JP2013197938A

JP2013197938A - Receiving device

Info

Publication number: JP2013197938A
Application number: JP2012063623A
Authority: JP
Inventors: Yoichiro Suzuki; 洋一朗鈴木; Noboru Maeda; 登前田; Hiroyuki Obata; 洋幸小畑
Original assignee: Denso Corp; Nippon Soken Inc
Current assignee: Denso Corp; Soken Inc
Priority date: 2012-03-21
Filing date: 2012-03-21
Publication date: 2013-09-30
Anticipated expiration: 2032-03-21
Also published as: JP5833481B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a receiving device that allows preventing the delay of a signal transmitted through a transmission line.SOLUTION: In an observation node 8c connected to a transmission line 2, by turning on a P-channel MOSFET 19 on the basis of a change of a current flowing through a branch line 4c of the transmission line 2 detected by a resistance element 16, a current flowing out of a receiving circuit 18 is consumed by the P-channel MOSFET 19, and input impedance is changed so as to shorten the fall time of a reception signal waveform.

Description

本発明は、伝送線路を介して送信された信号を受信する受信回路の入力インピーダンスを変化させるように制御する受信装置に関する。 The present invention relates to a receiving apparatus that performs control so as to change an input impedance of a receiving circuit that receives a signal transmitted via a transmission line.

通信に使用される伝送線路は、線路長が長くなり、伝送線路に接続される通信ノードの数が増えるほど容量が増加する。そして、伝送線路において送信される信号の波形は、伝送線路に付帯する容量が増加すると、立ち上がり時間や立ち下がり時間に遅延を生じる。したがって、通信を成立させるには、線路長や接続ノード数を制限するか、若しくは伝送線路の途中に中継器を挿入して信号の遅延を抑制する必要がある。 The transmission line used for communication has a longer line length, and the capacity increases as the number of communication nodes connected to the transmission line increases. And the waveform of the signal transmitted in the transmission line causes a delay in the rise time and the fall time when the capacity incidental to the transmission line increases. Therefore, in order to establish communication, it is necessary to limit the line length and the number of connection nodes, or to insert a repeater in the middle of the transmission line to suppress signal delay.

しかし、伝送線路に中継器を導入すればその分だけコストアップするため、それに替えて、受信ノード側で何らかの対策を施すことができれば望ましい。関連する技術として、例えば特許文献１には、受信側で実際に信号波形が変化する状態に応じて、波形歪みを抑制する機能を備えた受信装置が開示されている。 However, if a repeater is introduced in the transmission line, the cost is increased accordingly. Therefore, it is desirable if some measures can be taken on the receiving node side instead. As a related technique, for example, Patent Document 1 discloses a receiving apparatus having a function of suppressing waveform distortion in accordance with a state in which a signal waveform actually changes on the receiving side.

特開２００９−２２５１３８号公報JP 2009-225138 A

しかしながら、特許文献１では、専ら信号波形のオーバーシュートやアンダーシュート，すなわち信号の反射を抑制することを目的としており、信号波形の立ち上がりや立ち下がりについて発生する遅延時間を抑制することについては、全く着目していない。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、伝送線路において伝送される信号について発生する遅延を抑制できる受信装置を提供することにある。 However, in Patent Document 1, the purpose is to suppress overshoot and undershoot of a signal waveform, that is, signal reflection, and it is quite possible to suppress the delay time generated for the rise and fall of the signal waveform. Not paying attention.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a receiving apparatus capable of suppressing a delay generated for a signal transmitted in a transmission line.

請求項１記載の受信装置によれば、インピーダンス制御手段は、電流検知部により検知される、伝送線路に流れる電流の変化に基づいて受信信号波形の立ち下がり時間を短縮するように入力インピーダンスを変化させる。すなわち、極めて簡単な構成によって受信信号波形の立ち下がり時間を短縮できるので、中継器を使用することなく線路長を延ばしたり、通信ノードの最大接続数を増やすことが可能になる。 According to the receiver of claim 1, the impedance control means changes the input impedance so as to shorten the fall time of the received signal waveform based on the change of the current flowing through the transmission line detected by the current detector. Let That is, since the fall time of the received signal waveform can be shortened with an extremely simple configuration, the line length can be extended and the maximum number of communication nodes can be increased without using a repeater.

