JP2013115150A - Light-emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光素子を含む発光装置に関するものである。 The present invention relates to a light emitting device including a light emitting element.
近年、発光素子を有する発光装置の開発が進められている。発光装置は、消費電力または製品寿命に関して注目されている。また、発光装置として、発光素子から発せられる光を反射する枠体と、発光素子の発した光を波長変換する波長変換部材を用いた技術が開示されている(下記特許文献1参照)。なお、特許文献1に記載された波長変換部材は、枠体で囲まれる領域に充填されている。
In recent years, development of a light-emitting device having a light-emitting element has been advanced. Light emitting devices have attracted attention with regard to power consumption or product life. In addition, as a light emitting device, a technique using a frame that reflects light emitted from a light emitting element and a wavelength conversion member that converts the wavelength of light emitted from the light emitting element is disclosed (see
発光装置は、波長変換部材が枠体で囲まれる領域に充填されていると、発光素子の発した光および枠体で反射された光がどの個所に集中して波長変換されるか、コントロールしにくく、また、発光素子からの光は波長変換部材によって閉じ込められ、発光装置の外部に放射され難い。そして、波長変換後の外部に取り出される光は、照射面を均一な光の色で照射できなくなるとともに、発光装置の発光効率が低下する虞がある。 When the wavelength conversion member is filled in the region surrounded by the frame, the light-emitting device controls where the light emitted from the light-emitting element and the light reflected by the frame are concentrated and wavelength-converted. In addition, the light from the light emitting element is confined by the wavelength conversion member and is not easily emitted outside the light emitting device. Then, the light extracted outside after wavelength conversion cannot irradiate the irradiated surface with a uniform light color, and the light emission efficiency of the light emitting device may be reduced.
本発明は、外部に取り出される光のグラデーションを良好にするとともに、発光効率を向上することが可能な発光装置を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a light emitting device capable of improving gradation of light extracted to the outside and improving luminous efficiency.
本発明の実施形態に係る発光装置は、基板と、前記基板上に設けられた発光素子と、前記基板上に設けられた、前記発光素子を取り囲むとともに、内周面に複数の凹部を有する枠体と、前記枠体の内周面に前記凹部にそれぞれ嵌まるようにして設けられた、複数の反射部材と、前記発光素子および前記枠体の内周面を覆うように前記枠体上に支持された、前記発光素子が発した光および前記反射部材で反射された光を波長変換する波長変換部材とを備えたことを特徴とする。 A light-emitting device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a light-emitting element provided on the substrate, and a frame provided on the substrate that surrounds the light-emitting element and has a plurality of recesses on an inner peripheral surface. A plurality of reflecting members provided on the inner peripheral surface of the body and the frame body so as to fit into the recesses, and the light emitting element and the inner peripheral surface of the frame body so as to cover the inner peripheral surface of the frame body A wavelength conversion member that converts the wavelength of the light emitted from the light emitting element and the light reflected by the reflection member, which is supported, is provided.
本発明によれば、外部に取り出される光のグラデーションを良好にするとともに、発光効率を向上することが可能な発光装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a light emitting device capable of improving the light emission efficiency while improving the gradation of light extracted to the outside.
以下に添付図面を参照して、本発明に係る発光装置の一実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものである。 Hereinafter, an embodiment of a light emitting device according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited to the following embodiment.
<発光装置の概略構成>
図1は、本発明の一実施形態に係る発光装置の概観斜視図であって、その一部を断面視している。図2は、図1に示す発光装置の断面図である。図3は、図2に示す発光装置の一部Aを拡大した拡大断面図である。図4は、枠体の内周面の一部Bを拡大した拡大断面図である。図5は、枠体内の一部Cを拡大した拡大断面図である。図6は、発光装置の透過平面図であって、枠体の内周面に設けられた反射部材を示している。
<Schematic configuration of light emitting device>
FIG. 1 is a schematic perspective view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention, and a part thereof is viewed in cross section. FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a part A of the light emitting device shown in FIG. FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view in which a part B of the inner peripheral surface of the frame is enlarged. FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view in which a part C in the frame is enlarged. FIG. 6 is a transmission plan view of the light emitting device, and shows a reflecting member provided on the inner peripheral surface of the frame.
