JP2013201200A - Substrate processing method and substrate processing apparatus using the same - Google Patents

Substrate processing method and substrate processing apparatus using the same Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing method producing a substrate for evaluation which can be used for the evaluation in a wet process despite its hydrophobic nature.SOLUTION: Since a contamination material D is dispersed through a mist M1 of a process liquid, the contamination material D is fastened to the substrate W despite hydrophobic nature of the substrate W by evenly applying the mist M1 to an entire surface of the substrate W and drying the mist M1. Therefore, a substrate for evaluation which reproduces the adhesion of the contamination material D in a wet process can be produced despite the hydrophobic nature of the substrate W.

Description

本発明は、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機EL用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板(以下、単に基板と称する)を処理する基板処理方法及びその装置に係り、特に、基板に汚染用物質を付着させて評価用の基板を作製する技術に関する。   The present invention relates to a semiconductor wafer, a liquid crystal display substrate, a plasma display substrate, an organic EL substrate, an FED (Field Emission Display) substrate, an optical display substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, and a photomask substrate. The present invention relates to a substrate processing method and apparatus for processing a substrate and a solar cell substrate (hereinafter simply referred to as a substrate), and more particularly to a technique for manufacturing a substrate for evaluation by attaching a contaminant to the substrate.

従来、この種の装置として、標準粒子希釈液に空気を供給して標準粒子をエアロゾル化するエアロゾル発生器と、このエアロゾル発生器の内部に基板を配置可能な粒子付着槽とを備えた基板処理装置がある(例えば、特許文献1参照)。   Conventionally, as an apparatus of this type, a substrate processing provided with an aerosol generator that supplies air to a standard particle diluent and aerosolizes standard particles, and a particle adhesion tank in which a substrate can be placed inside the aerosol generator. There is an apparatus (for example, refer to Patent Document 1).

この基板処理装置は、純水及び標準粒子分散液によりエアロゾル発生器内で標準粒子希釈液を生成させ、生成した標準粒子希釈液を内部に収容した基板に対して供給する。これにより、表面検査機校正用の標準汚染基板や、洗浄装置評価用の標準汚染基板が作成される。   This substrate processing apparatus generates a standard particle dilution liquid in an aerosol generator using pure water and a standard particle dispersion, and supplies the generated standard particle dilution liquid to a substrate accommodated therein. As a result, a standard contaminated substrate for surface inspection machine calibration and a standard contaminated substrate for cleaning device evaluation are created.

また、この種の方法として、微粒子分散液を調製し、この微粒子分散液をピペットで一定量だけ取り出し、この微粒子分散液を基板の表面にピペットで分割して配置し、この基板を加熱して、微粒子分散液の溶媒を蒸発させることで評価用基板を作製するものがある(例えば、特許文献2参照)。   Also, as this kind of method, a fine particle dispersion is prepared, a predetermined amount of this fine particle dispersion is taken out with a pipette, this fine particle dispersion is divided and arranged on the surface of the substrate with a pipette, and this substrate is heated. In some cases, a substrate for evaluation is produced by evaporating the solvent of the fine particle dispersion (for example, see Patent Document 2).

この方法は、基板の表面に不均一なパターンで微粒子を付着させるので、洗浄後にパターンを観察することで、予期せぬ事象で微粒子が付着する二次汚染を判定することができる。したがって、作成された評価用基板を使用して処理を行うことにより、洗浄装置等の適切な評価を行うことができる。   In this method, fine particles adhere to the surface of the substrate in a non-uniform pattern, so that secondary contamination to which fine particles adhere due to an unexpected event can be determined by observing the pattern after cleaning. Therefore, it is possible to perform an appropriate evaluation of the cleaning apparatus or the like by performing processing using the prepared evaluation substrate.

特開平7−335515号公報JP 7-335515 A 特開平9−266189号公報JP-A-9-266189

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
半導体製造には、大きく分けてドライ工程とウェット工程とがあり、その割合は現状ではおよそ1:1である。これらの工程においては、デバイス性能を悪化させ、歩留まりを低下させる原因となるパーティクルが付着する可能性が潜んでいる。しかしながら、従来の装置は、エアロゾルによりパーティクルを基板に付着させて評価用の基板を作製するので、ドライ状態でパーティクルを付着させた評価用基板しか作製できない。したがって、ウェット工程の評価に使用する評価用基板を作製することができないという問題がある。
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
Semiconductor manufacturing is roughly divided into a dry process and a wet process, and the ratio is about 1: 1 at present. In these steps, there is a possibility that particles that cause a deterioration in device performance and a decrease in yield are attached. However, in the conventional apparatus, particles are attached to the substrate by aerosol to produce an evaluation substrate, so that only an evaluation substrate to which particles are attached in a dry state can be produced. Therefore, there is a problem that an evaluation substrate used for evaluation of the wet process cannot be manufactured.

