JP2013110581A - Microphone device and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a microphone device capable of reducing its assembly time and widen its sound detectable area (range of directivity) by delaying an acoustic wave on a sound channel relative to another one.SOLUTION: A MEMS microphone 10 (microphone device) comprises: a vibration part 14 including a diaphragm 141 vibrated by an acoustic wave, for converting the acoustic wave into an electric signal according to the vibration of the diaphragm 141; a first acoustic channel 171 accommodating therein the vibration part 14, for conducting an acoustic wave to a lower surface of the diaphragm 141; and a microphone housing 17 including a second acoustic channel 172, for conducting an acoustic wave to an upper surface of the diaphragm 141. The first acoustic channel 171 has an acoustic wave delaying part 121a formed thereon for delaying an acoustic wave relative to the second acoustic channel 172 by narrowing an acoustic channel cross section, which is perpendicular to a traveling direction of the acoustic wave.

Description

この発明は、マイクロホン装置および電子機器に関し、特に、音波を導く音道が形成されたマイクロホン装置および電子機器に関する。   The present invention relates to a microphone device and an electronic device, and more particularly to a microphone device and an electronic device in which a sound path for guiding a sound wave is formed.

従来、音波を導く音道が形成されたマイクロホン装置が知られている(たとえば、特許文献1参照)。   Conventionally, a microphone device in which a sound path for guiding a sound wave is formed is known (see, for example, Patent Document 1).

上記特許文献1には、マイクロホン(振動部)と、マイクロホンを収容するハウジング(筐体)とを備え、マイクロホンの前面に音波を導く第1導音空間(第1音道)と、マイクロホンの後面に音波を導く第2導音空間(第2音道)とが形成されたマイクロホン装置が開示されている。このマイクロホン装置では、第2導音空間に、第1導音空間に対して音波を遅延させる発泡樹脂製の音響抵抗材を設けることによって、音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げている。また、上記特許文献1のマイクロホン装置では、ハウジングを構成する前ハウジングおよび後ハウジングの間に音響抵抗材を挟み込みながら第2導音空間内に音響抵抗材を組み入れている。   Patent Document 1 includes a microphone (vibration unit) and a housing (housing) for housing the microphone, a first sound introduction space (first sound path) for guiding sound waves to the front surface of the microphone, and the rear surface of the microphone. There is disclosed a microphone device in which a second sound introduction space (second sound path) for guiding sound waves is formed. In this microphone device, an acoustic resistance material made of foamed resin that delays sound waves with respect to the first sound guide space is provided in the second sound guide space, thereby widening the range in which sound can be detected (directivity range). ing. Further, in the microphone device of Patent Document 1, the acoustic resistance material is incorporated into the second sound introduction space while the acoustic resistance material is sandwiched between the front housing and the rear housing constituting the housing.

特開2005−295278号公報JP 2005-295278 A

しかしながら、上記特許文献1のマイクロホン装置では、音響抵抗材により第2導音空間(第2音道)の音波を遅延させて音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げることが可能である一方、発泡樹脂製の音響抵抗材を、前ハウジングおよび後ハウジングの間に挟み込みながら第2導音空間内に組み入れる必要があるので、マイクロホン装置の組み立て時に手間がかかるという問題点がある。   However, in the microphone device disclosed in Patent Document 1, it is possible to widen the range (directivity range) in which sound can be detected by delaying the sound wave in the second sound introduction space (second sound path) by the acoustic resistance material. On the other hand, since it is necessary to incorporate the acoustic resistance material made of foamed resin into the second sound guide space while being sandwiched between the front housing and the rear housing, there is a problem that it takes time when assembling the microphone device.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、組み立て時の手間を軽減しながら、一方の音道の音波を他方に対して遅延させて音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げることが可能なマイクロホン装置および電子機器を提供することである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and one object of the present invention is to delay the sound wave of one sound path with respect to the other while reducing the time and effort during assembly. It is an object of the present invention to provide a microphone device and an electronic device that can expand the range in which sound can be detected (directivity range).

この発明の第1の局面によるマイクロホン装置は、音波により振動する振動板を含み、振動板の振動に基づいて音波を電気信号に変換する振動部と、内部に振動部を収容するとともに、振動板の一方の面に音波を導く第1音道と、振動板の他方の面に音波を導く第2音道とを含む筐体とを備え、第1音道および第2音道の一方には、音波の進行方向に略直交する音道の断面を小さくして他方に対して音波を遅延させる音波遅延部が形成されている。   A microphone device according to a first aspect of the present invention includes a vibration plate that vibrates with sound waves, and includes a vibration unit that converts sound waves into an electrical signal based on vibrations of the vibration plate, a vibration unit that is housed therein, and a vibration plate. And a housing including a second sound path for guiding sound waves to the other surface of the diaphragm, and one of the first sound path and the second sound path is provided on one of the first sound path and the second sound path. A sound wave delay unit is formed for reducing the cross section of the sound path substantially orthogonal to the traveling direction of the sound wave and delaying the sound wave with respect to the other.

この発明の第1の局面によるマイクロホン装置では、上記のように、第1音道および第2音道の一方に、音波の進行方向に略直交する音道の断面を小さくして他方に対して音波を遅延させる音波遅延部を形成することによって、音波遅延部により第1音道および第2音道の一方の音波を遅延させて振動板の一方の面に到達する音波と他方の面に到達する音波との音圧差を生じ易くすることができるので、音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げることができる。なお、第1音道および第2音道の一方の音波を他方に対して遅延させることにより、音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げることができることは、後述する本願発明者のシミュレーションにより確認済みである。また、第1音道および第2音道の一方の断面を小さくする音波遅延部を形成するだけで第1音道および第2音道の一方の音波を他方に対して遅延させることができるので、第1音道および第2音道の一方の音波を他方に対して遅延させる発泡樹脂製の音響抵抗材などを、筐体で挟み込みながら音道内に組み入れる場合に比べて、マイクロホン装置の組み立て時の手間を軽減することができる。したがって、このマイクロホン装置では、マイクロホン装置の組み立て時の手間を軽減しながら、第1音道および第2音道の一方の音道の音波を他方に対して遅延させて音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げることができる。   In the microphone device according to the first aspect of the present invention, as described above, the cross-section of the sound path that is substantially perpendicular to the traveling direction of the sound wave is reduced in one of the first sound path and the second sound path, and the other. By forming a sound wave delay unit that delays the sound wave, the sound wave delay unit delays one sound wave of the first sound path and the second sound path to reach one surface of the diaphragm and the other surface. Since the sound pressure difference with the sound wave to be generated can be easily generated, the range in which sound can be detected (the range of directivity) can be expanded. It should be noted that by delaying one sound wave of the first and second sound paths with respect to the other, the range in which sound can be detected (the range of directivity) can be expanded. Confirmed by simulation. Moreover, since only one sound wave of the first sound path and the second sound path can be delayed with respect to the other only by forming a sound wave delay part that reduces the cross section of one of the first sound path and the second sound path. When assembling the microphone device, as compared with the case where an acoustic resistance material made of foamed resin that delays one sound wave of the first sound path and the second sound path with respect to the other is incorporated in the sound path while being sandwiched between cases Can be reduced. Therefore, in this microphone device, the range in which sound can be detected by delaying the sound wave of one of the first and second sound paths with respect to the other while reducing the time and labor when assembling the microphone device ( The range of directivity) can be expanded.

上記第1の局面によるマイクロホン装置において、好ましくは、音波遅延部は、第1音道および第2音道の一方の音道の断面を局所的に小さくすることにより、他方に対して音波を遅延させるように構成されている。このように構成すれば、音波遅延部により、第1音道および第2音道の一方の音波を他方に対して容易に遅延させることができる。   In the microphone device according to the first aspect, the sound wave delay unit preferably delays the sound wave relative to the other by locally reducing the cross section of one of the first sound path and the second sound path. It is configured to let you. If comprised in this way, one sound wave of a 1st sound path and a 2nd sound path can be easily delayed with respect to the other by a sound wave delay part.

この場合、好ましくは、音波遅延部は、第1音道および第2音道の一方の音道の断面を局所的に小さくすることにより、他方に対して音波を30μ秒以上50μ秒以下遅延させるように構成されている。このように構成すれば、マイクロホン装置の指向性を、両指向性と全指向性との間の指向性にすることができるので、全指向性に近づけながら、両指向性の効果も維持することができる。これにより、音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げながら、ノイズ抑圧性能が低下するのを抑制することができる。なお、遅延量を30μ秒以上50μ秒以下にすることにより、マイクロホン装置の指向性を両指向性と全指向性との間の指向性にすることができることと、マイクロホン装置の指向性を両指向性と全指向性との間の指向性にすることにより、音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げながら、ノイズ抑圧性能が低下するのを抑制することができることとは、後述する本願発明者のシミュレーションにより確認済みである。   In this case, preferably, the sound wave delay unit delays the sound wave by 30 μs or more and 50 μs or less with respect to the other by locally reducing the cross section of one of the first sound path and the second sound path. It is configured as follows. If configured in this way, the directivity of the microphone device can be set between the directivity and the omnidirectionality, so that the effect of the bidirectionality is maintained while being close to the omnidirectionality. Can do. Thereby, it can suppress that noise suppression performance falls, extending the range (directivity range) which can detect sound. In addition, by setting the delay amount to 30 μs or more and 50 μs or less, the directivity of the microphone device can be made to be a directivity between the bidirectionality and the omnidirectionality, and the directivity of the microphone device is bidirectional. As described later, it is possible to suppress the noise suppression performance from deteriorating while expanding the range (directivity range) in which sound can be detected by setting the directivity between directivity and omnidirectionality. It has been confirmed by the simulation of the present inventor.

上記音波を30μ秒以上50μ秒以下遅延させる構成において、好ましくは、音波遅延部は、第1音道および第2音道の一方の音道の断面を局所的に1.9×10−9以上18×10−9以下の大きさにすることにより、他方に対して音波を30μ秒以上50μ秒以下遅延させるように構成されている。このように構成すれば、音波遅延部により、容易に、第1音道および第2音道の一方の音波を他方に対して30μ秒以上50μ秒以下遅延させることができる。これにより、容易に、マイクロホン装置の指向性を両指向性と全指向性との間の指向性にすることができる。 In the configuration in which the sound wave is delayed by 30 μs or more and 50 μs or less, it is preferable that the sound wave delay unit locally 1.9 × 10 −9 m of a cross section of one of the first and second sound paths. By setting the magnitude to 2 or more and 18 × 10 −9 m 2 or less, the sound wave is delayed by 30 μsec or more and 50 μsec or less with respect to the other. With this configuration, the sound wave delay unit can easily delay one sound wave of the first sound path and the second sound path from 30 μs to 50 μs with respect to the other. As a result, the directivity of the microphone device can be easily set to a directivity between the bidirectionality and the omnidirectionality.

上記音道の断面を1.9×10−9以上18×10−9以下の大きさにする構成において、好ましくは、音波遅延部は、音波の進行方向における長さが20μm以上100μm以下になるように形成されている。このように構成すれば、音波遅延部により、より容易に、第1音道および第2音道の一方の音波を他方に対して30μ秒以上50μ秒以下遅延させることができる。 In the configuration in which the cross section of the sound path has a size of 1.9 × 10 −9 m 2 or more and 18 × 10 −9 m 2 or less, preferably, the sound wave delay unit has a length in the traveling direction of the sound wave of 20 μm or more. It is formed to be 100 μm or less. If comprised in this way, the sound wave delay part can delay more easily 30 to 50 microseconds of one sound wave of a 1st sound path and a 2nd sound path with respect to the other.

上記音道の断面を1.9×10−9以上18×10−9以下の大きさにする構成において、好ましくは、第1音道および第2音道の一方のうち、音波遅延部が設けられた箇所以外の箇所と、第1音道および第2音道の他方との音波の進行方向に略直交する音道の断面は、70×10−9以上の大きさを有し、音波遅延部は、第1音道および第2音道の一方の音道の断面を局所的に1.9×10−9以上18×10−9以下の大きさに小さくするように構成されている。このように構成すれば、音波遅延部が形成された箇所以外の箇所で音波が遅延するのを抑制することができるので、音波遅延部により、確実に一方の音道の音波を他方に対して30μ秒以上50μ秒以下遅延させることができる。 In the configuration in which the cross section of the sound path is set to a size of 1.9 × 10 −9 m 2 or more and 18 × 10 −9 m 2 or less, preferably, a sound wave is selected from one of the first sound path and the second sound path. The cross section of the sound path that is substantially orthogonal to the traveling direction of the sound wave between the position other than the position where the delay portion is provided and the other of the first sound path and the second sound path is 70 × 10 −9 m 2 or more. The sound wave delay unit locally has a cross-section of one of the first and second sound paths of 1.9 × 10 −9 m 2 to 18 × 10 −9 m 2. It is configured to be small. If comprised in this way, since it can suppress that a sound wave delays in locations other than the location in which the sound wave delay part was formed, the sound wave delay part ensures the sound wave of one sound path with respect to the other. It can be delayed from 30 μsec to 50 μsec.

上記第1の局面によるマイクロホン装置において、好ましくは、振動部は、振動板の他方の面に対向するように配置された固定電極をさらに含み、振動板の振動に起因して振動板と固定電極との間の間隔が変動されることにより音波を電気信号に変換するように構成されており、音波遅延部は、振動板の一方の面に音波を導く第1音道に設けられている。このように構成すれば、固定電極により、第2音道を介して外部から侵入する塵などが振動板の他方の面に到達するのを抑制することができるとともに、音道の断面を小さくした音波遅延部により、第1音道を介して外部から侵入する塵などが振動板の一方の面に到達するのを抑制することができる。これにより、振動板の一方および他方の両面に塵が付着するのを抑制することができるので、塵の付着に起因して振動部の感度が低下するのを抑制することができる。   In the microphone device according to the first aspect, preferably, the vibration unit further includes a fixed electrode disposed so as to face the other surface of the vibration plate, and the vibration plate and the fixed electrode are caused by vibration of the vibration plate. The sound wave is converted into an electric signal by changing the distance between the sound wave and the sound wave delay unit, and the sound wave delay unit is provided in the first sound path that guides the sound wave to one surface of the diaphragm. If comprised in this way, while it can suppress that the dust etc. which penetrate | invade from the outside via a 2nd sound path reach the other surface of a diaphragm with a fixed electrode, while reducing the cross section of the sound path The sound wave delay unit can suppress dust or the like entering from the outside via the first sound path from reaching one surface of the diaphragm. Thereby, since it can suppress that dust adheres to one and the other both surfaces of a diaphragm, it can suppress that the sensitivity of a vibration part falls due to adhesion of dust.