第１実施例であり、受信ノードの構成を示す図The figure which is a 1st Example and shows the structure of a receiving node 送信ノードの構成を示す図Diagram showing the configuration of the sending node シミュレーションに使用したネットワーク構成を示す図Diagram showing network configuration used for simulation シミュレーションによる受信信号波形の電圧波形を示す図Diagram showing voltage waveform of received signal waveform by simulation 同各部の電流波形を示す図The figure which shows the current waveform of each part 第２実施例を示す図１相当図FIG. 1 equivalent view showing the second embodiment 第３実施例を示す図１相当図FIG. 1 equivalent view showing the third embodiment 第４実施例を示す図１相当図FIG. 1 equivalent view showing the fourth embodiment 第５実施例を示す図１相当図FIG. 1 equivalent view showing the fifth embodiment 第６実施例を示す図１相当図FIG. 1 equivalent view showing the sixth embodiment

（第１実施例）
以下、本発明を一対の信号線により差動信号を伝送する通信ネットワークに適用した第１実施例について説明する。図３において、通信ネットワーク１は、複数の通信ノードが、ツイストペア線で構成される伝送線路２をなす本線３及び支線４を介して接続されている。本線３の図中左端には送信ノード５が接続され、右端には受信ノード６が接続され、本線３の途中にはＨＵＢ７が挿入されている。送信ノード５とＨＵＢ７との間を接続する本線３ａの線路長，並びにＨＵＢ７と受信ノード６との間を接続する本線３ｂの線路長は、何れも１６．５ｍである。また、送信ノード５，受信ノード６では１２０Ωの終端抵抗によって伝送線路２を終端している。 (First embodiment)
A first embodiment in which the present invention is applied to a communication network that transmits a differential signal by a pair of signal lines will be described below. In FIG. 3, a communication network 1 includes a plurality of communication nodes connected via a main line 3 and a branch line 4 that form a transmission line 2 composed of twisted pair lines. A transmission node 5 is connected to the left end of the main line 3 in the figure, a reception node 6 is connected to the right end, and a HUB 7 is inserted in the middle of the main line 3. The line length of the main line 3a connecting between the transmitting node 5 and the HUB 7 and the line length of the main line 3b connecting between the HUB 7 and the receiving node 6 are both 16.5 m. The transmission node 5 and the reception node 6 terminate the transmission line 2 with a 120Ω termination resistor.

また、ＨＵＢ７には６本の支線４ａ〜４ｆが接続されており、これらの一端には受信ノード８ａ〜８ｆが接続されており、支線４の線路長は何れも２ｍである。そして、受信ノード８ａ〜８ｆの１つである受信ノード８ｃを観測ノードとして、送信ノード５より送信した差動信号を観測ノード８ｃ（受信装置）で受信した際の波形を、以下に述べる条件でシミュレーションした。 In addition, six branch lines 4a to 4f are connected to the HUB 7, and reception nodes 8a to 8f are connected to one end thereof, and the line length of each of the branch lines 4 is 2 m. Then, the reception node 8c, which is one of the reception nodes 8a to 8f, is used as an observation node, and the waveform when the differential signal transmitted from the transmission node 5 is received by the observation node 8c (reception device) is as described below. Simulated.

図２において、電源Ｖccとグランドとの間には、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１，抵抗素子１２，ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１３の直列回路が接続されている。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１３のゲートにはゲート駆動信号が直接与えられ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１のゲートには、ゲート駆動信号がＮＯＴゲート１４を介して与えられる。本線３ａをなす信号線３ａＨ（Bus＿high）はＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１のドレインに接続され、同信号線３ａＬ（Bus＿low）はＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１３のドレインに接続されている。そして、抵抗素子１２には、１２０Ωの終端抵抗１５が並列に接続されている。以上が送信ノード５を構成している。 In FIG. 2, a series circuit of a P-channel MOSFET 11, a resistance element 12, and an N-channel MOSFET 13 is connected between a power supply Vcc and the ground. A gate drive signal is directly applied to the gate of the N-channel MOSFET 13, and a gate drive signal is applied to the gate of the P-channel MOSFET 11 via the NOT gate 14. The signal line 3aH (Bus_high) forming the main line 3a is connected to the drain of the P-channel MOSFET 11, and the signal line 3aL (Bus_low) is connected to the drain of the N-channel MOSFET 13. A 120Ω termination resistor 15 is connected to the resistance element 12 in parallel. The above constitutes the transmission node 5.

