JP2013165226A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Masao Aoyama
雅夫 青山
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Hitachi Kokusai Electric Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus including an operation screen which solves disadvantages in the operability for conducting comparison reference of information of reactors and switches the information of the different reactors with an easy operation thereby enabling the comparison reference.SOLUTION: A substrate processing apparatus includes: an operation part which includes at least a display part including an operation screen displaying switching means switching to a desired screen and displaying the desired screen; and a display control part receiving an input instruction from the operation screen and displaying a predetermined screen on the operation screen in accordance with the input instruction. The display control part displays the pre-registered desired screen on the operation screen when the switching means is pressed.

Description

本発明は、操作部端末における画面操作性の向上を図るものである。 The present invention is intended to improve screen operability in an operation unit terminal.

複数の反応炉を持ち、それぞれの反応炉毎に同一あるいは異なる熱処理および化学反応などによる成膜処理を処理用基板に施す基板処理装置において、個々の反応炉内の圧力や温度やガス流量などの制御状態は、情報量が多いために一画面内で全ての情報を表示させることができない。このため、操作部は、反応炉毎に圧力専用・温度専用など個々の情報を表示する画面を用意し、その表示を切り替えて現在の制御状態をモニタリング可能なように構成されている。また、操作部は、バルブ、ポンプ、ガス、ヒータ等の構成部品のそれぞれの状態や、キャリア、シリンダや軸といった可動部品の状態や、これらの動作を検出するセンサーの状態をモニタ表示することや、プロセス制御や搬送制御を行うために必要なパラメータを編集するといったヒューマンインターフェースを司る役割を担っている。   In a substrate processing apparatus that has a plurality of reactors and performs film formation processing on the processing substrate by the same or different heat treatment and chemical reaction for each reactor, the pressure, temperature, gas flow rate, etc. in each reactor Since the control state has a large amount of information, it is not possible to display all information within one screen. For this reason, the operation unit is configured to prepare a screen for displaying individual information such as pressure only and temperature only for each reactor and to switch the display to monitor the current control state. The operation unit monitors and displays the status of each component such as a valve, pump, gas, and heater, the status of movable parts such as carriers, cylinders, and shafts, and the status of sensors that detect these operations. It plays the role of managing the human interface such as editing parameters necessary for process control and transport control.

従来画面では、同一の反応炉についての各制御情報の表示を容易に切替えて参照させたり、多い情報の中でも一度に参照したい情報については、抽出して一画面で表示させたりする表示方式は有していたが、反応炉間で温度・圧力など同一の制御情報を比較参照しようとした場合、同一の反応炉内での表示切替のように容易には行えなかった。   On the conventional screen, there is a display method in which the display of each control information for the same reactor can be easily switched for reference, and information that is to be referred to at a time among many pieces of information can be extracted and displayed on a single screen. However, when trying to compare and refer to the same control information such as temperature and pressure between reactors, it was not easy to switch the display in the same reactor.

そこで、作業者が反応炉1と反応炉2の制御情報を比較参照しようとした場合の画面操作について、図3を用いて説明する。操作画面には、(1)「反応炉を切替えるボタン」と、(2)「各種情報を切替えるボタン」と、(3)「各種情報の詳細表示」などを有している。ここで、作業者が反応炉1と反応炉2の温度に関する詳細情報を参照したい場合を例に画面の操作について説明する。   Therefore, the screen operation when the operator tries to compare and refer to the control information of the reactor 1 and the reactor 2 will be described with reference to FIG. The operation screen includes (1) “reactor switching button”, (2) “various information switching button”, and (3) “detailed display of various information”. Here, the operation of the screen will be described by taking as an example a case where the operator wants to refer to detailed information regarding the temperatures of the reactor 1 and the reactor 2.

