JP2013211406A - Mixed gas supply system - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mixed gas supply system for supplying an using point by a high pressure with a mixed gas composed of a low vapor pressure reactive gas that is liquescent or polymeric and a low-boiling point diluent gas, which can prevent liquefaction and polymerization of the reactive gas, achieve uniform mixing with the diluent gas and increase accuracy of mixture fraction.SOLUTION: A vacuum generator 4 in the system is used to decompress a reactive gas and mix the reactive gas with a diluent gas. The mixed gas from the vacuum generator 4 is compressed by a compressor 51 to be supplied to an using point by pressure of 0.5 MPaG-3.0 MPaG. Then, a reactive gas supply line 2 is decompressed so as to prevent liquefaction and polymerization of the reactive gas, to improve controllability in a first mass flow controller 23 located in the reactive gas supply line 2 and to achieve uniform mixing thereof with the diluent gas. Therefore, the reactive gas and the diluent gas can be mixed in a high-accuracy and predetermined mixture fraction.

Description

本発明は、液化しやすい又は重合する物性を有する低蒸気圧の反応性ガスと、前記反応性ガスと不活性であって前記反応性ガスより高蒸気圧の希釈ガスとを所定割合で混合した混合ガスを、0.5MPaG〜3.0MPaGの圧力で使用ポイントに供給するようにした混合ガス供給システムに関する技術である。   In the present invention, a reactive gas having a low vapor pressure that is easily liquefied or has a physical property to be polymerized and a diluent gas that is inert and has a higher vapor pressure than the reactive gas are mixed in a predetermined ratio. This is a technique related to a mixed gas supply system in which a mixed gas is supplied to a use point at a pressure of 0.5 MPaG to 3.0 MPaG.

従来、温度及び圧力に依存して液化しやすい又は重合する物性を有するフッ化水素(HF)等の反応性ガスは、半導体製造工程におけるエッチング工程やクリーニング工程で用いられている。
そして、精度のよいエッチング処理やクリーニング処理を行うには、前記反応性ガスの供給量を高い精度で制御しなければならないため、前記反応性ガスを重合しない状態で質量流量制御装置により前記反応性ガスの供給量の制御を行うものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
Conventionally, a reactive gas such as hydrogen fluoride (HF), which has a property of being easily liquefied or polymerized depending on temperature and pressure, has been used in an etching process and a cleaning process in a semiconductor manufacturing process.
In order to perform an accurate etching process and cleaning process, it is necessary to control the supply amount of the reactive gas with a high degree of accuracy. Therefore, the reactive flow rate is controlled by a mass flow controller without polymerizing the reactive gas. One that controls the amount of gas supply is known (see, for example, Patent Document 1).

また、従来、前記反応性ガスに希釈ガスを混合することにより前記反応性ガスの分圧を下げた状態で質量流量制御装置により混合ガスの供給量の制御を行うものが知られている(例えば、特許文献2参照)。
さらに、従来、混合ガス中の反応性ガス(フッ素ガス)の濃度を均一化するものが知られている(例えば、特許文献3参照)。
Conventionally, there is known a method in which a supply amount of a mixed gas is controlled by a mass flow controller in a state where a partial pressure of the reactive gas is lowered by mixing a diluent gas with the reactive gas (for example, And Patent Document 2).
Furthermore, conventionally, there is known one that makes the concentration of the reactive gas (fluorine gas) in the mixed gas uniform (see, for example, Patent Document 3).

特開2008−146641号公報JP 2008-146541 A 特許第4364740号公報Japanese Patent No. 4364740 特開2010−245226号公報JP 2010-245226 A

特許文献1に記載された従来の技術は、質量流量制御装置に入る反応性ガスの圧力を前記反応性ガスが重合しない低い値に減圧するようにしたものであり、前記反応性ガスの重合を回避することを技術的特徴としているが、他の特別な技術的特徴を有していないという課題がある。
また、特許文献2に記載された従来の技術は、反応性ガスと希釈ガスとの混合ガスの供給量を質量流量制御装置により制御するものであり、前記混合ガス中における前記反応性ガスの混合割合の精度を高くできないという課題があった。
In the conventional technique described in Patent Document 1, the pressure of the reactive gas entering the mass flow controller is reduced to a low value at which the reactive gas is not polymerized, and the polymerization of the reactive gas is performed. Although it is a technical feature to avoid, there is a problem that it does not have other special technical features.
In addition, the conventional technique described in Patent Document 2 controls the supply amount of a mixed gas of a reactive gas and a dilution gas by a mass flow controller, and mixes the reactive gas in the mixed gas. There was a problem that the accuracy of the ratio could not be increased.

