JP2013149518A - Manufacturing method of plasma display panel - Google Patents

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Nobuyuki Ishikura
伸幸 石倉
Kazuo Kamiya
一夫 上谷
Takashi Igari
貴史 猪狩
Osayuki Shigefuji
修行 重藤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method to prevent generation of non-core cissing in which MgO powder dispersed over a protection film is repelled in a process to apply prepared ink with a slit coater.SOLUTION: In a manufacturing method of a plasma display panel formed with an electrode, a dielectric layer and a protection layer over a substrate, the protection layer is formed by the steps of: (i) forming a first protection layer over the dielectric layer which is formed over the substrate using sputtering method or deposition method; (ii) forming an MgO raw material layer by applying MgO raw material over the first protection layer using slit coater method; and (iii) forming a second protection layer by drying the MgO raw material layer. The MgO raw material includes MgO powder and two or more kinds of solvents and any of the two kinds or more solvents is a water-soluble organic solvent having one or more hydroxy groups.

Description

本発明は、保護層上に酸化マグネシウムの結晶粉体を散布する工程を備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a plasma display panel, which includes a step of spraying magnesium oxide crystal powder on a protective layer.

高品位テレビジョン画像を大画面で表示するためのディスプレイ装置として、プラズマディスプレイパネル(以下、PDPとも称す)を用いたディスプレイ装置への期待は高まっている。   As a display device for displaying a high-definition television image on a large screen, there is an increasing expectation for a display device using a plasma display panel (hereinafter also referred to as PDP).

PDPは、映像を見る人から見て表面側となる前面板とその裏側の背面板とを対向配置して、それらの周辺部を封着部材で封着した構造を有している。前面板と背面板との間に形成された放電空間にはネオンおよびキセノンなどの放電ガスが封入されている。前面板は、ガラス基板の一方の面に形成された走査電極と維持電極とから成る表示電極と、これらの電極を覆う誘電体層と保護層とを備えている。背面板は、ガラス基板に上記表示電極と直交する方向にストライプ状に形成された複数のアドレス電極と、これらのアドレス電極を覆う下地誘電体層と、放電空間をアドレス電極毎に区画する隔壁と、隔壁の側面および下地誘電体層上に形成された赤色・緑色・青色の蛍光体層とを備えている。   The PDP has a structure in which a front plate on the front side and a back plate on the back side as viewed from the viewer of an image are arranged to face each other and their peripheral portions are sealed with a sealing member. A discharge gas such as neon and xenon is sealed in a discharge space formed between the front plate and the back plate. The front plate includes a display electrode formed of a scan electrode and a sustain electrode formed on one surface of the glass substrate, and a dielectric layer and a protective layer that cover these electrodes. The back plate includes a plurality of address electrodes formed in a stripe shape in a direction orthogonal to the display electrodes on the glass substrate, a base dielectric layer that covers these address electrodes, and a partition that partitions the discharge space for each address electrode And red, green, and blue phosphor layers formed on the side surfaces of the barrier ribs and the underlying dielectric layer.

表示電極とアドレス電極とは直交していて、その交差部が放電セルを成している。これらの放電セルはマトリクス状に配列されており、赤色・緑色・青色の蛍光体層を有する3個の放電セルがカラー表示のための画素となっている。このようなPDPでは、順次、走査電極とアドレス電極間、および走査電極と維持電極間に所定の電圧が印加されてガス放電を発生させている。そして、かかるガス放電で生じる紫外線により蛍光体層を励起して可視光を発光させることによってカラー画像表示を実現している。   The display electrodes and the address electrodes are orthogonal to each other, and the intersections form discharge cells. These discharge cells are arranged in a matrix, and three discharge cells having red, green, and blue phosphor layers are pixels for color display. In such a PDP, a predetermined voltage is sequentially applied between the scan electrode and the address electrode and between the scan electrode and the sustain electrode to generate gas discharge. A phosphor layer is excited by ultraviolet rays generated by such gas discharge to emit visible light, thereby realizing color image display.

このようなPDPの保護層としては、放電によるイオン衝突から誘電体層を保護すると共に、2次電子放出による蛍光体の発光を促進すべく、「壁電荷保持機能を担う薄膜層」と「初期電子放出機能を担う結晶層」との2層構造の保護層が採用される場合がある。かかる保護層の原料としては、一般的には耐スパッタ性能に優れかつ2次電子放出係数の高い酸化マグネシウム(MgO)が用いられる。   As a protective layer of such a PDP, in order to protect the dielectric layer from ion collisions caused by discharge and to promote phosphor emission by secondary electron emission, a “thin film layer having a wall charge holding function” and “initial stage” In some cases, a protective layer having a two-layer structure of “a crystal layer having an electron emission function” is employed. As a raw material for such a protective layer, generally, magnesium oxide (MgO) having excellent sputtering resistance and a high secondary electron emission coefficient is used.

特許文献1では、MgO薄膜層の形成に蒸着法などを用いる一方、MgO結晶層の形成に、スリットコータ法を用いている。特に、特許文献1の第1の実施形態では、直径0.5〜10μmのMgO単結晶粉体を3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノールとα−テルピネオールとから成る混合溶媒中に分散させることよって、スリットコータ用インクを調製している。   In Patent Document 1, an evaporation method or the like is used for forming the MgO thin film layer, while a slit coater method is used for forming the MgO crystal layer. In particular, in the first embodiment of Patent Document 1, MgO single crystal powder having a diameter of 0.5 to 10 μm is dispersed in a mixed solvent composed of 3-methoxy-3-methyl-1-butanol and α-terpineol. Therefore, the slit coater ink is prepared.

特許文献1の第1の実施形態にて作製したインクにてスリットコータ法を用いてMgO結晶層を形成する場合には、図4に示すように、「MgO薄膜層上にMgO結晶粉体が存在しない領域53」あるいは「周囲領域52に比べてMgO結晶粉体の被覆率が低い領域53」が形成されてしまう現象(以下では「はじき現象」と称す)が発生することがある。図4は従来の「はじき現象」の態様を模式的に表した斜視図である。   When the MgO crystal layer is formed using the slit coater method with the ink produced in the first embodiment of Patent Document 1, as shown in FIG. 4, “MgO crystal powder is formed on the MgO thin film layer. There may occur a phenomenon (hereinafter referred to as a “repelling phenomenon”) in which a “non-existing region 53” or a “region 53 having a lower MgO crystal powder coverage than the surrounding region 52” is formed. FIG. 4 is a perspective view schematically showing a conventional “repelling phenomenon”.

