JP2013089545A

JP2013089545A - Lighting device

Info

Publication number: JP2013089545A
Application number: JP2011231365A
Authority: JP
Inventors: Kosuke Katabe; 浩介形部; Toru Miyake; 徹三宅; Tomoya Tabuchi; 智也田淵
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2011-10-21
Filing date: 2011-10-21
Publication date: 2013-05-13

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lighting device capable of illuminating a wide range and elongating product life by suppressing power consumption of each semiconductor light emitting element.SOLUTION: The lighting device 1 includes a frame 2 having an opening H, a bent substrate 5 placed in the frame 2 which includes a first mounting surface R1 mounting first semiconductor light emitting elements 3 and a second mounting surface R2 mounting second semiconductor light emitting elements 4, both R1 and R2 disposed facing to the opening H and intersecting each other in cross sectional view, and a recess C formed at the intersection portion, and a translucent cover 6 disposed along an edge of the opening H and covering the bent substrate 5.

Description

本発明は、半導体発光素子を含む照明装置に関するものである。 The present invention relates to a lighting device including a semiconductor light emitting element.

近年、発光ダイオード(ＬＥＤ：Light Emitting Diode)等の半導体発光素子を光源とする照明装置の開発が進められている。そして、複数の半導体発光素子を設けることで、広範囲を照らし出すことが可能な照明装置が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。ところが、一つの基板に複数の半導体発光素子を実装した場合は、半導体発光素子が発光時に発生する熱が、隣接する半導体発光素子に伝えわることで、熱が伝わった半導体発光素子の輝度が変化し、ひいては発光効率が低下するとともに消費電力が大きくなり、製品寿命が短くなる虞がある。 2. Description of the Related Art In recent years, development of lighting devices using a semiconductor light emitting element such as a light emitting diode (LED) as a light source has been promoted. And the illuminating device which can illuminate the wide range by providing a some semiconductor light-emitting element is proposed (for example, refer patent document 1). However, when a plurality of semiconductor light emitting elements are mounted on one substrate, the heat generated by the semiconductor light emitting elements is transferred to the adjacent semiconductor light emitting elements, thereby changing the brightness of the semiconductor light emitting elements to which the heat has been transmitted. As a result, the light emission efficiency decreases and the power consumption increases, which may shorten the product life.

特開２００４−２００１０２号公報JP 2004-200102 A

本発明は、広範囲を照らすことが可能な照明装置であって、各半導体発光素子の消費電力を抑えることで、製品寿命を長くすることが可能な照明装置を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an illuminating device that can illuminate a wide range, and that can reduce the power consumption of each semiconductor light emitting element, thereby extending the product life.

本発明の一実施形態に係る照明装置は、開口部を有するフレームと、前記フレーム内に設けられた、第１半導体発光素子が設けられる第１実装面および第２半導体発光素子が設けられる第２実装面を有し、前記第１実装面および前記第２実装面が前記開口部に向かって配置され、且つ断面視して前記第１実装面と前記第２実装面とが交差するとともに、当該交差個所に凹部が形成された屈曲基板と、前記開口部の縁に沿って設けられた、前記屈曲基板を覆う透光性カバーと、を備えている。 An illumination device according to an embodiment of the present invention includes a frame having an opening, a first mounting surface provided in the frame and provided with a first semiconductor light emitting element, and a second semiconductor light emitting element. A mounting surface, wherein the first mounting surface and the second mounting surface are disposed toward the opening, and the first mounting surface and the second mounting surface intersect with each other in a cross-sectional view; A bent substrate having recesses formed at the intersections; and a translucent cover provided along the edge of the opening to cover the bent substrate.

本発明によれば、広範囲を照らすとともに、各半導体発光素子の消費電力を抑えることで、製品寿命を長くすることが可能な照明装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while illuminating a wide range and suppressing the power consumption of each semiconductor light-emitting element, the illuminating device which can lengthen a product life can be provided.

本発明の一実施形態に係る照明装置の平面図である。It is a top view of the illuminating device which concerns on one Embodiment of this invention. 図１に示す照明装置のＸ−Ｘ’に沿った断面図である。It is sectional drawing along X-X 'of the illuminating device shown in FIG. 図２に示した照明装置のフレームを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the flame | frame of the illuminating device shown in FIG. 図２に示す照明装置の一部Ａを拡大した断面図である。It is sectional drawing to which some A of the illuminating devices shown in FIG. 2 were expanded. 本発明の一実施形態に係る照明装置の屈曲基板を示した概観斜視図である。It is the general-view perspective view which showed the bending board | substrate of the illuminating device which concerns on one Embodiment of this invention. 図５に示す屈曲基板のＹ−Ｙ’に沿った断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view along Y-Y ′ of the bent substrate shown in FIG. 5. 照明装置を構成する半導体発光素子の内部を示した概観斜視図である。It is the general | schematic perspective view which showed the inside of the semiconductor light-emitting element which comprises an illuminating device. 図７に示す半導体発光素子のＺ−Ｚ’に沿った断面図である。It is sectional drawing along Z-Z 'of the semiconductor light-emitting device shown in FIG. 一変形例に係る照明装置の断面図であって、図２の断面に相当する。It is sectional drawing of the illuminating device which concerns on one modification, Comprising: It corresponds to the cross section of FIG.

以下に添付図面を参照して、本発明にかかる照明装置の実施形態を説明する。なお、本
発明は以下の実施形態に限定されないものである。 Embodiments of a lighting device according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited to the following embodiment.

図１は、照明装置の平面視した平面図であって、一対のライン上のそれぞれに、複数の半導体発光素子の光源が並んでいる。図２は、照明装置の内部を示した断面図である。図３は、照明装置の内部の構成を取り外したフレームを示している。図４は、照明装置の一部を拡大した断面図であって、フレームに屈曲基板を取り付けた個所を示している。図５は、屈曲基板のみを示した概観斜視図である。図６は、屈曲基板の断面図であって、半導体発光素子と屈曲基板との配置関係を示している。図７は、半導体発光素子の内部を示した概観斜視図である。図８は、半導体発光素子の内部を示した断面図である。 FIG. 1 is a plan view of the lighting device in plan view, in which light sources of a plurality of semiconductor light emitting elements are arranged on each of a pair of lines. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the inside of the illumination device. FIG. 3 shows the frame from which the internal structure of the lighting device is removed. FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a part of the lighting device, and shows a portion where a bent substrate is attached to the frame. FIG. 5 is an overview perspective view showing only the bent substrate. FIG. 6 is a cross-sectional view of the bent substrate, showing the positional relationship between the semiconductor light emitting element and the bent substrate. FIG. 7 is a schematic perspective view showing the inside of the semiconductor light emitting device. FIG. 8 is a cross-sectional view showing the inside of the semiconductor light emitting device.

