JP2013154604A - Laser processing method - Google Patents

Laser processing method Download PDF

Info

Publication number
JP2013154604A
JP2013154604A JP2012018600A JP2012018600A JP2013154604A JP 2013154604 A JP2013154604 A JP 2013154604A JP 2012018600 A JP2012018600 A JP 2012018600A JP 2012018600 A JP2012018600 A JP 2012018600A JP 2013154604 A JP2013154604 A JP 2013154604A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cutting line
along
workpiece
crack
modified region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012018600A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6050002B2 (en
Inventor
Takafumi Tsunematsu
崇文 常松
Tetsuya Iida
哲也 飯田
Tatsuya Suzuki
達也 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to JP2012018600A priority Critical patent/JP6050002B2/en
Publication of JP2013154604A publication Critical patent/JP2013154604A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6050002B2 publication Critical patent/JP6050002B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser processing method that precisely cuts out an effective part having a chamfered corner part from a plate-like object with a reinforced glass plate.SOLUTION: The laser processing method comprises: a first step of forming a first modifying region, along a first predetermined cutting line 51 in a reinforced glass plate 10, for generating a first crack extending in a thickness direction of an object 1 by relatively moving a focus of a laser beam along the first predetermined cutting line 51 extending along a chamfered surface 18a at least of a corner part 18; and after the first step, a second step of forming a second modifying region, along a second predetermined cutting line 52 in the reinforced glass plate 10, for generating a second crack extending in a thickness direction of an object 1 by relatively moving the focus of the laser beam along the second predetermined cutting line 52 extending from the outside of an effective part 17 to the corner part 18.

Description

本発明は、強化ガラス板を備える板状の加工対象物から有効部を切り出すためのレーザ加工方法に関する。   The present invention relates to a laser processing method for cutting out an effective portion from a plate-like processing object including a tempered glass plate.

上記技術分野のレーザ加工方法として、板状の加工対象物にレーザ光を照射することにより、切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質領域を形成し、その改質領域から発生した亀裂を加工対象物の厚さ方向に伸展させることにより、切断予定ラインに沿って加工対象物を切断するものが知られている(例えば、特許文献1参照)。   As a laser processing method in the above technical field, a plate-shaped workpiece is irradiated with a laser beam, thereby forming a modified region inside the workpiece along the planned cutting line, and generated from the modified region. It is known that a workpiece is cut along a planned cutting line by extending a crack in the thickness direction of the workpiece (for example, see Patent Document 1).

特開2004−343008号公報JP 2004-343008 A

しかしながら、上述したようなレーザ加工方法を実施することにより、強化ガラス板を備える板状の加工対象物から、面取りされた角部を有する有効部を切り出そうとすると、角部にバリ等が生じて、角部おいて切断品質が低下する場合がある。   However, by carrying out the laser processing method as described above, when trying to cut out an effective portion having a chamfered corner portion from a plate-like workpiece having a tempered glass plate, there is a burr or the like at the corner portion. This may cause cutting quality to deteriorate at the corners.

そこで、本発明は、強化ガラス板を備える板状の加工対象物から、面取りされた角部を有する有効部を精度良く切り出すことができるレーザ加工方法を提供することを目的とする。   Then, an object of this invention is to provide the laser processing method which can cut out the effective part which has the chamfered corner | angular part accurately from the plate-shaped process target provided with a tempered glass board.

本発明のレーザ加工方法は、強化ガラス板を備える板状の加工対象物から、面取りされた角部を有する有効部を切り出すためのレーザ加工方法であって、少なくとも角部の面取り面に沿うように延在する第1切断予定ラインに沿って、レーザ光の集光点を相対的に移動させることにより、加工対象物の厚さ方向に伸展する第1亀裂を発生させる第1改質領域を、第1切断予定ラインに沿って強化ガラス板の内部に形成する第1工程と、第1工程の後に、有効部の外側から角部に至るように延在する第2切断予定ラインに沿って、レーザ光の集光点を相対的に移動させることにより、加工対象物の厚さ方向に伸展する第2亀裂を発生させる第2改質領域を、第2切断予定ラインに沿って強化ガラス板の内部に形成する第2工程と、を備える。   The laser processing method of the present invention is a laser processing method for cutting out an effective portion having a chamfered corner from a plate-like processing object including a tempered glass plate, and at least along the chamfered surface of the corner. A first modified region that generates a first crack extending in the thickness direction of the workpiece by relatively moving the condensing point of the laser light along the first scheduled cutting line extending to A first step formed inside the tempered glass plate along the first scheduled cutting line, and a second planned cutting line extending from the outside of the effective portion to the corner after the first step. The second modified region that generates the second crack extending in the thickness direction of the object to be processed by relatively moving the condensing point of the laser beam, the tempered glass plate along the second scheduled cutting line 2nd process formed in the inside.

このレーザ加工方法では、角部の面取り面に沿うように延在する第1切断予定ラインに沿って第1改質領域を形成し、その後に、有効部の外側から角部に至るように延在する第2切断予定ラインに沿って第2改質領域を形成する。この順序で第1改質領域及び第2改質領域を形成すると、次の理由により、第1切断予定ラインに沿って精度良く第1亀裂が伸展し易くなる。すなわち、強化ガラス板は、引張応力層、及びその引張応力層の両側に形成された圧縮応力層を有するので、改質領域から亀裂が発生し易く且つ伸展し易い。そのため、第2改質領域を形成した後に第1改質領域を形成すると、第1改質領域から発生した第1亀裂の一部が第1切断予定ラインから外れて第2改質領域に向かって伸展し、角部にバリ等が生じ易くなる。これに対し、第1改質領域を形成した後に第2改質領域を形成すると、第1亀裂の一部が第2改質領域に向かって伸展するような事態が防止され、第1切断予定ラインに沿って精度良く第1亀裂が伸展し易くなる。よって、このレーザ加工方法によれば、強化ガラス板を備える板状の加工対象物から、面取りされた角部を有する有効部を精度良く切り出すことができる。   In this laser processing method, the first modified region is formed along the first scheduled cutting line extending along the chamfered surface of the corner portion, and then extended from the outside of the effective portion to the corner portion. A second modified region is formed along the existing second cutting scheduled line. When the first modified region and the second modified region are formed in this order, the first crack is easily extended along the first scheduled cutting line with the following reason. In other words, the tempered glass plate has a tensile stress layer and a compressive stress layer formed on both sides of the tensile stress layer, so that a crack is easily generated from the modified region and is easily extended. Therefore, when the first modified region is formed after the second modified region is formed, a part of the first crack generated from the first modified region deviates from the first scheduled cutting line toward the second modified region. It becomes easy to generate burrs at the corners. On the other hand, when the second modified region is formed after the first modified region is formed, a situation in which a part of the first crack extends toward the second modified region is prevented, and the first cutting scheduled The first crack is easily extended along the line with high accuracy. Therefore, according to this laser processing method, the effective part which has the chamfered corner | angular part can be accurately cut out from the plate-shaped process target provided with a tempered glass board.

ここで、第1工程では、第1亀裂を加工対象物の表面及び裏面に到達させ、第2工程では、第2亀裂を加工対象物の表面及び裏面に到達させてもよい。これによれば、第1亀裂の一部が第2改質領域に向かって伸展するような事態をより確実に防止して、第1切断予定ラインに沿って第1亀裂を伸展させることができる。   Here, in the first step, the first crack may reach the front surface and the back surface of the workpiece, and in the second step, the second crack may reach the front surface and the back surface of the workpiece. According to this, it is possible to more reliably prevent a situation in which a part of the first crack extends toward the second modified region, and it is possible to extend the first crack along the first scheduled cutting line. .

また、第1切断予定ラインが、有効部の側面のうち面取り面に至る有効部の端面に沿うように延在する場合には、第1切断予定ラインにおいて端面に沿うように延在する部分と連続するように第2切断予定ラインを設定してもよい。また、面取り面が凸曲面である場合には、第1切断予定ラインにおいて面取り面に沿うように延在する部分と接するように第2切断予定ラインを設定してもよい。これらによれば、例えば有効部の周囲の部分を切り落とすための第2切断予定ラインにおいても、第2改質領域から発生した第2亀裂の一部が第2切断予定ラインから外れて第1改質領域に向かって伸展するのを抑制することができる。   In addition, when the first scheduled cutting line extends along the end surface of the effective portion that reaches the chamfered surface of the side surface of the effective portion, the first cutting planned line extends along the end surface; You may set a 2nd cutting plan line so that it may continue. In addition, when the chamfered surface is a convex curved surface, the second scheduled cutting line may be set so as to be in contact with a portion extending along the chamfered surface in the first scheduled cutting line. According to these, for example, also in the second scheduled cutting line for cutting off the portion around the effective portion, a part of the second crack generated from the second modified region is removed from the second scheduled cutting line and the first modified It is possible to suppress extension toward the quality region.

