JP2013187323A - 評価装置及びコンピュータプログラム - Google Patents

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Abstract

【課題】ガス配管内のガスの状態を自動的に判定することができる評価装置及びコンピュータプログラムの提供。
【解決手段】サーバ装置は、ガス配管のガスの状態を判定するべき旨の指示を受付けた場合(S11)、レシピにより規定されているプロセス条件を取得し(S13)、各流量制御部の動作状態を特定する(S14)。次いで、サーバ装置は、MFCテーブルを参照して(S15)、特定した各流量制御部の動作状態に基づいて、各流量制御部の上流側及び下流側の流路内におけるガスの状態を判定し(S16)、判定結果を出力する(S18)。
【選択図】図7

Description

本発明は、半導体製造装置を評価するための評価装置及びコンピュータプログラムに関する。
半導体製造装置において、生産レシピやメンテナンスレシピの妥当性を評価したり、装置の健康状態を評価したりする際、各レシピのステップ毎にガス配管内がどのような状態になっているのかを把握する必要がある。例えば、任意の時点において、ガス配管内でガスが流れている状態であるか、真空に引かれていてガスが残留していない状態であるか、ガスが残留している状態であるかについて把握する必要がる。
ガス配管内の状態を把握するために、従来では、ガスフローチャート上で生産レシピ又はメンテナンスレシピを1ステップずつ確認する作業を行っていた。
特開2004−6801号公報
しかしながら、半導体製造装置のガス配管内の状態を把握するためには、ガス配管に設けられているマスフローコントローラの動作状態、マスフローコントローラの上流側及び下流側のバルブの開閉状態、自動圧力制御器の開度等をガスフローチャートを参照しながら確認する必要があり、人手により把握することは困難な作業となる。
特に、ガス配管には複数のマスフローコントローラ、バルブが設置されていることが一般的であり、それら個々の設定状態を総合的に確認しながらガス配管内の状態を把握することは困難である。
また、ガス配管内の状態は前ステップの状態にも左右するため、1ステップ目から順に確認しなければならないという問題点を有している。半導体製造装置において運用されているレシピのステップ数は20〜100程度、また、ガスの種類(マスフローコントローラの個数)は10数個であるため、全てのガス配管について配管内のガスの状態を人手により把握することは、非常に煩雑な作業となり、現実的でないという問題点を有している。
本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、ガス配管内のガスの状態を自動的に判定することができる評価装置及びコンピュータプログラムを提供することを目的とする。
本発明に係る評価装置は、1又は複数のガス供給源から供給されるガスの流路に複数の流量制御部を設けてあり、時系列的に定めた処理条件に従って前記流量制御部の動作を制御し、半導体の製造プロセスにおけるガスの供給を調整する半導体製造装置を評価するための評価装置において、前記流量制御部の配置関係を記憶する記憶手段と、任意の時点での処理条件に係る情報を取得する手段と、取得した処理条件に係る情報に基づき、各流量制御部の動作状態を特定する手段と、特定した動作状態及び前記記憶手段に記憶されている配置関係に基づき、各流量制御部の上流側及び下流側の流路内におけるガスの状態を判定する判定手段とを備えることを特徴とする。
本発明にあっては、各種開閉弁、マスフローコントローラ、自動圧力制御器、真空ポンプなどの流量制御部の配置関係(接続関係)が記憶手段に記憶されており、各時点での各流量制御部の動作状態が処理条件として規定されているので、記憶手段に記憶されている配置関係の情報、及び処理条件から特定できる各流量制御部の動作状態の情報を取得することにより、任意の時点でのガス配管内のガスの状態が判定される。
本発明に係る評価装置は、前記流量制御部は、流路を開閉する開閉弁及び流路内のガスの流量を制御する流量制御器を含み、前記処理条件は、前記開閉弁の開閉状態、及び前記流量制御器の動作状態を規定してあることを特徴とする。
本発明にあっては、開閉弁の開閉状態及びマスフローコントローラのような流量制御器の動作状態を処理条件として規定しているため、このような処理条件を参照することにより、任意の時点での各流量制御部の動作状態が特定される。
本発明に係る評価装置は、前記流量制御器を識別する識別子と、前記流量制御器の上流側及び下流側に接続された開閉弁を識別する識別子とを対応付けて記憶したテーブルにより前記配置関係を規定してあることを特徴とする。