＜照明装置の構成＞
照明装置１は、天井または壁等の室内に直接取り付けるか、あるいは、屋外にて使用するものである。そして、照明装置１から発せられる光は、室内または屋外を照らすことができる。 <Configuration of lighting device>
The lighting device 1 is directly attached to a room such as a ceiling or a wall, or is used outdoors. And the light emitted from the illuminating device 1 can illuminate indoors or outdoors.

照明装置１は、開口部Ｈを有するフレーム２と、フレーム２内に設けられた、第１半導体発光素子３が設けられる第１実装面Ｒ１および第２半導体発光素子４が設けられる第２実装面Ｒ２を有し、第１実装面Ｒ１および第２実装面Ｒ２が開口部Ｈに向かって配置され、且つ断面視して第１実装面Ｒ１と第２実装面Ｒ２とが交差するとともに、当該交差個所に凹部Ｃが形成された屈曲基板５と、開口部Ｈの縁に沿って設けられた、屈曲基板５を覆う透光性カバー６と、を備えている。 The lighting device 1 includes a frame 2 having an opening H, and a first mounting surface R1 provided in the frame 2 on which the first semiconductor light emitting element 3 is provided and a second mounting surface on which the second semiconductor light emitting element 4 is provided. R2 and the first mounting surface R1 and the second mounting surface R2 are arranged toward the opening H, and the first mounting surface R1 and the second mounting surface R2 intersect in cross section, and the intersection A bent substrate 5 having a recess C formed at a location and a translucent cover 6 provided along the edge of the opening H and covering the bent substrate 5 are provided.

フレーム２は、各部材を保持する機能と、各半導体発光素子の発する熱を外部に放散させる機能を有している。フレーム２は、例えば、アルミニウム、銅またはステンレス等の金属、プラスチップまたは樹脂等から構成され、平面視して直方体形状であって、開口部Ｈを有している。そして、開口部Ｈ内に、屈曲基板５、リフレクター７が設けられており、開口部Ｈの縁に透光性カバー６が設けられている。 The frame 2 has a function of holding each member and a function of dissipating heat generated by each semiconductor light emitting element to the outside. The frame 2 is made of, for example, a metal such as aluminum, copper, or stainless steel, a plus chip, a resin, or the like, has a rectangular parallelepiped shape in plan view, and has an opening H. A bent substrate 5 and a reflector 7 are provided in the opening H, and a translucent cover 6 is provided on the edge of the opening H.

また、フレーム２の外形は、略円筒状の筒体の一部を当該筒の長手方向に沿って開口したものである。フレーム２は、平面視したときに一辺の長さが、例えば２００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下に設定されている。フレーム２は、図２に示すように、上下方向の長さが、例えば２０ｍｍ以上５０ｍｍ以下に設定されている。 Further, the outer shape of the frame 2 is such that a part of a substantially cylindrical cylinder is opened along the longitudinal direction of the cylinder. The frame 2 is set to have a side length of, for example, 200 mm or more and 2000 mm or less when viewed in plan. As shown in FIG. 2, the frame 2 is set to have a vertical length of, for example, 20 mm or more and 50 mm or less.

フレーム２は、半導体発光素子の発する熱を効率よく外部に放散することによって、フレーム２内の温度が高温になるのを抑制することができ、フレーム２内に設置されるリフレクター７の反射率や透光性カバー６の透過率が熱によって低下するのを抑えることができる。フレーム２の熱伝導率は、例えば、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上５００Ｗ／ｍ・Ｋ以下で設定されている。 The frame 2 can suppress the temperature in the frame 2 from becoming high by efficiently dissipating the heat generated by the semiconductor light emitting element to the outside, and the reflectance of the reflector 7 installed in the frame 2 It can suppress that the transmittance | permeability of the translucent cover 6 falls with a heat | fever. The thermal conductivity of the frame 2 is set, for example, from 10 W / m · K to 500 W / m · K.

フレーム２の開口部Ｈの縁に、透光性カバー６を保持する保持部２１が設けられている。また、フレーム２の内壁面には、内方に向かって突出する凸部２２が設けられている。凸部２２は、リフレクター７を引掛けるものである。また、フレーム２の内壁面に屈曲基板５が一体化して固定されている。 A holding portion 21 that holds the translucent cover 6 is provided at the edge of the opening H of the frame 2. Further, the inner wall surface of the frame 2 is provided with a convex portion 22 that protrudes inward. The convex part 22 hooks the reflector 7. Further, the bent substrate 5 is integrally fixed to the inner wall surface of the frame 2.

保持部２１は、開口部Ｈの縁に設けられた、透光性カバー６の厚み分の大きさに切り欠いた溝であって、透光性カバー６を平面方向にスライドさせて嵌め合わせることができる。そして、保持部２１は、透光性カバー６を嵌め合わせた状態で、透光性カバー６が落下しないように支持することができる。 The holding portion 21 is a groove provided at the edge of the opening H and cut out to a size corresponding to the thickness of the translucent cover 6, and the translucent cover 6 is slid and fitted in the planar direction. Can do. And the holding | maintenance part 21 can be supported so that the translucent cover 6 may not fall in the state which fitted the translucent cover 6. FIG.

透光性カバー６は、フレーム２の開口縁に設けられる。フレーム２の屈曲基板５に半導
体発光素子を設けた状態で、透光性カバー６をフレーム２に嵌め合わせることで、フレーム２内の各半導体発光素子を外部から保護することができる。なお、透光性カバー６は、半導体発光装置３から発せられる光が透過する材料からなり、例えば樹脂またはガラス等の光透光性の材料から構成される板体である。 The translucent cover 6 is provided at the opening edge of the frame 2. By fitting the translucent cover 6 to the frame 2 in a state where the semiconductor light emitting elements are provided on the bent substrate 5 of the frame 2, each semiconductor light emitting element in the frame 2 can be protected from the outside. The translucent cover 6 is made of a material through which light emitted from the semiconductor light emitting device 3 is transmitted, and is a plate made of a translucent material such as resin or glass.

凸部２２は、下方から上方に向かってリフレクター７を嵌め合わせて、リフレクター７の端部を引掛けることができる。凸部２２は、リフレクター７を嵌め合わせた状態で、リフレクター７が落下しないように引っ掛けることができる。 The convex part 22 can engage the reflector 7 from the lower part to the upper part and hook the end part of the reflector 7. The convex portion 22 can be hooked so that the reflector 7 does not fall in a state where the reflector 7 is fitted.

リフレクター７は、屈曲基板５と透光性カバー６の間に設けられている。そして、リフレクター７は、フレーム２の内壁面に設けられた凸部２２に引掛けて設けられ、各半導体発光素子のそれぞれと対応する個所に導光孔７ｈが設けられている。 The reflector 7 is provided between the bent substrate 5 and the translucent cover 6. The reflector 7 is provided so as to be hooked on the convex portion 22 provided on the inner wall surface of the frame 2, and light guide holes 7 h are provided at locations corresponding to the respective semiconductor light emitting elements.