ところで、基板の表面は、純水が濡れやすい親水性と、純水が弾きやすく濡れにくい疎水性(例えば、フォトレジスト膜などの有機膜)との特性を有するものが存在する。基板の表面が親水性である場合には、純水に汚染用物質を分散させた処理液を基板に供給し、基板を回転させて乾燥させることで基板の全面における汚染用物質の分布をほぼ均一にできる。したがって、汚染用物質の濃度が低い処理液を基板に供給すると、汚染用物質がまばらにかつ均等に全面に付着させることができ、汚染用物質の濃度が高い処理液を基板に供給すると、汚染用物質が密にかつ均等に全面に付着させることができる。しかしながら、基板の表面が疎水性である場合には、処理液が基板の全面を均一に覆うことができないので、汚染用物質を基板の全面に均一に付着させることができないという問題がある。そのため、上記のようなウエット式では、疎水性の基板に対して全面に汚染用物質を付着させることができないので、疎水性の基板ではウエット工程の評価用基板を作成することができない。   By the way, the surface of a board | substrate has the characteristic of the hydrophilic property (for example, organic films, such as a photoresist film) which a pure water wets easily and a hydrophobic property (for example, organic films, such as a photoresist film) which a pure water does not wet easily. When the surface of the substrate is hydrophilic, the processing liquid in which the contaminant is dispersed in pure water is supplied to the substrate, and the substrate is rotated and dried to substantially distribute the contaminant on the entire surface of the substrate. Can be uniform. Accordingly, if a processing solution having a low concentration of the contaminant is supplied to the substrate, the contaminant can be sparsely and evenly adhered to the entire surface. If a processing solution having a high concentration of the contaminant is supplied to the substrate, the contamination The substance can be adhered to the entire surface densely and evenly. However, when the surface of the substrate is hydrophobic, the treatment liquid cannot uniformly cover the entire surface of the substrate, and thus there is a problem that the contaminant cannot be uniformly adhered to the entire surface of the substrate. For this reason, in the wet type as described above, since the contaminants cannot be attached to the entire surface of the hydrophobic substrate, it is not possible to produce a wet process evaluation substrate with the hydrophobic substrate.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、疎水性の基板であってもウエット工程の評価に使用できる評価用基板を作成することができる基板処理方法及びその装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a substrate processing method and apparatus capable of producing an evaluation substrate that can be used for evaluation of a wet process even if it is a hydrophobic substrate. The purpose is to do.

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、疎水性の基板に対して汚染用物質を付着させる基板処理方法において、処理液のミストを疎水性の基板の全面に供給することにより、疎水性の基板の全面に汚染用物質を塗布する塗布過程と、疎水性の基板の全面に供給された処理液のミストを乾燥させて、疎水性の基板の全面に汚染用物質を付着させる乾燥過程と、を備えていることを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, according to the first aspect of the present invention, in the substrate processing method for attaching the contaminant to the hydrophobic substrate, the mist of the processing liquid is supplied to the entire surface of the hydrophobic substrate, thereby the hydrophobic substrate. A coating process in which a contaminant is applied to the entire surface of the substrate, and a drying process in which the mist of the processing solution supplied to the entire surface of the hydrophobic substrate is dried to adhere the contaminant to the entire surface of the hydrophobic substrate. It is characterized by having.

[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、塗布過程にて疎水性の基板の全面に汚染用物質を塗布し、乾燥過程にて疎水性の基板の全面に汚染用物質を付着させる。塗布過程は、処理液のミストを介して汚染用物質を付着させるので、疎水性の基板であっても基板の全面にわたって均等にミストを塗布することができる。したがって、疎水性の基板であってもウエット工程における汚染用物質の付着を再現した評価用基板を作製できる。   [Operation / Effect] According to the first aspect of the present invention, the contaminant is applied to the entire surface of the hydrophobic substrate in the coating process, and the contaminant is attached to the entire surface of the hydrophobic substrate in the drying process. Let In the coating process, since the contaminant is attached through the mist of the treatment liquid, the mist can be evenly applied to the entire surface of the substrate even if it is a hydrophobic substrate. Therefore, even if the substrate is hydrophobic, an evaluation substrate that reproduces the adhesion of contaminants in the wet process can be produced.

また、本発明において、前記塗布過程は、汚染用物質を含む処理液のミストを疎水性の基板の全面に供給することが好ましい(請求項2)。   In the present invention, it is preferable that in the coating process, a mist of a processing solution containing a contaminant is supplied to the entire surface of the hydrophobic substrate.

汚染用物質を含む処理液のミストを供給するので、一度の供給で汚染用物質を塗布することができる。また、汚染用物質を含む処理液による汚染用物質の付着であるので、ウエット工程における汚染に極めて近い状態を再現できる。   Since the mist of the treatment liquid containing the contaminant is supplied, the contaminant can be applied with a single supply. Further, since the contamination substance is attached by the treatment liquid containing the contamination substance, a state very close to the contamination in the wet process can be reproduced.

また、本発明において、前記塗布過程は、疎水性の基板の全面に処理液のミストを供給するミスト供給過程と、疎水性の基板の上方に汚染用物質を散布する散布過程と、を備えていることが好ましい(請求項3)。   Further, in the present invention, the coating process includes a mist supply process for supplying a mist of a processing solution over the entire surface of the hydrophobic substrate, and a spraying process for spraying a contaminant to the upper side of the hydrophobic substrate. (Claim 3).

ミスト供給過程で処理液のみのミストを供給し、散布過程で上方に汚染用物質を散布することで、疎水面上にある処理液のミストに汚染用物質を取り込ませることができる。したがって、汚染用物質を基板の疎水面上に塗布することができる。   By supplying the mist of only the processing liquid in the mist supply process and spraying the pollutant upward in the spraying process, the pollutant can be taken into the mist of the processing liquid on the hydrophobic surface. Thus, the contaminant can be applied on the hydrophobic surface of the substrate.

