JP2013061477A - Resist composition, and method for forming resist pattern - Google Patents

Resist composition, and method for forming resist pattern Download PDF

Info

Publication number
JP2013061477A
JP2013061477A JP2011199671A JP2011199671A JP2013061477A JP 2013061477 A JP2013061477 A JP 2013061477A JP 2011199671 A JP2011199671 A JP 2011199671A JP 2011199671 A JP2011199671 A JP 2011199671A JP 2013061477 A JP2013061477 A JP 2013061477A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
atom
acid
structural unit
alkyl group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011199671A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5779456B2 (en
Inventor
Kensuke Matsuzawa
賢介 松沢
Atsushi Iwashita
淳 岩下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP2011199671A priority Critical patent/JP5779456B2/en
Priority to TW101133314A priority patent/TWI623815B/en
Priority to KR1020120101121A priority patent/KR20130029344A/en
Publication of JP2013061477A publication Critical patent/JP2013061477A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5779456B2 publication Critical patent/JP5779456B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/265Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/38Esters containing sulfur
    • C08F220/385Esters containing sulfur and containing nitrogen
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition excellent in a lithography characteristic and pattern shape, and a method for forming a resist pattern.SOLUTION: The resist composition contains a base component (A) which generates an acid by exposure and whose dissolubility to a developer liquid changes by action of the acid. The component (A) contains a structural unit (a0-1) represented by the formula (a0-1), and a resin component (A1) having a structural unit (a0-2) that generates acid by exposure. In the formula, R represents a hydrogen atom, 1-5C alkyl group, or 1-5C alkyl halide, and Rrepresents a divalent linking group.

Description

本発明は、レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法に関する。   The present invention relates to a resist composition and a method for forming a resist pattern using the resist composition.

リソグラフィー技術においては、支持体の上にレジスト材料からなるレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し、光、電子線等の放射線にて選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、前記レジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する工程が行われる。露光した部分が現像液に溶解する特性に変化するレジスト材料をポジ型、露光した部分が現像液に溶解しない特性に変化するレジスト材料をネガ型という。
近年、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の高エネルギー化(短波長化)が行われている。具体的には、従来は、g線、i線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、KrFエキシマレーザーや、ArFエキシマレーザーを用いた半導体素子の量産が開始されている。また、これらエキシマレーザーより高エネルギーの電子線、EUV(極紫外線)やX線などについても検討が行われている。
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。このような要求を満たすレジスト材料として、露光により酸を発生する酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
In lithography technology, a resist film made of a resist material is formed on a support, the resist film is selectively exposed with radiation such as light or electron beam, and subjected to a development treatment, whereby the resist is formed. A step of forming a resist pattern having a predetermined shape on the film is performed. A resist material in which the exposed portion changes to a property that dissolves in the developer is referred to as a positive type, and a resist material that changes to a property in which the exposed portion does not dissolve in the developer is referred to as a negative type.
In recent years, pattern miniaturization is rapidly progressing due to the advancement of lithography technology. As a technique for miniaturization, the exposure light source is generally increased in energy (shorter wavelength). Specifically, conventionally, ultraviolet rays typified by g-line and i-line have been used, but at present, mass production of semiconductor elements using a KrF excimer laser or an ArF excimer laser has started. In addition, studies have been made on electron beams, EUV (extreme ultraviolet rays), X-rays, and the like that have higher energy than these excimer lasers.
Resist materials are required to have lithography characteristics such as sensitivity to these exposure light sources and resolution capable of reproducing patterns with fine dimensions. As a resist material that satisfies such requirements, a chemically amplified resist composition containing an acid generator that generates an acid upon exposure is used.

化学増幅型レジスト組成物としては、酸発生剤と、膜を形成するための基材成分とが配合されたものが一般的に用いられている。
このようなレジスト組成物に用いられる酸発生剤としては、たとえばオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など、多種多様の化合物が知られている。
また、基材成分としては、通常、酸発生剤から発生した酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し得る基材成分が用いられる。たとえば現像液としてアルカリ現像液を用いるアルカリ現像プロセスの場合、基材成分としては、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化するものが用いられる。かかる化学増幅型レジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜に対して選択的露光を行うと、露光部において、酸発生剤成分から酸が発生し、該酸の作用により基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性が増大して、露光部がアルカリ現像液に対して可溶となる。そのため、アルカリ現像液で現像することにより、露光部が溶解除去され、未露光部がパターンとして残り、ポジ型のレジストパターンが形成される。
アルカリ現像プロセスにおいてポジ型のレジストパターンを形成するために用いられる基材成分としては、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を有するものが一般的である。かかる基材成分は、酸の作用により極性が高くなることでアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。その一方で、有機溶剤に対する溶解性は低下するため、これを利用して、アルカリ現像液ではなく有機溶剤を含む現像液(有機系現像液)を用いるプロセス(以下、溶剤現像プロセス、またはネガ型現像プロセスということがある。)も提案されている。前記酸分解性基を有する基材成分を含有する化学増幅型レジスト組成物を用いて形成されたレジスト膜に対して選択的露光を行うと、露光部で、有機系現像液に対する溶解性が相対的に低下するため、有機系現像液で現像することにより、未露光部が有機系現像液により溶解除去され、露光部がパターンとして残り、ネガ型のレジストパターンが形成される。たとえば特許文献1には、ネガ型現像プロセスが提案されている。
現在、化学増幅型レジスト組成物の基材成分としては、樹脂(ベース樹脂)が汎用されており、たとえばArFエキシマレーザーリソグラフィー等において使用される化学増幅型レジスト組成物のベース樹脂としては、193nm付近における透明性に優れることから、(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位を主鎖に有する樹脂(アクリル系樹脂)などが一般的に用いられている(たとえば、特許文献2参照)。ここで、「(メタ)アクリル酸エステル」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸エステルと、α位にメチル基が結合したメタクリル酸エステルの一方あるいは両方を意味する。「(メタ)アクリレート」とは、α位に水素原子が結合したアクリレートと、α位にメチル基が結合したメタクリレートの一方あるいは両方を意味する。「(メタ)アクリル酸」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸と、α位にメチル基が結合したメタクリル酸の一方あるいは両方を意味する。
As the chemically amplified resist composition, a composition in which an acid generator and a base material component for forming a film are blended is generally used.
Examples of acid generators used in such resist compositions include onium salt acid generators, oxime sulfonate acid generators, diazomethane acid generators, nitrobenzyl sulfonate acid generators, and imino sulfonate acid generators. A wide variety of compounds such as disulfone acid generators are known.
Further, as the base material component, a base material component whose solubility in a developer can be changed by the action of an acid generated from an acid generator is usually used. For example, in the case of an alkali development process using an alkali developer as a developer, a substrate component whose solubility in an alkali developer is changed by the action of an acid is used. When selective exposure is performed on a resist film formed using such a chemically amplified resist composition, an acid is generated from the acid generator component in the exposed area, and the alkali component of the base material component is developed by the action of the acid. The solubility in the solution increases, and the exposed portion becomes soluble in the alkaline developer. Therefore, by developing with an alkaline developer, the exposed portion is dissolved and removed, the unexposed portion remains as a pattern, and a positive resist pattern is formed.
As a base material component used for forming a positive resist pattern in an alkali development process, one having an acid-decomposable group whose polarity is increased by the action of an acid is generally used. Such a base material component becomes highly polar due to the action of an acid, thereby increasing the solubility in an alkali developer. On the other hand, since the solubility in organic solvents is reduced, a process using an organic solvent instead of an alkaline developer (organic developer) (hereinafter referred to as a solvent developing process or negative type) is used. It is sometimes called a development process). When selective exposure is performed on a resist film formed using a chemically amplified resist composition containing a base component having an acid-decomposable group, the solubility in an organic developer is relative in the exposed area. Therefore, by developing with an organic developer, the unexposed portion is dissolved and removed by the organic developer, the exposed portion remains as a pattern, and a negative resist pattern is formed. For example, Patent Document 1 proposes a negative development process.
Currently, a resin (base resin) is widely used as a base component of a chemically amplified resist composition. For example, a base resin of a chemically amplified resist composition used in ArF excimer laser lithography or the like is around 193 nm. In general, a resin (acrylic resin) having a structural unit derived from a (meth) acrylic acid ester in the main chain is generally used (see, for example, Patent Document 2). Here, “(meth) acrylic acid ester” means one or both of an acrylic acid ester having a hydrogen atom bonded to the α-position and a methacrylic acid ester having a methyl group bonded to the α-position. “(Meth) acrylate” means one or both of an acrylate having a hydrogen atom bonded to the α-position and a methacrylate having a methyl group bonded to the α-position. “(Meth) acrylic acid” means one or both of acrylic acid having a hydrogen atom bonded to the α-position and methacrylic acid having a methyl group bonded to the α-position.

化学増幅型レジスト組成物として、構造中に、露光により酸を発生する酸発生基を有する樹脂成分を基材成分として含有するものも提案されている(たとえば特許文献3〜4)。
このような樹脂成分は、酸発生剤としての機能と基材成分としての機能とを併せ持ち、一成分のみで化学増幅型レジスト組成物を構成し得る。つまり、該樹脂成分に対して露光を行うと、構造中の酸発生基から酸が発生し、該酸の作用により基材成分における極性が変化(増大)する。そのため、該樹脂成分を用いて形成した樹脂膜(レジスト膜)に対して選択的露光を行うと、露光部の極性が変化(増大)するため、アルカリ現像液を用いて現像を行うことにより露光部が溶解、除去されてポジ型のレジストパターンが形成される。
また、前記特許文献4では、LERや基板密着性等の向上のために、酸発生基を含む特定構造の構成単位、酸解離性溶解抑制基を含む構成単位に、さらに、水酸基を含む構成単位を組み合わせている。
As chemically amplified resist compositions, those containing a resin component having an acid generating group that generates an acid upon exposure as a base component in the structure have been proposed (for example, Patent Documents 3 to 4).
Such a resin component has both a function as an acid generator and a function as a base material component, and a chemical amplification resist composition can be constituted by only one component. That is, when the resin component is exposed, an acid is generated from the acid generating group in the structure, and the polarity of the base material component changes (increases) by the action of the acid. Therefore, when selective exposure is performed on a resin film (resist film) formed using the resin component, the polarity of the exposed portion changes (increases), so exposure is performed by developing using an alkaline developer. The portion is dissolved and removed to form a positive resist pattern.
Moreover, in the said patent document 4, in order to improve LER, board | substrate adhesiveness, etc., the structural unit containing a hydroxyl group in the structural unit of the specific structure containing an acid generating group, the structural unit containing an acid dissociable dissolution inhibiting group is further included. Are combined.

特開2008−292975号公報JP 2008-292975 A 特開2003−241385号公報JP 2003-241385 A 特開平10−221852号公報JP-A-10-221852 特開2006−045311号公報JP 2006-045311 A

上記のような、構造中に、露光により酸を発生する酸発生基を有する樹脂成分を基材成分とすれば、酸発生剤と基材成分とを別成分として配合した場合に比べて、解像性が向上するとされている。解像性が向上する理由としては、基材成分である樹脂成分に酸発生基を保持させることでレジスト膜中での酸発生基の分布の均一性が向上すること等が考えられる。
しかし、このような樹脂成分は、レジストパターン形成時の感度が低く、また、形成されるレジストパターンの解像性、ラフネス及び形状についても改善は見られるもののまだ十分ではなかった。ラフネスは、レジストパターンの表面荒れを意味し、レジストパターンの形状不良の原因となる。たとえばパターン側壁のラフネス(ラインエッジラフネス(LER))は、ラインアンドスペースパターンにおけるライン幅の不均一、ホールパターンにおけるホール周囲の歪み等に代表される形状不良の原因となる。このような形状不良は、微細な半導体素子の形成等に悪影響を与えるおそれがあり、パターンが微細化するほどその改善が重要となる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、感度、ラフネス、解像性等のリソグラフィー特性及びパターン形状に優れるレジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。
If the resin component having an acid generating group that generates an acid upon exposure is used as the base component in the structure as described above, the solution is less than when the acid generator and the base component are blended as separate components. It is said that the image quality is improved. The reason why the resolution is improved may be that the uniformity of the distribution of the acid generating groups in the resist film is improved by retaining the acid generating groups in the resin component as the base component.
However, such a resin component has low sensitivity at the time of forming a resist pattern, and although the resolution, roughness and shape of the formed resist pattern are improved, it has not been sufficient. Roughness means a rough surface of the resist pattern and causes a defective shape of the resist pattern. For example, the roughness of the pattern sidewall (line edge roughness (LER)) causes a shape defect typified by non-uniform line width in the line and space pattern, distortion around the hole in the hole pattern, and the like. Such a shape defect may adversely affect the formation of a fine semiconductor element, and the improvement becomes more important as the pattern becomes finer.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a resist composition and a resist pattern forming method that are excellent in lithography properties such as sensitivity, roughness, and resolution, and pattern shape.

上記課題を解決する本発明の第一の態様は、露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分(A)は、下記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0−1)、及び露光により酸を発生する構成単位(a0−2)を有する樹脂成分(A1)を含有することを特徴とするレジスト組成物である。   A first aspect of the present invention that solves the above problems is a resist composition containing a base component (A) that generates an acid upon exposure and changes its solubility in a developer due to the action of the acid. The base component (A) is a resin component (A1) having a structural unit (a0-1) represented by the following general formula (a0-1) and a structural unit (a0-2) that generates an acid upon exposure. It is a resist composition characterized by containing.

Figure 2013061477
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Rは2価の連結基である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and R 2 is a divalent linking group. ]

本発明の第二の態様は、前記第一の態様のレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。   In a second aspect of the present invention, a resist pattern is formed on a support using the resist composition of the first aspect, the resist film is exposed, and the resist film is developed to form a resist pattern. It is a resist pattern formation method including the process of forming.

本明細書および本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、「ハロゲン化アルキレン基」は、アルキレン基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「ヒドロキシアルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部または全部が水酸基で置換された基である。
「構成単位」とは、高分子化合物(樹脂、重合体、共重合体)を構成する繰り返し単位(単量体単位)を意味する。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。
In the present specification and claims, “aliphatic” is a relative concept with respect to aromatics, and is defined to mean groups, compounds, etc. that do not have aromaticity.
The “alkyl group” includes linear, branched and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups unless otherwise specified. The same applies to the alkyl group in the alkoxy group.
Unless otherwise specified, the “alkylene group” includes linear, branched and cyclic divalent saturated hydrocarbon groups.
The “halogenated alkyl group” is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with halogen atoms, and the “halogenated alkylene group” is the part of or all of the hydrogen atoms in the alkylene group is a halogen atom. The halogen atom includes a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
A “hydroxyalkyl group” is a group in which part or all of the hydrogen atoms of an alkyl group are substituted with a hydroxyl group.
The “structural unit” means a repeating unit (monomer unit) constituting a polymer compound (resin, polymer, copolymer).
“Exposure” is a concept including general irradiation of radiation.

本発明によれば、リソグラフィー特性及びパターン形状に優れるレジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the resist composition and resist pattern formation method which are excellent in a lithography characteristic and pattern shape can be provided.

≪レジスト組成物≫
本発明のレジスト組成物は、露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)(以下「(A)成分」という。)を含有する。
かかるレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜は、レジストパターン形成時に選択的露光を行うと、(A)成分から酸が発生し、該酸が(A)成分の現像液に対する溶解性を変化させる。その結果、当該レジスト膜の露光部の現像液に対する溶解性が変化する一方で、未露光部は現像液に対する溶解性が変化しないため、現像することにより、ポジ型パターンの場合は露光部が、ネガ型パターンの場合は未露光部がそれぞれ溶解除去されてレジストパターンが形成される。
本発明のレジスト組成物は、ネガ型レジスト組成物であってもよく、ポジ型レジスト組成物であってもよい。
本明細書においては、露光部が溶解除去されるポジ型パターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物といい、未露光部が溶解除去されるネガ型パターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物という。
≪Resist composition≫
The resist composition of the present invention contains a base component (A) (hereinafter referred to as “component (A)”) that generates an acid upon exposure and changes its solubility in a developer due to the action of the acid.
When a resist film formed using such a resist composition undergoes selective exposure at the time of resist pattern formation, an acid is generated from the component (A), and the acid changes the solubility of the component (A) in the developer. Let me. As a result, while the solubility of the exposed portion of the resist film in the developer changes, the unexposed portion does not change the solubility in the developer, so by developing, the exposed portion in the case of a positive pattern, In the case of a negative pattern, unexposed portions are dissolved and removed to form a resist pattern.
The resist composition of the present invention may be a negative resist composition or a positive resist composition.
In this specification, a resist composition that forms a positive pattern in which an exposed portion is dissolved and removed is referred to as a positive resist composition, and a resist composition that forms a negative pattern in which an unexposed portion is dissolved and removed is referred to as a negative. This is referred to as a type resist composition.

<(A)成分>
[(A1)成分]
(A)成分は、露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分である。
ここで、「基材成分」とは、膜形成能を有する有機化合物であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、また、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。
前記基材成分として用いられる「分子量が500以上の有機化合物」は、非重合体と重合体とに大別される。
非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。以下、分子量が500以上4000未満の非重合体を低分子化合物という。
重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。以下、分子量が1000以上の重合体を高分子化合物という。高分子化合物の場合、「分子量」としてはGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。以下、高分子化合物を単に「樹脂」ということがある。
<(A) component>
[(A1) component]
The component (A) is a base material component that generates an acid upon exposure and changes its solubility in a developer due to the action of the acid.
Here, the “base material component” is an organic compound having a film forming ability, and an organic compound having a molecular weight of 500 or more is preferably used. When the molecular weight of the organic compound is 500 or more, the film-forming ability is improved and a nano-level resist pattern is easily formed.
“Organic compounds having a molecular weight of 500 or more” used as the base component are roughly classified into non-polymers and polymers.
As the non-polymer, those having a molecular weight of 500 or more and less than 4000 are usually used. Hereinafter, a nonpolymer having a molecular weight of 500 or more and less than 4000 is referred to as a low molecular compound.
As the polymer, those having a molecular weight of 1000 or more are usually used. Hereinafter, a polymer having a molecular weight of 1000 or more is referred to as a polymer compound. In the case of a polymer compound, the “molecular weight” is a polystyrene-reduced mass average molecular weight measured by GPC (gel permeation chromatography). Hereinafter, the polymer compound may be simply referred to as “resin”.

本発明において(A)成分は、前記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0−1)、及び露光により酸を発生する構成単位(a0−2)、を有する樹脂成分(A1)(以下、(A1)成分という。)を含有する。
(A1)成分は、構成単位(a0−2)を有することで、露光時に酸を発生しその酸(構成単位(a0−2)から発生した酸等)の作用により基材成分の現像液に対する溶解性を変化させる性質を有する。
In the present invention, the component (A) is a resin component (A1) having a structural unit (a0-1) represented by the general formula (a0-1) and a structural unit (a0-2) that generates an acid upon exposure. ) (Hereinafter referred to as component (A1)).
Since the component (A1) has the structural unit (a0-2), an acid is generated at the time of exposure, and the acid (such as an acid generated from the structural unit (a0-2)) acts on the developer of the base material component. It has the property of changing solubility.

(構成単位(a0−1))
構成単位(a0−1)は、下記一般式(a0−1)で表される構成単位である。
(Structural unit (a0-1))
The structural unit (a0-1) is a structural unit represented by the following general formula (a0-1).

Figure 2013061477
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Rは2価の連結基である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and R 2 is a divalent linking group. ]

式(a0−1)中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。
Rのアルキル基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
Rのハロゲン化アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該アルキル基として具体的には前記Rのアルキル基と同様のものが挙げられる。該アルキル基の水素原子を置換するハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
Rとしては、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のフッ素化アルキル基がより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基が最も好ましい。
In formula (a0-1), R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
The alkyl group for R is preferably a linear or branched alkyl group, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, A pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, etc. are mentioned.
Examples of the halogenated alkyl group for R include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms have been substituted with halogen atoms. Specific examples of the alkyl group include the same alkyl groups as those described above for R. Examples of the halogen atom that replaces the hydrogen atom of the alkyl group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
As R, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is most preferable in terms of industrial availability.

式(a0−1)中、Rは2価の連結基である。
の2価の連結基としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。
炭化水素基が「置換基を有する」とは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が置換基(水素原子以外の基または原子)で置換されていることを意味する。
該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。
脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。
前記Rにおける2価の炭化水素基としての脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
In formula (a0-1), R 2 is a divalent linking group.
Preferred examples of the divalent linking group for R 2 include a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, a divalent linking group containing a hetero atom, and the like.
The hydrocarbon group having “substituent” means that part or all of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group are substituted with a substituent (a group or atom other than a hydrogen atom).
The hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.
An aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity.
The aliphatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in R 2 may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.
More specific examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, and the like.

前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜8がより好ましく、1〜5がさらに好ましく、1〜2が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[−CH−]、エチレン基[−(CH−]、トリメチレン基[−(CH−]、テトラメチレン基[−(CH−]、ペンタメチレン基[−(CH−]等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−C(CHCH−CH−等のアルキルエチレン基;−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8, still more preferably 1 to 5, and most preferably 1 to 2.
As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable. Specifically, a methylene group [—CH 2 —], an ethylene group [— (CH 2 ) 2 —], a trimethylene group [ — (CH 2 ) 3 —], tetramethylene group [— (CH 2 ) 4 —], pentamethylene group [— (CH 2 ) 5 —] and the like can be mentioned.
As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferred, and specifically, —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ). 2 -, - C (CH 3 ) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as - CH (CH 3) CH 2 - , - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 - alkyl groups such as; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 - alkyl trimethylene groups such as; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - And the like alkyl alkylene group such as an alkyl tetramethylene group of. The alkyl group in the alkyl alkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and an oxygen atom (═O).

前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
前記脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3〜6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7〜12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。酸素原子及び硫黄原子については脂環式炭化水素基の水素原子の置換基であってもよく、脂環式炭化水素基を構成する炭素原子の置換基であってもよい。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure include an alicyclic hydrocarbon group (a group obtained by removing two hydrogen atoms from an aliphatic hydrocarbon ring), and an alicyclic hydrocarbon group that is linear or branched. Examples thereof include a group bonded to the end of a chain aliphatic hydrocarbon group and a group in which an alicyclic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include those described above.
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group may be polycyclic or monocyclic. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane, and the polycycloalkane is preferably one having 7 to 12 carbon atoms, specifically adamantane. , Norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.
The alicyclic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, an oxygen atom, and a sulfur atom. About an oxygen atom and a sulfur atom, the substituent of the hydrogen atom of an alicyclic hydrocarbon group may be sufficient, and the substituent of the carbon atom which comprises an alicyclic hydrocarbon group may be sufficient.

芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。
前記Rにおける2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、炭素数が3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜10が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
該芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環から水素原子を2つ除いた基(アリーレン基);前記芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基)の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基);等が挙げられる。前記アルキレン基(アリールアルキル基中のアルキル鎖)の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
前記芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香族炭化水素環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having an aromatic ring.
The aromatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in R 2 preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30 carbon atoms, still more preferably 5 to 20 carbon atoms, and 6 to 6 carbon atoms. 15 is particularly preferable, and 6 to 10 is most preferable. However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.
Specific examples of the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, biphenyl, fluorene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is hetero Aromatic heterocycles substituted with atoms; and the like. Examples of the hetero atom in the aromatic heterocyclic ring include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.
Specifically, the aromatic hydrocarbon group is a group obtained by removing two hydrogen atoms from the aromatic hydrocarbon ring (arylene group); a group obtained by removing one hydrogen atom from the aromatic hydrocarbon ring (aryl group) ) In which one of the hydrogen atoms is substituted with an alkylene group (for example, arylalkyl such as benzyl, phenethyl, 1-naphthylmethyl, 2-naphthylmethyl, 1-naphthylethyl, 2-naphthylethyl, etc.) Group obtained by further removing one hydrogen atom from the aryl group in the group); and the like. The alkylene group (alkyl chain in the arylalkyl group) preferably has 1 to 4 carbon atoms, more preferably 1 to 2 carbon atoms, and particularly preferably 1 carbon atom.
The aromatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. For example, a hydrogen atom bonded to the aromatic hydrocarbon ring of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxygen atom (═O).
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.
The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group or a tert-butoxy group. Most preferred is an ethoxy group.
Examples of the halogen atom as a substituent for the aromatic hydrocarbon group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.

「ヘテロ原子を含む2価の連結基」におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む2価の連結基として、具体的には、−O−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、カーボネート結合(−O−C(=O)−O−)、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−、−NH−、−NR04(R04はアルキル基、アシル基等の置換基である。)−、−NH−C(=O)−、=N−等の非炭化水素系連結基、これらの非炭化水素基の少なくとも1種と2価の炭化水素基との組み合わせ等が挙げられる。該2価の炭化水素基としては、上述した置換基を有していてもよい2価の炭化水素基と同様のものが挙げられ、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましい。
The hetero atom in the “divalent linking group containing a hetero atom” is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, and a halogen atom.
Specific examples of the divalent linking group containing a hetero atom include —O—, —C (═O) —, —C (═O) —O—, and a carbonate bond (—O—C (═O) —. O -), - S -, - S (= O) 2 -, - S (= O) 2 -O -, - NH -, - NR 04 (R 04 is an alkyl group, a substituent such as an acyl group .)-, -NH-C (= O)-, = N- and the like, and a combination of at least one of these non-hydrocarbon groups and a divalent hydrocarbon group. . Examples of the divalent hydrocarbon group include the same divalent hydrocarbon groups that may have a substituent as described above, and a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable. .

上記のなかでもRとしては、芳香環による副反応を低減する観点から芳香環を含有しないことが好ましく、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基、又はこれらの組合せがより好ましく、脂環式炭化水素基、酸素原子を含む2価の連結基、又はこれらの組合せがさらに好ましい。
構成単位(a0−1)としては、特に、下記一般式(a0−10)で表される構成単位が好ましい。
Among the above, R 2 preferably does not contain an aromatic ring from the viewpoint of reducing side reactions due to the aromatic ring, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, a divalent linking group containing a hetero atom, Alternatively, a combination thereof is more preferable, and an alicyclic hydrocarbon group, a divalent linking group containing an oxygen atom, or a combination thereof is more preferable.
As the structural unit (a0-1), a structural unit represented by general formula (a0-10) shown below is particularly desirable.

Figure 2013061477
[式中、Rは前記同様であり、R20は−C(=O)−O−を含む2価の連結基であり、R21は脂肪族環式基であり、n20、n21はそれぞれ独立に0又は1である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R is as defined above, R 20 is a divalent linking group containing —C (═O) —O—, R 21 is an aliphatic cyclic group, and n20 and n21 are independent of each other] 0 or 1. ]

式(a0−10)中、R20は−C(=O)−O−を含む2価の連結基であって、前記Rの2価の連結基で挙げた連結基と−C(=O)−O−との組合せが挙げられる。なかでも、−(CHn08−C(=O)−O−(CHn09−[式中、n08、n09はそれぞれ独立に0〜3の整数であって、1であることが好ましい。]であることが特に好ましい。
式(a0−10)中、R21は脂肪族環式基であって、Rの2価の連結基において脂肪族環式基として挙げたものと同様である。R21の脂肪族環式基としては、Tgが高くなることによりリソグラフィー特性が向上する点や、エッチング耐性がより向上する点から、多環式基であることが好ましく、2〜4つの環から構成される多環式基がより好ましい。なかでもアダマンタン又はノルボルナンから2個の水素原子を除いた基が特に好ましい。
In the formula (a0-10), R 20 represents a divalent linking group containing —C (═O) —O—, and the linking group described as the divalent linking group for R 2 and —C (═ A combination with O) -O- is mentioned. Among them, - (CH 2) n08 -C (= O) -O- (CH 2) n09 - [ wherein, n08, n09 is an integer of independently 0-3, preferably a 1 . ] Is particularly preferable.
In the formula (a0-10), R 21 is an aliphatic cyclic group, and is the same as those exemplified as the aliphatic cyclic group in the divalent linking group of R 2 . The aliphatic cyclic group for R 21 is preferably a polycyclic group from the viewpoint that the lithography properties are improved by increasing Tg and the etching resistance is further improved. More preferred are polycyclic groups. Of these, a group in which two hydrogen atoms have been removed from adamantane or norbornane is particularly preferred.

構成単位(a0−10)の好ましい具体例を以下に示す。以下の式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。 Preferred specific examples of the structural unit (a0-10) are shown below. In the following formulae, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

(A1)成分が有する構成単位(a0−1)は、1種でも2種以上でもよい。
(A1)成分中、構成単位(a0−1)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対し、1〜40モル%が好ましく、3〜30モル%がより好ましく、10〜25モル%がさらに好ましい。1モル%以上であることにより感度を向上させることができ、40モル%以下であることにより他の構成単位とのバランスを取ることができる。
The structural unit (a0-1) contained in the component (A1) may be one type or two or more types.
In the component (A1), the proportion of the structural unit (a0-1) is preferably 1 to 40 mol%, more preferably 3 to 30 mol%, based on the total of all structural units constituting the component (A1). More preferred is ˜25 mol%. Sensitivity can be improved by being 1 mol% or more, and it can balance with another structural unit by being 40 mol% or less.

(構成単位(a0−2))
構成単位(a0−2)は、露光により酸を発生する構成単位である。
構成単位(a0−2)としては、露光により酸を発生するものであれば特に限定されず、例えば、前記構成単位(a0−1)や、後述する構成単位(a1)〜(a2)等の他の構成単位と共重合体を形成し得る構成単位として公知の構成単位に、従来化学増幅型レジスト用として提案されている酸発生剤を置換基として導入したものを用いることができる。
構成単位(a0−1)、(a1)〜(a2)等と共重合可能な構成単位としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいヒドロキシスチレンから誘導される構成単位等が好適なものとして挙げられる。
従来化学増幅型レジスト用として提案されている酸発生剤としては、後述する(B)成分が好適なものとして挙げられる。
(Structural unit (a0-2))
The structural unit (a0-2) is a structural unit that generates an acid upon exposure.
The structural unit (a0-2) is not particularly limited as long as it generates an acid upon exposure, and examples thereof include the structural unit (a0-1) and structural units (a1) to (a2) described later. As a structural unit known as a structural unit capable of forming a copolymer with other structural units, those obtained by introducing, as a substituent, an acid generator conventionally proposed for a chemically amplified resist can be used.
As the structural unit copolymerizable with the structural units (a0-1), (a1) to (a2) and the like, from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be substituted with a substituent Preferred examples include a derived structural unit, a structural unit derived from hydroxystyrene in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent.
As an acid generator conventionally proposed for a chemically amplified resist, a component (B) described later is preferable.

構成単位(a0−2)としては、酸強度、感度、解像性、ラフネスの点で、下記一般式(a0−21)又は(a0−22)で表される基を有するものが好ましい。   As the structural unit (a0-2), those having a group represented by general formula (a0-21) or (a0-22) shown below are preferable in terms of acid strength, sensitivity, resolution, and roughness.

Figure 2013061477
[式中、Q、Qはそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基であり、R〜Rはそれぞれ独立に有機基であり、R、Rは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、Vは対アニオンである。Aはアニオンを含む有機基であり、Mm+は有機カチオンであり、mは1〜3の整数である。]
Figure 2013061477
[Wherein, Q 1 and Q 2 are each independently a single bond or a divalent linking group, R 3 to R 5 are each independently an organic group, and R 4 and R 5 are bonded to each other to form a compound A ring may be formed together with the sulfur atom therein, and V is a counter anion. A is an organic group containing an anion, M m + is an organic cation, and m is an integer of 1 to 3. ]

(式(a0−21)で表される基を有する構成単位)
式(a0−21)中、Qは単結合又は2価の連結基である。
の2価の連結基としては、上記式(a0−1)中のRの2価の連結基と同様のものが挙げられる。
なかでも、本発明におけるQとしては、単結合、又はエステル結合[−C(=O)−O−]、エーテル結合(−O−)、アルキレン基若しくはこれらの組合せであることが好ましい。
(Structural unit having a group represented by the formula (a0-21))
In formula (a0-21), Q 1 represents a single bond or a divalent linking group.
Examples of the divalent linking group for Q 1 include the same divalent linking groups for R 2 in the above formula (a0-1).
Among these, Q 1 in the present invention is preferably a single bond, an ester bond [—C (═O) —O—], an ether bond (—O—), an alkylene group, or a combination thereof.