リフレクター７は、各半導体発光素子の側面を取り囲むように設けられている。リフレクター７は、各半導体発光素子から出射された光を反射させるものであり、例えば、アルミ二ウム、銅またはステンレス等の熱伝導性の優れた良導体から構成されている。また、リフレクター７は、金型によって成型されたポリカーボネート樹脂から成るリフレクター７の内壁面に、アルミニウムを蒸着することによって構成されてもよい。なお、リフレクター７の熱伝導率は、例えば、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上５００Ｗ／ｍ・Ｋ以下で設定されている。 The reflector 7 is provided so as to surround the side surface of each semiconductor light emitting element. The reflector 7 reflects light emitted from each semiconductor light emitting element, and is made of a good conductor having excellent thermal conductivity such as aluminum, copper, or stainless steel, for example. Moreover, the reflector 7 may be comprised by vapor-depositing aluminum on the inner wall face of the reflector 7 which consists of polycarbonate resin shape | molded with the metal mold | die. The thermal conductivity of the reflector 7 is set, for example, from 10 W / m · K to 500 W / m · K.

リフレクター７の導光孔７ｈは、各半導体発光素子からリフレクター７の出射口に向かうにつれて広がって形成されている。リフレクター７は、いわゆるパラボラ形状の円筒体である。リフレクター７で囲まれる領域が、リフレクター７の出射口に向かうにつれて大きくなることで、リフレクター７によって各半導体発光素子から水平方向に発する光を透光性カバー６の方向に反射させることができるとともに、各半導体発光素子から透光性カバー６の方向に発する光を遮りにくくすることができ、各半導体発光素子の発する光の照射面を明るくすることができるとともに広くすることができる。 The light guide hole 7 h of the reflector 7 is formed so as to expand from each semiconductor light emitting element toward the exit of the reflector 7. The reflector 7 is a so-called parabolic cylindrical body. While the area surrounded by the reflector 7 becomes larger toward the exit of the reflector 7, the light emitted from each semiconductor light emitting element in the horizontal direction by the reflector 7 can be reflected in the direction of the translucent cover 6. The light emitted from each semiconductor light emitting element toward the translucent cover 6 can be made difficult to block, and the irradiation surface of the light emitted from each semiconductor light emitting element can be brightened and widened.

リフレクター７は、導光孔７ｈが外方に向かって広がるように形成されており、リフレクター７の端部は、屈曲基板５に向かって折れ曲った引掛部７１が設けられている。その引掛部７１が、フレーム２の凸部２２に引っ掛けられる。 The reflector 7 is formed so that the light guide hole 7 h extends outward, and an end portion of the reflector 7 is provided with a hook portion 71 that is bent toward the bent substrate 5. The hook portion 71 is hooked on the convex portion 22 of the frame 2.

屈曲基板５は、フレーム２の内壁面に固定されている。屈曲基板５は、複数の半導体発光素子を設けることができる。屈曲基板５は、矩形状の板体を長手方向に沿って折れ曲げて形成したものである。折れ曲げる前の矩形状の板体は、一辺の長さが、例えば２０ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であって、その厚みは、例えば０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。 The bent substrate 5 is fixed to the inner wall surface of the frame 2. The bent substrate 5 can be provided with a plurality of semiconductor light emitting elements. The bent substrate 5 is formed by bending a rectangular plate body along the longitudinal direction. The rectangular plate body before being bent has a length of one side of, for example, 20 mm or more and 2000 mm or less, and a thickness of, for example, 0.5 mm or more and 2 mm or less.

屈曲基板５は、図２に示すように、下方に向かって第１実装面Ｒ１および第２実装面Ｒ２が開口部Ｈに向かって配置されている。凹部Ｃは、屈曲基板５の第１実装面Ｒ１および第２実装面Ｒ２が設けられる側とは反対の裏面側に位置している。そして、凹部Ｃは、屈曲基板５の長手方向に沿って溝となるように形成されている。 As shown in FIG. 2, the bent substrate 5 has a first mounting surface R <b> 1 and a second mounting surface R <b> 2 arranged toward the opening H downward. The recess C is located on the back side opposite to the side on which the first mounting surface R1 and the second mounting surface R2 of the bent substrate 5 are provided. The recess C is formed to be a groove along the longitudinal direction of the bent substrate 5.

凹部Ｃは、図２に示すように、上下方向の深さが、例えば０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に設定されている。また、凹部Ｃは、図２に示すように、平面方向の大きさが、例えば０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に設定されている。また、凹部Ｃは、平面視したときの長さが、例えば１００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下に設定されている。 As shown in FIG. 2, the depth of the concave portion C is set to be 0.2 mm or more and 1.5 mm or less, for example. Further, as shown in FIG. 2, the size of the concave portion C in the planar direction is set to, for example, 0.2 mm or more and 1.5 mm or less. Further, the length of the concave portion C when viewed in plan is set to, for example, 100 mm or more and 2000 mm or less.

屈曲基板５の第１実装面Ｒ１および第２実装面Ｒ２には、第１半導体発光素子３を実装
する実装基板８が設けられている。実装基板８は、直方体形状であって、その長手方向寸法がフレーム２の開口部Ｈと略同じ長さを有した長尺の板体である。実装基板８は、例えば、樹脂からなるプリント配線基板等の樹脂基板、あるいは開口部Ｈ側の一面に配線パターンが形成されたガラス基板、あるいはアルミ基板等の金属板が用いられる。そして、実装基板８に複数の半導体発光素子を実装することができる。 On the first mounting surface R1 and the second mounting surface R2 of the bent substrate 5, a mounting substrate 8 on which the first semiconductor light emitting element 3 is mounted is provided. The mounting substrate 8 is a rectangular parallelepiped shape, and is a long plate having a length in the longitudinal direction substantially the same as the opening H of the frame 2. As the mounting substrate 8, for example, a resin substrate such as a printed wiring substrate made of resin, a glass substrate in which a wiring pattern is formed on one surface of the opening H side, or a metal plate such as an aluminum substrate is used. A plurality of semiconductor light emitting elements can be mounted on the mounting substrate 8.

実装基板８および屈曲基板５のそれぞれには、両者を貫通する螺子孔が設けられており、螺子９を介して実装基板８と屈曲基板５とを固定することができる。実装基板８には、複数の半導体発光素子が等間隔に実装されている。 Each of the mounting substrate 8 and the bending substrate 5 is provided with a screw hole penetrating both, and the mounting substrate 8 and the bending substrate 5 can be fixed via the screw 9. A plurality of semiconductor light emitting elements are mounted on the mounting substrate 8 at equal intervals.