図１において、支線４ｃをなす信号線４ｃＨ，４ｃＬの間には、抵抗素子１６，１７を介して受信回路１８が接続されている。但し、受信回路１８は、シミュレーション上では所定容量のコンデンサとしてシミュレートしており、図中ではコンデンサのシンボルで示している。抵抗素子１６（電流検出部，インピーダンス制御手段）の一端（信号線４ｃＨ側）にはＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９（インピーダンス制御手段，電圧駆動型スイッチング素子）のゲートが接続されており、他端（受信回路１８側）には、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９のソースが接続されている。そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９のドレインは、抵抗素子１７と受信回路１８との共通接続点に接続されている。以上が観測ノード８ｃを構成している。 In FIG. 1, a reception circuit 18 is connected between signal lines 4cH and 4cL forming a branch line 4c via resistance elements 16 and 17. However, the receiving circuit 18 is simulated as a capacitor having a predetermined capacity in the simulation, and is indicated by a capacitor symbol in the drawing. A gate of a P-channel MOSFET 19 (impedance control means, voltage-driven switching element) is connected to one end (signal line 4cH side) of the resistance element 16 (current detection unit, impedance control means), and the other end (reception circuit 18). Side) is connected to the source of a P-channel MOSFET 19. The drain of the P-channel MOSFET 19 is connected to a common connection point between the resistance element 17 and the receiving circuit 18. The above constitutes the observation node 8c.

尚、受信回路１８の容量は２５０ｐＦとし、抵抗素子１６及び１７の抵抗値は１０ｋΩとしている。抵抗素子１７は、信号線４ｃＨ側に抵抗素子１６を挿入したことでバランスを取るため信号線４ｃＬ側に挿入している。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９の閾値電圧Ｖthは例えば１．５Ｖ程度であり、オン抵抗は、伝送線路２のインピーダンスである１２０Ωと等しくなるように設定している。 The capacity of the receiving circuit 18 is 250 pF, and the resistance values of the resistance elements 16 and 17 are 10 kΩ. The resistance element 17 is inserted on the signal line 4cL side in order to balance the resistance element 16 inserted on the signal line 4cH side. Further, the threshold voltage Vth of the P-channel MOSFET 19 is about 1.5 V, for example, and the on-resistance is set to be equal to 120Ω which is the impedance of the transmission line 2.

次に、本実施例の作用について図４及び図５も参照して説明する。送信ノード５において、ハイレベルパルスのゲート駆動信号を与えることでＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１３を同時にオンさせて差動信号を送信する。送信された信号が観測ノード８ｃに到達すると、受信回路１８の容量を充電する。このとき、図４に示す電圧波形は立ち上がりを示す期間となる。 Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIGS. In the transmission node 5, a high level pulse gate drive signal is applied to simultaneously turn on the P-channel MOSFET 11 and the N-channel MOSFET 13 to transmit a differential signal. When the transmitted signal reaches the observation node 8c, the capacity of the receiving circuit 18 is charged. At this time, the voltage waveform shown in FIG.

そして、送信ノード５が伝送線路２のドライブを停止すると、前記容量を充電した電荷が放電される。このとき、図４に示す電圧波形は立ち下がりを示す期間となり、抵抗素子１６には、受信回路１８側より信号線４ｃＨの方向に電流が流れる。すると、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９のゲート電位がソース電位よりも低下して、電位差が閾値Ｖthを超えることでＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９がオンする。これにより、観測ノード８ｃの入力インピーダンスが低下し、伝送線路２のインピーダンスである１２０Ωに等しくなる。 When the transmission node 5 stops driving the transmission line 2, the charge that has charged the capacitor is discharged. At this time, the voltage waveform shown in FIG. 4 has a falling period, and a current flows through the resistance element 16 in the direction of the signal line 4cH from the receiving circuit 18 side. Then, the gate potential of the P-channel MOSFET 19 is lower than the source potential, and the P-channel MOSFET 19 is turned on when the potential difference exceeds the threshold value Vth. As a result, the input impedance of the observation node 8c is lowered and becomes equal to 120Ω, which is the impedance of the transmission line 2.

