JP2013124373A - Vapor deposition apparatus - Google Patents

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修二 工藤
Michinobu Mizumura
通伸 水村
Koichi Kajiyama
康一 梶山
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a highly precise thin film pattern and to improve film deposition efficiency.SOLUTION: A vapor deposition apparatus includes in a vacuum chamber 1: a vapor deposition source 2; a substrate holder 3 which houses an electromagnet therein and holds a substrate 10 to face the vapor deposition source 2; a composite mask 4 which has such a structure that a plurality of opening patterns having the same shape as that of a thin film pattern are formed in a visible light transmitting long film at the same alignment pitch as that of the thin film pattern side by side in the major axis direction of the film, and a plurality of penetrated opening parts each having a size larger than the shape of the opening pattern are formed in accordance with the opening pattern in a magnetic metal thin plate stuck to the surface on the vapor deposition source 2 side of the film, and which moves stepwise in parallel with the surface of the substrate holder 3 through between the vapor deposition source 2 and the substrate holder 3 in the major axis direction of the film; a delivering reel 5 which is provided to one side with the substrate holder 3 in-between and delivers the composite mask 4; and a winding-up reel 6 which is provided to the other side with the substrate holder 3 in-between and winds up the composite mask 4.

Description

本発明は、マスクを介して基板上に一定形状の複数の薄膜パターンを一定の配列ピッチで並べて成膜形成する蒸着装置に関し、特に高精細な薄膜パターンの形成を可能にすると共に成膜効率を向上できる蒸着装置に係るものである。   The present invention relates to a vapor deposition apparatus that forms a plurality of thin film patterns having a predetermined shape on a substrate through a mask and arranges them at a constant arrangement pitch. In particular, the present invention enables formation of a high-definition thin film pattern and improves film formation efficiency. The present invention relates to a vapor deposition apparatus that can be improved.

従来の蒸着装置は、所定の成膜パターンに対応した複数の開口が設けられた強磁性体から成るメタルマスクを基板の一面を覆うように基板に密着させると共に、基板の他面側に配置された磁石の磁力を利用して固定し、真空槽内で上記開口を通して基板の一面に蒸着材料を付着させ、薄膜パターンを形成するようになっていた(例えば、特許文献1参照)。   A conventional vapor deposition apparatus closely attaches a metal mask made of a ferromagnetic material provided with a plurality of openings corresponding to a predetermined film formation pattern to the substrate so as to cover one surface of the substrate, and is disposed on the other surface side of the substrate. The thin film pattern is formed by attaching the vapor deposition material to one surface of the substrate through the opening in the vacuum chamber using the magnetic force of the magnet (see, for example, Patent Document 1).

特開2009−164020号公報JP 2009-164020 A

しかし、このような従来の蒸着装置においては、一般に、数十μm〜数mmの厚みの金属板に薄膜パターンに対応した開口を例えばエッチング等により形成してマスクが作られるので、金属板の厚みが厚い場合には開口を高精度に形成することが困難であり、又金属板の熱膨張による位置ずれや反り等の影響で例えば300dpi以上の高精細な薄膜パターンの形成が困難であった。   However, in such a conventional vapor deposition apparatus, in general, a mask is made by forming openings corresponding to a thin film pattern on a metal plate having a thickness of several tens of μm to several mm by etching or the like. When the thickness of the metal plate is thick, it is difficult to form the opening with high accuracy, and it is difficult to form a high-definition thin film pattern of, for example, 300 dpi or more due to the position shift or warpage due to the thermal expansion of the metal plate.

また、上記マスクは、数回の成膜に使用した後、蒸着室内の真空を破って回収すると共に新たなマスクを取り付けて再度蒸着室内の真空引きをする必要があるので、例えば真空を破ることなく複数枚の基板を順次供給できるインライン方式の蒸着装置であっても成膜効率を向上することができなかった。   In addition, after the mask is used for film formation several times, it is necessary to break and recover the vacuum in the deposition chamber and attach a new mask to evacuate the deposition chamber again. Even in an in-line deposition apparatus that can sequentially supply a plurality of substrates, the film formation efficiency could not be improved.

そこで、本発明は、このような問題点に対処し、高精細な薄膜パターンの形成を可能にすると共に成膜効率を向上できる蒸着装置を提供することを目的とする。   In view of the above, an object of the present invention is to provide a vapor deposition apparatus that can cope with such problems and can form a high-definition thin film pattern and improve the film formation efficiency.

上記目的を達成するために、本発明による蒸着装置は、マスクを介して基板上に一定形状の複数の薄膜パターンを一定の配列ピッチで並べて成膜形成する蒸着装置であって、真空室内に、蒸着材料を加熱して蒸発させる蒸着源と、電磁石を内蔵し、前記基板を前記蒸着源に対向させて保持する基板ホルダーと、可視光を透過する長尺のフィルムに前記薄膜パターンと同形状の複数の開口パターンを前記薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチで前記フィルムの長軸方向に並べて形成すると共に、前記フィルムの前記蒸着源側の面に接着された磁性金属薄板に前記開口パターンに対応して該開口パターンの形状よりも大きい貫通する複数の開口部を形成した構造をなし、前記蒸着源と前記基板ホルダーとの間を前記基板ホルダーの面に平行に前記フィルムの長軸方向にステップ移動する複合マスクと、前記基板ホルダーを間にして一方側に設けられ、前記複合マスクを送出する送出リールと、前記基板ホルダーを間にして他方側に設けられ、前記複合マスクを巻き取る巻取りリールと、を備えたものである。   In order to achieve the above object, a vapor deposition apparatus according to the present invention is a vapor deposition apparatus that forms a plurality of thin film patterns having a predetermined shape on a substrate through a mask at a constant arrangement pitch. A deposition source that heats and evaporates the deposition material, a substrate holder that contains an electromagnet and holds the substrate facing the deposition source, and a long film that transmits visible light and has the same shape as the thin film pattern A plurality of opening patterns are formed side by side in the major axis direction of the film at the same arrangement pitch as the arrangement pitch of the thin film pattern, and correspond to the opening pattern on a magnetic metal thin plate bonded to the surface on the vapor deposition source side of the film Thus, a structure is formed in which a plurality of openings penetrating larger than the shape of the opening pattern are formed, and the space between the vapor deposition source and the substrate holder is parallel to the surface of the substrate holder. A composite mask that moves stepwise in the long axis direction of the film; provided on one side with the substrate holder in between; a delivery reel that delivers the composite mask; provided on the other side with the substrate holder in between; A take-up reel that winds up the composite mask.

