JP2013197000A - Organic el device and electronic apparatus - Google Patents

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周一 武井
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL device with a long lifetime.SOLUTION: A pixel 71 of an organic EL device 11 includes a first sub pixel and further includes a first element region 41B and a second element region 41G. In the first element region 41B, a first light-emitting layer 63B is formed, and in the second element region 41G, a second light-emitting layer 63G is formed. The first sub pixel includes a first electrode formed across the first element region 41B and the second element region 41G, and a first color filter through which a first color is translucent is disposed to be overlapped with the first sub pixel in a plane view. Since display of the first color in the second element region is added to display of the first color in the first element region, light-emitting luminance of the first light-emitting layer 63B can be reduced. Therefore, a lifetime of the first light-emitting layer 63B is prolonged. Thus, the organic EL device 11 which indicates a high display definition and has a product lifetime of a practical level can be manufactured easily.

Description

本発明は、有機EL装置及び電子機器に関する。   The present invention relates to an organic EL device and an electronic apparatus.

有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)装置は、陽極と陰極との間に発光機能層を挟持した構造をなしている。発光機能層としては、例えば、陽極側から順に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が積層された構成が挙げられる。そして、陽極と陰極との間に電圧を印加する事によって、正孔輸送層から正孔が、電子輸送層から電子が発光層に注入され、これらが再結合する事で発光が行われる。   An organic electroluminescence (organic EL) device has a structure in which a light emitting functional layer is sandwiched between an anode and a cathode. Examples of the light emitting functional layer include a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are stacked in this order from the anode side. Then, by applying a voltage between the anode and the cathode, holes are injected from the hole transport layer and electrons are injected from the electron transport layer into the light emitting layer, and light is emitted by recombination thereof.

こうした有機EL装置では、カラー表示を実現する為に、赤の発光層(赤発光層)と緑の発光層(緑発光層)と青の発光層(青発光層)とを、マスク蒸着法やインクジェット法などを用いて、サブピクセル毎に形成し分けている。即ち、赤サブピクセルと緑サブピクセルと青サブピクセルとで一つの画素を構成し、こうした画素を複数個行列状に配列してカラー表示する有機EL装置としていた。昨今では、赤発光層と緑発光層との寿命は10万時間程度と、概ね実用レベルに達している。一方、青発光層は実用レベルに到達したとは言い難い状況にあり、実際に青発光層の寿命は5千時間程度に限られている。   In such an organic EL device, in order to realize color display, a red light emitting layer (red light emitting layer), a green light emitting layer (green light emitting layer), and a blue light emitting layer (blue light emitting layer) are formed by mask vapor deposition or Each subpixel is formed and divided using an inkjet method or the like. That is, the red subpixel, the green subpixel, and the blue subpixel constitute one pixel, and a plurality of such pixels are arranged in a matrix to display a color. Nowadays, the lifespan of the red light emitting layer and the green light emitting layer is about a practical level of about 100,000 hours. On the other hand, it is difficult to say that the blue light emitting layer has reached a practical level, and the lifetime of the blue light emitting layer is actually limited to about 5,000 hours.

そこで、従来は、特許文献1及び2に記載されている様に、赤発光層と緑発光層との発光面積に比べて、青発光層の発光面積を広くしていた。これは、発光面積を広くすると、発光輝度を低くする事ができ、発光輝度が低くなると、発光層の寿命が伸びるからである。これにより青発光層の寿命を伸ばして、有機EL装置に必要とされる製品寿命を満たしていた。   Therefore, conventionally, as described in Patent Documents 1 and 2, the light emitting area of the blue light emitting layer is larger than the light emitting areas of the red light emitting layer and the green light emitting layer. This is because if the light emitting area is widened, the light emission luminance can be lowered, and if the light emission luminance is low, the life of the light emitting layer is extended. Thereby, the lifetime of the blue light emitting layer was extended, and the product lifetime required for the organic EL device was satisfied.

特開2004−103519号公報JP 2004-103519 A 特開2010−118273号公報JP 2010-118273 A

しかしながら、従来の有機EL装置では、効率的な製造が困難であるという課題と、優れた表示画質をもたらす高解像度化が困難であるという課題とがあった。各色の発光層をサブピクセル毎に作り分けるには、パターニング性が高く、大面積化が容易であり、しかも材料の使用効率が高い塗布法を採用するのが有利である。塗布法としては、インクジェット法が広く採用されている。具体的に、インクジェット法では、正孔注入層や発光材料などを含むインク組成物をインクジェットヘッドから所定のサブピクセルに吐出し、吐出されたインク組成物を乾燥する事で発光機能層を形成している。ところが、色毎のサブピクセルに依り面積が異なると、サブピクセルに応じてインク組成物の吐出量が異なる事になる。この為に乾燥条件などの工程条件を総ての色に対して最適とする事ができなかった。例えば、発光面積が広くそれに応じて吐出量も多い青発光層に合わせて乾燥条件を定めると、発光面積が狭く吐出量も少ない赤発光層では乾燥させ過ぎ(熱劣化を招く)との状況となっていた。又、高解像度化を進める際にも、小面積のサブピクセル(例えば、赤サブピクセルや緑サブピクセル)が小さいので、インク組成物を正確に塗布する事が困難となり、事実上、高解像度化を進められなかった。換言すると、従来は、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機EL装置を高効率な製造工程で実現する事が困難であるという課題が有った。   However, the conventional organic EL device has a problem that it is difficult to manufacture efficiently and a problem that it is difficult to achieve high resolution that provides excellent display image quality. In order to make the light emitting layer of each color separately for each subpixel, it is advantageous to adopt a coating method that has high patternability, is easy to increase in area, and has high material use efficiency. As a coating method, an ink jet method is widely adopted. Specifically, in the ink jet method, an ink composition including a hole injection layer and a light emitting material is ejected from an ink jet head to a predetermined subpixel, and the ejected ink composition is dried to form a light emitting functional layer. ing. However, if the area differs depending on the subpixel for each color, the ejection amount of the ink composition differs depending on the subpixel. For this reason, process conditions such as drying conditions could not be optimized for all colors. For example, if the drying conditions are determined according to the blue light emitting layer having a large light emitting area and a large discharge amount, the red light emitting layer having a small light emitting area and a small discharge amount is dried too much (causes thermal deterioration). It was. In addition, when the resolution is increased, the small area sub-pixel (for example, the red sub-pixel and the green sub-pixel) is small, so that it is difficult to accurately apply the ink composition. Could not proceed. In other words, conventionally, there has been a problem that it is difficult to realize an organic EL device that exhibits high display quality and has a practical product life in a highly efficient manufacturing process.

本発明は、前述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。尚、以下の形態又は適用例において、「上」とは、基板から見て発光素子が配置された方向を示し、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され一部が他の構成物を介して配置される場合、を表すものとする。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples. In the following embodiments or application examples, “up” indicates the direction in which the light emitting elements are arranged when viewed from the substrate. For example, when “on the substrate” is described, the “on” substrate is arranged so as to be in contact with the substrate. Or when placed on the substrate via other components, or when placed partially on the substrate and partially placed via other components, It shall represent.

(適用例1) 本適用例に係わる有機EL装置は、画素を備え、画素は、第一サブピクセルを有すると共に、第一要素領域と第二要素領域とを含み、第一要素領域には第一の色を主に発光する第一発光層が形成され、第二要素領域には第二の色を主に発光する第二発光層が形成され、第一サブピクセルは、第一要素領域と第二要素領域とに跨って形成された第一第一電極を有し、第一の色を主に透過する第一カラーフィルターが、第一サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事を特徴とする。
この構成によれば、第一要素領域における第一の色の表示に、第二要素領域における第一の色の表示を加える事ができる。これにより、第一発光層での発光輝度を低くする事ができ、従って、第一発光層の寿命が伸ばされる。カラー表示を実現する複数の色の中で、寿命の短い色を第一発光層で発光させる事により、第一発光層の寿命を伸ばして、有機EL装置の製品寿命を長くする事ができる。
Application Example 1 An organic EL device according to this application example includes a pixel, the pixel includes a first sub-pixel and includes a first element region and a second element region. A first light emitting layer that mainly emits light of one color is formed, a second light emitting layer that mainly emits light of a second color is formed in the second element region, and the first subpixel includes a first element region and A first color filter having a first first electrode formed across the second element region and mainly transmitting the first color is disposed so as to overlap the first sub-pixel in a plan view. It is characterized by being.
According to this configuration, the display of the first color in the second element region can be added to the display of the first color in the first element region. Thereby, the light emission luminance in the first light emitting layer can be lowered, and thus the life of the first light emitting layer is extended. By causing the first light emitting layer to emit a short-lived color among a plurality of colors that realize color display, the life of the first light emitting layer can be extended and the product life of the organic EL device can be extended.

(適用例2) 上記適用例1に係わる有機EL装置において、画素は、更に第二サブピクセルを有し、第二サブピクセルは、第二要素領域に形成された第二第一電極を有し、第二の色を主に透過する第二カラーフィルターが、第二サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事が好ましい。
この構成によれば、第一要素領域と第二要素領域との第一第一電極に相当する箇所で第一の色を表示させる事に加え、第二要素領域の第二第一電極に相当する箇所で第二の色を表示させる事ができる。従って、複数の色を表示する有機EL装置を実現できる。
Application Example 2 In the organic EL device according to Application Example 1, the pixel further includes a second subpixel, and the second subpixel includes a second first electrode formed in the second element region. The second color filter that mainly transmits the second color is preferably arranged so as to overlap the second subpixel in plan view.
According to this configuration, in addition to displaying the first color at a location corresponding to the first first electrode of the first element region and the second element region, it corresponds to the second first electrode of the second element region. The second color can be displayed at the place where you do. Therefore, an organic EL device that displays a plurality of colors can be realized.

(適用例3) 上記適用例1に係わる有機EL装置において、画素は、更に第二サブピクセルを有すると共に、第三要素領域を含み、第三要素領域には第三の色を主に発光する第三発光層が形成され、第二サブピクセルは、第二要素領域と第三要素領域とに跨って形成された第二第一電極を有し、第二の色を主に透過する第二カラーフィルターが、第二サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事が好ましい。
この構成によれば、第一要素領域と第二要素領域との第一第一電極に相当する箇所で第一の色を表示させる事に加え、第二要素領域と第三要素領域との第二第一電極に相当する箇所で第二の色を表示させる事ができる。従って、複数の色を表示する有機EL装置を実現できる。更に、第二要素領域における第二の色の表示に、第三要素領域における第二の色の表示を加える事ができる。これにより、第二発光層での発光輝度を低くする事ができ、第二発光層の寿命を伸ばす事ができる。
Application Example 3 In the organic EL device according to Application Example 1, the pixel further includes a second sub-pixel, includes a third element region, and the third element region mainly emits a third color. A third light emitting layer is formed, and the second subpixel has a second first electrode formed across the second element region and the third element region, and the second subpixel mainly transmits the second color. The color filter is preferably disposed so as to overlap the second subpixel in plan view.
According to this configuration, in addition to displaying the first color at the location corresponding to the first first electrode of the first element region and the second element region, the second element region and the third element region The second color can be displayed at a location corresponding to the second first electrode. Therefore, an organic EL device that displays a plurality of colors can be realized. Furthermore, the display of the second color in the third element region can be added to the display of the second color in the second element region. Thereby, the light emission luminance in the second light emitting layer can be lowered, and the life of the second light emitting layer can be extended.

(適用例4) 上記適用例3に係わる有機EL装置において、画素は、更に第三サブピクセルを有し、第三サブピクセルは、第三要素領域に形成された第三第一電極を有し、第三の色を主に透過する第三カラーフィルターが、第三サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事が好ましい。
この構成によれば、第三要素領域の第三第一電極に相当する箇所で第三の色を表示させる事ができる。従って、三原色を用いてカラー表示する有機EL装置を実現できる。
Application Example 4 In the organic EL device according to Application Example 3, the pixel further includes a third sub-pixel, and the third sub-pixel includes a third first electrode formed in the third element region. The third color filter that mainly transmits the third color is preferably disposed so as to overlap the third subpixel in plan view.
According to this configuration, it is possible to display the third color at a position corresponding to the third first electrode in the third element region. Therefore, an organic EL device that performs color display using the three primary colors can be realized.

(適用例5) 上記適用例に係わる有機EL装置において、第一要素領域の面積と第二要素領域の面積とがほぼ等しい事が好ましい。
この構成によれば、第一発光層や第二発光層といった発光機能層を製造効率に優れる塗布法にて形成しても、第一要素領域と第二要素領域との面積が等しいので、工程条件を両方に対して最適とする事ができる。又、一方のサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる。換言すると、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機EL装置を高効率な製造工程で実現する事ができる。
Application Example 5 In the organic EL device according to the application example described above, it is preferable that the area of the first element region and the area of the second element region are substantially equal.
According to this configuration, even if the light emitting functional layer such as the first light emitting layer and the second light emitting layer is formed by a coating method having excellent manufacturing efficiency, the areas of the first element region and the second element region are equal, Conditions can be optimal for both. In addition, since one of the subpixels is not small, it is possible to increase the resolution. In other words, an organic EL device that exhibits high display quality and has a practical product life can be realized by a highly efficient manufacturing process.

(適用例6) 上記適用例3又は4に係わる有機EL装置において、第一要素領域の面積と第二要素領域の面積と第三要素領域の面積とがほぼ等しい事が好ましい。
この構成によれば、第一発光層や第二発光層、第三発光層といった発光機能層を製造効率に優れる塗布法にて形成しても、第一要素領域と第二要素領域と第三要素領域との面積が等しいので、工程条件を三つの要素領域に対して最適とする事ができる。又、一つのサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる。換言すると、高いカラー表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機EL装置を高効率な製造工程で実現する事ができる。
Application Example 6 In the organic EL device according to Application Example 3 or 4, it is preferable that the area of the first element region, the area of the second element region, and the area of the third element region are substantially equal.
According to this configuration, even if the light emitting functional layers such as the first light emitting layer, the second light emitting layer, and the third light emitting layer are formed by a coating method with excellent manufacturing efficiency, the first element region, the second element region, and the third light emitting layer are formed. Since the area with the element regions is equal, the process conditions can be optimized for the three element regions. In addition, since one subpixel is not small, the resolution can be increased. In other words, an organic EL device that exhibits high color display quality and has a practical product life can be realized by a highly efficient manufacturing process.

