JP2013172387A - フィルタ - Google Patents

Abstract

【課題】調整工程を追加することなく、フィルタの中心周波数を変更することが可能なフィルタの技術を提供する。
【解決手段】第１の誘電体基板と、該第１の誘電体基板の一端面及び他端面にそれぞれ設けられた第１及び第２の導体層と、該第１及び第２の導体層を電気的に接続して、共振器と該共振器間を結合させる誘導性窓とを形成する導体と、前記第１の導体層に対向して配置され、該第１の導体層と電気的に接続する第３の導体層とを備え、前記第１の導体層の前記共振器領域には第１の開口部が形成され、第３の導体層にはその開口寸法に応じて所望の周波数特性に調整可能な第２の開口部が形成されているフィルタを備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、通信装置に使用されるフィルタに関し、特に誘電体導波管型フィルタに関する。

通信装置においては、所望の信号周波数帯以外を抑圧するために、フィルタが使用される。図１には、通信装置の無線周波数帯（ＲＦ）送受信ブロックの一例を示す。送信ブロック１において、アップコンバートミキサ２ａには、局部発振器３により生成されるミキサ駆動用局発（ＬＯ）信号と、入力端子４ａを介して中間周波数（ＩＦ）信号とが入力される。アップコンバートミキサ２ａにより生成される所望ＲＦ信号以外の不要波を抑圧するフィルタ５ａが、アップコンバートミキサ２ａの次段に配置される。フィルタ５ａを通過した所望信号は、送信電力増幅器６により、所望電力まで増幅され、送受信間のアイソレーション回路７（分波器、サーキュレータ等）を介して、アンテナ８に接続される。また、受信ブロック９においては、アンテナ８で受信したＲＦ信号は、アイソレーション回路７により、選択的に受信ブロック９に給電される。給電されたＲＦ信号は、低雑音増幅器１０により増幅され、ダウンコンバートミキサ２ｂに入力される。低雑音増幅器１０では、雑音も増幅されているため、出力端子４ｂから出力されるＩＦ信号には、イメージ周波数帯の雑音が重畳される。これを避けるために、低雑音増幅器１０とダウンコンバートミキサ２ｂ間には、所望ＲＦ信号以外の不要波を抑圧するフィルタ５ｂが挿入される。このような送受信ブロック１、９の各回路素子（ミキサ２ａ、２ｂ、局部発振器３、送信電力増幅器６、低雑音増幅器１０）は、プリント基板（ＰＷＢ）上に、ＢＧＡや、ＳＭＤの表面実装形態で実装される。一方、フィルタ５ａ、５ｂにおいては、１０ＧＨｚ帯以上の高周波数帯では、表面実装形態のフィルタはあまりなく、プリント基板（ＰＷＢ）上に、形成されることも多い。

ＰＷＢ上に形成されるフィルタ５ａ、５ｂとしては、従来のマイクロストリップ構成に加えて、近年、開放系のマイクロストリップ構成と比較して放射損失が抑圧できる、閉鎖系の誘電体導波管構成も使用されるようになっている。図２には、２段誘電体導波管型フィルタ１１の構成図を示す。図２（ａ）は、フィルタの上面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）中の一点鎖線Ａ−Ａ’における断面図である。誘電体基板１２の上層導体面１３ａと下層導体面１３ｂとが、導波管構造内の１／２波長以下のピッチで形成されたビアホール列１４により接続されることにより、擬似的な導波管構造が形成される。導波管構造内には、結合用ビアホール１５が形成され、結合用ビアホール１５で挟まれた領域が誘電体導波管型共振器１６を構成する。共振器１６間の結合は、誘導性であり、結合度は、結合用ビアホール１５間の間隔、位置等により決定される。また、ＰＷＢ基板上の伝送線路であるマイクロストリップ線路（ストリップ導体１７が信号導体で、下層導体面１３ｂがグランド）と、誘電体導波管構造とは、テーパー状のマイクロストリップ線路−導波管変換１８を介して接続される。