また、請求項4に記載の発明は、疎水性の基板に対して汚染用物質を付着させる基板処理装置において、疎水性の基板を載置する載置台と、前記載置台に載置された疎水性の基板の全面に処理液のミストを供給することにより、疎水性の基板の全面に汚染用物質を塗布する塗布手段と、記塗布手段により疎水性の基板の全面に塗布された処理液を乾燥させて、疎水性の基板の全面に汚染用物質を付着させる乾燥手段と、を備えていることを特徴とするものである。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for attaching a contaminant to a hydrophobic substrate, a mounting table for mounting the hydrophobic substrate, and a hydrophobic device mounted on the mounting table. Supply means for applying a contaminant to the entire surface of the hydrophobic substrate by supplying a mist of the processing solution to the entire surface of the hydrophobic substrate, and a processing liquid applied to the entire surface of the hydrophobic substrate by the coating means. Drying means for drying and attaching a contaminant to the entire surface of the hydrophobic substrate.

[作用・効果]請求項4に記載の発明によれば、載置台に載置された疎水性の基板の全面に、塗布手段により処理液のミストを供給し、乾燥手段により、塗布された処理液を乾燥させて、疎水性の基板の全面に汚染用物質を付着させることができる。塗布手段により処理液のミストを介して汚染用物質を付着させるので、疎水性の基板であっても基板の全面にわたって均等にミストを塗布することができる。したがって、疎水性の基板であってもウエット工程における汚染用物質の付着を再現した評価用基板を作製できる。   [Operation / Effect] According to the invention described in claim 4, the mist of the processing liquid is supplied to the entire surface of the hydrophobic substrate mounted on the mounting table by the applying means, and the processing is applied by the drying means. The solution can be dried to allow contaminants to adhere to the entire surface of the hydrophobic substrate. Since the contaminant is attached by the application means through the mist of the treatment liquid, the mist can be applied evenly over the entire surface of the hydrophobic substrate. Therefore, even if the substrate is hydrophobic, an evaluation substrate that reproduces the adhesion of contaminants in the wet process can be produced.

また、本発明において、前記塗布手段は、疎水性の基板の全面に汚染用物質を含む処理液のミストを供給する汚染用物質含有処理液ミスト化手段であることが好ましい(請求項5)。   In the present invention, it is preferable that the application means is a contamination-containing processing solution mist forming means for supplying a mist of a treatment solution containing a contamination material over the entire surface of the hydrophobic substrate.

汚染用物質含有処理液ミスト化手段により汚染用物質を含む処理液のミストを供給するので、一度の供給で汚染用物質を塗布することができる。   Since the mist of the processing liquid containing the pollutant is supplied by the pollutant-containing processing liquid mist generating means, the pollutant can be applied with a single supply.

また、本発明において、前記塗布手段は、疎水性の基板の全面に処理液のミストを供給する処理液ミスト化手段と、疎水性の基板の上方に汚染用物質を散布する散布手段とを備えていることが好ましい(請求項6)。   In the present invention, the coating means includes a processing liquid mist forming means for supplying a mist of the processing liquid to the entire surface of the hydrophobic substrate, and a spraying means for spraying a contaminant to the upper side of the hydrophobic substrate. (Claim 6).

塗布手段で処理液のみのミストを供給し、散布手段で上方に汚染用物質を散布することで、疎水面上にある処理液のミストに汚染用物質を取り込ませることができる。したがって、汚染用物質を基板の疎水面上に塗布することができる。   By supplying the mist of only the treatment liquid with the application means and spreading the contamination substance upward with the application means, the contamination substance can be taken into the mist of the treatment liquid on the hydrophobic surface. Thus, the contaminant can be applied on the hydrophobic surface of the substrate.

また、本発明において、前記載置台を囲うチャンバをさらに備えていることが好ましい(請求項7)。   In the present invention, it is preferable to further include a chamber surrounding the mounting table.

チャンバにより汚染物質以外の物質が紛れ込むことを防止できるので、評価用基板を正確に作製できる。   Since the chamber can prevent substances other than contaminants from being mixed in, the evaluation substrate can be accurately manufactured.

また、本発明において、前記乾燥手段は、載置台に付設された加熱手段であることが好ましい(請求項8)。   In the present invention, it is preferable that the drying means is a heating means attached to the mounting table.

加熱手段により基板の全体を加熱するので、疎水面上のミストを短時間で乾燥させることができ、評価用基板の作製時間を短縮できる。   Since the entire substrate is heated by the heating means, the mist on the hydrophobic surface can be dried in a short time, and the production time of the evaluation substrate can be shortened.

本発明に係る基板処理方法によれば、塗布過程にて疎水性の基板の全面に汚染用物質を塗布し、乾燥過程にて疎水性の基板の全面に汚染用物質を付着させる。塗布過程は、処理液のミストを介して汚染用物質を付着させるので、疎水性の基板であっても基板の全面にわたって均等にミストを塗布することができる。したがって、疎水性の基板であってもウエット工程における汚染用物質の付着を再現した評価用基板を作製できる。   According to the substrate processing method of the present invention, the contaminant is applied to the entire surface of the hydrophobic substrate in the coating process, and the contaminant is attached to the entire surface of the hydrophobic substrate in the drying process. In the coating process, since the contaminant is attached through the mist of the treatment liquid, the mist can be evenly applied to the entire surface of the substrate even if it is a hydrophobic substrate. Therefore, even if the substrate is hydrophobic, an evaluation substrate that reproduces the adhesion of contaminants in the wet process can be produced.

実施例に係る基板処理装置の全体を示す概略構成図である。It is a schematic structure figure showing the whole substrate processing device concerning an example. (a)〜(c)は、評価用基板の作製方法1に係る処理過程を示した模式図である。(A)-(c) is the schematic diagram which showed the process concerning the preparation method 1 of the board | substrate for evaluation. (a)〜(d)は、評価用基板の作製方法2に係る処理過程を示した模式図である。(A)-(d) is the schematic diagram which showed the process concerning the preparation method 2 of the board | substrate for evaluation.

