JP2013075789A - Apparatus and method for producing compound semiconductor single crystal - Google Patents
Apparatus and method for producing compound semiconductor single crystal Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013075789A JP2013075789A JP2011216510A JP2011216510A JP2013075789A JP 2013075789 A JP2013075789 A JP 2013075789A JP 2011216510 A JP2011216510 A JP 2011216510A JP 2011216510 A JP2011216510 A JP 2011216510A JP 2013075789 A JP2013075789 A JP 2013075789A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- growth
- raw material
- compound semiconductor
- growth vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
本発明は、昇華法を用いた化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法に関するものである。 The present invention relates to an apparatus and a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal using a sublimation method.
化合物半導体結晶は、複数の元素を組み合わせた半導体結晶であり、発光素子、電子素子、半導体センサ等の半導体デバイスを形成するための材料として有用なものである。化合物半導体は、ケイ素(Si)やゲルマニウム(Ge)などの単元素半導体と比べても大きいバンドギャップを持つことから、絶縁破壊電圧が大きくなるため、高効率パワー半導体デバイスの材料として注目されている。 A compound semiconductor crystal is a semiconductor crystal in which a plurality of elements are combined, and is useful as a material for forming a semiconductor device such as a light emitting element, an electronic element, or a semiconductor sensor. Since compound semiconductors have a larger band gap than single element semiconductors such as silicon (Si) and germanium (Ge), the dielectric breakdown voltage is increased, and thus they are attracting attention as materials for high-efficiency power semiconductor devices. .
このような化合物半導体結晶を製造する方法の1つとしては、昇華再結晶を行う改良型のレーリー法(以下、単に「昇華法」と呼ぶことがある。)が用いられている。
以下、昇華法の原理を説明する。
まず、坩堝を加熱して、坩堝内に配置した粉末原料を高温下で昇華させ、発生した昇華ガスを、上部の蓋に固定された種結晶方向へ拡散、輸送させる。この際、粉末原料に比べ、種結晶が低温になるように温度勾配を設定することにより、蒸気圧の差を発生させ、昇華ガスの拡散方向を種結晶方向へ制御することができる。これにより、種結晶に到着した昇華ガスが、種結晶上で再結晶化することによって、単結晶が成長する。なお、昇華法はMOCVD法(有機金属気相成長法)、MBE法(分子線エピタキシー法)などと比べて成長速度が大きいため、大口径単結晶育成に対して有力な方法であり、化合物半導体単結晶(以下、単に「単結晶」と呼ぶことがある。)の大量生産方法として期待されている。
As one method for producing such a compound semiconductor crystal, an improved Rayleigh method for performing sublimation recrystallization (hereinafter sometimes simply referred to as “sublimation method”) is used.
Hereinafter, the principle of the sublimation method will be described.
First, the crucible is heated, the powder raw material placed in the crucible is sublimated at a high temperature, and the generated sublimation gas is diffused and transported in the direction of the seed crystal fixed to the upper lid. At this time, by setting the temperature gradient so that the seed crystal has a lower temperature than the powder raw material, a difference in vapor pressure can be generated and the diffusion direction of the sublimation gas can be controlled in the direction of the seed crystal. As a result, the sublimation gas that has arrived at the seed crystal is recrystallized on the seed crystal, so that a single crystal grows. The sublimation method has a higher growth rate than the MOCVD method (metal organic vapor phase epitaxy), the MBE method (molecular beam epitaxy method), etc., and is therefore an effective method for growing large-diameter single crystals. It is expected as a method for mass production of single crystals (hereinafter sometimes simply referred to as “single crystals”).
昇華法において単結晶の成長速度を向上させるためには、単結晶が成長する成長部、特に結晶表面の温度よりも、原料が設置された原料部、特に原料表面の温度をより高く保つことが必要である。このように成長部と原料部の温度勾配がより急峻になるよう、温度を設定することによって、蒸気圧の差が広がり、過飽和度が高くなるため、結果として、単結晶の成長速度が向上する。そのため、従来の単結晶の製造装置では、成長容器の周囲に複数の加熱手段を配設し、個々の加熱手段の温度制御を行うことにより成長容器内の成長部や原料部の温度を制御している。
しかし、このような従来の単結晶成長装置では、近接する複数の加熱手段からの対流熱や輻射熱により、単結晶成長表面の温度が本来目的とする温度よりも高温になるため、単結晶成長表面と原料表面との温度差が減少し、実際に得られる単結晶の成長速度が予想値よりも低減されてしまう。そのため、従来の単結晶成長装置では、成長容器内の単結晶成長表面と原料表面との温度差の制御には限界があった。
In order to improve the growth rate of the single crystal in the sublimation method, the temperature of the growth part where the single crystal grows, particularly the temperature of the raw material part where the raw material is installed, particularly the surface of the raw material, should be kept higher. is necessary. By setting the temperature so that the temperature gradient between the growth part and the raw material part becomes steeper in this way, the difference in vapor pressure widens and the degree of supersaturation increases, resulting in an increase in the growth rate of the single crystal. . Therefore, in the conventional single crystal manufacturing apparatus, a plurality of heating means are arranged around the growth vessel, and the temperature of the growth part and the raw material part in the growth vessel is controlled by controlling the temperature of each heating means. ing.
However, in such a conventional single crystal growth apparatus, the temperature of the single crystal growth surface becomes higher than the originally intended temperature due to convection heat or radiant heat from a plurality of adjacent heating means. And the temperature difference between the surface of the raw material and the growth rate of the actually obtained single crystal is reduced below the expected value. Therefore, the conventional single crystal growth apparatus has a limit in controlling the temperature difference between the single crystal growth surface and the raw material surface in the growth vessel.
このような問題を解決する方法としては、各加熱手段間に断熱材料を用いた熱遮蔽部材を設けることにより、成長容器内の温度勾配を制御する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
このような構成にすることによって、近接する複数の加熱手段からの対流熱や輻射熱の遮蔽が可能な化合物半導体単結晶の製造装置が得られる。したがって、単結晶の成長表面と原料部の温度を別々に、かつ、高精度に調節することが可能となり、坩堝の外部の温度分布が一定な状態で坩堝を加熱することが容易となる。
As a method for solving such a problem, a technique for controlling a temperature gradient in a growth vessel by providing a heat shielding member using a heat insulating material between each heating means is known (for example, Patent Document 1). reference).
