JP2013071883A

JP2013071883A - Method and apparatus for treating substrate surface

Info

Publication number: JP2013071883A
Application number: JP2011214344A
Authority: JP
Inventors: Kenji Shintani; 賢治新谷; Mutsumi Tsuda; 睦津田; Masakazu Taki; 正和滝; Shingo Tomohisa; 伸吾友久; Tomohiro Ikeda; 知弘池田
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2011-09-29
Filing date: 2011-09-29
Publication date: 2013-04-22

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for treating a substrate surface by which when the substrate surface is processed, the rear surface is not processed.SOLUTION: The method for treating a substrate surface includes: a substrate placing step of placing a substrate on a substrate stage in a vacuum vessel; an evacuation step of evacuating the vacuum vessel; an inert gas supply step of supplying an inert gas from the substrate holding surface side of the substrate stage; an etching step of performing etching by supplying a process gas into the vacuum vessel; and an inert gas supply stopping step of stopping the supply of the inert gas after the end of etching.

Description

この発明は、基板表面処理方法および基板表面処理装置に関するものである。 The present invention relates to a substrate surface treatment method and a substrate surface treatment apparatus.

太陽光発電は、化石燃料による火力発電の代替エネルギとして期待されており、太陽光発電システムの生産量は年々増加している。このため、シリコン基板を原材料に用いるバルク型太陽電池ではシリコンウェハが不足するという事態が発生し、シリコン基板の価格高騰により製造コストの増大が懸念されている。そこで、ガラス基板上にシリコン膜を形成する薄膜シリコン太陽電池が注目されている。 Photovoltaic power generation is expected as an alternative energy to thermal power generation using fossil fuel, and the production amount of solar power generation system is increasing year by year. For this reason, in a bulk type solar cell using a silicon substrate as a raw material, there is a situation in which a silicon wafer is insufficient, and there is a concern about an increase in manufacturing cost due to a rise in the price of the silicon substrate. Therefore, a thin film silicon solar cell that forms a silicon film on a glass substrate has attracted attention.

薄膜シリコン太陽電池は、たとえばガラス基板上に、透明導電膜からなる第１電極層と、Ｐ型アモルファスシリコン膜、発電層であるＩ型アモルファスシリコン膜およびＮ型アモルファスシリコン膜からなるアモルファスシリコンセルと、透明導電膜および金属電極膜からなる第２電極層と、が積層された構造を有する。薄膜シリコン太陽電池では、ガラス基板を介して入射した太陽光を効率的に発電に利用するため、たとえばガラス基板の表面にテクスチャと呼ばれる凹凸形状を形成して入射光を散乱させ、発電層内での光路長を長くすることで高い発電電流を得ている。 A thin-film silicon solar cell includes, for example, a first electrode layer made of a transparent conductive film on a glass substrate, an amorphous silicon cell made of a P-type amorphous silicon film, an I-type amorphous silicon film that is a power generation layer, and an N-type amorphous silicon film. And a second electrode layer made of a transparent conductive film and a metal electrode film. In thin-film silicon solar cells, in order to efficiently use sunlight incident through a glass substrate for power generation, for example, an uneven shape called texture is formed on the surface of the glass substrate to scatter incident light, and within the power generation layer High power generation current is obtained by lengthening the optical path length.

薄膜太陽電池で使用するガラス基板の表面への凹凸形状の形成方法としては、サンドブラストを用いる方法などが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。また、ＨＦガスを用いた気相エッチング装置として、シリコン基板上に作製する半導体デバイス用の気相ＨＦエッチング装置が知られている（たとえば、特許文献２，３参照）。 As a method for forming a concavo-convex shape on the surface of a glass substrate used in a thin film solar cell, a method using sand blasting has been proposed (for example, see Patent Document 1). As a vapor phase etching apparatus using HF gas, a vapor phase HF etching apparatus for a semiconductor device manufactured on a silicon substrate is known (for example, see Patent Documents 2 and 3).

特開平９−１９９７４５号公報JP-A-9-199745 特開２００８−１８７１０５号公報JP 2008-187105 A 特許第２８３３９４６号公報Japanese Patent No. 2833946

しかしながら、サンドブラスト法を用いた場合には、ガラス基板表面の凹凸形状の形状制御が困難であり、この上に太陽電池を作製した場合、安定した太陽電池特性が得られないという問題点があった。また、従来の気相ＨＦエッチング装置は、シリコン基板表面に形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜をエッチングするための装置であり、薄膜太陽電池で使用するガラス基板の表面に凹凸形状を形成するための装置ではない。そのため、従来の気相ＨＦエッチング装置を用いて薄膜シリコン太陽電池用のガラス基板をエッチングして基板表面に凹凸形状の形成を行なった場合には、基板ステージ上に設置したガラス基板の端部のわずかな空隙からＨＦガスの周り込みが生じ、ガラス基板の裏面にも凹凸形状が形成されてしまうという問題点があった。 However, when the sandblasting method is used, it is difficult to control the shape of the irregular shape on the surface of the glass substrate, and when a solar cell is produced thereon, there is a problem that stable solar cell characteristics cannot be obtained. . A conventional vapor phase HF etching apparatus is an apparatus for etching a silicon oxide film or a silicon nitride film formed on the surface of a silicon substrate, and forms an uneven shape on the surface of a glass substrate used in a thin film solar cell. It is not a device for. Therefore, when a glass substrate for a thin film silicon solar cell is etched using a conventional vapor phase HF etching apparatus to form a concavo-convex shape on the substrate surface, the edge of the glass substrate placed on the substrate stage is There was a problem in that HF gas wraps around from a slight gap, and an uneven shape is formed on the back surface of the glass substrate.

この発明は、上記に鑑みてなされたもので、基板表面を加工する際に、裏面には加工が施されない基板表面処理方法および基板表面処理装置を得ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to obtain a substrate surface treatment method and a substrate surface treatment apparatus in which the back surface is not processed when the substrate surface is processed.