「はじき現象」とは、MgO薄膜層の凸部51起因により生じるものと考えられており、凸部51は、(A)誘電体突起物、(B)MgO薄膜層の蒸着成膜中において発生するMgOスプラッシュ起因のMgO異物、(C)MgO薄膜層形成過程において混入する環境異物などによって、PDP前面板の作製過程で偶発的または不可避的に生じてしまうものである。   The “repellency phenomenon” is considered to be caused by the convex portion 51 of the MgO thin film layer. The convex portion 51 is generated during vapor deposition of (A) dielectric protrusion and (B) MgO thin film layer. MgO splash caused by MgO splash, (C) environmental foreign matter mixed in the MgO thin film layer forming process, and the like, may occur accidentally or unavoidably in the manufacturing process of the PDP front plate.

特開2009−295372号公報JP 2009-295372 A

従来の方法として、特許文献1の第1の実施形態にて作製したインクにてスリットコータ法を用いてMgO結晶層を形成する場合には、図3に示すように、「MgO薄膜層上にMgO結晶粉体が存在しない領域53」あるいは「周囲領域に比べてMgO結晶粉体の被覆率が低い領域53」が形成されてしまう現象(以下では「核なしはじき現象」と称す)が発生することがある。この現象が生じるとMgO薄膜層上におけるMgO結晶粉体の被覆率の均一性が減じられ、放電遅れの抑制・放電確率の均一化が困難になるという問題があった。   As a conventional method, when the MgO crystal layer is formed using the slit coater method with the ink prepared in the first embodiment of Patent Document 1, as shown in FIG. Phenomenon (hereinafter referred to as “nuclear-free repelling phenomenon”) in which “region 53 where no MgO crystal powder exists” or “region 53 where the coverage of MgO crystal powder is lower than the surrounding region” occurs. Sometimes. When this phenomenon occurs, there is a problem that the uniformity of the coverage of the MgO crystal powder on the MgO thin film layer is reduced, and it becomes difficult to suppress the discharge delay and make the discharge probability uniform.

なお、特許文献1記載の「はじき現象」と上記「核なしはじき現象」は似ているが異なるものである。「核なしはじき現象」は凸部51の存在がなくても生じる。   Note that the “repelling phenomenon” described in Patent Document 1 and the above “nuclear-free repelling phenomenon” are similar but different. The “nuclear repelling phenomenon” occurs even without the presence of the convex portion 51.

本発明は、このような事情に鑑みて為されたものである。つまり、本発明の課題は、スリットコータ法における「核なしはじき現象」を抑制する方法およびインクを提供することである。   The present invention has been made in view of such circumstances. That is, an object of the present invention is to provide a method and an ink for suppressing the “nuclear-free repelling phenomenon” in the slit coater method.

上記課題を解決するため、本発明は、基板上に電極と誘電体層と保護層とが形成されたPDPの製造方法であって、前記保護層の形成が、(i)前記基板上に形成された前記誘電体層上にスパッタ法または蒸着法で第1保護層を形成する工程、(ii)前記第1保護層上にスリットコータ法によりMgO原料を塗布してMgO原料層を形成する工程、および(iii)前記MgO原料層を乾燥し、第2保護層を形成する工程を含み、前記MgO原料が、MgO粉体と2種類以上の溶剤を含み、前記2種類以上のいずれの溶剤も1つ以上のヒドロキシ基を持つ水溶性有機溶剤である。   In order to solve the above-described problems, the present invention provides a method for manufacturing a PDP in which an electrode, a dielectric layer, and a protective layer are formed on a substrate, and the formation of the protective layer is (i) formed on the substrate. Forming a first protective layer on the formed dielectric layer by sputtering or vapor deposition, and (ii) forming an MgO raw material layer by applying an MgO raw material on the first protective layer by a slit coater method. And (iii) drying the MgO raw material layer to form a second protective layer, wherein the MgO raw material contains MgO powder and two or more solvents, and any of the two or more solvents are A water-soluble organic solvent having one or more hydroxy groups.

ここで、前記2種類以上の溶剤は、溶剤A、溶剤Bおよび溶剤Cの3種類を含み、全溶剤量に対し、溶媒Bおよび溶媒Cとの和の割合が3.5質量%以上であることが望ましい。   Here, the two or more types of solvents include three types of solvent A, solvent B, and solvent C, and the ratio of the sum of solvent B and solvent C to the total amount of solvent is 3.5% by mass or more. It is desirable.

前記溶剤Aはアルコール系有機溶剤であり、溶剤Bおよび溶剤Cはグリコールエーテル系有機溶剤またはグリコールエーテル系の誘導体であることが望ましい。   The solvent A is an alcoholic organic solvent, and the solvents B and C are preferably glycol ether organic solvents or glycol ether derivatives.

本発明の製造方法では、第2保護層の形成に際して、MgO原料の「核なしはじき現象」を抑制することができる。換言すれば、面内の被覆率が均一なMgO結晶層を形成でき、放電遅れの抑制・放電確率の均一化を図れる。その結果、選択不良等のない良好な放電特性を持つPDPを得ることができる。   In the manufacturing method of the present invention, the “nuclear-free repelling phenomenon” of the MgO raw material can be suppressed when forming the second protective layer. In other words, an MgO crystal layer having a uniform in-plane coverage can be formed, and the discharge delay can be suppressed and the discharge probability can be made uniform. As a result, it is possible to obtain a PDP having good discharge characteristics with no selection failure.

PDPの構造を模式的に示す斜視図The perspective view which shows the structure of PDP typically 本発明の製造方法で得られるPDPの前面板を模式的に表した断面図Sectional drawing which represented the front plate of PDP obtained with the manufacturing method of this invention typically 核なしはじき現象の態様を模式的に表した斜視図Perspective view schematically showing the mode of repelling without a nucleus はじき現象の態様を模式的に表した斜視図Perspective view schematically showing the mode of the repelling phenomenon

以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。以下にて、本発明のPDPの製造方法を詳細に説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Below, the manufacturing method of PDP of this invention is demonstrated in detail.

[PDPの構成]
まず、本発明の製造方法を経ることによって最終的に得られるPDPを簡単に説明する。図1はPDPの構成を断面斜視図により模式的に示した図である。
[Configuration of PDP]
First, the PDP finally obtained through the manufacturing method of the present invention will be briefly described. FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a PDP by a cross-sectional perspective view.