発光装置1は、基板2と、基板2上に設けられた発光素子3と、基板2上に設けられた、発光素子3を取り囲むとともに、内周面に複数の凹部pを有する枠体4と、凹部pにそれぞれ嵌まるようにして設けられた、複数の反射部材5と、発光素子3および枠体4の内周面を覆うように枠体4上に支持された、発光素子3が発した光および反射部材5で反射された光を波長変換する波長変換部材6とを備えている。なお、発光素子3は、例えば、発光ダイオードであって、半導体を用いたpn接合中の電子と正孔が再結合することによって、外部に向かって光を放出する。
The light-
基板2は、絶縁性の基板であって、例えば、アルミナまたはムライト等のセラミック材料、ガラスセラミック材料、あるいは樹脂材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。また、基板2は、基板2の熱膨張を調整することが可能な金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。
The
基板2は、基板2の内外を電気的に導通する配線導体が形成されている。配線導体は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の導電材料からなる。配線導体は、例えば、タングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、基板2となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層して、焼成することにより得られる。なお、配線導体の表面には、酸化防止のために、例えば、ニッケルまたは金等の鍍金層が形成されている。
The
また、基板2が樹脂材料からなる場合は、シート状に加工した有機基板に対して鍍金処理等を施したり、リードフレームを金型に配置してトランスファ成形プロセスでモールド樹脂を金型に流し込むとともに加熱加圧し硬化したりすることで作製することができる。
When the
また、基板2の上面には、基板2上方に効率良く光を反射させるために、配線導体および鍍金層と間を空けて、例えば、アルミニウム、銀、金、銅またはプラチナ等の金属反射層を形成する。
Further, on the upper surface of the
発光素子3は、基板2上に実装される。発光素子3は、基板2上に形成される配線導体の表面に被着する鍍金層上に、例えば、ろう材または半田を介して電気的に接続されたり、ワイヤボンディングによって電気的に接続されたりする。
The
発光素子3は、基体と、基体上に形成される光半導体層とを有している。基体は、有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法等の化学気相成長法を用いて、光半導体層を成長させることが可能なものであればよい。基体に用いられる材料としては、例えば、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウム等を用いることができる。なお、透光性基体の厚みは、例えば50μm以上1000μm以下である。
The
光半導体層は、基体上に形成される第1半導体層と、第1半導体層上に形成される発光
層と、発光層上に形成される第2半導体層とから構成されている。第1半導体層、発光層および第2半導体層は、例えば、III族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素等
のIII−V族半導体、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは窒化インジウム
等のIII族窒化物半導体などを用いることができる。なお、第1半導体層の厚みは、例え
ば1μm以上5μm以下であって、発光層の厚みは、例えば25nm以上150nm以下であって、第2半導体層の厚みは、例えば50nm以上600nm以下である。また、このように構成された発光素子3では、例えば370nm以上420nm以下の波長範囲の励起光を発する素子を用いることができる。
The optical semiconductor layer includes a first semiconductor layer formed on the substrate, a light emitting layer formed on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer formed on the light emitting layer. The first semiconductor layer, the light emitting layer, and the second semiconductor layer are, for example, a group III nitride semiconductor, a group III-V semiconductor such as gallium phosphide or gallium arsenide, or a group III nitride such as gallium nitride, aluminum nitride, or indium nitride. A physical semiconductor or the like can be used. The thickness of the first semiconductor layer is, for example, 1 μm to 5 μm, the thickness of the light emitting layer is, for example, 25 nm to 150 nm, and the thickness of the second semiconductor layer is, for example, 50 nm to 600 nm. Moreover, in the
