JP2013055405A - Class f amplification circuit and transmission device using the same - Google Patents

Class f amplification circuit and transmission device using the same Download PDF

Info

Publication number
JP2013055405A
JP2013055405A JP2011190611A JP2011190611A JP2013055405A JP 2013055405 A JP2013055405 A JP 2013055405A JP 2011190611 A JP2011190611 A JP 2011190611A JP 2011190611 A JP2011190611 A JP 2011190611A JP 2013055405 A JP2013055405 A JP 2013055405A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
class
circuit
amplifier
signal
amplifier circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011190611A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Keiichi Motoi
桂一 元井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2011190611A priority Critical patent/JP2013055405A/en
Publication of JP2013055405A publication Critical patent/JP2013055405A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To implement high frequency processing depending on each base frequency even if a plurality of input signals of different fundamental frequencies are input.SOLUTION: A class F amplification circuit includes: a class F amplifier for class-F-amplifying a plurality of signals of different base angular frequencies to output a signal containing signal components of the base angular frequencies and signal components of harmonics; a harmonic processing section disposed downstream of the class F amplifier, and capturing and circuit-setting an impedance of a parasitic circuit parasitic on the class F amplifier to provide a short circuit state for DC components of the signal and signal components of even order harmonics and an open circuit state for signal components of odd order harmonics; and a short-circuiting section disposed downstream of the harmonic processing section to provide a short circuit state for signal components of harmonics.

Description

本発明は、基本波周波数の異なる複数の入力信号を増幅するF級増幅回路及びこれを用いた送信装置に関する。   The present invention relates to a class F amplifier circuit that amplifies a plurality of input signals having different fundamental wave frequencies, and a transmitter using the same.

移動体基地局においては、マイクロ波を電力増幅して送信する場合がある。このマイクロ波の電力増幅に用いられる電力増幅器の種別としては、増幅素子への直流ゲートバイアスの違いにより、A級増幅器・AB級増幅器などが知られている。しかし、このAB級増幅器を用いたAB級増幅回路では大きな電力が消費されるので、実用上及び省エネルギーの観点から改善が望まれている。電力変換効率が高い増幅回路としては、F級増幅器・逆F級増幅器などが知られている。   In a mobile base station, there is a case where a microwave is amplified by power and transmitted. As types of power amplifiers used for microwave power amplification, class A amplifiers, class AB amplifiers, and the like are known depending on the difference in the DC gate bias to the amplification elements. However, since a large power is consumed in the class AB amplifier circuit using this class AB amplifier, improvement is desired from the viewpoint of practical use and energy saving. As amplifier circuits with high power conversion efficiency, class F amplifiers, inverse class F amplifiers, and the like are known.

F級増幅回路での消費電力を削減するためには、偶数次高調波の信号に対して短絡状態となり、奇数次高調波の信号に対して開放状態となるようにインピーダンス整合を行うことが必要である。以下、このようなインピーダンス整合をF級のインピーダンス条件を満たすという。   In order to reduce power consumption in the class F amplifier circuit, it is necessary to perform impedance matching so that the even harmonic signal is short-circuited and the odd harmonic signal is open. It is. Hereinafter, such impedance matching is referred to as a class F impedance condition.

そこで、例えば、特許文献1は、基本角周波数ωの成分及びその高調波成分の出力トランジスタと、負荷回路の入力ノードと出力ノードとの間に介設された第1のリアクタンス二端子回路と,出力ノードと接地端子との間に介設された第2リアクタンス二端子回路とを備えたF級増幅回路を開示している。この第1のリアクタンス二端子回路は,角周波数3ω,5ω,〜,(2m+1)ωにおいて開放になり,且つ,2ω,4ω,〜,2nωにおいて短絡になる。なお、nは1以上の自然数であり,mは,nが1である場合には1,nが2以上である場合にはn又はn−1のうちの一方である。また、第2リアクタンス二端子回路は,角周波数2ω,4ω,〜,2nωにおいて短絡になる。これにより、消費電力の削減を図っている。 Thus, for example, Patent Document 1 discloses an output transistor having a fundamental angular frequency ω 0 and its harmonic component, and a first reactance two-terminal circuit interposed between an input node and an output node of a load circuit. , A class F amplifier circuit including a second reactance two-terminal circuit interposed between an output node and a ground terminal is disclosed. The first terminal reactance circuit, the angular frequency 3 [omega] 0, 5 [omega] 0, ~, will open at (2m + 1) ω 0, and, 2ω 0, 4ω 0, ~ , shorted at 2nω 0. Note that n is a natural number of 1 or more, and m is 1 when n is 1 and 1 is n or n-1 when n is 2 or more. The second reactance two-terminal circuit is short-circuited at the angular frequencies 2ω 0 , 4ω 0 ,..., 2nω 0 . As a result, power consumption is reduced.

ところが、特許文献1にかかるF級増幅回路では、増幅器である出力トランジスタの出力端子に寄生シャント容量や寄生直列インダクタンスが存在しない理想的な回路を仮定している。しかし、現実の増幅器では、出力端子に寄生シャント容量(以下、単に寄生容量と記載する)や寄生直列インダクタンス(以下、単に寄生インダクタンスと記載する)が存在するため、高調波の信号成分に位相のずれが生じて、十分に消費電力を削減できない問題があった。   However, in the class F amplifier circuit according to Patent Document 1, an ideal circuit is assumed in which there is no parasitic shunt capacitance or parasitic series inductance at the output terminal of the output transistor that is an amplifier. However, in an actual amplifier, a parasitic shunt capacitance (hereinafter simply referred to as a parasitic capacitance) and a parasitic series inductance (hereinafter simply referred to as a parasitic inductance) are present at the output terminal. There was a problem that the power consumption could not be sufficiently reduced due to the deviation.

これに対し、特許文献2は、増幅器であるトランジスタの後段に、n段(n=1、2、3、…)の梯子型回路を有する高調波処理回路を設け、この高調波処理回路の後段に、それぞれの共振周波数が互いに異なる2n+1個の共振器を有する共振回路部を設けた増幅回路を開示している。そして、2n+1個の共振器の共振周波数を、高調波処理回路の出力部を短絡した場合にトランジスタのドレイン出力部および接地面との間に形成されるn+1個の極およびn個の零点の周波数にそれぞれ一致させる。2n+1個の共振器のうち、2n個の共振器の共振周波数を、2次から2n+1次の高調波の周波数にそれぞれ一致させる。これにより、寄生容量や寄生インダクタンスを有するトランジスタを用いた場合でも、F級のインピーダンス条件を満たすようになる。   On the other hand, in Patent Document 2, a harmonic processing circuit having an n-stage (n = 1, 2, 3,...) Ladder type circuit is provided at a subsequent stage of a transistor as an amplifier, and a subsequent stage of the harmonic processing circuit. 1 discloses an amplifying circuit provided with a resonance circuit unit having 2n + 1 resonators having different resonance frequencies. The resonance frequency of 2n + 1 resonators is the frequency of n + 1 poles and n zeros formed between the drain output part of the transistor and the ground plane when the output part of the harmonic processing circuit is short-circuited. To match each. Among the 2n + 1 resonators, the resonance frequency of the 2n resonators is matched with the frequency of the 2nd to 2n + 1 order harmonics. As a result, even when a transistor having parasitic capacitance or parasitic inductance is used, the F-class impedance condition is satisfied.