上記第1の局面によるマイクロホン装置において、好ましくは、筐体は、振動部が搭載されるベース基板と、振動部を覆うように設けられるカバー基板とを含み、音波遅延部は、ベース基板またはカバー基板に形成されている。このように構成すれば、音波遅延部をベース基板およびカバー基板とは別体で形成する場合とは異なり、部品点数の増加を抑制することができる。   In the microphone device according to the first aspect, preferably, the housing includes a base substrate on which the vibration unit is mounted, and a cover substrate provided so as to cover the vibration unit, and the sound wave delay unit is the base substrate or the cover. Formed on the substrate. If comprised in this way, unlike the case where a sound wave delay part is formed separately from a base substrate and a cover substrate, the increase in a number of parts can be suppressed.

上記第1の局面によるマイクロホン装置において、好ましくは、筐体は、振動部が搭載されるベース基板と、振動部を覆うように設けられるカバー基板とを含み、ベース基板またはカバー基板の表面には、音波遅延部を有する板状の音波遅延部材が貼付されている。このように構成すれば、音波遅延部を有する専用の音波遅延部材を設ける場合でも、ベース基板またはカバー基板の表面に貼付するだけで容易に第1音道および第2音道の一方の音波を他方に対して遅延させることができるので、マイクロホン装置の組み立て時に手間がかかるのを抑制することができる。   In the microphone device according to the first aspect, preferably, the housing includes a base substrate on which the vibration unit is mounted, and a cover substrate provided so as to cover the vibration unit, and the surface of the base substrate or the cover substrate is provided on the surface. A plate-like sound wave delay member having a sound wave delay part is attached. If comprised in this way, even when providing the exclusive sound wave delay member which has a sound wave delay part, only the sound wave of one of the 1st sound path and the 2nd sound path can be easily done only by sticking on the surface of a base board or a cover board. Since it can be delayed with respect to the other, it is possible to suppress troublesome work during assembly of the microphone device.

上記第1の局面によるマイクロホン装置において、好ましくは、音波遅延部により音波を遅延させることによって両指向性と全指向性との間の指向性を有するように構成されている。このように構成すれば、音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げながら、ノイズ抑圧性能が低下するのを抑制することが可能なマイクロホン装置を得ることができる。   The microphone device according to the first aspect is preferably configured to have a directivity between both directivity and omnidirectionality by delaying the sound wave by the sound wave delay unit. If comprised in this way, the microphone apparatus which can suppress that noise suppression performance falls while expanding the range (directivity range) which can detect sound can be obtained.

上記第1の局面によるマイクロホン装置において、好ましくは、音源が遠距離に位置する場合には、両指向性と全指向性との間の指向性のうち、音源が近距離に位置する場合よりも両指向性に近い指向性を有するように構成されている。このように構成すれば、近距離の音源に対しては、全指向性に近くなることにより、より広い範囲の音を検知することができるとともに、遠距離の音源に対しては、近距離の場合よりも両指向性に近くなることにより、ノイズ抑圧性能を高くすることができる。   In the microphone device according to the first aspect, preferably, when the sound source is located at a long distance, the directivity between the bidirectionality and the omnidirectionality is more than the case where the sound source is located at a short distance. It is configured to have directivity close to both directions. By configuring in this way, it is possible to detect a wider range of sounds by approaching omnidirectionality for short-distance sound sources, and for short-distance sound sources. Noise suppression performance can be improved by being closer to the bidirectionality than the case.

この発明の第2の局面による電子機器は、マイクロホン装置を備える電子機器であって、マイクロホン装置は、音波により振動する振動板を含み、振動板の振動に基づいて音波を電気信号に変換する振動部と、内部に振動部を収容するマイクロホン筐体とを備え、電子機器の外表面から通ずるとともに振動板の一方の面に音波を導く第1音道と、電子機器の外表面から通ずるとともに振動板の他方の面に音波を導く第2音道とが形成されており、第1音道および第2音道の一方には、音波の進行方向に略直交する音道の断面を小さくして他方に対して音波を遅延させる音波遅延部が形成されている。   An electronic device according to a second aspect of the present invention is an electronic device including a microphone device, and the microphone device includes a vibration plate that vibrates by sound waves, and vibrations that convert sound waves into electrical signals based on vibrations of the vibration plates. And a microphone housing that houses the vibration unit therein, and communicates from the outer surface of the electronic device and guides sound waves to one surface of the diaphragm, and communicates from the outer surface of the electronic device and vibrates. A second sound path for guiding sound waves to the other surface of the plate is formed, and one of the first sound path and the second sound path has a smaller cross section of the sound path that is substantially orthogonal to the traveling direction of the sound waves. A sound wave delay unit that delays the sound wave with respect to the other is formed.

この発明の第2の局面による電子機器では、上記のように、第1音道および第2音道の一方に、音波の進行方向に略直交する音道の断面を小さくして他方に対して音波を遅延させる音波遅延部を形成することによって、音波遅延部により第1音道および第2音道の一方の音波を遅延させて振動板の一方の面に到達する音波と他方の面に到達する音波との音圧差を生じ易くすることができるので、音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げることができる。なお、第1音道および第2音道の一方の音波を他方に対して遅延させることにより、音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げることができることは、後述する本願発明者のシミュレーションにより確認済みである。また、第1音道および第2音道の一方の断面を小さくする音波遅延部を形成するだけで第1音道および第2音道の一方の音波を他方に対して遅延させることができるので、第1音道および第2音道の一方の音波を他方に対して遅延させる発泡樹脂製の音響抵抗材などを、マイクロホン筐体で挟み込みながら音道内に組み入れる場合に比べて、組み立て時の手間を軽減することができる。したがって、この電子機器では、組み立て時の手間を軽減しながら、第1音道および第2音道の一方の音道の音波を他方に対して遅延させて音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げることができる。   In the electronic device according to the second aspect of the present invention, as described above, the cross section of the sound path that is substantially orthogonal to the traveling direction of the sound wave is reduced in one of the first sound path and the second sound path, and the other. By forming a sound wave delay unit that delays the sound wave, the sound wave delay unit delays one sound wave of the first sound path and the second sound path to reach one surface of the diaphragm and the other surface. Since the sound pressure difference with the sound wave to be generated can be easily generated, the range in which sound can be detected (the range of directivity) can be expanded. It should be noted that by delaying one sound wave of the first and second sound paths with respect to the other, the range in which sound can be detected (the range of directivity) can be expanded. Confirmed by simulation. Moreover, since only one sound wave of the first sound path and the second sound path can be delayed with respect to the other only by forming a sound wave delay part that reduces the cross section of one of the first sound path and the second sound path. Compared to the case where an acoustic resistance material made of foamed resin that delays one sound wave of the first sound path and the second sound path with respect to the other is inserted into the sound path while being sandwiched between microphone housings, it is troublesome during assembly. Can be reduced. Therefore, in this electronic device, the range in which sound can be detected by delaying the sound wave of one of the first sound path and the second sound path relative to the other (reducing the directivity) Range).

本発明によれば、上記のように、組み立て時の手間を軽減しながら、第1音道および第2音道の一方の音道の音波を他方に対して遅延させて音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げることができる。   According to the present invention, as described above, a range in which sound can be detected by delaying the sound wave of one of the first and second sound paths with respect to the other while reducing the time and effort during assembly. (Directivity range) can be expanded.

本発明の第1実施形態による携帯電話の全体構成を示した平面図である。It is the top view which showed the whole structure of the mobile telephone by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態によるMEMSマイクの上方から見た全体斜視図である。It is the whole perspective view seen from the upper part of the MEMS microphone by a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態によるMEMSマイクの下方から見た全体斜視図である。It is the whole perspective view seen from the lower part of the MEMS microphone by a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態によるMEMSマイクの全体構成を示した分解斜視図である。It is the disassembled perspective view which showed the whole structure of the MEMS microphone by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態によるMEMSマイクを示した断面図である。It is sectional drawing which showed the MEMS microphone by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態によるMEMSマイクの第1基板層を示した平面図である。It is the top view which showed the 1st board | substrate layer of the MEMS microphone by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態によるMEMSマイクの第2基板層を示した平面図である。It is the top view which showed the 2nd board | substrate layer of the MEMS microphone by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態によるMEMSマイクの音波遅延部を示した拡大断面図である。It is the expanded sectional view which showed the sound wave delay part of the MEMS microphone by 1st Embodiment of this invention. 音源が近距離に位置する場合の遅延量と指向性パターンとの関係を示したシミュレーション結果である。It is the simulation result which showed the relationship between the delay amount and directivity pattern when a sound source is located at a short distance. 音源が遠距離に位置する場合の遅延量と指向性パターンとの関係のシミュレーション結果を示した図である。It is the figure which showed the simulation result of the relationship between the amount of delay and directivity pattern when a sound source is located in a long distance. 遠距離の音源からホワイトノイズを出力した場合の周波数と感度との関係の実測結果を示した図である。It is the figure which showed the actual measurement result of the relationship between a frequency and a sensitivity at the time of outputting white noise from a long-distance sound source. 音波遅延部の開口径と遅延量との関係のシミュレーション結果を示した図である。It is the figure which showed the simulation result of the relationship between the opening diameter of a sound wave delay part, and delay amount. 音波遅延部の開口径とゲインとの関係のシミュレーション結果を示した図である。It is the figure which showed the simulation result of the relationship between the aperture diameter of a sound wave delay part, and a gain. 差動マイクロホンの指向性パターンについて説明するための図である。It is a figure for demonstrating the directivity pattern of a differential microphone. ユーザが電子機器を耳に近づけて顔の横で持った状態を正面から見た図である。It is the figure which looked at the state where the user held the electronic device close to the ear and beside the face from the front. ユーザが電子機器を耳に近づけて顔の横で持った状態を側方から見た図である。It is the figure which looked at the state where the user held the electronic device close to the ear and beside the face from the side. ユーザが電子機器を顔の前方で持った状態を示した図である。It is the figure which showed the state in which the user held the electronic device in front of the face. 本発明の第2実施形態によるMEMSマイクを示した断面図である。It is sectional drawing which showed the MEMS microphone by 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態によるMEMSマイクを示した断面図である。It is sectional drawing which showed the MEMS microphone by 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態によるMEMSマイクの製造手順を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing procedure of the MEMS microphone by 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態によるMEMSマイクの製造手順を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the manufacturing procedure of the MEMS microphone by 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態によるMEMSマイクを示した断面図である。It is sectional drawing which showed the MEMS microphone by 4th Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態の第1変形例によるMEMSマイクを示した断面図である。It is sectional drawing which showed the MEMS microphone by the 1st modification of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態の第2変形例によるMEMSマイクの第2基板層を示した平面図である。It is the top view which showed the 2nd board | substrate layer of the MEMS microphone by the 2nd modification of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態の変形例によるMEMSマイクを示した断面図である。It is sectional drawing which showed the MEMS microphone by the modification of 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態の第1変形例によるMEMSマイクを示した断面図である。It is sectional drawing which showed the MEMS microphone by the 1st modification of 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態の第2変形例によるMEMSマイクを示した断面図である。It is sectional drawing which showed the MEMS microphone by the 2nd modification of 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態の第3変形例によるMEMSマイクを示した断面図である。It is sectional drawing which showed the MEMS microphone by the 3rd modification of 4th Embodiment of this invention. 本発明の第1〜第4実施形態の第1変形例による電子機器を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the electronic device by the 1st modification of 1st-4th embodiment of this invention. 本発明の第1〜第4実施形態の第2変形例によるMEMSマイクを示した断面図である。It is sectional drawing which showed the MEMS microphone by the 2nd modification of 1st-4th embodiment of this invention. 本発明の第1〜第4実施形態の第3変形例によるMEMSマイクを示した断面図である。It is sectional drawing which showed the MEMS microphone by the 3rd modification of 1st-4th embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

(第1実施形態)
図1〜図8を参照して、本発明の第1実施形態による携帯電話100の構成について説明する。なお、携帯電話100は、本発明の「電子機器」の一例である。
(First embodiment)
With reference to FIGS. 1-8, the structure of the mobile telephone 100 by 1st Embodiment of this invention is demonstrated. The mobile phone 100 is an example of the “electronic device” in the present invention.

本発明の第1実施形態による携帯電話100は、図1に示すように、表示部1と、表示部1を露出する開口部2aを有する筐体2とを備えている。また、筐体2の内部には、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)マイク10を搭載した搭載基板3が設けられている。なお、MEMSマイク10は、本発明の「マイクロホン装置」の一例である。   As shown in FIG. 1, the mobile phone 100 according to the first embodiment of the present invention includes a display unit 1 and a housing 2 having an opening 2 a that exposes the display unit 1. In addition, a mounting substrate 3 on which a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) microphone 10 is mounted is provided inside the housing 2. The MEMS microphone 10 is an example of the “microphone device” in the present invention.

MEMSマイク10は、図2〜図4に示すように、シールド11と、カバー基板12と、ベース基板13とを備えている。また、MEMSマイク10のベース基板13には、図4に示すように、振動部14と、回路部15と、チップコンデンサー16とが搭載されている。また、カバー基板12とベース基板13とにより、振動部14、回路部15およびチップコンデンサー16を収容するMEMSマイク10のマイクロホン筐体17が構成されている。なお、マイクロホン筐体17は、本発明の「筐体」および「マイクロホン筐体」の一例である。また、MEMSマイク10は、2つの音道(第1音道171および第2音道172)を介して振動部14に音波を伝達することにより差動マイクロホンとして機能するように構成されている。また、第1実施形態のMEMSマイク10は、たとえば、約7mmの長さ(X方向の長さ)と、約4mmの幅(Y方向の長さ)と、約1.2mmの厚み(Z方向の長さ)とを有している。   As shown in FIGS. 2 to 4, the MEMS microphone 10 includes a shield 11, a cover substrate 12, and a base substrate 13. Further, as shown in FIG. 4, a vibration part 14, a circuit part 15, and a chip capacitor 16 are mounted on the base substrate 13 of the MEMS microphone 10. Further, the cover substrate 12 and the base substrate 13 constitute a microphone housing 17 of the MEMS microphone 10 that houses the vibration unit 14, the circuit unit 15, and the chip capacitor 16. The microphone casing 17 is an example of the “casing” and “microphone casing” in the present invention. The MEMS microphone 10 is configured to function as a differential microphone by transmitting sound waves to the vibration unit 14 via two sound paths (first sound path 171 and second sound path 172). The MEMS microphone 10 of the first embodiment has a length of about 7 mm (length in the X direction), a width of about 4 mm (length in the Y direction), and a thickness of about 1.2 mm (Z direction), for example. Length).