さらに、特許文献3に記載された従来の技術は、混合ガス中における反応性ガスの濃度を均一化するために、循環ポンプを介設したバイパス配管の一端を前記混合ガスのバッファタンクに接続し、他端を前記反応性ガスと不活性ガスとの合流部の下流側に接続して、前記循環ポンプと前記パイパス配管により前記バッファタンク内の前記混合ガスを循環させるものであるから、前記混合ガス中の前記反応性ガスの濃度を均一化するために、前記バイパス配管や前記循環ポンプが必要であり、設備スペース及び設備費が必要となるという課題があった。
また、このようにガス流量調整装置の後段に循環ポンプや昇圧機を設置すると、低蒸気圧の反応性ガスのようにガス流量調整装置前後の差圧が充分に取れないケースでは、循環ポンプあるいは昇圧機の脈動によりガス流量調整装置の制御性が悪くなり、反応性ガスの混合割合の精度が低くなるという課題があった。
Furthermore, in the prior art described in Patent Document 3, in order to make the concentration of the reactive gas in the mixed gas uniform, one end of a bypass pipe provided with a circulation pump is connected to the buffer tank of the mixed gas. The other end is connected to the downstream side of the junction of the reactive gas and the inert gas, and the mixed gas in the buffer tank is circulated by the circulation pump and the bypass pipe. In order to make the concentration of the reactive gas in the gas uniform, the bypass pipe and the circulation pump are necessary, and there is a problem that equipment space and equipment cost are required.
In addition, when a circulation pump or a booster is installed after the gas flow control device in this way, in a case where the differential pressure before and after the gas flow control device cannot be sufficiently obtained, such as a low vapor pressure reactive gas, Due to the pulsation of the booster, the controllability of the gas flow rate adjusting device deteriorates, and there is a problem that the accuracy of the mixing ratio of the reactive gas is lowered.

本発明は、特許文献1に記載の従来例における単に反応性ガスが重合しない低い圧力に減圧するという課題、特許文献2に記載の従来例における混合ガス中における反応性ガスの混合割合の精度を高くできないという課題及び特許文献3に記載の従来例における混合ガス中の反応性ガスの濃度を均一化するために設備スペース及び設備費が必要であるという課題、反応性ガスの混合割合の精度が低くなるという課題を一挙に解決しようとするものであり、反応性ガス及び希釈ガスの質量流量をそれぞれ第一質量流量制御装置及び第二質量流量制御装置により制御し、バキュームジェネレーターにより前記反応性ガスを減圧するとともに後段の圧力変動を緩衝しながら前記反応性ガスと前記希釈ガスとの混合を行い、前記バキュームジェネレーターからの混合ガスを圧縮機で昇圧して、前記反応性ガスと前記希釈ガスとを所定割合で混合した混合ガスを、0.5MPaG〜3.0MPaGの圧力で使用ポイントに供給する混合ガス供給システムとすることを目的としている。   In the conventional example described in Patent Document 1, the present invention simply reduces the pressure to a low pressure at which the reactive gas is not polymerized, and the accuracy of the mixing ratio of the reactive gas in the mixed gas in the conventional example described in Patent Document 2 The problem that it cannot be increased, the problem that equipment space and equipment costs are required to make the concentration of the reactive gas in the mixed gas in the conventional example described in Patent Document 3 uniform, and the accuracy of the mixing ratio of the reactive gas is high It is intended to solve the problem of lowering all at once, and the mass flow rates of the reactive gas and the dilution gas are controlled by the first mass flow control device and the second mass flow control device, respectively, and the reactive gas is controlled by the vacuum generator. The vacuum gas generator is mixed with the reactive gas and the dilution gas while buffering the pressure fluctuation in the subsequent stage. -The mixed gas supply that pressurizes the mixed gas from the compressor with a compressor and supplies the mixed gas in which the reactive gas and the dilution gas are mixed at a predetermined ratio to the point of use at a pressure of 0.5 MPaG to 3.0 MPaG. It is intended to be a system.