特開2005−117200号公報JP 2005-117200 A 特開2011−055152号公報JP 2011-055152 A

しかしながら、特許文献1、特許文献2に開示された高周波処理技術は、単一の周波数の信号のみを対象としているため、複数の周波数(マルチバンド)の信号に対してはF級のインピーダンス条件を満たすことができない問題があった。例えば、近年の移動体通信に求められるLTE・IMT−2000などが混在した通信規格や各国により異なる周波数帯に対して利用できるようにするためには、複数の周波数の信号に対してもF級のインピーダンス条件を満たす高周波処理が必要となる。   However, since the high-frequency processing techniques disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2 are intended only for signals of a single frequency, the F-class impedance condition is applied to signals of a plurality of frequencies (multiband). There was a problem that could not be met. For example, in order to be able to use for different frequency bands depending on the communication standard in which LTE / IMT-2000 and the like required for recent mobile communication are mixed, each class F signal High-frequency processing that satisfies the impedance condition is required.

従って、単一の周波数に対してのみ高周波処理を行う特許文献1、特許文献2にかかる構成では、かかる要求に応えることができない。   Therefore, the configuration according to Patent Document 1 and Patent Document 2 in which high-frequency processing is performed only on a single frequency cannot meet this requirement.

そこで、本発明の主目的は、基本波周波数の異なる複数の入力信号が入力する場合でも、各基本周波数に応じた高周波処理が行えるF級増幅回路及びこれを用いた送信装置を提供することである。   Therefore, a main object of the present invention is to provide a class F amplifier circuit capable of performing high frequency processing corresponding to each fundamental frequency even when a plurality of input signals having different fundamental frequency are input, and a transmitter using the same. is there.

上記課題を解決するため、F級増幅回路にかかる発明は、基本角周波数の異なる複数の信号をF級増幅し、該基本角周波数の信号成分及び、その高調波の信号成分を含んだ信号を出力するF級増幅器と、F級増幅器の後段に設けられて、当該F級増幅器に寄生する寄生回路におけるインピーダンスを取り込んで回路設定されることにより、信号の直流成分及び偶数次高調波の信号成分に対しては短絡状態とし、奇数次高調波の信号成分に対しては開放状態となる高調波処理部と、高調波処理部の後段に設けられて、高調波の信号成分に対しては短絡状態にする短絡部と、を備えることを特徴とする。   In order to solve the above-described problem, an invention relating to a class F amplifier circuit performs class F amplification on a plurality of signals having different fundamental angular frequencies, and obtains a signal including a signal component of the fundamental angular frequency and a harmonic signal component thereof. An output class F amplifier, and a circuit component that is provided after the class F amplifier and takes in impedance in a parasitic circuit parasitic to the class F amplifier, thereby setting the DC component of the signal and the signal component of the even-order harmonics Is placed in a short-circuited state, and the harmonic processing unit is opened for the odd-order harmonic signal component, and the harmonic processing unit is provided in the subsequent stage, and is short-circuited for the harmonic signal component. And a short-circuit portion to be put into a state.

また、送信装置にかかる発明は、上記F級増幅回路と、F級増幅回路からの信号を出力するアンテナ部と、を備えることを特徴とする。   The invention according to the transmission device includes the class F amplifier circuit and an antenna unit that outputs a signal from the class F amplifier circuit.

本発明によれば、基本波周波数の異なる複数の入力信号が入力する場合でも、それらの高調波の信号成分に対して高調波処理を行うことができるようになる。   According to the present invention, even when a plurality of input signals having different fundamental wave frequencies are input, harmonic processing can be performed on signal components of those harmonics.

本発明の第1の実施形態にかかる送信装置のブロック図である。It is a block diagram of the transmitter concerning the 1st Embodiment of the present invention. 第1の実施形態にかかるF級負荷回路のブロック図である。It is a block diagram of the class F load circuit concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態にかかるF級負荷回路の具体的回路例を示した図である。It is the figure which showed the specific circuit example of the class F load circuit concerning 1st Embodiment. 第1の実施形態にかかるF級増幅器の寄生回路と高調波処理部とを取り出して図示したF級負荷回路の具体回路例を示す図である。It is a figure which shows the specific circuit example of the class F load circuit which took out and showed the parasitic circuit and harmonic processing part of the class F amplifier concerning 1st Embodiment. 図4に示すF級負荷回路のインピーダンスの周波数特性を示す図である。It is a figure which shows the frequency characteristic of the impedance of the class F load circuit shown in FIG. 第1の実施形態にかかる高調波処理部をLC梯子で形成し,終端部を各高調波に対応するλ/4開放線路で形成した際の回路図である。It is a circuit diagram at the time of forming the harmonic processing part concerning 1st Embodiment with LC ladder, and forming the termination | terminus part with (lambda) / 4 open line corresponding to each harmonic. 図6に示すF級負荷回路のインピーダンスの周波数特性を示す図である。It is a figure which shows the frequency characteristic of the impedance of the class F load circuit shown in FIG. 本発明の第2実施形態にかかる短絡部をCRLH短絡線路により形成した場合のブロック図である。It is a block diagram at the time of forming the short circuit part concerning 2nd Embodiment of this invention by the CRLH short circuit line.

<第1の実施形態>
次に、本発明の実施の形態を、図を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の第1の実施形態にかかる送信装置2のブロック図である。
<First Embodiment>
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of a transmission apparatus 2 according to the first embodiment of the present invention.

送信装置2は、信号発生器11a〜11nを備える信号発生回路11、整合器12a〜12nを備える整合回路12、スイッチ13a〜13nを備えるスイッチ回路13、制御回路14、F級増幅器15、F級負荷回路20、アンテナ17a〜17nを備えるアンテナ部17を含んでいる。なお、nは2以上の正の整数であって、この送信装置2が高周波処理する周波数の数に対応している。そして、F級増幅器15とF級負荷回路20によりF級増幅回路10が形成されている。   The transmission apparatus 2 includes a signal generation circuit 11 including signal generators 11a to 11n, a matching circuit 12 including matching units 12a to 12n, a switch circuit 13 including switches 13a to 13n, a control circuit 14, a class F amplifier 15, and a class F. An antenna unit 17 including a load circuit 20 and antennas 17a to 17n is included. Note that n is a positive integer equal to or greater than 2, and corresponds to the number of frequencies that the transmission device 2 performs high-frequency processing. The class F amplifier 15 and the class F load circuit 20 form a class F amplifier circuit 10.

信号発生器11a〜11nは、周波数がそれぞれf,f,…,fの信号を発生して出力する。以下、この周波数を基本周波数といい、この基本周波数に対応する角周波数を基本角周波数という。このような基本周波数として、LTE(Long Term Evolution)規格の携帯電話に使用される周波数では、欧州での使用周波数帯に用いられる791〜821MHz、日本での使用周波数帯に用いられる2.11GH〜2.17GHzの周波数等が例示できる。 The signal generators 11a to 11n generate and output signals having frequencies f 0 , f 1 ,..., F n , respectively. Hereinafter, this frequency is referred to as a fundamental frequency, and an angular frequency corresponding to this fundamental frequency is referred to as a fundamental angular frequency. As such a basic frequency, in a frequency used for a mobile phone of LTE (Long Term Evolution) standard, 791 to 821 MHz used in a frequency band used in Europe, and 2.11 GHz used in a frequency band used in Japan. Examples include a frequency of 2.17 GHz.