このような構成により、電磁石を内蔵した基板ホルダーで基板を蒸着源に対向させて保持し、可視光を透過する長尺のフィルムに薄膜パターンと同形状の複数の開口パターンを薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチでフィルムの長軸方向に並べて形成すると共に、フィルムの蒸着源側の面に接着された磁性金属薄板に開口パターンに対応して該開口パターンの形状よりも大きい貫通する複数の開口部を形成した複合マスクを送出リールから送出すると共に巻取りリールに巻き取って、蒸着源と基板ホルダーとの間を基板ホルダーの面に平行にフィルムの長軸方向にステップ移動させ、基板ホルダーの電磁石で複合マスクの磁性金属薄板を吸着してフィルムを基板面に密着させ、蒸着源で蒸着材料を蒸発させて複合マスクの開口パターンを介して基板上に一定形状の薄膜パターンを一定の配列ピッチで並べて形成する。   With such a configuration, the substrate holder is held facing the vapor deposition source by the substrate holder with a built-in electromagnet, and a plurality of opening patterns having the same shape as the thin film pattern are formed on a long film that transmits visible light. A plurality of apertures penetrating through the magnetic metal thin plate bonded to the film deposition source side surface with the same arrangement pitch as the aperture pattern corresponding to the aperture pattern. The composite mask in which the part is formed is sent out from the delivery reel and taken up on the take-up reel, and is stepped between the vapor deposition source and the substrate holder parallel to the surface of the substrate holder in the longitudinal direction of the film. The magnetic mask thin plate of the composite mask is attracted with an electromagnet, the film is brought into close contact with the substrate surface, and the vapor deposition material is evaporated with a vapor deposition source to open the composite mask opening pattern Through to form side by side thin film pattern of a predetermined shape on the substrate at a constant arrangement pitch.

好ましくは、前記複合マスクの移動方向と交差する方向に複数の前記基板ホルダーを順番に搬送する搬送手段がさらに設けられ、前記各基板ホルダーをステップ移動させて夫々前記蒸着源に対向配置するのが望ましい。   Preferably, transport means for sequentially transporting the plurality of substrate holders in a direction intersecting with the moving direction of the composite mask is further provided, and each substrate holder is moved stepwise to be disposed opposite the deposition source. desirable.

より好ましくは、前記真空室は、前記複合マスクが通過可能な開口を形成した側壁によって、前記蒸着源及び前記基板ホルダーを含む成膜エリアの少なくとも前記巻取りリール側が仕切られて洗浄エリアが設けられ、前記複合マスクに対して前記磁性金属薄板側からレーザビーム又はイオンビーム若しくは電子ビームを照射し、前記複合マスクに付着した前記蒸着材料を除去可能に構成されるとよい。   More preferably, the vacuum chamber is provided with a cleaning area by partitioning at least the take-up reel side of the film forming area including the vapor deposition source and the substrate holder by a side wall in which an opening through which the composite mask can pass is formed. The composite mask may be configured to be able to remove the vapor deposition material attached to the composite mask by irradiating the composite mask with a laser beam, an ion beam or an electron beam from the magnetic metal thin plate side.

この場合、前記洗浄エリアは、前記成膜エリアを挟んで前記送出リール側及び前記巻取りリール側の両方に設けられ、前記送出リール及び巻取りリールは、正逆回転して前記複合マスクを往復移動可能に構成され、前記複合マスクの成膜が完了した一のマスク領域を一方の前記洗浄エリアまで移動させると共に、未成膜の他のマスク領域を前記成膜エリアまで移動させ、成膜が完了した前記他のマスク領域を他方の前記洗浄エリアまで移動させると共に、洗浄が完了した前記一のマスク領域を前記成膜エリアまで移動させるのが望ましい。   In this case, the cleaning area is provided on both the delivery reel side and the take-up reel side across the film formation area, and the delivery reel and the take-up reel rotate forward and backward to reciprocate the composite mask. It is configured to be movable, and one mask area where film formation of the composite mask has been completed is moved to one of the cleaning areas, and another mask area that has not yet been formed is moved to the film formation area to complete film formation. It is desirable to move the other mask area to the other cleaning area and move the one mask area that has been cleaned to the film forming area.

さらに好ましくは、前記基板ホルダーは、前記基板を保持する保持面に平行な面内を二次元方向に移動可能に、及び前記保持面の中心を軸に回転可能に構成され、前記複合マスクに予め形成されたマスク側アライメントマークと前記基板ホルダーに保持された基板に予め形成された基板側アライメントマークとを同時に撮影し、該撮影画像に基づいて両マークが互いに一定の位置関係となるように前記基板ホルダーを移動させ、前記複合マスクと前記基板とのアライメントを可能にする撮像手段を進退可能に設けるのが望ましい。   More preferably, the substrate holder is configured to be movable in a two-dimensional direction in a plane parallel to a holding surface for holding the substrate, and to be rotatable about the center of the holding surface, and is previously attached to the composite mask. The mask-side alignment mark formed and the substrate-side alignment mark previously formed on the substrate held by the substrate holder are photographed at the same time, and based on the photographed image, the marks are in a fixed positional relationship with each other. It is desirable to provide an image pickup means for moving the substrate holder so that the composite mask and the substrate can be aligned.

本発明の蒸着装置によれば、使用する複合マスクが薄いフィルムに基板の薄膜パターンに合わせて開口パターンを形成し、開口パターンよりも形状の大きい開口部を形成した磁性金属薄板を接着してフィルムを保持する構造となっているので、開口パターンを高精度に形成することができると共に開口パターンの位置を維持することができる。したがって、例えば300dpi以上の高精細な薄膜パターンの形成も容易に行うことができる。   According to the vapor deposition apparatus of the present invention, a composite mask to be used forms a thin film with an opening pattern in accordance with the thin film pattern of the substrate, and a magnetic metal thin plate having an opening larger than the opening pattern is bonded to the film. Thus, the opening pattern can be formed with high accuracy and the position of the opening pattern can be maintained. Therefore, for example, a high-definition thin film pattern of 300 dpi or more can be easily formed.

また、長尺の複合マスクが蒸着源と基板ホルダーとの間を基板ホルダーの面に平行にマスクの長軸方向にステップ移動できる構造となっているので、一のマスク領域を使用した成膜が終了した場合に、真空室内の真空を破ることなく複合マスクをステップ移動させて他のマスク領域を使用できるようにすることができる。したがって、成膜効率を向上することができる。   In addition, since a long composite mask can be moved stepwise in the major axis direction of the mask between the deposition source and the substrate holder in parallel with the surface of the substrate holder, film formation using one mask region is possible. When finished, the composite mask can be stepped without breaking the vacuum in the vacuum chamber so that other mask areas can be used. Accordingly, film formation efficiency can be improved.