上記目的を達成するため、この発明にかかる基板処理方法は、処理室内の基板保持手段に基板を載置する基板載置工程と、前記処理室内を排気する排気工程と、前記基板保持手段の基板保持面側から不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、前記処理室内に処理ガスを供給してエッチングするエッチング工程と、エッチングの終了後に前記不活性ガスの供給を停止する不活性ガス供給停止工程と、を含むことを特徴とする。 In order to achieve the above object, a substrate processing method according to the present invention includes a substrate mounting step of placing a substrate on a substrate holding means in a processing chamber, an exhausting step of exhausting the processing chamber, and a substrate of the substrate holding means. An inert gas supply step for supplying an inert gas from the holding surface side, an etching step for supplying a processing gas into the processing chamber for etching, and an inert gas supply for stopping the supply of the inert gas after completion of etching And a stopping step.

この発明によれば、薄膜シリコン太陽電池などに用いられるガラス基板などの基板表面を、ガスエッチングによって処理する場合に、基板保持手段の基板載置面から不活性ガスを供給し、不活性ガスを基板保持手段と基板との間を通して、基板端部から処理室内に供給するようにしたので、処理ガスの基板裏面への回り込みが抑制され、基板裏面に不必要な処理が施されてしまうことを抑制することができる。 According to this invention, when a substrate surface such as a glass substrate used for a thin film silicon solar cell is processed by gas etching, the inert gas is supplied from the substrate mounting surface of the substrate holding means, and the inert gas is supplied. Since the substrate is supplied between the substrate holding means and the substrate from the edge of the substrate into the processing chamber, it is possible to prevent the processing gas from entering the back surface of the substrate and to perform unnecessary processing on the back surface of the substrate. Can be suppressed.

図１は、この発明の実施の形態１による基板表面処理装置の概略構成を模式的に示す断面図である。1 is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of a substrate surface treatment apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 図２は、基板ステージの上面図である。FIG. 2 is a top view of the substrate stage. 図３は、実施の形態１による基板表面処理方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart showing an example of a processing procedure of the substrate surface processing method according to the first embodiment. 図４は、実施の形態１による基板ステージの他の構成例を示す上面図である。FIG. 4 is a top view showing another configuration example of the substrate stage according to the first embodiment. 図５は、実施の形態２によるガラス基板の表面処理装置の概略構成を模式的に示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of the glass substrate surface treatment apparatus according to the second embodiment. 図６は、基板ステージの上面図である。FIG. 6 is a top view of the substrate stage. 図７は、実施の形態２によるガラス基板の表面処理装置の概略構成の他の例を模式的に示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing another example of the schematic configuration of the glass substrate surface treatment apparatus according to the second embodiment. 図８は、実施の形態３による基板表面処理装置の概略構成を模式的に示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of the substrate surface treating apparatus according to the third embodiment. 図９は、従来の気相ＨＦエッチング装置の構成を模式的に示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a conventional vapor phase HF etching apparatus. 図１０は、従来の気相ＨＦエッチング時のガラス基板と基板ステージとＨＦガスとの関係を模式的に示す図である。FIG. 10 is a diagram schematically showing a relationship among a glass substrate, a substrate stage, and HF gas at the time of conventional vapor phase HF etching. 図１１は、従来の気相ＨＦエッチング処理後のガラス基板の状態を模式的に示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a state of a glass substrate after a conventional vapor phase HF etching process.

以下に添付図面を参照して、この発明の実施の形態にかかる基板表面処理方法および基板表面処理装置を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、以下では、従来の気相ＨＦエッチング装置の構成とその問題点について説明した後、実施の形態について説明する。 Hereinafter, a substrate surface treatment method and a substrate surface treatment apparatus according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Note that the present invention is not limited to these embodiments. In the following, after describing the configuration and problems of a conventional vapor phase HF etching apparatus, embodiments will be described.

図９は、従来の気相ＨＦエッチング装置の構成を模式的に示す断面図である。気相ＨＦエッチング装置２１０は、処理室である真空容器２１１内に、処理対象であるシリコン基板２５０を保持する基板ステージ２１２と、シリコン基板２５０上に処理ガスをシャワー状に供給するシャワーヘッド２１４と、を備える。シャワーヘッド２１４は、真空容器２１１の上部に、基板ステージ２１２に対向するように設けられている。シャワーヘッド２１４には、ＨＦガスを供給するガス配管２２１と、Ｈ₂Ｏ（水蒸気）ガスを供給するガス配管２２２と、が接続されており、各ガス配管２２１，２２２には各ガスの流量を制御するマスフローコントローラ２２３が設けられている。また、真空容器２１１の下部には、排気口２１３が設けられ、配管を介して図示しない真空ポンプと接続される。 FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a conventional vapor phase HF etching apparatus. The vapor phase HF etching apparatus 210 includes a substrate stage 212 that holds a silicon substrate 250 to be processed in a vacuum vessel 211 that is a processing chamber, and a shower head 214 that supplies a processing gas onto the silicon substrate 250 in a shower shape. . The shower head 214 is provided above the vacuum vessel 211 so as to face the substrate stage 212. A gas pipe 221 for supplying HF gas and a gas pipe 222 for supplying H ₂ O (water vapor) gas are connected to the shower head 214, and each gas pipe 221, 222 has a flow rate of each gas. A mass flow controller 223 to be controlled is provided. In addition, an exhaust port 213 is provided at the lower part of the vacuum vessel 211, and is connected to a vacuum pump (not shown) through a pipe.

このような気相ＨＦエッチング装置でのＨＦエッチング処理について説明する。まず、表面にシリコン酸化膜２５１が形成されたシリコン基板２５０を真空容器２１１内に搬入し、基板ステージ２１２上に載置する。ついで、図示しない真空ポンプによって排気口２１３を介して真空容器２１１内を所定の真空度にした後、マスフローコントローラ２２３によって流量調整されたＨＦガスやＨ₂Ｏガスを配管２２１，２２２を介して真空容器２１１内に供給する。このとき、供給されるガスは、シャワーヘッド２１４から基板ステージ２１２上に載置されたシリコン基板２５０上にシャワー状に導入され、これによってシリコン基板２５０の表面のシリコン酸化膜２５１がエッチング除去される。 The HF etching process in such a vapor phase HF etching apparatus will be described. First, the silicon substrate 250 having the silicon oxide film 251 formed on the surface is carried into the vacuum vessel 211 and placed on the substrate stage 212. Next, after the inside of the vacuum vessel 211 is made a predetermined degree of vacuum through the exhaust port 213 by a vacuum pump (not shown), the HF gas and H ₂ O gas whose flow rate is adjusted by the mass flow controller 223 are vacuumed through the pipes 221 and 222. Supply into the container 211. At this time, the supplied gas is introduced in a shower form from the shower head 214 onto the silicon substrate 250 placed on the substrate stage 212, whereby the silicon oxide film 251 on the surface of the silicon substrate 250 is removed by etching. .