式(a0−21)中、R〜Rは、それぞれ独立に有機基である。
〜Rの有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子(たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子等)等)を有していてもよい。
In formula (a0-21), R 3 to R 5 are each independently an organic group.
The organic group of R 3 to R 5 is a group containing a carbon atom, and includes atoms other than carbon atoms (for example, hydrogen atom, oxygen atom, nitrogen atom, sulfur atom, halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, etc.)). You may have.

の有機基としては、置換基を有していてもよい炭化水素基が好ましく、該炭化水素基としては、たとえば、前記Rにおける2価の連結基の説明で挙げた、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基と同様のものが挙げられる。
の有機基としては、特に、アリーレン基またはアルキレン基が好ましい。
におけるアリーレン基としては、特に制限はなく、例えば、前記Rの説明で挙げた芳香族炭化水素環と同様のものが挙げられる。なかでも、安価に合成可能である等の点から、炭素数6〜20のアリーレン基が好ましく、フェニレン基又はナフチレン基がより好ましく、フェニレン基が特に好ましい。
該アリーレン基は、その水素原子の一部または全部が置換されていてもよい。たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。
前記アリーレン基の水素原子が置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることがより好ましく、メチル基が特に好ましい。
前記アリーレン基の水素原子が置換されていてもよいアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基であることがより好ましい。
前記アリーレン基の水素原子が置換されていてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子であることが好ましい。
The organic group for R 3 is preferably a hydrocarbon group which may have a substituent. Examples of the hydrocarbon group include the substituents mentioned in the description of the divalent linking group in R 2 . The thing similar to the bivalent hydrocarbon group which you may have is mentioned.
As the organic group for R 3 , an arylene group or an alkylene group is particularly preferable.
The arylene group for R 3, is not particularly limited, for example, those similar to the aromatic hydrocarbon ring which is mentioned in the description of the R 2 and the like. Among these, an arylene group having 6 to 20 carbon atoms is preferable, a phenylene group or a naphthylene group is more preferable, and a phenylene group is particularly preferable from the viewpoint that it can be synthesized at a low cost.
In the arylene group, part or all of the hydrogen atoms may be substituted. For example, it may or may not be substituted with an alkyl group, alkoxy group, halogen atom, hydroxyl group or the like.
The alkyl group which may be substituted with a hydrogen atom of the arylene group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group. Are more preferable, and a methyl group is particularly preferable.
As the alkoxy group that may be substituted for the hydrogen atom of the arylene group, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, A tert-butoxy group is more preferable.
The halogen atom that may be substituted for the hydrogen atom of the arylene group is preferably a fluorine atom.

におけるアルキレン基としては、例えば、炭素数1〜10の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキレン基が挙げられ、該アルキレン基は、その水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。例えば、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子は上記同様である。
このようなアルキレン基としては、解像性に優れる点から、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基であることが好ましく、具体的には、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基等が挙げられる。
As the alkylene group for R 3 , for example, a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 10 carbon atoms can be mentioned. In the alkylene group, part or all of the hydrogen atoms are substituted. Also good. For example, it may or may not be substituted with an alkoxy group, a halogen atom, a hydroxyl group or the like. The alkoxy group and halogen atom as the substituent are the same as above.
Such an alkylene group is preferably a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms from the viewpoint of excellent resolution, and specifically includes a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, and a tetramethylene group. Group, pentamethylene group and the like.

、Rの有機基としては、置換基を有していてもよい炭化水素基が好ましく、該炭化水素基としては、たとえば、前記Rにおける2価の連結基の説明で挙げた、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基に水素原子を1つ付加して1価としたもの等が挙げられる。
、Rの有機基としては、特に、アリール基またはアルキル基が好ましい。
、Rにおけるアリール基としては、特に制限はなく、例えば、前記Rの説明で挙げた芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いた基が挙げられる。なかでも、安価に合成可能である等の点から、炭素数6〜10のアリール基が好ましく、フェニル基またはナフチル基がより好ましく、フェニル基が特に好ましい。
前記アリール基は置換基を有していてもよい。置換基を有するとは、アリール基の水素原子の一部または全部が、置換基で置換されていることを意味し、該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基等が挙げられる。これらのうち、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子としては、前記Rの説明で、アリーレン基が有してもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子と同様のものが挙げられる。
、Rにおけるアルキル基としては、特に制限はなく、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。該アルキル基の炭素数は、1〜10が好ましく、1〜8がより好ましく、1〜5がさらに好ましい。該アルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デカニル基等が挙げられる。なかでも、より解像性に優れ、また安価に合成可能なことから、メチル基が好ましい。
前記アルキル基は置換基を有していてもよい。置換基を有するとは、アルキル基の水素原子の一部または全部が、置換基で置換されていることを意味し、該置換基としては、たとえば、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、酸素原子(=O)等が挙げられる。これらのうち、アルコキシ基、ハロゲン原子としては、前記Rの説明で、アリーレン基が有してもよい置換基として挙げたアルコキシ基、ハロゲン原子と同様のものが挙げられる。
As the organic group for R 4 and R 5, a hydrocarbon group which may have a substituent is preferable, and examples of the hydrocarbon group include those mentioned in the description of the divalent linking group in R 2 . Examples thereof include monovalent monovalent hydrocarbon groups by adding one hydrogen atom to a divalent hydrocarbon group which may have a substituent.
As the organic group for R 4 and R 5 , an aryl group or an alkyl group is particularly preferable.
There is no restriction | limiting in particular as an aryl group in R < 4 >, R < 5 >, For example, the group remove | excluding one hydrogen atom from the aromatic hydrocarbon ring quoted by description of the said R < 2 > is mentioned. Among these, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms is preferable, a phenyl group or a naphthyl group is more preferable, and a phenyl group is particularly preferable from the viewpoint that it can be synthesized at a low cost.
The aryl group may have a substituent. Having a substituent means that part or all of the hydrogen atoms of the aryl group are substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, and a hydroxyl group. Is mentioned. Among these, examples of the alkyl group, alkoxy group, and halogen atom include the same alkyl groups, alkoxy groups, and halogen atoms as the substituents that the arylene group may have in the description of R 4. .
The alkyl group for R 4 and R 5 is not particularly limited, and may be linear, branched or cyclic. 1-10 are preferable, as for carbon number of this alkyl group, 1-8 are more preferable, and 1-5 are more preferable. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, an n-pentyl group, a cyclopentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, a nonyl group, and a decanyl group. Etc. Among these, a methyl group is preferable because it is more excellent in resolution and can be synthesized at a low cost.
The alkyl group may have a substituent. Having a substituent means that part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkoxy group, a halogen atom, a hydroxyl group, and an oxygen atom ( = O) and the like. Of these, examples of the alkoxy group and the halogen atom include the same alkoxy groups and halogen atoms as the substituents that the arylene group may have in the description of R 3 .

式(a0−21)中、R及びRは相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成していてもよい。該環は、硫黄原子を含めて、3〜10員環であることが好ましく、5〜7員環であることが特に好ましい。
該環は、環骨格を構成する原子として、R及びRが結合した硫黄原子以外の他のヘテロ原子を有していてもよい。該ヘテロ原子としては、たとえば、硫黄原子、酸素原子、窒素原子等が挙げられる。
形成される環の具体例としては、たとえばチオフェン環、チアゾール環、ベンゾチオフェン環、チアントレン環、等が挙げられる。
In formula (a0-21), R 4 and R 5 may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula. The ring is preferably a 3- to 10-membered ring including a sulfur atom, and particularly preferably a 5- to 7-membered ring.
The ring may have a hetero atom other than the sulfur atom to which R 4 and R 5 are bonded as an atom constituting the ring skeleton. Examples of the hetero atom include a sulfur atom, an oxygen atom, and a nitrogen atom.
Specific examples of the formed ring include a thiophene ring, a thiazole ring, a benzothiophene ring, a thianthrene ring, and the like.

式(a0−21)中、Vは対アニオンである。
の対アニオンとしては、特に限定されるものではなく、たとえばオニウム塩系酸発生剤のアニオン部として従来知られているものを適宜用いることができる。
としては、たとえば、一般式「R4”SO (R4”は、置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、又はアルケニル基を表す。)」で表されるアニオンが挙げられる。
In formula (a0-21), V represents a counter anion.
The counter anion of V is not particularly limited, and for example, those conventionally known as the anion part of the onium salt acid generator can be used as appropriate.
As V , for example, the general formula “R 4 ″ SO 3 (R 4 ″ represents a linear, branched or cyclic alkyl group, halogenated alkyl group, aryl which may have a substituent. An anion represented by a group or an alkenyl group.

前記一般式「R4”SO 」において、R4”は、置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、又はアルケニル基を表す。 In the general formula “R 4 ″ SO 3 ”, R 4 ″ represents a linear, branched or cyclic alkyl group, halogenated alkyl group, aryl group, or alkenyl which may have a substituent. Represents a group.

前記R4”としての直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基は、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8であることがさらに好ましく、炭素数1〜4であることが最も好ましい。
前記R4”としての環状のアルキル基は、炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜10であることがさらに好ましく、炭素数6〜10であることが最も好ましい。
4”がアルキル基の場合の「R4”SO 」としては、例えば、メタンスルホネート、n−プロパンスルホネート、n−ブタンスルホネート、n−オクタンスルホネート、1−アダマンタンスルホネート、2−ノルボルナンスルホネート、d−カンファー−10−スルホネート等のアルキルスルホネートが挙げられる。
The linear or branched alkyl group as R 4 ″ preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and 1 to 4 carbon atoms. Most preferred.
The cyclic alkyl group as R 4 ″ preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 10 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms.
When R 4 ″ is an alkyl group, examples of “R 4 ″ SO 3 ” include methane sulfonate, n-propane sulfonate, n-butane sulfonate, n-octane sulfonate, 1-adamantane sulfonate, 2-norbornane sulfonate, Examples thereof include alkyl sulfonates such as d-camphor-10-sulfonate.

前記R4”としてのハロゲン化アルキル基は、アルキル基中の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換されたものであり、該アルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖状または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基、tert−ペンチル基、又はイソペンチル基であることがさらに好ましい。そして、水素原子が置換されるハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。ハロゲン化アルキル基において、アルキル基(ハロゲン化前のアルキル基)の水素原子の全個数の50〜100%がハロゲン原子で置換されていることが好ましく、水素原子の全てがハロゲン原子で置換されていることがより好ましい。
ここで、該ハロゲン化アルキル基としては、フッ素化アルキル基が好ましい。フッ素化アルキル基は、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8であることがさらに好ましく、炭素数1〜4であることが最も好ましい。
また、該フッ素化アルキル基のフッ素化率は、好ましくは10〜100%、さらに好ましくは50〜100%であり、特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるため好ましい。
このような好ましいフッ素化アルキル基として、具体的には、トリフルオロメチル基、ヘプタフルオロ−n−プロピル基、ノナフルオロ−n−ブチル基が挙げられる。
The halogenated alkyl group as R 4 ″ is one in which part or all of the hydrogen atoms in the alkyl group are substituted with halogen atoms, and the alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, Among them, a linear or branched alkyl group is more preferable, and it is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, a tert-pentyl group, or an isopentyl group. More preferable examples of the halogen atom substituted with a hydrogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, an iodine atom, a bromine atom, etc. In a halogenated alkyl group, a hydrogen atom of an alkyl group (an alkyl group before halogenation) It is preferable that 50 to 100% of the total number of is substituted with a halogen atom, and all of the hydrogen atoms are substituted with a halogen atom. More preferably.
Here, the halogenated alkyl group is preferably a fluorinated alkyl group. The fluorinated alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and most preferably 1 to 4 carbon atoms.
Further, the fluorination rate of the fluorinated alkyl group is preferably 10 to 100%, more preferably 50 to 100%. Particularly, when all the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms, the strength of the acid is increased. preferable.
Specific examples of such a preferred fluorinated alkyl group include a trifluoromethyl group, a heptafluoro-n-propyl group, and a nonafluoro-n-butyl group.

前記R4”としてのアリール基は、炭素数6〜20のアリール基であることが好ましい。
前記R4”としてのアルケニル基は、炭素数2〜10のアルケニル基であることが好ましい。
The aryl group as R 4 ″ is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
The alkenyl group as R 4 ″ is preferably an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms.

前記R4”において、「置換基を有していてもよい」とは、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、又はアルケニル基における水素原子の一部又は全部が置換基(水素原子以外の他の原子又は基)で置換されていてもよいことを意味する。
4”における置換基の数は1つであってもよく、2つ以上であってもよい。
In R 4 ″ , “may have a substituent” means one of hydrogen atoms in the linear, branched or cyclic alkyl group, halogenated alkyl group, aryl group, or alkenyl group. It means that part or all may be substituted with a substituent (an atom or group other than a hydrogen atom).
The number of substituents in R 4 ″ may be one, or two or more.

前記置換基としては、たとえば、ハロゲン原子、ヘテロ原子、アルキル基、式:X−Q−[式中、Qは酸素原子を含む2価の連結基であり、Xは置換基を有していてもよい炭素数3〜30の炭化水素基である。]で表される基等が挙げられる。
前記ハロゲン原子、アルキル基としては、R4”において、ハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子、アルキル基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
前記ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。
Examples of the substituent include a halogen atom, a hetero atom, an alkyl group, and a formula: X 3 -Q -[where Q is a divalent linking group containing an oxygen atom, and X 3 represents a substituent. It is a C3-C30 hydrocarbon group which may have. ] Etc. which are represented by these.
Examples of the halogen atom and alkyl group include the same groups as those described above for R 4 ″ as the halogen atom and alkyl group in the halogenated alkyl group.
Examples of the hetero atom include an oxygen atom, a nitrogen atom, and a sulfur atom.

−Q−で表される基において、Qは酸素原子を含む2価の連結基である。
は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
酸素原子を含む2価の連結基としては、たとえば、酸素原子(エーテル結合:−O−)、エステル結合(−C(=O)−O−)、アミド結合(−C(=O)−NH−)、カルボニル基(−C(=O)−)、カーボネート結合(−O−C(=O)−O−)等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基;該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。当該組み合わせに、さらにスルホニル基(−SO−)が連結されていてもよい。
該組み合わせとしては、たとえば、−R91−O−、−R92−O−C(=O)−、−C(=O)−O−R93−O−C(=O)−、−SO−O−R94−O−C(=O)−、−R95−SO−O−R94−O−C(=O)−(式中、R91〜R95はそれぞれ独立にアルキレン基である。)等が挙げられる。
91〜R95におけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は、1〜12が好ましく、1〜5がより好ましく、1〜3が特に好ましい。
該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基[−CH−];−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;エチレン基[−CHCH−];−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−等のアルキルエチレン基;トリメチレン基(n−プロピレン基)[−CHCHCH−];−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[−CHCHCHCH−];−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[−CHCHCHCHCH−]等が挙げられる。
としては、エステル結合またはエーテル結合を含む2価の連結基が好ましく、なかでも、−R91−O−、−R92−O−C(=O)−または−C(=O)−O−R93−O−C(=O)−が好ましい。
X 3 -Q '- In the group represented by, Q' is a divalent linking group containing an oxygen atom.
Q may contain atoms other than oxygen atoms. Examples of atoms other than oxygen atoms include carbon atoms, hydrogen atoms, oxygen atoms, sulfur atoms, and nitrogen atoms.
Examples of the divalent linking group containing an oxygen atom include an oxygen atom (ether bond: —O—), an ester bond (—C (═O) —O—), and an amide bond (—C (═O) —NH. -), A carbonyl group (-C (= O)-), a non-hydrocarbon oxygen atom-containing linking group such as a carbonate bond (-O-C (= O) -O-); the non-hydrocarbon oxygen atom Examples include a combination of a containing linking group and an alkylene group. A sulfonyl group (—SO 2 —) may be further linked to the combination.
Examples of the combination include —R 91 —O—, —R 92 —O—C (═O) —, —C (═O) —O—R 93 —O—C (═O) —, —SO 2- O—R 94 —O—C (═O) —, —R 95 —SO 2 —O—R 94 —O—C (═O) — (wherein R 91 to R 95 are each independently alkylene. Group.) And the like.
The alkylene group for R 91 to R 95 is preferably a linear or branched alkylene group, and the alkylene group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. preferable.
Specific examples of the alkylene group include a methylene group [—CH 2 —]; —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 —, —C ( CH 3) (CH 2 CH 3 ) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as ethylene group [-CH 2 CH 2— ]; —CH (CH 3 ) CH 2 —, —CH (CH 3 ) CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 CH 2 —, —CH (CH 2 CH 3 ) CH 2 — and the like. Alkylethylene groups; trimethylene groups (n-propylene groups) [—CH 2 CH 2 CH 2 —]; alkyls such as —CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 — and —CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 — trimethylene; tetramethylene group [-CH 2 CH 2 C 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - alkyl tetramethylene group and the like; pentamethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 —] and the like.
Q is preferably a divalent linking group containing an ester bond or an ether bond, and among them, —R 91 —O—, —R 92 —O—C (═O) — or —C (═O) — O—R 93 —O—C (═O) — is preferred.

−Q−で表される基において、Xの炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。
芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いたアリール基、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。
前者の例としては、前記アリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基、前記アリールアルキル基中の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部が前記ヘテロ原子で置換されたヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。
後者の例における芳香族炭化水素基の置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
X 3 -Q '- In the group represented by the formula, the hydrocarbon group for X 3 may be an aromatic hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group.
The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The aromatic hydrocarbon group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, still more preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12. However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon ring such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group. Aryl groups such as aryl group, benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, etc., from which one is removed. The number of carbon atoms in the alkyl chain in the arylalkyl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.
The aromatic hydrocarbon group may have a substituent. For example, a part of carbon atoms constituting the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a hetero atom, and the hydrogen atom bonded to the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group is substituted with the substituent. May be.
Examples of the former include heteroaryl groups in which some of the carbon atoms constituting the ring of the aryl group are substituted with heteroatoms such as oxygen atoms, sulfur atoms, nitrogen atoms, and aromatic hydrocarbons in the arylalkyl groups. Examples include heteroarylalkyl groups in which some of the carbon atoms constituting the ring are substituted with the above heteroatoms.
Examples of the substituent of the aromatic hydrocarbon group in the latter example include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxygen atom (═O).
The alkyl group as a substituent of the aromatic hydrocarbon group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group. preferable.
The alkoxy group as a substituent of the aromatic hydrocarbon group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and is a methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, tert- A butoxy group is preferable, and a methoxy group and an ethoxy group are most preferable.
Examples of the halogen atom as a substituent for the aromatic hydrocarbon group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent of the aromatic hydrocarbon group include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.

における脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。また、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
において、脂肪族炭化水素基は、当該脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよく、当該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよい。
における「ヘテロ原子」としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む置換基は、前記ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、前記ヘテロ原子以外の基または原子を含む基であってもよい。
炭素原子の一部を置換する置換基として、具体的には、たとえば−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−(Hがアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい)、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−等が挙げられる。脂肪族炭化水素基が環状である場合、これらの置換基を環構造中に含んでいてもよい。
水素原子の一部または全部を置換する置換基として、具体的には、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)、シアノ基等が挙げられる。
前記アルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
The aliphatic hydrocarbon group for X 3 may be a saturated aliphatic hydrocarbon group or an unsaturated aliphatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group may be linear, branched or cyclic.
In X 3 , the aliphatic hydrocarbon group may be a group in which a part of carbon atoms constituting the aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent containing a hetero atom, and hydrogen constituting the aliphatic hydrocarbon group A part or all of the atoms may be substituted with a substituent containing a hetero atom.
The “heteroatom” in X 3 is not particularly limited as long as it is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include a halogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, an iodine atom, and a bromine atom.
The substituent containing a hetero atom may be composed of only the hetero atom, or may be a group containing a group or atom other than the hetero atom.
Specific examples of the substituent for substituting a part of the carbon atom include —O—, —C (═O) —O—, —C (═O) —, —O—C (═O) —O. —, —C (═O) —NH—, —NH— (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group, an acyl group, etc.), —S—, —S (═O) 2 —, — S (= O) 2 —O— and the like can be mentioned. When the aliphatic hydrocarbon group is cyclic, these substituents may be included in the ring structure.
Specific examples of the substituent for substituting part or all of the hydrogen atoms include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an oxygen atom (═O), and a cyano group.
The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group or a tert-butoxy group, and a methoxy group or an ethoxy group. Is most preferred.
As said halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.
As the halogenated alkyl group, a part or all of hydrogen atoms of an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, etc. And a group substituted with a halogen atom.

脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族環式基)が好ましい。
直鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が1〜20であることが好ましく、1〜15であることがより好ましく、1〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜15であることがより好ましく、3〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基などが挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched saturated hydrocarbon group, a linear or branched monovalent unsaturated hydrocarbon group, or a cyclic aliphatic hydrocarbon group (aliphatic ring). Formula group) is preferred.
The linear saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, isotridecyl group, tetradecyl group Group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, heicosyl group, docosyl group and the like.
The branched saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, Examples include 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group and the like.

不飽和炭化水素基としては、炭素数が2〜10であることが好ましく、2〜5が好ましく、2〜4が好ましく、3が特に好ましい。直鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基などが挙げられる。
不飽和炭化水素基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。
As an unsaturated hydrocarbon group, it is preferable that carbon number is 2-10, 2-5 are preferable, 2-4 are preferable, and 3 is especially preferable. Examples of the linear monovalent unsaturated hydrocarbon group include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), and a butynyl group. Examples of the branched monovalent unsaturated hydrocarbon group include a 1-methylpropenyl group and a 2-methylpropenyl group.
Among the above, the unsaturated hydrocarbon group is particularly preferably a propenyl group.

脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。
具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含まない場合は、脂肪族環式基としては、多環式基が好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。
脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含むものである場合、該ヘテロ原子を含む置換基としては、−O−、−C(=O)−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−が好ましい。かかる脂肪族環式基の具体例としては、たとえば下記式(L1)〜(L6)、(S1)〜(S4)等が挙げられる。
The aliphatic cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group. The carbon number is preferably 3 to 30, more preferably 5 to 30, further preferably 5 to 20, particularly preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12.
Specifically, for example, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane; a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, etc. Can be mentioned. More specifically, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane; one or more polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane. Examples include a group excluding a hydrogen atom.
When the aliphatic cyclic group does not contain a substituent containing a hetero atom in the ring structure, the aliphatic cyclic group is preferably a polycyclic group, and has one or more hydrogen atoms from the polycycloalkane. Excluded groups are preferred, and most preferred are groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from adamantane.
When the aliphatic cyclic group includes a substituent containing a hetero atom in the ring structure, examples of the substituent containing a hetero atom include —O—, —C (═O) —O—, —S—. , —S (═O) 2 — and —S (═O) 2 —O— are preferable. Specific examples of the aliphatic cyclic group include the following formulas (L1) to (L6), (S1) to (S4), and the like.

Figure 2013061477
[式中、Q”は炭素数1〜5のアルキレン基、−O−、−S−、−O−R94’−または−S−R95’−であり、R94’およびR95’はそれぞれ独立に炭素数1〜5のアルキレン基であり、mは0または1の整数である。]
Figure 2013061477
[In the formula, Q ″ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, —O—, —S—, —O—R 94 ′ — or —S—R 95 ′ —, wherein R 94 ′ and R 95 ′ are Each independently represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and m is an integer of 0 or 1.]

式中、Q”、R94’およびR95’におけるアルキレン基としては、それぞれ、前記R91〜R95におけるアルキレン基と同様のものが挙げられる。
これらの脂肪族環式基は、その環構造を構成する炭素原子に結合した水素原子の一部が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
前記アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが特に好ましい。
前記アルコキシ基、ハロゲン原子はそれぞれ前記水素原子の一部または全部を置換する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
In the formula, examples of the alkylene group for Q ″, R 94 ′ and R 95 ′ include the same alkylene groups as those described above for R 91 to R 95 .
In these aliphatic cyclic groups, a part of hydrogen atoms bonded to carbon atoms constituting the ring structure may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxygen atom (═O).
As said alkyl group, a C1-C5 alkyl group is preferable, and it is especially preferable that they are a methyl group, an ethyl group, a propyl group, n-butyl group, and a tert- butyl group.
Examples of the alkoxy group and the halogen atom are the same as those exemplified as the substituent for substituting part or all of the hydrogen atoms.

本発明において、Xは、置換基を有していてもよい環式基であることが好ましい。該環式基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。
前記芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよいナフチル基、または置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。
置換基を有していてもよい脂肪族環式基としては、置換基を有していてもよい多環式の脂肪族環式基が好ましい。該多環式の脂肪族環式基としては、前記ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、前記(L2)〜(L6)、(S3)〜(S4)等が好ましい。
In the present invention, X 3 is preferably a cyclic group which may have a substituent. The cyclic group may be an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a substituent. It is preferably an aliphatic cyclic group that may be used.
The aromatic hydrocarbon group is preferably a naphthyl group which may have a substituent or a phenyl group which may have a substituent.
As the aliphatic cyclic group which may have a substituent, a polycyclic aliphatic cyclic group which may have a substituent is preferable. The polycyclic aliphatic cyclic group is preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from the polycycloalkane, the above (L2) to (L6), (S3) to (S4), and the like.

上記の中でも、前記R4”としては、ハロゲン化アルキル基、または置換基としてX−Q−を有することが好ましい。
置換基としてX−Q−を有する場合、R4”としては、X−Q−Y−[式中、QおよびXは前記と同じであり、Yは置換基を有していてもよい炭素数1〜4のアルキレン基または置換基を有していてもよい炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基である。]で表される基が好ましい。
−Q−Y−で表される基において、Yのアルキレン基としては、前記Qで挙げたアルキレン基のうち炭素数1〜4のものと同様のものが挙げられる。
フッ素化アルキレン基としては、該アルキレン基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
として、具体的には、−CF−、−CFCF−、−CFCFCF−、−CF(CF)CF−、−CF(CFCF)−、−C(CF−、−CFCFCFCF−、−CF(CF)CFCF−、−CFCF(CF)CF−、−CF(CF)CF(CF)−、−C(CFCF−、−CF(CFCF)CF−、−CF(CFCFCF)−、−C(CF)(CFCF)−;−CHF−、−CHCF−、−CHCHCF−、−CHCFCF−、−CH(CF)CH−、−CH(CFCF)−、−C(CH)(CF)−、−CHCHCHCF−、−CHCHCFCF−、−CH(CF)CHCH−、−CHCH(CF)CH−、−CH(CF)CH(CF)−、−C(CFCH−;−CH−、−CHCH−、−CHCHCH−、−CH(CH)CH−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−CHCHCHCH−、−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−CH(CHCHCH)−、−C(CH)(CHCH)−等が挙げられる。
Among the above, the R 4 "is, X 3 -Q 'as a halogenated alkyl group or a substituted group, - it is preferable to have a.
'- if having, as the R 4 ", X 3 -Q' -Y 3 - X 3 -Q as a substituent in the Formula, Q 'and X 3 are as defined above, the Y 3 substituent A C1-C4 alkylene group which may have or a C1-C4 fluorinated alkylene group which may have a substituent.] Is preferable.
X 3 -Q '-Y 3 - In the group represented by the formula, the alkylene group of Y 3, wherein Q' include the same ones having 1 to 4 carbon atoms of the alkylene groups listed.
Examples of the fluorinated alkylene group include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkylene group have been substituted with fluorine atoms.
As Y 3, specifically, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 2 CF 3) -, -C (CF 3) 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 3) CF (CF 3 ) —, —C (CF 3 ) 2 CF 2 —, —CF (CF 2 CF 3 ) CF 2 —, —CF (CF 2 CF 2 CF 3 ) —, —C (CF 3 ) (CF 2 CF 3) -; - CHF -, - CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CF 2 CF 2 -, - CH (CF 3) CH 2 -, - CH (CF 2 CF 3) -, - C ( CH 3) (CF 3) -, - CH 2 CH 2 CH 2 CF 2 -, - C H 2 CH 2 CF 2 CF 2 —, —CH (CF 3 ) CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH (CF 3 ) CH 2 —, —CH (CF 3 ) CH (CF 3 ) —, —C ( CF 3) 2 CH 2 -; - CH 2 -, - CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH (CH 3) CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 -, - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - CH (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 3 ) — and the like.

としては、フッ素化アルキレン基が好ましく、特に、隣接する硫黄原子に結合する炭素原子がフッ素化されているフッ素化アルキレン基が好ましい。このようなフッ素化アルキレン基としては、−CF−、−CFCF−、−CFCFCF−、−CF(CF)CF−、−CFCFCFCF−、−CF(CF)CFCF−、−CFCF(CF)CF−、−CF(CF)CF(CF)−、−C(CFCF−、−CF(CFCF)CF−;−CHCF−、−CHCHCF−、−CHCFCF−;−CHCHCHCF−、−CHCHCFCF−、−CHCFCFCF−等を挙げることができる。
これらの中でも、−CF−、−CFCF−、−CFCFCF−、又はCHCFCF−が好ましく、−CF−、−CFCF−又は−CFCFCF−がより好ましく、−CF−が特に好ましい。
Y 3 is preferably a fluorinated alkylene group, and particularly preferably a fluorinated alkylene group in which the carbon atom bonded to the adjacent sulfur atom is fluorinated. Examples of such fluorinated alkylene group, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 3) CF (CF 3) -, - C (CF 3) 2 CF 2 -, -CF (CF 2 CF 3) CF 2 -; - CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CF 2 CF 2 -; - CH 2 CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 CF 2 —, —CH 2 CF 2 CF 2 CF 2 — and the like can be mentioned.
Of these, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, or CH 2 CF 2 CF 2 - is preferable, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 - or -CF 2 CF 2 CF 2 - is more preferable, -CF 2 - is particularly preferred.

前記アルキレン基またはフッ素化アルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が「置換基を有する」とは、当該アルキレン基またはフッ素化アルキレン基における水素原子またはフッ素原子の一部または全部が、水素原子およびフッ素原子以外の原子または基で置換されていることを意味する。
アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が有していてもよい置換基としては、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、水酸基等が挙げられる。
The alkylene group or fluorinated alkylene group may have a substituent. An alkylene group or a fluorinated alkylene group has a “substituent” means that part or all of the hydrogen atom or fluorine atom in the alkylene group or fluorinated alkylene group is substituted with an atom or group other than a hydrogen atom and a fluorine atom. Means that
Examples of the substituent that the alkylene group or fluorinated alkylene group may have include an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, and a hydroxyl group.

4”がX−Q−Y−で表される基であるR4”−SO の具体例としては、たとえば下記式(b1)〜(b9)のいずれかで表されるアニオンが挙げられる。 -SO 3 - "R 4 is a group represented by X 3 -Q '-Y 3" - R 4 As specific examples of, for example represented by any one of the following formulas (b1) ~ (b9) Anions.

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
[式中、q1〜q2はそれぞれ独立に1〜5の整数であり、q3は1〜12の整数であり、t3は1〜3の整数であり、r1〜r2はそれぞれ独立に0〜3の整数であり、gは1〜20の整数であり、Rは置換基であり、n1〜n6はそれぞれ独立に0または1であり、v0〜v6はそれぞれ独立に0〜3の整数であり、w1〜w6はそれぞれ独立に0〜3の整数であり、Q”は前記と同じである。]
Figure 2013061477
[Wherein, q1 to q2 are each independently an integer of 1 to 5, q3 is an integer of 1 to 12, t3 is an integer of 1 to 3, and r1 to r2 are each independently 0 to 3] G is an integer of 1 to 20, R 7 is a substituent, n1 to n6 are each independently 0 or 1, v0 to v6 are each independently an integer of 0 to 3, w1 to w6 are each independently an integer of 0 to 3, and Q ″ is the same as above.]

