JP2013156585A - Two-dimensional photonic crystal - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、太陽電池や光センサ等の光デバイスに用いられる2次元フォトニック結晶に関する。 The present invention relates to a two-dimensional photonic crystal used for an optical device such as a solar cell or an optical sensor.
太陽電池は、入射した光(電磁波)のエネルギーを電流に変換するための、半導体から成る光電変換層を有している。入射光は、光電変換層に吸収され、そのエネルギーによって光電変換層の半導体内の電子が価電子帯から伝導帯に励起されることにより、電流に変換される。ここで、入射光が光電変換層に吸収されることなく通過すると、光電変換の効率が低下する。そのため、太陽電池では、光電変換層における入射光の吸収効率を高めることが重要となる。この吸収効率を高める手法の1つとして、光電変換層の厚みを大きくすることが挙げられるが、半導体材料の使用量が増加するため、コストが上昇してしまうという問題がある。 A solar cell has a photoelectric conversion layer made of a semiconductor for converting the energy of incident light (electromagnetic waves) into an electric current. Incident light is absorbed by the photoelectric conversion layer, and electrons in the semiconductor of the photoelectric conversion layer are excited by the energy from the valence band to the conduction band, thereby being converted into an electric current. Here, if incident light passes through without being absorbed by the photoelectric conversion layer, the efficiency of photoelectric conversion decreases. Therefore, in the solar cell, it is important to increase the absorption efficiency of incident light in the photoelectric conversion layer. One method for increasing the absorption efficiency is to increase the thickness of the photoelectric conversion layer, but there is a problem in that the cost increases because the amount of semiconductor material used increases.
特許文献1には、入射光の吸収効率を高めるために2次元フォトニック結晶を用いた太陽電池が記載されている。ここでフォトニック結晶とは、誘電体から成る部材内に周期的な屈折率分布が形成されたものをいう。図14に、2次元フォトニック結晶を用いた太陽電池の一例を示す。この太陽電池90では、p型半導体から成るp層911、真性半導体から成るi層912及びn型半導体から成るn層913の3層により構成される光電変換層91に、それら3層とは屈折率が異なる柱状の部材から成る異屈折率領域92が周期的に配置されることにより、光電変換層91に2次元フォトニック結晶が形成されている。光電変換層91以外の構成は一般的な太陽電池と同様であり、光電変換層91を挟むように第1電極931及び第2電極932が設けられていると共に、第1電極931の外側(光電変換層91の反対側)には反射層94が、第2電極932の外側にはガラス基板95が、それぞれ設けられている。光はガラス基板95の側から太陽電池90内に入射する。
この2次元フォトニック結晶内においては、光電変換層91に入射した光のうち、異屈折率領域92の配置の周期長に対応した(複数の)特定の波長を有する光が定在波を形成するため、それらの光は光電変換層91内に留まり易くなる。そのため、それらの波長において、2次元フォトニック結晶が無い場合よりも入射光の吸収効率が向上する。但し、太陽光は連続的な波長分布を有するため、太陽電池では、特定の波長における吸収効率ではなく、光電変換の対象となる波長帯全体での太陽光の吸収効率を高めることが必要となる。このような特定の波長帯全体での太陽光の吸収効率を、以下では「積分吸収効率」と呼ぶ。積分吸収効率は、以下の式(1)で求められる。
以下、具体的な太陽電池の一例において、波長毎の吸収効率、及び積分吸収効率を計算した結果について述べる。この計算で用いた太陽電池は、上記の太陽電池90であって、光電変換層91の材料にケイ素(Si)を、第1電極931及び第2電極932の材料に導電性の酸化物であるインジウム・亜鉛酸化物(IZO)を、異屈折率領域92の材料にIZO(第1電極931及び第2電極932と同じ材料)を、それぞれ用いたものである。また、異屈折率領域92は、半径150nm、高さ200nmの円柱状のものを格子定数500nmの正方格子の格子点に配置している。以下、この例の太陽電池を「PC(フォトニック結晶:Photonic Crystal)有りの例」と呼ぶ。また、この計算は、500〜1100nmの波長帯を対象として行った。この波長帯は、Siを用いた光電変換層において光電変換の対象となる波長帯のうち、吸収効率が他の波長帯よりも低く、それゆえに吸収効率を高めることが求められる波長帯である。さらに、PC有りの例との比較のために、光電変換層91に異屈折率領域92を設けない点を除いてPC有りの例と同じ構成を有する太陽電池(「PC無しの例」)についても同様の計算を行った。
Hereinafter, the result of calculating the absorption efficiency for each wavelength and the integrated absorption efficiency in an example of a specific solar cell will be described. The solar cell used in this calculation is the
図16に、波長毎の吸収効率を表したグラフを示す。このグラフによれば、PC有りの例では特定の複数の波長において狭いピークが見られる。このようなピークは、それらの波長に関して2次元フォトニック結晶内に定在波が形成され、それにより、それらの波長の光が光電変換層91内に留まり易くなって、それらの波長における吸収効率が向上することを示している。また、積分吸収効率は、PC無しの例では27.2%であるのに対して、PC有りの例では53.2%という、PC無しの例よりも2倍近く高い値が得られた。
FIG. 16 is a graph showing the absorption efficiency for each wavelength. According to this graph, narrow peaks are observed at a plurality of specific wavelengths in an example with a PC. Such a peak causes a standing wave to be formed in the two-dimensional photonic crystal with respect to those wavelengths, thereby making it easy for light of those wavelengths to stay in the
このように、2次元フォトニック結晶を用いた従来の太陽電池では、特定の波長において吸収効率が向上し、それにより、積分吸収効率も向上するため、光電変換効率が高まる。しかしながら、光電変換効率を更に高めるためには、それら特定の波長以外の波長における吸収効率を高めなければならない。 Thus, in a conventional solar cell using a two-dimensional photonic crystal, the absorption efficiency is improved at a specific wavelength, and thereby the integrated absorption efficiency is also improved, so that the photoelectric conversion efficiency is increased. However, in order to further increase the photoelectric conversion efficiency, the absorption efficiency at wavelengths other than those specific wavelengths must be increased.
また、2次元フォトニック結晶を用いた従来の太陽電池では、光電変換層91への入射光の入射角(光電変換層91の法線と入射光の成す角度)が大きくなるほど、積分吸収効率が低下することが知られている。上記PC有りの例において、入射角が0°(図16に示したもの)、10°、20°、30°及び40°という5つの場合について500〜1100nmの波長帯の全体における積分吸収効率を計算したところ、前記入射角の順に53.2%、53.1%、52.6%、48.9%及び47.3%となった。このように入射角による積分吸収効率の相違が存在すると、太陽の位置、すなわち時刻や季節によって積分吸収効率、ひいては光電変換効率が変動してしまう。
Further, in a conventional solar cell using a two-dimensional photonic crystal, the integral absorption efficiency increases as the incident angle of incident light to the photoelectric conversion layer 91 (the angle formed between the normal line of the
フォトダイオード、CCD(電荷結合型素子)、CMOS素子(相補型金属酸化膜半導体素子)といった、光を感知する素子である光センサ(それら光センサを多数用いたイメージングセンサを含む)等、太陽電池以外の光デバイスにおいても太陽電池と同様の光電変換層を有するものがある。例えば、そのような構成を有する光センサにおいては、光電変換層に入射した光が変換された電気信号を検出することによって、光の入射が検出される。その際、太陽電池の場合と同様に光電変換層に2次元フォトニック結晶を設けると、光の積分吸収効率が向上するため、電気信号の強度が大きくなり、それにより光の検出感度が高くなる。しかしながら、上述のように、波長毎の吸収効率は特定の複数の波長においてのみ高くなるため、それら特定の波長の光の検出感度のみが高くなり、それ以外の波長の光の検出感度が低くなってしまう。このような光センサは、白色光のように連続的な波長スペクトルを有する光の検出には適さない。また、光の入射角によって検出感度が異なるという問題も生じる。 Photosensors (including imaging sensors using many of these photosensors) such as photodiodes, CCDs (charge coupled devices), CMOS devices (complementary metal oxide semiconductor devices), etc. Some other optical devices have the same photoelectric conversion layer as the solar cell. For example, in an optical sensor having such a configuration, the incidence of light is detected by detecting an electrical signal obtained by converting light incident on the photoelectric conversion layer. At that time, when a two-dimensional photonic crystal is provided in the photoelectric conversion layer as in the case of a solar cell, the integrated absorption efficiency of light is improved, so that the intensity of an electric signal is increased, thereby increasing the light detection sensitivity. . However, as described above, since the absorption efficiency for each wavelength is high only at a plurality of specific wavelengths, only the detection sensitivity of light of these specific wavelengths is high, and the detection sensitivity of light of other wavelengths is low. End up. Such an optical sensor is not suitable for detecting light having a continuous wavelength spectrum such as white light. Another problem is that the detection sensitivity varies depending on the incident angle of light.
本発明が解決しようとする課題は、太陽電池や光センサ等の光デバイスにおいて光の波長や入射角等に依存した特性の変化を小さくしたり効率を高めたりするために用いることができる2次元フォトニック結晶を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is a two-dimensional that can be used to reduce changes in characteristics depending on the wavelength, incident angle, etc. of light or to increase efficiency in an optical device such as a solar cell or an optical sensor. It is to provide a photonic crystal.
(1) 第1の態様の2次元フォトニック結晶
上記課題を解決するために成された本発明に係る2次元フォトニック結晶の第1の態様のものは、
板状の本体内に該本体とは屈折率が異なる異屈折率領域が、該本体に平行な2次元格子の各格子点に配置されて成る2次元フォトニック結晶であって、
各異屈折率領域が、前記2次元格子の各格子点から前記2次元格子面に平行に、最大ずれ量Δpmax(≠0)以下のずれ量Δpだけランダムにずれて配置されている
ことを特徴とする。
(1) Two-dimensional photonic crystal according to the first aspect The first aspect of the two-dimensional photonic crystal according to the present invention, which has been made to solve the above problems,
A two-dimensional photonic crystal in which a different refractive index region having a refractive index different from that of the main body is arranged in each lattice point of a two-dimensional lattice parallel to the main body in a plate-shaped main body,
Each of the different refractive index regions is arranged in parallel with the two-dimensional lattice plane from each lattice point of the two-dimensional lattice, and is randomly displaced by a deviation amount Δp that is equal to or less than the maximum deviation amount Δp max (≠ 0). Features.