つぎに、このような気相ＨＦエッチング装置を、トランジスタなどの半導体装置が形成された半導体基板ではなく、薄膜太陽電池用のガラス基板のエッチングに適用する場合について説明する。図１０は、従来の気相ＨＦエッチング時のガラス基板と基板ステージとＨＦガスとの関係を模式的に示す図であり、図１１は、従来の気相ＨＦエッチング処理後のガラス基板の状態を模式的に示す断面図である。図１０に示されるように、従来の気相ＨＦエッチング装置２１０を用いて薄膜太陽電池用のガラス基板５０をエッチングしてガラス基板５０の表面に凹凸形状の形成を行う場合、基板ステージ２１２上に載置したガラス基板５０の端部のわずかな空隙２５５からＨＦガスの周り込みが生じる。その結果、図１１に示されるように、ガラス基板５０の表面に形成される凹凸形状５０ａだけでなく、裏面の周縁部付近にも凹凸形状５０ｂが形成されてしまうという問題点があった。 Next, a case where such a vapor phase HF etching apparatus is applied to etching of a glass substrate for a thin film solar cell, not a semiconductor substrate on which a semiconductor device such as a transistor is formed will be described. FIG. 10 is a diagram schematically showing the relationship between the glass substrate, the substrate stage, and the HF gas during the conventional vapor phase HF etching, and FIG. 11 shows the state of the glass substrate after the conventional vapor phase HF etching process. It is sectional drawing shown typically. As shown in FIG. 10, when a glass substrate 50 for a thin film solar cell is etched using a conventional vapor phase HF etching apparatus 210 to form a concavo-convex shape on the surface of the glass substrate 50, The HF gas wraps around from a slight gap 255 at the end of the placed glass substrate 50. As a result, as shown in FIG. 11, there is a problem that the uneven shape 50 b is formed not only in the uneven shape 50 a formed on the surface of the glass substrate 50 but also in the vicinity of the peripheral portion of the back surface.

特に、薄膜太陽電池の製造に用いられる１ｍ角を超える大面積のガラス基板５０の場合には、ガラス基板５０の平坦性の確保が難しく、ＨＦガスの周り込みが顕著となっていた。そして、裏面に凹凸形状５０ｂが形成されたガラス基板５０の表面上に薄膜シリコン太陽電池を作製した場合、ガラス基板５０の裏面の凹凸形状５０ｂが形成された領域では、本来であればガラス基板５０に入射すべき光が凹凸形状５０ｂによって散乱されてしまい、局所的に太陽電池特性が劣化（発電電流が低下）して製品歩留まりの低下が引き起こされるという問題点があった。 In particular, in the case of a glass substrate 50 having a large area exceeding 1 m square used for the manufacture of a thin film solar cell, it is difficult to ensure the flatness of the glass substrate 50, and the HF gas is conspicuous. And when a thin film silicon solar cell is produced on the surface of the glass substrate 50 in which the uneven | corrugated shape 50b was formed in the back surface, in the area | region in which the uneven | corrugated shape 50b of the back surface of the glass substrate 50 was originally formed, the glass substrate 50 was originally. The light to be incident on the surface is scattered by the concavo-convex shape 50b, and there is a problem that the solar cell characteristics are locally degraded (the generated current is reduced) and the product yield is lowered.

以下の実施の形態では、気相ＨＦエッチング処理時に、ガラス基板５０の裏面のエッチングを抑制することができる基板表面処理方法および基板表面処理装置について説明する。 In the following embodiments, a substrate surface treatment method and a substrate surface treatment apparatus that can suppress the etching of the back surface of the glass substrate 50 during the vapor phase HF etching treatment will be described.

実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による基板表面処理装置の概略構成を模式的に示す断面図であり、図２は、基板ステージの上面図である。基板表面処理装置としての気相エッチング装置１０は、真空容器１１を備え、真空容器１１の内部には、ガラス基板５０などの基板が載置される基板ステージ１２と、基板ステージ１２の基板載置面に対向して配置されるシャワーヘッド１４と、が設けられる。 Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a sectional view schematically showing a schematic configuration of a substrate surface processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a top view of a substrate stage. A vapor phase etching apparatus 10 as a substrate surface processing apparatus includes a vacuum vessel 11. A substrate stage 12 on which a substrate such as a glass substrate 50 is placed inside the vacuum vessel 11, and a substrate placement of the substrate stage 12. And a shower head 14 disposed to face the surface.

基板ステージ１２の上面のガラス基板５０を載置する領域（以下、基板載置領域という）には、たとえばザグリ加工によって施された基板載置用溝１２１が形成されている。すなわち、基板ステージ１２の上面に基板載置用溝１２１を設けることで、基板ステージ１２上面の外周部には、ガラス基板５０を所定の位置に保持する基板ガイド１２２が形成され、ガラス基板５０が基板ステージ１２から落下しない構造となっている。なお、この例では、ガラス基板５０は矩形状を有しており、基板ステージ１２の基板載置用溝１２１も平面視で矩形状に加工されている。また、基板載置用溝１２１の底面には、ガラス基板５０の裏面に均一に不活性ガスを拡散させる不活性ガス供給溝１２３が設けられている。不活性ガス供給溝１２３は、基板ステージ１２の略中央部を貫通するガス流路３３と接続され、ガス流路３３の吐出口３３２から放射状に形成されている。また、基板載置用溝１２１の外周部に沿っても不活性ガス供給溝１２３が形成されている。なお、ガス流路３３の流入口３３１は、後述する不活性ガス供給機構３０に接続されている。さらに、基板ステージ１２は、ガラス基板５０を所望の温度に加熱することができるように、図示しない加熱手段を備えている。 In a region where the glass substrate 50 is placed on the upper surface of the substrate stage 12 (hereinafter referred to as a substrate placement region), a substrate placement groove 121 formed by, for example, counterboring is formed. That is, by providing the substrate mounting groove 121 on the upper surface of the substrate stage 12, a substrate guide 122 for holding the glass substrate 50 in a predetermined position is formed on the outer peripheral portion of the upper surface of the substrate stage 12. The structure does not drop from the substrate stage 12. In this example, the glass substrate 50 has a rectangular shape, and the substrate mounting groove 121 of the substrate stage 12 is also processed into a rectangular shape in plan view. In addition, an inert gas supply groove 123 that uniformly diffuses an inert gas is provided on the bottom surface of the glass substrate 50 on the bottom surface of the substrate mounting groove 121. The inert gas supply groove 123 is connected to the gas flow path 33 that passes through the substantially central portion of the substrate stage 12, and is formed radially from the discharge ports 332 of the gas flow path 33. An inert gas supply groove 123 is also formed along the outer periphery of the substrate placement groove 121. The inlet 331 of the gas flow path 33 is connected to an inert gas supply mechanism 30 described later. Furthermore, the substrate stage 12 includes a heating means (not shown) so that the glass substrate 50 can be heated to a desired temperature.