本発明による蒸着装置の第1の実施形態を示す図であり、(a)は正面断面図、(b)は平面断面図である。It is a figure which shows 1st Embodiment of the vapor deposition apparatus by this invention, (a) is front sectional drawing, (b) is plane sectional drawing. 上記第1の実施形態において使用する基板の一構成例を示す平面図である。It is a top view which shows one structural example of the board | substrate used in the said 1st Embodiment. 上記第1の実施形態に使用する複合マスクを示す図であり、(a)は平面透視図であり、(b)はO−O線断面矢視図である。It is a figure which shows the composite mask used for the said 1st Embodiment, (a) is a plane perspective view, (b) is an OO line cross-sectional arrow view. 上記複合フィルムの洗浄について示す説明図である。It is explanatory drawing shown about the washing | cleaning of the said composite film. 上記第1の実施形態の動作を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the operation | movement of the said 1st Embodiment. 上記第1の実施形態の変形例を示す正面断面図である。It is front sectional drawing which shows the modification of the said 1st Embodiment. 本発明による蒸着装置の第2の実施形態を示す図であり、(a)は平面断面図、(b)は側面断面図である。It is a figure which shows 2nd Embodiment of the vapor deposition apparatus by this invention, (a) is plane sectional drawing, (b) is side sectional drawing.

以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明による蒸着装置の第1の実施形態を示す図であり、(a)は正面断面図、(b)は平面断面図である。この蒸着装置は、マスクを介して基板10上に一定形状の複数の薄膜パターンを一定の配列ピッチで並べて成膜形成するもので、真空室1内に蒸着源2と、基板ホルダー3と、複合マスク4と、送出リール5と、巻取りリール6と、搬送手段7と、撮像手段8と、を備えて構成されている。   Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. 1A and 1B are views showing a first embodiment of a vapor deposition apparatus according to the present invention, in which FIG. 1A is a front sectional view and FIG. 1B is a plan sectional view. This vapor deposition apparatus forms a plurality of thin film patterns having a fixed shape on a substrate 10 through a mask by arranging them at a constant arrangement pitch. In the vacuum chamber 1, a vapor deposition source 2, a substrate holder 3, and a composite A mask 4, a delivery reel 5, a take-up reel 6, a transport unit 7, and an imaging unit 8 are provided.

上記蒸着源2は、ルツボに入れられた蒸着材料を加熱して蒸発させるもので、例えばルツボを加熱する図示省略の加熱源を備えている。また、ルツボの上方には、開閉シャッタ9が設けられ、開時間を制御して成膜形成される薄膜パターンの膜厚を制御できるようになっている。   The vapor deposition source 2 heats and vaporizes the vapor deposition material put in the crucible, and includes a heating source (not shown) for heating the crucible, for example. An open / close shutter 9 is provided above the crucible so that the film thickness of the thin film pattern formed can be controlled by controlling the opening time.

上記蒸着源2の上方には、基板ホルダー3が設けられている。この基板ホルダー3は、基板10を蒸着源2に対向させた状態で平坦な保持面に保持するもので、図示省略の電磁石が内蔵されている。   A substrate holder 3 is provided above the vapor deposition source 2. The substrate holder 3 holds a substrate 10 on a flat holding surface in a state of facing the vapor deposition source 2, and includes an electromagnet (not shown).

上記蒸着源2と基板ホルダー3との間には、複合マスク4が張設されている。この複合マスク4は、基板ホルダー3に保持された図2に示すような基板10のストライプ状の薄膜パターン形成領域11外の部分を遮蔽するもので、図3(b)に示すように可視光を透過する長尺のフィルム12に薄膜パターンと同形状のストライプ状の複数の開口パターン13を薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチでフィルム12の長軸方向に並べて形成すると共に、フィルム12の蒸着源2側の面に接着された、例えばニッケル又はニッケル合金からなる磁性金属薄板14に開口パターン13に対応して該開口パターン13の形状よりも大きい貫通する複数の開口部15を形成した構造をなし、基板ホルダー3に保持された基板10面に近接対向してフィルム12の長軸方向(図3に示す矢印方向)にステップ移動するようになっている。また、磁性金属薄板14には、同図(a)に示すように、上記複数の開口部15の形成領域外の部分に基板10に予め形成された基板側アライメントマーク27(図2参照)に対応してマスク側アライメントマーク16が形成されている。   A composite mask 4 is stretched between the vapor deposition source 2 and the substrate holder 3. This composite mask 4 shields the portion outside the stripe-shaped thin film pattern formation region 11 of the substrate 10 as shown in FIG. 2 held by the substrate holder 3, and visible light as shown in FIG. A plurality of stripe-shaped opening patterns 13 having the same shape as the thin film pattern are arranged on the long film 12 that passes through the film 12 in the long axis direction of the film 12 at the same arrangement pitch as the thin film pattern. A structure in which a plurality of openings 15 penetrating larger than the shape of the opening pattern 13 are formed in a magnetic metal thin plate 14 made of, for example, nickel or a nickel alloy, which is bonded to the surface on the source 2 side, corresponding to the opening pattern 13. None, so as to step and move in the long axis direction (arrow direction shown in FIG. 3) of the film 12 in close proximity to the surface of the substrate 10 held by the substrate holder 3 You have me. Further, the magnetic metal thin plate 14 has a substrate-side alignment mark 27 (see FIG. 2) formed in advance on the substrate 10 in a portion outside the formation region of the plurality of openings 15 as shown in FIG. Correspondingly, a mask side alignment mark 16 is formed.

上記基板ホルダー3を間にして一方側(図1おいては左側)には、送出リール5が設けられている。この送出リール5は、ロール状に巻き上げられた複合マスク4を保持して一定量ずつ送出するものであり、送出側モータ17の回転軸に連結された軸18に軸支されて正逆回転するようになっている。   A delivery reel 5 is provided on one side (left side in FIG. 1) with the substrate holder 3 in between. The delivery reel 5 holds the composite mask 4 wound up in a roll shape and delivers it by a fixed amount. The delivery reel 5 is supported by a shaft 18 connected to the rotation shaft of the delivery motor 17 and rotates forward and backward. It is like that.

上記基板ホルダー3を間にして他方側(図1おいては右側)には、巻取りリール6が設けられている。この巻取りリール6は、複合マスク4を一定量ずつ巻き取るものであり、巻取り側モータ19の回転軸に連結された軸20に軸支されて正逆回転するようになっている。そして、送出リール5及び巻取りリール6に夫々反対方向の回転力を与えて複合マスク4に一定のテンションが掛けられている。   A take-up reel 6 is provided on the other side (right side in FIG. 1) with the substrate holder 3 in between. The take-up reel 6 takes up the composite mask 4 by a certain amount, and is supported by a shaft 20 connected to the rotation shaft of the take-up motor 19 so as to rotate forward and backward. A constant tension is applied to the composite mask 4 by applying rotational forces in opposite directions to the delivery reel 5 and the take-up reel 6, respectively.