第1の態様の2次元フォトニック結晶では、異屈折率領域が、2次元格子の各格子点からその格子面に平行に、最大ずれ量Δpmax以下のずれ量(距離)Δpだけランダムに(すなわち、ランダムな大きさ及び方向に)ずれて配置されていることにより、2次元フォトニック結晶には、周期性がある程度保持されつつ乱れ(ランダムネス)が導入された屈折率分布が形成される。そのため、2次元フォトニック結晶内における波長毎の光の共振強度分布は、格子点の基本的な周期性に対応した複数の波長においてピークを有する形状を呈するものの、そのランダムネスによって、それらのピークトップの高さが低くなる一方、幅が広くなるため、ピークトップからある程度離れた波長では共振強度が大きくなる。すなわち、ランダムネスが無い場合よりも、波長による結晶内での光の共振強度分布の変化が小さくなる。 In the two-dimensional photonic crystal of the first aspect, the different refractive index regions are randomly distributed from each lattice point of the two-dimensional lattice in parallel to the lattice plane by a deviation amount (distance) Δp that is equal to or less than the maximum deviation amount Δp max ( In other words, the two-dimensional photonic crystal is formed with a refractive index distribution in which disturbance (randomness) is introduced while maintaining a certain degree of periodicity, by being shifted in a random size and direction. . Therefore, although the resonance intensity distribution of light for each wavelength in the two-dimensional photonic crystal has a shape having peaks at a plurality of wavelengths corresponding to the basic periodicity of the lattice points, the peaks due to the randomness thereof. While the height of the top is reduced, the width is increased, so that the resonance intensity is increased at a wavelength somewhat away from the peak top. That is, the change in the resonant intensity distribution of light in the crystal due to the wavelength is smaller than in the case where there is no randomness.
そのため、例えば、第1の態様の2次元フォトニック結晶構造を太陽電池や光センサの光電変換層に形成すると、光電変換層における波長毎の入射光の吸収効率の分布において、ランダムネスが無い場合よりも、各ピークの幅が広くなる。すなわち、ランダムネスが無い場合と比較すると、ピークトップではやや吸収効率の値が小さくなるものの、それ以外の波長では吸収効率の値が大きくなり、吸収効率の波長依存性が少なくなる。従って、光センサでは、光の検出感度の波長依存性が少なくなり、例えば環境の影響で波長がずれたり広がった検出光であってもより適切に検出することができるようになる。波長域全体としての吸収効率(積分吸収効率)は、ピークトップでの吸収効率の低下とそれ以外の波長での吸収効率の向上という上述の2つの作用の兼ね合いにより定まるが、最大ずれ量Δpmaxの値が比較的小さい場合には、ランダムネスが無い場合よりも高くなる傾向にある。従って、最大ずれ量Δpmaxの値を比較的小さくすることにより、太陽電池における発電効率を向上させることができる。 Therefore, for example, when the two-dimensional photonic crystal structure of the first aspect is formed in the photoelectric conversion layer of a solar cell or a photosensor, there is no randomness in the distribution of the absorption efficiency of incident light for each wavelength in the photoelectric conversion layer Rather, the width of each peak becomes wider. That is, compared with the case where there is no randomness, the value of absorption efficiency is slightly reduced at the peak top, but the value of absorption efficiency is increased at other wavelengths, and the wavelength dependence of absorption efficiency is reduced. Therefore, in the optical sensor, the wavelength dependence of the light detection sensitivity is reduced, and for example, even detection light whose wavelength is shifted or spread due to the influence of the environment can be detected more appropriately. The absorption efficiency (integrated absorption efficiency) of the entire wavelength region is determined by the balance between the above-mentioned two actions, ie, the reduction in absorption efficiency at the peak top and the improvement in absorption efficiency at other wavelengths, but the maximum deviation amount Δp max When the value of is relatively small, it tends to be higher than when there is no randomness. Therefore, the power generation efficiency in the solar cell can be improved by making the value of the maximum deviation amount Δp max relatively small.
また、最大ずれ量Δpmaxの値に関わらず、ランダムネスが無い場合よりも、ランダムネスを導入した場合には、入射光の光電変換層への入射角の変化による波長毎の吸収効率及び積分吸収効率の変化は小さくなる。また、最大ずれ量Δpmaxの値を大きくするほど、入射角の変化による積分吸収効率の変化の度合いは小さくなる。従って、最大ずれ量Δpmaxの値を或る程度大きくしておくことにより、太陽電池においては入射角の変化による発電効率の変化の度合いを、光センサにおいては入射角の変化による検出感度の変化の度合いを、それぞれ小さくすることができる。 In addition, regardless of the value of the maximum deviation Δp max , when randomness is introduced rather than no randomness, the absorption efficiency and integration for each wavelength due to the change in the incident angle of incident light to the photoelectric conversion layer. The change in absorption efficiency is small. Further, as the value of the maximum deviation amount Δp max is increased, the degree of change in the integrated absorption efficiency due to the change in the incident angle is reduced. Therefore, by increasing the maximum deviation amount Δp max to some extent, the degree of change in power generation efficiency due to the change in the incident angle in the solar cell, and the change in detection sensitivity due to the change in the incident angle in the optical sensor. The degree of each can be reduced.
上記2次元格子には、典型的には正方格子や三角格子が用いられるが、それら以外の2次元格子である長方格子、面心長方格子、斜方格子等を用いることもできる。 As the two-dimensional lattice, a square lattice or a triangular lattice is typically used, but other two-dimensional lattices such as a rectangular lattice, a face-centered rectangular lattice, an orthorhombic lattice, and the like can also be used.
屈折率分布の周期長よりも最大ずれ量Δpmaxの方が大きいと、屈折率分布は周期性があるものよりもそれが全くないものに近くなる。この場合、周期性を導入することにより、特定の波長を持つ光において共振強度が向上するという2次元フォトニック結晶構造の効果自体が著しく小さくなる。特に、最大ずれ量Δpmaxが2次元格子の周期長の1/2を超えると、ずれ量Δpが1/2を超える異屈折率領域の位置は、そのずれ量を定める原点となる格子点よりも他の格子点に近くなるため、その2次元格子の周期性を反映しなくなる。そのため、最大ずれ量Δpmaxは、2次元格子の周期長の1/2以下とすることが望ましい。 If the maximum deviation amount Δp max is larger than the period length of the refractive index distribution, the refractive index distribution is closer to that having no periodicity than that having periodicity. In this case, by introducing periodicity, the effect itself of the two-dimensional photonic crystal structure that the resonance intensity is improved in light having a specific wavelength is remarkably reduced. In particular, when the maximum deviation amount Δp max exceeds 1/2 of the periodic length of the two-dimensional grating, the position of the different refractive index region where the deviation amount Δp exceeds 1/2 is determined from the lattice point that is the origin for determining the deviation amount. Is close to other lattice points, and therefore does not reflect the periodicity of the two-dimensional lattice. Therefore, it is desirable that the maximum deviation amount Δp max is not more than half of the periodic length of the two-dimensional grating.
本発明において、各異屈折率領域は各格子点からランダムにずれて配置されているが、そのランダムさには分布を持たせることもできる。本発明ではその場合でも、最大ずれ量がΔpmaxを超えないようにしている。これは、例えばガウス分布(正規分布)のようにΔpの大きい部分においても(僅かであっても)ずれの存在が許容されるような分布(すなわち、テールを有する分布)とすると、そのテール部分による悪影響が生じるためである。
なお、ガウス分布において最大ずれ量がΔpmaxを超えないようにしたものよりも、最大ずれ量Δpmax以下の範囲内、すなわち0から最大ずれ量Δpmaxの間において、格子点からのずれの距離及び方向が一様に分布しているものの方が、積分吸収効率を高めることができる。
In the present invention, the different refractive index regions are randomly shifted from the lattice points, but the randomness may have a distribution. Even in such a case, the present invention prevents the maximum deviation from exceeding Δp max . For example, if a distribution (ie, a distribution having a tail) in which a deviation is allowed even in a portion where Δp is large (even a small amount) such as a Gaussian distribution (normal distribution), that tail portion is used. This is because an adverse effect due to.
Note that the distance and direction of the deviation from the lattice point is within the range of the maximum deviation amount Δpmax, that is, between 0 and the maximum deviation amount Δpmax, rather than the maximum deviation amount that does not exceed Δpmax in the Gaussian distribution. Those that are uniformly distributed can increase the integrated absorption efficiency.
第1の態様の2次元フォトニック結晶は、以下に述べる超格子構造を有していてもよい。そのような2次元フォトニック結晶は、板状の本体内に該本体とは屈折率が異なる異屈折率領域が、該本体に平行な2次元格子の各格子点に配置されて成る2次元フォトニック結晶であって、
前記2次元格子の連接する複数個の格子点から成る超格子を単位格子とする超格子構造を備え、
各超格子において、
a) 予め定められた1個又は複数個の格子点において、各格子点から該2次元格子の格子面に平行に、第1最大ずれ量Δp1max(≠0)以下のずれ量Δpだけランダムにずれて配置された第1異屈折率領域と、
b) 前記第1異屈折率領域が配置された格子点以外の格子点において、各格子点から該2次元格子の格子面に平行に、第2最大ずれ量Δp2max以下のずれ量Δpだけランダムにずれて配置された第2異屈折率領域と
が存在することを特徴とする。
The two-dimensional photonic crystal of the first aspect may have a superlattice structure described below. Such a two-dimensional photonic crystal has a two-dimensional photonic structure in which a different refractive index region having a refractive index different from that of a main body is arranged in each plate point of a two-dimensional lattice parallel to the main body. A nick crystal,
A superlattice structure having a superlattice composed of a plurality of lattice points connected to the two-dimensional lattice as a unit lattice;
In each superlattice
a) At one or a plurality of predetermined grid points, a random shift amount Δp equal to or less than the first maximum shift amount Δp1 max (≠ 0) is randomly generated from each lattice point in parallel with the lattice plane of the two-dimensional lattice. A first different refractive index region that is offset,
b) At lattice points other than the lattice point at which the first different refractive index region is arranged, a random deviation amount Δp equal to or less than the second maximum deviation amount Δp2 max is parallel to the lattice plane of the two-dimensional lattice from each lattice point. There is a second different refractive index region that is shifted in position.
ここで、各超格子において第1異屈折率領域(及びそれが配置される格子点)の個数は、各超格子内の異屈折率領域(格子点)の個数よりも少なくする。従って、各超格子において、第2異屈折率領域(及びそれが配置される格子点)は少なくとも1個存在する。また、第1異屈折率領域と第2異屈折率領域の個数は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
また、第2最大ずれ量Δp2maxは、第1最大ずれ量Δp1maxよりも、大きくてもよいし、小さくてもよい。さらには、第1最大ずれ量Δp1maxと第2最大ずれ量Δp2maxは同じであってもよいが、この場合は実質的には超格子構造の無い第1の態様の2次元フォトニック結晶と同じ構成になる。
Here, the number of first different refractive index regions (and lattice points at which the superlattices are arranged) in each superlattice is smaller than the number of different refractive index regions (lattice points) in each superlattice. Therefore, in each superlattice, there is at least one second second refractive index region (and a lattice point where it is arranged). Further, the number of the first different refractive index regions and the second different refractive index regions may be the same or different.