また、上述したレーザ加工方法は、加工対象物から有効部を複数切り出す場合には、第1工程の前に、隣り合う有効部の間を通るように延在する第3切断予定ラインに沿って、レーザ光の集光点を相対的に移動させることにより、加工対象物の厚さ方向に伸展する第3亀裂を発生させる第3改質領域を、第3切断予定ラインに沿って強化ガラス板の内部に形成する第3工程を更に備えてもよい。これによれば、隣り合う有効部の一方において、第1及び第2改質領域から発生した第1及び第2亀裂の一部が、第1及び第2切断予定ラインから外れて、隣り合う有効部の他方に向かって伸展したとしても、第3改質領域及び第3亀裂によってその伸展が止められるため、隣り合う有効部の他方が損傷するのを防止することができる。   Further, in the laser processing method described above, when a plurality of effective portions are cut out from the workpiece, the third cutting scheduled line extending so as to pass between adjacent effective portions is provided before the first step. The third modified region that generates the third crack extending in the thickness direction of the object to be processed is moved along the third scheduled cutting line by relatively moving the condensing point of the laser beam. You may further provide the 3rd process formed inside. According to this, in one of the adjacent effective portions, a part of the first and second cracks generated from the first and second modified regions deviate from the first and second scheduled cutting lines and are adjacent to each other. Even if it extends toward the other side of the part, the extension is stopped by the third modified region and the third crack, so that the other of the adjacent effective parts can be prevented from being damaged.

このとき、第3工程では、第3亀裂を加工対象物の表面及び裏面に到達させてもよい。これによれば、第1及び第2切断予定ラインから外れた第1及び第2亀裂の一部の伸展をより確実に止めることができる。   At this time, in the third step, the third crack may reach the front surface and the back surface of the workpiece. According to this, extension of a part of the 1st and 2nd cracks which deviated from the 1st and 2nd scheduled cutting lines can be stopped more certainly.

本発明によれば、強化ガラス板を備える板状の加工対象物から、面取りされた角部を有する有効部を精度良く切り出すことができるレーザ加工方法を提供することが可能となる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to provide the laser processing method which can cut out the effective part which has the chamfered corner | angular part accurately from the plate-shaped process target provided with a tempered glass board.

改質領域の形成に用いられるレーザ加工装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the laser processing apparatus used for formation of a modification area | region. 改質領域の形成の対象となる加工対象物の平面図である。It is a top view of the processing target object used as the object of formation of a modification field. 図2の加工対象物のIII−III線に沿っての断面図である。It is sectional drawing along the III-III line of the workpiece of FIG. レーザ加工後の加工対象物の平面図である。It is a top view of the processing target after laser processing. 図4の加工対象物のV−V線に沿っての断面図である。It is sectional drawing along the VV line of the workpiece of FIG. 図4の加工対象物のVI−VI線に沿っての断面図である。It is sectional drawing along the VI-VI line of the processing target object of FIG. 本発明の第1実施形態のレーザ加工方法の対象となる加工対象物及び有効部の平面図である。It is a top view of the process target object used as the object of the laser processing method of 1st Embodiment of this invention, and an effective part. 本発明の第1実施形態のレーザ加工方法が実施されている加工対象物の平面図である。It is a top view of the processing target object in which the laser processing method of a 1st embodiment of the present invention is carried out. 本発明の第1実施形態のレーザ加工方法が実施されている加工対象物の平面図である。It is a top view of the processing target object in which the laser processing method of a 1st embodiment of the present invention is carried out. 本発明の第2実施形態のレーザ加工方法の対象となる加工対象物及び有効部の平面図である。It is a top view of the process target object used as the object of the laser processing method of 2nd Embodiment of this invention, and an effective part. 本発明の第2実施形態のレーザ加工方法が実施されている加工対象物の平面図である。It is a top view of the process target in which the laser processing method of 2nd Embodiment of this invention is implemented. 本発明の第2実施形態のレーザ加工方法が実施されている加工対象物の平面図である。It is a top view of the process target in which the laser processing method of 2nd Embodiment of this invention is implemented. 本発明のレーザ加工方法の対象となる有効部の角部の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the corner | angular part of the effective part used as the object of the laser processing method of this invention.

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected to the same or an equivalent part, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

本発明の一実施形態のレーザ加工方法では、切断予定ラインに沿って加工対象物にレーザ光を照射することにより、切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に切断の起点となる改質領域を形成する。そこで、加工対象物の材料を限定せずに、改質領域の形成について、図1〜図6を参照して説明する。   In the laser processing method of one embodiment of the present invention, the modified region that is the starting point of cutting inside the workpiece along the planned cutting line by irradiating the processing target with laser light along the planned cutting line Form. Therefore, the formation of the modified region will be described with reference to FIGS. 1 to 6 without limiting the material of the workpiece.

図1に示すように、レーザ加工装置100は、レーザ光Lをパルス発振するレーザ光源101と、レーザ光Lの光軸(光路)の向きを90°変えるように配置されたダイクロイックミラー103と、レーザ光Lを集光するための集光用レンズ105と、を備えている。また、レーザ加工装置100は、集光用レンズ105で集光されたレーザ光Lが照射される加工対象物1を支持するための支持台107と、支持台107を移動させるためのステージ111と、レーザ光Lの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源101を制御するレーザ光源制御部102と、ステージ111の駆動を制御するステージ制御部115と、を備えている。   As shown in FIG. 1, a laser processing apparatus 100 includes a laser light source 101 that oscillates a laser beam L, a dichroic mirror 103 that is arranged so as to change the direction of the optical axis (optical path) of the laser beam L, and A condensing lens 105 for condensing the laser light L. Further, the laser processing apparatus 100 includes a support base 107 for supporting the workpiece 1 irradiated with the laser light L condensed by the condensing lens 105, and a stage 111 for moving the support base 107. And a laser light source control unit 102 for controlling the laser light source 101 in order to adjust the output, pulse width, etc. of the laser light L, and a stage control unit 115 for controlling the drive of the stage 111.

このレーザ加工装置100においては、レーザ光源101から出射されたレーザ光Lは、ダイクロイックミラー103によってその光軸の向きを90°変えられ、支持台107上に載置された加工対象物1の内部に集光用レンズ105によって集光される。これと共に、ステージ111が移動させられ、加工対象物1がレーザ光Lに対して切断予定ライン5に沿って相対移動させられる。これにより、切断予定ライン5に沿った改質領域が加工対象物1に形成されることとなる。   In this laser processing apparatus 100, the laser light L emitted from the laser light source 101 has its optical axis changed by 90 ° by the dichroic mirror 103, and the inside of the processing object 1 placed on the support base 107. The light is condensed by the condensing lens 105. At the same time, the stage 111 is moved, and the workpiece 1 is moved relative to the laser beam L along the planned cutting line 5. As a result, a modified region along the planned cutting line 5 is formed on the workpiece 1.

加工対象物1としては、種々の材料(例えば、ガラス、半導体材料、圧電材料等)からなる板状の部材(例えば、基板、ウェハ等)が用いられる。図2に示すように、加工対象物1には、加工対象物1を切断するための切断予定ライン5が設定されている。切断予定ライン5は、直線状に延びた仮想線である。加工対象物1の内部に改質領域を形成する場合、図3に示すように、加工対象物1の内部に集光点Pを合わせた状態で、レーザ光Lを切断予定ライン5に沿って(すなわち、図2の矢印A方向に)相対的に移動させる。これにより、図4〜図6に示すように、改質領域7が切断予定ライン5に沿って加工対象物1の内部に形成され、切断予定ライン5に沿って形成された改質領域7が切断起点領域8となる。   As the workpiece 1, plate-like members (for example, substrates, wafers, etc.) made of various materials (for example, glass, semiconductor material, piezoelectric material, etc.) are used. As shown in FIG. 2, a scheduled cutting line 5 for cutting the workpiece 1 is set in the workpiece 1. The planned cutting line 5 is a virtual line extending linearly. When forming a modified region inside the workpiece 1, as shown in FIG. 3, the laser beam L is projected along the planned cutting line 5 in a state where the focused point P is aligned with the inside of the workpiece 1. It moves relatively (that is, in the direction of arrow A in FIG. 2). Thereby, as shown in FIGS. 4 to 6, the modified region 7 is formed inside the workpiece 1 along the planned cutting line 5, and the modified region 7 formed along the planned cutting line 5 is formed. It becomes the cutting start area 8.

なお、集光点Pとは、レーザ光Lが集光する箇所のことである。また、切断予定ライン5は、直線状に限らず曲線状であってもよいし、仮想線に限らず加工対象物1の表面3に実際に引かれた線であってもよい。また、改質領域7は、連続的に形成される場合もあるし、断続的に形成される場合もある。また、改質領域7は列状でも点状でもよく、要は、改質領域7は少なくとも加工対象物1の内部に形成されていればよい。また、改質領域7を起点に亀裂が形成される場合があり、亀裂及び改質領域7は、加工対象物1の外表面(表面、裏面、若しくは外周面)に露出していてもよい。   In addition, the condensing point P is a location where the laser light L is condensed. Further, the planned cutting line 5 is not limited to a straight line, but may be a curved line, or may be a line actually drawn on the surface 3 of the workpiece 1 without being limited to a virtual line. In addition, the modified region 7 may be formed continuously or intermittently. Further, the modified region 7 may be in the form of a line or a dot. In short, the modified region 7 only needs to be formed at least inside the workpiece 1. In addition, a crack may be formed starting from the modified region 7, and the crack and modified region 7 may be exposed on the outer surface (front surface, back surface, or outer peripheral surface) of the workpiece 1.