シールド11は、カバー基板12側からマイクロホン筐体17を覆うように構成されている。また、シールド11は、金属(たとえば、ニッケルシルバー(洋白))により形成されており、電気的なノイズを防ぐために設けられている。また、シールド11の上面部11aには、図2および図4に示すように、2つの音孔111および112が形成されている。2つの音孔111および112は、シールド11の上面部11aを上下方向(Z方向)に貫通するように形成されている。また、音孔111および112は、平面視において、長手方向が約2.65mm、短手方向が約0.6mmのトラック形状(長円形状)に形成されている。また、音孔111および112は、音波の進行方向(Z方向)に直交する方向において約1.5×10−6の断面積(開口面積)を有している。また、音孔111および112は、X方向に互いに間隔を隔てて配置されている。また、シールド11は、図3に示すように、マイクロホン筐体17を下方側(Z2方向側)から保持する保持部113を有している。保持部113は、かしめられることによりベース基板13を下方側から保持するように構成されている。 The shield 11 is configured to cover the microphone casing 17 from the cover substrate 12 side. The shield 11 is made of metal (for example, nickel silver (white and white)) and is provided to prevent electrical noise. Further, as shown in FIGS. 2 and 4, two sound holes 111 and 112 are formed in the upper surface portion 11 a of the shield 11. The two sound holes 111 and 112 are formed so as to penetrate the upper surface portion 11a of the shield 11 in the vertical direction (Z direction). The sound holes 111 and 112 are formed in a track shape (oval shape) having a longitudinal direction of about 2.65 mm and a short side direction of about 0.6 mm in plan view. The sound holes 111 and 112 have a cross-sectional area (opening area) of about 1.5 × 10 −6 m 2 in a direction perpendicular to the traveling direction (Z direction) of the sound wave. The sound holes 111 and 112 are spaced apart from each other in the X direction. Further, as shown in FIG. 3, the shield 11 has a holding portion 113 that holds the microphone casing 17 from the lower side (Z2 direction side). The holding part 113 is configured to hold the base substrate 13 from below by being caulked.

カバー基板12は、FR−4(Flame Retardant Type 4)などのガラスエポキシ樹脂により形成されている。また、カバー基板12は、図4に示すように、シールド11とベース基板13とにより挟み込まれる位置に配置されている。また、カバー基板12には、図4および図5に示すように、シールド11の2つの音孔111および112のそれぞれに対応する2つの音孔121および122が形成されている。また、カバー基板12には、振動部14、回路部15およびチップコンデンサー16を収容する凹部123が形成されている。また、カバー基板12は、振動部14などを覆うように設けられている。また、音孔122と凹部123とは、互いに接続されている。また、音孔121は、カバー基板12を上下方向(Z方向)に貫通するように形成されている。また、音孔121および122は、平面視において、長手方向が約2.65mm、短手方向が約0.6mmのトラック形状に形成されている。また、音孔121および122は、音波の進行方向(Z方向)に直交する方向において約1.5×10−6の断面積(開口面積)を有している。また、第1実施形態においては、音孔121および122は、X方向に互いに間隔(たとえば5.0mm間隔)を隔てて配置されている。 The cover substrate 12 is formed of a glass epoxy resin such as FR-4 (Frame Regentant Type 4). Further, as shown in FIG. 4, the cover substrate 12 is arranged at a position sandwiched between the shield 11 and the base substrate 13. Further, as shown in FIGS. 4 and 5, the cover substrate 12 is formed with two sound holes 121 and 122 corresponding to the two sound holes 111 and 112 of the shield 11, respectively. Further, the cover substrate 12 is formed with a recess 123 that accommodates the vibrating portion 14, the circuit portion 15, and the chip capacitor 16. The cover substrate 12 is provided so as to cover the vibration part 14 and the like. In addition, the sound hole 122 and the recess 123 are connected to each other. The sound hole 121 is formed so as to penetrate the cover substrate 12 in the vertical direction (Z direction). The sound holes 121 and 122 are formed in a track shape having a longitudinal direction of about 2.65 mm and a short side direction of about 0.6 mm in plan view. The sound holes 121 and 122 have a cross-sectional area (opening area) of about 1.5 × 10 −6 m 2 in a direction perpendicular to the traveling direction (Z direction) of sound waves. Further, in the first embodiment, the sound holes 121 and 122 are arranged with an interval (for example, an interval of 5.0 mm) in the X direction.

また、図2、図4および図5に示すように、カバー基板12には、音孔121を通る音波を遅延させる極小孔からなる音波遅延部121aが形成されている。極小孔からなる音波遅延部121aは、図5に示すように、カバー基板12に形成されている。また、音波遅延部121aは、音孔121の音波の進行方向(Z方向)に直交する小さい円形断面を有している。また、音波遅延部121aは、音孔121の上端部に配置されている。なお、音波遅延部121aの詳細については後述する。   As shown in FIGS. 2, 4, and 5, the cover substrate 12 is formed with a sound wave delay part 121 a made up of a very small hole that delays a sound wave passing through the sound hole 121. As shown in FIG. 5, the sound wave delay part 121 a made up of extremely small holes is formed on the cover substrate 12. Moreover, the sound wave delay part 121a has a small circular cross section orthogonal to the traveling direction (Z direction) of the sound wave in the sound hole 121. The sound wave delay unit 121 a is disposed at the upper end of the sound hole 121. Details of the sound wave delay unit 121a will be described later.

ベース基板13は、カバー基板12と同様に、FR−4などのガラスエポキシ樹脂により形成されている。これにより、カバー基板12とベース基板13との熱膨張率を合わせることができるので、MEMSマイク10をリフロー実装する場合に両者の熱膨張率の差に起因して互いが剥離してしまうのを防止することが可能である。また、ベース基板13は、図2〜図5に示すように、第1基板層131と、第2基板層132と、第3基板層133とにより3層構造に形成されている。具体的には、第1基板層131、第2基板層132および第3基板層133は、図示しない接着シートにより互いに貼り合わされている。   Similarly to the cover substrate 12, the base substrate 13 is formed of a glass epoxy resin such as FR-4. As a result, the thermal expansion coefficients of the cover substrate 12 and the base substrate 13 can be matched, so that when the MEMS microphone 10 is reflow-mounted, they are separated from each other due to the difference between the thermal expansion coefficients of the two. It is possible to prevent. As shown in FIGS. 2 to 5, the base substrate 13 has a three-layer structure including a first substrate layer 131, a second substrate layer 132, and a third substrate layer 133. Specifically, the first substrate layer 131, the second substrate layer 132, and the third substrate layer 133 are bonded together by an adhesive sheet (not shown).

第1基板層131には、図4〜図6に示すように、カバー基板12の音孔121に対応するトラック形状(長円形状)の音孔131aと、音孔131aとX方向に間隔を隔てて配置された円形状の音孔131bとが形成されている。また、図4に示すように、第1基板層131の上面(Z1方向側の表面)には、ボンディングパッド131cと、パッド131dとが設けられている。   As shown in FIGS. 4 to 6, the first substrate layer 131 has a track-shaped (oval-shaped) sound hole 131 a corresponding to the sound hole 121 of the cover substrate 12, and a space in the X direction from the sound hole 131 a. A circular sound hole 131b arranged at a distance is formed. As shown in FIG. 4, a bonding pad 131c and a pad 131d are provided on the upper surface (surface on the Z1 direction side) of the first substrate layer 131.

第1基板層131の音孔131aは、カバー基板12の音孔121と同様に、長手方向において約2.65mm、短手方向において約0.6mmの長さを有するとともに、音波の進行方向(Z方向)に直交する方向において約1.5×10−6の断面積(開口面積)を有している。また、第1基板層131の音孔131bは、約0.6mmの直径を有するとともに、音波の進行方向(Z方向)に直交する方向において約2.8×10−7の断面積(開口面積)を有している。また、音孔131bは、上側(Z1方向側)が振動部14により覆われるように構成されている。 Similar to the sound hole 121 of the cover substrate 12, the sound hole 131a of the first substrate layer 131 has a length of about 2.65 mm in the longitudinal direction and about 0.6 mm in the short direction, and the traveling direction of sound waves ( It has a cross-sectional area (opening area) of about 1.5 × 10 −6 m 2 in a direction orthogonal to the (Z direction). The sound hole 131b of the first substrate layer 131 has a diameter of about 0.6 mm and a cross-sectional area of about 2.8 × 10 −7 m 2 in a direction orthogonal to the traveling direction of the sound wave (Z direction) ( Open area). In addition, the sound hole 131b is configured such that the upper side (Z1 direction side) is covered with the vibrating portion 14.

ボンディングパッド131cは、図4に示すように、ベース基板13と回路部15とを図示しないボンディングワイヤを介して接続するために設けられている。また、パッド131dは、ベース基板13とチップコンデンサー16とを半田により接続するために設けられている。また、ボンディングパッド131cおよびパッド131dは、図示しない回路パターンおよびスルーホールを介して、第3基板層133の下面(Z2方向側の表面)に配置された後述の電極パッド133a(図3参照)に接続されている。   As shown in FIG. 4, the bonding pad 131c is provided to connect the base substrate 13 and the circuit unit 15 via a bonding wire (not shown). The pad 131d is provided to connect the base substrate 13 and the chip capacitor 16 with solder. Further, the bonding pad 131c and the pad 131d are formed on an electrode pad 133a (see FIG. 3) described later disposed on the lower surface (surface on the Z2 direction side) of the third substrate layer 133 through a circuit pattern and a through hole (not shown). It is connected.

第2基板層132には、図4、図5および図7に示すように、第1基板層131の音孔131aおよび131bを互いに連通する中空部132aが形成されている。中空部132aは、図7に示すように、平面視でT字形状に形成されている。   As shown in FIGS. 4, 5, and 7, the second substrate layer 132 has a hollow portion 132 a that allows the sound holes 131 a and 131 b of the first substrate layer 131 to communicate with each other. As shown in FIG. 7, the hollow portion 132 a is formed in a T shape in plan view.

図3に示すように、第3基板層133の下面(Z2方向側の表面)には、4つの電極パッド133aが設けられている。MEMSマイク10は、電極パッド133aを介して、搭載基板3(図1参照)に半田付けされて搭載される。   As shown in FIG. 3, four electrode pads 133 a are provided on the lower surface (surface on the Z2 direction side) of the third substrate layer 133. The MEMS microphone 10 is soldered and mounted on the mounting board 3 (see FIG. 1) via the electrode pad 133a.

ここで、第1実施形態では、図5に示すように、カバー基板12の音孔121と、ベース基板13の音孔131a、中空部132aおよび音孔131bとにより、振動部14の後述するダイアフラム141の下面(Z2方向側の表面)に音波を導く第1音道171が形成されている。また、カバー基板12の音孔122および凹部123により、振動部14の後述するダイアフラム141の上面(Z1方向側の表面)に音波を導く第2音道172が形成されている。第1音道171は、カバー基板12の上側(Z1方向側)からダイアフラム141の露出された下面に向かって音波を導くように構成されている。また、第2音道172は、カバー基板12の上側(Z1方向側)から、振動部14の後述するバックプレート電極142を介してダイアフラム141の上面に向かって音波を導くように構成されている。   Here, in the first embodiment, as illustrated in FIG. 5, a diaphragm, which will be described later, of the vibration unit 14 is formed by the sound hole 121 of the cover substrate 12 and the sound hole 131 a, the hollow portion 132 a, and the sound hole 131 b of the base substrate 13. A first sound path 171 for guiding sound waves is formed on the lower surface of 141 (the surface on the Z2 direction side). Further, the sound hole 122 and the concave portion 123 of the cover substrate 12 form a second sound path 172 that guides sound waves to the upper surface (surface on the Z1 direction side) of the diaphragm 141 described later of the vibration unit 14. The first sound path 171 is configured to guide sound waves from the upper side (Z1 direction side) of the cover substrate 12 toward the exposed lower surface of the diaphragm 141. The second sound path 172 is configured to guide sound waves from the upper side (Z1 direction side) of the cover substrate 12 toward the upper surface of the diaphragm 141 through a back plate electrode 142 (to be described later) of the vibration unit 14. .

第1音道171および第2音道172のうちの第1音道171にのみ、上記音波遅延部121aが形成されている。また、極小孔からなる音波遅延部121aは、第1音道171の音波の進行方向(図5および図8に破線矢印で示した方向)に直交する断面を局所的に小さくして、第1音道171の音波を第2音道172の音波に対して遅延させるように構成されている。具体的には、音波遅延部121aは、第1音道171の音波の進行方向(Z方向)に直交する小さい円形断面を有している。図8に示すように、音波遅延部121aにより小さくされた断面は、50μm以上150μm以下の直径Dを有している。すなわち、極小孔からなる音波遅延部121aでは、第1音道171の音波の進行方向に直交する断面を1.9×10−9以上18×10−9以下の大きさに局所的に小さくしている。また、音波遅延部121aは、第1音道171の音波の進行方向において、20μm以上100μm以下の長さ(厚み)Tを有している。また、第1音道171の音波遅延部121aが設けられた箇所以外の箇所において、音波の進行方向に直交する断面は、70×10−9以上の大きさを有している。また、第2音道172の音波の進行方向に直交する断面も、70×10−9以上の大きさを有している。このような構成により、音波遅延部121aは、第1音道171の音波を第2音道172に対して30μ秒以上50μ秒以下の範囲で遅延させることが可能である。 The sound wave delay part 121 a is formed only in the first sound path 171 of the first sound path 171 and the second sound path 172. In addition, the sound wave delay unit 121a formed of a very small hole locally reduces the cross section orthogonal to the traveling direction of the sound wave of the first sound path 171 (the direction indicated by the broken-line arrow in FIGS. 5 and 8). The sound wave of the sound path 171 is configured to be delayed with respect to the sound wave of the second sound path 172. Specifically, the sound wave delay unit 121a has a small circular cross section orthogonal to the traveling direction (Z direction) of the sound wave of the first sound path 171. As shown in FIG. 8, the cross section reduced by the sound wave delay part 121a has a diameter D of 50 μm or more and 150 μm or less. That is, in the sound wave delay unit 121a formed of a very small hole, a cross section perpendicular to the sound wave traveling direction of the first sound path 171 is locally set to a size of 1.9 × 10 −9 m 2 or more and 18 × 10 −9 m 2 or less. It is made small. In addition, the sound wave delay unit 121a has a length (thickness) T of 20 μm or more and 100 μm or less in the traveling direction of the sound wave of the first sound path 171. Moreover, the cross section orthogonal to the advancing direction of a sound wave has a magnitude | size of 70 * 10 < -9 > m < 2 > or more in locations other than the location in which the sound wave delay part 121a of the 1st sound path 171 was provided. Moreover, the cross section orthogonal to the traveling direction of the sound wave of the second sound path 172 also has a size of 70 × 10 −9 m 2 or more. With such a configuration, the sound wave delay unit 121a can delay the sound wave of the first sound path 171 with respect to the second sound path 172 in the range of 30 μsec to 50 μsec.