Further, the second maximum deviation amount Δp2 max may be larger or smaller than the first maximum deviation amount Δp1 max . Furthermore, the first maximum deviation amount Δp1 max and the second maximum deviation amount Δp2 max may be the same. In this case, the two-dimensional photonic crystal according to the first aspect substantially having no superlattice structure is used. It becomes the same composition.
このような超格子構造を有する2次元フォトニック結晶においては、第1異屈折率領域と第2異屈折率領域のうち最大ずれ量が小さい方の異屈折率領域によって、比較的周期性が高い屈折率分布が形成され、それにより波長毎の光の共振強度のピークが特定の波長において高くなる。また、最大ずれ量が大きい方の異屈折率領域により形成される大きいランダムネスによって、前記ピークの幅が広くなる。そのため、このような2次元フォトニック結晶は、光電変換層における積分吸収効率をより高める方向に作用する。 In the two-dimensional photonic crystal having such a superlattice structure, the periodicity is relatively high due to the different refractive index region having the smaller maximum deviation amount between the first and second different refractive index regions. A refractive index distribution is formed, whereby the peak of the resonance intensity of light for each wavelength is increased at a specific wavelength. In addition, the peak width is widened by the large randomness formed by the different refractive index region having the larger maximum deviation amount. Therefore, such a two-dimensional photonic crystal acts in the direction of further increasing the integrated absorption efficiency in the photoelectric conversion layer.
上述の超格子構造を有する2次元フォトニック結晶では、前記第2最大ずれ量Δp2maxが0である、すなわち全ての第2異屈折率領域が格子点に配置されていてもよい。これにより、第2異屈折率領域の屈折率分布が完全な周期性を有することとなるため、波長毎の光の共振強度のピークを特定の波長においてより高くすることができる。 In the two-dimensional photonic crystal having the superlattice structure described above, the second maximum deviation amount Δp2 max may be 0, that is, all the second different refractive index regions may be arranged at lattice points. Thereby, since the refractive index distribution of the second different refractive index region has complete periodicity, the peak of the resonance intensity of light for each wavelength can be made higher at a specific wavelength.
また、上述の超格子構造を有する2次元フォトニック結晶では、全ての第1異屈折率領域の格子点からのずれの距離及び方向は一様に分布している方が望ましい。同様に、第2異屈折率領域の格子点からのずれが存在する場合には、全ての第2異屈折率領域における格子点からのずれの距離及び方向は一様に分布している方が望ましい。 In the two-dimensional photonic crystal having the above superlattice structure, it is desirable that the distances and directions of deviations from the lattice points of all the first different refractive index regions are uniformly distributed. Similarly, when there is a deviation from the lattice point of the second different refractive index region, the distance and direction of the deviation from the lattice point in all the second different refractive index regions should be uniformly distributed. desirable.
さらに、超格子構造を有する第1の態様の2次元フォトニック結晶において、異屈折率領域の位置の最大ずれ量を3種以上としても、最大ずれ量が2種である上記の2次元フォトニック結晶と同様の効果を奏する。そのような3種以上の異屈折率領域を用いた2次元フォトニック結晶は、板状の本体内に該本体とは屈折率が異なる異屈折率領域が、該本体に平行な2次元格子の各格子点に配置されて成る2次元フォトニック結晶であって、
前記2次元格子の連接する複数個の格子点から成る超格子を単位格子とする超格子構造を備え、
各超格子において格子点がn個の部分集合に分割され、各部分集合において前記異屈折率領域が各格子点から前記2次元格子の格子面に平行に、最大ずれ量Δpkmax(kは1〜nのいずれかの整数。少なくとも1つの部分集合においてΔpkmax≠0。)以下のずれ量Δpだけランダムにずれて配置されていることを特徴とする。
Furthermore, in the two-dimensional photonic crystal according to the first aspect having the superlattice structure, the two-dimensional photonic crystal has two kinds of maximum deviations even if the maximum deviation of the position of the different refractive index region is three or more. It has the same effect as a crystal. In such a two-dimensional photonic crystal using three or more different refractive index regions, a two-dimensional grating having a different refractive index region having a refractive index different from that of the main body is formed in a plate-like main body. A two-dimensional photonic crystal arranged at each lattice point,
A superlattice structure having a superlattice composed of a plurality of lattice points connected to the two-dimensional lattice as a unit lattice;
In each superlattice, the lattice point is divided into n subsets, and in each subset, the different refractive index region is parallel to the lattice plane of the two-dimensional lattice from each lattice point, and the maximum deviation amount Δpk max (k is 1 Any integer of ˜n, which is characterized in that at least one subset is Δpk max ≠ 0.
このような3種以上の異屈折率領域を用いた2次元フォトニック結晶においても、前記部分集合のうちの1つにおいて、最大ずれ量Δpnmaxを0、すなわちその部分集合において異屈折率領域が全て格子点に配置されていてもよい。また、前記各部分集合のうちの1つ又は複数において、該部分集合に属する全ての異屈折率領域のずれ量Δpが0から前記最大ずれ量Δpnmaxの間で一様に分布していてもよい。 Even in such a two-dimensional photonic crystal using three or more different refractive index regions, the maximum deviation amount Δpn max is 0 in one of the subsets, that is, the different refractive index region is in the subset. All may be arranged at grid points. Further, in one or a plurality of the subsets, even if the deviation amount Δp of all the different refractive index regions belonging to the subset is uniformly distributed between 0 and the maximum deviation amount Δpn max. Good.
(2) 第2の態様の2次元フォトニック結晶
本発明に係る2次元フォトニック結晶の第2の態様のものは、
板状の本体内に該本体とは屈折率が異なる異屈折率領域が、該本体に平行な2次元格子の各格子点に配置されて成る2次元フォトニック結晶であって、
各異屈折率領域の平面形状が、最小値と該最小値よりも大きい最大値の間でランダムな大きさを有する
ことを特徴とする。
(2) Two-dimensional photonic crystal of the second aspect The second aspect of the two-dimensional photonic crystal according to the present invention is:
A two-dimensional photonic crystal in which a different refractive index region having a refractive index different from that of the main body is arranged in each lattice point of a two-dimensional lattice parallel to the main body in a plate-shaped main body,
The planar shape of each of the different refractive index regions has a random size between a minimum value and a maximum value larger than the minimum value.
異屈折率領域の平面形状(本体に平行な断面の形状)は、円(真円)形、楕円形、三角形や四角形等の多角形等、様々な形状のものを適用することができる。また、これら円や楕円の弧、あるいは多角形の辺に凹凸等の変形要素が加わっていてもよい。平面形状の大きさは例えば、面積や、その平面形状において例えば以下に述べるように特定可能な線分の長さで規定することができる。線分の長さは、例えば平面形状が円形の場合には径の長さにより、楕円形の場合には長径又は短径の長さにより、多角形の場合には特定の辺又は対角線の長さにより、定めることができる。 Various shapes such as a circle (perfect circle), an ellipse, a polygon such as a triangle or a quadrangle, etc. can be applied to the planar shape of the different refractive index region (the shape of the cross section parallel to the main body). Further, deformation elements such as irregularities may be added to the arcs of these circles and ellipses, or the sides of the polygons. The size of the planar shape can be defined by, for example, the area or the length of a line segment that can be specified in the planar shape as described below. The length of the line segment is, for example, the length of the diameter when the planar shape is circular, the length of the major axis or minor axis when it is elliptical, and the length of a specific side or diagonal line when it is a polygon. This can be determined.
また、各異屈折率領域の平面形状は、同一形状(相似形)であってもよいし、異なる形状であってもよい。 Further, the planar shape of each different refractive index region may be the same shape (similar shape) or different shapes.
第2の態様の2次元フォトニック結晶では、異屈折率領域が2次元格子の各格子点に配置されていることによって屈折率の周期的分布が形成される一方、異屈折率領域毎の平面形状の大きさをランダムにすることにより、屈折率の周期的分布の乱れが形成される。これにより、2次元フォトニック結晶には、周期性がある程度保持されつつランダムネスが導入された屈折率分布が形成される。これにより、第2の態様の2次元フォトニック結晶では、第1の態様の2次元フォトニック結晶と同様に、波長毎の光の共振強度分布は格子点の周期性に対応した複数の波長においてピークを有する形状を呈し、そのピークはランダムネスによって高さが低くなる一方、幅が広くなる。すなわち、波長による結晶内での光の共振強度分布の変化が小さくなる。 In the two-dimensional photonic crystal of the second aspect, the periodic distribution of the refractive index is formed by arranging the different refractive index regions at the respective lattice points of the two-dimensional grating, while the plane for each different refractive index region is formed. By making the size of the shape random, disorder of the periodic distribution of refractive index is formed. Thereby, a refractive index distribution in which randomness is introduced while the periodicity is maintained to some extent is formed in the two-dimensional photonic crystal. As a result, in the two-dimensional photonic crystal of the second aspect, similarly to the two-dimensional photonic crystal of the first aspect, the resonance intensity distribution of light for each wavelength is at a plurality of wavelengths corresponding to the periodicity of the lattice points. It has a shape with a peak, and the peak is reduced in height by the randomness, while the width is increased. That is, the change in the resonance intensity distribution of light within the crystal due to the wavelength is reduced.
従って、第2の態様の2次元フォトニック結晶構造を太陽電池や光センサの光電変換層に形成すると、第1の態様の場合と同様に、光電変換層における波長毎の入射光の吸収効率の波長依存性が少なくなるため、光センサにおける光の検出感度の波長依存性が少なくなる。また、これも第1の態様の場合と同様、平面形状の大きさの違いが比較的小さい(すなわち、最大値と最小値の差が小さい)場合には、積分吸収効率が高くなる。これにより、上記同様、太陽電池における発電効率を向上させることができる。また、入射光の光電変換層への入射角の変化による積分吸収効率の変化も同様に小さくなるため、太陽電池においては入射角の変化による発電効率の変化の度合いを、光センサにおいては入射角の変化による検出感度の変化の度合いを、それぞれ小さくすることができる。 Therefore, when the two-dimensional photonic crystal structure of the second aspect is formed on the photoelectric conversion layer of the solar cell or the optical sensor, the absorption efficiency of incident light for each wavelength in the photoelectric conversion layer is the same as in the case of the first aspect. Since the wavelength dependency is reduced, the wavelength dependency of the light detection sensitivity in the optical sensor is reduced. In addition, as in the case of the first aspect, when the difference in the size of the planar shape is relatively small (that is, the difference between the maximum value and the minimum value is small), the integrated absorption efficiency is increased. Thereby, the power generation efficiency in a solar cell can be improved like the above. In addition, since the change in the integrated absorption efficiency due to the change in the incident angle of the incident light to the photoelectric conversion layer is also reduced, the degree of change in the power generation efficiency due to the change in the incident angle in the solar cell, The degree of change in detection sensitivity due to the change in each can be reduced.
