JP2013095655A5 - - Google Patents
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Description
本発明におけるＸ線回折条件は、以下のとおりである。
分析装置：理学電機製「Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−１５００」
分析条件
ターゲット：Ｃｕ
単色化：モノクロメートを使用（Ｋα）
ターゲット出力：４０ｋＶ−２００ｍＡ
（連続測定）θ／２θ走査
スリット：発散１／２°、散乱１／２°、受光０．１５ｍｍ
モノクロメータ受光スリット：０．６ｍｍ
走査速度：２°／ｍｉｎ
サンプリング幅：０．０２°
測定角度（２θ）：５〜９０°
分析装置：理学電機製「Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−１５００」
分析条件
ターゲット：Ｃｕ
単色化：モノクロメートを使用（Ｋα）
ターゲット出力：４０ｋＶ−２００ｍＡ
（連続測定）θ／２θ走査
スリット：発散１／２°、散乱１／２°、受光０．１５ｍｍ
モノクロメータ受光スリット：０．６ｍｍ
走査速度：２°／ｍｉｎ
サンプリング幅：０．０２°
測定角度（２θ）：５〜９０°
本発明では焼結を２段階の加熱工程にわけて行うことによって（図２）、所望の結晶相構成とし、相対密度を高めることができる。詳細な機構は明らかではないが、第一の焼結工程で焼結体の緻密化と還元が進行し、第二の焼結工程で更に還元が進行すると共に原料酸化物の固溶反応が進んで所望の複合酸化物（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（ｍ＝５、６、７））が生成すると考えられる。また焼結を２段階の工程に分けて行うことで、焼結体の緻密化と複合酸化物生成を夫々最適な条件で実施できるため、所望の結晶相を有する酸化物焼結体が高い相対密度で得られると推定される。
分析装置：理学電機製「Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−１５００」
分析条件：
ターゲット：Ｃｕ
単色化：モノクロメートを使用（Ｋα）
ターゲット出力：４０ｋＶ−２００ｍＡ
（連続測定）θ／２θ走査
スリット：発散１／２°、散乱１／２°、受光０．１５ｍｍ
モノクロメータ受光スリット：０．６ｍｍ
走査速度：２°／ｍｉｎ
サンプリング幅：０．０２°
測定角度（２θ）：５〜９０°
分析条件：
ターゲット：Ｃｕ
単色化：モノクロメートを使用（Ｋα）
ターゲット出力：４０ｋＶ−２００ｍＡ
（連続測定）θ／２θ走査
スリット：発散１／２°、散乱１／２°、受光０．１５ｍｍ
モノクロメータ受光スリット：０．６ｍｍ
走査速度：２°／ｍｉｎ
サンプリング幅：０．０２°
測定角度（２θ）：５〜９０°
Claims (3)
- 酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、
前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（ｍは５〜７の整数）相を主相とし、Ｉｎ2Ｏ3、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度８５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下であり、
前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｉｎ］、［Ｔｉ］、［Ｍｇ］、［Ａｌ］、および［Ｎｂ］としたとき、［Ｚｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］＋［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］に対する［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］の比は、それぞれ下式を満足し、
前記酸化物焼結体に含まれる前記Ｚｎ m Ｉｎ 2 Ｏ 3+m 、前記Ｉｎ 2 Ｏ 3 、及び前記ＺｎＯの合計に対する各結晶相の体積比は、下式を満足することを特徴とする酸化物焼結体。
０．２７≦［Ｉｎ］／［Ｚｎ］≦０．４５
（［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］）／（［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］＋［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］）≦０．１
Ｚｎ m Ｉｎ 2 Ｏ 3+m ／（Ｚｎ m Ｉｎ 2 Ｏ 3+m ＋Ｉｎ 2 Ｏ 3 ＋ＺｎＯ）≧０．７５
０．００５≦Ｉｎ 2 Ｏ 3 ／（Ｚｎ m Ｉｎ 2 Ｏ 3+m ＋Ｉｎ 2 Ｏ 3 ＋ＺｎＯ）≦０．１５
０．００５≦ＺｎＯ／（Ｚｎ m Ｉｎ 2 Ｏ 3+m ＋Ｉｎ 2 Ｏ 3 ＋ＺｎＯ）≦０．２０
（但し、Ｚｎ m Ｉｎ 2 Ｏ 3+m はＺｎ 5 Ｉｎ 2 Ｏ 8 、Ｚｎ 6 Ｉｎ 2 Ｏ 9 、Ｚｎ 7 Ｉｎ 2 Ｏ 10 の合計である。） - 請求項１に記載の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲット。
- 請求項１に記載の酸化物焼結体の製造方法であって、
酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物とを混合し、黒鉛型にセットした後、焼結温度９５０〜１０５０℃、該温度域での保持時間０．１〜５時間で焼結する第一の焼結工程と、
前記第一の焼結工程後、焼結温度１１００〜１２００℃、該温度域での保持時間０．１〜５時間で焼結する第二の焼結工程とを包含すると共に、
前記第一の焼結工程と前記第二の焼結工程を、加圧圧力１００〜５００ｋｇｆ／ｃｍ2で行うことを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011242891A JP5337224B2 (ja) | 2011-11-04 | 2011-11-04 | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法 |
| PCT/JP2012/078327 WO2013065786A1 (ja) | 2011-11-04 | 2012-11-01 | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法 |
| TW101140799A TW201333230A (zh) | 2011-11-04 | 2012-11-02 | 氧化物燒結體及濺鍍靶，以及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011242891A JP5337224B2 (ja) | 2011-11-04 | 2011-11-04 | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013095655A JP2013095655A (ja) | 2013-05-20 |
| JP2013095655A5 true JP2013095655A5 (ja) | 2013-06-27 |
| JP5337224B2 JP5337224B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=48192124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011242891A Active JP5337224B2 (ja) | 2011-11-04 | 2011-11-04 | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP6800405B2 (ja) * | 2016-07-14 | 2020-12-16 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体、その製造方法及びスパッタリングターゲット |
| WO2018211724A1 (ja) * | 2017-05-16 | 2018-11-22 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、酸化物半導体膜、ならびに半導体デバイスの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2150724A1 (en) * | 1992-12-15 | 1994-06-23 | Akira Kaijou | Transparent electrically conductive layer, electrically conductive transparent substrate and electrically conductive material |
| JP4234006B2 (ja) * | 2001-07-17 | 2009-03-04 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲットおよび透明導電膜 |
| JP4488184B2 (ja) * | 2004-04-21 | 2010-06-23 | 出光興産株式会社 | 酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化マグネシウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜 |
| US8461583B2 (en) * | 2007-12-25 | 2013-06-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same |
| JP5096250B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2012-12-12 | 出光興産株式会社 | 酸化物焼結体の製造方法、酸化物焼結体、スパッタリングタ−ゲット、酸化物薄膜、薄膜トランジスタの製造方法及び半導体装置 |
-
2011
- 2011-11-04 JP JP2011242891A patent/JP5337224B2/ja active Active
-
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- 2012-11-01 WO PCT/JP2012/078327 patent/WO2013065786A1/ja active Application Filing
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