以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明する。
図1は、実施例に係る基板処理装置の全体を示す概略構成図である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating an entire substrate processing apparatus according to an embodiment.

本実施例に係る基板処理装置は、載置台1を備えている。載置台1は、処理対象の基板Wが水平姿勢で載置される。ここでいう基板Wは、上面が疎水性の特性を有するものである。疎水性の特性を有するものとしては、例えば、ベアシリコンや、フォトレジスト膜などの有機膜がある。   The substrate processing apparatus according to this embodiment includes a mounting table 1. On the mounting table 1, the substrate W to be processed is mounted in a horizontal posture. The substrate W here has an upper surface having hydrophobic characteristics. Examples of the hydrophobic film include bare silicon and organic films such as a photoresist film.

載置台1は、基板Wの外径とほぼ同程度の径を有し、内部にヒータ3と冷却器5とを設けられている。ヒータ3は、載置台1に載置された基板Wを加熱し、冷却器5は、載置台1に載置された基板Wを冷却する。   The mounting table 1 has a diameter substantially the same as the outer diameter of the substrate W, and is provided with a heater 3 and a cooler 5 inside. The heater 3 heats the substrate W placed on the placement table 1, and the cooler 5 cools the substrate W placed on the placement table 1.

なお、上記のヒータ3が本発明における「乾燥手段」及び「加熱手段」に相当する。   The heater 3 corresponds to “drying means” and “heating means” in the present invention.

チャンバ7は、載置台1の全体を囲って設けられている。チャンバ7の底部には、電動モータ9が設けられている。電動モータ9は、回転軸11を鉛直方向に向けた縦置きで配置されている。回転軸11は、載置台1の底面中央部に先端部が連結されている。電動モータ9が作動されると、載置台1は鉛直軸周りに水平面内で回転される。   The chamber 7 is provided so as to surround the entire mounting table 1. An electric motor 9 is provided at the bottom of the chamber 7. The electric motor 9 is arranged vertically with the rotary shaft 11 directed in the vertical direction. The rotating shaft 11 has a tip portion connected to the center of the bottom surface of the mounting table 1. When the electric motor 9 is operated, the mounting table 1 is rotated in the horizontal plane around the vertical axis.

排液口13は、チャンバ7の底面の一部位に形成されている。排液口13は、チャンバ7の内部と外部とを連通している。排液口13には、排液管15の一端側が連通接続され、他端側が図示しない回収設備に連通接続されている。排液管15は、開閉弁17を設けられている。この開閉弁17が開放されると、チャンバ7の底部に貯留している処理液が排出される。   The drainage port 13 is formed at one part of the bottom surface of the chamber 7. The drainage port 13 communicates the inside and the outside of the chamber 7. One end of a drainage pipe 15 is connected to the drainage port 13 and the other end is connected to a recovery facility (not shown). The drainage pipe 15 is provided with an on-off valve 17. When the on-off valve 17 is opened, the processing liquid stored at the bottom of the chamber 7 is discharged.

排気口19は、チャンバ7の底面の一部位に形成されている。排気口19には、排気管21の一端側が連通接続され、他端側が減圧ポンプ23に連通接続されている。また、排気管21には、開閉弁25が設けられている。開閉弁25を開放して減圧ポンプ23を作動させると、チャンバ7内を減圧することができる。   The exhaust port 19 is formed at a portion of the bottom surface of the chamber 7. One end side of the exhaust pipe 21 is connected to the exhaust port 19, and the other end side is connected to the decompression pump 23. The exhaust pipe 21 is provided with an open / close valve 25. When the on-off valve 25 is opened and the decompression pump 23 is operated, the inside of the chamber 7 can be decompressed.

ミスト化ノズル27と散布ノズル29は、載置台1の回転中心における上方に相当するチャンバ7の天井面に設けられている。ミスト化ノズル27は、処理液供給配管31の一端側が連通接続されている。処理液供給配管31は、他端側が溶媒供給源に連通接続されている。流量調整弁33は、処理液供給配管31に設けられ、処理液供給排管31を流通する溶媒の流量を調整する。流量調整弁33とミスト化ノズル27との間には、分岐管35の一端側が連通接続されている。分岐管35の他端側は、貯留タンク37に挿入されている。また、分岐管35は、流量調整弁39と、圧送ポンプ41とが設けられている。   The mist forming nozzle 27 and the spray nozzle 29 are provided on the ceiling surface of the chamber 7 corresponding to the upper side at the rotation center of the mounting table 1. The mist nozzle 27 is connected to one end of the processing liquid supply pipe 31 in communication. The other end of the processing liquid supply pipe 31 is connected to a solvent supply source. The flow rate adjusting valve 33 is provided in the processing liquid supply pipe 31 and adjusts the flow rate of the solvent flowing through the processing liquid supply / drain pipe 31. One end side of the branch pipe 35 is connected in communication between the flow rate adjusting valve 33 and the mist nozzle 27. The other end side of the branch pipe 35 is inserted into the storage tank 37. Further, the branch pipe 35 is provided with a flow rate adjusting valve 39 and a pressure pump 41.