本発明にあっては、流量制御器を識別する識別子と流量制御部の上流側及び下流側に接続された開閉弁を識別する識別子とを対応付けて記憶したテーブルを有するので、識別子を検索することにより各流量制御部及び各開閉弁の配置関係が特定される。
本発明に係る評価装置は、前記流量制御部は、流路内のガスを排気するポンプ、又は流路内のガス圧を制御する圧力制御器を更に含み、前記処理条件は、前記ポンプ又は前記圧力制御器の動作状態を規定してあり、前記テーブルは、流路を介して前記ポンプ又は圧力制御器に接続された開閉弁の識別子と接続されていない開閉弁の識別子とを区別して記憶してあることを特徴とする。
本発明にあっては、ポンプ及び圧力制御器のような流量制御器の動作状態を処理条件として規定しているため、このような処理条件を参照することにより、任意の時点での各流量制御部の動作状態が特定される。
また、テーブルには、ポンプ又は圧力制御器と開閉弁との接続関係が規定されているので、識別子を検索することにより、ポンプ又は圧力制御器に接続された開閉弁とポンプ及び圧力制御器に接続されていない開閉弁とが区別される。
本発明に係る評価装置は、前記判定手段は、流路内でガスが通流している状態であるか否かを判定するようにしてあり、流路内でガスが通流している状態であると前記判定手段が判定した場合、前記流路内のガスの流量を検出する手段と、検出したガスの流量を出力する手段とを備えることを特徴とする。
本発明にあっては、ガスが通流している状態と判定された場合に、実際のガス流量を検出する構成としているので、ガス流量の安定性又は制御性が評価される。
本発明に係る評価装置は、前記判定手段は、流路内にガスが残量している状態であるか否かを判定するようにしてあり、流路内にガスが残留していない状態であると前記判定手段が判定した場合、前記流路内のガスの流量を検出する手段と、検出したガスの流量を出力する手段とを備えることを特徴とする。
本発明にあっては、ガスが残留していない状態と判定された場合に、実際のガスの流量を検出する構成としているので、流量制御器におけるゼロ点評価が可能となる。
本発明に係る評価装置は、前記判定手段は、流路内にガスが残量している状態であるか否かを判定するようにしてあり、流路内にガスが残留している状態であると前記判定手段が判定した場合、前記処理条件に基づいてガスの滞留時間を算出する手段と、算出したガスの滞留時間を出力する手段とを備えることを特徴とする。
本発明にあっては、ガスが残留している状態と判定された場合に、ガスの滞留時間を算出する構成としているので、ガス配管内における耐食性ガス滞留時間が評価される。
本発明に係るコンピュータプログラムは、1又は複数のガス供給源から供給されるガスの流路に複数の流量制御部を設けてあり、時系列的に定めた処理条件に従って前記流量制御部の動作を制御し、半導体の製造プロセスにおけるガスの供給を調整する半導体製造装置を評価するためのコンピュータプログラムにおいて、コンピュータに、任意の時点での処理条件に基づいて、各流量制御部の動作状態を特定するステップと、特定した動作状態及び予め記憶された各流量制御部の配置関係に係る情報に基づき、各流量制御部の上流側及び下流側の流路内におけるガスの状態を判定するステップとを実行させることを特徴とする。
本発明にあっては、各種開閉弁、マスフローコントローラ、自動圧力制御器、真空ポンプなどの流量制御部の配置関係(接続関係)の情報、及び処理条件から特定できる各流量制御部の動作状態の情報に基づき、任意の時点でのガス配管内のガスの状態の判定結果がコンピュータによるシミュレーションにより求まる。
本発明によれば、生産レシピ又はメンテナンスレシピに規定された各ステップを人手により順に確認することなく、ガス配管内のガスの状態を自動的に判定することができる。
本実施の形態に係る半導体製造装置を含むシステムの全体構成を示す模式図である。 半導体製造装置におけるガス配管の構成例を示す模式図である。 サーバ装置のハードウェア構成を示すブロック図である。 サーバ装置の機能的構成を示すブロック図である。 MFCテーブルの一例を示す図である。 ガス配管の構成を単純化したモデルを示す模式図である。 サーバ装置が実行する処理の手順を示すフローチャートである。 実施の形態2に係るサーバ装置の機能的構成を示すブロック図である。 実施の形態3に係るサーバ装置の機能的構成を示すブロック図である。 実施の形態4に係るサーバ装置の機能的構成を示すブロック図である。
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
実施の形態1.