屈曲基板５の裏面には、実装基板８を介して各半導体発光素子を駆動する駆動部１０が設けられている。駆動部１０は、屈曲基板５の一部に孔を空けて当該孔から配線を引き回して、実装基板８と電気的に接続されている。 On the back surface of the bent substrate 5, a driving unit 10 that drives each semiconductor light emitting element via the mounting substrate 8 is provided. The drive unit 10 is electrically connected to the mounting substrate 8 by forming a hole in a part of the bent substrate 5 and drawing a wiring from the hole.

駆動部１０は、各半導体発光素子と電気的に接続されている。駆動部１０は、外部電源と電気的に接続されており、外部電源から電気が供給される。なお、駆動部１０の設けられる箇所は、半導体発光装置３の発光素子３３と電気的に接続されるのであれば、例えば第１実装面Ｒ１または第２実装面Ｒ２側に設けられてもよい。 The drive unit 10 is electrically connected to each semiconductor light emitting element. The drive unit 10 is electrically connected to an external power source, and electricity is supplied from the external power source. In addition, as long as the location in which the drive part 10 is provided is electrically connected with the light emitting element 33 of the semiconductor light emitting device 3, it may be provided on the first mounting surface R1 side or the second mounting surface R2 side, for example.

＜半導体発光素子の構成＞
半導体発光素子は、基板３１と、基板３１上に設けられる発光チップ３２と、発光チップ３２を取り囲む枠体３３と、枠体３３で囲まれる領域に設けられる封止樹脂３４と、枠体３３によって支持され、接着樹脂３５を介して枠体３３に接続される波長変換部材３６を備えている。 <Configuration of semiconductor light emitting device>
The semiconductor light emitting element includes a substrate 31, a light emitting chip 32 provided on the substrate 31, a frame 33 surrounding the light emitting chip 32, a sealing resin 34 provided in a region surrounded by the frame 33, and the frame 33. A wavelength conversion member 36 that is supported and connected to the frame 33 through an adhesive resin 35 is provided.

発光チップ３２は、例えば、発光ダイオードであって、発光チップ３２内のｐｎ接合中の電子と正孔が再結合することによって、発光チップ３２から外部に向かって光として放出される。なお、発光チップ３２は、指向性が優れている。 The light-emitting chip 32 is, for example, a light-emitting diode, and is emitted as light from the light-emitting chip 32 to the outside by recombination of electrons and holes in the pn junction in the light-emitting chip 32. The light emitting chip 32 has excellent directivity.

基板３１は、実装基板８上に設けられる。実装基板８と基板３１とは、半田または導電性接着剤を介して電気的に導通されるように接合される。基板３１は、例えば、アルミナ、ムライトまたはガラスセラミックス等のセラミック材料、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から構成することができる。また、基板３１は、金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。 The substrate 31 is provided on the mounting substrate 8. The mounting substrate 8 and the substrate 31 are joined so as to be electrically connected via solder or a conductive adhesive. The substrate 31 can be made of, for example, a ceramic material such as alumina, mullite, or glass ceramics, or a composite material obtained by mixing a plurality of these materials. The substrate 31 can be made of a polymer resin in which metal oxide fine particles are dispersed.

基板３１の表面が拡散面である場合、発光チップ３２から発せられる光が、基板３１の表面にて照射されて拡散反射する。そして、発光チップ３２が発する光を拡散反射によって多方向に放射し、発光チップ３２から発せられる光が特定箇所に集中するのを抑制することができる。 When the surface of the substrate 31 is a diffusing surface, light emitted from the light emitting chip 32 is irradiated on the surface of the substrate 31 and diffusely reflected. And the light which the light emitting chip 32 emits can be radiated | emitted in multiple directions by diffuse reflection, and it can suppress that the light emitted from the light emitting chip 32 concentrates on a specific location.

ここで、基板３１には、配線導体が設けられており、配線導体を介して実装基板８と電気的に接続されている。配線導体は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の導電材料からなる。配線導体は、例えば、タングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、基板３１に所定パターンで印刷することにより得られる。 Here, the substrate 31 is provided with a wiring conductor, and is electrically connected to the mounting substrate 8 via the wiring conductor. The wiring conductor is made of a conductive material such as tungsten, molybdenum, manganese, or copper. The wiring conductor is obtained, for example, by printing a metal paste obtained by adding an organic solvent to a powder such as tungsten on the substrate 31 in a predetermined pattern.

発光チップ３２は、基板３１上であって実装領域Ｒに実装される。具体的には、発光チップ３２は、基板３１上に形成される配線導体上に、例えば、半田または導電性接着剤等の接着材料、あるいはボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。 The light emitting chip 32 is mounted on the substrate 31 and in the mounting region R. Specifically, the light emitting chip 32 is electrically connected to the wiring conductor formed on the substrate 31 via an adhesive material such as solder or a conductive adhesive, or a bonding wire.

発光チップ３２は、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、シリコ
ンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウム等の基体に有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法等の化学気相成長法を用いて、半導体層を成長させることによって作製される。なお、発光チップ３２の厚みは、例えば３０μｍ以上１０００μｍ以下である。 The light emitting chip 32 is formed on a substrate such as sapphire, gallium nitride, aluminum nitride, zinc oxide, silicon carbide, silicon, or zirconium diboride using a chemical vapor deposition method such as a metal organic chemical vapor deposition method or a molecular beam epitaxial growth method. It is produced by growing a semiconductor layer. The thickness of the light emitting chip 32 is, for example, 30 μm or more and 1000 μm or less.

発光チップ３２は、第１半導体層と、第１半導体層上に形成される発光層と、発光層上に形成される第２半導体層と、から構成されている。第１半導体層、発光層および第２半導体層は、例えば、III族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素等のIII−Ｖ族半導体、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは窒化インジウム等のIII族窒化
物半導体などを用いることができる。なお、第１半導体層の厚みは、例えば、１μｍ以上５μｍ以下である。発光層の厚みは、例えば、２５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。第２半導体層の厚みは、例えば、５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。また、このように構成された発光チップ３２では、例えば、３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下の波長範囲の励起光を発することができる。 The light emitting chip 32 includes a first semiconductor layer, a light emitting layer formed on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer formed on the light emitting layer. The first semiconductor layer, the light emitting layer, and the second semiconductor layer are, for example, a group III nitride semiconductor, a group III-V semiconductor such as gallium phosphide or gallium arsenide, or a group III nitride such as gallium nitride, aluminum nitride, or indium nitride. A physical semiconductor or the like can be used. Note that the thickness of the first semiconductor layer is, for example, not less than 1 μm and not more than 5 μm. The thickness of the light emitting layer is, for example, 25 nm or more and 150 nm or less. The thickness of the second semiconductor layer is, for example, not less than 50 nm and not more than 600 nm. In addition, the light emitting chip 32 configured as described above can emit excitation light having a wavelength range of 370 nm to 420 nm, for example.