ここで、上記真空室1内は、複合マスク4が通過可能な開口21を形成した側壁22によって、蒸着源2及び基板ホルダー3を含む成膜エリア23の送出リール5側及び巻取りリール6側が仕切られて、両側に洗浄エリア24が設けられている。そして、洗浄エリア24では、複合マスク4に対して磁性金属薄板14側からレーザビーム又はイオンビーム若しくは電子ビームを照射して、複合マスク4に付着した蒸着材料を除去できるようになっている。なお、ここでは、レーザ25を備えてレーザビームで洗浄する場合について説明する。   Here, in the vacuum chamber 1, the delivery reel 5 side and the take-up reel 6 side of the film formation area 23 including the vapor deposition source 2 and the substrate holder 3 are separated by the side wall 22 in which the opening 21 through which the composite mask 4 can pass is formed. The washing area 24 is provided on both sides. In the cleaning area 24, the composite mask 4 can be irradiated with a laser beam, an ion beam, or an electron beam from the magnetic metal thin plate 14 side to remove the vapor deposition material attached to the composite mask 4. Here, a case where the laser 25 is provided and cleaning is performed with a laser beam will be described.

この場合、送出リール5及び巻取りリール6を正逆回転させて複合マスク4を図1に示す矢印A,B方向に往復移動させることにより成膜に使用されたマスク領域の洗浄が行われる。より詳細には、図4(a)に示すように、第1のマスク領域26Aを使用した成膜が終了すると、複合マスク4を巻取りリール6に一定量だけ巻取り、第1の洗浄エリア24Aで第1のマスク領域26Aの洗浄をすると同時に第2のマスク領域26Bを使用した成膜を実行し、同図(b)に示すように第2のマスク領域26Bを使用した成膜が終了すると、複合マスク4を送出リール5に一定量だけ巻戻し、第2の洗浄エリア24Bで第2のマスク領域26Bの洗浄をすると同時に洗浄された第1のマスク領域26Aを使用した成膜を実行し、同図(c)に示すように第1のマスク領域26Aを使用した成膜が再度終了すると、複合マスク4を巻取りリール6に一定量だけ巻取り、第1の洗浄エリア24Aで第1のマスク領域26Aの再洗浄をすると同時に洗浄が終了した第2のマスク領域26Bを使用した成膜を再度実行する。これを繰り返し実行することによって、複合マスク4の使用効率を向上することができる。また、第1及び第2のマスク領域26A,26Bを使用した成膜−洗浄−成膜が予め定められた所定回数だけ実行されると、該マスク領域の使用は終了し、複合マスク4が一定量だけ巻取りリール6に巻き取られて次の新たなマスク領域が成膜に使用される。   In this case, the mask area used for film formation is cleaned by rotating the delivery reel 5 and the take-up reel 6 forward and backward and reciprocating the composite mask 4 in the directions of arrows A and B shown in FIG. More specifically, as shown in FIG. 4A, when the film formation using the first mask region 26A is completed, the composite mask 4 is wound on the take-up reel 6 by a certain amount, and the first cleaning area is obtained. At 24A, the first mask region 26A is cleaned, and at the same time, the film formation using the second mask region 26B is performed, and the film formation using the second mask region 26B is completed as shown in FIG. Then, the composite mask 4 is rewound onto the delivery reel 5 by a certain amount, and the second mask area 26B is cleaned in the second cleaning area 24B, and at the same time, film formation is performed using the cleaned first mask area 26A. Then, when the film formation using the first mask region 26A is completed again as shown in FIG. 5C, the composite mask 4 is wound on the take-up reel 6 by a certain amount, and the first cleaning area 24A performs the first cleaning. Re-cleaning of one mask area 26A Then run the film formation using the second mask region 26B cleaning is completed at the same time again. By repeatedly executing this, the usage efficiency of the composite mask 4 can be improved. Further, when the film formation-cleaning-film formation using the first and second mask regions 26A and 26B is executed a predetermined number of times, the use of the mask region is finished and the composite mask 4 is fixed. The next new mask area is used for film formation after being wound on the take-up reel 6 by the amount.

上記複合マスク4の移動方向と交差する方向に上記基板ホルダー3を搬送可能に搬送手段7が設けられている。この搬送手段7は、複数の基板ホルダー3を保持して一定間隔で順番に図1に示す矢印C矢印に搬送するもので、各基板ホルダー3をステップ移動させて各基板ホルダー3に保持された基板10を夫々蒸着源2に対向配置するようになっている。また、搬送手段7には、各基板ホルダー3を個別に、基板10の保持面に平行な面内を二次元方向に移動させると共に上記保持面の中心を軸に回転させる図示省略のアライメント機構も備えられている。さらに、搬送手段7は、閉ループ構造を成して真空室1内に設けられ、複数の基板ホルダー3を循環して搬送できるようになっている。さらにまた、ループ状の搬送手段7の途中には、真空室1内の真空を破ることなく基板10を供給できる供給エリアと基板10を搬出できる搬出エリアが設けられており、基板ホルダー3が供給エリアに達すると真空室1外から供給エリアに例えば搬入ロボットによって搬入された基板10を保持し、基板ホルダー3が搬出エリアに達すると基板10の保持を解除して基板10を例えば搬出ロボットによって真空室1外に搬出できるようになっている。   A transport means 7 is provided so that the substrate holder 3 can be transported in a direction crossing the moving direction of the composite mask 4. This transport means 7 holds a plurality of substrate holders 3 and transports them in the order of arrows C shown in FIG. 1 in order at regular intervals. Each substrate holder 3 is held by each substrate holder 3 by step movement. The substrate 10 is arranged to face the vapor deposition source 2. The transport means 7 also includes an alignment mechanism (not shown) that moves each substrate holder 3 individually in a two-dimensional direction in a plane parallel to the holding surface of the substrate 10 and rotates the center of the holding surface as an axis. Is provided. Furthermore, the transport means 7 is provided in the vacuum chamber 1 in a closed loop structure, and can circulate and transport a plurality of substrate holders 3. Furthermore, a supply area in which the substrate 10 can be supplied without breaking the vacuum in the vacuum chamber 1 and a carry-out area in which the substrate 10 can be carried out are provided in the middle of the loop-shaped transfer means 7. When the area is reached, the substrate 10 carried from the outside of the vacuum chamber 1 to the supply area is held by, for example, a carry-in robot. It can be taken out of the room 1.

上記成膜エリア23内と、成膜エリア23外の退避位置との間を進退可能に撮像手段8が設けられている。この撮像手段8は、成膜エリア23内で複合マスク4のマスク側アライメントマーク16と基板10に予め形成された基板側アライメントマーク27とを同時に撮影するもので、二次元カメラであり、撮影画像に基づいて両マークが互いに一定の位置関係となるように上記アライメント機構を駆動して基板ホルダー3を移動させ、複合マスク4と基板10とのアライメントを取ることができるようになっている。   An imaging unit 8 is provided so as to be able to advance and retreat between the inside of the film forming area 23 and the retracted position outside the film forming area 23. This imaging means 8 is a two-dimensional camera that simultaneously images the mask-side alignment mark 16 of the composite mask 4 and the substrate-side alignment mark 27 formed in advance on the substrate 10 in the film-forming area 23, and is a two-dimensional camera. Based on the above, the alignment mechanism is driven to move the substrate holder 3 so that both marks are in a fixed positional relationship with each other, so that the composite mask 4 and the substrate 10 can be aligned.