図４において、実線で示す「対策あり」は観測ノード８ｃがＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９を備えている場合の信号波形であり、破線で示す「対策なし」は観測ノード８ｃがＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９を備えていない場合の信号波形である。両者の相違から明らかなように、「対策あり」の信号波形の立ち下がり時間は、「対策なし」の波形の立ち下がり時間よりも短くなっている。 In FIG. 4, “with countermeasure” indicated by a solid line is a signal waveform when the observation node 8 c includes the P-channel MOSFET 19, and “without countermeasure” indicated by a broken line indicates when the observation node 8 c does not include the P-channel MOSFET 19. It is a signal waveform. As is apparent from the difference between the two, the fall time of the “measured” signal waveform is shorter than the fall time of the “no countermeasure” waveform.

また、図５は、図４の信号波形の変化に対応するもので、信号線４ｃＨに流れる電流波形（丸数字の「１」）と、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９を介して流れる電流波形（丸数字の「２」）を示している。図４に示す電圧波形が立ち下がりに転じる瞬間に、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９が一瞬オンしてインパルス状の電流が流れる。この作用により、信号線４ｃＨに流れる電流の一部がＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９によって消費され、二点鎖線で示す信号線４ｃＨに流れる電流のピークは、破線で示す「対策なし」の場合よりも低くなっている。 FIG. 5 corresponds to the change in the signal waveform of FIG. 4. The current waveform flowing through the signal line 4 cH (circled number “1”) and the current waveform flowing through the P-channel MOSFET 19 (rounded number “ 2 "). At the moment when the voltage waveform shown in FIG. 4 starts to fall, the P-channel MOSFET 19 is turned on momentarily and an impulse-like current flows. As a result, a part of the current flowing through the signal line 4cH is consumed by the P-channel MOSFET 19, and the peak of the current flowing through the signal line 4cH indicated by the two-dot chain line is lower than that of “no countermeasure” indicated by the broken line. Yes.

以上のように本実施例によれば、伝送線路２に接続される観測ノード８ｃにおいて、抵抗素子１６により検知される、伝送線路２の支線４ｃに流れる電流の変化に基づいてＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９をオンさせ、受信回路１８の容量を充電するように流入したものが流出に転じることで信号線４ｃＨに流れる電流をＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９により消費させ、受信信号波形の立ち下がり時間を短縮するように入力インピーダンスを変化させるようにした。 As described above, according to the present embodiment, in the observation node 8c connected to the transmission line 2, the P-channel MOSFET 19 is turned on based on the change in the current flowing through the branch line 4c of the transmission line 2 detected by the resistance element 16. As a result, the current flowing in the signal line 4cH is consumed by the P-channel MOSFET 19 when the flowed in so as to charge the capacity of the receiving circuit 18 is turned out, and the input impedance is set so as to shorten the falling time of the received signal waveform. I changed it.

したがって、極めて簡単な構成によって受信信号波形の立ち下がり時間を短縮でき、中継器を使用することなく線路長を延ばしたり、通信ノードの最大接続数を増やすことが可能になる。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９がオンした際の抵抗が、伝送線路２のインピーダンスと等しくなるように設定したので、受信信号が支線４ｃ側に極力反射させないようにして不要輻射ノイズが発生することを抑制できる。 Accordingly, the fall time of the received signal waveform can be shortened with an extremely simple configuration, and the line length can be extended without using a repeater, or the maximum number of communication nodes can be increased. Further, since the resistance when the P-channel MOSFET 19 is turned on is set to be equal to the impedance of the transmission line 2, it is possible to suppress the generation of unnecessary radiation noise by preventing the received signal from being reflected to the branch line 4c as much as possible. .

（第２実施例）
以降、既に説明済みの構成と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、異なる部分についてのみで説明する。第２実施例では、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９のドレインに抵抗素子２０（インピーダンス制御手段）を挿入して、受信ノード２１を構成している。このように構成すれば、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９のオン抵抗のみでは所望の抵抗値を得ることが困難な場合でも、抵抗素子２０の抵抗値を変化させることで調整を容易に行うことができる。 (Second embodiment)
Hereinafter, the same parts as those already described are denoted by the same reference numerals, description thereof is omitted, and only different parts will be described. In the second embodiment, the reception node 21 is configured by inserting a resistance element 20 (impedance control means) into the drain of the P-channel MOSFET 19. With this configuration, even when it is difficult to obtain a desired resistance value only by the on-resistance of the P-channel MOSFET 19, adjustment can be easily performed by changing the resistance value of the resistance element 20.

