JP2013152237A - Contact pin with hybrid structure with precious metal plating layer formed on surface of high silicon and extra low carbon stainless steel - Google Patents

Contact pin with hybrid structure with precious metal plating layer formed on surface of high silicon and extra low carbon stainless steel Download PDF

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Yoshinari Yokoo
嘉也 横尾
Fumitsugu Hara
文嗣 原
Yoshihiko Hayashi
壽彦 林
Nan Li
楠 李
Chang Wei Won
昌日 元
Yoshiyuki Shimizu
義之 清水
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a contact pin which can fulfill all five requirements: fine release characteristics from a solder ball, low electrical resistance (contact resistance and material resistance), high corrosion resistance and stable contact resistance, high hardness of parent material, and easy machining.SOLUTION: A contact pin 20 having a hybrid structure where a precious metal plating layer is formed on a surface of high silicon and extra low carbon stainless steel is a contact pin which is used by pressing a pin tip 22 against a solder ball. The contact pin 20 comprises: a contact pin body 30 manufactured from contact pin material made from the precipitation hardening type high silicon and extra low carbon stainless steel which has a Si (silicon) content within a range of 2-5 wt.% and a C (carbon) content of 0.03 wt.% or less as impurity; and a precious metal plating layer 32, which has a higher conductivity than that of the contact pin body 30, formed on a surface of the contact pin body 30.

Description

本発明は、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピンに関する。   The present invention relates to a contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / very low carbon stainless steel.

コンタクトピンは、半導体ウェハー、半導体チップその他の電気製品の電気的特性の検査に用いるコンタクトプローブに用いるための部材である。従来、このようなコンタクトピンとしては、「半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗(接触抵抗及び素材抵抗)が低いこと」、「耐食性(又は耐酸化性)が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」、「機械加工が容易であること」などの要求を満たす観点から、「ベリリウム銅(BeCu)からなる母材の表面に貴金属(めっき層(例えば金めっき層、ニッケル下地金めっき層、ロジウムめっき層))が形成されたコンタクトピン(例えば、非特許文献1及び特許文献1参照。)」、「ステンレス鋼(SUS304)からなる母材の表面に貴金属めっき層が形成されたコンタクトピン(例えば、非特許文献1参照。)」、「SK材からなる母材の表面に貴金属めっき層が形成されたコンタクトピン(例えば、非特許文献1参照。)」、「タングステン(W)からなるコンタクトピン(例えば、特許文献2参照。)」などが用いられている。   The contact pin is a member used for a contact probe used for inspecting electrical characteristics of a semiconductor wafer, a semiconductor chip, and other electrical products. Conventionally, as such a contact pin, “releasability from a solder ball is good”, “electric resistance (contact resistance and material resistance) is low”, “corrosion resistance (or oxidation resistance) is high and contact resistance is high. Is stable, "the hardness of the base metal is high," "easily machined," and the like, from the viewpoint of satisfying the requirements such as "noble metal (BeCu) on the surface of the base material made of beryllium copper (BeCu)" Contact pins (for example, see Non-Patent Document 1 and Patent Document 1) formed with a plating layer (for example, a gold plating layer, a nickel base gold plating layer, or a rhodium plating layer) ”,“ a mother made of stainless steel (SUS304) ” Contact pins in which a noble metal plating layer is formed on the surface of the material (see, for example, Non-Patent Document 1), “Contact pins in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a base material made of SK material (for example, , Refer to Non-Patent Document 1.) ", And" tungsten (W) contact pins made of (for example, see Patent Document 2.) "It is used.

特開2007−85887号公報JP 2007-85887 A 特開2006−98274号公報JP 2006-98274 A

「半導体用プローブ(Double Ended Probes)」、[online]、テスプロ株式会社、[平成22年3月26日検索]、インターネット<URL:http://test-probe.jp/01/15/cat67/028mm032mm.html、http://test-probe.jp/01/15/cat66/010mm026mm.html、http://125.206.116.137/01/15/cat/sds-020-33l.html>“Semiconductor Probes (Double Ended Probes)”, [online], Tespro Co., Ltd., [Search on March 26, 2010], Internet <URL: http://test-probe.jp/01/15/cat67/ 028mm032mm.html, http://test-probe.jp/01/15/cat66/010mm026mm.html, http://125.206.116.137/01/15/cat/sds-020-33l.html>

ところで、コンタクトピンは、繰り返し使用によりピン先端部が酸化したり、繰り返し使用によりピン先端部に半田が付着して汚損されたりして接触不良になり易いことから、定期的にワイヤーブラシによるクリーニング工程を実施する必要がある。しかしながら、「ベリリウム銅(BeCu)からなる母材の表面に貴金属めっき層が形成されたコンタクトピン」においては、母材の硬度が低いため、上記クリーニング工程によりピン先端部が摩耗してしまい、コンタクトピンの寿命が短いという問題がある。   By the way, contact pins are subject to contact failure due to oxidation of the tip of the pin due to repeated use, or contamination due to solder adhering to the tip of the pin due to repeated use. It is necessary to carry out. However, in the “contact pin in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a base material made of beryllium copper (BeCu)”, since the hardness of the base material is low, the tip of the pin is worn by the cleaning process, and the contact There is a problem that the life of the pin is short.

また、「ステンレス鋼(SUS304)からなる母材の表面に貴金属めっき層が形成されたコンタクトピン」又は「SK材からなる母材の表面に貴金属めっき層が形成されたコンタクトピン」においては、母材の耐食性がそれほど高くないため、繰り返し使用により接触抵抗が高くなり、安定した検査ができなくなるという問題がある。   In addition, in “a contact pin having a noble metal plating layer formed on the surface of a base material made of stainless steel (SUS304)” or “a contact pin having a noble metal plating layer formed on the surface of a base material made of SK material”, Since the corrosion resistance of the material is not so high, there is a problem that contact resistance becomes high by repeated use, and stable inspection cannot be performed.

また、ピン先端部を半田ボールに押し当てて用いるコンタクトピンにおいては、半田ボールとの安定した接触を担保するため、ピン先端割れ構造(例えばピン先端四つ割れ構造)を有する。しかしながら、「タングステン(W)からなるコンタクトピン」においては、硬度が高すぎて機械加工が容易ではなく、上記したピン先端割れ構造を形成することが困難であるという問題がある。また、素材価格が高いという問題もある。   Further, the contact pin used by pressing the pin tip against the solder ball has a pin tip cracking structure (for example, a pin tip four-splitting structure) in order to ensure stable contact with the solder ball. However, the “contact pin made of tungsten (W)” has a problem that the hardness is too high and machining is not easy, and it is difficult to form the above-described pin tip crack structure. There is also the problem of high material prices.

すなわち、従来のコンタクトピンにおいては、「半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗(接触抵抗及び素材抵抗)が低いこと」、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」及び「機械加工が容易であること」の5つの要求をすべて満たすことはできなかった。   In other words, in the conventional contact pin, “releasability from the solder ball is good”, “electric resistance (contact resistance and material resistance) is low”, “corrosion resistance is high and contact resistance is stable” All of the five requirements of “high hardness of the base material” and “easy to machine” could not be satisfied.

そこで、本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたもので、「半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗(接触抵抗及び素材抵抗)が低いこと」、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」及び「機械加工が容易であること」の5つの要求をすべて満たすことが可能なコンタクトピンを提供することを目的とする。   Therefore, the present invention has been made in view of the circumstances as described above, and “releasability from solder balls is good”, “electrical resistance (contact resistance and material resistance) is low”, “corrosion resistance is high. The purpose is to provide a contact pin that can satisfy all of the five requirements of "high contact resistance and stability", "high hardness of the base material" and "easy machining". To do.

[1]本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」は、ピン先端部を半田ボールに押し当てて用いるコンタクトピンであって、Si(ケイ素)の含有量が2〜5重量%の範囲内にあり、かつ、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.03重量%以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたコンタクトピン本体と、前記コンタクトピン本体の表面に形成され、前記コンタクトピン本体よりも高い導電率を有する貴金属めっき層とを備えることを特徴とする。 [1] The “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel” according to the present invention is a contact pin used by pressing the tip of a pin against a solder ball. Precipitation hardening type high silicon and extremely low content in which the content of Si (silicon) is in the range of 2 to 5% by weight and the content of C (carbon) as an impurity is 0.03% by weight or less The contact pin main body manufactured from the contact pin raw material which consists of carbon stainless steel, and the noble metal plating layer which is formed in the surface of the said contact pin main body and has a higher electrical conductivity than the said contact pin main body, It is characterized by the above-mentioned.

本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」によれば、コンタクトピン本体が、「表面に不動態膜が形成されることに起因して半田との親和性が低い」ステンレス鋼と同様に「表面に不動態膜が形成される」高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、「半田ボールからの離型性が良いこと」という要求を満たす。   According to the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel” according to the present invention, the contact pin main body has a “passive film formed on the surface”. Because it is manufactured from a contact pin material made of high silicon / ultra-low carbon stainless steel that “passive film is formed on the surface” as well as stainless steel due to low affinity with solder. Satisfies the requirement of good releasability from solder balls.

また、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」によれば、ワイヤーブラシによるクリーニング工程を実施した後には、ピン先端部においては貴金属めっき層が除去されてコンタクトピン本体が露出することになるが、当該コンタクトピン本体が、Si(ケイ素)の含有量が2〜5重量%の範囲内にあり、かつ、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.03重量%以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、後述する試験例からも明らかなように、コンタクトピン本体の耐食性が高く接触抵抗が低い値で安定している。その結果、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」は、「コンタクトピンの耐食性が高く接触抵抗が低い値で安定していること」という要求を満たす。   In addition, according to the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel” of the present invention, after the cleaning process with the wire brush, The noble metal plating layer is removed and the contact pin body is exposed. However, the contact pin body has a Si (silicon) content in the range of 2 to 5% by weight and C as an impurity. Since it is manufactured from a contact pin material made of a precipitation hardening type high silicon / ultra low carbon stainless steel having a (carbon) content of 0.03% by weight or less, it is clear from the test examples described later. In addition, the contact pin body has a high corrosion resistance and is stable at a low contact resistance. As a result, the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel” according to the present invention is stable in a value with high contact resistance and low contact resistance. Satisfy the requirement of

これは、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」で用いる「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼」が、耐食性を付与するSi(ケイ素)を2〜5重量%含有するものであるため、通常のステンレス鋼よりも耐食性が高く、さらには、表面に形成される不動態膜が電気を通す性質を有するため、長期間使用しても、接触抵抗が低い値で安定するからである。   This is because the “high silicon / ultra-low carbon stainless steel” used in the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of the high silicon / ultra-low carbon stainless steel” of the present invention imparts corrosion resistance. Since it contains 2-5% by weight of Si (silicon), it has higher corrosion resistance than ordinary stainless steel, and furthermore, the passive film formed on the surface has the property of conducting electricity, so it can be used for a long time This is because the contact resistance is stabilized at a low value.