次に、このように構成された蒸着装置の動作について、図5のフローチャートを参照して説明する。
先ず、ステップS1においては、搬送手段7により基板10が搬送されて蒸着源2の上方に位置付けられる。一方、複合マスク4の第1のマスク領域26Aが基板10に対して対向配置されている。この状態において、撮像手段8が退避位置から成膜エリア23内に移動して複合マスク4の第1のマスク領域26Aに設けられたマスク側アライメントマーク16の真下に位置付けられる。そして、撮像手段8によりマスク側アライメントマーク16と基板10に設けられた基板側アライメントマーク27とを同時に撮影し、図示省略の制御装置により撮影画像を処理し、両マークが一定の位置関係となるように(例えば、両マークの中心位置が合致するように)基板ホルダー3に備えられたアライメント機構を駆動制御して第1のマスク領域26Aと基板10とのアライメントが実行される。
Next, operation | movement of the vapor deposition apparatus comprised in this way is demonstrated with reference to the flowchart of FIG.
First, in step S <b> 1, the substrate 10 is transported by the transport unit 7 and positioned above the vapor deposition source 2. On the other hand, the first mask region 26 </ b> A of the composite mask 4 is disposed to face the substrate 10. In this state, the imaging unit 8 moves from the retracted position into the film forming area 23 and is positioned directly below the mask side alignment mark 16 provided in the first mask region 26A of the composite mask 4. Then, the masking alignment mark 16 and the substrate alignment mark 27 provided on the substrate 10 are simultaneously photographed by the image pickup means 8, and the photographed image is processed by a control device (not shown) so that both marks have a certain positional relationship. As described above (for example, the alignment position provided in the substrate holder 3 is driven and controlled) so that the alignment between the first mask region 26A and the substrate 10 is executed.

ステップS2においては、基板ホルダー3の電磁石がオンされ、電磁石の磁力によって複合マスク4の磁性体金属薄板が吸着されてフィルム12が基板10面に密着される。そして、蒸着源2のシャッタ9が一定時間開き、蒸着が実行される。これにより、蒸着源2から蒸発した蒸着材料が複合マスク4の開口パターン13を介して基板10の薄膜パターン形成領域11に付着し、一定膜厚の薄膜パターンが形成される。   In step S2, the electromagnet of the substrate holder 3 is turned on, the magnetic metal thin plate of the composite mask 4 is attracted by the magnetic force of the electromagnet, and the film 12 is brought into close contact with the surface of the substrate 10. Then, the shutter 9 of the vapor deposition source 2 is opened for a certain time, and vapor deposition is executed. As a result, the vapor deposition material evaporated from the vapor deposition source 2 adheres to the thin film pattern formation region 11 of the substrate 10 through the opening pattern 13 of the composite mask 4, thereby forming a thin film pattern with a constant film thickness.

ステップS3においては、蒸着源2のシャッタ9が閉じると共に、基板ホルダー3の電磁石がオフされて複合マスク4のフィルム12が基板10面から剥離される。このとき、複合マスク4のフィルム12面側に剥離手段を設け、該剥離手段により複合マスク4を下方に押し下げて剥離してもよい。   In step S3, the shutter 9 of the vapor deposition source 2 is closed, the electromagnet of the substrate holder 3 is turned off, and the film 12 of the composite mask 4 is peeled from the surface of the substrate 10. At this time, a peeling means may be provided on the film 12 surface side of the composite mask 4, and the composite mask 4 may be pushed down by the peeling means to peel off.

ステップS4においては、搬送手段7が駆動して成膜済みの基板10が図1において矢印C方向に搬出される一方、新たな基板10が搬入されて成膜エリア23の蒸着源2の上方に位置付けられる。   In step S4, the transport means 7 is driven and the film-formed substrate 10 is unloaded in the direction of arrow C in FIG. 1, while a new substrate 10 is loaded and above the vapor deposition source 2 in the film-forming area 23. Positioned.

ステップS5においては、第1のマスク領域26Aを使用した成膜が予め定められた回数となったか否かが判定される。ここで、第1のマスク領域26Aを使用して例えば100回の成膜が行われた場合には、ステップS5は“YES”判定となってステップS6に進む。なお、ステップS5が“NO”判定の場合には、ステップS1に戻って、ステップS5が“YES”判定となるまでステップS1〜ステップS5が繰り返し実行される。   In step S5, it is determined whether or not the number of depositions using the first mask region 26A has reached a predetermined number. Here, when the film formation is performed 100 times using the first mask region 26A, for example, “YES” determination is made in step S5, and the process proceeds to step S6. If step S5 is “NO”, the process returns to step S1, and steps S1 to S5 are repeatedly executed until step S5 is “YES”.

ステップS6においては、複合マスク4が巻取りリール6に一定量だけ巻き取られて第1のマスク領域26Aが第1の洗浄エリア24Aまで移動される一方、第2のマスク領域26Bが成膜エリア23に位置付けられる。   In step S6, the composite mask 4 is wound on the take-up reel 6 by a certain amount and the first mask area 26A is moved to the first cleaning area 24A, while the second mask area 26B is formed in the film forming area. 23.

ステップS7においては、ステップS1と同様にして基板10と複合マスク4の第2のマスク領域26Bとのアライメントが実行される。   In step S7, the alignment between the substrate 10 and the second mask region 26B of the composite mask 4 is executed in the same manner as in step S1.

ステップS8においては、ステップS2と同様にして蒸着材料が新たな基板10上に第2のマスク領域26Bを使用して成膜され、薄膜パターンが形成される。同時に、第1の洗浄エリア24Aにおいては、複合マスク4の磁性金属薄板14側からレーザ光が照射され、フィルム12の開口パターン13の縁部に付着した蒸着材料が除去される。   In step S8, the vapor deposition material is deposited on the new substrate 10 using the second mask region 26B in the same manner as in step S2, and a thin film pattern is formed. At the same time, in the first cleaning area 24 </ b> A, laser light is irradiated from the magnetic metal thin plate 14 side of the composite mask 4, and the vapor deposition material attached to the edge of the opening pattern 13 of the film 12 is removed.

ステップS9においては、図5に示すように、複合マスク4の第1のマスク領域26A及び第2のマスク領域26Bを使用した成膜−洗浄−成膜の繰り返し実行回数が予め定められた所定回数となったか否かが判定される。ここで、“NO”判定となるとステップS10に進む。   In step S9, as shown in FIG. 5, a predetermined number of repetitions of the number of repetitions of film formation-cleaning-film formation using the first mask area 26A and the second mask area 26B of the composite mask 4 are performed. It is determined whether or not. If “NO” determination is made here, the process proceeds to step S10.

