請求項1から請求項6のうちいずれか一項に記載の露光装置。 The mask is formed in a sheet shape,
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 6, further comprising a mask holding device having a rotating body that detachably holds the mask.
請求項1から請求項6のうちいずれか一項に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the mask is formed in a flat plate shape.
請求項1から請求項8のうちいずれか一項に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the curve forming portion includes a convex portion that supports the substrate.
請求項1から請求項8のうちいずれか一項に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the curve forming portion includes a recess that supports the substrate.
前記湾曲形成部は、前記案内ローラーの表面の一部である
請求項1から請求項8のうちいずれか一項に記載の露光装置。 The substrate support device has a guide roller for guiding the substrate,
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the curve forming portion is a part of a surface of the guide roller.
前記基板を処理する基板処理部と、を備え、
前記基板処理部は、請求項1から請求項11のうちいずれか一項に記載の露光装置を有する
基板処理装置。 A substrate transport section for transporting the substrate;
A substrate processing section for processing the substrate,
The said substrate processing part has an exposure apparatus as described in any one of Claims 1-11. A substrate processing apparatus.
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