また、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」によれば、コンタクトピン本体が、Si(ケイ素)の含有量が2〜5重量%の範囲内にあり、かつ、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.03重量%以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、上述したように、コンタクトピンの接触抵抗が低い値で安定している。また、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」によれば、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するため、ワイヤーブラシによるクリーニング工程を実施した後であっても、上記したコンタクトピン本体の表面にはピン先端部を除いて、コンタクトピン本体よりも高い導電率を有する貴金属めっき層が形成されているため、素材抵抗も低い。その結果、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」は、「電気抵抗(接触抵抗及び素材抵抗)が低いこと」という要求を満たす。   Further, according to the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel” of the present invention, the contact pin body has a Si (silicon) content of 2 to 2. Manufactured from a contact pin material made of precipitation hardened high silicon / ultra-low carbon stainless steel having a C (carbon) content of 0.03% by weight or less within the range of 5% by weight. Therefore, as described above, the contact resistance of the contact pin is stable at a low value. Further, according to the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel” of the present invention, the noble metal plating layer is formed on the surface of the high silicon / ultra-low carbon stainless steel. Because of the formed hybrid structure, noble metal having higher conductivity than the contact pin body except for the tip of the pin on the surface of the contact pin body, even after performing the cleaning process with a wire brush. Since the plating layer is formed, the material resistance is also low. As a result, the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel” according to the present invention requires “low electrical resistance (contact resistance and material resistance)”. Meet.

また、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」によれば、コンタクトピン本体が、Si(ケイ素)の含有量が2〜5重量%の範囲内にあり、かつ、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.03重量%以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、時効硬化処理を実施した後のビッカース硬さHvを700程度にまで高くすることが可能となることから、時効硬化処理を実施した後のコンタクトピンにおいては「母材の硬度が高いこと」という要求を満たす。   Further, according to the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel” of the present invention, the contact pin body has a Si (silicon) content of 2 to 2. Manufactured from a contact pin material made of precipitation hardened high silicon / ultra-low carbon stainless steel having a C (carbon) content of 0.03% by weight or less within the range of 5% by weight. Therefore, since it is possible to increase the Vickers hardness Hv after the age hardening treatment to about 700, in the contact pin after the age hardening treatment, “the hardness of the base material” Satisfies the demand for “high”.

これは、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」で用いる「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼」が、耐食性を付与するSi(ケイ素)を2〜5重量%含有するものであるため、C(炭素)含有率を0.03重量%以下と極めて低い値にしても母材の硬度を高くすることが可能となるからである。   This is because the “high silicon / ultra-low carbon stainless steel” used in the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of the high silicon / ultra-low carbon stainless steel” of the present invention imparts corrosion resistance. Since Si (silicon) is contained in an amount of 2 to 5% by weight, the hardness of the base material can be increased even if the C (carbon) content is as low as 0.03% by weight or less. It is.

さらにまた、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」によれば、コンタクトピン本体が、Si(ケイ素)の含有量が2〜5重量%の範囲内にあり、かつ、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.03重量%以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、時効硬化処理を実施する前のビッカース硬さHvを400程度とすることが可能となる。このため、時効硬化処理を実施する前に機械加工を実施することとすれば容易に機械加工を実施することが可能となることから、「機械加工が容易であること」という要求を満たす。   Furthermore, according to the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel” of the present invention, the contact pin body has a Si (silicon) content of 2 Manufactured from a contact pin material made of a precipitation hardening type high silicon / ultra low carbon stainless steel having a content of C (carbon) as an impurity within a range of ˜5% by weight and 0.03% by weight or less. Therefore, the Vickers hardness Hv before performing the age hardening treatment can be set to about 400. For this reason, if the machining is performed before the age hardening treatment is performed, the machining can be easily performed, so that the requirement that “machining is easy” is satisfied.

その結果、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」は、「半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗(接触抵抗及び素材抵抗)が低いこと」、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」及び「機械加工が容易であること」の5つの要求をすべて満たすことが可能なコンタクトピンとなる。   As a result, the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel” according to the present invention has “good releasability from a solder ball”, “electric resistance Five requirements: "Low contact resistance and material resistance", "High corrosion resistance and stable contact resistance", "High hardness of base material" and "Easy machining" It becomes a contact pin that can satisfy all.

[2]本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」においては、前記コンタクトピン本体は、前記コンタクトピン素材に機械加工を施したものに時効硬化処理を施すことによって硬化されたものであることが好ましい。 [2] In the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel” of the present invention, the contact pin body is machined on the contact pin material. It is preferable that the cured product is subjected to age hardening treatment.

このような構成とすることにより、ピン先端割れ構造を有するピン先端部を、比較的硬度の低い状態のコンタクトピン素材に対して機械加工を施すことにより形成することが可能となる。   By setting it as such a structure, it becomes possible to form the pin front-end | tip part which has a pin front-end | tip crack structure by machining with respect to the contact pin raw material of a state with comparatively low hardness.

[3]本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」においては、ピン先端割れ構造を有することが好ましい。 [3] The “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / very low carbon stainless steel” of the present invention preferably has a pin tip crack structure.

このような構成とすることにより、半田ボールに押し当てて使用するのに好適な構造のコンタクトピンとすることが可能となる。また、接触点が増えるため、接触抵抗をより一層低減することが可能となる。   With such a configuration, it is possible to obtain a contact pin having a structure suitable for being used by being pressed against a solder ball. Further, since the number of contact points increases, the contact resistance can be further reduced.

[4]本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」においては、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.015重量%以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であることが好ましい。 [4] In the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / very low carbon stainless steel” according to the present invention, the content of C (carbon) as an impurity is 0.015 wt. % Or less of high silicon / ultra-low carbon stainless steel is preferable.

このような方法とすることにより、コンタクトピンの耐食性をより一層高くすることが可能となり、ひいては接触抵抗の安定性をより一層高くすることが可能となる。   By adopting such a method, it is possible to further increase the corrosion resistance of the contact pin, and thus further increase the stability of the contact resistance.

[5]本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」においては、前記高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、不純物としてのO(酸素)の含有量が0.005重量%以下であり、かつ、不純物としてのS(硫黄)の含有量が0.02重量%以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であることが好ましい。 [5] In the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel” according to the present invention, the high silicon / ultra-low carbon stainless steel contains O as an impurity. It is preferably a high silicon / ultra-low carbon stainless steel having a content of (oxygen) of 0.005% by weight or less and a content of S (sulfur) as an impurity of 0.02% by weight or less. .

このような構成とすることにより、コンタクトピンの耐食性をより一層高くすることが可能となり、ひいては接触抵抗の安定性をより一層高くすることが可能となる。   By adopting such a configuration, it is possible to further increase the corrosion resistance of the contact pin, and further increase the stability of the contact resistance.

[6]本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」においては、前記高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、電気炉又は転炉で溶製した鉄基合金を真空雰囲気下で精錬することにより製造された高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であることが好ましい。 [6] In the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel” according to the present invention, the high silicon / ultra-low carbon stainless steel is used in an electric furnace or a converter. It is preferably a high silicon / ultra-low carbon stainless steel produced by refining an iron-base alloy melted in a furnace in a vacuum atmosphere.

このような構成とすることにより、より一層不純物含有量の少ない高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材を用いることが可能となることから、コンタクトピンの耐食性をより一層高くすることが可能となり、ひいては接触抵抗の安定性をより一層高くすることが可能となる。   By adopting such a configuration, it becomes possible to use a contact pin material made of high silicon / ultra-low carbon stainless steel with even less impurity content, so that the corrosion resistance of the contact pin can be further increased. As a result, the stability of the contact resistance can be further increased.

[7]本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」においては、前記高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、Si(ケイ素)が3.40〜3.80重量%、Cr(クロム)が10.20〜10.60重量%、Ni(ニッケル)が6.40〜6.60重量%、Mn(マンガン)が0.80〜1.00重量%、Cu(銅)が0.90〜1.10重量%、Co(コバルト)が4.80〜5.00重量%、Mo(モリブデン)が1.40〜1.60重量%、Nb(ニオブ)が3重量%以下、Ta(タンタル)が3重量%以下、Ti(チタン)が0.60〜0.80重量%、W(タングステン)が4重量%以下、V(バナジウム)が4重量%以下、B(ホウ素)が0.01重量%以下、Mg(マグネシウム)が0.010重量%以下、Ca(カルシウム)が0.01重量%以下、希土類元素が0.01重量%以下で、残部がFe(鉄)と不純物とからなる鉄基合金であって、不純物としてのC(炭素)が0.02重量%以下、P(リン)が0.03重量%以下、S(硫黄)が0.03重量%以下、Al(アルミニウム)が0.03重量%以下、N(窒素)が0.05重量%以下、O(酸素)が0.005重量%以下、H(水素)が0.0003重量%以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であることが好ましい。 [7] In the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / very low carbon stainless steel” according to the present invention, the high silicon / very low carbon stainless steel is made of Si (silicon). 3.40-3.80 wt%, Cr (chromium) 10.20-10.60 wt%, Ni (nickel) 6.40-6.60 wt%, Mn (manganese) 0.80 1.00 wt%, Cu (copper) 0.90 to 1.10 wt%, Co (cobalt) 4.80 to 5.00 wt%, Mo (molybdenum) 1.40 to 1.60 wt% Nb (niobium) 3 wt% or less, Ta (tantalum) 3 wt% or less, Ti (titanium) 0.60 to 0.80 wt%, W (tungsten) 4 wt% or less, V (vanadium) Is 4% by weight or less, B (boron) is 0.01 % (%) Or less, Mg (magnesium) is 0.010% by weight or less, Ca (calcium) is 0.01% by weight or less, rare earth elements are 0.01% by weight or less, and the balance is Fe (iron) and impurities. It is an iron-based alloy, and C (carbon) as impurities is 0.02% by weight or less, P (phosphorus) is 0.03% by weight or less, S (sulfur) is 0.03% by weight or less, Al (aluminum) Is 0.03% by weight or less, N (nitrogen) is 0.05% by weight or less, O (oxygen) is 0.005% by weight or less, and H (hydrogen) is 0.0003% by weight or less. Carbon stainless steel is preferred.