With this configuration, a compound semiconductor single crystal manufacturing apparatus capable of shielding convection heat and radiant heat from a plurality of adjacent heating means can be obtained. Therefore, the temperature of the growth surface of the single crystal and the temperature of the raw material part can be adjusted separately and with high accuracy, and the crucible can be easily heated with a constant temperature distribution outside the crucible.
しかしながら、特許文献1に記載の単結晶の製造方法では、長時間の結晶成長を行う場合、単結晶の成長速度が予想値よりも低減するという問題があった。
単結晶の成長初期には、単結晶成長表面の位置が単結晶を加熱する比較的低温な低温区画に存在するため、原料を加熱する加熱手段からの対流熱や輻射熱を断熱することができる。その結果、成長方向の温度勾配が大きくなるため、成長速度が増大する。ところが、長時間の成長により単結晶の厚さが増加し、単結晶の成長表面の位置が原料を加熱する比較的高温な高温区画に到達すると、原料を加熱する加熱手段からの対流熱や輻射熱によって、単結晶成長表面の温度が本来目的とする温度よりも高温になってしまう。そのため、単結晶成長表面と原料表面との温度差が小さくなり、単結晶の成長速度が低減する。
However, the method for producing a single crystal described in
At the initial stage of single crystal growth, the position of the single crystal growth surface is present in a relatively low temperature low temperature section for heating the single crystal, so that convection heat and radiant heat from the heating means for heating the raw material can be insulated. As a result, the temperature gradient in the growth direction increases, and the growth rate increases. However, when the thickness of the single crystal increases due to long-term growth and the position of the growth surface of the single crystal reaches a relatively high temperature high temperature section for heating the raw material, convection heat or radiant heat from a heating means for heating the raw material is obtained. As a result, the temperature of the single crystal growth surface becomes higher than the originally intended temperature. Therefore, the temperature difference between the single crystal growth surface and the raw material surface is reduced, and the growth rate of the single crystal is reduced.
また、特許文献1に記載の単結晶の製造方法では、単結晶成長表面と原料表面との温度差を大きくするために、単結晶を加熱するヒータと、原料を加熱するヒータとの間に熱遮蔽部材が挿入されており、単結晶成長表面と原料表面との温度差を広げることが可能である。しかし、この場合、上記の温度差をほぼ一定の状態に保つことができるだけであって、成長方向の温度勾配がこれ以上増加しないため、成長速度をより向上させるためには、他の手段が必要であった。
In addition, in the method for producing a single crystal described in
以上の問題点から、従来技術における成長速度のさらなる改善には、単結晶成長表面と原料表面との温度差、すなわち、成長方向の温度勾配の増加や、長時間に亘る成長でも、成長速度が落ちることなく結晶成長を行うことが可能な手段が必要であった。 From the above problems, the further improvement of the growth rate in the prior art can be achieved by increasing the growth rate even when the temperature difference between the single crystal growth surface and the raw material surface, that is, the temperature gradient in the growth direction is increased or the growth is continued for a long time. There was a need for a means capable of crystal growth without falling.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、単結晶成長表面と原料表面との温度差をより一層増加することが可能であると共に、長時間に亘る成長でも、成長速度が落ちることなく結晶成長を行うことが可能な化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is possible to further increase the temperature difference between the surface of the single crystal growth and the surface of the raw material, and the growth rate is lowered even during growth over a long period of time. An object of the present invention is to provide a compound semiconductor single crystal manufacturing apparatus and manufacturing method capable of performing crystal growth without any problem.
上記課題を解決するため、坩堝を支持する支持部自体に着目して鋭意検討した。その結果、支持部を移動させることで、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち本発明は、成長容器内の一端側に種結晶を配置し、他端側に原料を配置して、原料を昇華させて化合物半導体単結晶を製造する化合物半導体単結晶の製造装置であって、成長容器を収容する加熱炉と、成長容器の周囲に配置されると共に加熱炉内を低温区画と高温区画に仕切る熱遮蔽部材と、高温区画内にあって成長容器における他端側の周囲に配置される原料加熱手段と、成長容器を支持すると共に成長容器を移動可能な支持部とを備え、支持部は、化合物半導体単結晶を成長させるときに、成長容器内の単結晶成長部が低温区画に存在し、成長容器内の原料部が高温区画に存在するように、低温区画側に成長容器を移動可能であることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装置である。
In order to solve the above-mentioned problems, the inventors studied diligently by paying attention to the support part itself that supports the crucible. As a result, it has been found that the above problem can be solved by moving the support portion, and the present invention has been completed.
That is, the present invention is a compound semiconductor single crystal manufacturing apparatus for manufacturing a compound semiconductor single crystal by arranging a seed crystal on one end side in a growth vessel and arranging a raw material on the other end side and sublimating the raw material. A heating furnace that accommodates the growth vessel, a heat shielding member that is arranged around the growth vessel and partitions the inside of the heating furnace into a low-temperature compartment and a high-temperature compartment, and around the other end of the growth vessel in the high-temperature compartment The raw material heating means arranged and a support part that supports the growth vessel and can move the growth vessel are provided. When the compound semiconductor single crystal is grown in the support part, the single crystal growth part in the growth vessel has a low temperature. The apparatus for producing a compound semiconductor single crystal is characterized in that the growth vessel can be moved to the low temperature compartment side so that the raw material portion in the growth vessel exists in the high temperature compartment.