ステップS10においては、複合マスク4が一定量だけ送出リール5に巻戻され、第2のマスク領域26Bが第2の洗浄エリア24まで移動されると共に、洗浄された第1のマスク領域26Aが成膜エリア23まで移動して蒸着源2の上方に位置付けられる。そして、ステップS1に戻って、ステップS9において“YES”判定となるまでステップS1〜ステップS10が繰り返し実行される。この場合、ステップS2においては、第1のマスク領域26Aを使用した成膜が実行されるのと並行して第2のマスク領域26Bの洗浄が実行される。   In step S10, the composite mask 4 is rewound onto the delivery reel 5 by a fixed amount, the second mask area 26B is moved to the second cleaning area 24, and the cleaned first mask area 26A is formed. It moves to the film area 23 and is positioned above the vapor deposition source 2. Then, returning to step S1, steps S1 to S10 are repeatedly executed until “YES” is determined in step S9. In this case, in step S2, the cleaning of the second mask region 26B is performed in parallel with the film formation using the first mask region 26A.

また、ステップS9において、“YES”判定となると複合マスク4の第1のマスク領域26A及び第2のマスク領域26Bを使用した成膜を終了する。そして、複合マスク4が一定量だけ巻取りリール6に巻き取られ、次の新たなマスク領域が蒸着源2の上方に位置付けられて該新たなマスク領域を使用した成膜が開始される。   In step S9, if “YES” is determined, the film formation using the first mask region 26A and the second mask region 26B of the composite mask 4 is terminated. Then, the composite mask 4 is wound on the take-up reel 6 by a certain amount, the next new mask area is positioned above the vapor deposition source 2, and film formation using the new mask area is started.

以上の説明においては、複合マスク4の開口パターン13がストライプ状のものである場合について説明したが、本発明はこれに限られず、開口パターン13は、細長状の複数のブリッジによって複数の小単位に分離されていてもよい。   In the above description, the case where the opening pattern 13 of the composite mask 4 has a stripe shape has been described. However, the present invention is not limited to this, and the opening pattern 13 has a plurality of small units formed by a plurality of elongated bridges. May be separated.

図6は上記第1の実施形態の変形例である。複合マスク4の経路をガイドローラ28で垂直上方に折り曲げて縦型構造としたものである。これにより、装置の設置面積を狭くすることができる。   FIG. 6 shows a modification of the first embodiment. The path of the composite mask 4 is bent vertically upward by the guide roller 28 to have a vertical structure. Thereby, the installation area of an apparatus can be narrowed.

図7は、本発明による蒸着装置の第2の実施形態を示す図である。ここでは、第1の実施形態と異なる部分について説明する。
この第2の実施形態は、同じ真空室1内で複数種の蒸着材料の成膜を可能にしたものであり、蒸着材料の異なる複数の成膜エリア23を成膜順に並べて設けて基板10上に複数種の薄膜パターンを成膜形成できるようした、例えば有機EL表示用基板の蒸着装置である。以下、基板10が有機EL表示用のTFT基板である場合について説明する。
FIG. 7 is a view showing a second embodiment of the vapor deposition apparatus according to the present invention. Here, a different part from 1st Embodiment is demonstrated.
In the second embodiment, a plurality of types of vapor deposition materials can be formed in the same vacuum chamber 1, and a plurality of film formation areas 23 having different vapor deposition materials are arranged in the order of film formation on the substrate 10. For example, it is a vapor deposition apparatus for an organic EL display substrate capable of forming a plurality of types of thin film patterns. Hereinafter, a case where the substrate 10 is a TFT substrate for organic EL display will be described.

上記複数の成膜エリア23は、夫々、赤色(以下「R」と記載)有機EL層成膜エリア23r、緑色(以下「G」と記載)有機EL層成膜エリア23g及び青色(以下「B」と記載)有機EL層成膜エリア23bである。さらに、R有機EL層成膜エリア23rには、正孔注入層成膜エリア29r、正孔輸送層成膜エリア30r、R発光層成膜エリア31r及び電子輸送層成膜エリア32rがこの順に設けられており、正孔注入層、正孔輸送層、R発光層及び電子輸送層を順次成膜してR有機EL層を形成することができるようになっている。また、同様に、G有機EL層成膜エリア23gには、正孔注入層成膜エリア29g、正孔輸送層成膜エリア30g、G発光層成膜エリア31g及び電子輸送層成膜エリア32gがこの順に設けられてG有機EL層が形成できるようになっている。さらに、B有機EL層成膜エリア23bには、正孔注入層成膜エリア29b、正孔輸送層成膜エリア30b、B発光層成膜エリア31b及び電子輸送層成膜エリア32bがこの順に設けられてB有機EL層が形成できるようになっている。   The plurality of film formation areas 23 are respectively red (hereinafter referred to as “R”) organic EL layer film formation area 23r, green (hereinafter referred to as “G”) organic EL layer film formation area 23g, and blue (hereinafter referred to as “B”). The organic EL layer deposition area 23b. Further, in the R organic EL layer deposition area 23r, a hole injection layer deposition area 29r, a hole transport layer deposition area 30r, an R light emitting layer deposition area 31r, and an electron transport layer deposition area 32r are provided in this order. Thus, an R organic EL layer can be formed by sequentially forming a hole injection layer, a hole transport layer, an R light emitting layer, and an electron transport layer. Similarly, the G organic EL layer deposition area 23g includes a hole injection layer deposition area 29g, a hole transport layer deposition area 30g, a G light emitting layer deposition area 31g, and an electron transport layer deposition area 32g. A G organic EL layer can be formed in this order. Further, in the B organic EL layer forming area 23b, a hole injection layer forming area 29b, a hole transport layer forming area 30b, a B light emitting layer forming area 31b, and an electron transport layer forming area 32b are provided in this order. Thus, a B organic EL layer can be formed.

また、R有機EL層成膜エリア23r内の各成膜エリア29r〜32rには、R対応の複合マスク4rが各成膜エリア29r〜32rの並び方向と交差する方向に移動可能に設けられ、複合マスク4rの移動方向にて各成膜エリア29r〜32rの両側には第1及び第2の洗浄エリア24A,24Bが設けられている。同様に、G有機EL層成膜エリア23g内及びB有機EL層成膜エリア23b内の各成膜エリア29g〜32g,29b〜32bには、対応色の複合マスク4g,4bが各成膜エリア29g〜32g,29b〜32bの並び方向と交差する方向に移動可能に設けられ、複合マスク4g,4bの移動方向にて各成膜エリア29g〜32g,29b〜32bの両側には第1及び第2の洗浄エリア24A,24Bが設けられている。   Further, in each of the film formation areas 29r to 32r in the R organic EL layer film formation area 23r, an R-compatible composite mask 4r is provided so as to be movable in a direction intersecting with the arrangement direction of the film formation areas 29r to 32r. First and second cleaning areas 24A and 24B are provided on both sides of each of the film formation areas 29r to 32r in the moving direction of the composite mask 4r. Similarly, composite masks 4g and 4b of corresponding colors are formed in the respective film forming areas 29g to 32g and 29b to 32b in the G organic EL layer forming area 23g and in the B organic EL layer forming area 23b. 29g to 32g and 29b to 32b are provided so as to be movable in a direction crossing the arrangement direction of the composite masks 4g and 4b. Two cleaning areas 24A and 24B are provided.