また、MEMSマイク10は、音波遅延部121aにより第1音道171の音波が遅延されることによって、音を検知することができないNull範囲を有する両指向性(略8の字状の指向性パターン、図9および図10参照)と、全範囲にわたって均一に音を拾うことができる全指向性(円形状の指向性パターン)との間の指向性を有するように構成されている。また、MEMSマイク10は、音源が遠距離(たとえば、MEMSマイク10から1mの距離)に位置する場合には、両指向性と全指向性との間のうち、音源が近距離(たとえば、MEMSマイク10から50mm以下の距離)に位置する場合よりも両指向性に近い指向性を有するように構成されている。なお、本発明の第1実施形態のMEMSマイク10が上記特性を有することは、後述するシミュレーション結果から明らかである。   Further, the MEMS microphone 10 has a bi-directionality (nearly eight-shaped directivity pattern) having a Null range in which sound cannot be detected by the sound wave of the first sound path 171 being delayed by the sound wave delay unit 121a. 9 and FIG. 10) and omnidirectionality (circular directional pattern) capable of picking up sound uniformly over the entire range. Further, when the sound source is located at a long distance (for example, a distance of 1 m from the MEMS microphone 10), the MEMS microphone 10 has a short distance (for example, a MEMS) between the bidirectionality and the omnidirectionality. It is configured to have directivity closer to both directions than when located at a distance of 50 mm or less from the microphone 10. In addition, it is clear from the simulation result mentioned later that the MEMS microphone 10 of 1st Embodiment of this invention has the said characteristic.

振動部14は、図4および図5に示すように、第1基板層131の音孔131bを覆うように第1基板層131の上面に配置されている。また、振動部14は、図5に示すように、音波により振動するダイアフラム141と、ダイアフラム141の上面(Z1方向側の表面)に対向するように配置されたバックプレート電極142とを有している。なお、ダイアフラム141は、本発明の「振動板」の一例であり、バックプレート電極142は、本発明の「固定電極」の一例である。また、振動部14は、ダイアフラム141およびバックプレート電極142により形成されるコンデンサの容量の変化を検出して音波を電気信号に変換するように構成されている。すなわち、振動部14は、ダイアフラム141の振動に起因してダイアフラム141とバックプレート電極142との間の間隔が変動されることにより音波を電気信号に変換するように構成されている。言い換えれば、振動部14は、ダイアフラム141の振動に基づいて音波を電気信号に変換している。また、振動部14は、図示しない接着層により、ベース基板13の上面に接合されている。また、振動部14は、図5に示すように、ボンディングワイヤ15a(たとえば、金製)により回路部15に接続されている。また、バックプレート電極142には、複数の直径数μmの小径の貫通孔が形成されており、音波をダイアフラム141側に通過させることが可能である。また、この貫通孔を直径数μmの小径に形成することによって、それよりも大きい塵(たとえば数十μm程度の塵)がダイアフラム141側に到達するのを防止することが可能である。   As shown in FIGS. 4 and 5, the vibration unit 14 is disposed on the upper surface of the first substrate layer 131 so as to cover the sound hole 131 b of the first substrate layer 131. Further, as shown in FIG. 5, the vibration unit 14 includes a diaphragm 141 that vibrates by sound waves, and a back plate electrode 142 that is disposed so as to face the upper surface of the diaphragm 141 (the surface on the Z1 direction side). Yes. The diaphragm 141 is an example of the “diaphragm” in the present invention, and the back plate electrode 142 is an example of the “fixed electrode” in the present invention. The vibration unit 14 is configured to detect a change in the capacitance of the capacitor formed by the diaphragm 141 and the back plate electrode 142 and convert sound waves into an electrical signal. That is, the vibration unit 14 is configured to convert sound waves into an electric signal by changing the distance between the diaphragm 141 and the back plate electrode 142 due to the vibration of the diaphragm 141. In other words, the vibration unit 14 converts sound waves into electrical signals based on the vibration of the diaphragm 141. Further, the vibration unit 14 is bonded to the upper surface of the base substrate 13 by an adhesive layer (not shown). Further, as shown in FIG. 5, the vibration unit 14 is connected to the circuit unit 15 by a bonding wire 15 a (for example, made of gold). Further, the back plate electrode 142 has a plurality of small through holes having a diameter of several μm, and can transmit sound waves to the diaphragm 141 side. Further, by forming the through-hole with a small diameter of several μm, it is possible to prevent dust larger than that (for example, dust of about several tens of μm) from reaching the diaphragm 141 side.

回路部15は、図4および図5に示すように、第1基板層131の上面に配置されている。また、回路部15は、振動部14から出力された電気信号を処理するように構成されている。また、回路部15は、図示しない接着層により、第1基板層131の上面に接合されている。また、回路部15は、ボンディングワイヤ(たとえば、金製)によりボンディングパッド131c(図4参照)に接続されている。   As shown in FIGS. 4 and 5, the circuit unit 15 is disposed on the upper surface of the first substrate layer 131. The circuit unit 15 is configured to process the electrical signal output from the vibration unit 14. The circuit unit 15 is bonded to the upper surface of the first substrate layer 131 by an adhesive layer (not shown). The circuit unit 15 is connected to a bonding pad 131c (see FIG. 4) by a bonding wire (for example, made of gold).

チップコンデンサー16は、図4に示すように、第1基板層131の上面に配置されている。また、チップコンデンサー16は、パッド131dに半田付けされて第1基板層131に搭載されている。   The chip capacitor 16 is disposed on the upper surface of the first substrate layer 131 as shown in FIG. The chip capacitor 16 is soldered to the pad 131d and mounted on the first substrate layer 131.

第1実施形態では、上記のように、第1音道171に、音波の進行方向に略直交する音道の断面を小さくして第2音道172に対して音波を遅延させる音波遅延部121aを形成することによって、音波遅延部121aにより第1音道171の音波を遅延させてダイアフラム141の下面に到達する音波と上面に到達する音波との音圧差を生じ易くすることができるので、音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げることができる。また、第1音道171の断面を小さくする音波遅延部121aを形成するだけで第1音道171の音波を第2音道172に対して遅延させることができるので、第1音道171の音波を第2音道172に対して遅延させる発泡樹脂製の音響抵抗材などを、マイクロホン筐体17で挟み込みながら音道内に組み入れる場合に比べて、MEMSマイク10の組み立て時の手間を軽減することができる。したがって、このMEMSマイク10では、MEMSマイク10の組み立て時の手間を軽減しながら、第1音道171の音波を第2音道172に対して遅延させて音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げることができる。   In the first embodiment, as described above, in the first sound path 171, the sound wave delay unit 121 a that delays the sound wave with respect to the second sound path 172 by reducing the cross section of the sound path substantially orthogonal to the traveling direction of the sound wave. , The sound wave delay unit 121a delays the sound wave of the first sound path 171 so that the sound pressure difference between the sound wave reaching the lower surface of the diaphragm 141 and the sound wave reaching the upper surface can be easily generated. Can be detected (the range of directivity). In addition, since the sound wave of the first sound path 171 can be delayed with respect to the second sound path 172 simply by forming the sound wave delay unit 121 a that reduces the cross section of the first sound path 171, Compared to the case where an acoustic resistance material made of foamed resin that delays the sound wave with respect to the second sound path 172 is inserted into the sound path while being sandwiched between the microphone casings 17, the labor required for assembling the MEMS microphone 10 is reduced. Can do. Therefore, in this MEMS microphone 10, a range in which sound can be detected by delaying the sound wave of the first sound path 171 with respect to the second sound path 172 while reducing the time and effort at the time of assembling the MEMS microphone 10 (with directivity). Range).

また、第1実施形態では、第1音道171の断面を局所的に小さくすることにより、第2音道172に対して音波を遅延させるように音波遅延部121aを構成する。これにより、音波遅延部121aにより、第1音道171の音波を第2音道172に対して容易に遅延させることができる。   In the first embodiment, the sound wave delay unit 121 a is configured to delay the sound wave with respect to the second sound path 172 by locally reducing the cross section of the first sound path 171. Accordingly, the sound wave delay unit 121 a can easily delay the sound wave of the first sound path 171 with respect to the second sound path 172.

また、第1実施形態では、第1音道171の断面を局所的に小さくすることにより、第2音道172に対して音波を30μ秒以上50μ秒以下遅延させるように音波遅延部121aを構成する。これにより、MEMSマイク10の指向性を、両指向性と全指向性との間の指向性にすることができるので、全指向性に近づけながら、両指向性の効果も維持することができる。これにより、音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げながら、ノイズ抑圧性能が低下するのを抑制することができる。   In the first embodiment, the sound wave delay unit 121a is configured to delay the sound wave by 30 μs or more and 50 μs or less with respect to the second sound path 172 by locally reducing the cross section of the first sound path 171. To do. Thereby, since the directivity of the MEMS microphone 10 can be a directivity between the bidirectionality and the omnidirectionality, the effect of the bidirectionality can be maintained while approaching the omnidirectionality. Thereby, it can suppress that noise suppression performance falls, extending the range (directivity range) which can detect sound.

また、第1実施形態では、第1音道171の断面を局所的に1.9×10−9以上18×10−9以下の大きさに小さくすることにより、第2音道172に対して音波を30μ秒以上50μ秒以下遅延させるように音波遅延部121aを構成する。これにより、音波遅延部121aにより、容易に、第1音道171の音波を第2音道172に対して30μ秒以上50μ秒以下遅延させることができる。これにより、容易に、MEMSマイク10の指向性を両指向性と全指向性との間の指向性にすることができる。 In the first embodiment, the second sound path is reduced by locally reducing the cross section of the first sound path 171 to a size of 1.9 × 10 −9 m 2 or more and 18 × 10 −9 m 2 or less. The sound wave delay unit 121a is configured to delay the sound wave with respect to 172 by 30 μs or more and 50 μs or less. Thereby, the sound wave delay unit 121a can easily delay the sound wave of the first sound path 171 with respect to the second sound path 172 by 30 μs or more and 50 μs or less. Thereby, the directivity of the MEMS microphone 10 can be easily set to a directivity between the bidirectionality and the omnidirectionality.

また、第1実施形態では、音波の進行方向における長さが20μm以上100μm以下になるように音波遅延部121aを形成する。これにより、音波遅延部121aにより、より容易に、第1音道171の音波を第2音道172に対して30μ秒以上50μ秒以下遅延させることができる。   In the first embodiment, the sound wave delay part 121a is formed so that the length in the traveling direction of the sound wave is 20 μm or more and 100 μm or less. Thereby, the sound wave delay unit 121a can more easily delay the sound wave of the first sound path 171 with respect to the second sound path 172 by 30 μs or more and 50 μs or less.

また、第1実施形態では、第1音道171のうち、音波遅延部121aが設けられた箇所以外の箇所と第2音道172との音波の進行方向に略直交する音道の断面を、70×10−9以上の大きさを有するように形成し、第1音道171の断面を局所的に1.9×10−9以上18×10−9以下の大きさに小さくするように音波遅延部121aを構成する。これにより、音波遅延部121aが形成された箇所以外の箇所で音波が遅延するのを抑制することができるので、音波遅延部121aにより、確実に第1音道171の音波を第2音道172に対して30μ秒以上50μ秒以下遅延させることができる。 Further, in the first embodiment, the cross section of the sound path that is substantially orthogonal to the traveling direction of the sound wave in the second sound path 172 and the position other than the position where the sound wave delay unit 121a is provided in the first sound path 171, It is formed to have a size of 70 × 10 −9 m 2 or more, and the cross section of the first sound path 171 is locally 1.9 × 10 −9 m 2 or more and 18 × 10 −9 m 2 or less. The sound wave delay unit 121a is configured to be small. Thereby, since it can suppress that a sound wave delays in locations other than the location where the sound wave delay part 121a was formed, the sound wave of the 1st sound path 171 is reliably transmitted by the sound wave delay part 121a to the 2nd sound path 172. Can be delayed from 30 μs to 50 μs.

また、第1実施形態では、ダイアフラム141の上面に対向するように小径の貫通孔を有するバックプレート電極142を設けるとともに、振動板14の下面に音波を導く第1音道171に音波遅延部121aを設ける。これにより、バックプレート電極142の小径の貫通孔により、第2音道172を介して外部から侵入する大きめの塵(数十μm程度の塵)などがダイアフラム141の上面に到達するのを抑制することができるとともに、第1音道171の断面を小さくした音波遅延部121aにより、第1音道171を介して外部から侵入する塵などがダイアフラム141の下面に到達するのを抑制することができる。これにより、ダイアフラム141の上下の両面に塵が付着するのを抑制することができるので、塵の付着に起因して振動部14の感度が低下するのを抑制することができる。   In the first embodiment, the back plate electrode 142 having a small-diameter through hole is provided so as to face the upper surface of the diaphragm 141, and the sound wave delay unit 121 a is provided in the first sound path 171 that guides the sound wave to the lower surface of the diaphragm 14. Is provided. Thereby, the small-diameter through-hole of the back plate electrode 142 suppresses large dust (dust of about several tens of μm) entering from the outside via the second sound path 172 from reaching the upper surface of the diaphragm 141. In addition, the sound wave delay unit 121a having a reduced cross section of the first sound path 171 can suppress dust entering from the outside via the first sound path 171 from reaching the lower surface of the diaphragm 141. . Thereby, since it can suppress that dust adheres to both upper and lower surfaces of the diaphragm 141, it can suppress that the sensitivity of the vibration part 14 falls by adhesion of dust.