貯留タンク37は、汚染用物質を含む処理液を貯留している。処理液は、予め所定濃度の汚染用物質を溶媒に混合されている。なお、汚染用物質は、評価用基板の使用目的に応じて、汚染用物質の種類や、その粒子の径を決めてある。汚染用物質としては、例えば、PSL(Polystyren Latex)と呼ばれるポリスチレンや、シリコン酸化物(SiO2)、窒化珪素(SiN)の微粒子が挙げられる。特に、PSLは、標準粒子として広く用いられているので、入手しやすく好適である。処理液の溶媒としては、例えば、純水、有機溶剤が挙げられる。有機溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコール(IPA)やハイドロフルオロエーテル(HFE)などが挙げられる。乾燥時の効率を考慮すると、純水よりも有機溶剤が好ましく、蒸気圧が高いものが好ましい。上述した溶媒供給源は、上述した処理液の溶媒を供給する。 The storage tank 37 stores a processing liquid containing a contaminant. The treatment liquid is preliminarily mixed with a contaminant having a predetermined concentration in a solvent. In addition, as for the pollutant, the type of the pollutant and the particle diameter are determined according to the purpose of use of the evaluation substrate. Examples of the pollutant include polystyrene called PSL (Polystyren Latex), and fine particles of silicon oxide (SiO 2 ) and silicon nitride (SiN). In particular, since PSL is widely used as standard particles, it is easily available and suitable. Examples of the solvent for the treatment liquid include pure water and organic solvents. Examples of the organic solvent include isopropyl alcohol (IPA) and hydrofluoroether (HFE). Considering the efficiency at the time of drying, an organic solvent is preferable to pure water, and one having a high vapor pressure is preferable. The solvent supply source described above supplies the solvent of the processing liquid described above.

上述したミスト化ノズル27は、貯留タンク37から所定流量で供給された、汚染用物質を含む処理液をチャンバ7の内部に噴霧する。また、溶媒だけをチャンバ7の内部に噴霧することもできる。ミスト化ノズル27は、例えば、2流体ノズルや1流体ノズル、ネブライザーなどの噴霧手段により、汚染用物質を含む処理液や溶媒をミスト化してチャンバ7内に供給する。因みに、ミスト化ノズル27による処理液のミストは、例えば、マイクロオーダであり、汚染用物質は数十nm程度の大きさである。   The mist nozzle 27 described above sprays the processing liquid containing the contaminants supplied from the storage tank 37 at a predetermined flow rate into the chamber 7. Alternatively, only the solvent can be sprayed into the chamber 7. The mist forming nozzle 27 mists the processing liquid and the solvent containing the contaminants by spraying means such as a two-fluid nozzle, a one-fluid nozzle, or a nebulizer, and supplies the mist into the chamber 7. Incidentally, the mist of the processing liquid by the mist generating nozzle 27 is, for example, in the micro order, and the contaminant is about several tens of nanometers.

なお、上記のミスト化ノズル27が本発明における「塗布手段」及び「処理液ミスト化手段」並びに「汚染用物質含有処理液ミスト化手段」に相当する。   The mist nozzle 27 corresponds to the “coating means”, the “treatment liquid mist making means” and the “contaminant-containing treatment liquid mist making means” in the present invention.

上述した散布ノズル27は、キャリア配管43の一端側が連通接続されている。キャリア配管43の他端側には、ドライ窒素ガス供給源が連通接続されている。流量調整弁45は、ドライ窒素ガス供給源からのドライ窒素ガスの流量を調整する。流量調整弁45と散布ノズル27との間には、第1の汚染用物質タンク47と第2の汚染用物質タンク49とが連通されている。第1の汚染用物質タンク47は、流量調整弁51を備え、第2の汚染物質タンク49は、流量調整弁53を備えている。第1の汚染用物質タンク47は、例えば、上述したような汚染用物質の粒子径が小さなものを貯留し、第2の汚染用物質タンク49は、第1の汚染用物質タンク49が貯留する汚染用物質よりも大きな粒子径の汚染用物質を貯留している。   The spray nozzle 27 described above is connected to one end of the carrier pipe 43 in communication. A dry nitrogen gas supply source is connected to the other end side of the carrier pipe 43. The flow rate adjusting valve 45 adjusts the flow rate of the dry nitrogen gas from the dry nitrogen gas supply source. A first pollutant substance tank 47 and a second pollutant substance tank 49 are communicated between the flow regulating valve 45 and the spray nozzle 27. The first pollutant tank 47 includes a flow rate adjusting valve 51, and the second pollutant tank 49 includes a flow rate adjusting valve 53. The first pollutant tank 47 stores, for example, a pollutant having a small particle diameter as described above, and the second pollutant tank 49 stores the first pollutant tank 49. The pollutant with a particle size larger than the pollutant is stored.

なお、上記の散布ノズル27が本発明における「散布手段」に相当する。   The spray nozzle 27 corresponds to the “spreading means” in the present invention.

流量調整弁45を開放し、流量調整弁51または流量調整弁53を開放することにより、所望する粒子径の汚染用物質をドライ窒素ガスとともに散布ノズル27からチャンバ7内に供給することができる。   By opening the flow rate adjusting valve 45 and opening the flow rate adjusting valve 51 or the flow rate adjusting valve 53, a pollutant having a desired particle diameter can be supplied into the chamber 7 from the spray nozzle 27 together with the dry nitrogen gas.

ここで、上述した構成の基板処理装置を用いて、ウエット工程の評価用基板の作製例について説明する。   Here, an example of manufacturing a substrate for evaluation in a wet process will be described using the substrate processing apparatus having the above-described configuration.

<作製方法1>   <Production Method 1>

図2を参照する。なお、図2(a)〜(c)は、評価用基板の作製方法1に係る処理過程を示した模式図である。   Please refer to FIG. FIGS. 2A to 2C are schematic views showing a processing process according to the evaluation substrate manufacturing method 1.