さらに、複数の基板ホルダー3を各成膜エリアの並び方向に順次移動させて、各基板ホルダー3に保持された複数のTFT基板10を夫々各成膜エリア内の蒸着源2の上方に位置づけ可能に搬送手段7が設けられている。   Further, the plurality of substrate holders 3 can be sequentially moved in the direction in which the respective film formation areas are arranged, and the plurality of TFT substrates 10 held by the respective substrate holders 3 can be positioned above the vapor deposition source 2 in each film formation area. A conveying means 7 is provided on the surface.

以下、本第2の実施形態の動作を説明する。
先ず、基板ホルダー3に保持された1番目のTFT基板10がR有機EL層成膜エリア23r内の正孔注入層成膜エリア29rまで搬送手段7によって搬送され、正孔注入層用の蒸着源2の上方に位置付けられる。
The operation of the second embodiment will be described below.
First, the first TFT substrate 10 held by the substrate holder 3 is transported by the transport means 7 to the hole injection layer deposition area 29r in the R organic EL layer deposition area 23r, and a deposition source for the hole injection layer is obtained. 2 above.

次に、R用複合マスク4rの第1のマスク領域26Aに対するTFT基板10のアライメントが実行された後、基板ホルダー3の電磁石をオンし複合マスク4rの磁性金属薄板14を吸着してTFT基板10面に複合マスク4rのフィルム12を密着させる。   Next, after the alignment of the TFT substrate 10 with respect to the first mask region 26A of the R composite mask 4r is executed, the electromagnet of the substrate holder 3 is turned on and the magnetic metal thin plate 14 of the composite mask 4r is attracted to the TFT substrate 10. The film 12 of the composite mask 4r is brought into close contact with the surface.

続いて、正孔注入層用の蒸着源2のシャッタ9が一定時間開き、TFT基板10のR対応アノード電極上に一定膜厚の正孔注入層が成膜される。   Subsequently, the shutter 9 of the evaporation source 2 for the hole injection layer is opened for a certain period of time, and a hole injection layer having a certain film thickness is formed on the R corresponding anode electrode of the TFT substrate 10.

正孔注入層の成膜が終了すると、搬送手段7が起動して1番目のTFT基板10が正孔輸送層成膜エリア30rまで搬送されて正孔輸送層用の蒸着源2の上方に位置付けられる。同時に、2番目のTFT基板10が正孔注入層成膜エリア30rまで搬送される。そして、上述と同様にして1番目のTFT基板10には、正孔注入層の上に正孔輸送層が成膜され、2番目のTFT基板10のR対応アノード電極上には正孔注入層が成膜される。   When film formation of the hole injection layer is completed, the transport means 7 is activated and the first TFT substrate 10 is transported to the hole transport layer deposition area 30r and positioned above the vapor deposition source 2 for the hole transport layer. It is done. At the same time, the second TFT substrate 10 is transported to the hole injection layer deposition area 30r. In the same manner as described above, a hole transport layer is formed on the first TFT substrate 10 on the hole injection layer, and a hole injection layer is formed on the R corresponding anode electrode of the second TFT substrate 10. Is deposited.

以降、新たなTFT基板10を順次供給しながら、各TFT基板10がR有機EL層成膜エリア23r、G有機EL層成膜エリア23g及びB有機EL層成膜エリア23b内を順繰りに搬送されてTFT基板10の各アノード電極上に対応色の有機EL層が成膜される。そして、全ての有機EL層の成膜が完了したTFT基板10は、搬出エリアから外部に搬出される。   Thereafter, while sequentially supplying new TFT substrates 10, each TFT substrate 10 is sequentially conveyed through the R organic EL layer forming area 23 r, the G organic EL layer forming area 23 g and the B organic EL layer forming area 23 b. Then, an organic EL layer of a corresponding color is formed on each anode electrode of the TFT substrate 10. Then, the TFT substrate 10 on which all the organic EL layers have been formed is unloaded from the unloading area.

この第2の実施形態においては、各有機EL層成膜エリア23r,23g,23bに、夫々、対応色の複数の複合マスク4r,4g,4bが備えられている。そして、各複合マスク4r〜4bは、第1の実施形態で説明したように一定距離を往復移動して第1及び第2のマスク領域26A,26Bを成膜エリア23と第1及び第2の洗浄エリア24A,24Bとの間を往復移動させ、該第1及び第2のマスク領域26A,26Bを使用した成膜−洗浄−成膜を一定回数だけ実行するようになっている。   In the second embodiment, each organic EL layer deposition area 23r, 23g, 23b is provided with a plurality of composite masks 4r, 4g, 4b of corresponding colors. Then, as described in the first embodiment, each of the composite masks 4r to 4b reciprocates a predetermined distance so that the first and second mask regions 26A and 26B are separated from the film formation area 23 and the first and second mask regions 26A and 26B. The film is moved back and forth between the cleaning areas 24A and 24B, and the film formation / cleaning / film formation using the first and second mask regions 26A and 26B is performed a predetermined number of times.

なお、上記第1及び第2の実施形態においては、洗浄エリア24を成膜エリア23の両側に設けた場合について説明したが、本発明はこれに限られず、洗浄エリア24は、成膜エリア23の一方側だけに設けてもよい。この場合、複合マスク4は、第1のマスク領域26Aを使用した一定回数の成膜が終了すると、洗浄エリア24まで移動して第1のマスク領域26Aの洗浄を行い、洗浄が終了すると第1のマスク領域26Aを成膜エリア23まで移動して成膜に使用するようにし、第1のマスク領域26Aの洗浄中は成膜を行わないようにするとよい。   In the first and second embodiments, the case where the cleaning area 24 is provided on both sides of the film forming area 23 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the cleaning area 24 includes the film forming area 23. You may provide only on one side. In this case, the composite mask 4 moves to the cleaning area 24 when the predetermined number of times of film formation using the first mask area 26A is completed, and cleans the first mask area 26A. The mask region 26A may be moved to the film formation area 23 and used for film formation, and the film formation may not be performed during the cleaning of the first mask region 26A.

また、上記第1及び第2の実施形態においては、真空室1内に洗浄エリア24を設けた場合について説明したが、洗浄エリア24はなくてもよい。この場合、複合マスク4の全てのマスク領域を使用した成膜が完了すると、別に設けた洗浄装置内で1ロール分の複合マスク4の洗浄を行うとよい。これにより、OやArガス、またはそれらの混合気体を使用したプラズマ洗浄を行うことができ、洗浄効率を上げることができる。 In the first and second embodiments, the case where the cleaning area 24 is provided in the vacuum chamber 1 has been described. However, the cleaning area 24 may not be provided. In this case, when film formation using all the mask regions of the composite mask 4 is completed, the composite mask 4 for one roll may be cleaned in a separate cleaning apparatus. Thereby, plasma cleaning using O 2 , Ar gas, or a mixed gas thereof can be performed, and cleaning efficiency can be increased.