の置換基としては、前記式(a0−1)中のRにおいて、脂肪族炭化水素基が有していてもよい置換基、芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
に付された符号(r1〜r2、w1〜w6)が2以上の整数である場合、当該化合物中の複数のRはそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
As the substituent for R 7, the substituent that the aliphatic hydrocarbon group may have and the substituent that the aromatic hydrocarbon group may have in R 2 in the formula (a0-1) The thing similar to what was mentioned as is mentioned.
Code (r1 and r2, W1 to W6) attached to R 7 when is an integer of 2 or more, a plurality of the R 7 groups may be the same, respectively, may be different.

また、式(a0−21)中のVとしては、たとえば下記一般式(b−3)で表されるアニオン、下記一般式(b−4)で表されるアニオンも挙げられる。 Examples of V in the formula (a0-21) include an anion represented by the following general formula (b-3) and an anion represented by the following general formula (b-4).

Figure 2013061477
[式中、X”は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2〜6のアルキレン基を表し;Y”、Z”は、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜10のアルキル基を表す。]
Figure 2013061477
[Wherein X ″ represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom; Y ″ and Z ″ each independently represent at least one hydrogen atom as a fluorine atom; Represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and substituted with

式(b−3)において、X”は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は、好ましくは2〜6であり、より好ましくは炭素数3〜5、最も好ましくは炭素数3である。
式(b−4)において、Y”、Z”は、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は、好ましくは1〜10であり、より好ましくは炭素数1〜7、最も好ましくは炭素数1〜3である。
X”のアルキレン基の炭素数又はY”、Z”のアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。
また、X”のアルキレン基又はY”、Z”のアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。
該アルキレン基又はアルキル基のフッ素化率は、好ましくは70〜100%、さらに好ましくは90〜100%であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基又はパーフルオロアルキル基である。
In the formula (b-3), X ″ is a linear or branched alkylene group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the alkylene group preferably has 2 to 6 carbon atoms. More preferably 3 to 5 carbon atoms, most preferably 3 carbon atoms.
In formula (b-4), Y ″ and Z ″ each independently represent a linear or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the carbon number of the alkyl group Is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 7 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms.
The number of carbon atoms of the X ″ alkylene group or the number of carbon atoms of the Y ″ and Z ″ alkyl groups is preferably as small as possible because the solubility in a resist solvent is good within the above-mentioned range of carbon numbers.
In addition, in the alkylene group of X ″ or the alkyl group of Y ″ and Z ″, the strength of the acid increases as the number of hydrogen atoms substituted with fluorine atoms increases, and high-energy light or electron beam of 200 nm or less This is preferable because the transparency to the surface is improved.
The fluorination rate of the alkylene group or alkyl group is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably a perfluoroalkylene group or a perfluoroalkylene group in which all hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms. A fluoroalkyl group;

式(a0−21)におけるVとしては、一般式「R4”SO 」で表されるアニオン(特に、R4”がX−Q−Y−で表される基である上記式(b1)〜(b9)で表されるアニオン)が好ましい。 V in the formula (a0-21) - as represented by the general formula "R 4" SO 3 - "represented by anions (especially in, R 4" is X 3 -Q '-Y 3 - is a group represented by The anions represented by the above formulas (b1) to (b9) are preferred.

以下に、式(a0−21)で表される基の具体例を示す。   Specific examples of the group represented by formula (a0-21) are shown below.

Figure 2013061477
Figure 2013061477

本発明において、前記式(a0−21)で表される基を有する構成単位(以下、「構成単位(a0−21)」という。)としては、下記式(a0−21−1)で表される構成単位が好ましい。   In the present invention, the structural unit having the group represented by the formula (a0-21) (hereinafter referred to as “structural unit (a0-21)”) is represented by the following formula (a0-21-1). Are preferred.

Figure 2013061477
[式中、R、Q、R〜R、Vは前記同様である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R, Q 1 , R 3 to R 5 and V are the same as described above. ]

(式(a0−22)で表される基を有する構成単位)
前記式(a0−22)中、Qは単結合又は2価の連結基である。Qの2価の連結基としては、上記式(a0−1)中のRの2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでも、本発明におけるQとしては、単結合、又は、直鎖状・分岐鎖状のアルキレン基、エステル結合[−C(=O)−O−]、−NH−若しくはこれらの組み合わせであることが好ましい。
(Structural unit having a group represented by the formula (a0-22))
In formula (a0-22), Q 2 represents a single bond or a divalent linking group. Examples of the divalent linking group for Q 2 include the same divalent linking groups for R 2 in the above formula (a0-1). Among them, Q 2 in the present invention is a single bond, a linear / branched alkylene group, an ester bond [—C (═O) —O—], —NH— or a combination thereof. It is preferable.

式(a0−22)中、Aはアニオンを含む有機基である。
としては、露光により発生して酸アニオンとなる部位を含むものであれば特に限定されるものではないが、スルホン酸アニオン、カルボアニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンを発生しうる基が好ましい。
なかでも、Aとしては、下記式(a0−2−an1)、(a0−2−an2)で表される基が好ましい。
In formula (a0-22), A represents an organic group containing an anion.
A is not particularly limited as long as it includes a site which is generated by exposure and becomes an acid anion, but is not limited thereto. A group capable of generating an imide anion or a tris (alkylsulfonyl) methide anion is preferred.
Among them, A - as represented by the following formula (a0-2-an1), a group represented by (a0-2-an2) preferred.

Figure 2013061477
[式中、Rf1及びRf2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Rf1、Rf2のうち少なくとも1つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基であり、p0は1〜8の整数である。Y”はフッ素原子で置換されていてもよい炭化水素基であり、Z”はフッ素原子で置換されていてもよい炭化水素基であり、Y”またはZ”のいずれか1つは少なくとも1つのフッ素原子を有するものとする。]
Figure 2013061477
[Wherein, R f1 and R f2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a fluorine atom, or a fluorinated alkyl group, and at least one of R f1 and R f2 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group. , P0 is an integer of 1-8. Y 1 ″ is a hydrocarbon group that may be substituted with a fluorine atom, Z 1 ″ is a hydrocarbon group that may be substituted with a fluorine atom, and one of Y 1 ″ and Z 1 ″ Has at least one fluorine atom. ]

式(a0−2−an1)中、Rf1及びRf2は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Rf1、Rf2のうち少なくとも1つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基である。
f1、Rf2のアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
f1、Rf2のフッ素化アルキル基としては、上記Rf1、Rf2のアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が好ましい。
f1、Rf2としては、フッ素原子又はフッ素化アルキル基であることが好ましい。
式(a0−2−an1)中、p0は1〜8の整数であり、1〜4の整数であることが好ましく、1又は2であることがさらに好ましい。
In formula (a0-2-an1), R f1 and R f2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a fluorine atom, or a fluorinated alkyl group, and at least one of R f1 and R f2 is fluorine. An atom or a fluorinated alkyl group.
As the alkyl group for R f1 and R f2 , an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable. Specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group Group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like.
Examples of the fluorinated alkyl group of R f1, R f2, group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group of the R f1, R f2 is substituted with a fluorine atom is preferred.
R f1 and R f2 are preferably a fluorine atom or a fluorinated alkyl group.
In formula (a0-2-an1), p0 is an integer of 1 to 8, preferably an integer of 1 to 4, and more preferably 1 or 2.

式(a0−2−an2)中、Y”の炭化水素基は前記Xで挙げた炭化水素基の水素原子をさらに1つ除いた基(すなわち、2価の炭化水素基)が挙げられ、好ましくは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜10のアルキレン基である。該アルキレン基は直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましく、その炭素数は1〜7であることがより好ましく、1〜3であることがさらに好ましい。なかでもY”としては、−CF−であることが特に好ましい。
”の炭化水素基は前記Xで挙げた炭化水素基と同様であり、好ましくは少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜10のアルキル基である。Z”のアルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましく、その炭素数は1〜7であることがより好ましく、1〜3であることがさらに好ましい。なかでもZ”としては、−CFであることが特に好ましい。
”またはZ”のいずれか1つは少なくとも1つのフッ素原子を有し、両方がフッ素原子を含んでいることが好ましい。
In the formula (a0-2-an2), the hydrocarbon group represented by Y 1 ″ includes a group obtained by further removing one hydrogen atom of the hydrocarbon group mentioned in the above X 3 (that is, a divalent hydrocarbon group). Preferably, it is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the alkylene group is preferably linear or branched, and the number of carbon atoms is 1 to 10. It is more preferably 7, and further preferably 1 to 3. Among them, Y 1 ″ is particularly preferably —CF 2 —.
Z 1 "hydrocarbon group are the same as the hydrocarbon groups listed above X 3, preferably at least one alkyl group having 1 to 10 carbon atoms in which a hydrogen atom is substituted with a fluorine atom .Z 1" The alkyl group is preferably linear or branched, and more preferably has 1 to 7 carbon atoms, and still more preferably has 1 to 3 carbon atoms. Among these, as Z 1 ″, —CF 3 is particularly preferable.
It is preferred that any one of Y 1 ″ or Z 1 ″ has at least one fluorine atom, and both contain a fluorine atom.

式(a0−2)中、Mm+は対カチオンであり、mは1〜3の整数である。
m+の対カチオンとしては、特に限定されるものではなく、例えば、従来、レジスト組成物のクエンチャーに用いられる光分解性塩基や、レジスト組成物のオニウム系酸発生剤等のカチオン部として知られている有機カチオンを用いることができる。
本発明においてMm+の対カチオンとしては、オニウムカチオンであることが好ましく、具体的にはスルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、ジアゾニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ピリジニウムカチオン等が挙げられる。
なかでもMm+の対カチオンとしては、下記一般式(c−1)や(c−2)で表されるカチオンを好適に用いることができる。
In formula (a0-2), M m + is a counter cation, and m is an integer of 1 to 3.
The counter counter cation of M m + is not particularly limited. For example, it is known as a cation moiety such as a photodegradable base conventionally used for a quencher of a resist composition or an onium-based acid generator of a resist composition. The organic cation that has been used can be used.
In the present invention, the counter cation of M m + is preferably an onium cation, and specific examples include a sulfonium cation, an iodonium cation, a phosphonium cation, a diazonium cation, an ammonium cation, and a pyridinium cation.
Among them, as the counter cation of M m + , cations represented by the following general formulas (c-1) and (c-2) can be preferably used.

Figure 2013061477
[式中、R”〜R”,R”〜R”は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し;式(c−1)におけるR”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。]
Figure 2013061477
Wherein, R 1 "~R 3", R 5 "~R 6" each independently represents an aryl group or an alkyl group; one of R 1 "~R 3" in the formula (c-1), Any two may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula. ]

前記式(c−1)中、R”〜R”は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表す。なお、式(c−1)におけるR”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。
また、R”〜R”のうち、少なくとも1つはアリール基を表すことが好ましい。R”〜R”のうち、2以上がアリール基であることがより好ましく、R”〜R”のすべてが、アリール基であることが最も好ましい。
In formula (c-1), R 1 ″ to R 3 ″ each independently represents an aryl group or an alkyl group. In addition, any two of R 1 ″ to R 3 ″ in formula (c-1) may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula.
Moreover, it is preferable that at least one of R 1 ″ to R 3 ″ represents an aryl group. Among R 1 "~R 3", more preferably 2 or more is an aryl group, all of R 1 "~R 3" is most preferably an aryl group.

”〜R”のアリール基、アルキル基は、上記R〜Rのアリール基、アルキル基と同様である。
式(c−1)で表されるカチオン部の好ましいものとしては、下記式(c−1−1)〜(c−1−32)で表されるカチオンが挙げられる。
The aryl group and alkyl group of R 1 ″ to R 3 ″ are the same as the aryl group and alkyl group of R 4 to R 5 described above.
Preferable examples of the cation moiety represented by the formula (c-1) include cations represented by the following formulas (c-1-1) to (c-1-32).

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

前記式(c−1−19)、(c−1−20)中、R50は、酸解離性溶解抑制基を含む基であり、後述する式(p1)、(p1−1)若しくは(p2)で表される基、又は、−R91−C(=O)−O−の酸素原子に、後述する式(1−1)〜(1−9)若しくは(2−1)〜(2−6)が結合した基であることが好ましい。ここで、R91は、単結合又は直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基としては、炭素数1〜5であることが好ましい。 In the formulas (c-1-19) and (c-1-20), R 50 is a group containing an acid dissociable, dissolution inhibiting group, and the formula (p1), (p1-1) or (p2) described later ) Or an oxygen atom of —R 91 —C (═O) —O—, the formulas (1-1) to (1-9) or (2-1) to (2- 6) is preferably a bonded group. Here, R 91 is a single bond or a linear or branched alkylene group, and the alkylene group preferably has 1 to 5 carbon atoms.

前記式(c−1−21)中、Wは、2価の連結基であり、前記式(a0−1)中のRの2価の連結基と同様のものが挙げられ、なかでも、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の環状の脂肪族炭化水素基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基であることが好ましく、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であることがより好ましく、直鎖状のアルキレン基であることがさらに好ましい。 In the formula (c-1-21), W is a divalent linking group, and examples thereof include the same as the divalent linking group for R 2 in the formula (a0-1). It is preferably a linear or branched alkylene group, a divalent cyclic aliphatic hydrocarbon group, or a divalent linking group containing a hetero atom, and is a linear or branched alkylene group. It is more preferable that it is a linear alkylene group.

前記式(c−1−22)中、Rはフッ素化アルキル基であり、無置換のアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。該無置換のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、直鎖状のアルキル基がより好ましい。 In the above formula (c-1-22), R f is a fluorinated alkyl group, and is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the unsubstituted alkyl group are substituted with fluorine atoms. As this unsubstituted alkyl group, a linear or branched alkyl group is preferable, and a linear alkyl group is more preferable.

前記式(c−1−23)中、Qは2価の連結基であり、R51はカルボニル基、エステル結合、又はスルホニル基を有する有機基である。
Qの2価の連結基としては、前記式(a0−1)中のRの2価の連結基と同様のものが挙げられ、アルキレン基、エステル結合を含む2価の連結基であることが好ましく、なかでも、アルキレン基、−R77−C(=O)−O−R78−[R77、R78はそれぞれ独立にアルキレン基である。]であることがより好ましい。
51はカルボニル基、エステル結合、又はスルホニル基を有する有機基であって、有機基としては、芳香族炭化水素基であっても脂肪族炭化水素基であってもよい。芳香族炭化水素基、脂肪族炭化水素基としては、後述するXと同様のものが挙げられる。なかでも、R51のカルボニル基、エステル結合、又はスルホニル基を有する有機基としては、脂肪族炭化水素基が好ましく、その中でも嵩高い脂肪族炭化水素基であることがより好ましく、環状の飽和炭化水素基であることがさらに好ましい。R51の好ましいものとしては、前記(L1)〜(L6)、(S1)〜(S4)で表される基、前記Xと同様の基、単環式基又は多環式基に結合した水素原子が酸素原子(=O)で置換された基等が挙げられる。
In formula (c-1-23), Q is a divalent linking group, and R 51 is an organic group having a carbonyl group, an ester bond, or a sulfonyl group.
Examples of the divalent linking group for Q include the same divalent linking groups as those described above for R 2 in formula (a0-1), and the divalent linking group includes an alkylene group and an ester bond. Among them, an alkylene group, —R 77 —C (═O) —O—R 78 — [R 77 , R 78 are each independently an alkylene group. ] Is more preferable.
R 51 is an organic group having a carbonyl group, an ester bond, or a sulfonyl group, and the organic group may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group. Examples of the aromatic hydrocarbon group and the aliphatic hydrocarbon group include those similar to X 3 described later. Among them, the organic group having a carbonyl group, an ester bond or a sulfonyl group of R 51 is preferably an aliphatic hydrocarbon group, more preferably a bulky aliphatic hydrocarbon group, and a cyclic saturated carbonization. More preferably, it is a hydrogen group. R 51 is preferably bonded to the groups represented by the above (L1) to (L6) and (S1) to (S4), the same group as X 3 , a monocyclic group or a polycyclic group. And a group in which a hydrogen atom is substituted with an oxygen atom (═O).

前記式(c−1−24)、(c−1−25)中、R52は、酸解離性基ではない炭素数4〜10のアルキル基である。R52としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、直鎖状のアルキル基がより好ましい。 In the formulas (c-1-24) and (c-1-25), R 52 is an alkyl group having 4 to 10 carbon atoms that is not an acid dissociable group. As R 52 , a linear or branched alkyl group is preferable, and a linear alkyl group is more preferable.

前記式(c−1−26)中、R53は塩基解離性部位を有する2価の基であり、R54は2価の連結基であり、R55は酸解離性基を有する基である。
ここで、R53の塩基解離性部位とは、アルカリ現像液(具体的には、23℃において、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液)の作用により解離する部位のことを指す。該塩基解離性部位が解離することにより、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する。アルカリ現像液としては、一般的にリソグラフィー分野において用いられているものであってよい。塩基解離性部位は、23℃で、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の作用により解離することが好ましい。
また、R53は、塩基解離性部位だけで構成された基であってもよく、塩基解離性部位と、塩基で解離しない基または原子とが結合して構成された基であってもよい。
53が有する塩基解離性部位としては、エステル結合(−C(=O)−O−)が最も好ましい。
53が有する、塩基で解離しない基または原子としては、たとえば、前記式(a0−1)中のRの2価の連結基と同様のものや、これら連結基の組み合わせ(ただし、塩基で解離するものを除く)が挙げられる。ここで「連結基の組み合わせ」とは、連結基同士が結合して構成された2価の基のことを指す。なかでも、アルキレン基と、ヘテロ原子を含む2価の連結基との組み合わせが好ましい。ただし、ヘテロ原子は、塩基解離性部位のうち塩基の作用で結合が切断される原子には隣接しないことが好ましい。
前記アルキレン基は、前記式(a0−1)中のRの説明中の直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基と同様である。
また、前記ヘテロ原子は、酸素原子であることが特に好ましい。
上記の中でも、R53は、塩基解離性部位と、塩基で解離しない基または原子とが結合して構成された基であることが好ましい。
In the formula (c-1-26), R 53 is a divalent group having a base dissociable site, R 54 is a divalent linking group, and R 55 is a group having an acid dissociable group. .
Here, the base dissociable part of R 53 refers to a part dissociated by the action of an alkali developer (specifically, a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 ° C.). Dissociation of the base dissociable portion increases solubility in an alkali developer. The alkali developer may be one generally used in the lithography field. The base dissociable portion is preferably dissociated at 23 ° C. by the action of a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution.
R 53 may be a group composed only of a base dissociable site, or may be a group composed of a base dissociable site and a group or atom that is not dissociated by a base.
As the base dissociable portion of R 53 , an ester bond (—C (═O) —O—) is most preferable.
Examples of the group or atom that R 53 does not dissociate with a base include, for example, the same divalent linking group as R 2 in formula (a0-1), or a combination of these linking groups (however, Excluding those that dissociate). Here, the “combination of linking groups” refers to a divalent group formed by bonding of linking groups. Of these, a combination of an alkylene group and a divalent linking group containing a hetero atom is preferable. However, the heteroatom is preferably not adjacent to an atom whose bond is broken by the action of the base in the base dissociable portion.
The alkylene group is the same as the linear or branched alkylene group in the description of R 2 in the formula (a0-1).
The heteroatom is particularly preferably an oxygen atom.
Among the above, R 53 is preferably a group composed of a base dissociable portion and a group or atom that is not dissociated by a base.

54は2価の連結基であり、前記式(a0−1)中のRの2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでもアルキレン基または2価の脂肪族環式基が好ましく、アルキレン基が特に好ましい。
55は酸解離性基を有する基である。
ここで、酸解離性基とは、酸の作用により解離しうる有機基であり、このようなものであれば特に限定されないが、例えば、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性溶解抑制基として提案されているものが挙げられる。具体的には、後述する構成単位(a1)において挙げる酸解離性溶解抑制基と同様であり、環状または鎖状の第3級アルキルエステル型酸解離性基;アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが挙げられ、これらの中でも、第3級アルキルエステル型酸解離性基が好ましい。
また、酸解離性基を有する基は、酸解離性基そのものであってもよく、酸解離性基と、酸で解離しない基または原子(酸解離性基が解離した後も酸発生剤に結合したままの基または原子)とが結合して構成された基であってもよい。ここで、酸で解離しない基または原子としては、前記式(a0−1)中のRの2価の連結基と同様のものが挙げられる。
R 54 is a divalent linking group, and examples thereof include the same as the divalent linking group for R 2 in formula (a0-1). Of these, an alkylene group or a divalent aliphatic cyclic group is preferable, and an alkylene group is particularly preferable.
R 55 is a group having an acid dissociable group.
Here, the acid dissociable group is an organic group that can be dissociated by the action of an acid, and is not particularly limited as long as it is such as, for example, until now, acid dissociation of a base resin for a chemically amplified resist And those proposed as soluble dissolution inhibiting groups. Specifically, it is the same as the acid dissociable, dissolution inhibiting group described in the structural unit (a1) described later, and is a cyclic or chain tertiary alkyl ester type acid dissociable group; an acetal type acid dissociation such as an alkoxyalkyl group A tertiary alkyl ester type acid dissociable group is preferable among them.
Further, the group having an acid dissociable group may be an acid dissociable group itself, an acid dissociable group, a group or an atom not dissociated by an acid (bonded to an acid generator even after the acid dissociable group is dissociated). Or a group formed by bonding to an as-is group or atom). Here, examples of the group or atom that does not dissociate with an acid include the same groups as the divalent linking group for R 2 in the formula (a0-1).

前記式(c−1−27)中、Wは単結合または2価の連結基であり、tは0又は1であり、R62は酸によって解離しない基(以下「酸非解離性基」という。)である。
の2価の連結基としては、前記式(a0−1)中のRの2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでもWとしては、単結合であることが好ましい。
tは、0であることが好ましい。
62の酸非解離性基としては、酸の作用により解離しない基であれば特に限定されないが、酸によって解離しない、置換基を有していてもよい炭化水素基であることが好ましく、置換基を有していてもよい環式炭化水素基であることがより好ましく、アダマンタンから1個の水素原子を除いた基であることがさらに好ましい。
In Formula (c-1-27), W 2 is a single bond or a divalent linking group, t is 0 or 1, and R 62 is a group that is not dissociated by an acid (hereinafter referred to as “acid non-dissociable group”). It is said.)
Examples of the divalent linking group for W 2 include the same divalent linking groups for R 2 in formula (a0-1). Among these, W 2 is preferably a single bond.
t is preferably 0.
The acid non-dissociable group for R 62 is not particularly limited as long as it is a group that does not dissociate by the action of an acid, but is preferably a hydrocarbon group that does not dissociate by an acid and may have a substituent. A cyclic hydrocarbon group which may have a group is more preferable, and a group obtained by removing one hydrogen atom from adamantane is further preferable.

前記式(c−1−28)、式(c−1−29)中、R、R10は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基または炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基、水酸基であり、uは1〜3の整数であり、1または2が最も好ましい。
前記式(c−1−29)中、R61、R62はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基であって、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
In the formula (c-1-28) and the formula (c-1-29), R 9 and R 10 are each independently a phenyl group, a naphthyl group, or a carbon number of 1 to 1 which may have a substituent. 5 is an alkyl group, an alkoxy group, or a hydroxyl group, u is an integer of 1 to 3, and 1 or 2 is most preferable.
In formula (c-1-29), R 61 and R 62 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and preferably a hydrogen atom or a methyl group.

前記式(c−1−30)中、Y10は、酸の作用により解離し得る酸解離性基を表し;R56およびR57はそれぞれ独立して水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、R56とR57とは互いに結合して環を形成してもよく;Y11およびY12はそれぞれ独立してアルキル基又はアリール基を表し、Y11とY12とは互いに結合して環を形成してもよい。
10としては、−C(R56)(R57)−C(=O)−O−と第3級アルキルエステルを形成する基が挙げられる。
ここでいう「第3級アルキルエステル」とは、−C(R56)(R57)−C(=O)−O−の末端の酸素原子に、Y10の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、当該酸素原子と当該第3級炭素原子との間で結合が切断される。
10としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性基、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が挙げられる。
ここで、「脂肪族分岐鎖状」とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。「炭化水素基」は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。
脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、たとえば、−C(R71)(R72)(R73)で表される基が挙げられる。式中、R71〜R73は、それぞれ独立に、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基である。−C(R71)(R72)(R73)で表される基は、炭素数が4〜8であることが好ましく、具体的にはtert−ブチル基、2−メチル−2−ブチル基、2−メチル−2−ペンチル基、3−メチル−3−ペンチル基などが挙げられる。特にtert−ブチル基が好ましい。
In the formula (c-1-30), Y 10 represents an acid dissociable group that can be dissociated by the action of an acid; R 56 and R 57 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group; R 56 and R 57 may be bonded to each other to form a ring; Y 11 and Y 12 each independently represent an alkyl group or an aryl group, and Y 11 and Y 12 are bonded to each other to form a ring. It may be formed.
Y 10 includes a group that forms a tertiary alkyl ester with —C (R 56 ) (R 57 ) —C (═O) —O—.
The term “tertiary alkyl ester” as used herein means that the tertiary carbon atom of Y 10 is bonded to the terminal oxygen atom of —C (R 56 ) (R 57 ) —C (═O) —O—. Shows the structure. In this tertiary alkyl ester, when an acid acts, the bond is broken between the oxygen atom and the tertiary carbon atom.
Examples of Y 10 include an aliphatic branched acid dissociable group and an acid dissociable group containing an aliphatic cyclic group.
Here, “aliphatic branched” means having a branched structure having no aromaticity. The “hydrocarbon group” may be either saturated or unsaturated, but is usually preferably saturated.
Examples of the aliphatic branched acid dissociable group include a group represented by —C (R 71 ) (R 72 ) (R 73 ). Wherein, R 71 to R 73 each independently represents a linear alkyl group of 1 to 5 carbon atoms. The group represented by —C (R 71 ) (R 72 ) (R 73 ) preferably has 4 to 8 carbon atoms, specifically a tert-butyl group or a 2-methyl-2-butyl group. , 2-methyl-2-pentyl group, 3-methyl-3-pentyl group and the like. A tert-butyl group is particularly preferable.

「脂肪族環式基」は、芳香族性を持たない単環式基又は多環式基が挙げられ、多環式基であることが好ましい。
かかる「脂肪族環式基」は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、フッ素原子、炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
脂肪族環式基としては、例えば、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子又はフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。Y10が炭素数5以上の環状の炭化水素基であって酸の作用により解離し得る酸解離性基であることにより、解像性、LWR、露光余裕度(ELマージン)、レジストパターン形状などのリソグラフィー特性が良好なものとなるため、特に好ましい。
Examples of the “aliphatic cyclic group” include a monocyclic group or a polycyclic group having no aromaticity, and a polycyclic group is preferable.
Such an “aliphatic cyclic group” may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and an oxygen atom (= O).
Examples of the aliphatic cyclic group include a monocycloalkane which may or may not be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom or a fluorinated alkyl group; bicycloalkane, tricyclo Examples include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as an alkane or tetracycloalkane. More specific examples include monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and groups obtained by removing two or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. . Y 10 is a cyclic hydrocarbon group having 5 or more carbon atoms and is an acid dissociable group that can be dissociated by the action of an acid, so that resolution, LWR, exposure margin (EL margin), resist pattern shape, etc. This is particularly preferable because the lithography properties of the film become good.

56およびR57は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。
56およびR57のアルキル基又はアリール基は、それぞれ、前記R”〜R”のアルキル基又はアリール基と同様のものが挙げられる。また、R56とR57とは、前記R”〜R”と同様に、互いに結合して環を形成してもよい
上記の中でも、R56およびR57は、いずれも水素原子であることが特に好ましい。
R 56 and R 57 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group.
Examples of the alkyl group or aryl group for R 56 and R 57 are the same as the alkyl group or aryl group for R 1 ″ to R 3 ″. Further, R 56 and R 57 may be bonded to each other to form a ring in the same manner as R 1 ″ to R 3 ″. Among the above, R 56 and R 57 are both hydrogen atoms. It is particularly preferred.

11およびY12は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基を表す。
11およびY12におけるアルキル基又はアリール基は、それぞれ、前記R”〜R”におけるアルキル基又はアリール基と同様のものが挙げられる。
これらの中で、Y11およびY12は、それぞれ、フェニル基またはナフチル基であることが特に好ましい。また、Y11とY12とは、前記R”〜R”と同様に、互いに結合して環を形成してもよい。
Y 11 and Y 12 each independently represents an alkyl group or an aryl group.
Examples of the alkyl group or aryl group for Y 11 and Y 12 are the same as the alkyl group or aryl group for R 1 ″ to R 3 ″.
Among these, Y 11 and Y 12 are particularly preferably each a phenyl group or a naphthyl group. Y 11 and Y 12 may be bonded to each other to form a ring in the same manner as R 1 ″ to R 3 ″.

前記式(c−1−31)中、R58は、脂肪族環式基であり;R59は、単結合または置換基を有していてもよいアルキレン基であり;R60は、置換基を有していてもよいアリーレン基であり;R61は、置換基を有していてもよい炭素数4または5のアルキレン基である。
58の脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよいが、多環式基であることが好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。
59の置換基を有していてもよいアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、なかでも、単結合、または炭素数1〜3のアルキレン基が好ましい。
60のアリーレン基としては、炭素数6〜20が好ましく、6〜14がより好ましく、炭素数6〜10がさらに好ましい。このようなアリーレン基としては、たとえば、フェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基が挙げられ、安価に合成可能なことから、フェニレン基、ナフチレン基が好ましい。
In the formula (c-1-31), R 58 is an aliphatic cyclic group; R 59 is a single bond or an alkylene group which may have a substituent; R 60 is a substituent. R 61 is an alkylene group having 4 or 5 carbon atoms which may have a substituent.
The aliphatic cyclic group for R 58 may be a monocyclic group or a polycyclic group, but is preferably a polycyclic group, and includes one or more polycycloalkanes. A group in which a hydrogen atom is removed is preferred, and a group in which one or more hydrogen atoms are removed from adamantane is most preferred.
The alkylene group which may have a substituent R 59, preferably a linear or branched alkylene group, and among them, a single bond, or preferably an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms.
The arylene group for R 60 preferably has 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 14 carbon atoms, and still more preferably 6 to 10 carbon atoms. Examples of such an arylene group include a phenylene group, a biphenylene group, a fluorenylene group, a naphthylene group, an anthrylene group, and a phenanthrylene group, and a phenylene group and a naphthylene group are preferable because they can be synthesized at low cost.

前記式(c−1−32)中、R01はアリーレン基またはアルキレン基であり、R02、R03はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基であり、R02、R03は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、R01〜R03のうち少なくとも1つは、アリーレン基またはアリール基であり、Wはn”価の連結基であり、n”は2または3である。
01のアリーレン基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6〜20のアリーレン基であって、該アリーレン基は、その水素原子の一部または全部が、置換されていてもよいものが挙げられ、R01のアルキレン基としては、特に制限はなく、例えば炭素数1〜10の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基等が挙げられる。
02、R03のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6〜20のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部が、置換されていてもよいものが挙げられ、R02、R03のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数1〜10の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。
の2価の連結基としては、上記Y22の2価の連結基と同様のものが挙げられ、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、環状であることが好ましい。なかでも、アリーレン基の両端に2個のカルボニル基が組み合わさった基が好ましい。
の3価の連結基としては、アリーレン基に3個のカルボニル基が組み合わさった基が好ましい。
In the formula (c-1-32), R 01 is an arylene group or an alkylene group, R 02 and R 03 are each independently an aryl group or an alkyl group, and R 02 and R 03 are bonded to each other. And a sulfur atom in the formula may form a ring, at least one of R 01 to R 03 is an arylene group or an aryl group, W 1 is an n ″ -valent linking group, and n ″ is 2 or 3.
The arylene group R 01, not particularly limited, for example, an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, said arylene groups, part or all of the hydrogen atoms, those may be substituted The alkylene group represented by R 01 is not particularly limited, and examples thereof include linear, branched or cyclic alkylene groups having 1 to 10 carbon atoms.
The aryl group for R 02 and R 03 is not particularly limited, and may be, for example, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and the aryl group may have part or all of its hydrogen atoms substituted. There are no particular restrictions on the alkyl group of R 02 and R 03 , and examples include linear, branched or cyclic alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms.
Examples of the divalent linking group for W 1 include the same divalent linking groups as those described above for Y 22 , which may be linear, branched or cyclic, and cyclic. preferable. Of these, a group in which two carbonyl groups are combined at both ends of the arylene group is preferable.
The trivalent linking group for W 1 is preferably a group in which three carbonyl groups are combined with an arylene group.