本発明の化合物半導体単結晶の製造装置によれば、加熱炉内が低温区画と高温区画に仕切ることができるよう成長容器の周囲に熱遮蔽部材が配置され、成長容器内の単結晶成長部が低温区画に、成長容器内の原料部が高温区画に存在できるように保持する。そして、この状態が保たれたまま、単結晶の成長中に、成長容器を支持する支持部が低温区画側に向かって成長容器を移動できるよう設定する。この場合、上記位置関係が保たれることにより、単結晶成長表面の位置を熱遮蔽部材よりも常に上部に保つことができる。したがって、結晶成長が進み、結晶膜厚が増えても、単結晶が原料部を過熱する高温区画に到達することがなくなるので、単結晶の成長表面と原料部との温度差を均一に保つことができ、長時間の結晶成長により単結晶の厚さが増加しても成長速度が落ちることがなく、結晶成長を行うことが可能となる。ここで、高温区画とは原料の昇華温度以上の温度で加熱された区画であり、低温区画とは高温区画よりも低温で加熱された区画である。 According to the compound semiconductor single crystal manufacturing apparatus of the present invention, the heat shielding member is arranged around the growth vessel so that the inside of the heating furnace can be divided into the low temperature compartment and the high temperature compartment, and the single crystal growth portion in the growth vessel is provided. The raw material portion in the growth vessel is held in the low temperature compartment so that it can exist in the high temperature compartment. And while this state is maintained, it sets so that the support part which supports a growth container can move a growth container toward the low temperature division side during the growth of a single crystal. In this case, by maintaining the positional relationship, the position of the single crystal growth surface can always be kept above the heat shielding member. Therefore, even if the crystal growth progresses and the crystal film thickness increases, the single crystal does not reach the high temperature section where the raw material part is heated, so that the temperature difference between the single crystal growth surface and the raw material part is kept uniform. Therefore, even if the thickness of the single crystal increases due to long-time crystal growth, the growth rate does not decrease, and crystal growth can be performed. Here, the high temperature zone is a zone heated at a temperature equal to or higher than the sublimation temperature of the raw material, and the low temperature zone is a zone heated at a lower temperature than the high temperature zone.
また、本発明は、支持部の移動時において、支持部の移動速度が化合物半導体単結晶の成長速度よりも大きいことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装置である。 The present invention is the compound semiconductor single crystal manufacturing apparatus, wherein the moving speed of the support portion is larger than the growth rate of the compound semiconductor single crystal when the support portion is moved.
本発明の化合物半導体単結晶の製造装置によれば、支持部が移動するときに、支持部の移動速度を、単結晶の成長速度よりも大きい移動速度で移動することができるよう設定する。この場合、単結晶の成長が進むにつれ、単結晶の成長表面が、既に設定されていた低温区画である加熱炉の上部側にシフトしていく。そのため、単結晶成長部と原料部との温度差がより大きくなり、従来技術よりも結晶成長速度をより一層向上することができる。 According to the compound semiconductor single crystal manufacturing apparatus of the present invention, when the support portion moves, the moving speed of the support portion is set so that it can be moved at a moving speed larger than the growth rate of the single crystal. In this case, as the growth of the single crystal proceeds, the growth surface of the single crystal shifts to the upper side of the heating furnace, which is a low-temperature section that has already been set. Therefore, the temperature difference between the single crystal growth part and the raw material part becomes larger, and the crystal growth rate can be further improved as compared with the prior art.
また、本発明は、加熱炉内に収容される成長容器内で原料を昇華させて化合物半導体単結晶を製造する化合物半導体単結晶の製造方法であって、熱遮蔽部材が周囲に配置された成長容器を加熱して、加熱炉内を熱遮蔽部材で低温区画と高温区画に仕切る加熱工程と、成長容器内の単結晶成長部を低温区画に、成長容器内の原料部を高温区画に存在するように保ちながら、成長容器を支持する支持部を、成長容器と共に低温区画側に向かって移動させる成長容器移動工程と、を備えたことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法である。 The present invention also relates to a method for producing a compound semiconductor single crystal in which a raw material is sublimated in a growth vessel accommodated in a heating furnace to produce a compound semiconductor single crystal, in which a heat shielding member is disposed around A heating process in which the vessel is heated and the inside of the heating furnace is divided into a low temperature zone and a high temperature zone by a heat shielding member, the single crystal growth part in the growth vessel is in the low temperature zone, and the raw material part in the growth vessel is in the high temperature zone. And a growth container moving step of moving the supporting portion for supporting the growth container together with the growth container toward the low-temperature compartment side while keeping the growth container in such a manner.
本発明の化合物半導体単結晶の製造方法によれば、加熱炉内を低温区画と高温区画に仕切るように、熱遮蔽部材を成長容器の外周部を取り囲むように用いて、成長容器内の単結晶成長部を低温区画に、原料部を高温区画に存在できるように保持する。そして、この状態を保ちながら、単結晶の成長中に、成長容器を支持する支持部を、成長容器と共に低温区画側に向かって移動させる。この場合、上記位置関係が保たれることにより、単結晶成長表面の位置を熱遮蔽部材よりも常に上部に保つことができる。したがって、結晶成長が進み、結晶膜厚が増えても、単結晶が原料部を加熱する高温区画に到達することがなくなるので、単結晶の成長表面と原料部との温度差を均一に保つことができ、長時間の結晶成長により単結晶の厚さが増加しても成長速度が落ちることがなく、結晶成長を行うことが可能となる。 According to the method for producing a compound semiconductor single crystal of the present invention, the single crystal in the growth vessel is used by surrounding the outer periphery of the growth vessel so that the inside of the heating furnace is divided into the low temperature compartment and the high temperature compartment. The growing part is held in the low temperature compartment and the raw material part is held in the high temperature compartment. Then, while maintaining this state, during the growth of the single crystal, the support portion that supports the growth vessel is moved together with the growth vessel toward the low-temperature compartment side. In this case, by maintaining the positional relationship, the position of the single crystal growth surface can always be kept above the heat shielding member. Therefore, even if the crystal growth progresses and the crystal film thickness increases, the single crystal does not reach the high temperature section for heating the raw material part, so the temperature difference between the growth surface of the single crystal and the raw material part should be kept uniform. Therefore, even if the thickness of the single crystal increases due to long-time crystal growth, the growth rate does not decrease, and crystal growth can be performed.
また、本発明は、成長容器移動工程において、支持部の移動速度が化合物半導体単結晶の成長速度よりも大きくなるように、支持部を移動させることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法である。 Further, the present invention is a method for producing a compound semiconductor single crystal, wherein the support portion is moved so that the moving speed of the support portion is higher than the growth rate of the compound semiconductor single crystal in the growth vessel moving step. is there.
