JP2013138356A - Planar line waveguide converter - Google Patents

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Kunio Sakakibara
久二男 榊原
Daisuke Takagi
大佑 高木
Takaaki Fujita
隆彰 藤田
Akira Nakatsu
彰 中津
Kazuyuki Seo
和之 瀬尾
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Nippon Pillar Packing Co Ltd
Nagoya Institute of Technology NUC
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Nippon Pillar Packing Co Ltd
Nagoya Institute of Technology NUC
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a planar line waveguide converter which widens a band width compared to conventional planar line waveguide converters thereby improving the manufacturing yield.SOLUTION: A planar line waveguide converter is composed of: a dielectric substrate 10 having a first surface closing a rectangular opening 21 of a waveguide block 2; a main matching element 6 and a sub matching element 7 which are formed in the opening 21 on the first surface of the dielectric substrate 10; a shorting bar 3 formed on a second surface of the dielectric substrate 10; and a microstrip line (MSL) 4 which is formed on the second surface of the dielectric substrate 10 and extends in a notch 3a of the shorting bar 3 so as to face the main matching element 6. The sub matching element 7 is disposed between a short side of the opening 21 of the waveguide block 2 and the main matching element 6. Lengths of the main matching element 6 and the sub matching element 7 differ from each other in a direction parallel with the short side of the opening 21.

Description

本発明は、平面線路導波管変換器に係り、更に詳しくは、平面線路により伝送される電力と導波管により伝送される電力とを相互に変換する平面線路導波管変換器の改良に関する。   The present invention relates to a planar line waveguide converter, and more particularly to an improvement of a planar line waveguide converter that mutually converts power transmitted by a planar line and power transmitted by a waveguide. .

マイクロストリップ線路(MSL)などの平面線路と導波管(WG:Wave Guide)とを接続する場合、平面線路により伝送される電力と、導波管により伝送される電力とを相互に変換することができる平面線路導波管変換器が用いられる(例えば、特許文献1)。   When connecting a planar line such as a microstrip line (MSL) and a waveguide (WG: Wave Guide), the power transmitted by the planar line and the power transmitted by the waveguide are mutually converted. A planar line waveguide converter that can be used is used (for example, Patent Document 1).

図14及び図15は、従来の平面線路導波管変換器の一例を示した図であり、整合素子213を有するMSL−WG変換器200が示されている。図14は、MSL−WG変換器200の斜視図、図15の(a)及び(b)は、図14に示された誘電体基板10の平面図である。このMSL−WG変換器200は、上面にMSL4及び短絡板211、下面に整合素子213及び接地板214がそれぞれ形成された誘電体基板10が、導波管ブロック2の開口を塞ぐように固定されている。接地板214は、導波管ブロック2の開口と対向する誘電体基板10上の閉鎖領域を取り囲むように形成され、導波管ブロック2の端面に密着される。MSL4は、短絡板211の切込み212内に形成されている。整合素子213は、上記閉鎖領域内に形成され、誘電体基板10を挟んでMSL4と対向配置されることにより、互いに電磁的に結合される。   14 and 15 are diagrams showing an example of a conventional planar line waveguide converter, in which an MSL-WG converter 200 having a matching element 213 is shown. 14 is a perspective view of the MSL-WG converter 200, and FIGS. 15A and 15B are plan views of the dielectric substrate 10 shown in FIG. The MSL-WG converter 200 is fixed so that the dielectric substrate 10 with the MSL 4 and the short-circuit plate 211 formed on the upper surface and the matching element 213 and the ground plate 214 formed on the lower surface blocks the opening of the waveguide block 2. ing. The ground plate 214 is formed so as to surround a closed region on the dielectric substrate 10 facing the opening of the waveguide block 2, and is in close contact with the end face of the waveguide block 2. The MSL 4 is formed in the cut 212 of the short-circuit plate 211. Matching element 213 is formed in the closed region, and is opposed to MSL 4 with dielectric substrate 10 interposed therebetween, so that they are electromagnetically coupled to each other.

この様な平面線路導波管変換器を備えた誘電体基板上にアンテナパターンを形成すれば、小型軽量の平面アンテナを実現することができる。ところが、上記MSL−WG変換器200は、整合素子213を用いていることから、良好な変換特性が得られる周波数帯域が狭いという問題があった。例えば、反射量が(−20)dB以下となる周波数帯域は、帯域比で3%程度しか確保することができなかった。このため、製造時の加工精度の影響によって中心周波数にずれが生じた場合のマージンが少なく、製造歩留まりを低下させ、製造コストを増大させるという問題があった。例えば、平面線路導波管変換器の中心周波数には、整合素子213を形成する際の加工精度に応じた誤差が生じるが、帯域幅が狭ければ、加工精度の変動により、所望の変換特性が得られない平面線路導波管変換器が容易に生じてしまう。   If an antenna pattern is formed on a dielectric substrate provided with such a planar line waveguide converter, a small and light planar antenna can be realized. However, since the MSL-WG converter 200 uses the matching element 213, there is a problem that the frequency band in which good conversion characteristics can be obtained is narrow. For example, in the frequency band where the reflection amount is (−20) dB or less, only about 3% of the band ratio can be secured. For this reason, there is a problem that the margin when the center frequency is shifted due to the influence of the processing accuracy during manufacturing is small, the manufacturing yield is lowered, and the manufacturing cost is increased. For example, an error corresponding to the processing accuracy at the time of forming the matching element 213 occurs in the center frequency of the planar line waveguide converter. However, if the bandwidth is narrow, a desired conversion characteristic is caused by a variation in processing accuracy. A plane-line waveguide converter that cannot be obtained easily occurs.

特開2000−244212号公報JP 2000-244212 A

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、広帯域の平面線路導波管変換器を提供することを目的とする。特に、従来の平面線路導波管変換器に比べ、帯域幅を広げることにより、製造歩留まりを向上させた平面線路導波管変換器を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a broadband planar line waveguide converter. In particular, it is an object of the present invention to provide a planar line waveguide converter having an improved manufacturing yield by widening the bandwidth as compared with a conventional planar line waveguide converter.

第1の本発明による平面線路導波管変換器は、導波管の矩形からなる開口を閉鎖する第1面を有する誘電体基板と、上記誘電体基板の第1面上の上記開口内に形成された第1整合素子及び第2整合素子と、上記誘電体基板の第2面上に形成された短絡板と、上記誘電体基板の第2面上に形成され、第1整合素子と対向するように上記短絡板の切込み内に延びる平面線路とを備え、第2整合素子が、上記導波管の上記開口の短辺と第1整合素子との間に配置され、第1整合素子及び第2整合素子が、上記開口の短辺と平行な方向の長さが互いに異なるように構成される。   A planar line waveguide converter according to a first aspect of the present invention includes a dielectric substrate having a first surface that closes a rectangular opening of the waveguide, and the opening on the first surface of the dielectric substrate. A first matching element and a second matching element formed, a short-circuit plate formed on the second surface of the dielectric substrate, and formed on the second surface of the dielectric substrate, facing the first matching element. A planar line extending into the notch of the short-circuit plate, and a second matching element is disposed between the short side of the opening of the waveguide and the first matching element, The second matching elements are configured to have different lengths in a direction parallel to the short side of the opening.

この様な構成によれば、平面線路及び第1整合素子間の電磁結合と、第1整合素子及び第2整合素子間の電磁結合とを介して、平面線路と第2整合素子とを電磁的に結合させることができる。その際、第1整合素子と第2整合素子とを互いに異なる共振周波数により共振させることができる。このため、従来の平面線路導波管変換器に比べ、平面線路導波管変換器の帯域幅を広げることができる。   According to such a configuration, the planar line and the second matching element are electromagnetically coupled via the electromagnetic coupling between the planar line and the first matching element and the electromagnetic coupling between the first matching element and the second matching element. Can be combined. At this time, the first matching element and the second matching element can be resonated at different resonance frequencies. For this reason, the bandwidth of a planar line waveguide converter can be expanded compared with the conventional planar line waveguide converter.

第2の本発明による平面線路導波管変換器は、上記構成に加え、上記平面線路が、上記開口の長辺を横切って延び、第2整合素子が、矩形形状の第1整合素子の両側に形成されているように構成される。   According to a second aspect of the present invention, in addition to the above-described structure, the planar line waveguide converter has the planar line extending across the long side of the opening, and the second matching element is formed on both sides of the rectangular first matching element. It is comprised so that it may be formed.

この様な構成によれば、第2整合素子が第1整合素子の片側にのみ形成される場合に比べ、第2整合素子に係る共振領域として広い面積を確保することができる。このため、平面線路導波管変換器の帯域幅を確実に広げることができる。   According to such a configuration, it is possible to secure a large area as a resonance region related to the second matching element as compared with the case where the second matching element is formed only on one side of the first matching element. For this reason, the bandwidth of a planar line waveguide converter can be expanded reliably.