ちなみに、ここでのレーザ光Lは、加工対象物1を透過すると共に加工対象物1の内部の集光点近傍にて特に吸収され、これにより、加工対象物1に改質領域7が形成される(すなわち、内部吸収型レーザ加工)。よって、加工対象物1の表面3ではレーザ光Lが殆ど吸収されないので、加工対象物1の表面3が溶融することはない。一般的に、表面3から溶融され除去されて穴や溝等の除去部が形成される(表面吸収型レーザ加工)場合、加工領域は表面3側から徐々に裏面側に進行する。   Incidentally, the laser light L here passes through the workpiece 1 and is particularly absorbed near the condensing point inside the workpiece 1, thereby forming the modified region 7 in the workpiece 1. (Ie, internal absorption laser processing). Therefore, since the laser beam L is hardly absorbed by the surface 3 of the workpiece 1, the surface 3 of the workpiece 1 is not melted. In general, when a removed portion such as a hole or a groove is formed by being melted and removed from the front surface 3 (surface absorption laser processing), the processing region gradually proceeds from the front surface 3 side to the back surface side.

ところで、本実施形態で形成される改質領域は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。改質領域としては、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。更に、改質領域としては、加工対象物の材料において改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域や、格子欠陥が形成された領域がある(これらをまとめて高密転移領域ともいう)。   By the way, the modified region formed in the present embodiment refers to a region where the density, refractive index, mechanical strength, and other physical characteristics are different from the surroundings. Examples of the modified region include a melt treatment region, a crack region, a dielectric breakdown region, a refractive index change region, and the like, and there is a region where these are mixed. Furthermore, as the modified region, there are a region in which the density of the modified region in the material to be processed is changed as compared with the density of the non-modified region, and a region in which lattice defects are formed (collectively these are high-density regions). Also known as the metastatic region).

また、溶融処理領域や屈折率変化領域、改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域は、更に、それら領域の内部や改質領域と非改質領域との界面に亀裂(割れ、マイクロクラック等)を内包している場合がある。内包される亀裂は改質領域の全面に渡る場合や一部分のみや複数部分に形成される場合がある。加工対象物1としては、例えばシリコン、ガラス、LiTaO又はサファイア(Al)からなる基板やウェハ、又はそのような基板やウェハを含むものが挙げられる。 In addition, the area where the density of the melt treatment area, the refractive index change area, the modified area has changed compared to the density of the non-modified area, and the area where lattice defects are formed are further included in these areas and the modified areas. In some cases, cracks (cracks, microcracks, etc.) are included in the interface between the non-modified region and the non-modified region. The included crack may be formed over the entire surface of the modified region, or may be formed in only a part or a plurality of parts. Examples of the processing object 1 include a substrate or wafer made of silicon, glass, LiTaO 3 or sapphire (Al 2 O 3 ), or a material including such a substrate or wafer.

また、本実施形態においては、切断予定ライン5に沿って改質スポット(加工痕)を複数形成することによって、改質領域7を形成している。改質スポットとは、パルスレーザ光の1パルスのショット(つまり1パルスのレーザ照射:レーザショット)で形成される改質部分であり、改質スポットが集まることにより改質領域7となる。改質スポットとしては、クラックスポット、溶融処理スポット若しくは屈折率変化スポット、又はこれらの少なくとも1つが混在するもの等が挙げられる。   Further, in the present embodiment, the modified region 7 is formed by forming a plurality of modified spots (processing marks) along the planned cutting line 5. The modified spot is a modified portion formed by one pulse shot of pulsed laser light (that is, one pulse of laser irradiation: laser shot). Examples of the modified spot include a crack spot, a melting treatment spot, a refractive index change spot, or a mixture of at least one of these.

この改質スポットについては、要求される切断精度、要求される切断面の平坦性、加工対象物の厚さ、種類、結晶方位等を考慮して、その大きさや発生する亀裂の長さを適宜制御することが好ましい。
[第1実施形態]
Considering the required cutting accuracy, required flatness of the cut surface, thickness of the workpiece, type, crystal orientation, etc., the size of the modified spot and the length of the crack to be generated are appropriately determined. It is preferable to control.
[First Embodiment]

図7(a)に示すように、加工対象物1は、表面1a及び裏面1bを有する矩形板状の部材であり、強化ガラス板10を備えている。強化ガラス板10は、引張応力層、及びその引張応力層の両側に形成された圧縮応力層を有するガラス板である。強化ガラス板10は、通常のガラス(フロートガラス)板を溶融塩に浸漬させ、イオン交換によってガラス板の表面層に圧縮応力層を形成したり(イオン交換法)、通常のガラス板を加熱した後、ガラス板の表面に空気を吹き付けるなどしてガラス板を急冷させたり(風冷強化法)することで製造される。強化ガラス板10では、その厚さ方向が、引張応力層及び圧縮応力層の配列方向と一致している。   As illustrated in FIG. 7A, the workpiece 1 is a rectangular plate-shaped member having a front surface 1 a and a back surface 1 b and includes a tempered glass plate 10. The tempered glass plate 10 is a glass plate having a tensile stress layer and a compressive stress layer formed on both sides of the tensile stress layer. The tempered glass plate 10 is formed by immersing a normal glass (float glass) plate in a molten salt and forming a compressive stress layer on the surface layer of the glass plate by ion exchange (ion exchange method) or heating a normal glass plate. Thereafter, the glass plate is rapidly cooled (air cooling strengthening method) by blowing air on the surface of the glass plate. In the tempered glass plate 10, the thickness direction thereof coincides with the arrangement direction of the tensile stress layer and the compressive stress layer.

以上のように構成された加工対象物1から、以下のように、矩形板状の有効部17を複数(ここでは、4枚)切り出す。なお、図7(b)に示すように、有効部17は、表面17a及び裏面17b、並びに面取りされた4つの角部18を有するものであり、各角部18は、その面取り面18aが凸曲面となるようにR面取りされたものである。このような有効部17は、携帯型端末のディスプレイの保護基板等に用いられる。   A plurality (four in this case) of rectangular plate-shaped effective portions 17 are cut out from the workpiece 1 configured as described above as follows. In addition, as shown in FIG.7 (b), the effective part 17 has the surface 17a and the back surface 17b, and the chamfered four corner | angular part 18, and each corner | angular part 18 has the chamfered surface 18a convex. R-chamfered so as to be a curved surface. Such an effective portion 17 is used for a protective substrate of a display of a portable terminal.

まず、加工対象物1をレーザ加工装置100の支持台107上に載置する。このとき、加工対象物1の裏面1bにテープを貼ったり、或いは支持台107を多孔質状に形成して加工対象物1を真空吸着したりするなど、支持台107上において加工対象物1を保持する。そして、加工対象物1に対し、第1切断予定ライン51(図7(a)における一点鎖線)、第2切断予定ライン52(図7(a)における破線)及び第3切断予定ライン53(図7(a)における二点鎖線)を設定する。   First, the workpiece 1 is placed on the support base 107 of the laser processing apparatus 100. At this time, the processing object 1 is placed on the support table 107 such as by sticking a tape on the back surface 1b of the processing object 1 or forming the support table 107 in a porous shape and vacuum-adsorbing the processing object 1. Hold. And with respect to the workpiece 1, the 1st scheduled cutting line 51 (one-dot chain line in Fig.7 (a)), the 2nd scheduled cutting line 52 (dashed line in Fig.7 (a)), and the 3rd scheduled cutting line 53 (FIG. 7 (a) is set.

第1切断予定ライン51は、各有効部17の側面19(すなわち、各有効部17の4つの端面17c及び4つの面取り面18a)に沿うように延在している。環状に閉じた第1切断予定ライン51は、加工対象物1に対して複数行複数列(ここでは、2行2列)配置されている。各第1切断予定ライン51は、加工対象物1の側面1cから離間しており、隣り合う第1切断予定ライン51,51同士は、互いに離間している。   The first scheduled cutting line 51 extends along the side surface 19 of each effective portion 17 (that is, the four end surfaces 17c and the four chamfered surfaces 18a of each effective portion 17). The first scheduled cutting lines 51 closed in an annular shape are arranged in a plurality of rows and a plurality of columns (here, 2 rows and 2 columns) with respect to the workpiece 1. Each first scheduled cutting line 51 is separated from the side surface 1c of the workpiece 1, and the adjacent first scheduled cutting lines 51, 51 are separated from each other.