(適用例7) 上記適用例2に係わる有機EL装置において、第一要素領域にて第一発光層が第一第一電極と電気的に接触している平面積と、第二要素領域にて第二発光層が第一第一電極及び第二第一電極と電気的に接触している平面積と、がほぼ等しい事が好ましい。
この構成によれば、第一発光層や第二発光層といった発光機能層を製造効率に優れる塗布法にて形成しても、第一要素領域と第二要素領域との面積が等しいので、工程条件を両方に対して最適とする事ができる。又、一方のサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる。換言すると、高い表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機EL装置を高効率な製造工程で実現する事ができる。
Application Example 7 In the organic EL device according to Application Example 2, in the first element region, the first light emitting layer is in electrical contact with the first first electrode, and in the second element region. It is preferable that the planar area in which the second light emitting layer is in electrical contact with the first first electrode and the second first electrode is substantially equal.
According to this configuration, even if the light emitting functional layer such as the first light emitting layer and the second light emitting layer is formed by a coating method having excellent manufacturing efficiency, the areas of the first element region and the second element region are equal, Conditions can be optimal for both. In addition, since one of the subpixels is not small, it is possible to increase the resolution. In other words, an organic EL device that exhibits high display quality and has a practical product life can be realized by a highly efficient manufacturing process.

(適用例8) 上記適用例4に係わる有機EL装置において、第一要素領域にて第一発光層が第一第一電極と電気的に接触している平面積と、第二要素領域にて第二発光層が第一第一電極及び第二第一電極と電気的に接触している平面積と、第三要素領域にて第三発光層が第二第一電極及び第三第一電極と電気的に接触している平面積と、がほぼ等しい事が好ましい。
この構成によれば、第一発光層や第二発光層、第三発光層といった発光機能層を製造効率に優れる塗布法にて形成しても、第一要素領域と第二要素領域と第三要素領域との面積が等しいので、工程条件を三つの要素領域に対して最適とする事ができる。又、一つのサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる。換言すると、高いカラー表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機EL装置を高効率な製造工程で実現する事ができる。
Application Example 8 In the organic EL device according to Application Example 4, in the first element region, the first light emitting layer is in electrical contact with the first first electrode, and in the second element region The plane area where the second light emitting layer is in electrical contact with the first first electrode and the second first electrode, and the third light emitting layer is the second first electrode and the third first electrode in the third element region. It is preferable that the plane area in electrical contact with the substrate is substantially equal.
According to this configuration, even if the light emitting functional layers such as the first light emitting layer, the second light emitting layer, and the third light emitting layer are formed by a coating method with excellent manufacturing efficiency, the first element region, the second element region, and the third light emitting layer are formed. Since the area with the element regions is equal, the process conditions can be optimized for the three element regions. In addition, since one subpixel is not small, the resolution can be increased. In other words, an organic EL device that exhibits high color display quality and has a practical product life can be realized by a highly efficient manufacturing process.

(適用例9) 上記適用例4に係わる有機EL装置において、第一第一電極が第一発光層及び第二発光層と電気的に接触している総平面積と、第二第一電極が第二発光層及び第三発光層と電気的に接触している総平面積と、第三第一電極が第三発光層と電気的に接触している総平面積と、の比が、概ね15:10:5である事が好ましい。
高いカラー表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機EL装置を高効率な製造工程で実現する事ができる。
Application Example 9 In the organic EL device according to Application Example 4, the first planar electrode is in total contact with the first light emitting layer and the second light emitting layer, and the second first electrode is The ratio of the total plane area in electrical contact with the second and third light emitting layers to the total plane area in which the third first electrode is in electrical contact with the third light emitting layer is approximately It is preferably 15: 10: 5.
An organic EL device having a high color display quality and a practical product life can be realized by a highly efficient manufacturing process.

(適用例10) 上記適用例に係わる有機EL装置において、第一の色が青である事が好ましい。
この構成によれば、寿命が実用レベルに達している赤と緑のサブピクセルに対して、短寿命の青のサブピクセルを大きくする事で、青発光層の寿命を伸ばし、有機EL装置の製品寿命を伸ばす事ができる。従って、高いカラー表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機EL装置を高効率な製造工程で実現する事ができる。
Application Example 10 In the organic EL device according to the application example, it is preferable that the first color is blue.
According to this configuration, the lifetime of the blue light-emitting layer is increased by increasing the short-lived blue sub-pixel for the red and green sub-pixels whose lifetime has reached the practical level. You can extend your life. Therefore, an organic EL device that exhibits high color display quality and has a practical product life can be realized by a highly efficient manufacturing process.

(適用例11) 本適用例に係わる電子機器は、上記適用例に係わる有機EL装置を備えた事を特徴とする。
この構成によれば、高いカラー表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機EL装置を備えた電子機器を高効率な製造工程で実現する事ができる。
Application Example 11 An electronic apparatus according to this application example includes the organic EL device according to the application example.
According to this configuration, an electronic device including an organic EL device that exhibits high color display quality and has a practical product life can be realized by a highly efficient manufacturing process.

有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of the organic EL device. 画素の構成を説明する模式斜視図。FIG. 3 is a schematic perspective view illustrating a configuration of a pixel. 有機EL装置の構成を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the structure of an organic electroluminescent apparatus. 画素の構造を説明する模式図。3 is a schematic diagram illustrating a structure of a pixel. FIG. 発光素子から発せられた光の強度スペクトルを示す図。FIG. 9 shows an intensity spectrum of light emitted from a light-emitting element. カラーフィルターCFの光透過率スペクトルを示す図。The figure which shows the light transmittance spectrum of color filter CF. 第三サブピクセル(赤サブピクセル)の赤表示を示す図。The figure which shows the red display of a 3rd sub pixel (red sub pixel). 第二サブピクセル(緑サブピクセル)の緑表示を示す図。The figure which shows the green display of a 2nd subpixel (green subpixel). 第一サブピクセル(青サブピクセル)の青表示を示す図。The figure which shows the blue display of a 1st subpixel (blue subpixel). 有機EL装置の製造工程を示す模式図。The schematic diagram which shows the manufacturing process of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造工程を示す模式図。The schematic diagram which shows the manufacturing process of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造工程を示す模式図。The schematic diagram which shows the manufacturing process of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造工程を示す模式図。The schematic diagram which shows the manufacturing process of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造工程を示す模式図。The schematic diagram which shows the manufacturing process of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造工程を示す模式図。The schematic diagram which shows the manufacturing process of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造工程を示す模式図。The schematic diagram which shows the manufacturing process of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造工程を示す模式図。The schematic diagram which shows the manufacturing process of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造工程を示す模式図。The schematic diagram which shows the manufacturing process of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造工程を示す模式図。The schematic diagram which shows the manufacturing process of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置を備えるテレビを模式的に示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows typically a television provided with an organic EL apparatus. 変形例2に係わる有機EL装置の製造工程を示す模式図。FIG. 10 is a schematic diagram showing a manufacturing process of an organic EL device according to Modification 2. 変形例2に係わる有機EL装置の製造工程を示す模式図。FIG. 10 is a schematic diagram showing a manufacturing process of an organic EL device according to Modification 2.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the scale of each layer and each member is made different from the actual scale so that each layer and each member can be recognized.

(実施形態1)
「有機EL装置の構成」
まず、有機EL装置11の構成を、図1と図2と図3とを参照して説明する。図1は本実施形態に係わる有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図1に示す様に、有機EL装置11は、複数の走査線12と、走査線12に対して交差する方向に延びる複数の信号線13と、が縦横に配線されている。更に、複数の第一電源線14が信号線13に並行して配線され、複数の第二電源線17が走査線12に並行して配線されている。本実施形態では、第一電源線14に正電源電位Vddが供給され、第二電源線17に負電源電位Vssが供給される。信号線13は信号線駆動回路15に接続されて、走査線12は、走査線駆動回路16に接続されている。走査線12と信号線13とにより区画された一つの行列要素の領域が要素領域41(第一要素領域41Bと第二要素領域41G、第三要素領域41R)となる。即ち、要素領域41が実表示領域32aで行列状に配列されている。
(Embodiment 1)
"Configuration of organic EL device"
First, the configuration of the organic EL device 11 will be described with reference to FIG. 1, FIG. 2, and FIG. FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing an electrical configuration of the organic EL device according to this embodiment. As shown in FIG. 1, in the organic EL device 11, a plurality of scanning lines 12 and a plurality of signal lines 13 extending in a direction intersecting the scanning lines 12 are wired vertically and horizontally. Further, a plurality of first power supply lines 14 are wired in parallel with the signal lines 13, and a plurality of second power supply lines 17 are wired in parallel with the scanning lines 12. In the present embodiment, a positive power supply potential Vdd is supplied to the first power supply line 14 and a negative power supply potential Vss is supplied to the second power supply line 17. The signal line 13 is connected to the signal line driving circuit 15, and the scanning line 12 is connected to the scanning line driving circuit 16. An area of one matrix element divided by the scanning line 12 and the signal line 13 is an element area 41 (first element area 41B, second element area 41G, and third element area 41R). That is, the element areas 41 are arranged in a matrix in the actual display area 32a.

一つの画素71は少なくとも第一サブピクセルと第二サブピクセルとを含み、各サブピクセル42は異なった色を表示する。通常は、三個以上のサブピクセル42から一つの画素71が構成される。本実施形態では、一つの画素71は、第一サブピクセルと第二サブピクセルと第三サブピクセルとからなる。一例として、第一サブピクセルは青色の表示をする青サブピクセル42Bであり、第二サブピクセルは緑色の表示をする緑サブピクセル42Gであり、第三サブピクセルは赤色の表示をする赤サブピクセル42Rである。   One pixel 71 includes at least a first subpixel and a second subpixel, and each subpixel 42 displays a different color. Usually, one pixel 71 is composed of three or more subpixels 42. In the present embodiment, one pixel 71 includes a first subpixel, a second subpixel, and a third subpixel. As an example, the first subpixel is a blue subpixel 42B that displays blue, the second subpixel is a green subpixel 42G that displays green, and the third subpixel is a red subpixel that displays red. 42R.

更に、一つの画素71は少なくとも第一要素領域41Bと第二要素領域41Gとを含み、各要素領域41に設けられた発光素子27は要素領域41毎に異なった色の光を発光する。通常は、三個以上の要素領域41から一つの画素71が構成され、一つの画素71内でサブピクセルの数と要素領域41の数とは同じである。本実施形態では、一つの画素71は、第一要素領域41Bと第二要素領域41Gと第三要素領域41Rとからなる。第一要素領域41Bは第一の色を主に発光する第一発光素子(青色を主に発光する青発光素子27B、図4参照)を有しており、第一発光素子(青発光素子27B)は第一発光層(青発光層63B)を含んでいる。又、第二要素領域41Gは第二の色を主に発光する第二発光素子(緑色を主に発光する緑発光素子27G、図4参照)を有しており、第二発光素子(緑発光素子27G)は第二発光層(緑発光層63G)を含んでいる。更に、第三要素領域41Rは第三の色を主に発光する第三発光素子(赤色を主に発光する赤発光素子27R、図4参照)を有しており、第三発光素子(赤発光素子27R)は第三発光層(赤発光層63R)を含んでいる。第一サブピクセルは第一要素領域41Bの一部(本実施形態では第一要素領域41Bの全部)と第二要素領域41Gの一部とに跨って形成され、第二サブピクセルは第二要素領域41Gの一部と第三要素領域41Rの一部とに跨って形成され、第三サブピクセルは第三要素領域41Rの一部に形成される。以降、第一サブピクセルと第二サブピクセルと第三サブピクセルとを特に区別する必要がない場合(赤サブピクセル42Rと、緑サブピクセル42Gと、青サブピクセル42Bと、を特に区別する必要がない場合)、単にサブピクセル42と称する。同様に、第一要素領域41Bと第二要素領域41Gと第三要素領域41Rとを特に区別する必要がない場合、単に要素領域41と称する。発光素子27や発光層63なども同様である。   Further, one pixel 71 includes at least a first element region 41B and a second element region 41G, and the light emitting element 27 provided in each element region 41 emits light of a different color for each element region 41. Usually, one pixel 71 is composed of three or more element regions 41, and the number of subpixels and the number of element regions 41 in the one pixel 71 are the same. In the present embodiment, one pixel 71 includes a first element region 41B, a second element region 41G, and a third element region 41R. The first element region 41B includes a first light emitting element that mainly emits light of a first color (a blue light emitting element 27B that mainly emits blue light, see FIG. 4), and the first light emitting element (blue light emitting element 27B). ) Includes the first light emitting layer (blue light emitting layer 63B). The second element region 41G has a second light emitting element that mainly emits light of the second color (green light emitting element 27G that mainly emits green light, see FIG. 4), and the second light emitting element (green light emitting element). The element 27G) includes a second light emitting layer (green light emitting layer 63G). Further, the third element region 41R includes a third light emitting element that mainly emits the third color (red light emitting element 27R that mainly emits red, see FIG. 4), and the third light emitting element (red light emitting). The element 27R) includes a third light emitting layer (red light emitting layer 63R). The first subpixel is formed across a part of the first element region 41B (the whole of the first element region 41B in this embodiment) and a part of the second element region 41G, and the second subpixel is a second element. A part of the region 41G and a part of the third element region 41R are formed, and the third sub-pixel is formed in a part of the third element region 41R. Thereafter, when it is not necessary to particularly distinguish the first subpixel, the second subpixel, and the third subpixel (the red subpixel 42R, the green subpixel 42G, and the blue subpixel 42B need to be particularly distinguished from each other). If not), simply referred to as sub-pixel 42. Similarly, the first element region 41B, the second element region 41G, and the third element region 41R are simply referred to as element regions 41 when it is not necessary to distinguish them. The same applies to the light emitting element 27 and the light emitting layer 63.