本発明の化合物半導体単結晶の製造方法によれば、支持部を移動させるときに、支持部の移動速度が化合物半導体単結晶の成長速度よりも大きくなるように、支持部を移動させることにより、単結晶成長が進むにつれ、単結晶の成長表面が、既に設定されていた低温区悪である加熱炉の上部側にシフトしていく。そのため、単結晶成長部と原料部との温度差がより大きくなり、従来技術よりも結晶成長速度をより一層向上することができる。 According to the method for producing a compound semiconductor single crystal of the present invention, when moving the support portion, by moving the support portion so that the moving speed of the support portion is larger than the growth rate of the compound semiconductor single crystal, As the single crystal growth proceeds, the growth surface of the single crystal shifts to the upper side of the heating furnace, which has already been set at a low temperature. Therefore, the temperature difference between the single crystal growth part and the raw material part becomes larger, and the crystal growth rate can be further improved as compared with the prior art.
本発明によれば、従来技術と比べて、単結晶の成長表面と原料表面との温度差をより一層増加させることができ、単結晶の厚さが増加しても成長速度が落ちることなく、結晶成長を行うことが可能な化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供することができる。 According to the present invention, compared with the prior art, the temperature difference between the growth surface of the single crystal and the raw material surface can be further increased, and the growth rate does not decrease even if the thickness of the single crystal increases. An apparatus and a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal capable of crystal growth can be provided.
(1)第一実施形態
「化合物半導体単結晶の製造装置」
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、本発明に係る化合物半導体単結晶の製造装置の第一実施形態を説明する概略図であって、(a)は誘導コイルを用いた場合の化合物半導体単結晶の製造装置を示す概略図、(b)は誘導コイルを用いない場合の化合物半導体単結晶の製造装置を示す概略図である。
図1(a)に示すように、化合物半導体単結晶の製造装置(以下、単に「製造装置」と呼ぶことがある。)100は、化合物半導体単結晶5の成長が行われる成長容器1と、成長容器1を支持する支持部2と、成長容器1本体の外周に沿って配置され、原料6を加熱する原料加熱手段3と、これら各部を包囲する加熱炉4とから概略構成されている。
(1) First Embodiment “Compound Semiconductor Single Crystal Manufacturing Apparatus”
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a first embodiment of a compound semiconductor single crystal manufacturing apparatus according to the present invention. FIG. 1A is a schematic diagram showing a compound semiconductor single crystal manufacturing apparatus using an induction coil. FIG. 2B is a schematic diagram showing an apparatus for producing a compound semiconductor single crystal when no induction coil is used.
As shown in FIG. 1A, a compound semiconductor single crystal manufacturing apparatus (hereinafter sometimes referred to simply as “manufacturing apparatus”) 100 includes a
成長容器1は、内底部に単結晶粉末などの原料6が収容される坩堝7と、坩堝7を密閉する蓋体8とを有している。
The
蓋体8は、蓋体8の表面8aに種結晶9が固定された状態で、種結晶9を坩堝7の内側になるように向けて、坩堝7を密閉するように固定される。以下、蓋体8における種結晶9の固定面を表面8aと定義する。
The
坩堝7および蓋体8を構成する材料としては、熱伝導性の材料であれば特に限定されるものではなく、例えば、グラファイト、アルミナ、マグネシア、ジルコニアおよび石英などが用いられる。これらの材料の中でも、経済的、高温耐熱性の観点から、グラファイトを用いることが好ましい。なお、グラファイトを用いると、焼成中に生起される炭素雰囲気により炭素原子が単結晶5に入り込むため、黒鉛が核になって多結晶化したり、炭素ドープにより導電性が増加したりするなど結晶品質の低下が懸念される。したがって、これを防ぐために、坩堝7の内壁面7aおよび蓋体8の表面8aは、窒化タングステン等の金属窒化物で被覆されていることが好ましい。
The material constituting the crucible 7 and the
支持部2は、成長容器1を支持するために設けられており、成長容器1を載せた状態で上下移動や回転移動が可能な構造となっている。すなわち、結晶成長中に支持部2を上下移動や回転移動させることにより、成長容器1も上下移動もしくは回転移動することが可能となっている。
The
また、支持部2の形状は、成長容器1を支持することが可能であれば、T字型や筒型等のいかなる形状であってもよい。
支持部2の材料としては、熱伝導性や耐熱性に優れた黒鉛やタンタルカーバイド等が用いられるが、タンタルは比較的高価な材料であるため、全体的に黒鉛を使用するか、部分的にタンタルカーバイドを用いることで、コスト削減を図ることができる。
Further, the shape of the
As the material of the
原料加熱手段3の加熱方式としては、誘導加熱による自己発熱方式または抵抗加熱による自己発熱方式が用いられる。
原料加熱手段3は、ヒータ等の抵抗加熱体で構成されている。
抵抗加熱体としては、熱伝導性や耐熱性に優れた黒鉛等のカーボン系材料やタングステン系材料等の材料からなるものが用いられる。
As a heating method of the raw material heating means 3, a self-heating method by induction heating or a self-heating method by resistance heating is used.
The raw material heating means 3 is composed of a resistance heating body such as a heater.
As the resistance heating body, one made of a carbon-based material such as graphite or a tungsten-based material having excellent thermal conductivity and heat resistance is used.