第2切断予定ライン52は、有効部17の外側から各角部18に至るように延在している。各第2切断予定ライン52は、第1切断予定ライン51において有効部17の端面17cに沿うように延在する部分51aと連続し、且つ第1切断予定ライン51において面取り面18aに沿うように延在する部分51bと接している。第2切断予定ライン52は、各有効部17の周囲の部分を切り落とすためのラインであるため、各第2切断予定ライン52は、加工対象物1の側面1cに至るか、或いは第3切断予定ライン53と交差している。   The second scheduled cutting line 52 extends from the outside of the effective portion 17 to reach each corner portion 18. Each second scheduled cutting line 52 is continuous with the portion 51a extending along the end surface 17c of the effective portion 17 in the first scheduled cutting line 51, and along the chamfered surface 18a in the first scheduled cutting line 51. It is in contact with the extending part 51b. Since the second scheduled cutting line 52 is a line for cutting off a portion around each effective portion 17, each second scheduled cutting line 52 reaches the side surface 1c of the workpiece 1 or is scheduled to be third cut. Crosses line 53.

第3切断予定ライン53は、隣り合う有効部17,17の間を通るように延在している。行方向において隣り合う有効部17,17の間を通るように延在する第3切断予定ライン53は、列方向において対向する加工対象物1の側面1c,1cのそれぞれに至るように加工対象物1を横切っている。列方向において隣り合う有効部17,17の間を通るように延在する第3切断予定ライン53は、行方向において対向する加工対象物1の側面1c,1cのそれぞれに至るように加工対象物1を横切っている。   The third scheduled cutting line 53 extends so as to pass between the adjacent effective portions 17 and 17. The third scheduled cutting line 53 extending so as to pass between the effective portions 17 and 17 adjacent in the row direction reaches the side surfaces 1c and 1c of the workpiece 1 facing each other in the column direction. Cross 1 The third scheduled cutting line 53 extending so as to pass between the effective portions 17 and 17 adjacent in the column direction reaches the side surfaces 1c and 1c of the workpiece 1 facing each other in the row direction. Cross 1

続いて、図8(a)に示すように、加工対象物1の表面1aをレーザ光入射面として強化ガラス板10の内部にレーザ光Lの集光点を位置させ、各第3切断予定ライン53に沿って加工対象物1にレーザ光Lを照射する。つまり、第3切断予定ライン53に沿ってレーザ光Lの集光点を相対的に移動(スキャン)させる。これにより、加工対象物1の厚さ方向に伸展する第3亀裂83を発生させる第3改質領域73を(図8(b)参照)、第3切断予定ライン53に沿って強化ガラス板10の内部に形成する(第3工程)。このとき、第3切断予定ライン53に対する第3改質領域73の形成に伴って(加工対象物1に何ら外力を作用させずに)、第3改質領域73から発生した第3亀裂83を加工対象物1の表面1a及び裏面1bに到達させる。   Subsequently, as shown in FIG. 8A, the condensing point of the laser light L is positioned inside the tempered glass plate 10 with the surface 1 a of the workpiece 1 as the laser light incident surface, and each third cutting scheduled line The workpiece 1 is irradiated with the laser beam L along the line 53. That is, the condensing point of the laser beam L is relatively moved (scanned) along the third scheduled cutting line 53. As a result, the third modified region 73 that generates the third crack 83 extending in the thickness direction of the workpiece 1 (see FIG. 8B), along the third scheduled cutting line 53, (In the third step). At this time, with the formation of the third modified region 73 with respect to the third cutting scheduled line 53 (without applying any external force to the workpiece 1), the third crack 83 generated from the third modified region 73 is caused. The processing object 1 is made to reach the front surface 1a and the back surface 1b.

第3改質領域73を形成した後に、図8(b)に示すように、加工対象物1の表面1aをレーザ光入射面として強化ガラス板10の内部にレーザ光Lの集光点を位置させ、各第1切断予定ライン51に沿って加工対象物1にレーザ光Lを照射する。つまり、第1切断予定ライン51に沿ってレーザ光Lの集光点を相対的に移動(スキャン)させる。これにより、加工対象物1の厚さ方向に伸展する第1亀裂81を発生させる第1改質領域71を(図9(a)参照)、第1切断予定ライン51に沿って強化ガラス板10の内部に形成する(第1工程)。このとき、第1切断予定ライン51に対する第1改質領域71の形成に伴って(加工対象物1に何ら外力を作用させずに)、第1改質領域71から発生した第1亀裂81を加工対象物1の表面1a及び裏面1bに到達させる。   After the third modified region 73 is formed, the condensing point of the laser beam L is located inside the tempered glass plate 10 with the surface 1a of the workpiece 1 as the laser beam incident surface, as shown in FIG. 8B. The workpiece 1 is irradiated with the laser beam L along each first scheduled cutting line 51. That is, the condensing point of the laser beam L is relatively moved (scanned) along the first scheduled cutting line 51. Thereby, the 1st modified area | region 71 which generate | occur | produces the 1st crack 81 extended in the thickness direction of the workpiece 1 (refer Fig.9 (a)), and the tempered glass board 10 along the 1st scheduled cutting line 51 is shown. (First step). At this time, with the formation of the first modified region 71 with respect to the first scheduled cutting line 51 (without applying any external force to the workpiece 1), the first crack 81 generated from the first modified region 71 is formed. The processing object 1 is made to reach the front surface 1a and the back surface 1b.

第1改質領域71を形成した後に、図9(a)に示すように、加工対象物1の表面1aをレーザ光入射面として強化ガラス板10の内部にレーザ光Lの集光点を位置させ、各第2切断予定ライン52に沿って加工対象物1にレーザ光Lを照射する。つまり、第2切断予定ライン52に沿ってレーザ光Lの集光点を相対的に移動(スキャン)させる。これにより、加工対象物1の厚さ方向に伸展する第2亀裂82を発生させる第2改質領域72を(図9(b)参照)、第2切断予定ライン52に沿って強化ガラス板10の内部に形成する(第2工程)。このとき、第2切断予定ライン52に対する第2改質領域72の形成に伴って(加工対象物1に何ら外力を作用させずに)、第2改質領域72から発生した第2亀裂82を加工対象物1の表面1a及び裏面1bに到達させる。   After forming the first modified region 71, as shown in FIG. 9A, the condensing point of the laser light L is positioned inside the tempered glass plate 10 with the surface 1a of the workpiece 1 as the laser light incident surface. Then, the workpiece 1 is irradiated with the laser beam L along each second scheduled cutting line 52. That is, the condensing point of the laser beam L is relatively moved (scanned) along the second scheduled cutting line 52. Thereby, the 2nd modified area | region 72 which generate | occur | produces the 2nd crack 82 extended in the thickness direction of the workpiece 1 (refer FIG.9 (b)), and the tempered glass board 10 along the 2nd cutting plan line 52 is shown. (Second step). At this time, with the formation of the second modified region 72 with respect to the second scheduled cutting line 52 (without applying any external force to the workpiece 1), the second crack 82 generated from the second modified region 72 is formed. The processing object 1 is made to reach the front surface 1a and the back surface 1b.

以上の順序で第1改質領域71、第2改質領域72及び第3改質領域73を形成することにより、図7(b)に示すように、各有効部17の周囲の部分を切り落として、矩形板状の有効部17を複数切り出す。なお、各切断予定ライン51,52,53に沿ってレーザ光Lの集光点を相対的に移動させるために、加工対象物1側(支持台107等)を移動させてもよいし、レーザ光L側(レーザ光源101、ダイクロイックミラー103及び集光用レンズ105等)を移動させてもよいし、或いは、加工対象物1側及びレーザ光L側の両方を移動させてもよい。また、支持台107上における加工対象物1の保持は、全ての改質領域71,72,73を形成した後に解除する。   By forming the first modified region 71, the second modified region 72, and the third modified region 73 in the above order, as shown in FIG. 7B, the portion around each effective portion 17 is cut off. Then, a plurality of rectangular plate-shaped effective portions 17 are cut out. In addition, in order to relatively move the condensing point of the laser beam L along each scheduled cutting line 51, 52, 53, the processing object 1 side (the support base 107 or the like) may be moved, or the laser may be moved. The light L side (laser light source 101, dichroic mirror 103, condensing lens 105, etc.) may be moved, or both the workpiece 1 side and the laser light L side may be moved. Further, the holding of the workpiece 1 on the support base 107 is released after all the modified regions 71, 72, 73 are formed.