先ず、図3(A)に示すように、(1)「反応炉を切替えるボタン」で作業者は反応炉1を選択し、その後、(2)「各種情報を切替えるボタン」の温度ボタンを選ぶことで反応炉1の温度に関する詳細情報を参照できる。次に、反応炉2の温度に関する詳細情報を参照する場合、図3(B)に示すように、一度、(1)「反応炉を切替えるボタン」で反応炉2に切替える。この際、以前参照していた任意の画面(図3(B)では圧力に関する情報)が表示される。ここで、温度の画面では無かった場合、図3(C)に示すように、(2)「各種情報を切替えるボタン」の温度ボタンを選ぶことで、反応炉2の温度に関する詳細情報を参照できる。ここで、温度の情報を例に説明したが、圧力やガス流量、装置特有の情報などを反応炉間で比較参照したい場合は、図3の(A)から(C)までの操作を繰り返すことになり、作業効率や操作性が非常に悪い。   First, as shown in FIG. 3A, the operator selects (1) “reactor switching button” and then selects the reactor 1, and then (2) “various information switching button” temperature button. Thus, detailed information on the temperature of the reactor 1 can be referred to. Next, when referring to the detailed information regarding the temperature of the reaction furnace 2, as shown in FIG. 3B, it is switched to the reaction furnace 2 once by (1) “reactor switch button”. At this time, an arbitrary screen previously referred to (information on pressure in FIG. 3B) is displayed. Here, if it is not on the temperature screen, as shown in FIG. 3 (C), detailed information regarding the temperature of the reactor 2 can be referred to by selecting the temperature button of (2) “Button for switching various information”. . Here, the temperature information has been explained as an example. However, when it is desired to compare and refer to the pressure, gas flow rate, and apparatus-specific information between the reactors, the operations from (A) to (C) in FIG. The work efficiency and operability are very poor.

このように、頻繁に表示したい画面が階層の深い画面である場合には、装置を操作するオペレータにとって非常に画面操作が煩雑になるという問題点がある。 As described above, when the screen to be frequently displayed is a deep screen, there is a problem that the screen operation is very complicated for an operator who operates the apparatus.

本発明の目的は、従来技術の欠点であった反応炉間の情報を比較参照したい場合の操作性の悪いところを解決し、簡単な操作で異なる反応炉間の情報を切替えて比較参照できる操作画面を備えた基板処理装置を提供するものである。   The object of the present invention is to solve the problem of poor operability when it is desired to compare and refer to information between reactors, which has been a drawback of the prior art, and to switch and compare information between different reactors by simple operation. A substrate processing apparatus having a screen is provided.

本発明は、所望の画面へ切替表示する切替手段を表示する操作画面を備えた表示部と、前記操作画面からの入力指示を受付け、前記入力指示に従い前記操作画面に所定の画面を表示する表示制御部とを少なくとも備えた操作部とを含む基板処理装置であって、前記表示制御部は、前記切替手段が押下されると、予め登録された前記所望の画面を前記操作画面に表示させることにある。   The present invention provides a display unit having an operation screen for displaying switching means for switching to a desired screen, and a display for receiving an input instruction from the operation screen and displaying a predetermined screen on the operation screen according to the input instruction A substrate processing apparatus including an operation unit including at least a control unit, wherein the display control unit displays the pre-registered desired screen on the operation screen when the switching unit is pressed. It is in.

本発明によれば、反応炉間の各種制御情報について比較参照が容易に行えるようになり、作業者への操作性向上と負荷軽減を図ることができる。   According to the present invention, various control information between reactors can be easily compared and referred to, and operability for workers and load reduction can be achieved.

本発明の基板処理装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the substrate processing apparatus of this invention. 本発明の基板処理装置に於ける制御構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the control structure in the substrate processing apparatus of this invention. 従来の操作画面表示構成を示す図である。It is a figure which shows the conventional operation screen display structure. 本発明の操作画面表示構成を示す図である。It is a figure which shows the operation screen display structure of this invention.

<本発明の一実施形態>
以下に、本発明の一実施形態について説明する。
<One Embodiment of the Present Invention>
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.

(1)基板処理装置の構成
まずは、本実施形態に係る基板処理装置の構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る多枚葉式の基板処理装置10の概略構成図である。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus First, the configuration of the substrate processing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a multi-wafer type substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment.

図1に示すように、基板処理装置10は真空側と大気側とに分れている。   As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 is divided into a vacuum side and an atmospheric side.