図1は本実施の形態に係る半導体製造装置を含むシステムの全体構成を示す模式図である。本実施の形態に係る半導体製造装置20は、例えば、成膜に寄与する複数種類のガスを縦型の処理室に流して半導体ウエハを製造する縦型炉半導体製造装置である。
装置構成については後に詳述することとするが、本実施の形態に係る半導体製造装置20は、例えば、複数種のガスを供給するためのガス供給源、ガス供給源から供給されるガスの流路であるガス配管、ガス配管の中途に適宜設けた複数の流量制御部、製造対象の半導体ウエハを収容し、ガス供給源から供給されるガスが充填される処理室等を備える。流量制御部としては、例えば、流路を開閉する開閉弁(バルブ)、ガスの質量流量に基づいてガス配管内の流量を制御するマスフローコントローラ(MFC : Mass Flow Controller)、ガス配管内のガスを排気するための真空ポンプ、ガス配管内のガス圧を調整する自動圧力制御器(APC : Automatic Pressure Controller)等を備える。
半導体製造装置20には、LANのような通信ネットワーク5を介してサーバ装置10が接続されている。サーバ装置10は、半導体製造装置20の動作を制御する機能を有する。このため、サーバ装置10には、生産レシピ110、メンテナンスレシピ111等が記憶されている(図4を参照)。
生産レシピ110は、半導体ウエハを熱処理するときのプロセス条件を時系列的に定めたものである。生産レシピ110は、一般的に20〜100個程度のステップからなり、各ステップには、ガスの種類、ガスの流量、処理室内の温度及び圧力等の条件が規定されている。サーバ装置10は、生産レシピ110の各ステップで規定されたプロセス条件に従って半導体製造装置20の動作を制御することにより、半導体製造装置20にて半導体ウエハの製造を行う。
一方、メンテナンスレシピ111は、半導体製造装置20のメンテナンスを行うときに用いるレシピであり、例えば、処理室内を洗浄するときのガスの種類、ガス流量、温度などの条件、又は半導体製造装置20が備える駆動部(不図示)の動作をチェックするときの条件等を時系列的に定めたものである。
また、本実施の形態に係るサーバ装置10は、半導体製造装置20を評価する評価装置として機能するように構成されており、任意の時点でのガス配管内のガスの状態を判定する判定手段を備える。サーバ装置10は、このような判定手段を備えることにより、例えば、ガスが流れている状態であるか、ガス配管内にガスが残留している状態であるか、真空に引かれていてガスが残留していない状態であるか等を把握することができる。
図2は半導体製造装置20におけるガス配管の構成例を示す模式図である。図2に示す構成例では、ガスの供給源S1〜S3が3つ設けられている。第1のガス供給源S1から処理室PRに至る流路(ガス配管)には、上流側から順に、バルブA1、マスフローコントローラMFC_A、バルブA2、バルブY1が設けられている。バルブY1は、この流路の最終のバルブ(Tube Last Valve)である。
また、第2のガス供給源S2から処理室PRに至る流路には、上流側から順に、バルブC1、マスフローコントローラMFC_C、バルブC2、バルブY1が設けられている。更に、第3のガス供給源S3から処理室PRに至る流路には、上流側から順に、マスフローコントローラMFC_B、バルブB1、マスフローコントローラMFC_C、バルブC2、バルブY1が設けられている。図2に示すように、第2のガス供給源S2から処理室PRに至る流路、及び第3のガス供給源S3から処理室PRに至る流路は、一部が共通した流路である。
バルブY1の上流側には、分岐路が設けられており、この分岐路にはバルブX1、真空ポンプPU、自動圧力制御器APCが配置されている。バルブX1は、配管内のガスを排気するための真空ポンプPUに接続されており、排気用のバルブとして設けられている。
なお、図2に示すガス配管の構成は一例に過ぎず、ガス供給源の個数、マスフローコントローラの個数、バルブの接続関係、各ガス配管の接続関係は図2に限定されるものではない。
図3はサーバ装置10のハードウェア構成を示すブロック図である。サーバ装置10は、CPU101、ROM102、RAM103、通信インタフェース104、ハードディスクドライブ105、光ディスクドライブ106、キーボード107、及びディスプレイ108を備える。