前記式(c−2)中、R”〜R”は、それぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。R”〜R”のうち、少なくとも1つはアリール基を表す。R”〜R”のすべてが、アリール基であることが好ましい。
”〜R”のアリール基としては、R”〜R”のアリール基と同様のものが挙げられる。
”〜R”のアルキル基としては、R”〜R”のアルキル基と同様のものが挙げられる。
これらの中で、R”〜R”は、すべてフェニル基であることが最も好ましい。
In the formula (c-2), R 5 ″ to R 6 ″ each independently represents an aryl group or an alkyl group. At least one of R 5 ″ to R 6 ″ represents an aryl group. It is preferable that all of R 5 ″ to R 6 ″ are aryl groups.
As the aryl group for R 5 ″ to R 6 ″, the same as the aryl groups for R 1 ″ to R 3 ″ can be used.
Examples of the alkyl group for R 5 ″ to R 6 ″ include the same as the alkyl group for R 1 ″ to R 3 ″.
Among these, it is most preferable that R 5 ″ to R 6 ″ are all phenyl groups.

また、Mm+の有機カチオンとしては、下記一般式(c−3)で表される有機カチオンも挙げられる。 Moreover, as an organic cation of Mm +, the organic cation represented by the following general formula (c-3) is also mentioned.

Figure 2013061477
[式中、R44〜R46はそれぞれ独立してアルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシ基、水酸基またはヒドロキシアルキル基であり;n’〜n’はそれぞれ独立して0〜3の整数であり、n’は0〜2の整数である。]
Figure 2013061477
[Wherein R 44 to R 46 are each independently an alkyl group, acetyl group, alkoxy group, carboxy group, hydroxyl group or hydroxyalkyl group; n 4 ′ to n 5 ′ are each independently 0 to 3; N 6 ′ is an integer of 0 to 2. ]

44〜R46において、アルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、又はtert−ブチル基であることが特に好ましい。
アルコキシ基は、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。
ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基中の一個又は複数個の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。
44〜R46に付された符号n’〜n’が2以上の整数である場合、複数のR44〜R46はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
’は、好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1である。
’は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。
’は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは1である。
なかでも、前記式(c−1)〜(c−3)で表されるカチオンが好ましく、前記式(c−1−1)〜(c−1−32)で表されるカチオンがより好ましい。
In R 44 to R 46, the alkyl group is preferably an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, more preferably an linear or branched alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl radical, n A butyl group or a tert-butyl group is particularly preferable.
The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkoxy group, and particularly preferably a methoxy group or an ethoxy group.
The hydroxyalkyl group is preferably a group in which one or more hydrogen atoms in the alkyl group are substituted with a hydroxy group, and examples thereof include a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, and a hydroxypropyl group.
When the symbols n 4 ′ to n 6 ′ attached to R 44 to R 46 are integers of 2 or more, the plurality of R 44 to R 46 may be the same or different.
n 4 ′ is preferably 0 to 2, and more preferably 0 or 1.
n 5 ′ is preferably 0 or 1, and more preferably 0.
n 6 ′ is preferably 0 or 1, more preferably 1.
Especially, the cation represented by the said formula (c-1)-(c-3) is preferable, and the cation represented by the said formula (c-1-1)-(c-1-32) is more preferable.

本発明において、式(a0−21)で表される基を有する構成単位(以下、「構成単位(a0−21)」という。)としては、下記式(a0−2−11)〜(a0−2−13)、及び(a0−2−21)〜(a0−2−23)で表される基からなる群より選択される構成単位が好ましい。   In the present invention, the structural unit having a group represented by the formula (a0-21) (hereinafter referred to as “structural unit (a0-21)”) is represented by the following formulas (a0-2-11) to (a0−). 2-13) and structural units selected from the group consisting of groups represented by (a0-2-21) to (a0-2-23) are preferred.

Figure 2013061477
[式中、R、Rf1、Rf2、p0、(Mm+1/mは前記同様であり、Q21はそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基である。Q22は2価の連結基である。Q23は−O−、−CH−O−、又は−C(=O)−O−を含有する基である。Rq1はフッ素原子又はフッ素化アルキル基である。Rは水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R, R f1 , R f2 , p0, (M m + ) 1 / m are the same as described above, and Q 21 each independently represents a single bond or a divalent linking group. Q 22 is a divalent linking group. Q 23 is a group containing —O—, —CH 2 —O—, or —C (═O) —O—. R q1 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group. R n represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. ]

Figure 2013061477
[式中、R、Q21〜Q23、R、Rq1、Y”、Z”、(Mm+1/mは前記同様である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R, Q 21 to Q 23 , R n , R q1 , Y 1 ″, Z 1 ″, (M m + ) 1 / m are the same as described above. ]

式(a0−2−11)〜(a0−2−13)中、R、Rf1、Rf2、p0、(Mm+1/mは前記同様であり、Q21は、単結合又は2価の連結基である。Q21における2価の連結基としては、式(a0−1)中のRの2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでも、Q21としては、Rで挙げた直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、環状の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましく;直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基とヘテロ原子を含む2価の連結基との組合せ、環状の脂肪族炭化水素基とヘテロ原子を含む2価の連結基との組合せ、芳香族炭化水素基とヘテロ原子を含む2価の連結基との組合せがより好ましく;直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基とエステル結合[−C(=O)−O−]との組合せ、2価の脂環式炭化水素基とエステル結合[−C(=O)−O−]との組合せが特に好ましく;直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、又は直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基とエステル結合[−C(=O)−O−]との組合せが最も好ましい。 In formulas (a0-2-11) to (a0-2-13), R, R f1 , R f2 , p0, (M m + ) 1 / m are the same as described above, and Q 21 is a single bond or a divalent group. The linking group of Examples of the divalent linking group for Q 21 include the same divalent linking groups for R 2 in formula (a0-1). Among these, Q 21 is preferably a linear or branched alkylene group, a cyclic aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or a divalent linking group containing a hetero atom, which is mentioned for R 2. A linear or branched alkylene group, a combination of a linear or branched alkylene group and a divalent linking group containing a hetero atom, a divalent containing a cyclic aliphatic hydrocarbon group and a hetero atom And a combination of an aromatic hydrocarbon group and a divalent linking group containing a hetero atom are more preferable; a linear or branched alkylene group, a linear or branched alkylene group And a combination of an ester bond [—C (═O) —O—], a combination of a divalent alicyclic hydrocarbon group and an ester bond [—C (═O) —O—] is particularly preferred; Straight or branched alkylene groups, or straight Jo or branched alkylene group and an ester bond [-C (= O) -O-] combination with the most preferred.

式(a0−2−12)中、Q22は2価の連結基であり、式(a0−1)中のRの2価の連結基と同様のものが挙げられ、なかでも、Rで挙げた直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、環状の脂肪族炭化水素基、または2価の芳香族炭化水素基であることが好ましく、直鎖状のアルキレン基が特に好ましく、メチレン基又はエチレン基が最も好ましい。
式(a0−2−12)中、Rは水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である。炭素数1〜5のアルキル基としては、前記Rの炭素数1〜5のアルキル基と同様のものが挙げられる。なかでもRとしては、水素原子又はメチル基が好ましい。
Wherein (a0-2-12), Q 22 represents a divalent linking group, the same groups as those divalent linking group for R 2 in the formula (a0-1), among others, R 2 It is preferably a linear or branched alkylene group, a cyclic aliphatic hydrocarbon group, or a divalent aromatic hydrocarbon group mentioned in the above, particularly preferably a linear alkylene group, a methylene group or Most preferred is an ethylene group.
In formula (a0-2-12), R n represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. As a C1-C5 alkyl group, the same thing as the C1-C5 alkyl group of said R is mentioned. Of these, R n is preferably a hydrogen atom or a methyl group.

式(a0−2−13)中、Q23は−O−、−CH−O−、又は−C(=O)−O−を含有する基である。
23として具体的には、−O−、−CH−O−、又は−C(=O)−O−からなる基;−O−、−CH−O−又は−C(=O)−O−と、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基とからなる基等が挙げられる。
かかる置換基を有していてもよい2価の炭化水素基としては、式(a0−1)中のRの2価の連結基における置換基を有していてもよい2価の炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでも、Qにおける「2価の炭化水素基」としては、脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基がより好ましい。
23としては、−C(=O)−O−と置換基を有していてもよい2価の炭化水素基とからなる基が好ましく、−C(=O)−O−と脂肪族炭化水素基とからなる基がより好ましく、−C(=O)−O−と直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基とからなる基がさらに好ましい。
23の好適なものとして具体的には、特に、下記一般式(Q23−1)で表される基が挙げられる。
In formula (a0-2-13), Q 23 represents a group containing —O—, —CH 2 —O—, or —C (═O) —O—.
Q 23 is specifically a group consisting of —O—, —CH 2 —O—, or —C (═O) —O—; —O—, —CH 2 —O— or —C (═O). And a group composed of —O— and a divalent hydrocarbon group which may have a substituent.
The divalent hydrocarbon group which may have such a substituent is a divalent hydrocarbon which may have a substituent in the divalent linking group of R 2 in formula (a0-1). The same thing as a group is mentioned. Among them, the “divalent hydrocarbon group” in Q 1 is preferably an aliphatic hydrocarbon group, and more preferably a linear or branched alkylene group.
Q 23 is preferably a group consisting of —C (═O) —O— and a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and —C (═O) —O— and aliphatic carbonization. A group consisting of a hydrogen group is more preferred, and a group consisting of —C (═O) —O— and a linear or branched alkylene group is more preferred.
Specific examples suitable for Q 23, in particular, a group represented by the following general formula (Q 23 -1).

Figure 2013061477
[式(Q23−1)中、Rq2及びRq3はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又はフッ素化アルキル基であり、互いに結合して環を形成していてもよい。]
Figure 2013061477
[In Formula (Q 23 -1), R q2 and R q3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a fluorinated alkyl group, and may be bonded to each other to form a ring. ]

前記式(Q23−1)中、Rq2、Rq3におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよく、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。
直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基の場合、炭素数は1〜5であることが好ましく、エチル基、メチル基がより好ましく、エチル基が特に好ましい。
環状のアルキル基の場合、炭素数は4〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10であることが最も好ましい。具体的には、モノシクロアルカン;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンからそれぞれ1個以上の水素原子を除いた基などが例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンからそれぞれ1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。なかでも、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
In the formula (Q 23 -1), the alkyl group in R q2 and R q3 may be linear, branched or cyclic, and is preferably linear or branched.
In the case of a linear or branched alkyl group, the number of carbon atoms is preferably 1 to 5, more preferably an ethyl group or a methyl group, and particularly preferably an ethyl group.
In the case of a cyclic alkyl group, the number of carbon atoms is preferably 4 to 15, more preferably 4 to 12, and most preferably 5 to 10. Specific examples include monocycloalkanes; groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as bicycloalkanes, tricycloalkanes, and tetracycloalkanes. More specifically, monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. It is done. Of these, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from adamantane is preferable.

q2、Rq3におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基中の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されている基である。
当該フッ素化アルキル基において、フッ素原子で置換されていない状態のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよく、上記「Rq2、Rq3におけるアルキル基」と同様のものが挙げられる。
The fluorinated alkyl group for R q2 and R q3 is a group in which part or all of the hydrogen atoms in the alkyl group are substituted with fluorine atoms.
In the fluorinated alkyl group, the alkyl group not substituted with a fluorine atom may be linear, branched or cyclic, and the same as the above-mentioned “alkyl group in R q2 and R q3 ”. Can be mentioned.

q2及びRq3は、互いに結合して環を形成していてもよく、Rq2とRq3とこれらが結合している炭素原子とが構成する環としては、前記環状のアルキル基におけるモノシクロアルカン又はポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いたものが例示でき、4〜10員環であることが好ましく、5〜7員環であることがより好ましい。 R q2 and R q3 may be bonded to each other to form a ring, and the ring formed by R q2 and R q3 and the carbon atom to which they are bonded includes a monocyclo group in the cyclic alkyl group. The thing remove | excluding two hydrogen atoms from alkane or polycycloalkane can be illustrated, It is preferable that it is a 4-10 membered ring, and it is more preferable that it is a 5-7 membered ring.

上記の中でも、Rq2、Rq3は、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。 Among the above, R q2 and R q3 are preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

式(a0−2−13)中、Rq1は、フッ素原子又はフッ素化アルキル基である。
q1におけるフッ素化アルキル基において、フッ素原子で置換されていない状態のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよい。
直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基の場合、炭素数は1〜5であることが好ましく、炭素数が1〜3であることがより好ましく、炭素数が1〜2であることが特に好ましい。
環状のアルキル基の場合、炭素数は4〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがより好ましく、炭素数5〜10であることがさらに好ましい。具体的には、モノシクロアルカン;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンからそれぞれ1個以上の水素原子を除いた基などが例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカン;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンからそれぞれ1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
フッ素化アルキル基においては、当該フッ素化アルキル基に含まれるフッ素原子と水素原子との合計数に対するフッ素原子の数の割合(フッ素化率(%))が、30〜100%であることが好ましく、50〜100%であることがより好ましい。該フッ素化率が高いほど、レジスト膜の疎水性が高まる。
上記の中でも、Rq1はフッ素原子であることが好ましい。
In formula (a0-2-13), R q1 represents a fluorine atom or a fluorinated alkyl group.
In the fluorinated alkyl group for R q1 , the alkyl group that is not substituted with a fluorine atom may be linear, branched, or cyclic.
In the case of a linear or branched alkyl group, the number of carbon atoms is preferably 1 to 5, more preferably 1 to 3, and particularly preferably 1 to 2. .
In the case of a cyclic alkyl group, the number of carbon atoms is preferably 4 to 15, more preferably 4 to 12, and still more preferably 5 to 10. Specific examples include monocycloalkanes; groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as bicycloalkanes, tricycloalkanes, and tetracycloalkanes. More specifically, examples include monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane; groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. .
In the fluorinated alkyl group, the ratio of the number of fluorine atoms to the total number of fluorine atoms and hydrogen atoms contained in the fluorinated alkyl group (fluorination rate (%)) is preferably 30 to 100%. 50 to 100% is more preferable. The higher the fluorination rate, the higher the hydrophobicity of the resist film.
Among the above, R q1 is preferably a fluorine atom.

式(a0−2−21)〜(a0−2−23)中、R、Q21〜Q23、R、Rq1、Y”、Z”、(Mm+1/mは前記同様である。 In formulas (a0-2-21) to (a0-2-23), R, Q 21 to Q 23 , R n , R q1 , Y 1 ″, Z 1 ″, (M m + ) 1 / m are the same as above. It is.

以下に、構成単位(a0−22)の具体例を示す。以下の各式中、Rαは水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基であり、(Mm+1/mは前記同様である。 Specific examples of the structural unit (a0-22) are shown below. In the following formulas, R α is a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group, and (M m + ) 1 / m is the same as described above.

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

(A1)成分が有する構成単位(a0−2)は、1種でも2種以上でもよい。
(A1)成分中、構成単位(a0−2)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対し、1〜40モル%であることが好ましく、1〜35モル%がより好ましく、3〜30モル%がさらに好ましく、5〜25モル%が特に好ましい。
構成単位(a0−2)の割合を下限値以上とすることにより、構成単位(a0−2)を含有させることによる効果(解像性、リソグラフィー特性、パターン形状の向上効果)が充分に得られ、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
The structural unit (a0-2) contained in the component (A1) may be one type or two or more types.
In the component (A1), the proportion of the structural unit (a0-2) is preferably 1 to 40 mol%, more preferably 1 to 35 mol%, based on the total of all structural units constituting the component (A1). Preferably, 3-30 mol% is more preferable, and 5-25 mol% is especially preferable.
By setting the proportion of the structural unit (a0-2) to be equal to or higher than the lower limit value, the effects (resolution, lithography characteristics, pattern shape improvement effect) by including the structural unit (a0-2) can be sufficiently obtained. By setting it to the upper limit value or less, it becomes easy to balance with other structural units.

(構成単位(a1))
(A1)成分は、構成単位(a0−1)、及び(a0−2)に加えて、さらに、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を含有していることが好ましい。
「酸分解性基」は、露光により構成単位(a0−2)、又は任意成分である後述の酸発生剤成分(B)から発生する酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。
酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、たとえば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。
極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基(−SOH)等が挙げられる。これらのなかでも、構造中に−OHを含有する極性基(以下「OH含有極性基」ということがある。)が好ましく、カルボキシ基または水酸基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。
酸分解性基としてより具体的には、前記極性基を酸解離性基で保護した基(たとえばOH含有極性基の水素原子を酸解離性基で保護した基)が挙げられる。
「酸解離性基」は、露光により構成単位(a0−2)、又は任意成分である後述の酸発生剤成分(B)から発生する酸の作用により、少なくとも、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基である。酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。その結果、重合体全体の極性が増大する。極性が増大することにより、相対的に、現像液に対する溶解性が変化し、現像液がアルカリ現像液の場合には溶解性が増大し、他方、現像液が有機溶剤を含む現像液(有機系現像液)の場合には溶解性が減少する。
(Structural unit (a1))
In addition to the structural units (a0-1) and (a0-2), the component (A1) further contains a structural unit (a1) containing an acid-decomposable group that increases in polarity by the action of an acid. It is preferable.
The “acid-decomposable group” is at least in the structure of the acid-decomposable group by the action of an acid generated from the structural unit (a0-2) or an optional acid generator component (B) described later by exposure. It is an acid-decomposable group that can be partially cleaved.
Examples of the acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid include a group that decomposes by the action of an acid to generate a polar group.
Examples of the polar group include a carboxy group, a hydroxyl group, an amino group, a sulfo group (—SO 3 H), and the like. Among these, a polar group containing —OH in the structure (hereinafter sometimes referred to as “OH-containing polar group”) is preferable, a carboxy group or a hydroxyl group is preferable, and a carboxy group is particularly preferable.
More specifically, examples of the acid-decomposable group include a group in which the polar group is protected with an acid-dissociable group (for example, a group in which a hydrogen atom of an OH-containing polar group is protected with an acid-dissociable group).
The “acid-dissociable group” means at least the acid-dissociable group and the acid by the action of an acid generated from the structural unit (a0-2) or an optional acid generator component (B) described later by exposure. It is a group having acid dissociation property that can break a bond between atoms adjacent to the dissociable group. The acid-dissociable group constituting the acid-decomposable group must be a group having a lower polarity than the polar group generated by dissociation of the acid-dissociable group. Is dissociated, a polar group having a polarity higher than that of the acid dissociable group is generated to increase the polarity. As a result, the polarity of the entire polymer increases. As the polarity increases, the solubility in the developer changes relatively. When the developer is an alkaline developer, the solubility increases. On the other hand, the developer contains an organic solvent (organic type). In the case of a developer, the solubility decreases.

酸解離性基としては、特に限定されず、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを使用することができる。一般的には、(メタ)アクリル酸等におけるカルボキシ基と環状又は鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基、アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが広く知られている。
ここで、「第3級アルキルエステル」とは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状又は環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基(−C(=O)−O−)の末端の酸素原子に、前記鎖状又は環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基が形成される。
前記鎖状又は環状のアルキル基は、置換基を有していてもよい。
以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、「第3級アルキルエステル型酸解離性基」という。
The acid-dissociable group is not particularly limited, and those that have been proposed as acid-dissociable groups for base resins for chemically amplified resists can be used. In general, a group that forms a cyclic or chain tertiary alkyl ester with a carboxy group in (meth) acrylic acid or the like, an acetal type acid dissociable group such as an alkoxyalkyl group, and the like are widely known.
Here, the “tertiary alkyl ester” is an ester formed by replacing a hydrogen atom of a carboxy group with a chain or cyclic alkyl group, and the carbonyloxy group (—C (═O The structure in which the tertiary carbon atom of the chain or cyclic alkyl group is bonded to the terminal oxygen atom of) -O-). In this tertiary alkyl ester, when an acid acts, a bond is cut between an oxygen atom and a tertiary carbon atom to form a carboxy group.
The chain or cyclic alkyl group may have a substituent.
Hereinafter, a group that is acid dissociable by constituting a carboxy group and a tertiary alkyl ester is referred to as a “tertiary alkyl ester type acid dissociable group” for convenience.

第3級アルキルエステル型酸解離性基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性基、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が挙げられる。
ここで、「脂肪族分岐鎖状」とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。「脂肪族分岐鎖状酸解離性基」の構造は、炭素および水素からなる基(炭化水素基)であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、「炭化水素基」は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。
脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、たとえば、−C(R71)(R72)(R73)で表される基が挙げられる。式中、R71〜R73は前記同様である。
Examples of the tertiary alkyl ester type acid dissociable group include an aliphatic branched acid dissociable group and an acid dissociable group containing an aliphatic cyclic group.
Here, “aliphatic branched” means having a branched structure having no aromaticity. The structure of the “aliphatic branched acid dissociable group” is not limited to a group consisting of carbon and hydrogen (hydrocarbon group), but is preferably a hydrocarbon group. The “hydrocarbon group” may be either saturated or unsaturated, but is usually preferably saturated.
Examples of the aliphatic branched acid dissociable group include a group represented by —C (R 71 ) (R 72 ) (R 73 ). In the formula, R 71 to R 73 are the same as described above.

「脂肪族環式基」は、芳香族性を持たない単環式基又は多環式基であることを示す。
「脂肪族環式基を含有する酸解離性基」における脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、フッ素原子、炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
該脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基(炭化水素基)であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、該炭化水素基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。
脂肪族環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。
脂肪族環式基としては、炭素数が3〜30であるものが好ましく、5〜30であるものがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。単環式の脂肪族環式基としては、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3〜6のものが好ましく、具体的にはシクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂肪族環式基としては、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7〜12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。また、これらの脂肪族環式基の環を構成する炭素原子の一部がエーテル基(−O−)で置換されたものであってもよい。
The “aliphatic cyclic group” means a monocyclic group or a polycyclic group having no aromaticity.
The aliphatic cyclic group in the “acid-dissociable group containing an aliphatic cyclic group” may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and an oxygen atom (= O).
The basic ring structure excluding the substituent of the aliphatic cyclic group is not limited to a group consisting of carbon and hydrogen (hydrocarbon group), but is preferably a hydrocarbon group. The hydrocarbon group may be either saturated or unsaturated, but is usually preferably saturated.
The aliphatic cyclic group may be monocyclic or polycyclic.
As the aliphatic cyclic group, those having 3 to 30 carbon atoms are preferable, those having 5 to 30 are more preferable, 5 to 20 are more preferable, 6 to 15 are particularly preferable, and 6 to 12 is most preferable. . As the monocyclic aliphatic cyclic group, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples include cyclobutane, cyclopentane, and cyclohexane. The polycyclic aliphatic cyclic group is preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane, and the polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms, specifically adamantane. , Norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like. Moreover, a part of carbon atoms constituting the ring of these aliphatic cyclic groups may be substituted with an ether group (—O—).

脂肪族環式基を含有する酸解離性基としては、たとえば、
(i)1価の脂肪族環式基の環骨格上の、当該酸解離性基に隣接する原子(たとえば−C(=O)−O−における−O−)と結合する炭素原子に置換基(水素原子以外の原子または基)が結合して第3級炭素原子が形成されている基;
(ii)1価の脂肪族環式基と、これに結合する第3級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレンとを有する基などが挙げられる。
前記(i)の基において、脂肪族環式基の環骨格上、当該酸解離性基に隣接する原子と結合する炭素原子に結合する置換基としては、たとえばアルキル基が挙げられる。該アルキル基としては、たとえば後述する式(1−1)〜(1−9)中のR14と同様のものが挙げられる。
前記(i)の基の具体例としては、たとえば下記一般式(1−1)〜(1−9)で表される基等が挙げられる。
前記(ii)の基の具体例としては、たとえば下記一般式(2−1)〜(2−6)で表される基等が挙げられる。
Examples of the acid dissociable group containing an aliphatic cyclic group include:
(I) a substituent on a carbon atom bonded to an atom (for example, —O— in —C (═O) —O—) adjacent to the acid dissociable group on the ring skeleton of the monovalent aliphatic cyclic group A group in which (atom or group other than hydrogen atom) is bonded to form a tertiary carbon atom;
(Ii) a group having a monovalent aliphatic cyclic group and a branched alkylene having a tertiary carbon atom bonded thereto.
In the group (i), examples of the substituent bonded to the carbon atom bonded to the atom adjacent to the acid dissociable group on the ring skeleton of the aliphatic cyclic group include an alkyl group. Examples of the alkyl group include those similar to R 14 in formulas (1-1) to (1-9) described later.
Specific examples of the group (i) include groups represented by the following general formulas (1-1) to (1-9).
Specific examples of the group (ii) include groups represented by the following general formulas (2-1) to (2-6).

Figure 2013061477
[式中、R14はアルキル基であり、gは0〜8の整数である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R 14 represents an alkyl group, and g represents an integer of 0 to 8. ]

Figure 2013061477
[式中、R15およびR16は、それぞれ独立してアルキル基である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R 15 and R 16 each independently represents an alkyl group. ]

式(1−1)〜(1−9)中、R14のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐鎖状が好ましい。
該直鎖状のアルキル基は、炭素数が1〜5であることが好ましく、1〜4がより好ましく、1または2がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはn−ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
該分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3〜10であることが好ましく、3〜5がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、tert−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、イソプロピル基であることが最も好ましい。
gは0〜3の整数が好ましく、1〜3の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましい。
式(2−1)〜(2−6)中、R15〜R16のアルキル基としては、前記R14のアルキル基と同様のものが挙げられる。
上記式(1−1)〜(1−9)、(2−1)〜(2−6)中、環を構成する炭素原子の一部がエーテル性酸素原子(−O−)で置換されていてもよい。
また、式(1−1)〜(1−9)、(2−1)〜(2−6)中、環を構成する炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素化アルキル基が挙げられる。
In formulas (1-1) to (1-9), the alkyl group of R 14 may be linear, branched or cyclic, and is preferably linear or branched.
The linear alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 4, and still more preferably 1 or 2. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, and an n-pentyl group. Among these, a methyl group, an ethyl group, or an n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.
The branched alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms, and more preferably 3 to 5 carbon atoms. Specific examples include isopropyl group, isobutyl group, tert-butyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like, and isopropyl group is most preferable.
g is preferably an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 1 to 3, and still more preferably 1 or 2.
In formulas (2-1) to (2-6), examples of the alkyl group for R 15 to R 16 include the same alkyl groups as those described above for R 14 .
In the formulas (1-1) to (1-9) and (2-1) to (2-6), a part of the carbon atoms constituting the ring is substituted with an etheric oxygen atom (—O—). May be.
In formulas (1-1) to (1-9) and (2-1) to (2-6), a hydrogen atom bonded to a carbon atom constituting the ring may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, and a fluorinated alkyl group.

「アセタール型酸解離性基」は、一般的に、カルボキシ基、水酸基等のOH含有極性基末端の水素原子と置換して酸素原子と結合している。そして、露光により酸が発生すると、この酸が作用して、アセタール型酸解離性基と、当該アセタール型酸解離性基が結合した酸素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基、水酸基等のOH含有極性基が形成される。
アセタール型酸解離性基としては、たとえば、下記一般式(p1)で表される基が挙げられる。
The “acetal-type acid dissociable group” is generally bonded to an oxygen atom by substituting a hydrogen atom at the terminal of an OH-containing polar group such as a carboxy group or a hydroxyl group. When an acid is generated by exposure, this acid acts to break the bond between the acetal type acid dissociable group and the oxygen atom to which the acetal type acid dissociable group is bonded. OH-containing polar groups are formed.
Examples of the acetal type acid dissociable group include a group represented by the following general formula (p1).

Figure 2013061477
[式中、R’,R’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1〜5のアルキル基を表し、nは0〜3の整数を表し、Yは炭素数1〜5のアルキル基または脂肪族環式基を表す。]
Figure 2013061477
[Wherein, R 1 'and R 2 ' each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, n represents an integer of 0 to 3, and Y represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Or represents an aliphatic cyclic group. ]

式(p1)中、nは、0〜2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、0が最も好ましい。
’,R’のアルキル基としては、上記α置換アクリル酸エステルについての説明で、α位の炭素原子に結合してもよい置換基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
本発明においては、R’,R’のうち少なくとも1つが水素原子であることが好ましい。すなわち、酸解離性基(p1)が、下記一般式(p1−1)で表される基であることが好ましい。
In formula (p1), n is preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, and most preferably 0.
Examples of the alkyl group for R 1 ′ and R 2 ′ include the same alkyl groups listed as the substituents that may be bonded to the α-position carbon atom in the description of the α-substituted acrylate ester. A methyl group or an ethyl group is preferred, and a methyl group is most preferred.
In the present invention, it is preferable that at least one of R 1 ′ and R 2 ′ is a hydrogen atom. That is, the acid dissociable group (p1) is preferably a group represented by the following general formula (p1-1).

Figure 2013061477
[式中、R’、n、Yは上記と同じである。]
Figure 2013061477
[Wherein R 1 ′, n and Y are the same as described above. ]

Yのアルキル基としては、上記α置換アクリル酸エステルについての説明で、α位の炭素原子に結合してもよい置換基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられる。
Yの脂肪族環式基としては、従来ArFレジスト等において多数提案されている単環又は多環式の脂肪族環式基の中から適宜選択して用いることができ、たとえば上記「脂肪族環式基を含有する酸解離性基」で挙げた脂肪族環式基と同様のものが例示できる。
Examples of the alkyl group for Y include the same alkyl groups as those described above for the substituent that may be bonded to the carbon atom at the α-position in the description of the α-substituted acrylate ester.
The aliphatic cyclic group for Y can be appropriately selected from monocyclic or polycyclic aliphatic cyclic groups that have been proposed in a number of conventional ArF resists. For example, the above “aliphatic ring” Examples thereof are the same as the aliphatic cyclic groups mentioned in “Acid-dissociable groups containing formula groups”.

アセタール型酸解離性基としては、下記一般式(p2)で示される基も挙げられる。   Examples of the acetal type acid dissociable group also include a group represented by the following general formula (p2).

Figure 2013061477
[式中、R17、R18はそれぞれ独立して直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基または水素原子であり;R19は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基である。または、R17およびR19がそれぞれ独立に直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基であって、R17とR19とが結合して環を形成していてもよい。]
Figure 2013061477
[Wherein, R 17 and R 18 each independently represents a linear or branched alkyl group or a hydrogen atom; and R 19 represents a linear, branched or cyclic alkyl group. Alternatively, R 17 and R 19 may each independently be a linear or branched alkylene group, and R 17 and R 19 may be bonded to form a ring. ]

17、R18において、アルキル基の炭素数は、好ましくは1〜15であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
特にR17、R18の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。
19は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、炭素数は好ましくは1〜15であり、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよい。
19が直鎖状、分岐鎖状の場合は炭素数1〜5であることが好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、エチル基が最も好ましい。
19が環状の場合は炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基など、上記「脂肪族環式基」と同様のものを例示できる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
また、上記式(p2)においては、R17及びR19がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基(好ましくは炭素数1〜5のアルキレン基)であって、R19とR17とが結合していてもよい。
この場合、R17と、R19と、R19が結合した酸素原子と、該酸素原子およびR17が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、4〜7員環が好ましく、4〜6員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。
In R 17 and R 18 , the alkyl group preferably has 1 to 15 carbon atoms, may be linear or branched, and is preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably a methyl group.
In particular, it is preferable that one of R 17 and R 18 is a hydrogen atom and the other is a methyl group.
R 19 is a linear, branched or cyclic alkyl group, preferably having 1 to 15 carbon atoms, and may be any of linear, branched or cyclic.
When R 19 is linear or branched, it preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably an ethyl group.
When R 19 is cyclic, it preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, one or more polycycloalkanes such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group. Examples similar to the above “aliphatic cyclic group”, such as a group in which a hydrogen atom is removed, can be exemplified. Among them, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane is preferable.
In the formula (p2), R 17 and R 19 are each independently a linear or branched alkylene group (preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms), and R 19 and R 17 And may be combined.
In this case, a cyclic group is formed by R 17 , R 19 , the oxygen atom to which R 19 is bonded, and the carbon atom to which the oxygen atom and R 17 are bonded. The cyclic group is preferably a 4- to 7-membered ring, and more preferably a 4- to 6-membered ring. Specific examples of the cyclic group include a tetrahydropyranyl group and a tetrahydrofuranyl group.