整合器12a〜12nは、信号発生回路11から出力される基本周波数の異なる入力信号の数に対応して設けられて、その入力信号に対応したインピーダンス整合を行う。   The matching units 12a to 12n are provided corresponding to the number of input signals having different fundamental frequencies output from the signal generation circuit 11, and perform impedance matching corresponding to the input signals.

スイッチ13a〜13nは、整合器12a〜12nから出力される基本周波数の異なる信号の数に対応して設けられて、後述する制御回路14からの選択信号に基づき動作する。   The switches 13a to 13n are provided corresponding to the number of signals having different fundamental frequencies output from the matching units 12a to 12n, and operate based on a selection signal from the control circuit 14 described later.

制御回路14は、周波数情報に基づき基本周波数の異なる複数の信号のうちの1つの信号を選択するように選択信号をスイッチ回路13に出力する。この選択信号は、複数のスイッチ13a〜13nのうちの1つのスイッチをONさせ、他のスイッチをOFFさせる信号である。なお、周波数情報は、予め設定された周波数情報、または外部から指示された情報である。予め設定された周波数情報としては、この本発明にかかる送信装置が送信する環境下における基本周波数が、送信装置の設置時に登録されているような場合の登録情報が例示できる。また、外部から指示された情報としては、上位の制御装置から、送信する基本周波数が指示されるような場合が例示できる。これにより、スイッチ回路13は、選択信号で指示された整合器12a〜12nからの信号を選択して出力する。   The control circuit 14 outputs a selection signal to the switch circuit 13 so as to select one signal among a plurality of signals having different fundamental frequencies based on the frequency information. This selection signal is a signal that turns on one of the plurality of switches 13a to 13n and turns off the other switches. The frequency information is preset frequency information or information instructed from the outside. Examples of the preset frequency information include registration information in a case where the fundamental frequency in the environment transmitted by the transmission device according to the present invention is registered when the transmission device is installed. Further, the information instructed from the outside can be exemplified by a case in which a fundamental frequency to be transmitted is instructed from a higher-level control device. Thereby, the switch circuit 13 selects and outputs the signals from the matching units 12a to 12n designated by the selection signal.

なお、本発明は、複数の基本周波数の入力信号に対してF級のインピーダンス条件を満たすF級増幅回路及びこれを用いた送信装置を提供することであるので、スイッチ回路や制御回路等のF級増幅回路の前段に設けられる回路により制限を受けないことをあえて付言する。   The present invention is to provide a class F amplifier circuit that satisfies a class F impedance condition for input signals having a plurality of fundamental frequencies and a transmission device using the class F amplifier circuit. I will add that I am not restricted by the circuit provided before the class amplifier circuit.

F級増幅器15は、入力信号をF級増幅して出力する。このF級増幅器15としてHEMT(High Electron Mobility Transistor)等の電界効果トランジスタ(FET)やHBT(Heterojunction Bipolar Transistor)等が例示できる。このとき、F級増幅器15から出力される信号には、基本周波数の信号成分と、その高調波の信号成分が含まれる。   The class F amplifier 15 amplifies the input signal by class F and outputs it. Examples of the class F amplifier 15 include a field effect transistor (FET) such as a HEMT (High Electron Mobility Transistor), an HBT (Heterojunction Bipolar Transistor), and the like. At this time, the signal output from the class F amplifier 15 includes a signal component of the fundamental frequency and a signal component of its harmonics.

F級負荷回路20は、F級増幅器15からの信号の基本周波数に応じて、このF級増幅器15における寄生成分も含めたインピーダンス等の整合処理(高調波処理)を行う。即ち、F級負荷回路20のインピーダンスとF級増幅器15の寄生ドレイン・ソース間シャント容量、寄生ドレイン直列インダクタを含めたインピーダンスとの合成インピーダンスにより、少なくとも入力信号の2次、3次高調波の信号成分に対して、F級のインピーダンス条件が満たされるように構成されている。   The class F load circuit 20 performs matching processing (harmonic processing) such as impedance including parasitic components in the class F amplifier 15 according to the fundamental frequency of the signal from the class F amplifier 15. That is, at least the second and third harmonic signals of the input signal are obtained by the combined impedance of the impedance of the class F load circuit 20 and the impedance including the parasitic drain-source shunt capacitance of the class F amplifier 15 and the parasitic drain series inductor. The component is configured so that the F-class impedance condition is satisfied.

なお、F級増幅回路10において、偶数次高調波に対しては短絡状態となり、奇数次高調波に対しては開放状態となる条件は、先に定義したF級のインピーダンス条件である。   In the class F amplifier circuit 10, the condition that the short circuit state is provided for even-order harmonics and the open state is provided for odd-order harmonics is the class F impedance condition defined above.

アンテナ17a〜17nは、各基本周波数に対応して設けられている。従って、例えば基本周波数fの信号はアンテナ17aから出力され、基本周波数fの信号はアンテナ17bから出力される。 The antennas 17a to 17n are provided corresponding to each fundamental frequency. Thus, for example, the signal of the fundamental frequency f 0 is output from the antenna 17a, the signal of the fundamental frequency f 1 is outputted from the antenna 17b.

次に、F級増幅回路10の詳細な構成を、図2を参照して説明する。図2は、F級負荷回路20のブロック図である。なお、図2においては、F級増幅器15の等価回路及びアンテナ部17の等価回路も合わせて図示している。   Next, the detailed configuration of the class F amplifier circuit 10 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a block diagram of the class F load circuit 20. In FIG. 2, an equivalent circuit of the class F amplifier 15 and an equivalent circuit of the antenna unit 17 are also illustrated.

F級増幅器15の等価回路は、等価出力電流源15aと、F級増幅器15のドレイン出力端子とソース端子間に発生するドレイン・ソース間の寄生容量15b、ドレイン出力端子に発生する寄生インダクタ15cを含んでいる。そして、この寄生容量15bと寄生インダクタ15cとにより、寄生回路15dが構成されている。   The equivalent circuit of the class F amplifier 15 includes an equivalent output current source 15a, a drain-source parasitic capacitance 15b generated between the drain output terminal and the source terminal of the class F amplifier 15, and a parasitic inductor 15c generated at the drain output terminal. Contains. The parasitic capacitance 15b and the parasitic inductor 15c constitute a parasitic circuit 15d.

F級負荷回路20は、F級増幅器15の出力端子に接続される高調波処理部21、高調波処理部21の出力端子にシャント接続される短絡部22A、基本周波数の入力信号に対してインピーダンス整合を行う基本波整合部23を備えている。   The class F load circuit 20 includes a harmonic processing unit 21 connected to the output terminal of the class F amplifier 15, a short circuit unit 22A shunt connected to the output terminal of the harmonic processing unit 21, and an impedance with respect to an input signal having a fundamental frequency. A fundamental wave matching unit 23 for matching is provided.

F級増幅器15からの信号には、基本周波数の信号成分と、その高調波の信号成分とが含まれる。また、寄生回路15dにより、ドレイン出力端子ノードにおける信号には位相にずれが生じる。このとき、多数存在する高調波の信号成分のドレイン出力端子における位相は、寄生回路によりずれてしまう。   The signal from the class F amplifier 15 includes a fundamental frequency signal component and a harmonic signal component thereof. The parasitic circuit 15d causes a phase shift in the signal at the drain output terminal node. At this time, the phase at the drain output terminal of a large number of harmonic signal components is shifted by the parasitic circuit.