このような構成とすることにより、「半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗(接触抵抗及び素材抵抗)が低いこと」、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」及び「機械加工が容易であること」の5つの要求をすべて満たすことが可能なコンタクトピンとして最適な材料からなるコンタクトピンとなる。   By adopting such a configuration, “excellent releasability from solder balls”, “low electrical resistance (contact resistance and material resistance)”, “high corrosion resistance and stable contact resistance” The contact pin is made of an optimum material as a contact pin that can satisfy all of the five requirements of “high hardness of the base material” and “easy to machine”.

実施形態1に係るコンタクトピン20を説明するために示す図。The figure shown in order to demonstrate the contact pin 20 which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施形態1におけるコンタクトピンの製造工程を示すフローチャート。5 is a flowchart showing a manufacturing process of contact pins in the first embodiment. 実施形態1におけるコンタクトピンの製造工程を示す斜視図。FIG. 5 is a perspective view showing a contact pin manufacturing process according to the first embodiment. 実施形態1に係るコンタクトピンの効果を説明するために示す図。The figure shown in order to demonstrate the effect of the contact pin which concerns on Embodiment 1. FIG. 試験例1〜4における評価方法を説明するために示す図。The figure shown in order to demonstrate the evaluation method in Test Examples 1-4. 試験例1〜4における評価結果を示す図。The figure which shows the evaluation result in Test Examples 1-4. 試験例5〜8における評価方法を説明するために示す図である。It is a figure shown in order to demonstrate the evaluation method in Test Examples 5-8. 試験例5〜8における評価結果を示す図。The figure which shows the evaluation result in Test Examples 5-8. 試験例9及び10における評価結果を示す図。The figure which shows the evaluation result in Test Example 9 and 10.

以下、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン(以下、単にコンタクトピンという。)」について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。   Hereinafter, the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel” (hereinafter simply referred to as a contact pin) of the present invention is based on the embodiment shown in the drawings. I will explain.

[実施形態1]
1.コンタクトピン20の構成
図1は、実施形態1に係るコンタクトピン20を説明するために示す図である。図1(a)はコンタクトピン20を構成要素の1つとして備えるコンタクトプローブ10の正面図であり、図1(b)はコンタクトピン20の正面図であり、図1(c)はピン先端部22側から見たコンタクトピン20の斜視図であり、図1(d)は図1(c)中符号R1で示す部分を拡大して見た断面図である。なお、図1(a)中、符号40はパイプを示し、符号42はパイプ中のスプリングを示し、符号50はストッパを示す。
[Embodiment 1]
1. Configuration of Contact Pin 20 FIG. 1 is a view for explaining the contact pin 20 according to the first embodiment. FIG. 1A is a front view of a contact probe 10 including a contact pin 20 as one of its constituent elements, FIG. 1B is a front view of the contact pin 20, and FIG. FIG. 1D is a perspective view of the contact pin 20 viewed from the side 22 and FIG. In FIG. 1A, reference numeral 40 indicates a pipe, reference numeral 42 indicates a spring in the pipe, and reference numeral 50 indicates a stopper.

コンタクトピン20は、図1(a)に示すように、半導体ウェハー、半導体チップその他の電気製品の電気的特性の検査に用いるコンタクトプローブ10に用いるための部材である。   As shown in FIG. 1A, the contact pin 20 is a member used for a contact probe 10 used for inspection of electrical characteristics of a semiconductor wafer, a semiconductor chip, and other electrical products.

コンタクトピン20は、図1(b)に示すように、図示しない検査対象製品における接続部(例えば半田ボール。後述する図4(c)参照。)に押し当てて用いるピン先端部22と、図示しない検査装置(後述する図5参照。)の接続部との接続に用いるピン基端部24と、ピン先端部22及びピン基端部24を連結する連結部26と備える。コンタクトピン20は、図1(c)に示すように、ピン先端割れ構造を有する。コンタクトピン20の直径は、ピン先端部22及びピン連結部26のところで例えば200μm、ピン基端部24のところで例えば240μmである。コンタクトピン20の長さは、ピン基端部24の基端からピン先端部22の先端までで例えば1400μmである。   As shown in FIG. 1B, the contact pin 20 has a pin tip portion 22 used by being pressed against a connection portion (for example, a solder ball; see FIG. 4C described later) in a product to be inspected (not shown). A pin base end portion 24 used for connection with a connection portion of an inspection apparatus (see FIG. 5 described later), and a connecting portion 26 that connects the pin tip end portion 22 and the pin base end portion 24. As shown in FIG. 1C, the contact pin 20 has a pin tip crack structure. The diameter of the contact pin 20 is, for example, 200 μm at the pin distal end portion 22 and the pin connecting portion 26, and is, for example, 240 μm at the pin proximal end portion 24. The length of the contact pin 20 is, for example, 1400 μm from the proximal end of the pin proximal end portion 24 to the distal end of the pin distal end portion 22.

コンタクトピン20は、図1(d)に示すように、コンタクトピン本体30と、コンタクトピン本体30の表面に形成された貴金属めっき層32とを備える。   As shown in FIG. 1D, the contact pin 20 includes a contact pin body 30 and a noble metal plating layer 32 formed on the surface of the contact pin body 30.

コンタクトピン本体30は、Si(ケイ素)の含有量が2〜5重量%の範囲内にあり、かつ、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.03重量%以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものである。高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼としては、有限会社エス・アイ・テクノの高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼(商品名:シリコロイXVI(エックスブイアイ)、シリコロイは有限会社エス・アイ・テクノの登録商標)を用いる。   The contact pin main body 30 is a precipitation hardening type in which the content of Si (silicon) is in the range of 2 to 5% by weight and the content of C (carbon) as an impurity is 0.03% by weight or less. It is manufactured from a contact pin material made of high silicon and ultra-low carbon stainless steel. As high-silicon, ultra-low carbon stainless steel, high silicon, ultra-low carbon stainless steel (trade name: Siricolloy XVI), Silicolloy is a registered company of SII Techno. Trademark).

シリコロイXVIは、Si(ケイ素)が3.40〜3.80重量%、Cr(クロム)が10.20〜10.60重量%、Ni(ニッケル)が6.40〜6.60重量%、Mn(マンガン)が0.80〜1.00重量%、Cu(銅)が0.90〜1.10重量%、Co(コバルト)が4.80〜5.00重量%、Mo(モリブデン)が1.40〜1.60重量%、Nb(ニオブ)が3重量%以下、Ta(タンタル)が3重量%以下、Ti(チタン)が0.60〜0.80重量%、Nb(ニオブ)が3重量%以下、Ta(タンタル)が3重量%以下、W(タングステン)が4重量%以下、V(バナジウム)が4重量%以下、B(ホウ素)が0.01重量%以下、Mg(マグネシウム)が0.010重量%以下、Ca(カルシウム)が0.01重量%以下、希土類元素が0.01重量%以下で、残部がFe(鉄)と不純物とからなる鉄基合金であって、不純物としてのC(炭素)が0.02重量%以下、P(リン)が0.03重量%以下、S(硫黄)が0.03重量%以下、Al(アルミニウム)が0.03重量%以下、N(窒素)が0.05重量%以下、O(酸素)が0.005重量%以下、H(水素)が0.0003重量%以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼である。   Silicoloy XVI is 3.40-3.80 wt% Si (silicon), 10.20-10.60 wt% Cr (chrome), 6.40-6.60 wt% Ni (nickel), Mn (Manganese) is 0.80 to 1.00 wt%, Cu (copper) is 0.90 to 1.10 wt%, Co (cobalt) is 4.80 to 5.00 wt%, and Mo (molybdenum) is 1 .40 to 1.60 wt%, Nb (niobium) 3 wt% or less, Ta (tantalum) 3 wt% or less, Ti (titanium) 0.60 to 0.80 wt%, and Nb (niobium) 3 Wt% or less, Ta (tantalum) 3 wt% or less, W (tungsten) 4 wt% or less, V (vanadium) 4 wt% or less, B (boron) 0.01 wt% or less, Mg (magnesium) 0.010% by weight or less, Ca (calcium) 0.01% by weight Hereinafter, an iron-base alloy composed of 0.01% by weight or less of a rare earth element, the balance being Fe (iron) and impurities, wherein C (carbon) as an impurity is 0.02% by weight or less, P (phosphorus) Is 0.03% by weight or less, S (sulfur) is 0.03% by weight or less, Al (aluminum) is 0.03% by weight or less, N (nitrogen) is 0.05% by weight or less, and O (oxygen) is 0%. 0.005 wt% or less and H (hydrogen) is 0.0003 wt% or less.

従って、コンタクトピン20においては、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、Si(ケイ素)の含有量が3.40〜3.80重量%であり、かつ、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.02重量%以下である。また、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、不純物としてのO(酸素)の含有量が0.005重量%以下であり、かつ、不純物としてのS(硫黄)の含有量が0.02重量%以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼である。また、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、電気炉又は転炉で溶製した鉄基合金を真空雰囲気下で精錬することにより製造された高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼である。   Therefore, in the contact pin 20, the high silicon / ultra-low carbon stainless steel has a Si (silicon) content of 3.40 to 3.80% by weight and a content of C (carbon) as an impurity. Is 0.02% by weight or less. Further, the high silicon / ultra-low carbon stainless steel has an O (oxygen) content of 0.005 wt% or less as an impurity and an S (sulfur) content of 0.02 wt% as an impurity. It is the following high silicon and ultra low carbon stainless steel. The high silicon / ultra-low carbon stainless steel is a high silicon / ultra-low carbon stainless steel produced by refining an iron-based alloy melted in an electric furnace or converter in a vacuum atmosphere.

貴金属めっき層32は、コンタクトピン本体30よりも高い導電率を有する貴金属からなる。貴金属としては、金を用いる。   The noble metal plating layer 32 is made of a noble metal having a higher conductivity than the contact pin main body 30. Gold is used as the noble metal.