また、第1実施形態では、カバー基板12に音波遅延部121aを形成する。これにより、音波遅延部121aをカバー基板12とは別体で形成する場合とは異なり、部品点数の増加を抑制することができる。   In the first embodiment, the sound wave delay part 121 a is formed on the cover substrate 12. Thereby, unlike the case where the sound wave delay part 121a is formed separately from the cover substrate 12, an increase in the number of parts can be suppressed.

また、第1実施形態では、音波遅延部121aにより音波を遅延させることによって両指向性と全指向性との間の指向性を有するように構成する。これにより、音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げながら、ノイズ抑圧性能が低下するのを抑制することが可能なMEMSマイク10を得ることができる。なお、マイクロホン装置の指向性を両指向性と全指向性との間の指向性にすることにより、音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げながら、ノイズ抑圧性能が低下するのを抑制することができることは、後述する本願発明者のシミュレーションにより確認済みである。   Moreover, in 1st Embodiment, it is comprised so that it may have the directivity between bi-directionality and omnidirectionality by delaying a sound wave with the sound wave delay part 121a. As a result, it is possible to obtain the MEMS microphone 10 capable of suppressing the noise suppression performance from being lowered while expanding the range in which sound can be detected (directivity range). In addition, by reducing the directivity of the microphone device between the directivity and the omnidirectionality, the noise suppression performance is reduced while expanding the sound detectable range (directivity range). It has been confirmed by the inventor's simulation described later that it can be suppressed.

また、第1実施形態では、音源が遠距離に位置する場合には、両指向性と全指向性との間の指向性のうち、音源が近距離に位置する場合よりも両指向性に近い指向性を有するように構成する。これにより、近距離の音源に対しては、全指向性に近くなることにより、より広い範囲の音を検知することができるとともに、遠距離の音源に対しては、近距離の場合よりも両指向性に近くなることにより、ノイズ抑圧性能を高くすることができる。   In the first embodiment, when the sound source is located at a long distance, the directivity between the bidirectionality and the omnidirectionality is closer to the bidirectionality than when the sound source is located at a short distance. It is configured to have directivity. As a result, it is possible to detect a wider range of sound by approaching the omnidirectionality for a short-distance sound source, and both for a long-distance sound source than for a short distance. By approaching directivity, noise suppression performance can be enhanced.

次に、本発明の第1実施形態の効果を確認するために差動マイクロホンについて行ったシミュレーション結果および実測結果について説明する。   Next, simulation results and actual measurement results performed on the differential microphone in order to confirm the effect of the first embodiment of the present invention will be described.

まず、図9および図10に示すシミュレーション結果を参照して、音源が近距離(50mm)に位置する場合と、音源が遠距離(1m)に位置する場合との指向性について説明する。音源が近距離および遠距離のいずれの場合でも、2つの音道の一方の音波を他方に対して遅延させない場合(遅延量が0μ秒の場合)には、差動マイクロホンの指向性は両指向性(略8の字状の指向性パターン)であった。また、音源が近距離および遠距離のいずれの場合でも、遅延量を大きくするのに伴って差動マイクロホンの指向性が両指向性から徐々に全指向性(円形状の指向性パターン)に近づく結果となった。   First, with reference to the simulation results shown in FIG. 9 and FIG. 10, the directivity when the sound source is located at a short distance (50 mm) and when the sound source is located at a long distance (1 m) will be described. Regardless of whether the sound source is a short distance or a long distance, if the sound wave of one of the two sound paths is not delayed with respect to the other (when the delay amount is 0 μsec), the directivity of the differential microphone is bi-directional. (Directivity pattern of approximately 8 characters). Moreover, regardless of whether the sound source is a short distance or a long distance, the directivity of the differential microphone gradually approaches the omnidirectional (circular directivity pattern) from the bidirectionality as the delay amount is increased. As a result.

また、第1実施形態のMEMSマイク10が有する遅延量30μ秒以上50μ秒以下の範囲では、差動マイクロホンの指向性が両指向性と全指向性との間の指向性であった。この結果、音波遅延部により音波を30μ秒以上50μ秒以下遅延させることによって、Null範囲を減少させて音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げることができることを確認した。また、図9に示す結果から、音源が近距離の場合において、遅延量が30μ秒以上の場合には、方向によりばらつく感度の変動量を最大で10dB以下に抑えることができることを確認した。すなわち、遅延量を30μ秒以上にすれば、近距離の音源に対して、音源の方向によるばらつきを抑制していずれの方向から到達する音波でも良好に検知可能であることを確認することができた。   Further, in the range of the delay amount of 30 μsec or more and 50 μsec or less of the MEMS microphone 10 of the first embodiment, the directivity of the differential microphone is the directivity between the bidirectionality and the omnidirectionality. As a result, it was confirmed that by delaying the sound wave by 30 μs or more and 50 μs or less by the sound wave delay unit, the Null range can be reduced and the sound detectable range (directivity range) can be expanded. Further, from the results shown in FIG. 9, it was confirmed that when the sound source is at a short distance and the delay amount is 30 μsec or more, the fluctuation amount of sensitivity varying depending on the direction can be suppressed to 10 dB or less at the maximum. In other words, if the delay amount is set to 30 μsec or more, it is possible to confirm that sound waves arriving from any direction can be satisfactorily detected with respect to a short-distance sound source while suppressing variation due to the direction of the sound source. It was.

また、遅延量が30μ秒以上50μ秒以下の範囲において、近距離の指向性パターンが遠距離に比べてより円形状に近い形状であった。言い換えると、遅延量が30μ秒以上50μ秒以下の範囲において、遠距離の場合には、両指向性と全指向性との間のうち、近距離よりも両指向性に近い指向性を示した。この結果、遅延量が50μ秒以下であれば、ノイズ抑圧性能を確保することができることを確認した。また、音波遅延部により音波を30μ秒以上50μ秒以下遅延させることによって、近距離の音源に対して、音源の方向によるばらつきを抑制していずれの方向から到達する音波でも良好に検知することができるとともに、遠距離の音源に対して、ノイズ抑圧性能を適切に確保することができることを確認した。   Further, in the range where the delay amount is not less than 30 μsec and not more than 50 μsec, the near-distance directivity pattern has a more circular shape than the long distance. In other words, in the range where the delay amount is 30 μs or more and 50 μs or less, in the case of a long distance, the directivity closer to the bidirectionality than the short distance is shown between the bidirectionality and the omnidirectionality. . As a result, it was confirmed that noise suppression performance can be ensured if the delay amount is 50 μsec or less. In addition, by delaying the sound wave by 30 μs or more and 50 μs or less by the sound wave delay unit, it is possible to satisfactorily detect a sound wave arriving from any direction with respect to a short-distance sound source by suppressing variation due to the direction of the sound source. In addition, it was confirmed that noise suppression performance can be adequately secured for long-distance sound sources.

次に、遅延量が30μ秒以上50μ秒以下の範囲のうちの40μ秒の場合におけるノイズ抑圧性能の評価を行った。図11に示す実測結果を参照して、遠距離(1m)の音源からホワイトノイズを出力した場合の周波数と感度との関係について説明する。遅延量が40μ秒に設定された差動マイクロホンでは、いずれの周波数においても、ノイズ抑圧性能を有さない通常マイクロホンに対して感度が約15dB低くなった。すなわち、遅延量が40μ秒の差動マイクロホンは、通常マイクロホンに対して約15dBのノイズ抑圧効果を有することを確認した。この結果、遅延量を30μ秒以上50μ秒以下にしてマイクロホンの指向性を両指向性と全指向性との間の指向性にすることによって、音を検知可能な範囲を広げながら、十分なノイズ抑圧性能を得ることができることを確認した。   Next, the noise suppression performance was evaluated when the delay amount was 40 μs in the range of 30 μs to 50 μs. The relationship between the frequency and sensitivity when white noise is output from a sound source at a long distance (1 m) will be described with reference to the actual measurement result shown in FIG. In the differential microphone in which the delay amount is set to 40 μsec, the sensitivity is lower by about 15 dB than the normal microphone having no noise suppression performance at any frequency. That is, it was confirmed that the differential microphone with a delay amount of 40 μs has a noise suppression effect of about 15 dB with respect to the normal microphone. As a result, the amount of delay is set to 30 μs or more and 50 μs or less, and the microphone directivity is set to be between bi-directional and omni-directional. It was confirmed that suppression performance can be obtained.

ここで、図12に示すシミュレーション結果を参照して、音道の音波遅延部により小さくされる断面の大きさ(面積)と遅延量(μ秒)との関係を説明する。図12では、音波遅延部により小さくされる断面が円形状である場合において、断面の大きさを開口径(第1実施形態における直径D)で示している。図12に示すように、いずれの厚みにおいても、直径D(面積)が大きくなるのに伴って遅延量が小さくなった。また、厚みTが20μm以上100μm以下の範囲において、直径D(面積)を50μm(1.9×10−9)以上100μm(18×10−9)以下にすることによって遅延量を30μ秒以上50μ秒以下にすることができることを確認した。 Here, with reference to the simulation result shown in FIG. 12, the relationship between the size (area) of the cross section reduced by the sound wave delay portion of the sound path and the delay amount (μ seconds) will be described. In FIG. 12, when the cross section reduced by the sound wave delay portion is circular, the size of the cross section is indicated by the opening diameter (diameter D in the first embodiment). As shown in FIG. 12, the delay amount decreased with increasing diameter D (area) at any thickness. Further, when the thickness T is in the range of 20 μm or more and 100 μm or less, the diameter D (area) is set to 50 μm (1.9 × 10 −9 m 2 ) or more and 100 μm (18 × 10 −9 m 2 ) or less. It was confirmed that the time can be set to 30 μs or more and 50 μs or less.

次に、図13に示すシミュレーション結果を参照して、開口径(第1実施形態における直径D)とゲインとの関係について説明する。直径D(面積)が約75μm(4.4×10−9)以下の範囲では、直径D(面積)が小さくなるのに伴ってゲイン減衰量が大きく(ゲインが小さく)なる一方、直径D(面積)が約75μm(4.4×10−9)よりも大きい範囲では、ゲイン減衰がなかった(ゲイン減衰が0であった)。また、図13に示すシミュレーション結果から、ゲイン減衰を−3(dB)以上確保するために(ゲイン減衰量が−3(dB)よりも大きくならないようにするために)、直径D(面積)を50μm(1.9×10−9)以上にすればよいことを確認した。なお、ゲイン減衰は、一般的に−3(dB)以上であれば問題ない範囲である。これらの結果、音道の音波遅延部により小さくされる断面の大きさ(面積)を、1.9×10−9以上18×10−9以下にすれば、ゲイン減衰を抑制して音を良好に検知することができるとともに、音を検知可能な範囲を広げながら、十分なノイズ抑圧性能を得ることができることを確認した。 Next, the relationship between the aperture diameter (diameter D in the first embodiment) and the gain will be described with reference to the simulation result shown in FIG. In the range where the diameter D (area) is about 75 μm (4.4 × 10 −9 m 2 ) or less, the gain attenuation increases (the gain decreases) as the diameter D (area) decreases. In a range where D (area) is larger than about 75 μm (4.4 × 10 −9 m 2 ), there was no gain attenuation (gain attenuation was 0). Further, from the simulation results shown in FIG. 13, in order to secure a gain attenuation of −3 (dB) or more (in order to prevent the gain attenuation from becoming larger than −3 (dB)), the diameter D (area) is set. It was confirmed that it should be 50 μm (1.9 × 10 −9 m 2 ) or more. In general, gain attenuation is in a range where there is no problem as long as it is −3 (dB) or more. As a result, if the cross-sectional size (area) reduced by the sound wave delay portion of the sound path is set to 1.9 × 10 −9 m 2 or more and 18 × 10 −9 m 2 or less, gain attenuation is suppressed. It was confirmed that the sound can be detected well and sufficient noise suppression performance can be obtained while expanding the range in which sound can be detected.

また、図14に示すように、差動マイクロホンの指向性パターンは、三次元的に同一形状になる。すなわち、差動マイクロホンの指向性パターンは、2つの音道の入り口を結ぶ直線を軸にマイクロホンを回動させた場合でも同一形状になる。ここで、マイクロホンが搭載された電子機器(たとえば、携帯電話)を、ユーザが耳に近づけて顔の横で持つ場合(図15および図16参照)とユーザが電子機器の表示部を見ながら顔の前方で持つ場合(図17参照)とでは、いずれも音源が近距離であるものの、ユーザの口元(音源)とマイクロホンとの位置関係は異なる。このため、電子機器に搭載されたマイクロホンが両指向性を有する場合には、一方の持ち方で音の検知が良好となるようにマイクロホンを配置すると他方の持ち方の場合には音源がNull範囲内となって音を良好に検知することができない場合がある。また、ユーザが耳に近づけて顔の横で持つ場合において、図15に示すように、マイクロホンをユーザの顔から離間する方向(横方向)に回動させた場合や、図16に示すように、マイクロホンを前後方向に回動させた場合には、両指向性を有するマイクロホンでは音源がNull範囲内となって音を良好に検知することができない場合がある。これに対して、上記第1実施形態のように、両指向性と全指向性との間の指向性を有するMEMSマイク10を携帯電話100(電子機器)に搭載した場合には、近距離の音源に対して音を検知可能な範囲が広がるので、携帯電話100を顔の横で持つ場合と顔の前方で持つ場合との両方において、音を良好に検知することができる。また、図15および図16に示すように、マイクロホンを横方向および前後方向に回動させた場合でも、近距離の音源に対して音を検知可能な範囲が広がるので、音を良好に検知することができる。   Further, as shown in FIG. 14, the directivity patterns of the differential microphones have the same shape three-dimensionally. That is, the directivity pattern of the differential microphone has the same shape even when the microphone is rotated about a straight line connecting the entrances of the two sound paths. Here, when the user holds an electronic device (for example, a mobile phone) on which the microphone is mounted next to the face close to the ear (see FIGS. 15 and 16), the user looks at the display unit of the electronic device and looks at the face. In both cases (see FIG. 17), the sound source is close, but the positional relationship between the user's mouth (sound source) and the microphone is different. For this reason, when a microphone mounted on an electronic device has bi-directionality, if a microphone is arranged so that sound detection is good in one way, the sound source is in the Null range in the other way. The sound may not be detected properly. In addition, when the user holds the side of the face close to the ear, as shown in FIG. 15, the microphone is rotated in a direction away from the user's face (lateral direction), or as shown in FIG. When the microphone is rotated in the front-rear direction, the microphone having bi-directionality may not be able to detect sound well because the sound source is in the Null range. On the other hand, when the MEMS microphone 10 having the directivity between the bi-directionality and the omnidirectionality is mounted on the mobile phone 100 (electronic device) as in the first embodiment, a short distance is required. Since the range in which sound can be detected with respect to the sound source is widened, sound can be detected well both when the mobile phone 100 is held beside the face and when it is held in front of the face. Further, as shown in FIGS. 15 and 16, even when the microphone is rotated in the lateral direction and the front-rear direction, the range in which sound can be detected with respect to a short-distance sound source is widened, so that sound can be detected well. be able to.