従って、等価出力電流源15aからアンテナ(負荷)17側をみた際の高調波のインピーダンス条件を開放状態や短絡状態に設定する高調波処理部21においては、これら寄生回路の存在を考慮してF級のインピーダンス条件を満たすように回路を形成する必要がある。以下、アンテナ17を適宜負荷17と記載する。   Therefore, in the harmonic processing unit 21 that sets the impedance condition of the harmonic when the antenna (load) 17 side is viewed from the equivalent output current source 15a to the open state or the short-circuit state, the presence of these parasitic circuits is taken into consideration. It is necessary to form a circuit so as to satisfy the impedance condition of the class. Hereinafter, the antenna 17 is referred to as a load 17 as appropriate.

図3は、F級負荷回路20の具体回路構成例を示した図である。なお、図3においては、F級増幅器15の等価回路及びアンテナ部17の等価回路も合わせて図示されている。F級負荷回路20は、2つの基本周波数の信号及びその高調波の信号成分が入力して、これらに対して高調波処理が行われる。   FIG. 3 is a diagram illustrating a specific circuit configuration example of the class F load circuit 20. In FIG. 3, an equivalent circuit of the class F amplifier 15 and an equivalent circuit of the antenna unit 17 are also shown. The class F load circuit 20 receives two fundamental frequency signals and harmonic signal components thereof, and performs harmonic processing on these signals.

高調波処理部21は、それぞれインダクタンスがL,L,Lの第1のインダクタ21a,第2インダクタ21b,第3インダクタ21cを備えると共に、それぞれ容量がC,Cの第1のキャパシタ21d、第2キャパシタ21eを備える。 The harmonic processing unit 21 includes a first inductor 21a, a second inductor 21b, and a third inductor 21c having inductances L 0 , L 1 , and L 2 , respectively, and first capacitors having capacitances C 1 and C 2 , respectively. A capacitor 21d and a second capacitor 21e are provided.

従って、F級増幅器15における寄生容量15b及び寄生インダクタ15cにより形成される寄生回路15dと、高調波処理部21の第1の〜第3インダクタ21a〜21c、第1の,第2キャパシタ21d,21eとにより、3段のLC梯子型回路が形成されている。   Accordingly, the parasitic circuit 15d formed by the parasitic capacitance 15b and the parasitic inductor 15c in the class F amplifier 15, the first to third inductors 21a to 21c of the harmonic processing unit 21, the first and second capacitors 21d and 21e. Thus, a three-stage LC ladder type circuit is formed.

また、短絡部22Aは、2つの基本周波数の信号の2次及び3次高調波の信号成分に対するλ/4長のオープンスタブ(開放線路)22a〜22dを備えている。なお、λは基本周波数の信号の波長である。従って、2つの基本周波数の信号に対して、λ1、λ2のように2つの波長が定義される。そして、例えば、波長λ1の信号の2次高調波の信号成分に対してはオープンスタブ22aが短絡端として機能し、3次高調波の信号成分に対してはオープンスタブ22bが短絡端として機能する。同様に、波長λ2の信号の2次高調波の信号成分に対してはオープンスタブ22cが短絡端として機能し、3次高調波の信号成分に対してはオープンスタブ22dが短絡端として機能する。   Further, the short-circuit portion 22A includes λ / 4-length open stubs (open lines) 22a to 22d for the signal components of the second and third harmonics of the two fundamental frequency signals. Note that λ is the wavelength of the signal having the fundamental frequency. Therefore, two wavelengths such as λ1 and λ2 are defined for signals of two fundamental frequencies. For example, the open stub 22a functions as a short-circuited end for the signal component of the second harmonic of the signal of wavelength λ1, and the open stub 22b functions as a short-circuited end for the signal component of the third harmonic. . Similarly, the open stub 22c functions as a short-circuited end for the signal component of the second harmonic of the signal of wavelength λ2, and the open stub 22d functions as a short-circuited end for the signal component of the third harmonic.

基本波整合部23は、2つの基本周波数の信号に対応して設けられた整合器23a,23bを備えている。各整合器23a,23bは、基本周波数の信号がLC共振するように形成されたLC並列回路であり、それぞれ一方の信号のみを出力させる。これにより基本波整合部23の各整合器23a,23bには、2種類の基本周波数の信号が入力するが、それぞれの整合器23a,23bを通過できるのは一方の基本周波数の信号のみである。このため、各整合器23a,23bからは、当該整合器23a,23bの回路定数(共振常数)に対応した基本周波数の信号のみが出力される。このことから、基本波整合部23は、2ポート出力を形成している。このように2ポートとすることで、図1に示すように送信装置のアンテナ部17が2つのアンテナを備えて、基本周波数の異なる2つの信号を選択的に出力する場合に利用できる。   The fundamental wave matching unit 23 includes matching units 23a and 23b provided corresponding to signals of two fundamental frequencies. Each of the matching units 23a and 23b is an LC parallel circuit formed so that a fundamental frequency signal resonates, and outputs only one signal. As a result, two types of fundamental frequency signals are input to the matching units 23a and 23b of the fundamental wave matching unit 23, but only one fundamental frequency signal can pass through each matching unit 23a and 23b. . For this reason, each matching unit 23a, 23b outputs only a signal having a fundamental frequency corresponding to the circuit constant (resonance constant) of the matching unit 23a, 23b. From this, the fundamental wave matching unit 23 forms a 2-port output. By using two ports in this way, as shown in FIG. 1, the antenna unit 17 of the transmitting apparatus can be used when two signals having different fundamental frequencies are selectively output by including two antennas.

そして、図3においては、説明を簡単にするために、基本波整合部23が入力信号の基本周波数に対応したLC共振回路のみで構成されて、各入力周波数に対応する効率最適負荷インピーダンスに相当する負荷17(17a,17b)が用いられている。この負荷17は通常50Ω程度の値に設定されていることが多い。このため、必要に応じて伝送線路や集中定数素子等が基本波整合部23に付加されることにより、インピーダンス整合が行なわれる。   In FIG. 3, for simplicity of explanation, the fundamental wave matching unit 23 is composed of only an LC resonance circuit corresponding to the fundamental frequency of the input signal, and corresponds to an optimum efficiency load impedance corresponding to each input frequency. A load 17 (17a, 17b) is used. The load 17 is usually set to a value of about 50Ω. For this reason, impedance matching is performed by adding a transmission line, a lumped constant element, or the like to the fundamental wave matching unit 23 as necessary.

以下、全ての周波数に対して高調波処理部21が短絡状態にある理想的な場合(図4に示す構成)を起点として本発明にかかるインピーダンス整合の原理(高調波処理の原理)を説明する。   Hereinafter, the principle of impedance matching (the principle of harmonic processing) according to the present invention will be described starting from an ideal case (configuration shown in FIG. 4) in which the harmonic processing unit 21 is short-circuited for all frequencies. .