特開平８−７８９０３号公報 特開２００３−１１０３２２号公報 国際公開第２００４／０７５３３７号 実公平４−２７２０１号公報

上記の通信装置で、ＲＦ周波数が異なる複数の周波数構成がある場合、フィルタ５ａ、５ｂの中心周波数をＲＦ周波数と一致させるため、ＰＷＢ基板をＲＦ周波数毎に作製するか、或いは、フィルタ５ａ、５ｂの中心周波数を、個別に調整する必要がある。特許文献１には、誘電体導波管型フィルタを構成する誘電体導波管型共振器の共振周波数を調整する方法が記載されている。特許文献１では、共振器を構成する導体面の一部を除去することにより、誘電体内に閉じ込められていた電磁界の一部が空気内に分布するようになる。その結果、共振器の電磁界の境界条件が短絡端から開放端に変わることに加えて、電磁界が分布する領域の実効的な誘電率が低下するため、共振周波数が上昇する。また、反対に、共振器を構成する導体面の一部を予め除去した面に、導体膜を付加することにより、共振器外に分布していた電磁界の一部を誘電体共振器内に閉じ込める。その結果、共振器の電磁界の境界条件が開放端から短絡端に変わることに加えて、電磁界が分布する領域の実効的な誘電率が上昇するため、共振周波数が低下する。このように、導体面の除去、或いは、付加により、周波数を調整することができるが、特許文献１の方法では、ＰＷＢ毎に、個別の調整工程が必要となり、製造コストが増大するという問題があった。

また、通信装置に使用するフィルタの共振周波数を変化させるため、特許文献２では、共振器に形成した開口部に付加するバラクタによる電気的な容量変化を利用している。さらに、特許文献３では、共振器に形成した導体面の一部を機械的に切除又は予め形成した開口部に機械的に導体を付加し、特許文献４では、共振器に形成した開口部に面した誘導体を機械的に摺動させることにより電気的な開口サイズに変化させている。これらの共振器では、ＰＷＢ基板上に実装する表面実装部品と、開口を形成した基板を同時に表面実装する構成を採用していないため、調整のための工数が必要となり、製造コストが増大するといった問題があった。

以上の点に鑑み、本発明の実施形態は、調整工程を追加することなく、フィルタの中心周波数を変更することが可能なフィルタの技術を提供することを目的とする。

上述の課題に鑑み、本発明の一態様は、第１の誘電体基板と、該第１の誘電体基板の一端面及び他端面にそれぞれ設けられた第１及び第２の導体層と、該第１及び第２の導体層を電気的に接続して、共振器と、該共振器間を結合させる誘導性窓とを形成する導体と、前記第１の導体層に対向して配置され、該第１の導体層と電気的に接続する第３の導体層とを備え、前記第１の導体層の前記共振器領域には第１の開口部が形成され、第３の導体層にはその開口寸法に応じて所望の周波数特性に調整可能な第２の開口部が形成されていることを特徴とするフィルタに関する。

上記の構成では、第２の開口部のサイズを変更することにより、フィルタの中心周波数を変更することができる。また、この第２の開口部を持つ導体層は、導体板、或いは、誘電体基板上に形成した導体層として実現される。これにより、送受信モジュールを構成する回路素子（ミキサ、発振器、増幅器等）をＰＷＢに表面実装する工程において、同時に、導体板、或いは、誘電体基板を実装することができる。従って、調整工程を追加することなく、フィルタの中心周波数を変更することができる。

図３には、本発明の２段誘電体導波管型フィルタ１１の構成図を示す。誘電体導波管型フィルタ１１において、誘電体基板１２の上層１３ａ、及び、下層導体面１３ｂとが、導波管構造内の１／２波長以下のピッチで形成されたビアホール列１４により接続されることにより、擬似的な導波管構造が形成される。導波管構造内には、結合用ビアホール１５が形成され、結合用ビアホール１５で挟まれた領域が共振器１６を構成する。共振器１６間の結合は、誘導性であり、結合度が、結合用ビアホール１５間の間隔、位置等により決定されることにより、フィルタ基板１９が形成される。共振器１６の上層導体面１３ａには、導体層を除去した開口２０が形成される。開口２０の上部には、導体板２１からなるカバー基板２２が、半田ボール２３によりＢＧＡ接続される。これにより、下層導体面１３ｂ、導体板２１、ビアホール列１４、結合用ビアホール１５、半田ボール２３で囲まれる領域がＴＥ１１０誘電体導波管型共振器１６となる。導体板２１には、共振器１６の中央上部（電界強度が大の領域）に、開口２４が形成される。