2.コンタクトピンの製造方法
図2は、実施形態1におけるコンタクトピンの製造工程を示すフローチャートである。図3は、実施形態1におけるコンタクトピンの製造工程を示す斜視図である。図3(a)はコンタクトピン素材準備工程S10で準備する線材60を示す図であり、図3(b)は外形加工工程S22終了後における仕掛かり部材62を示す図であり、図3(c)は図3(b)の拡大図であり、図3(d)は先端四つ割れ加工工程S24終了後における仕掛かり部材64を示す図であり、図3(e)は切り離し工程S26終了後における仕掛かり部材66(これに時効硬化処理を施したものがコンタクトピン本体30となる。)を示す図であり、図3(f)は金めっき工程S60終了後におけるコンタクトピン20を示す図である。
2. Contact Pin Manufacturing Method FIG. 2 is a flowchart showing a contact pin manufacturing process according to the first embodiment. FIG. 3 is a perspective view illustrating a manufacturing process of the contact pin in the first embodiment. FIG. 3A is a view showing the wire 60 prepared in the contact pin material preparation step S10, and FIG. 3B is a view showing the work member 62 after the outer shape processing step S22 is completed. ) Is an enlarged view of FIG. 3 (b), FIG. 3 (d) is a diagram showing the work-in-progress member 64 after the end quadruple cutting step S24, and FIG. 3 (e) is after the separation step S26. FIG. 3 (f) is a view showing the contact pin 20 after completion of the gold plating step S60. FIG. 3 (f) is a view showing the in-process member 66 (the one subjected to age hardening treatment is the contact pin main body 30). is there.

実施形態1に係るコンタクトピン20は、図2に示すように、「コンタクトピン素材準備工程」、「機械加工工程」、「第1洗浄工程」、「時効硬化処理工程」、「第2洗浄工程」及び「金めっき工程」をこの順序で実施することにより製造することができる。以下、製造工程毎に説明する。   As shown in FIG. 2, the contact pin 20 according to the first embodiment includes a “contact pin material preparation process”, a “machining process”, a “first cleaning process”, an “age hardening process process”, and a “second cleaning process”. ”And“ gold plating step ”can be performed in this order. Hereinafter, each manufacturing process will be described.

(1)コンタクトピン素材準備工程S10
コンタクトピン素材として、時効硬化処理を施していない高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼(有限会社エス・アイ・テクノの高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼(商品名:シリコロイXVI))からなる直径1.0mmの線材60を準備する(図3(a)参照。)。線材60のビッカース硬さHvは約400である。
(1) Contact pin material preparation step S10
Diameter of high-silicon, ultra-low carbon stainless steel that has not been age-hardened as a contact pin material (high silicon, ultra-low carbon stainless steel (trade name: Silicoloy XVI) from S.I.Techno Co., Ltd.) A 0 mm wire 60 is prepared (see FIG. 3A). The Vickers hardness Hv of the wire 60 is about 400.

(2)機械加工工程S20
機械加工工程S20は、外形加工工程S22と先端四つ割れ加工工程S24と切り離し工程S26とからなる。いずれの加工工程S22,S24,S26とも、線材のビッカース硬さHvが約400であるため、通常の加工装置を用いて容易に加工することができる。
(2) Machining step S20
The machining step S20 includes an outer shape machining step S22, a four-end splitting step S24, and a separation step S26. In any of the processing steps S22, S24, and S26, since the Vickers hardness Hv of the wire is about 400, it can be easily processed using a normal processing apparatus.

(2−1)外形加工工程S22
旋盤加工装置により、線材60に対して外形加工を施し、仕掛かり部材62を製造する。仕掛かり部材62の直径は、ピン先端部22及びピン連結部26のところで例えば200μm、ピン基端部24のところで例えば240μmである(図3(b)及び図3(c)参照。)。
(2-1) Outline processing step S22
With the lathe processing device, the wire 60 is subjected to outer shape processing, and the work-in-process member 62 is manufactured. The diameter of the work-in-progress member 62 is, for example, 200 μm at the pin distal end portion 22 and the pin connecting portion 26 and is, for example, 240 μm at the pin proximal end portion 24 (see FIGS. 3B and 3C).

(2−2)先端四つ割れ加工工程S24
NC加工機により、仕掛かり部材62の一方の端部に先端四つ割れ加工を施し、仕掛かり部材64を製造する。仕掛かり部材64は、一方の端部にピン先端四つ割れ構造が形成され、コンタクトピン本体30とほぼ同一の形状を有する(図3(d)参照。)。
(2-2) Four-end splitting process S24
An in-process member 64 is manufactured by subjecting one end of the in-process member 62 to four-end splitting by an NC processing machine. The work-in-process member 64 has a pin tip quadrant structure at one end, and has substantially the same shape as the contact pin main body 30 (see FIG. 3D).

(2−3)切り離し加工工程S26
旋盤加工装置により、仕掛かり部材64を線材60から切り離し、仕掛かり部材66を製造する。仕掛かり部材66は、コンタクトピン本体30とほぼ同一の形状を有する(図3(e)参照。)。
(2-3) Separation processing step S26
The in-process member 64 is separated from the wire 60 by the lathe processing apparatus, and the in-process member 66 is manufactured. The in-process member 66 has substantially the same shape as the contact pin main body 30 (see FIG. 3E).

(3)第1洗浄工程S30
遠心バレル研磨及び化学洗浄を実施することにより、仕掛かり部材66を洗浄する。当該第1洗浄工程S30を実施することにより、機械加工工程S20で表面に付着することがある加工屑を除去するとともに粗面化することがある表面を平滑化する。
(3) First cleaning step S30
The in-process member 66 is cleaned by performing centrifugal barrel polishing and chemical cleaning. By performing the first cleaning step S30, the machining waste that may adhere to the surface in the machining step S20 is removed and the surface that may be roughened is smoothed.

(4)時効硬化処理S40
真空熱処理炉に仕掛かり部材66を入れ、480℃の温度で10時間、仕掛かり部材64に対して時効硬化処理(析出硬化処理ということもある。)S40を施すことにより仕掛かり部材64の硬度を高くする。本時効硬化処理により、仕掛かり部材66のビッカース硬さHvは、650〜750の範囲内となり、仕掛かり部材66がコンタクトピン本体30となる。
(4) Age hardening treatment S40
The in-process member 66 is placed in a vacuum heat treatment furnace, and the in-process member 64 is subjected to age hardening treatment (sometimes referred to as precipitation hardening treatment) S40 at a temperature of 480 ° C. for 10 hours. To increase. By this age hardening treatment, the Vickers hardness Hv of the work-in-progress member 66 falls within the range of 650 to 750, and the work-in-process member 66 becomes the contact pin main body 30.

(5)第2洗浄工程S50
化学洗浄を実施することにより、コンタクトピン本体30を洗浄する。当該第2洗浄工程S50を実施することにより、コンタクトピン本体30に時効硬化処理S40を施す際に発生することのある表面の汚損を除去する。
(5) Second cleaning step S50
The contact pin main body 30 is cleaned by performing chemical cleaning. By performing the second cleaning step S50, surface contamination that may occur when the contact pin main body 30 is subjected to the age hardening treatment S40 is removed.

(6)金めっき工程S60
コンタクトピン本体30に対して金めっきを施すことにより、コンタクトピン本体30の表面に貴金属めっき層としての金めっき層32を形成する(図3(f)参照。)。
(6) Gold plating step S60
By performing gold plating on the contact pin body 30, a gold plating layer 32 as a noble metal plating layer is formed on the surface of the contact pin body 30 (see FIG. 3F).

以上の工程を経て、実施形態1に係るコンタクトピン20を製造することができる。   The contact pin 20 according to the first embodiment can be manufactured through the above steps.

3.コンタクトピンの効果
図4は、実施形態1に係るコンタクトピンの効果を説明するために示す図である。図4(a)はワイヤーブラシによるクリーニング工程を実施する前におけるピン先端部の様子を示す図であり、図4(b)はワイヤーブラシによるクリーニング工程を実施した後におけるピン先端部の様子を示す図であり、図4(c)はワイヤーブラシによるクリーニング工程を実施した後におけるコンタクトピン20と半田ボール72とが接触している様子を示す図であり、図4(d)は検査時におけるコンタクトピン20の電気抵抗を説明するために示す図である。
3. Effect of Contact Pin FIG. 4 is a diagram for explaining the effect of the contact pin according to the first embodiment. FIG. 4A is a diagram showing the state of the pin tip before the wire brush cleaning process is performed, and FIG. 4B is the pin tip after the wire brush cleaning process is performed. FIG. 4C is a diagram showing a state where the contact pin 20 and the solder ball 72 are in contact after the cleaning process using the wire brush is performed, and FIG. 4D is a diagram showing the contact at the time of inspection. FIG. 5 is a diagram for explaining an electrical resistance of a pin 20.

実施形態1に係るコンタクトピン20によれば、コンタクトピン本体30が、表面に不動態膜が形成されることに起因して半田との親和性が低い」ステンレス鋼と同様に「表面に不動態膜が形成される」高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、「半田ボールからの離型性が良いこと」という要求を満たす。   According to the contact pin 20 according to the first embodiment, the contact pin main body 30 is “passive on the surface” in the same manner as the stainless steel whose affinity with the solder is low due to the formation of the passive film on the surface. Since the film is formed from a contact pin material made of high silicon / ultra-low carbon stainless steel, it satisfies the requirement of “good releasability from solder balls”.

また、実施形態1に係るコンタクトピン20によれば、ワイヤーブラシによるクリーニング工程を実施した後には、ピン先端部22においては貴金属めっき層32が除去されてコンタクトピン本体30が露出することになるが(図4(b)参照。)、当該コンタクトピン本体30が、Si(ケイ素)の含有量が2〜5重量%の範囲内にあり、かつ、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.03重量%以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、後述する試験例からも明らかなように、コンタクトピン本体の耐食性が高く接触抵抗が低い値で安定している。その結果、実施形態1に係るコンタクトピン20は、「コンタクトピンの耐食性が高く接触抵抗が低い値で安定していること」という要求を満たす。   Further, according to the contact pin 20 according to the first embodiment, after the cleaning process using the wire brush, the noble metal plating layer 32 is removed at the pin tip portion 22 and the contact pin body 30 is exposed. (See FIG. 4B.) The contact pin body 30 has a Si (silicon) content of 2 to 5% by weight and a C (carbon) content of 0 as an impurity. Since the contact pin body is manufactured from a contact pin material made of precipitation hardening type high silicon / ultra low carbon stainless steel of 0.03 wt% or less, the corrosion resistance of the contact pin main body is evident from the test examples described later. High and stable with low contact resistance. As a result, the contact pin 20 according to the first embodiment satisfies the requirement that the contact pin has high corrosion resistance and is stable at a low contact resistance value.