（第３実施例）
第３実施例では、第１実施例の構成より抵抗素子１６，１７を削除し、抵抗素子１６に替えて、信号線４ｃＨの電流変化をカレントトランス２２（電流検知部，インピーダンス制御手段）によって検出し、前記電流変化に応じた電圧信号をＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９のゲートに印加する。以上が受信ノード２３を構成している。このように構成した場合も、受信信号波形の立ち下がり期間において受信回路１８側より信号線４ｃＨ側に電流が流出すると、カレントトランス２２がその電流変化を検出することでゲート電位を低下させてＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９をオンさせることができる。 (Third embodiment)
In the third embodiment, the resistance elements 16 and 17 are deleted from the configuration of the first embodiment, and instead of the resistance element 16, a current change in the signal line 4cH is detected by the current transformer 22 (current detection unit, impedance control means). Then, a voltage signal corresponding to the current change is applied to the gate of the P-channel MOSFET 19. The above constitutes the receiving node 23. Even in such a configuration, when a current flows out from the receiving circuit 18 side to the signal line 4cH side during the falling period of the received signal waveform, the current transformer 22 detects the change in the current, thereby lowering the gate potential. The channel MOSFET 19 can be turned on.

（第４実施例）
第４実施例では、第３実施例のカレントトランス２２に替えて、信号線４ｃＨにダイオード２４（アノードが受信回路１８側）及び抵抗素子２５の直列回路を挿入し、この直列回路に並列に、ダイオード２６をダイオード２４とは逆方向となるように接続している（電流検知部，インピーダンス制御手段）。以上が受信ノード２７を構成している。 (Fourth embodiment)
In the fourth embodiment, instead of the current transformer 22 of the third embodiment, a series circuit of a diode 24 (anode is on the receiving circuit 18 side) and a resistance element 25 is inserted in the signal line 4cH, and in parallel with this series circuit, The diode 26 is connected to be opposite to the diode 24 (current detection unit, impedance control means). The above constitutes the receiving node 27.

このように構成すれば、受信信号波形の立ち上がり期間では、電流はダイオード２６を介して受信回路１８側に流入する。一方、上記波形の立ち上がり期間では、電流は受信回路１８よりダイオード２４を介して信号線４ｃＨ側に流出する。このとき、ダイオード２４の順方向電圧Ｖｆと、抵抗素子２５に発生する電圧降下分とを加えた電圧が閾値電圧Ｖthを超えることでＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９がオンする。 According to this configuration, current flows into the receiving circuit 18 via the diode 26 during the rising period of the received signal waveform. On the other hand, during the rising period of the waveform, current flows from the receiving circuit 18 to the signal line 4cH side via the diode 24. At this time, the P-channel MOSFET 19 is turned on when the voltage obtained by adding the forward voltage Vf of the diode 24 and the voltage drop generated in the resistance element 25 exceeds the threshold voltage Vth.

（第５実施例）
第５実施例は、第１実施例のＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９をＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８（インピーダンス制御手段，電圧駆動型スイッチング素子）に置き換えたもので、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８のソースを受信回路１８と抵抗素子１７（電流検出部，インピーダンス制御手段）の共通接続点に接続し、ゲートを抵抗素子１７と信号線４ｃＬとの共通接続点に接続する。以上が受信ノード２９を構成している。このように構成すれば、受信信号波形の立ち下がり期間において、信号線４ｃＬ側では電流が受信回路１８側に流入する方向となるので、ゲート電位が上昇してＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２８がオンする。したがって、第１実施例と同様の効果が得られる。 (5th Example)
In the fifth embodiment, the P-channel MOSFET 19 of the first embodiment is replaced with an N-channel MOSFET 28 (impedance control means, voltage-driven switching element). The source of the N-channel MOSFET 28 is the receiving circuit 18 and the resistance element 17 (current). The detector is connected to the common connection point of the impedance control means), and the gate is connected to the common connection point of the resistance element 17 and the signal line 4cL. The above constitutes the receiving node 29. With this configuration, during the falling period of the received signal waveform, the current flows into the receiving circuit 18 side on the signal line 4cL side, so the gate potential rises and the N-channel MOSFET 28 is turned on. Therefore, the same effect as the first embodiment can be obtained.