PDP100の前面板1では、平滑で透明かつ絶縁性の基板10(例えばガラス基板)上に、走査電極12と維持電極13とから成る表示電極11が複数形成されており、その表示電極11を覆うように誘電体層15が形成され、更に、その誘電体層15上に保護層16が形成されている。なお、走査電極12および維持電極13は、それぞれ、透明電極と、この透明電極に電気的に接続されたAg等から成るバス電極とから構成されている。尚、基板10上には、遮光層14も形成され得る。   In the front plate 1 of the PDP 100, a plurality of display electrodes 11 including scan electrodes 12 and sustain electrodes 13 are formed on a smooth, transparent and insulating substrate 10 (for example, a glass substrate), and covers the display electrodes 11. A dielectric layer 15 is formed as described above, and a protective layer 16 is further formed on the dielectric layer 15. Scan electrode 12 and sustain electrode 13 are each composed of a transparent electrode and a bus electrode made of Ag or the like electrically connected to the transparent electrode. A light shielding layer 14 can also be formed on the substrate 10.

前面板1に対向配置される背面板2では、絶縁性の基板20上にアドレス電極21が複数形成され、このアドレス電極21を覆うように誘電体層22が形成されている。そして、かかる誘電体層22上のアドレス電極21間に対応する位置に隔壁23が設けられ、誘電体層22の表面上の隣接する隔壁23の間には、赤、緑、青の各色の蛍光体層25がそれぞれ設けられている。   In the back plate 2 disposed to face the front plate 1, a plurality of address electrodes 21 are formed on an insulating substrate 20, and a dielectric layer 22 is formed so as to cover the address electrodes 21. A partition wall 23 is provided at a position corresponding to the space between the address electrodes 21 on the dielectric layer 22. Between the adjacent partition walls 23 on the surface of the dielectric layer 22, fluorescence of red, green, and blue colors is provided. Each body layer 25 is provided.

表示電極11とアドレス電極21とが直交し、且つ、放電空間30が形成されるように、前面板1と背面板2とは、隔壁23を挟んで対向して配置されている。放電空間30には、放電ガスとして、ヘリウム、ネオン、アルゴンまたはキセノンなどの希ガスが封入される。このような構成を有するPDP100では、隔壁23によって仕切られ、表示電極11とアドレス電極21とが交差する放電空間30が放電セル32として機能することになる。   The front plate 1 and the back plate 2 are arranged to face each other with the partition wall 23 therebetween so that the display electrodes 11 and the address electrodes 21 are orthogonal to each other and the discharge space 30 is formed. The discharge space 30 is filled with a rare gas such as helium, neon, argon or xenon as a discharge gas. In the PDP 100 having such a configuration, the discharge space 30 that is partitioned by the partition wall 23 and intersects the display electrode 11 and the address electrode 21 functions as the discharge cell 32.

[PDPの一般的な製造法]
次に、このようなPDP100の典型的な製造方法について簡単に説明する。PDP100の製造は、前面板1の形成工程と背面板2の形成工程とに分かれている。まず、前面板1の形成工程においては、ガラス基板10上に、例えばスパッタ法などで透明電極を形成すると共に焼成法等でバス電極を形成することによって表示電極11を形成する。次いで、表示電極11を覆うように誘電体原料をガラス基板10上に塗布して加熱処理して誘電体層15を形成する。次いで、この誘電体層15上に、前述または後述する方法でMgOなどから成る膜を形成することで保護層16を形成し、前面板1を得ている。
[General manufacturing method of PDP]
Next, a typical manufacturing method of such a PDP 100 will be briefly described. The manufacture of the PDP 100 is divided into a front plate 1 forming step and a back plate 2 forming step. First, in the step of forming the front plate 1, the display electrode 11 is formed on the glass substrate 10 by forming a transparent electrode by, for example, a sputtering method and forming a bus electrode by a firing method or the like. Next, a dielectric material is applied on the glass substrate 10 so as to cover the display electrodes 11 and heat-treated to form the dielectric layer 15. Next, a protective layer 16 is formed on the dielectric layer 15 by forming a film made of MgO or the like by the method described above or later, and the front plate 1 is obtained.

背面板2の形成工程においては、ガラス基板20上に、例えば焼成法等でアドレス電極21を形成し、その上に誘電体原料を塗布して誘電体層22を形成する。次いで、所定のパターンで低融点ガラスから成る隔壁23を形成し、その隔壁23の間に蛍光体材料を塗布して焼成することによって蛍光体層25を形成する。次いで、基板の周縁部に例えば低融点フリットガラス材料を塗布し、焼成を行うことで封着部材(図1には図示せず)を形成し、背面板2を得ている。   In the step of forming the back plate 2, the address electrode 21 is formed on the glass substrate 20 by, for example, a firing method, and a dielectric material is applied thereon to form the dielectric layer 22. Next, the barrier ribs 23 made of low melting point glass are formed in a predetermined pattern, and the phosphor layer 25 is formed by applying a phosphor material between the barrier ribs 23 and baking it. Next, for example, a low melting point frit glass material is applied to the peripheral portion of the substrate and baked to form a sealing member (not shown in FIG. 1), whereby the back plate 2 is obtained.

得られた前面板1と背面板2とを対向するように位置合わせし、その状態で固定したまま加熱して封着部材を軟化させることによって、前面板1と背面板2とを気密に接合する、いわゆるパネル封着工程を行う。引き続いて、加熱しながら放電空間30内のガスを排気する、いわゆる排気ベーキング工程を行った後、放電空間30内に放電ガスを封入することによって、PDP100を完成させる。   The obtained front plate 1 and back plate 2 are aligned so as to face each other, and the front plate 1 and the back plate 2 are joined in an airtight manner by heating in a fixed state and softening the sealing member. A so-called panel sealing step is performed. Subsequently, after performing a so-called exhaust baking process in which the gas in the discharge space 30 is exhausted while being heated, the discharge gas is enclosed in the discharge space 30 to complete the PDP 100.

[本発明の製造方法]
本発明の製造方法は、上述のPDPの製造に際して、前面板の製造、特に前面板に形成される保護層の製造に関している。
[Production method of the present invention]
The production method of the present invention relates to the production of a front plate, particularly the production of a protective layer formed on the front plate, in producing the above-mentioned PDP.