本発明の重合体において、構成単位(a1)としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a11)、ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位の水酸基における水素原子の少なくとも一部が酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位(a12)、ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体から誘導される構成単位の−C(=O)−OHにおける水素原子の少なくとも一部が酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位(a13)等が挙げられる。   In the polymer of the present invention, the structural unit (a1) is a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, At least a part of the hydrogen atoms in the hydroxyl group of the structural unit (a11) containing an acid-decomposable group whose polarity increases by action and derived from hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative is protected by a substituent containing an acid-decomposable group At least a part of the hydrogen atoms in —C (═O) —OH of the structural unit derived from the structural unit (a12), vinyl benzoic acid or vinyl benzoic acid derivative is protected by a substituent containing an acid-decomposable group. And the structural unit (a13).

ここで、本明細書および特許請求の範囲において、「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステル」は、アクリル酸(CH=CH−COOH)のカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。
アクリル酸エステルは、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該α位の炭素原子に結合した水素原子を置換する置換基は、水素原子以外の原子又は基であり、たとえば炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基、炭素数1〜5のヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことである。
以下、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸エステルをα置換アクリル酸エステルということがある。また、アクリル酸エステルとα置換アクリル酸エステルとを包括して「(α置換)アクリル酸エステル」ということがある。
α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
また、α位の置換基としてのヒドロキシアルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、ヒドロキシ基で置換した基が挙げられる。
α置換アクリル酸エステルのα位に結合しているのは、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基が好ましく、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のフッ素化アルキル基がより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基が最も好ましい。
Here, in the present specification and claims, the “structural unit derived from an acrylate ester” means a structural unit formed by cleavage of an ethylenic double bond of an acrylate ester.
“Acrylic acid ester” is a compound in which the hydrogen atom at the carboxy group end of acrylic acid (CH 2 ═CH—COOH) is substituted with an organic group.
In the acrylate ester, the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent. The substituent that replaces the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom is an atom or group other than a hydrogen atom, such as an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or carbon. Examples thereof include hydroxyalkyl groups of 1 to 5. The α-position carbon atom of the acrylate ester is a carbon atom to which a carbonyl group is bonded unless otherwise specified.
Hereinafter, an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position is substituted with a substituent may be referred to as an α-substituted acrylate ester. Further, the acrylate ester and the α-substituted acrylate ester may be collectively referred to as “(α-substituted) acrylate ester”.
In the α-substituted acrylate ester, the alkyl group as a substituent at the α-position is preferably a linear or branched alkyl group, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, n- Examples thereof include a butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group.
Specific examples of the halogenated alkyl group as the substituent at the α-position include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the above-mentioned “alkyl group as the substituent at the α-position” are substituted with a halogen atom. It is done. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
Specific examples of the hydroxyalkyl group as the substituent at the α-position include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the above-mentioned “alkyl group as the substituent at the α-position” are substituted with a hydroxy group. .
Bonded to the α-position of the α-substituted acrylate ester is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. An alkyl group or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferred, and a hydrogen atom or a methyl group is most preferred from the viewpoint of industrial availability.

「ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ヒドロキシスチレン誘導体」とは、ヒドロキシスチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。なお、α位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
「ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体から誘導される構成単位」とは、ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ビニル安息香酸誘導体」とは、ビニル安息香酸のα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。なお、α位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
“A structural unit derived from hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative” means a structural unit formed by cleavage of an ethylenic double bond of hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative.
“Hydroxystyrene derivative” is a concept including those in which the hydrogen atom at the α-position of hydroxystyrene is substituted with another substituent such as an alkyl group or an alkyl halide group, and derivatives thereof. The α-position (α-position carbon atom) means a carbon atom to which a benzene ring is bonded unless otherwise specified.
The “structural unit derived from vinyl benzoic acid or a vinyl benzoic acid derivative” means a structural unit configured by cleavage of an ethylenic double bond of vinyl benzoic acid or a vinyl benzoic acid derivative.
The “vinyl benzoic acid derivative” is a concept including a compound in which the hydrogen atom at the α-position of vinyl benzoic acid is substituted with another substituent such as an alkyl group or an alkyl halide group, and derivatives thereof. The α-position (α-position carbon atom) means a carbon atom to which a benzene ring is bonded unless otherwise specified.

・構成単位(a11)
構成単位(a11)として、具体的には、下記の一般式(a11−0−1)で表される構成単位、下記一般式(a11−0−2)で表される構成単位等が挙げられる。
・ Structural unit (a11)
Specific examples of the structural unit (a11) include structural units represented by general formula (a11-0-1) shown below, structural units represented by general formula (a11-0-2) shown below, and the like. .

Figure 2013061477
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり;Xは酸解離性基であり;Yは2価の連結基であり;Xは酸解離性基である。]
Figure 2013061477
Wherein R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; X 1 is an acid dissociable group; Y 2 is a divalent linking group. Yes; X 2 is an acid-dissociable group. ]

一般式(a11−0−1)において、Rのアルキル基、ハロゲン化アルキル基は、それぞれ、上記α置換アクリル酸エステルについての説明で、α位の炭素原子に結合してもよい置換基として挙げたアルキル基、ハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。Rとしては、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のフッ素化アルキル基が好ましく、水素原子またはメチル基が最も好ましい。
は、酸解離性基であれば特に限定されることはなく、たとえば上述した第3級アルキルエステル型酸解離性基、アセタール型酸解離性基などを挙げることができ、第3級アルキルエステル型酸解離性基が好ましい。
一般式(a11−0−2)において、Rは上記と同様である。
は、式(a11−0−1)中のXと同様である。
In the general formula (a11-0-1), the alkyl group and the halogenated alkyl group of R are each exemplified as the substituent which may be bonded to the α-position carbon atom in the description of the α-substituted acrylate ester. And the same alkyl groups and halogenated alkyl groups. R is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a hydrogen atom or a methyl group.
X 1 is not particularly limited as long as it is an acid dissociable group, and examples thereof include the above-described tertiary alkyl ester type acid dissociable groups, acetal type acid dissociable groups, and the like. An ester type acid dissociable group is preferred.
In general formula (a11-0-2), R is the same as defined above.
X 2 is the same as X 1 in formula (a11-0-1).

の2価の連結基としては、式(a0−1)中のRの2価の連結基と同様のものが挙げられる。
なかでも、Yの2価の連結基としては、特に、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。これらの中でも、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。
Examples of the divalent linking group for Y 2 include the same divalent linking groups for R 2 in formula (a0-1).
Among these, the divalent linking group for Y 2 is particularly preferably a linear or branched alkylene group, a divalent alicyclic hydrocarbon group, or a divalent linking group containing a hetero atom. Among these, a linear or branched alkylene group or a divalent linking group containing a hetero atom is preferable.

構成単位(a11)として、より具体的には、下記一般式(a1−1)〜(a1−4)で表される構成単位が挙げられる。   More specifically, examples of the structural unit (a11) include structural units represented by general formulas (a1-1) to (a1-4) shown below.

Figure 2013061477
[式中、R、R’、R’、n、YおよびYはそれぞれ前記と同じであり、X’は第3級アルキルエステル型酸解離性基を表す。]’
Figure 2013061477
[Wherein, R, R 1 ′, R 2 ′, n, Y and Y 2 are the same as defined above, and X ′ represents a tertiary alkyl ester-type acid dissociable group. ] '

式中、X’は、前記第3級アルキルエステル型酸解離性基と同様のものが挙げられる。
’、R’、n、Yとしては、それぞれ、上述の「アセタール型酸解離性基」の説明において挙げた一般式(p1)におけるR’、R’、n、Yと同様のものが挙げられる。
としては、上述の一般式(a11−0−2)におけるYと同様のものが挙げられる。
以下に、上記一般式(a1−1)〜(a1−4)で表される構成単位の具体例を示す。
以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。
In the formula, X ′ is the same as the tertiary alkyl ester-type acid dissociable group.
R 1 ', R 2', n, as the Y, respectively, R 1 in the general formula listed in the description of "acetal-type acid dissociable group" described above (p1) ', R 2' , n, similarly to the Y Can be mentioned.
The Y 2, the same groups as those described above for Y 2 in the above general formula (a11-0-2).
Specific examples of the structural units represented by the general formulas (a1-1) to (a1-4) are shown below.
In the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

本発明においては、構成単位(a11)として、下記一般式(a11−0−11)で表される構成単位、下記一般式(a11−0−12)で表される構成単位、下記一般式(a11−0−13)で表される構成単位、下記一般式(a11−0−14)で表される構成単位、下記一般式(a11−0−15)で表される構成単位、および下記一般式(a11−0−2)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種を有することが好ましい。
なかでも、下記一般式(a11−0−11)で表される構成単位、下記一般式(a11−0−12)で表される構成単位、下記一般式(a11−0−13)で表される構成単位、下記一般式(a11−0−14)で表される構成単位、および下記一般式(a11−0−15)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種を有することがより好ましい。
In the present invention, as the structural unit (a11), a structural unit represented by the following general formula (a11-0-11), a structural unit represented by the following general formula (a11-0-12), and the following general formula ( a11-0-13), a structural unit represented by the following general formula (a11-0-14), a structural unit represented by the following general formula (a11-0-15), and the following general unit It is preferable to have at least one selected from the group consisting of structural units represented by formula (a11-0-2).
Among them, the structural unit represented by the following general formula (a11-0-11), the structural unit represented by the following general formula (a11-0-12), and the following general formula (a11-0-13) A structural unit represented by the following general formula (a11-0-14) and at least one selected from the group consisting of the structural unit represented by the following general formula (a11-0-15) It is more preferable.

Figure 2013061477
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、R81はアルキル基であり;R82は、当該R82が結合した炭素原子と共に脂肪族単環式基を形成する基であり;R83は分岐鎖状のアルキル基であり;R84は、当該R84が結合した炭素原子と共に脂肪族多環式基を形成する基であり;R85は炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基である。R15およびR16は、それぞれ独立してアルキル基である。Yは2価の連結基であり、Xは酸解離性基である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R 81 is an alkyl group; R 82 is a carbon to which R 82 is bonded. A group that forms an aliphatic monocyclic group with an atom; R 83 is a branched alkyl group; and R 84 is a group that forms an aliphatic polycyclic group together with the carbon atom to which R 84 is bonded. R 85 is a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. R 15 and R 16 are each independently an alkyl group. Y 2 is a divalent linking group, and X 2 is an acid dissociable group. ]

各式中、R、Y、Xについての説明は前記と同じである。
式(a11−0−11)中、R81のアルキル基としては、前記式(1−1)〜(1−9)中のR14のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基、エチル基またはイソプロピル基が好ましい。
82が、当該R82が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族単環式基としては、前記第3級アルキルエステル型酸解離性基において挙げた脂肪族環式基のうち、単環式基であるものと同様のものが挙げられる。具体的には、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。該モノシクロアルカンは、3〜11員環であることが好ましく、3〜8員環であることがより好ましく、4〜6員環がさらに好ましく、5または6員環が特に好ましい。
該モノシクロアルカンは、環を構成する炭素原子の一部がエーテル基(−O−)で置換されていてもよいし、されていなくてもよい。
また、該モノシクロアルカンは、置換基として、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子または炭素数1〜5のフッ素化アルキル基を有していてもよい。
かかる脂肪族単環式基を構成するR82としては、たとえば、炭素原子間にエーテル基(−O−)が介在してもよい直鎖状のアルキレン基が挙げられる。
In each formula, the description of R, Y 2 and X 2 is the same as described above.
In formula (a11-0-11), examples of the alkyl group for R 81 include the same alkyl groups as those described above for R 14 in formulas (1-1) to (1-9). Group or isopropyl group is preferred.
R 82 is, the aliphatic monocyclic group formed together with the carbon atom to which R 82 is bonded, the same aliphatic cyclic groups as those in the aforementioned tertiary alkyl ester-type acid dissociable groups, a monocyclic group The thing similar to what is is mentioned. Specific examples include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane. The monocycloalkane is preferably a 3- to 11-membered ring, more preferably a 3- to 8-membered ring, further preferably a 4- to 6-membered ring, and particularly preferably a 5- or 6-membered ring.
In the monocycloalkane, a part of carbon atoms constituting the ring may or may not be substituted with an ether group (—O—).
Moreover, this monocycloalkane may have a C1-C5 alkyl group, a fluorine atom, or a C1-C5 fluorinated alkyl group as a substituent.
Examples of R 82 constituting the aliphatic monocyclic group include a linear alkylene group in which an ether group (—O—) may be interposed between carbon atoms.

式(a11−0−11)で表される構成単位の具体例としては、前記式(a1−1−16)〜(a1−1−23)、(a1−1−27)、(a1−1−31)で表される構成単位が挙げられる。これらの中でも、式(a1−1−16)〜(a1−1−17)、(a1−1−20)〜(a1−1−23)、(a1−1−27)、(a1−1−31)、(a1−1−32)、(a1−1−33)で表される構成単位を包括する下記(a11−1−02)で表される構成単位が好ましい。また、下記(a11−1−02’)で表される構成単位も好ましい。
各式中、hは、1〜4の整数であり、1または2が好ましい。
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a11-0-11) include the formulas (a1-1-16) to (a1-1-23), (a1-1-27), and (a1-1 -31). Among these, the formulas (a1-1-16) to (a1-1-17), (a1-1-20) to (a1-1-23), (a1-1-27), (a1-1-1- The structural unit represented by the following (a11-1-02) including the structural units represented by 31), (a1-1-32), and (a1-1-33) is preferable. Moreover, the structural unit represented by the following (a11-1-02 ′) is also preferable.
In each formula, h is an integer of 1 to 4, and 1 or 2 is preferable.

Figure 2013061477
[式中、R、R81はそれぞれ前記と同じであり、hは1〜4の整数である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R and R 81 are the same as defined above, and h is an integer of 1 to 4. ]

式(a11−0−12)中、R83の分岐鎖状のアルキル基としては、前記式(1−1)〜(1−9)中のR14のアルキル基で挙げた分岐鎖状のアルキル基と同様のものが挙げられ、イソプロピル基が最も好ましい。
84が、当該R84が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族多環式基としては、前記第3級アルキルエステル型酸解離性基において挙げた脂肪族環式基のうち、多環式基であるものと同様のものが挙げられる。
式(a11−0−12)で表される構成単位の具体例としては、前記式(a1−1−26)、(a1−1−28)〜(a1−1−30)で表される構成単位が挙げられる。
式(a11−0−12)で表される構成単位としては、R84が、当該R84が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族多環式基が2−アダマンチル基であるものが好ましく、特に、前記式(a1−1−26)で表される構成単位が好ましい。
Wherein (A11-0-12), as the branched alkyl group R 83, the alkyl of the formula (1-1) to (1-9) branched chain mentioned by an alkyl group R 14 in Examples thereof are the same as those described above, and an isopropyl group is most preferable.
R 84 is, the aliphatic polycyclic group formed together with the carbon atom to which R 84 is bonded, the same aliphatic cyclic groups as those in the aforementioned tertiary alkyl ester-type acid dissociable group, polycyclic group The thing similar to what is is mentioned.
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a11-0-12) include those represented by the formulas (a1-1-26) and (a1-1-28) to (a1-1-30). Units are listed.
The constitutional unit represented by formula (a11-0-12), R 84 is preferably the aliphatic polycyclic group which forms together with the carbon atom to which R 84 is bonded is a 2-adamantyl group, especially The structural unit represented by the formula (a1-1-26) is preferable.

式(a11−0−13)中、RおよびR84はそれぞれ前記と同様である。
85の直鎖状のアルキル基としては、前記式(1−1)〜(1−9)中のR14のアルキル基で挙げた直鎖状のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が最も好ましい。
式(a11−0−13)で表される構成単位として具体的には、前記一般式(a1−1)の具体例として例示した、式(a1−1−1)〜(a1−1−2)、(a1−1−7)〜(a1−1−15)で表される構成単位が挙げられる。
式(a11−0−13)で表される構成単位としては、R84が、当該R84が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族多環式基が2−アダマンチル基であるものが好ましく、特に、前記式(a1−1−1)または(a1−1−2)で表される構成単位が好ましい。また、R84が、当該R84が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族多環式基が「テトラシクロドデカンから1個以上の水素原子を除いた基」であるものも好ましく、前記式(a1−1−8)、(a1−1−9)又は(a1−1−30)で表される構成単位も好ましい。
In formula (a11-0-13), R and R 84 are the same as defined above.
As the linear alkyl group for R 85, the same linear alkyl groups as those described above for the alkyl group for R 14 in formulas (1-1) to (1-9) can be used, and methyl Most preferred are groups or ethyl groups.
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a11-0-13) include formulas (a1-1-1) to (a1-1-2) exemplified as specific examples of the general formula (a1-1). ), Structural units represented by (a1-1-7) to (a1-1-15).
As the structural unit represented by the formula (a11-0-13), those in which R 84 is an aliphatic polycyclic group formed together with the carbon atom to which R 84 is bonded are preferably a 2-adamantyl group, The structural unit represented by the formula (a1-1-1) or (a1-1-2) is preferable. Further, R 84 is also preferably the aliphatic polycyclic group which forms together with the carbon atom to which R 84 is bonded is a "group obtained by removing one or more hydrogen atoms from tetracyclododecane", the formula (a1 The structural unit represented by (-1-8), (a1-1-9) or (a1-1-30) is also preferable.

式(a11−0−14)中、RおよびR82はそれぞれ前記と同様である。R15およびR16は、それぞれ前記一般式(2−1)〜(2−6)におけるR15およびR16と同様である。
式(a11−0−14)で表される構成単位として具体的には、前記一般式(a1−1)の具体例として例示した、式(a1−1−35)、(a1−1−36)で表される構成単位が挙げられる。
In formula (a11-0-14), R and R 82 are the same as defined above. R 15 and R 16 are the same as R 15 and R 16 in each of the general formulas (2-1) to (2-6).
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a11-0-14) include the formulas (a1-1-35) and (a1-1-36) exemplified as specific examples of the general formula (a1-1). ).

式(a11−0−15)中、RおよびR84はそれぞれ前記と同様である。R15およびR16は、それぞれ前記一般式(2−1)〜(2−6)におけるR15およびR16と同様である。
式(a11−0−15)で表される構成単位として具体的には、前記一般式(a1−1)の具体例として例示した、式(a1−1−4)〜(a1−1−6)、(a1−1−34)で表される構成単位が挙げられる。
In formula (a11-0-15), R and R 84 are the same as defined above. R 15 and R 16 are the same as R 15 and R 16 in each of the general formulas (2-1) to (2-6).
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a11-0-15) include formulas (a1-1-4) to (a1-1-6) exemplified as specific examples of the general formula (a1-1). ) And (a1-1-34).

式(a11−0−2)で表される構成単位としては、前記式(a1−3)または(a1−4)で表される構成単位が挙げられ、特に式(a1−3)で表される構成単位が好ましい。
式(a11−0−2)で表される構成単位としては、特に、式中のYが前記−Y21−O−Y22−または−Y21−C(=O)−O−Y22−で表される基であるものが好ましい。
かかる構成単位として、好ましいものとしては、下記一般式(a1−3−01)で表される構成単位;下記一般式(a1−3−02)で表される構成単位;下記一般式(a1−3−03)で表される構成単位などが挙げられる。
Examples of the structural unit represented by the formula (a11-0-2) include the structural unit represented by the formula (a1-3) or (a1-4), particularly represented by the formula (a1-3). Are preferred.
As the structural unit represented by the formula (a11-0-2), in particular, Y 2 in the formula is —Y 21 —O—Y 22 — or —Y 21 —C (═O) —O—Y 22. Those represented by-are preferred.
Preferred examples of the structural unit include a structural unit represented by the following general formula (a1-3-01); a structural unit represented by the following general formula (a1-3-02); 3-03) and the like.

Figure 2013061477
[式中、Rは前記と同じであり、R13は水素原子またはメチル基であり、R14はアルキル基であり、eは1〜10の整数であり、n’は0〜3の整数である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R is the same as above, R 13 is a hydrogen atom or a methyl group, R 14 is an alkyl group, e is an integer of 1 to 10, and n ′ is an integer of 0 to 3] is there. ]

Figure 2013061477
[式中、Rは前記と同じであり、Y’およびY”はそれぞれ独立して2価の連結基であり、X’は酸解離性基であり、wは0〜3の整数である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R is the same as defined above, Y 2 ′ and Y 2 ″ are each independently a divalent linking group, X ′ is an acid-dissociable group, and w is an integer of 0 to 3] is there.]

式(a1−3−01)〜(a1−3−02)中、R13は、水素原子が好ましい。
14は、前記式(1−1)〜(1−9)中のR14と同様である。
eは、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数がより好ましく、1または2が最も好ましい。
n’は、1または2が好ましく、2が最も好ましい。
式(a1−3−01)で表される構成単位の具体例としては、前記式(a1−3−25)〜(a1−3−26)で表される構成単位等が挙げられる。
式(a1−3−02)で表される構成単位の具体例としては、前記式(a1−3−27)〜(a1−3−28)で表される構成単位等が挙げられる。
In formulas (a1-3-01) to (a1-3-02), R 13 is preferably a hydrogen atom.
R 14 is the same as R 14 in the formula (1-1) to (1-9).
e is preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, and most preferably 1 or 2.
n ′ is preferably 1 or 2, and most preferably 2.
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-3-01) include structural units represented by the formulas (a1-3-25) to (a1-3-26).
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-3-02) include structural units represented by the formulas (a1-3-27) to (a1-3-28).

式(a1−3−03)中、Y’、Y” における2価の連結基としては、前記一般式(a1−3)におけるYと同様のものが挙げられる。
’としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が好ましく、直鎖状の脂肪族炭化水素基がより好ましく、直鎖状のアルキレン基がさらに好ましい。中でも、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基が最も好ましい。
”としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が好ましく、直鎖状の脂肪族炭化水素基がより好ましく、直鎖状のアルキレン基がさらに好ましい。中でも、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基が最も好ましい。
X’における酸解離性基は、前記と同様のものが挙げられ、第3級アルキルエステル型酸解離性基であることが好ましく、上述した(i)1価の脂肪族環式基の環骨格上、当該酸解離性基に隣接する原子と結合する炭素原子に置換基が結合して第3級炭素原子が形成されている基がより好ましく、中でも、前記一般式(1−1)で表される基が好ましい。
wは0〜3の整数であり、wは、0〜2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が最も好ましい。
式(a1−3−03)で表される構成単位としては、下記一般式(a1−3−03−1)または(a1−3−03−2)で表される構成単位が好ましく、中でも、式(a1−3−03−1)で表される構成単位が好ましい。
In formula (a1-3-03), examples of the divalent linking group for Y 2 ′ and Y 2 ″ include the same groups as those described above for Y 2 in formula (a1-3).
Y 2 ′ is preferably a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, more preferably a linear aliphatic hydrocarbon group, and even more preferably a linear alkylene group. Among these, a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methylene group and an ethylene group are most preferable.
Y 2 ″ is preferably a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, more preferably a linear aliphatic hydrocarbon group, and still more preferably a linear alkylene group. A linear alkylene group of 1 to 5 is preferable, and a methylene group and an ethylene group are most preferable.
Examples of the acid dissociable group in X ′ include the same groups as described above, and are preferably tertiary alkyl ester-type acid dissociable groups, and the ring skeleton of the above-described (i) monovalent aliphatic cyclic group In addition, a group in which a substituent is bonded to a carbon atom bonded to an atom adjacent to the acid dissociable group to form a tertiary carbon atom is more preferable, and among them, the group represented by the general formula (1-1) is preferable. Preferred are the groups
w is an integer of 0 to 3, and w is preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, and most preferably 1.
As the structural unit represented by the formula (a1-3-03), a structural unit represented by the following general formula (a1-3-03-1) or (a1-3-03-2) is preferable. The structural unit represented by the formula (a1-3-03-1) is preferable.

Figure 2013061477
[式中、RおよびR14はそれぞれ前記と同じであり、a’は1〜10の整数であり、b’は1〜10の整数であり、tは0〜3の整数である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R and R 14 are the same as defined above, a ′ is an integer of 1 to 10, b ′ is an integer of 1 to 10, and t is an integer of 0 to 3, respectively. ]

式(a1−3−03−1)〜(a1−3−03−2)中、a’は前記と同じであり、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数がより好ましく、1または2が特に好ましい。
b’は前記と同じであり、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数が好ましく、1または2が特に好ましい。
tは1〜3の整数が好ましく、1または2が特に好ましい。
式(a1−3−03−1)または(a1−3−03−2)で表される構成単位の具体例としては、前記式(a1−3−29)〜(a1−3−32)で表される構成単位が挙げられる。
In formulas (a1-3-03-1) to (a1-3-03-2), a ′ is the same as described above, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, or 1 or 2 is particularly preferred.
b ′ is the same as described above, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, and particularly preferably 1 or 2.
t is preferably an integer of 1 to 3, and 1 or 2 is particularly preferable.
Specific examples of the structural unit represented by formula (a1-3-03-1) or (a1-3-03-2) include those represented by formulas (a1-3-29) to (a1-3-32). The structural unit represented is mentioned.

・構成単位(a12)、構成単位(a13)
本明細書において、構成単位(a12)は、ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位のフェノール性水酸基における水素原子の少なくとも一部が酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位である。
また、構成単位(a13)は、ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体から誘導される構成単位の−C(=O)−OHにおける水素原子の少なくとも一部が酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位である。
構成単位(a12)、構成単位(a13)において、酸分解性基を含む置換基としては、上記構成単位(a11)において説明した第3級アルキルエステル型酸解離性基、アセタール型酸解離性基が好ましいものとして挙げられる。
Structural unit (a12), structural unit (a13)
In the present specification, the structural unit (a12) is a structural unit in which at least a part of hydrogen atoms in the phenolic hydroxyl group of the structural unit derived from hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative is protected by a substituent containing an acid-decomposable group. It is.
In addition, the structural unit (a13) is protected by a substituent in which at least a part of the hydrogen atoms in —C (═O) —OH of the structural unit derived from vinylbenzoic acid or a vinylbenzoic acid derivative contains an acid-decomposable group. Unit.
In the structural unit (a12) and the structural unit (a13), examples of the substituent containing an acid-decomposable group include the tertiary alkyl ester type acid dissociable group and the acetal type acid dissociable group described in the structural unit (a11). Is preferable.

(A1)成分が構成単位(a1)を有する場合、構成単位(a1)は1種であってもよく2種以上であってもよい。
上記のなかでも、構成単位(a1)としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a11)であることが好ましい。
(A1)成分中、構成単位(a1)が含まれる場合、構成単位(a1)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位に対して15〜70モル%が好ましく、15〜60モル%がより好ましく、20〜55モル%がさらに好ましい。
構成単位(a1)の割合を下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、感度、解像性、LWR等のリソグラフィー特性も向上する。また、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
When the component (A1) has the structural unit (a1), the structural unit (a1) may be one type or two or more types.
Among these, the structural unit (a1) is preferably a structural unit (a11) derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be substituted with a substituent. .
When the structural unit (a1) is included in the component (A1), the proportion of the structural unit (a1) is preferably 15 to 70 mol% with respect to all the structural units constituting the component (A1), and is 15 to 60 mol. % Is more preferable, and 20 to 55 mol% is more preferable.
By setting the proportion of the structural unit (a1) to the lower limit value or more, a pattern can be easily obtained when a resist composition is formed, and the lithography properties such as sensitivity, resolution, and LWR are also improved. Moreover, it becomes easy to balance with another structural unit by setting it as an upper limit or less.

(構成単位(a2))
(A1)成分は、構成単位(a0−1)、(a0−2)及び(a1)に加えて、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって−SO−含有環式基を含む構成単位(a2)、及びα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位(a2)からなる群より選択される少なくとも1種の構成単位(a2)を含有していてもよい。
構成単位(a2)は、−SO−含有環式基又はラクトン環式基を含むことにより、本発明の重合体を含有するレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜の基板への密着性を高める、水を含有する現像液(特にアルカリ現像プロセスの場合)との親和性を高める等により、リソグラフィー特性の向上に寄与する。
(Structural unit (a2))
In addition to the structural units (a0-1), (a0-2) and (a1), the component (A1) is an acrylic in which a hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be further substituted with a substituent. A structural unit derived from an acid ester and containing a —SO 2 -containing cyclic group (a2 S ), and an acryl in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent It may contain at least one structural unit (a2) selected from the group consisting of a structural unit (a2 L ) derived from an acid ester and comprising a lactone-containing cyclic group.
The structural unit (a2) contains a —SO 2 -containing cyclic group or a lactone cyclic group so that the resist film formed using the resist composition containing the polymer of the present invention has adhesion to the substrate. And increase the affinity with a developer containing water (especially in the case of an alkali development process), thereby contributing to the improvement of lithography properties.