本発明によると、誘電体導波管型のフィルタにおいては、調整工程を付加することなく、周波数を変更することができる。

本発明の更なる利点及び実施形態を、記述と図面を用いて下記に詳細に説明する。

通信装置の送受信ブロック図である。 従来の誘電体導波管型フィルタの構造図であり、（ａ）は、フィルタの上面図、（ｂ）は、一点鎖線Ａ−Ａ’の断面図である。 本発明による第１の実施例を示す構造図であり、（ａ）は、フィルタの斜視図、（ｂ）は、一点鎖線Ｂ−Ｂ’の断面図である。 本発明によるＢＧＡの接続信頼性を向上する構造図である。 本発明による第２の実施例を示す構造図であり、（ａ）は、フィルタの斜視図、（ｂ）は、一点鎖線Ｃ−Ｃ’の断面図、（ｃ）は、方向ａから見た平面図、（ｄ）は、方向ａ’から見た平面図である。 本発明による放射による損失を低減する構造図であり、（ａ）は、図５中の一点鎖線Ｃ−Ｃ’の断面図、（ｂ）は、方向ｂから見た平面図、（ｃ）は、方向ｂ’から見た平面図である。 本発明による第３の実施例を示す構造図であり、（ａ）は、フィルタの斜視図、（ｂ）は、一点鎖線Ｄ−Ｄ’の断面図、（ｃ）は、方向ｃから見た平面図、（ｄ）は、方向ｃ’から見た平面図である。 本発明による第４の実施例を示す構造図であり、（ａ）は、フィルタの斜視図、（ｂ）は、一点鎖線Ｅ−Ｅ’の断面図である。 本発明による第１の実施例のフィルタにおいて、開口サイズにより変化するフィルタの周波数特性を計算した結果であり、（ａ）は、フィルタの通過、及び、反射特性、（ｂ）は、開口サイズによるフィルタの中心周波数の変化である。 本発明による第２の実施例のフィルタにおいて、カバー基板の比誘電率によるフィルタの中心周波数の変化を計算した結果である。 本発明による第４の実施例のフィルタにおいて、開口サイズにより変化するフィルタの周波数特性を計算した結果であり、（ａ）は、フィルタの通過、及び、反射特性、（ｂ）は、開口サイズによるフィルタの中心周波数の変化である。

以下、本発明の好ましい実施形態に従うフィルタについて、添付図面を参照しながら詳しく説明する。但し、以下に説明する実施例によって本発明の技術的範囲は何ら限定解釈されることはない。

（第１の実施例）
本発明の実施例１について、図３を使用して、詳細に説明する。図３（ａ）は、フィルタの斜視図、図３（ｂ）は、図３（ａ）中の一点鎖線Ｂ−Ｂ’における断面図である。誘電体導波管型フィルタ１１において、誘電体基板１２の上面（一端面）に上層導体面１３ａ、及び、下面（他端面）に下層導体面１３ｂとが形成され、導波管構造内の１／２波長以下のピッチで形成されたビアホール列１４により接続されることにより、擬似的な導波管構造が形成される。導波管構造内には、結合用ビアホール１５が形成され、結合用ビアホール１５で挟まれた領域が共振器１６を構成する。共振器１６間の結合は、誘導性であり、結合度が、結合用ビアホール１５間の間隔、位置等により決定されることにより、フィルタ基板１９が形成される。共振器１６の上層導体面１３ａには、導体層を除去した開口２０が形成される。開口２０の上部には、導体板２１からなるカバー基板２２が、半田ボール２３によりＢＧＡ接続される。これにより、下層導体面１３ｂ、導体板２１、ビアホール列１４、結合用ビアホール１５、半田ボール２３で囲まれる領域がＴＥ１１０誘電体導波管型共振器１６となる。導体板２１には、共振器１６の中央上部（電界強度が大の領域）に、開口２４が形成される。この開口サイズを変更することにより、公知文献１と同様に、共振器１６への電磁界（この場合は電界）の閉じ込め度、すなわち、共振周波数を変化させることができる。本実施例では、送受信モジュールを構成する回路素子（ミキサ、発振器、増幅器等）をＰＷＢに表面実装する工程において、同時に、カバー基板２２を実装することができるため、調整工程を追加することなく、フィルタの中心周波数を変更することができる。