図4は、F級増幅器15の寄生回路15dと、高調波処理部21とを取り出し、高調波処理部21の出力端子を短絡した理想的な場合を示した図である。図4において、2つの入力信号の基本周波数をω、ω(ω<ω)とする。F級増幅器15は、2つの異なる基本周波数ω、ωの信号を増幅して出力する。その際に、出力される信号には高調波の信号成分も含まれる。 FIG. 4 is a diagram showing an ideal case where the parasitic circuit 15d of the class F amplifier 15 and the harmonic processing unit 21 are taken out and the output terminal of the harmonic processing unit 21 is short-circuited. In FIG. 4, let the fundamental frequencies of two input signals be ω 0 and ω 101 ). The class F amplifier 15 amplifies and outputs signals of two different fundamental frequencies ω 0 and ω 1 . At that time, the output signal includes a harmonic signal component.

このとき、2次の高調波の周波数2ω,2ωと、3次の高調波の周波数3ω,3ωとには、2ω<3ω<2ω<3ω1の関係が成り立つとする。このとき、入力アドミタンスYFin(s)は、式1で与えられる。

Figure 2013055405
At this time, it is assumed that the relationship of 2ω 0 <3ω 0 <2ω 1 <3ω1 is established between the frequencies 2ω 0 and 2ω 1 of the second harmonic and the frequencies 3ω 0 and 3ω 1 of the third harmonic. At this time, the input admittance YFin (s) is given by Equation 1.

Figure 2013055405

ここで、jは複素数であり、sをs=jωと定義する。また、Lは合成インダクタンスL=L+Lである。 Here, j is a complex number, and s is defined as s = jω. L p is the combined inductance L p = L d + L 0 .

一方、図4は、純リアクタンス1端子対回路網と見ることができる。純リアクタンス1端子対回路網のアドミタンス特性は、式2により示すことができる。

Figure 2013055405
On the other hand, FIG. 4 can be viewed as a pure reactance one-terminal pair network. The admittance characteristics of a pure reactance one-terminal pair network can be expressed by Equation 2.

Figure 2013055405

このように同一回路のアドミタンスは、式1と式2との2通りの表現が可能である。式2において、Ω、Ω、Ωは、アドミタンス関数の分子が零になる角周波数であり、インピーダンス関数の極を表す角周波数を示している。同様に式2において、Ω、Ωは、アドミタンス関数の分母が零になる角周波数であり、インピーダンス関数が零点となる角周波数を示している。なお、式2において、M=a/bである。また、a、a、a、a、b、b、bは、図4に示す回路のアドミタンスを有利関数表記した際の各次数の係数である。 In this way, the admittance of the same circuit can be expressed in two ways: Equation 1 and Equation 2. In Equation 2, Ω 1 , Ω 3 , and Ω 5 are angular frequencies at which the numerator of the admittance function becomes zero, and indicate angular frequencies that represent the poles of the impedance function. Similarly, in Expression 2, Ω 2 and Ω 4 are angular frequencies at which the denominator of the admittance function becomes zero, and indicate angular frequencies at which the impedance function becomes zero. In Equation 2, M = a 6 / b 5 is satisfied. Further, a 0 , a 2 , a 4 , a 6 , b 1 , b 3 , and b 5 are coefficients of respective orders when the admittance of the circuit shown in FIG.

そこで、式2により等価出力電流源15aから負荷側を見込んだ各高調波の信号成分に対するインピーダンスを零又は無限大(極)に設定する。即ち、アドミタンスを無限大(インピーダンスの零に対応)、又は零(インピーダンスの極に対応)に設定して、F級のインピーダンス条件を設定する。また、F級動作と無関係の極は、F級増幅器15の寄生回路15dにより発生させる。   Therefore, the impedance for each harmonic signal component of the equivalent output current source 15a from the equivalent output current source 15a is set to zero or infinite (pole) according to Equation 2. That is, the admittance is set to infinity (corresponding to the impedance zero) or zero (corresponding to the impedance pole), and the F-class impedance condition is set. In addition, a pole unrelated to the class F operation is generated by the parasitic circuit 15 d of the class F amplifier 15.

これにより、F級増幅器15の寄生回路15dを取り込んだ状態で、等価出力電流源15aから負荷側を見た周波数特性は、複数の基本波周波数の信号に対してF級動作するようになる。   As a result, the frequency characteristic of the load side viewed from the equivalent output current source 15a in the state in which the parasitic circuit 15d of the class F amplifier 15 is taken in operates in class F for signals of a plurality of fundamental frequencies.

例えば、ω、ωを基本波角周波数とし、式2において、Ω=2ω、Ω=2ωを零点とする。また、Ω=3ω、Ω=3ωを極とする。このとき、Ωは、F級増幅器15における寄生回路15dに対する擬似共振角周波数となる。 For example, ω 0 and ω 1 are fundamental wave angular frequencies, and in Equation 2, Ω 2 = 2ω 0 and Ω 4 = 2ω 1 are zero points. Further, Ω 3 = 3ω 0 and Ω 5 = 3ω 1 are poles. At this time, Ω 1 is a quasi-resonant angular frequency for the parasitic circuit 15 d in the class F amplifier 15.

上述したように基本周波数及び、高調波処理する次数の高調波を設定することにより、式3〜式5に示すように回路パラメータが設定できる。

Figure 2013055405
As described above, the circuit parameters can be set as shown in Equations 3 to 5 by setting the fundamental frequency and the harmonics of the order of harmonic processing.

Figure 2013055405


Figure 2013055405

Figure 2013055405


Figure 2013055405

Figure 2013055405

次に、F級動作の以下のモデルの下で行った検証シミュレーション結果について説明する。モデルとして、2つの入力信号の基本周波数をf=ω/2π=0.8GHz,f=ω/2π=2.14GHzとし、寄生容量をCds=0.262pF、寄生インダクタンスをL=0.013nHとする。 Next, verification simulation results performed under the following model of class F operation will be described. As a model, the fundamental frequency of the two input signals is f 0 = ω 0 /2π=0.8 GHz, f 1 = ω 1 /2π=2.14 GHz, the parasitic capacitance is C ds = 0.262 pF, and the parasitic inductance is L d = 0.013 nH.

このとき、L+L=3.5nHと設定した場合、Ω/2π=1.23GHz(Ω/2π<2ω/2π=1.6GHz)となる。また、C=0.63pF、L=6.11nH、C=4.32pF、L=2.91nHとなり、現実的に入手可能な容量及びインダクタンスの値が得られる。 At this time, when L d + L 0 = 3.5 nH is set, Ω 1 /2π=1.23 GHz (Ω 0 / 2π <2ω 0 /2π=1.6 GHz). Further, C 1 = 0.63 pF, L 1 = 6.11 nH, C 2 = 4.32 pF, and L 2 = 2.91 nH, and practically available capacitance and inductance values can be obtained.

図5は、図4に示す純リアクタンス1端子対回路網における各容量Cds,C、C、及び、各インダクタンスL,L,L,Lを、上述した値に設定した際のインピーダンスの周波数特性を示している。図5の横軸は、周波数を示し、縦軸はインピーダンスを示している。 In FIG. 5, the capacitances C ds , C 1 , C 2 and the inductances L d , L 0 , L 1 , L 2 in the pure reactance one-terminal pair network shown in FIG. 4 are set to the above-described values. The frequency characteristic of the impedance is shown. The horizontal axis in FIG. 5 indicates the frequency, and the vertical axis indicates the impedance.