誘導加熱による自己発熱方式を用いる場合、図1(a)に示すように、原料加熱手段3と対向するように誘導コイル10が配設される。この場合、誘導コイル10は成長容器1本体の外周に沿って螺旋状に巻かれている。
自己発熱方式では、誘導コイル10に、高周波電流を印加することにより、熱伝導性の材料からなる原料加熱手段3を誘導加熱し、その輻射熱により坩堝7を加熱することができる。
このような誘導加熱による自己発熱方式を用いると、原料加熱手段3は発熱に伴う形状変化が少ないため、寿命が長くなり、結晶成長の安定性とコスト面から有効である。また、誘導コイル10による発熱の温度を一定に保つためには、誘導コイル10のコイルピッチを一定に保つ必要があるので、誘導コイル10のコイルは樹脂系材料で固定されている。なお、使用する誘導コイル10の個数は特に限定されるものではなく、多数個使用してもよい。
When the self-heating method using induction heating is used, an
In the self-heating method, by applying a high frequency current to the
When such a self-heating method using induction heating is used, the material heating means 3 has little change in shape due to heat generation, so the life is extended, and it is effective in terms of stability and cost of crystal growth. Further, in order to keep the temperature of heat generated by the
抵抗加熱による自己発熱方式を用いる場合、図1(b)に示すように、誘導コイル10を用いずに、原料加熱手段3に設けられた抵抗体に通電することにより、抵抗体を自己発熱させて、坩堝7を加熱する。
When using the self-heating method by resistance heating, as shown in FIG. 1B, the resistor is self-heated by energizing the resistor provided in the raw material heating means 3 without using the
加熱炉4の外底部4aには、窒素ガスなどを供給するガス供給装置に接続されたガス導入口(図示略)が設けられている。
また、加熱炉4の天井部4bには、加熱炉4内のガスを外部に排出するためのガス排出口(図示略)と、真空ポンプなどの減圧装置に接続されている圧力調整弁(図示略)が設けられており、これらのガス排出口と圧力調整弁により、加熱炉4内を所定のガス圧力に調節できるようになっている。
The
The
結晶成長中に、坩堝7の内壁面7aおよび蓋体8の表面8aに被覆されている金属窒化物が昇華するのを防ぐため、坩堝7および加熱炉4の内部には不活性ガスが充填されている。
加熱炉4内のガスが、ガス排出口を通して減圧装置によって排出された後、不活性ガスが、ガス導入口を通して不活性ガス供給装置から加熱炉4内に導入される。
不活性ガスとしては、例えば、アルゴン、ヘリウムもしくはネオン等の希ガス、または、窒素ガスが用いられる。
During the crystal growth, the crucible 7 and the heating furnace 4 are filled with an inert gas to prevent the metal nitride covered on the
After the gas in the heating furnace 4 is discharged by the decompression device through the gas discharge port, the inert gas is introduced into the heating furnace 4 from the inert gas supply device through the gas introduction port.
As the inert gas, for example, a rare gas such as argon, helium or neon, or nitrogen gas is used.
また、加熱炉4には、成長容器1を収容するための開口部(図示略)が設けられている。
さらに、加熱炉4の上下端部(外底部4aおよび天井部4b)にはそれぞれ、成長容器1の下面および上面の温度を測定するための放射温度計11,11が設けられている。
The heating furnace 4 is provided with an opening (not shown) for accommodating the
Furthermore,
そして、加熱炉4の内部には、成長容器1の外周部を取り囲むように熱遮蔽部材12が設けられている。
熱遮蔽部材12の形状は、板状またはブロック状であることが好ましい。また、熱遮蔽部材12の中心部には、成長容器1の挿通が可能な大きさの開口部12aが設けられ、この開口部12aに成長容器1が挿通されている。
この場合、完全に他の区画からの熱を遮蔽できるように、熱遮蔽部材12と成長容器1との間に、出来る限り隙間が生じないように開口部12aの大きさを設定するのが望ましい。
And inside the heating furnace 4, the
The shape of the
In this case, it is desirable to set the size of the
また、上記の熱遮蔽部材12の代わりに、成長容器1の周囲に、比較的サイズの小さい板状またはブロック状の断熱部材を多数配置させてもよい。
この場合、完全に他の区画からの熱を遮蔽できるように、断熱部材同士の間、断熱部材と成長容器1との間、および、断熱部材と加熱炉4との間を、隙間なく配置することが好ましい。これにより、加熱炉4の内部を、低温区画17と高温区画18に仕切ることができる。
Further, instead of the
In this case, between the heat insulating members, between the heat insulating member and the
熱遮蔽部材12を構成する材料としては、多孔質構造をなす断熱性の材料で構成されたものが用いられ、例えば、カーボンフェルト、グラファイトフェルト、リジッドフェルト、カーボンファイバーなどのカーボン繊維系材料、アルミナファイバーやセラミックファイバーなどの非カーボン繊維系材料、ポリウレタンやポリエチレンなどの発泡体材料、マイクロサームなどの粉末系材料または真空断熱材などが挙げられる。これらの中でも、経済的、高遮熱性、高温耐熱性の観点から、カーボン繊維系材料が好ましい。
As the material constituting the
「化合物半導体単結晶の製造方法」
次に、図1および図2を参照して、上記の製造装置100を用いた本実施形態に係る化合物半導体単結晶の製造方法について説明する。
図2は、本発明に係る化合物半導体単結晶の製造方法を示すフロー図である。
"Production Method of Compound Semiconductor Single Crystal"
Next, with reference to FIG. 1 and FIG. 2, the manufacturing method of the compound semiconductor single crystal which concerns on this embodiment using said
FIG. 2 is a flowchart showing a method for producing a compound semiconductor single crystal according to the present invention.
まず、加熱炉4に設けられている不図示の搬入口を開けて、加熱炉4内から坩堝7を取り出し、坩堝7の内底部に原料6を収容する(ステップS1)。
First, the unillustrated carry-in port provided in the heating furnace 4 is opened, the crucible 7 is taken out from the heating furnace 4, and the
製造装置100によって製造される化合物半導体単結晶5は、昇華性の単結晶であればいかなるものでもよく、例えば、SiC単結晶、AlN単結晶およびGaN単結晶などが挙げられる。そして、これらの単結晶の原料としては、これらの粉末の結晶が用いられる。
The compound semiconductor
次に、蓋体8と種結晶9との間が離間しないように、蓋体8の表面8aに種結晶9を固定し、蓋体8の表面8aを坩堝7の内壁面7a側に向けて坩堝7を密閉する。この状態で、成長容器1を、加熱炉4の開口部から内底部に収容し、搬入口を閉じて加熱炉4を密閉する(ステップS2)。
Next, the
ここで、種結晶9の裏面(蓋体8の表面8aと接している面)には、種結晶9の裏面からの原子の脱離を防止する目的で、保護膜が設けられていてもよい。
保護膜を構成する材料としては、単結晶5の成長温度における昇華速度が、種結晶9の昇華速度以下である材料であれば特に制限されるものではない。保護膜を構成する材料としては、例えば、感光レジストといった有機薄膜を炭化処理した炭素薄膜などが挙げられる。
Here, a protective film may be provided on the back surface of the seed crystal 9 (the surface in contact with the
The material constituting the protective film is not particularly limited as long as the material has a sublimation rate at the growth temperature of the
種結晶9としては、単結晶5を成長させることができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、Si、Geなどの単元素半導体からなる半導体結晶基板、SiC、SiGeなどのIV族化合物半導体からなる半導体結晶基板、Al2O3、MgAl2O4、ZnO、MgOまたはSiO2などの酸化物半導体からなる半導体結晶基板、GaAs、GaP、InP、BNまたはAlxInyGa(1−x−y)N(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、および0≦x+y≦1)などのIII−V族化合物半導体などからなる半導体結晶基板が用いられる。これらの中でも、欠陥の少ない高品質の単結晶を効率的に製造する観点から、熱特性に優れる種結晶が好ましく、例えば、SiC、Al2O3またはAlxInyGa(1−x−y)N(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、および0≦x+y≦1)からなる半導体結晶基板が好ましい。
The
次に、加熱炉4内を、圧力調整弁を介して、減圧装置により真空引きして脱気する(ステップS3)。 Next, the inside of the heating furnace 4 is evacuated by vacuuming with a decompression device via a pressure regulating valve (step S3).
