JP2013182714A - Conductive laminate and its manufacturing method and precursor - Google Patents

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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminate which, while securing adhesion with a substrate and a conductive layer, can form a Ni plating layer (especially, a Ni/Au plating layer) on the conductive layer.SOLUTION: An adhesion layer including metal particles and bismuth glass frit of 500°C or less in softening point is formed on a substrate, and then a coating layer including metal nanoparticles and substantially not including bismuth glass frit of 500°C or less in softening point is further formed on the adhesion layer. The metal nanoparticles are about 10 to 100 nm in number-average grain size. The metal nanoparticles may be silver nanoparticles. The surfaces of the metal nanoparticles may be coated with a dispersant. The coating layer may further include metal fillers of 200 nm or more in number-average grain size. The laminate can be calcined at a temperature higher than the softening point of the bismuth glass frit but lower than the heatproof temperature of the substrate to manufacture a conductive laminate having a conductive coating layer formed on the substrate via a conductive adhesion layer. A plating layer (especially, a Ni/Au plating layer) may further be formed on the conductive coating layer.

Description

本発明は、基板(ガラス基板など)の上にビスマス系ガラスフリットを含む金属導電層が積層された導電性積層体並びにその製造方法及び前駆体に関する。   The present invention relates to a conductive laminate in which a metal conductive layer containing a bismuth-based glass frit is laminated on a substrate (such as a glass substrate), a manufacturing method thereof, and a precursor thereof.

エレクトロニクス分野では、印刷などにより種々の回路パターンを容易に形成できる導電性ペーストとして、導電剤である金属粉末に対して、焼結助剤としてのガラス粉末、バインダー成分としての有機ビヒクルを配合した導電性ペーストが広く使用されている。   In the electronics field, as a conductive paste that can easily form various circuit patterns by printing, etc., a conductive powder that contains a conductive metal powder, a glass powder as a sintering aid, and an organic vehicle as a binder component. Sex pastes are widely used.

例えば、特開2003−132735号公報(特許文献1)には、単分散系の球状粉末である金属粉末(A)、ガラス粉末(B)及び有機ビヒクル(C)を含有する厚膜導体ペーストが開示されている。この厚膜導体ペーストでは、金属粉末としては貴金属粉末が用いられ、ガラス粉末としては酸化珪素(SiO)、酸化アルミニウム(Al)、酸化鉛(PbO)、酸化カルシウム(CaO)、酸化硼素(B)などを主成分とし、500〜650℃の軟化点を有するガラスフリットが用いられている。 For example, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-132735 (Patent Document 1) discloses a thick film conductor paste containing a metal powder (A), a glass powder (B), and an organic vehicle (C) which are monodispersed spherical powders. It is disclosed. In this thick film conductor paste, noble metal powder is used as the metal powder, and silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), lead oxide (PbO), calcium oxide (CaO), oxide is used as the glass powder. A glass frit having a softening point of 500 to 650 ° C. containing boron (B 2 O 3 ) as a main component is used.

このような導電性ペーストは、通常、スクリーン印刷などの方法によってセラミックス基板上に所定の電極・配線からなる回路パターンに従って塗布される。さらに、得られたパターンを基板と共にガラスフリットの軟化点以上の温度まで加熱することにより、金属粉末の焼結が進行し、一方で軟化したガラスフリットが焼結した金属粉末と基板とを接合するため、硬質な金属膜からなる回路パターンが基板上に密着力を伴って形成される。   Such a conductive paste is usually applied on a ceramic substrate according to a circuit pattern composed of predetermined electrodes / wirings by a method such as screen printing. Furthermore, by heating the obtained pattern together with the substrate to a temperature equal to or higher than the softening point of the glass frit, the sintering of the metal powder proceeds, while the softened glass frit joins the sintered metal powder and the substrate. Therefore, a circuit pattern made of a hard metal film is formed on the substrate with adhesion.

しかし、製品のコストダウンなどを目的としてセラミックス基板の代わりにガラス基板が用いられる電子部品の製造においては、ガラスの耐熱温度は600℃以下であるため、600℃を超える軟化点を有するガラスフリットを用いた導電性ペーストは用いることができない。500〜600℃程度の軟化点を有するガラスフリットを用いた導電性ペーストを用いることは可能であるが、500℃を超える温度では、ガラス基板に金属が拡散することによりガラス基板が黄変する問題がある。そこで、500℃以下の軟化点を有するガラスフリットとしてビスマス系ガラスフリットが選択される。   However, in the manufacture of electronic components in which a glass substrate is used instead of a ceramic substrate for the purpose of reducing the cost of the product, etc., since the heat resistant temperature of glass is 600 ° C. or less, a glass frit having a softening point exceeding 600 ° C. is used. The used conductive paste cannot be used. Although it is possible to use a conductive paste using a glass frit having a softening point of about 500 to 600 ° C., at a temperature exceeding 500 ° C., the problem is that the glass substrate is yellowed by diffusion of metal into the glass substrate. There is. Therefore, a bismuth glass frit is selected as a glass frit having a softening point of 500 ° C. or less.

一方、回路パターンを形成したガラス基板は、ガラス基板と回路パターンとの間の密着性を長期にわたって維持するために、回路パターン上にNiメッキ(無電解Niメッキ)層、Ni/Auメッキ(無電解Ni/Auメッキ)層などのメッキ層が設けられる場合がある。しかし、ビスマス系ガラスフリットを用いて形成したパターンでは、ビスマス系ガラスフリットの耐メッキ液性が低いため、メッキ処理中に回路パターンが脱落し易い。また、ビスマスがNi/Auメッキの触媒毒として働くため、Ni/Auメッキ層の形成が阻害される。さらに、回路パターンへのはんだ付けの必要性のある用途においては、ガラスフリットの存在により良好なはんだ付け性が得られない。   On the other hand, a glass substrate on which a circuit pattern is formed has a Ni plating (electroless Ni plating) layer and a Ni / Au plating (no plating) on the circuit pattern in order to maintain the adhesion between the glass substrate and the circuit pattern over a long period of time. A plating layer such as an electrolytic Ni / Au plating layer may be provided. However, in a pattern formed using a bismuth glass frit, the resistance to plating solution of the bismuth glass frit is low, so that the circuit pattern is easily dropped during the plating process. Further, since bismuth works as a catalyst poison for Ni / Au plating, formation of the Ni / Au plating layer is hindered. Furthermore, in applications where soldering to circuit patterns is necessary, good solderability cannot be obtained due to the presence of glass frit.

特開2003−132735号公報(請求項1、段落[0017][0019])JP 2003-132735 A (Claim 1, paragraphs [0017] [0019])

従って、本発明の目的は、基板(特にガラス基板)と導電層との密着性を確保しつつ、導電層の上にNiメッキ層(特にNi/Auメッキ層)を形成できる導電性積層体並びにその製造方法及び前駆体を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a conductive laminate capable of forming a Ni plating layer (particularly a Ni / Au plating layer) on a conductive layer while ensuring adhesion between the substrate (particularly a glass substrate) and the conductive layer, and It is in providing the manufacturing method and precursor.

本発明の他の目的は、ビスマス系ガラスフリットを含んでいても、導電層の上にNi/Auメッキ層を強固に形成できる導電性積層体並びにその製造方法及び前駆体を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a conductive laminate that can form a Ni / Au plating layer firmly on a conductive layer even when it contains bismuth-based glass frit, and a method for producing the same and a precursor thereof. .

本発明のさらに他の目的は、ビスマス系ガラスフリットを含んでいても、はんだ付け性を向上できる導電性積層体並びにその製造方法及び前駆体を提供することにある。   Still another object of the present invention is to provide a conductive laminate that can improve solderability even when it contains a bismuth-based glass frit, a method for producing the same, and a precursor thereof.

本発明者らは、前記課題を達成するため鋭意検討した結果、基板(特にガラス基板)の上に金属粒子及び軟化点が500℃以下のビスマス系ガラスフリットを含む接着層を形成した後、さらにこの接着層の上に、金属ナノ粒子を含み、かつ軟化点が500℃以下のビスマス系ガラスフリットを実質的に含まない被覆層を形成することにより、基板と導電層との密着性を確保しつつ、導電層の上にNiメッキ層(特にNi/Auメッキ層)を形成できることを見出し、本発明を完成した。   As a result of intensive studies to achieve the above-mentioned problems, the present inventors have formed an adhesive layer containing metal particles and a bismuth-based glass frit having a softening point of 500 ° C. or lower on a substrate (particularly a glass substrate). On this adhesive layer, by forming a coating layer containing metal nanoparticles and substantially free of bismuth glass frit having a softening point of 500 ° C. or less, adhesion between the substrate and the conductive layer is ensured. The inventors have found that a Ni plating layer (particularly a Ni / Au plating layer) can be formed on the conductive layer, and completed the present invention.