ROM102には、上述したハードウェア各部の動作を制御するために必要なコンピュータプログラムが予め格納されている。また、ハードディスク105Dには、サーバ装置10を、本願の評価装置として機能させるためのコンピュータプログラムが予め格納されている。
CPU101は、適宜のタイミングでROM102又はハードディスク105Dに格納されているコンピュータプログラムをRAM103上に読み出し、実行することにより、上述したハードウェア各部の動作を制御し、装置全体を本願の評価装置として動作させる。
RAM103は、例えば、DRAM(Dynamic RAM)、SRAM(Static RAM)などであり、CPU101によるコンピュータプログラムの実行時に発生する種々のデータ(例えば、演算結果、選択結果、各種パラメータ)を一時的に記憶する。
通信インタフェース104は、通信ネットワーク5を介して、半導体製造装置20と通信するための通信手段として機能する。
ハードディスクドライブ105は、ハードディスク105Dに対してデータの書き込み、及びハードディスク105Dからのデータの読み出しを制御する。ハードディスクドライブ105は、キーボード107を通じて受付けた情報、通信インタフェース104にて受信した情報、光ディスクドライブ106により光ディスク106Dから読み出された情報等をハードディスク105Dに書き込むことにより、ハードディスク105Dに各種情報を記憶させる。
また、ハードディスク105Dには、上述したコンピュータプログラム、各種情報の他、必要な生産レシピ110、メンテナンスレシピ111、後述するMFCテーブル120が予め記憶されているものとする。
光ディスクドライブ106は、光ディスク106Dに対してデータの書き込み、及び光ディスク106Dに記録されたデータの読み出しを制御する。なお、本実施の形態では、本願の評価装置を実現するためのコンピュータプログラムがハードディスク105Dに記憶されているものとしたが、光ディスク106Dに記録された状態で提供されるものであってもよい。
キーボード107は、作業者による操作及び文字入力を受付ける。ディスプレイ108は、作業者に報知すべき情報を表示する。
なお、サーバ装置10が通信ネットワーク5を介して遠隔操作が可能である場合には、光ディスクドライブ106、キーボード107、ディスプレイ108等が省略されていてもよい。
図4はサーバ装置10の機能的構成を示すブロック図である。サーバ装置10は、動作状態特定部11、判定部12、及び配管状態記憶部13を備える。動作状態特定部11は、生産レシピ110、メンテナンスレシピ111より任意の時点(レシピにより定められる任意のステップ)でのプロセス条件を取得し、取得したプロセス条件に基づき、その時点での各流量制御部の動作状態、すなわちバルブの開閉状態、マスフローコントローラ、真空ポンプ、自動圧力制御器等の動作状態を特定する。動作状態特定部11は、特定した各流量制御部の動作状態を判定部12に通知する。
判定部12は、動作状態特定部11から各流量制御部の動作状態が通知された場合、MFCテーブル120を参照して、各流量制御部の上流側及び下流側のガス配管内におけるガスの状態を判定する。MFCテーブル120は、後述するように、各流量制御部の配置関係を記憶したテーブルである。
配管状態記憶部13は、判定部12によって判定された各ステップでのガス配管内のガスの状態を記憶する。
図5はMFCテーブル120の一例を示す図である。図5Aは、各マスフローコントローラの識別子と、各マスフローコントローラの一次側(上流側)に接続されているバルブの識別子とを対応付けて記憶したテーブルである。
図2に示した配管構成例では、マスフローコントローラMFC_Aの上流側に、バルブA1が接続されている。このため一次側MFCテーブルでは、マスフローコントローラMFC_Aの識別子とバルブA1の識別子とを対応付けて登録することにより、両者の配置関係を表す。他のマスフローコントローラについても同様であり、図5Aに示す一次側MFCテーブルは、マスフローコントローラMFC_Bの上流側に接続されたバルブが存在しないこと、及びマスフローコントローラMFC_Cの上流側には、2つのバルブB1,C1が存在することを示している。
図5Bは、各マスフローコントローラの識別子と、各マスフローコントローラの二次側(下流側)に接続されているバルブの識別子とを対応付けて記憶したテーブルである。