(真空側の構成)
基板処理装置10の真空側には、真空気密可能な真空搬送室TM(Transfer Module)と、予備室としてのロードロック室LM(Load Lock Module)1,LM2と、複数の基板Wを一括処理する処理室としてのプロセスチャンバPM(Process Module)1,PM2と、が設けられる。ロードロック室LM1,LM2、プロセスチャンバPM1,PM2は、真空搬送室TMの外周を囲むように配置されている。
(Vacuum side configuration)
On the vacuum side of the substrate processing apparatus 10, a vacuum transfer chamber TM (Transfer Module) capable of being vacuum-tight, load lock chambers LM (Load Lock Module) 1 and LM2 as spare chambers, and a plurality of substrates W are collectively processed. Process chambers PM (Process Module) 1 and PM 2 as processing chambers are provided. The load lock chambers LM1, LM2, and the process chambers PM1, PM2 are arranged so as to surround the outer periphery of the vacuum transfer chamber TM.

真空搬送室TMは、真空状態などの大気圧未満の圧力(負圧)に耐えることが出来る構造に構成されている。なお、本実施形態においては、真空搬送室TMの筐体は、平面視が五角形で、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。   The vacuum transfer chamber TM has a structure capable of withstanding a pressure (negative pressure) less than atmospheric pressure such as a vacuum state. In the present embodiment, the housing of the vacuum transfer chamber TM is formed in a box shape having a pentagonal shape in plan view and closed at both upper and lower ends.

真空搬送室TM内には、搬送手段としての真空ロボットVRが設けられている。真空ロボットVRは、ロードロック室LM1,LM2及びプロセスチャンバPM1,PM2との間で、シリコン(Si)等からなる製品基板やダミー基板等の基板Wの搬送を基板載置部である2本のアームに載せることで相互に行なう。なお、真空ロボットVRは、真空搬送室TMの気密性を維持しつつ昇降できるように構成される。また、2本のアームはそれぞれ水平方向に伸縮でき、係る水平面内で回転移動できるように構成されている。また、真空搬送室TM内であって、ロードロック室LM1,LM2、プロセスチャンバPM1,PM2の各手前位置には、図示しない基板有無センサが設置され、アーム上の基板Wの存在を検知できるように構成されている。   In the vacuum transfer chamber TM, a vacuum robot VR as a transfer means is provided. The vacuum robot VR transports a substrate W such as a dummy substrate or a product substrate made of silicon (Si) between the load lock chambers LM1 and LM2 and the process chambers PM1 and PM2. Mutually by placing them on the arm. The vacuum robot VR is configured to be able to move up and down while maintaining the airtightness of the vacuum transfer chamber TM. Each of the two arms can be expanded and contracted in the horizontal direction, and is configured to be able to rotate and move within the horizontal plane. A substrate presence / absence sensor (not shown) is installed in the vacuum transfer chamber TM in front of each of the load lock chambers LM1, LM2 and the process chambers PM1, PM2, so that the presence of the substrate W on the arm can be detected. It is configured.

プロセスチャンバPM1,PM2は、基板Wが載置される基板載置台ST11〜ST15およびST21〜ST25をそれぞれ備え、例えば基板Wを5枚ずつ一括処理する多枚葉式の処理室として構成されている。すなわち、プロセスチャンバPM1,PM2は、それぞれが例えばプラズマ等を用いたエッチングやアッシング、化学反応による成膜(CVD:Chemical Vapor Deposition)など、基板Wに付加価値を与える処理室として機能する。   Each of the process chambers PM1 and PM2 includes substrate mounting tables ST11 to ST15 and ST21 to ST25 on which the substrate W is mounted, and is configured as a multi-wafer type processing chamber that collectively processes, for example, five substrates W at a time. . That is, each of the process chambers PM1 and PM2 functions as a processing chamber that adds value to the substrate W, such as etching or ashing using plasma or the like, and film formation by chemical reaction (CVD: Chemical Vapor Deposition).