・構成単位(a2):
構成単位(a2)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって−SO−含有環式基を含む構成単位である。
ここで、−SO−含有環式基とは、その環骨格中に−SO−を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、−SO−における硫黄原子(S)が環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。その環骨格中に−SO−を含む環をひとつ目の環として数え、該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。−SO−含有環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。
−SO−含有環式基は、特に、その環骨格中に−O−SO−を含む環式基、すなわち−O−SO−中の−O−S−が環骨格の一部を形成するサルトン(sultone)環を含有する環式基であることが好ましい。
−SO−含有環式基は、炭素数が3〜30であることが好ましく、4〜20であることがより好ましく、4〜15であることがさらに好ましく、4〜12であることが特に好ましい。ただし、該炭素数は環骨格を構成する炭素原子の数であり、置換基における炭素数を含まないものとする。
−SO−含有環式基は、−SO−含有脂肪族環式基であってもよく、−SO−含有芳香族環式基であってもよい。好ましくは−SO−含有脂肪族環式基である。
−SO−含有脂肪族環式基としては、その環骨格を構成する炭素原子の一部が−SO−または−O−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基が挙げられる。より具体的には、その環骨格を構成する−CH−が−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基、その環を構成する−CH−CH−が−O−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基等が挙げられる。
該脂環式炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
該脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、炭素数3〜6のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式の脂環式炭化水素基としては、炭素数7〜12のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
-Structural unit (a2 S ):
The structural unit (a2 S ) is a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and includes a —SO 2 — containing cyclic group. It is a structural unit.
Here, -SO 2 - and containing cyclic group, -SO 2 - within the ring skeleton thereof shows a cyclic group containing a ring containing, in particular, -SO 2 - in the sulfur atom (S) Are cyclic groups that form part of the ring skeleton of the cyclic group. The ring containing —SO 2 — in the ring skeleton is counted as the first ring, and when it is only the ring, it is a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is a polycyclic group regardless of the structure. Called. The —SO 2 — containing cyclic group may be monocyclic or polycyclic.
-SO 2 - containing cyclic group, in particular, -O-SO 2 - within the ring skeleton cyclic group containing, i.e. -O-SO 2 - -O-S- medium is a part of the ring skeleton It is preferably a cyclic group containing a sultone ring to be formed.
The —SO 2 — containing cyclic group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 4 to 20 carbon atoms, still more preferably 4 to 15 carbon atoms, and particularly preferably 4 to 12 carbon atoms. preferable. However, the carbon number is the number of carbon atoms constituting the ring skeleton, and does not include the carbon number in the substituent.
The —SO 2 — containing cyclic group may be an —SO 2 — containing aliphatic cyclic group or an —SO 2 — containing aromatic cyclic group. Preferably -SO 2 - containing aliphatic cyclic group.
The —SO 2 -containing aliphatic cyclic group includes at least a hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring in which a part of carbon atoms constituting the ring skeleton is substituted with —SO 2 — or —O—SO 2 —. One group is excluded. More specifically, a group obtained by removing at least one hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring in which —CH 2 — constituting the ring skeleton is substituted with —SO 2 —, —CH 2 — constituting the ring And a group obtained by removing at least one hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring in which CH 2 — is substituted with —O—SO 2 —.
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group may be polycyclic or monocyclic. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which two hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms. Examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. As the polycyclic alicyclic hydrocarbon group, a group in which two hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms is preferable. Specific examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane. , Tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

−SO−含有環式基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基、シアノ基等が挙げられる。
該置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜6のアルキル基が好ましい。該アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
該置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜6のアルコキシ基が好ましい。該アルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基に酸素原子(−O−)に結合した基が挙げられる。
該置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
該置換基のハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
該置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン化アルキル基としてはフッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。
前記−COOR”、−OC(=O)R”におけるR”は、いずれも、水素原子または炭素数1〜15の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基である。
R”が直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜5であることがさらに好ましく、メチル基またはエチル基であることが特に好ましい。
R”が環状のアルキル基の場合は、炭素数3〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンや、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
該置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、炭素数が1〜6であるものが好ましく、具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換された基が挙げられる。
−SO−含有環式基として、より具体的には、下記一般式(3−1)〜(3−4)で表される基が挙げられる。
The —SO 2 — containing cyclic group may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an oxygen atom (═O), —COOR ″, —OC (═O) R ″, a hydroxyalkyl group, a cyano group, and the like. Is mentioned.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. The alkyl group is preferably linear or branched. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, and a hexyl group. Among these, a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable.
The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The alkoxy group is preferably linear or branched. Specifically, the group couple | bonded with the oxygen atom (-O-) to the alkyl group quoted as the alkyl group as the said substituent is mentioned.
Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group for the substituent include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group mentioned as the alkyl group as the substituent are substituted with the halogen atom. As the halogenated alkyl group, a fluorinated alkyl group is preferable, and a perfluoroalkyl group is particularly preferable.
R ″ in —COOR ″ and —OC (═O) R ″ is a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms.
When R ″ is a linear or branched alkyl group, it preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group or an ethyl group. preferable.
When R ″ is a cyclic alkyl group, it preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, a fluorine atom Alternatively, one or more hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane such as a monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorinated alkyl group. More specifically, one or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane, or a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane or tetracyclododecane. Group.
As the hydroxyalkyl group as the substituent, those having 1 to 6 carbon atoms are preferable. Specifically, at least one hydrogen atom of the alkyl group mentioned as the alkyl group as the substituent is substituted with a hydroxyl group. Group.
More specifically, examples of the —SO 2 -containing cyclic group include groups represented by the following general formulas (3-1) to (3-4).

Figure 2013061477
[式中、A’は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、zは0〜2の整数であり、R27はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、R”は水素原子またはアルキル基である。]
Figure 2013061477
[In the formula, A ′ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom, z is an integer of 0 to 2, and R 27 is an alkyl group. , An alkoxy group, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, —COOR ″, —OC (═O) R ″, a hydroxyalkyl group or a cyano group, and R ″ is a hydrogen atom or an alkyl group.]

前記一般式(3−1)〜(3−4)中、A’は、酸素原子(−O−)もしくは硫黄原子(−S−)を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。
A’における炭素数1〜5のアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。
該アルキレン基が酸素原子または硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に−O−または−S−が介在する基が挙げられ、たとえば−O−CH−、−CH−O−CH−、−S−CH−、−CH−S−CH−等が挙げられる。
A’としては、炭素数1〜5のアルキレン基または−O−が好ましく、炭素数1〜5のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
zは0〜2のいずれであってもよく、0が最も好ましい。
zが2である場合、複数のR27はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
27におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、前記で−SO−含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基と同様のものが挙げられる。
以下に、前記一般式(3−1)〜(3−4)で表される具体的な環式基を例示する。なお、式中の「Ac」はアセチル基を示す。
In the general formulas (3-1) to (3-4), A ′ represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom (—O—) or a sulfur atom (—S—), An oxygen atom or a sulfur atom.
The alkylene group having 1 to 5 carbon atoms in A ′ is preferably a linear or branched alkylene group, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, and an isopropylene group.
When the alkylene group contains an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples thereof include a group in which —O— or —S— is interposed between the terminal or carbon atoms of the alkylene group, such as —O—CH 2. -, - CH 2 -O-CH 2 -, - S-CH 2 -, - CH 2 -S-CH 2 - , and the like.
A ′ is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or —O—, more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methylene group.
z may be any of 0 to 2, and is most preferably 0.
When z is 2, the plurality of R 27 may be the same or different.
As the alkyl group, alkoxy group, halogenated alkyl group, —COOR ″, —OC (═O) R ″, and hydroxyalkyl group in R 27 , the —SO 2 — containing cyclic group has the above-mentioned, respectively. And the same alkyl groups, alkoxy groups, halogenated alkyl groups, —COOR ″, —OC (═O) R ″, and hydroxyalkyl groups as those which may be substituted.
Below, the specific cyclic group represented by the said general formula (3-1)-(3-4) is illustrated. In the formula, “Ac” represents an acetyl group.

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

−SO−含有環式基としては、上記の中でも、前記一般式(3−1)で表される基が好ましく、前記化学式(3−1−1)、(3−1−18)、(3−3−1)および(3−4−1)のいずれかで表される基からなる群から選択される少なくとも一種を用いることがより好ましく、前記化学式(3−1−1)で表される基が最も好ましい。 Among the above, the —SO 2 -containing cyclic group is preferably a group represented by the general formula (3-1), and the chemical formulas (3-1-1), (3-1-18), ( It is more preferable to use at least one selected from the group consisting of groups represented by any of 3-3-1) and (3-4-1), and represented by the chemical formula (3-1-1). Are most preferred.

構成単位(a2)の例として、より具体的には、下記一般式(a2−0)で表される構成単位が挙げられる。 More specifically, examples of the structural unit (a2 S ) include structural units represented by general formula (a2-0) shown below.

Figure 2013061477
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、R28は−SO−含有環式基であり、R29は単結合または2価の連結基である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R 28 represents a —SO 2 — containing cyclic group, and R 29 represents a single bond. Or it is a bivalent coupling group. ]

式(a2−0)中、Rは前記と同様である。
28は、前記で挙げた−SO−含有環式基と同様である。
29は、単結合、2価の連結基のいずれであってもよい。本発明の効果に優れることから、2価の連結基であることが好ましい。
29における2価の連結基としては、特に限定されず、たとえば、前記式(I−1)中のXにおける2価の連結基と同様のものが挙げられる。それらの中でも、アルキレン基、またはエステル結合(−C(=O)−O−)を含むものが好ましい。
該アルキレン基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。具体的には、前記Yにおける脂肪族炭化水素基として挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。
エステル結合を含む2価の連結基としては、特に、一般式:−R30−C(=O)−O−[式中、R30は2価の連結基である。]で表される基が好ましい。すなわち、構成単位(a2)は、下記一般式(a2−0−1)で表される構成単位であることが好ましい。
In formula (a2-0), R is the same as defined above.
R 28 is the same as the —SO 2 — containing cyclic group mentioned above.
R 29 may be a single bond or a divalent linking group. Since it is excellent in the effect of this invention, it is preferable that it is a bivalent coupling group.
Examples of the divalent linking group for R 29, not particularly limited, for example, those similar to the divalent linking group for X of the formula (I-1) in the like. Among these, those containing an alkylene group or an ester bond (—C (═O) —O—) are preferable.
The alkylene group is preferably a linear or branched alkylene group. Specifically, the same as the linear alkylene group and the branched alkylene group mentioned as the aliphatic hydrocarbon group for Y 2 can be used.
As the divalent linking group containing an ester bond, in particular, the general formula: —R 30 —C (═O) —O— [wherein R 30 is a divalent linking group. ] Is preferable. That is, the structural unit (a2 S ) is preferably a structural unit represented by the following general formula (a2-0-1).

Figure 2013061477
[式中、RおよびR28はそれぞれ前記と同様であり、R30は2価の連結基である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R and R 28 are the same as defined above, and R 30 is a divalent linking group. ]

30としては、特に限定されず、たとえば、前記式(a0−1)中のRにおける2価の連結基と同様のものが挙げられる。
30の2価の連結基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、またはヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。
該直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、前記式(a0−1)中のRにおいて挙げた直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。
上記の中でも、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、またはヘテロ原子として酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。
直鎖状のアルキレン基としては、メチレン基またはエチレン基が好ましく、メチレン基が特に好ましい。
分岐鎖状のアルキレン基としては、アルキルメチレン基またはアルキルエチレン基が好ましく、−CH(CH)−、−C(CH−または−C(CHCH−が特に好ましい。
酸素原子を含む2価の連結基としては、エーテル結合またはエステル結合を含む2価の連結基が好ましく、式−A−O−B−、−[A−C(=O)−O]m’−B−または−A−O−C(=O)−B−で表される基がより好ましい。AおよびBは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、前記A、Bと同様である。m’は0〜3の整数である。
なかでも、式−A−O−C(=O)−B−で表される基が好ましく、−(CH−O−C(=O)−(CH−で表される基が特に好ましい。cは1〜5の整数であり、1または2が好ましい。dは1〜5の整数であり、1または2が好ましい。
R 30 is not particularly limited, and examples thereof include the same divalent linking groups as R 2 in formula (a0-1).
The divalent linking group for R 30 is preferably a linear or branched alkylene group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, or a divalent linking group containing a hetero atom.
Examples of the linear or branched alkylene group, the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, and the divalent linking group containing a hetero atom are the same as those for R 2 in the formula (a0-1). Examples thereof include linear or branched alkylene groups, aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure, and divalent linking groups containing a hetero atom.
Among these, a linear or branched alkylene group or a divalent linking group containing an oxygen atom as a hetero atom is preferable.
As the linear alkylene group, a methylene group or an ethylene group is preferable, and a methylene group is particularly preferable.
As the branched alkylene group, an alkylmethylene group or an alkylethylene group is preferable, and —CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 — or —C (CH 3 ) 2 CH 2 — is particularly preferable.
The divalent linking group containing an oxygen atom is preferably a divalent linking group containing an ether bond or an ester bond, and has the formula -AO-B-,-[A-C (= O) -O] m '. A group represented by —B— or —A—O—C (═O) —B— is more preferable. A and B are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and are the same as A and B described above. m 'is an integer of 0-3.
Among them, preferred is a group represented by the formula -A-O-C (= O ) -B-, - represented by - (CH 2) c -O- C (= O) - (CH 2) d The group is particularly preferred. c is an integer of 1 to 5, and 1 or 2 is preferable. d is an integer of 1-5, and 1 or 2 is preferable.

構成単位(a2)としては、特に、下記一般式(a2−0−11)または(a2−0−12)で表される構成単位が好ましく、式(a2−0−12)で表される構成単位がより好ましい。 As the structural unit (a2 S ), a structural unit represented by general formula (a2-0-11) or (a2-0-12) shown below is particularly desirable, and represented by formula (a2-0-12). A structural unit is more preferable.

Figure 2013061477
[式中、R、A’、R27、zおよびR30はそれぞれ前記と同じである。]
Figure 2013061477
[Wherein, R, A ′, R 27 , z and R 30 are the same as defined above. ]

式(a2−0−11)中、A’はメチレン基、酸素原子(−O−)または硫黄原子(−S−)であることが好ましい。
30としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、または酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。R30における直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基としては、それぞれ、前記で挙げた直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。
式(a2−0−12)で表される構成単位としては、特に、下記一般式(a2−0−12a)または(a2−0−12b)で表される構成単位が好ましい。
In formula (a2-0-11), A ′ is preferably a methylene group, an oxygen atom (—O—) or a sulfur atom (—S—).
R 30 is preferably a linear or branched alkylene group or a divalent linking group containing an oxygen atom. As the linear or branched alkylene group and the divalent linking group containing an oxygen atom in R 30, the linear or branched alkylene group mentioned above and a divalent linking group containing an oxygen atom are mentioned. Examples are the same as the linking group.
As the structural unit represented by the formula (a2-0-12), a structural unit represented by the following general formula (a2-0-12a) or (a2-0-12b) is particularly preferable.

Figure 2013061477
[式中、RおよびA’はそれぞれ前記と同じであり、c〜eはそれぞれ独立に1〜3の整数である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R and A ′ are the same as defined above, and c to e are each independently an integer of 1 to 3.] ]

・構成単位(a2):
構成単位(a2)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位である。
ここで、ラクトン含有環式基とは、その環骨格中に−O−C(=O)−を含む環(ラクトン環)を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。ラクトン含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
構成単位(a2)におけるラクトン環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、ラクトン含有単環式基としては、4〜6員環ラクトンから水素原子を1つ除いた基、たとえばβ−プロピオノラクトンから水素原子を1つ除いた基、γ−ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基、δ−バレロラクトンから水素原子を1つ除いた基等が挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基が挙げられる。
構成単位(a2)の例としては、たとえば前記一般式(a2−0)中のR28をラクトン含有環式基で置換したものが挙げられ、より具体的には、下記一般式(a2−1)〜(a2−5)で表される構成単位が挙げられる。
-Structural unit (a2 L ):
The structural unit (a2 L ) is a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and includes a lactone-containing cyclic group. is there.
Here, the lactone-containing cyclic group refers to a cyclic group containing a ring (lactone ring) containing —O—C (═O) — in the ring skeleton. The lactone ring is counted as the first ring. When only the lactone ring is present, it is called a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of the structure. The lactone-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.
The lactone cyclic group in the structural unit (a2 L ) is not particularly limited, and any one can be used. Specifically, as the lactone-containing monocyclic group, a group in which one hydrogen atom is removed from a 4- to 6-membered ring lactone, for example, a group in which one hydrogen atom is removed from β-propionolactone, or γ-butyrolactone. Examples thereof include a group in which one hydrogen atom has been removed and a group in which one hydrogen atom has been removed from δ-valerolactone. Examples of the lactone-containing polycyclic group include groups in which one hydrogen atom has been removed from a bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane having a lactone ring.
Examples of the structural unit (a2 L ) include those obtained by substituting R 28 in the general formula (a2-0) with a lactone-containing cyclic group, and more specifically, the following general formula (a2- The structural unit represented by 1)-(a2-5) is mentioned.

Figure 2013061477
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり;R’はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、R”は水素原子またはアルキル基であり;R29は単結合または2価の連結基であり、s”は0〜2の整数であり;A”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり;mは0または1である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; R ′ is independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, or a halogen atom. alkyl group, a hydroxyl group, an oxygen atom (= O), - COOR " , - OC (= O) R", a hydroxyalkyl group or a cyano group, R "represents a hydrogen atom or an alkyl group; R 29 is a single A bond or a divalent linking group, s "is an integer of 0 to 2; A" is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom. Yes; m is 0 or 1.]

一般式(a2−1)〜(a2−5)におけるRは、前記同様である。
R’のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、−SO−含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”(R”は前記同様)、ヒドロキシアルキル基と同様のものが挙げられる。
A”としては、前記一般式(3−1)中のA’と同様のものが挙げられる。A”は、炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子(−O−)または硫黄原子(−S−)であることが好ましく、炭素数1〜5のアルキレン基または−O−がより好ましい。炭素数1〜5のアルキレン基としては、メチレン基またはジメチルメチレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
29は、前記一般式(a2−0)中のR29と同様である。
式(a2−1)中、s”は1〜2であることが好ましい。
以下に、前記一般式(a2−1)〜(a2−5)で表される構成単位の具体例を例示する。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。
R in the general formulas (a2-1) to (a2-5) is the same as described above.
The alkyl group, alkoxy group, halogen atom, halogenated alkyl group, —COOR ″, —OC (═O) R ″, and hydroxyalkyl group of R ′ each have a —SO 2 — containing cyclic group. Examples of the alkyl group, alkoxy group, halogen atom, halogenated alkyl group, —COOR ″, —OC (═O) R ″ (where R ″ is the same as described above), and hydroxyalkyl groups listed as the substituents that may be used. Can be mentioned.
Examples of A ″ include the same as A ′ in the general formula (3-1). A ″ represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, an oxygen atom (—O—) or a sulfur atom (— S-) is preferable, and an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or -O- is more preferable. The alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is more preferably a methylene group or dimethylmethylene group, and most preferably a methylene group.
R 29 is the same as R 29 in the aforementioned general formula (a2-0).
In formula (a2-1), s ″ is preferably 1 to 2.
Specific examples of the structural units represented by the general formulas (a2-1) to (a2-5) are shown below. In the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

構成単位(a2)としては、前記一般式(a2−1)〜(a2−5)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましく、一般式(a2−1)〜(a2−3)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種がより好ましく、前記一般式(a2−1)または(a2−3)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が特に好ましい。
なかでも、前記式(a2−1−1)、(a2−1−2)、(a2−2−1)、(a2−2−7)、(a2−2−12)、(a2−2−14)、(a2−3−1)、(a2−3−5)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。
As the structural unit (a2 L ), at least one selected from the group consisting of structural units represented by the general formulas (a2-1) to (a2-5) is preferable, and the general formula (a2-1) to More preferably, at least one selected from the group consisting of structural units represented by (a2-3) is selected from the group consisting of structural units represented by the general formula (a2-1) or (a2-3) Particularly preferred is at least one of the above.
Among them, the formulas (a2-1-1), (a2-1-2), (a2-2-1), (a2-2-7), (a2-2-12), (a2-2-2-) 14), (a2-3-1), at least one selected from the group consisting of structural units represented by (a2-3-5) is preferred.

(A1)成分において、構成単位(a2)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。たとえば構成単位(a2)として、構成単位(a2)のみを用いてもよく、構成単位(a2)のみを用いてもよく、それらを併用してもよい。また、構成単位(a2)または構成単位(a2)として、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 In the component (A1), as the structural unit (a2), one type of structural unit may be used, or two or more types may be used in combination. For example, as the structural unit (a2), only the structural unit (a2 S ) may be used, or only the structural unit (a2 L ) may be used, or they may be used in combination. As the structural unit (a2 S ) or the structural unit (a2 L ), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(A1)成分中、構成単位(a2)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対し、1〜80モル%であることが好ましく、10〜70モル%であることがより好ましく、10〜65モル%であることがさらに好ましく、10〜60モル%が特に好ましい。
下限値以上とすることにより構成単位(a2)を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができ、DOF、CDU等の種々のリソグラフィー特性及びパターン形状が良好となる。
In the component (A1), the proportion of the structural unit (a2) is preferably 1 to 80 mol%, and preferably 10 to 70 mol%, based on the total of all structural units constituting the component (A1). More preferably, it is more preferably 10 to 65 mol%, particularly preferably 10 to 60 mol%.
By setting it to the lower limit value or more, the effect of containing the structural unit (a2) can be sufficiently obtained, and by setting it to the upper limit value or less, it is possible to balance with other structural units, such as various kinds of DOF, CDU, etc. The lithography characteristics and pattern shape of the film are improved.

(A1)成分は、構成単位(a0−1)、及び(a0−2)に加えて、又は、構成単位(a0−1)、(a0−2)、及び(a1)に加えて、若しくは構成単位(a0−1)、(a0−2)、(a1)及び(a2)に加えて、さらに、構成単位(a0−1)、(a0−2)、(a1)、(a2)以外の他の構成単位を含んでいてもよい。
該他の構成単位は、上述の構成単位(a0−1)、(a0−2)、(a1)、(a2)に分類されない他の構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
該他の構成単位としては、例えば、酸非解離性の脂肪族多環式基を含む(α置換)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a4)等が挙げられる。
In addition to the structural units (a0-1) and (a0-2), or the component (A1), in addition to the structural units (a0-1), (a0-2), and (a1), or In addition to the units (a0-1), (a0-2), (a1) and (a2), other than the structural units (a0-1), (a0-2), (a1) and (a2) The structural unit may be included.
The other structural unit is not particularly limited as long as it is another structural unit not classified into the above structural units (a0-1), (a0-2), (a1), and (a2). ArF excimer Many things conventionally known can be used as what is used for resin for resists, such as for lasers and for KrF excimer lasers (preferably for ArF excimer lasers).
Examples of the other structural unit include a structural unit (a4) derived from an (α-substituted) acrylate ester containing an acid non-dissociable aliphatic polycyclic group.

構成単位(a4)における「酸非解離性の脂肪族多環式基」は、露光により構成単位(a0−2)や後述する任意の(B)成分から酸が発生した際に、該酸が作用しても解離することなくそのまま当該構成単位中に残る脂肪族多環式基である。このような脂肪族多環式基を有する構成単位(a4)を有することで、形成されるレジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。また、(A1)成分の疎水性が高まる。疎水性の向上は、特に有機溶剤現像の場合に、解像性、レジストパターン形状等の向上に寄与する。
酸非解離性の脂肪族多環式基としては、たとえば、当該脂肪族多環式基に隣接する原子(たとえば−C(=O)−O−における−O−)と結合する炭素原子に置換基(水素原子以外の原子または基)が結合していない1価の脂肪族多環式基が挙げられる。
該脂肪族環式基としては、酸非解離性であれば特に限定されず、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。該脂肪族環式基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、飽和であることが好ましい。具体的には、前記構成単位(a1)において脂肪族環式基の説明で挙げたモノシクロアルカン、ポリシクロアルカン等のシクロアルカンから水素原子を1つ除いた基が挙げられる。
脂肪族環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよく、上記効果に優れることから多環式であることが好ましい。特に、2〜4環式のものが好ましく、中でも、トリシクロデシル基、アダマンチル基、テトラシクロドデシル基、イソボルニル基およびノルボルニル基から選ばれる少なくとも1種が、工業上入手し易いなどの点で好ましい。
酸非解離性の脂肪族環式基の具体例としては、たとえば、当該脂肪族環式基に隣接する原子(たとえば−C(=O)−O−における−O−)と結合する炭素原子に置換基(水素原子以外の原子または基)が結合していない1価の脂肪族環式基が挙げられる。具体的には、前記構成単位(a1)の説明で挙げた式(1−1)〜(1−9)で表される基におけるR14を水素原子で置換した基;環骨格を構成する炭素原子のみによって形成された第3級炭素原子を有するシクロアルカンの前記第3級炭素原子から水素原子を除いた基;等が挙げられる。
該脂肪族環式基には、置換基が結合していてもよい。該置換基としては、たとえば、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素化アルキル基、水酸基、シアノ基等が挙げられる。
構成単位(a4)としては、下記一般式(a4−0)で表される構成単位が好ましく、特に、下記一般式(a4−1)〜(a4−8)で表される構成単位が好ましい。
The “acid non-dissociable aliphatic polycyclic group” in the structural unit (a4) means that when an acid is generated from the structural unit (a0-2) or an arbitrary component (B) described later by exposure, It is an aliphatic polycyclic group which remains in the structural unit as it is without dissociating even when acting. By having the structural unit (a4) having such an aliphatic polycyclic group, the dry etching resistance of the formed resist pattern is improved. Moreover, the hydrophobicity of (A1) component increases. The improvement in hydrophobicity contributes to the improvement in resolution, resist pattern shape, etc., particularly in the case of organic solvent development.
Examples of the non-acid-dissociable aliphatic polycyclic group include substitution with a carbon atom bonded to an atom adjacent to the aliphatic polycyclic group (for example, —O— in —C (═O) —O—). And monovalent aliphatic polycyclic groups to which groups (atoms or groups other than hydrogen atoms) are not bonded.
The aliphatic cyclic group is not particularly limited as long as it is non-acid dissociable, and is used for a resin component of a resist composition such as for ArF excimer laser and for KrF excimer laser (preferably for ArF excimer laser). A number of conventionally known devices can be used. The aliphatic cyclic group may be saturated, unsaturated, or saturated. Specific examples include groups in which one hydrogen atom has been removed from a cycloalkane such as monocycloalkane and polycycloalkane mentioned in the description of the aliphatic cyclic group in the structural unit (a1).
The aliphatic cyclic group may be monocyclic or polycyclic, and is preferably polycyclic because the above effects are excellent. In particular, those having 2 to 4 rings are preferable, and among them, at least one selected from a tricyclodecyl group, an adamantyl group, a tetracyclododecyl group, an isobornyl group and a norbornyl group is preferable in terms of industrial availability. .
Specific examples of the non-acid-dissociable aliphatic cyclic group include, for example, a carbon atom bonded to an atom adjacent to the aliphatic cyclic group (for example, —O— in —C (═O) —O—). And monovalent aliphatic cyclic groups to which substituents (atoms or groups other than hydrogen atoms) are not bonded. Specifically, a group in which R 14 in the groups represented by formulas (1-1) to (1-9) described in the description of the structural unit (a1) is substituted with a hydrogen atom; carbon constituting the ring skeleton And a group obtained by removing a hydrogen atom from the tertiary carbon atom of a cycloalkane having a tertiary carbon atom formed only by atoms.
A substituent may be bonded to the aliphatic cyclic group. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group, a hydroxyl group and a cyano group.
As the structural unit (a4), structural units represented by general formula (a4-0) shown below are preferred, and structural units represented by general formulas (a4-1) to (a4-8) shown below are particularly preferred.

Figure 2013061477
[式中、Rは前記と同じであり、R40は酸非解離性の脂肪族多環式基である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R is the same as defined above, and R 40 represents a non-acid-dissociable aliphatic polycyclic group. ]

Figure 2013061477
[式中、Rは前記と同じであり、jは1〜3の整数であり、kは1〜3の整数であり、t’は1〜3の整数であり、lは1〜5の整数であり、sは1〜3の整数であり、q、r”、v”、w”はそれぞれ独立に1〜3の整数である。]
Figure 2013061477
[Wherein, R is as defined above, j is an integer of 1 to 3, k is an integer of 1 to 3, t ′ is an integer of 1 to 3, and l is an integer of 1 to 5] S is an integer of 1 to 3, and q, r ″, v ″, and w ″ are each independently an integer of 1 to 3.]

式(a4−6)中、jは1または2であることが好ましく、1であることがさらに好ましい。jが1の場合は、水酸基がアダマンチル基の3位に結合しているものが好ましい。jが2の場合は、水酸基がアダマンチル基の3位と5位に結合しているものが好ましい。
式(a4−7)中、kは1であることが好ましい。シアノ基は、ノルボルニル基の5位または6位に結合していることが好ましい。
式(a4−8)中、t’は1であることが好ましい。lは1であることが好ましい。sは1であることが好ましい。これらは、アクリル酸のカルボキシ基の末端に、2−ノルボルニル基または3−ノルボルニル基が結合していることが好ましい。フッ素化アルキルアルコールは、ノルボルニル基の5または6位に結合していることが好ましい。
In formula (a4-6), j is preferably 1 or 2, and more preferably 1. When j is 1, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3-position of the adamantyl group. When j is 2, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3rd and 5th positions of the adamantyl group.
In formula (a4-7), k is preferably 1. The cyano group is preferably bonded to the 5th or 6th position of the norbornyl group.
In formula (a4-8), t ′ is preferably 1. l is preferably 1. s is preferably 1. In these, a 2-norbornyl group or a 3-norbornyl group is preferably bonded to the terminal of the carboxy group of acrylic acid. The fluorinated alkyl alcohol is preferably bonded to the 5th or 6th position of the norbornyl group.

(A1)成分が有する構成単位(a4)は1種でも2種以上でもよい。
(A1)成分中、構成単位(a4)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対し、1〜30モル%が好ましく、1〜20モル%がより好ましく、5〜20モル%がさらに好ましい。下限値以上とすることにより構成単位(a4)を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。
The structural unit (a4) contained in the component (A1) may be one type or two or more types.
In the component (A1), the proportion of the structural unit (a4) is preferably 1 to 30 mol%, more preferably 1 to 20 mol%, based on the total of all the structural units constituting the component (A1). 20 mol% is more preferable. By setting it to the lower limit value or more, the effect of containing the structural unit (a4) can be sufficiently obtained, and by setting the upper limit value or less, it is possible to balance with other structural units.

(A1)成分は、構成単位(a0−1)、及び(a0−2)を有する共重合体であり、さらに構成単位(a1)及び/又は構成単位(a2)を有するものが好ましい。
かかる(A1)成分としては、構成単位(a0−1)、及び(a0−2)からなるもの;構成単位(a0−1)、(a0−2)及び(a1)からなるもの;構成単位(a0−1)、(a0−2)、(a1)及び(a2)からなるもの;構成単位(a0−1)、(a0−2)、(a1)及び(a2L)からなるもの等が好適なものとして例示できる。
より具体的には、前記式(a0−10)で表される構成単位と、前記式(a0−2−11)、(a0−2−12)又は(a0−2−21)で表される構成単位と、前記式(a1−1)又は(a1−2)で表される構成単位と、前記式(a2−0−12)、(a2−1)又は(a2−2)で表される構成単位とを有するものが好ましく;前記式(a0−1−5)、(a0−1−9)、(a0−1−11)又は(a0−1−17)で表される構成単位と、前記式(a0−2−11)、(a0−2−12)又は(a0−2−21)で表される構成単位と、前記式(a1−1−23)、(a1−1−26)、(a1−1−31)、(a1−1−34)又は(a1−2−6)で表される構成単位と、前記式(a2−0−12a)、(a2−1−1)、(a2−1−10)、(a2−2−12)又は(a2−2−18)で表される構成単位とを有するものがより好ましい。
The component (A1) is a copolymer having the structural units (a0-1) and (a0-2), and preferably has a structural unit (a1) and / or a structural unit (a2).
As the component (A1), those composed of the structural units (a0-1) and (a0-2); those composed of the structural units (a0-1), (a0-2) and (a1); a0-1), (a0-2), (a1) and (a2 S ); structural units (a0-1), (a0-2), (a1) and (a2 L ) It can illustrate as a suitable thing.
More specifically, the structural unit represented by the formula (a0-10) and the formula (a0-2-11), (a0-2-12), or (a0-2-21) A structural unit, a structural unit represented by the formula (a1-1) or (a1-2), and a structural unit represented by the formula (a2-0-12), (a2-1) or (a2-2). Those having a structural unit are preferred; the structural unit represented by the formula (a0-1-5), (a0-1-9), (a0-1-11) or (a0-1-17); A structural unit represented by the formula (a0-2-11), (a0-2-12) or (a0-2-21); and the formula (a1-1-23) or (a1-1-26). , (A1-1-31), (a1-1-34) or (a1-2-6), and the formula (a2-0-12a), (a2-1-1), ( 2-1-10), (a2-2-12), or (more preferably has a structural unit represented by a2-2-18).

(A1)成分の質量平均分子量(Mw)(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算基準)は、特に限定されるものではなく、1000〜50000が好ましく、1500〜30000がより好ましく、2000〜20000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
分散度(Mw/Mn)は、特に限定されず、1.0〜5.0が好ましく、1.0〜3.0がより好ましく、1.0〜2.5が最も好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。
The mass average molecular weight (Mw) of the component (A1) (polystyrene conversion standard by gel permeation chromatography (GPC)) is not particularly limited, preferably 1000 to 50000, more preferably 1500 to 30000, and 2000 to 2000 20000 is most preferred. If it is below the upper limit of this range, it has sufficient solubility in a resist solvent to be used as a resist, and if it is above the lower limit of this range, dry etching resistance and resist pattern cross-sectional shape are good.
The dispersity (Mw / Mn) is not particularly limited, but is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 3.0, and most preferably 1.0 to 2.5. In addition, Mn shows a number average molecular weight.