図2に示した配管構成例では、マスフローコントローラMFC_Aの下流側に、バルブA2,Y1,X1が接続されている。このため、二次側MFCテーブルでは、マスフローコントローラMFC_Aの識別子と、バルブA2,Y1,X1の識別子とを対応付けて登録する。なお、本実施の形態では、ガス配管の最下流に接続されたバルブ及び真空ポンプPUに接続されたバルブを、他のバルブと区別して登録する。例えば、バルブY1は、ガス配管の最下流に接続されたバルブ(Tube Last Valve)であること、バルブX1は、真空ポンプPUに接続されたバルブ(Exhaust Valve)であることを区別してバルブの識別子を登録する。
他のマスフローコントローラについても同様である。マスフローコントローラMFC_Bの下流側には、バルブB1のみが接続されているため、マスフローコントローラMFC_Bの識別子とバルブB1の識別子とを対応付けて登録する。マスフローコントローラMFC_Bには、ガス配管の最下流のバルブ及び真空ポンプPUに接続されたバルブが接続されていないため、「Tube Last Valve」及び「Exhaust Valve」の欄は空欄である。
また、マスフローコントローラMFC_Cの下流側にはバルブC2,Y1,X1が接続されているため、マスフローコントローラMFC_Cの識別子とバルブC2,Y1,X1の識別子とを対応付けて登録する。バルブY1は、ガス配管の最下流に接続されたバルブであるため、「Tube Last Valve」の欄にはバルブY1の識別子が登録される。バルブX1は、真空ポンプPUに接続されたバルブであるため、「Exhaust Valve」の欄にはバルブX1の識別子が登録される。
例えば、一次側MFCテーブルの「MFC_B」の欄を参照すると、マスフローコントローラMFC_Bとガス供給源との間にはバルブが存在しないことが分かる。また、二次側MFCテーブルの「MFC_B」の欄を参照すると、「Tube Last Valve」及び「Exhaust Valve」に対応するバルブの識別子が登録されていないため、マスフローコントローラMFC_Bには、別のマスフローコントローラが接続されていると判断する。バルブB1の識別子を下流側に持つマスフローコントローラを一次側MFCテーブルより検索すると、マスフローコントローラMFC_Cが該当するため、マスフローコントローラMFC_Bの下流側には、マスフローコントローラMFC_Cが設置されていると判断することができる。
また、例えば、二次側MFCテーブルの「MFC_A」及び「MFC_C」の欄を参照すると、「Tube Last Valve」及び「Exhaust Valve」に登録されたバルブの識別子が同一であるため、少なくとも一部が共通するガス配管に接続されていると判断することができる。
このようなMFCテーブル120を備えることより、サーバ装置10は、上述したコンピュータプログラムの実行時に、マスフローコントローラ及びバルブの配置関係に関する情報を取込むことが可能となる。サーバ装置10は、MFCテーブル120と生産レシピ110(又はメンテナンスレシピ111)とを参照して、ガス配管内のガスの状態を判定する。
以下、サーバ装置10による判定手法について説明する。図6は、ガス配管の構成を単純化したモデルを示す模式図である。図6に示す例では、ガス供給源からマスフローコントローラ(MFC)に至るガス配管にはバルブ1が設けられており、マスフローコントローラの上流側のガス配管には、バルブ2を介して、自動圧力制御器(APC)及びポンプが接続されているものとする。なお、図6のモデルは、図2に記載した配管構成例を示すものではない。
サーバ装置10は、生産レシピ110(又はメンテナンスレシピ111)を参照することにより、任意の時点における、各バルブの開閉状態、マスフローコントローラ、自動圧力制御器、真空ポンプの動作状態に係る情報を取得することができる。
このため、前ステップが「ガスが流れている」状態で、現ステップが、バルブ1及びマスフローコントローラが閉状態、バルブ2及び自動圧力制御器が開状態である場合、バルブ1とマスフローコントローラとの間の配管は、「ガスが残留している状態」と判定することができ、マスフローコントローラとバルブ2との間のガス配管は、真空ポンプの動作により「ガスは残留していない状態」と判定することができる。
図7はサーバ装置10が実行する処理の手順を示すフローチャートである。サーバ装置10が、キーボード107を通じて、ガス配管のガスの状態を判定するべき旨の指示を受付ける(ステップS11)。このとき、作業者はどの時点(レシピ内のステップ)のガスの状態を判定するのかについて指定してもよい。