図９には、開口２４のサイズを変更した場合の、フィルタの周波数特性を計算した結果を示す。図９（ａ）は、フィルタの通過、及び、反射の周波数特性、図９（ｂ）は、フィルタの中心周波数の開口サイズによる変化である。なお、計算においては、媒質は無損失とし、放射による損失のみを考慮した。誘電体基板１２をポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）（比誘電率３．１、基板厚０．３ｍｍ）、導体板２１（基板厚０．１ｍｍ）とし、開口２４を直径ｄの円形とした。開口サイズの増大に伴い、フィルタの中心周波数が上昇していることが確認できる。ここで、開口サイズが大きい場合（ｄ＝１．６ｍｍ）に、通過損失が大きくなっているのは、開口２４からの放射損失に起因している。

本実施例においては、図４に示すように、フィルタ基板１９とカバー基板２２の間にアンダーフィル材２５を充填することにより、半田ボール２３の接続信頼性を向上させることができる。

（第２の実施例）
本発明の第２の実施例について、図５を使用して、詳細に説明する。図５（ａ）は、フィルタの斜視図、図５（ｂ）は、図５（ａ）中の一点鎖線Ｃ−Ｃ’における断面図、図５（ｃ）は、カバー基板を図５（ｂ）中の方向ａから見た平面図、図５（ｄ）は、カバー基板を図５（ｂ）中の方向ａ’から見た平面図である。フィルタ基板１９については、第１の実施例と同じであるため、ここでは、説明を省略する。本実施例のカバー基板２２では、誘電体基板２６の下面の下層導体面１３ｃに、開口２７が形成される。フィルタ基板１９の開口２０の上部には、カバー基板２２が、半田ボール２３によりＢＧＡ接続される。これにより、フィルタ基板１９の下層導体面１３ｂ、カバー基板２２の下層導体面１３ｃ、ビアホール列１４、結合用ビアホール１５、半田ボール２３で囲まれる領域がＴＥ１１０誘電体導波管型共振器１６となる。本実施例の開口２７は、薄い導体層に形成するため、厚い導体板２１に形成する第１の実施例と比較して、開口サイズ、すなわち、フィルタの中心周波数を高い精度で制御できる。

図１０には、誘電体基板２６の比誘電率を変化させた場合の、フィルタの中心周波数の変化を計算した結果を示す。なお、計算においては、誘電体基板２６の厚さを０．２ｍｍとした（その他の計算条件は図９と同じ）。比誘電率が大きくなるにつれて、中心周波数の変化量が小さくなっている。これは、開口２７の形成により周波数を上昇させる効果と、空気に比べて高い誘電率の誘電体基板２６により周波数を低下させる効果とが、打ち消し合うためである。従って、誘電体基板２６は、できるだけ誘電率が低い基板（例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）（比誘電率２〜３））であることが望ましい。

図６には、放射による損失を低減できるカバー基板の構成を示す。図６（ａ）は、図５（ａ）中の一点鎖線Ｃ−Ｃ’におけるフィルタの断面図、図６（ｂ）は、カバー基板を図６（ａ）中の方向ｂから見た平面図、図６（ｃ）は、カバー基板を図６（ｃ）中の方向ｂ’から見た平面図である。誘電体基板２６には、開口２７を有する下層導体面１３ｃと、上層導体面１３ｄとが形成されている。また、下層導体面１３ｃと上層導体面１３ｄとは、開口２７の外周を囲むように、誘電体基板２６内での１／２波長以下のピッチで形成されたビアホール列２８により電気的に接続されている。この構成では、共振器１６から、開口２７を介して、漏れ出る電磁界を誘電体基板２６内に閉じ込めることができるため、放射による損失を抑圧できる。

本実施例においても、第１の実施例で記載した図４と同様に、フィルタ基板１９とカバー基板２２の間にアンダーフィル材２５を充填することにより、半田ボール２３の接続信頼性を向上させることができる。