また、実施形態1に係るコンタクトピン20によれば、コンタクトピン本体30が、Si(ケイ素)の含有量が2〜5重量%の範囲内にあり、かつ、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.03重量%以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、上述したように、コンタクトピンの接触抵抗が低い値で安定している。また、実施形態1に係るコンタクトピン20によれば、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するため、ワイヤーブラシによるクリーニング工程を実施した後であっても、図4(a)〜図4(c)に示すように、上記したコンタクトピン本体の表面にはピン先端部を除いて、コンタクトピン本体30よりも高い導電率を有する貴金属めっき層32が形成されているため、素材抵抗も低い。その結果、実施形態1に係るコンタクトピン20は、「電気抵抗(接触抵抗R1及び素材抵抗R2(ともに図4(d)参照。))が低いこと」という要求を満たす。   Further, according to the contact pin 20 according to the first embodiment, the contact pin body 30 has a Si (silicon) content in the range of 2 to 5% by weight, and contains C (carbon) as an impurity. Since it is manufactured from a contact pin material made of precipitation hardening type high silicon / ultra low carbon stainless steel having an amount of 0.03% by weight or less, as described above, the contact resistance of the contact pin is low. stable. In addition, according to the contact pin 20 according to the first embodiment, since it has a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of high silicon / ultra-low carbon stainless steel, after performing a cleaning process with a wire brush, 4 (a) to 4 (c), a noble metal plating layer 32 having a higher conductivity than the contact pin body 30 is formed on the surface of the contact pin body except for the tip of the pin. Since it is formed, the material resistance is also low. As a result, the contact pin 20 according to the first embodiment satisfies the requirement “low electrical resistance (contact resistance R1 and material resistance R2 (both see FIG. 4D))”.

また、実施形態1に係るコンタクトピン20によれば、コンタクトピン本体30が、Si(ケイ素)の含有量が2〜5重量%の範囲内にあり、かつ、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.03重量%以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、時効硬化処理を実施した後のビッカース硬さHvを700程度にまで高くすることが可能となることから、時効硬化処理を実施した後のコンタクトピンにおいては「母材の硬度が高いこと」という要求を満たす。   Further, according to the contact pin 20 according to the first embodiment, the contact pin body 30 has a Si (silicon) content in the range of 2 to 5% by weight, and contains C (carbon) as an impurity. Since it is manufactured from a contact pin material made of precipitation hardening type high silicon / ultra low carbon stainless steel having an amount of 0.03% by weight or less, the Vickers hardness Hv after the age hardening treatment is 700 Since the contact pin after the age hardening treatment is performed, the requirement that the hardness of the base material is high is satisfied.

さらにまた、実施形態1に係るコンタクトピン20によれば、コンタクトピン本体30が、Si(ケイ素)の含有量が2〜5重量%の範囲内にあり、かつ、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.03重量%以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたものであるため、時効硬化処理を実施する前のビッカース硬さHvを400程度とすることが可能となる。このため、時効硬化処理を実施する前に機械加工を実施することとすれば容易に機械加工を実施することが可能となることから、「機械加工が容易であること」という要求を満たす。   Furthermore, according to the contact pin 20 according to the first embodiment, the contact pin main body 30 has a Si (silicon) content in the range of 2 to 5% by weight, and C (carbon) as an impurity. Since it is manufactured from a contact pin material made of a precipitation hardening type high silicon / ultra low carbon stainless steel having a content of 0.03% by weight or less, the Vickers hardness Hv before carrying out the age hardening treatment is It becomes possible to make it about 400. For this reason, if the machining is performed before the age hardening treatment is performed, the machining can be easily performed, so that the requirement that “machining is easy” is satisfied.

その結果、実施形態1に係るコンタクトピン20は、「半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗(接触抵抗及び素材抵抗)が低いこと」、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」及び「機械加工が容易であること」の5つの要求をすべて満たすことが可能なコンタクトピンとなる。   As a result, the contact pin 20 according to the first embodiment has “good releasability from solder balls”, “low electrical resistance (contact resistance and material resistance)”, “high corrosion resistance and stable contact resistance. It is a contact pin that can satisfy all of the five requirements, that is, “the hardness of the base material is high” and “the machining is easy”.

また、実施形態1に係るコンタクトピン20によれば、コンタクトピン本体30が、コンタクトピン素材に機械加工を施したものに時効硬化処理を施すことによって硬化されたものであるため、ピン先端割れ構造を有するピン先端部を、比較的硬度の低い状態のコンタクトピン素材に対して機械加工を施すことにより形成することが可能となる。   Further, according to the contact pin 20 according to the first embodiment, the contact pin main body 30 is hardened by subjecting the contact pin material to machine processing to age hardening, so that the pin tip crack structure It is possible to form the tip of the pin having a shape by machining a contact pin material having a relatively low hardness.

また、実施形態1に係るコンタクトピン20によれば、ピン先端割れ構造(ピン先端四つ割れ構造)を有するため、図4(c)に示すように、半田ボールに押し当てて使用するのに好適な構造のコンタクトピンとすることが可能となる。また、接触点が増えるため、接触抵抗をより一層低減することが可能となる。   Further, according to the contact pin 20 according to the first embodiment, since it has a pin tip crack structure (pin tip four-splitting structure), as shown in FIG. A contact pin having a suitable structure can be obtained. Further, since the number of contact points increases, the contact resistance can be further reduced.

また、実施形態1に係るコンタクトピン20によれば、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.015重量%以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であるため、コンタクトピンの耐食性をより一層高くすることが可能となり、ひいては接触抵抗の安定性をより一層高くすることが可能となる。   Further, according to the contact pin 20 according to the first embodiment, since the content of C (carbon) as an impurity is a high silicon / ultra-low carbon stainless steel having 0.015% by weight or less, the corrosion resistance of the contact pin is improved. It becomes possible to make it still higher, and as a result, the stability of the contact resistance can be made much higher.

また、実施形態1に係るコンタクトピン20によれば、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼が、不純物としてのO(酸素)の含有量が0.005重量%以下であり、かつ、不純物としてのS(硫黄)の含有量が0.02重量%以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であるため、コンタクトピンの耐食性をより一層高くすることが可能となり、ひいては接触抵抗の安定性をより一層高くすることが可能となる。   In addition, according to the contact pin 20 according to the first embodiment, the high silicon / ultra-low carbon stainless steel has a content of O (oxygen) as an impurity of 0.005% by weight or less and S as an impurity. (Sulfur) content of 0.02% by weight or less is a high silicon / ultra-low carbon stainless steel, which makes it possible to further increase the corrosion resistance of the contact pin and thus further improve the stability of the contact resistance. It becomes possible to make it higher.

また、実施形態1に係るコンタクトピン20によれば、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼が、電気炉又は転炉で溶製した鉄基合金を真空雰囲気下で精錬することにより製造された高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であるため、より一層不純物含有量の少ない高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材を用いることが可能となることから、コンタクトピンの耐食性をより一層高くすることが可能となり、ひいては接触抵抗の安定性をより一層高くすることが可能となる。   Further, according to the contact pin 20 according to the first embodiment, the high silicon / ultra-low carbon stainless steel is manufactured by refining an iron-base alloy melted in an electric furnace or converter in a vacuum atmosphere.・ Because it is an ultra-low carbon stainless steel, it is possible to use contact pin materials made of high silicon and ultra-low carbon stainless steel with even lower impurity content, so that the corrosion resistance of the contact pin is further increased. As a result, the stability of the contact resistance can be further increased.

さらにまた、実施形態1に係るコンタクトピンによれば、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼が、Si(ケイ素)が3.40〜3.80重量%、Cr(クロム)が10.20〜10.60重量%、Ni(ニッケル)が6.40〜6.60重量%、Mn(マンガン)が0.80〜1.00重量%、Cu(銅)が0.90〜1.10重量%、Co(コバルト)が4.80〜5.00重量%、Mo(モリブデン)が1.40〜1.60重量%、Nb(ニオブ)が3重量%以下、Ta(タンタル)が3重量%以下、Ti(チタン)が0.60〜0.80重量%、W(タングステン)が4重量%以下、V(バナジウム)が4重量%以下、B(ホウ素)が0.01重量%以下、Mg(マグネシウム)が0.010重量%以下、Ca(カルシウム)が0.01重量%以下、希土類元素が0.01重量%以下で、残部がFe(鉄)と不純物とからなる鉄基合金であって、不純物としてのC(炭素)が0.02重量%以下、P(リン)が0.03重量%以下、S(硫黄)が0.03重量%以下、Al(アルミニウム)が0.03重量%以下、N(窒素)が0.05重量%以下、O(酸素)が0.005重量%以下、H(水素)が0.0003重量%以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であるため、「半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗(接触抵抗及び素材抵抗)が低いこと」、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」及び「機械加工が容易であること」の5つの要求をすべて満たすことが可能なコンタクトピンとして最適な材料からなるコンタクトピンとなる。   Furthermore, according to the contact pin according to the first embodiment, the high silicon / very low carbon stainless steel has a Si (silicon) of 3.40 to 3.80% by weight and a Cr (chrome) of 10.20 to 10. 60 wt%, Ni (nickel) 6.40-6.60 wt%, Mn (manganese) 0.80-1.00 wt%, Cu (copper) 0.90-1.10 wt%, Co (Cobalt) 4.80 to 5.00 wt%, Mo (molybdenum) 1.40 to 1.60 wt%, Nb (niobium) 3 wt% or less, Ta (tantalum) 3 wt% or less, Ti (Titanium) is 0.60 to 0.80% by weight, W (tungsten) is 4% by weight or less, V (vanadium) is 4% by weight or less, B (boron) is 0.01% by weight or less, Mg (magnesium) 0.010% by weight or less, Ca (calcium) 0.01 An iron-base alloy comprising rare earth elements in an amount of 0.01% by weight or less, the balance being Fe (iron) and impurities, wherein C (carbon) as impurities is 0.02% by weight or less, P ( Phosphorus) is 0.03% by weight or less, S (sulfur) is 0.03% by weight or less, Al (aluminum) is 0.03% by weight or less, N (nitrogen) is 0.05% by weight or less, O (oxygen) Is a high silicon / ultra-low carbon stainless steel having 0.005% by weight or less and H (hydrogen) of 0.0003% by weight or less, so that “releasability from solder balls is good”, “electric resistance ( All five requirements of "low contact resistance and material resistance", "high corrosion resistance and stable contact resistance", "high hardness of base material" and "easy machining" Contour made of the most suitable material for contact pins that can be filled The Topin.