前記同様の理由により、第2の態様の2次元フォトニック結晶においても、個々の異屈折率領域における平面形状の大きさは最大値と最小値の間になければならない。そして、その範囲内では一様に分布していることが望ましい。 For the same reason as above, also in the two-dimensional photonic crystal of the second mode, the size of the planar shape in each different refractive index region must be between the maximum value and the minimum value. And it is desirable that it is uniformly distributed within the range.
また、第2の態様の2次元フォトニック結晶は超格子構造を有していてもよく、それにより、超格子構造を有する第1の態様の2次元フォトニック結晶と同様の効果を奏する。そのような超格子構造を有する第2の態様の2次元フォトニック結晶は、板状の本体内に該本体とは屈折率が異なる異屈折率領域が、該本体に平行な2次元格子の各格子点に配置されて成る2次元フォトニック結晶であって、
前記2次元格子の連接する複数個の格子点から成る超格子を単位格子とする超格子構造を備え、
各超格子において、
a) 予め定められた1個又は複数個の格子点に配置された第1の異屈折率領域であって、平面形状が第1の最小値と該第1の最小値よりも大きい第1の最大値の間でランダムな大きさを有する第1異屈折率領域と、
b) 前記第1異屈折率領域が配置された格子点以外の格子点に配置された第2の異屈折率領域であって、平面形状が第2の最小値と第2の最大値の間でランダムな大きさを有する第2異屈折率領域と
が存在することを特徴とする。
In addition, the two-dimensional photonic crystal of the second aspect may have a superlattice structure, thereby producing the same effect as the two-dimensional photonic crystal of the first aspect having the superlattice structure. In the two-dimensional photonic crystal of the second aspect having such a superlattice structure, a different refractive index region having a refractive index different from that of the main body in the plate-like main body is provided in each of the two-dimensional lattices parallel to the main body. A two-dimensional photonic crystal arranged at lattice points,
A superlattice structure having a superlattice composed of a plurality of lattice points connected to the two-dimensional lattice as a unit lattice;
In each superlattice
a) a first different refractive index region arranged at one or more predetermined lattice points, the first minimum value and the first minimum value being larger than the first minimum value A first refractive index region having a random size between the maximum values;
b) a second different refractive index region disposed at a lattice point other than the lattice point at which the first different refractive index region is disposed, wherein the planar shape is between the second minimum value and the second maximum value. And a second different refractive index region having a random size.
第2の最小値は第1の最小値と同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、第2の最大値は第1の最大値と同じであってもよいし、異なっていてもよい。なお、第1の最小値と第2の最小値が同じであって、且つ第1の最大値と第2の最大値が同じである場合には、実質的には超格子構造が無い第2の態様の2次元フォトニック結晶と同じ構成になる。さらには、第1異屈折率領域及び第2異屈折率領域の平面形状は、同一形状(相似形)であってもよいし、異なる形状であってもよい。 The second minimum value may be the same as or different from the first minimum value. Further, the second maximum value may be the same as or different from the first maximum value. When the first minimum value and the second minimum value are the same, and the first maximum value and the second maximum value are the same, the second having substantially no superlattice structure. It becomes the same structure as the two-dimensional photonic crystal of the aspect. Furthermore, the same shape (similar shape) may be sufficient as the planar shape of a 1st different refractive index area | region and a 2nd different refractive index area | region, and a different shape may be sufficient as it.
また、第2の最小値と第2の最大値は同じ値、すなわち全ての第2異屈折率領域の平面形状の大きさが同じであってもよい。これは、第1の態様の2次元フォトニック結晶に超格子を設けた場合において第2最大ずれ量Δp2maxを0にした場合に相当する。 Further, the second minimum value and the second maximum value may be the same value, that is, the size of the planar shape of all the second different refractive index regions may be the same. This corresponds to the case where the second maximum deviation amount Δp2 max is set to 0 when a superlattice is provided in the two-dimensional photonic crystal of the first aspect.
また、超格子構造が無い場合と同様に、全ての第1異屈折率領域及び/又は第2異屈折率領域の平面形状の大きさは一様に分布していることが望ましい。 Further, as in the case where there is no superlattice structure, it is desirable that the sizes of the planar shapes of all the first and / or second different refractive index regions are uniformly distributed.
さらに、超格子構造を有する第2の態様の2次元フォトニック結晶において、異屈折率領域の平面形状の最大値及び/又は最小値の組み合わせを3種以上としても、上述の2種の異屈折率領域を用いた超格子構造を有する2次元フォトニック結晶と同様の効果を奏する。そのような3種以上の異屈折率領域を用いた2次元フォトニック結晶は、板状の本体内に該本体とは屈折率が異なる異屈折率領域が、該本体に平行な2次元格子の各格子点に配置されて成る2次元フォトニック結晶であって、
前記2次元格子の連接する複数個の格子点から成る超格子を単位格子とする超格子構造を備え、
各超格子において格子点がn個の部分集合に分割され、各部分集合において前記異屈折率領域の平面形状の大きさが最小値と最大値(少なくとも1つの部分集合において最小値と最大値が異なる値を有する)の間でランダムな大きさを有することを特徴とする。
Furthermore, in the two-dimensional photonic crystal of the second aspect having the superlattice structure, the above two types of different refractions can be achieved even if the combination of the maximum value and / or the minimum value of the planar shape of the different refractive index region is three or more. An effect similar to that of a two-dimensional photonic crystal having a superlattice structure using a rate region is obtained. In such a two-dimensional photonic crystal using three or more different refractive index regions, a two-dimensional grating having a different refractive index region having a refractive index different from that of the main body is formed in a plate-like main body. A two-dimensional photonic crystal arranged at each lattice point,
A superlattice structure having a superlattice composed of a plurality of lattice points connected to the two-dimensional lattice as a unit lattice;
In each superlattice, the lattice point is divided into n subsets, and in each subset, the size of the planar shape of the different refractive index region is the minimum value and the maximum value (the minimum value and the maximum value in at least one subset are It has a random size between (having different values).
このような3種以上の異屈折率領域を用いた2次元フォトニック結晶においても、前記部分集合のうちの1つにおいて、前記異屈折率領域の平面形状が同じ大きさを有するようにしてもよい。また、前記部分集合のうちの1つ又は複数において、該部分集合に属する全ての異屈折率領域の大きさが前記最小値から前記最大値の間で一様に分布するようにしてもよい。 Even in such a two-dimensional photonic crystal using three or more different refractive index regions, the planar shape of the different refractive index regions may have the same size in one of the subsets. Good. Further, in one or a plurality of the subsets, the sizes of all the different refractive index regions belonging to the subset may be uniformly distributed between the minimum value and the maximum value.
ここまで、異屈折率領域が格子点からランダムにずれた位置に配置された第1の態様の2次元フォトニック結晶と、異屈折率領域の平面形状の大きさがランダムである第2の態様の2次元フォトニック結晶について説明したが、これら位置のずれのランダムネスと、大きさのランダムネスを組み合わせて用いてもよい。 Up to this point, the two-dimensional photonic crystal according to the first aspect in which the different refractive index regions are randomly arranged from the lattice points, and the second aspect in which the size of the planar shape of the different refractive index regions is random Although the two-dimensional photonic crystal is described, the randomness of the positional deviation and the randomness of the size may be used in combination.
本発明により、太陽電池や光センサ等の光デバイスにおいて、入射光の波長や入射角等の変化による吸収効率の分布等の特性の変化を小さくすることができ、また、全体としての吸収効率を高めることもできる2次元フォトニック結晶が得られる。 According to the present invention, in an optical device such as a solar cell or an optical sensor, a change in characteristics such as a distribution of absorption efficiency due to a change in the wavelength of incident light or an incident angle can be reduced, and the overall absorption efficiency A two-dimensional photonic crystal that can be enhanced is obtained.
本発明に係る2次元フォトニック結晶の実施例として、かかる2次元フォトニック結晶を有する太陽電池の例を、図1〜図13を用いて説明する。なお、太陽電池の構成は、後述のように光センサにもそのまま適用することができる。そのため、以下では、光センサについては、それに特有の(太陽電池にはない)作用・効果についてのみ述べる。 As an example of the two-dimensional photonic crystal according to the present invention, an example of a solar cell having such a two-dimensional photonic crystal will be described with reference to FIGS. Note that the configuration of the solar cell can be applied to an optical sensor as it is, as will be described later. For this reason, in the following, only the actions and effects peculiar to the optical sensor (not in the solar cell) will be described.