各要素領域41には、走査線12を介して走査信号がゲート電極に供給される選択トランジスター21と、この選択トランジスター21を介して信号線13から供給される画像信号を保持する保持容量22と、保持容量22によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動トランジスター23とが設けられている。更に、各要素領域41には、駆動トランジスター23を介して第一電源線14に電気的に接続したときに、第一電源線14(正電源電位Vdd)から駆動電流が供給される第一電極(本実施形態では陽極24)と、第二電源線17(負電源電位Vss)に接続する第二電極(本実施形態では陰極25)と、この陽極24と陰極25との間に挟持された発光機能層26とが設けられている。これら陽極24と陰極25と発光機能層26とで発光素子27が構成される。第一サブピクセル(青サブピクセル42B)に形成されている第一電極は第一第一電極(第一陽極24B)であり、第二サブピクセル(緑サブピクセル42G)に形成されている第一電極は第二第一電極(第二陽極24G)であり、第三サブピクセル(赤サブピクセル42R)に形成されている第一電極は第三第一電極(第三陽極24R)である。   Each element region 41 includes a selection transistor 21 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 12, and a storage capacitor 22 for holding an image signal supplied from the signal line 13 via the selection transistor 21. A driving transistor 23 is provided in which an image signal held by the holding capacitor 22 is supplied to the gate electrode. Further, each element region 41 has a first electrode to which a drive current is supplied from the first power supply line 14 (positive power supply potential Vdd) when electrically connected to the first power supply line 14 via the drive transistor 23. (The anode 24 in the present embodiment), the second electrode (the cathode 25 in the present embodiment) connected to the second power supply line 17 (negative power supply potential Vss), and the anode 24 and the cathode 25 are sandwiched. A light emitting functional layer 26 is provided. The anode 24, the cathode 25, and the light emitting functional layer 26 constitute a light emitting element 27. The first electrode formed on the first subpixel (blue subpixel 42B) is the first first electrode (first anode 24B), and the first electrode formed on the second subpixel (green subpixel 42G). The electrode is the second first electrode (second anode 24G), and the first electrode formed in the third subpixel (red subpixel 42R) is the third first electrode (third anode 24R).

第一第一電極(第一陽極24B)は第一要素領域41Bと第二要素領域41Gとに跨って形成される。その結果、第一サブピクセル(青サブピクセル42B)は、第一要素領域41Bに第一発光素子(青発光素子27B)を有し、更に隣の第二要素領域41Gに第二発光素子(緑発光素子27G)を有している事になる。第二第一電極(第二陽極24G)は第二要素領域41Gと第三要素領域41Rとに跨って形成される。その結果、第二サブピクセル(緑サブピクセル42G)は、第二要素領域41Gに第二発光素子(緑発光素子27G)を有し、更に隣の第三要素領域41Rに第三発光素子(赤発光素子27R)を有している事になる。第三第一電極(第三陽極24R)は第三要素領域41Rに形成される。その結果、第三サブピクセル(赤サブピクセル42R)は、第三要素領域41Rに第三発光素子(赤発光素子27R)を有している事になる。   The first first electrode (first anode 24B) is formed across the first element region 41B and the second element region 41G. As a result, the first subpixel (blue subpixel 42B) has the first light emitting element (blue light emitting element 27B) in the first element region 41B, and further the second light emitting element (green) in the adjacent second element region 41G. It has a light emitting element 27G). The second first electrode (second anode 24G) is formed across the second element region 41G and the third element region 41R. As a result, the second sub-pixel (green sub-pixel 42G) has the second light-emitting element (green light-emitting element 27G) in the second element region 41G, and further the third light-emitting element (red) in the adjacent third element region 41R. It has the light emitting element 27R). The third first electrode (third anode 24R) is formed in the third element region 41R. As a result, the third subpixel (red subpixel 42R) has the third light emitting element (red light emitting element 27R) in the third element region 41R.

要するに、有機EL装置11は、実表示領域32aを備え、実表示領域32aには複数の画素71が行列状に設けられ、各画素71は第一サブピクセルと第二サブピクセルと第三サブピクセルとを含み、各サブピクセル42は単数又は複数の発光素子27を有している。こうした構成を取ると、走査線12が駆動されて選択トランジスター21がオン状態になると、その時の信号線13の電位が保持容量22に保持され、保持容量22の状態に応じて、駆動トランジスター23のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動トランジスター23のチャネルを介して、第一電源線14から陽極24に電流が供給され、更に、発光機能層26を介して陰極25に電流が流れる。発光機能層26は、ここを通う電流量に応じた輝度で発光する。尚、本実施形態では、選択トランジスター21はN型の薄膜トランジスターで構成され、駆動トランジスター23はP型の薄膜トランジスターで構成される。   In short, the organic EL device 11 includes an actual display area 32a, and a plurality of pixels 71 are provided in a matrix in the actual display area 32a. Each pixel 71 includes a first subpixel, a second subpixel, and a third subpixel. Each sub-pixel 42 has one or a plurality of light emitting elements 27. With such a configuration, when the scanning line 12 is driven and the selection transistor 21 is turned on, the potential of the signal line 13 at that time is held in the holding capacitor 22, and the driving transistor 23 of the driving transistor 23 depends on the state of the holding capacitor 22. The on / off state is determined. Then, a current is supplied from the first power supply line 14 to the anode 24 through the channel of the driving transistor 23, and further a current flows to the cathode 25 through the light emitting functional layer 26. The light emitting functional layer 26 emits light with a luminance corresponding to the amount of current passing therethrough. In this embodiment, the selection transistor 21 is composed of an N-type thin film transistor, and the drive transistor 23 is composed of a P-type thin film transistor.

図2は、画素の構造を説明する模式斜視図である。有機EL装置11はカラーフィルター基板CF−Sub(図4(b)参照)を備え、カラーフィルター基板CF−Subには各サブピクセル42に応じたカラーフィルターCFが配置されている。即ち、第一サブピクセル(青サブピクセル42B)に平面視にて重なる様に、第一の色(青)を主に透過する第一カラーフィルター(青カラーフィルターCF−B)が配置されている。同様に、第二サブピクセル(緑サブピクセル42G)に平面視にて重なる様に、第二の色(緑)を主に透過する第二カラーフィルター(緑カラーフィルターCF−G)が配置されている。更に、第三サブピクセル(赤サブピクセル42R)に平面視にて重なる様に、第三の色(赤)を主に透過する第三カラーフィルター(赤カラーフィルターCF−R)が配置されている。   FIG. 2 is a schematic perspective view illustrating the structure of the pixel. The organic EL device 11 includes a color filter substrate CF-Sub (see FIG. 4B), and the color filter CF corresponding to each subpixel 42 is arranged on the color filter substrate CF-Sub. That is, the first color filter (blue color filter CF-B) that mainly transmits the first color (blue) is disposed so as to overlap the first subpixel (blue subpixel 42B) in plan view. . Similarly, a second color filter (green color filter CF-G) that mainly transmits the second color (green) is disposed so as to overlap the second subpixel (green subpixel 42G) in plan view. Yes. Further, a third color filter (red color filter CF-R) that mainly transmits the third color (red) is disposed so as to overlap the third subpixel (red subpixel 42R) in plan view. .

前述の如く、第一サブピクセル(青サブピクセル42B)に形成される第一第一電極(第一陽極24B)は第一要素領域41Bと第二要素領域41Gとに跨って形成される。その結果、第一第一電極(第一陽極24B)に第一電源線14から電流が供給されると、第一要素領域41Bでは第一発光層(青発光層63B)が第一の色を主に発光し、第二要素領域41Gでは第二発光層(緑発光層63G)が第二の色を主に発光する。こうして発せられた第一の色(青)を主とする光と第二の色(緑)を主とする光は、第一サブピクセル(青サブピクセル42B)に配置された第一カラーフィルター(青カラーフィルターCF−B)を通過し、第一の色(青)を主として表示する事になる(青表示B)。   As described above, the first first electrode (first anode 24B) formed in the first subpixel (blue subpixel 42B) is formed across the first element region 41B and the second element region 41G. As a result, when current is supplied from the first power supply line 14 to the first first electrode (first anode 24B), the first light emitting layer (blue light emitting layer 63B) changes the first color in the first element region 41B. The second light emitting layer (green light emitting layer 63G) mainly emits the second color in the second element region 41G. The light mainly emitted from the first color (blue) and the light mainly emitted from the second color (green) emitted from the first color filter disposed in the first sub-pixel (blue sub-pixel 42B) ( The first color (blue) is mainly displayed through the blue color filter CF-B) (blue display B).

同様に、第二サブピクセル(緑サブピクセル42G)に形成される第二第一電極(第二陽極24G)は第二要素領域41Gと第三要素領域41Rとに跨って形成される。その結果、第二第一電極(第二陽極24G)に第一電源線14から電流が供給されると、第二要素領域41Gでは第二発光層(緑発光層63G)が第二の色を主に発光し、第三要素領域41Rでは第三発光層(赤発光層63R)が第三の色を主に発光する。こうして発せられた第二の色(緑)を主とする光と第三の色(赤)を主とする光は、第二サブピクセル(緑サブピクセル42G)に配置された第二カラーフィルター(緑カラーフィルターCF−G)を通過し、第二の色(緑)を主として表示する事になる(緑表示G)。   Similarly, the second first electrode (second anode 24G) formed in the second subpixel (green subpixel 42G) is formed across the second element region 41G and the third element region 41R. As a result, when a current is supplied from the first power supply line 14 to the second first electrode (second anode 24G), the second light emitting layer (green light emitting layer 63G) changes the second color in the second element region 41G. The third light emitting layer (red light emitting layer 63R) mainly emits the third color in the third element region 41R. The light mainly emitted from the second color (green) and the light mainly emitted from the third color (red) emitted from the second color filter (green subpixel 42G) is arranged in the second color filter ( Through the green color filter CF-G), the second color (green) is mainly displayed (green display G).

第三サブピクセル(赤サブピクセル42R)に形成される第三第一電極(第三陽極24R)は第三要素領域41Rに形成される。その結果、第三第一電極(第三陽極24R)に第一電源線14から電流が供給されると、第三要素領域41Rで第三発光層(赤発光層63R)が第三の色を主に発光する。こうして発せられた第三の色(赤)を主とする光は、第三サブピクセル(赤サブピクセル42R)に配置された第三カラーフィルター(赤カラーフィルターCF−R)を通過し、第三の色(赤)を主として表示する事になる(赤表示R)。   A third first electrode (third anode 24R) formed in the third subpixel (red subpixel 42R) is formed in the third element region 41R. As a result, when current is supplied from the first power supply line 14 to the third first electrode (third anode 24R), the third light emitting layer (red light emitting layer 63R) changes the third color in the third element region 41R. Mainly emits light. The light mainly composed of the third color (red) thus emitted passes through the third color filter (red color filter CF-R) disposed in the third subpixel (red subpixel 42R), The color (red) is mainly displayed (red display R).

これらの関係を表1に纏める。   These relationships are summarized in Table 1.

Figure 2013197000
Figure 2013197000

図3は、有機EL装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機EL装置11の構成を、図3を参照しながら説明する。図3に示す様に、有機EL装置11は、ガラス等からなる素子基板31に表示領域32(図中一点鎖線の内側の領域)と非表示領域33(一点鎖線の外側の領域)とを有する構成になっている。表示領域32には、実表示領域32a(二点鎖線の内側の領域)とダミー領域32b(図中二点鎖線の外側の領域)とが設けられている。   FIG. 3 is a schematic plan view showing the configuration of the organic EL device. Hereinafter, the configuration of the organic EL device 11 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 3, the organic EL device 11 has a display region 32 (region inside the alternate long and short dash line in the drawing) and a non-display region 33 (region outside the alternate long and short dash line) on the element substrate 31 made of glass or the like. It is configured. The display area 32 is provided with an actual display area 32a (area inside the two-dot chain line) and a dummy area 32b (area outside the two-dot chain line in the figure).

実表示領域32a内には、上述の如く、画素71が行列状に配列されている。一方、ダミー領域32bには、主として各サブピクセル42を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域32aの図中左辺及び右辺に沿う様に走査線駆動回路16が配置されており、実表示領域32aの図中上辺に沿う様に信号線駆動回路15が配置されている。素子基板31の下辺には、フレキシブル基板36が設けられている。フレキシブル基板36には、各配線と接続された駆動用IC37が備えられている。   As described above, the pixels 71 are arranged in a matrix in the actual display area 32a. On the other hand, a circuit for causing each subpixel 42 to emit light is provided in the dummy region 32b. For example, the scanning line driving circuit 16 is disposed along the left side and the right side of the actual display region 32a in the drawing, and the signal line driving circuit 15 is disposed along the upper side of the actual display region 32a in the drawing. A flexible substrate 36 is provided on the lower side of the element substrate 31. The flexible substrate 36 is provided with a driving IC 37 connected to each wiring.

「画素構造」
図4は、画素の構造を説明する模式図で、(a)は平面図で、(b)はX−X’における断面図である。更に、(b)には、Y−Y’におけるカラーフィルター基板の断面図も描いてある。以下、画素71の構造について、図4を参照しながら説明する。尚、図4は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
"Pixel structure"
4A and 4B are schematic views for explaining the structure of the pixel, in which FIG. 4A is a plan view and FIG. Further, (b) also shows a cross-sectional view of the color filter substrate at YY ′. Hereinafter, the structure of the pixel 71 will be described with reference to FIG. FIG. 4 shows the cross-sectional positional relationship of each component and is represented on a scale that can be clearly shown.

図4に示す様に、有機EL装置11は、サブピクセル42毎に独立に発光が制御され、素子基板31と、素子基板31上に形成された回路素子層43Lと、回路素子層43L上に形成された発光素子層44と、を有する。走査線12と信号線13とで定められる行列要素が要素領域41(第一要素領域41B、第二要素領域41G、第三要素領域41R)であり、第一要素領域41Bの面積と第二要素領域41Gの面積と第三要素領域41Rの面積とはほぼ等しい。ほぼ等しいとは設計上意図的に異ならしてあるのではなく、誤差範囲で一致するとの意味である。素子基板31としては、例えば、透光性を有するガラス基板が用いられる。発光素子層44にて発せられた光は素子基板31側に取り出され、素子基板31の下側に配置されたカラーフィルターCF(CF−R、CF−G、CF−B)を通過して、各色の表示(赤表示R、緑表示G、青表示B)を行う事になる。従って、有機EL装置11は、所謂、ボトムエミッション構造をなしている。カラーフィルター基板CF−Subで、カラーフィルターCF(CF−R、CF−G、CF−B)間には遮光膜が格子状に形成され、格子状の遮光膜はブラックマトリックスBMとなっている。   As shown in FIG. 4, the organic EL device 11 is controlled to emit light independently for each subpixel 42, and has an element substrate 31, a circuit element layer 43 </ b> L formed on the element substrate 31, and a circuit element layer 43 </ b> L. And the formed light emitting element layer 44. A matrix element defined by the scanning line 12 and the signal line 13 is an element region 41 (first element region 41B, second element region 41G, third element region 41R), and the area of the first element region 41B and the second element The area of the region 41G and the area of the third element region 41R are substantially equal. “Equally equal” does not mean that they are intentionally different from each other in design, but means that they match within an error range. As the element substrate 31, for example, a glass substrate having translucency is used. The light emitted from the light emitting element layer 44 is extracted to the element substrate 31 side, passes through the color filter CF (CF-R, CF-G, CF-B) disposed on the lower side of the element substrate 31, Each color display (red display R, green display G, blue display B) is performed. Therefore, the organic EL device 11 has a so-called bottom emission structure. In the color filter substrate CF-Sub, a light shielding film is formed in a lattice shape between the color filters CF (CF-R, CF-G, CF-B), and the lattice-shaped light shielding film is a black matrix BM.