[実施形態2]
実施形態2に係るコンタクトピン20a(図示せず。)は、基本的には実施形態1に係るコンタクトピン20と同様の構成を有するが、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の組成が実施形態1に係るコンタクトピン20の場合と異なる。すなわち、実施形態2に係るコンタクトピン20aにおいては、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼として、有限会社エス・アイ・テクノの高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼(商品名:シリコロイA2)を用いる。
[Embodiment 2]
The contact pin 20a (not shown) according to the second embodiment basically has the same configuration as the contact pin 20 according to the first embodiment, but the composition of the high silicon / ultra-low carbon stainless steel is the first embodiment. This is different from the contact pin 20 according to FIG. That is, in the contact pin 20a according to the second embodiment, high silicon / ultra-low carbon stainless steel (trade name: Silicoloy A2) manufactured by SII Techno Co., Ltd. is used as the high silicon / ultra-low carbon stainless steel.

シリコロイA2は、Si(ケイ素)が3.00〜5.00重量%、Cr(クロム)が10.00〜13.00重量%、Ni(ニッケル)が6.00〜7.00重量%、Mn(マンガン)が0.50〜1.50重量%、Cu(銅)が0.80〜1.20重量%、Mo(モリブデン)が0.30〜1.00重量%、Nb(ニオブ)が0.30〜1.00重量%、残部がFe(鉄)と不純物とからなる鉄基合金であって、不純物としてのC(炭素)が0.02重量%以下、P(リン)が0.04重量%以下、S(硫黄)が0.03重量%以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼である。   Silicoloy A2 is 3.00 to 5.00% by weight of Si (silicon), 10.00 to 13.00% by weight of Cr (chromium), 6.00 to 7.00% by weight of Ni (nickel), Mn (Manganese) is 0.50 to 1.50% by weight, Cu (copper) is 0.80 to 1.20% by weight, Mo (molybdenum) is 0.30 to 1.00% by weight, and Nb (niobium) is 0. .30 to 1.00% by weight, the balance being an iron-based alloy composed of Fe (iron) and impurities, C (carbon) as impurities being 0.02% by weight or less, and P (phosphorus) being 0.04 It is a high silicon / ultra-low carbon stainless steel having a weight% or less and S (sulfur) of 0.03% or less.

このように、実施形態2に係るコンタクトピン20aは、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の組成が実施形態1に係るコンタクトピン20の場合とは異なるが、Si(ケイ素)の含有量が2〜5重量%の範囲内にあり、かつ、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.03重量%以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたコンタクトピン本体と、コンタクトピン本体の表面に形成され、コンタクトピン本体よりも高い導電率を有する貴金属めっき層とを備えるため、実施形態1に係るコンタクトピン20の場合と同様に、「半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗(接触抵抗及び素材抵抗)が低いこと」、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」及び「機械加工が容易であること」の5つの要求をすべて満たすことが可能なコンタクトピンとなる。   Thus, the contact pin 20a according to the second embodiment is different from the contact pin 20 according to the first embodiment in the composition of high silicon / ultra-low carbon stainless steel, but the content of Si (silicon) is 2 to 2. Manufactured from a contact pin material made of precipitation hardened high silicon / ultra-low carbon stainless steel having a C (carbon) content of 0.03% by weight or less within the range of 5% by weight. Since the contact pin main body and the noble metal plating layer formed on the surface of the contact pin main body and having a higher conductivity than the contact pin main body are provided, as in the case of the contact pin 20 according to the first embodiment, “solder ball Good mold releasability ”,“ low electrical resistance (contact resistance and material resistance) ”,“ high corrosion resistance and stable contact resistance ”,“ hardness of base material Ikoto "and the five contact pins which can satisfy all the requirements of" that machining is easy. "

なお、実施形態2に係るコンタクトピン20aは、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の組成以外の点においては実施形態1に係るコンタクトピン20と同様の構成を有するため、実施形態1に係るコンタクトピン10が有する効果のうち該当する効果を有する。   The contact pin 20a according to the second embodiment has the same configuration as that of the contact pin 20 according to the first embodiment except for the composition of the high silicon / ultra-low carbon stainless steel, and therefore the contact pin according to the first embodiment. 10 has the corresponding effect.

[試験例]
以下、試験例により本発明をさらに具体的に説明する。
[Test example]
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to test examples.

1.試験例1〜4(環境信頼性試験1)
試験例1〜4は、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」に用いる高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼が「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」という要件を満たすことを示す試験例である。
1. Test examples 1 to 4 (environmental reliability test 1)
Test Examples 1 to 4 show that the high silicon / ultra-low carbon stainless steel used for the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of the high silicon / ultra-low carbon stainless steel” of the present invention is “corrosion resistant. It is a test example showing that the requirement that “the contact resistance is high and stable” is satisfied.

1−1.試料の調整
有限会社エス・アイ・テクノから購入した高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼(商品名:シリコロイXVI)を幅10mm、長さ50mm、厚さ4mmの大きさの試験片に調製した後、表面を清浄化して、試験例1とした。また、有限会社エス・アイ・テクノから購入した高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼(商品名:シリコロイA2)を幅10mm、長さ50mm、厚さ4mmの大きさの試験片に調製した後、表面を清浄化して、試験例2とした。また、ステンレス鋼SUS304を幅10mm、長さ50mm、厚さ4mmの大きさの試験片に調製した後、表面を清浄化して、試験例3とした。また、ステンレス鋼SUS304を幅10mm、長さ50mm、厚さ4mmの大きさの試験片に調製した後、表面を清浄化し、さらには接触抵抗が極めて低い金めっきを表面に施して、試験例4とした。試験例1及び2が実施例であり、試験例3が比較例であり、試験例4が対照例である。
1-1. Preparation of sample After preparing a high silicon / ultra-low carbon stainless steel (trade name: Silicoloy XVI) purchased from SII Techno Co., Ltd. into a test piece having a width of 10 mm, a length of 50 mm and a thickness of 4 mm, The surface was cleaned to give Test Example 1. In addition, after preparing a high silicon / ultra-low carbon stainless steel (trade name: Silicoloy A2) purchased from SII Techno Co., Ltd. into a test piece having a width of 10 mm, a length of 50 mm and a thickness of 4 mm, the surface Was made into Test Example 2. Further, after preparing stainless steel SUS304 into a test piece having a width of 10 mm, a length of 50 mm, and a thickness of 4 mm, the surface was cleaned, and Test Example 3 was obtained. Further, after preparing stainless steel SUS304 into a test piece having a width of 10 mm, a length of 50 mm, and a thickness of 4 mm, the surface was cleaned, and further gold plating with extremely low contact resistance was applied to the surface. It was. Test examples 1 and 2 are examples, test example 3 is a comparative example, and test example 4 is a control example.

1−2.評価方法
図5は、試験例1〜4における評価方法を説明するために示す図である。
試験例1〜4についての評価は、図5に示すように、環境信頼性試験のための熱処理の前後における試験例1〜4に係る試験片Wの表面に対して、市販の「ベリリウム銅(BeCu)からなる母材の表面に金めっき層が形成されたコンタクトピン120」を所定の圧力条件下(30g、60g、90g)で押し付けたときの抵抗を測定することにより行った。すなわち、試験例1〜3においては、図5(a)に示すように、コンタクトピン120と、ステンレス鋼(高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼又は通常のステンレス鋼)とが接触する条件のもとで抵抗を測定することとなり、試験例4においては、図5(b)に示すように、コンタクトピン120と金めっき層とが接触する条件のもとで抵抗を測定することとなる。
1-2. Evaluation Method FIG. 5 is a diagram for explaining an evaluation method in Test Examples 1 to 4.
As shown in FIG. 5, the test examples 1 to 4 are evaluated on the surface of the test piece W according to Test Examples 1 to 4 before and after the heat treatment for the environmental reliability test. The measurement was performed by measuring the resistance when the contact pin 120 "having a gold plating layer formed on the surface of a base material made of BeCu) was pressed under a predetermined pressure condition (30 g, 60 g, 90 g). That is, in Test Examples 1 to 3, as shown in FIG. 5A, the contact pin 120 and stainless steel (high silicon / very low carbon stainless steel or normal stainless steel) are in contact with each other. Thus, in Test Example 4, as shown in FIG. 5B, the resistance is measured under the condition where the contact pin 120 and the gold plating layer are in contact with each other.

熱処理は、試験例1〜4に係る試験片を150℃の乾燥機に100時間静置することにより行った。また、抵抗の測定は、アデックス株式会社の接触抵抗計(LCRメーター/商品名:AX−221N)を用いて行った。圧力の設定は、株式会社イマダの圧力測定器(フォースゲージ/商品名:Z2−2N)を用いて行った。なお、市販のコンタクトピン120としては、ピン先端割れ構造を有していないものを用いた。   The heat treatment was performed by leaving the test pieces according to Test Examples 1 to 4 in a dryer at 150 ° C. for 100 hours. The resistance was measured using a contact resistance meter (LCR meter / trade name: AX-221N) manufactured by ADEX Co., Ltd. The pressure was set using a pressure measuring instrument (force gauge / trade name: Z2-2N) manufactured by Imada Corporation. A commercially available contact pin 120 having no pin tip crack structure was used.