請求項1に係る本発明の混合ガス供給システムは、液化しやすい又は重合する物性を有する低蒸気圧の反応性ガスと、前記反応性ガスと不活性であって前記反応性ガスより高蒸気圧の希釈ガスとを所定割合で混合した混合ガスを、0.5MPaG〜3.0MPaGの圧力で使用ポイントに供給する混合ガス供給システムにおいて、
前記反応性ガスの質量流量を第一設定値に制御する第一質量流量制御装置を介設した反応性ガス供給ラインと、
前記希釈ガスの質量流量を第二設定値に制御する第二質量流量制御装置を介設した希釈ガス供給ラインと、
作動ガス供給口と吸引口と放出口とを有するとともに前記希釈ガス供給ラインを前記作動ガス供給口に、前記反応性ガス供給ラインを前記吸引口に、それぞれ接続して前記反応性ガスと前記希釈ガスとの混合を行うバキュームジェネレーターと、
前記バキュームジェネレーターの前記放出口に接続して前記放出口から放出される混合ガスを昇圧する圧縮機を介設した混合ガス供給ラインと、
を備えて前記混合ガス供給ラインの出口側を前記使用ポイントとするようにしたものである。
The mixed gas supply system of the present invention according to claim 1 is a low vapor pressure reactive gas that has a property of being easily liquefied or polymerized, and is inert to the reactive gas and has a higher vapor pressure than the reactive gas. In the mixed gas supply system that supplies the mixed gas mixed with the dilution gas at a predetermined ratio to the use point at a pressure of 0.5 MPaG to 3.0 MPaG.
A reactive gas supply line provided with a first mass flow controller for controlling the mass flow rate of the reactive gas to a first set value;
A dilution gas supply line provided with a second mass flow control device for controlling the mass flow rate of the dilution gas to a second set value;
The working gas supply port, the suction port, and the discharge port are connected, and the dilution gas supply line is connected to the working gas supply port, and the reactive gas supply line is connected to the suction port. A vacuum generator that mixes with gas,
A mixed gas supply line provided with a compressor connected to the discharge port of the vacuum generator and pressurizing the mixed gas discharged from the discharge port;
The outlet side of the mixed gas supply line is used as the use point.

請求項2に係る本発明の混合ガス供給システムは、請求項1に係る本発明の構成に加え、少なくとも前記第一質量流量制御装置の入口に至る前記反応性ガス供給ラインを加熱する反応性ガス加熱装置を備えたものである。   A mixed gas supply system according to a second aspect of the present invention includes a reactive gas that heats at least the reactive gas supply line leading to the inlet of the first mass flow control device in addition to the configuration of the present invention according to the first aspect. A heating device is provided.

請求項3に係る本発明の混合ガス供給システムは、請求項1又は請求項2に係る本発明の構成に加え、前記反応性ガスはフッ化水素又は三フッ化塩素であり、前記希釈ガスはアルゴン、窒素又はヘリウムとしたものである。   In the mixed gas supply system of the present invention according to claim 3, in addition to the configuration of the present invention according to claim 1 or 2, the reactive gas is hydrogen fluoride or chlorine trifluoride, and the dilution gas is Argon, nitrogen or helium.

請求項1に係る本発明の混合ガス供給システムは、反応性ガス及び混合ガスの質量流量をそれぞれ第一質量流量制御装置及び第二質量流量制御装置によりそれぞれ所定値に制御し、バキュームジェネレーターにより前記反応性ガスを減圧して前記希釈ガスとの混合を行い、前記バキュームジェネレーターからの混合ガスを圧縮機で昇圧して、前記反応性ガスと前記希釈ガスとを所定割合で混合した混合ガスを、0.5MPaG〜3.0MPaGの圧力で使用ポイントに供給するようにしたから、前記バキュームジェネレーターを用いることにより、反応性ガス供給ラインを減圧して前記反応性ガス供給ラインに介設した前記第一質量流量制御装置で制御される前記反応性ガスの液化及び重合を防止できながら、前記希釈ガスとの混合を均一化でき、しかも、圧縮機の脈動を緩衝し第一質量流量制御装置への影響を小さくすることができるから前記反応性ガスと前記希釈ガスとの混合割合を精度よく所定割合で混合することができるのである。
また、前記バキュームジェネレーターを用いることにより、前記第一質量流量制御装置の出口における低い圧力の前記反応性ガスと、前記第二質量流量制御装置の出口における高い圧力の前記希釈ガスとを混合させて、前記バキュームジェネレーターの前記放出口における前記混合ガスの圧力を比較的高い状態とすることができ、前記圧縮機での圧縮比を小さくして効率的な昇圧を行って、前記使用ポイントに圧力の高い前記混合ガスを供給することができるのである。
そして、例えば、前記使用ポイントにおいて、0.5MPaG〜3.0MPaGの圧力の混合ガスを断熱膨張させることにより、均一な反応性クラスタを生成して基板表面を精度よく加工することができるのである。
In the mixed gas supply system of the present invention according to claim 1, the mass flow rates of the reactive gas and the mixed gas are controlled to predetermined values by the first mass flow control device and the second mass flow control device, respectively, and the vacuum generator generates the Reducing the reactive gas and mixing with the dilution gas, increasing the pressure of the mixed gas from the vacuum generator with a compressor, and mixing the reactive gas and the dilution gas at a predetermined ratio, Since the supply point is supplied at a pressure of 0.5 MPaG to 3.0 MPaG, by using the vacuum generator, the reactive gas supply line is decompressed and the first gas gas is interposed in the reactive gas supply line. Uniform mixing with the dilution gas while preventing liquefaction and polymerization of the reactive gas controlled by the mass flow controller In addition, since the pulsation of the compressor can be buffered and the influence on the first mass flow controller can be reduced, the mixing ratio of the reactive gas and the dilution gas can be accurately mixed at a predetermined ratio. It is.
Also, by using the vacuum generator, the low pressure reactive gas at the outlet of the first mass flow controller and the high pressure dilution gas at the outlet of the second mass flow controller are mixed. The pressure of the mixed gas at the discharge port of the vacuum generator can be set to a relatively high state, the compression ratio in the compressor is reduced, the pressure is efficiently increased, and the pressure at the use point is reduced. A high gas mixture can be supplied.
For example, at the point of use, by uniformly expanding a mixed gas having a pressure of 0.5 MPaG to 3.0 MPaG, uniform reactive clusters can be generated and the substrate surface can be processed with high accuracy.