その後、ガス導入口から加熱炉4内に不活性ガスを導入するとともに、ガス排出口から加熱炉4内のガスを排出させる。こうして、成長容器1の周囲を不活性ガス雰囲気とする。
なお、この時、加熱炉4内の不活性ガスの圧力は、高品質な単結晶の作製が実現できるように、例えば、単結晶がSiCの場合には102Pa以上、単結晶がAlN、GaNの場合には104Pa以上に制御することが好ましい。
Thereafter, an inert gas is introduced into the heating furnace 4 from the gas inlet, and the gas in the heating furnace 4 is discharged from the gas outlet. In this way, the periphery of the
At this time, the pressure of the inert gas in the heating furnace 4 is, for example, 10 2 Pa or more when the single crystal is SiC, and the single crystal is AlN, so that a high-quality single crystal can be produced. In the case of GaN, it is preferable to control to 10 4 Pa or more.
次に、誘導加熱による自己発熱方式を用いる場合、誘導コイル10に高周波電流を印加することにより、原料加熱手段3に高周波磁場を印加する。すると、原料加熱手段3に誘導電流が流れ、原料加熱手段3が発熱し、その輻射熱により坩堝7が加熱される(ステップS4;加熱工程)。また、抵抗加熱による自己発熱方式を用いる場合、原料加熱手段3に設けられた抵抗体に通電することにより、抵抗体が自己発熱し、この熱により坩堝7が加熱される。
Next, when using the self-heating method by induction heating, a high frequency magnetic field is applied to the raw material heating means 3 by applying a high frequency current to the
このとき、熱遮蔽部材12により、原料加熱手段3からの対流熱や輻射熱を抑えることができるので、原料6の温度は種結晶9の温度よりも高温に制御される。したがって、成長容器1内部において温度勾配が形成されるため、坩堝7からの熱が原料6に伝わり、原料6が加熱されて分解、昇華される。これにより、昇華した原料のガスが、ガス導入口から流入した不活性ガスと混合して混合ガスとなる。そして、この混合ガスが蓋体8に固定された種結晶9に付着して再結晶し、化合物半導体単結晶5が成長する。
At this time, since the
ここで、単結晶5の成長温度は、吸着原子の表面マイグレーションを促進できるように、比較的高温であることが望ましい。具体的には、例えば、AlN単結晶を得る場合は、成長温度は1500〜2000℃程度であることが望ましい。
Here, it is desirable that the growth temperature of the
また、原料加熱手段3の温度調整は、誘導コイル10のコイルピッチを変えるだけでなく、誘導コイル10に印加する高周波電流を制御したり、原料加熱手段3のサイズを変えたりしても可能である。
さらに、原料加熱手段3の輻射熱による成長容器1からの自己発熱を抑えるように、誘導コイル10の周波数を制御することで、成長容器1内部の温度ムラを防ぐことができ、単結晶成長表面13と原料表面14との温度差を適切に保つことが可能となる。
なお、坩堝7内部の雰囲気温度は、種結晶9の温度よりも高温になっているので、上記の混合ガスは、坩堝7の内壁面7a側に付着しにくくなり、種結晶9に向かって付着しやすくなる。
The temperature of the raw material heating means 3 can be adjusted not only by changing the coil pitch of the
Furthermore, by controlling the frequency of the
In addition, since the atmospheric temperature inside the crucible 7 is higher than the temperature of the
また、昇華法による単結晶成長の際、より高品質な単結晶5が得られるように、単結晶成長前において、バッファ層として、種結晶9が昇華しない温度領域で、種結晶9の露出面を覆うように結晶薄膜を成膜してもよい。
ここで、種結晶9の露出面を覆うように成膜された結晶薄膜は、単結晶であることが好ましい。さらに、結晶薄膜と単結晶5とが、同種の物質であることが好ましい。結晶薄膜と同種の物質を用いて単結晶5を成長させると、種結晶9と成長させる単結晶5との格子定数と熱膨張係数が一致する。そのため、異種の物質を用いた場合に比べ、単結晶5と結晶薄膜との格子不整合度をより低減することができ、単結晶5にかかる応力を抑制し、歪による単結晶5の割れを防ぐことができるので、高品質な単結晶5の作製が可能となる。
In addition, when the single crystal is grown by the sublimation method, the exposed surface of the
Here, the crystal thin film formed to cover the exposed surface of the
次に、単結晶成長中に、支持部2を成長容器1とともに低温区画17側に移動させる(ステップS5)。
Next, during the single crystal growth, the
このとき、支持部2の移動速度を、成長容器1内の単結晶成長部15が低温区画17に、原料部16が高温区画18に存在できる範囲内で、単結晶5の成長速度よりも大きい移動速度に設定する。また、この移動は連続的に行ってもよいし、断続的に行ってもよい。
At this time, the moving speed of the
さらに、単結晶成長中に、支持部2を回転してもよい。これにより、昇華ガスが種結晶9の表面全体に行き渡り易くなり、種結晶9の表面をより均一な結晶膜厚で覆うことが可能となる。
なお、上記のステップS5と支持部2の回転の順序は逆であってもよい。
Furthermore, you may rotate the
Note that the order of the rotation of step S5 and the
以下、本実施形態の作用効果を説明する。
従来、単結晶5の成長初期には、単結晶成長表面13の位置が、単結晶5を加熱する比較的低温な低温区画17に存在するため、原料部16を加熱する原料加熱手段3からの対流熱や輻射熱を断熱することができる。
しかし、長時間の成長により単結晶5の厚さが増加し、単結晶成長表面13の位置が原料部16を加熱する比較的高温な高温区画18に到達すると、原料部16を加熱する原料加熱手段3からの対流熱や輻射熱により、単結晶成長表面13の温度が本来目的とする温度よりも高温になるため、単結晶成長表面13と原料表面14との温度差が小さくなり、単結晶5の成長速度が低減されてしまう。
Hereinafter, the effect of this embodiment is demonstrated.