1−3.評価結果
図6は、試験例1〜4における評価結果を示す図である。
図6からも分かるように、試験例3の場合には、どの圧力条件のもとにおいても熱処理によって抵抗が大きく増加している(例えば、90gの圧力条件の場合でも0.16Ωも増加している。)のに対して、試験例1及び2の場合には、どの圧力条件のもとにおいても熱処理によって抵抗がそれほど増加していない(例えば、30gの圧力条件の場合でも0.05Ω(試験例1)又は0.07Ω(試験例2)しか増加していない。)。この結果から、試験例1及び2に係る試験片(高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼)は、試験例3に係る試験片(通常のステンレス鋼)と比較して、熱処理によっても抵抗の変化が小さく、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」という要件を満たすことが明らかとなった。
1-3. Evaluation Results FIG. 6 is a diagram showing evaluation results in Test Examples 1 to 4.
As can be seen from FIG. 6, in the case of Test Example 3, the resistance is greatly increased by the heat treatment under any pressure condition (for example, 0.16Ω is increased even under the pressure condition of 90 g). On the other hand, in the case of Test Examples 1 and 2, the resistance did not increase so much by heat treatment under any pressure condition (for example, 0.05Ω (test in the case of 30 g pressure condition) Example 1) or 0.07Ω (Test Example 2) only increased.) From this result, the test piece (high silicon / very low carbon stainless steel) according to Test Examples 1 and 2 has a resistance change even by heat treatment as compared with the test piece according to Test Example 3 (ordinary stainless steel). It was found that it is small and satisfies the requirement of “high corrosion resistance and stable contact resistance”.

2.試験例5〜8(電気抵抗試験)
試験例5〜8は、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」で採用するハイブリッド構造が「電気抵抗(接触抵抗及び素材抵抗)が低いこと」という要件を満たすことを示す試験例である。
2. Test Examples 5 to 8 (electric resistance test)
Test Examples 5 to 8 show that the hybrid structure employed in the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel” of the present invention is “electrical resistance (contact resistance and material). It is a test example showing that the requirement of “resistance is low” is satisfied.

2−1.試料の調整
有限会社エス・アイ・テクノから購入した高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼(商品名:シリコロイXVI)からコンタクトピン本体を作製した後、表面を清浄化して、試験例5とした。また、試験例5と同じ構成のコンタクトピン本体の全表面に金めっきを施したものを試験例6とした。また、有限会社エス・アイ・テクノから購入した高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼(商品名:シリコロイA2)からコンタクトピン本体を作製した後、表面を清浄化して、試験例7とした。また、試験例7と同じ構成のコンタクトピン本体の全表面に金めっきを施したものを試験例8とした。試験例5及び7が比較例であり、試験例6及び8が実施例である。なお、各試験例とも、コンタクトピン本体として、ピン先端割れ構造を有していないコンタクトピンを作製した。
2-1. Preparation of Sample A contact pin body was made from a high silicon / ultra-low carbon stainless steel (trade name: Silicoloy XVI) purchased from SII Techno Co., Ltd., and then the surface was cleaned to obtain Test Example 5. Further, Test Example 6 was obtained by applying gold plating to the entire surface of the contact pin main body having the same configuration as Test Example 5. In addition, a contact pin body was made from a high silicon / ultra-low carbon stainless steel (trade name: Silicoloy A2) purchased from S.I.Techno Co., Ltd., and then the surface was cleaned. Test example 8 was obtained by applying gold plating to the entire surface of the contact pin main body having the same configuration as test example 7. Test examples 5 and 7 are comparative examples, and test examples 6 and 8 are examples. In each test example, a contact pin having no pin tip crack structure was produced as a contact pin body.

2−2.評価方法
図7は、試験例5〜8における評価方法を説明するために示す図である。
試験例5〜8についての評価は、図7に示すように、上記した試験例4に係る試験片と同じ構成の平板(ステンレス鋼SUS304を幅10mm、長さ50mm、厚さ4mmの大きさの素材に調製した後、表面を清浄化し、さらには接触抵抗が極めて低い金めっきを表面に施したもの)に対して、試験例5〜8に係るコンタクトピンを所定の圧力条件下(30g)で押し付けたときの抵抗を測定することにより行った。すなわち、試験例5及び7においては、電流は、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン本体を流れるのに対して、試験例6及び8においては、電流は、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン本体を流れるに加えて当該コンタクトピン本体よりも高い導電率を有する金めっき層をも流れることとなる。
2-2. Evaluation Method FIG. 7 is a diagram for explaining an evaluation method in Test Examples 5 to 8.
As shown in FIG. 7, the test examples 5 to 8 are evaluated as follows. A flat plate (stainless steel SUS304 having a width of 10 mm, a length of 50 mm, and a thickness of 4 mm is the same as the test piece according to Test Example 4 described above. After preparing the material, the contact pin according to Test Examples 5 to 8 is subjected to a predetermined pressure condition (30 g) for the surface is cleaned and the surface is subjected to gold plating with extremely low contact resistance. This was done by measuring the resistance when pressed. That is, in Test Examples 5 and 7, the current flows through the contact pin body made of high silicon and extremely low carbon stainless steel, whereas in Test Examples 6 and 8, the current is high silicon and extremely low carbon. In addition to flowing through the contact pin main body made of stainless steel, a gold plating layer having a higher conductivity than the contact pin main body also flows.

抵抗の測定は、アデックス株式会社の接触抵抗計(LCRメーター/商品名:AX−221N)を用いて行った。圧力の設定は、株式会社イマダの圧力測定器(フォースゲージ/商品名:Z2−2N)を用いて行った。   The resistance was measured using a contact resistance meter (LCR meter / trade name: AX-221N) manufactured by ADEX Co., Ltd. The pressure was set using a pressure measuring instrument (force gauge / trade name: Z2-2N) manufactured by Imada Corporation.

2−3.評価結果
図8は、試験例5〜8の試験例についての評価結果を示す表である。
図8からも分かるように、試験例6及び8においては、試験例5及び7におけるよりも抵抗が大きく低減していることがわかった(ともに0.11Ω低減している。)。この結果から、試験例6及び8に係るコンタクトピン(高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン)は、試験例5及び7に係るコンタクトピン(高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなり、ハイブリッド構造を有しないコンタクトピン)との比較から、「電気抵抗(接触抵抗及び素材抵抗)が低いこと」という要件を満たすことが明らかとなった。
2-3. Evaluation Results FIG. 8 is a table showing the evaluation results for the test examples of Test Examples 5 to 8.
As can be seen from FIG. 8, in Test Examples 6 and 8, it was found that the resistance was greatly reduced compared to Test Examples 5 and 7 (both reduced by 0.11Ω). From this result, the contact pins according to Test Examples 6 and 8 (contact pins having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of high silicon / ultra-low carbon stainless steel) are the contact pins according to Test Examples 5 and 7. Comparison with (contact pin made of high silicon / ultra-low carbon stainless steel and not having a hybrid structure) revealed that the requirement “low electrical resistance (contact resistance and material resistance)” is satisfied.

3.試験例9及び10(環境信頼性試験2)
試験例9及び10は、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」が「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」及び「電気抵抗(接触抵抗及び素材抵抗)が低いこと」という2つの要件を満たすことを示す試験例である。
3. Test examples 9 and 10 (environmental reliability test 2)
Test Examples 9 and 10 show that the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel” of the present invention is “high in corrosion resistance and stable in contact resistance”. And a test example showing that the two requirements of “low electrical resistance (contact resistance and material resistance)” are satisfied.

3−1.試料の調整
有限会社エス・アイ・テクノから購入した高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼(商品名:シリコロイXVI)からコンタクトピン本体を作製し、表面を清浄化した後、表面に金めっきを施したものを試験例9とした。また、有限会社エス・アイ・テクノから購入した高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼(商品名:シリコロイA2)からコンタクトピン本体を作製し、表面を清浄化した後、表面に金めっきを施したものを試験例10とした。試験例9及び10は実施例である。
3-1. Preparation of sample The contact pin body was made from high silicon / ultra-low carbon stainless steel (trade name: Silicoloy XVI) purchased from SII Techno Co., Ltd., the surface was cleaned, and then the surface was plated with gold. This was designated as Test Example 9. In addition, the contact pin body was made from high silicon, ultra-low carbon stainless steel (trade name: Silicoloy A2) purchased from S.I.Techno Co., Ltd., the surface was cleaned, and then the surface was plated with gold Was designated as Test Example 10. Test Examples 9 and 10 are examples.

3−2.評価方法
試験例9及び10についての評価は、上記した試験例4に係る試験片と同じ構成の平板(ステンレス鋼SUS304を幅10mm、長さ50mm、厚さ4mmの大きさの素材に調製した後、表面を清浄化し、さらには接触抵抗が極めて低い金めっきを表面に施したもの)に対して、環境信頼性試験のための熱処理の前後における試験例9及び10に係るコンタクトピンを所定の圧力条件下(30g、60g、90g)で押し付けたときの抵抗を測定することにより行った。
3-2. Evaluation Method Evaluation for Test Examples 9 and 10 is performed after a flat plate (stainless steel SUS304 having a width of 10 mm, a length of 50 mm, and a thickness of 4 mm is prepared as the test piece according to Test Example 4 described above. The contact pins according to Test Examples 9 and 10 before and after the heat treatment for the environmental reliability test are applied at a predetermined pressure. It was performed by measuring the resistance when pressed under the conditions (30 g, 60 g, 90 g).

熱処理は、試験例9及び10に係るコンタクトピンを150℃の乾燥機に100時間静置することにより行った。また、抵抗の測定は、アデックス株式会社の接触抵抗計(LCRメーター/商品名:AX−221N)を用いて行った。圧力の設定は、株式会社イマダの圧力測定器(フォースゲージ/商品名:Z2−2N)を用いて行った。   The heat treatment was performed by leaving the contact pins according to Test Examples 9 and 10 in a dryer at 150 ° C. for 100 hours. The resistance was measured using a contact resistance meter (LCR meter / trade name: AX-221N) manufactured by ADEX Co., Ltd. The pressure was set using a pressure measuring instrument (force gauge / trade name: Z2-2N) manufactured by Imada Corporation.