枠体4は、基板2上の発光素子3を取り囲むように設けられている。また、枠体4は、平面視して内周面および外周面の形状が円形状であって、発光素子3が発光する光を上方向に反射させて外部に放出することができる。枠体4は平面視したときに、外径が例えば3mm以上30mm以下であって、内径が例えば1mm以上28mm以下に設定されている。なお、枠体4の屈折率は、反射部材5の屈折率よりも大きく、例えば1.7以上1.9以下に設定されている。
The
また、枠体4は、例えば、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料を所望の形状に形成して焼結された多孔質材料から構成されている。枠体4を多孔質材料から構成することで、枠体4は、発光素子3から発せられる光を内部に設けられた気孔4vとの界面で反射させながら多孔質材料の内部まで入射させず、多孔質材料の表面で反射させることができ、さらに、多孔質材料からなる枠体4の内部に多数の気孔4vが形成されることによって、枠体4の熱伝導率が低下するとともに熱吸収が抑制されることにより、熱エネルギーによる反射率の低下や、機械的な強度劣化が抑制される。
The
また、枠体4で囲まれる領域は、下部から上部に向かって幅広に傾斜するとともに、枠体4の上端内側には段差4cが設けられている。なお、枠体4の内壁面の傾斜角度は、基板2の上面に対して、例えば55度以上70度以下の角度に設定されている。
Further, the region surrounded by the
枠体4の段差4cは、波長変換部材6を支持する機能を有している。段差4cは、枠体4の上部の一部を内側に向けて切欠いたものであって、枠体4の内周面を一周するように連続して設けられており、波長変換部材6の端部を支持することができる。
The
枠体4を多孔質材料から構成されているので、枠体4は内周面には、気孔4vが内周面に現れることによって、複数の凹部pが設けられ、内部には凹部pと連続して形成される複数の気孔4vが設けられている。なお、凹部pは、気孔4vによる気孔直径が例えば0.1μm以上100μm以下の大きさに形成されている。
Since the
凹部pに嵌まった反射部材5は、発光素子3の発する光を反射する機能を備えている。球状や多面体状であって、枠体4の内周面に形成された凹部pに全部または一部が嵌まることが可能な大きさに設定されている。また、反射部材5は、発光素子3の発した光が透過する透光性材料からなる。反射部材5は、直径が例えば0.1μm以上100μmの以下の大きさであって、例えばシリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂、透光性のガラスからなる。なお、反射部材5の屈折率は、例えば1.4以上1.6以下に設定されている。または、反射部材5は、中央部がセラミック材料からなり、表面層が透光性のガラスからなる、中央部と表面層との組成が異なり、中央部の屈折率が1.7以上2.0以下であり、表面層の屈折率が1.5以上1.68以下である透光性粉体からなってもよい。なお、中央部と表面層との組成および屈折率が異なる透光性粉体を反射部材5とする場合には、封止部材7と表面層、および表面層と中央部との屈折率差により、それぞれの界面における乱反射が増加し、一様に反射部材5の表面から周囲に
光を放射させることができる。また、表面層の屈折率は封止部材7より大きくてもよく、中央部の屈折率は、表面層より大きくてもよい。これにより、封止部材7から表面層を介して中央に侵入する光は無反射で侵入するとともに、中央部から表面層を介して封止部材7へ放射される光は、それぞれの界面で屈折率差に起因した乱反射を繰り返しながら、より一様に反射部材5の表面から周囲の封止部材7に光を放射させることができる。
The reflecting
反射部材5は、凹部pから枠体4で囲まれる領域に向かって飛び出して設けられている。反射部材5が凹部pから出ていることで、発光素子3の発した光を受光しやすくすることができる。なお、反射部材5は、枠体4の内周面から、例えば0.05μm以上50μm以下飛び出して設けられている。
The
反射部材5は、図4に示すように、発光素子3の発した光を内部に進入させて、内部で光を乱反射させて、外部に向かって多方向に光を進行させることができる。よって、枠体4の内周面にて、発光素子3の発した光を効果的に乱反射させることができ、枠体4の内周面において光を分散させることができる。そして、外部に光が取り出されるときに、特定の個所に光が集中するのを抑制することができる。なお、図4に示した一点鎖線の矢印は、反射部材5内に進行する前の光を示している。また、図4に示した実線の矢印は、反射部材5内で乱反射した光と、反射部材5から取り出された光を示している。