同図において、周波数2f,2fは、基本周波数f,fの2次高調波の周波数であり、周波数3f,3fは、3次高調波の周波数である。図5からわかるように、等価出力電流源15a側からみたインピーダンスは、偶数次高調波の周波数2f、2fの信号成分に対して短絡となり、奇数次高調波の周波数3f,3fの信号成分に対して開放となっている。即ち、基本周波数の異なる2つの入力信号に対して、F級のインピーダンス条件が満されている。 In the figure, frequencies 2f 0 and 2f 1 are the frequencies of the second harmonics of the fundamental frequencies f 0 and f 1 , and the frequencies 3f 0 and 3f 1 are the frequencies of the third harmonic. As can be seen from FIG. 5, the impedance viewed from the equivalent output current source 15a side is short-circuited with respect to the signal components of the even-order harmonic frequencies 2f 0 and 2f 1 and the frequencies of the odd-order harmonic frequencies 3f 0 and 3f 1 . Open to signal components. That is, class F impedance conditions are satisfied for two input signals having different fundamental frequencies.

このように、全ての周波数に対して高調波処理部21が短絡状態にある理想的な場合に、基本周波数の異なる2つの入力信号に対して、F級のインピーダンス条件を満す容量C、C、L、Lを設定することができる。 In this way, in the ideal case where the harmonic processing unit 21 is in a short-circuited state for all frequencies, the capacitance C 1 that satisfies the class F impedance condition for two input signals having different fundamental frequencies, C 2 , L 1 and L 2 can be set.

しかしながら、現実には、図4に示したように高調波処理部21の出力端子は接地されていない。即ち、現実には、図4に示す理想的な状態は実現されない。そこで、図6に示すように、短絡部22Aを設けて、使用する周波数又はその近傍の周波数で短絡状態となるように調整する。図6に示す短絡部22Aでは、各高調波の信号成分に対するλ/4オープンスタブ22a〜22dを用いて、特定の周波数(ここでは偶数次高調波の周波数2f、2fの信号成分)に対して短絡状態を実現する。なお、図6は高調波処理部21をLC梯子で形成し、終端部を各高調波に対応するλ/4開放線路で形成した際の回路図である。 In reality, however, the output terminal of the harmonic processing unit 21 is not grounded as shown in FIG. That is, in reality, the ideal state shown in FIG. 4 is not realized. Therefore, as shown in FIG. 6, a short circuit portion 22 </ b> A is provided and adjusted so as to be in a short circuit state at a frequency to be used or a frequency in the vicinity thereof. In the short-circuit portion 22A shown in FIG. 6, the λ / 4 open stubs 22a to 22d for the signal components of the respective harmonics are used to set a specific frequency (here, the signal components of the even-order harmonic frequencies 2f 0 and 2f 1 ). On the other hand, a short-circuit state is realized. FIG. 6 is a circuit diagram when the harmonic processing unit 21 is formed of an LC ladder and the terminal unit is formed of a λ / 4 open line corresponding to each harmonic.

このようにして高調波に対するF級のインピーダンス条件を満たした後に、F級増幅器15の最適負荷インピーダンスとなるように、基本波整合部23を機能させている。   After satisfying the class F impedance condition for the harmonics in this way, the fundamental wave matching unit 23 is made to function so that the optimum load impedance of the class F amplifier 15 is obtained.

図7は、図6に示す負荷17の値を50Ωとした時のF級負荷回路20におけるインピーダンスの周波数特性である。偶数次、奇数次の各高調波の周波数(2f,3f,2f,3f)以外の周波数において、式2からずれた振る舞いも見られるが、偶数次高調波の信号に対しては短絡状態となり、奇数次高調波の信号に対しては開放状態となっている。 FIG. 7 shows frequency characteristics of impedance in the class F load circuit 20 when the value of the load 17 shown in FIG. Although there are behaviors that deviate from Equation 2 at frequencies other than even-order and odd-order harmonic frequencies (2f 0 , 3f 0 , 2f 1 , 3f 1 ), for even-order harmonic signals, It is in a short-circuit state and is in an open state with respect to odd harmonic signals.

以上説明したように、基本周波数の異なる複数の入力信号に対してもF級のインピーダンス条件を満たした高調波処理が行えるようになる。従って、それぞれ異なる基本周波数の信号に対しても、消費電力の抑制が効率良く行えるF級増幅回路及び送信装置が提供できるようになる。   As described above, harmonic processing that satisfies the class F impedance condition can be performed for a plurality of input signals having different fundamental frequencies. Accordingly, it is possible to provide a class F amplifier circuit and a transmission apparatus that can efficiently suppress power consumption even for signals having different fundamental frequencies.

また、1つのF級増幅回路で、基本周波数の異なる複数の信号に対してF級のインピーダンス条件を満たす高調波処理が行えるので、このF級増幅回路を搭載する際の搭載面積が小さくなる。
<第2の実施形態>
次に、本発明の第2の実施形態を説明する。なお、第1の実施形態と同一構成に関しては、同一符号を用いて説明を適宜省略する。
In addition, since one class F amplifier circuit can perform harmonic processing satisfying the class F impedance condition for a plurality of signals having different fundamental frequencies, the mounting area for mounting the class F amplifier circuit is reduced.
<Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described. In addition, about the same structure as 1st Embodiment, description is abbreviate | omitted suitably using the same code | symbol.

第1の実施形態においては、短絡部を各高調波の信号の波長λの1/4の長さに設定されたオープンスタブ22a〜22dにより構成した。これに対し、本実施形態においては、全て又は一部の高調波の信号成分に対して短絡状態となるように、LC並列共振回路又はCRLH(Composite Right and Left Hand)短絡線路回路により構成した。   In 1st Embodiment, the short circuit part was comprised by the open stubs 22a-22d set to 1/4 length of wavelength (lambda) of the signal of each harmonic. In contrast, in the present embodiment, an LC parallel resonance circuit or a CRLH (Composite Light and Left Hand) short circuit line circuit is configured so as to be in a short circuit state with respect to all or some of the harmonic signal components.

図8は、CRLH短絡線路により形成された短絡部22Bのブロック図である。短絡部22Bは、同一のインダクタンスを有するインダクタンスLの第1、第2インダクタ27a,27b及び、容量Cの第1〜第3キャパシタ26a〜26cを備える。また、所定の動作を行なうために電気長、及び、特性インピーダンスが調整された第1、第2伝送線路25a,25bを備える。 FIG. 8 is a block diagram of the short-circuit portion 22B formed by the CRLH short-circuit line. Short unit 22B, first, second inductor 27a of the inductance L L having the same inductance, 27b and includes first to third capacitors 26a~26c capacitance C L. In addition, the first and second transmission lines 25a and 25b, in which the electrical length and the characteristic impedance are adjusted to perform a predetermined operation, are provided.

第1伝送線路と第2伝送線路との間には、第1キャパシタ〜第3キャパシタが直列接続されている。また、第1インダクタは第1キャパシタと第2キャパシタとの接続点と接地点との間をシャント接続し、第2インダクタは第2キャパシタと第3キャパシタとの接続点と接地点との間をシャント接続している。第2伝送線路25bの終端は、接地されている。   A first capacitor to a third capacitor are connected in series between the first transmission line and the second transmission line. The first inductor is shunt-connected between the connection point between the first capacitor and the second capacitor and the ground point, and the second inductor is connected between the connection point between the second capacitor and the third capacitor and the ground point. Shunt connected. The terminal end of the second transmission line 25b is grounded.