以上説明したように、第1実施形態のレーザ加工方法では、有効部17の側面19(すなわち、有効部17の端面17c及び面取り面18a)に沿うように延在する第1切断予定ライン51に沿って第1改質領域71を形成し、その後に、有効部17の外側から角部18に至るように延在する第2切断予定ライン52に沿って第2改質領域72を形成する。この順序で第1改質領域71及び第2改質領域72を形成すると、次の理由により、第1切断予定ライン51において角部18の面取り面18aに沿うように延在する部分51bに沿って精度良く第1亀裂81が伸展し易くなる。すなわち、強化ガラス板10は、引張応力層、及びその引張応力層の両側に形成された圧縮応力層を有するので、改質領域71〜73から亀裂81〜83が発生し易く且つ伸展し易い。そのため、第2改質領域72を形成した後に第1改質領域71を形成すると、第1切断予定ライン51の部分51bでは、第1改質領域71から発生した第1亀裂81の一部が第1切断予定ライン51から外れて第2改質領域72に向かって伸展し(第2亀裂82に引っ張られるように伸展し)、角部18にバリ等が生じ易くなる。これに対し、第1改質領域71を形成した後に第2改質領域72を形成すると、第1亀裂81の一部が第2改質領域72に向かって伸展するような事態が防止され、第1切断予定ライン51に沿って精度良く第1亀裂81が伸展し易くなる。よって、第1実施形態のレーザ加工方法によれば、強化ガラス板10を備える板状の加工対象物1から、面取りされた角部18を有する有効部17を精度良く切り出すことができる。   As described above, in the laser processing method according to the first embodiment, the first cutting scheduled line 51 extending along the side surface 19 of the effective portion 17 (that is, the end surface 17c and the chamfered surface 18a of the effective portion 17). The first modified region 71 is formed along the second cut region 52, and then the second modified region 72 is formed along the second scheduled cutting line 52 extending from the outside of the effective portion 17 to the corner portion 18. When the first modified region 71 and the second modified region 72 are formed in this order, along the portion 51b extending along the chamfered surface 18a of the corner portion 18 in the first cutting scheduled line 51 for the following reason. Therefore, the first crack 81 can be easily extended with high accuracy. That is, since the tempered glass plate 10 includes a tensile stress layer and a compressive stress layer formed on both sides of the tensile stress layer, cracks 81 to 83 are easily generated from the modified regions 71 to 73 and are easily extended. Therefore, when the first modified region 71 is formed after the second modified region 72 is formed, a part of the first crack 81 generated from the first modified region 71 is formed in the portion 51b of the first scheduled cutting line 51. Detach from the first scheduled cutting line 51 and extend toward the second modified region 72 (extends so as to be pulled by the second crack 82), and burrs and the like are likely to occur at the corner 18. On the other hand, when the second modified region 72 is formed after the first modified region 71 is formed, a situation in which a part of the first crack 81 extends toward the second modified region 72 is prevented, The first crack 81 can easily extend along the first scheduled cutting line 51 with high accuracy. Therefore, according to the laser processing method of 1st Embodiment, the effective part 17 which has the chamfered corner | angular part 18 can be cut out from the plate-shaped process target object 1 provided with the tempered glass board 10 with sufficient precision.

特に、第1実施形態のレーザ加工方法では、第1改質領域71の形成に伴って第1亀裂81を加工対象物1の表面1a及び裏面1bに到達させ、第2改質領域72の形成に伴って第2亀裂82を加工対象物1の表面1a及び裏面1bに到達させているので、第1亀裂81の一部が第2改質領域72に向かって伸展するような事態がより確実に防止される。   In particular, in the laser processing method according to the first embodiment, the first crack 81 is caused to reach the front surface 1a and the back surface 1b of the workpiece 1 as the first modified region 71 is formed, and the second modified region 72 is formed. Accordingly, since the second crack 82 is made to reach the front surface 1a and the back surface 1b of the workpiece 1, it is more certain that a part of the first crack 81 extends toward the second modified region 72. To be prevented.

また、第1実施形態のレーザ加工方法では、第1切断予定ライン51において有効部17の端面17cに沿うように延在する部分51aと連続し、且つ第1切断予定ライン51において角部18の面取り面18aに沿うように延在する部分51bと接するように、第2切断予定ライン52を設定する。これにより、有効部17の周囲の部分を切り落とすための第2切断予定ライン52においても、第2改質領域72から発生した第2亀裂82の一部が第2切断予定ライン52から外れて第1改質領域71に向かって伸展するのを抑制することができる。   Further, in the laser processing method of the first embodiment, the first cutting scheduled line 51 is continuous with the portion 51 a extending along the end surface 17 c of the effective portion 17, and the first cutting planned line 51 has the corner portion 18. The second scheduled cutting line 52 is set so as to contact the portion 51b extending along the chamfered surface 18a. Thereby, also in the 2nd cutting plan line 52 for cutting off the surrounding part of the effective part 17, a part of 2nd crack 82 which generate | occur | produced from the 2nd modification | reformation area | region 72 comes off from the 2nd cutting plan line 52, and is 2nd. It is possible to suppress extension toward the one modified region 71.

また、第1実施形態のレーザ加工方法では、第1改質領域71を形成する前に、隣り合う有効部17,17の間を通るように延在する第3切断予定ライン53に沿って第3改質領域73を形成する。これにより、隣り合う有効部17,17の一方において、第1及び第2改質領域71,72から発生した第1及び第2亀裂81,82の一部が、第1及び第2切断予定ライン51,52から外れて、隣り合う有効部17,17の他方に向かって伸展したとしても、第3改質領域73及び第3亀裂81によってその伸展が止められるため、隣り合う有効部17,17の他方が損傷するのを防止することができる。   Further, in the laser processing method of the first embodiment, before forming the first modified region 71, the first machining region 53 extends along the third scheduled cutting line 53 extending so as to pass between the adjacent effective portions 17 and 17. 3 A modified region 73 is formed. As a result, in one of the adjacent effective portions 17, 17, a part of the first and second cracks 81, 82 generated from the first and second modified regions 71, 72 are the first and second scheduled cutting lines. Even if it deviates from 51 and 52 and extends toward the other of the adjacent effective portions 17 and 17, since the extension is stopped by the third modified region 73 and the third crack 81, the adjacent effective portions 17 and 17. Can be prevented from being damaged.

特に、第1実施形態のレーザ加工方法では、第3改質領域73の形成に伴って第3亀裂83を加工対象物1の表面1a及び裏面1bに到達させているので、第1及び第2切断予定ライン51,52から外れた第1及び第2亀裂81,82の一部の伸展がより確実に止められる。   In particular, in the laser processing method of the first embodiment, the third crack 83 is caused to reach the front surface 1a and the back surface 1b of the workpiece 1 as the third modified region 73 is formed. The extension of a part of the first and second cracks 81 and 82 deviating from the scheduled cutting lines 51 and 52 is more reliably stopped.

ところで、第1実施形態のレーザ加工方法では、第1切断予定ライン51に沿って環状にレーザ光Lの集光点を相対的に移動させる場合、次のように、レーザ光Lの繰返し周波数、及びレーザ光Lの集光点の相対的移動速度が調整される。すなわち、直線である部分51aでは、繰返し周波数Faで加工対象物1にレーザ光Lを照射すると共に、相対的移動速度Vaで集光点を相対的に移動させ、曲線である部分51bでは、繰返し周波数Faよりも低い繰返し周波数Fbで加工対象物1にレーザ光Lを照射すると共に、相対的移動速度Vaよりも低い相対的移動速度Vbで集光点を相対的に移動させる。これにより、周波数Faが50kHzであり、速度Vaが500mm/sであれば、部分51aにおけるレーザ光Lのパルスピッチ(速度Va/周波数Fa)は10μmとなる。また、周波数Fbが1kHzであり、速度Vbが10mm/sであれば、部分51bにおけるレーザ光Lのパルスピッチ(速度Vb/周波数Fb)は10μmとなる。   By the way, in the laser processing method of 1st Embodiment, when moving the condensing point of the laser beam L cyclically along the 1st cutting plan line 51, the repetition frequency of the laser beam L as follows, And the relative moving speed of the condensing point of the laser beam L is adjusted. That is, in the straight portion 51a, the workpiece 1 is irradiated with the laser beam L at the repetition frequency Fa, and the focusing point is relatively moved at the relative movement speed Va. In the curved portion 51b, the repetition is repeated. The workpiece 1 is irradiated with the laser light L at a repetition frequency Fb lower than the frequency Fa, and the focusing point is relatively moved at a relative movement speed Vb lower than the relative movement speed Va. As a result, if the frequency Fa is 50 kHz and the speed Va is 500 mm / s, the pulse pitch (speed Va / frequency Fa) of the laser light L in the portion 51a is 10 μm. If the frequency Fb is 1 kHz and the speed Vb is 10 mm / s, the pulse pitch (speed Vb / frequency Fb) of the laser light L in the portion 51b is 10 μm.

なお、レーザ光Lの繰返し周波数の調整は、例えば、レーザ光源101及びレーザ光源制御部102に超音波光変調器(AOM)等の光学素子を付加することにより実現される。この場合、レーザ光源101から出射されたレーザ光Lの繰返し周波数をAOMによって間引くことで、加工対象物1に照射されるレーザ光Lの繰返し周波数を低くすることができる。   Note that the adjustment of the repetition frequency of the laser light L is realized, for example, by adding an optical element such as an ultrasonic light modulator (AOM) to the laser light source 101 and the laser light source control unit 102. In this case, the repetition frequency of the laser light L emitted from the laser light source 101 can be reduced by thinning out the repetition frequency of the laser light L from the laser light source 101 using the AOM.