請求項2に係る本発明の混合ガス供給システムは、請求項1に係る本発明の効果に加え、少なくとも前記第一質量流量制御装置の入口に至る前記反応性ガス供給ラインを加熱する反応性ガス加熱装置を備えたから、前記第一質量流量制御装置に入る前記反応性ガスが液化及び重合しない範囲で圧力を高くでき、前記圧縮機での圧縮比をさらに小さくして、前記圧縮機を小型化することもできるのである。   The mixed gas supply system of the present invention according to claim 2 has the reactive gas for heating at least the reactive gas supply line leading to the inlet of the first mass flow control device in addition to the effect of the present invention according to claim 1. Since the heating device is provided, the pressure can be increased in a range where the reactive gas entering the first mass flow control device is not liquefied and polymerized, the compression ratio in the compressor is further reduced, and the compressor is downsized. You can also do it.

請求項3に係る本発明の混合ガス供給システムは、請求項1又は請求項2に係る本発明の効果に加え、前記反応性ガスがフッ化水素又は三フッ化塩素であり、前記希釈ガスがアルゴン、窒素又はヘリウムであるから、前記使用ポイントにおいて、半導体基板などの製造工程におけるエッチングなどに広く利用することができるのである。   In the mixed gas supply system of the present invention according to claim 3, in addition to the effect of the present invention according to claim 1 or 2, the reactive gas is hydrogen fluoride or chlorine trifluoride, and the dilution gas is Since it is argon, nitrogen or helium, it can be widely used for etching in the manufacturing process of a semiconductor substrate or the like at the point of use.

本発明の混合ガス供給システムの概略を示す概略説明図である。It is a schematic explanatory drawing which shows the outline of the mixed gas supply system of this invention.

以下、本発明の実施の形態に係る混合ガス供給システムを図1の概略説明図を参照しながら説明する。
図1において、1は、混合ガス供給システムであり、反応性ガス供給ライン2と、希釈ガス供給ライン3と、バキュームジェネレーター4と、混合ガス供給ライン5と、を備えて前記混合ガス供給ライン5の出口側を使用ポイント11としている。
Hereinafter, a mixed gas supply system according to an embodiment of the present invention will be described with reference to a schematic explanatory diagram of FIG.
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a mixed gas supply system, which includes a reactive gas supply line 2, a dilution gas supply line 3, a vacuum generator 4, and a mixed gas supply line 5, and the mixed gas supply line 5. The use point 11 is the exit side.