(1) 第1実施例の太陽電池10の構成
本発明の第1実施例である太陽電池10について説明する。この太陽電池10は、図1(a)に示すように、p型半導体から成るp層111、真性半導体から成るi層112及びn型半導体から成るn層113の3層により構成される、いわゆる「pin構造」の光電変換層11を有する。光電変換層11内には、後述のように2次元フォトニック結晶構造が形成されている。光電変換層11の外側には、光電変換層11を挟むように第1電極131及び第2電極132が設けられている。また、第1電極131の外側(光電変換層11の反対側)には反射層14が、第2電極132の外側には受光面となるガラス基板15が、それぞれ設けられている。本実施例では、p層111、i層112及びn層113の材料にはSi半導体(電気的特性は上述のように各層で異なる)の微結晶を、第1電極131及び第2電極132の材料には前述のIZOを、反射層14の材料にはAgを、それぞれ用いた。
(1) Configuration of
本実施例における光電変換層11内の2次元フォトニック結晶構造は、光電変換層11内に、それとは屈折率が異なる異屈折率領域12が多数、後述の位置に配置されることにより形成されている(図1(b))。異屈折率領域12の材料にはIZO、すなわち第2電極132と同じ材料を用いた。これは、第2電極132と異屈折率領域12の境界において、屈折率差に起因した界面による光の反射が生じることを防ぎ、光電変換層11における光の吸収効率を高めることを目的としている。異屈折率領域12の形状は、本実施例では、光電変換層11に垂直な方向を軸方向とする円柱状である。従って、光電変換層11に平行な面における異屈折率領域12の形状(平面形状)は円形である。また、異屈折率領域12の高さ(光電変換層11に垂直な方向の大きさ)は、n層113の第2電極132側の表面からi層112の途中まで達する、すなわちp層111までは達しないように定めた。これは、異屈折率領域12がp層111まで達すると、光電変換によって生じた電荷が、導電性の材料から成る異屈折率領域12を通してp層111とn層113の間でリークしてしまうためである。
The two-dimensional photonic crystal structure in the
本実施例における光電変換層11内の2次元フォトニック結晶構造では、図1(b)に示すように、正方格子16の格子点1個あたりに異屈折率領域12が1個、配置されている。ただし、異屈折率領域12と格子点の位置関係は、格子点毎に異なる。すなわち、異屈折率領域12の平面形状である円の中心Cは、その異屈折率領域12が属する格子点からずれ量(距離)Δpだけずれている。そのずれ量Δpの大きさ及びずれの方向は、異屈折率領域12毎に異なっている、すなわちランダムである。本願では、全ての異屈折率領域12を通じて最も大きいずれ量Δpの値を、前述のようにΔpmaxと呼ぶ。本実施例では、図3(a)に示すように、全ての異屈折率領域12のずれ量Δpの大きさは、0以上かつΔpmax以下の範囲内で一様に分布している(従って、格子点からのずれの無い異屈折率領域12も存在する)。言い換えれば、全ての異屈折率領域12のずれ量Δpの分布は、0以上かつΔpmax以下の範囲内では有限の値を有し、Δpmaxよりも大きい範囲内では0である階段関数で表される。なお、ずれ量Δpを定めるために用いる異屈折率領域12の位置の基準は、本実施例では円の中心としたが、後述のように異屈折率領域12が円以外の平面形状を有する場合には、平面形状の重心(言うまでもなく、円では中心と重心が一致している)を用いることができる。
In the two-dimensional photonic crystal structure in the
(2) 第1実施例の太陽電池10の動作(作用・効果)
本発明の太陽電池10の動作を説明する。太陽光が受光面(ガラス基板15)から入射すると、太陽光のエネルギーの一部が光電変換層11に吸収され、そのエネルギーによって光電変換層11の半導体内の電子が価電子帯から伝導帯に励起されることにより、電流に変換される。
その際、光電変換層11内に形成されている2次元フォトニック結晶において、太陽光のうち正方格子16の周期長に対応した、複数の特定の波長を有する光が定在波を形成する。これにより、それらの波長の光は光電変換層11内に留まり易くなり、2次元フォトニック結晶が無い場合よりも入射光の吸収効率が向上する。また、本発明の太陽電池10では、異屈折率領域12の位置が正方格子16の格子点からランダムなずれ量Δp及びランダムな方向にずれていることにより、上記定在波を形成する波長においては、このずれが無い場合よりも吸収効率が低下するものの、それらの波長からある程度離れた波長における吸収効率は上昇する。
これら波長毎の吸収効率の低下及び上昇の兼ね合いにより、Δpmaxがある程度の値以下の場合には、吸収効率を高めようとする波長帯(本実施例では500〜1100nm)全体での積分吸収効率が向上する。これにより、光電変換層11に入射した光が光電変換に寄与する確率が高くなるため、光電変換効率が向上する。
また、Δpmaxの大きさに関わらず、光電変換層11への太陽光の入射角の変化による積分吸収効率の変化が小さくなり、それにより光電変換効率の変化も小さくなる。従って、太陽電池10を固定架台に固定した状態で時間や季節により太陽光の入射角度が変化しても、光電変換効率の変化を小さくすることができる。
(2) Operation (action / effect) of the
The operation of the
At that time, in the two-dimensional photonic crystal formed in the
The integrated absorption efficiency over the entire wavelength band (500 to 1100 nm in this embodiment) where the absorption efficiency is to be increased when Δp max is a certain value or less due to the reduction and increase in absorption efficiency for each wavelength. Will improve. Thereby, since the probability that the light incident on the
Regardless of the magnitude of Δp max , the change in the integrated absorption efficiency due to the change in the incident angle of sunlight on the
(3) 光センサの動作(作用・効果)
本発明の太陽電池10と同じ構成(図1参照)を有する光センサの動作を説明する。光電変換層11において光電変換が生じる波長の光が受光面(ガラス基板15)から入射すると、その光のエネルギーが光電変換層11に吸収され、そのエネルギーによって光電変換層11の半導体内の電子が価電子帯から伝導帯に励起されることにより、電流に変換される。この電流を検出することにより、光の入射を検出することができる。その際、太陽電池の場合と同様に、光電変換層11内に形成されている2次元フォトニック結晶にランダムネスが導入されていることにより、ランダムネスが無い場合よりも、上記定在波を形成する波長においては吸収効率が低下する一方、それらの波長からある程度離れた波長における吸収効率は上昇する。これにより、光を検出可能な波長帯内における検出感度の波長依存性が少なくなる。また、光電変換層11への太陽光の入射角の変化による(波長毎の)吸収効率の変化が小さくなり、それにより、入射角の変化による検出感度の変化を小さくすることができる。
(3) Optical sensor operation (action / effect)
The operation of the optical sensor having the same configuration (see FIG. 1) as the
(4) 第1実施例の太陽電池10の吸収効率を計算した結果
以下、太陽電池10における上述の作用・効果を確認するために、最大ずれ量Δpmaxのみが異なる複数の例において、波長毎の吸収効率A(λ)及び積分吸収効率Aiを計算した結果を説明する。
まず、図2を用いて、正方格子16の周期長aが500nm、異屈折率領域12における平面形状の円の半径rが300nm、異屈折率領域12の高さが200nm、光電変換層11の厚みが500nm、光電変換層11への入射角θ(光電変換層11の法線と入射光の成す角度)が0°の場合について計算を行った結果を説明する。この計算は、最大ずれ量Δpmaxが(a)0(比較例)、(b)0.05a(25nm)、(c)0.1a(50nm)、(d)0.3a(150nm)、(e)0.5a(250nm)及び(f)0.7a(350nm)の6種類の場合について行った。積分吸収効率Aiの計算においては、上述の式(1)を用いた。
(4) Results of calculating the absorption efficiency of the
First, referring to FIG. 2, the periodic length a of the
この計算の結果、図2(a)〜(f)からわかるように、吸収効率A(λ)は特定の複数の波長でピークを有するが、そのピークはΔpmaxが大きくなるほど、ピークトップの高さが低く、且つ幅が広くなる。このように幅が広くなることにより、ピークトップからある程度以上離れた波長においては吸収効率A(λ)が高くなる。そして、積分吸収効率Aiは、Δpmaxが(b)0.05a及び(c)0.1aの場合に、ランダムネスが無い(a)の場合よりも高くなる。 As a result of this calculation, as can be seen from FIGS. 2 (a) to (f), the absorption efficiency A (λ) has peaks at a plurality of specific wavelengths, but the peak increases as Δp max increases. Low and wide. As the width becomes wider in this way, the absorption efficiency A (λ) becomes higher at a wavelength more than a certain distance from the peak top. The integrated absorption efficiency A i is higher when Δp max is (b) 0.05a and (c) 0.1a than when (a) without randomness.
また、Δpmaxが大きくなるほど、吸収効率A(λ)の波長依存性が少なくなるため、この太陽電池10の構成を適用した光センサでは、検出感度の波長依存性が少なくなる。
Further, as Δp max increases, the wavelength dependency of the absorption efficiency A (λ) decreases. Therefore, in the optical sensor to which the configuration of the
これと同様の計算を、周期長aが350nm、半径rが140nmの場合において行った結果を図4に示す。この例では、最大ずれ量Δpmaxは(a)0.05a(17.5nm)、(b)0.1a(35nm)、(c)0.15a(52.5nm)、(d)0.2a(70nm)、(e)0.3a(105nm)及び(f)0.5a(175nm)とした。この例においても、ピークはΔpmaxが大きくなるほど、ピークトップの高さが低く、且つ幅が広くなる。そして、この例においては、(a)〜(f)の全ての場合において、積分吸収効率Aiはランダムネスが無い場合よりも高くなり、この計算の範囲内では(d)のΔpmax=0.2aの時に最も高くなる。この(d)の場合の積分吸収効率Aiの値は、ランダムネスが無い場合よりも6.0%高い。 FIG. 4 shows the result of the same calculation performed when the period length a is 350 nm and the radius r is 140 nm. In this example, the maximum deviation amount Δp max is (a) 0.05a (17.5 nm), (b) 0.1a (35 nm), (c) 0.15a (52.5 nm), (d) 0.2a (70 nm), (e ) 0.3a (105 nm) and (f) 0.5a (175 nm). Also in this example, the peak has a lower peak top and a wider width as Δp max increases. In this example, in all cases (a) to (f), the integrated absorption efficiency A i is higher than that without randomness. Within this calculation range, Δp max = 0.2 of (d) It becomes the highest at a. The value of the integrated absorption efficiency A i in the case of (d) is 6.0% higher than that without randomness.
次に、図2の計算を行った構成のうちΔpmax=0, 0.1a及び0.3a(図2(a), (c)及び(d))の3つにおいて、光電変換層11への太陽光の入射角θを10°、20°、30°及び40°とした場合における波長毎の吸収効率A(λ)及び積分吸収効率Aiを計算した結果を図5に示す。最大ずれ量Δpmaxが0(図5(a)、比較例)の場合には、入射角θの違いにより、吸収効率A(λ)のグラフの曲線が大幅に異なり、積分吸収効率Aiも53.9%(入射角θが0°の場合。図2(a)参照。)から47.3%(θ=40°)の範囲内で異なる値を有する。それに対して、最大ずれ量Δpmaxが0.1a及び0.3a(図5(b), (c))の場合には、比較例よりも入射角θによる吸収効率A(λ)のグラフの曲線の相違が小さくなる。また、Δpmaxが0.1aの場合における積分吸収効率Aiは、54.4%(θ=0°)から51.8%(θ=30°)の範囲内になり、比較例よりも入射角θによる積分吸収効率の相違が小さくなる。さらには、Δpmaxが0.3aの場合における積分吸収効率Aiは、50.2%(θ=0°)から49.6%(θ=40°)の範囲内となり、入射角θによる積分吸収効率Aiの相違がほとんど無くなる。 Next, in three configurations Δp max = 0, 0.1a and 0.3a (FIGS. 2 (a), (c) and (d)) among the configurations in which the calculation of FIG. FIG. 5 shows the results of calculating the absorption efficiency A (λ) and integrated absorption efficiency A i for each wavelength when the incident angle θ of light is 10 °, 20 °, 30 °, and 40 °. When the maximum deviation amount Δp max is 0 (FIG. 5 (a), comparative example), the curve of the absorption efficiency A (λ) graph varies greatly due to the difference in the incident angle θ, and the integrated absorption efficiency A i is also It has a different value within the range of 53.9% (when the incident angle θ is 0 °, see FIG. 2A) to 47.3% (θ = 40 °). On the other hand, when the maximum deviation amount Δp max is 0.1a and 0.3a (FIGS. 5B and 5C), the curve of the absorption efficiency A (λ) graph by the incident angle θ is larger than that of the comparative example. The difference becomes smaller. In addition, when Δp max is 0.1a, the integrated absorption efficiency A i is in the range of 54.4% (θ = 0 °) to 51.8% (θ = 30 °). The difference in efficiency is reduced. Further, the integrated absorption efficiency A i when Δp max is 0.3a is in the range of 50.2% (θ = 0 °) to 49.6% (θ = 40 °), and the integrated absorption efficiency A i depending on the incident angle θ is There is almost no difference.