第3の本発明による平面線路導波管変換器は、上記構成に加え、第1整合素子が、上記開口の短辺と平行な方向の素子長が上記導波管の管内波長に対応する共振長よりも長く、第2整合素子が、上記素子長が上記共振長よりも短くなるように構成される。   A planar line waveguide converter according to a third aspect of the present invention is configured so that, in addition to the above configuration, the first matching element has a resonance whose element length in a direction parallel to the short side of the opening corresponds to the in-tube wavelength of the waveguide. The second matching element is configured such that the element length is shorter than the resonance length.

この様な構成によれば、共振長よりも長い共振経路を第1整合素子内に形成させ、共振長よりも短い共振経路を第2整合素子内に形成させることができる。このため、素子長が共振長程度の整合素子のみが形成される場合に比べて、平面線路導波管変換器の帯域幅を十分に広げることができる。   According to such a configuration, a resonance path longer than the resonance length can be formed in the first matching element, and a resonance path shorter than the resonance length can be formed in the second matching element. For this reason, compared with the case where only the matching element whose element length is about the resonance length is formed, the bandwidth of the planar line waveguide converter can be sufficiently widened.

第4の本発明による平面線路導波管変換器は、上記構成に加え、第1整合素子及び第2整合素子が、互いに離間して配置されているように構成される。この様な構成によれば、第1整合素子及び第2整合素子間で共振経路を分離することができる。このため、第1整合素子及び第2整合素子間で異なる2つの共振周波数を容易に実現することができる。   A planar line waveguide converter according to a fourth aspect of the present invention is configured such that, in addition to the above configuration, the first matching element and the second matching element are arranged apart from each other. According to such a configuration, the resonance path can be separated between the first matching element and the second matching element. For this reason, two different resonance frequencies between the first matching element and the second matching element can be easily realized.

第5の本発明による平面線路導波管変換器は、上記構成に加え、第1整合素子及び第2整合素子が、上記開口の短辺と平行な方向の長さが各整合素子に比べて短いネック領域を介して、互いに連結されているように構成される。   A planar line waveguide converter according to a fifth aspect of the present invention has a first matching element and a second matching element having a length in a direction parallel to the short side of the opening in addition to the above-described configuration. It is configured to be connected to each other via a short neck region.

この様な構成によれば、ネック領域を介して第1整合素子及び第2整合素子間に形成される共振経路の影響を抑制することができる。このため、第1整合素子と第2整合素子とを異なる共振周波数により共振させることができる。   According to such a configuration, it is possible to suppress the influence of the resonance path formed between the first matching element and the second matching element via the neck region. For this reason, the first matching element and the second matching element can be resonated at different resonance frequencies.

本発明によれば、従来の平面線路導波管変換器に比べ、平面線路導波管変換器の帯域幅を広げることができる。このため、製造時の加工精度が大きく変動したとしても、良好な変換特性が得られるので、製造歩留まりを向上させた広帯域の平面線路導波管変換器を提供することができる。   According to the present invention, the bandwidth of a planar line waveguide converter can be widened as compared with a conventional planar line waveguide converter. For this reason, even if the processing accuracy at the time of manufacturing greatly fluctuates, good conversion characteristics can be obtained, so that it is possible to provide a wideband planar line waveguide converter with improved manufacturing yield.

本発明の実施の形態1によるMSL−WG変換器1を示した展開斜視図である。It is the expansion | deployment perspective view which showed the MSL-WG converter 1 by Embodiment 1 of this invention. 図1のMSL−WG変換器1の平面図である。It is a top view of the MSL-WG converter 1 of FIG. 図2のMSL−WG変換器1をA−A切断線により切断した場合の切断面を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the cut surface at the time of cut | disconnecting the MSL-WG converter 1 of FIG. 2 by the AA cut line. 図2のMSL−WG変換器1をB−B切断線により切断した場合の切断面を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the cut surface at the time of cut | disconnecting the MSL-WG converter 1 of FIG. 2 by a BB cutting line. 導波管ブロック2の開口21に対するMSL4、主整合素子6及び副整合素子7の配置の一例を示した図である。FIG. 5 is a diagram showing an example of the arrangement of the MSL 4, the main matching element 6 and the sub matching element 7 with respect to the opening 21 of the waveguide block 2. 図1のMSL−WG変換器1における反射量及び透過量を計測した計測結果を示した図である。It is the figure which showed the measurement result which measured the amount of reflection in the MSL-WG converter 1 of FIG. 図1のMSL−WG変換器1における主整合素子6及び副整合素子7の各素子長B,Bと共振周波数f,fとの関係の一例を示した図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a relationship between element lengths B 1 and B 2 and resonance frequencies f 1 and f 2 of a main matching element 6 and a sub matching element 7 in the MSL-WG converter 1 of FIG. 図1のMSL−WG変換器1におけるMSL4の挿入長d及び副整合素子7の位置dと反射特性及び比帯域特性W1との関係の一例を示した図である。Is a diagram showing an example of the relationship between the position d 2 and the reflection characteristic and the fractional bandwidth characteristics W1 of the insertion length d 1 and the sub-matching element 7 of MSL4 in MSL-WG converter 1 of FIG. 図1の導波管ブロック2における狭壁22bの寸法Lと反射特性及び共振周波数特性との関係の一例を示した図である。Is a diagram showing an example of the relationship between the dimension L 1 of Semakabe 22b in the waveguide block 2 of Figure 1 and the reflection characteristics and the resonance frequency characteristics. 導波管ブロック2の開口21に対するMSL4、主整合素子6及び副整合素子7の配置の他の例を示した図である。FIG. 10 is a diagram showing another example of the arrangement of the MSL 4, the main matching element 6 and the sub matching element 7 with respect to the opening 21 of the waveguide block 2. MSL−WG変換器1のその他の構成例を示した図であり、主整合素子6の両側に互いの素子長が異なる副整合素子7a,7bが形成された場合が示されている。FIG. 5 is a diagram illustrating another configuration example of the MSL-WG converter 1 and illustrates a case where sub-matching elements 7 a and 7 b having different element lengths are formed on both sides of the main matching element 6. 本発明の実施の形態2によるMSL−WG変換器1の一構成例を示した図であり、主整合素子6及び副整合素子7がネック領域9を介して互いに連結されている。FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration example of an MSL-WG converter 1 according to a second embodiment of the present invention, in which a main matching element 6 and a sub-matching element 7 are connected to each other via a neck region 9. 本発明の実施の形態3によるMSL−WG変換器1の一構成例を示した図であり、副整合素子7が主整合素子6の片側にのみ形成されている。FIG. 5 is a diagram showing a configuration example of an MSL-WG converter 1 according to Embodiment 3 of the present invention, in which a sub-matching element 7 is formed only on one side of the main matching element 6. 整合素子213を有する従来のMSL−WG変換器200を示した斜視図である。It is the perspective view which showed the conventional MSL-WG converter 200 which has the matching element 213. 図14の従来のMSL−WG変換器200の平面図である。It is a top view of the conventional MSL-WG converter 200 of FIG.

実施の形態1.
図1〜図5は、本発明の実施の形態1によるMSL−WG変換器1の一構成例を示した図である。図1には展開斜視図、図2には平面図、図3には図2のA−A切断線による断面図、図4には図2のB−B切断線による断面図がそれぞれ示されている。また、図5には、導波管ブロック2の開口21に対するMSL4、主整合素子6及び副整合素子7の配置の一例が示されている。
Embodiment 1 FIG.
1 to 5 are diagrams showing a configuration example of the MSL-WG converter 1 according to the first embodiment of the present invention. 1 is a developed perspective view, FIG. 2 is a plan view, FIG. 3 is a sectional view taken along the line AA in FIG. 2, and FIG. 4 is a sectional view taken along the line BB in FIG. ing. FIG. 5 shows an example of the arrangement of the MSL 4, the main matching element 6, and the sub matching element 7 with respect to the opening 21 of the waveguide block 2.

このMSL−WG変換器1は、誘電体基板10、短絡板3、MSL4、接地板5、主整合素子6及び副整合素子7により構成される共振型の平面線路導波管変換器であり、導波管ブロック2の開口部に固着させて用いられる。本実施の形態によるMSL−WG変換器1では、主整合素子6と副整合素子7とを互いに異なる共振周波数で共振させることにより、帯域幅を広げている。   This MSL-WG converter 1 is a resonance type planar line waveguide converter composed of a dielectric substrate 10, a short plate 3, an MSL 4, a ground plate 5, a main matching element 6 and a sub matching element 7. It is used by being fixed to the opening of the waveguide block 2. In the MSL-WG converter 1 according to the present embodiment, the bandwidth is widened by causing the main matching element 6 and the sub-matching element 7 to resonate at different resonance frequencies.