また、プロセスチャンバPM1,PM2は、その機能に応じた各種の構成、例えばガス導入・排気機構や温度制御・プラズマ放電機構(いずれも図示せず)を備えている。これらの機構は、プロセスチャンバPM1,PM2内へ供給する処理ガスの流量を制御する図示しないマスフローコントローラ、プロセスチャンバPM1,PM2内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ(APC)等の圧力コントローラ15、プロセスチャンバPM1,PM2内の温度を制御する図示しない温度調整器、処理ガスの供給や排気用バルブのオン/オフを制御するバルブデジタルI/O13、各種スイッチ(SW)等のオン/オフを制御するSWデジタルI/O14などを備えている。上記各構成は、プロセスチャンバコントローラ239pに電気的に接続されている。プロセスチャンバコントローラ239pを含む制御手段としての制御部239の構成については後述する。   Further, the process chambers PM1 and PM2 are provided with various configurations according to their functions, for example, a gas introduction / exhaust mechanism and a temperature control / plasma discharge mechanism (all not shown). These mechanisms are a pressure controller 15 such as a mass flow controller (not shown) for controlling the flow rate of the processing gas supplied into the process chambers PM1 and PM2, an auto pressure controller (APC) for controlling the pressure in the process chambers PM1 and PM2, a process. Controls on / off of a temperature controller (not shown) for controlling the temperature in the chambers PM1, PM2, a valve digital I / O 13 for controlling on / off of supply of processing gas and an exhaust valve, and various switches (SW). SW digital I / O 14 and the like are provided. Each of the above components is electrically connected to the process chamber controller 239p. The configuration of the control unit 239 as control means including the process chamber controller 239p will be described later.

また、プロセスチャンバPM1,PM2は、図示しないゲートバルブを介して真空搬送室TMとそれぞれ連通している。したがって、ゲートバルブを開けることにより、真空搬送室TMとの間で基板Wの搬送を行うことが可能である。また、ゲートバルブを閉じることにより、プロセスチャンバPM1,PM2内の圧力や処理ガス雰囲気を保持したまま、基板Wに対して各種の基板処理を行うことが可能である。   Further, the process chambers PM1, PM2 communicate with the vacuum transfer chamber TM via gate valves (not shown). Accordingly, the substrate W can be transferred to and from the vacuum transfer chamber TM by opening the gate valve. Further, by closing the gate valve, various substrate processes can be performed on the substrate W while maintaining the pressure and the processing gas atmosphere in the process chambers PM1 and PM2.

ロードロック室LM1,LM2は、真空搬送室TM内へ基板Wを搬入する予備室として、あるいは真空搬送室TM内から基板Wを搬出する予備室として機能する。ロードロック室LM1,LM2の内部には、基板Wを搬入搬出する際、基板Wを一時的に支持する基板載置部としての図示しないバッファステージが、それぞれ設けられている。バッファステージは、複数枚(例えば2枚)の基板Wを保持する多段型スロットとしてそれぞれ構成されていてもよい。   The load lock chambers LM1 and LM2 function as spare chambers for loading the substrate W into the vacuum transfer chamber TM or as spare chambers for unloading the substrate W from the vacuum transfer chamber TM. In the load lock chambers LM1 and LM2, buffer stages (not shown) are provided as substrate placement units that temporarily support the substrate W when the substrate W is loaded and unloaded. Each of the buffer stages may be configured as a multi-stage slot that holds a plurality of (for example, two) substrates W.

また、ロードロック室LM1,LM2は、図示しないゲートバルブを介して真空搬送室TMとそれぞれ連通しており、また、図示しないゲートバルブを介して後述する大気搬送室EFEMとそれぞれ連通している。したがって、真空搬送室TM側のゲートバルブを閉じたまま、大気搬送室EFEM側のゲートバルブを開けることにより、真空搬送室TM内の真空気密を保持したまま、ロードロック室LM1,LM2と大気搬送室EFEMとの間で基板Wの搬送を行うことが可能である。   The load lock chambers LM1 and LM2 communicate with the vacuum transfer chamber TM via a gate valve (not shown), and communicate with an atmospheric transfer chamber EFEM (to be described later) via a gate valve (not shown). Therefore, the gate valve on the atmospheric transfer chamber EFEM side is opened while the gate valve on the vacuum transfer chamber TM side is closed, so that the vacuum lock chamber LM1, LM2 and the atmospheric transfer are maintained while maintaining the vacuum airtightness in the vacuum transfer chamber TM. It is possible to transfer the substrate W to and from the chamber EFEM.