(5) 変形例
第1実施例の太陽電池の構成は、例えば以下に示すように、種々の変形が可能である。
光電変換層11のp層111、i層112及びn層113の材料は上記のSi半導体の多結晶には限られず、Si半導体の薄膜単結晶やアモルファスを用いることができ、また、Cu(In,Ga)Se2等のその他の半導体を用いることもできる。これらのうちSi半導体の薄膜単結晶を用いた光電変換層は、それ自体により太陽電池や光センサの特性を高めることができる。また、Si半導体やCu(In,Ga)Se2の多結晶から成る光電変換層11の作製には、CVD法を用いることができるため、以下の理由により、第1実施例の太陽電池(光センサ)を容易に作製することができる。
第1実施例の太陽電池(光センサ)を作製する際には、(i)第2電極132及び異屈折率領域12を作製した後に、それら第2電極132及び異屈折率領域12の上に光電変換層11を作製する方法や、(ii)光電変換層11を作製した後に、光電変換層11に周期的に空孔を設け、それら空孔及び光電変換層11の表面に第2電極132及び異屈折率領域12を作製する方法を取ることができる。これらの方法のうち、(i)を例に取ると、第2電極132及び異屈折率領域12によって凹凸が形成された面の上に光電変換層11を作製することにより、光電変換層11が凹部でで途切れる(いわゆる「段切れ」が生じる)おそれがある。(ii)の場合も同様である。それに対して、(i)の方法においてCVD法を用いて(Si半導体やCu(In,Ga)Se2の多結晶から成る)光電変換層11を作製すると、光電変換層11の材料が凹部に行き渡り、段切れが生じ難くなる。
(5) Modified Examples The configuration of the solar cell of the first example can be variously modified as shown below, for example.
The material of the p-
When the solar cell (photosensor) of the first embodiment is manufactured, (i) after the
光電変換層11には、p層111とn層113が隣接した、いわゆる「pn構造」を取るものを用いることもできる。
第1電極131及び第2電極132も上記の材料には限られず、第2電極132においては太陽光に関してある程度透明であれば、インジウム・錫酸化物(ITO)、SnO2、ZnO等の種々の電極材料を用いることができる。また、第1電極131は太陽光に関して透明である必要は無く、AgやAl等)の種々の電極材料を用いることができる。
As the
The
異屈折率領域12の材料は、第2電極132(及び光電変換層11)とは異なるものであってもよい。そのような材料には、例えば、空気(すなわち、異屈折率領域12を空孔とする)やSiO2等を用いることができる。また、異屈折率領域12の材料に絶縁体を用いる場合には、異屈折率領域12はp層111からn層113に達するように形成してもよい。
異屈折率領域12の形状は円柱には限られず、例えば楕円柱、三角柱、四角柱等の種々の形状を取り得る。また、円錐、三角錐、四角錐のように光電変換層11の厚み方向に形状(大きさ)が異なる形状のものを用いることもできる。さらには、円柱の一部に凹部や凸部を有する等の一定の形状を有していてもよい。
また、異屈折率領域12が配置される格子点を形成する格子は、正方格子には限られず、三角格子やハニカム格子等の格子を用いることもできる。
異屈折率領域12毎のずれ量Δpの分布は、図3(a)に示したずれ量Δpが0からΔpmaxの間において一様なものには限られず、例えば図3(b)に示すようにずれ量Δpが0からΔpmaxの間においてガウス分布型(Δpmaxよりも大きい範囲では0)の分布を有するものであってもよい。あるいは、図3(c), (d)に示すように、ずれ量Δpの分布はずれ量Δpが0からΔpmaxの間において負の傾きを有する1次関数で減少するものであってもよい。
The material of the different
The shape of the different
In addition, the lattice forming the lattice points where the different
The distribution of the deviation amount Δp for each different
本発明の第2実施例である太陽電池20について説明する。太陽電池20は、図6に示すように、光電変換層11内に形成された2次元フォトニック結晶構造の構成を除いて、第1実施例の太陽電池10と同様の構成を有する。
The
第2実施例における2次元フォトニック結晶構造は、円柱状の異屈折率領域22が正方格子16の格子点1個あたりに1個ずつ設けられている点では、第1実施例における2次元フォトニック結晶構造と同様である。本実施例では、異屈折率領域22の平面形状である円の中心は、正方格子16の格子点上に配置されている。そして、各異屈折率領域22におけるこの円の径(大きさ)rは、最小値rminと最小値rmaxの間で、ランダムな値を有している。なお、隣接する2個の異屈折率領域22の径rの和が正方格子16の周期長aよりも大きくなるとそれら2個の異屈折率領域22が繋がった1個の部材22Aになる(図6参照)が、これら2個の異屈折率領域22がそれぞれ正方格子16の周期に応じた屈折率分布を形成するため、差し支えない。
The two-dimensional photonic crystal structure in the second embodiment is different from the two-dimensional photonic crystal structure in the first embodiment in that one cylindrical
第2実施例の太陽電池20の動作は、基本的には第1実施例の太陽電池10と同様である。第2実施例では、2次元フォトニック結晶が径rに関してランダムネスを有することにより、ランダムネスが無い場合よりも、2次元フォトニック結晶内に形成される定在波の波長においては吸収効率が低下するものの、それらの波長からある程度離れた波長における吸収効率は上昇する。これにより、最小値rminと最大値rmaxの差をある程度の値よりも小さくすると、積分吸収効率が向上する。また、最小値rminと最大値rmaxの差の大きさに関わらず、光電変換層11への太陽光の入射角の変化による積分吸収効率の変化が小さくなり、それにより光電変換効率の変化も小さくなる。
The operation of the
第2実施例の太陽電池20の構成を光センサに適用した場合には、第1実施例の場合と同様に、光を検出可能な波長帯内における検出感度の波長依存性を少なくすることができると共に、入射角の変化による検出感度の変化を小さくすることができる。
When the configuration of the
次に、第2実施例の太陽電池20において、最小値rminと最大値rmaxの差ρ=(rmax-rmin)の大きさが異なる複数の例について波長毎の吸収効率A(λ)及び積分吸収効率Aiを計算した結果を説明する。この計算では、正方格子16の周期長aを500nm、異屈折率領域12の高さを200nm、光電変換層11の厚みを500nm、光電変換層11への入射角θを0°とした。最小値rminをいずれの計算においても150nmとし、ρを(a)0nm(すなわち、全ての異屈折率領域の径rが同じである比較例)、(b)25nm、(c)50nm及び(d)75nmとした。各場合において、最小値rminと最大値rmaxの間で一様に分布している。積分吸収効率Aiの計算においては、上述の式(1)を用いた。
Next, in the
この計算の結果を図7に示す。吸収効率A(λ)は特定の複数の波長でピークを有するが、そのピークはρが大きくなるほど、ピークトップの高さが低く、且つ幅が広くなる。このように幅が広くなることにより、ピークトップからある程度以上離れた波長においては吸収効率A(λ)が高くなる。そして、積分吸収効率Aiは、ρ=25nmの場合に、ランダムネスが無い(ρ=0)場合よりも高くなる。 The result of this calculation is shown in FIG. The absorption efficiency A (λ) has peaks at a plurality of specific wavelengths, and the peak has a lower peak top height and a wider width as ρ increases. As the width becomes wider in this way, the absorption efficiency A (λ) becomes higher at a wavelength more than a certain distance from the peak top. The integrated absorption efficiency A i is higher when ρ = 25 nm than when there is no randomness (ρ = 0).
また、ρが大きくなるほど、吸収効率A(λ)の波長依存性が少なくなるため、この太陽電池20の構成を適用した光センサでは、検出感度の波長依存性が少なくなる。
Further, as ρ increases, the wavelength dependency of the absorption efficiency A (λ) decreases, and therefore, in the optical sensor to which the configuration of the
第2実施例の太陽電池20においても、第1実施例の太陽電池10の場合と同様に、種々の変形例を取ることができる。
光電変換層11、第1電極131及び第2電極132、並びに異屈折率領域22の材料は、第1実施例の変形例と同じものを用いることができる。また、光電変換層11には、いわゆる「pn構造」を有するものを用いることもできる。
異屈折率領域22の形状も第1実施例の変形例と同様に種々の形状を取り得る。平面形状の大きさは、例えば楕円の場合には長径又は短径の長さにより、多角形の場合には特定の辺又は対角線の長さにより、定めることができる。異屈折率領域22が配置される格子点を形成する格子も、第1実施例の変形例と同様のものを用いることができる。
最大値rmaxと最小値rminの差ρの値の分布は、0と(rmax-rmin)の間で一様なものには限られず、第1実施例の変形例と同様に、ガウス分布型((rmax-rmin)よりも大きい範囲では0)や1次関数で減少するもの等を用いることができる。
さらに、第2実施例では異屈折率領域22の平面形状の大きさを円の径で定義したが、面積で定義してもよい。
Also in the
As the materials of the
The shape of the different
The distribution of the difference ρ between the maximum value r max and the minimum value r min is not limited to be uniform between 0 and (r max −r min ), and as in the modification of the first embodiment, A Gaussian distribution type (0 in a range larger than (r max −r min )) or a linear function that decreases by a linear function can be used.