基板３１上には、発光チップ３２を取り囲むように枠状の枠体３３が設けられている。枠体３３は、基板３１上に例えば半田または接着剤を介して接続される。枠体３３は、セラミック材料であって、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等の多孔質材料からなる。枠体３３は、多孔質材料からなり、枠体３３の表面は微細な孔が多数形成される。 A frame-shaped frame 33 is provided on the substrate 31 so as to surround the light emitting chip 32. The frame 33 is connected to the substrate 31 via, for example, solder or an adhesive. The frame 33 is a ceramic material, and is made of a porous material such as aluminum oxide, titanium oxide, zirconium oxide, or yttrium oxide. The frame 33 is made of a porous material, and many fine holes are formed on the surface of the frame 33.

枠体３３は、発光チップ３２と間を空けて、発光チップ３２の周りを取り囲むように形成されている。また、枠体３３は、傾斜する内壁面が下端から上端に従い外方に向かって広がるように形成されている。そして、枠体３３の内壁面が、発光チップ３２から発せられる励起光の反射面として機能する。また、枠体３３の内壁面が拡散面である場合には、発光チップ３２から発せられる光が、枠体３３の内壁面にて拡散反射する。そして、発光チップ３２から発せられる光が特定箇所に集中するのを抑制することができる。 The frame 33 is formed so as to surround the light-emitting chip 32 with a space from the light-emitting chip 32. The frame 33 is formed such that the inclined inner wall surface extends outward from the lower end to the upper end. The inner wall surface of the frame 33 functions as a reflection surface for excitation light emitted from the light emitting chip 32. When the inner wall surface of the frame 33 is a diffusing surface, the light emitted from the light emitting chip 32 is diffusely reflected on the inner wall surface of the frame 33. And it can suppress that the light emitted from the light emitting chip 32 concentrates on a specific location.

また、枠体３３の傾斜する内壁面は、例えば、タングステン、モリブデン、銅または銀等から成る金属層と、金属層を被覆するニッケルまたは金等から成る鍍金金属層を形成してもよい。この鍍金金属層は、発光チップ３２の発する光を反射させる機能を有する。なお、枠体３３の内壁面の傾斜角度は、基板３１の上面に対して例えば５５度以上７０度以下の角度に設定されている。 The inclined inner wall surface of the frame 33 may be formed, for example, with a metal layer made of tungsten, molybdenum, copper, silver, or the like, and a plated metal layer made of nickel, gold, or the like that covers the metal layer. The plated metal layer has a function of reflecting light emitted from the light emitting chip 32. The inclination angle of the inner wall surface of the frame 33 is set to, for example, an angle of 55 degrees or more and 70 degrees or less with respect to the upper surface of the substrate 31.

枠体３３で囲まれる領域には、封止樹脂３４が充填されている。封止樹脂３４は、発光チップ３２を封止するとともに、発光チップ３２から発せられる光が透過する機能を備えている。封止樹脂３４は、枠体３３の内方に発光チップ３２を収容した状態で、枠体３３で囲まれる領域であって、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂が用いられる。 A region surrounded by the frame 33 is filled with a sealing resin 34. The sealing resin 34 has a function of sealing the light emitting chip 32 and transmitting light emitted from the light emitting chip 32. The sealing resin 34 is a region surrounded by the frame 33 in a state in which the light emitting chip 32 is accommodated inside the frame 33, and is, for example, a translucent insulating material such as silicone resin, acrylic resin, or epoxy resin. Resin is used.

波長変換部材３６は、枠体３３に支持されるとともに、発光チップ３２と間を空けて対向するように設けられる。つまり、波長変換部材３６は、発光チップ３２を封止する封止樹脂３４と空隙を介して枠体３３に設けられる。 The wavelength conversion member 36 is supported by the frame 33 and provided to face the light emitting chip 32 with a space therebetween. That is, the wavelength conversion member 36 is provided on the frame 33 via the sealing resin 34 that seals the light emitting chip 32 and the gap.

波長変換部材３６は、接着樹脂３５を介して枠体３３に接合されている。接着樹脂３５は、波長変換部材３６の下面の端部から波長変換部材３６の側面、さらに波長変換部材３６の上面の端部にかけて被着している。 The wavelength conversion member 36 is joined to the frame body 33 via the adhesive resin 35. The adhesive resin 35 is attached from the end of the lower surface of the wavelength conversion member 36 to the side surface of the wavelength conversion member 36 and further to the end of the upper surface of the wavelength conversion member 36.

接着樹脂３５は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコーン樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性
樹脂を使用することができる。また、接着樹脂３５は、例えば、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂を使用することができる。 As the adhesive resin 35, for example, a thermosetting resin such as a polyimide resin, an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, a cyanate resin, a silicone resin, or a bismaleimide triazine resin can be used. Further, as the adhesive resin 35, for example, a thermoplastic resin such as a polyether ketone resin, a polyethylene terephthalate resin, or a polyphenylene ether resin can be used.

接着樹脂３５の材料は、枠体３３の熱膨張率と波長変換部材３６の熱膨張率との間の大きさの熱膨張率の材料を選択される。接着樹脂３５の材料として、このような材料を選択することで、枠体３３と波長変換部材３６とが熱膨張するときに、両者の熱膨張率の差に起因して、両者が剥離しようとするのを抑制することができ、両者を良好に繋ぎ止めることができる。 As the material of the adhesive resin 35, a material having a thermal expansion coefficient that is between the thermal expansion coefficient of the frame 33 and the thermal expansion coefficient of the wavelength conversion member 36 is selected. By selecting such a material as the material of the adhesive resin 35, when the frame 33 and the wavelength conversion member 36 are thermally expanded, they are about to peel off due to the difference in the coefficient of thermal expansion between them. Can be suppressed, and both can be well connected.

接着樹脂３５が、波長変換部材３６の下面の端部にまで被着することで、接着樹脂３５が被着する面積を大きくし、枠体３３と波長変換部材３６とを強固に接続することができる。その結果、枠体３３と波長変換部材３６の接続強度を向上させることができ、波長変換部材３６の撓みが抑制される。そして、発光チップ３２と波長変換部材３６との間の光学距離が変動するのを効果的に抑制することができる。 By adhering the adhesive resin 35 to the end of the lower surface of the wavelength conversion member 36, the area to which the adhesive resin 35 is applied can be increased, and the frame 33 and the wavelength conversion member 36 can be firmly connected. it can. As a result, the connection strength between the frame 33 and the wavelength conversion member 36 can be improved, and bending of the wavelength conversion member 36 is suppressed. And it can suppress effectively that the optical distance between the light emitting chip 32 and the wavelength conversion member 36 changes.