導波管ブロック2は、矩形の開口21に連通する中空部23を有する中空型の方形導波管であり、電力を低損失で伝送させることができる。中空部23は、広壁22aと、広壁22aよりも狭い狭壁22bとからなる管壁22により囲まれ、管軸方向に電磁波を伝搬することができる。伝搬可能な電磁波の波長は、広壁22aの寸法によって規定される。この様な導波管ブロック2は、例えば、導電性の金属ブロックを切削加工することにより製作される。中空部23の伝搬方向に直交する断面形状は、広壁22aに相当する長辺と、狭壁22bに相当する短辺とからなる長方形である。   The waveguide block 2 is a hollow rectangular waveguide having a hollow portion 23 communicating with a rectangular opening 21, and can transmit power with low loss. The hollow portion 23 is surrounded by a tube wall 22 including a wide wall 22a and a narrow wall 22b narrower than the wide wall 22a, and can propagate electromagnetic waves in the tube axis direction. The wavelength of electromagnetic waves that can be propagated is defined by the dimensions of the wide wall 22a. Such a waveguide block 2 is manufactured, for example, by cutting a conductive metal block. The cross-sectional shape orthogonal to the propagation direction of the hollow portion 23 is a rectangle composed of a long side corresponding to the wide wall 22a and a short side corresponding to the narrow wall 22b.

誘電体基板10は、誘電体からなる矩形形状の基板であり、誘電体基板10の下面により導波管ブロック2の開口21が閉鎖される。短絡板3及びMSL4は、誘電体基板10の上面に形成され、接地板5、主整合素子6及び副整合素子7は、誘電体基板10の下面に形成される。   The dielectric substrate 10 is a rectangular substrate made of a dielectric, and the opening 21 of the waveguide block 2 is closed by the lower surface of the dielectric substrate 10. The short-circuit plate 3 and the MSL 4 are formed on the upper surface of the dielectric substrate 10, and the ground plate 5, the main matching element 6 and the sub-matching element 7 are formed on the lower surface of the dielectric substrate 10.

短絡板3は、導波管ブロック2を終端させる短絡面を構成する電極板であり、導電体層からなる。この短絡板3は、矩形形状の金属薄膜からなり、開口21を覆うように配置される。短絡板3には、MSL4を配置するための線状の切込み3aが形成されている。切込み3aは、開口21の長辺と平行な辺から内側に向けて形成されている。   The short-circuit plate 3 is an electrode plate that constitutes a short-circuit surface that terminates the waveguide block 2 and includes a conductor layer. This short circuit board 3 consists of a rectangular-shaped metal thin film, and is arrange | positioned so that the opening 21 may be covered. The short-circuit plate 3 is formed with a linear cut 3a for disposing the MSL 4. The cut 3 a is formed from the side parallel to the long side of the opening 21 toward the inside.

MSL4は、金属薄膜からなる線状の平面線路であり、開口21の短辺と平行に短絡板3の切込み3a内に延びている。このMSL4は、開口21の長辺を垂直に横切り、その一端が後述する閉鎖領域8に達している。MSL4の他端は、短絡板3の外側へ引き出されている。また、MSL4は、切込み3a内において、短絡板3から一定の距離を隔てて配置され、閉鎖領域8よりも外側では、誘電体基板10を介して接地板5と対向する。   The MSL 4 is a linear planar line made of a metal thin film, and extends into the cut 3 a of the short-circuit plate 3 in parallel with the short side of the opening 21. The MSL 4 crosses the long side of the opening 21 vertically, and one end thereof reaches a closed region 8 described later. The other end of the MSL 4 is drawn to the outside of the short-circuit plate 3. Further, the MSL 4 is arranged at a certain distance from the short-circuit plate 3 in the cut 3 a, and faces the ground plate 5 through the dielectric substrate 10 outside the closed region 8.

接地板5は、導波管ブロック2の端面に接触させる電極板であり、導電体層からなる。この接地板5は、矩形形状の金属薄膜からなり、導波管ブロック2の開口21と対向する閉鎖領域8を取り囲むように形成されている。閉鎖領域8は、開口21を閉鎖するための短絡板3上の矩形領域であり、開口21と略同一の形状及びサイズからなる。主整合素子6及び副整合素子7は、閉鎖領域8内に形成されている。   The ground plate 5 is an electrode plate that is brought into contact with the end face of the waveguide block 2 and is made of a conductor layer. The ground plate 5 is made of a rectangular metal thin film and is formed so as to surround the closed region 8 facing the opening 21 of the waveguide block 2. The closed region 8 is a rectangular region on the short-circuit plate 3 for closing the opening 21 and has substantially the same shape and size as the opening 21. The main matching element 6 and the sub matching element 7 are formed in the closed region 8.

誘電体基板10及び接地板5は、いずれも短絡板3よりも広く、外縁の形状及びサイズが、導波管ブロック2の外縁と一致している。また、短絡板3と接地板5とは、誘電体基板10に形成された複数のスルーホール11を介して互いに導通し、接地板5の下面を導波管ブロック2の上面に密着させて、MSL−WG変換器1を導波管ブロック2に固定した状態では、導波管ブロック2と同電位に保持される。   The dielectric substrate 10 and the ground plate 5 are both wider than the short-circuit plate 3, and the shape and size of the outer edge coincide with the outer edge of the waveguide block 2. The short-circuit plate 3 and the ground plate 5 are electrically connected to each other through a plurality of through holes 11 formed in the dielectric substrate 10, and the lower surface of the ground plate 5 is brought into close contact with the upper surface of the waveguide block 2. When the MSL-WG converter 1 is fixed to the waveguide block 2, the same potential as that of the waveguide block 2 is maintained.

スルーホール11は、例えば、誘電体基板10に微小な貫通孔を設け、この貫通孔に導電性材料を充填させることにより形成され、閉鎖領域8を取り囲むように配置されている。この様な多数のスルーホール11を用いた導通構造により、誘電体基板10における電力損失を抑制させることができる。   The through hole 11 is formed, for example, by providing a minute through hole in the dielectric substrate 10 and filling the through hole with a conductive material, and is disposed so as to surround the closed region 8. Such a conduction structure using a large number of through holes 11 can suppress power loss in the dielectric substrate 10.

主整合素子6及び副整合素子7は、それぞれが接地板5と導通しないように、接地板5の内縁から離間して形成される整合素子であり、いずれも導電体層からなる。主整合素子6は、誘電体基板10を介してMSL4の一端と対向するように、開口21の中央付近に配置されている。つまり、MSL4は、その先端が主整合素子6と対向するように短絡板3の切込み3a内に延びている。   The main matching element 6 and the sub-matching element 7 are matching elements that are formed apart from the inner edge of the ground plate 5 so as not to be electrically connected to the ground plate 5, and each includes a conductor layer. The main matching element 6 is arranged in the vicinity of the center of the opening 21 so as to face one end of the MSL 4 with the dielectric substrate 10 interposed therebetween. That is, the MSL 4 extends into the cut 3 a of the short-circuit plate 3 so that the tip thereof faces the main matching element 6.

副整合素子7は、MSL4と対向せず、開口21の短辺と主整合素子6との間に配置されている。この副整合素子7は、矩形形状からなり、矩形形状の主整合素子6の両側に形成されている。つまり、開口21の長辺と平行な方向に関し、副整合素子7、主整合素子6及び副整合素子7が、この順に配列されている。   The sub-matching element 7 is not opposed to the MSL 4 and is disposed between the short side of the opening 21 and the main matching element 6. The sub matching element 7 has a rectangular shape and is formed on both sides of the rectangular main matching element 6. That is, the sub-matching element 7, the main matching element 6, and the sub-matching element 7 are arranged in this order in the direction parallel to the long side of the opening 21.

副整合素子7を主整合素子6の両側に形成することにより、片側にのみ形成する場合に比べて、副整合素子7に係る共振領域として広い面積を確保することができる。ここでは、開口21の中央付近に配置され、MSL4と対向する整合素子を主整合素子と呼び、MSL4と対向しない整合素子を副整合素子と呼んでいる。   By forming the sub-matching element 7 on both sides of the main matching element 6, it is possible to secure a wide area as a resonance region related to the sub-matching element 7 as compared with the case where it is formed only on one side. Here, a matching element disposed near the center of the opening 21 and facing the MSL 4 is called a main matching element, and a matching element not facing the MSL 4 is called a sub-matching element.

短絡板3、MSL4、接地板5、主整合素子6及び副整合素子7は、例えば、導電性金属の薄膜パターンとして形成されている。これらの薄膜パターンは、熱圧着法、スパッタリング法、蒸着法などにより、銅などの薄膜を誘電体基板10の全面に形成した後、フォトエッチング法により上記薄膜をパターニングすることによって形成される。   The short-circuit plate 3, the MSL 4, the ground plate 5, the main matching element 6 and the sub-matching element 7 are formed as, for example, a conductive metal thin film pattern. These thin film patterns are formed by forming a thin film such as copper on the entire surface of the dielectric substrate 10 by a thermocompression bonding method, a sputtering method, a vapor deposition method or the like and then patterning the thin film by a photoetching method.

本明細書中では、開口21の長辺と平行な方向を開口21の長手方向と呼び、開口21の短辺と平行な方向を開口21の短手方向と呼ぶ。MSL4及び主整合素子6は、概ね開口21の長辺の中央に配置されている。方形導波管内では、開口21の短手方向の電界しか存在せず、電界強度が開口21の長辺の中央において最大となることから、この様な配置により、変換効率を向上させることができる。   In this specification, a direction parallel to the long side of the opening 21 is referred to as a longitudinal direction of the opening 21, and a direction parallel to the short side of the opening 21 is referred to as a short direction of the opening 21. The MSL 4 and the main matching element 6 are generally arranged at the center of the long side of the opening 21. In the rectangular waveguide, only the electric field in the short direction of the opening 21 exists, and the electric field strength is maximized at the center of the long side of the opening 21. With this arrangement, the conversion efficiency can be improved. .