Furthermore, in the second embodiment, the size of the planar shape of the different
本発明の第3実施例である、超格子構造を有する2次元フォトニック結晶を用いた太陽電池について説明する。この太陽電池は、光電変換層11内に形成された2次元フォトニック結晶の構造を除いて、第1実施例の太陽電池10と同様の構成を有する。第3実施例の太陽電池における2次元フォトニック結晶36Aでは、図8(a)に示すように、光電変換層11内に、第1異屈折率領域321及び第2異屈折率領域322が、正方格子16の各格子点に配置されている。第1異屈折率領域321と第2異屈折率領域322は同じ大きさの円柱状のものであり、その材料も同じ(IZO)である。第1異屈折率領域321は、格子点から、第1最大ずれ量Δp1max(≠0)以下のずれ量Δpだけランダムにずれて配置されている。一方、第2異屈折率領域322は格子点からずれることなく(第2最大ずれ量Δp2maxが0)配置されている。
A solar cell using a two-dimensional photonic crystal having a superlattice structure, which is a third embodiment of the present invention, will be described. This solar cell has the same configuration as the
この2次元フォトニック結晶36Aでは、正方格子16の縦方向及び横方向共に、第1異屈折率領域321と第2異屈折率領域322が交互に配置されている。これにより、正方格子16の縦方向に2周期分、及び横方向に2周期分の合計4個の格子点に、2個の第1異屈折率領域321と2個の第2異屈折率領域322から成る単位超格子37Aが周期的に配置された超格子が形成されている。この単位超格子37Aを1周期分(正方格子16の2周期分)、縦方向又は横方向に(仮想的に)移動させると、正方格子16の格子点は隣接する超格子内の格子点に一致するが、第1異屈折率領域321は格子点からランダムにずれて配置されているため、隣接する超格子内の第1異屈折率領域321とは(偶然、ずれ量及びずれの方向が同じである場合を除いて)一致しない。
In the two-
このような超格子構造を有する2次元フォトニック結晶36Aを光電変換層11内に形成することにより、位置のずれの無い第2異屈折率領域322により形成される周期的な屈折率分布によって、光電変換層11に入射した太陽光に含まれる所定の複数の波長を持つ光が定在波を形成し易くなり、それら波長における入射光の吸収効率を高めることができる。それと共に、位置のずれを有する第1異屈折率領域321が存在することにより、上記所定の波長では吸収効率が低下する方向に作用するものの、それらの波長からある程度離れた波長における吸収効率は上昇する。これにより、Δp1maxがある程度小さい範囲では積分吸収効率が向上し、光電変換効率も向上する。また、Δp1maxの値に関わらず、光電変換層11への太陽光の入射角の変化による積分吸収効率の変化が小さくなり、それにより光電変換効率の変化も小さくなる。
また、超格子構造を有する2次元フォトニック結晶36Aを光センサの光電変換層内に形成すると、上記所定の波長では吸収効率が低下するのに対して、それらの波長からある程度離れた波長における吸収効率は上昇するため、波長による吸収効率の変化が小さくなる。そのため、波長による検出感度の変化も小さくなる。
一方、この2次元フォトニック結晶36Aにおいて、第1異屈折率領域321だけではなく、第2異屈折率領域322を格子点からランダムにずれるように、すなわち、第2最大ずれ量Δp2maxが0以外の値を取るように配置してもよい。
By forming the two-
Further, when the two-
On the other hand, in the two-
第3実施例の太陽電池について、波長毎の吸収効率A(λ)及び積分吸収効率Aiを計算した結果を、図9を用いて説明する。この計算では、周期長aを500nm、第1異屈折率領域321及び第2異屈折率領域322における平面形状の円の半径rを300nmとした。その他の条件は、異屈折率領域の位置に関する条件を除いて、第1実施例で行った2つの計算の条件と同じとした。ここでは、第2異屈折率領域322が格子点からずれることなく配置された(Δp2max=0の)例として、(b)Δp1max=0.05a、及び(c)Δp1max=0.10aという条件における計算をおこなった。併せて、第2異屈折率領域322が格子点からずれて配置される(Δp2max≠0の)例として、(d)(Δp1max, Δp2max)=(0.15a, 0.03a)、(e)(Δp1max, Δp2max)=(0.20a, 0.04a)、及び(f)(Δp1max, Δp2max)=(0.25a, 0.05a)という条件における計算をおこなった。図9(a)は第1異屈折率領域321及び第2異屈折率領域322共に格子点からのずれのない、比較例の太陽電池に関する計算結果である。
The results of calculating the absorption efficiency A (λ) and the integrated absorption efficiency A i for each wavelength for the solar cell of the third example will be described with reference to FIG. In this calculation, the period length a is 500 nm, and the radius r of the planar circle in the first different
図9の計算結果より、(b)〜(f)のいずれの場合も、従来の(a)の場合よりも波長毎の吸収効率A(λ)のピーク幅が広くなり、波長依存性が小さくなっていることがわかる。また、(b)及び(c)では、積分吸収効率Aiが従来の(a)の場合よりも向上している。 From the calculation results of FIG. 9, in any of the cases (b) to (f), the peak width of the absorption efficiency A (λ) for each wavelength is wider and the wavelength dependency is smaller than in the conventional case (a). You can see that In (b) and (c), the integrated absorption efficiency A i is improved as compared with the conventional case (a).
続いて、図10に、a=350nm、r=140nmであって、(a)Δp1max=0.05a、(b)Δp1max=0.10a、(c)Δp1max=0.15a、(d)Δp1max=0.20a、(e)Δp1max=0.25a、及び(f)Δp1max=0.50aの(第2異屈折率領域322は格子点からずれることなく配置されている)場合について、図9の場合と同様の計算を行った結果を示す。(a)〜(f)のいずれの場合も、波長毎の吸収効率A(λ)の波長依存性が小さくなると共に、積分吸収効率が従来のものよりも1.0%((a)の場合)〜7.3%((f)の場合)向上している。
Subsequently, FIG. 10 shows that a = 350 nm, r = 140 nm, (a) Δp1 max = 0.05a, (b) Δp1 max = 0.10a, (c) Δp1 max = 0.15a, (d) Δp1 max 9 for the case of = 0.20a, (e) Δp1 max = 0.25a, and (f) Δp1 max = 0.50a (the second different
第3実施例の太陽電池は、以下に述べるように種々の変形が可能である。例えば、縦方向及び横方向共に2個、合計4個の異屈折率領域を有する場合において、それらのうち3個を第2異屈折率領域322とし、残り1個のみを第1異屈折率領域321とする単位超格子37Bを形成してもよい(図8(b))。また、それら4個の異屈折率領域のうち1個のみを第2異屈折率領域322とし、残り3個を第1異屈折率領域321としてもよい。あるいは、単位超格子37Cを、正方格子16の縦方向及び横方向共に3個、合計9個の格子点から成るものとし、それら格子点のうちの定められた1個又は複数個の格子点に第1異屈折率領域321を配置し、残りの格子点に第2異屈折率領域322を配置してもよい(図8(c))。あるいは、単位超格子37Cを構成する格子点の数をこれらの例以外にしてもよく、また、縦方向の格子点の数と横方向の格子点の数が異なるようにしてもよい。
The solar cell of the third embodiment can be variously modified as described below. For example, in the case of having a total of four different refractive index regions, two in the vertical direction and two in the horizontal direction, three of them are the second different
また、各部材の材料、第1異屈折率領域321及び第2異屈折率領域322の形状、それら異屈折率領域が配置される格子(超格子ではなく、上記第3実施例における正方格子に相当する格子)の種類、それら異屈折率領域におけるずれ量Δpの分布等は第1実施例と同様の変形が可能である。
Further, the material of each member, the shape of the first different
さらに、単位超格子内に、最大ずれ量がΔpkmax(kは1〜nのいずれかの整数)である第1異屈折率領域、第2異屈折率領域、第3異屈折率領域、...及び第n異屈折率領域を設けてもよい。なお、上述の図8(a)〜(c)に示した例はいずれも、n=2の場合に該当する。図11に、n=3である2次元フォトニック結晶の一例を示す。この例では、正方格子16の縦方向に2個、横方向に2個の合計4個の格子点から成る単位超格子37D内に、最大ずれ量がΔp1maxである第1異屈折率領域321が1個、最大ずれ量が0(すなわち、ずれのない)第2異屈折率領域322が2個、及び最大ずれ量がΔp1maxよりも小さいΔp3maxである第3異屈折率領域323が1個配置されている。もちろん、第2異屈折率領域322も最大ずれ量Δp2maxで格子点の位置からずれていてもよい。
Further, in the unit superlattice, a first different refractive index region, a second different refractive index region, a third different refractive index region having a maximum deviation amount Δpk max (k is an integer of 1 to n),. .. and the nth different refractive index region may be provided. Note that all of the examples shown in FIGS. 8A to 8C correspond to the case of n = 2. FIG. 11 shows an example of a two-dimensional photonic crystal in which n = 3. In this example, a first
図12を用いて、本発明の第4実施例である、第3実施例とは異なる超格子構造を有する2次元フォトニック結晶を用いた太陽電池について説明する。この太陽電池は、光電変換層11内に形成された2次元フォトニック結晶の構造を除いて、第1実施例の太陽電池10と同様の構成を有する。図12(a)に示すように、第4実施例の太陽電池における2次元フォトニック結晶46Aでは、正方格子16の縦方向及び横方向共に、円柱状の第1異屈折率領域421と、同じく円柱状の第2異屈折率領域422が交互に配置されている。これにより、正方格子16の縦方向に2周期分、及び横方向に2周期分の合計4個の格子点に、2個の第1異屈折率領域421と2個の第2異屈折率領域422から成る単位超格子47Aが周期的に配置された超格子が形成されている。第1異屈折率領域421の径は所定の最大値及び最小値の間でランダムな値を有する。一方、第2異屈折率領域422の径は全て同じである。
A solar cell using a two-dimensional photonic crystal having a superlattice structure different from the third embodiment, which is the fourth embodiment of the present invention, will be described with reference to FIG. This solar cell has the same configuration as the
第4実施例の太陽電池における異屈折率領域の径に関するランダムネスの有無(第1異屈折率領域421では「有」、第2異屈折率領域422では「無」)は、第3実施例の太陽電池における異屈折率領域の位置のずれに関するランダムネスの有無(第1異屈折率領域321では「有」、第2異屈折率領域322では「無」)に対応する。そのため、第4実施例の太陽電池は、第3実施例の太陽電池と同様の作用・効果を奏する。
The presence / absence of randomness related to the diameter of the different refractive index region in the solar cell of the fourth example (“Yes” in the first different
第4実施例の太陽電池においても、第2実施例(超格子構造を有さず、径に関するランダムネスを有する例)や第3実施例(超格子構造を有し、径以外のランダムネスを有する例)と同様の変形が可能である。例えば、第2異屈折率領域422は、第1異屈折率領域421における径の最大値及び/又は最小値が異なる所定の範囲内において、径がランダムネスを有するようにしてもよい。また、図12(b)に示すように、径の最大値及び/又は最小値が異なる3種以上の異屈折率領域を有する超格子47Bを用いてもよい。図12(b)の例では、超格子47Bは、径が所定の最大値及び最小値の間でランダムな値を有する第1異屈折率領域421を1個、径が全て同じである第2異屈折率領域422を2個、及び第1異屈折率領域421よりも径の最大値が小さく、且つ最小値が大きい第3異屈折率領域423を1個有する。
Also in the solar cell of the fourth embodiment, the second embodiment (example having no superlattice structure and having a randomness regarding the diameter) and the third embodiment (having a superlattice structure and having a randomness other than the diameter) It is possible to make modifications similar to those of the example. For example, the second different
ここまでは、異屈折率領域の平面形状の大きさ(実施例1、3)と、異屈折率領域の位置(実施例2、4)のいずれか一方にランダムネスを導入した例を示したが、それら平面形状の大きさ及び位置の双方にランダムネスを導入してもよい。図13に示した例では、異屈折率領域52は円柱状であって、正方格子16の格子点から最大ずれ量Δpmax(≠0)の範囲内でランダムなずれ量Δp及びランダムな方向にずれ、且つ、その平面形状の大きさ(径r)も所定の最小値rminと最大値rmaxの間でランダムな値を有する。
Up to this point, an example in which randomness is introduced into one of the size of the planar shape of the different refractive index region (Examples 1 and 3) and the position of the different refractive index region (Examples 2 and 4) has been shown. However, randomness may be introduced into both the size and position of the planar shape. In the example shown in FIG. 13, the different
10、20、90…太陽電池
11、91…光電変換層
111、911…p層
112、912…i層
113、913…n層
12、22、52、92…異屈折率領域
131、931…第1電極
132、932…第2電極
14、94…反射層
15、95…ガラス基板
22A…異屈折率領域を構成する部材
321、421…第1異屈折率領域
322、422…第2異屈折率領域
323、423…第3異屈折率領域
36A、46A…2次元フォトニック結晶
37A、37B、37C、37D、47A、47B…単位超格子
10, 20, 90 ...