このように短絡部22BをCRLH短絡線路を用いて形成し、複数の高調波の信号に対して短絡条件を満たすように各要素の値を設定する。但し、例えば、2ω・2ω・3ω・3ωの4つの角周波数を持つ高調波の信号成分に対してF級のインピーダンス条件を満たすようにする場合には、2対のCRLH開放線路を設ける必要がある。これにより複数の高調波の信号成分に対してF級のインピーダンス条件を満たすことが可能になる。 In this way, the short-circuit portion 22B is formed using the CRLH short-circuit line, and the value of each element is set so as to satisfy the short-circuit condition for a plurality of harmonic signals. However, for example, when satisfying the F-class impedance condition for the harmonic signal components having four angular frequencies of 2ω 0 · 2ω 1 · 3ω 0 · 3ω 1 , two pairs of CRLH open lines It is necessary to provide. This makes it possible to satisfy the class F impedance condition for a plurality of harmonic signal components.

なお、上述した各実施形態においては、整合器23a,23bをLC並列共振回路で構成し、2つの基本波周波数の信号を周波数毎に分離した。そして、負荷17a,17bをそれぞれの基本波周波数ごとに設けることで、2ポート出力構成とした。しかし、信号を送信するアンテナ部17が2つの基本波周波数に対応している場合には、基本波整合部23で2つの基本波周波数の信号に対応させてインピーダンス整合が行なえる。従って、このような場合には、ポートは1ポート出力とすることができる。   In each of the above-described embodiments, the matching units 23a and 23b are configured by LC parallel resonance circuits, and two fundamental frequency signals are separated for each frequency. And the load 17a, 17b was provided for each fundamental wave frequency, and it was set as 2 port output structure. However, when the antenna unit 17 that transmits a signal supports two fundamental wave frequencies, the fundamental wave matching unit 23 can perform impedance matching corresponding to the signals of the two fundamental wave frequencies. Therefore, in such a case, the port can be set to one port output.

また、上記各実施形態においては、基本周波数の異なる2つの入力信号を考え、その2次、3次高調波に対する高調波処理を例に説明したが、本発明は、かかる数に限定されない。   In each of the above embodiments, two input signals having different fundamental frequencies are considered, and the harmonic processing for the second and third harmonics has been described as an example. However, the present invention is not limited to such a number.

但し、F級増幅器の寄生回路のインピーダンスを考慮したF級のインピーダンス条件を設定する際には、極と零点との周波数が交互に現れることを条件として、連分数展開によりLC梯子型の素子値を設定する。   However, when setting the F-class impedance condition considering the impedance of the parasitic circuit of the F-class amplifier, the LC ladder type element value is obtained by continuous fraction expansion on the condition that the frequency of the pole and the zero appears alternately. Set.

なお、用いる入力信号の高調波の周波数がこの条件を満たさない場合には、適当な周波数を定め、極と零点の周波数が交互に現れるようにインピーダンスに極又は零点を追加する。即ち、シャント容量や直列インダクタンスを追加することで、追加した極又は零点に対応することが可能になる。   When the harmonic frequency of the input signal to be used does not satisfy this condition, an appropriate frequency is determined and a pole or zero is added to the impedance so that the frequency of the pole and zero appears alternately. That is, by adding a shunt capacitance or series inductance, it is possible to cope with the added pole or zero.

さらに、上記の実施形態では、高調波処理部を、LC梯子を用いた集中定数回路により構成したが、ステップ型のマイクロストリップ伝送路やコプレーナ伝送路といった分布定数回路に変換することもできる。   Furthermore, in the above embodiment, the harmonic processing unit is configured by a lumped constant circuit using an LC ladder, but can be converted to a distributed constant circuit such as a step type microstrip transmission line or a coplanar transmission line.

また、集中定数素子の自己共振周波数を超える周波数帯についても、本発明にかかるF級増幅回路が適用し得る。   The class F amplifier circuit according to the present invention can also be applied to a frequency band exceeding the self-resonant frequency of the lumped constant element.

2 送信装置
11 信号発生回路
11a〜11n 信号発生器
12 整合回路
12a〜12n 整合器
13 スイッチ回路
13a〜13n スイッチ
14 制御回路
15a 等価出力電流源
15b 寄生容量
15c 寄生インダクタ
15d 寄生回路
17 アンテナ部
17a〜17n アンテナ(負荷)
21 高調波処理部
21a 第1のインダクタ
21b 第2インダクタ
21c 第3インダクタ
21d 第1のキャパシタ
21e 第2キャパシタ
22a〜22d オープンスタブ(開放線路)
22A,22B 短絡部
23 基本波整合部
23a,23b 整合器
25a,25b 第2伝送線路
27a,27b 第2インダクタ
2 Transmitter 11 Signal generator circuit 11a to 11n Signal generator 12 Matching circuit 12a to 12n Matching device 13 Switch circuit 13a to 13n Switch 14 Control circuit 15a Equivalent output current source 15b Parasitic capacitance 15c Parasitic inductor 15d Parasitic circuit 17 Antenna unit 17a to 17n antenna (load)
21 harmonic processing unit 21a first inductor 21b second inductor 21c third inductor 21d first capacitor 21e second capacitor 22a to 22d open stub (open line)
22A, 22B Short-circuit part 23 Fundamental wave matching part 23a, 23b Matching device 25a, 25b Second transmission line 27a, 27b Second inductor

Claims (10)