また、ロードロック室LM1,LM2は、真空状態などの大気圧未満の負圧に耐えることが出来る構造に構成されており、その内部をそれぞれ真空排気することが可能となっている。したがって、大気搬送室EFEM側のゲートバルブを閉じてロードロック室LM1,LM2の内部を真空排気した後で、真空搬送室TM側のゲートバルブを開けることにより、真空搬送室TM内の真空状態を保持したまま、ロードロック室LM1,LM2と真空搬送室TMとの間で、基板Wの搬送を行うことが可能である。   Further, the load lock chambers LM1 and LM2 are configured to withstand a negative pressure less than atmospheric pressure such as a vacuum state, and the inside thereof can be evacuated. Therefore, after closing the gate valve on the atmosphere transfer chamber EFEM side and evacuating the inside of the load lock chambers LM1 and LM2, the gate valve on the vacuum transfer chamber TM side is opened to change the vacuum state in the vacuum transfer chamber TM. While being held, the substrate W can be transferred between the load lock chambers LM1, LM2 and the vacuum transfer chamber TM.

(大気側の構成)
一方、基板処理装置10の大気側には、上述の通り、ロードロック室LM1,LM2に接続されたフロントモジュールである大気搬送室EFEM(Equipment Front End Module)と、大気搬送室EFEMに接続され、例えば1ロット分、25枚の基板Wを収納した基板収納手段としてのキャリアカセットCA1〜CA3を載置する基板収容部としてのロードポートLP1〜LP3と、が設けられる。
(Composition on the atmosphere side)
On the other hand, on the atmosphere side of the substrate processing apparatus 10, as described above, it is connected to the atmosphere transfer chamber EFEM (Equipment Front End Module), which is a front module connected to the load lock chambers LM1, LM2, and the atmosphere transfer chamber EFEM, For example, load ports LP1 to LP3 are provided as substrate storage portions on which carrier cassettes CA1 to CA3 as substrate storage means storing 25 substrates W for one lot are placed.

大気搬送室EFEM内には、搬送手段としての大気ロボットARが例えば1台設けられている。大気ロボットARは、ロードロック室LM1,LM2とロードポートLP1〜LP3との間で基板Wの搬送を相互に行なう。大気ロボットARも、真空ロボットVRと同様に基板載置部である2本のアームを有する。また、大気搬送室EFEM内であって、ロードロック室LM1,LM2の各手前位置には、図示しない基板有無センサが設置され、アーム上の基板Wの存在を検知できるように構成されている。   In the atmospheric transfer chamber EFEM, for example, one atmospheric robot AR as a transfer means is provided. The atmospheric robot AR mutually transfers the substrate W between the load lock chambers LM1 and LM2 and the load ports LP1 to LP3. Similarly to the vacuum robot VR, the atmospheric robot AR also has two arms which are substrate placement units. Further, in the atmospheric transfer chamber EFEM, a substrate presence / absence sensor (not shown) is installed at each position in front of the load lock chambers LM1 and LM2, so that the presence of the substrate W on the arm can be detected.

なお、大気搬送室EFEM内には、基板位置補正装置として、基板Wの結晶方位の位置合わせ等を行う図示しないオリフラ(Orientation Flat)合わせ装置が設けられている。基板Wがノッチタイプであるときは、基板位置補正装置としてのノッチ合わせ装置を設けることも可能である。また、大気搬送室EFEMには、大気搬送室EFEMの内部にクリーンエアを供給する図示しないクリーンエアユニットが設けられている。   In the atmospheric transfer chamber EFEM, an orientation flat alignment device (not shown) that performs alignment of the crystal orientation of the substrate W and the like is provided as a substrate position correction device. When the substrate W is a notch type, a notch aligning device as a substrate position correcting device can be provided. The atmospheric transfer chamber EFEM is provided with a clean air unit (not shown) that supplies clean air into the atmospheric transfer chamber EFEM.