(第2実施形態)
次に、図18を参照して、本発明の第2実施形態による携帯電話100のMEMSマイク20について説明する。この第2実施形態では、上記第1実施形態と異なり、ベース基板213に極小孔からなる音波遅延部231aを設ける構成について説明する。なお、MEMSマイク20は、本発明の「マイクロホン装置」の一例である。
(Second Embodiment)
Next, the MEMS microphone 20 of the mobile phone 100 according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the second embodiment, unlike the first embodiment, a configuration in which a sound wave delay unit 231a including a very small hole is provided in the base substrate 213 will be described. The MEMS microphone 20 is an example of the “microphone device” in the present invention.

第2実施形態のMEMSマイク20のベース基板213は、図18に示すように、第1基板層231と、第2基板層132と、第3基板層133とにより3層構造に形成されている。第1基板層231には、第1音道171の音波を遅延させる極小孔からなる音波遅延部231aが形成されている。極小孔からなる音波遅延部231aは、カバー基板12の音孔121に対応する位置に形成されている。音波遅延部231aは、第1音道171の音波の進行方向(Z方向)に直交する小さい円形断面を有している。音波遅延部231aにより小さくされた断面は、50μm以上150μm以下の直径を有している。すなわち、極小孔からなる音波遅延部231aでは、第1音道171の音波の進行方向に直交する断面を1.9×10−9以上18×10−9以下の大きさに局所的に小さくしている。また、音波遅延部231aは、第1音道171の音波を第2音道172に対して30μ秒以上50μ秒以下の範囲で遅延させるように構成されている。 As shown in FIG. 18, the base substrate 213 of the MEMS microphone 20 of the second embodiment is formed in a three-layer structure by a first substrate layer 231, a second substrate layer 132, and a third substrate layer 133. . The first substrate layer 231 is formed with a sound wave delay unit 231a made of a very small hole that delays the sound wave of the first sound path 171. The sound wave delay portion 231 a formed of a very small hole is formed at a position corresponding to the sound hole 121 of the cover substrate 12. The sound wave delay unit 231a has a small circular cross section perpendicular to the sound wave traveling direction (Z direction) of the first sound path 171. The cross section reduced by the sound wave delay portion 231a has a diameter of 50 μm or more and 150 μm or less. That is, in the sound wave delay unit 231a formed of a very small hole, a cross section perpendicular to the sound wave traveling direction of the first sound path 171 is locally set to a size of 1.9 × 10 −9 m 2 or more and 18 × 10 −9 m 2 or less. It is made small. The sound wave delay unit 231a is configured to delay the sound wave of the first sound path 171 with respect to the second sound path 172 in a range of 30 μsec or more and 50 μsec or less.

なお、第2実施形態のその他の構成は、上記第1実施形態と同様である。   In addition, the other structure of 2nd Embodiment is the same as that of the said 1st Embodiment.

第2実施形態では、上記のように、ベース基板213の第1基板層231に音波遅延部231aを形成することによって、音波遅延部231aをベース基板213とは別体で形成する場合とは異なり、部品点数の増加を抑制することができる。   In the second embodiment, as described above, the sonic wave delay unit 231a is formed separately from the base substrate 213 by forming the sonic wave delay unit 231a in the first substrate layer 231 of the base substrate 213. An increase in the number of parts can be suppressed.

また、上記のように、第2実施形態の構成においても、上記第1実施形態と同様に、第1音道171に、音波の進行方向に略直交する音道の断面を小さくして第2音道172に対して音波を遅延させる音波遅延部231aを形成することによって、MEMSマイク20の組み立て時の手間を軽減しながら、第1音道171の音波を第2音道172に対して遅延させて音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げることができる。   As described above, in the configuration of the second embodiment as well, as in the first embodiment, the second sound path 171 is made smaller in cross section of the sound path substantially perpendicular to the traveling direction of the sound wave. By forming the sound wave delay unit 231 a that delays the sound wave with respect to the sound path 172, the sound wave of the first sound path 171 is delayed with respect to the second sound path 172 while reducing the labor for assembling the MEMS microphone 20. By doing so, it is possible to widen the range in which sound can be detected (directivity range).

なお、第2実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。   The remaining effects of the second embodiment are similar to those of the aforementioned first embodiment.

(第3実施形態)
次に、図19を参照して、本発明の第3実施形態による携帯電話100のMEMSマイク30について説明する。この第3実施形態では、上記第1実施形態と異なり、極小孔からなる音波遅延部301aを有する音波遅延部材301を設ける構成について説明する。なお、MEMSマイク30は、本発明の「マイクロホン装置」の一例である。
(Third embodiment)
Next, the MEMS microphone 30 of the mobile phone 100 according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the third embodiment, unlike the first embodiment, a configuration in which a sound wave delay member 301 having a sound wave delay part 301a made of a very small hole is provided will be described. The MEMS microphone 30 is an example of the “microphone device” in the present invention.

第3実施形態のMEMSマイク30のカバー基板12には、図19に示すように、極小孔からなる音波遅延部301aを有する音波遅延部材301が取り付けられている。具体的には、音波遅延部材301は、カバー基板12の上面に図示しない接着層により貼付されている。音波遅延部材301は、リフロー実装時の高熱に対応可能なように、耐熱性が高い金属やポリイミドなどにより構成されている。好ましくは、音波遅延部材301を、FR−4などのガラスエポキシ樹脂により形成されたカバー基板12に剛性が近いポリイミドにより構成する。これにより、音波遅延部材301をカバー基板12に貼り付けた状態で、音波遅延部材301およびカバー基板12の複合層(複合体)を容易に一括で切断することが可能である。また、音波遅延部材301をポリイミドにより構成することによって、音波遅延部301aを容易に形成することが可能である。このように音波遅延部材301をポリイミドにより構成すれば、製造時の手間を軽減することができるので、生産性の向上を図ることができる。   As shown in FIG. 19, a sonic wave delay member 301 having a sonic wave delay part 301a made of a very small hole is attached to the cover substrate 12 of the MEMS microphone 30 of the third embodiment. Specifically, the sound wave delay member 301 is attached to the upper surface of the cover substrate 12 with an adhesive layer (not shown). The sonic wave delay member 301 is made of a metal having high heat resistance, polyimide, or the like so that it can cope with high heat during reflow mounting. Preferably, the sound wave delay member 301 is made of polyimide having rigidity close to that of the cover substrate 12 formed of glass epoxy resin such as FR-4. Accordingly, the composite layer (composite) of the sound wave delay member 301 and the cover substrate 12 can be easily cut in a lump in a state where the sound wave delay member 301 is attached to the cover substrate 12. In addition, the sound wave delay member 301 can be easily formed by forming the sound wave delay member 301 from polyimide. If the sonic wave delay member 301 is made of polyimide in this way, labor during manufacturing can be reduced, so that productivity can be improved.

ここで、第3実施形態のMEMSマイク30の製造手順について説明する。まず、図20に示すように、ベース基板13に振動部14および回路部15を搭載する。そして、カバー基板12の上面に図示しない接着層により音波遅延部材301を貼付し、振動部14および回路部15を覆うようにカバー基板12をベース基板13上に配置する。その後、上下の両面にダイシングフィルム310を配置した状態で、ダイシングブレードにより、図20および図21に示す切断線に沿って切断して個々のMEMSマイク30に分割する。この際、音波遅延部材301をポリイミドにより構成していれば、音波遅延部材301およびカバー基板12の複合層(複合体)を容易に一括で切断することが可能である。   Here, a manufacturing procedure of the MEMS microphone 30 of the third embodiment will be described. First, as shown in FIG. 20, the vibration unit 14 and the circuit unit 15 are mounted on the base substrate 13. Then, a sound wave delay member 301 is attached to the upper surface of the cover substrate 12 with an adhesive layer (not shown), and the cover substrate 12 is disposed on the base substrate 13 so as to cover the vibration unit 14 and the circuit unit 15. Thereafter, with the dicing films 310 disposed on the upper and lower surfaces, the dicing blades are cut along the cutting lines shown in FIGS. 20 and 21 to be divided into individual MEMS microphones 30. At this time, if the sound wave delay member 301 is made of polyimide, the composite layer (composite) of the sound wave delay member 301 and the cover substrate 12 can be easily cut in a lump.

また、音波遅延部材301の音波遅延部301aは、カバー基板12の音孔121に対応する位置に形成されている。音波遅延部301aは、第1音道171の音波の進行方向(Z方向)に直交する小さい円形断面を有している。音波遅延部301aにより小さくされた断面は、50μm以上150μm以下の直径を有している。すなわち、極小孔からなる音波遅延部301aでは、第1音道171の音波の進行方向に直交する断面を1.9×10−9以上18×10−9以下の大きさに局所的に小さくしている。また、音波遅延部301aは、第1音道171の音波を第2音道172に対して30μ秒以上50μ秒以下の範囲で遅延させるように構成されている。また、音波遅延部材301には、カバー基板12の音孔122に対応する位置に音孔122と同形状の音孔301bが形成されている。また、第3実施形態の音波遅延部材301は、20μm以上100μm以下の厚みを有している。 Further, the sound wave delay portion 301 a of the sound wave delay member 301 is formed at a position corresponding to the sound hole 121 of the cover substrate 12. The sound wave delay unit 301 a has a small circular cross section orthogonal to the traveling direction (Z direction) of the sound wave of the first sound path 171. The cross section reduced by the acoustic wave delay unit 301a has a diameter of 50 μm or more and 150 μm or less. That is, in the sound wave delay unit 301a formed of a very small hole, a cross section orthogonal to the sound wave traveling direction of the first sound path 171 is locally 1.9 × 10 −9 m 2 to 18 × 10 −9 m 2 in size. It is made small. The sound wave delay unit 301a is configured to delay the sound wave of the first sound path 171 with respect to the second sound path 172 in the range of 30 μsec to 50 μsec. The sound wave delay member 301 has a sound hole 301 b having the same shape as the sound hole 122 at a position corresponding to the sound hole 122 of the cover substrate 12. The sound wave delay member 301 of the third embodiment has a thickness of 20 μm or more and 100 μm or less.

なお、第3実施形態のその他の構成は、上記第1実施形態と同様である。   The remaining configuration of the third embodiment is similar to that of the aforementioned first embodiment.

第3実施形態では、上記のように、カバー基板12の上面に、音波遅延部301aを有する音波遅延部材301を貼付する。これにより、音波遅延部301aを有する専用の音波遅延部材301を設ける場合でも、カバー基板12の上面に貼付するだけで容易に第1音道171の音波を第2音道172に対して遅延させることができるので、MEMSマイク30の組み立て時に手間がかかるのを抑制することができる。   In the third embodiment, as described above, the sound wave delay member 301 having the sound wave delay part 301a is attached to the upper surface of the cover substrate 12. Accordingly, even when the dedicated sound wave delay member 301 having the sound wave delay part 301 a is provided, the sound wave of the first sound path 171 can be easily delayed with respect to the second sound path 172 simply by being attached to the upper surface of the cover substrate 12. Therefore, it is possible to suppress time and labor when assembling the MEMS microphone 30.

また、上記のように、第3実施形態の構成においても、上記第1実施形態と同様に、第1音道171に、音波の進行方向に略直交する音道の断面を小さくして第2音道172に対して音波を遅延させる音波遅延部301aを形成することによって、MEMSマイク30の組み立て時の手間を軽減しながら、第1音道171の音波を第2音道172に対して遅延させて音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げることができる。   As described above, also in the configuration of the third embodiment, as in the first embodiment, the second sound path 171 is made to have a smaller cross section of the sound path substantially perpendicular to the traveling direction of the sound wave. By forming the sound wave delay unit 301 a that delays the sound wave with respect to the sound path 172, the sound wave of the first sound path 171 is delayed with respect to the second sound path 172 while reducing the labor for assembling the MEMS microphone 30. By doing so, it is possible to widen the range in which sound can be detected (directivity range).

なお、第3実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。   The remaining effects of the third embodiment are similar to those of the aforementioned first embodiment.

(第4実施形態)
次に、図22を参照して、本発明の第4実施形態による携帯電話100のMEMSマイク40について説明する。この第4実施形態では、上記第1実施形態と異なり、ベース基板413の下側(Z2方向側)から振動部14に音波を導くように第1音道471および第2音道472を設ける構成について説明する。なお、MEMSマイク40は、本発明の「マイクロホン装置」の一例である。
(Fourth embodiment)
Next, the MEMS microphone 40 of the mobile phone 100 according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the fourth embodiment, unlike the first embodiment, the first sound path 471 and the second sound path 472 are provided so as to guide sound waves from the lower side (Z2 direction side) of the base substrate 413 to the vibration unit 14. Will be described. The MEMS microphone 40 is an example of the “microphone device” in the present invention.

第4実施形態では、図22に示すように、カバー基板412と、ベース基板413とによりMEMSマイク40のマイクロホン筐体417が構成されている。カバー基板412には、振動部14や回路部15などを収容する凹部423が形成されている。なお、マイクロホン筐体417は、本発明の「筐体」および「マイクロホン筐体」の一例である。   In the fourth embodiment, as shown in FIG. 22, the cover substrate 412 and the base substrate 413 constitute a microphone housing 417 of the MEMS microphone 40. The cover substrate 412 is formed with a recess 423 that accommodates the vibration portion 14, the circuit portion 15, and the like. The microphone casing 417 is an example of the “casing” and “microphone casing” in the present invention.