MSL4は、線路幅がwであり、開口21に対する挿入長がdである。挿入長dは、開口21の長辺とMSL4の先端との距離である。MSL4の線路幅wや挿入長dを調整することにより、インピーダンス整合を図ることができる。副整合素子7は、MSL4を基準とする位置dに配置されている。位置dは、開口21の長手方向に関する副整合素子7とMSL4との中心間の距離である。 MSL4 the line width is w, the insertion length for opening 21 is d 1. The insertion length d 1 is the distance between the long side of the opening 21 and the tip of the MSL 4. By adjusting the line width w and the insertion length d 1 of MSL4, impedance can be matched. Sub-matching element 7 is disposed at a position d 2 relative to the MSL4. The position d 2 is a distance between the centers of the sub-matching element 7 and the MSL 4 in the longitudinal direction of the opening 21.

図2中のA−A切断線は、MSL4を通って開口21の短手方向と平行な直線である。図3では、MSL4が、誘電体基板10を介してその一部分のみ主整合素子6と重複し、導波管ブロック2の広壁22aよりも外側において、誘電体基板10を挟んで接地板5と対向している。狭壁22bの寸法Lは、開口21の短辺の長さである。 The AA cutting line in FIG. 2 is a straight line that passes through the MSL 4 and is parallel to the short direction of the opening 21. In FIG. 3, the MSL 4 overlaps with the main matching element 6 only partly through the dielectric substrate 10, and the ground plate 5 sandwiches the dielectric substrate 10 outside the wide wall 22 a of the waveguide block 2. Opposite. Dimension L 1 of Semakabe 22b is the length of the short side of the opening 21.

図2中のB−B切断線は、開口21の短辺の中央を通って開口21の長手方向と平行な直線である。図4では、短絡板3が、誘電体基板10を介して主整合素子6及び副整合素子7と対向するとともに、スルーホール11を介して接地板5と導通している。広壁22aの寸法Lは、開口21の長辺の長さである。 A BB cutting line in FIG. 2 is a straight line that passes through the center of the short side of the opening 21 and is parallel to the longitudinal direction of the opening 21. In FIG. 4, the short-circuit plate 3 is opposed to the main matching element 6 and the sub-matching element 7 through the dielectric substrate 10 and is electrically connected to the ground plate 5 through the through hole 11. Dimension L 2 of the wide wall 22a is the length of the long sides of the opening 21.

図5では、開口21内の主整合素子6及び副整合素子7が、互いに離間して配置されるとともに、いずれも接地板5の内縁から離れて配置されている。つまり、1つの主整合素子6と2つの副整合素子7とは、閉鎖領域8内に島状に配置されている。この様に構成することにより、MSL4及び主整合素子6間の電磁結合と、主整合素子6及び副整合素子7間の電磁結合とを介して、MSL4と副整合素子7とを電磁的に結合させることができる。その際、主整合素子6と副整合素子7との間で共振経路P,Pを分離することができる。 In FIG. 5, the main matching element 6 and the sub-matching element 7 in the opening 21 are arranged apart from each other, and both are arranged away from the inner edge of the ground plate 5. That is, one main matching element 6 and two sub matching elements 7 are arranged in an island shape in the closed region 8. With this configuration, the MSL 4 and the sub-matching element 7 are electromagnetically coupled via the electromagnetic coupling between the MSL 4 and the main matching element 6 and the electromagnetic coupling between the main matching element 6 and the sub-matching element 7. Can be made. At that time, the resonance paths P 1 and P 2 can be separated between the main matching element 6 and the sub-matching element 7.

また、主整合素子6の両側に配置される副整合素子7は、いずれも開口21の短手方向の長さが主整合素子6よりも短い。すなわち、開口21の短手方向に関し、主整合素子6の長さを素子長Bとし、副整合素子7の長さを素子長Bとすれば、B>Bである。各副整合素子7は、開口21の短手方向に関して開口21の中央に配置されている。この例では、各副整合素子7について、素子長Bが概ね一致している。 The sub-matching elements 7 arranged on both sides of the main matching element 6 are both shorter in the short direction of the opening 21 than the main matching element 6. That relates to the short-side direction of the opening 21, the length of the main matching element 6 and the element length B 1, if the length of the sub-matching element 7 and element length B 2, is a B 1> B 2. Each sub-matching element 7 is arranged at the center of the opening 21 with respect to the short direction of the opening 21. In this example, for each sub-matching element 7, it is largely matched element length B 2.

主整合素子6及び副整合素子7について、開口21の短手方向の長さを互いに異ならせることにより、電界方向の経路長の異なる共振経路P,Pが形成されるので、主整合素子6と副整合素子7とは、互いに異なる共振周波数により共振させることができる。 Since the main matching element 6 and the sub-matching element 7 have different lengths in the short direction of the opening 21, resonance paths P 1 and P 2 having different path lengths in the electric field direction are formed. 6 and the sub-matching element 7 can resonate at different resonance frequencies.

主整合素子6及び副整合素子7は、例えば、素子長Bが導波管ブロック2の管内波長λgに対応する共振長Lよりも長く、素子長Bが共振長Lよりも短くなるように形成される。管内波長λgは、導波管内における電界分布の管軸方向に関する空間波長であり、自由空間における波長λとカットオフ波長λc=L×2とを用いて表すことができる。上記共振長Lは、管内波長λgにより規定される素子長である。この様に構成することにより、共振長Lよりも長い共振長の共振経路Pを主整合素子6内に形成させ、共振長Lよりも短い共振長の共振経路Pを副整合素子7内に形成させることができる。 The main matching element 6 and the sub matching element 7, for example, longer than the resonant length L 0 of the element length B 1 is corresponding to the guide wavelength λg waveguide block 2, element length B 2 is shorter than the resonant length L 0 Formed to be. The in-tube wavelength λg is a spatial wavelength in the tube axis direction of the electric field distribution in the waveguide, and can be expressed by using the wavelength λ in free space and the cutoff wavelength λc = L 2 × 2. The resonance length L 0 is an element length defined by the guide wavelength λg. With this configuration, the resonance path P 1 having a resonance length longer than the resonance length L 0 is formed in the main matching element 6, and the resonance path P 2 having a resonance length shorter than the resonance length L 0 is formed as the sub-matching element. 7 can be formed.

開口21の長手方向に関する整合素子の長さを素子幅と呼べば、主整合素子6の素子幅はA、副整合素子7の素子幅はAである。また、主整合素子6及び副整合素子7間の間隙の長さはAである。また、開口21の短手方向に関し、MSL4と主整合素子6との重複領域の長さは、dである。 If the length of the matching element in the longitudinal direction of the opening 21 is called an element width, the element width of the main matching element 6 is A 1 , and the element width of the sub-matching element 7 is A 2 . The length of the gap between the main matching element 6 and the sub matching element 7 is A 3. Also relates to the short-side direction of the opening 21, the length of the overlap region between the main matching element 6 and MSL4 it is d 3.

上述したパラメータw,d〜d,A,A,B,Bは、導波管ブロック2の寸法L,Lと共に、MSL−WG変換器1の変換特性や周波数特性に大きく影響する。ここでは、一例として、6mm厚のアルミニウム板からなるL=1.65mm、L=5.0mmの導波管ブロック2に対し、誘電体基板10が、比誘電率2.17、厚さ0.127mmからなり、短絡板3、MSL4、接地板5、主整合素子6及び副整合素子7が、厚さ9μmの銅箔からなり、さらに、w=0.3mm、d=0.28mm、d=1.37mm、A=1.2mm、A=1.34mm、B=1.18mm、B=1.08mmであるMSL−WG変換器1が使用される。このMSL−WG変換器1では、A=0.1mm、d=0.04mm程度である。 The parameters w, d 1 to d 3 , A 1 , A 2 , B 1 , B 2 described above are the conversion characteristics and frequency characteristics of the MSL-WG converter 1 along with the dimensions L 1 , L 2 of the waveguide block 2. Greatly affects. Here, as an example, the dielectric substrate 10 has a relative dielectric constant of 2.17 and a thickness relative to the waveguide block 2 made of an aluminum plate having a thickness of 6 mm and having L 1 = 1.65 mm and L 2 = 5.0 mm. The short-circuit plate 3, the MSL4, the ground plate 5, the main matching element 6 and the sub-matching element 7 are made of 9 μm thick copper foil, and w = 0.3 mm and d 1 = 0.28 mm. , d 2 = 1.37mm, a 1 = 1.2mm, a 2 = 1.34mm, B 1 = 1.18mm, is MSL-WG converter 1 is B 2 = 1.08 mm are used. In this MSL-WG converter 1, A 3 = 0.1 mm and d 3 = 0.04 mm.

図6は、図1のMSL−WG変換器1における反射量及び透過量の周波数特性を示した図である。反射量及び透過量は、散乱パラメータS11,S21として求められる値であり、横軸には、中心周波数fにより正規化された正規化周波数(f/f)を用いている。図中の実線R1及びT1は、図1〜図5のMSL−WG変換器1の反射量及び透過量をそれぞれ示す特性曲線である。一方、破線R2及びT2は、図14及び図15に示した従来のMSL−WG変換器200の反射量及び透過量をそれぞれ示す特性曲線である。なお、中心周波数fは、従来のMSL−WG変換器200における共振周波数、つまり、伝送波の周波数である。 FIG. 6 is a diagram showing the frequency characteristics of the reflection amount and the transmission amount in the MSL-WG converter 1 of FIG. The reflection amount and the transmission amount are values obtained as the scattering parameters S11 and S21, and a normalized frequency (f / f 0 ) normalized by the center frequency f 0 is used on the horizontal axis. Solid lines R1 and T1 in the figure are characteristic curves showing the reflection amount and the transmission amount of the MSL-WG converter 1 of FIGS. On the other hand, broken lines R2 and T2 are characteristic curves respectively showing the reflection amount and the transmission amount of the conventional MSL-WG converter 200 shown in FIGS. The center frequency f 0 is the resonance frequency in the conventional MSL-WG converter 200, that is, the frequency of the transmission wave.

この測定に使用したMSL−WG変換器1の各寸法は、次の通りである。誘電体基板10として、厚さ0.127mm、比誘電率2.17のフッ素樹脂基板を用いた。主整合素子6は、素子幅Aを1.2mm、素子長B10を1.18mmとし、共振周波数fが、中心周波数f=76GHzよりもやや低くなるように形成した。 Each dimension of the MSL-WG converter 1 used for this measurement is as follows. As the dielectric substrate 10, a fluororesin substrate having a thickness of 0.127 mm and a relative dielectric constant of 2.17 was used. The main matching element 6 was formed such that the element width A 1 was 1.2 mm, the element length B 10 was 1.18 mm, and the resonance frequency f 1 was slightly lower than the center frequency f 0 = 76 GHz.

副整合素子7は、素子幅Aを1.34mm、素子長B20を1.08mm、位置d20を1.37mmとし、共振周波数fが、中心周波数f=76GHzよりもやや高くなるように形成した。MSL4は、線路幅wが0.3mm、閉鎖領域8への挿入長d10が0.28mmとなるように形成した。 The sub-matching element 7 has an element width A 2 of 1.34 mm, an element length B 20 of 1.08 mm, a position d 20 of 1.37 mm, and the resonance frequency f 2 is slightly higher than the center frequency f 0 = 76 GHz. Formed as follows. The MSL 4 was formed so that the line width w was 0.3 mm and the insertion length d 10 to the closed region 8 was 0.28 mm.

導波管ブロック2は、厚さ6mmのアルミニウム板を使用し、広壁22aの寸法L20が5.0mm、狭壁22bの寸法L10が1.65mmとなるように形成した。図6〜図9では、パラメータの値や測定値を表示する際に、これらの寸法を基準として正規化した値が示されている。 Waveguide block 2 uses an aluminum plate having a thickness of 6 mm, the dimension L 20 of the wide wall 22a is 5.0 mm, the dimension L 10 of Semakabe 22b is formed to have a 1.65 mm. 6 to 9 show values normalized with respect to these dimensions when displaying parameter values and measured values.

中心周波数f付近における透過量を比較すれば、透過特性T1及びT2のいずれも概ね(−1)dB以下となっており、本実施の形態による透過特性T1は、従来の透過特性T2とほぼ同等であるということができる。一方、反射量が(−20)dB以下となる帯域幅W1,W2を比較すれば、反射特性R1では比帯域(W1/f)が8.2%、反射特性R2では比帯域(W2/f)が3.2%となっており、本実施の形態による反射特性R1は、従来の反射特性R2と比べて、帯域幅が2倍以上になっていることがわかる。つまり、透過特性T1をほとんど劣化させることなく、反射特性R1の帯域幅が大幅に改善されている。上記反射特性R1では、共振周波数f=0.98、共振周波数f=1.03である。 Comparing the amount of transmission in the vicinity of the center frequency f 0 , both the transmission characteristics T1 and T2 are approximately (−1) dB or less, and the transmission characteristic T1 according to the present embodiment is almost the same as the conventional transmission characteristic T2. It can be said that they are equivalent. On the other hand, if the bandwidths W1 and W2 at which the reflection amount is (−20) dB or less are compared, the ratio band (W1 / f 0 ) is 8.2% in the reflection characteristic R1, and the ratio band (W2 / w) in the reflection characteristic R2. f 0 ) is 3.2%, and it can be seen that the bandwidth of the reflection characteristic R1 according to the present embodiment is more than twice that of the conventional reflection characteristic R2. That is, the bandwidth of the reflection characteristic R1 is greatly improved without substantially deteriorating the transmission characteristic T1. In the reflection characteristic R1, the resonance frequency f 1 = 0.98 and the resonance frequency f 2 = 1.03.

従来のMSL−WG変換器210の周波数特性は、整合素子213の共振周波数に相当する中心周波数fにおいて、透過量が最大となり、反射量が最小となる。また、透過特性T2は、周波数に応じて緩やかに変化するのに対し、反射特性R2は、中心周波数f付近において急峻に変化する。このため、反射量及び透過量がともに良好な周波数帯域は、反射特性R2によって決まり、比較的狭い帯域幅しか確保することができなかった。 The frequency characteristics of the conventional MSL-WG converter 210 are such that the transmission amount is maximum and the reflection amount is minimum at the center frequency f 0 corresponding to the resonance frequency of the matching element 213. Further, the transmission characteristic T2, compared to gently changes according to the frequency, the reflection characteristic R2 is steeply changed in the vicinity of the center frequency f 0. For this reason, the frequency band in which both the reflection amount and the transmission amount are good is determined by the reflection characteristic R2, and only a relatively narrow bandwidth can be secured.

これに対し、本実施の形態によるMSL−WG変換器1は、僅かに異なる2つの共振周波数f,fを有することにより、透過特性T1を顕著に劣化させることなく、反射特性R1の帯域幅を広げている。つまり、主整合素子6及び副整合素子7の異なる共振経路P,Pに対応する2つの共振周波数f,fで共振させることにより、従来装置における急峻な反射特性R2を周波数軸方向にずらして2つ重ね合わせたような反射特性R1が得られる。 On the other hand, the MSL-WG converter 1 according to the present embodiment has two slightly different resonance frequencies f 1 and f 2 , so that the band of the reflection characteristic R 1 is not significantly deteriorated without significantly deteriorating the transmission characteristic T 1. Widening. That is, by resonating at two resonance frequencies f 1 and f 2 corresponding to different resonance paths P 1 and P 2 of the main matching element 6 and the sub-matching element 7, the steep reflection characteristic R 2 in the conventional device is made in the frequency axis direction Thus, the reflection characteristic R1 is obtained such that the two are overlapped with each other.

ここで、共振周波数fとfとは独立して調整することができる。共振周波数fは、主整合素子6の素子長Bによって調整することができる。一方、共振周波数fは、副整合素子7の素子長Bによって調整することができる。このため、これらの共振周波数f,fを僅かに異ならせることにより、帯域幅W1を広げることができる。 Here, the resonance frequencies f 1 and f 2 can be adjusted independently. The resonance frequency f 1 can be adjusted by the element length B 1 of the main matching element 6. On the other hand, the resonance frequency f 2 can be adjusted by the element length B 2 of the sub-matching element 7. For this reason, the bandwidth W1 can be widened by making these resonance frequencies f 1 and f 2 slightly different.

また、MSL−WG変換器1の帯域幅W1を広げるためには、共振周波数f,fが、中心周波数fを挟む周波数であり、かつ、共振周波数f,f間において、所望の変換特性が得られていることが必要となる。図6では、2つの共振周波数f,fの差が帯域比で5%程度となるように、共振周波数fが中心周波数fよりも低く、共振周波数fが中心周波数fよりも高くなるように調整したMSL−WG変換器1が用いられている。 Further, in order to widen the bandwidth W1 of the MSL-WG converter 1, the resonance frequencies f 1 and f 2 are frequencies that sandwich the center frequency f 0 , and a desired frequency is present between the resonance frequencies f 1 and f 2. It is necessary that the conversion characteristics of In Figure 6, as the difference between the two resonance frequencies f 1, f 2 becomes about 5% in bandwidth ratio, the resonance frequency f 1 is lower than the center frequency f 0, than the resonance frequency f 2 is the center frequency f 0 The MSL-WG converter 1 adjusted to be higher is also used.

なお、素子長Bを素子長Bよりも長くすることにより、共振周波数fが中心周波数fよりも高く、共振周波数fが中心周波数fよりも低くなるように調整したMSL−WG変換器1を用いても良い。 The MSL− adjusted so that the resonance frequency f 1 is higher than the center frequency f 0 and the resonance frequency f 2 is lower than the center frequency f 0 by making the element length B 2 longer than the element length B 1. The WG converter 1 may be used.

図7は、図1のMSL−WG変換器1における主整合素子6及び副整合素子7の各素子長B,Bと共振周波数f,fとの関係の一例を示した図であり、素子長B,Bの異なる複数のMSL−WG変換器1を製作し、それぞれの反射特性を測定した測定結果が示されている。 FIG. 7 is a diagram showing an example of the relationship between the element lengths B 1 and B 2 of the main matching element 6 and the sub matching element 7 and the resonance frequencies f 1 and f 2 in the MSL-WG converter 1 of FIG. A plurality of MSL-WG converters 1 having different element lengths B 1 and B 2 are manufactured, and the measurement results of the respective reflection characteristics are shown.

図中の(a)には、横軸に素子長B10により正規化された正規化整合素子長(B/B10)、縦軸に正規化周波数を用いて、主整合素子6の素子長Bを変化させた場合が示されている。この図は、正規化整合素子長を0.98から1.04まで約0.02ごとに変化させた場合の測定結果である。 The (a) of the figure, normalized normalized matching element length by the element length B 10 on the horizontal axis (B 1 / B 10), using a normalized frequency on the vertical axis, the element of the main matching element 6 when varying the length B 1 is shown. This figure shows measurement results when the normalized matching element length is changed from 0.98 to 1.04 about every 0.02.

この測定結果によれば、正規化整合素子長を上記範囲内で長くした場合であれば、共振周波数fは1.02〜1.03の範囲内で概ね一定であるのに対し、共振周波数fは、1.02から0.93まで大きく低下している。つまり、主整合素子6の素子長Bにより、共振周波数fを制御できることがわかる。 According to this measurement result, when the normalized matching element length is increased within the above range, the resonance frequency f 2 is substantially constant within the range of 1.02 to 1.03, whereas the resonance frequency f 2 f 1 is greatly reduced from 1.02 to 0.93. That is, it can be seen that the resonance frequency f 1 can be controlled by the element length B 1 of the main matching element 6.

図中の(b)には、横軸に素子長B20により正規化された正規化整合素子長(B/B20)、縦軸に正規化周波数を用いて、副整合素子7の素子長Bを変化させた場合が示されている。この図は、正規化整合素子長を0.96から1.02まで約0.02ごとに変化させた場合の測定結果である。 The (b) in FIG, normalized normalized matching element length by the element length B 20 on the horizontal axis (B 2 / B 20), using a normalized frequency on the vertical axis, the element of the sub-matching element 7 when varying the length B 2 is shown. This figure shows the measurement results when the normalized matching element length is changed from 0.96 to 1.02 by about 0.02.

この測定結果によれば、正規化整合素子長を上記範囲内で長くした場合であれば、共振周波数fは0.97〜1.00の範囲内で概ね一定であるのに対し、共振周波数fは、1.06から1.00まで大きく低下している。つまり、副整合素子7の素子長Bにより、共振周波数fを制御できることがわかる。 According to this measurement result, when the normalized matching element length is increased within the above range, the resonance frequency f 1 is substantially constant within the range of 0.97 to 1.00, whereas the resonance frequency f 1 f 2 is greatly reduced from 1.06 to 1.00. That is, it can be seen that the resonance frequency f 2 can be controlled by the element length B 2 of the sub-matching element 7.

図8は、図1のMSL−WG変換器1におけるMSL4の挿入長d及び副整合素子7の位置dと反射特性及び比帯域特性W1との関係の一例を示した図であり、挿入長dや位置dの異なる複数のMSL−WG変換器1を製作し、それぞれの反射特性及び比帯域特性W1を測定した測定結果が示されている。図8では、比帯域がピークとなる正規化線路挿入長を1としている。 FIG. 8 is a diagram showing an example of the relationship between the insertion length d 1 of the MSL 4 and the position d 2 of the sub-matching element 7 and the reflection characteristics and the ratio band characteristics W 1 in the MSL-WG converter 1 of FIG. to prepare a plurality of MSL-WG converter 1 of different lengths d 1 and position d 2, are measured to determine their reflection characteristic and the fractional bandwidth characteristics W1 results are shown. In FIG. 8, the normalized line insertion length at which the ratio band reaches a peak is 1.

図中の(a)には、横軸に挿入長d10により正規化した正規化線路挿入長(d/d10)を用いて、MSL4の挿入長dを変化させた場合が示されている。この図は、正規化線路挿入長を0.85から1.15まで約0.05ごとに変化させた場合の測定結果である。 The (a) of the figure, the normalized line insertion length normalized by the insertion length d 10 on the horizontal axis with (d 1 / d 10), is the case of changing the insertion length d 1 of MSL4 shown ing. This figure shows the measurement results when the normalized line insertion length is changed from 0.85 to 1.15 every about 0.05.

この測定結果によれば、正規化線路挿入長を上記範囲内で長くした場合であれば、共振周波数fは概ね一定であるのに対し、共振周波数fは、正規化線路挿入長が0.92付近で反射量が大きく落ち込んでいる。一方、比帯域特性W1は、正規化線路挿入長が1.0付近で最も広帯域な特性が得られている。 According to this measurement result, when the normalized line insertion length is increased within the above range, the resonance frequency f 2 is substantially constant, whereas the resonance frequency f 1 has a normalized line insertion length of 0. The amount of reflection is greatly reduced in the vicinity of .92. On the other hand, the specific band characteristic W1 has the widest band characteristic when the normalized line insertion length is around 1.0.

図中の(b)には、横軸に位置d20により正規化した正規化整合素子位置(d/d20)を用いて、副整合素子7の位置dを変化させた場合が示されている。この図は、正規化整合素子位置を0.2から2.2まで約0.3ごとに変化させた場合の測定結果である。 (B) in the figure shows a case where the position d 2 of the sub-matching element 7 is changed using the normalized matching element position (d 2 / d 20 ) normalized by the position d 20 on the horizontal axis. Has been. This figure shows the measurement results when the normalized matching element position is changed from 0.2 to 2.2 every about 0.3.

この測定結果によれば、正規化整合素子位置を上記範囲内で長くした場合であれば、共振周波数fは、正規化整合素子位置が0.7付近で反射量が大きく落ち込み、また、共振周波数fは、正規化整合素子位置が1.3付近で反射量が大きく落ち込んでいる。一方、比帯域特性W1は、正規化整合素子位置が0.7〜1.8の範囲で比帯域が7.3〜8.2%となり、広帯域な特性が得られている。つまり、正規化整合素子位置が0.7〜1.3の範囲内であれば、広帯域かつ良好な反射特性のMSL−WG変換器1が得られることがわかる。また、主整合素子6及び副整合素子7間の間隙Aは、長さAやAに比べて十分に小さいことがわかる。 According to this measurement result, if the normalized matching element position is long within the above range, the resonance frequency f 1 has a large drop in the reflection amount near the normalized matching element position of 0.7, and the resonance frequency f 1 frequency f 2 is the normalized matching element position is depressed large reflection amount in the vicinity of 1.3. On the other hand, the specific band characteristic W1 is 7.3 to 8.2% in the range where the normalized matching element position is 0.7 to 1.8, and a wide band characteristic is obtained. That is, it can be seen that if the normalized matching element position is within the range of 0.7 to 1.3, the MSL-WG converter 1 having a wide band and good reflection characteristics can be obtained. It can also be seen that the gap A 3 between the main matching element 6 and the sub matching element 7 is sufficiently smaller than the lengths A 1 and A 2 .

図9は、図1の導波管ブロック2における狭壁22bの寸法Lと反射特性及び共振周波数特性との関係の一例を示した図であり、寸法Lの異なる複数の導波管ブロック2を製作し、それぞれについて、MSL−WG変換器1の反射特性及び共振周波数特性を測定した測定結果が示されている。 Figure 9 is a diagram showing an example of the relationship between dimension L 1 and the reflection characteristic and resonant frequency characteristics of Semakabe 22b in the waveguide block 2 of FIG. 1, a plurality of different waveguides block dimensions L 1 2 shows the measurement results obtained by measuring the reflection characteristics and resonance frequency characteristics of the MSL-WG converter 1 for each of the two.

図中には、横軸に寸法L10により正規化した正規化狭壁寸法(L/L10)を用いて、寸法Lを変化させた場合が示されている。この図は、正規化狭壁寸法を0.8から1.1まで約0.03ごとに変化させた場合の測定結果である。 In the figure, the case where the dimension L 1 is changed using the normalized narrow wall dimension (L 1 / L 10 ) normalized by the dimension L 10 on the horizontal axis is shown. This figure shows the measurement results when the normalized narrow wall size is changed from 0.8 to 1.1 every about 0.03.

この測定結果によれば、正規化狭壁寸法を上記範囲内で長くした場合であれば、共振周波数fの反射特性Rfは緩やかに低下するのに対し、共振周波数fの反射特性Rfは、正規化狭壁寸法が0.97付近で大きく落ち込んでいる。また、共振周波数fは、1.00〜1.03の範囲で概ね一定であるのに対し、共振周波数fは、0.88から1.03まで徐々に増大している。つまり、正規化狭壁寸法が0.97〜1.05の範囲内であれば、広帯域かつ良好な反射特性のMSL−WG変換器1が得られることがわかる。 According to this measurement result, when the normalized narrow wall dimension is increased within the above range, the reflection characteristic Rf 2 at the resonance frequency f 2 gradually decreases, whereas the reflection characteristic Rf at the resonance frequency f 1 is decreased. No. 1 is greatly depressed when the normalized narrow wall size is around 0.97. Further, the resonance frequency f 2, compared to a generally constant in the range of 1.00 to 1.03, the resonance frequency f 1 is gradually increased from 0.88 to 1.03. That is, it can be seen that if the normalized narrow wall dimension is in the range of 0.97 to 1.05, the MSL-WG converter 1 having a wide band and good reflection characteristics can be obtained.

本実施の形態によれば、主整合素子6と副整合素子7とを互いに異なる共振周波数により共振させることができ、従来のMSL−WG変換器に比べて、MSL−WG変換器1の帯域幅を広げることができる。特に、副整合素子7を主整合素子6の片側にのみ形成する場合に比べて、副整合素子7に係る共振領域として広い面積を確保することができ、帯域幅を確実に広げることができる。   According to the present embodiment, the main matching element 6 and the sub-matching element 7 can resonate at different resonance frequencies, and the bandwidth of the MSL-WG converter 1 compared to the conventional MSL-WG converter. Can be spread. In particular, compared to the case where the sub-matching element 7 is formed only on one side of the main matching element 6, a large area can be secured as a resonance region related to the sub-matching element 7, and the bandwidth can be surely widened.

また、この様な広帯域化によって、製造時の加工精度の影響を受けて、MSL−WG変換器1の変換特性が顕著に劣化するのを抑制することができる。例えば、共振周波数fには、主整合素子6を形成する際のパターニング精度に応じた誤差が生じる。同様にして、共振周波数fには副整合素子7の加工精度に応じた誤差が生じる。しかしながら、異なる2つの共振周波数f,fで共振させることによって、これらの共振周波数f,fの一方又は両方に多少の誤差が生じたとしても、伝送波の周波数における変換特性が顕著に劣化することはない。従って、周波数特性のばらつきを抑制することができる。その結果、製造歩留まりを向上させることができ、製造コストを低減することができる。 In addition, with such a wide band, it is possible to prevent the conversion characteristics of the MSL-WG converter 1 from being significantly deteriorated due to the influence of processing accuracy during manufacturing. For example, an error corresponding to the patterning accuracy in forming the main matching element 6 occurs in the resonance frequency f 1 . Similarly, the resonance frequency f 2 error corresponding to the processing accuracy of the sub-matching element 7 occurs. However, by causing resonance at two different resonance frequencies f 1 and f 2 , even if some error occurs in one or both of these resonance frequencies f 1 and f 2 , the conversion characteristics at the frequency of the transmission wave are remarkable. It will not deteriorate. Therefore, variation in frequency characteristics can be suppressed. As a result, the manufacturing yield can be improved and the manufacturing cost can be reduced.

さらに、共振長Lよりも長い共振長の共振経路Pが主整合素子6内に形成され、共振長Lよりも短い共振長の共振経路Pが副整合素子7内に形成されるので、素子長が共振長L程度の整合素子のみを閉鎖領域8内に形成する場合に比べて、MSL−WG変換器1の帯域幅を十分に広げることができる。また、主整合素子6及び副整合素子7間で共振経路が分離されるので、主整合素子6及び副整合素子7間で異なる2つの共振周波数f,fを容易に実現することができる。 Further, a resonance path P 1 having a resonance length longer than the resonance length L 0 is formed in the main matching element 6, and a resonance path P 2 having a resonance length shorter than the resonance length L 0 is formed in the sub-matching element 7. Therefore, the bandwidth of the MSL-WG converter 1 can be sufficiently widened as compared with the case where only the matching element whose element length is about the resonance length L 0 is formed in the closed region 8. Further, since the resonance path is separated between the main matching element 6 and the sub-matching element 7, two different resonance frequencies f 1 and f 2 can be easily realized between the main matching element 6 and the sub-matching element 7. .

なお、本実施の形態では、副整合素子7が、開口21の長辺と平行な辺と、開口21の短辺と平行な辺とからなる矩形形状である場合の例について説明したが、本発明は副整合素子7の形状をこれに限定するものではない。例えば、副整合素子7がひし形や円形形状からなるものも本発明には含まれる。   In the present embodiment, an example in which the sub-matching element 7 has a rectangular shape including a side parallel to the long side of the opening 21 and a side parallel to the short side of the opening 21 has been described. The invention does not limit the shape of the sub-matching element 7 to this. For example, the sub-matching element 7 having a diamond shape or a circular shape is also included in the present invention.

図10は、導波管ブロック2の開口21に対するMSL4、主整合素子6及び副整合素子7の配置の他の例を示した図である。図中の(a)には、開口21の短辺と平行な対角線を有するひし形形状の副整合素子7が示され、(b)には、円形形状の副整合素子7が示されている。また、(c)には、開口21の長辺と平行な1対の辺が互いに長手方向にずれている平行四辺形形状の副整合素子7が示されている。   FIG. 10 is a diagram showing another example of the arrangement of the MSL 4, the main matching element 6, and the sub matching element 7 with respect to the opening 21 of the waveguide block 2. (A) in the figure shows a diamond-shaped sub-matching element 7 having a diagonal line parallel to the short side of the opening 21, and (b) shows a circular-shaped sub-matching element 7. Further, (c) shows a parallelogram-shaped sub-matching element 7 in which a pair of sides parallel to the long side of the opening 21 are displaced from each other in the longitudinal direction.

(a)の副整合素子7では、対角線の長さが素子長Bであり、(b)の副整合素子7では、直径の長さが素子長Bである。(c)の副整合素子7では、平行四辺形の斜辺の長さが素子長Bである。副整合素子7がこの様な形状であっても、MSL−WG変換器1の帯域幅を広げることができる。 In sub-matching element 7 (a), the length of the diagonal line is an element length B 2, in the sub-matching element 7 (b), is a device length B 2 length to diameter. In sub-matching element 7 (c), the length of the parallelogram hypotenuse is an element length B 2. Even if the sub-matching element 7 has such a shape, the bandwidth of the MSL-WG converter 1 can be increased.

また、本実施の形態では、副整合素子7が主整合素子6の両側又は片側に、1つのパターンでのみ形成される場合の例について説明したが、副整合素子7は、互いに異なる複数のパターンから形成されるように構成しても良い。例えば、主整合素子6の両側に、互いの素子長が異なる2つの副整合素子がそれぞれ形成されるような構成のものも本発明には含まれる。   In the present embodiment, an example in which the sub-matching element 7 is formed in only one pattern on both sides or one side of the main matching element 6 has been described. However, the sub-matching element 7 includes a plurality of different patterns. You may comprise so that it may be formed from. For example, the present invention includes a configuration in which two sub-matching elements having different element lengths are formed on both sides of the main matching element 6, respectively.

図11は、MSL−WG変換器1のその他の構成例を示した図であり、主整合素子6の両側に互いの素子長が異なる副整合素子7a,7bが形成された場合が示されている。このMSL−WG変換器1では、2つの副整合素子7a,7bが主整合素子6と開口21の短辺との間に形成されている。副整合素子7がこの様な互いに異なる複数のパターンから形成されるような構成であっても、MSL−WG変換器1の帯域幅を広げることができる。   FIG. 11 is a diagram illustrating another configuration example of the MSL-WG converter 1 and illustrates a case where sub-matching elements 7 a and 7 b having different element lengths are formed on both sides of the main matching element 6. Yes. In the MSL-WG converter 1, two sub-matching elements 7 a and 7 b are formed between the main matching element 6 and the short side of the opening 21. Even if the sub-matching element 7 is formed of such a plurality of different patterns, the bandwidth of the MSL-WG converter 1 can be increased.

実施の形態2.
実施の形態1では、主整合素子6及び副整合素子7が互いに離間して配置される場合の例について説明した。本実施の形態では、主整合素子6及び副整合素子7が、開口21の短手方向の長さが各整合素子6,7に比べて短い領域を介して、互いに連結されている場合について説明する。
Embodiment 2. FIG.
In the first embodiment, the example in which the main matching element 6 and the sub matching element 7 are arranged apart from each other has been described. In the present embodiment, the case where the main matching element 6 and the sub-matching element 7 are connected to each other via a region in which the length of the opening 21 in the short direction is shorter than the matching elements 6 and 7 will be described. To do.