シャワーヘッド１４には、処理ガス（プロセスガス）を真空容器１１内に均一に導入するための複数個のガス供給口１４１が設けられている。また、真空容器１１の下部には排気口１３が設けられており、この排気口１３には図示しない圧力調整バルブと真空ポンプが接続され、真空容器１１内の圧力を所望の圧力に調整可能な構成となっている。 The shower head 14 is provided with a plurality of gas supply ports 141 for uniformly introducing a processing gas (process gas) into the vacuum vessel 11. In addition, an exhaust port 13 is provided in the lower part of the vacuum vessel 11, and a pressure adjusting valve and a vacuum pump (not shown) are connected to the exhaust port 13 so that the pressure in the vacuum vessel 11 can be adjusted to a desired pressure. It has a configuration.

気相エッチング装置１０は、真空容器１１内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構２０と、真空容器１１内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構３０と、を真空容器１１の外部に備える。処理ガス供給機構２０は、ＨＦガスを供給するＨＦガス供給配管２１とＨ₂Ｏガスを供給するＨ₂Ｏガス供給配管２２と、ガス流量制御装置としてのマスフローコントローラ２３と、を備える。ＨＦガス供給配管２１とＨ₂Ｏガス供給配管２２は、それぞれマスフローコントローラ２３を介して真空容器１１のシャワーヘッド１４の設置位置に接続されている。これらの処理ガスはシャワーヘッド１４を介して真空容器１１内に吐出される。 The vapor phase etching apparatus 10 includes a processing gas supply mechanism 20 that supplies a processing gas into the vacuum container 11 and an inert gas supply mechanism 30 that supplies an inert gas into the vacuum container 11. Prepare. A processing gas supply mechanism 20 includes a the H ₂ O gas supply pipe 22 for supplying HF gas supply pipe 21 and the H ₂ O gas supplying HF gas, a mass flow controller 23 as a gas flow rate control device. The HF gas supply pipe 21 and the H ₂ O gas supply pipe 22 are respectively connected to the installation position of the shower head 14 of the vacuum vessel 11 via the mass flow controller 23. These processing gases are discharged into the vacuum vessel 11 through the shower head 14.

不活性ガス供給機構３０は、Ｎ₂ガスやＡｒガス、Ｈｅガスなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給配管３１と、マスフローコントローラ３２と、を備える。不活性ガス供給配管３１は、マスフローコントローラ３２を介して基板ステージ１２に設けられたガス流路３３の流入口３３１に接続される。基板ステージ１２に供給された不活性ガスは、ガス流路３３を介して、基板ステージ１２の上面より真空容器１１内に供給される。 The inert gas supply mechanism 30 includes an inert gas supply pipe 31 that supplies an inert gas such as N ₂ gas, Ar gas, and He gas, and a mass flow controller 32. The inert gas supply pipe 31 is connected to an inlet 331 of a gas flow path 33 provided in the substrate stage 12 via a mass flow controller 32. The inert gas supplied to the substrate stage 12 is supplied into the vacuum container 11 from the upper surface of the substrate stage 12 through the gas flow path 33.

このような構成の気相エッチング装置１０では、ＨＦガスとＨ₂Ｏガスとをガラス基板５０に供給してエッチングを行う際に、ガラス基板５０の裏面から不活性ガスを供給し、ガラス基板５０の外周部から真空容器１１内へと流出されるようにしているので、ＨＦガスがガラス基板５０の外周部から裏面に周り込むことを抑えることができる。 In the gas phase etching apparatus 10 having such a configuration, when etching is performed by supplying HF gas and H ₂ O gas to the glass substrate 50, an inert gas is supplied from the back surface of the glass substrate 50, and the glass substrate 50 The HF gas can be prevented from flowing from the outer periphery of the glass substrate 50 to the back surface.

つぎに、気相エッチング装置１０によるガラス基板５０の表面処理方法について説明する。図３は、実施の形態１による基板表面処理方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。 Next, a surface treatment method of the glass substrate 50 by the vapor phase etching apparatus 10 will be described. FIG. 3 is a flowchart showing an example of a processing procedure of the substrate surface processing method according to the first embodiment.

まず、ガラス基板５０を真空容器１１内の基板ステージ１２に設置し（ステップＳ１）、真空容器１１内を真空排気する（ステップＳ２）。ついで、不活性ガス供給機構３０からＮ₂ガスなどの不活性ガスをガス流路３３を介して基板ステージ１２の上面に供給する（ステップＳ３）。このとき、不活性ガスは、ガス流路３３の吐出口３３２から、基板ステージ１２の基板載置用溝１２１の底面に設けられた不活性ガス供給溝１２３から基板ステージ１２の上面へと供給される。また、基板ステージ１２の上面にはガラス基板５０が設置されているため、ガス流路３３より基板ステージ１２の上面に流出した不活性ガスは、基板ステージ１２の上面に形成された不活性ガス供給溝１２３を通って、ガラス基板５０の端部から基板ステージ１２外部の真空容器１１内に供給される。 First, the glass substrate 50 is placed on the substrate stage 12 in the vacuum vessel 11 (step S1), and the vacuum vessel 11 is evacuated (step S2). Next, an inert gas such as N ₂ gas is supplied from the inert gas supply mechanism 30 to the upper surface of the substrate stage 12 through the gas flow path 33 (step S3). At this time, the inert gas is supplied from the discharge port 332 of the gas flow path 33 to the upper surface of the substrate stage 12 from the inert gas supply groove 123 provided on the bottom surface of the substrate mounting groove 121 of the substrate stage 12. The Further, since the glass substrate 50 is installed on the upper surface of the substrate stage 12, the inert gas flowing out from the gas flow path 33 to the upper surface of the substrate stage 12 is supplied with the inert gas formed on the upper surface of the substrate stage 12. It passes through the groove 123 and is supplied from the end of the glass substrate 50 into the vacuum container 11 outside the substrate stage 12.