(A1)成分は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)のようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。
また、(A1)成分には、上記重合の際に、たとえばHS−CH−CH−CH−C(CF−OHのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に−C(CF−OH基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やLER(ラインエッジラフネス:ライン側壁の不均一な凹凸)の低減に有効である。
各構成単位を誘導するモノマーは、市販のものを用いてもよく、公知の方法を利用して合成してもよい。たとえば前記構成単位(a3)を誘導するモノマーは、特開2009−286720号公報に開示されている方法により製造できる。また、前記構成単位(a0)のうち、前記一般式(a0−1)で表される構成単位のように、樹脂側にカチオン部がある構成単位を誘導するモノマーは、(α置換)アクリル酸クロライドとカチオン部に水酸基を有するオニウム塩とのエステル化反応等より容易に合成することができる。また、前記構成単位(a0)のうち、前記一般式(a0−2)で表される構成単位のように、樹脂側にアニオン部がある構成単位を誘導するモノマーは、特開2009−91350号公報、特開2010−095643号公報、特開2009−7327号公報等に開示されている方法により製造できる。
The component (A1) can be obtained by polymerizing a monomer for deriving each structural unit by a known radical polymerization using a radical polymerization initiator such as azobisisobutyronitrile (AIBN).
Further, for the component (A1), in the polymerization, a chain transfer agent such as HS—CH 2 —CH 2 —CH 2 —C (CF 3 ) 2 —OH is used in combination, so that the terminal A —C (CF 3 ) 2 —OH group may be introduced into the. As described above, a copolymer introduced with a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of the alkyl group is substituted with a fluorine atom reduces development defects and LER (line edge roughness: uneven unevenness of line side walls). It is effective in reducing
A commercially available monomer may be used as the monomer for deriving each structural unit, or the monomer may be synthesized using a known method. For example, the monomer for deriving the structural unit (a3) can be produced by the method disclosed in JP2009-286720A. Moreover, among the structural unit (a0), a monomer that induces a structural unit having a cation moiety on the resin side, such as the structural unit represented by the general formula (a0-1), is (α-substituted) acrylic acid. It can be easily synthesized by an esterification reaction between chloride and an onium salt having a hydroxyl group in the cation part. Moreover, among the structural unit (a0), a monomer that induces a structural unit having an anion moiety on the resin side, such as the structural unit represented by the general formula (a0-2), is disclosed in JP-A-2009-91350. It can be produced by the methods disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2010-095643, Japanese Patent Laid-Open No. 2009-7327, and the like.

<任意成分>
[(B)成分]
本発明のレジスト組成物は、さらに、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有していてもよい。
本発明のレジスト組成物が(B)成分を含有する場合、(B)成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。
オニウム塩系酸発生剤として、例えば下記一般式(b−1)または(b−2)で表される化合物を用いることができる。
<Optional component>
[Component (B)]
The resist composition of the present invention may further contain an acid generator component (B) that generates an acid upon exposure.
When the resist composition of the present invention contains the component (B), the component (B) is not particularly limited, and it is possible to use what has been proposed as an acid generator for chemically amplified resists. it can. Examples of such acid generators include onium salt acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate acid generators, bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes, and poly (bissulfonyl) diazomethanes. There are various known diazomethane acid generators, nitrobenzyl sulfonate acid generators, imino sulfonate acid generators, disulfone acid generators, and the like.
As the onium salt acid generator, for example, a compound represented by the following general formula (b-1) or (b-2) can be used.

Figure 2013061477
[式中、R”〜R”,R”〜R”は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し;式(b−1)におけるR”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよく;R”は、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表し;R”〜R”のうち少なくとも1つはアリール基を表し、R”〜R”のうち少なくとも1つはアリール基を表す。]
Figure 2013061477
[Wherein, R 1 ″ to R 3 ″ and R 5 ″ to R 6 ″ each independently represents an aryl group or an alkyl group; among R 1 ″ to R 3 ″ in formula (b-1), Any two may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula; R 4 ″ may be an optionally substituted alkyl group, halogenated alkyl group, aryl group, or alkenyl group; And at least one of R 1 ″ to R 3 ″ represents an aryl group, and at least one of R 5 ″ to R 6 ″ represents an aryl group.]

式(b−1)中のR”〜R”、式(b−2)中のR”〜R”は、それぞれ、前記式(c−1)中のR”〜R”、前記式(c−2)中のR”〜R”と同じである。
式(b−1)〜(b−2)中のR”SO は、構成単位(a0−2)において説明したR”SO と同じである。
また、オニウム塩系酸発生剤としては、前記一般式(b−1)又は(b−2)において、アニオン部を前記一般式(b−3)又は(b−4)で表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができる(カチオン部は(b−1)又は(b−2)と同様)。
R 1 ″ to R 3 ″ in Formula (b-1) and R 5 ″ to R 6 ″ in Formula (b-2) are respectively R 1 ″ to R 3 in Formula (c-1). ", The same as R 5 " to R 6 "in the formula (c-2).
Formula (b-1) ~ (b -2) in R 4 "SO 3 - is described in the structural unit (a0-2) R 4" SO 3 - is the same as.
Moreover, as an onium salt type | system | group acid generator, in the said general formula (b-1) or (b-2), an anion part is represented by the said general formula (b-3) or (b-4). An onium salt-based acid generator replaced with can also be used (the cation moiety is the same as (b-1) or (b-2)).

また、前記式(c−3)で表されるカチオン部を有するスルホニウム塩をオニウム塩系酸発生剤として用いることもできる。式(c−3)で表されるカチオン部を有するスルホニウム塩のアニオン部は、特に限定されず、これまで提案されているオニウム塩系酸発生剤のアニオン部と同様のものであってよい。かかるアニオン部としては、たとえば上記一般式(b−1)または(b−2)で表されるオニウム塩系酸発生剤のアニオン部(R”SO )等のフッ素化アルキルスルホン酸イオン;前記一般式(b−3)又は(b−4)で表されるアニオン等が挙げられる。 Moreover, the sulfonium salt which has a cation part represented by the said Formula (c-3) can also be used as an onium salt type | system | group acid generator. The anion part of the sulfonium salt having a cation part represented by the formula (c-3) is not particularly limited, and may be the same as the anion part of the onium salt acid generators proposed so far. Examples of the anion moiety include fluorinated alkyl sulfonate ions such as the anion moiety (R 4 ″ SO 3 ) of the onium salt acid generator represented by the general formula (b-1) or (b-2). An anion represented by the general formula (b-3) or (b-4).

本明細書において、オキシムスルホネート系酸発生剤とは、下記一般式(B−1)で表される基を少なくとも1つ有する化合物であって、放射線の照射(露光)によって酸を発生する特性を有するものである。この様なオキシムスルホネート系酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用として多用されているので、任意に選択して用いることができる。   In this specification, the oxime sulfonate acid generator is a compound having at least one group represented by the following general formula (B-1), and has a property of generating an acid upon irradiation (exposure) of radiation. It is what you have. Such oxime sulfonate-based acid generators are frequently used for chemically amplified resist compositions, and can be arbitrarily selected and used.

Figure 2013061477
(式(B−1)中、R31、R32はそれぞれ独立に有機基を表す。)
Figure 2013061477
(In formula (B-1), R 31 and R 32 each independently represents an organic group.)

31、R32の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子(たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子等)等)を有していてもよい。
31の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数1〜6の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、「置換基を有する」とは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部若しくは全部が置換基で置換されていることを意味する。
アルキル基としては、炭素数1〜20が好ましく、炭素数1〜10がより好ましく、炭素数1〜8がさらに好ましく、炭素数1〜6が特に好ましく、炭素数1〜4が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基(以下、ハロゲン化アルキル基ということがある)が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
アリール基は、炭素数4〜20が好ましく、炭素数4〜10がより好ましく、炭素数6〜10が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。
31としては、特に、置換基を有さない炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数1〜4のフッ素化アルキル基が好ましい。
32の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、アリール基またはシアノ基が好ましい。R32のアルキル基、アリール基としては、前記R31で挙げたアルキル基、アリール基と同様のものが挙げられる。
32としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数1〜8のアルキル基、または炭素数1〜8のフッ素化アルキル基が好ましい。
The organic groups of R 31 and R 32 are groups containing carbon atoms, and atoms other than carbon atoms (for example, hydrogen atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms, sulfur atoms, halogen atoms (fluorine atoms, chlorine atoms, etc.), etc.) You may have.
As the organic group for R 31, a linear, branched, or cyclic alkyl group or aryl group is preferable. These alkyl groups and aryl groups may have a substituent. There is no restriction | limiting in particular as this substituent, For example, a fluorine atom, a C1-C6 linear, branched or cyclic alkyl group etc. are mentioned. Here, “having a substituent” means that part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group or aryl group are substituted with a substituent.
As an alkyl group, C1-C20 is preferable, C1-C10 is more preferable, C1-C8 is more preferable, C1-C6 is especially preferable, and C1-C4 is the most preferable. As the alkyl group, a partially or completely halogenated alkyl group (hereinafter sometimes referred to as a halogenated alkyl group) is particularly preferable. The partially halogenated alkyl group means an alkyl group in which a part of hydrogen atoms is substituted with a halogen atom, and the fully halogenated alkyl group means that all of the hydrogen atoms are halogen atoms. Means an alkyl group substituted with Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. That is, the halogenated alkyl group is preferably a fluorinated alkyl group.
The aryl group preferably has 4 to 20 carbon atoms, more preferably 4 to 10 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms. As the aryl group, a partially or completely halogenated aryl group is particularly preferable. The partially halogenated aryl group means an aryl group in which a part of hydrogen atoms is substituted with a halogen atom, and the fully halogenated aryl group means that all of the hydrogen atoms are halogen atoms. Means an aryl group substituted with.
R 31 is particularly preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms having no substituent or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
As the organic group for R 32, a linear, branched, or cyclic alkyl group, aryl group, or cyano group is preferable. As the alkyl group and aryl group for R 32, the same alkyl groups and aryl groups as those described above for R 31 can be used.
R 32 is particularly preferably a cyano group, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms having no substituent, or a fluorinated alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.

オキシムスルホネート系酸発生剤として、さらに好ましいものとしては、下記一般式(B−2)または(B−3)で表される化合物が挙げられる。   More preferable examples of the oxime sulfonate-based acid generator include compounds represented by the following general formula (B-2) or (B-3).

Figure 2013061477
[式(B−2)中、R33は、シアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R34はアリール基である。R35は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。]
Figure 2013061477
[In Formula (B-2), R 33 represents a cyano group, an alkyl group having no substituent, or a halogenated alkyl group. R 34 is an aryl group. R 35 represents an alkyl group having no substituent or a halogenated alkyl group. ]

Figure 2013061477
[式(B−3)中、R36はシアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R37は2または3価の芳香族炭化水素基である。R38は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。p”は2または3である。]
Figure 2013061477
[In Formula (B-3), R 36 represents a cyano group, an alkyl group having no substituent, or a halogenated alkyl group. R 37 is a divalent or trivalent aromatic hydrocarbon group. R38 is an alkyl group having no substituent or a halogenated alkyl group. p ″ is 2 or 3.]

前記一般式(B−2)において、R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8がより好ましく、炭素数1〜6が最も好ましい。
33としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
33におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50%以上フッ素化されていることが好ましく、70%以上フッ素化されていることがより好ましく、90%以上フッ素化されていることが特に好ましい。
34のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を1つ除いた基、およびこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。これらのなかでも、フルオレニル基が好ましい。
34のアリール基は、炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していてもよい。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜8であることが好ましく、炭素数1〜4がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8がより好ましく、炭素数1〜6が最も好ましい。
35としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
35におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50%以上フッ素化されていることが好ましく、70%以上フッ素化されていることがより好ましく、90%以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため特に好ましい。最も好ましくは、水素原子が100%フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。
In the general formula (B-2), the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent of R 33 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and carbon atoms. Numbers 1 to 6 are most preferable.
R 33 is preferably a halogenated alkyl group, more preferably a fluorinated alkyl group.
The fluorinated alkyl group for R 33 is preferably such that the hydrogen atom of the alkyl group is 50% or more fluorinated, more preferably 70% or more fluorinated, and 90% or more fluorinated. Particularly preferred.
As the aryl group of R 34 , one hydrogen atom is removed from an aromatic hydrocarbon ring such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, or a phenanthryl group. And a heteroaryl group in which a part of carbon atoms constituting the ring of these groups is substituted with a heteroatom such as an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom. Among these, a fluorenyl group is preferable.
The aryl group of R 34 may have a substituent such as an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group, or an alkoxy group. The alkyl group or halogenated alkyl group in the substituent preferably has 1 to 8 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. The halogenated alkyl group is preferably a fluorinated alkyl group.
The alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent of R 35 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and most preferably 1 to 6 carbon atoms.
R 35 is preferably a halogenated alkyl group, more preferably a fluorinated alkyl group.
The fluorinated alkyl group for R 35 is preferably such that the hydrogen atom of the alkyl group is 50% or more fluorinated, more preferably 70% or more fluorinated, and 90% or more fluorinated. Particularly preferred is the strength of the acid generated. Most preferably, it is a fully fluorinated alkyl group in which a hydrogen atom is 100% fluorine-substituted.

前記一般式(B−3)において、R36の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
37の2または3価の芳香族炭化水素基としては、上記R34のアリール基からさらに1または2個の水素原子を除いた基が挙げられる。
38の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
p”は、好ましくは2である。
In the general formula (B-3), the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent for R 36 is the same as the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent for R 33. Is mentioned.
Examples of the divalent or trivalent aromatic hydrocarbon group for R 37 include groups obtained by further removing one or two hydrogen atoms from the aryl group for R 34 .
Examples of the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent of R 38 include the same alkyl groups or halogenated alkyl groups as those having no substituent of R 35 .
p ″ is preferably 2.

オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α−(p−トルエンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(p−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(4−ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(4−ニトロ−2−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−クロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,4−ジクロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,6−ジクロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニド、α−(2−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−チエン−2−イルアセトニトリル、α−(4−ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−[(p−トルエンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニル]アセトニトリル、α−[(ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニル]アセトニトリル、α−(トシルオキシイミノ)−4−チエニルシアニド、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘプテニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロオクテニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−シクロヘキシルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−エチルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−プロピルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−シクロペンチルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−シクロヘキシルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(n−ブチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(n−ブチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−p−メチルフェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。
また、特開平9−208554号公報(段落[0012]〜[0014]の[化18]〜[化19])に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、国際公開第04/074242号パンフレット(65〜85頁目のExample1〜40)に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、好適なものとして以下のものを例示することができる。
Specific examples of the oxime sulfonate acid generator include α- (p-toluenesulfonyloxyimino) -benzyl cyanide, α- (p-chlorobenzenesulfonyloxyimino) -benzyl cyanide, α- (4-nitrobenzenesulfonyloxy). Imino) -benzylcyanide, α- (4-nitro-2-trifluoromethylbenzenesulfonyloxyimino) -benzylcyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -4-chlorobenzylcyanide, α- (benzenesulfonyl) Oxyimino) -2,4-dichlorobenzyl cyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -2,6-dichlorobenzyl cyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -4-methoxybenzyl cyanide, α- ( 2-Chlorobenzenesulfonyloxyimino) 4-methoxybenzylcyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -thien-2-ylacetonitrile, α- (4-dodecylbenzenesulfonyloxyimino) -benzylcyanide, α-[(p-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, α-[(dodecylbenzenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, α- (tosyloxyimino) -4-thienyl cyanide, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclo Pentenyl acetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cycloheptenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclooctene Acetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -cyclohexylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -ethylacetonitrile, α- (propyl Sulfonyloxyimino) -propylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -cyclopentylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -cyclohexylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- ( Ethylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (isopropylsulfonyloxyimino) -1-cyclope N-tenyl acetonitrile, α- (n-butylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (isopropylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile , Α- (n-butylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -phenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (trifluoro Methylsulfonyloxyimino) -phenylacetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -p- Butoxy phenylacetonitrile, alpha-(propylsulfonyl oxyimino)-p-methylphenyl acetonitrile, alpha-like (methylsulfonyloxyimino)-p-bromophenyl acetonitrile.
Further, an oxime sulfonate-based acid generator disclosed in JP-A-9-208554 (paragraphs [0012] to [0014] [chemical formula 18] to [chemical formula 19]), pamphlet of International Publication No. 04/074242, An oxime sulfonate-based acid generator disclosed in Examples 1 to 40) on pages 65 to 85 can also be suitably used.
Moreover, the following can be illustrated as a suitable thing.

Figure 2013061477
Figure 2013061477

ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−ジメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン等が挙げられる。
また、特開平11−035551号公報、特開平11−035552号公報、特開平11−035573号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類としては、例えば、特開平11−322707号公報に開示されている、1,3−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン、1,4−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ブタン、1,6−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン、1,10−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカン、1,2−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)エタン、1,3−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン、1,6−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン、1,10−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカンなどを挙げることができる。
Among diazomethane acid generators, specific examples of bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes include bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, Examples include bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (2,4-dimethylphenylsulfonyl) diazomethane, and the like.
Further, diazomethane acid generators disclosed in JP-A-11-035551, JP-A-11-035552, and JP-A-11-035573 can also be suitably used.
Examples of poly (bissulfonyl) diazomethanes include 1,3-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) propane and 1,4-bis (phenylsulfonyldiazo) disclosed in JP-A-11-322707. Methylsulfonyl) butane, 1,6-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) hexane, 1,10-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) decane, 1,2-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) ethane, 1,3 -Bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) propane, 1,6-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) hexane, 1,10-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) decane, etc. Door can be.

(B)成分は、上述した酸発生剤を1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明のレジスト組成物における(B)成分の含有量は、(A)成分および後述する(C)成分の合計100質量部に対し、0〜40質量部が好ましく、0〜30質量部がより好ましく、0〜20質量部がさらに好ましい。40質量部以下であると、レジスト組成物の各成分を有機溶剤に溶解した際に、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。
As the component (B), one type of acid generator described above may be used alone, or two or more types may be used in combination.
The content of the component (B) in the resist composition of the present invention is preferably 0 to 40 parts by mass and more preferably 0 to 30 parts by mass with respect to a total of 100 parts by mass of the component (A) and the component (C) described later. Preferably, 0 to 20 parts by mass is more preferable. When it is 40 parts by mass or less, a uniform solution is obtained when each component of the resist composition is dissolved in an organic solvent, and the storage stability is improved, which is preferable.

<その他の任意成分>
本発明のレジスト組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、前記(A)成分に該当しない、酸の作用により極性が増大する基材成分(以下、(C)成分という。)を含有してもよい。
「基材成分」とは、上述したとおり、膜形成能を有する有機化合物を意味する。
(C)成分としては、特に限定されず、従来、化学増幅型レジスト組成物の基材成分として用いられているもののなかから適宜選択できる。(C)成分としては、樹脂を用いてもよく、低分子化合物を用いてもよく、これらを併用してもよい。(C)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(C)成分として用いられる樹脂としては、たとえば、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型のレジストパターンを形成するために用いられる化学増幅型レジスト組成物または溶剤現像プロセスにおいてネガ型のレジストパターンを形成するために用いられる化学増幅型レジスト組成物用の基材成分として従来から知られている多数のもの(たとえばArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のベース樹脂)から任意に選択して用いればよい。たとえばArFエキシマレーザー用の基材成分として用いられている樹脂としては、前記構成単位(a1)を必須の構成単位として有し、任意に前記構成単位(a2)、(a4)等をさらに有する樹脂が挙げられる。
<Other optional components>
The resist composition of the present invention contains a base material component (hereinafter referred to as “component (C)”) that does not fall under the component (A) and increases in polarity by the action of an acid, as long as the effects of the present invention are not impaired. May be.
The “base component” means an organic compound having a film forming ability as described above.
The component (C) is not particularly limited, and can be appropriately selected from those conventionally used as the base component of the chemically amplified resist composition. As the component (C), a resin may be used, a low molecular compound may be used, or these may be used in combination. As the component (C), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
Examples of the resin used as the component (C) include a chemically amplified resist composition used for forming a positive resist pattern in an alkali development process or a negative resist pattern in a solvent development process. Any number of conventionally known base components for the chemically amplified resist composition used (for example, base resins for ArF excimer laser, KrF excimer laser (preferably for ArF excimer laser), etc.) Select and use. For example, as a resin used as a base component for an ArF excimer laser, a resin having the structural unit (a1) as an essential structural unit and optionally further including the structural units (a2), (a4), etc. Is mentioned.

本発明のレジスト組成物は、さらに、前記(A)〜(C)成分に該当しない含窒素有機化合物成分(D)(以下、(D)成分という。)を含有してもよい。
(D)成分としては、酸拡散制御剤、すなわち露光により前記(A)成分や(B)成分から発生する酸をトラップするクエンチャーとして作用するものであれば特に限定されず、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いれば良い。たとえば脂肪族アミン、芳香族アミン等のアミンが挙げられ、なかでも脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。
脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1〜20であることが好ましい。
脂肪族アミンとしては、たとえば、アンモニアNHの水素原子の少なくとも1つを、炭素数20以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミン(アルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン)又は環式アミンが挙げられる。
アルキル基、およびヒドロキシアルキル基におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
該アルキル基が直鎖状または分岐鎖状である場合、その炭素数は2〜20であることがより好ましく、2〜8であることがさらに好ましい。
該アルキル基が環状である場合(シクロアルキル基である場合)、その炭素数は、3〜30であることが好ましく、3〜20がより好ましく、3〜15がさらに好ましく、炭素数4〜12であることが特に好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。該アルキル基は単環式であってもよく、多環式であってもよい。具体的には、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。前記モノシクロアルカンとして、具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。また、前記ポリシクロアルカンとして、具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
前記アルキルアミンの具体例としては、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−ノニルアミン、トリ−n−デカニルアミン、トリ−n−ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;が挙げられる。
前記アルキルアルコールアミンの具体例としては、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−n−オクタノールアミン、トリ−n−オクタノールアミン、ステアリルジエタノールアミン、ラウリルジエタノールアミン等が挙げられる。
環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの(脂肪族単環式アミン)であっても多環式のもの(脂肪族多環式アミン)であってもよい。
脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。
脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6〜10のものが好ましく、具体的には、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。
その他の脂肪族アミンとして、トリス(2−メトキシメトキシエチル)アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシメトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシプロポキシ)エチル}アミン、トリス[2−{2−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ}エチル]アミン等が挙げられる。
芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミンなどが挙げられる。
これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(D)成分は、(A)成分100質量部に対して、通常、0.01〜5.0質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。
The resist composition of the present invention may further contain a nitrogen-containing organic compound component (D) (hereinafter referred to as component (D)) that does not correspond to the components (A) to (C).
The component (D) is not particularly limited as long as it acts as an acid diffusion control agent, that is, a quencher that traps acids generated from the components (A) and (B) by exposure. Since what has been proposed, any known one may be used. Examples thereof include amines such as aliphatic amines and aromatic amines, among which aliphatic amines, particularly secondary aliphatic amines and tertiary aliphatic amines are preferred.
An aliphatic amine is an amine having one or more aliphatic groups, and the aliphatic groups preferably have 1 to 20 carbon atoms.
Examples of the aliphatic amine include an amine (alkylamine or alkyl alcohol amine) or a cyclic amine in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 is substituted with an alkyl group or hydroxyalkyl group having 20 or less carbon atoms. .
The alkyl group and the alkyl group in the hydroxyalkyl group may be linear, branched or cyclic.
When the alkyl group is linear or branched, the carbon number thereof is more preferably 2-20, and further preferably 2-8.
When the alkyl group is cyclic (when it is a cycloalkyl group), the carbon number is preferably 3 to 30, more preferably 3 to 20, still more preferably 3 to 15, and 4 to 12 carbon atoms. It is particularly preferred that the number of carbon atoms is 5-10. The alkyl group may be monocyclic or polycyclic. Specific examples include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from monocycloalkane, groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from polycycloalkanes such as bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane. . Specific examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. Specific examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.
Specific examples of the alkylamine include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine; diethylamine, di-n-propylamine, di-n- Dialkylamines such as heptylamine, di-n-octylamine, dicyclohexylamine; trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-pentylamine, tri- and trialkylamines such as n-heptylamine, tri-n-octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n-decanylamine, and tri-n-dodecylamine.
Specific examples of the alkyl alcohol amine include diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine, di-n-octanolamine, tri-n-octanolamine, stearyl diethanolamine, lauryldiethanolamine and the like.
Examples of the cyclic amine include heterocyclic compounds containing a nitrogen atom as a hetero atom. The heterocyclic compound may be monocyclic (aliphatic monocyclic amine) or polycyclic (aliphatic polycyclic amine).
Specific examples of the aliphatic monocyclic amine include piperidine and piperazine.
As the aliphatic polycyclic amine, those having 6 to 10 carbon atoms are preferable. Specifically, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5. 4.0] -7-undecene, hexamethylenetetramine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, and the like.
Other aliphatic amines include tris (2-methoxymethoxyethyl) amine, tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (2-methoxyethoxymethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxypropoxy) ethyl} amine, tris [2- {2- (2-hydroxyethoxy) ) Ethoxy} ethyl] amine and the like.
Examples of the aromatic amine include aniline, pyridine, 4-dimethylaminopyridine, pyrrole, indole, pyrazole, imidazole or derivatives thereof, diphenylamine, triphenylamine, and tribenzylamine.
These may be used alone or in combination of two or more.
(D) component is normally used in 0.01-5.0 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component. By setting the content in the above range, the resist pattern shape, the stability over time and the like are improved.

本発明のレジスト組成物は、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物(E)(以下、(E)成分という。)を含有してもよい。
有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。
リンのオキソ酸およびその誘導体としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でも特にホスホン酸が好ましい。
リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数6〜15のアリール基等が挙げられる。
リン酸の誘導体としては、リン酸ジ−n−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。
ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−n−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。
ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。
(E)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
(E)成分は、(A)成分100質量部に対して、通常、0.01〜5.0質量部の範囲で用いられる。
The resist composition of the present invention is a group consisting of organic carboxylic acid, phosphorus oxo acid and derivatives thereof as optional components for the purpose of preventing sensitivity deterioration and improving the resist pattern shape, retention stability over time, etc. May contain at least one compound (E) selected from (hereinafter referred to as component (E)).
As the organic carboxylic acid, for example, acetic acid, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid and the like are suitable.
Examples of phosphorus oxo acids and derivatives thereof include phosphoric acid, phosphonic acid, phosphinic acid and the like, and among these, phosphonic acid is particularly preferable.
Examples of the oxo acid derivative of phosphorus include esters in which the hydrogen atom of the oxo acid is substituted with a hydrocarbon group, and the hydrocarbon group includes an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and 6 to 6 carbon atoms. 15 aryl groups and the like.
Examples of phosphoric acid derivatives include phosphoric acid esters such as di-n-butyl phosphate and diphenyl phosphate.
Examples of phosphonic acid derivatives include phosphonic acid esters such as phosphonic acid dimethyl ester, phosphonic acid-di-n-butyl ester, phenylphosphonic acid, phosphonic acid diphenyl ester, and phosphonic acid dibenzyl ester.
Examples of the phosphinic acid derivatives include phosphinic acid esters such as phenylphosphinic acid.
(E) A component may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
(E) A component is normally used in 0.01-5.0 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component.

本発明のレジスト組成物には、さらに、所望により、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。   The resist composition of the present invention may further contain, if desired, miscible additives such as an additional resin for improving the performance of the resist film, a surfactant for improving coatability, a dissolution inhibitor, Plasticizers, stabilizers, colorants, antihalation agents, dyes, and the like can be added and contained as appropriate.

本発明のレジスト組成物は、材料を有機溶剤(以下、(S)成分ということがある)に溶解させて製造することができる。
(S)成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類;
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類;
エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;
エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい];
ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;
アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。
中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、ELが好ましい。
また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比(質量比)は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2の範囲内とすることが好ましい。たとえば極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2、さらに好ましくは3:7〜7:3である。また、極性溶剤としてPGMEおよびシクロヘキサノンを配合する場合は、PGMEA:(PGME+シクロヘキサノン)の質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2、さらに好ましくは3:7〜7:3である。
また、(S)成分として、その他には、PGMEA、EL、または前記PGMEAと極性溶剤との混合溶媒と、γ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30〜99:1とされる。
(S)成分の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が1〜20質量%、好ましくは2〜15質量%の範囲内となる様に用いられる。
The resist composition of the present invention can be produced by dissolving the material in an organic solvent (hereinafter sometimes referred to as (S) component).
As the component (S), any component can be used as long as it can dissolve each component to be used to form a uniform solution. Conventionally, any one of known solvents for chemically amplified resists can be used. Two or more types can be appropriately selected and used.
For example, lactones such as γ-butyrolactone;
Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, 2-heptanone;
Polyhydric alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol;
Compounds having an ester bond such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol monoacetate, monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl of the polyhydric alcohols or the compound having an ester bond Derivatives of polyhydric alcohols such as ethers, monoalkyl ethers such as monobutyl ether or compounds having an ether bond such as monophenyl ether [in these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME) Is preferred];
Cyclic ethers such as dioxane and esters such as methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate;
Aromatic organic solvents such as anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetol, butyl phenyl ether, ethylbenzene, diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, xylene, cymene, mesitylene, etc. be able to.
These organic solvents may be used independently and may be used as 2 or more types of mixed solvents.
Among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), and EL are preferable.
Moreover, the mixed solvent which mixed PGMEA and the polar solvent is also preferable. The blending ratio (mass ratio) may be appropriately determined in consideration of the compatibility between PGMEA and the polar solvent, preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. It is preferable to be within the range. For example, when EL is blended as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: EL is preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. Moreover, when mix | blending PGME as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: PGME becomes like this. Preferably it is 1: 9-9: 1, More preferably, it is 2: 8-8: 2, More preferably, it is 3: 7-7: 3. Further, when PGME and cyclohexanone are blended as polar solvents, the mass ratio of PGMEA: (PGME + cyclohexanone) is preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2, and even more preferably 3. : 7 to 7: 3.
In addition, as the component (S), PGMEA, EL or a mixed solvent of PGMEA and a polar solvent and a mixed solvent of γ-butyrolactone are also preferable. In this case, the mixing ratio of the former and the latter is preferably 70:30 to 99: 1.
The amount of component (S) used is not particularly limited, but is a concentration that can be applied to a substrate or the like, and is appropriately set according to the coating film thickness. In general, the solid content concentration of the resist composition is 1 -20% by mass, preferably 2-15% by mass.

上記本発明のレジスト組成物は、感度、ラフネス、解像性等のリソグラフィー特性及びパターン形状に優れる。このような効果が得られる理由は明らかではないが次のように推測される。
本発明のレジスト組成物は、露光により酸を発生する構成単位(a0−2)を(A1)成分が含有することにより、レジスト膜内に均一に分布した該構成単位(a0−2)から、露光部では均一に酸が発生する。これにより、露光部の(A1)成分中の酸分解性基が均一に分解しやすくなるため、解像性等のリソグラフィー特性が、従来の酸発生剤を用いたレジスト組成物に比して向上すると考えられる。
また、(A1)成分中に、酸により分解する構成単位(a1)が含まれる場合、露光により酸を発生する構成単位(a0−2)と(A1)成分中で比較的近くに存在することになり、酸による酸分解性基の分解反応が起こりやすくなるため、上記効果が特に顕著になると推察される。
The resist composition of the present invention is excellent in lithography properties such as sensitivity, roughness, resolution, and pattern shape. The reason why such an effect is obtained is not clear, but is presumed as follows.
The resist composition of the present invention contains the structural unit (a0-2) that is uniformly distributed in the resist film when the component (A1) contains the structural unit (a0-2) that generates an acid upon exposure. Acid is uniformly generated in the exposed area. As a result, the acid-decomposable group in the (A1) component of the exposed portion is easily decomposed uniformly, so that the lithography properties such as resolution are improved as compared with a resist composition using a conventional acid generator. I think that.
In addition, when the structural unit (a1) that is decomposed by an acid is contained in the component (A1), the structural unit (a0-2) that generates an acid upon exposure and the component (A1) are present relatively close to each other. Thus, it is presumed that the above-described effect becomes particularly remarkable because the acid-decomposable group is easily decomposed by an acid.