1…真空室
2…蒸着源
3…基板ホルダー
4…複合マスク
5…送出リール
6…巻取りリール
7…搬送手段
8…撮像手段
10…基板
12…フィルム
13…開口パターン
14…磁性金属薄板
15…開口部
16…マスク側アライメントマーク
21…開口
22…側壁
23…成膜エリア
24…洗浄エリア
24A…第1の洗浄エリア
24B…第2の洗浄エリア
26A…第1のマスク領域(一のマスク領域)
26B…第2のマスク領域(他のマスク領域)
27…基板側アライメントマーク
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vacuum chamber 2 ... Deposition source 3 ... Substrate holder 4 ... Composite mask 5 ... Delivery reel 6 ... Take-up reel 7 ... Conveyance means 8 ... Imaging means 10 ... Substrate 12 ... Film 13 ... Opening pattern 14 ... Magnetic metal thin plate 15 ... Opening 16 ... Mask-side alignment mark 21 ... Opening 22 ... Side wall 23 ... Deposition area 24 ... Cleaning area 24A ... First cleaning area 24B ... Second cleaning area 26A ... First mask area (one mask area)
26B 2nd mask area (other mask area)
27 ... Substrate side alignment mark

Claims (5)

マスクを介して基板上に一定形状の複数の薄膜パターンを一定の配列ピッチで並べて成膜形成する蒸着装置であって、
真空室内に、
蒸着材料を加熱して蒸発させる蒸着源と、
電磁石を内蔵し、前記基板を前記蒸着源に対向させて保持する基板ホルダーと、
可視光を透過する長尺のフィルムに前記薄膜パターンと同形状の複数の開口パターンを前記薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチで前記フィルムの長軸方向に並べて形成すると共に、前記フィルムの前記蒸着源側の面に接着された磁性金属薄板に前記開口パターンに対応して該開口パターンの形状よりも大きい貫通する複数の開口部を形成した構造をなし、前記蒸着源と前記基板ホルダーとの間を前記基板ホルダーの面に平行に前記フィルムの長軸方向にステップ移動する複合マスクと、
前記基板ホルダーを間にして一方側に設けられ、前記複合マスクを送出する送出リールと、
前記基板ホルダーを間にして他方側に設けられ、前記複合マスクを巻き取る巻取りリールと、
を備えたことを特徴とする蒸着装置。
A vapor deposition apparatus that forms a plurality of thin film patterns having a predetermined shape on a substrate through a mask by arranging them at a constant arrangement pitch,
In the vacuum chamber,
A deposition source for heating and evaporating the deposition material;
A substrate holder containing an electromagnet and holding the substrate facing the vapor deposition source;
A plurality of opening patterns having the same shape as the thin film pattern are arranged in a long film that transmits visible light and arranged in the major axis direction of the film at the same arrangement pitch as the thin film pattern, and the deposition of the film A magnetic metal thin plate bonded to the surface on the source side has a structure in which a plurality of openings that penetrates larger than the shape of the opening pattern are formed corresponding to the opening pattern, and between the vapor deposition source and the substrate holder A composite mask that moves stepwise in the longitudinal direction of the film parallel to the surface of the substrate holder;
A delivery reel provided on one side with the substrate holder in between, for delivering the composite mask;
A take-up reel provided on the other side with the substrate holder in between, and winding the composite mask;
A vapor deposition apparatus comprising:
前記複合マスクの移動方向と交差する方向に複数の前記基板ホルダーを順番に搬送する搬送手段がさらに設けられ、前記各基板ホルダーをステップ移動させて夫々前記蒸着源に対向配置することを特徴とする請求項1記載の蒸着装置。   The apparatus further comprises transport means for sequentially transporting the plurality of substrate holders in a direction intersecting with the moving direction of the composite mask, and each substrate holder is moved stepwise to be disposed opposite the deposition source. The vapor deposition apparatus according to claim 1. 前記真空室は、前記複合マスクが通過可能な開口を形成した側壁によって、前記蒸着源及び前記基板ホルダーを含む成膜エリアの少なくとも前記巻取りリール側が仕切られて洗浄エリアが設けられ、前記複合マスクに対して前記磁性金属薄板側からレーザビーム又はイオンビーム若しくは電子ビームを照射し、前記複合マスクに付着した前記蒸着材料を除去可能に構成されたことを特徴とする請求項1又は2記載の蒸着装置。   The vacuum chamber is provided with a cleaning area by partitioning at least the take-up reel side of the film formation area including the vapor deposition source and the substrate holder by a side wall in which an opening through which the composite mask can pass is formed. 3. The vapor deposition according to claim 1, wherein the vapor deposition material attached to the composite mask can be removed by irradiating a laser beam, an ion beam, or an electron beam from the magnetic metal thin plate side. apparatus. 前記洗浄エリアは、前記成膜エリアを挟んで前記送出リール側及び前記巻取りリール側の両方に設けられ、
前記送出リール及び巻取りリールは、正逆回転して前記複合マスクを往復移動可能に構成され、前記複合マスクの成膜が完了した一のマスク領域を一方の前記洗浄エリアまで移動させると共に、未成膜の他のマスク領域を前記成膜エリアまで移動させ、成膜が完了した前記他のマスク領域を他方の前記洗浄エリアまで移動させると共に、洗浄が完了した前記一のマスク領域を前記成膜エリアまで移動させることを特徴とする請求項3記載の蒸着装置。
The cleaning area is provided on both the delivery reel side and the take-up reel side across the film formation area,
The delivery reel and the take-up reel are configured to be able to reciprocally move the composite mask by rotating forward and reverse, move one mask area where the composite mask has been formed to one of the cleaning areas, and The other mask area of the film is moved to the film formation area, the other mask area after film formation is moved to the other cleaning area, and the one mask area after the cleaning is moved to the film formation area. The vapor deposition apparatus according to claim 3, wherein
前記基板ホルダーは、前記基板を保持する保持面に平行な面内を二次元方向に移動可能に、及び前記保持面の中心を軸に回転可能に構成され、
前記複合マスクに予め形成されたマスク側アライメントマークと前記基板ホルダーに保持された基板に予め形成された基板側アライメントマークとを同時に撮影し、該撮影画像に基づいて両マークが互いに一定の位置関係となるように前記基板ホルダーを移動させ、前記複合マスクと前記基板とのアライメントを可能にする撮像手段を進退可能に設けたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の蒸着装置。
The substrate holder is configured to be movable in a two-dimensional direction in a plane parallel to a holding surface that holds the substrate, and to be rotatable about the center of the holding surface,
The mask side alignment mark previously formed on the composite mask and the substrate side alignment mark previously formed on the substrate held by the substrate holder are photographed at the same time, and both marks are in a certain positional relationship based on the photographed image. 5. The imaging device according to claim 1, further comprising an imaging unit that moves the substrate holder so that the composite mask and the substrate can be aligned. Vapor deposition equipment.
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