その後、処理ガス供給機構２０から、シャワーヘッド１４を介してＨＦガスを真空容器１１内に供給し（ステップＳ４）、排気口１３に接続される図示しない圧力調整バルブと真空ポンプとによって真空容器１１内を所定の圧力に調整する（ステップＳ５）。この際、ＨＦガスがガラス基板５０に吸着することでガラス基板５０の表面がエッチングされて凹凸形状が形成される。 Thereafter, HF gas is supplied from the processing gas supply mechanism 20 into the vacuum container 11 through the shower head 14 (step S4), and the vacuum container 11 is connected by a pressure control valve (not shown) connected to the exhaust port 13 and a vacuum pump. The inside is adjusted to a predetermined pressure (step S5). At this time, the surface of the glass substrate 50 is etched by adsorbing the HF gas to the glass substrate 50, so that an uneven shape is formed.

エッチングを所定の時間行なった後（ステップＳ６）、ＨＦガスの供給を停止してエッチングを終了する（ステップＳ７）。その後、基板ステージ１２に供給している不活性ガスの供給を停止し（ステップＳ８）、真空容器１１内の残留ガスや反応生成物を真空排気する（ステップＳ９）。そして、上面に凹凸形状が形成されたガラス基板５０を真空容器１１から取り出して（ステップＳ１０）、基板表面処理方法が終了する。 After performing the etching for a predetermined time (step S6), the supply of HF gas is stopped and the etching is finished (step S7). Thereafter, the supply of the inert gas supplied to the substrate stage 12 is stopped (step S8), and the residual gas and reaction product in the vacuum vessel 11 are evacuated (step S9). And the glass substrate 50 in which the uneven | corrugated shape was formed in the upper surface is taken out from the vacuum vessel 11 (step S10), and a substrate surface treatment method is complete | finished.

なお、上述した説明では、基板ステージ１２の上面に形成した不活性ガス供給溝１２３は、基板ステージ１２の平面視上で中央部から放射状に形成した場合を例に挙げたが、これに限られることなく、不活性ガス供給溝１２３は不活性ガスをガラス基板５０の周辺から真空容器１１内へと均一に供給することができる形状であればよい。 In the above description, the case where the inert gas supply groove 123 formed on the upper surface of the substrate stage 12 is formed radially from the center in plan view of the substrate stage 12 is described as an example, but the present invention is not limited thereto. Instead, the inert gas supply groove 123 may have any shape that can uniformly supply the inert gas from the periphery of the glass substrate 50 into the vacuum vessel 11.

また、この実施の形態１では、ガス流路３３の吐出口３３２を、平面視上で基板ステージ１２の中央部に１箇所設けた場合を例に挙げたが、これに限られることなく、基板ステージ１２の上面に複数個のガス流路３３の吐出口３３２を設置してもよい。図４は、実施の形態１による基板ステージの他の構成例を示す上面図である。 In the first embodiment, the case where the discharge port 332 of the gas flow path 33 is provided at one central portion of the substrate stage 12 in plan view is described as an example. However, the present invention is not limited to this. You may install the discharge port 332 of the some gas flow path 33 in the upper surface of the stage 12. FIG. FIG. 4 is a top view showing another configuration example of the substrate stage according to the first embodiment.

薄膜シリコン太陽電池で用いられる大面積のガラス基板５０を処理する場合には、図１や図２に示されるように、基板ステージ１２の中央部の１箇所から供給される不活性ガスをガラス基板５０の裏面に均一に拡散させることが難しい。そのため、図４に示されるように、ガラス基板５０の裏面周縁部付近に対応する基板載置用溝１２１の底面の周縁部付近にのみ不活性ガス供給溝１２３を形成し、この不活性ガス供給溝１２３の中に複数個のガス流路３３を設けるようにしてもよい。このようにすることで、大面積のガラス基板５０であっても基板端部より真空容器１１内に均一に不活性ガスを供給することができる。なお、図２と同じ構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略している。 When processing a large-area glass substrate 50 used in a thin-film silicon solar cell, as shown in FIGS. 1 and 2, an inert gas supplied from one central portion of the substrate stage 12 is used as a glass substrate. It is difficult to diffuse uniformly on the back surface of 50. Therefore, as shown in FIG. 4, an inert gas supply groove 123 is formed only in the vicinity of the peripheral edge portion of the bottom surface of the substrate mounting groove 121 corresponding to the vicinity of the back surface peripheral edge portion of the glass substrate 50. A plurality of gas flow paths 33 may be provided in the groove 123. By doing in this way, even if it is the glass substrate 50 of a large area, an inert gas can be uniformly supplied in the vacuum vessel 11 from the edge part of a board | substrate. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same component as FIG. 2, and the description is abbreviate | omitted.