ベース基板413は、カバー基板412と同様に、FR−4などのガラスエポキシ樹脂により形成されている。また、ベース基板413は、第1基板層431と、第2基板層432と、第3基板層433とにより3層構造に形成されている。具体的には、第1基板層431、第2基板層432および第3基板層433は、図示しない接着シートにより互いに貼り合わされている。   Similar to the cover substrate 412, the base substrate 413 is formed of a glass epoxy resin such as FR-4. The base substrate 413 is formed in a three-layer structure by a first substrate layer 431, a second substrate layer 432, and a third substrate layer 433. Specifically, the first substrate layer 431, the second substrate layer 432, and the third substrate layer 433 are bonded to each other by an adhesive sheet (not shown).

第1基板層431には、トラック形状の音孔431aと、音孔431aとX方向に間隔を隔てて配置された円形状の音孔431bとが形成されている。音孔431aおよび431bは、それぞれ、上記第1実施形態の音孔131aおよび131bと同形状に形成されている。円形状の音孔431bは、振動部14に対応する位置に設けられている。   The first substrate layer 431 is provided with a track-shaped sound hole 431a and a circular sound hole 431b that is spaced from the sound hole 431a in the X direction. The sound holes 431a and 431b are formed in the same shape as the sound holes 131a and 131b of the first embodiment, respectively. The circular sound hole 431 b is provided at a position corresponding to the vibration part 14.

第2基板層432には、上記第1実施形態の第2基板層132と同様に、平面視でT字形状の中空部432aが形成されている。中空部432aは、第1基板層431の音孔431bと、第3基板層433の後述する極小孔からなる音波遅延部433aとを連通するように構成されている。また、第2基板層432には、第1基板層431の音孔431aに対応するように、音孔431aと同形状の音孔432bが形成されている。   Similar to the second substrate layer 132 of the first embodiment, a T-shaped hollow portion 432a is formed in the second substrate layer 432 in plan view. The hollow portion 432a is configured to communicate the sound hole 431b of the first substrate layer 431 and the sound wave delay portion 433a formed of a small hole described later of the third substrate layer 433. The second substrate layer 432 is formed with a sound hole 432b having the same shape as the sound hole 431a so as to correspond to the sound hole 431a of the first substrate layer 431.

第3基板層433には、極小孔からなる音波遅延部433aが形成されている。第4実施形態では、第3基板層433の極小孔からなる音波遅延部433aと、第2基板層432の中空部432aと、第1基板層431の音孔431bとにより、振動部14のダイアフラム141の下面(Z2方向側の表面)に音波を導く第1音道471が形成されている。音波遅延部433aは、第1音道471の音波の進行方向に直交する断面を局所的に小さくして、第1音道471の音波を遅延させるように構成されている。具体的には、音波遅延部433aは、第1音道471の音波の進行方向(Z方向)に直交する小さい円形断面を有している。音波遅延部433aにより小さくされた断面は、50μm以上150μm以下の直径を有している。すなわち、極小孔からなる音波遅延部433aでは、第1音道471の音波の進行方向に直交する断面を1.9×10−9以上18×10−9以下の大きさに局所的に小さくしている。また、音波遅延部433aは、第1音道471の音波を第2音道472に対して30μ秒以上50μ秒以下の範囲で遅延させるように構成されている。 The third substrate layer 433 is formed with a sound wave delay portion 433a made up of extremely small holes. In the fourth embodiment, the diaphragm of the vibrating portion 14 is constituted by the sound wave delay portion 433a formed of a very small hole of the third substrate layer 433, the hollow portion 432a of the second substrate layer 432, and the sound hole 431b of the first substrate layer 431. A first sound path 471 for guiding sound waves is formed on the lower surface of 141 (the surface on the Z2 direction side). The sound wave delay unit 433a is configured to locally reduce the cross section perpendicular to the traveling direction of the sound wave of the first sound path 471 to delay the sound wave of the first sound path 471. Specifically, the sound wave delay unit 433a has a small circular cross section orthogonal to the traveling direction (Z direction) of the sound wave of the first sound path 471. The cross section reduced by the sound wave delay unit 433a has a diameter of 50 μm or more and 150 μm or less. That is, in the sound wave delay unit 433a formed of a very small hole, a cross section perpendicular to the sound wave traveling direction of the first sound path 471 is locally 1.9 × 10 −9 m 2 to 18 × 10 −9 m 2. It is made small. The sound wave delay unit 433a is configured to delay the sound wave of the first sound path 471 with respect to the second sound path 472 in a range of 30 μsec or more and 50 μsec or less.

また、第3基板層433には、第2基板層432の音孔432bに対応するように、音孔432bと同形状の音孔433bが形成されている。第4実施形態では、第3基板層433の音孔433bと、第2基板層432の音孔432bと、第1基板層431の音孔431aと、カバー基板412の凹部423とにより、バックプレート電極142を介して振動部14のダイアフラム141の上面(Z1方向側の表面)に音波を導く第2音道472が形成されている。   The third substrate layer 433 is formed with a sound hole 433 b having the same shape as the sound hole 432 b so as to correspond to the sound hole 432 b of the second substrate layer 432. In the fourth embodiment, the back plate is formed by the sound hole 433b of the third substrate layer 433, the sound hole 432b of the second substrate layer 432, the sound hole 431a of the first substrate layer 431, and the recess 423 of the cover substrate 412. A second sound path 472 for guiding sound waves to the upper surface (surface on the Z1 direction side) of the diaphragm 141 of the vibration unit 14 via the electrode 142 is formed.

なお、第4実施形態のその他の構成は、上記第1実施形態と同様である。   The remaining configuration of the fourth embodiment is similar to that of the aforementioned first embodiment.

上記のように、ベース基板413の下側(Z2方向側)から振動部14に音波を導くように第1音道471および第2音道472を設ける第4実施形態の構成においても、上記第1実施形態と同様に、第1音道471に、音波の進行方向に略直交する音道の断面を小さくして第2音道472に対して音波を遅延させる音波遅延部433aを形成することによって、MEMSマイク40の組み立て時の手間を軽減しながら、第1音道471の音波を第2音道472に対して遅延させて音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げることができる。   As described above, also in the configuration of the fourth embodiment in which the first sound path 471 and the second sound path 472 are provided so as to guide the sound wave from the lower side (Z2 direction side) of the base substrate 413 to the vibration unit 14, As in the first embodiment, the first sound path 471 is formed with a sound wave delay unit 433a that delays the sound wave with respect to the second sound path 472 by reducing the cross section of the sound path substantially orthogonal to the traveling direction of the sound wave. Thus, while reducing the labor for assembling the MEMS microphone 40, the sound wave of the first sound path 471 is delayed with respect to the second sound path 472, and the range in which sound can be detected (directivity range) can be expanded. it can.

なお、第4実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。   The remaining effects of the fourth embodiment are similar to those of the aforementioned first embodiment.

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiments but by the scope of claims for patent, and further includes all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims for patent.

たとえば、上記第1〜第4実施形態では、本発明の電子機器の一例としての携帯電話に本発明を適用する例を示したが、本発明はこれに限られない。携帯電話以外の電子機器に本発明を適用してもよい。たとえば、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ボイスレコーダー、携帯情報端末、またはPC(パーソナルコンピュータ)等のマイクロホン装置を搭載する電子機器に本発明を適用してもよい。   For example, in the first to fourth embodiments, the example in which the present invention is applied to the mobile phone as an example of the electronic apparatus of the present invention has been described. However, the present invention is not limited to this. The present invention may be applied to electronic devices other than cellular phones. For example, the present invention may be applied to an electronic device equipped with a microphone device such as a digital camera, a video camera, a voice recorder, a portable information terminal, or a PC (personal computer).

また、上記第1実施形態では、音波遅延部121aを、カバー基板12の音孔121の上端部に形成する例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、極小孔からなる音波遅延部を、カバー基板の音孔の下端部に形成してもよいし、音孔の中央部に形成してもよい。   Moreover, although the sound wave delay part 121a was formed in the upper end part of the sound hole 121 of the cover board | substrate 12 in the said 1st Embodiment, this invention is not limited to this. In the present invention, the sound wave delay portion composed of a very small hole may be formed at the lower end portion of the sound hole of the cover substrate, or may be formed at the center portion of the sound hole.

また、上記第2実施形態では、第1基板層231のうち、カバー基板12の音孔121に対応する位置に音波遅延部231aを設ける例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、図23に示すように、第1基板層231のうち、振動部14に対応する位置に極小孔からなる音波遅延部231bを設けてもよい。   Moreover, although the example which provides the sound wave delay part 231a in the position corresponding to the sound hole 121 of the cover board | substrate 12 among the 1st board | substrate layers 231 was shown in the said 2nd Embodiment, this invention is not limited to this. In the present invention, as shown in FIG. 23, in the first substrate layer 231, a sound wave delay part 231b made of a very small hole may be provided at a position corresponding to the vibration part 14.

また、上記第2実施形態では、音波遅延部231aを第1基板層231に形成する例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、図24に示すように、極小孔からなる音波遅延部232aを第2基板層232に形成してもよい。この場合、音波遅延部232aにより、T形状の中空部232bの一部の断面を局所的に小さくするように構成する。   Moreover, in the said 2nd Embodiment, although the example which forms the sound wave delay part 231a in the 1st board | substrate layer 231 was shown, this invention is not limited to this. In the present invention, as shown in FIG. 24, a sound wave delay portion 232 a made up of extremely small holes may be formed in the second substrate layer 232. In this case, the sound wave delay portion 232a is configured to locally reduce a partial cross section of the T-shaped hollow portion 232b.

また、上記第3実施形態では、音波遅延部301aが形成された音波遅延部材301をカバー基板12の上面に貼付する例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、図25に示すように、極小孔からなる音波遅延部302aを有する音波遅延部材302をカバー基板12の下面に貼付してもよい。この場合、音波遅延部302aをカバー基板12の音孔121に対応する位置に設ける。   Moreover, in the said 3rd Embodiment, although the example which affixes the sound wave delay member 301 in which the sound wave delay part 301a was formed on the upper surface of the cover board | substrate 12 was shown, this invention is not limited to this. In the present invention, as shown in FIG. 25, a sound wave delay member 302 having a sound wave delay part 302 a formed of a very small hole may be attached to the lower surface of the cover substrate 12. In this case, the sound wave delay unit 302 a is provided at a position corresponding to the sound hole 121 of the cover substrate 12.

また、上記第4実施形態では、第1音道471および第2音道472がベース基板413の下側(Z2方向側)から振動部14に音波を導くように形成された構成において、音波遅延部433aを第3基板層433に形成する例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、図26に示すように、第1基板層431に極小孔からなる音波遅延部431cを形成してもよい。この場合、音波遅延部431cを振動部14に対応する位置に形成する。   In the fourth embodiment, in the configuration in which the first sound path 471 and the second sound path 472 are formed so as to guide the sound wave from the lower side (Z2 direction side) of the base substrate 413 to the vibration unit 14, the sound wave delay Although the example which forms the part 433a in the 3rd board | substrate layer 433 was shown, this invention is not limited to this. In the present invention, as shown in FIG. 26, the first substrate layer 431 may be formed with a sound wave delay portion 431c made up of extremely small holes. In this case, the sound wave delay part 431 c is formed at a position corresponding to the vibration part 14.

また、上記第4実施形態では、第1音道471および第2音道472がベース基板413の下側(Z2方向側)から振動部14に音波を導くように形成された構成において、音波遅延部433aを第3基板層433に形成する例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、極小孔からなる音波遅延部を第2基板層に形成してもよい。この場合、図24に示した第2実施形態の変形例と同様に、音波遅延部により、T形状の中空部の一部の断面を局所的に小さくするように構成する。   In the fourth embodiment, in the configuration in which the first sound path 471 and the second sound path 472 are formed so as to guide the sound wave from the lower side (Z2 direction side) of the base substrate 413 to the vibration unit 14, the sound wave delay Although the example which forms the part 433a in the 3rd board | substrate layer 433 was shown, this invention is not limited to this. In the present invention, a sonic wave delay portion composed of extremely small holes may be formed in the second substrate layer. In this case, similarly to the modification of the second embodiment shown in FIG. 24, the sound wave delay unit is configured to locally reduce a partial cross section of the T-shaped hollow part.

また、上記第4実施形態では、第1音道471および第2音道472がベース基板413の下側(Z2方向側)から振動部14に音波を導くように形成された構成において、音波遅延部433aを第3基板層433に形成する例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、図27に示すように、カバー基板412の下面に極小孔からなる音波遅延部401aを有する音波遅延部材401を貼付してもよい。この場合、音波遅延部401aを振動部14に対応する位置に形成する。また、図28に示すように、第3基板層433の下面に極小孔からなる音波遅延部402aを有する音波遅延部材402を貼付してもよい。   In the fourth embodiment, in the configuration in which the first sound path 471 and the second sound path 472 are formed so as to guide the sound wave from the lower side (Z2 direction side) of the base substrate 413 to the vibration unit 14, the sound wave delay Although the example which forms the part 433a in the 3rd board | substrate layer 433 was shown, this invention is not limited to this. In the present invention, as shown in FIG. 27, a sound wave delay member 401 having a sound wave delay part 401a formed of a very small hole may be attached to the lower surface of the cover substrate 412. In this case, the sound wave delay unit 401 a is formed at a position corresponding to the vibration unit 14. In addition, as shown in FIG. 28, a sound wave delay member 402 having a sound wave delay part 402a made of extremely small holes may be attached to the lower surface of the third substrate layer 433.