As shown in FIG. 4, the reflecting
また、反射部材5は、凹部pに嵌まることで、枠体4が多孔質材料から成る場合は、枠体4で囲まれる領域に充填される封止部材7が、枠体4内に流れ入る量を低減することができる。
In addition, when the reflecting
枠体4の内周面に薄い接着材の層を吹き付けて形成しておき、その接着材の層が乾く前に、反射部材5を被着させる。そして、枠体4の温度を上昇させることで、接着材の層を乾かして、反射部材5を枠体4の内周面に設けることができる。なお、枠体4が多孔質材料からなる場合は、枠体4の内周面に吹き付けた接着材の層は、その一部が枠体4の内部に向かって進入し始め、枠体4の内周面に設けられた凹部pの表面に沿って、薄い層として形成された状態になっている。さらに、反射部材5を枠体4の内周面に被着させることで、反射部材5の多くは凹部pに嵌まって設けられる。もしくは、多孔質材料からなる枠体4の内周面に反射部材5を含有した有機バインダーを塗布し、有機バインダーを乾燥、または加熱によって蒸発させることにより、枠体4の内周面に設けられた凹部pの表面に沿って反射部材5を嵌め込むことができる。そして、枠体4を加熱しながら透光性のシリコーン樹脂等の絶縁樹脂を内周面に塗布し、硬化させることによって反射部材5を枠体4の内周面に設けることができる。
A thin adhesive layer is sprayed on the inner peripheral surface of the
封止部材7は、発光素子3を封止する機能を備えている。封止部材7は、枠体4で囲まれる領域に充填するようにして設けられている。封止部材7は、発光素子3を封止するとともに、発光素子3の発する光を透過する材料からなる。封止部材7は、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂、透光性のガラスからなる。なお、封止部材7の屈折率は、例えば1.4以上1.6以下に設定されている。
The sealing
また、枠体4の表面に反射部材5を嵌めることで、枠体4内に気孔からなる気孔4vを形成することができる。そして、枠体4の内部には、気孔のままの個所を多く残すことができる。即ち、枠体4で囲まれる領域に充填された封止部材7が枠体4内に進入しづらく、発光素子3からの光が封止部材7内を伝達して枠体4内に入射することが抑制されるとともに発光装置1の外部に放射され難くなることから、発光素子3からの光は封止部材7を伝達して枠体4内で吸収されにくく、同時に枠体4の外周面から発光装置1の外部に放射されにくく、枠体4の内周面で反射部材5によって効率よく反射することができる。
Further, by fitting the reflecting
気孔4vが配置された枠体4は、気孔率を10%以上50%以下にすることが好ましい。枠体4の気孔率を10%以上にすることにより、発光素子3からの光が隣接する多孔質材料の焼結部を介して枠体4内に透過し難くできるとともに、多孔質材料に入射した光を気孔4vとの界面で反射し易くすることができるため、枠体4の内部を透過する発光素子3からの光や、枠体4から発光装置1の外部へ透過する発光素子3からの光を少なくすることができる。また、枠体4の気効率を50%以下にすることにより、封止部材7が容易に枠体4の内部に進入するのを抑制することができる。
The
また、気孔4vは、中央細孔径を0.1μm以上1μm以下にすることが好ましい。気孔4vの中央細孔径を0.1μm以上にすることにより、発光素子3からの光が隣接する多孔質材料の焼結部を介して枠体4内に透過し難くできるとともに、多孔質材料に入射した光を気孔4vとの界面で反射し易くすることができるため、枠体4の内部を透過する発光素子3からの光や、枠体4から発光装置1の外部へ透過する発光素子3からの光を少なくすることができる。また、気孔4vの中央細孔径を1μm以下にすることにより、気孔4vを介して封止部材7が容易に枠体4の内部に進入するのを抑制することができる。なお、気孔率および中央細孔径は、マイクロメリティクス社製ポアサイザー9310型を使用した水銀圧入法による細孔分布測定にて測定することができる。
The
波長変換部材6は、発光素子3の発する光の波長を変換する機能を有している。波長変換部材6は、発光素子3から発せられる光が内部に入射して、内部に含有される蛍光体8が励起されて、光を発するものである。
The
波長変換部材6は、例えば、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂、あるいは、透光性のガラスからなり、その絶縁樹脂、ガラス中に、例えば430nm以上490nm以下の蛍光を発する青色蛍光体、例えば500nm以上560nm以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば540nm以上600nm以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば590nm以上700nm以下の蛍光を発する赤色蛍光体8が含有されている。