以上説明したように、この実施の形態１では、少なくとも、ＨＦガスを真空容器１１内に供給している期間、基板ステージ１２の上面（基板載置用溝１２１）からガラス基板５０の裏面に不活性ガスを供給し、この不活性ガスを基板ステージ１２とガラス基板５０の裏面の間を通してガラス基板５０の端部より真空容器１１内に供給させるようにした。これによって、ガラス基板５０の裏面へのＨＦガスの周り込みが抑制される。特に、平坦性が確保されない１ｍ角を超える大面積のガラス基板５０でも、裏面へのＨＦガスの周り込みが抑制される。その結果、ガラス基板５０の裏面への凹凸形状の形成を防止することができる。 As described above, in the first embodiment, at least during the period during which HF gas is supplied into the vacuum vessel 11, the substrate stage 12 is not exposed from the upper surface (substrate mounting groove 121) to the rear surface of the glass substrate 50. An active gas was supplied, and this inert gas was supplied into the vacuum vessel 11 from the end of the glass substrate 50 through between the substrate stage 12 and the back surface of the glass substrate 50. Thereby, the HF gas is prevented from entering the back surface of the glass substrate 50. In particular, even in a glass substrate 50 having a large area exceeding 1 m square where flatness is not ensured, HF gas is prevented from entering the back surface. As a result, it is possible to prevent the formation of uneven shapes on the back surface of the glass substrate 50.

また、このようにして形成されたガラス基板５０上に、たとえば透明導電膜からなる第１電極層と、Ｐ型半導体膜、発電層であるＩ型半導体膜およびＮ型半導体膜からなる光電変換層と、透明導電膜および金属電極膜からなる第２電極層と、が積層された構造の薄膜太陽電池を形成した場合に、ガラス基板５０の裏面の周縁部に凹凸形状が形成されないので、ガラス基板５０に入射すべき光が散乱されずにガラス基板５０に入射するようになり、局所的に太陽電池特性が劣化（発電電流が低下）して製品歩留まりの低下が引き起こされる事態を防止することができるという効果も有する。 Further, on the glass substrate 50 thus formed, for example, a first electrode layer made of a transparent conductive film, a photoelectric conversion layer made of a P-type semiconductor film, an I-type semiconductor film as a power generation layer, and an N-type semiconductor film. And a second electrode layer made of a transparent conductive film and a metal electrode film, a concavo-convex shape is not formed on the peripheral edge of the back surface of the glass substrate 50, so that the glass substrate The light to be incident on the glass substrate 50 is incident on the glass substrate 50 without being scattered, thereby preventing a situation in which the solar cell characteristics are locally deteriorated (the generated current is reduced) and the product yield is reduced. It also has the effect of being able to.

実施の形態２．
図５は、実施の形態２によるガラス基板の表面処理装置の概略構成を模式的に示す断面図であり、図６は、基板ステージの上面図である。この実施の形態２では、基板ステージ１２の基板載置用溝１２１の底面の外周部に沿って複数のガス流路３４が設けられる。ガス流路３４は、それぞれの位置で基板ステージ１２の厚さ方向を貫通するように設けられる。また、不活性ガス供給機構３０の不活性ガス供給配管３１は、真空容器１１の外部で分岐し、それぞれのガス流路３４に接続される。この実施の形態２では、ガス流路３４は、ガラス基板５０を基板ステージ１２上に載置したときに、実施の形態１のようにガラス基板５０の周縁部の下部になるように配置されるのではなく、ガラス基板５０の外縁の外側になるように配置される。このような構造によって、基板ステージ１２とガラス基板５０との間の密着性を確保することができる。その結果、基板ステージ１２を加熱している際には、基板ステージ１２に載置したガラス基板５０の温度を一定に保つことができる。なお、実施の形態１と同一の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略している。また、このような構造のガラス基板の表面処理装置における表面処理方法についても、実施の形態１と同様であるので、その説明を省略する。 Embodiment 2. FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of the glass substrate surface treatment apparatus according to the second embodiment, and FIG. 6 is a top view of the substrate stage. In the second embodiment, a plurality of gas flow paths 34 are provided along the outer peripheral portion of the bottom surface of the substrate mounting groove 121 of the substrate stage 12. The gas flow path 34 is provided so as to penetrate the thickness direction of the substrate stage 12 at each position. The inert gas supply pipe 31 of the inert gas supply mechanism 30 branches outside the vacuum vessel 11 and is connected to each gas flow path 34. In the second embodiment, when the glass substrate 50 is placed on the substrate stage 12, the gas flow path 34 is disposed so as to be below the peripheral edge of the glass substrate 50 as in the first embodiment. Instead, it is arranged outside the outer edge of the glass substrate 50. With such a structure, adhesion between the substrate stage 12 and the glass substrate 50 can be ensured. As a result, when the substrate stage 12 is heated, the temperature of the glass substrate 50 placed on the substrate stage 12 can be kept constant. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component same as Embodiment 1, and the description is abbreviate | omitted. Further, the surface treatment method in the glass substrate surface treatment apparatus having such a structure is also the same as that of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.

この実施の形態２では、基板ステージ１２の上面に、実施の形態１のように不活性ガス供給溝１２３が形成されていないため、加熱している基板ステージ１２とガラス基板５０との密着性が実施の形態１の場合に比して確保される。その結果、基板ステージ１２に載置したガラス基板５０の温度を一定に保つことができ、ガラス基板５０の基板面内でのエッチング分布の劣化を抑制することができるという効果を実施の形態１の効果に加えて得ることができる。 In the second embodiment, since the inert gas supply groove 123 is not formed on the upper surface of the substrate stage 12 as in the first embodiment, the adhesion between the heated substrate stage 12 and the glass substrate 50 is improved. This is ensured as compared with the case of the first embodiment. As a result, the temperature of the glass substrate 50 placed on the substrate stage 12 can be kept constant, and the effect of suppressing the deterioration of the etching distribution within the substrate surface of the glass substrate 50 can be achieved. In addition to the effects can be obtained.

なお、上述した説明では、基板ステージ１２の外周部に設けた不活性ガスのガス流路３４は、基板ステージ１２の上面からシャワーヘッド１４の方向に向けて不活性ガスが供給される構成を例示したが、これに限られるものではなく、基板ステージ１２の上面に形成する不活性ガスのガス流路３４は、不活性ガスをガラス基板５０の周辺から真空容器１１内に均一に供給できる形状であれば、どのように配置されるものでもよい。 In the above description, the inert gas gas flow path 34 provided on the outer peripheral portion of the substrate stage 12 is exemplified by a configuration in which the inert gas is supplied from the upper surface of the substrate stage 12 toward the shower head 14. However, the present invention is not limited to this, and the inert gas flow path 34 formed on the upper surface of the substrate stage 12 has a shape that can uniformly supply the inert gas from the periphery of the glass substrate 50 into the vacuum vessel 11. Any arrangement may be used as long as it exists.