信号をF級増幅して出力するF級増幅回路であって、
基本角周波数の異なる複数の信号をF級増幅し、該基本角周波数の信号成分及び、その高調波の信号成分を含んだ信号を出力するF級増幅器と、
前記F級増幅器の後段に設けられて、当該F級増幅器に寄生する寄生回路のインピーダンスを取り込んで回路設定されることにより、前記信号の直流成分及び偶数次高調波の信号成分に対しては短絡状態とし、奇数次高調波の信号成分に対しては開放状態となる高調波処理部と、
前記高調波処理部の後段に設けられて、高調波の信号成分に対しては短絡状態にする短絡部と、を備えることを特徴とするF級増幅回路。
A class F amplifier circuit that amplifies a signal and outputs it,
A class F amplifier that amplifies a plurality of signals having different fundamental angular frequencies and outputs a signal including a signal component of the fundamental angular frequency and a harmonic signal component thereof;
A short circuit is provided for the DC component of the signal and the signal component of the even-order harmonics by providing the impedance of the parasitic circuit parasitic to the class F amplifier and setting the circuit by being provided in the subsequent stage of the class F amplifier. A harmonic processing unit that is in an open state for signal components of odd harmonics,
A class F amplifier circuit, comprising: a short circuit provided in a subsequent stage of the harmonic processing unit and configured to short circuit a harmonic signal component.
請求項1に記載のF級増幅回路であって、
前記短絡部の後段に設けられて、基本角周波数の信号成分のインピーダンス整合を行う基本波整合部と、
該基本波整合部の出力端子と接地端子を接続する負荷と、を備えることを特徴とするF級増幅回路。
The class F amplifier circuit according to claim 1,
A fundamental wave matching unit that is provided in a subsequent stage of the short-circuit unit and performs impedance matching of the signal component of the fundamental angular frequency;
A class F amplifier circuit comprising: a load connecting an output terminal of the fundamental wave matching unit and a ground terminal.
請求項1又は2に記載のF級増幅回路であって、
前記寄生回路は、前記F級増幅器の寄生ドレイン・ソース間のシャント容量と、寄生ドレイン直列インダクタンスと、を含むことを特徴とするF級増幅回路。
The class F amplifier circuit according to claim 1 or 2,
The class F amplifier circuit, wherein the parasitic circuit includes a shunt capacitance between a parasitic drain and a source of the class F amplifier and a parasitic drain series inductance.
請求項1乃至3のいずれか1項に記載のF級増幅回路であって、
前記基本波整合部は、単一線路で形成され、又は、角基本周波数毎に少なくとも2つに分岐した多線路で構成されることを特徴とするF級増幅回路。
The class F amplifier circuit according to any one of claims 1 to 3,
The fundamental wave matching section is formed of a single line or a multi-line that branches into at least two for each angular fundamental frequency.
請求項1乃至4のいずれか1項に記載のF級増幅回路であって、
前記高調波処理部は、LC梯子型回路により形成されていることを特徴とするF級増幅回路。
The class F amplifier circuit according to any one of claims 1 to 4,
The harmonic processing section is formed of an LC ladder type circuit.
請求項1乃至4のいずれか1項に記載のF級増幅回路であって、
前記高調波処理部は、ステップを有するマイクロストリップ伝送路、又は、コプレーナ伝送路で形成されていることを特徴とするF級増幅回路。
The class F amplifier circuit according to any one of claims 1 to 4,
The class F amplifier circuit, wherein the harmonic processing unit is formed of a microstrip transmission line having a step or a coplanar transmission line.
請求項1乃至6のいずれか1項に記載のF級増幅回路であって、
前記短絡部は、高調波の波長をλとしたときに、λ/4の長さを有する先端開放線路を並列接続して形成されていることを特徴とするF級増幅回路。
The class F amplifier circuit according to any one of claims 1 to 6,
The class F amplifier circuit, wherein the short-circuit portion is formed by connecting in parallel an open-ended line having a length of λ / 4, where λ is the wavelength of the harmonic.
請求項1乃至7のいずれか1項に記載のF級増幅回路であって、
前記短絡部は、LC直列共振回路を並列接続した回路であることを特徴とするF級増幅回路。
A class F amplifier circuit according to any one of claims 1 to 7,
The short circuit section is a circuit in which LC series resonance circuits are connected in parallel.
請求項1乃至8のいずれか1項に記載のF級増幅回路であって、
前記短絡部は、CRLH短絡線路回路を並列接続して形成されていることを特徴とするF級増幅回路。
A class F amplifier circuit according to any one of claims 1 to 8,
The short circuit section is formed by connecting CRLH short circuit circuits in parallel.
請求項1乃至9のいずれか1項に記載のF級増幅回路と、
前記F級増幅回路からの信号を出力するアンテナ部と、を備えることを特徴とする送信装置。
A class F amplifier circuit according to any one of claims 1 to 9,
An antenna unit that outputs a signal from the class F amplifier circuit.
JP2011190611A 2011-09-01 2011-09-01 Class f amplification circuit and transmission device using the same Withdrawn JP2013055405A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011190611A JP2013055405A (en) 2011-09-01 2011-09-01 Class f amplification circuit and transmission device using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011190611A JP2013055405A (en) 2011-09-01 2011-09-01 Class f amplification circuit and transmission device using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013055405A true JP2013055405A (en) 2013-03-21

Family

ID=48132054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011190611A Withdrawn JP2013055405A (en) 2011-09-01 2011-09-01 Class f amplification circuit and transmission device using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013055405A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104300925A (en) * 2014-10-24 2015-01-21 天津大学 High-efficiency class-F and inverse class-F power amplifier
JP2017041800A (en) * 2015-08-20 2017-02-23 学校法人 芝浦工業大学 High harmonic wave processing circuit, and class-f amplifier circuit using the same
CN109936338A (en) * 2019-05-07 2019-06-25 成都理工大学 A kind of five rank of high efficiency is against F power-like amplifier
EP3051694B1 (en) * 2015-01-27 2019-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba High-frequency semiconductor amplifier
CN110350874A (en) * 2019-07-09 2019-10-18 电子科技大学 A kind of micro-strip power amplifier with harmonic inhibition capability
JP2023025451A (en) * 2021-08-10 2023-02-22 株式会社京三製作所 High-frequency amplifier

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104300925A (en) * 2014-10-24 2015-01-21 天津大学 High-efficiency class-F and inverse class-F power amplifier
EP3051694B1 (en) * 2015-01-27 2019-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba High-frequency semiconductor amplifier
JP2017041800A (en) * 2015-08-20 2017-02-23 学校法人 芝浦工業大学 High harmonic wave processing circuit, and class-f amplifier circuit using the same
CN109936338A (en) * 2019-05-07 2019-06-25 成都理工大学 A kind of five rank of high efficiency is against F power-like amplifier
CN109936338B (en) * 2019-05-07 2024-02-09 成都理工大学 High-efficiency five-order inverse F-class power amplifier
CN110350874A (en) * 2019-07-09 2019-10-18 电子科技大学 A kind of micro-strip power amplifier with harmonic inhibition capability
JP2023025451A (en) * 2021-08-10 2023-02-22 株式会社京三製作所 High-frequency amplifier

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113037223B (en) Broadband differential radio frequency power amplifier with second harmonic suppression
CN103490733B (en) A kind of Double-frequency-banDoherty Doherty power amplifier of frequency ratio 1.25 to 2.85
CN106656069B (en) Multi-frequency output matching network applied to GSM radio frequency power amplifier
US6879209B2 (en) Switched-mode power amplifier using lumped element impedance inverter for parallel combining
CN109167582B (en) Broadband band-pass filtering power amplifier based on frequency selective coupling
US7567128B2 (en) Power amplifier suppressing radiation of second harmonic over wide frequency band
JP5874441B2 (en) amplifier
JP2013055405A (en) Class f amplification circuit and transmission device using the same
CN102006019B (en) Amplifier circuit
KR102504219B1 (en) Parametric amplifier system
CN107112953A (en) Power amplifier for amplifying radiofrequency signal
CN110708701B (en) Broadband radio frequency power amplifier design method and 5G low-frequency band radio frequency power amplifier
WO2017008512A1 (en) Doherty power amplifier circuit
JP2017005710A (en) Multiband amplifier and dual band amplifier
CN113922780A (en) Power divider applicable to Doherty PA
JP2018085635A (en) Power amplifier
CN108736833A (en) A kind of raising compensation circuit of the high efficiency double frequency with E power-like amplifier carrier frequencies
CN201733278U (en) Output matching circuit for increasing power added efficiency and linearity
CN111010090A (en) Broadband active frequency doubler
CN203340023U (en) Efficient broadband Doherty power amplifier suitable for low frequency bands
Wang et al. Single-and dual-band filtering power amplifiers
JP2009081605A (en) Inverted class-f amplifying circuit
JP2005341447A (en) High-frequency power amplifier
JP2015195449A (en) Multiband high frequency power amplifier
KR20180060982A (en) Radio-frequency power amplifier and wireless communication device

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20141104