（第６実施例）
第６実施例は、伝送線路が差動信号を伝送するものではなく、受信回路１８は、信号線３０に挿入された抵抗素子１６とグランドとの間に接続されている。これにより、受信ノード３１が構成されている。すなわち、伝送線路が信号線３０のみからなるシングルエンド型に本発明を適用した場合を示す。このように構成した場合も、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１９は第１実施例と同様に動作して、受信信号波形の立ち下がり時間を短縮するように動作する。 (Sixth embodiment)
In the sixth embodiment, the transmission line does not transmit a differential signal, and the receiving circuit 18 is connected between the resistance element 16 inserted in the signal line 30 and the ground. Thereby, the receiving node 31 is configured. That is, the case where the present invention is applied to a single-ended type in which the transmission line is composed of only the signal line 30 is shown. Even in such a configuration, the N-channel MOSFET 19 operates in the same manner as in the first embodiment so as to shorten the fall time of the received signal waveform.

本発明は上記した、又は図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、以下のような変形又は拡張が可能である。
伝送線路の線路長や、伝送線路に接続する通信ノードの数は、適宜変更して実施すれば良い。
また、抵抗値や容量値，ＭＯＳＦＥＴの閾値電圧等についても、個別の設計に応じて適宜変更すれば良い。
第３〜第６実施例において、第２実施例と同様にＭＯＳＦＥＴと直列に抵抗素子を接続しても良い。 The present invention is not limited to the embodiments described above or shown in the drawings, and the following modifications or expansions are possible.
The line length of the transmission line and the number of communication nodes connected to the transmission line may be changed as appropriate.
Further, the resistance value, the capacitance value, the threshold voltage of the MOSFET, and the like may be appropriately changed according to the individual design.
In the third to sixth embodiments, a resistance element may be connected in series with the MOSFET as in the second embodiment.

第４実施例において、ダイオード２４の順方向電圧のみでＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１９をオンさせることができれば、抵抗素子２５を削除しても良い。また、ダイオードを複数個直列に接続しても良い。
立ち下がり時間の短縮について十分な効果が得られれば、必ずしも、伝送線路のインピーダンスと整合させるようにインピーダンスを変化させる必要はない。 In the fourth embodiment, if the P-channel MOSFET 19 can be turned on only by the forward voltage of the diode 24, the resistance element 25 may be omitted. A plurality of diodes may be connected in series.
If a sufficient effect for shortening the fall time is obtained, it is not always necessary to change the impedance so as to match the impedance of the transmission line.

図面中、２は伝送線路、８ｃは観測ノード（受信装置）、１６は抵抗素子（電流検出部，インピーダンス制御手段）、１９はＰチャネルＭＯＳＦＥＴ（インピーダンス制御手段）、１８は受信回路を示す。 In the drawing, 2 is a transmission line, 8c is an observation node (receiving device), 16 is a resistance element (current detection unit, impedance control means), 19 is a P-channel MOSFET (impedance control means), and 18 is a receiving circuit.

Claims

A receiving circuit (18) for receiving a signal transmitted via the transmission line (2);
A current detection unit (16, 17, 22, 24 to 26) for detecting a current flowing through the transmission line is provided, and a fall time of the received signal waveform is determined based on a change in current detected by the current detection unit. A receiving apparatus comprising: impedance control means (19, 20, 28) for changing input impedance so as to shorten.

The said impedance control means (19, 20) changes the said input impedance when the electric current which flows into the said transmission line starts to flow out from the direction which flows in into the said receiving circuit, and starts flowing out. The receiving device described.

The receiving apparatus according to claim 2, wherein the impedance control means (19, 20, 28) changes the input impedance so as to consume a current flowing out from the receiving circuit.

4. The receiving apparatus according to claim 1, wherein the impedance control means (19, 20, 28) changes the input impedance so as to match the impedance of the transmission line.

The impedance control means includes a MOSFET (19, 28) in which a source and a gate are connected to both ends of the current detection unit, and a drain is connected to a transmission line on a side different from the side where the current detection unit is inserted. The receiving apparatus according to claim 1, comprising:

6. The receiving apparatus according to claim 5, wherein the impedance control means includes a resistance element (20) connected in series with the MOSFET.

The receiving device according to claim 1, wherein the current detection unit includes a resistance element (16, 17) inserted into the transmission line.

The receiving device according to claim 1, wherein the current detection unit includes a current transformer.

The current detection unit includes one or more diodes (24, 26) inserted into the transmission line and connected in opposite directions to each other. The receiving device described in 1.

The receiving device according to claim 9, wherein the current detection unit includes a resistance element (25) connected in series to the diode.