図７は、実施の形態２によるガラス基板の表面処理装置の概略構成の他の例を模式的に示す断面図である。この例では、不活性ガスのガス流路３５は、基板ステージ１２の基板載置領域内に厚さ方向に延在し、基板ステージ１２の上部で載置されるガラス基板５０の基板面と平行な方向に向きを変えるように構成されている。すなわち、基板載置領域の周縁部で、ガラス基板５０の裏面と平行な方向に不活性ガスを吐出することができるようにガス流路３５が構成されている。なお、この場合には、基板ステージ１２には基板ガイド１２２が設けられていない。また、図１や図５と同一の構成要素には、同一の符号を付して、その説明を省略している。 FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing another example of the schematic configuration of the glass substrate surface treatment apparatus according to the second embodiment. In this example, the gas flow path 35 of the inert gas extends in the thickness direction in the substrate placement region of the substrate stage 12 and is parallel to the substrate surface of the glass substrate 50 placed on the substrate stage 12. It is configured to change direction. That is, the gas flow path 35 is configured so that the inert gas can be discharged in the direction parallel to the back surface of the glass substrate 50 at the peripheral edge of the substrate placement region. In this case, the substrate stage 122 is not provided with the substrate guide 122. The same components as those in FIGS. 1 and 5 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

このような構成の気相エッチング装置１０によれば、不活性ガスは、ガラス基板５０の裏面と平行な方向に真空容器１１内に供給され、不活性ガスをシャワーヘッド１４の方向に供給する場合と比較して、シャワーヘッド１４から供給されるＨＦガスの流れを乱すことなく不活性ガスを真空容器１１内に供給することができる。そのため、基板周辺部でのエッチング分布の劣化を抑制できるという効果を有する。 According to the vapor phase etching apparatus 10 having such a configuration, the inert gas is supplied into the vacuum container 11 in a direction parallel to the back surface of the glass substrate 50, and the inert gas is supplied in the direction of the shower head 14. In comparison with, the inert gas can be supplied into the vacuum vessel 11 without disturbing the flow of the HF gas supplied from the shower head 14. Therefore, there is an effect that it is possible to suppress the deterioration of the etching distribution around the substrate.

実施の形態３．
この実施の形態３では、不活性ガス供給機構から基板ステージに供給される不活性ガスを予め加熱するガラス基板の表面処理装置と表面処理方法について説明する。 Embodiment 3 FIG.
In the third embodiment, a glass substrate surface treatment apparatus and a surface treatment method for preheating an inert gas supplied from an inert gas supply mechanism to a substrate stage will be described.

図８は、実施の形態３による基板表面処理装置の概略構成を模式的に示す断面図である。この基板表面処理装置としての気相エッチング装置１０は、実施の形態２の図７の構成で、不活性ガス供給機構３０のマスフローコントローラ３２と真空容器１１との間を接続する不活性ガス供給配管３１に、不活性ガスを加熱する配管加熱部３６と、不活性ガスの温度が所定の温度となるように配管加熱部３６の温度を制御する加熱制御部３７と、をさらに備える。加熱制御部３７は、不活性ガスの温度がたとえば基板ステージ１２の温度と同程度の温度となるように、配管加熱部３６を制御する。これによって、加熱された不活性ガスが基板ステージ１２内に供給される。なお、実施の形態１，２と同一の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略している。また、このような構造の気相エッチング装置における表面処理方法についても、実施の形態１と同様であるので、その説明を省略する。さらに、ここでは、図７の不活性ガス供給機構３０に配管加熱部３６と加熱制御部３７とを設ける場合を例示したが、図１や図５の不活性ガス供給機構３０に配管加熱部３６と加熱制御部３７とを設けるようにしてもよい。 FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of the substrate surface treating apparatus according to the third embodiment. The vapor phase etching apparatus 10 as the substrate surface processing apparatus has the configuration shown in FIG. 7 of the second embodiment, and an inert gas supply pipe that connects the mass flow controller 32 of the inert gas supply mechanism 30 and the vacuum vessel 11. 31 further includes a pipe heating unit 36 that heats the inert gas, and a heating control unit 37 that controls the temperature of the pipe heating unit 36 so that the temperature of the inert gas becomes a predetermined temperature. The heating control unit 37 controls the pipe heating unit 36 so that the temperature of the inert gas is approximately the same as the temperature of the substrate stage 12, for example. As a result, the heated inert gas is supplied into the substrate stage 12. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component same as Embodiment 1, 2, and the description is abbreviate | omitted. Further, the surface treatment method in the vapor phase etching apparatus having such a structure is also the same as that in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted. Furthermore, although the case where the pipe heating unit 36 and the heating control unit 37 are provided in the inert gas supply mechanism 30 of FIG. 7 is illustrated here, the pipe heating unit 36 is provided in the inert gas supply mechanism 30 of FIGS. And a heating control unit 37 may be provided.

この実施の形態３では、加熱制御部３７によって温度制御された配管加熱部３６で加熱された不活性ガスが基板ステージ１２に供給されるが、不活性ガスがたとえば基板ステージ１２の温度程度に温められているので、基板ステージ１２に到達する不活性ガスによって、加熱された基板ステージ１２の温度が低下してしまうことを防ぐことができる。すなわち、加熱された基板ステージ１２内を不活性ガスが流れることで生じる基板ステージ１２の温度低下が抑制され、この結果、ガラス基板５０面内でのエッチング分布の悪化を抑制することができるという効果を実施の形態１，２の効果に加えて得ることができる。 In the third embodiment, the inert gas heated by the pipe heating unit 36 whose temperature is controlled by the heating control unit 37 is supplied to the substrate stage 12, and the inert gas is heated to, for example, the temperature of the substrate stage 12. Therefore, it is possible to prevent the temperature of the heated substrate stage 12 from being lowered by the inert gas that reaches the substrate stage 12. That is, the temperature drop of the substrate stage 12 caused by the inert gas flowing in the heated substrate stage 12 is suppressed, and as a result, the deterioration of the etching distribution in the surface of the glass substrate 50 can be suppressed. Can be obtained in addition to the effects of the first and second embodiments.