回路素子層43Lには、素子基板31の上に不図示のシリコン酸化膜(SiO2)からなる下地保護膜が形成され、下地保護膜上に選択トランジスター21や保持容量22、駆動トランジスター23などからなる薄膜回路が形成されている。薄膜回路が形成されている領域は薄膜回路領域43(第一薄膜回路領域43B、第二薄膜回路領域43G、第三薄膜回路領域43R)であり、図4(a)に示す様に、サブピクセル毎にそれぞれ形成される。後述する第一電極(第一第一電極、第二第一電極、第三第一電極)の平面形状以外は、薄膜回路は各薄膜回路領域43で同じ構成を取る。選択トランジスター21や駆動トランジスター23といった薄膜トランジスターでは、下地保護膜上に不図示のポリシリコン膜からなる島状の半導体膜が形成され、半導体膜にはソース領域及びドレイン領域が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となっている。 In the circuit element layer 43L, a base protection film made of a silicon oxide film (SiO 2 ) (not shown) is formed on the element substrate 31, and the selection transistor 21, the storage capacitor 22, the drive transistor 23, etc. are formed on the base protection film. A thin film circuit is formed. The region where the thin film circuit is formed is a thin film circuit region 43 (first thin film circuit region 43B, second thin film circuit region 43G, and third thin film circuit region 43R). As shown in FIG. Each is formed. The thin film circuit has the same configuration in each thin film circuit region 43 except for the planar shape of first electrodes (first first electrode, second first electrode, and third first electrode) described later. In a thin film transistor such as the select transistor 21 and the drive transistor 23, an island-shaped semiconductor film made of a polysilicon film (not shown) is formed on a base protective film, and a source region and a drain region are formed in the semiconductor film by introducing impurities. ing. A portion where no impurity is introduced is a channel region.

更に、回路素子層43Lには、下地保護膜及び半導体膜を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜(不図示)が形成されている。ゲート絶縁膜上には、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)などからなる第一金属配線層が形成され、第一金属配線層にて図4(a)に示す走査線12や第二電源線17、薄膜トランジスターのゲート電極(不図示)など、が形成される。ゲート電極は、半導体膜のチャネル領域に対応する位置に設けられる。   Further, a transparent gate insulating film (not shown) made of a silicon oxide film or the like covering the base protective film and the semiconductor film is formed on the circuit element layer 43L. A first metal wiring layer made of aluminum (Al), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), titanium (Ti), tungsten (W), or the like is formed on the gate insulating film. The scanning lines 12, the second power supply lines 17, the gate electrodes (not shown) of the thin film transistors shown in FIG. 4A are formed. The gate electrode is provided at a position corresponding to the channel region of the semiconductor film.

ゲート絶縁膜及び第一金属配線層の上には、透明な第一層間絶縁膜(不図示)が形成されている。第一層間絶縁膜は、例えば、シリコン酸化膜(SiO2)やシリコン窒化膜(SiN)などから構成される。第一層間絶縁膜の上には、アルミニウム(Al)や銅(Cu)、などからなる第二金属配線層が形成され、第二金属配線層にて信号線13や第一電源線14などが形成される。第一層間絶縁膜及び第二金属配線層の上には、透明な第二層間絶縁膜55が形成されている。第二層間絶縁膜55は、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などから構成される。 A transparent first interlayer insulating film (not shown) is formed on the gate insulating film and the first metal wiring layer. The first interlayer insulating film is composed of, for example, a silicon oxide film (SiO 2 ) or a silicon nitride film (SiN). A second metal wiring layer made of aluminum (Al), copper (Cu), or the like is formed on the first interlayer insulating film, and the signal line 13, the first power supply line 14, etc. are formed in the second metal wiring layer. Is formed. A transparent second interlayer insulating film 55 is formed on the first interlayer insulating film and the second metal wiring layer. The second interlayer insulating film 55 is made of, for example, acrylic resin or polyimide resin.

選択トランジスター21のソース領域は、ゲート絶縁膜及び第一層間絶縁膜を貫通して設けられた第一コンタクトホール(不図示)を介して、第一層間絶縁膜上に形成された信号線13と電気的に接続されている。駆動トランジスター23のソース領域は、第一コンタクトホールを介して、第一層間絶縁膜上に形成された第一電源線14と電気的に接続されている。一方、駆動トランジスター23のドレイン領域は、ゲート絶縁膜と第一層間絶縁膜と第二層間絶縁膜55を貫通して設けられた第二コンタクトホール(不図示)を介して、第二層間絶縁膜55の上に形成された陽極24(24R、24G、24B)と電気的に接続されている。この第二コンタクトホールは、陽極24と薄膜回路領域43とが平面視にて重なり合う領域に形成されている。   The source region of the selection transistor 21 is a signal line formed on the first interlayer insulating film through a first contact hole (not shown) provided through the gate insulating film and the first interlayer insulating film. 13 is electrically connected. The source region of the driving transistor 23 is electrically connected to the first power supply line 14 formed on the first interlayer insulating film through the first contact hole. On the other hand, the drain region of the driving transistor 23 is connected to the second interlayer insulating layer through a second contact hole (not shown) provided through the gate insulating film, the first interlayer insulating film, and the second interlayer insulating film 55. The anode 24 (24R, 24G, 24B) formed on the film 55 is electrically connected. The second contact hole is formed in a region where the anode 24 and the thin film circuit region 43 overlap in plan view.

第一電極(陽極24)は、透明導電膜からなり、好適例としてインジウム錫酸化物(ITO)の薄膜が利用される。陽極24の平面形状は、サブピクセル42の平面形状にほぼ合わせられる。従って第一陽極24Bの平面視での形状は、図4(a)に示す様に、第一要素領域41Bに後に設けられる開口部591の全域と第二要素領域41Gに後に設けられる開口部591の一部域とを内包する様に形成される。本実施形態では、第一陽極24Bは第一要素領域41Bの開口部591の全域と第二要素領域41Gの開口部591の約半分の領域とを内包する様に形成される。第二陽極24Gの平面視での形状は、第二要素領域41Gに後に設けられる開口部591の一部域と第三要素領域41Rに後に設けられる開口部591の一部域とを内包する様に形成される。本実施形態では、第二陽極24Gは第二要素領域41Gの開口部591の約半分の領域と第三要素領域41Rの開口部591の約半分の領域とを内包する様に形成される。第三陽極24Rの平面視での形状は、第三要素領域41Rに後に設けられる開口部591の一部域を内包する様に形成される。本実施形態では、第三陽極24Rは第三要素領域41Rの開口部591の約半分の領域を内包する様に形成される。   The first electrode (anode 24) is made of a transparent conductive film, and a thin film of indium tin oxide (ITO) is used as a suitable example. The planar shape of the anode 24 is substantially matched to the planar shape of the subpixel 42. Accordingly, the shape of the first anode 24B in a plan view is as shown in FIG. 4A. The shape of the opening 591 provided behind the first element region 41B and the whole of the opening 591 provided later in the first element region 41B. It is formed so as to include a part of the area. In the present embodiment, the first anode 24B is formed so as to include the entire area of the opening 591 of the first element region 41B and about half the area of the opening 591 of the second element region 41G. The shape of the second anode 24G in plan view includes a partial area of the opening 591 provided later in the second element region 41G and a partial area of the opening 591 provided later in the third element region 41R. Formed. In the present embodiment, the second anode 24G is formed so as to include approximately half of the opening 591 of the second element region 41G and approximately half of the opening 591 of the third element region 41R. The shape of the third anode 24R in plan view is formed so as to include a partial area of the opening 591 provided later in the third element region 41R. In the present embodiment, the third anode 24R is formed so as to include approximately half the region of the opening 591 of the third element region 41R.

各要素領域41においては、第一隔壁58と第二隔壁59とからなる二層隔壁が平面視で略格子状に設けられており、二層隔壁で囲まれた内側の領域が開口部591となっている。二層隔壁は各要素領域41を均等に区画し、それ故に、開口部591の面積は第一要素領域41Bにおいても第二要素領域41Gにおいても第三要素領域41Rにおいてもほぼ同じである。開口部591には第一発光層(青発光層63B)と第二発光層(緑発光層63G)と第三発光層(赤発光層63R)とがそれぞれ形成されている。   In each element region 41, a two-layer partition composed of a first partition 58 and a second partition 59 is provided in a substantially lattice shape in plan view, and an inner region surrounded by the two-layer partition is an opening 591. It has become. The double-layer partition wall equally divides each element region 41. Therefore, the area of the opening 591 is substantially the same in the first element region 41B, the second element region 41G, and the third element region 41R. A first light emitting layer (blue light emitting layer 63B), a second light emitting layer (green light emitting layer 63G), and a third light emitting layer (red light emitting layer 63R) are formed in the opening 591.

第一隔壁58は、絶縁性材料にて形成され、例えば、シリコン酸化膜(SiO2)等の無機材料が用いられる。第一隔壁58は、隣り合う陽極24間の絶縁性を確保すると共に、発光領域の形状(発光部58I、具体的には陽極24と発光機能層26とが電気的に接する領域の形状)を所望の形状(例えば、角丸四角形)にする為に、陽極24の周縁部上などに乗り上げる様に形成されている。つまり、陽極24と第一隔壁58とは、平面的に一部が重なるように配置された構造となっており、第一隔壁58は、サブピクセル42の内で発光部58Iを除いた領域と、サブピクセル42間と、に形成されている。第一要素領域41Bにおいては、第一陽極24Bに発光部58Iが形成される様に第一隔壁58が形成される。第二要素領域41Gにおいては、第一陽極24Bと第二陽極24Gとに発光部58Iが形成される様に第一隔壁58が形成される。第三要素領域41Rにおいては、第二陽極24Gと第三陽極24Rとに発光部58Iが形成される様に第一隔壁58が形成される。発光部58Iの面積は第一要素領域41Bにおいても第二要素領域41Gにおいても第三要素領域41Rにおいてもほぼ同じとなる様に第一隔壁58が形成される。 The first partition wall 58 is formed of an insulating material, and for example, an inorganic material such as a silicon oxide film (SiO 2 ) is used. The first partition wall 58 ensures insulation between the adjacent anodes 24 and has the shape of the light emitting region (light emitting portion 58I, specifically, the shape of the region where the anode 24 and the light emitting functional layer 26 are in electrical contact). In order to obtain a desired shape (for example, a rounded square), it is formed so as to run on the peripheral edge of the anode 24 and the like. That is, the anode 24 and the first partition 58 are arranged so as to partially overlap each other in a plan view, and the first partition 58 is a region excluding the light emitting portion 58I in the subpixel 42. And between the sub-pixels 42. In the first element region 41B, the first partition wall 58 is formed so that the light emitting portion 58I is formed on the first anode 24B. In the second element region 41G, the first partition wall 58 is formed so that the light emitting portion 58I is formed on the first anode 24B and the second anode 24G. In the third element region 41R, the first partition wall 58 is formed so that the light emitting portion 58I is formed in the second anode 24G and the third anode 24R. The first partition wall 58 is formed so that the area of the light emitting portion 58I is substantially the same in the first element region 41B, the second element region 41G, and the third element region 41R.

更に、第一隔壁58は、第一要素領域41Bにて第一発光層が第一第一電極と電気的に接触している平面積(第一要素領域41Bにおける発光部58Iの面積)と、第二要素領域41Gにて第二発光層が第一第一電極及び第二第一電極と電気的に接触している平面積(第二要素領域41Gにおける発光部58Iの面積)と、第三要素領域41Rにて第三発光層が第二第一電極及び第三第一電極と電気的に接触している平面積(第三要素領域41Rにおける発光部58Iの面積)と、がほぼ等しくなる様に形成される。これは、発光機能層26の一部の層を製造効率に優れる塗布法にて形成するが、その際に塗布条件を三つの領域に対して最適とする為である。又、一つのサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる様にする為でもある。   Further, the first partition wall 58 has a planar area (area of the light emitting portion 58I in the first element region 41B) in which the first light emitting layer is in electrical contact with the first electrode in the first element region 41B. A planar area in which the second light emitting layer is in electrical contact with the first first electrode and the second first electrode in the second element region 41G (the area of the light emitting portion 58I in the second element region 41G); The planar area (the area of the light emitting portion 58I in the third element region 41R) in which the third light emitting layer is in electrical contact with the second first electrode and the third first electrode in the element region 41R is substantially equal. Are formed. This is because a part of the light emitting functional layer 26 is formed by a coating method having excellent manufacturing efficiency, and in this case, the coating conditions are optimized for the three regions. Also, since one subpixel is not small, it is also possible to increase the resolution.

第一電極と第一隔壁58とを上述の様に形成した結果、第一第一電極が第一発光層及び第二発光層と電気的に接触している総平面積(第一サブピクセルにおける発光部の総面積)と、第二第一電極が第二発光層及び第三発光層と電気的に接触している総平面積(第二サブピクセルにおける発光部の総面積)と、第三第一電極が第三発光層と電気的に接触している総平面積(第三サブピクセルにおける発光部の総面積)と、の比は、概ね15:10:5となっている。   As a result of forming the first electrode and the first partition wall 58 as described above, the total area (in the first subpixel) in which the first first electrode is in electrical contact with the first light emitting layer and the second light emitting layer. The total area of the light emitting portion), the total area of the second first electrode in electrical contact with the second light emitting layer and the third light emitting layer (the total area of the light emitting portion in the second subpixel), and the third The ratio of the total planar area (the total area of the light emitting portions in the third subpixel) in which the first electrode is in electrical contact with the third light emitting layer is approximately 15: 10: 5.