すなわち、本発明の積層体は、接着層を介して基板の上に被覆層が形成されている積層体であって、前記接着層が、金属粒子及び軟化点が500℃以下のビスマス系ガラスフリットを含むとともに、前記被覆層が、金属ナノ粒子を含み、かつ軟化点が500℃以下のビスマス系ガラスフリットを実質的に含まない。前記金属ナノ粒子の数平均粒径は10〜100nm程度である。前記金属ナノ粒子は、導電性金属ナノ粒子(特に銀ナノ粒子)であってもよい。前記金属ナノ粒子の表面は分散剤で被覆されていてもよい。前記被覆層は、さらに数平均粒径200nm以上の金属フィラーを含み、前記金属ナノ粒子と前記金属フィラーとの割合(質量比)は、金属ナノ粒子/金属フィラー=30/70〜99/1程度であり、数平均粒径の比は、金属ナノ粒子/金属フィラー=1/1000〜1/5程度であってもよい。前記被覆層はさらに分散媒及び/又はバインダー樹脂を含んでいてもよい。前記接着層は、金属粒子100質量部に対してビスマス系ガラスフリット10〜50質量部を含んでいてもよい。前記接着層はさらに分散媒及び/又はバインダー樹脂を含み、かつ金属粒子が銀ナノ粒子及び銀フィラーを含んでいてもよい。前記接着層と前記覆層との平均厚み比は、接着層/被覆層=50/50〜5/95程度である。前記基板はガラス基板であってもよい。   That is, the laminate of the present invention is a laminate in which a coating layer is formed on a substrate via an adhesive layer, and the adhesive layer is composed of metal particles and a bismuth glass frit having a softening point of 500 ° C. or less. And the coating layer contains metal nanoparticles and does not substantially contain a bismuth glass frit having a softening point of 500 ° C. or lower. The number average particle diameter of the metal nanoparticles is about 10 to 100 nm. The metal nanoparticles may be conductive metal nanoparticles (particularly silver nanoparticles). The surface of the metal nanoparticles may be coated with a dispersant. The coating layer further includes a metal filler having a number average particle diameter of 200 nm or more, and a ratio (mass ratio) between the metal nanoparticles and the metal filler is about metal nanoparticles / metal filler = 30/70 to 99/1. The ratio of the number average particle diameter may be about metal nanoparticles / metal filler = 1/1000 to 1/5. The coating layer may further contain a dispersion medium and / or a binder resin. The said adhesive layer may contain 10-50 mass parts of bismuth-type glass frit with respect to 100 mass parts of metal particles. The adhesive layer may further contain a dispersion medium and / or a binder resin, and the metal particles may contain silver nanoparticles and a silver filler. The average thickness ratio between the adhesive layer and the cover layer is approximately adhesive layer / cover layer = 50/50 to 5/95. The substrate may be a glass substrate.

本発明には、前記積層体を、ビスマス系ガラスフリットの軟化点以上であり、かつ基板の耐熱温度以下の温度で焼成し、導電接着層を介して基板の上に導電被覆層が形成された導電性積層体を製造する方法も含まれる。この方法において、前記導電被覆層の上に、さらにメッキ層を形成してもよい。前記メッキ層はNi/Auメッキ層であってもよい。   In the present invention, the laminate is fired at a temperature not lower than the softening point of the bismuth-based glass frit and not higher than the heat resistance temperature of the substrate, and a conductive coating layer is formed on the substrate via the conductive adhesive layer. A method for producing a conductive laminate is also included. In this method, a plating layer may be further formed on the conductive coating layer. The plating layer may be a Ni / Au plating layer.

本発明には、前記方法により得られた導電性積層体も含まれる。本発明の導電性積層体は、導電被覆層の空隙率が2%以下であってもよい。前記導電被覆層の上には、さらにNi/Auメッキ層が形成されていてもよい。さらに、本発明には、銀及び軟化点が500℃以下のビスマス系ガラスフリットで形成された導電接着層を介して基板の上に銀で形成された導電被覆層が形成されている積層体であって、前記導電被覆層の空隙率が5%以下である導電性積層体も含まれる。   The present invention also includes a conductive laminate obtained by the above method. In the conductive laminate of the present invention, the porosity of the conductive coating layer may be 2% or less. A Ni / Au plating layer may be further formed on the conductive coating layer. Furthermore, the present invention provides a laminate in which a conductive coating layer formed of silver is formed on a substrate via a conductive adhesive layer formed of silver and a bismuth glass frit having a softening point of 500 ° C. or lower. And the electroconductive laminated body whose porosity of the said conductive coating layer is 5% or less is also contained.

本発明では、基板(特にガラス基板)の上に金属粒子及び軟化点が500℃以下のビスマス系ガラスフリットを含む接着層を形成した後、さらにこの接着層の上に、金属ナノ粒子を含み、かつ軟化点が500℃以下のビスマス系ガラスフリットを実質的に含まない(特に、完全に含まない)被覆層を形成されているため、基板と導電層との密着性を確保しつつ、導電層の上にNiメッキ層(特にNi/Auメッキ層)を形成できる。特に、前記被覆層が形成されているため、ビスマス系ガラスフリットを含んでいても、ビスマスがNi/Auメッキの触媒毒として作用することなく、導電層の上にNi/Auメッキ層を強固に形成できる。さらに、ビスマス系ガラスフリットを含んでいても、はんだ付け性を向上できる。   In the present invention, after forming an adhesive layer containing metal particles and a bismuth-based glass frit having a softening point of 500 ° C. or less on a substrate (particularly a glass substrate), metal nanoparticles are further included on the adhesive layer, In addition, since the coating layer that is substantially free of bismuth-based glass frit having a softening point of 500 ° C. or less (particularly not completely included) is formed, the conductive layer is secured while ensuring the adhesion between the substrate and the conductive layer. A Ni plating layer (particularly a Ni / Au plating layer) can be formed on the substrate. In particular, since the coating layer is formed, even if bismuth glass frit is included, bismuth does not act as a catalyst poison for Ni / Au plating, and the Ni / Au plating layer is firmly formed on the conductive layer. Can be formed. Furthermore, solderability can be improved even if bismuth-based glass frit is included.

図1は、実施例2で得られた導電性積層体の導電被覆層の表面の走査型電子顕微鏡(SEM)写真である。FIG. 1 is a scanning electron microscope (SEM) photograph of the surface of the conductive coating layer of the conductive laminate obtained in Example 2. 図2は、実施例3で得られた導電性積層体の導電被覆層の表面のSEM写真である。FIG. 2 is an SEM photograph of the surface of the conductive coating layer of the conductive laminate obtained in Example 3. 図3は、比較例2で得られた導電性積層体の導電被覆層の表面のSEM写真である。FIG. 3 is an SEM photograph of the surface of the conductive coating layer of the conductive laminate obtained in Comparative Example 2.

本発明の積層体は、接着層を介して基板の上に被覆層が形成されており、導電性積層体の前駆体である。   The laminate of the present invention has a coating layer formed on a substrate via an adhesive layer, and is a precursor of a conductive laminate.

[基板]
基板としては、焼成可能な材料であれば特に限定されず、各種の材料、例えば、半導体(シリカやアルミナなどのセラミックスなど)、ガラス、金属などの無機材料、エンジニアリングプラスチックなどの有機材料などを利用できる。本発明では、これらの基板のうち、耐熱性の低い材料に用いられ、基板の耐熱温度(又は軟化点)は600℃以下程度であり、例えば、520〜580℃程度であってもよい。
[substrate]
The substrate is not particularly limited as long as it can be fired, and various materials such as semiconductors (ceramics such as silica and alumina), inorganic materials such as glass and metal, and organic materials such as engineering plastics are used. it can. In the present invention, among these substrates, it is used for a material having low heat resistance, and the substrate has a heat resistant temperature (or softening point) of about 600 ° C. or less, and may be, for example, about 520 to 580 ° C.

これらの基板のうち、ビスマス系ガラスフリットを含む接着層との密着性に優れる点から、ガラス基板が好ましい。ガラス基板としては、例えば、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、クラウンガラス、バリウム含有ガラス、ストロンチウム含有ガラス、ホウ素含有ガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス、結晶化透明ガラス、シリカガラス、石英ガラス、耐熱ガラスなどで形成された基板などが挙げられる。これらのガラス基板のうち、ソーダガラスなどのアルカリガラス基板が汎用される。   Of these substrates, a glass substrate is preferable because it has excellent adhesion to an adhesive layer containing a bismuth-based glass frit. Examples of the glass substrate include soda glass, borosilicate glass, crown glass, barium-containing glass, strontium-containing glass, boron-containing glass, low alkali glass, alkali-free glass, crystallized transparent glass, silica glass, quartz glass, and heat-resistant glass. For example, a substrate formed by the above method. Among these glass substrates, alkali glass substrates such as soda glass are widely used.

基板の表面は、酸化処理[表面酸化処理、例えば、放電処理(コロナ放電処理、グロー放電など)、酸処理(クロム酸処理など)、紫外線照射処理、焔処理など]、表面凹凸処理(溶剤処理、サンドブラスト処理など)などの表面処理がされていてもよい。   The surface of the substrate is subjected to oxidation treatment [surface oxidation treatment, for example, discharge treatment (corona discharge treatment, glow discharge, etc.), acid treatment (chromic acid treatment, etc.), ultraviolet irradiation treatment, wrinkle treatment, etc., surface unevenness treatment (solvent treatment) Surface treatment such as sand blasting).

基板の厚みは、用途に応じて適宜選択すればよく、例えば、0.001〜10mm、好ましくは0.01〜5mm、さらに好ましくは0.05〜3mm(特に0.1〜1mm)程度であってもよい。   What is necessary is just to select the thickness of a board | substrate suitably according to a use, for example, 0.001-10 mm, Preferably it is 0.01-5 mm, More preferably, it is about 0.05-3 mm (especially 0.1-1 mm). May be.

[接着層]
接着層は、金属粒子及び軟化点が500℃以下のビスマス系ガラスフリットを含み、通常、接着層は前記金属粒子及び前記ビスマス系ガラスフリットを含む導電性ペースト(第1の導電性ペースト)を基板の上に塗布して形成されている。
[Adhesive layer]
The adhesive layer includes metal particles and a bismuth-based glass frit having a softening point of 500 ° C. or less, and the adhesive layer usually includes a conductive paste (first conductive paste) including the metal particles and the bismuth-based glass frit as a substrate. It is formed by coating on the top.