動作状態特定部11は、判定対象の生産レシピ110(又はメンテナンスレシピ111)を指定し(ステップS12)、レシピにより規定されているプロセス条件を取得する(ステップS13)。次いで、動作状態特定部11は、取得したプロセス条件に基づき、各流量制御部の動作状態、すなわちバルブの開閉状態、マスフローコントローラ、真空ポンプ、自動圧力制御器等の動作状態を特定する(ステップS14)。動作状態特定部11は、特定した各流量制御部の動作状態を判定部12に通知する。
判定部12は、動作状態特定部11から各流量制御部の動作状態が通知された場合、MFCテーブル120を参照して(ステップS15)、各流量制御部の上流側及び下流側の流路内におけるガスの状態を判定する(ステップS16)。このとき、配管状態記憶部13に記憶された前ステップでのガスの状態を考慮することも可能である。
次いで、判定部12は、判定結果であるガスの状態を配管状態記憶部13に記憶させると共に、全ステップについて判定を行ったか否かを判断する(ステップS17)。判定を行っていないステップが存在する場合には(S17:NO)、判定部12は、処理をステップS12へ戻す。
全ステップについて判定を行ったと判断した場合(S17:YES)、判定部12は、判定結果を出力する(ステップS18)。判定結果の出力は、例えば、ディスプレイ108に文字情報を表示することにより実施する構成としてもよく、またサーバ装置10内で判定結果を利用して更に処理を行う場合には、その処理部にデータとして送出する構成としてもよい。また、通信インタフェース104を通じて外部の装置へ送信する構成としてもよい。
なお、判定結果は全てのステップについて出力するものであってもよく、作業者によって指定されたステップのみの判定結果を出力するものであってもよい。
このように、実施の形態1では、ガス配管内の状態を把握するために、作業者がガスフローチャートを参照して1ステップずつ確認しながら、判定を行う必要がなくなり、作業者による作業負担を大幅に減らすことができる。
実施の形態2.
実施の形態1では、任意の時点でのガス配管内のガスの状態を判定する構成としたが、ガス配管内にガスが残留していない状態であると判定した場合のガス流量を計測し、マスフローコントローラのゼロ点評価を行う構成としてもよい。
実施の形態2では、マスフローコントローラのゼロ点評価を行う構成について説明する。なお、システムの全体構成、サーバ装置10のハードウェア構成は実施の形態1と同様であるから、その説明を省略することとする。
図8は実施の形態2に係るサーバ装置10の機能的構成を示すブロック図である。サーバ装置10は、実施の形態1で説明した動作状態特定部11、判定部12、配管状態記憶部13を備える他、MFCゼロ点評価部15を備える。
動作状態特定部11は、生産レシピ110、メンテナンスレシピ111より各ステップのプロセス条件を取得し、取得したプロセス条件に基づき、各流量制御部の動作状態、すなわちバルブの開閉状態、マスフローコントローラ、真空ポンプ、自動圧力制御器等の動作状態を特定する。動作状態特定部11は、特定した各流量制御部の動作状態を判定部12に通知する。
判定部12は、動作状態特定部11から各流量制御部の動作状態が通知された場合、MFCテーブル120を参照して、各流量制御部の上流側及び下流側の流路内におけるガスの状態を判定する。判定部12は、判定結果を、配管状態記憶部13に記憶させると共に、MFCゼロ点評価部15に通知する。
MFCゼロ点評価部15は、判定部12から通知される判定結果が、ガス配管は真空に引かれていてガスは残留していない状態である旨の結果である場合、そのガス配管内のガスの流量を計測すべき旨の指示を半導体製造装置20へ出力する。半導体製造装置20は、該当するガス配管内のガス流量を図に示していないガス流量計測器により計測し、計測結果をMFCゼロ点評価部15に返信する。
MFCゼロ点評価部15は、ガス流量計測器の計測結果に基づき、ゼロ点評価を行う。すなわち、MFCゼロ点評価部15は、理想的にはガス流量がゼロとなるべき時点でのガス流量を評価値として出力する。また、MFCゼロ点評価部15は、理想的にはガス流量がゼロとなるべき時点でのガス流量の多少を示す指標を評価結果として出力するようにしてもよい。
実施の形態3.