第一隔壁58に平面視で重なり、その上に形成される第二隔壁59は、例えば、断面が傾斜面を有する台形状であり、発光素子27を平面視で囲むように形成されている。即ち、第二隔壁59にて囲まれた領域が発光素子27の開口部591となり、発光機能層26をなす各種薄膜が形成される。第二隔壁59は、各要素領域41における開口部591の形状や面積が等しくなる様に形成される。第二隔壁59の材料としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂の様に耐熱性に優れ、且つ耐溶剤性が高い有機材料が用いられる。   The second partition wall 59 that overlaps the first partition wall 58 in plan view and is formed thereon has, for example, a trapezoidal shape with an inclined surface, and is formed so as to surround the light emitting element 27 in plan view. That is, the area surrounded by the second partition wall 59 becomes the opening 591 of the light emitting element 27, and various thin films forming the light emitting functional layer 26 are formed. The second partition wall 59 is formed so that the shape and area of the opening 591 in each element region 41 are equal. As a material of the second partition wall 59, for example, an organic material having excellent heat resistance and high solvent resistance such as an acrylic resin or a polyimide resin is used.

陽極24(24R、24G、24B)上に設けられる各種薄膜は、発光素子27(27R、27G、27B)毎に異なっている。具体的には、第三サブピクセルに属する赤発光素子27Rは、第二隔壁59によって囲まれた第三陽極24R上に、正孔注入層61R、正孔輸送層62R、第三発光層(赤発光層63R)が、塗布法(インクジェット法)によって順に形成されている。又、第二サブピクセルに属する緑発光素子27Gは、第二隔壁59によって囲まれた第二陽極24G上に、正孔注入層61G、正孔輸送層62G、第二発光層(緑発光層63G)が、インクジェット法によって順に形成されている。赤発光層63Rと緑発光層63Gとの上には、中間層となる正孔ブロッキング層64が蒸着法により積層されている。正孔ブロッキング層64の上には第三発光層(青発光層63B)が形成されている。   Various thin films provided on the anode 24 (24R, 24G, 24B) are different for each light emitting element 27 (27R, 27G, 27B). Specifically, the red light emitting element 27R belonging to the third subpixel has a hole injection layer 61R, a hole transport layer 62R, a third light emitting layer (red) on the third anode 24R surrounded by the second partition wall 59. The light emitting layer 63R) is sequentially formed by a coating method (inkjet method). In addition, the green light emitting element 27G belonging to the second subpixel has a hole injection layer 61G, a hole transport layer 62G, a second light emitting layer (green light emitting layer 63G) on the second anode 24G surrounded by the second partition wall 59. ) Are sequentially formed by an ink jet method. On the red light emitting layer 63R and the green light emitting layer 63G, a hole blocking layer 64 serving as an intermediate layer is laminated by an evaporation method. A third light emitting layer (blue light emitting layer 63B) is formed on the hole blocking layer 64.

第一サブピクセルに属する青発光素子27Bは、第二隔壁59によって囲まれた第一陽極24B上に、正孔注入層61B、正孔輸送層62Bがインクジェット法によって順に形成されている。更に正孔輸送層62B上には、第二隔壁59上を含めた表示領域の全面に中間層となる正孔ブロッキング層64が蒸着法により積層されている。正孔ブロッキング層64上には第一発光層(青発光層63B)が蒸着法により積層されている。   In the blue light emitting element 27B belonging to the first subpixel, the hole injection layer 61B and the hole transport layer 62B are sequentially formed on the first anode 24B surrounded by the second partition wall 59 by the ink jet method. Further, on the hole transport layer 62B, a hole blocking layer 64 serving as an intermediate layer is laminated on the entire surface of the display area including the second partition wall 59 by an evaporation method. A first light emitting layer (blue light emitting layer 63B) is laminated on the hole blocking layer 64 by a vapor deposition method.

青発光層63Bの上には電子輸送層65が蒸着法により積層されており、更に、電子輸送層65上には、陰極25が素子基板31上の全面に成膜されている。陰極25上は、例えば、缶封止方式を用いて封止が施されている(図示せず)。具体的には、凹型のガラスや金属製の対向基板の中に乾燥剤が入れられ、エポキシ等の接着剤を介して陰極25側に貼り付けられている。陽極24と陰極25との間に挟持されているのが発光機能層26であるので、第二サブピクセルと第三サブピクセルとの発光機能層26は、正孔注入層61R又は61G、正孔輸送層62R又は62G、第二発光層(緑発光層63G)又は第三発光層(赤発光層63R)、正孔ブロッキング層64、青発光層63B、電子輸送層65、の各層を含んでなる。一方、第一サブピクセルの発光機能層26は、正孔注入層61B、正孔輸送層62B、正孔ブロッキング層64、第一発光層(青発光層63B)、電子輸送層65、の各層を含んでなる。尚、発光機能層26は上述の構成に限られず、例えば、中間層である正孔ブロッキング層64を省略する事も可能である。   An electron transport layer 65 is laminated on the blue light emitting layer 63B by vapor deposition, and a cathode 25 is formed on the entire surface of the element substrate 31 on the electron transport layer 65. The cathode 25 is sealed using a can sealing method (not shown). Specifically, a desiccant is placed in a concave glass or metal counter substrate, and is attached to the cathode 25 side through an adhesive such as epoxy. Since the light emitting functional layer 26 is sandwiched between the anode 24 and the cathode 25, the light emitting functional layer 26 of the second subpixel and the third subpixel includes the hole injection layer 61R or 61G, the hole Each of the transport layer 62R or 62G, the second light emitting layer (green light emitting layer 63G) or the third light emitting layer (red light emitting layer 63R), the hole blocking layer 64, the blue light emitting layer 63B, and the electron transport layer 65 is included. . On the other hand, the light-emitting functional layer 26 of the first subpixel includes the hole injection layer 61B, the hole transport layer 62B, the hole blocking layer 64, the first light-emitting layer (blue light-emitting layer 63B), and the electron transport layer 65. Comprising. The light emitting functional layer 26 is not limited to the above-described configuration, and for example, the hole blocking layer 64 that is an intermediate layer can be omitted.

正孔注入層61(61R、61G、61B)は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層61は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する3、4−ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT−PSS)などから構成する事ができる。   The hole injection layer 61 (61R, 61G, 61B) is composed of a conductive polymer layer containing a dopant in a conductive polymer material. Such a hole injection layer 61 can be composed of, for example, 3,4-polyethylenedioxythiophene (PEDOT-PSS) containing polystyrene sulfonic acid as a dopant.

塗布法により形成される正孔輸送層62(62R、62G、62B)の構成材料としては、例えば、下記化学式1に示すTFBなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ材料を用いる事ができる。   As a constituent material of the hole transport layer 62 (62R, 62G, 62B) formed by the coating method, for example, a material containing a triphenylamine polymer such as TFB shown in the following chemical formula 1 can be used.

Figure 2013197000
Figure 2013197000

発光層63(63R、63G、63B)は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。発光層63の構成材料とし、塗布法にて形成する赤発光層63Rであれば、例えば、下記化学式2に示す材料(Poly[{9、9−dihexyl−2、7−bis(1−cyanovinylene)fluorenylene}−alt−co−{2、5−bis(N、N−diphenylamino)−1、4−phenylene}]、ADS−111RE)を用いる事ができる。同じく塗布法にて形成する緑発光層63Gであれば、例えば、下記化学式3に示す材料(Poly[{9、9−dioctyl−2、7−bis(2−cyanovinylene−fluorenylene}−alt−co−{2−methoxy−5−(2−ethyl hexyloxy)−1、4−phenylene}]、ADS−109GE)を用いる事ができる。又、蒸着法で形成する青発光層63Bであれば、例えば、下記化学式4に示すホスト材料(2−[9、9−di(4−methylphenyl)−fluoren−2−yi]−9、9−di(4−methylphenyl)fluoren、BDAF)及び下記化学式5に示すゲスト材料(1、4−bis[2−(3−N−ethylcarbazoryl)vinyl]benzene、BCzVB)を用いる事ができる。   The light emitting layer 63 (63R, 63G, 63B) is a layer of an organic light emitting material that exhibits an electroluminescence phenomenon. If it is the red light emitting layer 63R formed by the coating method as a constituent material of the light emitting layer 63, for example, a material represented by the following chemical formula 2 (Poly [{9, 9-dihexyl-2, 7-bis (1-cyanovinylene) fluorene}}-alt-co- {2,5-bis (N, N-diphenylamino) -1,4-phenylene}], ADS-111RE). Similarly, in the case of the green light emitting layer 63G formed by a coating method, for example, a material represented by the following chemical formula 3 (Poly [{9, 9-dioctyl-2, 7-bis (2-cyanovinylene-fluorenerene} -alt-co- {2-methoxy-5- (2-ethyl hexyloxy) -1,4-phenylene}], ADS-109GE), and the blue light-emitting layer 63B formed by vapor deposition may be used, for example, Host material shown in Chemical Formula 4 (2- [9,9-di (4-methylphenyl) -fluoren-2-yi] -9, 9-di (4-methylphenyl) fluoren, BDAF) and guest material shown in Chemical Formula 5 below (1,4-bis [2- (3-N-ethylcarbazole) ) Vinyl] benzene, BCzVB) can be used.

Figure 2013197000
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Figure 2013197000
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正孔ブロッキング層64は赤発光層63R及び緑発光層63G内に正孔を留める機能を有する層である。正孔ブロッキング層64の構成材料としては、例えば、下記化学式6に示されるBalqを用いる事ができる。   The hole blocking layer 64 is a layer having a function of retaining holes in the red light emitting layer 63R and the green light emitting layer 63G. As a constituent material of the hole blocking layer 64, for example, Balq represented by the following chemical formula 6 can be used.

Figure 2013197000
Figure 2013197000

電子輸送層65は、陰極25から発光層63(63R、63G、63B)への電子注入を高める機能を有する層である。電子輸送層65の構成材料としては、例えば、下記化学式7に示されるAlq3を用いる事ができる。   The electron transport layer 65 is a layer having a function of enhancing electron injection from the cathode 25 to the light emitting layer 63 (63R, 63G, 63B). As a constituent material of the electron transport layer 65, for example, Alq3 represented by the following chemical formula 7 can be used.

Figure 2013197000
Figure 2013197000

陰極25は、例えば、フッ化リチウム(LiF)及びアルミニウム(Al)の積層体とする事ができる。   For example, the cathode 25 may be a laminate of lithium fluoride (LiF) and aluminum (Al).

「表示原理」
次に図5乃至図9を参照して、有機EL装置11の表示原理を説明する。図5は発光素子から発せられた光の強度スペクトルである。第一発光素子(青発光素子27B)は第一の色(青)を主に発光し、そのスペクトルはEM−Bにて描かれている。第一発光素子(青発光素子27B)からの光は、凡そ485nmの波長で強度が最大となり、420nmから560nmの波長範囲にある。第二発光素子(緑発光素子27G)は第二の色(緑)を主に発光し、そのスペクトルはEM−Gにて描かれている。第二発光素子(緑発光素子27G)からの光は、凡そ550nmの波長で強度が最大となり、480nmから620nmの波長範囲にある。第三発光素子(赤発光素子27R)は第三の色(赤)を主に発光し、そのスペクトルはEM−Rにて描かれている。第三発光素子(赤発光素子27R)からの光は、凡そ650nmの波長で強度が最大となり、580nmから720nmの波長範囲にある。
"Display principle"
Next, the display principle of the organic EL device 11 will be described with reference to FIGS. FIG. 5 shows an intensity spectrum of light emitted from the light emitting element. The first light emitting element (blue light emitting element 27B) mainly emits the first color (blue), and its spectrum is drawn in EM-B. The light from the first light emitting element (blue light emitting element 27B) has a maximum intensity at a wavelength of about 485 nm and is in a wavelength range of 420 nm to 560 nm. The second light emitting element (green light emitting element 27G) mainly emits the second color (green), and its spectrum is drawn by EM-G. The light from the second light emitting element (green light emitting element 27G) has a maximum intensity at a wavelength of about 550 nm and is in a wavelength range of 480 nm to 620 nm. The third light emitting element (red light emitting element 27R) mainly emits the third color (red), and its spectrum is drawn by EM-R. The light from the third light emitting element (red light emitting element 27R) has a maximum intensity at a wavelength of about 650 nm and is in a wavelength range of 580 nm to 720 nm.

図6はカラーフィルターの光透過率スペクトルである。第一カラーフィルター(青カラーフィルターCF−B)は第一の色(青)を主に透過し、その透過率は、凡そ450nmの波長で最大となり、400nmから560nm程度の波長範囲の光を透過させる。第二カラーフィルター(緑カラーフィルターCF−G)は第二の色(緑)を主に透過し、その透過率は、凡そ530nmの波長で最大となり、470nmから610nm程度の波長範囲の光を透過させる。第三カラーフィルター(赤カラーフィルターCF−R)は第三の色(緑)を主に透過し、その透過率は、凡そ630nmの波長で最大となり、凡そ580nm以上の波長範囲の光を透過させる。   FIG. 6 is a light transmittance spectrum of the color filter. The first color filter (blue color filter CF-B) mainly transmits the first color (blue), and its transmittance is maximum at a wavelength of about 450 nm and transmits light in a wavelength range of about 400 nm to 560 nm. Let The second color filter (green color filter CF-G) mainly transmits the second color (green), and its transmittance is maximum at a wavelength of about 530 nm, and transmits light in a wavelength range of about 470 nm to 610 nm. Let The third color filter (red color filter CF-R) mainly transmits the third color (green), and the transmittance is maximum at a wavelength of about 630 nm, and transmits light in a wavelength range of about 580 nm or more. .

図5の発光スペクトルと図6の透過率スペクトルとの積が有機EL装置の表示色となる。図7は、こうして得られた、第三サブピクセル(赤サブピクセル42R)の赤表示Rを示している。赤表示Rは第三発光素子からの発光EM−Rと第三カラーフィルターCF−Rの透過率との積である。美しい赤表示Rが実現している。   The product of the emission spectrum of FIG. 5 and the transmittance spectrum of FIG. 6 is the display color of the organic EL device. FIG. 7 shows the red display R of the third subpixel (red subpixel 42R) thus obtained. Red display R is the product of the emission EM-R from the third light emitting element and the transmittance of the third color filter CF-R. A beautiful red display R is realized.