前記反応性ガス供給ライン2には、反応性ガスとしてのフッ化水素(HF)を充填した反応性ガス用容器21が接続されている。
前記反応性ガス用容器21のフッ化水素は、第一圧力調整弁22により圧力を例えば50kPa・absに調整され、前記反応性ガス供給ライン2に介設された第一質量流量制御装置23で、質量流量を例えば第一設定値である0.25SLMに制御されて、前記バキュームジェネレーター4の吸引口41に吸引されるようにしている。
Connected to the reactive gas supply line 2 is a reactive gas container 21 filled with hydrogen fluoride (HF) as a reactive gas.
The hydrogen fluoride in the reactive gas container 21 is adjusted to a pressure of, for example, 50 kPa · abs by the first pressure regulating valve 22, and the first mass flow controller 23 provided in the reactive gas supply line 2. The mass flow rate is controlled to, for example, the first set value of 0.25 SLM, and is sucked into the suction port 41 of the vacuum generator 4.

また、前記反応性ガス供給ライン2には、外周を加熱する反応性ガス加熱装置24を設けており、温度及び圧力に依存して液化及び重合する物性を有する低蒸気圧のフッ化水素が前記第一質量流量制御装置23で液化及び重合することなく質量流量を前記第一設定値に精度よく制御されるようにしている。
前記反応性ガス加熱装置24は、電気ヒータを用いて前記反応性ガス供給ライン2の外周から熱伝導により前記反応性ガス供給ライン2を流れるフッ化水素を加熱するようにしており、電気ヒータの温度が例えば120℃となるように通電制御し、電気ヒータの外側を断熱材で被覆している。
Further, the reactive gas supply line 2 is provided with a reactive gas heating device 24 for heating the outer periphery, and low vapor pressure hydrogen fluoride having physical properties that liquefy and polymerize depending on temperature and pressure is added to the reactive gas supply line 2. The mass flow rate is accurately controlled to the first set value without being liquefied and polymerized by the first mass flow controller 23.
The reactive gas heating device 24 uses an electric heater to heat hydrogen fluoride flowing through the reactive gas supply line 2 from the outer periphery of the reactive gas supply line 2 by heat conduction. The energization is controlled so that the temperature becomes 120 ° C., for example, and the outside of the electric heater is covered with a heat insulating material.

前記希釈ガス供給ライン3には、前記反応性ガス(フッ化水素)と不活性であって前記反応性ガスより高蒸気圧の希釈ガスとしてのアルゴン(Ar)を充填した希釈ガス用容器31が接続されている。
前記希釈ガス用容器31のアルゴンは、第二圧力調整弁32により圧力を例えば0.65MPaGに調整され、前記希釈ガス供給ライン3に介設された第二質量流量制御装置33で、質量流量を例えば第二設定値である4.75SLMに制御されて、前記バキュームジェネレーター4の作動ガス供給口42に供給されるようにしている。
The dilution gas supply line 3 includes a dilution gas container 31 filled with argon (Ar) as a dilution gas that is inert with the reactive gas (hydrogen fluoride) and has a higher vapor pressure than the reactive gas. It is connected.
The argon in the dilution gas container 31 is adjusted to a pressure of, for example, 0.65 MPaG by the second pressure adjustment valve 32, and the mass flow rate is controlled by the second mass flow controller 33 provided in the dilution gas supply line 3. For example, the second set value is controlled to 4.75 SLM, and is supplied to the working gas supply port 42 of the vacuum generator 4.

前記バキュームジェネレーター4は、ノズル、ディフューザー等を内蔵し、前記作動ガス供給口42と前記吸引口41と放出口43とを有するとともに、前記希釈ガス供給ライン3を前記作動ガス供給口42に、前記反応性ガス供給ライン2を前記吸引口41に、それぞれ接続して前記反応性ガスであるフッ化水素と前記希釈ガスであるアルゴンとを混合するようにしている。
前記バキュームジェネレーター4の前記作動ガス供給口42におけるアルゴンの圧力は例えば0.55MPaGであり、前記吸引口41におけるフッ化水素の圧力は例えば13kPa・absであり、前記放出口43における混合ガスの圧力は例えば100kPa・absである。
The vacuum generator 4 includes a nozzle, a diffuser, and the like, and has the working gas supply port 42, the suction port 41, and the discharge port 43, and the dilution gas supply line 3 is connected to the working gas supply port 42. The reactive gas supply line 2 is connected to the suction port 41 to mix hydrogen fluoride as the reactive gas and argon as the diluent gas.
The pressure of argon at the working gas supply port 42 of the vacuum generator 4 is, for example, 0.55 MPaG, the pressure of hydrogen fluoride at the suction port 41 is, for example, 13 kPa · abs, and the pressure of the mixed gas at the discharge port 43 Is, for example, 100 kPa · abs.