Claims (27)
各異屈折率領域が、前記2次元格子の各格子点から前記2次元格子面に平行に、最大ずれ量Δpmax(≠0)以下のずれ量Δpだけランダムにずれて配置されている
ことを特徴とする2次元フォトニック結晶。 A two-dimensional photonic crystal in which a different refractive index region having a refractive index different from that of the main body is arranged in each lattice point of a two-dimensional lattice parallel to the main body in a plate-shaped main body,
Each of the different refractive index regions is arranged at random from the respective lattice points of the two-dimensional grating in parallel with the two-dimensional lattice plane by a deviation amount Δp that is equal to or less than a maximum deviation amount Δp max (≠ 0). Characteristic two-dimensional photonic crystal.
前記2次元格子の連接する複数個の格子点から成る超格子を単位格子とする超格子構造を備え、
各超格子において、
a) 予め定められた1個又は複数個の格子点において、各格子点から該2次元格子の格子面に平行に、第1最大ずれ量Δp1max(≠0)以下のずれ量Δpだけランダムにずれて配置された第1異屈折率領域と、
b) 前記第1異屈折率領域が配置された格子点以外の格子点において、各格子点から該2次元格子の格子面に平行に、第2最大ずれ量Δp2max以下のずれ量Δpだけランダムにずれて配置された第2異屈折率領域と
が存在することを特徴とする2次元フォトニック結晶。 A two-dimensional photonic crystal in which a different refractive index region having a refractive index different from that of the main body is arranged in each lattice point of a two-dimensional lattice parallel to the main body in a plate-shaped main body,
A superlattice structure having a superlattice composed of a plurality of lattice points connected to the two-dimensional lattice as a unit lattice;
In each superlattice
a) At one or a plurality of predetermined grid points, a random shift amount Δp equal to or less than the first maximum shift amount Δp1 max (≠ 0) is randomly generated from each lattice point in parallel with the lattice plane of the two-dimensional lattice. A first different refractive index region that is offset,
b) At lattice points other than the lattice point at which the first different refractive index region is arranged, a random deviation amount Δp equal to or less than the second maximum deviation amount Δp2 max is parallel to the lattice plane of the two-dimensional lattice from each lattice point. A two-dimensional photonic crystal characterized in that there is a second different refractive index region arranged so as to be shifted.
前記2次元格子の連接する複数個の格子点から成る超格子を単位格子とする超格子構造を備え、
各超格子において格子点がn個の部分集合に分割され、各部分集合において前記異屈折率領域が各格子点から前記2次元格子の格子面に平行に、最大ずれ量Δpkmax(kは1〜nのいずれかの整数。少なくとも1つの部分集合においてΔpkmax≠0。)以下のずれ量Δpだけランダムにずれて配置されていることを特徴とする2次元フォトニック結晶。 A two-dimensional photonic crystal in which a different refractive index region having a refractive index different from that of the main body is arranged in each lattice point of a two-dimensional lattice parallel to the main body in a plate-shaped main body,
A superlattice structure having a superlattice composed of a plurality of lattice points connected to the two-dimensional lattice as a unit lattice;
In each superlattice, the lattice point is divided into n subsets, and in each subset, the different refractive index region is parallel to the lattice plane of the two-dimensional lattice from each lattice point, and the maximum deviation amount Δpk max (k is 1 A two-dimensional photonic crystal characterized by being randomly shifted by an amount of shift Δp equal to or less than Δpk max ≠ 0 in at least one subset.
Further, in at least a part of each of the different refractive index regions, the planar shape of the different refractive index region has a random size between a minimum value and a maximum value larger than the minimum value. Item 11. A two-dimensional photonic crystal according to any one of Items 1 to 10.
各異屈折率領域の平面形状が、最小値と該最小値よりも大きい最大値の間でランダムな大きさを有する
ことを特徴とする2次元フォトニック結晶。 A two-dimensional photonic crystal in which a different refractive index region having a refractive index different from that of the main body is arranged in each lattice point of a two-dimensional lattice parallel to the main body in a plate-shaped main body,
A two-dimensional photonic crystal, wherein a planar shape of each different refractive index region has a random size between a minimum value and a maximum value larger than the minimum value.
前記2次元格子の連接する複数個の格子点から成る超格子を単位格子とする超格子構造を備え、
各超格子において、
a) 予め定められた1個又は複数個の格子点に配置された第1の異屈折率領域であって、平面形状が第1の最小値と該第1の最小値よりも大きい第1の最大値の間でランダムな大きさを有する第1異屈折率領域と、
b) 前記第1異屈折率領域が配置された格子点以外の格子点に配置された第2の異屈折率領域であって、平面形状が第2の最小値と第2の最大値の間でランダムな大きさを有する第2異屈折率領域と
が存在することを特徴とする2次元フォトニック結晶。 A two-dimensional photonic crystal in which a different refractive index region having a refractive index different from that of the main body is arranged in each lattice point of a two-dimensional lattice parallel to the main body in a plate-shaped main body,
A superlattice structure having a superlattice composed of a plurality of lattice points connected to the two-dimensional lattice as a unit lattice;
In each superlattice
a) a first different refractive index region arranged at one or more predetermined lattice points, the first minimum value and the first minimum value being larger than the first minimum value A first refractive index region having a random size between the maximum values;
b) a second different refractive index region disposed at a lattice point other than the lattice point at which the first different refractive index region is disposed, wherein the planar shape is between the second minimum value and the second maximum value. And a second different refractive index region having a random size and a two-dimensional photonic crystal.
前記2次元格子の連接する複数個の格子点から成る超格子を単位格子とする超格子構造を備え、
各超格子において格子点がn個の部分集合に分割され、各部分集合において前記異屈折率領域の平面形状の大きさが最小値と最大値(少なくとも1つの部分集合において最小値と最大値が異なる値を有する)の間でランダムな大きさを有することを特徴とする2次元フォトニック結晶。 A two-dimensional photonic crystal in which a different refractive index region having a refractive index different from that of the main body is arranged in each lattice point of a two-dimensional lattice parallel to the main body in a plate-shaped main body,
A superlattice structure having a superlattice composed of a plurality of lattice points connected to the two-dimensional lattice as a unit lattice;
In each superlattice, the lattice point is divided into n subsets, and in each subset, the size of the planar shape of the different refractive index region is the minimum value and the maximum value (the minimum value and the maximum value in at least one subset are A two-dimensional photonic crystal having a random size between (having different values).
前記異屈折率領域が前記光電変換層の厚さ方向に、前記第1層の前記一方の電極との界面から前記第2層よりも手前まで形成されており、
前記異屈折率領域の材料が前記一方の電極の材料から成る
ことを特徴とする請求項25に記載の光センサ。 The photoelectric conversion layer includes a first layer made of a p-type semiconductor or an n-type semiconductor and in contact with one of the pair of electrodes, and a second layer made of a semiconductor having a polarity opposite to the first layer. Having a laminated structure,
The different refractive index region is formed from the interface with the one electrode of the first layer to the front of the second layer in the thickness direction of the photoelectric conversion layer,
26. The optical sensor according to claim 25, wherein the material of the different refractive index region is made of the material of the one electrode.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014171457A1 (en) * | 2013-04-17 | 2014-10-23 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Photonic crystal and optical function device using same |
CN104157714A (en) * | 2014-07-08 | 2014-11-19 | 苏州大学 | Amorphous/microcrystalline silicon laminated solar cell |
WO2015016264A1 (en) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | シャープ株式会社 | Photoelectric conversion element and photoelectric conversion system |
JP2018508970A (en) * | 2014-11-18 | 2018-03-29 | ダブリュアンドダブリュセンス デバイシーズ, インコーポレイテッドW&Wsens Devices, Inc. | Microstructure-enhanced absorption photosensitive device |
CN112652720A (en) * | 2020-12-22 | 2021-04-13 | 青岛大学 | Perovskite solar cell based on two-dimensional photonic crystal structure |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004061905A (en) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Keio Gijuku | Optical element and system using the optical element |
JP2006523956A (en) * | 2003-04-15 | 2006-10-19 | ルミナス ディバイシズ インコーポレイテッド | Light emitting element |
JP2008283037A (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Hitachi Cable Ltd | Light-emitting device |
WO2011083694A1 (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-14 | シャープ株式会社 | Photoelectric transducer |
WO2011083674A1 (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-14 | シャープ株式会社 | Photoelectric transducer |
-
2012
- 2012-01-31 JP JP2012019111A patent/JP5854383B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004061905A (en) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Keio Gijuku | Optical element and system using the optical element |
JP2006523956A (en) * | 2003-04-15 | 2006-10-19 | ルミナス ディバイシズ インコーポレイテッド | Light emitting element |
JP2008283037A (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Hitachi Cable Ltd | Light-emitting device |
WO2011083694A1 (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-14 | シャープ株式会社 | Photoelectric transducer |
WO2011083674A1 (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-14 | シャープ株式会社 | Photoelectric transducer |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6015024831; 宇野 和行: '不規則度の異なるAlAs/GaAs不規則超格子の光励起発光特性(II)' 応用物理学関係連合講演会講演予稿集1994春3 Extended Abstracts (The 41st Spring Meeting, 1994);T , 199403, p.1198, (社)応用物理学会 * |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014171457A1 (en) * | 2013-04-17 | 2014-10-23 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Photonic crystal and optical function device using same |
US20160061994A1 (en) * | 2013-04-17 | 2016-03-03 | Japan Science And Technology Agency | Photonic crystal and optical functional device including the same |
US10866343B2 (en) * | 2013-04-17 | 2020-12-15 | Japan Science And Technology Agency | Photonic crystal and optical functional device including the same |
WO2015016264A1 (en) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | シャープ株式会社 | Photoelectric conversion element and photoelectric conversion system |
JPWO2015016264A1 (en) * | 2013-08-02 | 2017-03-02 | シャープ株式会社 | Photoelectric conversion element and photoelectric conversion system |
CN104157714A (en) * | 2014-07-08 | 2014-11-19 | 苏州大学 | Amorphous/microcrystalline silicon laminated solar cell |
CN104157714B (en) * | 2014-07-08 | 2017-01-25 | 苏州大学 | Amorphous/microcrystalline silicon laminated solar cell |
JP2018508970A (en) * | 2014-11-18 | 2018-03-29 | ダブリュアンドダブリュセンス デバイシーズ, インコーポレイテッドW&Wsens Devices, Inc. | Microstructure-enhanced absorption photosensitive device |
CN112652720A (en) * | 2020-12-22 | 2021-04-13 | 青岛大学 | Perovskite solar cell based on two-dimensional photonic crystal structure |
CN112652720B (en) * | 2020-12-22 | 2023-09-05 | 青岛大学 | Perovskite solar cell based on two-dimensional photonic crystal structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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