図1および図2を参照して、本発明の実施形態を説明する。図2は本発明の製造方法で得られるPDPの前面板を模式的に表した断面図である。まず、本発明の実施に際しては、電極および誘電体層が形成された基板を用意する。より具体的には、「表示電極および誘電体層が形成されたガラス基板」を用意する。従って、まず、基板10上に、走査電極12と維持電極13とから構成される表示電極11が形成されたものを用意する。基板10としては、ソーダライムガラスや高歪み点ガラス、各種セラミックスからなる絶縁基板であることが好ましく、厚さは1.0mm〜3mm程度であることが好ましい。表示電極11の走査電極12および維持電極13には、それぞれ、ITO等から成る透明電極12a、13a(厚さ50nm〜500nm程度)が形成されていると共に、かかる透明電極上に表示電極の抵抗値を下げるべく、銀を含んで成るバス電極12b、13b(厚さ1μm〜8μm程度)が形成されている(図2参照)。従って、透明電極を薄膜プロセスなどで形成した後に、バス電極の焼成プロセスなどを経て形成する。特に、バス電極の形成に際しては、まず、銀を主成分とした導電性ペーストをスクリーン印刷法によりストライプ状に形成する。また、バス電極は銀を主成分とした感光性ペーストをダイコート法や印刷法により塗布した後に、100℃〜200℃で乾燥した後、露光・現像するフォトリソグラフィ法によりパターンニングすることによってストライプ状に形成してもよい。更には、ディスペンス法やインクジェット法によって形成してもよい。そして、最終的には乾燥に付した後、400℃〜600℃の焼成に付すことによって、バス電極を得る。尚、透明電極上には、Al、CuまたはCr等の金属やCr/Cu/Crのような積層体からなる金属電極を形成してもよい。   An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a front plate of a PDP obtained by the manufacturing method of the present invention. First, in carrying out the present invention, a substrate on which an electrode and a dielectric layer are formed is prepared. More specifically, a “glass substrate on which a display electrode and a dielectric layer are formed” is prepared. Therefore, first, a substrate in which the display electrode 11 including the scan electrode 12 and the sustain electrode 13 is formed on the substrate 10 is prepared. The substrate 10 is preferably an insulating substrate made of soda lime glass, high strain point glass, or various ceramics, and preferably has a thickness of about 1.0 mm to 3 mm. Transparent electrodes 12a and 13a (thickness of about 50 nm to 500 nm) made of ITO or the like are formed on the scanning electrode 12 and the sustain electrode 13 of the display electrode 11, respectively, and the resistance value of the display electrode is formed on the transparent electrode. The bus electrodes 12b and 13b (thickness of about 1 μm to 8 μm) containing silver are formed (see FIG. 2). Therefore, after forming the transparent electrode by a thin film process or the like, the transparent electrode is formed through a bus electrode firing process or the like. In particular, when forming the bus electrode, first, a conductive paste mainly composed of silver is formed in a stripe shape by a screen printing method. In addition, the bus electrode is formed in a stripe shape by applying a photosensitive paste mainly composed of silver by a die coating method or a printing method, drying at 100 ° C. to 200 ° C., and then patterning by a photolithography method that exposes and develops. You may form in. Further, it may be formed by a dispensing method or an ink jet method. And finally, after subjecting to drying, a bus electrode is obtained by subjecting to baking at 400 ° C. to 600 ° C. On the transparent electrode, a metal electrode made of a metal such as Al, Cu or Cr or a laminate such as Cr / Cu / Cr may be formed.

表示電極11の形成に引き続いて、誘電体層15を形成する。誘電体層15は、PDP前面板の一般的な製造で用いられる焼成法またはゾルゲル法などによって得ることができる。例えば、SiO2、B23、ZnO、Bi23を含むガラス粉末と有機溶剤とバインダ樹脂とを混合して成る誘電体原料ペーストをスクリーン印刷法で塗布し、その後、熱処理に付すことによって誘電体層を形成することができる。誘電体層15の厚さは、好ましくは5〜30μm程度であり、より好ましくは10〜20μm程度である。尚、有機溶剤としてはアルコール類(例えばイソプロピルアルコール)やケトン類(例えばメチルイソブチルケトン)を挙げることができ、バインダ樹脂としては、セルロース系樹脂またはアクリル系樹脂などを挙げることができる。 Subsequent to the formation of the display electrode 11, a dielectric layer 15 is formed. The dielectric layer 15 can be obtained by a firing method or a sol-gel method used in general production of a PDP front plate. For example, a dielectric raw material paste formed by mixing glass powder containing SiO 2 , B 2 O 3 , ZnO, Bi 2 O 3 , an organic solvent, and a binder resin is applied by screen printing, and then subjected to heat treatment. Thus, a dielectric layer can be formed. The thickness of the dielectric layer 15 is preferably about 5 to 30 μm, more preferably about 10 to 20 μm. Examples of the organic solvent include alcohols (for example, isopropyl alcohol) and ketones (for example, methyl isobutyl ketone), and examples of the binder resin include cellulose resins and acrylic resins.

誘電体層15の形成に引き続いて、保護層を形成する。従って、本発明の製造方法の工程(i)を実施する。換言すれば、誘電体層上にスパッタ法(スパッタリング法)または蒸着法で第1保護層16aを形成する。好ましくは、酸化マグネシウム(MgO)を含んで成る第1保護層16a(即ち、MgO薄膜層)を形成する。形成される第1保護層の厚さは、好ましくは約0.1〜2μm程度であり、より好ましくは約0.5〜1μm程度である。蒸着法としては、CVDまたはPVDを用いてよい。尚、スパッタ法または蒸着法に限定されず、所望のMgO薄膜層を形成できるのであれば、必要に応じて他の手法を用いてもよい。   Subsequent to the formation of the dielectric layer 15, a protective layer is formed. Therefore, step (i) of the manufacturing method of the present invention is performed. In other words, the first protective layer 16a is formed on the dielectric layer by sputtering (sputtering) or vapor deposition. Preferably, the first protective layer 16a (that is, MgO thin film layer) containing magnesium oxide (MgO) is formed. The thickness of the first protective layer to be formed is preferably about 0.1 to 2 [mu] m, more preferably about 0.5 to 1 [mu] m. As the vapor deposition method, CVD or PVD may be used. In addition, it is not limited to a sputtering method or a vapor deposition method, As long as a desired MgO thin film layer can be formed, you may use another method as needed.

次いで、本発明の製造方法の工程(ii)を実施する。つまり、第1保護層(好ましくはMgO薄膜層)の上に、MgO原料を塗布してMgO原料層を形成する。用いられるMgO原料は、MgO粉体と溶剤Aと溶剤B、または溶剤Aと溶剤Bと溶剤Cとを含んで成るものである。MgO粉体は、好ましくはMgO結晶粉体(MgO微結晶粉体)であり、より好ましくはMgO単結晶粉体である。かかるMgO結晶粉体またはMgO単結晶粉体の粒径は、好ましくは約0.2〜20μm程度、より好ましくは約0.5〜10μm程度である。尚、MgO原料に含まれるMgO粉体の量は、好ましくは0.3〜20質量%(MgO原料基準)、より好ましくは0.3〜10質量%(MgO原料基準)、更に好ましくは0.3〜5質量%(MgO原料基準)であり、例えば約1質量%(MgO原料基準)である。   Next, step (ii) of the production method of the present invention is performed. That is, the MgO raw material layer is formed by applying the MgO raw material on the first protective layer (preferably the MgO thin film layer). The MgO raw material used includes MgO powder and solvent A and solvent B or solvent A, solvent B and solvent C. The MgO powder is preferably MgO crystal powder (MgO microcrystal powder), more preferably MgO single crystal powder. The particle diameter of the MgO crystal powder or MgO single crystal powder is preferably about 0.2 to 20 μm, more preferably about 0.5 to 10 μm. The amount of the MgO powder contained in the MgO raw material is preferably 0.3 to 20% by mass (based on MgO raw material), more preferably 0.3 to 10% by mass (based on MgO raw material), and still more preferably 0.8. 3 to 5% by mass (based on MgO raw material), for example, about 1% by mass (based on MgO raw material).