波長変換部材３６は、発光チップ３２から発せられる励起光が内部に入射して、内部に含有される蛍光体が励起されて、光を発するものである。ここで、波長変換部材３６には、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等から成り、その樹脂中に、例えば４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の蛍光を発する青色蛍光体、例えば５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば５４０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば５９０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の蛍光を発する赤色蛍光体が含有されている。なお、蛍光体は、波長変換部材３６中に均一に分散するように含有されている。なお、波長変換部材３６の厚みは、例えば０．５以上３ｍｍ以下に設定されている。 The wavelength conversion member 36 emits light when excitation light emitted from the light emitting chip 32 is incident on the inside and the phosphor contained therein is excited. Here, the wavelength conversion member 36 is made of, for example, a silicone resin, an acrylic resin, an epoxy resin, or the like, and a blue phosphor that emits fluorescence of, for example, 430 nm or more and 490 nm or less, for example, fluorescence of 500 nm or more and 560 nm or less of the resin. A green phosphor that emits light, for example, a yellow phosphor that emits fluorescence of 540 to 600 nm, for example, a red phosphor that emits fluorescence of 590 to 700 nm is contained. The phosphor is contained so as to be uniformly dispersed in the wavelength conversion member 36. In addition, the thickness of the wavelength conversion member 36 is set to 0.5 or more and 3 mm or less, for example.

また、波長変換部材３６の端部の厚みは一定に設定されている。波長変換部材３６の厚みは、例えば０．３ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されている。ここで、厚みが一定とは、厚みの誤差が０．１ｍｍ以下のものを含む。波長変換部材３６の厚みを一定にすることにより、波長変換部材３６にて励起される光の量を一様になるように調整することができ、波長変換部材３６における輝度むらを抑制することができる。 Further, the thickness of the end portion of the wavelength conversion member 36 is set to be constant. The thickness of the wavelength conversion member 36 is set to, for example, 0.3 mm or more and 3 mm or less. Here, the constant thickness includes a thickness error of 0.1 mm or less. By making the thickness of the wavelength conversion member 36 constant, the amount of light excited by the wavelength conversion member 36 can be adjusted to be uniform, and uneven brightness in the wavelength conversion member 36 can be suppressed. it can.

本実施形態に係る照明装置１は、屈曲基板５のそれぞれの実装面に半導体発光素子を設け、相互の熱の伝達経路となる個所に凹部Ｃを設けている。また、屈曲基板５が折れ曲がっていることで、第１実装面Ｒ１と第２実装面Ｒ２が異なる仮想面と対向させることができ、第１半導体発光素子３と第２半導体発光素子４の照らし出す領域を異ならせている。 In the illuminating device 1 according to the present embodiment, a semiconductor light emitting element is provided on each mounting surface of the bent substrate 5, and a concave portion C is provided at a location serving as a mutual heat transfer path. Further, since the bent substrate 5 is bent, the first mounting surface R1 and the second mounting surface R2 can be opposed to different virtual surfaces, and the first semiconductor light emitting element 3 and the second semiconductor light emitting element 4 are illuminated. Different areas.

各半導体発光素子は、発光時に熱が発生する。半導体発光素子は、熱が必要以上に加わることで発光効率が低下し、半導体発光素子から発せられる光出力が低下するとともに、半導体発光素子に入力される電気エネルギーから変換される熱量が増加する。そして、半導体発光素子は、さらに温度が上昇することで、発光効率もさらに低下するために光出力がさらに低下し、製品寿命が短くなる傾向にある。複数の半導体発光素子を実装した照明装置の場合は、第１半導体発光素子３から第２半導体発光素子４に熱が伝わると、第２半導体発光素子４の温度が高くなり、所望している発光効率より低下することにより、第２半導体発光素子４からの光出力が低下するとともに、第２半導体発光素子４の温度がさらに上昇する。その結果、複数の半導体発光素子の中で光出力が低下し、輝度が異なるものが存在し、照明装置として輝度むらが発生してしまう。 Each semiconductor light emitting element generates heat during light emission. In the semiconductor light emitting device, the light emission efficiency is lowered when heat is applied more than necessary, the light output emitted from the semiconductor light emitting device is lowered, and the amount of heat converted from the electric energy input to the semiconductor light emitting device is increased. Further, the semiconductor light-emitting element has a tendency that the light output is further lowered and the product life is shortened because the luminous efficiency is further lowered due to the temperature rise. In the case of a lighting device in which a plurality of semiconductor light emitting elements are mounted, when heat is transferred from the first semiconductor light emitting element 3 to the second semiconductor light emitting element 4, the temperature of the second semiconductor light emitting element 4 increases, and the desired light emission. By lowering than the efficiency, the light output from the second semiconductor light emitting element 4 is reduced, and the temperature of the second semiconductor light emitting element 4 is further increased. As a result, among the plurality of semiconductor light emitting elements, the light output is reduced, and there are those with different luminances, resulting in uneven luminance as a lighting device.

一方、本実施形態に係る照明装置１は、屈曲基板５に凹部Ｃを設け、第１半導体発光素子３から第２半導体発光素子４に熱が伝わるのを抑制するとともに、同時に第２半導体発
光素子４から第１半導体発光素子３に熱が伝わるのを抑制することができる。そして、各半導体発光素子の温度が必要以上に高温になるのを抑えることができ、輝度むらを抑えることが可能な照明装置を提供することができる。さらに、第１半導体発光素子３と第２半導体発光素子４からの熱は、第１実装面Ｒ１および第２実装面Ｒ２を介して一様に屈曲基板５に伝達される。結果、屈曲基板５は、局所的に温度が上昇することが抑制され、第１半導体発光素子３と第２半導体発光素子４から放射される光出力のバラツキが有効に抑制される。 On the other hand, the illuminating device 1 according to the present embodiment is provided with the concave portion C in the bent substrate 5 to suppress heat transfer from the first semiconductor light emitting element 3 to the second semiconductor light emitting element 4, and at the same time, the second semiconductor light emitting element. It is possible to prevent heat from being transferred from 4 to the first semiconductor light emitting element 3. And it can suppress that the temperature of each semiconductor light-emitting element becomes high temperature more than necessary, and can provide the illuminating device which can suppress brightness nonuniformity. Further, heat from the first semiconductor light emitting element 3 and the second semiconductor light emitting element 4 is uniformly transmitted to the bent substrate 5 through the first mounting surface R1 and the second mounting surface R2. As a result, the temperature of the bent substrate 5 is suppressed from rising locally, and variations in light output emitted from the first semiconductor light emitting element 3 and the second semiconductor light emitting element 4 are effectively suppressed.

また、凹部Ｃは、屈曲基板５の第１実装面Ｒ１および第２実装面Ｒ２が設けられない裏面に設けることで、フレーム２の開口部Ｈ側から塵や埃、水滴等が侵入したとしても、第１実装面Ｒ１および第２実装面Ｒ２の交差部に集積されることはなく、第１実装面Ｒ１および第２実装面Ｒ２に実装される実装基板８との間の電気的な短絡や、実装基板８上面への付着が抑制され、照明装置の信頼性を維持することができるという作用効果を奏する。 In addition, the concave portion C is provided on the back surface of the bent substrate 5 where the first mounting surface R1 and the second mounting surface R2 are not provided, so that even if dust, dust, water droplets, or the like enter from the opening H side of the frame 2. In addition, an electrical short circuit between the mounting substrate 8 mounted on the first mounting surface R1 and the second mounting surface R2 without being integrated at the intersection of the first mounting surface R1 and the second mounting surface R2 Adhesion to the upper surface of the mounting substrate 8 is suppressed, and there is an effect that the reliability of the lighting device can be maintained.