したがって、前記バキュームジェネレーター4を用いることにより、液化及び重合する物性を有するフッ化水素を減圧状態にして前記第一質量流量制御装置22で液化及び重合することなく質量流量の制御ができ、かつ、フッ化水素とアルゴンとを均一に混合させることができるのである。
前記混合ガス供給ライン5は、前記バキュームジェネレーター4の前記放出口43に接続しており、前記放出口43から放出される前記混合ガスを昇圧する圧縮機51を介設している。
Therefore, by using the vacuum generator 4, the hydrogen flow having physical properties to be liquefied and polymerized can be reduced in pressure and the mass flow rate can be controlled without being liquefied and polymerized by the first mass flow controller 22, and Hydrogen fluoride and argon can be mixed uniformly.
The mixed gas supply line 5 is connected to the discharge port 43 of the vacuum generator 4, and has a compressor 51 that pressurizes the mixed gas discharged from the discharge port 43.

前記圧縮機51は、吸入した前記混合ガスを圧縮することにより、前記混合ガスの圧力を例えば0.5MPaG〜3.0MPaGに昇圧するのである。
このように、前記バキュームジェネレーター4を用いることにより、前記第一質量流量制御装置23の出口における低い圧力の前記反応性ガスと、前記第二質量流量制御装置33の出口における高い圧力の前記希釈ガスとを混合させて、前記バキュームジェネレーター4の前記放出口43における前記混合ガスの圧力を比較的高い状態とすることができ、前記圧縮機51での圧縮比を小さくして効率的な昇圧を行って、前記使用ポイント11に圧力の高い前記混合ガスを供給することができるのである。
The compressor 51 boosts the pressure of the mixed gas to, for example, 0.5 MPaG to 3.0 MPaG by compressing the sucked mixed gas.
Thus, by using the vacuum generator 4, the low pressure reactive gas at the outlet of the first mass flow controller 23 and the high pressure dilution gas at the outlet of the second mass flow controller 33. And the pressure of the mixed gas at the discharge port 43 of the vacuum generator 4 can be made relatively high, and the compression ratio in the compressor 51 is reduced to efficiently increase the pressure. Thus, the mixed gas having a high pressure can be supplied to the use point 11.

また、前記混合ガス供給ライン5の出口側を前記使用ポイント11としており、前記使用ポイント11には、前記圧縮機51から吐出された前記混合ガスを貯留するリザーバータンク6が設けられている。
そして、前記リザーバータンク6には、流量計71及び第三圧力調整弁72が介設された使用ライン7が接続されており、前記リザーバータンク6に貯留された前記混合ガスは、流量計71、第三圧力調整弁62を通って、例えば冷却された後にノズルで断熱膨張しながら真空処理室内に噴出して重合されて、反応性クラスタを生成し、基板表面のエッチング加工等を行うのである。
The outlet side of the mixed gas supply line 5 is used as the use point 11, and the use point 11 is provided with a reservoir tank 6 for storing the mixed gas discharged from the compressor 51.
The reservoir tank 6 is connected to a use line 7 in which a flow meter 71 and a third pressure regulating valve 72 are interposed, and the mixed gas stored in the reservoir tank 6 is supplied to the flow meter 71, Through the third pressure regulating valve 62, for example, after being cooled, it is blown into the vacuum processing chamber while being adiabatically expanded by a nozzle and polymerized to generate a reactive cluster, and the substrate surface is etched.

なお、図1において、8は排気ライン、25、34、73、81及び82は開閉弁であり、排気ライン8は混合ガス供給システム1を長期間運転休止する場合に開閉弁81、82を開いて、真空ポンプ等により系統内のガスを無害化処理して排気するのである。
以上の実施の形態では、前記第一質量流制御装置23、前記第二質量流量制御装置33及び前記バキュームジェネレーター4を用いているが、これらはいずれも各種仕様のものが市販されており、市販品の中から、上記実施の形態に適合する仕様のものを選定するのである。
In FIG. 1, 8 is an exhaust line, 25, 34, 73, 81 and 82 are on-off valves. The exhaust line 8 opens the on-off valves 81 and 82 when the mixed gas supply system 1 is not operated for a long period of time. Then, the gas in the system is detoxified by a vacuum pump or the like and exhausted.
In the above embodiment, the first mass flow control device 23, the second mass flow control device 33, and the vacuum generator 4 are used. All of these are commercially available in various specifications. Among the products, those having specifications suitable for the above embodiment are selected.