Conventionally, at the initial stage of the growth of the
However, when the thickness of the
そこで、上記問題の解決手段として、加熱炉4内を低温区画17と高温区画18に仕切ることができるように、熱遮蔽部材12を成長容器1の外周部を取り囲むように用いて、成長容器1内の単結晶成長部15を低温区画17に、原料部16を高温区画18に存在できるように保持する。
そして、この状態を保ちながら、単結晶5の成長中に、支持部2を成長容器1とともに低温区画17側に向かって移動させる。この場合、上記位置関係を保つことにより、単結晶成長表面13の位置を熱遮蔽部材12よりも常に上部に保つことができる。したがって、結晶成長が進み、単結晶の厚さが増加しても、原料部16を加熱する高温区画18に到達することがなくなるので、単結晶成長表面13と原料表面14との温度差を均一に保つことができ、長時間の結晶成長により単結晶の厚さが増加しても、成長速度が落ちることがなく結晶成長を行うことが可能となる。
Therefore, as a means for solving the above problem, the
Then, while maintaining this state, during the growth of the
また、従来技術においては、単結晶5を加熱する単結晶加熱手段(図示略)と原料部16を加熱する原料加熱手段3との間に熱遮蔽部材12を挿入している。これにより、近接する加熱手段からの対流熱や輻射熱を断熱することが可能となり、単結晶成長表面13と原料表面14との温度差を広げている。
しかしながら、この場合、上記の温度差はほぼ一定の状態が保たれるだけであって、結晶成長方向の温度勾配がこれ以上増加しないため、成長速度をより向上させるためには、他の手段が必要であった。
In the prior art, the
However, in this case, the above temperature difference is only kept almost constant, and the temperature gradient in the crystal growth direction does not increase any more. It was necessary.
そこで、上記問題の解決手段として、本実施形態では、支持部2を移動させるときに、支持部2を、単結晶5の成長速度よりも大きい移動速度で移動させる。支持部2が単結晶5の成長速度と同等の速度で移動する場合、相対速度が同等となるため、事実上、単結晶成長表面13の位置はほぼ同等の位置に留まることになる。しかし、支持部2を、単結晶5の成長速度よりも大きい移動速度で移動させる場合は、単結晶成長が進むにつれ、単結晶成長表面13が、既に設定されていた低温区画である加熱炉4の上部側にシフトしていく。そのため、単結晶成長表面13と原料表面14との温度差がより大きくなり、従来技術よりも成長速度をより一層向上することができる。
Therefore, as a means for solving the above problem, in the present embodiment, when the
(2)第二実施形態
「化合物半導体単結晶の製造装置」
次に、第二実施形態について説明する。
図3は、本発明の第二実施形態に用いられる製造装置110の状態を示す概略図である。図3において、図1に示した製造装置100と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
製造装置110が、上述の製造装置100と異なる点は、成長容器1を加熱するために補助加熱手段19が設けられ、補助加熱手段19の上部に補助熱遮蔽部材20が設けられている点である。
(2) Second embodiment “Compound semiconductor single crystal manufacturing apparatus”
Next, a second embodiment will be described.
FIG. 3 is a schematic view showing a state of the
The
すなわち、製造装置110では、原料加熱手段3に加えて、成長容器1を加熱する補助加熱手段19が、熱遮蔽部材12の上部、言い換えれば、低温区画17側に設けられている。
補助加熱手段19の加熱温度を制御することによって、成長中の単結晶成長表面13の温度の制御が容易となり、単結晶成長表面13と原料表面14との温度差をより一層、適切に制御し易くなる。
That is, in the
By controlling the heating temperature of the auxiliary heating means 19, the temperature of the growing single
また、補助加熱手段19の上部で、かつ、蓋体8よりも下側に、補助熱遮蔽部材20が設けられている。
このように補助熱遮蔽部材20を設けることにより、蓋体8において、補助加熱手段19からの輻射熱を断熱でき、蓋体8に伝導する熱を抑えることができるため、単結晶成長表面13と原料表面14との温度差をさらに適切に制御することが可能となる。
Further, an auxiliary heat shielding member 20 is provided above the auxiliary heating means 19 and below the
By providing the auxiliary heat shielding member 20 in this way, the radiant heat from the auxiliary heating means 19 can be insulated in the
なお、さらに低温区画17側に、補助加熱手段19や補助熱断熱部材20を設けてもよい。
このように、低温区画17側に、補助加熱手段19や補助熱断熱部材20を設けることにより、低温区画17側の温度、すなわち単結晶成長表面13の温度制御を適切に制御できる。
この単結晶加熱手段19と熱遮蔽部材20を用いて、上述の第一実施形態と同様の手順で化合物半導体単結晶5を製造してもよい。
In addition, you may provide the auxiliary | assistant heating means 19 and the auxiliary | assistant thermal insulation member 20 in the
Thus, by providing the auxiliary heating means 19 and the auxiliary heat insulation member 20 on the
By using the single crystal heating means 19 and the heat shielding member 20, the compound semiconductor
1・・・成長容器、2・・・支持部、3・・・原料加熱手段、4・・・加熱炉、5・・・化合物半導体単結晶(単結晶)、6・・・原料、7・・・坩堝、8・・・蓋体(坩堝蓋)、9・・・種結晶、10・・・誘導コイル、11・・・放射温度計、12・・・熱遮蔽部材、13・・・単結晶成長表面、14・・・原料表面、15・・・単結晶成長部、16・・・原料部、17・・・低温区画、18・・・高温区画、19・・・補助加熱手段、20・・・補助熱遮蔽部材、100,110・・・化合物半導体単結晶の製造装置(製造装置)。
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記成長容器を収容する加熱炉と、前記成長容器の周囲に配置されると共に前記加熱炉内を低温区画と高温区画に仕切る熱遮蔽部材と、前記高温区画内にあって前記成長容器における他端側の周囲に配置される原料加熱手段と、前記成長容器を支持すると共に前記成長容器を移動可能な支持部とを備え、
前記支持部は、化合物半導体単結晶を成長させるときに、前記成長容器内の単結晶成長部が前記低温区画に存在し、前記成長容器内の原料部が前記高温区画に存在するように、前記低温区画側に前記成長容器を移動可能であることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装置。 A compound semiconductor single crystal manufacturing apparatus for manufacturing a compound semiconductor single crystal by disposing a seed crystal on one end side in a growth vessel and disposing a raw material on the other end side and sublimating the raw material,
A heating furnace that accommodates the growth vessel, a heat shielding member that is disposed around the growth vessel and partitions the heating furnace into a low temperature compartment and a high temperature compartment, and the other end of the growth vessel in the high temperature compartment Comprising a raw material heating means arranged around the side, and a support part that supports the growth vessel and is capable of moving the growth vessel,
When the compound semiconductor single crystal is grown, the support portion is such that the single crystal growth portion in the growth vessel exists in the low temperature compartment, and the raw material portion in the growth vessel exists in the high temperature compartment. An apparatus for producing a compound semiconductor single crystal, wherein the growth vessel is movable to a low-temperature compartment side.