図8は、第二サブピクセル(緑サブピクセル42G)の緑表示Gを示している。緑表示Gは、第二発光素子からの発光EM−Gと第二カラーフィルターCF−Gの透過率との積(EM−G×CF−G)に、第三発光素子からの発光EM−Rと第二カラーフィルターCF−Gの透過率との積(EM−R×CF−G)を加えたである。美しい緑表示Gが実現している。   FIG. 8 shows the green display G of the second subpixel (green subpixel 42G). The green display G is the product of the light emission EM-G from the second light emitting element and the transmittance of the second color filter CF-G (EM-G × CF-G), and the light emission EM-R from the third light emitting element. And the product of the transmittance of the second color filter CF-G (EM-R × CF-G). A beautiful green display G is realized.

図9は、第一サブピクセル(青サブピクセル42B)の青表示Bを示している。青表示Bは、第一発光素子からの発光EM−Bと第一カラーフィルターCF−Bの透過率の積(EM−B×CF−B)に、第二発光素子からの発光EM−Gと第一カラーフィルターCF−Bの透過率の積(EM−G×CF−B)を加えたである。美しい青表示Gが実現していると共に青表示Gの強度が高くなっている。   FIG. 9 shows a blue display B of the first subpixel (blue subpixel 42B). The blue display B is the product of the light emission EM-B from the first light emitting element and the transmittance of the first color filter CF-B (EM-B × CF-B), and the light emission EM-G from the second light emitting element. The product of the transmittance of the first color filter CF-B (EM-G × CF-B) is added. A beautiful blue display G is realized and the intensity of the blue display G is high.

「有機EL装置の製造方法」
図10乃至図19は、有機EL装置の製造工程を示す模式図である。尚、図10から図17及び図19で、(a)は平面図で、(b)はX−X’における断面図である。又、図18(a)は素子基板の平面図で、(b)はカラーフィルター基板の平面図である。以下、図10から図19を参照して、有機EL装置11の製造方法を説明する。尚、各種配線や電極、トランジスター等を形成する製造工程については、公知の工程を採用する事ができるので、ここではそれらの説明を省略又は簡略し、これ以降の工程について詳しく説明する。又、図面についても同様に、省略又は簡略する。更に、説明を分かり易くする為に、図10乃至図19の(a)の平面図では、薄膜回路領域43や第一金属配線層、第二金属配線層、を省略してある。
"Method for manufacturing organic EL device"
10 to 19 are schematic views showing the manufacturing process of the organic EL device. 10 to 17 and 19, (a) is a plan view and (b) is a cross-sectional view taken along the line XX ′. FIG. 18A is a plan view of the element substrate, and FIG. 18B is a plan view of the color filter substrate. Hereinafter, a method for manufacturing the organic EL device 11 will be described with reference to FIGS. In addition, since a well-known process can be employ | adopted about the manufacturing process which forms various wiring, an electrode, a transistor, etc., those description is abbreviate | omitted or simplified here, and subsequent processes are demonstrated in detail. Similarly, the drawings are omitted or simplified. Furthermore, for easy understanding, the thin film circuit region 43, the first metal wiring layer, and the second metal wiring layer are omitted in the plan views of FIGS.

まず、図10に示す様に、素子基板31上に、公知の成膜技術やフォトリソグラフィー技術を用いて回路素子層43L(詳細は、図3参照)を形成し、サブピクセル42となる領域それぞれに第一電極を形成する。本実施形態では、第一電極は回路素子層43Lに形成されたITOからなる陽極24(24R、24G、24B)である。有機EL装置11での画素71の数は1920×1080であるので、サブピクセル42の総数は1920×1080×3=622万800となる。続いて、各要素領域41となる領域の中央部付近に陽極24が露出する様に第一隔壁58を形成する。第一隔壁58は、シリコン酸化膜(SiO2)をCVD(Chemical Vapor Deposition)法で堆積した後に、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて、各要素領域41の中央部付近からシリコン酸化膜を除去して形成する。 First, as shown in FIG. 10, a circuit element layer 43 </ b> L (refer to FIG. 3 for details) is formed on the element substrate 31 using a known film formation technique or photolithography technique, and each region to be the subpixel 42 is formed. A first electrode is formed. In the present embodiment, the first electrode is an anode 24 (24R, 24G, 24B) made of ITO formed on the circuit element layer 43L. Since the number of pixels 71 in the organic EL device 11 is 1920 × 1080, the total number of subpixels is 1920 × 1080 × 3 = 622 million 800. Subsequently, the first partition wall 58 is formed so that the anode 24 is exposed in the vicinity of the center of the region to be the element region 41. The first partition 58 is formed by depositing a silicon oxide film (SiO 2 ) by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, and then removing the silicon oxide film from the vicinity of the central portion of each element region 41 using a photolithography technique and an etching technique. To form.

続いて、図11に示す様に、第一隔壁58の上に第二隔壁59を形成する。詳しくは、まず、第二隔壁59の材料を含む溶液を第一隔壁58上及び陽極24上に塗布する。第二隔壁59の材料は、例えばアクリル樹脂である。次に、塗布された溶液を乾燥させて樹脂層を形成する。その後、この樹脂層をパターニング加工して第二隔壁59を形成すると共に、各要素領域41に開口部591を形成する。   Subsequently, as shown in FIG. 11, a second partition 59 is formed on the first partition 58. Specifically, first, a solution containing the material of the second partition 59 is applied on the first partition 58 and the anode 24. The material of the second partition wall 59 is, for example, an acrylic resin. Next, the applied solution is dried to form a resin layer. Thereafter, the resin layer is patterned to form the second partition wall 59, and the opening 591 is formed in each element region 41.

次工程で発光機能層26をインクジェット法などの塗布方式を用いてパターニングするので、第二隔壁59の表面は撥液性を有している事が望ましく、陽極24の表面は親液性を有している事が望ましい。そこで、素子基板31をアルコールで洗浄し、純水にてリンスした後、素子基板31に酸素プラズマを照射して陽極24の表面を親液性とする。次いで、素子基板31に四フッ化炭素(CF4)のプラズマを照射して第二隔壁59の表面を撥液性とする。第二隔壁59の表層に撥液性を持たせる方式としては、この他に、フッ素等の撥液成分を予め混入させた樹脂(例えばアクリル樹脂)の塗工液を塗布し、この塗工液の乾燥時に撥液成分を樹脂表層に拡散集積させる方法もある。 Since the light emitting functional layer 26 is patterned using a coating method such as an ink jet method in the next step, it is desirable that the surface of the second partition wall 59 be lyophobic and the surface of the anode 24 be lyophilic. It is desirable that Therefore, after cleaning the element substrate 31 with alcohol and rinsing with pure water, the element substrate 31 is irradiated with oxygen plasma to make the surface of the anode 24 lyophilic. Next, the element substrate 31 is irradiated with plasma of carbon tetrafluoride (CF 4 ) to make the surface of the second partition wall 59 liquid repellent. In addition to this, as a method of imparting liquid repellency to the surface layer of the second partition wall 59, a coating liquid of a resin (for example, acrylic resin) in which a liquid repellent component such as fluorine is mixed in advance is applied. There is also a method of diffusing and accumulating the liquid repellent component on the surface of the resin during drying.

続いて、図12に示す様に、開口部591に正孔注入層61(61R、61G、61B)を例えば50nmの膜厚で形成する。これは、正孔注入層61の材料を含んだ機能液(インク)を液滴吐出法(例えば、インクジェット法)により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、大気下で焼成する事で形成する。正孔注入層61の機能液としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸(PSS)を加えた混合物(PEDOT/PSS)等を用いる事ができる。各要素領域41で開口部591の面積が同じである為に、正孔注入層61の材料を含んだ機能液の吐出量が同一になり、従って、総ての要素領域41に対して最適な焼成条件を適用できる。   Subsequently, as shown in FIG. 12, the hole injection layer 61 (61R, 61G, 61B) is formed in the opening 591 with a film thickness of, for example, 50 nm. This is formed by discharging a functional liquid (ink) containing the material of the hole injection layer 61 by a droplet discharge method (for example, an ink jet method), and then drying the functional liquid and baking it in the air. . As the functional liquid of the hole injection layer 61, for example, a mixture (PEDOT / PSS) in which polystyrene sulfonic acid (PSS) as a dopant is added to a polythiophene derivative such as polyethylenedioxythiophene (PEDOT) can be used. Since the area of the opening 591 is the same in each element region 41, the discharge amount of the functional liquid containing the material of the hole injection layer 61 is the same, and therefore the optimum amount for all the element regions 41. Firing conditions can be applied.

次に、図13に示す様に、各開口部591の正孔注入層61(61R、61G、61B)上に、正孔輸送層62(62R、62G、62B)を、それぞれ例えば15nmの膜厚で形成する。これは、正孔輸送層62の材料を含んだ機能液(インク)を液滴吐出法(例えば、インクジェット法)により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、低酸素下で焼成する事で形成する。正孔輸送層62の機能液としては、例えば、化学式1にて上述されるTFBをシクロヘキシルベンゼン(CHB)に溶解させた物を用いる事ができる。各要素領域41で開口部591の面積が同じである為に、正孔輸送層62の材料を含んだ機能液の吐出量が同一になり、従って、総ての要素領域41に対して最適な焼成条件を適用できる。   Next, as shown in FIG. 13, the hole transport layer 62 (62R, 62G, 62B) is formed on the hole injection layer 61 (61R, 61G, 61B) in each opening 591 with a film thickness of, for example, 15 nm. Form with. This is formed by discharging a functional liquid (ink) containing the material of the hole transport layer 62 by a droplet discharge method (for example, an ink jet method), and then drying the functional liquid and baking it under low oxygen. To do. As the functional liquid of the hole transport layer 62, for example, a substance obtained by dissolving TFB described above in Chemical Formula 1 in cyclohexylbenzene (CHB) can be used. Since the area of the opening 591 is the same in each element region 41, the discharge amount of the functional liquid containing the material of the hole transport layer 62 is the same, and therefore the optimum amount for all the element regions 41. Firing conditions can be applied.

次に、図14に示す様に、第三要素領域41Rの開口部591に第三発光層(赤発光層63R)を、第二要素領域41Gの開口部591に第二発光層(緑発光層63G)を、塗布法により形成する。即ち、第三要素領域41Rの開口部591に形成された正孔輸送層62Rの上に赤発光層63Rを70nmの膜厚で形成し、第二要素領域41Gの開口部591に形成された正孔輸送層62Gの上に緑発光層63Gを60nmの膜厚で形成する。具体的には、発光材料を含んだ機能液を液滴吐出法(例えば、インクジェット法)により吐出し、そのあと機能液を乾燥させ、低酸素下で焼成させる。発光材料を含んだ機能液としては、例えば、上述の化学式2や化学式3にて表される発光材料を溶媒に溶解した物を用いる事ができる。溶媒としては、シクロヘキシルベンゼン(CHB)などが挙げられる。本実施形態では、CHBに1.0wt%の濃度で化学式2や化学式3の発光材料が溶解された機能液を、インクジェット法にて第二要素領域41G又は第三要素領域41Rの開口部591に、それぞれ10ピコリットル/ショットで20ショット吐出して充填し、その後、素子基板31を減圧乾燥機に設置し、5Pa以下の真空度で30分間に渡り乾燥処理した。   Next, as shown in FIG. 14, the third light emitting layer (red light emitting layer 63R) is formed in the opening 591 of the third element region 41R, and the second light emitting layer (green light emitting layer) is formed in the opening 591 of the second element region 41G. 63G) is formed by a coating method. That is, the red light emitting layer 63R is formed with a film thickness of 70 nm on the hole transport layer 62R formed in the opening 591 of the third element region 41R, and the positive light emission formed in the opening 591 of the second element region 41G. A green light emitting layer 63G is formed with a film thickness of 60 nm on the hole transport layer 62G. Specifically, a functional liquid containing a light emitting material is discharged by a droplet discharge method (for example, an ink jet method), and then the functional liquid is dried and fired under low oxygen. As the functional liquid containing the light emitting material, for example, a material obtained by dissolving the light emitting material represented by the above Chemical Formula 2 or Chemical Formula 3 in a solvent can be used. Examples of the solvent include cyclohexylbenzene (CHB). In the present embodiment, a functional liquid in which a light emitting material of Chemical Formula 2 or Chemical Formula 3 is dissolved in CHB at a concentration of 1.0 wt% is applied to the opening 591 of the second element region 41G or the third element region 41R by an inkjet method. Then, 20 shots were discharged at a rate of 10 picoliters / shot and filled, and then the element substrate 31 was placed in a vacuum dryer and dried at a vacuum of 5 Pa or less for 30 minutes.

次に、図15に示す様に、第三要素領域41Rの第三発光層(赤発光層63R)の上と、第二要素領域41Gの第二発光層(緑発光層63G)の上と、第一要素領域41Bの正孔輸送層62Bの上と、第二隔壁59の上とに、正孔ブロッキング層64を例えば3nmの膜厚で蒸着法により形成する。正孔ブロッキング層64としては、上述の化学式6に示されるBalqを用いる事ができる。尚、本実施形態では、有機EL装置11が蒸着法で形成された正孔ブロッキング層64を有するので、正孔ブロッキング層64と第一発光層(青発光層63B)とをこの順序で蒸着するが、正孔ブロッキング層64は省く事も可能である。   Next, as shown in FIG. 15, on the third light emitting layer (red light emitting layer 63R) in the third element region 41R, on the second light emitting layer (green light emitting layer 63G) in the second element region 41G, On the hole transport layer 62B in the first element region 41B and the second partition wall 59, the hole blocking layer 64 is formed by a vapor deposition method with a film thickness of 3 nm, for example. As the hole blocking layer 64, Balq represented by the above chemical formula 6 can be used. In this embodiment, since the organic EL device 11 has the hole blocking layer 64 formed by the vapor deposition method, the hole blocking layer 64 and the first light emitting layer (blue light emitting layer 63B) are vapor deposited in this order. However, the hole blocking layer 64 can be omitted.