The
また、蛍光体8は、波長変換部材6中に分散している。なお、波長変換部材6の熱伝導率は、例えば0.1W/(m・K)以上0.8W/(m・K)以下に設定されている。波長変換部材6の熱膨張率は、例えば0.8×10−5/K以上8×10−5/K以下に設定されている。波長変換部材6の屈折率は、例えば、1.3以上1.6以下に設定されている。例えば、波長変換部材6の材料の組成比を調整することで、波長変換部材6の屈折率を調整することができる。
Further, the
波長変換部材6は、枠体4の段差4c上に支持されるとともに、発光素子3と間を空けて設けられている。また、波長変換部材6の端部は、枠体4の段差4cが設けられている箇所と当接するようにして取り囲まれている。
The
また、波長変換部材6の全体の厚みは、例えば0.3mm以上3mm以下に設定されており、且つ厚みが一定に設定されている。ここで、厚みが一定とは、厚みの誤差が0.5μm以下のものを含む。波長変換部材6の厚みを一定にすることにより、波長変換部材6内で励起される光の量を一様になるように調整することができ、波長変換部材6における輝度むらを抑制することができる。
The entire thickness of the
枠体4の段差4c上の表面に、波長変換部材6の端部が接着部材9を介して固定されている。接着部材9は、波長変換部材6を枠体4に固着するものである。接着部材9は、波長変換部材6の端部上から枠体4の段差4c個所にかけて設けられている。接着部材9は、段差4cと波長変換部材6との隙間や、波長変換部材6の上面外周部に配置されること
から、枠体4と接する面積が小さくなるため、枠体4内に進入しにくい。
The end of the
また、接着部材9は、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂、透光性のガラスが用いられる。なお、接着部材9の熱伝導率は、例えば0.1W/(m・K)以上0.8W/(m・K)以下に設定されている。接着部材9の熱膨張率は、例えば0.8×10−5/K以上8×10−5/K以下に設定されている。
The
接着部材9は、平面視して波長変換部材6の端部の外周に沿って連続して形成されている。そして、接着部材9は、断面視して、波長変換部材6の側面の上部から枠体4の段差4c上にかけて被着することで、接着部材9が被着する面積を大きくし、接着部材9を介して波長変換部材6と枠体4とを強固に接続することができる。その結果、波長変換部材6と枠体4の接続強度を向上させることができ、波長変換部材6の撓みが抑制される。そして、発光素子3と波長変換部材6との間の光学距離が変動するのを効果的に抑制することができる。
The
また、接着部材9は、波長変換部材6の側面から波長変換部材6の上面にかけて設けられている。そして、接着部材9は、波長変換部材6の側面の上端を被覆している。さらに、波長変換部材6の上面に被着している接着部材9は、上方に突出して膨らむ樹脂だまりを設け、周囲よりも厚みを大きくすることで、波長変換部材6と接着部材9との熱膨張差に起因にして生じる応力を接着部材9による樹脂だまりで吸収、緩和することができる。
The
また、枠体4は、基板2に対して、接合部材10を介して接続されている。接合部材10は、枠体4を基板2に接続するためのものであって、例えばシリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂、透光性のガラスからなる。接合部材10は、枠体4が配置される基板2上に配置することで、枠体4と基板2とを接続することができる。
Further, the
本実施形態に係る発光装置1は、枠体4の凹部pに反射部材5を設けることで、発光素子3の発した光を枠体4の内周面にて乱反射させることができ、枠体4の内周面の全周にわたって光を散乱させることができる。そして、枠体4の内周面で光を乱反射させて、外部に向かって一様な光となるように進行させることができ、枠体4上に位置する波長変換部材6の全体で光を波長変換させることができる。その結果、波長変換部材6の全体で蛍光体8によって波長変換することができ、外部に取り出されて照射面を照射する光のグラデーション、すなわち照射面における光の色の均一性を良好にすることができる。
The
また、反射部材5は、凹部pから枠体4で囲まれる領域に向かって飛び出していることで、発光素子3の発した光が反射部材5に到達しやすくすることができるとともに、反射部材5の内部で乱反射した光が、枠体4で囲まれる領域に向かって飛び出している反射部材5の表面から周囲に一様に放射されることから、光を反射部材5にて効率よく乱反射させることができる。
In addition, since the reflecting
さらに、反射部材5は、枠体4の内周面のうち基板2に近づくにつれて、単位面積あたりの個数が多くなることで、発光素子3との距離が短く、発光素子3からの光強度が高くなる、基板2に近い枠体4の内周面で、単位面積あたりの個数が多くなるように配置された反射部材5に発光素子3からの光がより多く入射されるとともに、反射部材5から周囲の封止部材7に一様に放射される光が増加する。即ち、発光素子3の周囲に放射される光強度の高い光は、単位面積あたりの個数が多くなるように配置された反射部材5の表面から周囲に一様に放射させれ、波長変換部材6に入射させることができることから、発光装置1の光出力を向上させることができるとともに、照射面における光の色の均一性を向上させることがでいるという作用効果を奏する。