また、以上の実施の形態では、反応性ガスとしてフッ化水素を用いたが、三フッ化塩素を用いてもよい。
また、以上の実施の形態では、希釈ガスとしてアルゴンを用いたが、反応性ガスと不活性であって、かつ反応性ガスより高蒸気圧の希釈ガスを用いることができ、例えば、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)等の希ガス、窒素(N2)、二酸化炭素(CO2)等を用いることができる。
In the above embodiment, hydrogen fluoride is used as the reactive gas, but chlorine trifluoride may be used.
In the above embodiment, argon is used as the diluent gas. However, a diluent gas that is inert with the reactive gas and has a higher vapor pressure than the reactive gas can be used. For example, helium (He ), Neon (Ne), krypton (Kr), xenon (Xe) and the like, nitrogen (N 2 ), carbon dioxide (CO 2 ), and the like can be used.

以上の実施の形態では、前記反応性ガス加熱装置24を前記反応性ガス用容器21の出口から前記バキュームジェネレーター4の前記吸入口41に至る前記反応性ガス供給ライン2の全体の外周に設けたが、前記第一質量流量制御装置23の入口に至る前記反応性ガス供給ライン2の外周部分にのみ設けることで、前記第一質量流量制御装置23で前記反応性ガスの液化及び重合を防止することもでき、また、前記第一質量流量制御装置23の入口における前記反応性ガスの圧力を液化及び重合しない圧力に減圧することにより、前記反応性ガス加熱装置24を省略することもできる。
また、以上の実施の形態では、前記リザーバータンク6を前記混合ガス供給ライン5の出口側の前記使用ポイント11に設けたが、前記使用ポイント11における前記混合ガスの使用が連続的であれば、前記リザーバータンク6を省略することもできる。
In the above embodiment, the reactive gas heating device 24 is provided on the entire outer periphery of the reactive gas supply line 2 from the outlet of the reactive gas container 21 to the suction port 41 of the vacuum generator 4. However, by providing only in the outer peripheral part of the reactive gas supply line 2 reaching the inlet of the first mass flow control device 23, the liquefaction and polymerization of the reactive gas are prevented by the first mass flow control device 23. Alternatively, the reactive gas heating device 24 can be omitted by reducing the pressure of the reactive gas at the inlet of the first mass flow control device 23 to a pressure that does not cause liquefaction and polymerization.
In the above embodiment, the reservoir tank 6 is provided at the use point 11 on the outlet side of the mixed gas supply line 5. However, if the use of the mixed gas at the use point 11 is continuous, The reservoir tank 6 may be omitted.

以上の実施の形態では、前記使用ポイント11における前記混合ガスの混合割合を反応性ガスが5%で、希釈ガスが95%としたが、供給圧力において混合ガス中の反応性ガスが液化しない(濃度)範囲であれば任意の混合割合にすることができるが、前記第一質量流量制御装置23において、反応性ガスの必要な質量流量と入口・出口の必要な差圧から、前記第一質量流量制御装置23の入口において前記反応性ガスが液化及び重合しない圧力・温度となるように設定することが必要である。   In the above embodiment, the mixing ratio of the mixed gas at the use point 11 is 5% for the reactive gas and 95% for the dilution gas. However, the reactive gas in the mixed gas is not liquefied at the supply pressure ( In the first mass flow controller 23, the first mass flow rate can be adjusted from the required mass flow rate of the reactive gas and the required differential pressure at the inlet / outlet. It is necessary to set the reactive gas so as to have a pressure and temperature at which the reactive gas is not liquefied and polymerized at the inlet of the flow control device 23.

なお、供給圧力が3.0MPaGを超えると、フッ化水素などの反応性ガスが液化しやすくなることから反応性ガスの混合割合を低く抑える必要があり、クラスタの生成や基板表面の加工に支障を来してしまうため、供給圧力は3.0MPaG以下とすることが好ましい。
さらに、希釈ガス及び混合ガスの圧力が1MPaG未満であれば、高圧ガス保安法の適用範囲外になるので、管理等の制約が緩和されるのでより好ましい。さらに圧力計等の計測機器では、耐圧や表示レンジが1MPaGのものが多く存在し、これらを有効に使用するためには、0.95MPaG以下での運用がより望ましい。
If the supply pressure exceeds 3.0 MPaG, reactive gases such as hydrogen fluoride are liable to be liquefied, so it is necessary to keep the mixing ratio of reactive gases low, which hinders cluster generation and substrate surface processing. Therefore, the supply pressure is preferably 3.0 MPaG or less.
Furthermore, if the pressure of the dilution gas and the mixed gas is less than 1 MPaG, it is out of the scope of application of the high-pressure gas safety method, and therefore, restrictions such as management are eased, which is more preferable. Furthermore, many measuring instruments such as pressure gauges have a pressure resistance and a display range of 1 MPaG, and in order to use them effectively, operation at 0.95 MPaG or less is more desirable.