各ロードポートLP1〜LP3は、各ロードポートLP1〜LP3上に、複数枚の基板Wを収納する基板収納手段としてのキャリアカセットCA1〜CA3をそれぞれ載置するように構成される。キャリアカセットCA1〜CA3内には、基板Wをそれぞれ収納する収納部としてのスロット(図示せず)が例えば1ロット分、25スロット設けられている。各ロードポートLP1〜LP3はキャリアカセットCA1〜CA3が載置されると、キャリアカセットCA1〜CA3に付され、キャリアカセットCA1〜CA3を識別するキャリアIDを示すバーコード等を読み取って記憶するよう構成される。   Each of the load ports LP1 to LP3 is configured to place carrier cassettes CA1 to CA3 as substrate storage means for storing a plurality of substrates W on the load ports LP1 to LP3, respectively. In the carrier cassettes CA1 to CA3, for example, 25 slots (not shown) serving as storage units for storing the substrates W are provided for one lot. Each of the load ports LP1 to LP3 is configured to be attached to the carrier cassette CA1 to CA3 when the carrier cassette CA1 to CA3 is placed, and to read and store a bar code or the like indicating a carrier ID for identifying the carrier cassette CA1 to CA3. Is done.

また、各ロードポートLP1〜LP3のうち、例えばロードポートLP3にはダミー基板としての基板Wを収納するキャリアカセットC3が常駐されている。製品基板としての基板Wは、例えばキャリアカセットCA1又はキャリアカセットCA2に収納され、ロードポートLP1又はロードポートLP2に載置され、基板処理装置10内に搬送されて各種の基板処理を受けることとなる。なお、基板処理装置10の基板処理能力の向上を図るため、また、多品種小ロット化に伴って製品基板用の搬送スペースを多数確保する必要があるため、基板処理装置10内に常駐されるダミー基板のキャリアカセットは1つに留めることが望ましい。   In addition, among the load ports LP1 to LP3, for example, a carrier cassette C3 that houses a substrate W as a dummy substrate is resident in the load port LP3. The substrate W as a product substrate is stored in, for example, the carrier cassette CA1 or the carrier cassette CA2, placed on the load port LP1 or the load port LP2, and transported into the substrate processing apparatus 10 to be subjected to various substrate processes. . In addition, in order to improve the substrate processing capability of the substrate processing apparatus 10 and because it is necessary to secure a large number of conveyance spaces for product substrates as the number of lots is reduced, the product is resident in the substrate processing apparatus 10. It is desirable to keep a single carrier cassette for the dummy substrate.

以上、本実施形態の基板処理装置10について説明をしたが、各室の数や構成、組み合わせは上記に限られず、適宜、選択することができる。   The substrate processing apparatus 10 of the present embodiment has been described above. However, the number, configuration, and combination of each chamber are not limited to the above, and can be appropriately selected.

(3)制御手段の構成
次に、基板処理装置10を制御する制御手段としての制御部239について、主に図2を用いて説明する。図2は、基板処理装置10の制御部239の概略構成の一例を示すブロック図である。
(3) Configuration of Control Unit Next, a control unit 239 as a control unit that controls the substrate processing apparatus 10 will be described mainly with reference to FIG. FIG. 2 is a block diagram illustrating an example of a schematic configuration of the control unit 239 of the substrate processing apparatus 10.

図2に示すように、制御部239には、スイッチングハブ239hを介して、操作部コントローラ236と、GEMコントローラ237と、搬送コントローラ239tと、プロセスチャンバコントローラ239pとがLAN等の通信ネットワーク20で相互に接続されるように設けられている。また、真空搬送室TMが備える真空ロボットVRと、大気搬送室EFEMが備える大気ロボットARとを制御するロボットコントローラ11が、LAN等の通信ネットワーク20によりスイッチングハブ239hを介して設けられている。操作部コントローラ236は、操作員とのインタフェースであり、表示装置236sや図示しない入力装置等を介して操作員による操作を受け付けるよう構成される。表示装置236sは、例えば、液晶表示パネルであり、表示装置236sには、基板処理装置10を操作するための操作画面などが表示される。操作部コントローラ236内には、表示装置236sの表示を制御するため等に用いられる図示しない表示制御部が設けられている。この表示制御部は操作画面からの入力指示を受付け、入力指示に従い操作画面に所望の画面を表示するように構成されている。   As shown in FIG. 2, the operation unit controller 236, the GEM controller 237, the transfer controller 239t, and the process chamber controller 239p are connected to the control unit 239 via a switching hub 239h via a communication network 20 such as a LAN. It is provided so that it may be connected to. A robot controller 11 that controls the vacuum robot VR provided in the vacuum transfer chamber TM and the atmospheric robot AR provided in the atmospheric transfer chamber EFEM is provided via a switching hub 239h by a communication network 20 such as a LAN. The operation unit controller 236 is an interface with an operator, and is configured to receive an operation by the operator via the display device 236s, an input device (not shown), or the like. The display device 236s is, for example, a liquid crystal display panel, and an operation screen for operating the substrate processing apparatus 10 is displayed on the display device 236s. In the operation unit controller 236, a display control unit (not shown) used for controlling the display of the display device 236s is provided. The display control unit is configured to receive an input instruction from the operation screen and display a desired screen on the operation screen in accordance with the input instruction.