(金属粒子)
金属粒子を構成する金属(金属原子)としては、例えば、遷移金属(例えば、チタン、ジルコニウムなどの周期表第4A族金属;バナジウム、ニオブなどの周期表第5A族金属;モリブデン、タングステンなどの周期表第6A族金属;マンガンなどの周期表第7A族金属;鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、レニウム、イリジウム、白金などの周期表第8族金属;銅、銀、金などの周期表第1B族金属など)、周期表第2B族金属(例えば、亜鉛、カドミウムなど)、周期表第3B族金属(例えば、アルミニウム、ガリウム、インジウムなど)、周期表第4B族金属(例えば、ゲルマニウム、スズ、鉛など)、周期表第5B族金属(例えば、アンチモン、ビスマスなど)などが挙げられる。これらの金属は、単独で又は二種以上組み合わせて使用でき、合金であってもよい。これらの金属のうち、導電性などの点から、周期表第8族金属(鉄、ニッケル、ロジウム、パラジウム、白金など)、周期表第1B族金属(銅、銀、金など)、周期表第3B族金属(アルミニウムなど)及び周期表第4B族金属(スズなど)などが汎用され、導電性金属、特に銀が好ましい。
(Metal particles)
Examples of the metal (metal atom) constituting the metal particles include transition metals (for example, periodic table group 4A metals such as titanium and zirconium; periodic table group 5A metals such as vanadium and niobium; periodic periods such as molybdenum and tungsten). Table 6A metal; Periodic table such as manganese Group 7A metal; Periodic table Group 8 metal such as iron, nickel, cobalt, ruthenium, rhodium, palladium, rhenium, iridium, platinum; Period such as copper, silver, gold Table 1B metal etc., Periodic table 2B metal (eg zinc, cadmium etc.), Periodic table group 3B metal (eg aluminum, gallium, indium etc.), Periodic table group 4B metal (eg germanium) , Tin, lead, etc.) and periodic table Group 5B metals (eg, antimony, bismuth, etc.). These metals can be used alone or in combination of two or more, and may be an alloy. Among these metals, from the viewpoint of conductivity, Group 8 metal of the periodic table (iron, nickel, rhodium, palladium, platinum, etc.), Group 1B metal of the periodic table (copper, silver, gold, etc.), periodic table Group 3B metals (such as aluminum) and periodic table Group 4B metals (such as tin) are widely used, and conductive metals, particularly silver, are preferred.

金属粒子は、金属ナノ粒子を含むのが好ましく、金属ナノ粒子と金属フィラーとの組合せが特に好ましい。金属ナノ粒子を構成する金属と金属フィラーを構成する金属とは異なっていてもよいが、焼結し易い点から、同一又は同族の金属(特に同一の金属)であるのが好ましい。   The metal particles preferably include metal nanoparticles, and a combination of metal nanoparticles and metal fillers is particularly preferable. The metal constituting the metal nanoparticles and the metal constituting the metal filler may be different, but are preferably the same or the same group metals (particularly the same metal) from the viewpoint of easy sintering.

(1)金属ナノ粒子
金属ナノ粒子の粒径は、ナノメーターサイズであればよく、詳細には、数平均粒径(数平均一次粒径)は200nm未満程度であり、例えば、5〜150nm、好ましくは10〜120nm、さらに好ましくは20〜100nm(特に30〜80nm)程度である。金属ナノ粒子の最大一次粒径は、例えば、200nm未満、好ましくは50〜190nm、さらに好ましくは100〜180nm程度であってもよい。金属ナノ粒子の粒径が大きすぎると、焼結性が低下し、小さすぎると、ナノ粒子の製造が困難となる。
(1) Metal nanoparticle The metal nanoparticle may have a nanometer size. Specifically, the number average particle size (number average primary particle size) is less than about 200 nm, for example, 5 to 150 nm, Preferably it is about 10-120 nm, More preferably, it is about 20-100 nm (especially 30-80 nm). The maximum primary particle size of the metal nanoparticles may be, for example, less than 200 nm, preferably 50 to 190 nm, and more preferably about 100 to 180 nm. If the particle size of the metal nanoparticles is too large, the sinterability is lowered, and if it is too small, the production of the nanoparticles becomes difficult.

なお、本明細書では、数平均粒径は、透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて測定できる。   In the present specification, the number average particle diameter can be measured using a transmission electron microscope (TEM).

金属ナノ粒子は、通常、分散剤と組み合わせて使用され、特に、金属ナノ粒子の表面が分散剤で被覆されていてもよい。分散剤としては、例えば、窒素原子を有する基、ヒドロキシル基及びカルボキシル基からなる群から選択された少なくとも一種の官能基を有する化合物が好ましい。   The metal nanoparticles are usually used in combination with a dispersant, and in particular, the surface of the metal nanoparticles may be coated with the dispersant. As the dispersant, for example, a compound having at least one functional group selected from the group consisting of a group having a nitrogen atom, a hydroxyl group and a carboxyl group is preferable.

分散剤の割合は、固形分換算で、金属ナノ粒子100質量部に対して、例えば、0.1〜30質量部、好ましくは0.5〜20質量部、さらに好ましくは1〜15質量部(特に1.5〜10質量部)程度である。分散剤の割合が少なすぎると、ペーストの操作性が低下し、多すぎると、焼結膜の導電性が低下する。   The ratio of a dispersing agent is 0.1-30 mass parts with respect to 100 mass parts of metal nanoparticles in conversion of solid content, Preferably it is 0.5-20 mass parts, More preferably, it is 1-15 mass parts ( In particular, it is about 1.5 to 10 parts by mass. When the proportion of the dispersant is too small, the operability of the paste is lowered, and when too large, the conductivity of the sintered film is lowered.

(2)金属フィラー
金属フィラー(粉末)は、前記金属ナノ粒子と組み合わせることにより、ペーストに流動性を付与できるとともに、焼結膜の導電性を向上できる。
(2) Metal filler The metal filler (powder), when combined with the metal nanoparticles, can impart fluidity to the paste and improve the conductivity of the sintered film.

金属フィラーの数平均粒径(数平均一次粒径)は200nm以上(例えば、0.2〜10μm程度)であればよいが、例えば、0.2〜5μm、好ましくは0.3〜2μm、さらに好ましくは0.4〜1.5μm(特に0.5〜1μm)程度である。金属フィラーの粒径範囲は、例えば、0.2〜30μm、好ましくは0.3〜20μm、さらに好ましくは0.4〜10μm(特に0.5〜5μm)程度であってもよい。金属フィラーの粒径が大きすぎると、例えば、スクリーン印刷などにおいて目詰まりが発生し易くなる。一方、粒径が小さすぎると、金属フィラーの分散性が低下するため、分散剤の使用量が増加し、焼成におけるガスの発生量も増加する。   The number average particle size (number average primary particle size) of the metal filler may be 200 nm or more (for example, about 0.2 to 10 μm), for example, 0.2 to 5 μm, preferably 0.3 to 2 μm, The thickness is preferably about 0.4 to 1.5 μm (particularly 0.5 to 1 μm). The particle size range of the metal filler may be, for example, about 0.2 to 30 μm, preferably 0.3 to 20 μm, more preferably about 0.4 to 10 μm (particularly 0.5 to 5 μm). When the particle size of the metal filler is too large, for example, clogging is likely to occur in screen printing or the like. On the other hand, if the particle size is too small, the dispersibility of the metal filler is lowered, so that the amount of dispersant used increases and the amount of gas generated during firing also increases.

金属ナノ粒子と金属フィラーとの平均粒径(数平均粒径)の比は、金属ナノ粒子/金属フィラー=1/1000〜1/5、好ましくは1/500〜1/10(例えば、1/300〜1/20)、さらに好ましくは1/200〜1/30(特に1/100〜1/40)程度である。両者の比がこの範囲にあると、金属ナノ粒子と金属フィラーとの充填効率が向上するため、焼成膜の導電性を向上できる。   The ratio of the average particle diameter (number average particle diameter) between the metal nanoparticles and the metal filler is as follows: metal nanoparticles / metal filler = 1/1000 to 1/5, preferably 1/500 to 1/10 (for example, 1 / 300 to 1/20), more preferably 1/200 to 1/30 (particularly 1/100 to 1/40). When the ratio between the two is in this range, the filling efficiency of the metal nanoparticles and the metal filler is improved, so that the conductivity of the fired film can be improved.

金属フィラーの割合は、金属ナノ粒子100質量部に対して、例えば、10〜1000質量部、好ましくは30〜500質量部、さらに好ましくは50〜300質量部(特に100〜250質量部)程度である。両者の比がこの範囲にあると、両者の焼結が緻密に行われるため、焼成膜の導電性を向上できる。   The ratio of the metal filler is, for example, about 10 to 1000 parts by mass, preferably 30 to 500 parts by mass, and more preferably about 50 to 300 parts by mass (particularly 100 to 250 parts by mass) with respect to 100 parts by mass of the metal nanoparticles. is there. If the ratio between the two is in this range, the sintering of the two is densely performed, so that the conductivity of the fired film can be improved.