このように、曲線である部分51bに沿って(すなわち、有効部17の面取り面18aに沿って)第1改質領域71を形成する場合には、直線である部分51aに沿って(すなわち、有効部17の端面17cに沿って)第1改質領域71を形成する場合に比べ、レーザ光Lの集光点の相対的移動速度を低くする。これにより、有効部17に対して面取り面18aの外側をレーザ光Lの集光点が通るような事態を防止し、第1改質領域71を面取り面18aに沿って精度良く形成することができる。   As described above, when the first modified region 71 is formed along the curved portion 51b (that is, along the chamfered surface 18a of the effective portion 17), along the straight portion 51a (that is, along the chamfered surface 18a of the effective portion 17). Compared with the case where the first modified region 71 is formed (along the end face 17c of the effective portion 17), the relative moving speed of the condensing point of the laser light L is lowered. Thereby, the situation where the condensing point of the laser beam L passes outside the chamfered surface 18a with respect to the effective portion 17 can be prevented, and the first modified region 71 can be accurately formed along the chamfered surface 18a. it can.

更に、曲線である部分51bに沿って第1改質領域71を形成する場合には、直線である部分51aに沿って第1改質領域71を形成する場合に比べ、レーザ光Lの集光点の相対的移動速度を低くすることに加えて、レーザ光Lの繰返し周波数を低くする。レーザ光Lの繰返し周波数を低くせずにレーザ光Lの集光点の相対的移動速度を低くすると、パルスピッチが短くなるため、改質スポット(レーザ光Lの1パルスの照射で形成される改質部分)が密の状態で第1改質領域71が形成され、その結果、加工対象物1の厚さ方向に第1亀裂81が伸展し難くなるおそれがある。レーザ光Lの集光点の相対的移動速度を低くすると共にレーザ光Lの繰返し周波数を低くすることで、パルスピッチが短くなるのを防止し、有効部17の面取り面18aに沿った第1改質領域71を、第1亀裂81を伸展させ易いものとして形成することができる。   Further, when the first modified region 71 is formed along the curved portion 51b, the laser beam L is condensed compared to the case where the first modified region 71 is formed along the straight portion 51a. In addition to lowering the relative movement speed of the points, the repetition frequency of the laser light L is lowered. If the relative moving speed of the condensing point of the laser beam L is lowered without lowering the repetition frequency of the laser beam L, the pulse pitch is shortened, so that a modified spot (formed by irradiation of one pulse of the laser beam L) is formed. The first modified region 71 is formed in a state where the modified portion) is dense, and as a result, the first crack 81 may not easily extend in the thickness direction of the workpiece 1. By lowering the relative moving speed of the condensing point of the laser light L and lowering the repetition frequency of the laser light L, the pulse pitch is prevented from being shortened, and the first portion along the chamfered surface 18a of the effective portion 17 is prevented. The modified region 71 can be formed so that the first crack 81 can be easily extended.

また、第1実施形態のレーザ加工方法では、直線的に連続する第2切断予定ライン52及び第1切断予定ライン51の部分51aに沿ってレーザ光Lの集光点を相対的に移動させる場合、第2切断予定ライン52上を通過するときには、加工対象物1に対するレーザ光Lの照射をONとし、第1切断予定ライン51の部分51a上を通過するときには、加工対象物1に対するレーザ光Lの照射をOFFとする。これにより、第1切断予定ライン51の部分51aに沿って既に形成された第1改質領域71及び第1亀裂81にレーザ光Lが再度照射されることが防止される。従って、第1切断予定ライン51の部分51aに対応する有効部17の端面17cの切断品質が低下したり、有効部17の抗折強度が低下したりするのを防止することができる。なお、加工対象物1に対するレーザ光Lの照射のON/OFFの切替えも、例えば、上述した超音波光変調器(AOM)等の光学素子によって実現される。
[第2実施形態]
Further, in the laser processing method of the first embodiment, the condensing point of the laser light L is relatively moved along the linearly continuous second scheduled cutting line 52 and the portion 51a of the first scheduled cutting line 51. When passing over the second scheduled cutting line 52, the irradiation of the laser beam L with respect to the workpiece 1 is turned ON, and when passing over the portion 51a of the first scheduled cutting line 51, the laser beam L with respect to the workpiece 1 is turned on. Is turned off. This prevents the laser beam L from being irradiated again to the first modified region 71 and the first crack 81 that have already been formed along the portion 51a of the first scheduled cutting line 51. Therefore, it is possible to prevent the cutting quality of the end surface 17c of the effective portion 17 corresponding to the portion 51a of the first cutting scheduled line 51 from being lowered or the bending strength of the effective portion 17 from being lowered. Note that ON / OFF switching of the irradiation of the laser beam L to the workpiece 1 is also realized by an optical element such as the above-described ultrasonic light modulator (AOM).
[Second Embodiment]

第2実施形態のレーザ加工方法は、加工対象物1に対して第3切断予定ライン53を設定しない点で、上述した第1実施形態のレーザ加工方法と主に相違している。第2実施形態のレーザ加工方法では、まず、図10(a)に示すように、加工対象物1に対し、第1切断予定ライン51(図10(a)における一点鎖線)及び第2切断予定ライン52(図10(a)における破線)を設定する。   The laser processing method of the second embodiment is mainly different from the laser processing method of the first embodiment described above in that the third cutting scheduled line 53 is not set for the workpiece 1. In the laser processing method of the second embodiment, first, as shown in FIG. 10 (a), the first cutting scheduled line 51 (the one-dot chain line in FIG. 10 (a)) and the second cutting scheduled are performed on the workpiece 1. A line 52 (broken line in FIG. 10A) is set.

第1切断予定ライン51は、各有効部17の側面19(すなわち、各有効部17の4つの端面17c及び4つの面取り面18a)に沿うように延在している。環状に閉じた第1切断予定ライン51は、加工対象物1に対して複数行複数列(ここでは、2行2列)配置されている。各第1切断予定ライン51は、加工対象物1の側面1cから離間しており、隣り合う第1切断予定ライン51,51同士は、互いに十分に(例えば、平面視における有効部17の幅以上)離間している。   The first scheduled cutting line 51 extends along the side surface 19 of each effective portion 17 (that is, the four end surfaces 17c and the four chamfered surfaces 18a of each effective portion 17). The first scheduled cutting lines 51 closed in an annular shape are arranged in a plurality of rows and a plurality of columns (here, 2 rows and 2 columns) with respect to the workpiece 1. Each first scheduled cutting line 51 is separated from the side surface 1c of the workpiece 1 and the adjacent first scheduled cutting lines 51, 51 are sufficiently large (for example, more than the width of the effective portion 17 in plan view). ) Separated.

第2切断予定ライン52は、有効部17の外側から各角部18に至るように延在している。各第2切断予定ライン52は、第1切断予定ライン51において有効部17の端面17cに沿うように延在する部分51aと連続し、且つ第1切断予定ライン51において面取り面18aに沿うように延在する部分51bと接している。第2切断予定ライン52は、各有効部17の周囲の部分を切り落とすためのラインであるため、各第2切断予定ライン52は、加工対象物1の側面1cに至っている。   The second scheduled cutting line 52 extends from the outside of the effective portion 17 to reach each corner portion 18. Each second scheduled cutting line 52 is continuous with the portion 51a extending along the end surface 17c of the effective portion 17 in the first scheduled cutting line 51, and along the chamfered surface 18a in the first scheduled cutting line 51. It is in contact with the extending part 51b. Since the second scheduled cutting line 52 is a line for cutting off a portion around each effective portion 17, each second scheduled cutting line 52 reaches the side surface 1 c of the workpiece 1.

続いて、図11に示すように、加工対象物1の表面1aをレーザ光入射面として強化ガラス板10の内部にレーザ光Lの集光点を位置させ、各第1切断予定ライン51に沿って加工対象物1にレーザ光Lを照射する。つまり、第1切断予定ライン51に沿ってレーザ光Lの集光点を相対的に移動(スキャン)させる。これにより、加工対象物1の厚さ方向に伸展する第1亀裂81を発生させる第1改質領域71を(図12(a)参照)、第1切断予定ライン51に沿って強化ガラス板10の内部に形成する(第1工程)。このとき、第1切断予定ライン51に対する第1改質領域71の形成に伴って(加工対象物1に何ら外力を作用させずに)、第1改質領域71から発生した第1亀裂81を加工対象物1の表面1a及び裏面1bに到達させる。   Subsequently, as shown in FIG. 11, the condensing point of the laser light L is positioned inside the tempered glass plate 10 with the surface 1 a of the workpiece 1 as the laser light incident surface, and along each first scheduled cutting line 51. Then, the workpiece 1 is irradiated with the laser beam L. That is, the condensing point of the laser beam L is relatively moved (scanned) along the first scheduled cutting line 51. Thereby, the 1st modified area | region 71 which generate | occur | produces the 1st crack 81 extended in the thickness direction of the workpiece 1 (refer Fig.12 (a)), and the tempered glass board 10 along the 1st scheduled cutting line 51 is shown. (First step). At this time, with the formation of the first modified region 71 with respect to the first scheduled cutting line 51 (without applying any external force to the workpiece 1), the first crack 81 generated from the first modified region 71 is formed. The processing object 1 is made to reach the front surface 1a and the back surface 1b.