MgO原料に含まれる溶剤は、溶剤Aと溶剤B、または溶剤Aと溶剤Bと溶剤Cであり、乾燥時の対流を抑制するために、溶剤Aと溶剤B・溶剤Cの蒸気圧がある程度離れている必要がある。全溶剤に対して溶媒Bと溶媒Cとの和の割合が3.5質量%以上であり、溶剤Aの20℃における蒸気圧が50Pa以上、溶剤B・Cの20℃における蒸気圧が20Pa以下である。   The solvent contained in the MgO raw material is solvent A and solvent B, or solvent A, solvent B and solvent C. In order to suppress convection during drying, the vapor pressures of solvent A, solvent B and solvent C are separated to some extent. Need to be. The ratio of the sum of solvent B and solvent C to the total solvent is 3.5% by mass or more, the vapor pressure of solvent A at 20 ° C. is 50 Pa or more, and the vapor pressure of solvent B / C at 20 ° C. is 20 Pa or less. It is.

また、MgO原料に含まれる全溶剤に対する溶剤Bと溶剤Cとの和の割合(即ち溶剤Bおよび溶剤Cの含有率)は、3.5質量%以上である。ここで、本明細書にいう「全溶剤」とは、溶剤が溶剤Aと溶剤Bから成る場合では、「溶剤Aと溶剤B」のことを実質的に意味しており、溶剤がその他の溶剤(つまり、少なくとも1種類の他の溶剤)を付加的に含む場合では「溶剤A、溶剤Bおよびその他の溶剤」のことを実質的に意味している。尚、全溶剤に対する溶剤Bの割合は、好ましくは3.5質量%以上かつ20質量%以下であり、より好ましくは3.5質量%以上かつ12質量%以下である。溶剤Aは水溶性のアルコール系溶剤であり、例えば3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール、2−エトキシエタノールまたは2−メトキシエタノール等の有機溶剤をあげることができる。また、溶剤Bおよび溶剤Cはヒドロキシ基を持つ水溶性のグリコール系溶剤またはその誘導体であり、例えばプロピレングリコール、1,3−ブチレングリコール、1,5−ペンタンジオール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル2−(2−エトキシエトキシ)エタノール、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート酢酸2−(2−エトキシエトキシ)エチル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、1,3−ブタンジオール−3−メチル−1−アセテート等を挙げることができる。   The ratio of the sum of the solvent B and the solvent C to the total solvent contained in the MgO raw material (that is, the content ratio of the solvent B and the solvent C) is 3.5% by mass or more. Here, “total solvent” as used in this specification means “solvent A and solvent B” substantially when the solvent is composed of solvent A and solvent B, and the solvent is the other solvent. In the case of additionally containing (that is, at least one other solvent), it means substantially “solvent A, solvent B and other solvents”. In addition, the ratio of the solvent B with respect to the total solvent becomes like this. Preferably it is 3.5 to 20 mass%, More preferably, it is 3.5 to 12 mass%. The solvent A is a water-soluble alcohol solvent, and examples thereof include organic solvents such as 3-methoxy-3-methyl-1-butanol, 2-ethoxyethanol, and 2-methoxyethanol. The solvent B and the solvent C are water-soluble glycol solvents having a hydroxy group or derivatives thereof, such as propylene glycol, 1,3-butylene glycol, 1,5-pentanediol, diethylene glycol monoethyl ether 2- (2 -Ethoxyethoxy) ethanol, diethylene glycol monoethyl ether acetate 2- (2-ethoxyethoxy) ethyl acetate, diethylene glycol monomethyl ether, 1,3-butanediol-3-methyl-1-acetate and the like.

MgO原料の塗布には、スリットコータ法を用いることが好ましい。「スリットコータ法」とは、巾広のノズルからペースト状原料を圧送吐出して所定の面にペースト状原料を塗布する方法である。かかるスリットコータ法を用いる場合、MgO原料はMgO粉体の凝集防止の観点から7mPa・s以下程度の粘度を有していることが好ましい。ここで、MgO原料は一般に非ニュートン性流体となり得るので、本明細書で用いる粘度は「ずり速度100s−1および温度25℃における粘度」を実質的に意味していることに留意されたい。MgO原料の粘度は、好ましくは3mPa・s以上かつ7mPa・s以下であり、より好ましくは4mPa・s以上かつ7mPa・s以下である。これは、前記スリットコータから7mPa・s以下の原料粘度が求められ、また、MgO粉体の沈降を抑制する点から、3mPa・s以上が望ましく、MgO粉体の粒子径に依存するが、4mPa・s以上の方が、MgO粉体の沈降を抑制する効果が大きいためである。   A slit coater method is preferably used for coating the MgO raw material. The “slit coater method” is a method in which a pasty raw material is applied to a predetermined surface by pumping and discharging a pasty raw material from a wide nozzle. When such a slit coater method is used, the MgO raw material preferably has a viscosity of about 7 mPa · s or less from the viewpoint of preventing aggregation of the MgO powder. Here, it should be noted that the viscosity used herein substantially means “viscosity at a shear rate of 100 s −1 and a temperature of 25 ° C.” since MgO raw materials can generally be non-Newtonian fluids. The viscosity of the MgO raw material is preferably 3 mPa · s or more and 7 mPa · s or less, more preferably 4 mPa · s or more and 7 mPa · s or less. This is because a raw material viscosity of 7 mPa · s or less is required from the slit coater, and 3 mPa · s or more is desirable from the viewpoint of suppressing the precipitation of MgO powder, and depends on the particle diameter of MgO powder, but 4 mPa · s. -It is because the direction more than s has the big effect which suppresses sedimentation of MgO powder.

MgO原料の塗布により形成されるMgO原料層の厚さ(以下にて「Wet膜厚」とも称す)は、スリットコータ法を用いる場合には約5μm〜約13μm程度が好ましい。   When the slit coater method is used, the thickness of the MgO raw material layer formed by application of the MgO raw material (hereinafter also referred to as “Wet film thickness”) is preferably about 5 μm to about 13 μm.