また、以上の実施の形態では、前記混合ガスの混合割合について監視していないが、混合ガス供給システム1を設置し、前記使用ポイント11における試運転時に前記混合ガスの混合割合の分析を行い、所定割合の混合となるように、前記第一質量流量制御装置23及び前記第二質量流量制御装置33の較正を行うことで、前記混合ガスの混合割合の精度を高めることができるのである。   In the above embodiment, the mixing ratio of the mixed gas is not monitored. However, the mixed gas supply system 1 is installed and the mixing ratio of the mixed gas is analyzed during the trial operation at the use point 11 to obtain a predetermined value. By calibrating the first mass flow control device 23 and the second mass flow control device 33 so as to achieve a mixing ratio, the accuracy of the mixing ratio of the mixed gas can be increased.

1 混合ガス供給システム
2 反応性ガス供給ライン
3 希釈ガス供給ライン
4 バキュームジェネレーター
5 混合ガス供給ライン
11 使用ポイント
23 第一質量流量制御装置
24 反応性ガス加熱装置
33 第二質量流量制御装置
41 吸引口
42 作動ガス供給口
43 放出口
51 圧縮機
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mixed gas supply system 2 Reactive gas supply line 3 Dilution gas supply line 4 Vacuum generator 5 Mixed gas supply line 11 Use point 23 1st mass flow control apparatus 24 Reactive gas heating apparatus 33 2nd mass flow control apparatus 41 Suction port 42 Working gas supply port 43 Discharge port 51 Compressor

Claims (3)

液化しやすい又は重合する物性を有する低蒸気圧の反応性ガスと、前記反応性ガスと不活性であって前記反応性ガスより高蒸気圧の希釈ガスとを所定割合で混合した混合ガスを、0.5MPaG〜3.0MPaGの圧力で使用ポイントに供給する混合ガス供給システムにおいて、
前記反応性ガスの質量流量を第一設定値に制御する第一質量流量制御装置を介設した反応性ガス供給ラインと、
前記希釈ガスの質量流量を第二設定値に制御する第二質量流量制御装置を介設した希釈ガス供給ラインと、
作動ガス供給口と吸引口と放出口とを有するとともに前記希釈ガス供給ラインを前記作動ガス供給口に、前記反応性ガス供給ラインを前記吸引口に、それぞれ接続して前記反応性ガスと前記希釈ガスとの混合を行うバキュームジェネレーターと、
前記バキュームジェネレーターの前記放出口に接続して前記放出口から放出される混合ガスを昇圧する圧縮機を介設した混合ガス供給ラインと、
を備えて前記混合ガス供給ラインの出口側を前記使用ポイントとしたことを特徴とする混合ガス供給システム。
A mixed gas obtained by mixing a reactive gas having a low vapor pressure that has a property of being easily liquefied or polymerized, and a reactive gas and a diluent gas that is inert and has a higher vapor pressure than the reactive gas at a predetermined ratio, In the mixed gas supply system that supplies the use point at a pressure of 0.5 MPaG to 3.0 MPaG,
A reactive gas supply line provided with a first mass flow controller for controlling the mass flow rate of the reactive gas to a first set value;
A dilution gas supply line provided with a second mass flow control device for controlling the mass flow rate of the dilution gas to a second set value;
The working gas supply port, the suction port, and the discharge port are connected, and the dilution gas supply line is connected to the working gas supply port, and the reactive gas supply line is connected to the suction port. A vacuum generator that mixes with gas,
A mixed gas supply line provided with a compressor connected to the discharge port of the vacuum generator and pressurizing the mixed gas discharged from the discharge port;
And the outlet side of the mixed gas supply line is the point of use.
少なくとも前記第一質量流量制御装置の入口に至る前記反応性ガス供給ラインを加熱する反応性ガス加熱装置を備えたことを特徴とする請求項1に記載の混合ガス供給システム。   The mixed gas supply system according to claim 1, further comprising a reactive gas heating device that heats the reactive gas supply line that reaches at least an inlet of the first mass flow control device. 前記反応性ガスはフッ化水素又は三フッ化塩素であり、前記希釈ガスはアルゴン、窒素又はヘリウムであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の混合ガス供給システム。   3. The mixed gas supply system according to claim 1, wherein the reactive gas is hydrogen fluoride or chlorine trifluoride, and the diluent gas is argon, nitrogen, or helium.
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