(ビスマス系ガラスフリット)
本発明では、軟化点が500℃以下のビスマス系ガラスフリットを用いることにより、基板がガラス基板などのように耐熱性が低くても、ガラスフリットを軟化して焼結助剤として作用し、硬質な金属膜を基板に密着させることができる。ビスマス系ガラスフリットは、軟化点が基板の耐熱温度(軟化点)よりも低い軟化点であればよく、軟化点が500℃以下程度の範囲か選択でき、例えば、350〜500℃、好ましくは400〜490℃、好ましくは420〜480℃(特に450〜470℃)程度であってもよい。
(Bismuth glass frit)
In the present invention, by using a bismuth glass frit having a softening point of 500 ° C. or less, even if the substrate has low heat resistance such as a glass substrate, the glass frit is softened and acts as a sintering aid. A suitable metal film can be adhered to the substrate. The bismuth-based glass frit has only to have a softening point that is lower than the heat resistance temperature (softening point) of the substrate, and the softening point can be selected within a range of about 500 ° C. or less, for example, 350 to 500 ° C., preferably 400 It may be about -490 ° C, preferably about 420-480 ° C (especially 450-470 ° C).

ビスマス系ガラスフリットは酸化ビスマス(Bi)を含んでいればよく、酸化ビスマスに加えて、他の酸化物を含んでいてもよい。他の酸化物としては、例えば、他の金属酸化物(例えば、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウムなどのアルカリ金属酸化物;酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムなどのアルカリ土類金属酸化物;酸化チタン、酸化ジルコニウムなどの周期表4A族金属酸化物;酸化クロムなどの周期表6A族金属酸化物;酸化鉄などの周期表8族金属酸化物;酸化亜鉛などの周期表2B族金属酸化物;酸化アルミニウムなどの周期表3B族金属酸化物;酸化スズ、酸化鉛などの周期表4B族金属酸化物など)、酸化ケイ素、酸化ホウ素などを含んでいてもよい。これらの他の酸化物は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。これらの酸化物のうち、酸化バリウム、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化ケイ素、酸化ホウ素など含有している場合が多い。酸化ビスマスの割合は、ガラスフリット全体に対して、例えば、10質量%以上、好ましくは15質量%以上(例えば、15〜95質量%)、さらに好ましくは20〜90質量%(特に30〜80質量%)程度であってもよい。 The bismuth-based glass frit only needs to contain bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), and may contain other oxides in addition to bismuth oxide. Examples of other oxides include other metal oxides (for example, alkali metal oxides such as lithium oxide, sodium oxide, and potassium oxide; alkaline earth metal oxides such as magnesium oxide, calcium oxide, strontium oxide, and barium oxide). Periodic table group 4A metal oxides such as titanium oxide and zirconium oxide; periodic table group 6A metal oxides such as chromium oxide; periodic table group 8 metal oxides such as iron oxide; periodic table group 2B metals such as zinc oxide Oxides; periodic table group 3B metal oxides such as aluminum oxide; periodic table group 4B metal oxides such as tin oxide and lead oxide), silicon oxide, boron oxide and the like. These other oxides can be used alone or in combination of two or more. Of these oxides, they often contain barium oxide, zinc oxide, lead oxide, silicon oxide, boron oxide and the like. The ratio of bismuth oxide is, for example, 10% by mass or more, preferably 15% by mass or more (for example, 15 to 95% by mass), more preferably 20 to 90% by mass (particularly 30 to 80% by mass) with respect to the entire glass frit. %) Degree.

ビスマス系ガラスフリットの数平均粒径(数平均一次粒径)は、例えば、0.1〜10μm、好ましくは0.2〜8μm、さらに好ましくは0.3〜5μm(特に0.5〜3μm)程度であってもよい。ビスマス系ガラスフリットの粒径が大きすぎると、例えば、スクリーン印刷などにおいて目詰まりが発生し易くなる。一方、粒径が小さすぎると、ガラスフリットの分散性が低下するため、ガラスフリットの使用量が増加し、導電性が低下する。   The number average particle size (number average primary particle size) of the bismuth-based glass frit is, for example, 0.1 to 10 μm, preferably 0.2 to 8 μm, more preferably 0.3 to 5 μm (particularly 0.5 to 3 μm). It may be a degree. If the particle diameter of the bismuth glass frit is too large, clogging is likely to occur in screen printing, for example. On the other hand, if the particle size is too small, the dispersibility of the glass frit is lowered, so that the amount of glass frit used is increased and the conductivity is lowered.

ビスマス系ガラスフリットの割合は、金属粒子100質量部に対して、例えば、1〜100質量部程度の範囲から選択でき、例えば、3〜80質量部、好ましくは5〜60質量部、さらに好ましくは10〜50質量部(特に10〜30質量部)程度である。ビスマス系ガラスフリットの割合が多すぎると、導電性が低下し、少なすぎると、金属膜の基板に対する密着性が低下する。   The ratio of the bismuth-based glass frit can be selected from a range of, for example, about 1 to 100 parts by weight, for example, 3 to 80 parts by weight, preferably 5 to 60 parts by weight, more preferably 100 parts by weight of the metal particles It is about 10-50 mass parts (especially 10-30 mass parts). If the proportion of the bismuth-based glass frit is too large, the conductivity is lowered, and if it is too small, the adhesion of the metal film to the substrate is lowered.

(他の添加剤)
接着層はさらに分散媒及び/又はバインダー樹脂を含んでいてもよい。
(Other additives)
The adhesive layer may further contain a dispersion medium and / or a binder resin.

分散媒としては、前記金属粒子及びビスマス系ガラスフリットとの組み合わせにより、ペーストにおいて十分な粘度を生じさせる溶媒であれば特に限定されず、汎用の溶媒が使用できるが、均質なペーストを調製するためには、分散剤と親和性を有する溶媒を使用するのが好ましく、トルエンやキシレンなどの芳香族系炭化水素であってもよいが、例えば、分散剤が親水性である場合には、少なくとも極性基を有する溶媒(特に非芳香族系溶媒)で構成するのが好ましい。このような溶媒としては、脂肪族アルコール(例えば、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、2−エチル−1−ヘキサノール、オクタノール、デカノールなどの飽和又は不飽和C6−30脂肪族アルコールなど)、セロソルブ類(メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブなどのC1−4アルキルセロソルブ類など)、セロソルブアセテート類(エチルセロソルブアセテートなどのC1−4アルキルセロソルブアセテート類)、カルビトール類(メチルカルビトール、エチルカルビトール、プロピルカルビトール、ブチルカルビトールなどのC1−4アルキルカルビトール類など)、脂肪族多価アルコール類(例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、1,4−ブタンジオール、グリセリンなど)、脂環族アルコール類[例えば、シクロヘキサノールなどのシクロアルカノール類;テルピネオール、ジヒドロテルピネオールなどのテルペンアルコール類(例えば、モノテルペンアルコールなど)など]などが汎用される。 The dispersion medium is not particularly limited as long as it is a solvent that generates sufficient viscosity in the paste by combining the metal particles and the bismuth-based glass frit, and a general-purpose solvent can be used, but in order to prepare a homogeneous paste It is preferable to use a solvent having an affinity for the dispersant, and may be an aromatic hydrocarbon such as toluene or xylene. For example, when the dispersant is hydrophilic, at least polar It is preferable to use a solvent having a group (particularly a non-aromatic solvent). Such solvents include aliphatic alcohols (e.g., saturated or unsaturated C6-30 aliphatic alcohols such as ethyl alcohol, propyl alcohol, isopropyl alcohol, butyl alcohol, 2-ethyl-1-hexanol, octanol, decanol, etc.) ), Cellosolves (C 1-4 alkyl cellosolves such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve), cellosolve acetates (C 1-4 alkyl cellosolve acetates such as ethyl cellosolve acetate), carbitols (methylcarbitol) C 1-4 alkyl carbitols such as ethyl carbitol, propyl carbitol and butyl carbitol), aliphatic polyhydric alcohols (for example, ethylene glycol, diethylene glycol, propylene, etc.) Lenglycol, dipropylene glycol, 1,4-butanediol, glycerin, etc.), alicyclic alcohols [eg, cycloalkanols such as cyclohexanol; terpene alcohols such as terpineol, dihydroterpineol (eg, monoterpene alcohol, etc.) ) Etc.] are widely used.

これらの分散媒のうち、オクタノールなどの飽和又は不飽和C6−20脂肪族アルコール、エチレングリコールなどの脂肪族多価アルコール、テルピネオールなどの脂環族アルコールが特に好ましい。 Of these dispersion media, saturated or unsaturated C 6-20 aliphatic alcohols such as octanol, aliphatic polyhydric alcohols such as ethylene glycol, and alicyclic alcohols such as terpineol are particularly preferable.

分散媒の割合は、金属粒子100重量部に対して、例えば、100質量部以下であってもよく、例えば、0.1〜50質量部、好ましくは1〜30質量部、さらに好ましくは5〜20質量部程度である。   The proportion of the dispersion medium may be, for example, 100 parts by mass or less with respect to 100 parts by weight of the metal particles, for example, 0.1 to 50 parts by mass, preferably 1 to 30 parts by mass, and more preferably 5 to 5 parts by mass. About 20 parts by mass.

バインダー樹脂としては、慣用のバインダー樹脂、例えば、水溶性高分子系バインダー(例えば、水溶性アクリル系樹脂、水溶性ウレタン樹脂、水溶性アクリルウレタン樹脂、水溶性エポキシ樹脂、水溶性ポリエステル系樹脂、セルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリアルキレングリコール、天然高分子、ポリエチレンスルホン酸又はその塩、ポリスチレンスルホン酸又はその塩、ナフタレンスルホン酸のホルマリン縮合物、ポリアルキレンイミン、ポリビニルピロリドン、ポリアリルアミン、ポリエーテルポリアミンなど)、ホットメルト樹脂(例えば、脂肪族又は非晶性ポリエステルなどのポリエステル系樹脂、ポリビニルブチラールなどのポリビニルアセタール系樹脂など)、熱硬化性樹脂(例えば、フェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂など)などが挙げられる。   Binder resins include conventional binder resins such as water-soluble polymer binders (for example, water-soluble acrylic resins, water-soluble urethane resins, water-soluble acrylic urethane resins, water-soluble epoxy resins, water-soluble polyester resins, celluloses). Derivatives, polyvinyl alcohol, polyalkylene glycol, natural polymer, polyethylene sulfonic acid or its salt, polystyrene sulfonic acid or its salt, formalin condensate of naphthalene sulfonic acid, polyalkyleneimine, polyvinyl pyrrolidone, polyallylamine, polyether polyamine, etc.) , Hot melt resins (for example, polyester resins such as aliphatic or amorphous polyester, polyvinyl acetal resins such as polyvinyl butyral), thermosetting resins (for example, phenol resins, epoxy resins, etc.) Shi resins, such as unsaturated polyester resin) and the like.