MgO原料層の形成が完了すると、次に、本発明の製造方法の工程(iii)を実施する。つまり、MgO原料層を乾燥に付してMgO原料層から第2保護層16b(即ち、MgO結晶層)を得る。ここでいう「乾燥」とは、MgO原料層に含まれている溶剤(より具体的にいえば溶剤A、溶剤B、溶剤C)を気化させてMgO原料層から除去することを実質的に意味している。例えば、MgO原料層を7〜0.1Paの減圧下または真空下に置いてもよく、あるいは、大気圧下で100℃〜400℃程度の熱処理に付してもよい。必要に応じて「減圧下または真空下」と「熱処理」とを組み合わせてもよい。乾燥後に得られる第2保護層16bの厚さは、溶剤が抜けることに起因して、MgO原料層の厚さよりも減じられ、0.1〜5μm程度となり得る。   When the formation of the MgO raw material layer is completed, step (iii) of the manufacturing method of the present invention is then performed. That is, the MgO raw material layer is dried to obtain the second protective layer 16b (that is, MgO crystal layer) from the MgO raw material layer. Here, “drying” substantially means that the solvent (more specifically, solvent A, solvent B, solvent C) contained in the MgO raw material layer is vaporized and removed from the MgO raw material layer. doing. For example, the MgO raw material layer may be placed under a reduced pressure of 7 to 0.1 Pa or under vacuum, or may be subjected to a heat treatment at about 100 ° C. to 400 ° C. under atmospheric pressure. If necessary, “under reduced pressure or under vacuum” and “heat treatment” may be combined. The thickness of the second protective layer 16b obtained after drying can be reduced from the thickness of the MgO raw material layer to about 0.1 to 5 μm due to the removal of the solvent.

以上の工程(i)〜(iii)によって、第1保護層16a(好ましくはMgO薄膜層)と第2保護層16b(MgO結晶層)とから成る2層構造の保護層が形成され、前面板1が完成することになる。   Through the above steps (i) to (iii), a protective layer having a two-layer structure composed of the first protective layer 16a (preferably MgO thin film layer) and the second protective layer 16b (MgO crystal layer) is formed. 1 will be completed.

前面板1の作製に対して、背面板2は次のようにして作製する。まず、ガラス基板である基板20上に、銀(Ag)材料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や、銀を主成分とした金属膜を全面に形成した後、露光・現像するフォトリソグラフィ法を用いてパターニングする方法などによって前駆体層を形成し、それを所望の温度(例えば約400℃〜約700℃)で焼成することによりアドレス電極21を形成する。次いで、アドレス電極21が形成された基板20上に、下地誘電体層となる誘電体層22を形成する。まず、「ガラス成分(SiO2、B23などから形成される材料)およびビヒクル成分などを主成分とした誘電体原料ペースト」をダイコート法などにより塗布して誘電体ペースト層を形成する。その後、かかる誘電体ペースト層を焼成することによって誘電体層22を形成できる。次いで、隔壁23を所定のピッチで形成する。具体的には、誘電体層22上に隔壁形成用原料ペーストを塗布して所定の形状にパターニングすることにより、隔壁材料層を形成し、その後、それを焼成に付して隔壁23を形成する。例えば、低融点ガラス材料、ビヒクル成分およびフィラー等を主成分とした原料ペーストをダイコート法または印刷法によって塗布して約100℃〜200℃の乾燥に付した後、露光・現像するフォトリソグラフィ法でパターニングし、次いで、約400℃〜約700℃の焼成に付すことによって隔壁23を形成する。尚、隔壁23は、スクリーン印刷で隔壁材料の膜を形成したのち乾燥して、感光性樹脂を含むドライフィルムにより露光・現像処理でパターン形成した後、サンドブラストにより掘削し、ドライフィルムを剥離し、焼成することでも形成することができる。次いで、蛍光体層25を形成する。隣接する隔壁23間の誘電体層22上および隔壁23の側面に蛍光体材料を含む蛍光体原料ペーストを塗布し、焼成することによって蛍光体層25を形成する。より具体的には、蛍光体粉末およびビヒクル成分等を主成分とした原料ペーストをノズル吐出法などで塗布し、次いで、約100℃の乾燥に付すことによって蛍光体層25を形成する。 In contrast to the production of the front plate 1, the back plate 2 is produced as follows. First, a method of screen-printing a paste containing silver (Ag) material on a glass substrate 20 or a photolithography method of exposing and developing after forming a metal film mainly composed of silver on the entire surface is used. Then, a precursor layer is formed by a method such as patterning, and the address electrode 21 is formed by baking the precursor layer at a desired temperature (for example, about 400 ° C. to about 700 ° C.). Next, a dielectric layer 22 serving as a base dielectric layer is formed on the substrate 20 on which the address electrodes 21 are formed. First, a “dielectric material paste mainly composed of a glass component (a material formed from SiO 2 , B 2 O 3, etc.) and a vehicle component” is applied by a die coating method or the like to form a dielectric paste layer. Thereafter, the dielectric layer 22 can be formed by firing the dielectric paste layer. Next, the partition walls 23 are formed at a predetermined pitch. Specifically, a partition wall forming raw material paste is applied on the dielectric layer 22 and patterned into a predetermined shape to form a partition wall material layer, which is then baked to form the partition wall 23. . For example, by a photolithography method in which a raw material paste mainly composed of a low-melting glass material, a vehicle component and a filler is applied by a die coating method or a printing method, dried at about 100 ° C. to 200 ° C., and then exposed and developed. The partition wall 23 is formed by patterning and then baking at about 400 ° C. to about 700 ° C. The partition wall 23 is formed by forming a partition wall material film by screen printing and then drying, and after pattern formation by exposure / development processing using a dry film containing a photosensitive resin, excavation is performed by sandblasting, and the dry film is peeled off. It can also be formed by firing. Next, the phosphor layer 25 is formed. A phosphor raw material paste containing a phosphor material is applied on the dielectric layer 22 between the adjacent barrier ribs 23 and on the side surfaces of the barrier ribs 23 and fired to form the phosphor layer 25. More specifically, the phosphor layer 25 is formed by applying a raw material paste mainly composed of phosphor powder and a vehicle component by a nozzle discharge method or the like, and then subjecting to drying at about 100 ° C.

以上の工程により、基板20上に、所定の構成部材たるアドレス電極21、誘電体層22、隔壁23および蛍光体層25が形成され、背面板2が完成する。   Through the above steps, the address electrode 21, dielectric layer 22, partition wall 23, and phosphor layer 25, which are predetermined constituent members, are formed on the substrate 20, and the back plate 2 is completed.