また、上記第1〜第4実施形態では、本発明のマイクロホン装置としてのMEMSマイクに音波遅延部を形成する例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、音道の断面を小さくする構成であれば、マイクロホン装置以外の箇所に音波遅延部を形成してもよい。たとえば、図29に示すように、電極パッド133aを介してMEMSマイク50(マイクロホン装置)が搭載される搭載基板51を、ガスケット52を間に挟んだ状態で電子機器の筐体53に取り付けた構成において、電子機器の外表面から振動部に通ずる第1音道571および第2音道572のうち、第1音道571の音波の進行方向に直交する断面を小さくする極小孔からなる音波遅延部51aを搭載基板51に形成してもよい。また、極小孔からなる音波遅延部を搭載基板51以外のガスケット52や筐体53に形成してもよい。この場合、マイクロホン装置自体に極小孔からなる音波遅延部を設けなくても、組み立て時の手間を軽減しながら、一方の音道の音波を他方に対して遅延させて音を検知可能な範囲(指向性の範囲)を広げることが可能な電子機器を得ることができる。   Moreover, although the said 1st-4th embodiment showed the example which forms a sound wave delay part in the MEMS microphone as a microphone apparatus of this invention, this invention is not limited to this. In the present invention, the sound wave delay unit may be formed at a place other than the microphone device as long as the cross section of the sound path is reduced. For example, as shown in FIG. 29, a mounting substrate 51 on which a MEMS microphone 50 (microphone device) is mounted via an electrode pad 133a is attached to a casing 53 of an electronic device with a gasket 52 interposed therebetween. , The sound wave delay part comprising a very small hole for reducing the cross section perpendicular to the traveling direction of the sound wave of the first sound path 571 among the first sound path 571 and the second sound path 572 communicating from the outer surface of the electronic device to the vibration part 51a may be formed on the mounting substrate 51. In addition, a sound wave delay portion formed of a very small hole may be formed in the gasket 52 or the casing 53 other than the mounting substrate 51. In this case, a range in which sound can be detected by delaying the sound wave of one sound path with respect to the other while reducing the time and effort of assembly without providing a sound wave delay unit composed of a very small hole in the microphone device itself ( An electronic device capable of widening the range of directivity can be obtained.

また、上記第1〜第4実施形態では、本発明のマイクロホン装置としてのMEMSマイクに、差動マイクロホンとして機能させるための1つの振動部14を設ける例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、図30に示すように、マイクロホン装置に、全指向性のマイクロホンとして機能させるための振動部614をさらに設けてもよい。この場合、2つの振動部14および614の両方を、第2音道172を構成するカバー基板12の凹部123内に設ける。これにより、音波遅延部が設けられない第2音道172を介して音波を全指向性用の振動部614に導くことができるので、全指向性用の振動部614に対して、第1音道171に形成された音波遅延部121aの影響が及ぶのを防止することができる。   In the first to fourth embodiments, the example in which one vibrating unit 14 for functioning as a differential microphone is provided in the MEMS microphone as the microphone device of the present invention. However, the present invention is not limited to this. I can't. In the present invention, as shown in FIG. 30, the microphone device may further be provided with a vibration unit 614 for causing the microphone device to function as an omnidirectional microphone. In this case, both the two vibrating portions 14 and 614 are provided in the concave portion 123 of the cover substrate 12 constituting the second sound path 172. Accordingly, since the sound wave can be guided to the omnidirectional vibration unit 614 via the second sound path 172 in which the sound wave delay unit is not provided, the first sound is transmitted to the omnidirectional vibration unit 614. It is possible to prevent the influence of the sound wave delay part 121a formed on the road 171.

また、上記2つの振動部を設ける場合に、いずれか一方の振動部で音を検知するように切り替え可能に構成することによって、差動マイクロホン用の振動部を用いる場合には、音を検知可能な範囲を広げながらノイズ抑圧性能を確保することができるとともに、全指向性用の振動部を用いる場合には、近距離および遠距離の両方の音を広範囲で検知することができる。これにより、たとえば、ユーザが携帯電話を手に持って通話する際には、差動マイクロホン用の振動部を用いて、近距離の音を検知可能な範囲を広げながらノイズ抑圧性能を確保することができる。一方、ユーザがハンズフリー機能により通話する際や会議等を録音する際には、全指向性用の振動部を用いて近距離および遠距離の両方の音を広範囲で良好に検知することができる。   In addition, when the above two vibration parts are provided, the sound can be detected when the vibration part for the differential microphone is used by switching so that the sound is detected by one of the vibration parts. The noise suppression performance can be ensured while widening the range, and when using the omnidirectional vibration section, both near-field and far-field sounds can be detected over a wide range. As a result, for example, when a user talks with a mobile phone in his / her hand, the noise suppression performance can be ensured while widening the range in which short-distance sounds can be detected using a vibration unit for a differential microphone. Can do. On the other hand, when a user makes a call with a hands-free function or records a conference or the like, it is possible to detect both short-distance and long-distance sounds in a wide range using the omnidirectional vibration unit. .

また、本発明では、たとえば、図31に示すように、音波遅延部材301により、第2音道172の音波の進行方向に直交する断面が局所的に小さくされている構成であっても、音波遅延部材301により音波が遅延される第2音道172よりもさらに音波を遅延させる音波遅延部121bを第1音道171に設ければよい。この際、第2音道172の音波遅延部材301により小さくされた断面が直径aの円形断面であり、第1音道171の音波遅延部121bにより小さくされた断面も直径aの円形断面である場合には、音波遅延部121bの音波の進行方向における長さb(厚み)を音波遅延部材301の厚みよりも大きくして、第1音道171の音波を第2音道172に対して遅延させるように構成する。すなわち、本発明では、音波遅延部の音波の進行方向における長さ(厚み)を調整することにより音波の遅延量を調整してもよい。この際、音波遅延部の長さ(厚み)を大きくすればより遅延量が大きくなる方向に調整される。   Further, in the present invention, for example, as shown in FIG. 31, even if the sound wave delay member 301 has a configuration in which the cross section perpendicular to the sound wave traveling direction of the second sound path 172 is locally reduced, A sound wave delay unit 121b that delays the sound wave further than the second sound path 172 in which the sound wave is delayed by the delay member 301 may be provided in the first sound path 171. At this time, the cross section reduced by the sound wave delay member 301 of the second sound path 172 is a circular cross section having a diameter a, and the cross section reduced by the sound wave delay portion 121b of the first sound path 171 is also a circular cross section having a diameter a. In this case, the length b (thickness) of the sound wave delay unit 121b in the traveling direction of the sound wave is made larger than the thickness of the sound wave delay member 301, and the sound wave of the first sound path 171 is delayed with respect to the second sound path 172. To be configured. That is, in the present invention, the delay amount of the sound wave may be adjusted by adjusting the length (thickness) of the sound wave delay unit in the traveling direction of the sound wave. At this time, if the length (thickness) of the sound wave delay portion is increased, the delay amount is adjusted to be larger.

10、20、30、40、50 MEMSマイク(マイクロホン装置)
12、412 カバー基板
13、213、413 ベース基板
14 振動部
17、417 マイクロホン筐体(筐体)
51a、121a、121b、231a、231b、232a、301a、302a、401a、402a、431c、433b 音波遅延部
100 携帯電話(電子機器)
141 ダイアフラム(振動板)
142 バックプレート電極(固定電極)
171、471、571 第1音道
172、472、572 第2音道
301、302、401、402 音波遅延部材
10, 20, 30, 40, 50 MEMS microphone (microphone device)
12, 412 Cover substrate 13, 213, 413 Base substrate 14 Vibration unit 17, 417 Microphone housing (housing)
51a, 121a, 121b, 231a, 231b, 232a, 301a, 302a, 401a, 402a, 431c, 433b Sound wave delay unit 100 Mobile phone (electronic device)
141 Diaphragm (diaphragm)
142 Back plate electrode (fixed electrode)
171, 471, 571 First sound path 172, 472, 572 Second sound path 301, 302, 401, 402 Sound wave delay member

Claims (12)

音波により振動する振動板を含み、前記振動板の振動に基づいて音波を電気信号に変換する振動部と、
内部に前記振動部を収容するとともに、前記振動板の一方の面に音波を導く第1音道と、前記振動板の他方の面に音波を導く第2音道とを含む筐体とを備え、
前記第1音道および前記第2音道の一方には、音波の進行方向に略直交する音道の断面を小さくして他方に対して音波を遅延させる音波遅延部が形成されている、マイクロホン装置。
A vibration part that vibrates with sound waves, and a vibration part that converts sound waves into electrical signals based on vibrations of the vibration plate;
A housing including the vibration portion therein, a first sound path for guiding sound waves to one surface of the diaphragm, and a second sound path for guiding sound waves to the other surface of the diaphragm. ,
A microphone in which one of the first sound path and the second sound path is formed with a sound wave delay unit that reduces the cross section of the sound path substantially orthogonal to the traveling direction of the sound wave and delays the sound wave with respect to the other. apparatus.
前記音波遅延部は、前記第1音道および前記第2音道の一方の音道の前記断面を局所的に小さくすることにより、他方に対して音波を遅延させるように構成されている、請求項1に記載のマイクロホン装置。   The sound wave delay unit is configured to delay a sound wave relative to the other by locally reducing the cross section of one of the first sound path and the second sound path. Item 2. The microphone device according to Item 1. 前記音波遅延部は、前記第1音道および前記第2音道の一方の音道の前記断面を局所的に小さくすることにより、他方に対して音波を30μ秒以上50μ秒以下遅延させるように構成されている、請求項2に記載のマイクロホン装置。   The sound wave delay unit is configured to locally reduce the cross section of one of the first sound path and the second sound path so as to delay the sound wave from 30 μs to 50 μs with respect to the other. The microphone device according to claim 2, which is configured. 前記音波遅延部は、前記第1音道および前記第2音道の一方の音道の前記断面を局所的に1.9×10−9以上18×10−9以下の大きさにすることにより、他方に対して音波を30μ秒以上50μ秒以下遅延させるように構成されている、請求項3に記載のマイクロホン装置。 The sound wave delay unit locally has a size of 1.9 × 10 −9 m 2 or more and 18 × 10 −9 m 2 or less of the cross section of one of the first and second sound paths. 4. The microphone device according to claim 3, wherein the microphone device is configured to delay the sound wave by 30 μsec or more and 50 μsec or less with respect to the other. 前記音波遅延部は、音波の進行方向における長さが20μm以上100μm以下になるように形成されている、請求項4に記載のマイクロホン装置。   The microphone device according to claim 4, wherein the sound wave delay unit is formed so that a length in a sound wave traveling direction is 20 μm or more and 100 μm or less. 前記第1音道および前記第2音道の一方のうち、前記音波遅延部が設けられた箇所以外の箇所と、前記第1音道および前記第2音道の他方との音波の進行方向に略直交する音道の断面は、70×10−9以上の大きさを有し、
前記音波遅延部は、前記第1音道および前記第2音道の一方の音道の前記断面を局所的に1.9×10−9以上18×10−9以下の大きさに小さくするように構成されている、請求項4または5に記載のマイクロホン装置。
Of one of the first sound path and the second sound path, in a traveling direction of sound waves between a position other than the position where the sound wave delay unit is provided and the other of the first sound path and the second sound path. The cross section of the substantially orthogonal sound path has a size of 70 × 10 −9 m 2 or more,
The sound wave delay unit locally has a size of 1.9 × 10 −9 m 2 or more and 18 × 10 −9 m 2 or less of the cross section of one of the first and second sound paths. The microphone device according to claim 4, wherein the microphone device is configured to be made smaller.
前記振動部は、前記振動板の他方の面に対向するように配置された固定電極をさらに含み、前記振動板の振動に起因して前記振動板と前記固定電極との間の間隔が変動されることにより音波を電気信号に変換するように構成されており、
前記音波遅延部は、前記振動板の一方の面に音波を導く前記第1音道に設けられている、請求項1〜6のいずれか1項に記載のマイクロホン装置。
The vibration unit further includes a fixed electrode disposed so as to face the other surface of the diaphragm, and an interval between the diaphragm and the fixed electrode is changed due to vibration of the diaphragm. Is configured to convert sound waves into electrical signals,
The microphone device according to claim 1, wherein the sound wave delay unit is provided in the first sound path that guides a sound wave to one surface of the diaphragm.
前記筐体は、前記振動部が搭載されるベース基板と、前記振動部を覆うように設けられるカバー基板とを含み、
前記音波遅延部は、前記ベース基板または前記カバー基板に形成されている、請求項1〜7のいずれか1項に記載のマイクロホン装置。
The housing includes a base substrate on which the vibration unit is mounted, and a cover substrate provided so as to cover the vibration unit,
The microphone device according to claim 1, wherein the sound wave delay unit is formed on the base substrate or the cover substrate.
前記筐体は、前記振動部が搭載されるベース基板と、前記振動部を覆うように設けられるカバー基板とを含み、
前記ベース基板または前記カバー基板の表面には、前記音波遅延部を有する板状の音波遅延部材が貼付されている、請求項1〜7のいずれか1項に記載のマイクロホン装置。
The housing includes a base substrate on which the vibration unit is mounted, and a cover substrate provided so as to cover the vibration unit,
The microphone device according to any one of claims 1 to 7, wherein a plate-like sound wave delay member having the sound wave delay portion is attached to a surface of the base substrate or the cover substrate.
前記音波遅延部により音波を遅延させることによって両指向性と全指向性との間の指向性を有するように構成されている、請求項1〜9のいずれか1項に記載のマイクロホン装置。   The microphone device according to any one of claims 1 to 9, wherein the microphone device is configured to have a directivity between both directivity and omnidirectionality by delaying a sound wave by the sound wave delay unit. 音源が遠距離に位置する場合には、両指向性と全指向性との間の指向性のうち、音源が近距離に位置する場合よりも両指向性に近い指向性を有するように構成されている、請求項10に記載のマイクロホン装置。   When the sound source is located at a long distance, the directivity between the bi-directionality and the omnidirectionality is configured to have a directivity closer to the bi-directional than when the sound source is located at a short distance. The microphone device according to claim 10. マイクロホン装置を備える電子機器であって、
前記マイクロホン装置は、音波により振動する振動板を含み、前記振動板の振動に基づいて音波を電気信号に変換する振動部と、内部に前記振動部を収容するマイクロホン筐体とを備え、
前記電子機器の外表面から通ずるとともに前記振動板の一方の面に音波を導く第1音道と、前記電子機器の外表面から通ずるとともに前記振動板の他方の面に音波を導く第2音道とが形成されており、
前記第1音道および前記第2音道の一方には、音波の進行方向に略直交する音道の断面を小さくして他方に対して音波を遅延させる音波遅延部が形成されている、電子機器。
An electronic device including a microphone device,
The microphone device includes a vibration plate that vibrates with sound waves, and includes a vibration unit that converts sound waves into an electrical signal based on vibrations of the vibration plate, and a microphone housing that houses the vibration unit therein.
A first sound path that leads from the outer surface of the electronic device and guides a sound wave to one surface of the diaphragm, and a second sound path that leads from the outer surface of the electronic device and guides a sound wave to the other surface of the diaphragm And are formed,
One of the first sound path and the second sound path is formed with a sound wave delay unit that reduces the cross section of the sound path substantially perpendicular to the traveling direction of the sound wave and delays the sound wave with respect to the other. machine.
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