第1改質領域71を形成した後に、図12(a)に示すように、加工対象物1の表面1aをレーザ光入射面として強化ガラス板10の内部にレーザ光Lの集光点を位置させ、各第2切断予定ライン52に沿って加工対象物1にレーザ光Lを照射する。つまり、第2切断予定ライン52に沿ってレーザ光Lの集光点を相対的に移動(スキャン)させる。これにより、加工対象物1の厚さ方向に伸展する第2亀裂82を発生させる第2改質領域72を(図12(b)参照)、第2切断予定ライン52に沿って強化ガラス板10の内部に形成する(第2工程)。このとき、第2切断予定ライン52に対する第2改質領域72の形成に伴って(加工対象物1に何ら外力を作用させずに)、第2改質領域72から発生した第2亀裂82を加工対象物1の表面1a及び裏面1bに到達させる。   After forming the first modified region 71, as shown in FIG. 12A, the condensing point of the laser light L is located inside the tempered glass plate 10 with the surface 1a of the workpiece 1 as the laser light incident surface. Then, the workpiece 1 is irradiated with the laser beam L along each second scheduled cutting line 52. That is, the condensing point of the laser beam L is relatively moved (scanned) along the second scheduled cutting line 52. Thereby, the 2nd modified area | region 72 which generate | occur | produces the 2nd crack 82 extended in the thickness direction of the workpiece 1 (refer FIG.12 (b)), and the tempered glass board 10 along the 2nd cutting plan line 52 is shown. (Second step). At this time, with the formation of the second modified region 72 with respect to the second scheduled cutting line 52 (without applying any external force to the workpiece 1), the second crack 82 generated from the second modified region 72 is formed. The processing object 1 is made to reach the front surface 1a and the back surface 1b.

以上の順序で第1改質領域71及び第2改質領域72を形成することにより、図10(b)に示すように、各有効部17の周囲の部分を切り落として、矩形板状の有効部17を複数切り出す。なお、各切断予定ライン51,52に沿ってレーザ光Lの集光点を相対的に移動させるために、加工対象物1側を移動させてもよいし、レーザ光L側を移動させてもよいし、或いは、加工対象物1側及びレーザ光L側の両方を移動させてもよい。また、支持台107上における加工対象物1の保持は、全ての改質領域71,72を形成した後に解除する。   By forming the first modified region 71 and the second modified region 72 in the above order, as shown in FIG. 10 (b), the portion around each effective portion 17 is cut off, and the rectangular plate-shaped effective A plurality of parts 17 are cut out. In addition, in order to relatively move the condensing point of the laser beam L along each scheduled cutting line 51, 52, the workpiece 1 side may be moved, or the laser beam L side may be moved. Alternatively, both the workpiece 1 side and the laser beam L side may be moved. Further, the holding of the workpiece 1 on the support base 107 is released after all the modified regions 71 and 72 are formed.

以上説明したように、第2実施形態のレーザ加工方法では、有効部17の側面19(すなわち、有効部17の端面17c及び面取り面18a)に沿うように延在する第1切断予定ライン51に沿って第1改質領域71を形成し、その後に、有効部17の外側から角部18に至るように延在する第2切断予定ライン52に沿って第2改質領域72を形成する。よって、第2実施形態のレーザ加工方法によれば、第1実施形態のレーザ加工方法と同様の効果が奏される。   As described above, in the laser processing method according to the second embodiment, the first cutting scheduled line 51 extending along the side surface 19 of the effective portion 17 (that is, the end surface 17c and the chamfered surface 18a of the effective portion 17). The first modified region 71 is formed along the second cut region 52, and then the second modified region 72 is formed along the second scheduled cutting line 52 extending from the outside of the effective portion 17 to the corner portion 18. Therefore, according to the laser processing method of the second embodiment, the same effects as those of the laser processing method of the first embodiment are exhibited.

また、第2実施形態のレーザ加工方法では、隣り合う第1切断予定ライン51,51同士が互いに十分に(例えば、平面視における有効部17の幅以上)離間している。これにより、隣り合う有効部17,17の一方において、第1及び第2改質領域71,72から発生した第1及び第2亀裂81,82の一部が、第1及び第2切断予定ライン51,52から外れて、隣り合う有効部17,17の他方に向かって伸展したとしても、隣り合う有効部17,17の他方に到達し難くなるため、隣り合う有効部17,17の他方が損傷するのを防止することができる。   Further, in the laser processing method of the second embodiment, the adjacent first cutting scheduled lines 51 and 51 are sufficiently separated from each other (for example, more than the width of the effective portion 17 in plan view). As a result, in one of the adjacent effective portions 17, 17, a part of the first and second cracks 81, 82 generated from the first and second modified regions 71, 72 are the first and second scheduled cutting lines. Even if it deviates from 51 and 52 and extends toward the other of the adjacent effective portions 17 and 17, it is difficult to reach the other of the adjacent effective portions 17 and 17. Damage can be prevented.

以上、本発明の第1及び第2実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、加工対象物及び有効部の形状としては、矩形板状に限定されず、様々な形状を適用することができる。また、加工対象物から一つの有効部を切り出してもよい。   Although the first and second embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments. For example, the shapes of the processing object and the effective portion are not limited to a rectangular plate shape, and various shapes can be applied. Moreover, you may cut out one effective part from a process target object.

また、各切断予定ラインに対して、加工対象物の厚さ方向に並ぶように複数列の改質領域を形成してもよい。その場合にも、本発明によれば、面取りされた角部を有する有効部を板状の加工対象物から精度良く切り出すことができる。1本の切断予定ラインに対する改質領域の列数は、加工対象物の厚さ等に応じて適宜決定することができるものである。   In addition, a plurality of rows of modified regions may be formed so as to be aligned in the thickness direction of the workpiece with respect to each scheduled cutting line. Even in that case, according to the present invention, the effective portion having the chamfered corner portion can be accurately cut out from the plate-like workpiece. The number of columns of the modified region for one scheduled cutting line can be determined as appropriate according to the thickness of the workpiece.

また、上記実施形態では、各切断予定ラインに対する改質領域の形成に伴って(加工対象物に何ら外力を作用させずに)、改質領域から発生した亀裂を加工対象物の表面及び裏面に到達させたが、これに限定されない。つまり、改質領域の形成に伴って亀裂を発生されるだけで、加工対象物の表面及び裏面のいずれか一方に亀裂を到達させるだけでもよいし、或いは、加工対象物の表面及び裏面の両方に亀裂を到達させなくてもよい。これらの場合には、改質領域を形成した後に、切断予定ラインに沿って外力を作用させて、改質領域から発生した亀裂を加工対象物の表面及び裏面に到達させ、それにより、切断予定ラインに沿って加工対象物を切断すればよい。   Moreover, in the said embodiment, the crack which generate | occur | produced from the modification | reformation area | region with the formation of the modification | reformation area | region with respect to each cutting planned line (without applying any external force to a process target object) on the surface and back surface of a process target object. Although it was made to reach, it is not limited to this. In other words, only the crack is generated along with the formation of the modified region, and the crack may reach only one of the front surface and the back surface of the workpiece, or both the front and back surfaces of the workpiece are processed. It is not necessary to let the crack reach. In these cases, after forming the modified region, an external force is applied along the planned cutting line to cause the cracks generated from the modified region to reach the front and back surfaces of the workpiece, thereby cutting. What is necessary is just to cut | disconnect a process target object along a line.

また、図13に示すように、有効部17の角部18は、一つ又は複数の略平面である面取り面18aから構成されたものであってもよい。それらの場合にも、本発明によれば、面取り面から不要な方向に亀裂が伸展するのを防止し、面取りされた角部を有する有効部を板状の加工対象物から精度良く切り出すことができる。   Moreover, as shown in FIG. 13, the corner | angular part 18 of the effective part 17 may be comprised from the chamfering surface 18a which is one or several substantially planes. Even in those cases, according to the present invention, it is possible to prevent the crack from extending from the chamfered surface in an unnecessary direction, and to accurately cut out the effective portion having the chamfered corner portion from the plate-like workpiece. it can.

また、加工対象物は、強化ガラス板の表面及び裏面の少なくとも一方に樹脂膜等が形成されたものであってもよい。また、改質領域としては、レーザ光の照射条件等によって、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等や、これらが混在した領域が形成される。   Further, the object to be processed may be one in which a resin film or the like is formed on at least one of the front surface and the back surface of the tempered glass plate. In addition, as the modified region, a melt-processed region, a crack region, a dielectric breakdown region, a refractive index change region, or a region in which these are mixed is formed depending on the irradiation condition of the laser beam.

1…加工対象物、1a…表面、1b…裏面、10…強化ガラス板、17…有効部、17c…端面、18…角部、18a…面取り面、19…側面、51…第1切断予定ライン、52…第2切断予定ライン、53…第3切断予定ライン、71…第1改質領域、72…第2改質領域、73…第3改質領域、81…第1亀裂、82…第2亀裂、83…第3亀裂、L…レーザ光、P…集光点。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Processing target object, 1a ... Front surface, 1b ... Back surface, 10 ... Tempered glass plate, 17 ... Effective part, 17c ... End surface, 18 ... Corner | angular part, 18a ... Chamfering surface, 19 ... Side surface, 51 ... 1st scheduled cutting line 52 ... second cutting scheduled line, 53 ... third cutting scheduled line, 71 ... first modified region, 72 ... second modified region, 73 ... third modified region, 81 ... first crack, 82 ... first 2 cracks, 83... Third crack, L... Laser light, P.