（第３の実施例）
本発明の第３の実施例について、図７を使用して、詳細に説明する。図７（ａ）は、フィルタの斜視図、図７（ｂ）は、図７（ａ）中の一点鎖線Ｄ−Ｄ’における断面図、図７（ｃ）は、カバー基板を図７（ｂ）中の方向ｃから見た平面図、図７（ｄ）は、カバー基板を図７（ｂ）中の方向ｃ’から見た平面図である。フィルタ基板１９については、第１の実施例と同じであるため、ここでは、説明を省略する。本実施例のカバー基板２２では、誘電体基板２６の下面に下層導体面１３ｃ、上面に上層導体面１３ｄが形成され、それぞれが、誘電体基板２６内での１／２波長以下のピッチで形成されたビアホール列２８により、電気的に接続される。下層導体面１３ｃには、フィルタ基板１９上の開口２０と、同程度のサイズの開口２９が形成される。フィルタ基板１９の下層導体面１３ｂ、カバー基板２２の上層導体面１３ｄ、フィルタ基板１９のビアホール列１４、カバー基板２２のビアホール列２８、結合用ビアホール１５、半田ボール２３で囲まれる領域が、ＴＥ１１０誘電体導波管型共振器１６となる。カバー基板２２上の上層導体面１３ｄには、開口２７が形成される。この開口２７のサイズを変更することにより、本発明の第２の実施例と同様に、フィルタの中心周波数を変化させることができる。本実施例では、共振器１６が、２つの誘電体基板１２、２６から構成されるため、開口２７のサイズによる変化に加えて、誘電体基板２６による誘電体共振器の実効的な誘電率の変化によっても、フィルタの中心周波数を変化させることができる。その結果、広範囲に中心周波数を変化させることができる。

本実施例においても、第１の実施例で記載した図４と同様に、フィルタ基板１９とカバー基板２２の間にアンダーフィル材２５を充填することにより、半田ボール２３の接続信頼性を向上させることができる。

第１から第３の実施例においては、誘電体導波管型共振器１６の動作モードを、基底のＴＥ１１０としたが、その他のＴＥ２１０等の高次モードとしても良い。その場合、各モードの電界強度が大となる箇所に開口２４を形成することにより、開口サイズの増大と共にフィルタの中心周波数を上昇させることができる。実施例では、開口２４、２７の形状を円形としたが、矩形、或いは、その他の形状でも構わない。また、開口２４、２７の個数を、複数としても構わない。実施例では、フィルタ基板１９とカバー基板２２とを、離散的に配置した半田ボール２３により接続したが、半田等により連続的なパターンで電気的に接続しても構わない。特に、高次モードを使用する場合は、電界強度が大となる部分が複数となるため、開口２４、２７を複数とすることにより、効率的に大きな周波数変化量を得ることができる。実施例では、フィルタの段数を２段としたが、適宜、必要なフィルタ性能を満足するように、段数を変更しても構わない。なお、図３、５、７の説明では、ＰＷＢ基板上の平面伝送線路（マイクロストリップ線路等）から導波管構造への接続は、記述していないが、例えば、図１に示す従来例の導波管変換１８を使用することができる。

（第４の実施例）
本発明の第４の実施例について、図８を使用して、詳細に説明する。図８（ａ）は、フィルタの斜視図、図８（ｂ）は、図８（ａ）中の一点鎖線Ｅ−Ｅ’における断面図である。フィルタ基板１９については、第１の実施例と同じであるため、ここでは、説明を省略する。フィルタ基板１９上の開口２０の上部には、導体板２１からなるカバー基板２２が、半田ボール２３によりＢＧＡ接続される。これにより、下層導体面１３ｂ、導体板２１、ビアホール列１４、結合用ビアホール１５、半田ボール２３で囲まれる領域がＴＥ１１０誘電体導波管型共振器１６となる。導体板２１には、共振器１６の端上部（磁界強度が大の領域）に、矩形スロット状の開口３０が形成される。開口サイズを変更することにより、共振器１６への電磁界（この場合は磁界）の閉じ込め度、すなわち、共振周波数を変化させることができる。

図１１には、開口３０のサイズを変更した場合の、フィルタの周波数特性を計算した結果を示す。図１１（ａ）は、フィルタの通過、及び、反射の周波数特性、図１１（ｂ）は、フィルタの中心周波数の開口サイズによる変化である。なお、計算においては、開口３０を長さｌ、幅０．２ｍｍの長方形とした（その他の計算条件は図９と同じ）。開口長さｌの増大に伴い、フィルタの中心周波数が低下していることが確認できる。ここで、第１から第３の実施例と異なり、開口長さｌの増大につれて、中心周波数が低下するのは、共振器端部のインダクタンスが増大するためである。また、開口長さｌが大きい場合（ｌ＝２ｍｍ）に、通過損失が大きくなっているのは、開口からの放射損失に起因している。