Further, the number of the
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上述した実施形態では、反射部材5を予め接着材を塗布した枠体4の凹部pに吹き付けて形成したが、この方法に限定されない。例えば、枠体4の外から枠体4で囲まれる領域の空気を吸い込むようにして、その枠体4で囲まれる領域に設けた反射部材5を凹部pに嵌めても構わない。また、上述した実施形態では、凹部pが多孔質材料からなる反射部材4の気孔から形成されるとしたが、これに限られない。反射部材4を金属材料や樹脂材料から構成して、その内周面を加工することで凹部pを形成しても構わない。
In addition, this invention is not limited to the above-mentioned form, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. In the embodiment described above, the reflecting
<発光装置の製造方法>
ここで、図1に示す発光装置1の製造方法を説明する。まず、基板2を準備する。基板2が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。そして、混合物から複数のグリーンシートを作製する。
<Method for manufacturing light emitting device>
Here, a method of manufacturing the
また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、基板2となるセラミックグリーンシートに配線導体となるメタライズパターンおよび必要に応じて枠体4を接合するためのメタライズパターンをそれぞれ所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層した状態で焼成することで、基板2を準備することができる。
Moreover, a high melting point metal powder such as tungsten or molybdenum is prepared, and an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like is added to and mixed with the powder to obtain a metal paste. Then, a metallized pattern serving as a wiring conductor and a metallized pattern for joining the
枠体4を準備する。枠体4は、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料を準備する。そして、枠体4の型枠内に、セラミック材料の原料粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合した混合物を充填して乾燥させた後に、焼成することで枠体4を準備することができる。
A
そして、基板2の上面の所定個所に発光素子3を実装する。さらに、枠体4が配置される基板2の上面に、例えばシリコーン樹脂から成る接合部材10を塗布する。そして、枠体4を接合部材10が塗布された基板2の上面の所定個所に位置合わせして接続する。
Then, the
そして、基板2上の枠体4の内周面に、例えばシリコーン樹脂からなる封止部材7内に、透光性ガラスからなる反射部材5を含有した封止部材7を薄く形成する。そして、反射部材5が封止部材7の層内で沈降して枠体4の内周面に付着するとともに、反射部材5の一部または全部が凹部pに嵌められることで、凹部pを反射部材5で塞ぐことができ、枠体4の内周面から枠体4に封止部材7が漏れ出るのを抑制することができる。そして、封止部材7の層を熱して硬化させて、さらに、その層上に樹脂のみを充填することで、封止部材7を形成することができる。
And the sealing
次に、波長変換部材6を準備する。波長変換部材6は、未硬化の樹脂に蛍光体を混合して、例えばドクターブレード法、ダイコーター法、押し出し法、スピンコート法またはディップ法等のシート成形技術を用いて作製することができる。また、波長変換部材6は、未硬化の波長変換部材6を型枠に充填し、硬化して取り出すことによっても得ることができる。
Next, the
そして、準備した波長変換部材6を枠体4の段差4c上に位置合わせして、接着部材9としてのシリコーン樹脂を介して接着する。そして、例えば150℃以上であって、発光素子3を基板2に電気的に接続固定する半田が溶融しない200℃以下の温度にシリコー