これらのバインダー樹脂のうち、高分子分散剤としても作用する点から、セルロース誘導体などの水溶性高分子系バインダー、例えば、セルロースエーテル(例えば、ニトロセルロース;エチルセルロースなどのアルキルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロースなどのアルキル−ヒドロキシアルキルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロースなどのヒドロキシアルキルセルロース、カルボキシメチルセルロースなどのカルボキシアルキルセルロースなど)が好ましく、エチルセルロースなどのアルキルセルロースが特に好ましい。   Among these binder resins, water-soluble polymer binders such as cellulose derivatives, such as cellulose ether (for example, nitrocellulose; alkyl cellulose such as ethyl cellulose, ethyl hydroxyethyl cellulose, etc.) from the point of acting as a polymer dispersant. Alkyl-hydroxyalkyl cellulose, hydroxyethyl cellulose, hydroxyalkyl cellulose such as hydroxypropyl cellulose, carboxyalkyl cellulose such as carboxymethyl cellulose, and the like, and alkyl cellulose such as ethyl cellulose is particularly preferable.

バインダー樹脂の割合は、金属粒子100重量部に対して、例えば、200質量部以下であってもよく、例えば、1〜150質量部、好ましくは10〜100質量部、さらに好ましくは20〜80質量部(特に30〜60質量部)程度である。   The proportion of the binder resin may be, for example, 200 parts by mass or less, for example, 1 to 150 parts by mass, preferably 10 to 100 parts by mass, and more preferably 20 to 80 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the metal particles. Part (particularly 30 to 60 parts by mass).

接着層を形成するための導電性ペーストには、用途に応じて、慣用の添加剤、例えば、ビスマス系ガラスフリット以外のガラスフリット、着色剤(染顔料など)、色相改良剤、染料定着剤、光沢付与剤、金属腐食防止剤、安定剤(酸化防止剤、紫外線吸収剤など)、界面活性剤又は分散剤(アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、両性界面活性剤など)、分散安定化剤、増粘剤又は粘度調整剤、保湿剤、チクソトロピー性賦与剤、レベリング剤、消泡剤、殺菌剤、充填剤などが含まれていてもよい。これらの添加剤は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。   The conductive paste for forming the adhesive layer includes conventional additives such as glass frits other than bismuth-based glass frit, colorants (dye pigments, etc.), hue improvers, dye fixing agents, depending on applications. Gloss imparting agent, metal corrosion inhibitor, stabilizer (antioxidant, UV absorber, etc.), surfactant or dispersant (anionic surfactant, cationic surfactant, nonionic surfactant, amphoteric surfactant) Agents), dispersion stabilizers, thickeners or viscosity modifiers, moisturizers, thixotropic agents, leveling agents, antifoaming agents, bactericides, fillers, and the like. These additives can be used alone or in combination of two or more.

接着層を形成するための第1の導電性ペーストは、前記構成のペーストを得ることができる限り特に限定されないが、通常、前記金属粒子及びビスマス系ガラスフリットを、前記分散媒及び/又はバインダー樹脂に分散させることにより調製できる。   The first conductive paste for forming the adhesive layer is not particularly limited as long as the paste having the above configuration can be obtained. Usually, the metal particles and the bismuth-based glass frit are used as the dispersion medium and / or the binder resin. It can be prepared by dispersing in.

[被覆層]
被覆層は、金属ナノ粒子を含み、かつ軟化点が500℃以下のビスマス系ガラスフリットを実質的に含まず、通常、金属ナノ粒子を含む導電性ペースト(第2の導電性ペースト)を前記接着層の上に塗布して形成されている。本発明では、低軟化点の前記ビスマス系ガラスフリットを実質的に含まない(特に、低軟化点の前記ビスマス系ガラスフリットを全く含まない)被覆層によりビスマス系ガラスフリットを含む前記接着層の表面が被覆されているため、接着層に含まれるビスマスがNiメッキ(特にNi/Auメッキ)の触媒毒として作用することなく、メッキ層を形成できる。
[Coating layer]
The coating layer contains metal nanoparticles and does not substantially contain a bismuth-based glass frit having a softening point of 500 ° C. or less, and usually bonds the conductive paste (second conductive paste) containing metal nanoparticles. It is formed by coating on the layer. In the present invention, the surface of the adhesive layer containing the bismuth glass frit by the coating layer substantially free of the bismuth glass frit having a low softening point (particularly, not including the bismuth glass frit having a low softening point). Therefore, the bismuth contained in the adhesive layer can be formed without acting as a catalyst poison for Ni plating (particularly Ni / Au plating).

金属ナノ粒子としては、前記接着層の金属粒子の項で例示された金属を使用でき、銀ナノ粒子が好ましい。金属ナノ粒子の粒径も、前記接着層の金属ナノ粒子における数平均粒径と同様の範囲から選択できる。さらに、前記接着層の金属ナノ粒子と同様に、通常、分散剤と組み合わせて使用され、特に、金属ナノ粒子の表面が分散剤で被覆されていてもよい。分散剤の割合も、前記接着層の金属ナノ粒子と同様である。   As a metal nanoparticle, the metal illustrated by the term of the metal particle of the said contact bonding layer can be used, and a silver nanoparticle is preferable. The particle size of the metal nanoparticles can also be selected from the same range as the number average particle size of the metal nanoparticles in the adhesive layer. Further, like the metal nanoparticles of the adhesive layer, they are usually used in combination with a dispersant. In particular, the surface of the metal nanoparticles may be coated with the dispersant. The proportion of the dispersant is also the same as that of the metal nanoparticles of the adhesive layer.

被覆層においても、焼結膜の導電性を向上させるために、前記金属ナノ粒子を金属フィラーと組み合わせてもよい。金属フィラーも、前記接着層の金属粒子の項で例示された金属を使用でき、銀フィラーが好ましい。金属フィラーの粒径も、前記接着層の金属フィラーにおける数平均粒径と同様の範囲、前記接着層の金属フィラーにおける金属ナノ粒子と金属フィラーとの数平均粒径の比と同様の範囲から選択できる。   Also in the coating layer, the metal nanoparticles may be combined with a metal filler in order to improve the conductivity of the sintered film. As the metal filler, the metal exemplified in the section of the metal particles of the adhesive layer can be used, and a silver filler is preferable. The particle size of the metal filler is also selected from the same range as the number average particle size of the metal filler of the adhesive layer and the same range as the ratio of the number average particle size of the metal nanoparticles and metal filler in the metal filler of the adhesive layer. it can.

被覆層では、焼結体により空隙の少ない緻密な層を形成し、メッキ処理時の接着層へのメッキ液の透過が阻止する点から、金属ナノ粒子の割合は、金属ナノ粒子及び金属フィラーの合計量に対して30質量%以上であるのが好ましい。金属フィラーの割合が多すぎると、被覆層に多数の空隙が発生し、その空隙を通ってメッキ液が接着層まで侵入し、接着層を浸食して、接着層及び被覆層が脱落し易くなる。すなわち、金属ナノ粒子と金属フィラーとの割合(質量比)は、金属ナノ粒子/金属フィラー=30/70〜100/0程度の範囲から選択でき、メッキ液の透過を抑制できる点から、金属ナノ粒子の割合が多い方が好ましく、例えば、50/50〜100/0、好ましくは80/20〜100/0、さらに好ましくは90/10〜100/0であり、特に、金属ナノ粒子のみであってもよい。なお、ペーストの取り扱い性とメッキ液の透過抑制とを両立できる点から、例えば、金属ナノ粒子/金属フィラー=30/70〜99/1、好ましくは、35/65〜90/10、さらに好ましくは40/60〜80/20程度であってもよい。   In the coating layer, a dense layer with few voids is formed by the sintered body, and the ratio of the metal nanoparticles to the metal nanoparticles and the metal filler is from the point of preventing the plating solution from permeating into the adhesive layer during the plating process. It is preferable that it is 30 mass% or more with respect to the total amount. If the proportion of the metal filler is too large, a large number of voids are generated in the coating layer, and the plating solution penetrates into the adhesive layer through the voids, erodes the adhesive layer, and the adhesive layer and the coating layer easily fall off. . That is, the ratio (mass ratio) between the metal nanoparticles and the metal filler can be selected from the range of metal nanoparticles / metal filler = about 30/70 to 100/0, and the metal nanoparticle can be prevented from penetrating. It is preferable that the proportion of particles is large, for example, 50/50 to 100/0, preferably 80/20 to 100/0, more preferably 90/10 to 100/0, and particularly only metal nanoparticles. May be. In addition, for example, metal nanoparticles / metal filler = 30/70 to 99/1, preferably 35/65 to 90/10, more preferably, from the viewpoint that both handleability of the paste and suppression of permeation of the plating solution can be achieved. It may be about 40/60 to 80/20.