本実施例においても、第１の実施例で記載した図４と同様に、フィルタ基板１９とカバー基板２２の間にアンダーフィル材２５を充填することにより、半田ボール２３の接続信頼性を向上させることができる。また、第２、第３の実施例と同様に、カバー基板２２を、誘電体基板２６から成る構成としても良い。実施例では、誘電体導波管型共振器１６の動作モードを、基底のＴＥ１１０としたが、その他のＴＥ２１０等の高次モードとしても良い。その場合、各モードの磁界強度が大となる箇所に開口３０を形成することにより、開口長さの増大と共に、フィルタの中心周波数を低下させることができる。実施例では、開口３０の形状を矩形としたが、その他の形状でも構わない。但し、磁界強度の大となる部分は、電界強度が大となる領域を囲むように、帯状に分布するため、開口３０も、細長いスロット状であることが望ましい。また、開口３０の個数は、適宜変更しても構わない。実施例では、フィルタ基板１９とカバー基板２２とを、離散的に配置した半田ボール２３により接続したが、半田等により連続的なパターンで電気的に接続しても構わない。実施例では、フィルタの段数を２段としたが、適宜、必要なフィルタ性能を満足するように、段数を変更しても構わない。なお、図８の説明では、ＰＷＢ基板上の平面伝送線路（マイクロストリップ線路等）から導波管構造への接続は、記述していないが、例えば、図１に示す従来例の導波管変換１８を使用することができる。

以上説明した本発明の第１の実施例においては、以下に記載するような効果を奏する。

第１の効果は、誘電体導波管型のフィルタにおいて、調整工程を付加することなく、周波数を変更することができる。また、各実施例によるフィルタの共振器では、ＰＷＢ基板上に実装する表面実装部品と、開口を形成した基板を、同時に表面実装できるため、調整のための工数が不要となる効果が得られる。

１ 送信ブロック
２ａ，２ｂ ミキサ
３ 局部発振器
４ａ，４ｂ 入出力端子
５ａ，５ｂ フィルタ
６ 送信電力増幅器
７ アイソレーション回路
８ アンテナ
９ 受信ブロック
１０ 低雑音増幅器
１１ 誘電体導波管型フィルタ
１２，２６ 誘電体基板
１３ａ〜１３ｄ 導体面
１４，２８ ビアホール列
１５ 結合用ビアホール
１６ 誘電体導波管型共振器
１７ ストリップ導体
１８ マイクロストリップ−導波管変換
１９ フィルタ基板
２０，２４，２７，２９，３０ 開口
２１ 導体板
２２ カバー基板
２３ 半田ボール
２５ アンダーフィル材

Claims (10)

1. 第１の誘電体基板と、該第１の誘電体基板の一端面及び他端面にそれぞれ設けられた第１及び第２の導体層と、該第１及び第２の導体層を電気的に接続して、共振器と該共振器間を結合させる誘導性窓とを形成する導体と、前記第１の導体層に対向して配置され、該第１の導体層と電気的に接続する第３の導体層とを備え、前記第１の導体層の前記共振器領域には第１の開口部が形成され、第３の導体層にはその開口寸法に応じて所望の周波数特性に調整可能な第２の開口部が形成されていることを特徴とするフィルタ。
2. 前記第１の導体層と前記第２の導体層とを電気的に接続する導体は複数のビアホールであり、隣接する該ビアホールの中心間の距離が前記第１の誘電体基板内の波長の１／２以下であることを特徴とする請求項１に記載のフィルタ。
3. 第２の誘電体基板をさらに有し、前記第３の導体層は、第２の誘電体基板の他端面に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のフィルタ。
4. 前記第２の誘電体基板の一端面には第４の導体層が形成されており、前記第３の導体層と第４の導体層とが、前記第２の開口部を囲むように配置された導体により電気的に接続されていることを特徴とする請求項３に記載のフィルタ。
5. 前記第４の導体層に、第３の開口部が形成されていることを特徴とする請求項４に記載のフィルタ。
6. 前記共振器領域に分布する電磁界において、電界が大となる部分に、前記第２の開口部が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載のフィルタ。
7. 前記共振器領域に分布する電磁界において、磁界が大となる部分に、前記第２の開口部が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載のフィルタ。
8. 前記共振器領域に分布する電磁界において、電界が大となる部分に、前記第３の開口部が形成されていることを特徴とする請求項５に記載のフィルタ。
9. 前記共振器領域に分布する電磁界において、磁界が大となる部分に、前記第３の開口部が形成されていることを特徴とする請求項５に記載のフィルタ。
10. 前記第１の導体層と前記第３の導体層との間が、誘電体により充填されていることを特徴とする請求項１から請求項９の何れか一項に記載のフィルタ。

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