制御手段としての制御部239は、基板処理装置10の内部に設けられ、搬送コントローラ239t、プロセスチャンバコントローラ239pを備えることで、基板処理装置10の各部を制御するよう構成される。搬送コントローラ239tとプロセスチャンバコントローラ239pとは、基板処理装置10内に設けることに替えて、基板処理装置10外に設けられていても良い。   The control unit 239 as a control unit is provided inside the substrate processing apparatus 10 and includes a transfer controller 239t and a process chamber controller 239p, and is configured to control each unit of the substrate processing apparatus 10. The transfer controller 239t and the process chamber controller 239p may be provided outside the substrate processing apparatus 10 instead of being provided in the substrate processing apparatus 10.

プロセスチャンバコントローラ239p及び搬送コントローラ239tは、例えばCPU等からなる。また、プロセスチャンバコントローラ239p及び搬送コントローラ239tには、DeviceNet等のデジタル信号回線30を通じて、処理ガスの供給や排気用バルブのオン/オフを制御するバルブデジタルI/O13、各種スイッチ(SW)等のオン/オフを制御するSWデジタルI/O14が、シーケンサ12を介してそれぞれ接続されている。   The process chamber controller 239p and the transfer controller 239t are composed of a CPU, for example. Further, the process chamber controller 239p and the transfer controller 239t are connected to a digital signal line 30 such as DeviceNet, such as a valve digital I / O 13 for controlling the supply of processing gas and the on / off of an exhaust valve, various switches (SW), etc. SW digital I / Os 14 for controlling on / off are respectively connected via the sequencer 12.

また、プロセスチャンバコントローラ239pには、プロセスチャンバPM1,PM2内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ(APC)等の圧力コントローラ15が、例えばシリアル回線40を通じて接続されている。プロセスチャンバコントローラ239pは、例えば操作部コントローラ236を介して操作員により作成又は編集されたプロセスレシピに基づいて、製品基板やダミー基板を処理する際の制御データ(制御指示)を、圧力コントローラ15や、処理ガスの供給・排気用バルブ、各種スイッチ、マスフローコントローラ、温度調整器等に対して出力し、プロセスチャンバPM1,PM2内における基板処理の制御を行なう。   Further, a pressure controller 15 such as an auto pressure controller (APC) for controlling the pressure in the process chambers PM1 and PM2 is connected to the process chamber controller 239p through a serial line 40, for example. The process chamber controller 239p receives control data (control instructions) for processing a product substrate or a dummy substrate based on a process recipe created or edited by an operator via the operation unit controller 236, for example, the pressure controller 15 The processing gas is supplied to and exhausted from the processing gas, various switches, a mass flow controller, a temperature controller, and the like to control the substrate processing in the process chambers PM1, PM2.

また、搬送コントローラ239tには、ロードポートLP1〜LP3に載置されたキャリアカセットCA1〜CA3を識別するキャリアIDを示すバーコード1,2,3・・・等が記憶される記憶部16が、例えばシリアル回線40を通じて接続されている。搬送コントローラ239tは、例えば操作部コントローラ236を介して操作員により作成又は編集されたシーケンスレシピに基づいて、製品基板やダミー基板を搬送する際の制御データ(制御指示)を、真空ロボットVRや大気ロボットAR、各種バルブ、スイッチ等に対して出力し、基板処理装置10内における基板Wの搬送を制御する。   Further, the transport controller 239t has a storage unit 16 in which barcodes 1, 2, 3,... Indicating carrier IDs for identifying the carrier cassettes CA1 to CA3 placed on the load ports LP1 to LP3 are stored. For example, it is connected through a serial line 40. The transfer controller 239t, for example, transmits control data (control instruction) when transferring a product substrate or a dummy substrate based on a sequence recipe created or edited by an operator via the operation unit controller 236, to the vacuum robot VR or the atmosphere. Output to the robot AR, various valves, switches, and the like to control the transfer of the substrate W in the substrate processing apparatus 10.