実施の形態1では、任意の時点でのガス配管内のガスの状態を判定する構成としたが、ガス配管内でガスが通流していると判定した場合のガス流量を計測し、マスフローコントローラの流量安定性(流量制御性)を評価する構成としてもよい。
実施の形態3では、マスフローコントローラの流量安定性(流量制御性)を評価する構成について説明する。なお、システムの全体構成、サーバ装置10のハードウェア構成は実施の形態1と同様であるから、その説明を省略することとする。
図9は実施の形態3に係るサーバ装置10の機能的構成を示すブロック図である。サーバ装置10は、実施の形態1で説明した動作状態特定部11、判定部12、配管状態記憶部13を備える他、MFC流量安定性評価部16を備える。
動作状態特定部11は、生産レシピ110、メンテナンスレシピ111より各ステップのプロセス条件を取得し、取得したプロセス条件に基づき、各流量制御部の動作状態、すなわちバルブの開閉状態、マスフローコントローラ、真空ポンプ、自動圧力制御器等の動作状態を特定する。動作状態特定部11は、特定した各流量制御部の動作状態を判定部12に通知する。
判定部12は、動作状態特定部11から各流量制御部の動作状態が通知された場合、MFCテーブル120を参照して、各流量制御部の上流側及び下流側の流路内におけるガスの状態を判定する。判定部12は、判定結果を、配管状態記憶部13に記憶させると共に、MFC流量安定性評価部16に通知する。
MFC流量安定性評価部16は、判定部12から通知される判定結果が、ガスが通流している状態である旨の結果である場合、そのガス配管内のガスの流量を計測すべき旨の指示を半導体製造装置20へ出力する。半導体製造装置20は、該当するガス配管内のガス流量を図に示していないガス流量計測器により計測し、計測結果をMFC流量安定性評価部16に返信する。
MFC流量安定性評価部16は、ガス流量計測器の計測結果に基づき、流量安定性を評価する。すなわち、MFC流量安定性評価部16は、ガスが通流していると判定したレシピ内のステップでのガス流量を評価値として出力する。
実施の形態4.
実施の形態1では、任意の時点でのガス配管内のガスの状態を判定する構成としたが、ガス配管内でガスが残留していると判定した場合のガスの滞留時間を算出し、ガス配管内での腐食性ガス滞留時間を評価する構成としてもよい。
実施の形態3では、ガス配管内での腐食性ガス滞留時間を評価する構成について説明する。なお、システムの全体構成、サーバ装置10のハードウェア構成は実施の形態1と同様であるから、その説明を省略することとする。
図10は実施の形態4に係るサーバ装置10の機能的構成を示すブロック図である。サーバ装置10は、実施の形態1で説明した動作状態特定部11、判定部12、配管状態記憶部13を備える他、滞留時間評価部17を備える。
動作状態特定部11は、生産レシピ110、メンテナンスレシピ111より各ステップのプロセス条件を取得し、取得したプロセス条件に基づき、各流量制御部の動作状態、すなわちバルブの開閉状態、マスフローコントローラ、真空ポンプ、自動圧力制御器等の動作状態を特定する。動作状態特定部11は、特定した各流量制御部の動作状態を判定部12に通知する。
判定部12は、動作状態特定部11から各流量制御部の動作状態が通知された場合、MFCテーブル120を参照して、各流量制御部の上流側及び下流側の流路内におけるガスの状態を判定する。判定部12は、判定結果を、配管状態記憶部13に記憶させると共に、滞留時間評価部17に通知する。
滞留時間評価部17は、判定部12から通知される判定結果が、ガスが残留している状態である旨の結果である場合、判定対象のステップを記述しているレシピ(生産レシピ110又はメンテナンスレシピ111)を参照し、レシピにより規定されるガスの滞留時間を算出する。滞留時間評価部17は、算出したガスの滞留時間を評価値として出力する。
なお、滞留時間の評価は、ガス配管に対して腐食性を有するガスについてのみ行う構成としてもよい。
10 サーバ装置
11 動作状態特定部
12 判定部
13 配管状態記憶部
15 MFCゼロ点評価部
16 MFC流量安定性評価部
17 滞留時間評価部
20 半導体製造装置

Claims (8)

  1. 1又は複数のガス供給源から供給されるガスの流路に複数の流量制御部を設けてあり、時系列的に定めた処理条件に従って前記流量制御部の動作を制御し、半導体の製造プロセスにおけるガスの供給を調整する半導体製造装置を評価するための評価装置において、
    前記流量制御部の配置関係を記憶する記憶手段と、
    任意の時点での処理条件に係る情報を取得する手段と、
    取得した処理条件に係る情報に基づき、各流量制御部の動作状態を特定する手段と、
    特定した動作状態及び前記記憶手段に記憶されている配置関係に基づき、各流量制御部の上流側及び下流側の流路内におけるガスの状態を判定する判定手段と
    を備えることを特徴とする評価装置。
  2. 前記流量制御部は、流路を開閉する開閉弁及び流路内のガスの流量を制御する流量制御器を含み、
    前記処理条件は、前記開閉弁の開閉状態、及び前記流量制御器の動作状態を規定してあることを特徴とする請求項1に記載の評価装置。
  3. 前記流量制御器を識別する識別子と、前記流量制御器の上流側及び下流側に接続された開閉弁を識別する識別子とを対応付けて記憶したテーブルにより前記配置関係を規定してあることを特徴とする請求項2に記載の評価装置。