Claims (6)

強化ガラス板を備える板状の加工対象物から、面取りされた角部を有する有効部を切り出すためのレーザ加工方法であって、
少なくとも前記角部の面取り面に沿うように延在する第1切断予定ラインに沿って、レーザ光の集光点を相対的に移動させることにより、前記加工対象物の厚さ方向に伸展する第1亀裂を発生させる第1改質領域を、前記第1切断予定ラインに沿って前記強化ガラス板の内部に形成する第1工程と、
前記第1工程の後に、前記有効部の外側から前記角部に至るように延在する第2切断予定ラインに沿って、レーザ光の集光点を相対的に移動させることにより、前記加工対象物の厚さ方向に伸展する第2亀裂を発生させる第2改質領域を、前記第2切断予定ラインに沿って前記強化ガラス板の内部に形成する第2工程と、を備える、レーザ加工方法。
A laser processing method for cutting out an effective portion having a chamfered corner from a plate-like processing object including a tempered glass plate,
A laser beam condensing point is relatively moved along a first scheduled cutting line extending along at least the chamfered surface of the corner, thereby extending in the thickness direction of the workpiece. A first step of forming a first modified region for generating one crack in the tempered glass plate along the first scheduled cutting line;
After the first step, the processing target is moved by relatively moving a condensing point of the laser light along a second scheduled cutting line extending from the outside of the effective portion to the corner portion. And a second step of forming a second modified region for generating a second crack extending in the thickness direction of the object inside the tempered glass plate along the second scheduled cutting line. .
前記第1工程では、前記第1亀裂を前記加工対象物の表面及び裏面に到達させ、
前記第2工程では、前記第2亀裂を前記加工対象物の前記表面及び前記裏面に到達させる、請求項1記載のレーザ加工方法。
In the first step, the first crack reaches the front surface and the back surface of the workpiece,
The laser processing method according to claim 1, wherein in the second step, the second crack is caused to reach the front surface and the back surface of the workpiece.
前記第1切断予定ラインが、前記有効部の側面のうち前記面取り面に至る前記有効部の端面に沿うように延在する場合には、前記第1切断予定ラインにおいて前記端面に沿うように延在する部分と連続するように前記第2切断予定ラインを設定する、請求項1又は2記載のレーザ加工方法。   When the first scheduled cutting line extends along the end surface of the effective portion that reaches the chamfered surface of the side surface of the effective portion, the first cutting planned line extends along the end surface in the first planned cutting line. The laser processing method according to claim 1, wherein the second scheduled cutting line is set so as to be continuous with an existing portion. 前記面取り面が凸曲面である場合には、前記第1切断予定ラインにおいて前記面取り面に沿うように延在する部分と接するように前記第2切断予定ラインを設定する、請求項1〜3のいずれか一項記載のレーザ加工方法。   When the chamfered surface is a convex curved surface, the second planned cutting line is set so as to contact a portion extending along the chamfered surface in the first planned cutting line. The laser processing method according to any one of claims. 前記加工対象物から前記有効部を複数切り出す場合には、前記第1工程の前に、隣り合う前記有効部の間を通るように延在する第3切断予定ラインに沿って、レーザ光の集光点を相対的に移動させることにより、前記加工対象物の厚さ方向に伸展する第3亀裂を発生させる第3改質領域を、前記第3切断予定ラインに沿って前記強化ガラス板の内部に形成する第3工程を更に備える、請求項1〜4のいずれか一項記載のレーザ加工方法。   In the case where a plurality of effective portions are cut out from the object to be processed, laser light is collected along a third scheduled cutting line extending so as to pass between adjacent effective portions before the first step. A third modified region that generates a third crack that extends in the thickness direction of the workpiece by moving the light spot relatively is formed inside the tempered glass plate along the third scheduled cutting line. The laser processing method according to any one of claims 1 to 4, further comprising a third step of forming the step. 前記第3工程では、前記第3亀裂を前記加工対象物の表面及び裏面に到達させる、請求項5記載のレーザ加工方法。   The laser processing method according to claim 5, wherein in the third step, the third crack reaches the front surface and the back surface of the processing object.
JP2012018600A 2012-01-31 2012-01-31 Laser processing method Expired - Fee Related JP6050002B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012018600A JP6050002B2 (en) 2012-01-31 2012-01-31 Laser processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012018600A JP6050002B2 (en) 2012-01-31 2012-01-31 Laser processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013154604A true JP2013154604A (en) 2013-08-15
JP6050002B2 JP6050002B2 (en) 2016-12-21

Family

ID=49050275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012018600A Expired - Fee Related JP6050002B2 (en) 2012-01-31 2012-01-31 Laser processing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6050002B2 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106256519A (en) * 2015-06-19 2016-12-28 上海和辉光电有限公司 A kind of method of cutting substrate
JP2017508704A (en) * 2014-02-20 2017-03-30 コーニング インコーポレイテッド Method and apparatus for cutting round portion in flexible thin glass
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003088973A (en) * 2001-09-12 2003-03-25 Hamamatsu Photonics Kk Laser beam machining method
JP2004343008A (en) * 2003-05-19 2004-12-02 Disco Abrasive Syst Ltd Workpiece dividing method utilizing laser beam
JP2006256944A (en) * 2005-03-14 2006-09-28 Lemi Ltd Method and device for cutting brittle material
US20070125757A1 (en) * 2003-03-12 2007-06-07 Fumitsugu Fukuyo Laser beam machining method
JP2010017990A (en) * 2008-07-14 2010-01-28 Seiko Epson Corp Substrate dividing method
JP2011230940A (en) * 2010-04-26 2011-11-17 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd Cutting method for brittle material substrate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003088973A (en) * 2001-09-12 2003-03-25 Hamamatsu Photonics Kk Laser beam machining method
US20070125757A1 (en) * 2003-03-12 2007-06-07 Fumitsugu Fukuyo Laser beam machining method
JP2004343008A (en) * 2003-05-19 2004-12-02 Disco Abrasive Syst Ltd Workpiece dividing method utilizing laser beam
JP2006256944A (en) * 2005-03-14 2006-09-28 Lemi Ltd Method and device for cutting brittle material
JP2010017990A (en) * 2008-07-14 2010-01-28 Seiko Epson Corp Substrate dividing method
JP2011230940A (en) * 2010-04-26 2011-11-17 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd Cutting method for brittle material substrate

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10941070B2 (en) 2014-02-20 2021-03-09 Corning Incorporated Methods and apparatus for cutting radii in flexible thin glass
JP2017508704A (en) * 2014-02-20 2017-03-30 コーニング インコーポレイテッド Method and apparatus for cutting round portion in flexible thin glass
CN106256519B (en) * 2015-06-19 2019-09-24 上海和辉光电有限公司 A kind of method of cutting substrate
CN106256519A (en) * 2015-06-19 2016-12-28 上海和辉光电有限公司 A kind of method of cutting substrate
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US11219966B1 (en) 2018-12-29 2022-01-11 Wolfspeed, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11826846B2 (en) 2018-12-29 2023-11-28 Wolfspeed, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11901181B2 (en) 2018-12-29 2024-02-13 Wolfspeed, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US11911842B2 (en) 2018-12-29 2024-02-27 Wolfspeed, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
US11034056B2 (en) 2019-05-17 2021-06-15 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
US11654596B2 (en) 2019-05-17 2023-05-23 Wolfspeed, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
US12070875B2 (en) 2019-05-17 2024-08-27 Wolfspeed, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods

Also Published As

Publication number Publication date
JP6050002B2 (en) 2016-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6059059B2 (en) Laser processing method
JP5864988B2 (en) Tempered glass sheet cutting method
JP5597051B2 (en) Laser processing method
JP5491761B2 (en) Laser processing equipment
JP5771391B2 (en) Laser processing method
JP5597052B2 (en) Laser processing method
JP6050002B2 (en) Laser processing method
US20110132885A1 (en) Laser machining and scribing systems and methods
JP2016513016A (en) Method and apparatus for laser cutting transparent and translucent substrates
JP2017024014A (en) Wafer production method
JP6012186B2 (en) Processing object cutting method
WO2006101091A1 (en) Laser machining method
TW201321108A (en) Laser machining method and laser machining device
WO2013039012A1 (en) Laser machining method and laser machining device
JP6012185B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP5361916B2 (en) Laser scribing method
JP5894754B2 (en) Laser processing method
JP2012240107A (en) Laser processing method
JP5969214B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2013147380A (en) Method for laser beam machining
JP2014019610A (en) Laser processing method
JP2014091642A (en) Laser processing method, and manufacturing method of electronic device
JP2014177369A (en) Manufacturing method of tempered glass member
JP2014105147A (en) Laser processing method and laser processing apparatus
JP2014091641A (en) Laser processing method, and manufacturing method of electronic device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150126

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160119

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160121

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160308

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160809

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161007

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161101

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161124

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6050002

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees