JP2013134813A - Display device - Google Patents

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Koichi Ishige
剛一 石毛
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress crosstalk well in a display device using an organic EL element, even when a charge transport layer is deposited by dry deposition method.SOLUTION: An organic EL element comprises an organic compound layer including a first electrode 4 divided for each element, a charge transport layer 5, and a luminous layer 6 where the resistance of the charge transport layer 5 is lower than that of the luminous layer 6, and a second electrode 7 provided commonly to a plurality of organic EL elements. There is provided between the plurality of organic EL elements, a groove 3 having a cross section of reverse tapered shape in the width direction, and having a depth larger than the thickness of the charge transport layer 5 but smaller than the thickness of the second electrode 7, or a barrier rib having a height larger than the thickness of the charge transport layer 5 but smaller than the thickness of the second electrode 7, thus segmenting the charge transport layer 5 between adjoining organic EL elements.

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子を用いた表示装置に関する。   The present invention relates to a display device using an organic electroluminescence (EL) element.

近年、フラットパネル対応の自発光型デバイスが注目されている。自発光型デバイスとしては、プラズマ発光表示素子、フィールドエミッション素子、エレクトロルミネッセンス(EL)素子等がある。この中で、特に、有機EL素子に関しては、研究開発が精力的に進められており、緑単色や、青、赤等の色を加えたエリアカラータイプのアレイが製品化され、現在はフルカラー化への開発が活発化している。フルカラー発光アレイを作製する場合、発光層を画素(素子)毎に塗り分ける方式と、発光層は白色で、カラーフィルターを画素毎に塗り分ける方式がある。   In recent years, self-luminous devices compatible with flat panels have attracted attention. Examples of the self-luminous device include a plasma light-emitting display element, a field emission element, and an electroluminescence (EL) element. In particular, organic EL elements are being researched and developed vigorously, and an array of area color types that add a single color such as green, blue, red, etc. has been commercialized and is now full color. Development is becoming more active. When a full-color light emitting array is manufactured, there are a method in which a light emitting layer is applied for each pixel (element) and a method in which the light emitting layer is white and a color filter is applied for each pixel.

また、最近では、発光アレイの高精細化も検討されている。高精細化により画素サイズが小さくなると、隣接する電極間の距離が近くなるため、低抵抗の電荷輸送層を介した漏れ電流により、意図した画素の周辺画素が発光してしまうクロストークが問題となることがある。このような問題を解決するため、特許文献1には、エレクトロルミネッセント層と第1電極層の間の電荷輸送層を、第1電極に沿って分離するレリーフパターンを備えた有機EL装置が開示されている。また、特許文献2には、オーバーハング部を有する隔壁で、第2電極を分割する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルが開示されている。   In recent years, high-definition light emitting arrays are also being studied. When the pixel size is reduced due to higher definition, the distance between adjacent electrodes becomes closer, so crosstalk in which peripheral pixels of the intended pixel emit light due to leakage current through the low-resistance charge transport layer is a problem. May be. In order to solve such a problem, Patent Document 1 discloses an organic EL device having a relief pattern that separates a charge transport layer between an electroluminescent layer and a first electrode layer along a first electrode. It is disclosed. Patent Document 2 discloses an organic electroluminescence display panel in which a second electrode is divided by a partition wall having an overhang portion.

特表2003−530660号公報Special table 2003-530660 gazette 特開平8−315981号公報JP-A-8-315981

特許文献1記載の発明は、電荷輸送層をスピンコーティング法のような湿式成膜法で成膜する場合に、順テーパー角度を持つレリーフを設けることで、電荷輸送層を複数の第1電極間で分割するものである。電荷輸送層を湿式成膜法で形成するため、レリーフが順テーパー角度であっても十分な高さを持つか、或いはレリーフの表面を電荷輸送層形成材料の溶液をはじくように表面処理することで、電荷輸送層を自発的に分割することが可能であるとする。また、順テーパー角度であるため、真空蒸着のような乾式成膜法で形成される第2電極を中断しない。   In the invention described in Patent Document 1, when the charge transport layer is formed by a wet film formation method such as a spin coating method, a relief having a forward taper angle is provided, so that the charge transport layer is provided between the plurality of first electrodes. Divide by. Since the charge transport layer is formed by a wet film formation method, the relief should have a sufficient height even if it has a forward taper angle, or the surface of the relief should be surface treated so as to repel the solution of the charge transport layer forming material. Thus, it is assumed that the charge transport layer can be divided spontaneously. Moreover, since it is a forward taper angle, the 2nd electrode formed by the dry-type film-forming method like vacuum evaporation is not interrupted.

しかしながら、電荷輸送層成膜の別の一般的手段である真空蒸着等の乾式成膜法においては、レリーフの側面や上面にも膜が付着するため、順テーパー角度のレリーフで電荷輸送層を分割することは困難である。これは、特許文献1記載の発明において、乾式成膜法で形成される第2電極が中断されないのと同様である。   However, in dry deposition methods such as vacuum deposition, which is another common means of charge transport layer deposition, the film also adheres to the side and top surfaces of the relief, so the charge transport layer is divided by reliefs with a forward taper angle. It is difficult to do. This is the same as that in the invention described in Patent Document 1, the second electrode formed by the dry film forming method is not interrupted.

一方、特許文献2にあるように、オーバーハング部を有する隔壁を設ける例は、単純マトリクス駆動のために、第2電極も分割される。トランジスタ等のスイッチング素子を基板側に設けるアクティブマトリクス駆動においては、第2電極は共通であることが望ましい。第2電極が分割されることは、個別にコンタクト部を設けたり、コンタクト部の有機層を除去する必要があり、コストの増大を招く恐れがある。   On the other hand, as disclosed in Patent Document 2, in the example in which the partition wall having the overhang portion is provided, the second electrode is also divided for simple matrix driving. In active matrix driving in which a switching element such as a transistor is provided on the substrate side, it is desirable that the second electrode be common. When the second electrode is divided, it is necessary to individually provide a contact portion or to remove the organic layer of the contact portion, which may increase the cost.

本発明の課題は、有機EL素子を用いた表示装置において、電荷輸送層を乾式成膜法で成膜する場合においても、良好にクロストークを抑制することにある。   An object of the present invention is to satisfactorily suppress crosstalk even when a charge transport layer is formed by a dry film formation method in a display device using an organic EL element.

本発明は、複数の有機EL素子を備え、前記有機EL素子は素子毎に分割された第1電極と、電荷輸送層と、発光層と、を含む有機化合物層と、複数の有機EL素子に共通して設けられた第2電極とを有する表示装置において、
前記電荷輸送層は前記発光層よりも抵抗が小さく、
前記複数の有機EL素子の間には、幅方向の断面が逆テーパー形状の溝或いは隔壁を有し、
前記溝の深さ或いは隔壁の高さは、前記電荷輸送層の厚さよりも大きく、且つ、前記第2電極の厚さよりも小さいことを特徴とする。
The present invention includes a plurality of organic EL elements, and the organic EL element includes a first electrode divided for each element, an organic compound layer including a charge transport layer, and a light emitting layer, and a plurality of organic EL elements. In the display device having the second electrode provided in common,
The charge transport layer has a smaller resistance than the light emitting layer,
Between the plurality of organic EL elements, a cross section in the width direction has a groove or partition wall having a reverse taper shape,
The depth of the groove or the height of the partition wall is larger than the thickness of the charge transport layer and smaller than the thickness of the second electrode.

本発明によれば、電荷輸送層を乾式成膜法で成膜する場合においても、電荷輸送層を介して生じるクロストークが抑制され、良好な表示が可能な表示装置が提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even when forming a charge transport layer with a dry-type film-forming method, the crosstalk produced via a charge transport layer is suppressed, and the display apparatus which can perform favorable display is provided.

本発明の表示装置の一実施形態の構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of one Embodiment of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置における溝或いは隔壁の作用を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the effect | action of the groove | channel or the partition in the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置における溝及び隔壁の断面形状を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the cross-sectional shape of the groove | channel and the partition in the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の他の実施形態の構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of other embodiment of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置における溝或いは隔壁の位置を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the position of the groove | channel or the partition in the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の電荷輸送層成膜時における蒸着源とその位置を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the vapor deposition source and the position at the time of charge transport layer film-forming of the display apparatus of this invention.

以下、図面を用いて本発明をより詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

図1は本発明の表示装置の一実施形態の構成を模式的に示す断面図である。本実施形態は、基板1上の下地層2上に、不図示の配線及びスイッチング素子に接続された複数の第1電極4を備える。該第1電極4は有機EL素子毎に分割して配置されており、該第1電極上に電荷輸送層5と発光層6及び複数の第1電極4にまたがって、第2電極7を備える。複数の第1電極4の間には、幅方向の断面が逆テーパー形状の溝或いは隔壁を備え、該溝の深さ或いは隔壁の高さが、前記電荷輸送層の厚さよりも大きく、前記第2電極の厚さよりも小さいことが、本発明の特徴である。図1は溝3を設けた実施形態であり、隔壁14を設けた実施形態の断面模式図を図4に示す。尚、本発明において溝或いは隔壁の幅方向の断面が逆テーパー形状であるとは、溝の場合は幅方向の断面において開口部より底部側の幅が狭い形状であり、隔壁の場合は、底部よりも上部の幅が広い形状である。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of an embodiment of a display device of the present invention. In the present embodiment, a plurality of first electrodes 4 connected to wirings and switching elements (not shown) are provided on a base layer 2 on a substrate 1. The first electrode 4 is divided for each organic EL element, and includes a charge transport layer 5, a light emitting layer 6, and a plurality of first electrodes 4 on the first electrode, and a second electrode 7. . Between the plurality of first electrodes 4, a groove or partition wall having a reverse taper shape in cross section in the width direction is provided, and the depth of the groove or the height of the partition wall is larger than the thickness of the charge transport layer. It is a feature of the present invention that it is smaller than the thickness of the two electrodes. FIG. 1 shows an embodiment in which the groove 3 is provided, and FIG. 4 shows a schematic cross-sectional view of the embodiment in which the partition wall 14 is provided. In the present invention, the cross section in the width direction of the groove or partition is an inversely tapered shape. In the case of a groove, the width in the cross section in the width direction is narrower on the bottom side than the opening. The upper part is wider than the upper part.

尚、電荷輸送層5とは、発光層6よりも第1電極4寄りにある層を示す。一般的に、駆動電圧を下げるために、電荷輸送層5には発光層6よりも抵抗の低い材料を用いることが多い。特に、第1電極4との界面、或いは第1電極4と発光層6との間に、電子供与型、或いは電子受容型の材料を含むことがあり、この場合には周辺の有機化合物膜との間で電子の授受が起こり、キャリアが生成されるために電気抵抗値が大幅に低下する。本発明は、このような電子供与型、或いは電子受容型の材料を含む層を有する場合に、特に効果的である。もちろん、このような材料を含まずとも、電気抵抗が小さいか、或いは隣接する第1電極4間の距離が短く、隣接画素間のリーク電流により、意図しない画素の発光が起こる場合には効果を有する。   The charge transport layer 5 is a layer closer to the first electrode 4 than the light emitting layer 6. In general, a material having a lower resistance than the light emitting layer 6 is often used for the charge transport layer 5 in order to lower the drive voltage. In particular, an electron donating or electron accepting material may be included at the interface with the first electrode 4 or between the first electrode 4 and the light emitting layer 6. In this case, the surrounding organic compound film and Electrons are exchanged between the two and carriers are generated, so that the electric resistance value is greatly reduced. The present invention is particularly effective when it has a layer containing such an electron donating or electron accepting material. Of course, even if such a material is not included, it is effective when the electrical resistance is small or the distance between the adjacent first electrodes 4 is short and the light emission of the unintended pixel occurs due to the leakage current between the adjacent pixels. Have.

図2に示すように、真空蒸着などの異方性の成膜方法で形成される場合、逆テーパー形状の溝3、或いは隔壁を有することで、溝3或いは隔壁の側面8には、電荷輸送層5は実質的にほとんど付着しない。このため、隣接する第1電極4間で電荷輸送層5が分断されるため、電荷輸送層5を介して電流が流れることによるクロストークを抑制することができる。一方で、溝3の深さ或いは隔壁の高さを第2電極7の厚さよりも小さくしているため、第2電極7の断線や高抵抗化に伴う発光ムラ等の、表示品位の低下を避けることができる。   As shown in FIG. 2, when the film is formed by an anisotropic film formation method such as vacuum deposition, the reverse-tapered groove 3 or the partition wall is provided, so that charge transport is performed on the groove 3 or the side wall 8 of the partition wall. Layer 5 is substantially unattached. For this reason, since the charge transport layer 5 is divided between the adjacent first electrodes 4, crosstalk caused by current flowing through the charge transport layer 5 can be suppressed. On the other hand, since the depth of the groove 3 or the height of the partition wall is made smaller than the thickness of the second electrode 7, the display quality deteriorates due to the disconnection of the second electrode 7 and the uneven emission due to the increased resistance. Can be avoided.

有機EL素子を用いた表示装置において用いられる隔壁は、第1電極4の端部を覆うように形成され、有機化合物層(5,6)の断線による第1電極4と第2電極7間でのショート、及び第2電極7の断線を防ぐため、順テーパー角度を持つことが一般的である。一方、単純マトリクス駆動の表示装置に用いられる隔壁は、通常第2電極7を分断することが目的であるため、逆テーパーである場合にも、第2電極7よりも十分に大きな高さを有する。本発明は溝3或いは隔壁14の断面形状が逆テーパー形状であり、なおかつ電荷輸送層5の膜厚よりも大きく、第2電極7の膜厚よりも小さな高さを有するところに特徴を有する。   The partition used in the display device using the organic EL element is formed so as to cover the end of the first electrode 4, and is formed between the first electrode 4 and the second electrode 7 due to the disconnection of the organic compound layers (5, 6). In order to prevent the short circuit and the disconnection of the second electrode 7, it is common to have a forward taper angle. On the other hand, the partition used in the display device of the simple matrix drive is usually intended to divide the second electrode 7, and therefore has a sufficiently larger height than the second electrode 7 even in the case of reverse taper. . The present invention is characterized in that the cross-sectional shape of the groove 3 or the partition wall 14 is an inversely tapered shape, and has a height larger than the thickness of the charge transport layer 5 and smaller than the thickness of the second electrode 7.

本発明において、第2電極7は、断線や抵抗の増加による輝度ムラや消費電力の増大を防ぐために、十分な膜厚を有することが望ましい。第2電極7を透明導電膜から構成し、トップエミッション構成としてもよいし、第2電極7を金属等の反射電極として、ボトムエミッション構成としてもよい。一方で第2電極7の膜厚を厚くしすぎると、コストの増大を招く。また、第2電極7として透明導電膜を用いる場合には、第2電極7を厚くしすぎると、膜の吸収による発光効率の低下を招く。第2電極7の膜厚は好ましくは、30nm乃至2μmである。より好ましくは、200nm乃至1μmの膜厚である。   In the present invention, it is desirable that the second electrode 7 has a sufficient film thickness in order to prevent luminance unevenness and increase in power consumption due to disconnection or increase in resistance. The second electrode 7 may be made of a transparent conductive film and may have a top emission configuration, or the second electrode 7 may be a reflective electrode such as a metal and may have a bottom emission configuration. On the other hand, if the film thickness of the second electrode 7 is too thick, the cost increases. When a transparent conductive film is used as the second electrode 7, if the second electrode 7 is too thick, the light emission efficiency is reduced due to absorption of the film. The film thickness of the second electrode 7 is preferably 30 nm to 2 μm. More preferably, the film thickness is 200 nm to 1 μm.

一方、電荷輸送層5の膜厚としては、電極からの注入を確保するとともに、発光層6からの励起子やキャリアの漏れを抑制するために、薄すぎないほうがよい。また、厚すぎると駆動電圧の上昇を招くため、厚すぎないほうがよい。電荷輸送層5の膜厚としては、5nm乃至300nm、より好ましくは10nm乃至200nm程度が好適である。   On the other hand, the thickness of the charge transport layer 5 should not be too thin in order to ensure injection from the electrodes and to suppress leakage of excitons and carriers from the light emitting layer 6. Moreover, since it will cause the drive voltage to rise if it is too thick, it is better not to be too thick. The thickness of the charge transport layer 5 is preferably 5 nm to 300 nm, more preferably about 10 nm to 200 nm.

断面が逆テーパー形状の溝3の深さ、或いは隔壁14の高さとしては、電荷輸送層5を十分に断線せしめ、なおかつ第2電極7の抵抗を下げるために、電荷輸送層5の膜厚よりも大きく、第2電極7の膜厚よりも小さいことが望ましい。より好ましくは、電荷輸送層5の膜厚の2倍以上であり、なおかつ第2電極7の膜厚の半分以下であるとよい。かかる場合に、クロストークの防止と、第2電極7の断線を抑制することができる。また、このような膜厚関係を満たすため、前記電荷輸送層5の膜厚は、第2電極7の膜厚よりも小さいことが必要である。   The depth of the groove 3 having a reverse-tapered cross section or the height of the partition wall 14 is such that the charge transport layer 5 is sufficiently disconnected, and the thickness of the charge transport layer 5 is lowered in order to reduce the resistance of the second electrode 7. It is desirable that it is larger than the thickness of the second electrode 7. More preferably, it is not less than twice the film thickness of the charge transport layer 5 and not more than half the film thickness of the second electrode 7. In such a case, crosstalk can be prevented and disconnection of the second electrode 7 can be suppressed. Further, in order to satisfy such a film thickness relationship, the film thickness of the charge transport layer 5 needs to be smaller than the film thickness of the second electrode 7.

逆テーパー形状の溝3、或いは隔壁14のテーパー角度としては、なるべく大きな角度である方が、電荷輸送層5を断線させやすいため、好ましい。尚、本発明におけるテーパー角度とは、図2に示すように、溝3或いは隔壁14のうち最も後退した点と、該後退した点よりも上部にある点のうち、最も張り出した点を結ぶ線と、基板法線とのなす角度(図2の11に示す角度)のことを指すものとする。電荷輸送層5を断線させることができれば、溝3や隔壁14の側面の角度が傾斜していることに限らない。尚、図2においては、便宜上、溝3の形態を図示しているが、溝3の側面8を隔壁14の側面とみなせば本発明における作用は全く同じである。   The taper angle of the inversely tapered groove 3 or the partition wall 14 is preferably as large as possible because the charge transport layer 5 is easily disconnected. As shown in FIG. 2, the taper angle in the present invention is a line connecting the most retracted point of the groove 3 or the partition 14 and the most protruding point among the points above the retracted point. And the substrate normal line (an angle indicated by 11 in FIG. 2). If the charge transport layer 5 can be disconnected, the angles of the side surfaces of the groove 3 and the partition wall 14 are not limited to be inclined. In FIG. 2, for the sake of convenience, the shape of the groove 3 is shown. However, if the side surface 8 of the groove 3 is regarded as the side surface of the partition wall 14, the operation in the present invention is exactly the same.

図3に溝3、及び隔壁14の断面形状の例について示す。溝の場合、図3(a)のような逆テーパー形状が挙げられ、図3(b)のように複数の層の積層からなってもよい。また、図3(c)のように、高さ方向に一部順テーパー形状となっていてもよい。この場合、側面のうち、逆テーパー部分が電荷輸送層5よりも高く、全体の高さが第2電極7の膜厚よりも小さければよい。また、図3(d)のように、オーバーハングを持つ形状も本発明で言う逆テーパー形状に含める。また、隔壁14の例としては、図3(e)のように、逆テーパー形状でも、図3(f)のように、T字型、即ち側面がオーバーハングを持つ形状も含めるものとする。   FIG. 3 shows examples of cross-sectional shapes of the groove 3 and the partition wall 14. In the case of a groove, a reverse taper shape as shown in FIG. 3A is exemplified, and a plurality of layers may be laminated as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 3C, a part may be a forward tapered shape in the height direction. In this case, it is sufficient that the reverse tapered portion of the side surface is higher than the charge transport layer 5 and the overall height is smaller than the film thickness of the second electrode 7. Further, as shown in FIG. 3D, a shape having an overhang is also included in the reverse tapered shape referred to in the present invention. Further, examples of the partition wall 14 include a reverse taper shape as shown in FIG. 3E and a T-shape, that is, a shape having an overhanged side surface as shown in FIG.

逆テーパー形状の溝3を設ける場合、図1に示すように、溝3の開口部の幅12は、隣接する第1電極7の間隔13よりも小さいことが好ましい。かかる場合に、電荷輸送層5の断線を起こす部分で、第1電極4が露出することを避けられるため、第1電極4と第2電極7間のショートを避けることができる。また、開口部の両側に付着した電荷輸送層5が互いに接触することを避け、確実に電荷輸送層5を断線させるため、前記溝3の開口部の幅12は、少なくとも電荷輸送層5の膜厚の2倍以上であることが好ましい。また、溝3の幅が広すぎると、画素の開口率が低下するため、広すぎないことが好ましい。溝3の幅としては、好ましくは、50nm以上、2μm以下がよい。より好ましくは、100nm以上1μm以下がよい。   When the reverse tapered groove 3 is provided, as shown in FIG. 1, the width 12 of the opening of the groove 3 is preferably smaller than the interval 13 between the adjacent first electrodes 7. In such a case, since the first electrode 4 can be prevented from being exposed at the portion where the disconnection of the charge transport layer 5 occurs, a short circuit between the first electrode 4 and the second electrode 7 can be avoided. Further, in order to prevent the charge transport layers 5 attached on both sides of the opening from contacting each other and to reliably disconnect the charge transport layer 5, the width 12 of the opening of the groove 3 is at least the film of the charge transport layer 5. It is preferably at least twice the thickness. Further, if the width of the groove 3 is too wide, the aperture ratio of the pixel is lowered, so it is preferable that the groove 3 is not too wide. The width of the groove 3 is preferably 50 nm or more and 2 μm or less. More preferably, it is 100 nm or more and 1 μm or less.

一方、図4に示すように、隔壁14を設ける場合、隔壁14の最も幅の広い部分の幅15が、隣接する第1電極4の間隔13よりも小さいことが好ましい。この場合、電荷輸送層5の断線を起こす部分で、第1電極4と第2電極7間のショートを避けることができる。より好ましくは、隔壁14上で最も張り出した部分と、第1電極4の端部との間の基板面内方向の距離16が、電荷輸送層5の成膜時に隔壁14の影になる部分よりも長いことが好ましい。隔壁14の影になる領域では、成膜された膜厚が薄くなる。隔壁14を第1電極4から離すことで、第1電極4と第2電極7のショートを避けることができるため、好ましい。また、隔壁14の幅が広すぎると、画素の開口率が低下するため、広すぎないことが好ましい。隔壁14の幅としては、好ましくは、50nm以上、2μm以下がよい。より好ましくは、100nm以上1μm以下がよい。   On the other hand, as shown in FIG. 4, when the partition 14 is provided, the width 15 of the widest portion of the partition 14 is preferably smaller than the interval 13 between the adjacent first electrodes 4. In this case, a short circuit between the first electrode 4 and the second electrode 7 can be avoided at the portion where the disconnection of the charge transport layer 5 occurs. More preferably, the distance 16 in the substrate in-plane direction between the most protruding portion on the partition wall 14 and the end portion of the first electrode 4 is larger than the portion that becomes a shadow of the partition wall 14 when the charge transport layer 5 is formed. Is also preferably long. In the region that is shaded by the partition wall 14, the deposited film thickness is reduced. It is preferable to separate the partition wall 14 from the first electrode 4 because a short circuit between the first electrode 4 and the second electrode 7 can be avoided. Further, if the width of the partition wall 14 is too wide, the aperture ratio of the pixel is lowered, and therefore it is preferable that the partition wall 14 is not too wide. The width of the partition wall 14 is preferably 50 nm or more and 2 μm or less. More preferably, it is 100 nm or more and 1 μm or less.

また、隔壁14や溝3を設ける場所は、第1電極4よりも基板1側でもよく、第1電極4より基板1から離れた場所でもよく、第1電極4と同じ高さであってもよい。例えば、第1電極4の下地に設けてもよいし、第1電極4端部を覆うように素子分離膜を設け、該素子分離膜上に溝や隔壁を設けてもよい。   Further, the place where the partition wall 14 and the groove 3 are provided may be closer to the substrate 1 than the first electrode 4, may be located farther from the substrate 1 than the first electrode 4, and may be the same height as the first electrode 4. Good. For example, it may be provided on the base of the first electrode 4, or an element isolation film may be provided so as to cover the end of the first electrode 4, and a groove or a partition may be provided on the element isolation film.

第1電極4の端部は、露出していてもよいし、素子分離膜(不図示)で覆われていてもよい。前記第1電極4端部が露出している場合、端部の角度が前記溝3、或いは隔壁14の角度よりも緩やかであることが好ましい。尚、この場合の緩やかの定義とは、逆テーパー、垂直、順テーパーの順に緩やかであるとする。同じ逆テーパー同士の比較においては、側面と基板面の法線なす角度(図2の11)が小さいものほど角度が緩やかであるとし、順テーパー同士の比較においては、側面と基板面の法線のなす角度が大きいものほど角度が緩やかであるとする。かかる場合に、第1電極4端部での電荷輸送層5の断切れを防ぎ、第1電極4と第2電極7間でのリークを防ぐとともに、前記溝3或いは隔壁14の側面における電荷輸送層5の分断を図ることができる。素子分離膜を設ける場合、素子分離膜と第1電極4が接する面の角度は、前記隔壁14或いは溝3の角度よりも緩やかであることが好ましい。かかる場合においても、素子分離膜端部での電荷輸送層5の断切れによる第1電極4と第2電極7のショートを防ぐとともに、前記溝3或いは隔壁14の側面における電荷輸送層5の分断を図ることができる。   The end of the first electrode 4 may be exposed or covered with an element isolation film (not shown). When the end portion of the first electrode 4 is exposed, it is preferable that the angle of the end portion is gentler than the angle of the groove 3 or the partition wall 14. In this case, the loose definition is assumed to be gentle in the order of reverse taper, vertical, and forward taper. In comparison between the same reverse taper, the smaller the angle (11 in FIG. 2) between the side surface and the substrate surface normal, the smaller the angle. In comparison between the forward taper, the side surface and substrate surface normal line It is assumed that the larger the angle between the two, the gentler the angle. In such a case, disconnection of the charge transport layer 5 at the end of the first electrode 4 is prevented, leakage between the first electrode 4 and the second electrode 7 is prevented, and charge transport on the side surface of the groove 3 or the partition wall 14 is prevented. The layer 5 can be divided. When providing the element isolation film, it is preferable that the angle of the surface where the element isolation film and the first electrode 4 are in contact is gentler than the angle of the partition wall 14 or the groove 3. Even in such a case, the first electrode 4 and the second electrode 7 are prevented from being short-circuited due to the disconnection of the charge transport layer 5 at the edge of the element isolation film, and the charge transport layer 5 is divided on the side surface of the groove 3 or the partition wall 14. Can be achieved.

電荷輸送層5の成膜については、真空蒸着法を用いることが好ましい(図2参照)。この場合、成膜分子の直進性が高いため、逆テーパーの角度11よりも、分子の入射角度10が小さくなるように遮蔽板等を用いた蒸着源を用いて成膜すれば、隔壁14や溝3の上部が傘となって、電荷輸送層5を好適に分断することができるため、好ましい。   For film formation of the charge transport layer 5, it is preferable to use a vacuum deposition method (see FIG. 2). In this case, since the straightness of the film forming molecules is high, if the film is formed using an evaporation source using a shielding plate or the like so that the incident angle 10 of the molecules is smaller than the angle 11 of the reverse taper, Since the upper part of the groove 3 serves as an umbrella and the charge transport layer 5 can be suitably divided, it is preferable.

また、前記隔壁14や溝3を設ける場所は、全ての画素間に設けてもよいし、一部に設けてもよい。例を図5に示す。図5(a)に示すように、第1電極4の周囲を囲むように溝3或いは隔壁14を設けてもよいし、図5(b)に示すように、第1電極4の長辺の間のみに溝3或いは隔壁14を設けてもよい。後者においては、画素間のリークパスが長い長辺は溝3或いは隔壁14により分断するとともに、短辺には溝3或いは隔壁置かないことで、開口率の向上を図ることができる。   The place where the partition wall 14 and the groove 3 are provided may be provided between all the pixels, or may be provided in a part. An example is shown in FIG. As shown in FIG. 5A, a groove 3 or a partition wall 14 may be provided so as to surround the periphery of the first electrode 4, and as shown in FIG. 5B, the long side of the first electrode 4 may be provided. You may provide the groove | channel 3 or the partition 14 only between. In the latter case, the long side with a long leak path between pixels is divided by the groove 3 or the partition wall 14, and the aperture ratio can be improved by not placing the groove 3 or the partition wall on the short side.

さらに、大判の基板で有機材料を蒸着する際に、ライン状の蒸着源を用い、基板或いは蒸着源を移動させながら成膜する方法をとる場合がある(図6参照)。この場合、蒸着源17の長辺と垂直方向(図6(a))では、制限板18等を設けることで分子の入射角度19を制限しやすいが、蒸着源長辺と平行な方向(図6(b))には分子の入射角度19が広くなりやすい。かかる場合に、画素の長辺方向と蒸着源17の長辺を平行に設置することがより好ましい(図6(c))。このような構成にすることで、画素間のリークパスが長い長辺方向の電荷輸送層を分断することができる。   Furthermore, when an organic material is vapor-deposited on a large-sized substrate, a film-formation method may be employed using a linear vapor deposition source while moving the substrate or the vapor deposition source (see FIG. 6). In this case, in the direction perpendicular to the long side of the vapor deposition source 17 (FIG. 6A), it is easy to restrict the molecular incident angle 19 by providing the limiting plate 18 or the like, but the direction parallel to the long side of the vapor deposition source (FIG. 6). 6 (b)), the molecular incident angle 19 tends to be wide. In such a case, it is more preferable to install the long side direction of the pixel and the long side of the vapor deposition source 17 in parallel (FIG. 6C). With such a configuration, the charge transport layer in the long side direction having a long leak path between pixels can be divided.

一方、縦及び横のいずれの方向にも入射角度を制限するような制限板を設けた点蒸着源を用いて成膜してもよい。この場合、縦及び横のいずれの方向でも電荷輸送層を分断することができる。   On the other hand, the film may be formed using a point evaporation source provided with a limiting plate that limits the incident angle in both the vertical and horizontal directions. In this case, the charge transport layer can be divided in both the vertical and horizontal directions.

次に、前記隔壁14や溝3の作製方法について述べる。例えば、溝3の場合の例では、初めにCVD法を用いてSiN/SiO/SiNの積層膜を形成し、その上に電極材料の成膜、パターニングにより、第1電極4を形成する。その後、フォトリソグラフィ技術を用いて、溝3を形成したいところ以外を覆うレジストパターンを作製する。エッチングガスとして、CF4を用いたリアクティブイオンエッチングにより、最上層のSiNをパターニングする。さらに、緩衝フッ酸溶液により、ウェットエッチングを行うと、エッチングレートの差により、最上層のSiNよりも、SiO層のサイドエッチングが進み、オーバーハング構造を作ることができる。 Next, a method for manufacturing the partition wall 14 and the groove 3 will be described. For example, in the example of the groove 3, a SiN / SiO / SiN laminated film is first formed by using the CVD method, and the first electrode 4 is formed thereon by forming an electrode material and patterning. Thereafter, using a photolithography technique, a resist pattern that covers the portion other than the portion where the groove 3 is to be formed is produced. The uppermost SiN is patterned by reactive ion etching using CF 4 as an etching gas. Furthermore, when wet etching is performed using a buffered hydrofluoric acid solution, the side etching of the SiO layer proceeds more than the uppermost SiN due to the difference in etching rate, and an overhang structure can be formed.

また、溝3の深さが深くなりすぎないように、溝3形成部分の下に、エッチングストップ層として、エッチングレートの小さな材料を設けてもよい。かかる場合に、溝3の深さが不均一であることによる外観上の不均一を避けることができるため、好ましい。   Further, a material having a small etching rate may be provided as an etching stop layer under the groove 3 formation portion so that the depth of the groove 3 does not become too deep. In such a case, it is preferable because unevenness in appearance due to unevenness of the depth of the groove 3 can be avoided.

また、隔壁14の例としては、ネガ型レジストを用い、露光時間を通常よりも長めにすることで、上部に行くほど線幅が広がる逆テーパー形状を作ることもできる。   Further, as an example of the partition wall 14, a negative resist is used, and the exposure time is made longer than usual so that a reverse taper shape in which the line width increases toward the upper part can be formed.

各画素で表示する色は、全て同じでもよいし、画素毎に異なってもよい。画素毎で表示色を変える方法としては、シャドウマスクを用いて発光層6を画素毎に塗り分けてもよいし、白色の発光層6を全画素共通で設け、画素毎にカラーフィルターを塗り分けることで多色表示を行ってもよい。   The colors displayed in each pixel may be the same or different for each pixel. As a method of changing the display color for each pixel, the light emitting layer 6 may be applied for each pixel using a shadow mask, or the white light emitting layer 6 is provided in common for all pixels, and a color filter is applied for each pixel. Thus, multi-color display may be performed.

以下、その他の構成部材について説明する。   Hereinafter, other components will be described.

基板1としては、石英、ガラス、シリコンウェハー、樹脂、金属など何を用いてよい。また、基板1上には、不図示の薄膜トランジスタなどのスイッチング素子や配線を備える。   As the substrate 1, any material such as quartz, glass, silicon wafer, resin, metal and the like may be used. On the substrate 1, switching elements such as thin film transistors (not shown) and wirings are provided.

下地層2としては、第1電極4と不図示の配線の導通を確保するために、コンタクトホールを形成可能で、なおかつ未接続の配線との絶縁を確保できれば、何を用いてもよい。例えば、ポリイミド等の樹脂、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の酸化膜、などを用いることができる。   As the underlayer 2, any material may be used as long as a contact hole can be formed and insulation from an unconnected wiring can be ensured in order to ensure conduction between the first electrode 4 and a wiring (not shown). For example, a resin such as polyimide or an oxide film such as silicon oxide or silicon nitride can be used.

第1電極4としては、反射電極として用いる場合には、例えばクロム、アルミニウム、銀、チタン、又はこれらの合金、積層したものなどを用いることができる。また、透明電極として用いる場合には、ITO、IZOなどの金属酸化物などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。電極の形成には、公知のフォトリソグラフィ技術を用いることができる。例えば、4μm×16μmの形状の電極を、2μmの間隔で複数設けてもよい。これらの電極を、不図示のコンタクトホールを介したスイッチング素子により独立に駆動することで、多色表示が可能である。   As the 1st electrode 4, when using as a reflective electrode, chromium, aluminum, silver, titanium, or these alloys, what laminated | stacked, etc. can be used, for example. Moreover, when using as a transparent electrode, metal oxides, such as ITO and IZO, etc. can be used, However, It is not limited to these. A known photolithography technique can be used for forming the electrode. For example, a plurality of electrodes having a shape of 4 μm × 16 μm may be provided at intervals of 2 μm. Multicolor display is possible by driving these electrodes independently by a switching element via a contact hole (not shown).

電荷輸送層5としては、公知の材料を好適に用いることができる。第1電極4をアノードとする場合には、正孔輸送層を用いる。正孔輸送層としては、公知の材料を好適に用いることができる。例えば、トリフェニルジアミン誘導体、オキソジアゾール誘導体、ポリフィリル誘導体、スチルベン誘導体等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入層と正孔輸送層との積層体、即ち複数の層で正孔輸送層の機能を担ってもよい。正孔注入層としては、酸化モリブデン、酸化タングステン等の酸化物、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(F4TCNQ)などの有機化合物、また、これらの材料と正孔輸送層との混合層を用いてもよい。特にF4TCNQなどの材料を正孔輸送層と混合させると、低抵抗の正孔注入・輸送層となり、駆動電圧の低減を図ることができる。前記正孔輸送層の厚さは、各画素共通でもよいし、干渉を合わせる上で、色に応じて膜厚を変えてもよい。   As the charge transport layer 5, a known material can be suitably used. When the first electrode 4 is an anode, a hole transport layer is used. A known material can be suitably used for the hole transport layer. For example, a triphenyldiamine derivative, an oxodiazole derivative, a polyphylyl derivative, a stilbene derivative, and the like can be used, but are not limited thereto. Further, the stacked body of the hole injection layer and the hole transport layer, that is, a plurality of layers may serve as the hole transport layer. As the hole injection layer, oxides such as molybdenum oxide and tungsten oxide, organic compounds such as 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4TCNQ), and A mixed layer of these materials and a hole transport layer may be used. In particular, when a material such as F4TCNQ is mixed with the hole transport layer, a low-resistance hole injection / transport layer is formed, and the drive voltage can be reduced. The thickness of the hole transport layer may be common to each pixel, or the thickness may be changed according to the color in order to match interference.

一方、第1電極4をカソードして用いる場合には、電荷輸送層5としては、電子輸送層を用いる。電子輸送層としては、公知の材料を好適に用いることができる。例えば、アルミキノリノール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体、フェナントロリン誘導体等、が挙げられるがこれらに限定されるものではない。また、電子注入層と電子輸送層との積層体、即ち複数の層で電子輸送層の機能を担ってもよい。   On the other hand, when the first electrode 4 is used as a cathode, an electron transport layer is used as the charge transport layer 5. A known material can be suitably used for the electron transport layer. Examples include, but are not limited to, aluminum quinolinol derivatives, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenylquinoxaline derivatives, silole derivatives, phenanthroline derivatives, and the like. Further, a stacked body of an electron injection layer and an electron transport layer, that is, a plurality of layers may serve as the electron transport layer.

電子注入層としては、電子供与性のドーパントと電子輸送性の材料の混合物を用いてもよい。電子供与性のドーパントとしては、アルカリ金属やアルカリ土類金属、希土類金属、及びこれらの化合物を用いることができる。電子注入層は、電子輸送性材料に、アルカリ金属化合物を0.1乃至数十%含有させることにより形成される。より好ましくは、前記アルカリ金属化合物はセシウム化合物である。さらに、より好ましくは、前記セシウム化合物が炭酸セシウム及び炭酸セシウム由来の物質である。電子注入層を形成する好適な手法は、炭酸セシウムと電子輸送性材料を共蒸着することである。良好な電子注入性を確保するためには、電子注入層の膜厚が10乃至100nmであることが好ましい。尚、共蒸着時に炭酸セシウムが分解するなどして、電子注入層内に炭酸セシウム由来の(Cs113)Cs10や(Cs113)Cs、Cs113などのサブオキサイドが形成される場合がある。またセシウムと有機化合物との間で配位化合物が形成される場合がある。 As the electron injection layer, a mixture of an electron donating dopant and an electron transporting material may be used. As the electron-donating dopant, an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, or a compound thereof can be used. The electron injection layer is formed by containing 0.1 to several tens of percent of an alkali metal compound in the electron transporting material. More preferably, the alkali metal compound is a cesium compound. More preferably, the cesium compound is cesium carbonate and a substance derived from cesium carbonate. A preferred method for forming the electron injection layer is to co-evaporate cesium carbonate and an electron transporting material. In order to ensure good electron injection properties, the thickness of the electron injection layer is preferably 10 to 100 nm. In addition, cesium carbonate decomposes during co-evaporation, and suboxides such as (Cs 11 O 3 ) Cs 10 , (Cs 11 O 3 ) Cs, and Cs 11 O 3 are formed in the electron injection layer. May be. In addition, a coordination compound may be formed between cesium and an organic compound.

発光層6としては、公知の発光材料を何れも好適に用いることができる。発光材料は、単体で有機発光層として機能する材料を用いてもよいし、ホスト材料と発光ドーパントや電荷輸送ドーパント、発光補助ドーパントなどとの混合系として機能する材料を用いてもよい。また、発光層6は各画素において表示する色に応じて異なる材料を用いてもよいし、共通の材料を用いてもよい。   As the light emitting layer 6, any known light emitting material can be suitably used. As the light emitting material, a material that functions as an organic light emitting layer by itself may be used, or a material that functions as a mixed system of a host material and a light emitting dopant, a charge transport dopant, a light emission assisting dopant, or the like may be used. The light emitting layer 6 may use a different material or a common material depending on the color displayed in each pixel.

また、本発明における発光層6は単層でもよいし、発光層6の第2電極7側に、他の層を積層させてもよい。例えば、第2電極7がカソードの場合、正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層などをさらに設けてもよい。また、第2電極7がアノードの場合、電子阻止層/正孔輸送層/正孔注入層などを設けてもよい。これらの材料としては、前記電荷輸送層5の材料として述べたものなどを用いることができる。本発明において、有機化合物層とは、第1電極4と第2電極7との間に配置される、少なくとも上記電荷輸送層5と発光層6とを含む有機化合物膜からなる積層体をいう。   In addition, the light emitting layer 6 in the present invention may be a single layer, or another layer may be laminated on the light emitting layer 6 on the second electrode 7 side. For example, when the second electrode 7 is a cathode, a hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer may be further provided. Further, when the second electrode 7 is an anode, an electron blocking layer / hole transport layer / hole injection layer or the like may be provided. As these materials, those described as materials for the charge transport layer 5 can be used. In the present invention, the organic compound layer refers to a laminate composed of an organic compound film including at least the charge transport layer 5 and the light emitting layer 6 disposed between the first electrode 4 and the second electrode 7.

第2電極7は、ITOなどの透明電極を使用してトップエミッション素子としてもよいし、アルミニウム(Al)などの反射電極を使用してボトムエミッション素子としてもよいし、特に限定されない。好ましくは酸化物導電膜である。第2電極7の形成方法としては、何を用いてもよいが、直流及び交流スパッタ法などを用いると、膜のカバレッジがよく、抵抗を下げやすいためより好ましい。   The second electrode 7 may be a top emission element using a transparent electrode such as ITO, or may be a bottom emission element using a reflection electrode such as aluminum (Al), and is not particularly limited. An oxide conductive film is preferable. Any method may be used for forming the second electrode 7. However, it is more preferable to use a direct current or alternating current sputtering method because the film coverage is good and the resistance is easily lowered.

第2電極7形成後に、不図示の封止部材を設けてもよい。例えば、第2電極7上に吸湿剤を設けたガラスを接着することで、有機化合物層に対する水等の浸入を抑え、表示不良の発生を抑えることができる。また、別の実施形態としては、第2電極4上にSiN等のパッシベーション膜を設け、有機化合物層に対する水等の浸入を抑えてもよい。例えば、第2電極4形成後に真空を破らずに別のチャンバーに搬送し、CVD法で5μmのSiN膜を形成することで、封止膜としてもよい。   A sealing member (not shown) may be provided after the formation of the second electrode 7. For example, by adhering a glass provided with a hygroscopic agent on the second electrode 7, it is possible to suppress the intrusion of water or the like into the organic compound layer and suppress the occurrence of display defects. Further, as another embodiment, a passivation film such as SiN may be provided on the second electrode 4 to suppress intrusion of water or the like into the organic compound layer. For example, after forming the second electrode 4, it may be transferred to another chamber without breaking the vacuum, and a 5 μm SiN film may be formed by a CVD method to form a sealing film.

また、各画素にカラーフィルターを設けてもよい。例えば、画素のサイズに合わせたカラーフィルターを別の基板上に設け、それを発光層を設けた基板と貼り合わせてもよいし、SiN等の封止膜上にカラーフィルターをパターニングしてもよい。   A color filter may be provided for each pixel. For example, a color filter matching the size of the pixel may be provided on another substrate, which may be bonded to the substrate provided with the light emitting layer, or the color filter may be patterned on a sealing film such as SiN. .

本発明の表示装置は、各種ディスプレイに好適に用いることができる。ディスプレイとはテレビやパソコンの表示部や電子機器に搭載される表示部といった画像表示装置のことである。電子機器に搭載される表示部として好ましくは車内の表示部であったり、デジタルカメラの画像表示部であったり、或いは複写機やレーザービームプリンタといった事務機器の操作パネルを挙げることができる。   The display device of the present invention can be suitably used for various displays. A display is an image display device such as a display unit of a television or a personal computer or a display unit mounted on an electronic device. The display unit mounted on the electronic device is preferably a display unit in a vehicle, an image display unit of a digital camera, or an operation panel of office equipment such as a copying machine or a laser beam printer.

3:溝、4:第1電極、5:電荷輸送層、6:発光層、7:第2電極、14:隔壁   3: groove, 4: first electrode, 5: charge transport layer, 6: light emitting layer, 7: second electrode, 14: partition

Claims (4)

複数の有機EL素子を備え、前記有機EL素子は素子毎に分割された第1電極と、電荷輸送層と、発光層と、を含む有機化合物層と、複数の有機EL素子に共通して設けられた第2電極とを有する表示装置において、
前記電荷輸送層は前記発光層よりも抵抗が小さく、
前記複数の有機EL素子の間には、幅方向の断面が逆テーパー形状の溝或いは隔壁を有し、
前記溝の深さ或いは隔壁の高さは、前記電荷輸送層の厚さよりも大きく、且つ、前記第2電極の厚さよりも小さいことを特徴とする表示装置。
A plurality of organic EL elements are provided, and the organic EL element is provided in common for the plurality of organic EL elements, an organic compound layer including a first electrode divided for each element, a charge transport layer, and a light emitting layer In the display device having the second electrode formed,
The charge transport layer has a smaller resistance than the light emitting layer,
Between the plurality of organic EL elements, a cross section in the width direction has a groove or partition wall having a reverse taper shape,
The display device, wherein a depth of the groove or a height of the partition wall is larger than a thickness of the charge transport layer and smaller than a thickness of the second electrode.
前記溝の開口部の幅或いは前記隔壁の最も広い部分の幅が、前記複数の第1電極の間隔よりも狭いことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   2. The display device according to claim 1, wherein the width of the opening of the groove or the width of the widest portion of the partition is narrower than the interval between the plurality of first electrodes. 前記第2電極が酸化物導電膜からなる請求項1又は2に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the second electrode is made of an oxide conductive film. 前記電荷輸送層は蒸着により成膜されたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the charge transport layer is formed by vapor deposition.
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