  4. 前記流量制御部は、流路内のガスを排気するポンプ、又は流路内のガス圧を制御する圧力制御器を更に含み、
    前記処理条件は、前記ポンプ又は前記圧力制御器の動作状態を規定してあり、
    前記テーブルは、流路を介して前記ポンプ又は圧力制御器に接続された開閉弁の識別子と接続されていない開閉弁の識別子とを区別して記憶してある
    ことを特徴とする請求項3に記載の評価装置。
  5. 前記判定手段は、流路内でガスが通流している状態であるか否かを判定するようにしてあり、
    流路内でガスが通流している状態であると前記判定手段が判定した場合、前記流路内のガスの流量を検出する手段と、
    検出したガスの流量を出力する手段と
    を備えることを特徴とする請求項1から請求項4の何れか1つに記載の評価装置。
  6. 前記判定手段は、流路内にガスが残量している状態であるか否かを判定するようにしてあり、
    流路内にガスが残留していない状態であると前記判定手段が判定した場合、前記流路内のガスの流量を検出する手段と、
    検出したガスの流量を出力する手段と
    を備えることを特徴とする請求項1から請求項4の何れか1つに記載の評価装置。
  7. 前記判定手段は、流路内にガスが残量している状態であるか否かを判定するようにしてあり、
    流路内にガスが残留している状態であると前記判定手段が判定した場合、前記処理条件に基づいてガスの滞留時間を算出する手段と、
    算出したガスの滞留時間を出力する手段と
    を備えることを特徴とする請求項1から請求項4の何れか1つに記載の評価装置。
  8. 1又は複数のガス供給源から供給されるガスの流路に複数の流量制御部を設けてあり、時系列的に定めた処理条件に従って前記流量制御部の動作を制御し、半導体の製造プロセスにおけるガスの供給を調整する半導体製造装置を評価するためのコンピュータプログラムにおいて、
    コンピュータに、
    任意の時点での処理条件に基づいて、各流量制御部の動作状態を特定するステップと、
    特定した動作状態及び予め記憶された各流量制御部の配置関係に係る情報に基づき、各流量制御部の上流側及び下流側の流路内におけるガスの状態を判定するステップと
    を実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6350554B2 (ja) 2016-02-03 2018-07-04 横河電機株式会社 設備診断装置、設備診断方法及び設備診断プログラム
US11486927B2 (en) * 2020-04-02 2022-11-01 Applied Materials, Inc. Bode fingerprinting for characterizations and failure detections in processing chamber
WO2023248228A1 (en) * 2022-06-22 2023-12-28 Codiq 4.0 Ltd Improved systems, methods, and computer program products for automation of plc code programming and hmi

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10232714A (ja) * 1997-02-18 1998-09-02 Kokusai Electric Co Ltd 流量制御装置の診断装置
JP2000269151A (ja) * 1999-03-16 2000-09-29 Toshiba Microelectronics Corp 半導体熱処理装置および半導体熱処理方法
JP4794031B2 (ja) * 2000-07-12 2011-10-12 株式会社日立国際電気 半導体製造装置及び半導体製造装置の表示方法及び半導体装置の製造方法
US7396415B2 (en) * 2005-06-02 2008-07-08 Asm America, Inc. Apparatus and methods for isolating chemical vapor reactions at a substrate surface
JP2009004479A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Panasonic Corp 装置状態監視方法および装置状態監視装置
JP2012023138A (ja) * 2010-07-13 2012-02-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20130337657A1 (en) * 2012-06-19 2013-12-19 Plasmasi, Inc. Apparatus and method for forming thin protective and optical layers on substrates
US9739274B2 (en) * 2013-03-15 2017-08-22 Integrated Designs, L.P. Pump system and method having a quick change motor drive

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