また、凹部Ｃは、屈曲基板５に溝として形成されることで、溝を中心線として両側に配置される各半導体発光素子同士の間で熱が伝わるのを効果的に抑制することができる。同じライン上に配置された半導体発光素子は実装基板８を共通にして、一つの実装基板８に対して複数の半導体発光素子を設けることで、同じライン上の半導体発光素子同士は、上昇する温度を同程度にすることができ、同じライン上の半導体発光素子同士の輝度むらを発生しにくくすることができる。そして、仮に、溝を中心線とすることで、両側に発光色の異なる半導体発光素子を設けた場合は、ライン状に発光する色が明瞭に異ならせることができ、第１ライン上に配置された半導体発光素子の熱を第２ライン上に配置された半導体発光素子に伝わるのを抑制することができ、ライン毎に輝度むらが発生するのを抑えることができる。 In addition, the recess C is formed as a groove in the bent substrate 5, so that heat can be effectively prevented from being transmitted between the semiconductor light emitting elements arranged on both sides with the groove as the center line. The semiconductor light emitting elements arranged on the same line share the mounting substrate 8, and a plurality of semiconductor light emitting elements are provided on one mounting substrate 8, so that the semiconductor light emitting elements on the same line rise in temperature. Can be made comparable, and it is possible to make it difficult to generate luminance unevenness between semiconductor light emitting elements on the same line. If the semiconductor light emitting elements having different emission colors are provided on both sides by using the groove as the center line, the color of the light emitted in a line shape can be clearly changed and arranged on the first line. Therefore, it is possible to suppress the heat of the semiconductor light emitting element from being transmitted to the semiconductor light emitting elements disposed on the second line, and to suppress the occurrence of uneven brightness for each line.

また、リフレクター７を屈曲基板５と透光性カバー６の間に配置し、第１半導体発光素子３と第２半導体発光素子４のそれぞれに対して対応する導光孔７ｈを設ける。その結果、第１半導体発光素子３の発する光と第２半導体発光素子４の発する光をそれぞれ別々の方向に導光することができ、半導体発光素子の発する光が他の半導体発光素子の発する光に混じるのを抑えることができる。ひいては、輝度むらが発生しにくい照明装置１を提供することができる。 In addition, the reflector 7 is disposed between the bent substrate 5 and the translucent cover 6, and corresponding light guide holes 7 h are provided for the first semiconductor light emitting element 3 and the second semiconductor light emitting element 4. As a result, the light emitted from the first semiconductor light emitting element 3 and the light emitted from the second semiconductor light emitting element 4 can be guided in different directions, respectively, and the light emitted from the semiconductor light emitting element is emitted from the other semiconductor light emitting elements. It can suppress mixing with. As a result, the illuminating device 1 which is hard to generate luminance unevenness can be provided.

なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、図９に示すように、屈曲基板５に設けられる凹部Ｃの位置を、屈曲基板５の裏面でなく、第１実装面Ｒ１および第２実装面Ｒ２と同じ側の主面に設けてもよい。凹部Ｃを屈曲基板５の主面に設けることで、各半導体発光素子に近い第１実装面Ｒ１および第２実装面Ｒ２の主面を介して各半導体発光素子に伝達される熱量が小さくなり、各半導体発光素子の熱による干渉を抑制することができ、所望の光を各半導体発光素子から放射することができるという作用効果を奏する。また、上述した実施形態では、実装基板８を屈曲基板５に対して螺子９を介して固定し、リフレクター７をフレーム２に対して嵌合して固定したが、それぞれの固定方法はこれに限られない。例えば、実装基板８を屈曲基板５に対して接着部材を介して固定し、リフレクター７をフレーム２に対して螺子止めして固定してもよい。 In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. For example, as shown in FIG. 9, the position of the concave portion C provided in the bent substrate 5 may be provided on the main surface on the same side as the first mounting surface R1 and the second mounting surface R2 instead of the back surface of the bent substrate 5. Good. By providing the recess C on the main surface of the bent substrate 5, the amount of heat transferred to each semiconductor light emitting element via the main surface of the first mounting surface R1 and the second mounting surface R2 close to each semiconductor light emitting element is reduced. Interference due to heat of each semiconductor light emitting element can be suppressed, and there is an effect that desired light can be emitted from each semiconductor light emitting element. In the above-described embodiment, the mounting substrate 8 is fixed to the bent substrate 5 via the screw 9 and the reflector 7 is fitted and fixed to the frame 2. However, each fixing method is limited to this. I can't. For example, the mounting substrate 8 may be fixed to the bent substrate 5 via an adhesive member, and the reflector 7 may be fixed to the frame 2 by screwing.

また、照明装置１は、フレーム２の両端を塞ぐカバー体が、カバー体に設けられた螺子孔を介してフレーム２に螺子止め固定される場合、カバー体は螺子が凹部Ｃに挿入固定されるようにフレーム２に固定されてもよい。凹部Ｃの一部が螺子によって塞がれることにより、フレーム２は、長手方向に水平な辺に作用する力に対する剛性が向上し、長手方向に水平な辺に作用する力によるフレーム２の変形や折れ曲がりを抑制することができる。なお、凹部Ｃに挿入される螺子は、長さが第１実装面Ｒ１および第２実装面Ｒ２に実装さ
れる第１半導体発光素子３と第２半導体発光素子４と重ならないように挿入固定されてもよい。結果、第１半導体発光素子３および第２半導体発光素子４からの熱は、屈曲基板５から螺子を介して対向する第１実装面Ｒ１および第２実装面Ｒ２への伝達を抑制することができる。 Further, in the lighting device 1, when the cover body that closes both ends of the frame 2 is screwed and fixed to the frame 2 through the screw holes provided in the cover body, the screw is inserted and fixed to the recess C in the cover body. In this manner, the frame 2 may be fixed. Since a part of the recess C is blocked by a screw, the frame 2 is improved in rigidity against a force acting on a side that is horizontal in the longitudinal direction. Bending can be suppressed. The screw inserted into the recess C is inserted and fixed so that the length does not overlap the first semiconductor light emitting element 3 and the second semiconductor light emitting element 4 mounted on the first mounting surface R1 and the second mounting surface R2. May be. As a result, heat from the first semiconductor light emitting element 3 and the second semiconductor light emitting element 4 can be suppressed from being transmitted from the bent substrate 5 to the first mounting surface R1 and the second mounting surface R2 that are opposed to each other via the screw. .