ン樹脂を熱して、シリコーン樹脂を硬化させる。このようにして、発光装置1を製造することができる。
Then, the prepared
1 発光装置
2 基板
3 発光素子
4 枠体
4c 段差
4v 気孔
5 反射部材
6 波長変換部材
7 封止部材
8 蛍光体
9 接着部材
10 接合部材
p 凹部
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記基板上に設けられた発光素子と、
前記基板上に設けられた、前記発光素子を取り囲むとともに、内周面に複数の凹部を有する枠体と、
前記枠体の内周面に前記凹部にそれぞれ嵌まるようにして設けられた、複数の反射部材と、
前記発光素子および前記枠体の内周面を覆うように前記枠体上に支持された、前記発光素子が発した光および前記反射部材で反射された光を波長変換する波長変換部材とを備えたことを特徴とする発光装置。 A substrate,
A light emitting device provided on the substrate;
A frame provided on the substrate, surrounding the light emitting element, and having a plurality of recesses on an inner peripheral surface;
A plurality of reflecting members provided on the inner peripheral surface of the frame so as to fit into the recesses;
A wavelength conversion member that is supported on the frame so as to cover the inner peripheral surface of the light emitting element and the frame, and that converts the wavelength of the light emitted from the light emitting element and the light reflected by the reflecting member. A light emitting device characterized by that.
前記反射部材は、前記枠体の内周面よりも突出していることを特徴とする発光装置。 The light-emitting device according to claim 1,
The light-emitting device, wherein the reflecting member protrudes from an inner peripheral surface of the frame.
前記反射部材は、前記枠体の内周面における単位面積当たりの個数が、前記基板に近づくにつれて多くなっていることを特徴とする発光装置。
The light-emitting device according to claim 1 or 2,
The number of the reflection members per unit area on the inner peripheral surface of the frame body increases as the reflection member approaches the substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011258294A JP2013115150A (en) | 2011-11-25 | 2011-11-25 | Light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2011258294A JP2013115150A (en) | 2011-11-25 | 2011-11-25 | Light-emitting device |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2013115150A true JP2013115150A (en) | 2013-06-10 |
Family
ID=48710444
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Country | Link |
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JP (1) | JP2013115150A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015210317A (en) * | 2014-04-24 | 2015-11-24 | クロイ電機株式会社 | Display device |
-
2011
- 2011-11-25 JP JP2011258294A patent/JP2013115150A/en active Pending
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