まず、チャンバ7内に疎水性の基板Wを搬入し、載置台1に疎水面を上面にして載置させる。そして、開閉弁17を閉止させたまま、開閉弁25を開放させて減圧ポンプ23を作動させる。これによりチャンバ7内を減圧するとともに、余分なパーティクル等をチャンバ7から排出する。チャンバ7の内圧を所定の圧力に達したら、開閉弁25を閉止させて減圧ポンプ23を停止させる。次に、流量調整弁33を閉止させたまま、流量調整弁39を開放させるとともに、圧送ポンプ41を作動させる。これにより、チャンバ7の内部にミスト化ノズル27から汚染用物質を含む処理液がミストM1で供給される(図2(a))。   First, the hydrophobic substrate W is carried into the chamber 7 and placed on the mounting table 1 with the hydrophobic surface as the upper surface. Then, with the on-off valve 17 closed, the on-off valve 25 is opened and the decompression pump 23 is operated. As a result, the inside of the chamber 7 is decompressed, and excess particles and the like are discharged from the chamber 7. When the internal pressure of the chamber 7 reaches a predetermined pressure, the open / close valve 25 is closed and the decompression pump 23 is stopped. Next, with the flow rate adjustment valve 33 closed, the flow rate adjustment valve 39 is opened and the pressure feed pump 41 is operated. As a result, the processing liquid containing the contaminant is supplied from the mist nozzle 27 into the chamber 7 by the mist M1 (FIG. 2A).

なお、上記の過程が本発明における「塗布過程」に相当する。   The above process corresponds to the “coating process” in the present invention.

すると、疎水性の基板Wの上面に汚染用物質を含む処理液のミストM1が基板Wの全面にわたって付着する(図2(b))。ミストM1は、汚染用物質Dを含んでいる。なお、汚染用物質を含む処理液の供給は、基板Wの疎水面においてミストがまとまらない程度の量とするのが好ましい。基板Wの上面が疎水性であるので、大量にミストM1を供給すると、近隣のミストM1が結合して大きなかたまりとなって疎水面上で不安定となり、移動してしまう恐れがあるからである。   Then, the mist M1 of the processing liquid containing the contaminant is attached to the entire upper surface of the hydrophobic substrate W (FIG. 2B). The mist M1 contains a contaminant D. Note that it is preferable that the treatment liquid containing the contaminant is supplied in such an amount that mist is not collected on the hydrophobic surface of the substrate W. This is because, since the upper surface of the substrate W is hydrophobic, if a large amount of mist M1 is supplied, the neighboring mist M1 is combined to form a large lump and becomes unstable on the hydrophobic surface and may move. .

次に、載置台1のヒータ3を加熱して、載置台1とともに基板Wを加熱する。これにより汚染用物質Dを含む処理液のミストM1のうち、溶媒だけが蒸発する。したがって、ミストM1の中の汚染用物質Dだけが疎水性の基板Wに付着する(図2(c))。また、必要であれば、冷却器5により基板Wを所定温度に冷却する。   Next, the heater 3 of the mounting table 1 is heated to heat the substrate W together with the mounting table 1. As a result, only the solvent of the mist M1 of the treatment liquid containing the contaminant D is evaporated. Therefore, only the contaminant D in the mist M1 adheres to the hydrophobic substrate W (FIG. 2 (c)). If necessary, the substrate 5 is cooled to a predetermined temperature by the cooler 5.

なお、上記の過程が本発明における「乾燥過程」に相当する。   The above process corresponds to the “drying process” in the present invention.

その後、チャンバ7の減圧を開放し、汚染用物質Dを全面に付着された疎水性の基板Wをチャンバ7から搬出する。   Thereafter, the decompression of the chamber 7 is released, and the hydrophobic substrate W having the contaminant D attached on the entire surface is carried out of the chamber 7.

<作製方法2>   <Production Method 2>

図3を参照する。なお、図3(a)〜(d)は、評価用基板の作製方法2に係る処理過程を示した模式図である。   Please refer to FIG. FIGS. 3A to 3D are schematic views showing a processing process according to the evaluation substrate manufacturing method 2.

まず、チャンバ7内に疎水性の基板Wを搬入して載置台1に載置させる。そして、チャンバ7内を減圧して余分なパーティクル等を排出する。チャンバ7内の圧力が所定圧に達したら、減圧ポンプ23を停止させる。次に、流量調整弁39を閉止させたまま、流量調整弁33を開放させる。これにより、チャンバ7の内部にミスト化ノズル27から、溶媒(処理液)のみがミストM2で供給される(図3(a))。   First, a hydrophobic substrate W is carried into the chamber 7 and placed on the mounting table 1. Then, the inside of the chamber 7 is decompressed to discharge excess particles and the like. When the pressure in the chamber 7 reaches a predetermined pressure, the decompression pump 23 is stopped. Next, the flow rate adjustment valve 33 is opened while the flow rate adjustment valve 39 is closed. Thereby, only the solvent (treatment liquid) is supplied to the inside of the chamber 7 from the mist nozzle 27 by the mist M2 (FIG. 3A).

すると、疎水性の基板Wの上面に溶媒(処理液)のみのミストM2が基板Wの全面にわたって付着する(図3(b))。ミストM2が大量に供給されないことが好ましいのは、上述した作成方法1と同様である。   Then, the mist M2 only of the solvent (treatment liquid) adheres to the entire upper surface of the hydrophobic substrate W (FIG. 3B). It is preferable that the mist M2 is not supplied in a large amount in the same manner as in the production method 1 described above.