被覆層も、接着層の項で例示された他の添加剤を含んでいてもよい。前記他の添加剤の中でも、分散媒(特に、オクタノールなどの飽和又は不飽和C6−20脂肪族アルコール、エチレングリコールなどの脂肪族多価アルコール、テルピネオールなどの脂環族アルコールなど)を含むのが好ましい。分散媒の割合は、金属粒子(金属フィラーを含む場合は金属ナノ粒子及び金属フィラーの合計量であり、金属ナノ粒子単独の場合は金属ナノ粒子)100質量部に対して、例えば、1〜50質量部、好ましくは3〜30質量部、さらに好ましくは5〜20質量(特に10〜15質量部)部程度である。 The coating layer may also contain other additives exemplified in the section of the adhesive layer. Among the other additives, a dispersion medium (in particular, a saturated or unsaturated C 6-20 aliphatic alcohol such as octanol, an aliphatic polyhydric alcohol such as ethylene glycol, an alicyclic alcohol such as terpineol, etc.) is included. Is preferred. The ratio of the dispersion medium is, for example, 1 to 50 with respect to 100 parts by mass of metal particles (the total amount of metal nanoparticles and metal fillers when metal fillers are included, and metal nanoparticles when metal nanoparticles are used alone). The amount is about 3 to 30 parts by mass, preferably about 5 to 20 parts by mass (particularly 10 to 15 parts by mass).

被覆層を形成するための第2の導電性ペーストは、前記構成のペーストを得ることができる限り特に限定されないが、通常、前記金属ナノ粒子(必要に応じて金属フィラーなど)を、前記分散媒に分散させることにより調製できる。   The second conductive paste for forming the coating layer is not particularly limited as long as the paste having the above-described configuration can be obtained. Usually, the metal nanoparticles (such as a metal filler if necessary) are used as the dispersion medium. It can be prepared by dispersing in.

[積層体(導電性積層体前駆体)及び導電性積層体の製造方法]
本発明の積層体は、前記基板の上に、第1の導電性ペーストを用いて接着層を形成した後、この接着層の上に、第2の導電性ペーストを用いて被覆層を形成することにより製造できる。
[Laminate (conductive laminate precursor) and method for producing conductive laminate]
In the laminate of the present invention, an adhesive layer is formed on the substrate using the first conductive paste, and then a coating layer is formed on the adhesive layer using the second conductive paste. Can be manufactured.

接着層の形成方法としては、基板の上に第1の導電性ペーストをコーティングする方法を利用できる。コーティング方法としては、例えば、例えば、フローコーティング法、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、キャスト法、バーコーティング法、カーテンコーティング法、ロールコーティング法、グラビアコーティング法、ディッピング法、スリット法、フォトリソグラフィ法、インクジェット法などを挙げることができる。接着層は、全面に形成してもよいが、通常、パターン状などにして基板の全面に対して一部の面に形成される。塗膜でパターンを形成(描画)した場合、形成されたパターン(描画パターン)を焼成処理することにより焼結パターン(焼結膜、金属膜、焼結体層、導体層)を形成できる。パターン(塗布層)を描画するための描画法(又は印刷法)としては、パターン形成可能な印刷法であれば特に限定されず、例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、凹版印刷法(例えば、グラビア印刷法など)、オフセット印刷法、凹版オフセット印刷法、フレキソ印刷法などが挙げられる。これらの方法のうち、スクリーン印刷法などが好ましい。   As a method for forming the adhesive layer, a method of coating the first conductive paste on the substrate can be used. Examples of the coating method include, for example, a flow coating method, a spin coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, a casting method, a bar coating method, a curtain coating method, a roll coating method, a gravure coating method, and a dipping method. , Slit method, photolithography method, ink jet method and the like. The adhesive layer may be formed on the entire surface, but is usually formed on a part of the surface of the substrate in a pattern or the like. When a pattern is formed (drawn) with a coating film, a sintered pattern (sintered film, metal film, sintered body layer, conductor layer) can be formed by firing the formed pattern (drawn pattern). The drawing method (or printing method) for drawing the pattern (coating layer) is not particularly limited as long as it is a pattern forming printing method. For example, a screen printing method, an ink jet printing method, an intaglio printing method (for example, Gravure printing method), offset printing method, intaglio offset printing method, flexographic printing method and the like. Of these methods, the screen printing method and the like are preferable.

コーティング後は、自然乾燥してもよいが、加熱して乾燥してもよい。加熱温度は、溶媒の種類に応じて選択でき、例えば、100〜300℃、好ましくは150〜280℃、さらに好ましくは200〜250℃程度である。加熱時間は、例えば、1分〜3時間、好ましくは5分〜2時間、さらに好ましくは10分〜1時間程度である。   After coating, it may be naturally dried, but may be dried by heating. A heating temperature can be selected according to the kind of solvent, for example, is 100-300 degreeC, Preferably it is 150-280 degreeC, More preferably, it is about 200-250 degreeC. The heating time is, for example, about 1 minute to 3 hours, preferably about 5 minutes to 2 hours, and more preferably about 10 minutes to 1 hour.

接着層の平均厚みは、例えば、1〜50μm、好ましくは3〜30μm、さらに好ましくは5〜15μm程度である。   The average thickness of the adhesive layer is, for example, about 1 to 50 μm, preferably 3 to 30 μm, and more preferably about 5 to 15 μm.

被覆層の形成方法としては、前記接着層の上に第2の導電性ペーストをコーティングする方法を利用できる。コーティング方法としては、前記接着層と同様の方法を利用できる。   As a method for forming the coating layer, a method of coating the second conductive paste on the adhesive layer can be used. As a coating method, the same method as that for the adhesive layer can be used.

被覆層の平均厚みは、例えば、3〜75μm、好ましくは10〜50μm、さらに好ましくは15〜30μm程度である。   The average thickness of the coating layer is, for example, about 3 to 75 μm, preferably about 10 to 50 μm, and more preferably about 15 to 30 μm.

接着層と被覆層との平均厚み比は、例えば、接着層/被覆層=50/50〜5/95、好ましくは45/55〜10/90、さらに好ましくは40/60〜15/85程度である。   The average thickness ratio between the adhesive layer and the covering layer is, for example, adhesive layer / covering layer = 50/50 to 5/95, preferably 45/55 to 10/90, and more preferably about 40/60 to 15/85. is there.

得られた積層体は、導電性積層体の前駆体であり、塗膜を所定の温度で加熱(又は焼成又は加熱処理)する焼成工程に供されることにより、導電接着層を介して基板の上に導電被覆層が形成された導電性積層体が得られる。なお、熱処理に先立って、必要に応じて乾燥処理を行ってもよい。   The obtained laminate is a precursor of the conductive laminate, and is subjected to a firing step in which the coating film is heated (or baked or heat-treated) at a predetermined temperature, whereby the substrate is interposed through the conductive adhesive layer. A conductive laminate having a conductive coating layer formed thereon is obtained. In addition, you may perform a drying process as needed prior to heat processing.

焼成工程において、焼成温度は、ビスマス系ガラスフリットの軟化点以上(例えば、軟化点よりも5〜100℃、好ましくは10〜80℃、さらに好ましくは30〜60℃程度高い温度)であり、かつ基板の耐熱温度以下の温度である。焼成温度は、例えば、400〜520℃、好ましくは450〜510℃、さらに好ましくは480〜500℃程度であってもよい。熱処理時間(加熱時間)は、熱処理温度などに応じて、例えば、1分〜3時間、好ましくは5分〜1時間、さらに好ましくは10〜30分程度であってもよい。   In the firing step, the firing temperature is equal to or higher than the softening point of the bismuth-based glass frit (for example, 5 to 100 ° C., preferably 10 to 80 ° C., more preferably about 30 to 60 ° C. higher than the softening point), and The temperature is lower than the heat resistance temperature of the substrate. The firing temperature may be, for example, 400 to 520 ° C, preferably 450 to 510 ° C, more preferably about 480 to 500 ° C. The heat treatment time (heating time) may be, for example, 1 minute to 3 hours, preferably 5 minutes to 1 hour, more preferably about 10 to 30 minutes, depending on the heat treatment temperature and the like.

得られた導電接着層及び導電被覆層(焼結後の焼成膜又は金属膜、焼結パターン)の平均厚みは、用途に応じて0.01〜10000μm程度の範囲から適宜選択でき、例えば、0.01〜100μm、好ましくは0.1〜50μm、さらに好ましくは0.3〜30μm(特に0.5〜10μm)程度であってもよい。導電接着層と導電被覆層との平均厚み比は、例えば、導電接着層/導電被覆層=50/50〜1/99、好ましくは40/60〜10/90、さらに好ましくは30/70〜20/80程度である。   The average thickness of the obtained conductive adhesive layer and conductive coating layer (fired film or metal film after sintering, sintered pattern) can be appropriately selected from the range of about 0.01 to 10000 μm depending on the application. It may be about 0.01 to 100 μm, preferably 0.1 to 50 μm, more preferably about 0.3 to 30 μm (particularly 0.5 to 10 μm). The average thickness ratio between the conductive adhesive layer and the conductive coating layer is, for example, conductive adhesive layer / conductive coating layer = 50/50 to 1/99, preferably 40/60 to 10/90, and more preferably 30/70 to 20 / 80 or so.