次に、図4を用いて、本発明の実施例を説明する。図4は、本発明による操作画面構成の表示例を図示したものである。図4では、操作画面に切替手段としての画面遷移ボタンを新規に設けた。このボタンについて、以下に説明する。 Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 illustrates a display example of the operation screen configuration according to the present invention. In FIG. 4, a screen transition button as a switching means is newly provided on the operation screen. This button will be described below.

図4(A)に示すように、画面遷移ボタンとして(1)「反応炉を切替えるボタン」を追加した。このボタンを用いた画面遷移について、従来技術と同様の温度に関する詳細情報を参照する場合を例に説明する。反応炉1の温度に関する詳細情報の画面を参照するところまでは、図3(A)の操作と同様である。ここで、反応炉2の温度に関する詳細情報を参照する場合、図3(b)に示すように、(1)「反応炉を切替えるボタン」の「反応炉2」を選択することにより、即時に反応炉2側の情報へと画面が切り替わる。また、再度「反応炉1」を選択することで、即時に反応炉1側の画面が切り替わる。尚、本実施の形態において、温度に関する詳細情報を参照する場合について触れてきたが、温度の他の情報についても同様の操作で容易に反応炉間の情報比較が可能である。 As shown in FIG. 4A, (1) “Reactor switching button” was added as a screen transition button. The screen transition using this button will be described by taking as an example the case of referring to detailed information related to temperature similar to the prior art. Up to the point of referring to the detailed information screen regarding the temperature of the reactor 1, the operation is the same as the operation of FIG. Here, when referring to the detailed information on the temperature of the reactor 2, as shown in FIG. 3B, (1) “Reactor 2” of the “Reactor switching button” is immediately selected. The screen switches to information on the reactor 2 side. In addition, by selecting “Reactor 1” again, the screen on the reactor 1 side is immediately switched. In the present embodiment, the case of referring to the detailed information related to the temperature has been mentioned, but the other information of the temperature can be easily compared between the reactors by the same operation.

又、本発明の基板処理装置は、半導体製造装置だけではなく、LCD装置の様なガラス基板を処理する装置にも適用でき、縦型基板処理装置だけではなく、枚葉式の基板処理装置や横型の処理炉を有する基板処理装置にも適用できる。更に、露光装置やリソグラフィ装置、塗布装置等の他の基板処理装置に対しても同様に適用できるのは言う迄もない。   Further, the substrate processing apparatus of the present invention can be applied not only to a semiconductor manufacturing apparatus but also to an apparatus for processing a glass substrate such as an LCD device, and not only a vertical substrate processing apparatus but also a single-wafer type substrate processing apparatus or The present invention can also be applied to a substrate processing apparatus having a horizontal processing furnace. Furthermore, it goes without saying that the present invention can be similarly applied to other substrate processing apparatuses such as an exposure apparatus, a lithography apparatus, and a coating apparatus.

10 基板処理装置
236 操作部コントローラ(操作部)
236s 表示装置(表示部)
10 Substrate Processing Device 236 Operation Unit Controller (Operation Unit)
236s display device (display unit)

Claims (1)

所望の画面へ切替表示する切替手段を表示する操作画面を備えた表示部と、前記操作画面からの入力指示を受付け、前記入力指示に従い前記操作画面に所定の画面を表示する表示制御部とを少なくとも備えた操作部とを含む基板処理装置であって、前記表示制御部は、前記切替手段が押下されると、予め登録された前記所望の画面を前記操作画面に表示させることを特徴とする基板処理装置。
A display unit having an operation screen for displaying switching means for switching to a desired screen; and a display control unit for receiving an input instruction from the operation screen and displaying a predetermined screen on the operation screen according to the input instruction. A substrate processing apparatus including at least an operation unit, wherein the display control unit displays the desired screen registered in advance on the operation screen when the switching unit is pressed. Substrate processing equipment.
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