次に、図16に示す様に、第二要素領域41Gと第三要素領域41Rの正孔ブロッキング層64の上と、第一要素領域41Bの正孔ブロッキング層64の上と、各要素領域41の開口部591を隔てる第二隔壁59の正孔ブロッキング層64の上とに、第一発光層となる青発光層63Bを、例えば10nmの膜厚で、蒸着法により形成する。青発光層63Bとしてはホスト材料(上述の化学式4に示されるBDAF)とゲスト材料(上述の化学式5に示されるBCzVB)を例えば体積比10:1で共蒸着法により形成する事ができる。素子基板31のほぼ全面に成膜される青発光層63Bの厚みは5nmから50nmの範囲にあるのが好ましい。5nm未満の厚みでは発光が困難だが、5nm以上の厚みがあれば、実用的な明るさの発光が可能になる。又、50nm以下の厚みであれば、発光させる為の電圧を或る程度低く保つ事が可能になる。   Next, as shown in FIG. 16, on the hole blocking layer 64 in the second element region 41G and the third element region 41R, on the hole blocking layer 64 in the first element region 41B, and in each element region 41. On the hole blocking layer 64 of the second partition wall 59 that separates the openings 591, a blue light emitting layer 63 </ b> B serving as a first light emitting layer is formed with a thickness of, for example, 10 nm by a vapor deposition method. As the blue light emitting layer 63B, a host material (BDAF represented by the above-described chemical formula 4) and a guest material (BCzVB represented by the above-described chemical formula 5) can be formed by a co-evaporation method at a volume ratio of 10: 1, for example. The thickness of the blue light emitting layer 63B formed on almost the entire surface of the element substrate 31 is preferably in the range of 5 nm to 50 nm. Light emission is difficult when the thickness is less than 5 nm, but light emission with practical brightness is possible when the thickness is 5 nm or more. If the thickness is 50 nm or less, it is possible to keep the voltage for light emission to a certain extent.

次に、図17に示す様に、第一要素領域41Bと第二要素領域41Gと第三要素領域41Rの青発光層63Bの上と、第二隔壁59の上とに、跨って、電子輸送層65と第二電極とを形成する。本実施形態では第二電極は陰極25である。要するに、全ての要素領域41に電子輸送層65を例えば20nmの膜厚で蒸着法により形成し、更に、電子輸送層65上に陰極25を蒸着法により形成する。電子輸送層65としては、例えば、上述の化学式7に示すAlq3を用いる事ができる。陰極25は、例えば、1nm厚のフッ化リチウム膜と150nm厚のアルミニウム膜とを、この順に積層して形成される。その後、例えば、缶封止方式を用いて陰極25上を封止する(不図示)。   Next, as shown in FIG. 17, the electron transport is performed across the blue light emitting layer 63B of the first element region 41B, the second element region 41G, and the third element region 41R and the second partition wall 59. A layer 65 and a second electrode are formed. In the present embodiment, the second electrode is the cathode 25. In short, the electron transport layer 65 is formed in a film thickness of 20 nm, for example, in all the element regions 41, and the cathode 25 is formed on the electron transport layer 65 by the vapor deposition method. As the electron transport layer 65, for example, Alq3 represented by the above chemical formula 7 can be used. The cathode 25 is formed, for example, by laminating a 1 nm thick lithium fluoride film and a 150 nm thick aluminum film in this order. Thereafter, for example, the top of the cathode 25 is sealed using a can sealing method (not shown).

次に素子基板31に合わせてカラーフィルター基板CFが配置される。図18に示す様に、第一要素領域41Bには第一カラーフィルター(青カラーフィルターCF−B)が平面視で重なる様に配置される。第二要素領域41Gをその長辺を二分する様に分けた一方の領域にも第一カラーフィルター(青カラーフィルターCF−B)が平面視で重なる様に配置される。第二要素領域41Gで第一カラーフィルター(青カラーフィルターCF−B)が配置された箇所には第一第一電極(第一陽極24B)が形成されている。第二要素領域41Gをその長辺を二分する様に分けた他方の領域には第二カラーフィルター(緑カラーフィルターCF−G)が平面視で重なる様に配置される。第二要素領域41Gで第二カラーフィルター(緑カラーフィルターCF−B)が配置された箇所には第二第一電極(第二陽極24G)が形成されている。第三要素領域41Rをその長辺を二分する様に分けた一方の領域にも第二カラーフィルター(緑カラーフィルターCF−G)が平面視で重なる様に配置される。第三要素領域41Rで第二カラーフィルター(緑カラーフィルターCF−G)が配置された箇所には第二第一電極(第二陽極24G)が形成されている。第三要素領域41Rをその長辺を二分する様に分けた他方の領域には第三カラーフィルター(赤カラーフィルターCF−R)が平面視で重なる様に配置される。第三要素領域41Rで第三カラーフィルター(赤カラーフィルターCF−G)が配置された箇所には第三第一電極(第三陽極24R)が形成されている。こうすると、図19に示す様に、有機EL装置11は完成する。即ち、第一要素領域41Bは第一サブピクセル(青サブピクセル42B)の一部となって、青表示Bをする。又、第二要素領域41Gの一方の半分(Y−Y’を含む方)も第一サブピクセル(青サブピクセル42B)の一部となって、青表示Bをする。第二要素領域41Gの他方の半分(X−X’を含む方)は第二サブピクセル(緑サブピクセル42G)の一部となって、緑表示Gをする。又、第三要素領域41Rの一方の半分(Y−Y’を含む方)も第二サブピクセル(緑サブピクセル42G)の一部となって、緑表示Gをする。第三要素領域41Rの他方の半分(X−X’を含む方)は第三サブピクセル(赤サブピクセル42R)となって、赤表示Rをする。   Next, the color filter substrate CF is disposed in accordance with the element substrate 31. As shown in FIG. 18, a first color filter (blue color filter CF-B) is arranged in the first element region 41B so as to overlap in plan view. The first color filter (blue color filter CF-B) is also arranged so as to overlap in a plan view in one area where the long side of the second element area 41G is divided into two. A first first electrode (first anode 24B) is formed at a location where the first color filter (blue color filter CF-B) is disposed in the second element region 41G. The second color filter (green color filter CF-G) is disposed so as to overlap in the plan view in the other region obtained by dividing the second element region 41G so that its long side is divided into two. A second first electrode (second anode 24G) is formed at a position where the second color filter (green color filter CF-B) is arranged in the second element region 41G. The second color filter (green color filter CF-G) is also arranged so as to overlap in one area in which the third element area 41R is divided so that the long side is divided into two. A second first electrode (second anode 24G) is formed at a location where the second color filter (green color filter CF-G) is arranged in the third element region 41R. The third color filter (red color filter CF-R) is arranged so as to overlap in the plan view in the other region obtained by dividing the third element region 41R so that the long side is divided in half. A third first electrode (third anode 24R) is formed at a position where the third color filter (red color filter CF-G) is arranged in the third element region 41R. Thus, the organic EL device 11 is completed as shown in FIG. That is, the first element region 41B becomes a part of the first subpixel (blue subpixel 42B) and performs blue display B. One half of the second element region 41G (including Y-Y ′) also becomes a part of the first subpixel (blue subpixel 42B) and performs blue display B. The other half (including X-X ′) of the second element region 41 </ b> G becomes a part of the second subpixel (green subpixel 42 </ b> G) and performs green display G. One half (including Y-Y ′) of the third element region 41 </ b> R also becomes a part of the second subpixel (green subpixel 42 </ b> G) and performs green display G. The other half (including X-X ′) of the third element region 41 </ b> R becomes a third sub-pixel (red sub-pixel 42 </ b> R) and displays red.

「寿命向上」
本実施形態に係わる有機EL装置の寿命向上の効果を、表2を参照して説明する。表2では、色座標(0.31、0.33)となる白色を200cd/m2の輝度で表示させた際の寿命を示している。表2(a)が比較例に相当し、表2(b)が本実施形態に係わる有機EL装置11に相当する。例えば、表2(b)に示す様に、本実施形態に係わる有機EL装置11での緑表示は色座標が(0.344、0.621)となるので、白色200cd/m2表示に必要となる表示輝度は1189cd/m2となる。カラーフィルターの実質的な透過率(EM−Rの発光スペクトルとEM−Gの発光スペクトルとそれらの面積比とを鑑みた緑の透過率)が0.48であるので、緑発光素子27Gは2503cd/m2の発光輝度で発光する必要があり、その際の寿命が4万0284時間となる。
"Improved service life"
The effect of improving the lifetime of the organic EL device according to this embodiment will be described with reference to Table 2. Table 2 shows the lifetime when white color with color coordinates (0.31, 0.33) is displayed at a luminance of 200 cd / m 2 . Table 2 (a) corresponds to the comparative example, and Table 2 (b) corresponds to the organic EL device 11 according to the present embodiment. For example, as shown in Table 2 (b), green display in the organic EL device 11 according to the present embodiment has a color coordinate of (0.344, 0.621), which is necessary for white 200 cd / m 2 display. The display luminance becomes 1189 cd / m 2 . Since the substantial transmittance of the color filter (green transmittance in view of the emission spectrum of EM-R, the emission spectrum of EM-G, and the area ratio thereof) is 0.48, the green light emitting element 27G has 2503 cd. It is necessary to emit light at an emission luminance of / m 2 , and the lifetime at that time is 40,284 hours.

Figure 2013197000
Figure 2013197000

本実施形態に係わる有機EL装置11では、各サブピクセル42における表示部の面積比率は赤表示:緑表示:青表示=5:10:15である。この様に第一サブピクセル(青サブピクセル42B)の面積が広いので、青発光素子27Bの発光輝度は450cd/m2と低く抑える事ができ、その結果、青発光素子27Bの寿命は1万0119時間へと伸びる。 In the organic EL device 11 according to this embodiment, the area ratio of the display unit in each sub-pixel 42 is red display: green display: blue display = 5: 10: 15. Thus, since the area of the first subpixel (blue subpixel 42B) is wide, the light emission luminance of the blue light emitting element 27B can be kept as low as 450 cd / m 2. As a result, the lifetime of the blue light emitting element 27B is 10,000. Extends to 0119 hours.

これに対して、表2(a)は要素領域41とサブピクセルとが一致している比較例であり、発光部の面積は青表示も緑表示も赤表示も同一で面積比率は赤表示:緑表示:青表示=10:10:10である。この場合、青発光素子の寿命が5000時間と短く、製品寿命はこの時間に制限されている。比較例に対して、本実施形態に係わる有機EL装置11の製品寿命は2.02倍となっている。   On the other hand, Table 2 (a) is a comparative example in which the element region 41 and the sub-pixel match, and the area of the light-emitting portion is the same in blue display, green display, and red display, and the area ratio is displayed in red: Green display: Blue display = 10: 10: 10. In this case, the life of the blue light emitting element is as short as 5000 hours, and the product life is limited to this time. Compared to the comparative example, the product life of the organic EL device 11 according to this embodiment is 2.02 times.

「電子機器」
次に、前述した有機EL装置11を適用した電子機器について、図20を参照して説明する。図20は、本発明に係る有機EL装置を備える電子機器の一例としてテレビの構成を模式的に示す概略斜視図である。以下、テレビの構成を、図20を参照しながら説明する。
"Electronics"
Next, an electronic apparatus to which the above-described organic EL device 11 is applied will be described with reference to FIG. FIG. 20 is a schematic perspective view schematically showing a configuration of a television as an example of an electronic apparatus including the organic EL device according to the present invention. Hereinafter, the configuration of the television will be described with reference to FIG.

図20に示す様に、テレビ101は、表示部102と、枠部103と、脚部104と、リモコン105とを有する。表示部102には、上述の製造方法を用いて製造された有機EL装置11が実装されている。枠部103は、表示部102をガイドするために用いられる。脚部104は、表示部102及び枠部103を一定の高さで固定するために用いられる。リモコン105は、例えば、テレビ101の電源をON/OFFしたり、チャンネルを変えたりするために用いられる。   As shown in FIG. 20, the television 101 includes a display unit 102, a frame unit 103, a leg unit 104, and a remote controller 105. The display unit 102 is mounted with the organic EL device 11 manufactured using the above-described manufacturing method. The frame part 103 is used for guiding the display part 102. The leg portion 104 is used to fix the display portion 102 and the frame portion 103 at a certain height. The remote controller 105 is used, for example, to turn on / off the power of the television 101 or change the channel.

尚、電子機器は、上記した有機EL装置11を備えておればテレビ101に限定されず、他にも例えば、ディスプレイ、携帯電話機、コンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーション装置、オーディオ機器等にも適用する事ができる。   The electronic device is not limited to the television 101 as long as it includes the organic EL device 11 described above, and for example, a display, a mobile phone, a computer, a digital camera, a digital video camera, a car navigation device, an audio device, etc. It can also be applied to.

以上述べた様に、本実施形態に係わる有機EL装置11に依れば、以下の効果を得る事ができる。
第一要素領域41Bにおける第一の色の表示に、第二要素領域41Gにおける第一の色の表示を加える事ができる。これにより、第一発光層での発光輝度を低くする事ができ、従って、第一発光層の寿命が伸ばされる。カラー表示を実現する複数の色の中で、寿命の短い色を第一発光層で発光させる事により、第一発光層の寿命を伸ばして、有機EL装置の製品寿命を長くする事ができる。更に、第一発光層や第二発光層、正孔注入層といった発光機能層を製造効率に優れる塗布法にて形成しても、第一要素領域41Bと第二要素領域41Gと第三要素領域41Rとの面積が等しいので、工程条件を三つの要素領域に対して最適とする事ができる。又、一つのサブピクセルが小さいという事がないので、高解像度化を進める事ができる。換言すると、高いカラー表示品位を示し、実用レベルの製品寿命を有する有機EL装置を高効率な製造工程で実現する事ができる。
As described above, according to the organic EL device 11 according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
The display of the first color in the second element region 41G can be added to the display of the first color in the first element region 41B. Thereby, the light emission luminance in the first light emitting layer can be lowered, and thus the life of the first light emitting layer is extended. By causing the first light emitting layer to emit a short-lived color among a plurality of colors that realize color display, the life of the first light emitting layer can be extended and the product life of the organic EL device can be extended. Furthermore, even if the light emitting functional layers such as the first light emitting layer, the second light emitting layer, and the hole injection layer are formed by a coating method having excellent manufacturing efficiency, the first element region 41B, the second element region 41G, and the third element region are formed. Since the area of 41R is equal, process conditions can be optimized for the three element regions. In addition, since one subpixel is not small, the resolution can be increased. In other words, an organic EL device that exhibits high color display quality and has a practical product life can be realized by a highly efficient manufacturing process.