次に、開閉弁51を開放させるとともに、例えば、流量調整弁45を開放する。これにより、汚染用物質Dがドライ窒素ガスとともに散布ノズル29からチャンバ7内に散布される(図3(c))。これにより、基板Wの上面にあるミストM2に汚染用物質Dが取り込まれる。   Next, the on-off valve 51 is opened and, for example, the flow rate adjusting valve 45 is opened. Thereby, the contaminant D is sprayed into the chamber 7 from the spray nozzle 29 together with the dry nitrogen gas (FIG. 3C). As a result, the contaminant D is taken into the mist M2 on the upper surface of the substrate W.

なお、上記の二つの過程が本発明における「塗布過程」に相当し、図3(c)の過程が本発明における「散布過程」に相当する。   The above two processes correspond to the “coating process” in the present invention, and the process in FIG. 3C corresponds to the “dispersing process” in the present invention.

次に、載置台1のヒータ3を加熱して、載置台1とともに基板Wを加熱する。これにより汚染用物質Dを含む処理液のミストM2のうち、溶媒だけが蒸発する。したがって、ミストM2の中の汚染用物質Dが疎水性の基板Wに付着する(図3(c))。   Next, the heater 3 of the mounting table 1 is heated to heat the substrate W together with the mounting table 1. As a result, only the solvent of the mist M2 of the treatment liquid containing the contaminant D is evaporated. Therefore, the contaminant D in the mist M2 adheres to the hydrophobic substrate W (FIG. 3C).

なお、上記の過程が本発明における「乾燥過程」に相当する。   The above process corresponds to the “drying process” in the present invention.

その後、チャンバ7の減圧を開放し、汚染用物質Dを全面に付着された疎水性の基板Wをチャンバ7から搬出する。   Thereafter, the decompression of the chamber 7 is released, and the hydrophobic substrate W having the contaminant D attached on the entire surface is carried out of the chamber 7.

本実施例方法によると、処理液のミストM1,M2を介して汚染用物質Dを付着させるので、疎水性の基板Wであっても基板Wの全面にわたって均等にミストM1,M2を塗布することができる。したがって、疎水性の基板Wであってもウエット工程における汚染用物質の付着を再現した評価用基板を作製できる。   According to the method of the present embodiment, the contaminant D is attached via the mists M1 and M2 of the processing solution. Therefore, even if the substrate is a hydrophobic substrate W, the mists M1 and M2 are evenly applied over the entire surface of the substrate W. Can do. Therefore, even for the hydrophobic substrate W, it is possible to produce an evaluation substrate that reproduces the adhesion of contaminants in the wet process.

また、作製方法1は、汚染用物質Dを含む処理液のミストM1を基板Wに対して供給するので、一度で汚染用物質Dを基板Wに塗布することができる。また、汚染用物質Dを含む処理液による汚染用物質Dの付着であるので、ウエット工程における汚染に極めて近い状態を再現できる。   In addition, since the manufacturing method 1 supplies the substrate W with the mist M1 of the processing liquid containing the contaminant D, the contaminant D can be applied to the substrate W at a time. In addition, since the contaminant D is attached by the treatment liquid containing the contaminant D, a state extremely close to contamination in the wet process can be reproduced.

また、作成方法2は、処理液のみのミストM2を供給し、基板Wの上方に汚染用物質Dを散布することで、疎水面上にある処理液のミストM2に汚染用物質Dを取り込ませることができる。したがって、汚染用物質Dを基板の疎水面上に塗布することができる。   Also, in the preparation method 2, the mist M2 containing only the processing liquid is supplied, and the contaminant D is sprayed over the substrate W, so that the contaminant D is taken into the mist M2 of the processing liquid on the hydrophobic surface. be able to. Therefore, the contaminant D can be applied on the hydrophobic surface of the substrate.

また、本実施例装置によると、載置台1に載置された疎水性の基板Wの全面に、処理液のミストM1,M2を供給し、ヒータ3により、塗布された処理液を乾燥させて、疎水性の基板Wの全面に汚染用物質Dを付着させることができる。処理液のミストM1,M2を介して汚染用物質Dを付着させるので、疎水性の基板Wであっても基板Wの全面にわたって均等にミストM1,M2を塗布することができる。したがって、疎水性の基板Wであってもウエット工程における汚染用物質の付着を再現した評価用基板を作製できる。   Further, according to the apparatus of this embodiment, the mists M1 and M2 of the processing liquid are supplied to the entire surface of the hydrophobic substrate W placed on the mounting table 1, and the applied processing liquid is dried by the heater 3. The contaminant D can be adhered to the entire surface of the hydrophobic substrate W. Since the contaminant D is attached through the mists M1 and M2 of the processing liquid, the mists M1 and M2 can be evenly applied to the entire surface of the substrate W even if the substrate is a hydrophobic substrate W. Therefore, even for the hydrophobic substrate W, it is possible to produce an evaluation substrate that reproduces the adhesion of contaminants in the wet process.

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。   The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.

(1)上述した実施例では、ヒータ3による乾燥を行ったが、例えば、蒸気圧が高い処理液である場合には、減圧ポンプ23でチャンバ7の内部をさらに減圧することにより乾燥させるようにしてもよい。また、電動モータ9を低速回転させて乾燥を行うようにしてもよい。   (1) In the above-described embodiment, drying by the heater 3 is performed. However, for example, when the treatment liquid has a high vapor pressure, the inside of the chamber 7 is further depressurized by the decompression pump 23 so as to be dried. May be. Alternatively, drying may be performed by rotating the electric motor 9 at a low speed.