熱遮蔽部材が周囲に配置された前記成長容器を加熱して、前記加熱炉内を前記熱遮蔽部材で低温区画と高温区画に仕切る加熱工程と、
前記成長容器内の単結晶成長部を前記低温区画に、前記成長容器内の原料部を前記高温区画に存在するように保ちながら、前記成長容器を支持する支持部を、前記成長容器と共に前記低温区画側に向かって移動させる成長容器移動工程と、を備えたことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。 A method for producing a compound semiconductor single crystal in which a raw material is sublimated in a growth vessel housed in a heating furnace to produce a compound semiconductor single crystal,
A heating step of heating the growth vessel around which a heat shielding member is disposed, and partitioning the inside of the heating furnace into a low temperature compartment and a high temperature compartment by the heat shielding member;
A supporting portion for supporting the growth vessel is maintained together with the growth vessel while maintaining the single crystal growth portion in the growth vessel in the low temperature compartment and the raw material portion in the growth vessel in the high temperature compartment. And a growth vessel moving step for moving toward the compartment side. A method for producing a compound semiconductor single crystal, comprising:
4. The compound semiconductor single crystal according to claim 3, wherein in the growth vessel moving step, the support portion is moved so that a moving speed of the support portion is larger than a growth speed of the compound semiconductor single crystal. Manufacturing method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011216510A JP2013075789A (en) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | Apparatus and method for producing compound semiconductor single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011216510A JP2013075789A (en) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | Apparatus and method for producing compound semiconductor single crystal |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013075789A true JP2013075789A (en) | 2013-04-25 |
Family
ID=48479566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011216510A Withdrawn JP2013075789A (en) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | Apparatus and method for producing compound semiconductor single crystal |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013075789A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020203516A1 (en) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 学校法人関西学院 | Device for manufacturing semiconductor substrate comprising temperature gradient inversion means and method for manufacturing semiconductor substrate |
JP2021088476A (en) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | 昭和電工株式会社 | Crystal growth apparatus |
JP7373608B1 (en) | 2022-05-25 | 2023-11-02 | 中外炉工業株式会社 | convection suppression furnace |
-
2011
- 2011-09-30 JP JP2011216510A patent/JP2013075789A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020203516A1 (en) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 学校法人関西学院 | Device for manufacturing semiconductor substrate comprising temperature gradient inversion means and method for manufacturing semiconductor substrate |
US12014939B2 (en) | 2019-03-29 | 2024-06-18 | Kwansei Gakuin Educational Foundation | Device for manufacturing semiconductor substrate comprising temperature gradient inversion means and method for manufacturing semiconductor substrate |
JP2021088476A (en) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | 昭和電工株式会社 | Crystal growth apparatus |
JP7347173B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-09-20 | 株式会社レゾナック | crystal growth equipment |
JP7373608B1 (en) | 2022-05-25 | 2023-11-02 | 中外炉工業株式会社 | convection suppression furnace |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5560862B2 (en) | Silicon carbide single crystal ingot manufacturing equipment | |
JP6813779B2 (en) | Single crystal manufacturing equipment and single crystal manufacturing method | |
US20120107218A1 (en) | Production method of silicon carbide crystal, silicon carbide crystal, and production device of silicon carbide crystal | |
JP2010150133A (en) | Method for producing uniformly-doped silicon carbide bulk single crystal, and uniformly-doped silicon carbide substrate | |
US6800136B2 (en) | Axial gradient transport apparatus and process | |
TW201938855A (en) | Production method for silicon carbide single crystal | |
JP4052678B2 (en) | Large silicon carbide single crystal growth equipment | |
KR20150066015A (en) | Growth device for single crystal | |
KR101724291B1 (en) | Apparatus for growing silicon carbide single crystal using the method of reversal of Physical Vapor Transport | |
JP4238450B2 (en) | Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal | |
JP5602093B2 (en) | Single crystal manufacturing method and manufacturing apparatus | |
JP2013075789A (en) | Apparatus and method for producing compound semiconductor single crystal | |
CN111218716B (en) | Method for producing SiC single crystal ingot | |
WO2015012190A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING SiC SUBSTRATES | |
JP2013043822A (en) | Method for producing semiconductor wafer, and semiconductor wafer | |
CN111286785A (en) | Crystal growth device and crucible | |
CN116219548A (en) | Large-size silicon carbide single crystal growth method and device | |
JP3823345B2 (en) | Single crystal growth method and single crystal growth apparatus | |
JP2013075793A (en) | Apparatus and method for producing single crystal | |
JP2013006739A (en) | Method for producing single crystal | |
JP5573753B2 (en) | SiC growth equipment | |
JP2000053493A (en) | Production of single crystal and single crystal production device | |
JP4400479B2 (en) | Single crystal manufacturing method and manufacturing apparatus | |
US11453959B2 (en) | Crystal growth apparatus including heater with multiple regions and crystal growth method therefor | |
JP7306217B2 (en) | Crucible and SiC single crystal growth apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20141202 |