なお、実施の形態１〜３において、処理ガスとしてＨＦガスおよびＨ₂Ｏガスを用いる場合を例に挙げて説明したが、Ｈ₂Ｏガスについては、これに限られることなく、エチルアルコールやメチルアルコール、またはこれらの混合ガスを用いてもよい。 In the first to third embodiments, the case where HF gas and H ₂ O gas are used as the processing gas has been described as an example. However, the H ₂ O gas is not limited to this, and ethyl alcohol or methyl Alcohol or a mixed gas thereof may be used.

また、実施の形態１〜３において、基板ステージ１２内に導入される不活性ガスとしてＮ₂ガスを例に挙げて説明したが、不活性ガスは、気相ＨＦによるガラス基板５０のエッチングに対して不活性なガスであればよく、Ｎ₂，Ａｒ，Ｈｅ，Ｘｅ，Ｋｒまたはこれらの混合ガスを用いても同様の効果を得ることができる。特に、不活性ガスとして、Ｎ₂，Ａｒ，Ｈｅまたはこれらの混合ガスを用いることで、Ｘｅ，Ｋｒなどの高価な不活性ガスを用いた場合と比較して、気相ＨＦエッチングプロセスを低コスト化することができる。 In the first to third embodiments, N ₂ gas has been described as an example of the inert gas introduced into the substrate stage 12, but the inert gas is used for etching the glass substrate 50 by vapor phase HF. Any inert gas can be used, and the same effect can be obtained by using N ₂ , Ar, He, Xe, Kr, or a mixed gas thereof. In particular, by using N ₂ , Ar, He or a mixed gas thereof as the inert gas, the vapor phase HF etching process can be performed at a lower cost compared to the case where an expensive inert gas such as Xe, Kr is used. Can be

１０気相エッチング装置
１１真空容器
１２基板ステージ
１３排気口
１４シャワーヘッド
２０処理ガス供給機構
２１ＨＦガス供給配管
２２Ｈ₂Ｏガス供給配管
２３，３２マスフローコントローラ
３０不活性ガス供給機構
３１不活性ガス供給配管
３３〜３５ガス流路
３６配管加熱部
３７加熱制御部
５０ガラス基板
５０ａ，５０ｂ凹凸形状
１２１基板載置用溝
１２２基板ガイド
１２３不活性ガス供給溝
１４１ガス供給口
３３１流入口
３３２吐出口 10 vapor-phase etching apparatus 11 vacuum chamber 12 the substrate stage 13 outlet 14 showerhead 20 process gas supply mechanism 21 HF gas supply pipe 22 H ₂ O gas supply pipe 23, 32 mass flow controller 30 inert gas supply mechanism 31 inert gas supply Piping 33 to 35 Gas flow path 36 Piping heating section 37 Heating control section 50 Glass substrate 50a, 50b Uneven shape 121 Substrate mounting groove 122 Substrate guide 123 Inert gas supply groove 141 Gas supply port 331 Inflow port 332 Discharge port

Claims

A substrate mounting step of mounting the substrate on the substrate holding means in the processing chamber;
An exhaust process for exhausting the processing chamber;
An inert gas supply step of supplying an inert gas from the substrate holding surface side of the substrate holding means;
An etching step of supplying a processing gas into the processing chamber and etching;
A substrate surface treatment method comprising: an inert gas supply stop step of stopping the supply of the inert gas after completion of etching.

The substrate is a glass substrate;
2. The substrate surface processing method according to claim 1, wherein the processing gas is a gas containing HF gas.

In the inert gas supply step, from the substrate placement region where the substrate of the substrate holding means is placed, between the substrate holding surface of the substrate holding means and the back surface of the substrate, The substrate surface processing method according to claim 1, wherein the inert gas is supplied into the processing chamber from an end portion.

3. The substrate surface processing method according to claim 1, wherein in the inert gas supply step, the inert gas is supplied into the processing chamber from an outer peripheral portion of the substrate placement region of the substrate holding unit. .

5. The substrate surface treatment method according to claim 1, wherein in the inert gas supply step, the inert gas is heated before being introduced into the substrate holding unit.

The substrate surface treatment method according to claim 1, wherein the inert gas includes at least one of N ₂ , Ar, and He.

A processing chamber;
Substrate holding means for holding the substrate in the processing chamber;
A processing gas supply means for supplying a processing gas for processing the substrate into the processing chamber;
A processing gas discharge unit disposed opposite to the substrate holding surface of the substrate holding unit and discharging a processing gas toward the substrate holding unit;
Exhaust means for exhausting the gas in the processing chamber;
An inert gas supply means for supplying an inert gas into the processing chamber;
An inert gas discharge means for discharging the inert gas from the inert gas supply means into the processing chamber from the substrate holding surface side of the substrate holding means;
A substrate surface treatment apparatus comprising:

The inert gas discharge means includes
A gas flow path connecting from the inert gas supply means to the substrate holding surface side in a substrate placement region on which the substrate of the substrate holding means is placed;
A non-volatile gas supply groove provided from the opening on the substrate holding surface side of the gas flow path toward the periphery of the substrate placement region and along the periphery of the substrate placement region;
The substrate surface treatment apparatus according to claim 7, comprising:

The inert gas discharge means includes a plurality of gas flow paths that connect from the inert gas supply means to a position of an outer peripheral portion of a substrate placement region on which the substrate of the substrate holding means is placed. 8. The substrate surface treatment apparatus according to claim 7, wherein

The inert gas discharge means connects the inert gas supply means to a peripheral portion of a substrate placement region on which the substrate of the substrate holding means is placed, and at the peripheral portion of the substrate placement region, the substrate 8. A plurality of gas flow paths provided with outlets so as to discharge the inert gas in a direction parallel to a substrate surface of the substrate placed on a holding means. The substrate surface treatment apparatus according to 1.

11. The heating apparatus according to claim 8, further comprising a heating unit that heats an inert gas flowing through the pipe in a pipe that connects the inert gas supply unit and the substrate holding unit. Substrate surface treatment equipment.

The substrate is a glass substrate;
12. The substrate surface processing apparatus according to claim 8, wherein the processing gas is a gas containing HF gas.

The substrate surface processing apparatus according to claim 8, wherein the inert gas includes at least one of N ₂ , Ar, and He.