尚、本実施形態では、青サブピクセル42Bが第一サブピクセルであり、緑サブピクセル42Gが第二サブピクセルであったが、第一サブピクセルと第二サブピクセルとに対する組み合わせはこれに限られない。例えば、一つの画素71を4個のサブピクセルで構成し、赤サブピクセルと緑サブピクセルと黄色サブピクセルのいずれかを第二サブピクセル又は第三サブピクセルとし、青サブピクセルを第一サブピクセルとしても良い。或いは、例えば、赤サブピクセルと緑サブピクセルとのいずれかを第三サブピクセルとし、青サブピクセルを第二サブピクセルとし、白色サブピクセルを第一サブピクセルとしても良い。   In the present embodiment, the blue subpixel 42B is the first subpixel and the green subpixel 42G is the second subpixel. However, combinations of the first subpixel and the second subpixel are limited to this. Absent. For example, one pixel 71 is composed of four subpixels, and any one of the red subpixel, the green subpixel, and the yellow subpixel is set as the second subpixel or the third subpixel, and the blue subpixel is set as the first subpixel. It is also good. Alternatively, for example, either the red subpixel or the green subpixel may be the third subpixel, the blue subpixel may be the second subpixel, and the white subpixel may be the first subpixel.

尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良を加えることが可能である。以下に変形例を述べる。   In addition, this invention is not limited to embodiment mentioned above, A various change and improvement can be added to embodiment mentioned above. A modification is described below.

(変形例1)
「トップエミッション構造の形態」
実施形態1では、一例としてボトムエミッション構造の有機EL装置11が説明されたが、本発明はトップエミッション構造の有機EL装置11にも適用可能である。即ち、有機EL装置11を発光層63から発せられた光を上側に(素子基板31の反対側に)取り出す構造としても良い。これに伴い、実施形態1では第一電極が陽極24で第二電極が陰極25で有ったが、本変形例では第一電極が陰極25となり、第二電極が陽極24とされる。又、カラーフィルター基板CF−Subは素子基板31の上側に配置される。
(Modification 1)
“Top emission structure”
In Embodiment 1, the organic EL device 11 having a bottom emission structure has been described as an example. However, the present invention can also be applied to the organic EL device 11 having a top emission structure. That is, the organic EL device 11 may have a structure in which light emitted from the light emitting layer 63 is extracted upward (on the opposite side of the element substrate 31). Accordingly, in the first embodiment, the first electrode is the anode 24 and the second electrode is the cathode 25, but in this modification, the first electrode is the cathode 25 and the second electrode is the anode 24. The color filter substrate CF-Sub is disposed on the upper side of the element substrate 31.

具体的には、まず、第一電極としての陰極25を形成した後、陰極25の上に電子輸送層65を形成する。陰極25と電子輸送層65とは要素領域41毎に独立に形成される。次いで、第二要素領域41Gに第二発光層を、第三要素領域41Rに第三発光層を、塗布法で形成する。次に素子基板31の全面に第一発光層と正孔輸送層62、正孔注入層61とをこの順序にて蒸着法により形成し、最後に第二電極としての陽極24を形成する。陽極24は透明導電膜で形成する。これにより、発光素子層44にて発光した光は素子基板31の上側に取り出され、有機EL装置11は、所謂、トップエミッション構造となる。第一電極の形状やカラーフィルターの配置などは実施形態1と同じである。   Specifically, first, the cathode 25 as the first electrode is formed, and then the electron transport layer 65 is formed on the cathode 25. The cathode 25 and the electron transport layer 65 are formed independently for each element region 41. Next, a second light emitting layer is formed in the second element region 41G, and a third light emitting layer is formed in the third element region 41R by a coating method. Next, the first light emitting layer, the hole transport layer 62, and the hole injection layer 61 are formed in this order on the entire surface of the element substrate 31 by vapor deposition, and finally the anode 24 as the second electrode is formed. The anode 24 is formed of a transparent conductive film. Thereby, the light emitted from the light emitting element layer 44 is extracted to the upper side of the element substrate 31, and the organic EL device 11 has a so-called top emission structure. The shape of the first electrode and the arrangement of the color filter are the same as those in the first embodiment.

(変形例2)
「第一電極やカラーフィルターの形状が異なる形態」
第一電極やカラーフィルターの形状は、実施形態1に捕らわれず、自由に変更する事ができる。図21と図22とは本変形例に係わる第一電極とカラーフィルターとを説明した図で、(a)は素子基板の平面図で、(b)はカラーフィルター基板の平面図である。図18に示す実施形態1では、第二要素領域41Gの長辺に対して二分して、その一方を第一サブピクセルとし、他方を第二サブピクセルとしていた。又、図18に示す実施形態1では、第三要素領域41Rの長辺に対して二分して、その一方を第二サブピクセルとし、他方を第三サブピクセルとしていた。
(Modification 2)
“The first electrode and the color filter have different shapes”
The shapes of the first electrode and the color filter are not captured by the first embodiment, and can be freely changed. FIGS. 21 and 22 are diagrams illustrating the first electrode and the color filter according to this modification. FIG. 21A is a plan view of the element substrate, and FIG. 21B is a plan view of the color filter substrate. In Embodiment 1 shown in FIG. 18, it bisected with respect to the long side of the 2nd element area | region 41G, the one was made into the 1st sub pixel, and the other was made into the 2nd sub pixel. In the first embodiment shown in FIG. 18, the long side of the third element region 41R is divided into two parts, one of which is the second subpixel and the other is the third subpixel.

これに対して、本変形例では、図21に示す様に、第二要素領域41Gの短辺に対して二分して、その一方(図21で右側)を第一サブピクセルとし、他方(図21で左側)を第二サブピクセルとしている。又、図21に示す様に、第三要素領域41Rの短辺に対して二分して、その一方(図21で右側)を第二サブピクセルとし、他方(図21で左側)を第三サブピクセルとしている。更には、図22に示す様に、第二要素領域41Gを斜めに二分して、その一方(図21で右下側)を第一サブピクセルとし、他方(図21で左上側)を第二サブピクセルとしてもよい。又、図22に示す様に、第三要素領域41Rを斜めに二分して、その一方(図21で右下側)を第二サブピクセルとし、他方(図21で左上側)を第三サブピクセルとしてもよい。この様に要素領域41とサブピクセル42とは実施形態1や本変形例で示した例に捕らわれず、様々な形状にする事ができる。   On the other hand, in this modified example, as shown in FIG. 21, the short side of the second element region 41G is divided into two, and one of them (the right side in FIG. 21) is used as the first subpixel, and the other (see FIG. 21). 21 is the second subpixel. Further, as shown in FIG. 21, the short side of the third element region 41R is divided into two parts, one of which (right side in FIG. 21) is the second sub-pixel, and the other (left side in FIG. 21) is the third sub-pixel. Pixels. Furthermore, as shown in FIG. 22, the second element region 41G is diagonally divided into two, and one of them (lower right side in FIG. 21) serves as the first subpixel, and the other (upper left side in FIG. 21) serves as the second subpixel. It may be a subpixel. Further, as shown in FIG. 22, the third element region 41R is diagonally divided into two, and one of them (lower right side in FIG. 21) serves as a second sub-pixel, and the other (upper left side in FIG. 21) serves as a third sub-pixel. It may be a pixel. As described above, the element region 41 and the sub-pixel 42 are not limited to the example shown in the first embodiment or the present modification, and can be formed in various shapes.

11…有機EL装置、21…選択トランジスター、23…駆動トランジスター、24…陽極、24B…第一陽極、24G…第二陽極、24R…第三陽極、25…陰極、26…発光機能層、27…発光素子、27B…青発光素子、27G…緑発光素子、27R…赤発光素子、31…素子基板、32a…実表示領域、41…要素領域、41B…第一要素領域、41G…第二要素領域、41R…第三要素領域、42…サブピクセル、42B…青サブピクセル、42G…緑サブピクセル、42R…赤サブピクセル、44…発光素子層、58…第一隔壁、59…第二隔壁、61…正孔注入層、62…正孔輸送層、63…発光層、63B…青発光層、63G…緑発光層、63R…赤発光層、64…正孔ブロッキング層、65…電子輸送層、71…画素、591…開口部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Organic EL device, 21 ... Selection transistor, 23 ... Drive transistor, 24 ... Anode, 24B ... First anode, 24G ... Second anode, 24R ... Third anode, 25 ... Cathode, 26 ... Light emitting functional layer, 27 ... Light emitting element, 27B ... Blue light emitting element, 27G ... Green light emitting element, 27R ... Red light emitting element, 31 ... Element substrate, 32a ... Real display area, 41 ... Element area, 41B ... First element area, 41G ... Second element area , 41R ... third element region, 42 ... subpixel, 42B ... blue subpixel, 42G ... green subpixel, 42R ... red subpixel, 44 ... light emitting element layer, 58 ... first partition, 59 ... second partition, 61 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Hole injection layer, 62 ... Hole transport layer, 63 ... Light emission layer, 63B ... Blue light emission layer, 63G ... Green light emission layer, 63R ... Red light emission layer, 64 ... Hole blocking layer, 65 ... Electron transport layer, 71 ... pixel, 5 1 ... opening.

Claims (11)

画素を備え、
前記画素は、第一サブピクセルを有すると共に、第一要素領域と第二要素領域とを含み、
前記第一要素領域には第一の色を主に発光する第一発光層が形成され、前記第二要素領域には第二の色を主に発光する第二発光層が形成され、
前記第一サブピクセルは、前記第一要素領域と前記第二要素領域とに跨って形成された第一第一電極を有し、
前記第一の色を主に透過する第一カラーフィルターが、前記第一サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事を特徴とする有機EL装置。
With pixels,
The pixel has a first sub-pixel and includes a first element region and a second element region,
A first light emitting layer that mainly emits a first color is formed in the first element region, and a second light emitting layer that mainly emits a second color is formed in the second element region,
The first sub-pixel has a first first electrode formed across the first element region and the second element region,
An organic EL device, wherein a first color filter that mainly transmits the first color is disposed so as to overlap the first subpixel in a plan view.
前記画素は、更に第二サブピクセルを有し、
前記第二サブピクセルは、前記第二要素領域に形成された第二第一電極を有し、
前記第二の色を主に透過する第二カラーフィルターが、前記第二サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事を特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
The pixel further includes a second sub-pixel,
The second subpixel has a second first electrode formed in the second element region,
2. The organic EL device according to claim 1, wherein a second color filter that mainly transmits the second color is disposed so as to overlap the second subpixel in a plan view.
前記画素は、更に第二サブピクセルを有すると共に、第三要素領域を含み、
前記第三要素領域には第三の色を主に発光する第三発光層が形成され、
前記第二サブピクセルは、前記第二要素領域と前記第三要素領域とに跨って形成された第二第一電極を有し、
前記第二の色を主に透過する第二カラーフィルターが、前記第二サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事を特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
The pixel further includes a second subpixel and includes a third element region;
In the third element region, a third light emitting layer that mainly emits a third color is formed,
The second subpixel has a second first electrode formed across the second element region and the third element region,
2. The organic EL device according to claim 1, wherein a second color filter that mainly transmits the second color is disposed so as to overlap the second subpixel in a plan view.
前記画素は、更に第三サブピクセルを有し、
前記第三サブピクセルは、前記第三要素領域に形成された第三第一電極を有し、
前記第三の色を主に透過する第三カラーフィルターが、前記第三サブピクセルに平面視にて重なる様に配置されている事を特徴とする請求項3に記載の有機EL装置。
The pixel further includes a third sub-pixel,
The third sub-pixel has a third first electrode formed in the third element region;
The organic EL device according to claim 3, wherein a third color filter that mainly transmits the third color is disposed so as to overlap the third subpixel in a plan view.
前記第一要素領域の面積と前記第二要素領域の面積とがほぼ等しい事を特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機EL装置。   5. The organic EL device according to claim 1, wherein an area of the first element region is substantially equal to an area of the second element region. 6. 前記第一要素領域の面積と前記第二要素領域の面積と前記第三要素領域の面積とがほぼ等しい事を特徴とする請求項3又は4に記載の有機EL装置。   5. The organic EL device according to claim 3, wherein an area of the first element region, an area of the second element region, and an area of the third element region are substantially equal. 前記第一要素領域にて前記第一発光層が前記第一第一電極と電気的に接触している平面積と、前記第二要素領域にて前記第二発光層が前記第一第一電極及び前記第二第一電極と電気的に接触している平面積と、がほぼ等しい事を特徴とする請求項2に記載の有機EL装置。   A planar area in which the first light emitting layer is in electrical contact with the first first electrode in the first element region, and the second light emitting layer in the second element region is the first electrode. 3. The organic EL device according to claim 2, wherein a planar area in electrical contact with the second first electrode is substantially equal. 前記第一要素領域にて前記第一発光層が前記第一第一電極と電気的に接触している平面積と、前記第二要素領域にて前記第二発光層が前記第一第一電極及び前記第二第一電極と電気的に接触している平面積と、前記第三要素領域にて前記第三発光層が前記第二第一電極及び前記第三第一電極と電気的に接触している平面積と、がほぼ等しい事を特徴とする請求項4に記載の有機EL装置。   A planar area in which the first light emitting layer is in electrical contact with the first first electrode in the first element region, and the second light emitting layer in the second element region is the first electrode. And a planar area in electrical contact with the second first electrode, and the third light emitting layer in electrical contact with the second first electrode and the third first electrode in the third element region The organic EL device according to claim 4, wherein the flat area is substantially equal. 前記第一第一電極が前記第一発光層及び前記第二発光層と電気的に接触している総平面積と、前記第二第一電極が前記第二発光層及び前記第三発光層と電気的に接触している総平面積と、前記第三第一電極が前記第三発光層と電気的に接触している総平面積と、の比が、概ね15:10:5である事を特徴とする請求項4に記載の有機EL装置。   A total planar area in which the first first electrode is in electrical contact with the first light emitting layer and the second light emitting layer; and the second first electrode is formed with the second light emitting layer and the third light emitting layer. The ratio of the total plane area in electrical contact with the total plane area in which the third first electrode is in electrical contact with the third light emitting layer is approximately 15: 10: 5. The organic EL device according to claim 4. 前記第一の色が青である事を特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の有機EL装置。   The organic EL device according to any one of claims 1 to 9, wherein the first color is blue. 請求項1乃至10のいずれか一項に記載の有機EL装置を備えた事を特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the organic EL device according to claim 1.
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