本発明の導電性積層体は、導電被覆層が空隙の少ない緻密な層であるため、Niメッキ(特にNi/Auメッキ)などのメッキ処理をしても、メッキ液が接着層に透過するのを抑制できる。導電被覆層における空隙の程度は、単位面積当たり空隙の面積の比率(空隙率)で表され、導電被覆層の空隙率は5%以下(例えば、0.01〜5%)であってもよく、例えば、2%以下(例えば、0.03〜2%)、好ましくは1%以下(例えば、0.05〜1%)、さらに好ましくは0.5%以下(例えば、0.1〜0.5%)であってもよい。   In the conductive laminate of the present invention, the conductive coating layer is a dense layer with few voids, so that the plating solution permeates the adhesive layer even when a plating process such as Ni plating (particularly Ni / Au plating) is performed. Can be suppressed. The degree of voids in the conductive coating layer is represented by the ratio of the void area per unit area (porosity), and the porosity of the conductive coating layer may be 5% or less (for example, 0.01 to 5%). For example, 2% or less (for example, 0.03 to 2%), preferably 1% or less (for example, 0.05 to 1%), more preferably 0.5% or less (for example, 0.1 to 0. 2). 5%).

本発明の導電性積層体は、導電被覆層の上に、さらにメッキ層を形成してもよい。メッキ層の形成方法としては、慣用のメッキ処理を利用できる。本発明では、慣用のメッキ処理のうち、無電解メッキに対して有効であり、無電解Niメッキ(特に無電解Ni/Auメッキ)に特に有効である。   In the conductive laminate of the present invention, a plating layer may be further formed on the conductive coating layer. As a method for forming the plating layer, a conventional plating process can be used. The present invention is effective for electroless plating among conventional plating processes, and particularly effective for electroless Ni plating (particularly electroless Ni / Au plating).

以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。以下の例において、各物性における測定方法、実施例に用いた材料を以下に示す。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following examples, measurement methods for each physical property and materials used in the examples are shown below.

[導電被覆層の空隙率]
得られた導電性積層体について、導電被覆層の表面を走査型電子顕微鏡で観察し、40μm×40μm以上の領域における空隙の面積をGatan社製Digital Micrograph3.4を用いて算出した。
[Porosity of conductive coating layer]
About the obtained electroconductive laminated body, the surface of the electroconductive coating layer was observed with the scanning electron microscope, and the area of the space | gap in an area | region of 40 micrometers x 40 micrometers or more was computed using Digital Micrograph 3.4 by Gatan.

[電極パターンの密着強度]
焼成後の電極パターンに、Sn被覆CuワイヤーをSnAgCuはんだではんだ付けし、2mm×2mmの電極パターンの密着強度を測定した。
[Adhesion strength of electrode pattern]
An Sn-coated Cu wire was soldered to the electrode pattern after firing with SnAgCu solder, and the adhesion strength of the 2 mm × 2 mm electrode pattern was measured.

[用いた材料]
銀粉末(SPN20J):三井金属鉱業(株)製「SPN20J」、平均粒径D50:1.82μm、D90:3.14μm
銀粉末(EHD):三井金属鉱業(株)製「EHD」、平均粒径D50:0.48μm、D90:0.78μm
銀ナノ粒子:(株)ニラコ製「AG−404055」、平均粒径70nm
ビスマス系ガラスフリット:奥野製薬工業(株)製「G3−3888」、軟化点458℃
エチルセルロース:日進化成(株)販売「EC−200」
アルカリガラス基板:岩波硝子製「S1225」。
[Materials used]
Silver powder (SPN20J): “SPN20J” manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., average particle diameter D50: 1.82 μm, D90: 3.14 μm
Silver powder (EHD): “EHD” manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., average particle diameter D50: 0.48 μm, D90: 0.78 μm
Silver nanoparticles: “AG-404055” manufactured by Niraco Co., Ltd., average particle size 70 nm
Bismuth glass frit: “G3-3888” manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd., softening point 458 ° C.
Ethyl cellulose: Nihon Kasei Co., Ltd. sales “EC-200”
Alkaline glass substrate: “S1225” manufactured by Iwanami Glass.

実施例1
(接着層形成用導電性ペースト作製)
銀粉末(SPN20J)48g、銀粉末(EHD)19g、銀ナノ粒子33g、ビスマス系ガラスフリット15g、エチルセルロース51gを自動乳鉢で練り、接着層形成用導電性ペーストを作製した。
Example 1
(Preparation of conductive paste for adhesive layer formation)
Silver powder (SPN20J) 48 g, silver powder (EHD) 19 g, silver nanoparticles 33 g, bismuth-based glass frit 15 g, and ethyl cellulose 51 g were kneaded in an automatic mortar to prepare a conductive paste for forming an adhesive layer.

(被覆層形成用導電性ペースト作製)
銀粉末(SPN20J)45g、銀ナノ粒子(AG−404055)46g、テルピネオール9gを自動乳鉢で練り、被覆層形成用導電性ペーストを作製した。
(Preparation of conductive paste for coating layer formation)
45 g of silver powder (SPN20J), 46 g of silver nanoparticles (AG-404055) and 9 g of terpineol were kneaded in an automatic mortar to prepare a conductive paste for forming a coating layer.

(導電膜印刷及び焼成)
アルカリガラス基板上に、接着層形成用導電性ペーストを2mm×2mmの電極パターンに従ってスクリーン印刷した。接着層のパターンが印刷されたガラス基板を熱風循環オーブン中で、200℃で30分間乾燥を行った。その後、接着層のパターン上に被覆層形成用導電性ペーストをスクリーン印刷した。接着層の平均厚みは5μmであり、被覆層の平均厚みは15μmであった。マッフル炉中で、室温から10℃/分の速さで500℃まで昇温し、500℃を10分間保持し、接着層及び被覆層を同時に焼成した。その後、室温まで徐冷した。得られた導電性積層体の導電被覆層表面には、いずれも3μm未満のサイズの比較的少数の空隙が観察された。
(Conductive film printing and firing)
A conductive paste for forming an adhesive layer was screen-printed on an alkali glass substrate according to an electrode pattern of 2 mm × 2 mm. The glass substrate on which the pattern of the adhesive layer was printed was dried in a hot air circulating oven at 200 ° C. for 30 minutes. Thereafter, a conductive paste for forming a coating layer was screen-printed on the pattern of the adhesive layer. The average thickness of the adhesive layer was 5 μm, and the average thickness of the coating layer was 15 μm. In a muffle furnace, the temperature was raised from room temperature to 500 ° C. at a rate of 10 ° C./min, and the temperature was maintained at 500 ° C. for 10 minutes, and the adhesive layer and the coating layer were simultaneously fired. Thereafter, it was gradually cooled to room temperature. A relatively small number of voids having a size of less than 3 μm were observed on the surface of the conductive coating layer of the obtained conductive laminate.

(密着強度)
焼成後の電極パターンに、Sn被覆CuワイヤーをSnAgCuはんだではんだ付けし、2mm×2mmの電極パターンの密着強度を測定した結果、1.4kgfの強度が得られた。
(Adhesion strength)
The Sn-coated Cu wire was soldered to the electrode pattern after firing with SnAgCu solder, and the adhesion strength of the 2 mm × 2 mm electrode pattern was measured. As a result, a strength of 1.4 kgf was obtained.

(メッキ処理)
無電解Ni/Auメッキを行ったところ、パターンの脱落なく、全パターンにNi/Auメッキが析出したことを確認した。
(Plating treatment)
When electroless Ni / Au plating was performed, it was confirmed that Ni / Au plating was deposited on all the patterns without dropping off the patterns.

(Ni/Auメッキ処理後の密着強度)
Ni/Auメッキ処理後の電極パターンに、Sn被覆CuワイヤーをSnAgCuはんだではんだ付けし、2mm×2mmの電極パターンの密着強度を測定した結果、1.3kgfの強度が得られ、メッキ処理によって強度が落ちることはなかった。
(Adhesion strength after Ni / Au plating)
As a result of soldering an Sn-coated Cu wire with SnAgCu solder to the electrode pattern after the Ni / Au plating treatment and measuring the adhesion strength of the 2 mm × 2 mm electrode pattern, a strength of 1.3 kgf was obtained. Never fell.

(密着強度の信頼性試験)
Ni/Auメッキ処理後の電極パターンに、Sn被覆CuワイヤーをSnAgCuはんだではんだ付けしたサンプルを、125℃、相対湿度85%、圧力1.6atm中で1000時間放置した。1000時間経過後に電極の密着強度を測定したところ、1.3kgfの強度を維持しており、長期信頼性があることを確認した。
(Adhesion strength reliability test)
A sample in which an Sn-coated Cu wire was soldered to the electrode pattern after the Ni / Au plating treatment with SnAgCu solder was left for 1000 hours at 125 ° C., relative humidity 85%, and pressure 1.6 atm. When the adhesion strength of the electrode was measured after 1000 hours, the strength of 1.3 kgf was maintained, and it was confirmed that there was long-term reliability.

実施例2
被覆層形成用導電ペーストを下記の方法で作製する以外は実施例1と同様に導電性積層体を作製した。
Example 2
A conductive laminate was prepared in the same manner as in Example 1 except that the coating layer forming conductive paste was prepared by the following method.

(被覆層形成用導電性ペースト作製)
銀粉末(SPN20J)48g、銀粉末(EHD)19g、銀ナノ粒子33g、テルピネオール12gを自動乳鉢で練り、被覆層形成用導電ペーストを作製した。被覆層の平均厚みは20μmであった。
(Preparation of conductive paste for coating layer formation)
Silver powder (SPN20J) 48 g, silver powder (EHD) 19 g, silver nanoparticles 33 g, and terpineol 12 g were kneaded in an automatic mortar to prepare a conductive paste for forming a coating layer. The average thickness of the coating layer was 20 μm.