このようにして所定の構成部材を備えた前面板1と背面板2とは、表示電極11とアドレス電極21とが直交するように対向配置させる。次いで、前面板1と背面板2の周囲をガラスフリットで封着する。そして、形成される放電空間30内を排気した後、放電ガス(ヘリウム、ネオンおよび/またはキセノンなど)を好ましくは55kPa〜80kPaの圧力で封入することによってPDP100を最終的に完成させる。   In this way, the front plate 1 and the back plate 2 provided with predetermined constituent members are arranged to face each other so that the display electrodes 11 and the address electrodes 21 are orthogonal to each other. Next, the periphery of the front plate 1 and the back plate 2 is sealed with glass frit. Then, after evacuating the discharge space 30 to be formed, the PDP 100 is finally completed by enclosing a discharge gas (such as helium, neon and / or xenon) preferably at a pressure of 55 kPa to 80 kPa.

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されずに、種々の改変がなされ得ることを当業者は容易に理解されよう。例えば、第1保護層と第2保護層とから構成される保護層の「2層構造」は、第1保護層と第2保護層とが明確に区別できる態様のみならず、第1保護層と第2保護層とを明確に区別できない態様(例えば第1保護層と第2保護層との間の界面が不明確な態様)であってもよい。   Although the embodiments of the present invention have been described above, those skilled in the art will readily understand that the present invention is not limited thereto and various modifications can be made. For example, the “two-layer structure” of the protective layer composed of the first protective layer and the second protective layer is not limited to the mode in which the first protective layer and the second protective layer can be clearly distinguished, but also the first protective layer. And a mode in which the second protective layer cannot be clearly distinguished (for example, a mode in which the interface between the first protective layer and the second protective layer is unclear) may be used.

[実施例]
インクの溶剤物性が、核なしはじき現象に与える影響を調べるために試験を実施した。尚、以下で説明する試験では、MgO原料のことを便宜上「インク」と呼んでいる。
[Example]
A test was conducted to investigate the effect of the solvent properties of the ink on the repellent phenomenon without nuclei. In the tests described below, the MgO raw material is called “ink” for convenience.

MgOインクとして、以下の材料を含んだものを用いた。   An MgO ink containing the following materials was used.

(実施例1)
・MgO結晶粉体:0.5〜10μmのMgO単結晶粉体
・溶剤A:3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール(93wt%)
・溶剤B:プロピレングリコール(7wt%)
(実施例2)
・MgO結晶粉体:0.5〜10μmのMgO単結晶粉体
・溶剤A:3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール(93wt%)
・溶剤B:プロピレングリコール(3.5wt%)
・溶剤C:ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート酢酸2−(2−エトキシエトキシ)エチル(3.5wt%)
(比較例)
・MgO結晶粉体:0.5〜10μmのMgO単結晶粉体
・溶剤A:3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール(93wt%)
・溶剤B:α−テルピネオール(7wt%)
本試験で用いた溶剤の代表的な物性を表1に示す。同表は各実施例および比較例における溶媒の代表的な物性を示している。ここでMgO粉体濃度は全て0.7質量%とした。
Example 1
MgO crystal powder: 0.5-10 μm MgO single crystal powder Solvent A: 3-methoxy-3-methyl-1-butanol (93 wt%)
・ Solvent B: Propylene glycol (7wt%)
(Example 2)
MgO crystal powder: 0.5-10 μm MgO single crystal powder Solvent A: 3-methoxy-3-methyl-1-butanol (93 wt%)
Solvent B: propylene glycol (3.5 wt%)
Solvent C: Diethylene glycol monoethyl ether acetate 2- (2-ethoxyethoxy) ethyl acetate (3.5 wt%)
(Comparative example)
MgO crystal powder: 0.5-10 μm MgO single crystal powder Solvent A: 3-methoxy-3-methyl-1-butanol (93 wt%)
Solvent B: α-terpineol (7 wt%)
Table 1 shows typical physical properties of the solvents used in this test. The table shows the representative physical properties of the solvents in the examples and comparative examples. Here, the MgO powder concentration was 0.7% by mass.

Figure 2013149518
Figure 2013149518

MgOインクの調製に際しては、上記材料から成る混合物2000gをMgO結晶粉体表面にチッピング等の格子欠陥を起こさないように振幅20μmで30分間超音波処理し、MgO結晶粉体を溶剤中に分散させた。   In preparing the MgO ink, 2000 g of the mixture composed of the above materials was sonicated for 30 minutes with an amplitude of 20 μm so as not to cause lattice defects such as chipping on the surface of the MgO crystal powder, and the MgO crystal powder was dispersed in the solvent. It was.

得られたMgOインクを、蒸着法で形成したMgO薄膜層(厚さ0.7μm程度)の上に塗布した。具体的には、MgOインクをスリットコータ法でWet膜厚が12μmとなるように塗布した(出願人製作のスリットコータ設備使用)。次いで、雰囲気を1Paにまで減圧することで真空乾燥に付し、それによって、溶剤を気化させMgO結晶層(厚さ1.0μm程度)を形成した。   The obtained MgO ink was applied on a MgO thin film layer (thickness of about 0.7 μm) formed by a vapor deposition method. Specifically, MgO ink was applied by a slit coater method so that the wet film thickness was 12 μm (use of slit coater equipment manufactured by the applicant). Next, the atmosphere was reduced in pressure to 1 Pa and subjected to vacuum drying, whereby the solvent was vaporized and an MgO crystal layer (thickness of about 1.0 μm) was formed.

尚、使用した基板はMgO薄膜層蒸着後に基板への吸水を促すため、クリーンルーム内で約2ヶ月保管した基板を使用した。   The substrate used was a substrate stored for about two months in a clean room in order to promote water absorption to the substrate after deposition of the MgO thin film layer.

図3に「核なしはじき現象」の態様を模式的に表した斜視図を示す。スリットコータ法でMgO結晶層を形成するに際しては、図3に示すような「MgO薄膜層にMgO結晶粉体が存在しない領域53」あるいは「周囲領域52に比べて被覆率が低い領域53」が形成されるといった「核なしはじき現象」が生じ得る。   FIG. 3 is a perspective view schematically showing an embodiment of the “nuclear-free repelling phenomenon”. When the MgO crystal layer is formed by the slit coater method, the “region 53 where the MgO crystal powder does not exist in the MgO thin film layer” or “the region 53 having a lower coverage than the surrounding region 52” as shown in FIG. A “nuclear repellency phenomenon” such as formation may occur.