図12は、本発明の実施の形態2によるMSL−WG変換器1の一構成例を示した図であり、主整合素子6及び副整合素子7がネック領域9を介して互いに連結されている。ネック領域9は、開口21の短手方向の長さdが、素子長B,Bよりも短い領域であり、主整合素子6、ネック領域9及び副整合素子7により、開口21の短手方向の両側から対向する凹部を形成している。つまり、開口21の一方の長辺側の外縁に関し、主整合素子6の外縁と副整合素子7の外縁とネック領域9の外縁とにより、凹部が形成されているとともに、開口21の他方の長辺側の外縁に関しても、主整合素子6、副整合素子7及びネック領域9の各外縁により凹部が形成されている。このネック領域9は、例えば、主整合素子6や副整合素子7と同じ導電体層からなる。 FIG. 12 is a diagram showing a configuration example of the MSL-WG converter 1 according to the second embodiment of the present invention, in which the main matching element 6 and the sub-matching element 7 are connected to each other via the neck region 9. . The neck region 9 is a region in which the length d 4 in the short direction of the opening 21 is shorter than the element lengths B 1 and B 2. The main matching element 6, the neck region 9, and the sub-matching element 7 define the opening 21. Concave portions that are opposed from both sides in the short direction are formed. That is, with respect to the outer edge on one long side of the opening 21, a recess is formed by the outer edge of the main matching element 6, the outer edge of the sub-matching element 7, and the outer edge of the neck region 9, and the other length of the opening 21. Concerning the outer edge on the side, a recess is formed by the outer edges of the main matching element 6, the sub-matching element 7, and the neck region 9. The neck region 9 is made of, for example, the same conductor layer as the main matching element 6 and the sub matching element 7.

この例では、主整合素子6の両側に配置される副整合素子7がいずれもネック領域9を介して主整合素子6と連結されている。ネック領域9を介して主整合素子6及び副整合素子7間に形成される共振経路のうち、経路長が共振経路PやPと近い共振経路の影響が小さければ、広帯域化が可能である。このため、ネック領域9の長さdは、主整合素子6及び副整合素子7の素子長B,Bよりも短ければ良いが、例えば、主整合素子6及び副整合素子7間の間隔Aよりも短いことが望ましい。 In this example, the sub-matching elements 7 arranged on both sides of the main matching element 6 are all connected to the main matching element 6 via the neck region 9. Of the resonance paths formed between the main matching element 6 and the sub-matching element 7 via the neck region 9, if the influence of the resonance path whose path length is close to the resonance paths P 1 and P 2 is small, the bandwidth can be increased. is there. For this reason, the length d 4 of the neck region 9 may be shorter than the element lengths B 1 and B 2 of the main matching element 6 and the sub-matching element 7, but for example, between the main matching element 6 and the sub-matching element 7 it is desirable that less than the distance A 3.

この様な構成によっても、MSL−WG変換器1の帯域幅を広げることができる。つまり、主整合素子6と副整合素子7とは、電磁的に結合可能であって、かつ、経路長の異なる共振経路P,Pが形成可能であれば、互いに導通していても良い。 Even with such a configuration, the bandwidth of the MSL-WG converter 1 can be increased. That is, the main matching element 6 and the sub-matching element 7 may be electrically connected to each other as long as they can be electromagnetically coupled and resonance paths P 1 and P 2 having different path lengths can be formed. .

実施の形態3.
実施の形態1では、副整合素子7が主整合素子6の両側に配置される場合の例について説明した。これに対し、本実施の形態では、副整合素子7が主整合素子6の片側にのみ配置される場合について説明する。
Embodiment 3 FIG.
In the first embodiment, an example in which the sub-matching element 7 is arranged on both sides of the main matching element 6 has been described. On the other hand, in the present embodiment, a case where the sub-matching element 7 is arranged only on one side of the main matching element 6 will be described.

図13は、本発明の実施の形態3によるMSL−WG変換器1の一構成例を示した図であり、副整合素子7が主整合素子6の片側にのみ形成されている。この例では、副整合素子7が、主整合素子6の右側にのみ形成されている。この様な構成によっても、MSL−WG変換器1の帯域幅を広げることができる。   FIG. 13 is a diagram illustrating a configuration example of the MSL-WG converter 1 according to the third embodiment of the present invention, and the sub-matching element 7 is formed only on one side of the main matching element 6. In this example, the sub-matching element 7 is formed only on the right side of the main matching element 6. Even with such a configuration, the bandwidth of the MSL-WG converter 1 can be increased.

なお、実施の形態1〜3では、平面線路がMSL4である場合の例について説明したが、本発明は変換器を介して導波管と接続される平面線路をMSL4に限定するものではない。例えば、誘電体基板の内部に形成した導電体層を誘電体基板の第1面及び第2面に形成した導電体層で挟む構造のストリップラインや、誘電体基板の表面に形成した導電体層に線状の空隙を設け、その空隙内に線状の導電体層を形成する構造のコプレーナ導波路を平面線路として用いる変換器にも本発明は適用することができる。   In the first to third embodiments, an example in which the planar line is the MSL4 has been described. However, the present invention does not limit the planar line connected to the waveguide via the converter to the MSL4. For example, a strip line having a structure in which a conductive layer formed inside a dielectric substrate is sandwiched between conductive layers formed on the first and second surfaces of the dielectric substrate, or a conductive layer formed on the surface of the dielectric substrate The present invention can also be applied to a converter using a coplanar waveguide having a structure in which a linear gap is provided in the gap and a linear conductor layer is formed in the gap as a planar line.

また、実施の形態1〜3では、MSL4が導波管ブロック2の開口21の長辺を横切って当該開口21の短辺と平行に延びる場合の例について説明したが、MSL4が開口21の短辺を横切って開口21の長辺と平行に延びるような構成の変換器にも本発明は適用することができる。   In the first to third embodiments, an example in which the MSL 4 extends in parallel with the short side of the opening 21 across the long side of the opening 21 of the waveguide block 2 has been described. The present invention can also be applied to a transducer configured to extend across the side and parallel to the long side of the opening 21.

また、実施の形態1〜3では、主整合素子6が矩形形状からなる場合の例について説明したが、主整合素子6が矩形以外の形状、例えば、円形やひし形からなるものも本発明には含まれる。   In the first to third embodiments, an example in which the main matching element 6 has a rectangular shape has been described. However, a shape other than the main matching element 6, for example, a circle or a rhombus is also included in the present invention. included.

1 MSL−WG変換器
10 誘電体基板
11 スルーホール
3 短絡板
3a 切込み
4 MSL
5 接地板
6 主整合素子
7,7a,7b 副整合素子
8 閉鎖領域
9 ネック領域
2 導波管ブロック
21 開口
22a 広壁
22b 狭壁
23 中空部
,B 素子長
挿入長
副整合素子の位置
中心周波数
,f 共振周波数
狭壁の寸法
広壁の寸法
w 線路幅
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 MSL-WG converter 10 Dielectric substrate 11 Through hole 3 Short-circuit board 3a Cut 4 MSL
5 grounding plate 6 main matching element 7, 7a, 7b auxiliary matching element 8 closed region 9 neck region second waveguide blocks 21 opening 22a wide wall 22b Semakabe 23 hollow section B 1, B 2 element length d 1 insertion distance d 2 Sub-matching element position f 0 Center frequency f 1 , f 2 Resonance frequency L 1 Narrow wall dimension L 2 Wide wall dimension w Line width

Claims (5)

導波管の矩形からなる開口を閉鎖する第1面を有する誘電体基板と、
上記誘電体基板の第1面上の上記開口内に形成された第1整合素子及び第2整合素子と、
上記誘電体基板の第2面上に形成された短絡板と、
上記誘電体基板の第2面上に形成され、第1整合素子と対向するように上記短絡板の切込み内に延びる平面線路とを備え、
第2整合素子は、上記導波管の上記開口の短辺と第1整合素子との間に配置され、
第1整合素子及び第2整合素子は、上記開口の短辺と平行な方向の長さが互いに異なることを特徴とする平面線路導波管変換器。
A dielectric substrate having a first surface for closing the rectangular opening of the waveguide;
A first matching element and a second matching element formed in the opening on the first surface of the dielectric substrate;
A short-circuit plate formed on the second surface of the dielectric substrate;
A planar line formed on the second surface of the dielectric substrate and extending into the notch of the shorting plate so as to face the first matching element;
The second matching element is disposed between the short side of the opening of the waveguide and the first matching element,
The planar line waveguide converter, wherein the first matching element and the second matching element have different lengths in a direction parallel to the short side of the opening.
上記平面線路は、上記開口の長辺を横切って延び、
第2整合素子は、矩形形状の第1整合素子の両側に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の平面線路導波管変換器。
The planar track extends across the long side of the opening,
2. The planar line waveguide converter according to claim 1, wherein the second matching element is formed on both sides of the rectangular first matching element.
第1整合素子は、上記開口の短辺と平行な方向の素子長が上記導波管の管内波長に対応する共振長よりも長く、
第2整合素子は、上記素子長が上記共振長よりも短いことを特徴とする請求項1又は2に記載の平面線路導波管変換器。
The first matching element has an element length in a direction parallel to the short side of the opening longer than a resonance length corresponding to the waveguide wavelength of the waveguide,
3. The planar line waveguide converter according to claim 1, wherein the second matching element has an element length shorter than the resonance length. 4.
第1整合素子及び第2整合素子は、互いに離間して配置されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の平面線路導波管変換器。   The planar line waveguide converter according to claim 1, wherein the first matching element and the second matching element are spaced apart from each other. 第1整合素子及び第2整合素子は、上記開口の短辺と平行な方向の長さが各整合素子に比べて短いネック領域を介して、互いに連結されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の平面線路導波管変換器。   2. The first matching element and the second matching element are connected to each other via a neck region whose length in a direction parallel to the short side of the opening is shorter than each matching element. The planar line waveguide converter in any one of -3.
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