3−3.評価結果
図9は、試験例9及び10の試験例についての評価結果を示す表である。
図9からも分かるように、試験例9及び10のいずれの場合にも、どの圧力条件のもとにおいても熱処理によって抵抗がそれほど増加していない(例えば、30gの圧力条件の場合でも0.03Ω(試験例9)又は0.01Ω(試験例10)しか増加していない。)。また、試験例9及び10のいずれの場合にも、どの圧力条件のもとにおいても抵抗の絶対値が低い(例えば、30gの圧力条件の場合でも0.17Ω(試験例9)又は0.18Ω(試験例10)である。)。これらの結果から、試験例9及び10に係るコンタクトピン(高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン)は、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」及び「電気抵抗(接触抵抗及び素材抵抗)が低いこと」という2つの要件を満たすことが明らかとなった。
3-3. Evaluation Results FIG. 9 is a table showing the evaluation results for the test examples of Test Examples 9 and 10.
As can be seen from FIG. 9, in any of the test examples 9 and 10, the resistance does not increase so much by heat treatment under any pressure condition (for example, 0.03Ω even under the pressure condition of 30 g). (Test Example 9) or 0.01Ω (Test Example 10) only increases.) Further, in any of Test Examples 9 and 10, the absolute value of the resistance is low under any pressure condition (for example, 0.17Ω (Test Example 9) or 0.18Ω under the pressure condition of 30 g). (Test Example 10)). From these results, the contact pins according to Test Examples 9 and 10 (contact pins having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of high silicon / ultra-low carbon stainless steel) are “high in corrosion resistance and stable in contact resistance. It has become clear that the two requirements of “being low” and “low electric resistance (contact resistance and material resistance)” are satisfied.

以上、本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン」を上記の各実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。   As described above, the “contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel” according to the present invention has been described based on each of the above-described embodiments. The present invention is not limited and can be carried out without departing from the gist thereof. For example, the following modifications are possible.

(1)上記各実施形態においては、高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼として、有限会社エス・アイ・テクノの高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼(商品名:シリコロイXVI及びシリコロイA2)を用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。上記以外の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼を用いても良い。 (1) In the above embodiments, high silicon / ultra-low carbon stainless steel (trade name: Silicoloy XVI and Silicoloy A2) of S.I.Techno Co., Ltd. was used as the high silicon / ultralow carbon stainless steel. However, the present invention is not limited to this. High silicon / ultra-low carbon stainless steel other than the above may be used.

(2)上記各実施形態においては、コンタクトピン本体30の表面に形成する貴金属めっき層として、金めっき層を用いたが、本発明は、これに限定されるものではない。上記貴金属めっき層として、金以外の貴金属からなる貴金属めっき層を用いも良い。 (2) In each of the above embodiments, the gold plating layer is used as the noble metal plating layer formed on the surface of the contact pin main body 30, but the present invention is not limited to this. As the noble metal plating layer, a noble metal plating layer made of a noble metal other than gold may be used.

(3)上記各実施形態においては、コンタクトピン本体30の表面に直接貴金属めっき層を形成したが、本発明は、これに限定されるものではない。コンタクトピン本体30の表面に下地めっき層(例えば銅めっき層)を介して貴金属めっき層を形成しても良い。 (3) In each of the above embodiments, the noble metal plating layer is formed directly on the surface of the contact pin main body 30, but the present invention is not limited to this. A noble metal plating layer may be formed on the surface of the contact pin main body 30 via a base plating layer (for example, a copper plating layer).

(4)上記各実施形態においては、上記した製造方法によりコンタクトピン20,20aを製造したが、本発明は、これに限定されるものではない。上記各実施形態におけるのと異なる製造方法を用いても良い。 (4) In each of the above embodiments, the contact pins 20 and 20a are manufactured by the manufacturing method described above, but the present invention is not limited to this. You may use the manufacturing method different from the said each embodiment.

(5)上記試験例9及び10においては、ピン先端割れ構造を有しないコンタクトピン(すなわち接触点が1つのコンタクトピン)を用いて環境信頼性試験を行ったが、もちろん、ピン先端割れ構造を有するコンタクトピンを用いて環境信頼性試験を行ってもよく、その場合には、接触点が増え、より一層低い接触抵抗、ひいてはより一層低い電気抵抗が得られると予想される。 (5) In the above test examples 9 and 10, the environmental reliability test was performed using a contact pin having no pin tip crack structure (that is, a contact pin having one contact point). An environmental reliability test may be performed using the contact pin having the contact point, and in that case, the contact point is increased, and it is expected that a lower contact resistance and thus a lower electrical resistance can be obtained.

10…コンタクトプローブ、20…コンタクトピン、22…ピン先端部、24…ピン基端部、26…ピン連結部、30…コンタクトピン本体、32…貴金属めっき層、40…パイプ、42…スプリング、50…ストッパ、60…線材、62,64,66…仕掛かり部材、70…被検査装置、72…半田ボール、80…検査装置、100,102,200…接触抵抗評価系、110、212…半田、112,122,214,220…接続ライン、120…コンタクトピン、130…接触抵抗計、210…平板、W…各試験例 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Contact probe, 20 ... Contact pin, 22 ... Pin front-end | tip part, 24 ... Pin base end part, 26 ... Pin connection part, 30 ... Contact pin main body, 32 ... Precious metal plating layer, 40 ... Pipe, 42 ... Spring, 50 ... stopper, 60 ... wire rod, 62, 64, 66 ... work-in-progress member, 70 ... device to be inspected, 72 ... solder ball, 80 ... inspection device, 100, 102, 200 ... contact resistance evaluation system, 110, 212 ... solder, 112, 122, 214, 220 ... connection line, 120 ... contact pin, 130 ... contact resistance meter, 210 ... flat plate, W ... each test example

Claims (7)

ピン先端部を半田ボールに押し当てて用いるコンタクトピンであって、
Si(ケイ素)の含有量が2〜5重量%の範囲内にあり、かつ、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.03重量%以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたコンタクトピン本体と、
前記コンタクトピン本体の表面に形成され、前記コンタクトピン本体よりも高い導電率を有する貴金属めっき層とを備えることを特徴とする高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン。
A contact pin used by pressing the tip of a pin against a solder ball,
Precipitation hardening type high silicon / very low carbon in which the content of Si (silicon) is in the range of 2 to 5% by weight and the content of C (carbon) as an impurity is 0.03% by weight or less. A contact pin body manufactured from a contact pin material made of stainless steel;
A noble metal plating layer is formed on a surface of a high silicon / ultra-low carbon stainless steel formed on the surface of the contact pin body and having a noble metal plating layer having a higher conductivity than the contact pin body. Contact pin with a hybrid structure.
前記コンタクトピン本体は、前記コンタクトピン素材に機械加工を施したものに時効硬化処理を施すことによって硬化されたものであることを特徴とする請求項1に記載の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン。   2. The high silicon / ultra-low carbon stainless steel according to claim 1, wherein the contact pin main body is hardened by subjecting the contact pin material to machining to age hardening. 3. A contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of the substrate. ピン先端割れ構造を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン。   The contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of the high silicon / ultra-low carbon stainless steel according to claim 1, which has a pin tip crack structure. 前記高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.015重量%以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン。   The high silicon / ultra-low carbon stainless steel is a high silicon / ultra-low carbon stainless steel having a content of C (carbon) as an impurity of 0.015% by weight or less. A contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of the high silicon / ultra-low carbon stainless steel according to any one of the above. 前記高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、不純物としてのO(酸素)の含有量が0.005重量%以下であり、かつ、不純物としてのS(硫黄)の含有量が0.02重量%以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であることを特徴とする請求項4に記載の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン。   The high silicon / ultra-low carbon stainless steel has an O (oxygen) content of 0.005 wt% or less as an impurity and an S (sulfur) content of 0.02 wt% or less as an impurity. The contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of the high silicon / ultra-low carbon stainless steel according to claim 4, wherein the contact pin is a high silicon / ultra-low carbon stainless steel. 前記高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、電気炉又は転炉で溶製した鉄基合金を真空雰囲気下で精錬することにより製造された高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であることを特徴とする請求項5に記載の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン。   The high silicon / ultra-low carbon stainless steel is a high silicon / ultra-low carbon stainless steel manufactured by refining an iron-base alloy melted in an electric furnace or converter in a vacuum atmosphere. A contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of the high silicon / ultra-low carbon stainless steel according to claim 5. 前記高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼は、Si(ケイ素)が3.40〜3.80重量%、Cr(クロム)が10.20〜10.60重量%、Ni(ニッケル)が6.40〜6.60重量%、Mn(マンガン)が0.80〜1.00重量%、Cu(銅)が0.90〜1.10重量%、Co(コバルト)が4.80〜5.00重量%、Mo(モリブデン)が1.40〜1.60重量%、Nb(ニオブ)が3重量%以下、Ta(タンタル)が3重量%以下、Ti(チタン)が0.60〜0.80重量%、W(タングステン)が4重量%以下、V(バナジウム)が4重量%以下、B(ホウ素)が0.01重量%以下、Mg(マグネシウム)が0.010重量%以下、Ca(カルシウム)が0.01重量%以下、希土類元素が0.01重量%以下で、残部がFe(鉄)と不純物とからなる鉄基合金であって、不純物としてのC(炭素)が0.02重量%以下、P(リン)が0.03重量%以下、S(硫黄)が0.03重量%以下、Al(アルミニウム)が0.03重量%以下、N(窒素)が0.05重量%以下、O(酸素)が0.005重量%以下、H(水素)が0.0003重量%以下である高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼であることを特徴とする請求項6に記載の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン。   The high silicon / ultra-low carbon stainless steel has Si (silicon) of 3.40 to 3.80 wt%, Cr (chrome) of 10.20 to 10.60 wt%, and Ni (nickel) of 6.40 to 6.60 wt%, Mn (manganese) 0.80 to 1.00 wt%, Cu (copper) 0.90 to 1.10 wt%, Co (cobalt) 4.80 to 5.00 wt% Mo (molybdenum) 1.40 to 1.60 wt%, Nb (niobium) 3 wt% or less, Ta (tantalum) 3 wt% or less, Ti (titanium) 0.60 to 0.80 wt% W (tungsten) is 4 wt% or less, V (vanadium) is 4 wt% or less, B (boron) is 0.01 wt% or less, Mg (magnesium) is 0.010 wt% or less, Ca (calcium) is 0.01 wt% or less, rare earth element is 0.01 wt% or less, Is an iron-based alloy composed of Fe (iron) and impurities, wherein C (carbon) as impurities is 0.02 wt% or less, P (phosphorus) is 0.03% wt% or less, and S (sulfur) is 0 0.03 wt% or less, Al (aluminum) 0.03 wt% or less, N (nitrogen) 0.05 wt% or less, O (oxygen) 0.005 wt% or less, and H (hydrogen) 0.0003 wt%. The contact pin having a hybrid structure in which a noble metal plating layer is formed on the surface of the high silicon / ultra-low carbon stainless steel according to claim 6, wherein the contact pin is a high silicon / ultra-low carbon stainless steel having a weight% or less. .
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