そこで、各実施例および比較例において発生した「核なしはじき現象」を、目視および光学顕微鏡で観察し、その発生数を集計した結果、実施例1および実施例2において発生した「核なしはじき現象」の数は、比較例において発生した「核なしはじき現象」の数より大幅に減少した。   Therefore, the “nuclear-free repelling phenomenon” generated in each example and comparative example was observed visually and with an optical microscope, and the number of occurrences was counted. As a result, the “nuclear-free repelling phenomenon” occurred in Example 1 and Example 2. The number of "" significantly decreased from the number of "nuclear-free repelling phenomenon" that occurred in the comparative example.

ここで、「核なしはじき現象」が生じるメカニズムについて説明しておく。スリットコータを用いてMgOインクを塗布する際、MgO薄膜層の表面には一定量の水分が吸着している。このMgO薄膜層に塗布したMgOインクを真空乾燥に付した際、蒸気圧が高い溶剤Aが優先的に蒸発するため、MgOインクに占める溶剤Bおよび溶剤Cの割合が高くなる期間が存在する。この時、溶剤Bまたは溶剤Cが非水溶性を有している場合、MgO薄膜層の表面に吸着している水分とMgOインクとが反発し、「核なしはじき現象」が生じると考えられる。比較例で発生した「核なしはじき現象」の数が、実施例1および実施例2より多かった原因は、比較例で用いたMgOインクに非水溶性溶剤であるα−テルピネオールが含まれていたためと予想される。   Here, the mechanism by which the “nuclear repellency phenomenon” occurs will be described. When MgO ink is applied using a slit coater, a certain amount of moisture is adsorbed on the surface of the MgO thin film layer. When the MgO ink applied to the MgO thin film layer is vacuum-dried, the solvent A having a high vapor pressure evaporates preferentially, so there is a period in which the ratio of the solvent B and the solvent C in the MgO ink is high. At this time, when the solvent B or the solvent C is water-insoluble, it is considered that the moisture adsorbed on the surface of the MgO thin film layer and the MgO ink are repelled and a “nuclear repelling phenomenon” occurs. The reason why the number of “nuclear-free repelling phenomenon” generated in the comparative example was larger than those in Example 1 and Example 2 was because α-terpineol, which is a water-insoluble solvent, was included in the MgO ink used in the comparative example. It is expected to be.

以上のような結果から、「核なしはじき現象」を抑制するためには、MgOインクを構成するすべての溶剤は水溶性を有していることが必要であることが分かった。   From the above results, it was found that all the solvents constituting the MgO ink must be water-soluble in order to suppress the “nuclear repellency phenomenon”.

本発明の製造方法を通じて最終的に得られるPDPは、良好な放電特性を有するので、一般家庭向けのプラズマテレビおよび商業用プラズマテレビとして好適に用いることができる他、その他の各種表示デバイスとしても好適に用いることができる。   Since the PDP finally obtained through the manufacturing method of the present invention has good discharge characteristics, it can be suitably used as a plasma television for commercial use and a commercial plasma television, and also suitable as various other display devices. Can be used.

また、本発明の製造方法は、PDPに限定されず、他の製品分野でも活用することができる。例えば、電池・電子部品等の分野において、ポリマー・分散剤を含有しないインクをスリットコータ法で基板に塗布して、被覆率が極めて均一な粉体層を形成するといった用途にも適用可能である。   Moreover, the manufacturing method of this invention is not limited to PDP, It can utilize also in another product field. For example, in the field of batteries, electronic components, etc., it can be applied to applications in which a polymer / dispersant-free ink is applied to a substrate by a slit coater method to form a powder layer with a very uniform coverage. .

1 前面板
2 背面板
10 前面板側の基板
11 前面板側の電極(表示電極)
12 走査電極
12a 透明電極
12b バス電極
13 維持電極
13a 透明電極
13b バス電極
14 ブラックストライプ(遮光層)
15 前面板側の誘電体層
16 保護層
16a 第1保護層(MgO薄膜層)
16b 第2保護層(MgO結晶層もしくはMgO粉体層)
51 MgO薄膜層の凸部
52 MgO粉体が所定の被覆率で存在する領域
53 MgO粉体が存在しないあるいは周辺領域52に比べて被覆率が低い領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Front plate 2 Back plate 10 Front board side board 11 Front board side electrode (display electrode)
12 Scan electrode 12a Transparent electrode 12b Bus electrode 13 Sustain electrode 13a Transparent electrode 13b Bus electrode 14 Black stripe (light shielding layer)
15 Dielectric layer on the front plate side 16 Protective layer 16a First protective layer (MgO thin film layer)
16b Second protective layer (MgO crystal layer or MgO powder layer)
51 Projection of MgO thin film layer 52 Region where MgO powder is present at a predetermined coverage 53 Region where MgO powder is not present or coverage is lower than the peripheral region 52

Claims (3)

基板上に電極と誘電体層と保護層とが形成されたプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記保護層の形成が、
(i)前記基板上に形成された前記誘電体層上にスパッタ法または蒸着法で第1保護層を形成する工程、
(ii)前記第1保護層上にスリットコータ法によりMgO原料を塗布してMgO原料層を形成する工程、および
(iii)前記MgO原料層を乾燥し、第2保護層を形成する工程を含み、
前記MgO原料が、MgO粉体と2種類以上の溶剤を含み、前記2種類以上のいずれの溶剤も1つ以上のヒドロキシ基を持つ水溶性有機溶剤である、プラズマディスプレイパネルの製造方法。
A method of manufacturing a plasma display panel in which an electrode, a dielectric layer, and a protective layer are formed on a substrate,
Forming the protective layer,
(I) forming a first protective layer on the dielectric layer formed on the substrate by sputtering or vapor deposition;
(Ii) forming a MgO raw material layer by applying an MgO raw material on the first protective layer by a slit coater method, and (iii) drying the MgO raw material layer to form a second protective layer. ,
The method for producing a plasma display panel, wherein the MgO raw material contains MgO powder and two or more kinds of solvents, and each of the two or more kinds of solvents is a water-soluble organic solvent having one or more hydroxy groups.
前記2種類以上の溶剤は、溶剤A、溶剤Bおよび溶剤Cの3種類を含み、全溶剤量に対し、溶媒Bおよび溶媒Cとの和の割合が3.5質量%以上である、請求項1に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 The two or more kinds of solvents include three kinds of a solvent A, a solvent B, and a solvent C, and a ratio of the sum of the solvent B and the solvent C to the total amount of the solvent is 3.5% by mass or more. 2. A method for producing a plasma display panel according to 1. 前記溶剤Aはアルコール系有機溶剤であり、溶剤Bおよび溶剤Cはグリコールエーテル系有機溶剤またはグリコールエーテル系の誘導体である、請求項1または2に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 1 or 2, wherein the solvent A is an alcohol-based organic solvent, and the solvent B and the solvent C are glycol ether-based organic solvents or glycol ether-based derivatives.
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