＜照明装置の製造方法＞
ここで、図１に示す照明装置の製造方法を説明する。まず、半導体発光素子を準備する。基板３１および枠体３３が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウムの原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。 <Manufacturing method of lighting device>
Here, a method of manufacturing the lighting device shown in FIG. 1 will be described. First, a semiconductor light emitting element is prepared. When the substrate 31 and the frame 33 are made of, for example, an aluminum oxide sintered body, an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like is added to and mixed with the aluminum oxide raw material powder to obtain a mixture.

基板３１は、混合物がシート状のセラミックグリーンシートに成形され、枠体３３は、型枠内に混合物が充填されて乾燥され、焼結前の基板３１および枠体３３が取り出される。 The substrate 31 is formed into a sheet-like ceramic green sheet, and the frame 33 is filled with the mixture in a mold and dried, and the substrate 31 and the frame 33 before sintering are taken out.

また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、取り出した基板３１となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層するとともに焼成され、所定の形状に切断される。また、枠体３３は、所望の温度で焼結されることにより形成される。 Moreover, a high melting point metal powder such as tungsten or molybdenum is prepared, and an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like is added to and mixed with the powder to obtain a metal paste. And it prints with the predetermined pattern on the ceramic green sheet used as the taken-out substrate 31, laminates and fires a plurality of ceramic green sheets, and cuts into a predetermined shape. The frame 33 is formed by sintering at a desired temperature.

次に、基板３１上の配線パターンに発光チップ３２を半田を介して電気的に実装した後、発光チップ３２を取囲むように枠体３３を基板上にアクリル樹脂等の接着剤を介して接着する。そして、枠体３３で囲まれた領域に、例えばシリコーン樹脂を充填して、シリコーン樹脂を硬化させることで、封止樹脂３４を形成する。 Next, after the light emitting chip 32 is electrically mounted on the wiring pattern on the substrate 31 via solder, the frame 33 is bonded on the substrate via an adhesive such as acrylic resin so as to surround the light emitting chip 32. To do. Then, the sealing resin 34 is formed by filling the region surrounded by the frame 33 with, for example, a silicone resin and curing the silicone resin.

次に、波長変換部材３６を準備する。波長変換部材３６は、未硬化の樹脂に蛍光体を混合して、例えば、ドクターブレード法、ダイコーター法、押し出し法、スピンコート法またはディップ法等のシート成形技術を用いて、作製することができる。例えば、波長変換部材３６は、未硬化の波長変換部材３６を型枠に充填し、硬化して取り出すことによって、得ることが出来る。 Next, the wavelength conversion member 36 is prepared. The wavelength conversion member 36 can be produced by mixing a phosphor with an uncured resin and using, for example, a sheet forming technique such as a doctor blade method, a die coater method, an extrusion method, a spin coating method, or a dip method. it can. For example, the wavelength conversion member 36 can be obtained by filling the mold with the uncured wavelength conversion member 36 and curing it.

そして、準備した波長変換部材３６を枠体３３上に、例えば樹脂からなる接着樹脂３５を介して接着することで、半導体発光素子を作製することができる。 Then, the prepared wavelength conversion member 36 is bonded to the frame 33 via an adhesive resin 35 made of, for example, a resin, so that a semiconductor light emitting element can be manufactured.

次に、フレーム２を準備する。フレーム２は、例えば、押出成形法により一体に成形されている。しかしながら必ずしも一体成形で形成する必要はなく、各部材を別個に製造して、これらをネジ等の締結手段で締結してもよく、また、各部材を接着剤で接着して一体化させてもよい。 Next, the frame 2 is prepared. The frame 2 is integrally formed by, for example, an extrusion method. However, it is not always necessary to form by integral molding, and each member may be manufactured separately and fastened with fastening means such as screws, or each member may be bonded and integrated with an adhesive. Good.

さらに、実装基板８を準備する。実装基板８は、例えばプリント配線基板を用いることができる。そして、実装基板８に半導体発光素子を半田を介して電気的に実装する。さらに、フレーム２に対して、実装基板８を螺子９を介して固定し、フレーム２の屈曲基板５の裏面に駆動部１０を実装する。次に、フレーム２に透光性カバー６をスライドさせて取り付けることで、照明装置１を作製することができる。 Further, a mounting substrate 8 is prepared. For example, a printed wiring board can be used as the mounting board 8. Then, the semiconductor light emitting element is electrically mounted on the mounting substrate 8 via solder. Further, the mounting substrate 8 is fixed to the frame 2 via screws 9, and the drive unit 10 is mounted on the back surface of the bent substrate 5 of the frame 2. Next, the lighting device 1 can be manufactured by sliding and attaching the translucent cover 6 to the frame 2.

１照明装置
２フレーム
２１保持部
２２凸部
３第１半導体発光素子
３１基板
３２発光チップ
３３枠体
３４封止樹脂
３５接着樹脂
３６波長変換部材
４第２半導体発光素子
５屈曲基板
６透光性カバー
７リフレクター
７１引掛け部
７ｈ導光孔
８実装基板
９螺子
１０駆動部
Ｈ開口部
Ｒ１第１実装面
Ｒ２第２実装面
Ｃ凹部
Ｓ螺子孔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Illuminating device 2 Frame 21 Holding part 22 Protruding part 3 1st semiconductor light emitting element 31 Substrate 32 Light emitting chip 33 Frame 34 Sealing resin 35 Adhesive resin 36 Wavelength conversion member 4 Second semiconductor light emitting element 5 Bent substrate 6 Translucent cover 7 Reflector 71 Hook part 7h Light guide hole 8 Mounting substrate 9 Screw 10 Drive part H Opening part R1 First mounting surface R2 Second mounting surface C Concave S Screw hole

Claims

A frame having an opening;
A first mounting surface provided in the frame, on which a first semiconductor light emitting element is provided, and a second mounting surface on which a second semiconductor light emitting element is provided, wherein the first mounting surface and the second mounting surface are the A bent substrate that is disposed toward the opening and intersects the first mounting surface and the second mounting surface in a cross-sectional view, and a recess is formed at the intersection;
An illumination device comprising: a translucent cover provided along an edge of the opening and covering the bent substrate.

The lighting device according to claim 1,
The lighting device according to claim 1, wherein the concave portion is located on a back surface side opposite to a side on which the first mounting surface and the second mounting surface of the bent substrate are provided.

The lighting device according to claim 1 or 2,
The bent substrate is formed by bending a rectangular plate body along the longitudinal direction, and the concave portion is formed to be a groove along the longitudinal direction of the bent substrate. A lighting device.

A lighting device according to any one of claims 1 to 3,
Between the bent substrate and the translucent cover, light is guided to a portion corresponding to each of the first semiconductor light emitting element and the second semiconductor light emitting element, which is provided by being hooked on an inner wall surface in the frame. A lighting device, further comprising a reflector having a hole.