(2)上述した実施例では、載置台1が回転可能に構成されているが、回転により乾燥を行わないのであれば、電動モータ9を省略してもよい。   (2) In the embodiment described above, the mounting table 1 is configured to be rotatable, but the electric motor 9 may be omitted if drying is not performed by rotation.

(3)上述した実施例では、チャンバ7で載置台1を囲っているが、清浄な環境であって、汚染用物質D以外の物質が周囲から紛れ込まないのであれば、チャンバ7を省略してもよい。   (3) In the above-described embodiment, the mounting table 1 is surrounded by the chamber 7. However, if the environment is a clean environment and no substances other than the contamination substance D are mixed in from the surroundings, the chamber 7 is omitted. Also good.

(4)上述した実施例では、常温においてミストを供給したが、例えば、冷却器5により基板Wを冷却しておくようにしてもよい。これによりチャンバ7内に供給されたミストの基板Wへの付着を促進させることができる。   (4) In the above-described embodiment, mist is supplied at room temperature, but the substrate W may be cooled by the cooler 5, for example. Thereby, adhesion of the mist supplied into the chamber 7 to the substrate W can be promoted.

(5)上述した実施例では、作製方法1と作製方法2の両方に対応できる装置構成としているが、一方のみを実施する場合には、他方の構成を省略することができる。   (5) In the above-described embodiment, the device configuration is compatible with both the manufacturing method 1 and the manufacturing method 2, but when only one is implemented, the other configuration can be omitted.

W … 基板
1 … 載置台
3 … ヒータ
5 … 冷却器
3 … ヒータ
7 … チャンバ
27 … ミスト化ノズル
29 … 散布ノズル
M1,M2 … ミスト
D … 汚染用物質
W ... Substrate 1 ... Mounting table 3 ... Heater 5 ... Cooler 3 ... Heater 7 ... Chamber 27 ... Mist nozzle 29 ... Spray nozzle M1, M2 ... Mist D ... Contaminant

Claims (8)

疎水性の基板に対して汚染用物質を付着させる基板処理方法において、
処理液のミストを疎水性の基板の全面に供給することにより、疎水性の基板の全面に汚染用物質を塗布する塗布過程と、
疎水性の基板の全面に供給された処理液のミストを乾燥させて、疎水性の基板の全面に汚染用物質を付着させる乾燥過程と、
を備えていることを特徴とする基板処理方法。
In a substrate processing method in which a contaminant is attached to a hydrophobic substrate,
A process of applying a contaminant to the entire surface of the hydrophobic substrate by supplying a mist of the treatment liquid to the entire surface of the hydrophobic substrate;
A drying process in which the mist of the processing solution supplied to the entire surface of the hydrophobic substrate is dried, and a contaminant is adhered to the entire surface of the hydrophobic substrate;
A substrate processing method characterized by comprising:
請求項1に記載の基板処理方法において、
前記塗布過程は、汚染用物質を含む処理液のミストを疎水性の基板の全面に供給することを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 1,
In the coating process, a mist of a processing solution containing a contaminant is supplied to the entire surface of the hydrophobic substrate.
請求項1に記載の基板処理方法において、
前記塗布過程は、疎水性の基板の全面に処理液のミストを供給するミスト供給過程と、疎水性の基板の上方に汚染用物質を散布する散布過程と、を備えていることを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 1,
The coating process includes a mist supply process for supplying a mist of a processing solution over the entire surface of a hydrophobic substrate, and a spraying process for spraying a contaminant to the upper side of the hydrophobic substrate. Substrate processing method.
疎水性の基板に対して汚染用物質を付着させる基板処理装置において、
疎水性の基板を載置する載置台と、
前記載置台に載置された疎水性の基板の全面に処理液のミストを供給することにより、疎水性の基板の全面に汚染用物質を塗布する塗布手段と、
前記塗布手段により疎水性の基板の全面に塗布された処理液を乾燥させて、疎水性の基板の全面に汚染用物質を付着させる乾燥手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
In a substrate processing apparatus that attaches a contaminant to a hydrophobic substrate,
A mounting table for mounting a hydrophobic substrate;
An application means for applying a contaminant to the entire surface of the hydrophobic substrate by supplying a mist of the treatment liquid to the entire surface of the hydrophobic substrate placed on the mounting table;
Drying means for drying the treatment liquid applied to the entire surface of the hydrophobic substrate by the applying means, and attaching a contaminant to the entire surface of the hydrophobic substrate;
A substrate processing apparatus comprising:
請求項4に記載の基板処理装置において、
前記塗布手段は、疎水性の基板の全面に汚染用物質を含む処理液のミストを供給する汚染用物質含有処理液ミスト化手段であることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 4,
The substrate processing apparatus, wherein the coating means is a contaminant-containing treatment liquid mist forming means for supplying a mist of a treatment liquid containing a contaminant to the entire surface of a hydrophobic substrate.
請求項4に記載の基板処理装置において、
前記塗布手段は、疎水性の基板の全面に処理液のミストを供給する処理液ミスト化手段と、疎水性の基板の上方に汚染用物質を散布する散布手段とを備えていることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 4,
The coating means includes a treatment liquid mist forming means for supplying a mist of the treatment liquid to the entire surface of the hydrophobic substrate, and a spraying means for spraying a contaminant to the upper side of the hydrophobic substrate. Substrate processing apparatus.
請求項4から6のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記載置台を囲うチャンバをさらに備えていることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 4 to 6,
A substrate processing apparatus, further comprising a chamber surrounding the mounting table.
請求項4から7のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記乾燥手段は、載置台に付設された加熱手段であることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 4 to 7,
The substrate processing apparatus, wherein the drying means is a heating means attached to a mounting table.
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