加えて、本発明の(A1)成分が含む構成単位(a0−1)は、スルホンアミド基を末端に有するため、プロトンソースして機能し得るものである。構成単位(a0−1)からプロトンが供給されることにより、構成単位(a0−2)の酸発生効率が向上し、感度が向上すると考えられる。また、感度が向上することにより、ベーク温度や上述した(D)成分の使用に関する自由度が大きくなり、レジスト組成物やパターン形成方法をより最適化することができ、リソグラフィー特性及びパターン形状を向上させることが可能となる。
なお、従来、プロトンソースとしてはフェノールを代表とする水酸基を有するものが一般的に知られているが、フェノールは副反応を引き起こし得るため、レジスト組成物に一定割合以上含有させることにより、リソグラフィー特性やパターン形状を劣化させるおそれがある。一方、本発明の構成単位(a0−1)は、フェノールのようにプロトンソースとして機能し得る上、副反応を引き起こすおそれがなく、上記効果が良好に得られると考えられる。
In addition, since the structural unit (a0-1) contained in the component (A1) of the present invention has a sulfonamide group at the terminal, it can function as a proton source. By supplying protons from the structural unit (a0-1), it is considered that the acid generation efficiency of the structural unit (a0-2) is improved and the sensitivity is improved. In addition, by improving the sensitivity, the degree of freedom regarding the baking temperature and the use of the component (D) described above is increased, the resist composition and the pattern forming method can be further optimized, and the lithography characteristics and pattern shape are improved. It becomes possible to make it.
Conventionally, a proton source having a hydroxyl group typified by phenol is generally known. However, since phenol can cause a side reaction, a lithography composition can be obtained by adding a certain amount or more to the resist composition. And the pattern shape may be deteriorated. On the other hand, the structural unit (a0-1) of the present invention can function as a proton source like phenol and does not cause a side reaction, and the above effect is considered to be obtained satisfactorily.

≪レジストパターン形成方法≫
本発明のレジストパターン形成方法は、支持体上に、前記本発明のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含む。
本発明のレジストパターン形成方法は、例えば以下の様にして行うことができる。
すなわち、まず支持体上に前記本発明のレジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、ベーク(ポストアプライベーク(PAB))処理を、たとえば80〜150℃の温度条件にて40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施してレジスト膜を形成する。
次に、該レジスト膜に対し、例えばArF露光装置、電子線描画装置、EUV露光装置等の露光装置を用いて、所定のパターンが形成されたマスク(マスクパターン)を介した露光、またはマスクパターンを介さない電子線の直接照射による描画等による選択的露光を行った後、ベーク(ポストエクスポージャーベーク(PEB))処理を、たとえば80〜150℃の温度条件にて40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施す。
次に、前記レジスト膜を現像処理する。
現像処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、アルカリ現像液を用い、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有する現像液(有機系現像液)用いて行う。
現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。リンス処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、純水を用いた水リンスが好ましく、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。
溶剤現像プロセスの場合、前記現像処理またはリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を超臨界流体により除去する処理を行ってもよい。
現像処理後またはリンス処理後、乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理(ポストベーク)を行ってもよい。このようにして、レジストパターンを得ることができる。
≪Resist pattern formation method≫
The resist pattern forming method of the present invention includes a step of forming a resist film on a support using the resist composition of the present invention, a step of exposing the resist film, and developing the resist film to form a resist pattern. Forming.
The resist pattern forming method of the present invention can be performed, for example, as follows.
That is, first, the resist composition of the present invention is applied onto a support with a spinner or the like, and a baking (post-apply bake (PAB)) treatment is performed, for example, at a temperature of 80 to 150 ° C. for 40 to 120 seconds, preferably A resist film is formed by applying for 60 to 90 seconds.
Next, the resist film is exposed through a mask (mask pattern) on which a predetermined pattern is formed using an exposure apparatus such as an ArF exposure apparatus, an electron beam drawing apparatus, or an EUV exposure apparatus, or a mask pattern. After performing selective exposure by drawing or the like by direct irradiation with an electron beam without passing through, baking (post-exposure baking (PEB)) treatment is performed, for example, at a temperature of 80 to 150 ° C. for 40 to 120 seconds, preferably 60 Apply for ~ 90 seconds.
Next, the resist film is developed.
The development treatment is performed using an alkaline developer in the case of an alkali development process, and using a developer (organic developer) containing an organic solvent in the case of a solvent development process.
A rinsing treatment is preferably performed after the development treatment. The rinse treatment is preferably a water rinse using pure water in the case of an alkali development process, and is preferably a rinse solution containing an organic solvent in the case of a solvent development process.
In the case of a solvent development process, after the development process or the rinse process, a process of removing the developer or rinse liquid adhering to the pattern with a supercritical fluid may be performed.
Drying is performed after development or rinsing. In some cases, a baking process (post-bake) may be performed after the development process. In this way, a resist pattern can be obtained.

支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。
また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜(無機BARC)が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜(有機BARC)や多層レジスト法における下層有機膜等の有機膜が挙げられる。
ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜(下層有機膜)と、少なくとも一層のレジスト膜(上層レジスト膜)とを設け、上層レジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層有機膜のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。すなわち、多層レジスト法によれば、下層有機膜により所要の厚みを確保できるため、レジスト膜を薄膜化でき、高アスペクト比の微細パターン形成が可能となる。
多層レジスト法には、基本的に、上層レジスト膜と、下層有機膜との二層構造とする方法(2層レジスト法)と、上層レジスト膜と下層有機膜との間に一層以上の中間層(金属薄膜等)を設けた三層以上の多層構造とする方法(3層レジスト法)とに分けられる。
The support is not particularly limited, and a conventionally known one can be used, and examples thereof include a substrate for electronic components and a substrate on which a predetermined wiring pattern is formed. More specifically, a silicon substrate, a metal substrate such as copper, chromium, iron, and aluminum, a glass substrate, and the like can be given. As a material for the wiring pattern, for example, copper, aluminum, nickel, gold or the like can be used.
Further, the support may be a substrate in which an inorganic and / or organic film is provided on the above-described substrate. An inorganic antireflection film (inorganic BARC) is an example of the inorganic film. Examples of the organic film include organic films such as an organic antireflection film (organic BARC) and a lower organic film in a multilayer resist method.
Here, the multilayer resist method is a method in which at least one organic film (lower organic film) and at least one resist film (upper resist film) are provided on a substrate, and the resist pattern formed on the upper resist film is used as a mask. This is a method of patterning a lower organic film, and it is said that a pattern with a high aspect ratio can be formed. That is, according to the multilayer resist method, the required thickness can be secured by the lower organic film, so that the resist film can be thinned and a fine pattern with a high aspect ratio can be formed.
In the multilayer resist method, basically, a method of forming a two-layer structure of an upper resist film and a lower organic film (two-layer resist method), and one or more intermediate layers between the upper resist film and the lower organic film And a method of forming a multilayer structure of three or more layers (metal thin film etc.) (three-layer resist method).

露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、Fエキシマレーザー、EUV(極紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子線)、X線、軟X線等の放射線を用いて行うことができる。前記レジスト組成物は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EBまたはEUV用としての有用性が高い。 The wavelength used for the exposure is not particularly limited, and ArF excimer laser, KrF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet), EB (electron beam), X-ray, soft X-ray, etc. Can be done using radiation. The resist composition is highly useful for KrF excimer laser, ArF excimer laser, EB or EUV.

レジスト膜の露光方法は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光(ドライ露光)であってもよく、液浸露光(Liquid Immersion Lithography)であってもよい。
液浸露光は、予めレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒(液浸媒体)で満たし、その状態で露光(浸漬露光)を行う露光方法である。
液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ露光されるレジスト膜の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。
空気の屈折率よりも大きく、かつ前記レジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
フッ素系不活性液体の具体例としては、CHCl、COCH、COC、C等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70〜180℃のものが好ましく、80〜160℃のものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。
フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。
さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ(2−ブチル−テトラヒドロフラン)(沸点102℃)を挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン(沸点174℃)を挙げることができる。
液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。
The exposure method of the resist film may be normal exposure (dry exposure) performed in an inert gas such as air or nitrogen, or may be immersion exposure (Liquid Immersion Lithography).
In immersion exposure, the space between the resist film and the lens at the lowest position of the exposure apparatus is previously filled with a solvent (immersion medium) having a refractive index larger than that of air, and exposure (immersion exposure) is performed in that state. It is an exposure method.
As the immersion medium, a solvent having a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film to be exposed is preferable. The refractive index of such a solvent is not particularly limited as long as it is within the above range.
Examples of the solvent having a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film include water, a fluorine-based inert liquid, a silicon-based solvent, and a hydrocarbon-based solvent.
Specific examples of the fluorine-based inert liquid include a fluorine-based compound such as C 3 HCl 2 F 5 , C 4 F 9 OCH 3 , C 4 F 9 OC 2 H 5 , and C 5 H 3 F 7 as a main component. Examples thereof include liquids, and those having a boiling point of 70 to 180 ° C are preferable, and those having a boiling point of 80 to 160 ° C are more preferable. It is preferable that the fluorine-based inert liquid has a boiling point in the above range since the medium used for immersion can be removed by a simple method after the exposure is completed.
As the fluorine-based inert liquid, a perfluoroalkyl compound in which all hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms is particularly preferable. Specific examples of the perfluoroalkyl compound include a perfluoroalkyl ether compound and a perfluoroalkylamine compound.
More specifically, examples of the perfluoroalkyl ether compound include perfluoro (2-butyl-tetrahydrofuran) (boiling point 102 ° C.). Examples of the perfluoroalkylamine compound include perfluorotributylamine ( Boiling point of 174 ° C.).
As the immersion medium, water is preferably used from the viewpoints of cost, safety, environmental problems, versatility, and the like.

アルカリ現像プロセスで現像処理に用いるアルカリ現像液としては、例えば0.1〜10質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液が挙げられる。
溶剤現像プロセスで現像処理に用いる有機系現像液が含有する有機溶剤としては、(A)成分(露光前の(A)成分)を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤のなかから適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。
有機系現像液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としてはたとえば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、たとえばイオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。
界面活性剤を配合する場合、その配合量は、有機系現像液の全量に対して、通常0.001〜5質量%であり、0.005〜2質量%が好ましく、0.01〜0.5質量%がより好ましい。
現像処理は、公知の現像方法におり実施でき、該方法としてはたとえば現像液中に支持体を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、支持体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法(パドル法)、支持体表面に現像液を噴霧する方法(スプレー法)、一定速度で回転している支持体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法(ダイナミックディスペンス法)等が挙げられる。
Examples of the alkali developer used for the development treatment in the alkali development process include a 0.1 to 10% by mass tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution.
The organic solvent contained in the organic developer used for the development process in the solvent development process is not particularly limited as long as it can dissolve the component (A) (component (A) before exposure). It can be selected as appropriate. Specifically, polar solvents such as ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, amide solvents, ether solvents, and hydrocarbon solvents can be used.
A known additive can be blended in the organic developer as required. Examples of the additive include a surfactant. The surfactant is not particularly limited. For example, ionic or nonionic fluorine-based and / or silicon-based surfactants can be used.
When the surfactant is blended, the blending amount is usually 0.001 to 5% by mass, preferably 0.005 to 2% by mass, and 0.01 to 0. 0% with respect to the total amount of the organic developer. 5 mass% is more preferable.
The development process can be carried out by a known development method, for example, a method in which a support is immersed in a developer for a certain period of time (dip method), a developer is raised on the surface of the support by surface tension, and is left for a certain period of time. (Paddle method), spraying developer on the surface of the support (spray method), coating the developer while scanning the developer coating nozzle at a constant speed on the support rotating at a constant speed The method to continue (dynamic dispensing method) etc. are mentioned.

溶剤現像プロセスで現像処理後のリンス処理に用いるリンス液が含有する有機溶剤としては、たとえば前記有機系現像液が含有する有機溶剤として挙げた有機溶剤のうち、レジストパターンを溶解しにくいものを適宜選択して使用できる。通常、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤およびエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を使用する。これらのなかでも、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びアミド系溶剤から選択される少なくとも1種類が好ましく、アルコール系溶剤およびエステル系溶剤から選択される少なくとも1種類がより好ましく、アルコール系溶剤が特に好ましい。
リンス液を用いたリンス処理(洗浄処理)は、公知のリンス方法におり実施でき、該方法としてはたとえば一定速度で回転している支持体上にリンス液を塗出しつづける方法(回転塗布法)、リンス液中に支持体を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、支持体表面にリンス液を噴霧する方法(スプレー法)等が挙げられる。
As the organic solvent contained in the rinsing liquid used for the rinsing treatment after the development process in the solvent development process, for example, among the organic solvents mentioned as the organic solvent contained in the organic developer, those which are difficult to dissolve the resist pattern are appropriately used. You can select and use. Usually, at least one solvent selected from hydrocarbon solvents, ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, amide solvents and ether solvents is used. Among these, at least one selected from hydrocarbon solvents, ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents and amide solvents is preferable, and at least one selected from alcohol solvents and ester solvents is preferable. More preferred are alcohol solvents.
The rinsing treatment (washing treatment) using the rinsing liquid can be carried out by a known rinsing method. For example, the rinsing liquid is continuously applied onto a support rotating at a constant speed (rotary coating method). A method of immersing the support in a rinsing solution for a certain time (dip method), a method of spraying a rinsing solution on the surface of the support (spray method), and the like.

次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
本実施例では、化学式中に(1)と表示される化合物を「化合物(1)」と記載し、他の式で表される化合物についても同様に記載する。
なお、NMRによる分析において、H−NMRの内部標準および13C−NMRの内部標準はテトラメチルシラン(TMS)である。19F−NMRの内部標準はヘキサフルオロベンゼンである(但し、ヘキサフルオロベンゼンのピークを−160ppmとした)。
EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited by these examples.
In this example, a compound represented by (1) in the chemical formula is described as “compound (1)”, and the compounds represented by other formulas are also described in the same manner.
In the analysis by NMR, the internal standard of 1 H-NMR and the internal standard of 13 C-NMR is tetramethylsilane (TMS). The internal standard of 19 F-NMR is hexafluorobenzene (however, the peak of hexafluorobenzene was set to −160 ppm).

[ポリマー合成例1〜30:高分子化合物1〜30の合成]
高分子化合物1〜30は、各高分子化合物を構成する構成単位を誘導する下記モノマー(1)〜(30)を用い、常法により合成した。なお、モノマー(12)、(15)、(16)、(20)、(21)、(22)を有する高分子化合物は、モノマー(12)、(15)、(16)、(20)、(21)、(22)において対カチオンがトリフェニルスルホニウムであるモノマーを用いて一旦重合した後、常法により目的の対カチオンと塩交換することにより製造した。
得られた高分子化合物について、カーボン13核磁気共鳴スペクトル(600MHz_13C−NMR)により求められた共重合組成比(構造式中の各構成単位の割合(モル比))、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量(Mw)及び分子量分散度(Mw/Mn)をそれぞれ表1〜3に示した。
[Polymer Synthesis Examples 1 to 30: Synthesis of Polymer Compounds 1 to 30]
The high molecular compounds 1-30 were synthesize | combined by the conventional method using the following monomers (1)-(30) which derive | lead-in the structural unit which comprises each high molecular compound. The polymer compounds having the monomers (12), (15), (16), (20), (21), and (22) are monomers (12), (15), (16), (20), In (21) and (22), the polymer was once polymerized using a monomer whose counter cation is triphenylsulfonium, and then salt exchanged with the target counter cation by a conventional method.
The obtained polymer compound, as a result of an analysis by carbon 13 nuclear magnetic resonance spectrum (600 MHz - 13 C-NMR) (ratio of the respective structural units within the structural formula (molar ratio)) was measured by GPC The weight average molecular weight (Mw) and molecular weight dispersity (Mw / Mn) in terms of standard polystyrene are shown in Tables 1 to 3, respectively.

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

[実施例1〜22、比較例1〜8]
表4〜5に示す各成分を混合して溶解し、ポジ型のレジスト組成物を調製した。
[Examples 1 to 22, Comparative Examples 1 to 8]
Each component shown in Tables 4 to 5 was mixed and dissolved to prepare a positive resist composition.

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

表4〜5中の各略号は以下の意味を有する。また、[ ]内の数値は配合量(質量部)である。
(A)−1〜(A)−30:前記高分子化合物1〜30
(B)−1:下記化合物(B)−1。
(C)−1:前記モノマー2とモノマー3とを用いて、ポリマー合成例1と同様にして得られた高分子化合物[Mw=7000、Mw/Mn=1.88、モノマー2から誘導される構成単位/モノマー3から誘導される構成単位=50/50(モル比)]。
(D)−1:トリ−n−オクチルアミン。
(E)−1:サリチル酸。
(S)−1:PGMEA/PGME/シクロヘキサノン=30/20/50(質量比)の混合溶剤。
(S)−2:γ−ブチロラクトン。
Each abbreviation in Tables 4 to 5 has the following meaning. Moreover, the numerical value in [] is a compounding quantity (mass part).
(A) -1 to (A) -30: the polymer compounds 1 to 30
(B) -1: The following compound (B) -1.
(C) -1: Polymer compound [Mw = 7000, Mw / Mn = 1.88, derived from monomer 2] obtained in the same manner as in Polymer Synthesis Example 1 using monomer 2 and monomer 3 Structural unit / Structural unit derived from monomer 3 = 50/50 (molar ratio)].
(D) -1: tri-n-octylamine.
(E) -1: salicylic acid.
(S) -1: Mixed solvent of PGMEA / PGME / cyclohexanone = 30/20/50 (mass ratio).
(S) -2: γ-butyrolactone.

Figure 2013061477
Figure 2013061477

<レジストパターンの形成>[感度]
8インチのシリコンウェーハ上に、各例のレジスト組成物を、スピンナーを用いてそれぞれ塗布し、ホットプレート上で、140℃で60秒間の条件でプレベーク(PAB)処理を行い、乾燥することにより、膜厚50nmのレジスト膜を形成した。
次いで、前記レジスト膜に対し、電子線描画機HL−800D(VSB)(Hitachi社製)を用い、加速電圧50keVにて露光を行い、表6〜7に示す温度で60秒間のPEB処理を行い、さらに23℃にて2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液「NMD−3」(商品名、東京応化工業社製)で60秒間アルカリ現像し、純水を用いて15秒間水リンスし、振り切り乾燥を行った。
その結果、全ての例において前記レジスト膜に、ライン幅100nm、ピッチ200nmの1:1LSパターンが形成された。該LSパターンが形成される最適露光量Eop(μC/cm;感度)を求めた。結果を表6〜7に記載する。
<Formation of resist pattern> [Sensitivity]
By applying the resist composition of each example on an 8-inch silicon wafer using a spinner, performing a pre-bake (PAB) treatment at 140 ° C. for 60 seconds on a hot plate, and drying, A resist film having a thickness of 50 nm was formed.
Next, the resist film was exposed at an acceleration voltage of 50 keV using an electron beam lithography machine HL-800D (VSB) (manufactured by Hitachi), and subjected to PEB treatment for 60 seconds at the temperatures shown in Tables 6-7. Further, it was alkali-developed with a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution “NMD-3” (trade name, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) for 60 seconds at 23 ° C., and water was used for 15 seconds using pure water. Rinse and shake-dry.
As a result, in all examples, a 1: 1 LS pattern having a line width of 100 nm and a pitch of 200 nm was formed on the resist film. The optimum exposure dose Eop (μC / cm 2 ; sensitivity) at which the LS pattern is formed was determined. The results are listed in Tables 6-7.

[ラインエッジラフネス(LER)]
上記最適露光量Eopにおいて形成した1:1LSパターンのラインのパターンラフネスを評価した。
具体的には、測長SEM(走査型電子顕微鏡、加速電圧300V、商品名:S−9380、日立ハイテクノロジーズ社製)により、ラインエッジ幅(直線からの変動)を40箇所測定し、その結果から標準偏差(s)の3倍値(3s)を、LERを示す尺度として算出した。
このようにして求められる3sは、その値が小さいほどラフネスが小さく、均一な幅のLSパターンが得られたことを意味する。結果を表6〜7に示す。
[Line edge roughness (LER)]
The pattern roughness of the 1: 1 LS pattern line formed at the optimum exposure amount Eop was evaluated.
More specifically, 40 line edge widths (variations from straight lines) were measured with a length measurement SEM (scanning electron microscope, acceleration voltage 300 V, product name: S-9380, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), and the result 3 times the standard deviation (s) (3 s) was calculated as a scale indicating LER.
3s obtained in this way means that the smaller the value is, the smaller the roughness is and an LS pattern having a uniform width is obtained. The results are shown in Tables 6-7.

[解像性]
上記Eopにおける限界解像度(nm)を、走査型電子顕微鏡S−9380(日立ハイテクノロジー社製)を用いて求めた。結果を表6〜7に示す
[Resolution]
The limiting resolution (nm) in the Eop was determined using a scanning electron microscope S-9380 (manufactured by Hitachi High-Technology Corporation). The results are shown in Tables 6-7.

[パターン形状評価]
上記最適露光量Eopにおいて形成された1:1LSパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡(商品名:SU−8000、日立ハイテクノロジー社製)を用いて観察し、その形状を以下の基準で評価した。結果を表6〜7に示す。
○:矩形性が高く、良好である。
×:スソ引き形状であり、矩形性が低い。
[Pattern shape evaluation]
The cross-sectional shape of the 1: 1 LS pattern formed at the optimum exposure dose Eop was observed using a scanning electron microscope (trade name: SU-8000, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), and the shape was evaluated according to the following criteria. did. The results are shown in Tables 6-7.
○: The rectangularity is high and good.
X: Soo-drawn shape and rectangularity is low.

Figure 2013061477
Figure 2013061477

Figure 2013061477
Figure 2013061477

上記の結果から、構成単位(a0−1)と構成単位(a0−2)とを有する実施例1のレジスト組成物は、構成単位(a0−1)を有しない比較例1のレジスト組成物、構成単位(a0−1)に替えて水酸基を含有する構成単位を有する比較例2〜6のレジスト組成物、及び構成単位(a0−2)を有しない比較例7のレジスト組成物と比べて、感度は同等以上であり、且つ、ラフネス、解像性及びパターン形状が優れていた。
また、構成単位(a0−1)と構成単位(a0−2)とを有する実施例2のレジスト組成物は、構成単位(a0−1)に替えて水酸基を含有する構成単位を有する比較例8のレジスト組成物に比して、感度、ラフネス、解像性及びパターン形状に優れていた。
さらに、構成単位(a0−1)、(a0−2)、(a1)、(a2)を一部変更した実施例3〜22のレジスト組成物も、実施例1〜2のレジスト組成物と同様に、良好な感度、ラフネス、解像性及びパターン形状を有していることが確認できた。
From the above results, the resist composition of Example 1 having the structural unit (a0-1) and the structural unit (a0-2) is the resist composition of Comparative Example 1 having no structural unit (a0-1), Compared to the resist composition of Comparative Examples 2 to 6 having a structural unit containing a hydroxyl group instead of the structural unit (a0-1) and the resist composition of Comparative Example 7 having no structural unit (a0-2), The sensitivity was equal to or higher, and the roughness, resolution, and pattern shape were excellent.
Moreover, the resist composition of Example 2 having the structural unit (a0-1) and the structural unit (a0-2) is Comparative Example 8 having a structural unit containing a hydroxyl group instead of the structural unit (a0-1). Compared with the resist composition, the sensitivity, roughness, resolution and pattern shape were excellent.
Further, the resist compositions of Examples 3 to 22 in which structural units (a0-1), (a0-2), (a1), and (a2) are partially changed are the same as the resist compositions of Examples 1 and 2. In addition, it was confirmed that the film had good sensitivity, roughness, resolution and pattern shape.

Claims (5)

露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有するレジスト組成物であって、
前記基材成分(A)は、下記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0−1)、及び露光により酸を発生する構成単位(a0−2)を有する樹脂成分(A1)を含有することを特徴とするレジスト組成物。
Figure 2013061477
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Rは2価の連結基である。]
A resist composition containing a base material component (A) that generates an acid upon exposure and changes its solubility in a developer due to the action of the acid,
The substrate component (A) is a resin component (A1) having a structural unit (a0-1) represented by the following general formula (a0-1) and a structural unit (a0-2) that generates an acid upon exposure. A resist composition comprising:
Figure 2013061477
[Wherein, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and R 2 is a divalent linking group. ]
前記構成単位(a0−2)が、下記一般式(a0−21)又は(a0−22)で表される基を有する請求項1に記載のレジスト組成物。
Figure 2013061477
[式中、Q、Qはそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基であり、R、R、Rはそれぞれ独立に有機基であり、R、Rは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、Vは対アニオンである。Aはアニオンを含む有機基であり、Mm+は有機カチオンであり、mは1〜3の整数である。]
The resist composition according to claim 1, wherein the structural unit (a0-2) has a group represented by the following general formula (a0-21) or (a0-22).
Figure 2013061477
[Wherein, Q 1 and Q 2 are each independently a single bond or a divalent linking group, R 3 , R 4 and R 5 are each independently an organic group, and R 4 and R 5 are mutually bonded. Thus, a ring may be formed together with the sulfur atom in the formula, and V is a counter anion. A is an organic group containing an anion, M m + is an organic cation, and m is an integer of 1 to 3. ]
前記構成単位(a0−2)が、下記一般式(a0−21−1)又は(a0−22−1)で表される構成単位である請求項2に記載のレジスト組成物。
Figure 2013061477
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Q、Qはそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基であり、R〜Rはそれぞれ独立に有機基であり、R、Rは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、Vは対アニオンである。Aはアニオンを含む有機基であり、Mm+は有機カチオンであり、mは1〜3の整数である。]
The resist composition according to claim 2, wherein the structural unit (a0-2) is a structural unit represented by the following general formula (a0-21-1) or (a0-22-1).
Figure 2013061477
[Wherein, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and Q 1 and Q 2 are each independently a single bond or a divalent linking group. , R 3 to R 5 are each independently an organic group, R 4 and R 5 may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula, and V is a counter anion. A is an organic group containing an anion, M m + is an organic cation, and m is an integer of 1 to 3. ]
前記樹脂成分(A1)がさらに酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のレジスト組成物。   The resist composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the resin component (A1) further comprises a structural unit (a1) containing an acid-decomposable group whose polarity is increased by the action of an acid. . 支持体上に、請求項1〜4のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。   A step of forming a resist film on the support using the resist composition according to any one of claims 1 to 4, a step of exposing the resist film, and developing the resist film to form a resist pattern A resist pattern forming method including a forming step.
JP2011199671A 2011-09-13 2011-09-13 Resist composition and resist pattern forming method Active JP5779456B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011199671A JP5779456B2 (en) 2011-09-13 2011-09-13 Resist composition and resist pattern forming method
TW101133314A TWI623815B (en) 2011-09-13 2012-09-12 Photoresist composition and method for forming photoresist pattern
KR1020120101121A KR20130029344A (en) 2011-09-13 2012-09-12 Resist composition and method of forming resist pattern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011199671A JP5779456B2 (en) 2011-09-13 2011-09-13 Resist composition and resist pattern forming method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013061477A true JP2013061477A (en) 2013-04-04
JP5779456B2 JP5779456B2 (en) 2015-09-16

Family

ID=48179322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011199671A Active JP5779456B2 (en) 2011-09-13 2011-09-13 Resist composition and resist pattern forming method

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5779456B2 (en)
KR (1) KR20130029344A (en)
TW (1) TWI623815B (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013075963A (en) * 2011-09-29 2013-04-25 Jsr Corp Compound, polymer, and photoresist composition
JP2013095880A (en) * 2011-11-02 2013-05-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Production method for polymeric compound, resist composition and resist pattern-forming method
JP2015092271A (en) * 2012-09-15 2015-05-14 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC Photoresists comprising multiple acid generator compounds
JP2020033554A (en) * 2018-08-27 2020-03-05 住友化学株式会社 Resin, resist composition, and method for producing resist pattern
JP2021089346A (en) * 2019-12-03 2021-06-10 東京応化工業株式会社 Resist composition and resist pattern forming method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003122010A (en) * 2001-10-16 2003-04-25 Fuji Photo Film Co Ltd Positive resist composition
JP2005196209A (en) * 2004-01-08 2005-07-21 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Positive photoresist composition containing polymer containing fluorosulfonamido group, and its usage
JP2011158879A (en) * 2010-01-05 2011-08-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive resist composition, resist pattern forming method, and high molecular compound
JP5518671B2 (en) * 2010-10-22 2014-06-11 東京応化工業株式会社 Resist composition, resist pattern forming method, polymer compound

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003122010A (en) * 2001-10-16 2003-04-25 Fuji Photo Film Co Ltd Positive resist composition
JP2005196209A (en) * 2004-01-08 2005-07-21 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Positive photoresist composition containing polymer containing fluorosulfonamido group, and its usage
JP2011158879A (en) * 2010-01-05 2011-08-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive resist composition, resist pattern forming method, and high molecular compound
JP5518671B2 (en) * 2010-10-22 2014-06-11 東京応化工業株式会社 Resist composition, resist pattern forming method, polymer compound

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013075963A (en) * 2011-09-29 2013-04-25 Jsr Corp Compound, polymer, and photoresist composition
JP2013095880A (en) * 2011-11-02 2013-05-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Production method for polymeric compound, resist composition and resist pattern-forming method
JP2015092271A (en) * 2012-09-15 2015-05-14 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC Photoresists comprising multiple acid generator compounds
JP2020033554A (en) * 2018-08-27 2020-03-05 住友化学株式会社 Resin, resist composition, and method for producing resist pattern
JP7341788B2 (en) 2018-08-27 2023-09-11 住友化学株式会社 Resin, resist composition, and method for producing resist pattern
JP2021089346A (en) * 2019-12-03 2021-06-10 東京応化工業株式会社 Resist composition and resist pattern forming method
WO2021111996A1 (en) * 2019-12-03 2021-06-10 東京応化工業株式会社 Resist composition and method for forming resist pattern
JP7292194B2 (en) 2019-12-03 2023-06-16 東京応化工業株式会社 Resist composition and resist pattern forming method

Also Published As

Publication number Publication date
JP5779456B2 (en) 2015-09-16
TW201329637A (en) 2013-07-16
KR20130029344A (en) 2013-03-22
TWI623815B (en) 2018-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5846889B2 (en) Resist composition, resist pattern forming method, compound
JP5518671B2 (en) Resist composition, resist pattern forming method, polymer compound
JP5677135B2 (en) Resist composition, resist pattern forming method, and polymer compound
JP5238529B2 (en) Positive resist composition and resist pattern forming method
JP2013068646A (en) Resist composition, and method for forming resist pattern
JP2013035942A (en) Polymer, resist composition, and method for forming resist pattern
JP5736189B2 (en) Resist composition, resist pattern forming method, polymer compound
JPWO2012121278A1 (en) Resist pattern forming method and negative resist composition for development
JP5779456B2 (en) Resist composition and resist pattern forming method
JP5978055B2 (en) Compound, radical polymerization initiator, compound production method, polymer, resist composition, and resist pattern formation method
JP5752388B2 (en) Positive resist composition and resist pattern forming method
JP5393128B2 (en) Positive resist composition and resist pattern forming method
JP2013040296A (en) Polymer, resist composition, and method of forming resist pattern
JP5469917B2 (en) Positive resist composition, resist pattern forming method, and polymer compound
JP2013101222A (en) Resist composition for euv or eb and method for forming resist pattern
JP2013003512A (en) Resist composition, and resist pattern forming method
JP2012145868A (en) Resist composition and method for forming resist pattern
JP5707241B2 (en) Resist composition, resist pattern forming method, and polymer compound
JP5723624B2 (en) Resist composition, resist pattern forming method, and polymer compound
JP5647855B2 (en) Positive resist composition and resist pattern forming method
JP5624729B2 (en) Resist composition and resist pattern forming method
JP2013160814A (en) Resist composition and pattern forming method
JP2013023594A (en) Polymer, resist composition, and resist pattern forming method
JP5743593B2 (en) Resist composition, resist pattern forming method, and polymer compound
JP5866180B2 (en) Resist composition and resist pattern forming method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140626

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150205

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150217

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150415

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20150416

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150616

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150713

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5779456

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150