得られた導電性積層体の導電被覆層表面には、いずれも3μm未満のサイズの比較的少数の空隙が観察された。導電被覆層の空隙率は1.95%であった。無電解Ni/Auメッキを行ったところ、パターンの脱落なく、全パターンにNi/Auメッキが析出したことを確認した。   A relatively small number of voids having a size of less than 3 μm were observed on the surface of the conductive coating layer of the obtained conductive laminate. The porosity of the conductive coating layer was 1.95%. When electroless Ni / Au plating was performed, it was confirmed that Ni / Au plating was deposited on all the patterns without dropping off the patterns.

実施例3
被覆層形成用導電性ペーストを下記の方法で作製する以外は実施例1と同様に導電性積層体を作製した。
Example 3
A conductive laminate was prepared in the same manner as in Example 1 except that the coating layer forming conductive paste was prepared by the following method.

(被覆層形成用導電性ペースト作製)
銀ナノ粒子90g、テルピネオール12gを自動乳鉢で練り、被覆層形成用導電性ペーストを作製した。被覆層の平均厚みは15μmであった。
(Preparation of conductive paste for coating layer formation)
90 g of silver nanoparticles and 12 g of terpineol were kneaded in an automatic mortar to prepare a conductive paste for forming a coating layer. The average thickness of the coating layer was 15 μm.

得られた導電性積層体の導電被覆層表面には、いずれも3μm未満のサイズの少数の空隙が観察された。導電被覆層の空隙率は0.18%であった。無電解Ni/Auメッキを行ったところ、パターンの脱落なく、全パターンにNi/Auメッキが析出したことを確認した。   A small number of voids having a size of less than 3 μm were observed on the surface of the conductive coating layer of the obtained conductive laminate. The porosity of the conductive coating layer was 0.18%. When electroless Ni / Au plating was performed, it was confirmed that Ni / Au plating was deposited on all the patterns without dropping off the patterns.

比較例1
被覆層形成用導電性ペーストを、接着層のパターン上に重ね塗りしなかったこと以外は、実施例1と同様にして導電性積層体を作製した。得られた積層体は、無電解Ni/Auメッキ処理によって、メッキは析出せず、またパターンの脱落が見られた。
Comparative Example 1
A conductive laminate was produced in the same manner as in Example 1, except that the coating layer forming conductive paste was not overcoated on the adhesive layer pattern. The obtained laminate was not subjected to plating by the electroless Ni / Au plating treatment, and pattern dropping was observed.

比較例2
被覆層形成用導電性ペーストを下記の方法(銀ナノ粒子なし)で作製する以外は実施例1と同様に導電性積層体を作製した。
Comparative Example 2
A conductive laminate was prepared in the same manner as in Example 1 except that the conductive paste for forming a coating layer was prepared by the following method (without silver nanoparticles).

(被覆層形成用導電性ペースト作製)
銀粉末(SPN20J)60g、銀粉末(EHD)40g、エチルセルロース10gを自動乳鉢で練り、被覆層形成用導電性ペーストを作製した。
(Preparation of conductive paste for coating layer formation)
60 g of silver powder (SPN20J), 40 g of silver powder (EHD), and 10 g of ethyl cellulose were kneaded in an automatic mortar to prepare a conductive paste for forming a coating layer.

得られた導電性積層体の導電被覆層表面には、3μmを超えるサイズの空隙を含む多数の空隙が観察された。導電被覆層の空隙率は7.39%であった。無電解Ni/Auメッキ処理によって、メッキは析出せず、またパターンの脱落が見られた。   Numerous voids including voids having a size exceeding 3 μm were observed on the surface of the conductive coating layer of the obtained conductive laminate. The porosity of the conductive coating layer was 7.39%. By the electroless Ni / Au plating treatment, no plating was deposited, and pattern loss was observed.

本発明の導電性積層体は、例えば、プラズマディスプレイパネル(PDP)、蛍光表示管(VFD)、液晶ディスプレイ(LCD)、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ(ELD)などの表示装置、タッチパネル式表示装置などの電極、RFIDタグ、電磁波シールド、家庭又は学習用配線キットなどに使用される導電膜などとして利用できる。   The conductive laminate of the present invention includes, for example, electrodes such as a plasma display panel (PDP), a fluorescent display tube (VFD), a liquid crystal display (LCD), an organic electroluminescence display (ELD), and a touch panel display device. It can be used as a conductive film used in an RFID tag, an electromagnetic wave shield, a home or learning wiring kit, and the like.

Claims (18)

接着層を介して基板の上に被覆層が形成されている積層体であって、前記接着層が、金属粒子及び軟化点が500℃以下のビスマス系ガラスフリットを含むとともに、前記被覆層が、金属ナノ粒子を含み、かつ軟化点が500℃以下のビスマス系ガラスフリットを実質的に含まない積層体。   A laminate in which a coating layer is formed on a substrate via an adhesive layer, wherein the adhesive layer includes metal particles and a bismuth-based glass frit having a softening point of 500 ° C. or less, and the coating layer includes: A laminate containing metal nanoparticles and substantially free of bismuth-based glass frit having a softening point of 500 ° C. or lower. 金属ナノ粒子の数平均粒径が10〜100nmである請求項1記載の積層体。   The laminate according to claim 1, wherein the metal nanoparticles have a number average particle diameter of 10 to 100 nm. 金属ナノ粒子が導電性金属粒子である請求項1又は2記載の積層体。   The laminate according to claim 1 or 2, wherein the metal nanoparticles are conductive metal particles. 金属ナノ粒子が銀ナノ粒子である請求項1〜3のいずれかに記載の積層体。   The laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal nanoparticles are silver nanoparticles. 金属ナノ粒子の表面が分散剤で被覆されている請求項1〜4のいずれかに記載の積層体。   The laminate according to any one of claims 1 to 4, wherein the surface of the metal nanoparticles is coated with a dispersant. 被覆層が、さらに数平均粒径200nm以上の金属フィラーを含み、金属ナノ粒子と前記金属フィラーとの割合(質量比)が、金属ナノ粒子/金属フィラー=30/70〜99/1であり、かつ数平均粒径の比が、金属ナノ粒子/金属フィラー=1/1000〜1/5である請求項1〜5のいずれかに記載の積層体。   The coating layer further includes a metal filler having a number average particle size of 200 nm or more, and the ratio (mass ratio) of the metal nanoparticles to the metal filler is metal nanoparticles / metal filler = 30/70 to 99/1, And the ratio of a number average particle diameter is metal nanoparticle / metal filler = 1 / 1000-1 / 5, The laminated body in any one of Claims 1-5. 被覆層がさらに分散媒及び/又はバインダー樹脂を含む請求項1〜6のいずれかに記載の積層体。   The laminate according to any one of claims 1 to 6, wherein the coating layer further contains a dispersion medium and / or a binder resin. 接着層が、金属粒子100質量部に対してビスマス系ガラスフリット10〜50質量部を含む請求項1〜7のいずれかに記載の積層体。   The laminated body in any one of Claims 1-7 in which an contact bonding layer contains 10-50 mass parts of bismuth-type glass frit with respect to 100 mass parts of metal particles. 接着層がさらに分散媒及び/又はバインダー樹脂を含み、かつ金属粒子が銀ナノ粒子及び銀フィラーを含む請求項1〜8のいずれかに記載の積層体。   The laminate according to any one of claims 1 to 8, wherein the adhesive layer further contains a dispersion medium and / or a binder resin, and the metal particles contain silver nanoparticles and a silver filler. 接着層と被覆層との平均厚み比が、接着層/被覆層=50/50〜5/95である請求項1〜9のいずれかに記載の積層体。   The laminate according to any one of claims 1 to 9, wherein an average thickness ratio between the adhesive layer and the coating layer is adhesive layer / covering layer = 50/50 to 5/95. 基板がガラス基板である請求項1〜10のいずれかに記載の積層体。   The laminate according to any one of claims 1 to 10, wherein the substrate is a glass substrate. 請求項1〜11のいずれかに記載の積層体を、ビスマス系ガラスフリットの軟化点以上であり、かつ基板の耐熱温度以下の温度で焼成し、導電接着層を介して基板の上に導電被覆層が形成された導電性積層体を製造する方法。   The laminate according to any one of claims 1 to 11 is baked at a temperature not lower than a softening point of a bismuth-based glass frit and not higher than a heat resistant temperature of the substrate, and conductively coated on the substrate via a conductive adhesive layer. A method for producing a conductive laminate having a layer formed thereon. 導電被覆層の上に、さらにメッキ層を形成する請求項12記載の方法。   The method according to claim 12, further comprising forming a plating layer on the conductive coating layer. メッキ層がNi/Auメッキ層である請求項13記載の方法。   The method according to claim 13, wherein the plating layer is a Ni / Au plating layer. 請求項12〜14のいずれかに記載の方法により得られた導電性積層体。   The electroconductive laminated body obtained by the method in any one of Claims 12-14. 導電被覆層の空隙率が2%以下である請求項15記載の導電性積層体。   The conductive laminate according to claim 15, wherein the porosity of the conductive coating layer is 2% or less. 導電被覆層の上にNi/Auメッキ層が形成された請求項14又は15記載の導電性積層体。   The conductive laminate according to claim 14 or 15, wherein a Ni / Au plating layer is formed on the conductive coating layer. 銀及び軟化点が500℃以下のビスマス系ガラスフリットで形成された導電接着層を介して基板の上に銀で形成された導電被覆層が形成されている積層体であって、前記導電被覆層の空隙率が5%以下である導電性積層体。   A laminate in which a conductive coating layer formed of silver is formed on a substrate via a conductive adhesive layer formed of silver and a bismuth-based glass frit having a softening point of 500 ° C. or less, wherein the conductive coating layer A conductive laminate having a porosity of 5% or less.
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